JP2003229364A - アンモニアガス供給装置 - Google Patents
アンモニアガス供給装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気化器を使用することに起因する不純物の除
去のために、ガス純化器を併設しているので、高純度Ｎ
Ｈ３ガスを得るための構造が複雑である。 【解決手段】 ナイトライド半導体の膜付けを行なうた
めのＣＶＤ装置のリアクターへのアンモニアガス供給装
置であつて、液化アンモニアを貯留させる貯蔵タンク１
と、貯蔵タンク１を常温に維持し、貯蔵タンク１内の液
化アンモニアを気化させる恒温装置２と、ＣＶＤ装置の
減圧されたリアクター６と、レギュレータ１０を有し、
貯蔵タンク１とリアクター６とを接続する導入路５とを
備え、貯蔵タンク１内で気化するアンモニアガスをレギ
ュレータ１０によつて圧力調節しながらリアクター６に
供給する。
去のために、ガス純化器を併設しているので、高純度Ｎ
Ｈ３ガスを得るための構造が複雑である。 【解決手段】 ナイトライド半導体の膜付けを行なうた
めのＣＶＤ装置のリアクターへのアンモニアガス供給装
置であつて、液化アンモニアを貯留させる貯蔵タンク１
と、貯蔵タンク１を常温に維持し、貯蔵タンク１内の液
化アンモニアを気化させる恒温装置２と、ＣＶＤ装置の
減圧されたリアクター６と、レギュレータ１０を有し、
貯蔵タンク１とリアクター６とを接続する導入路５とを
備え、貯蔵タンク１内で気化するアンモニアガスをレギ
ュレータ１０によつて圧力調節しながらリアクター６に
供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ装置のリア
クターへのアンモニアガス供給装置に関し、詳しくは、
ＣＶＤ装置によつてナイトライド半導体を製造する際に
使用される高純度のアンモニアガスを、貯蔵タンクから
リアクターに供給するためのアンモニアガス供給装置に
関するものである。
クターへのアンモニアガス供給装置に関し、詳しくは、
ＣＶＤ装置によつてナイトライド半導体を製造する際に
使用される高純度のアンモニアガスを、貯蔵タンクから
リアクターに供給するためのアンモニアガス供給装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】近時、半導体の高集積化に
伴い、半導体製造装置の高性能化が要求されている。一
つのウエハ面内及び多数のウエハ間相互での充分な均一
性・再現性が得られ、不良率の極めて少ない半導体を製
造するためには、半導体製造装置の高性能化が必要不可
欠であり、リアクター内の雰囲気及びウエハ表面の高清
浄度維持が必要である。
伴い、半導体製造装置の高性能化が要求されている。一
つのウエハ面内及び多数のウエハ間相互での充分な均一
性・再現性が得られ、不良率の極めて少ない半導体を製
造するためには、半導体製造装置の高性能化が必要不可
欠であり、リアクター内の雰囲気及びウエハ表面の高清
浄度維持が必要である。
【０００３】このため、半導体の製造に使用するガスの
高純度化が要求され、貯蔵タンクに高純度原料を供給す
る技術及び貯蔵タンクからユースポイントであるリアク
ターに高純度ガスを供給する技術の確立が求められてい
る。
高純度化が要求され、貯蔵タンクに高純度原料を供給す
る技術及び貯蔵タンクからユースポイントであるリアク
ターに高純度ガスを供給する技術の確立が求められてい
る。
【０００４】ナイトライド半導体の製造には、一般に、
ＣＶＤ（化学的気相成長）装置が使用され、ＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＡｓＨ3 、Ｈ2 Ｓｅ、ＰＨ3
などの原料ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）ガスを加熱した
ウエハの上に供給して反応させ、ナイトライド化合物を
ウエハの上にエピタキシャル成長させ、ＴｉＮ，Ａｌ
Ｎ，ＧａＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＢＮ，ＩｎＮ，ＣｒＮなどの
ナイトライドをウエハ表面に膜付けしている。
ＣＶＤ（化学的気相成長）装置が使用され、ＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＡｓＨ3 、Ｈ2 Ｓｅ、ＰＨ3
などの原料ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）ガスを加熱した
ウエハの上に供給して反応させ、ナイトライド化合物を
ウエハの上にエピタキシャル成長させ、ＴｉＮ，Ａｌ
Ｎ，ＧａＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＢＮ，ＩｎＮ，ＣｒＮなどの
ナイトライドをウエハ表面に膜付けしている。
【０００５】例えば、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス又はＧａ（Ｃ
Ｈ３）３ガスとＮＨ３ガスを用いて、次の（１）式又は
（２）式の化学反応によつてＳｉ３Ｎ４又はＧａＮを生
成させ、これらの薄膜をウエハ上に膜付けすることによ
りナイトライド半導体が得られる。
Ｈ３）３ガスとＮＨ３ガスを用いて、次の（１）式又は
（２）式の化学反応によつてＳｉ３Ｎ４又はＧａＮを生
成させ、これらの薄膜をウエハ上に膜付けすることによ
りナイトライド半導体が得られる。
【０００６】
【化１】
【０００７】従来のＣＶＤ装置のリアクターへのアンモ
ニアガス供給装置を図２に示す。貯蔵タンク５０には、
液化ＮＨ３が貯留されている。貯蔵タンク５０の底部に
は、上流側から順次に気化器５１、ガス純化器５２、流
量又は圧力の調節機能を有するマスフローコントローラ
５３及び開閉機能を有するバルブ５４を備える導入路５
５の一端が接続され、導入路５５の他端は、ＣＶＤ装置
のリアクター５６に接続されている。リアクター５６に
は、真空ポンプ５７が接続され、リアクター５６の反応
チャンバ内を減圧している。ガス純化器５２は、ガス中
の不純物を除去するものであり、吸着剤を用いるもの、
ゲッター式のもの、触媒式のものなどがある。
ニアガス供給装置を図２に示す。貯蔵タンク５０には、
液化ＮＨ３が貯留されている。貯蔵タンク５０の底部に
は、上流側から順次に気化器５１、ガス純化器５２、流
量又は圧力の調節機能を有するマスフローコントローラ
５３及び開閉機能を有するバルブ５４を備える導入路５
５の一端が接続され、導入路５５の他端は、ＣＶＤ装置
のリアクター５６に接続されている。リアクター５６に
は、真空ポンプ５７が接続され、リアクター５６の反応
チャンバ内を減圧している。ガス純化器５２は、ガス中
の不純物を除去するものであり、吸着剤を用いるもの、
ゲッター式のもの、触媒式のものなどがある。
【０００８】貯蔵タンク５０に貯留される液化ＮＨ３
は、液相のままで気化器５１に導き、８０℃程度に加熱
して気化させ、次いでＮＨ３ガスをガス純化器５２に導
き、不純物を低減させる。この高純度ＮＨ３ガスは、バ
ルブ５４を開いた状態で、マスフローコントローラ５３
によつて流量調節されながらＣＶＤ装置のリアクター５
６に供給される。このようにして、高純度のＮＨ３ガス
をリアクター５６に供給することにより、所望の性能を
有して不良率の少ないナイトライド半導体の製造が実現
される。
は、液相のままで気化器５１に導き、８０℃程度に加熱
して気化させ、次いでＮＨ３ガスをガス純化器５２に導
き、不純物を低減させる。この高純度ＮＨ３ガスは、バ
ルブ５４を開いた状態で、マスフローコントローラ５３
によつて流量調節されながらＣＶＤ装置のリアクター５
６に供給される。このようにして、高純度のＮＨ３ガス
をリアクター５６に供給することにより、所望の性能を
有して不良率の少ないナイトライド半導体の製造が実現
される。
【０００９】従来のアンモニアガス供給装置においてガ
ス純化器５２を使用する理由は、次の通りである。すな
わち、気化器５１において液化ＮＨ３を比較的高温（８
０℃程度）に加熱して蒸発させるため、貯蔵タンク５０
の内壁などから液化ＮＨ３中に溶け込んだ重金属原子が
気化器５２において気化するＮＨ３ガス中に取り込まれ
易い。これらの重金属は、窒化膜をウエハ表面に膜付け
するときにウエハ表面を汚染して、結晶欠陥が発生して
接合リークが生じたり、窒化膜の絶縁耐圧が劣化したり
する原因となり、所要性能を有する半導体が得られなく
なる。
ス純化器５２を使用する理由は、次の通りである。すな
わち、気化器５１において液化ＮＨ３を比較的高温（８
０℃程度）に加熱して蒸発させるため、貯蔵タンク５０
の内壁などから液化ＮＨ３中に溶け込んだ重金属原子が
気化器５２において気化するＮＨ３ガス中に取り込まれ
易い。これらの重金属は、窒化膜をウエハ表面に膜付け
するときにウエハ表面を汚染して、結晶欠陥が発生して
接合リークが生じたり、窒化膜の絶縁耐圧が劣化したり
する原因となり、所要性能を有する半導体が得られなく
なる。
【００１０】また、気化器５１を通すことにより、気化
器５１及びその付近の流路を構成する部材から水分の放
出が起こり、ＮＨ３ガス中の水分濃度が上昇し、自然気
化した場合のＮＨ３ガスの水分濃度である０．１ｐｐｍ
をはるかに上回り、ウエハ上への酸化膜の発生原因とな
る。このウエハ上の酸化膜の存在は、ナイトライド半導
体をマイクロ波、ミリ波トランジスタの出発基板とする
とき、出力低下の原因となる。
器５１及びその付近の流路を構成する部材から水分の放
出が起こり、ＮＨ３ガス中の水分濃度が上昇し、自然気
化した場合のＮＨ３ガスの水分濃度である０．１ｐｐｍ
をはるかに上回り、ウエハ上への酸化膜の発生原因とな
る。このウエハ上の酸化膜の存在は、ナイトライド半導
体をマイクロ波、ミリ波トランジスタの出発基板とする
とき、出力低下の原因となる。
【００１１】そこで、水分などの不純物の濃度を低減さ
せるために、気化器５１の下流側にガス純化器５２を配
設し、ＮＨ３ガスを気相状態のままでガス純化器５２に
通すことにより、不純物を取り除き、特にＮＨ３ガスの
水分濃度を０．１ｐｐｍ以下に下げ、高純度化を図つて
いる。高集積のナイトライド半導体では、不良率低減の
ために、ＮＨ３ガス中の不純物の濃度を低減させること
が要求されている。
せるために、気化器５１の下流側にガス純化器５２を配
設し、ＮＨ３ガスを気相状態のままでガス純化器５２に
通すことにより、不純物を取り除き、特にＮＨ３ガスの
水分濃度を０．１ｐｐｍ以下に下げ、高純度化を図つて
いる。高集積のナイトライド半導体では、不良率低減の
ために、ＮＨ３ガス中の不純物の濃度を低減させること
が要求されている。
【００１２】このように、従来のＣＶＤ装置のリアクタ
ーへのアンモニアガス供給装置は、ＮＨ３ガス中に含ま
れる重金属によるウエハ表面の汚染と、気化器構成部材
等からの水分放出によるＮＨ３ガスの純度低下という気
化器５１を使用することに起因する不純物の除去のため
に、ガス純化器５２を併設している。その結果、高純度
ＮＨ３ガスを得るための構造が複雑になるという技術的
課題を有している。
ーへのアンモニアガス供給装置は、ＮＨ３ガス中に含ま
れる重金属によるウエハ表面の汚染と、気化器構成部材
等からの水分放出によるＮＨ３ガスの純度低下という気
化器５１を使用することに起因する不純物の除去のため
に、ガス純化器５２を併設している。その結果、高純度
ＮＨ３ガスを得るための構造が複雑になるという技術的
課題を有している。
【００１３】本発明は、この種のＣＶＤ装置のリアクタ
ーが減圧状態にあることに着目してなされたものであ
り、液化ＮＨ３を常温に保つことで事実上の自然気化ガ
スを得ることにより、気化器５１を省略させると共に、
比較的低圧（１０気圧以下）のＮＨ３ガスをＣＶＤ装置
の減圧されたリアクターに供給させ、上述した課題を解
決することを目的としている。
ーが減圧状態にあることに着目してなされたものであ
り、液化ＮＨ３を常温に保つことで事実上の自然気化ガ
スを得ることにより、気化器５１を省略させると共に、
比較的低圧（１０気圧以下）のＮＨ３ガスをＣＶＤ装置
の減圧されたリアクターに供給させ、上述した課題を解
決することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来の技術的課題に鑑みてなされたもので、その構成は、
次の通りである。請求項１の発明は、ナイトライド半導
体の膜付けを行なうためのＣＶＤ装置のリアクターへの
アンモニアガス供給装置であつて、液化アンモニアを貯
留させる貯蔵タンク１と、貯蔵タンク１を常温に維持
し、貯蔵タンク１内の液化アンモニアを気化させる恒温
装置２と、ＣＶＤ装置の減圧されたリアクター６と、レ
ギュレータ１０を有し、貯蔵タンク１とリアクター６と
を接続する導入路５とを備え、貯蔵タンク１内で気化す
るアンモニアガスをレギュレータ１０によつて圧力調節
しながらリアクター６に供給することを特徴とするアン
モニアガス供給装置である。請求項２の発明は、恒温装
置２が、貯蔵タンク１を１５〜３０℃の温度範囲に維持
することを特徴とする請求項１のアンモニアガス供給装
置である。
来の技術的課題に鑑みてなされたもので、その構成は、
次の通りである。請求項１の発明は、ナイトライド半導
体の膜付けを行なうためのＣＶＤ装置のリアクターへの
アンモニアガス供給装置であつて、液化アンモニアを貯
留させる貯蔵タンク１と、貯蔵タンク１を常温に維持
し、貯蔵タンク１内の液化アンモニアを気化させる恒温
装置２と、ＣＶＤ装置の減圧されたリアクター６と、レ
ギュレータ１０を有し、貯蔵タンク１とリアクター６と
を接続する導入路５とを備え、貯蔵タンク１内で気化す
るアンモニアガスをレギュレータ１０によつて圧力調節
しながらリアクター６に供給することを特徴とするアン
モニアガス供給装置である。請求項２の発明は、恒温装
置２が、貯蔵タンク１を１５〜３０℃の温度範囲に維持
することを特徴とする請求項１のアンモニアガス供給装
置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明に係るＣＶ
Ｄ装置のリアクターへのアンモニアガス供給装置の１実
施の形態を示す。符号１は貯蔵タンクを示し、貯蔵タン
ク１は恒温装置２の密閉空間２ａ内に配置され、貯蔵タ
ンク１及びその内部を常温（１５℃〜３０℃）、好まし
くは２０〜２５℃に維持している。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明に係るＣＶ
Ｄ装置のリアクターへのアンモニアガス供給装置の１実
施の形態を示す。符号１は貯蔵タンクを示し、貯蔵タン
ク１は恒温装置２の密閉空間２ａ内に配置され、貯蔵タ
ンク１及びその内部を常温（１５℃〜３０℃）、好まし
くは２０〜２５℃に維持している。
【００１６】この恒温装置２は、密閉空間２ａの上部に
シャワー装置２０を備え、温度調節手段２１によつて上
記温度に維持した水をシャワー装置２０から貯蔵タンク
１上に噴出させることにより、貯蔵タンク１及びその内
部を常温（１５℃〜３０℃）、好ましくは２０〜２５℃
に維持している。温度調節手段２１は、冬季においては
水を加熱し、夏季においては水を冷却する機能を有して
いる。従つて、恒温装置２の密閉空間２ａ内は、温度調
節が可能である。貯蔵タンク１には、通常、水分濃度が
約１ｐｐｍの液化ＮＨ３が貯留されている。
シャワー装置２０を備え、温度調節手段２１によつて上
記温度に維持した水をシャワー装置２０から貯蔵タンク
１上に噴出させることにより、貯蔵タンク１及びその内
部を常温（１５℃〜３０℃）、好ましくは２０〜２５℃
に維持している。温度調節手段２１は、冬季においては
水を加熱し、夏季においては水を冷却する機能を有して
いる。従つて、恒温装置２の密閉空間２ａ内は、温度調
節が可能である。貯蔵タンク１には、通常、水分濃度が
約１ｐｐｍの液化ＮＨ３が貯留されている。
【００１７】貯蔵タンク１の上部には、圧力の調節機能
を有するレギュレータ１０、流量の調節機能を有するマ
スフローコントローラ３及び開閉機能を有するバルブ４
を備える導入路５の一端が接続され、導入路５の他端
は、ＣＶＤ装置のリアクター６に接続されている。この
導入路５には、気化器及びガス純化器は設けられていな
い。
を有するレギュレータ１０、流量の調節機能を有するマ
スフローコントローラ３及び開閉機能を有するバルブ４
を備える導入路５の一端が接続され、導入路５の他端
は、ＣＶＤ装置のリアクター６に接続されている。この
導入路５には、気化器及びガス純化器は設けられていな
い。
【００１８】リアクター６には、真空ポンプ７が接続さ
れ、リアクター６の反応チャンバ内を約１Ｐａ程度に減
圧維持している。リアクター６の内部が大気圧（ほぼ１
×１０5 Ｐａ）と比較して減圧状態にあるから、貯蔵タ
ンク１から自然気化に近い比較的低圧の状態で流出する
ＮＨ３ガスは、適当な差圧を受けながら導入路５を安定
的に流下することができる。リアクター６の反応チャン
バ内には、ウエハである被成膜部材Ａが配置され、リア
クター６内に導入されたＮＨ３ガスと原料ガスの化学反
応によつて生成された窒化物を被成膜部材Ａに膜付けし
て、ナイトライドの薄膜Ｂが形成され、ナイトライド半
導体が得られる。
れ、リアクター６の反応チャンバ内を約１Ｐａ程度に減
圧維持している。リアクター６の内部が大気圧（ほぼ１
×１０5 Ｐａ）と比較して減圧状態にあるから、貯蔵タ
ンク１から自然気化に近い比較的低圧の状態で流出する
ＮＨ３ガスは、適当な差圧を受けながら導入路５を安定
的に流下することができる。リアクター６の反応チャン
バ内には、ウエハである被成膜部材Ａが配置され、リア
クター６内に導入されたＮＨ３ガスと原料ガスの化学反
応によつて生成された窒化物を被成膜部材Ａに膜付けし
て、ナイトライドの薄膜Ｂが形成され、ナイトライド半
導体が得られる。
【００１９】このアンモニアガス供給装置によれば、恒
温装置２内の貯蔵タンク１に貯留される液化ＮＨ３が常
温（１５〜３０℃）に維持されているので、自然気化状
態によつてＮＨ３ガスが発生する。恒温装置２内を２０
〜２５℃の範囲で温度調節することにより、貯蔵タンク
１内のＮＨ３ガスの蒸気圧を、０．９ＭＰａ〜１ＭＰａ
（９〜１０気圧）の範囲に制御し、リアクター６の内部
との適当な差圧を与えることができると共に、貯蔵タン
ク１内のＮＨ３ガスの水分濃度を、ほぼ自然気化ガスの
水分濃度、つまり０．１ｐｐｍ又はそれ以下の高純度に
維持することができる。
温装置２内の貯蔵タンク１に貯留される液化ＮＨ３が常
温（１５〜３０℃）に維持されているので、自然気化状
態によつてＮＨ３ガスが発生する。恒温装置２内を２０
〜２５℃の範囲で温度調節することにより、貯蔵タンク
１内のＮＨ３ガスの蒸気圧を、０．９ＭＰａ〜１ＭＰａ
（９〜１０気圧）の範囲に制御し、リアクター６の内部
との適当な差圧を与えることができると共に、貯蔵タン
ク１内のＮＨ３ガスの水分濃度を、ほぼ自然気化ガスの
水分濃度、つまり０．１ｐｐｍ又はそれ以下の高純度に
維持することができる。
【００２０】なお、貯蔵タンク１内上部には、液化ＮＨ
３が充満することを避けるために、常に所定体積以上の
空間を形成させ、所定量のＮＨ３ガスを発生させておく
ことが望ましい。この貯蔵タンク１内上部に確保するＮ
Ｈ３ガスの収容空間は、導入路５と貯蔵タンク１との接
続部に容器を介装させて形成することもできる。
３が充満することを避けるために、常に所定体積以上の
空間を形成させ、所定量のＮＨ３ガスを発生させておく
ことが望ましい。この貯蔵タンク１内上部に確保するＮ
Ｈ３ガスの収容空間は、導入路５と貯蔵タンク１との接
続部に容器を介装させて形成することもできる。
【００２１】貯蔵タンク１を常温（１５〜３０℃）に維
持した状態でバルブ４を開けば、貯蔵タンク１内のＮＨ
３ガスが導入路５に流入し、レギュレータ１０によつて
圧力が調節され、マスフローコントローラ３によつて流
量が調節されながらリアクター６の反応チャンバ内に流
入するので、他の処理ガス（図示せず）と反応して、被
成膜部材Ａに所定の薄膜Ｂが形成される。レギュレータ
１０を通過後のＮＨ３ガスには、０．２ＭＰａ以上の圧
力を与える。なお、レギュレータ１０の上流と下流と
で、少なくとも０．２ＭＰａの圧力差を与えることが、
下流側での脈動を防止する上で望まれる。貯蔵タンク１
内のＮＨ３ガスの蒸気圧は、９〜１０気圧の範囲である
が、リアクター６の内部が減圧されているので、レギュ
レータ１０を所定圧力で通過させ、ＮＨ３ガスをリアク
ター６に向けて流動させることができる。
持した状態でバルブ４を開けば、貯蔵タンク１内のＮＨ
３ガスが導入路５に流入し、レギュレータ１０によつて
圧力が調節され、マスフローコントローラ３によつて流
量が調節されながらリアクター６の反応チャンバ内に流
入するので、他の処理ガス（図示せず）と反応して、被
成膜部材Ａに所定の薄膜Ｂが形成される。レギュレータ
１０を通過後のＮＨ３ガスには、０．２ＭＰａ以上の圧
力を与える。なお、レギュレータ１０の上流と下流と
で、少なくとも０．２ＭＰａの圧力差を与えることが、
下流側での脈動を防止する上で望まれる。貯蔵タンク１
内のＮＨ３ガスの蒸気圧は、９〜１０気圧の範囲である
が、リアクター６の内部が減圧されているので、レギュ
レータ１０を所定圧力で通過させ、ＮＨ３ガスをリアク
ター６に向けて流動させることができる。
【００２２】このように、本発明では気化器（及び純化
器）を使用しないので、ＮＨ３ガスの流路が短縮され、
気化器で生ずる重金属によるウエハ表面の汚染と、気化
器及び流路の構成部材からの水分放出によるＮＨ３ガス
の純度低下が解消する。リアクター６内に流入するＮＨ
３ガスは、水分濃度が０．１ｐｐｍ又はそれ以下の高純
度に維持され、その他の不純物も低減されているので、
リアクター内の雰囲気及びウエハ表面の高清浄度が維持
された状態にあり、被成膜部材Ａに不良率の極めて少な
い薄膜Ｂを形成することができる。
器）を使用しないので、ＮＨ３ガスの流路が短縮され、
気化器で生ずる重金属によるウエハ表面の汚染と、気化
器及び流路の構成部材からの水分放出によるＮＨ３ガス
の純度低下が解消する。リアクター６内に流入するＮＨ
３ガスは、水分濃度が０．１ｐｐｍ又はそれ以下の高純
度に維持され、その他の不純物も低減されているので、
リアクター内の雰囲気及びウエハ表面の高清浄度が維持
された状態にあり、被成膜部材Ａに不良率の極めて少な
い薄膜Ｂを形成することができる。
【００２３】すなわち、ＮＨ３ガスに混入した重金属に
起因して、ウエハ表面が汚染され、結晶欠陥が発生して
接合リークが生じたり、窒化膜の絶縁耐圧が劣化したり
することが抑制される。また、ＮＨ３ガスに混入した水
分に起因して、ウエハ上に酸化膜が形成されることが抑
制される。
起因して、ウエハ表面が汚染され、結晶欠陥が発生して
接合リークが生じたり、窒化膜の絶縁耐圧が劣化したり
することが抑制される。また、ＮＨ３ガスに混入した水
分に起因して、ウエハ上に酸化膜が形成されることが抑
制される。
【００２４】ところで、上記１実施の形態にあつては、
貯蔵タンク１及びその内部を常温に維持するために、恒
温装置２の密閉空間２ａの上部にシャワー装置２０を備
えさせ、温度調節手段２１によつて所定温度に維持した
水をシャワー装置２０から噴出させたが、電気的な温度
維持手段によつて貯蔵タンク１及びその内部を常温に維
持することも可能である。
貯蔵タンク１及びその内部を常温に維持するために、恒
温装置２の密閉空間２ａの上部にシャワー装置２０を備
えさせ、温度調節手段２１によつて所定温度に維持した
水をシャワー装置２０から噴出させたが、電気的な温度
維持手段によつて貯蔵タンク１及びその内部を常温に維
持することも可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明によつて理解されるように、
本発明に係るアンモニアガス供給装置によれば、次の効
果を奏することができる。高価な気化器を使用すること
なく、貯蔵タンクから直接、高純度のＮＨ３ガスを取り
出し、このＮＨ３ガスを窒素の原料ガスとしてＣＶＤ装
置のリアクターに供給することが可能となる。その結
果、構造簡素なアンモニアガス供給装置としながら、不
純物である重金属によるウエハ表面の汚染及びＮＨ３ガ
ス中の水分純度の上昇による不良品の発生が抑制され
る。
本発明に係るアンモニアガス供給装置によれば、次の効
果を奏することができる。高価な気化器を使用すること
なく、貯蔵タンクから直接、高純度のＮＨ３ガスを取り
出し、このＮＨ３ガスを窒素の原料ガスとしてＣＶＤ装
置のリアクターに供給することが可能となる。その結
果、構造簡素なアンモニアガス供給装置としながら、不
純物である重金属によるウエハ表面の汚染及びＮＨ３ガ
ス中の水分純度の上昇による不良品の発生が抑制され
る。
【００２６】加えて、常温での自然気化によるＮＨ３ガ
スを流動させるので、高圧ガス製造設備の対象とはなら
ず、高圧ガス取締法の規制を受けない。従つて、バルブ
などの構成部品も官庁認定品を使う必要がなく、高圧ガ
ス取締法の規制を受ける従来の高純度ＮＨ３ガス供給シ
ステムと比較して、はるかに低コストで実施することが
できる。
スを流動させるので、高圧ガス製造設備の対象とはなら
ず、高圧ガス取締法の規制を受けない。従つて、バルブ
などの構成部品も官庁認定品を使う必要がなく、高圧ガ
ス取締法の規制を受ける従来の高純度ＮＨ３ガス供給シ
ステムと比較して、はるかに低コストで実施することが
できる。
【図１】 本発明の１実施の形態に係るＣＶＤ装置のリ
アクターへのアンモニアガス供給装置を示す概略図。
アクターへのアンモニアガス供給装置を示す概略図。
【図２】 従来例を示す図。
１：貯蔵タンク、２：恒温装置、２ａ：密閉空間、３：
マスフローコントローラ、４：バルブ、５：導入路、
６：リアクター、７：真空ポンプ、１０：レギュレー
タ、Ａ：被成膜部材、Ｂ：薄膜。
マスフローコントローラ、４：バルブ、５：導入路、
６：リアクター、７：真空ポンプ、１０：レギュレー
タ、Ａ：被成膜部材、Ｂ：薄膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 ナイトライド半導体の膜付けを行なうた
めのＣＶＤ装置のリアクターへのアンモニアガス供給装
置であつて、液化アンモニアを貯留させる貯蔵タンク
（１）と、貯蔵タンク（１）を常温に維持し、貯蔵タン
ク（１）内の液化アンモニアを気化させる恒温装置
（２）と、ＣＶＤ装置の減圧されたリアクター（６）
と、レギュレータ（１０）を有し、貯蔵タンク（１）と
リアクター（６）とを接続する導入路（５）とを備え、
貯蔵タンク（１）内で気化するアンモニアガスをレギュ
レータ（１０）によつて圧力調節しながらリアクター
（６）に供給することを特徴とするアンモニアガス供給
装置。 - 【請求項２】 恒温装置（２）が、貯蔵タンク（１）を
１５〜３０℃の温度範囲に維持することを特徴とする請
求項１のアンモニアガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026529A JP2003229364A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | アンモニアガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002026529A JP2003229364A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | アンモニアガス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229364A true JP2003229364A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27748333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002026529A Pending JP2003229364A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | アンモニアガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003229364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014103203A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Japan Pionics Co Ltd | アンモニアの回収方法及び再利用方法 |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002026529A patent/JP2003229364A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014103203A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Japan Pionics Co Ltd | アンモニアの回収方法及び再利用方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050112 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050125 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050531 |