JP2003227849A - Probe element and its production method - Google Patents

Probe element and its production method

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JP2003227849A
JP2003227849A JP2002027059A JP2002027059A JP2003227849A JP 2003227849 A JP2003227849 A JP 2003227849A JP 2002027059 A JP2002027059 A JP 2002027059A JP 2002027059 A JP2002027059 A JP 2002027059A JP 2003227849 A JP2003227849 A JP 2003227849A
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JP2002027059A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihisa Akahira
Shinichiro Inoue
Yoichi Urakawa
慎一郎 井上
陽一 浦川
明久 赤平
Original Assignee
Micronics Japan Co Ltd
株式会社日本マイクロニクス
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a probe element with a large height from the tip end of a projection to the connection part to a connection land.
SOLUTION: The production method of the probe element is characterized in that it contains a first step for preparing a stage having a main surface and one or more recesses, and a second step for forming, on the main surface, a first photoresist layer which is formed by laminating two or more dry photoresist films and has a projection penetrating the first photoresist layer in the thickness direction to reach the recess.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路や表示パネルの通電試験に用いられるプローブや接触子として利用するプローブ要素及びその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a probe element and a manufacturing method thereof utilizing as probes or contacts used in electrical test of the integrated circuit and the display panel. 【0002】 【従来の技術】集積回路のような平板状被検査体は、一般に、プローブカードのようなプローブ装置を用いて通電試験をされる。 [0002] Tabular device under test such as of integrated circuits is generally a current test using a probe device, such as a probe card. この種のプローブ装置の1つとして、 One of this type of probe apparatus,
柱状部と、該柱状部の一端からほぼ直角の方向へ伸びるアーム部と、該アーム部の先端部から柱状部と反対側へ突出する突起部とを備えた複数のプローブ要素を用いるものがある。 It is to use a columnar portion, an arm portion extending in the substantially perpendicular direction from one end of the columnar portion, a plurality of probe elements having a projection portion projecting from the tip of the arm portion to the columnar portion opposite . 【0003】上記のプローブ要素は、柱状部の他端において配線基板の配線のような接続ランドに半田付けされ、突起部を被検査体の電極部に押圧される突起電極として用いられる。 [0003] The probe elements are soldered to the connecting lands, such as the wiring of the wiring board at the other end of the columnar portion is used as a projection electrode to be pressed projections on the electrode portion of the device under test. 【0004】そのようなプローブ要素の製造方法の1つとして、ステンレス製の基台の主面に突起電極用の凹所を有する金型を用い、基台の主面にホトレジストを塗布し、そのホトレジストの露光及び現像処理を行って製造すべきプローブ要素の形状を有する開口をホトレジストに形成し、その開口にニッケルのような導電性材料を電鋳法のような適宜な手法により装着して突起部及びアーム部を形成し、ホトレジスト、突起部及びアーム部に第2のホトレジストを塗布し、第2のホトレジストの露光及び現像処理を行って柱状部に対応する穴を第2のホトレジストに形成し、その穴にニッケルのような導電性材料を電鋳法のような適宜な手法により装着して柱状部を形成し、残存する全てのホトレジストを除去し、得られたプローブ要素を [0004] One method for producing such a probe element, using a mold having a recess of protruding electrodes in a stainless steel base of the main surface, a photoresist is applied to the base of the main surface, the an opening having a shape of the probe element to be produced is subjected to exposure and development of the photoresist is formed on the photoresist, protrusion mounted by a suitable technique such as electroforming a conductive material such as nickel in the opening parts and forms the arm portion, the photoresist, a second photoresist is applied to the projecting portion and the arm portion, to form a hole by performing exposure and development of the second photoresist corresponding to the columnar portion to the second photoresist to form a columnar portion fitted by an appropriate technique such as electroforming a conductive material such as nickel into the hole, all of the photoresist is removed the remaining, the resulting probe elements 型から外す技術がある。 There is a technique to remove from the mold. 【0005】 【解決しようとする課題】しかし、従来の製造技術では、液体のホトレジストを用いるから、塗布されたホトレジストの層の厚さ寸法が小さく、したがって突起部及び柱状部の高さ寸法が小さく、その結果突起部の先端から接続ランドへの接続部までの高さ寸法の大きいプローブ要素を得ることができない。 [0005] [Problem to be Solved] However, in the conventional manufacturing technology, since using a photoresist liquid, small thickness of the layer of the applied photoresist, thus reducing the height of the protrusion and the columnar portion , it can not be obtained a large probe elements height dimension from the tip of the resulting projections to the connection portion to the connection lands. 【0006】本発明の目的は、突起部の先端から接続ランドへの接続部までの高さ寸法の大きいプローブ要素を得ることにある。 An object of the present invention is to obtain a large probe elements height dimension from the tip of the protrusion to the connection to the connection lands. 【0007】 【解決手段、作用及び効果】本発明に係る製造方法は、 [0007] A, action and effect] According to the process of the present invention,
主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する第1のステップと、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを重ねた第1のホトレジスト層であって当該第1のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記凹所に達する突起部を有する第1のホトレジスト層を前記主面に形成する第2のステップとを含む。 A first step of preparing a base having one or more recesses on the main surface and having a major surface, the a first photoresist layer of repeated 2 or more dry photoresist that a film-like first the the photoresist layer through to the thickness direction a first photoresist layer having a projecting portion reaching said recess and a second step of forming on said major surface. 【0008】第1のホトレジスト層は、例えば、1つの乾燥ホトレジストを基台に配置し、その乾燥ホトレジストに基台の凹所に達する穴を露光・現像技術のような技術により形成し、その穴に突起部の一部を電鋳法のような技術により形成し、その後は、既存の乾燥ホトレジストの上に乾燥ホトレジストを重ねて配置するステップと、新たな乾燥ホトレジストに基台の凹所に達する穴を形成するステップと、その穴に突起部の一部を形成するステップとを乾燥ホトレジスト毎に繰り返すことにより、形成することができる。 [0008] The first photoresist layer is, for example, one dry photoresist is disposed on the base, the hole reaching the recess of the base is formed by a technique such as exposure and development techniques to the dry photoresist, holes that a part of the protrusion is formed by a technique such as electroforming method, then comprises the steps of placing overlapping the dried photoresist on top of the existing dry photoresist, reaches the recess of the base to a new dry photoresist forming a hole, by repeating the steps of forming part of the protrusion into the hole in each drying photoresist can be formed. 【0009】第1のホトレジスト層は、また、2以上の乾燥ホトレジストを基台に重ねて配置し、その乾燥ホトレジストに基台の凹所に達する穴をレーザ加工技術のような技術により形成し、その穴に突起部を電鋳法のような技術により形成することによっても、形成することができる。 [0009] The first photoresist layer is also 2 or more dry photoresist was placed to overlap the base, the hole reaching the recess of the base is formed by techniques such as laser processing technology on the dry photoresist, by forming by a technique such as a projection electroforming method in the hole can be formed. 【0010】フィルム状の乾燥ホトレジストにより形成されるレジスト層の厚さ寸法は、液体ホトレジストにより形成されるレジスト層の厚さ寸法より大きい。 [0010] The thickness dimension of the film-like resist layer formed by drying photoresist is greater than the thickness of the resist layer formed by a liquid photoresist. そのような乾燥ホトレジストを2以上重ねた第1のホトレジスト層の厚さ寸法も大きい。 Thickness of the first photoresist layer overlaid such dry photoresist 2 or more is also large. したがって、そのような第1 Therefore, such a first
のホトレジスト層を用いると、従来に比べ、突出長さ寸法の大きい突起部を形成することができ、したがって最終的に形成されるプローブ要素の高さ寸法も大きくなる。 With the photoresist layer, compared with the conventional, it is possible to form large protrusions protruding length dimension, therefore the height of the probe elements to be finally formed is also increased. 【0011】プローブ要素の製造方法は、さらに、導電性材料を用いたスパッタリングにより前記突起部に接合された第1の導電層を前記第1のホトレジスト層に形成する第3のステップと、該第1の導電層に第2のホトレジスト層を形成する第4のステップと、前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であって前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホトレジスト層に形成する第5のステップとを含むことができる。 [0011] manufacturing process of the probe element further includes a third step of forming a first conductive layer by sputtering using a conductive material bonded to the projections on the first photoresist layer, said a fourth step of forming a second photoresist layer on the first conductive layer, the second photoresist layer at the arm portion that is joined are overlapped with the first conductive layer through to the thickness direction an arm portion extending substantially perpendicularly to the projections there may include a fifth step of forming the photoresist layer of the two. 【0012】突起部、第1の導電層及びアーム部が同じ材料、例えばニッケルであっても、電鋳法のようなメッキ技術により突出長さ寸法の大きい突起部と厚さ寸法の大きいアーム部とを得ることができるにもかかわらず、 [0012] projections, large arm portion of the first conductive layer and the arm portion is the same material, for example, even nickel, large projection and the thickness of the projecting length by plating techniques such as electroforming despite it is possible to obtain the bets,
突起部及び第1の導電層が強固に接合されると共に、第1の導電層及びアーム部が強固に接合される。 Protrusion and the first conductive layer with are strongly bonded, the first conductive layer and the arm portion are firmly bonded. 【0013】プローブ要素の製造方法は、さらに、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3 The method of manufacturing a probe element further third formed by stacking two or more dry photoresist was filmy
のホトレジスト層と、該第3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む積層シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成する第6のステップと、前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第7のステップと、前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が接合されている領域を除いて前記第2の導電層を除去する第8のステップと、前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5のホトレジスト層 Of the photoresist layer, and the third photoresist layer to superimposed electrically insulating resin layer, a second conductive layer superposed on the electrical insulating resin layer, a fourth superimposed on the second conductive layer the laminate sheet layer including a photoresist layer, the a third state in which the photoresist layer becomes the second photoresist layer side, and a sixth step of forming on said arm portion and said second photoresist layer, the second a seventh step of forming the fourth photoresist layer of the base portion of the portion corresponding to the columnar portion is lack of probe elements a second conductive layer on the base portion joined are overlapped, the fourth the photoresist layer is removed, the fifth to the exposed surface of the eighth step of removing said second conductive layer except for a region where the base portion is joined, said base portion and said electrically insulating resin layer photoresist layer of 形成する第7のステップと、前記第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成する第9のステップと、前記アーム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第9のステップと、前記第1,第2,第3 A seventh step of forming, from a photoresist layer of the fifth, the ninth step of forming a hole reaching said arm through a lack portion and the laminated sheet layers of the base portion, the arm portion, the first second conductive layer and the columnar portion of the conductive joined to the base portion and the ninth step of forming said hole, said first, second, third
及び第5のホトレジスト層並びに前記電気絶縁樹脂フィルム層を除去すると共に、前記第1及び第2の導電層の不要な箇所を除去する第10のステップとを含むことができる。 And to remove the fifth photoresist layer and the electrically insulating resin film layer may include a tenth step of removing the unnecessary portions of the first and second conductive layers. 【0014】上記のようにすれば、第3のホトレジスト層、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層の厚さ寸法が大きいから、長さ寸法の大きい柱状部を得ることができる。 [0014] If, as described above, the third photoresist layer, since the thickness of the electrically insulating resin layer and the second conductive layer is large, it is possible to obtain a large columnar portion of the length dimension. 【0015】積層シート層は、例えば、2以上の乾燥ホトレジスト、電気絶縁樹脂層、第2の導電層及び第4のホトレジスト層をその順に重ねることによりアーム部及び第2のホトレジスト層に形成することができるし、予め形成された積層シート層をアーム部及び第2のホトレジスト層に配置することによっても形成することができる。 The laminate sheet layer, for example, 2 or more drying photoresist, electrically insulating resin layer, forming the arm portion and the second photoresist layer by overlapping the second conductive layer and the fourth photoresist layer in that order it can, can be formed by placing a laminated sheet layer which is previously formed on the arm portion and the second photoresist layer. 【0016】電気絶縁樹脂層及び第2の導電層は、銅箔にポリイミド樹脂層を形成した市販のシートを用いることができる。 The electrically insulating resin layer and the second conductive layer may be a commercially available sheet formed of polyimide resin layer to the copper foil. そのようにすれば、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層を接合する作業が不要になるから、プローブ要素の製造コストを低減することができる。 By doing so, because the work for joining the electrically insulating resin layer and the second conductive layer is not required, thereby reducing the manufacturing cost of the probe elements. 【0017】第2の導電層が銅であり、ベース部及び柱状部がベース部と同じ材料、例えばニッケルであっても、電鋳法のようなメッキ技術により長さ寸法の大きい柱状部と厚さ寸法の大きいベース部とを得ることができるにもかかわらず、ベース部が第2の導電層に強固に接合されると共に、柱状部がベース部、第2の導電層及びアーム部に強固に接合される。 [0017] A second conductive layer is copper, the same material as the base portion and the columnar portion base part, be, for example, nickel, thickness and the large columnar portion of the length dimension by plating techniques such as electroforming despite can be obtained by a large base dimensions, with the base portion are firmly joined to the second conductive layer, the base portion is columnar section firmly to the second conductive layer and the arm portion They are joined. 【0018】本発明に係る他の製造方法は、主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する第1のステップと、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを用いた第1のホトレジスト層及び該第1のホトレジスト層に重ねられた第1の導電層を含む第1の積層シート層を前記第1のホトレジスト層が前記基台側となる状態に前記基台に形成する第2のステップと、前記凹所に達する貫通穴を前記第1の積層シート層に形成する第3のステップと、前記凹所から前記第1のホトレジスト層及び前記第1の導電層に達する突起部を前記凹所及び前記貫通穴に形成する第4のステップ(8)とを含む。 [0018] Another manufacturing method according to the present invention comprises a first step of preparing a base having one or more recesses on the main surface and having a principal surface, one or more dry photoresist was filmy the first photoresist layer and the first of the base of the first laminated sheet layers in a state where the first photoresist layer is the base-side comprising a conductive layer superposed on the first photoresist layer using a second step of forming the third step and the first photoresist layer from said recess and said first conductive layer a through hole is formed in the first laminated sheet layer reaching said recess the projections reaching and a fourth step of forming said recess and said through hole (8). 【0019】他の製造方法において、貫通穴は、例えば、ホトレジストを用いるエッチング技術や、レーザ光線を用いるレーザ加工技術等により、形成することができる。 [0019] In another manufacturing method, the through holes, for example, and an etching technique using a photoresist, by laser machining techniques or the like using a laser beam, it can be formed. また、突起部は、例えば、電鋳法のようなメッキ技術により、形成することができる。 The protrusions may, for example, by plating techniques such as electroforming can be formed. 【0020】他の製造方法においても、第1のホトレジスト層、第1の導電層の厚さ寸法を大きくすることができるから、突出長さ寸法の大きい突起部を形成することができ、したがって最終的に形成されるプローブ要素の高さ寸法も大きくなる。 [0020] In another manufacturing method, the first photoresist layer, since it is possible to increase the thickness of the first conductive layer, it is possible to form large protrusions protruding length dimension, therefore the final the height of the probe elements are formed manner also increases. 【0021】凹所に達する貫通穴は、例えば、ホトレジストを用いる露光・現像・エッチング技術やレーザ加工技術等の技術により、形成することができる。 The through-hole reaching the recess, for example in a technique such as exposure, development, etching or laser machining technique using a photoresist, it is formed. 【0022】他の製造方法は、さらに、前記第1の導電層に第2のホトレジスト層を形成する第5のステップと、前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であって前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2 [0022] Other manufacturing methods further the first and the fifth step of forming a second photoresist layer on the conductive layer, wherein the second photoresist layer through to the thickness direction first said arm portions extending substantially perpendicular to the protrusion a conductive layer on the arm portions joined by superposed 2
のホトレジスト層に形成する第6のステップとを含むことができる。 It may include a sixth step of forming the photoresist layer. 【0023】他の製造方法において、アーム部は、例えば、第2のホトレジスト層に対する露光・現像技術と、 [0023] In another manufacturing method, the arm section, for example, the exposure-development technique for the second photoresist layer,
電鋳法のようなメッキ技術とを利用して、形成することができる。 Utilizing plating techniques, such as electroforming can be formed. 【0024】他の製造方法は、さらに、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3のホトレジスト層と、該第3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む第2の積層シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成する第7のステップと、前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第8のステップと、前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が接合されている領域を除いて前記第2の導 [0024] Other production methods may further include a third photoresist layer formed by stacking two or more dry photoresist that a film-like, electrically insulating resin layer superposed on the photoresist layer of the third, the electrical insulating resin a second conductive layer superposed on the layer, the fourth and the second laminated sheet layers including a photoresist layer, the third photoresist layer and the second photoresist superimposed on the second conductive layer the state in which the layer side, and a seventh step of forming on said arm portion and said second photoresist layer, the columnar portion of the probe element to a second conductive layer superposed base portion which is joined an eighth step of forming a corresponding portion has a base portion which is lacking in the fourth photoresist layer, and removing the fourth photoresist layer, said excluding a region where the base portion is joined first 2 of the guide 層を除去する第9のステップと、前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5のホトレジスト層を形成する第10のステップと、前記第5 A ninth step of removing the layer, and the tenth step of forming a fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer, the fifth
のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成する第11のステップと、前記アーム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第12のステップと、前記第1,第2,第4 From photoresist layer, and the eleventh step of forming a hole reaching said arm through a lack portion and the laminated sheet layers of the base portion, the arm portion is bonded to the second conductive layer and the base portion a twelfth step of forming a columnar portion of the conductive to the hole was the first, second, fourth
及び第5のホトレジスト層、前記電気絶縁樹脂層並びに前記第1の導電層を除去する第11のステップとを含むことができる。 And the fifth photoresist layer may include a eleventh step of removing the electrically insulating resin layer and the first conductive layer. 【0025】上記のようにすれば、第3のホトレジスト層、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層の厚さ寸法が大きいから、長さ寸法の大きい柱状部を得ることができる。 [0025] If, as described above, the third photoresist layer, since the thickness of the electrically insulating resin layer and the second conductive layer is large, it is possible to obtain a large columnar portion of the length dimension. 【0026】他の製造方法において、第2の積層シート層及び穴は、それぞれ、既に述べた製造方法における積層シート層及び穴と同様の手法により、形成することができる。 [0026] In another manufacturing method, the second laminated sheet layer and holes, respectively, the already same manner as the laminated sheet layers and the hole in the manufacturing method described, can be formed. 【0027】他の製造方法において、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層は、銅箔にポリイミド樹脂層を形成した市販のシートを用いることができる。 [0027] In another manufacturing method, the electrically insulating resin layer and the second conductive layer may be a commercially available sheet formed of polyimide resin layer to the copper foil. そのようにすれば、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層を接合する作業が不要になるから、プローブ要素の製造コストを低減することができる。 By doing so, because the work for joining the electrically insulating resin layer and the second conductive layer is not required, thereby reducing the manufacturing cost of the probe elements. 【0028】他の製造方法において、第2の導電層が銅であり、ベース部及び柱状部がベース部と同じ材料、例えばニッケルであっても、電鋳法のようなメッキ技術により長さ寸法の大きい柱状部と厚さ寸法の大きいベース部とを得ることができるにもかかわらず、ベース部が第2の導電層に強固に接合されると共に、柱状部がベース部、第2の導電層及びアーム部に強固に接合される。 [0028] In another manufacturing method, a second conductive layer is copper, the length dimension by plating techniques such as the base portion and the same material as the base portion is columnar portion be, for example, nickel, electroforming large columnar portion and despite it is possible to obtain a large base thickness dimension, the base portion is strongly bonded to the second conductive layer, the base portion is columnar portion, a second conductive layer and it is firmly joined to the arm portion. 【0029】本発明に係るプローブ要素は、取付座部と、該取付座部からこれとほぼ直角に伸びる柱状部と、 The probe elements according to the present invention includes a mounting base, and a columnar portion extending substantially perpendicularly thereto from the attachment seat,
該柱状部からこれとほぼ直角に伸びるアーム部と、該アーム部の先端部から前記柱状部と反対方向へ突出する突起部とを含む。 It includes an arm portion extending substantially perpendicularly thereto from the columnar portion, and a protruding portion protruding from the tip of the arm portion to the opposite direction as the columnar portion. 【0030】上記のプローブ要素によれば、従来のプローブ要素に比べ、少なくとも取付座部の厚さ寸法分だけ、プローブ要素の高さ寸法が大きくなる。 According to the probe elements, compared with the conventional probe element by at least the thickness dimension of the mounting base component, the height of the probe elements is increased. 【0031】また、本発明に係るプローブ要素によれば、柱状部の断面積を大きくすることなく、ベース部の面積を大きくして、柱状部と接続ランドとの接着面積を大きくすることができるから、柱状部と接続ランドとの接着力が強く、プローブ要素が基板から剥がれにくい。 Further, according to the probe elements according to the present invention, it is possible without increasing the cross-sectional area of ​​the columnar portion, by increasing the area of ​​the base portion, to increase the adhesion area between the connection and the columnar portion land from a strong adhesive force between the connection and the columnar portion land, the probe element is less likely to peel off from the substrate.
しかし、従来のプローブ要素では、柱状部の断面積を大きくしない限り、柱状部と接続ランドとの接着面積を大きくすることができないから、柱状部と接続ランドとの接着力が弱く、プローブ要素が基板から剥がれやすい。 However, in the conventional probe elements, unless a large cross-sectional area of ​​the columnar portion, not possible to increase the adhesion area between the connection lands columnar section, weak adhesion between connecting the columnar portion land, the probe element easy to peel off from the substrate. 【0032】 【発明の実施の形態】先ず、図1参照してプローブ要素について説明する。 [0032] PREFERRED EMBODIMENTS First, the probe elements will be described with reference FIG. 【0033】プローブ要素10は、一方向へ伸びる角柱状の取付座部12と、取付座部12の一端部側からこれとほぼ直角に伸びる柱状部14と、柱状部14からこれとほぼ直角に伸びる角柱状のアーム部16と、アーム部16の先端部から柱状部14と反対方向へ突出する突起部18とを含む。 The probe element 10 includes a prismatic-shaped mounting seat 12 extending in one direction, a columnar portion 14 extending substantially perpendicularly thereto from one end of the mounting base 12, substantially perpendicular to the columnar portion 14 and which extending includes a prismatic arm 16, and a protrusion 18 protruding from the distal end portion of the arm portion 16 and the columnar portion 14 in the opposite direction. 取付座部12、柱状部14、アーム部16及び突起部18は導電性を有しており、隣り合う部分は一体的に結合されている。 Mounting base 12, the columnar portion 14, the arm portions 16 and the projections 18 has conductivity, adjacent portions are integrally connected. 【0034】取付座部12とアーム部16とは、図示の例では柱状部14から反対方向へ伸びているが、柱状部14から同じ方向へ伸びていてもよい。 [0034] The mounting base 12 and the arm portion 16, although in the illustrated example extends from the columnar portion 14 in the opposite direction, may extend from the columnar portion 14 in the same direction. その場合、柱状部16から取付座部12の先端までの長さ寸法が柱状部16から突起部18の位置までのアーム部16の長さ寸法より小さくすれば、アーム部16の弾性変形可能範囲が取付座部12の厚さ寸法分だけ大きくなる。 In that case, if the length of the columnar portion 16 to the tip of the mounting seat portion 12 is smaller than the length of the arm portion 16 from the columnar portion 16 to the position of the protrusion 18, the elastic deformation range of the arm portion 16 There increased by the thickness of the mounting base 12 min. 【0035】柱状部14は、図示の例では円形の断面形状を有しているが、正方形や長方形や六角形のような多角形、楕円形、長円形等の他の断面形状を有していてもよい。 The columnar portion 14, in the illustrated example has a circular cross-sectional shape, polygonal such as square or rectangular, hexagonal, oval, have other cross-sectional shape of oval, etc. it may be. 突起部18はの先端部、図示の例では角錐形に形成されているが、円錐形、半球状、短い筒状等、他の形状を有していてもよい。 Projections 18 Hano tip, although in the illustrated example is formed in a pyramidal, conical, hemispherical, short cylindrical, etc., may have other shapes. 【0036】次に、図2から図9を参照して、上記のようなプローブ要素10の製造方法の実施例について説明する。 Next, with reference to FIGS. 2 to 9, a description will be given of an embodiment of a method of manufacturing the probe elements 10 as described above. 【0037】先ず、図2(A)に示すように、主面に1 [0037] First, as shown in FIG. 2 (A), 1 to the main surface
以上の凹所20を有する基台22が準備される。 Base 22 having the above recesses 20 are prepared. 凹所2 The recess 2
0は、角錐形や円錐形のようにプローブ要素の突起部の先端形状に対応した先端を有するポンチを用いて基台2 0, the base 2 by using a punch having a tip that corresponds to the tip shape of the protrusion of the probe element as pyramidal or conical
2に形成することができる。 It can be formed in two. 基台22は、ステンレス製とすることが好ましいが、他の材料であってもよい。 Base 22 is preferably to be made of stainless steel, but may be other materials. 【0038】次いで、図2(B)に示すように、基台2 [0038] Then, as shown in FIG. 2 (B), the base 2
2の主面に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを配置して、ホトレジスト層24が形成される。 The second major surface, place one or more dry photoresist that a film-like photoresist layer 24 is formed. ホトレジスト層24は、乾燥ホトレジストを基台22の主面に接着することにより、形成することができる。 The photoresist layer 24, by adhering the dry photoresist on the main surface of the base 22, can be formed. 【0039】次いで、図2(C)に示すように、ホトレジスト層24に、露光及び現像処理が行われて、基台2 [0039] Then, as shown in FIG. 2 (C), the photoresist layer 24, exposure and development processing is performed, the base 2
2の凹所20に連通する穴26が形成される。 Hole 26 communicating with the second recess 20 is formed. 【0040】次いで、図2(D)に示すように、導電性材料による1回目のメッキ処理がホトレジスト層24の側から行われて、凹所20及び穴26に突起部の一部として作用する凸部28が形成される。 [0040] Then, as shown in FIG. 2 (D), 1 time of the plating process by conductive material is performed from the side of the photoresist layer 24 acts as a part of the protrusion in the recess 20 and the hole 26 protrusions 28 are formed. メッキ処理は、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating may be a nickel plating using suitable techniques such as electroforming. 【0041】次いで、図3(A)に示すように、ホトレジスト層24に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを配置して、ホトレジスト層30が形成される。 [0041] Then, as shown in FIG. 3 (A), the photoresist layer 24, by placing one or more dry photoresist that a film-like photoresist layer 30 is formed.
ホトレジスト層30は、乾燥ホトレジストをホトレジスト層24に重ねて接着することにより、形成することができる。 Photoresist layer 30 is a dry photoresist by overlapping and adhering to the photoresist layer 24 can be formed. 【0042】次いで、図3(B)に示すように、ホトレジスト層30に、露光及び現像処理が行われて、凸部2 [0042] Then, as shown in FIG. 3 (B), the photoresist layer 30, exposure and development processing is performed, protrusions 2
8に対応する箇所に穴32が形成される。 Holes 32 are formed at positions corresponding to 8. 【0043】次いで、図3(C)に示すように、導電性材料による2回目のメッキ処理がホトレジスト層30の側から行われて、穴32に突起部の残りの部分として作用する凸状の主部が形成される。 [0043] Then, as shown in FIG. 3 (C), 2 nd plating process by the conductive material is performed from the side of the photoresist layer 30, convex acting as the rest of the protrusion into the hole 32 the main part is formed. この主部は、前回のメッキ処理により形成された凸部28と一体的に結合されて、凸部28と共にプローブ要素10の突起部18を形成する。 The main portion is integrally coupled with the convex portion 28 formed by the previous plating treatment to form a protrusion 18 of the probe element 10 with protrusions 28. このときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating at this time as well, as before plating, it can be nickel plated by suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、凸部と主部とが強固に一体的に結合される。 By doing so, the convex portion and the main portion are firmly integrally connected. 【0044】上記のようにして得られた突起部18は、 The projections 18 obtained as described above,
ホトレジスト層24,30を、一般的な液体ホトレジストで形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の乾燥ホトレジストで形成しているから、大きい突出長さ寸法を有する。 The photoresist layers 24 and 30, compared with the case of forming a common liquid photoresist, because they form a large plurality of dry photoresist thickness, having a greater protruding length. 【0045】上記のように露光・現像処理とメッキ処理とを2回ずつ行う代わりに、複数の乾燥ホトレジストを重ねて基台に配置して、ホトレジスト層を形成し、そのホトレジスト層にレーザビームにより穴26,32に対応する穴を形成し、その後メッキ処理を行ってもよい。 [0045] The exposure and development processes and plating treatment as described above, instead of performing twice, and placed on the base overlapping the plurality of dry photoresist to form a photoresist layer, by the laser beam on the photoresist layer forming holes corresponding to the holes 26 and 32, may be subjected to subsequent plating process. 【0046】次いで、図3(D)に示すように、ホトレジスト層30に、導電性材料によるスパッタリングが行われて導電層36が形成される。 [0046] Then, as shown in FIG. 3 (D), the photoresist layer 30, conductive layer 36 is performed sputtering with a conductive material is formed. このときの導電性材料として、上記2回のメッキ処理で用いたニッケルとすることが好ましい。 As a conductive material at this time, it is preferable that the nickel used in the plating process of the two. そのようにすれば、突起部18と導電層36とが強固に一体的に結合される。 By doing so, the projections 18 and the conductive layer 36 is firmly integrally connected. 【0047】次いで、図4(A)に示すように、導電層36に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストが配置されて、ホトレジスト層38が形成される。 [0047] Then, as shown in FIG. 4 (A), the conductive layer 36, one or more dry photoresist that a film is arranged, the photoresist layer 38 is formed. 乾燥ホトレジストを導電層36に重ねて接着することにより、 By overlapping and adhering the dry photoresist on the conductive layer 36,
形成することができる。 It can be formed. 【0048】次いで、図4(B)に示すように、ホトレジスト層38に、露光及び現像処理が行われて、プローブ要素のアーム部に対応する穴40が形成される。 [0048] Then, as shown in FIG. 4 (B), the photoresist layer 38, exposure and development processing is carried out, holes 40 corresponding to the arm portion of the probe element is formed. 【0049】次いで、図4(C)に示すように、導電性材料による3回目のメッキ処理がホトレジスト層38の側から行われて、穴40にプローブ要素10のアーム部16の一部として作用すべく突起部18とほぼ直角に伸びる第1のアーム領域42が形成される。 [0049] Then, as shown in FIG. 4 (C), plating the third by the conductive material is performed from the side of the photoresist layer 38, it acts as a part of the arm portion 16 of the probe element 10 in the hole 40 the first arm region 42 extending substantially perpendicular to the protrusion 18 so as to is formed. 第1のアーム領域42は、前回のスパッタリング処理により形成された導電層36と一体的に結合される。 The first arm region 42 is integrally connected to the conductive layer 36 formed by the previous sputtering process. このときのメッキ処理も、前2回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating at this time as well, as before the two plating may be a nickel plating using suitable techniques such as electroforming. 【0050】上記のようにして得られた第1のアーム領域42は、ホトレジスト層38を、一般的な液体ホトレジストで形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の乾燥ホトレジストで形成しているから、大きい厚さ寸法を有する。 The first arm region 42 obtained as described above, the photoresist layer 38, compared with the case of forming a common liquid photoresist, are formed by a large plurality of dry photoresist thickness from has a larger thickness dimension. 【0051】次いで、図5(A)に示すように、ホトレジスト層38及び第1のアーム領域42に、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを用いたホトレジスト層44が形成される。 [0051] Then, as shown in FIG. 5 (A), the photoresist layer 38 and the first arm region 42, photoresist layer 44 using two or more dry photoresist that a film is formed. ホトレジスト層44は、複数の乾燥ホトレジストを重ねてホトレジスト層38及び第1のアーム領域42に接着することにより、形成することができる。 Photoresist layer 44, by overlapping and adhering a plurality of dry photoresist on the photoresist layer 38 and the first arm region 42 can be formed. 【0052】次いで、図5(B)に示すように、電気絶縁樹脂層46と導電層48とが、電気絶縁樹脂層46をホトレジスト層44側とした状態に、ホトレジスト層4 [0052] Then, as shown in FIG. 5 (B), an electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48, an electrically insulating resin layer 46 in a state in which a photoresist layer 44 side, the photoresist layer 4
4に形成される。 4 is formed. 電気絶縁樹脂層46と導電層48とは、ポリイミドフィルムのような電気絶縁樹脂層と銅フィルムのような導電層とを積層した市販のものを用いることができる。 The electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48, can be used commercially available electrical insulating laminated and a conductive layer as the resin layer and the copper film such as a polyimide film. そのようにすれば、電気絶縁樹脂層46 That way, the electrically insulating resin layer 46
及び導電層48を接合する作業が不要になるから、プローブ要素の製造コストが低減する。 And because the work for joining the conductive layer 48 is not required, the manufacturing cost of the probe elements is reduced. 【0053】次いで、図5(C)に示すように、導電層48にホトレジスト層50が形成される。 [0053] Then, as shown in FIG. 5 (C), a photoresist layer 50 on the conductive layer 48 is formed. このホトレジスト層50は、乾燥ホトレジストで形成してもよいし、 The photoresist layer 50 may be formed by drying the photoresist,
液体のホトレジストで形成してもよい。 It may be formed with a photoresist liquid. 【0054】上記のように複数のステップを経ることにより、ホトレジスト層44、電気絶縁樹脂層46、導電層48及びホトレジスト層50の積層シート層を形成する代わりに、ホトレジスト層44、電気絶縁樹脂層4 [0054] Through multiple steps as described above, instead of forming the photoresist layer 44, the laminated sheet layers of the electrically insulating resin layer 46, conductive layer 48 and photoresist layer 50, photoresist layer 44, the electrically insulating resin layer 4
6、導電層48及びホトレジスト層50又はそれらのいくつかを予め積層したものを用いることにより、ステップ数を減少させてもよい。 6, by using a previously stacked several conductive layers 48 and photoresist layer 50 or their may reduce the number of steps. 【0055】次いで、図6(A)に示すように、ホトレジスト層50に、露光及び現像処理が行われて、プローブ要素10の柱状部14に対応する箇所が除去された取付座部12に対応する穴52が形成される。 [0055] Then, as shown in FIG. 6 (A), the photoresist layer 50, exposure and development processing is performed, corresponding to the mounting seat 12 which portion has been removed corresponding to the columnar portion 14 of the probe element 10 holes 52 are formed. 【0056】次いで、図6(B)に示すように、導電性材料によるメッキ処理がホトレジスト層50の側から行われて、穴52に対応する第1の座部領域54が形成される。 Next, as shown in FIG. 6 (B), plating with a conductive material is performed from the side of the photoresist layer 50, the first seat region 54 corresponding to the holes 52 are formed. このときのメッキ処理も、これまでのメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating at this time as well, similar to the plating process so far, it can be nickel plated by suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、ニッケル製の第1の座部領域54は、銅製の導電層46に強固に一体的に結合される。 If that way, the first seat region 54 made of nickel is firmly integrally coupled to a copper conductive layer 46. また、ホトレジスト層50が乾燥ホトレジストを用いて形成されていると、液体ホトレジストを用いた場合に比べ、厚さ寸法の大きい第1の座部領域54を得ることができる。 Further, when the photoresist layer 50 is formed using a dry photoresist, compared with the case of using the liquid photoresist, it is possible to obtain the first seat region 54 larger thickness dimension. 【0057】次いで、図7(A)に示すように、ホトレジスト層50のうち、第1の座部領域54の周りに残存するホトレジスト及びプローブ要素10の柱状部14に対応する箇所の穴56内に残存するホトレジストが除去される。 [0057] Then, as shown in FIG. 7 (A), of the photoresist layer 50, the hole 56 of the portion corresponding to the columnar portion 14 of the photoresist and the probe element 10 remaining around the first seat region 54 photoresist remaining is removed. これにより、穴56が開放される。 Accordingly, the hole 56 is opened. 【0058】次いで、図7(B)に示すように、導電層48のうち、第1の座部領域54の周り及び穴56に対応する箇所の導電製材料がエッチングにより除去される。 [0058] Then, as shown in FIG. 7 (B), of the conductive layer 48, a conductive steel material portion corresponding to and around the hole 56 of the first seat region 54 is removed by etching. これにより、第1の座部領域54及び残存する導電層48を貫通する穴58が第1の座部領域54及び残存する導電層48に形成される。 Thus, it is formed on the conductive layer 48 a hole 58 passing through the first seat region 54 and the conductive layer 48 remaining is left and the first seat region 54. これにより、残存する導電層48の残存領域は、第2の座部領域として作用して、第1の座部領域54と共にプローブ要素10の取付座部12を形成する。 Thus, the remaining regions of the conductive layer 48 remaining acts as a second seat area, with the first seating region 54 to form the mounting seat portion 12 of the probe element 10. 【0059】次いで、図7(C)に示すように、ホトレジスト層60が、第1の座部領域54、残存する導電層すなわち第2の座部領域48及び電気絶縁樹脂層46の露出部を覆うように、第1の座部領域54、残存する導電層48及び電気絶縁樹脂層46の側に形成される。 [0059] Then, as shown in FIG. 7 (C), a photoresist layer 60, the exposed portion of the first seat region 54, conductive layer or second seat region 48 and the electrically insulating resin layer 46 remaining so as to cover the first seat region 54, is formed on the side of the conductive layer 48 and the electrically insulating resin layer 46 remains. ホトレジスト層60は、液体のホトレジストを塗布することにより、形成することができる。 The photoresist layer 60, by applying a photoresist liquid, can be formed. 【0060】次いで、図8(A)に示すように、ホトレジスト層60に、露光及び現像処理が行われて、穴58 [0060] Then, as shown in FIG. 8 (A), the photoresist layer 60, exposure and development processing is carried out, the hole 58
内のホトレジストが除去されると共に、導電層48の穴58に対応する箇所の材料がエッチングにより除去されて、ホトレジスト層60、第1の座部領域54及び第2 With photoresist inner is removed, the material of the portion corresponding to the hole 58 of the conductive layer 48 is removed by etching, the photoresist layer 60, the first seat region 54 and the second
の座部領域48を貫通する穴62が形成される。 Hole 62 penetrating the seat region 48 is formed. 【0061】次いで、図8(B)に示すように、穴62 [0061] Then, as shown in FIG. 8 (B), holes 62
から、電気絶縁樹脂層46及びホトレジスト層44を貫通する穴64がレーザビームを用いて形成される。 From the hole 64 which penetrates an electrically insulating resin layer 46 and the photoresist layer 44 is formed using a laser beam. これにより、ホトレジスト層60、第1の座部領域54、第2の座部領域48、電気絶縁樹脂層46及びホトレジスト層44を貫通する貫通穴64が形成される。 Thus, the photoresist layer 60, the first seat region 54, the second seat area 48, through holes 64 that penetrate the electrical insulating resin layer 46 and the photoresist layer 44 is formed. 貫通穴6 The through hole 6
4は、第1のアーム領域42に達している。 4 has reached the first arm region 42. 【0062】次いで、図9(A)に示すように、導電性材料によるメッキ処理がホトレジスト層60の側から行われて、プローブ要素10の柱状部14が穴64に第1 [0062] Then, as shown in FIG. 9 (A), plating with a conductive material is performed from the side of the photoresist layer 60, the first columnar portion 14 is a hole 64 of the probe element 10
のアーム領域42から第1の座部領域54にわたって形成される。 It is from the arm region 42 formed over a first seat region 54. このメッキ処理において、柱状部14は、第1の座部領域54を貫通した状態にまで形成されるが、 In this plating process, the columnar section 14 is formed to a state passing through the first seat region 54,
ホトレジスト層60には形成されない。 Not formed in the photoresist layer 60. 【0063】図9(A)に示すメッキ処理も、前2回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 [0063] plating process shown in FIG. 9 (A) also as before and two plating may be a nickel plating using suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、ニッケル製の柱状部14は、アーム部42、第2の座部領域48及び第1の座部領域54に強固に一体的に結合される。 By doing so, nickel columnar portion 14, arm portions 42, rigidly integrally coupled to the second seat area 48 and the first seat region 54. 【0064】上記のように形成された柱状部14は、ホトレジスト層44を、液体ホトレジストを用いて形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい乾燥ホトレジストを用いて形成しているから、大きな長さ寸法を有する。 [0064] columnar portion 14 formed as described above, the photoresist layer 44, compared with the case formed by using a liquid photoresist, because formed using a large dry photoresist thickness, length greater having dimensions. 【0065】次いで、図9(B)に示すように、ホトレジスト層24,30、導電層36、第1のアーム領域4 [0065] Then, as shown in FIG. 9 (B), photoresist layer 24 and 30, conductive layer 36, the first arm region 4
2、ホトレジスト層44、残存する電気絶縁樹脂層4 2, photoresist layer 44, electrically insulating resin layer 4 remaining
6、第2の座部領域48及び第1の座部領域54のブロックが基台22から除去される。 6, the block of the second seat area 48 and the first seat region 54 is removed from the base 22. 【0066】次いで、図9(C)に示すように、ホトレジスト層24,30、第1のアーム領域42に結合されていない導電層36の箇所、ホトレジスト層44及び残存する電気絶縁樹脂層46が除去される。 [0066] Then, as shown in FIG. 9 (C), the photoresist layers 24 and 30, portions of the first arm region 42 not coupled to the conductive layer 36, the electrically insulating resin layer 46 to photoresist layer 44 and the remaining It is removed. これにより、 As a result,
導電層36の残存領域は、第2のアーム領域として作用して、第1のアーム領域42と共にプローブ要素10のアーム部16を形成する。 Remaining region of the conductive layer 36 acts as a second arm region to form the arm portion 16 of the probe element 10 with a first arm region 42. 【0067】上記のような方法により製作されたプローブ要素10は、従来のプローブ要素に比べ、突起部18 [0067] probe element 10 fabricated by the method as described above, compared with the conventional probe element, the protrusion 18
の突出長さ寸法及び柱状部14の長さ寸法が大きいから、座部12から突起部18の先端までの高さ寸法が大きい。 Since the length of the projecting length and the columnar portion 14 is large, a large height from the seat 12 to the tip of the protrusion 18. 【0068】次に、図10から図17を参照して、上記のようなプローブ要素10の製造方法の他の実施例について説明する。 Next, with reference to FIGS. 10 to 17, describes another embodiment of a manufacturing method of probe elements 10 as described above. 【0069】先ず、図10(A)に示すように、主面に1以上の凹所20を有する基台22が準備される。 [0069] First, as shown in FIG. 10 (A), a base 22 having one or more recesses 20 on the main surface is prepared. 【0070】次いで、図10(B)に示すように、基台22の主面に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを配置して、ホトレジスト層24が形成される。 [0070] Then, as shown in FIG. 10 (B), the main surface of the base 22, by placing one or more dry photoresist that a film-like photoresist layer 24 is formed. 【0071】次いで、図10(C)に示すように、ホトレジスト層24に、導電層70が銅箔のようなフィルムをホトレジスト層24に接着することにより、重ねた状態に配置される。 [0071] Then, as shown in FIG. 10 (C), the photoresist layer 24, conductive layer 70 by a film such as a copper foil adhered to the photoresist layer 24 and positioned in superposed. 【0072】次いで、図10(D)に示すように、導電層70に、ホトレジスト層72が重ねた状態に形成される。 [0072] Then, as shown in FIG. 10 (D), the conductive layer 70 thus formed is photoresist layer 72 is superimposed. ホトレジスト層72は、フィルム状の乾燥ホトレジストを導電層70に重ねて接着することにより、形成することができるし、液体のホトレジストを導電層70に塗布することによっても形成することができる。 Photoresist layer 72, by overlapping and adhering the film-like dry photoresist on the conductive layer 70, it can be formed, can be formed by applying a photoresist liquid to the conductive layer 70. 【0073】上記のようにホトレジスト層24,導電層70及びホトレジスト層72を別々のステップで形成する代わりに、ホトレジスト層24を形成する乾燥ホトレジストを導電層70に予め重ねておくか、又はホトレジスト層24を形成する乾燥ホトレジスト、導電層70及びホトレジスト層72を予め重ねておき、それらを基台に配置してもよい。 [0073] The photoresist layer 24 as described above, the conductive layer 70 and photoresist layer 72 instead of forming a separate step, either in advance superposed dry photoresist to form a photoresist layer 24 on the conductive layer 70, or photoresist layer drying the photoresist to form a 24, advance superimposed conductive layer 70 and photoresist layer 72 may be disposed them in base. 【0074】次いで、図11(A)に示すように、ホトレジスト層72に露光及び現像処理が行われる。 [0074] Then, as shown in FIG. 11 (A), exposure and development processes are performed in the photoresist layer 72. これにより、基台22の凹所20に対応する箇所に穴73Aが形成される。 Thus, the holes 73A are formed at positions corresponding to the recesses 20 of the base 22. 【0075】次いで、図11(B)に示すように、導電層70にエッチング処理が行われる。 [0075] Then, as shown in FIG. 11 (B), the etching process is performed to the conductive layer 70. これにより、導電層70及びホトレジスト層72を貫通する穴73Bが基台22の凹所20に対応する箇所に形成される。 Thus, the hole 73B penetrating the conductive layer 70 and photoresist layer 72 are formed at positions corresponding to the recesses 20 of the base 22. 【0076】次いで、図11(C)に示すように、ホトレジスト層24に露光及び現像処理が行われる。 [0076] Then, as shown in FIG. 11 (C), exposure and development processes are performed in the photoresist layer 24. これにより、ホトレジスト層72、導電層70、ホトレジスト層24を貫通して凹所20に達する穴73Cが形成される。 Thus, photoresist layer 72, conductive layer 70, the hole 73C to reach the recess 20 through the photoresist layer 24 is formed. 【0077】次いで、図12(A)に示すように、導電性材料による1回目のメッキ処理がホトレジスト層72 [0077] Then, as shown in FIG. 12 (A), 1 time of the plating process by the conductive material is photoresist layer 72
の側から行われて、凹所20及び穴73Cにプローブ要素10の突起部18が形成される。 Taking place from the side of the protrusion 18 of the probe element 10 in the recess 20 and the hole 73C are formed. 突起部18は、ホトレジスト層24及び導電層70を貫通した状態に形成されるが、ホトレジスト層72には形成されない。 Protrusion 18 is thus formed is passed through the photoresist layer 24 and the conductive layer 70 not formed on the photoresist layer 72. メッキ処理は、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating may be a nickel plating using suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、突起部18 By doing so, the protruding portion 18
は導電層70に強固に一体的に結合される【0078】上記のようにして得られた突起部18は、 The projections 18 obtained as the [0078] above are firmly integrally connected to the conductive layer 70,
ホトレジスト層24を、一般的な液体ホトレジストで形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の乾燥ホトレジストで形成しているから、大きい突出長さ寸法を有する。 The photoresist layer 24, compared with the case of forming a common liquid photoresist, because they form a large plurality of dry photoresist thickness, having a greater protruding length. 【0079】次いで、図12(B)に示すようにホトレジスト層72が除去され、その代わりに図12(C)に示すようにホトレジスト層74が導電層70に形成される。 [0079] Then, the photoresist layer 72 is removed as shown in FIG. 12 (B), photoresist layer 74 as shown in FIG. 12 (C) is formed on the conductive layer 70 instead. ホトレジスト層74は、後に説明するように導電層70がアーム部の一部として用いられるから、液体のホトレジストを導電層70に塗布することにより形成することができる。 Photoresist layer 74, conductive layer 70 as described later is because used as part of the arm portion, can be formed by applying a photoresist liquid to the conductive layer 70. 【0080】次いで、図12(D)に示すように、ホトレジスト層74に、露光及び現像処理が行われて、プローブ要素10のアーム部16に対応する箇所に穴76が形成される。 [0080] Then, as shown in FIG. 12 (D), the photoresist layer 74, exposure and development processing is carried out, holes 76 are formed at positions corresponding to the arm portion 16 of the probe element 10. 【0081】次いで、図13(A)に示すように、導電性材料による2回目のメッキ処理がホトレジスト層74 [0081] Then, as shown in FIG. 13 (A), 2 nd plating process by the conductive material is photoresist layer 74
の側から行われて、プローブ要素10のアーム部16の一部を形成する第1のアーム領域78が形成される。 Taking place from the side of the first arm region 78 which forms part of the arm portion 16 of the probe element 10 is formed. このときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating at this time as well, as before plating, it can be nickel plated by suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、第1のアーム領域78 By doing so, the first arm region 78
が導電層70及び突起部18に強固に一体的に結合される。 There rigidly integrally coupled to the conductive layer 70 and the protrusions 18. 【0082】ホトレジスト層74を乾燥ホトレジストにより形成すれば、第1のアーム領域78、ひいてはプローブ要素10のアーム部16の厚さ寸法を大きくすることができる。 [0082] By forming a photoresist layer 74 dried photoresist, the first arm region 78, can therefore increase the thickness of the arm portion 16 of the probe element 10. 【0083】次いで、図13(B)に示すように、ホトレジスト層74及び第1のアーム領域78に、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを用いたホトレジスト層80が形成される。 [0083] Then, as shown in FIG. 13 (B), the photoresist layer 74 and the first arm region 78, photoresist layer 80 using two or more dry photoresist that a film is formed. ホトレジスト層80は、先の実施例におけるホトレジスト層44と同様に形成することができる。 Photoresist layer 80 can be formed in the same manner as the photoresist layer 44 in the previous embodiment. 【0084】次いで、図13(C)に示すように、電気絶縁樹脂層82と導電層84とが、電気絶縁樹脂層82 [0084] Then, as shown in FIG. 13 (C), an electrically insulating resin layer 82 and the conductive layer 84, the electrically insulating resin layer 82
をホトレジスト層80側とした状態に、ホトレジスト層80に形成される。 The state in which a photoresist layer 80 side, is formed in the photoresist layer 80. 電気絶縁樹脂層82及び導電層84 Electrically insulating resin layer 82 and the conductive layer 84
は、先の実施例における電気絶縁樹脂層46及び導電層48と同様に形成することができる。 It can be formed in the same manner as the electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48 in the previous embodiment. したがって、電気絶縁樹脂層82及び導電層84を接合する作業が不要になるから、プローブ要素の製造コストが低減する。 Therefore, because the work for joining the electrical insulating resin layer 82 and the conductive layer 84 is not required, the manufacturing cost of the probe elements is reduced. 【0085】次いで、図14(A)に示すように、導電層84にホトレジスト層86が形成される。 [0085] Then, as shown in FIG. 14 (A), photoresist layer 86 is formed on the conductive layer 84. このホトレジスト層86は、乾燥ホトレジストで形成してもよいし、液体のホトレジストで形成してもよい。 The photoresist layer 86 may be formed by drying the photoresist may be formed with a photoresist liquid. 【0086】ホトレジスト層80、電気絶縁樹脂層8 [0086] The photoresist layer 80, the electrically insulating resin layer 8
2、導電層84及びホトレジスト層86の積層シート層も、先の実施例と同様に、ホトレジスト層80、電気絶縁樹脂層82、導電層84及びホトレジスト層86又はそれらのいくつかを予め積層したものを用いることにより、ステップ数を減少させてもよい。 2, the laminated sheet layers of the conductive layer 84 and photoresist layer 86, like the previous embodiment, the photoresist layer 80, which electrically insulating resin layer 82, conductive layer 84 and the photoresist layer 86 or some of them were previously laminated by using, it may reduce the number of steps. 【0087】次いで、図14(B)に示すように、ホトレジスト層86に、露光及び現像処理が行われて、プローブ要素10の柱状部14に対応する箇所が除去された取付座部12に対応する穴88が形成される。 [0087] Then, as shown in FIG. 14 (B), the photoresist layer 86, exposure and development processing is performed, corresponding to the mounting seat 12 which portion has been removed corresponding to the columnar portion 14 of the probe element 10 holes 88 are formed. 【0088】次いで、図14(C)に示すように、導電性材料によるメッキ処理がホトレジスト層86の側から行われて、穴88に対応する第1の座部領域90が形成される。 [0088] Then, as shown in FIG. 14 (C), plating with a conductive material is performed from the side of the photoresist layer 86, the first seat region 90 corresponding to the holes 88 are formed. このときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 Plating at this time as well, as before plating, it can be nickel plated by suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、ニッケル製の第1の座部領域90は、銅製の導電層84に強固に一体的に結合される。 If that way, the first seat region 90 made of nickel is firmly integrally coupled to a copper conductive layer 84. また、ホトレジスト層86が乾燥ホトレジストを用いて形成されていると、液体ホトレジストを用いた場合に比べ、厚さ寸法の大きい第1の座部領域90を得ることができる。 Further, when the photoresist layer 86 is formed using a dry photoresist, compared with the case of using the liquid photoresist, it is possible to obtain the first seat region 90 larger thickness dimension. 【0089】次いで、図15(A)に示すように、ホトレジスト層86のうち、第1の座部領域90の周りに残存するホトレジスト及びプローブ要素10の柱状部14 [0089] Then, as shown in FIG. 15 (A), of the photoresist layer 86, the columnar portion 14 of the photoresist and the probe element 10 remaining around the first seat region 90
に対応する箇所の穴92内に残存するホトレジストが除去される。 Photoresist remaining is removed in the hole 92 of the portion corresponding to. これにより、穴92が開放される。 Accordingly, the hole 92 is opened. 【0090】次いで、図15(B)に示すように、導電層84のうち、第1の座部領域90の周り及び穴92に対応する箇所の導電製材料がエッチングにより除去される。 [0090] Then, as shown in FIG. 15 (B), of the conductive layer 84, a conductive steel material portion corresponding to and around the hole 92 of the first seat region 90 is removed by etching. これにより、第1の座部領域90及び残存する導電層84を貫通する穴94が第1の座部領域90及び残存する導電層84に形成される。 Thus, the holes 94 passing through the first seat region 90 and the remaining conductive layer 84 that is formed in the first seat region 90 and the remaining conductive layer 84. これにより、残存する導電層84の残存領域は、第2の座部領域として作用して、第1の座部領域90と共にプローブ要素10の取付座部12を形成する。 Thus, the remaining regions of the conductive layer 84 remaining acts as a second seat area to form a mounting seat portion 12 of the probe element 10 together with the first seat region 90. 【0091】次いで、図15(C)に示すように、ホトレジスト層96が、第1の座部領域90、残存する導電層すなわち第2の座部領域84及び電気絶縁樹脂層82 [0091] Then, as shown in FIG. 15 (C), a photoresist layer 96 is first seat region 90, the conductive layer remaining or second seat region 84 and the electrically insulating resin layer 82
の露出部を覆うように、第1の座部領域90、第2の座部領域84及び電気絶縁樹脂層82の側に形成される。 To cover the exposed portion, the first seat region 90, is formed on the side of the second seat area 84 and the electrically insulating resin layer 82.
ホトレジスト層96は、液体のホトレジストを塗布することにより、形成することができる。 Photoresist layer 96, by applying a photoresist liquid, can be formed. 【0092】次いで、図16(A)に示すように、ホトレジスト層96に、露光及び現像処理が行われて、穴9 [0092] Then, as shown in FIG. 16 (A), the photoresist layer 96, exposure and development processing is carried out, the hole 9
4内のホトレジストが除去されると共に、第2の座部領域84の穴98に対応する箇所の材料がエッチングにより除去されて、ホトレジスト層96、第1及び第2の座部領域90,84を貫通する穴100が形成される。 With the photoresist is removed in 4, the material of the portion corresponding to the hole 98 of the second seat area 84 is removed by etching, the photoresist layer 96, the first and second seat area 90,84 hole 100 penetrates. 【0093】次いで、図16(B)に示すように、穴1 [0093] Then, as shown in FIG. 16 (B), holes 1
00から、電気絶縁樹脂層82及びホトレジスト層80 00, an electrically insulating resin layer 82 and the photoresist layer 80
を貫通する穴がレーザビームを用いて形成される。 It is formed using a laser beam holes through. これにより、ホトレジスト層96、第1の座部領域90、残存する導電層すなわち第2の座部領域84、電気絶縁樹脂層82及びホトレジスト層80を貫通する貫通穴10 Thus, the photoresist layer 96, the first seat region 90, the conductive layer or the second seat area 84 remains, through holes 10 that penetrate the electrical insulating resin layer 82 and the photoresist layer 80
2が形成される。 2 is formed. 貫通穴102は、第1のアーム領域7 Through holes 102, the first arm region 7
8に達している。 It has reached 8. 【0094】次いで、図17(A)に示すように、導電性材料によるメッキ処理がホトレジスト層96の側から行われて、プローブ要素10の柱状部14が穴102に第1のアーム領域78から第1の座部領域90にわたって形成される。 [0094] Then, as shown in FIG. 17 (A), plating with a conductive material is performed from the side of the photoresist layer 96, the first arm region 78 columnar portion 14 of the probe element 10 within the hole 102 It is formed over a first seat region 90. このメッキ処理において、柱状部14 In this plating process, the columnar section 14
は、第1の座部領域90を貫通した状態にまで形成されるが、ホトレジスト層96には形成されない。 It is formed to a state passing through the first seat region 90 is not formed in the photoresist layer 96. 【0095】図17(A)に示すメッキ処理も、前2回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。 [0095] plating process shown in FIG. 17 (A) also as before and two plating may be a nickel plating using suitable techniques such as electroforming. そのようにすれば、ニッケル製の柱状部14は、第1のアーム領域7 By doing so, nickel columnar portion 14, the first arm region 7
8、第2の座部領域84及び第1の座部領域78に強固に一体的に結合される。 8, rigidly integrally coupled to the second seat area 84 and the first seat region 78. 【0096】上記のように形成された柱状部14も、ホトレジスト層80を、液体ホトレジストを用いて形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい乾燥ホトレジストを用いて形成しているから、大きな長さ寸法を有する。 [0096] columnar portion 14 formed as described above also, the photoresist layer 80, compared with the case formed by using a liquid photoresist, because formed using a large dry photoresist thickness, length greater having dimensions. 【0097】次いで、図17(B)に示すように、ホトレジスト層24、導電層70、第1のアーム領域78、 [0097] Then, as shown in FIG. 17 (B), photoresist layer 24, conductive layer 70, the first arm region 78,
ホトレジスト層80、残存する電気絶縁樹脂層82、第2の座部領域84及び第1の座部領域90のブロックが基台22から除去される。 Photoresist layer 80, the electrically insulating resin layer 82 remaining blocks of the second seat area 84 and the first seat region 90 is removed from the base 22. 【0098】次いで、図17(C)に示すように、ホトレジスト層24、導電層70、ホトレジスト層80及び残存する電気絶縁樹脂層82が除去される。 [0098] Then, as shown in FIG. 17 (C), the photoresist layer 24, conductive layer 70, the electrically insulating resin layer 82 to photoresist layer 80 and the remaining are removed. 【0099】上記のような方法により製作されたプローブ要素10も、従来のプローブ要素に比べ、突起部18 [0099] probe element 10 fabricated by the above method is also compared with the conventional probe element, the protrusion 18
の突出長さ寸法及び柱状部14の長さ寸法が大きいから、座部12から突起部18の先端までの高さ寸法が大きい。 Since the length of the projecting length and the columnar portion 14 is large, a large height from the seat 12 to the tip of the protrusion 18. 【0100】上記の実施例において、フィルム状の乾燥ホトレジストとして、デュポンMRCドライフィルム株式会社製の「リストン」FRA063シリーズの製品(例えば、厚さ寸法が50μm)を用いることができる。 [0101] In the above embodiments, a film-like dry photoresist, DuPont MRC dry film Co., Ltd. of "Riston" FRA063 series of products (e.g., thickness dimension 50 [mu] m) can be used. 【0101】次に、上記のような方法により製作された複数のプローブ要素10を用いたプローブカードの一実施例を、図18及び図19を参照して説明する。 Next, an embodiment of a probe card using a plurality of probe elements 10 which are manufactured by the method as described above will be described with reference to FIGS. 18 and 19. 【0102】プローブカード110は、配線基板112 [0102] The probe card 110, a wiring substrate 112
と、複数のプローブ要素10とを含む。 , And a plurality of probe elements 10. 配線基板112 Wiring board 112
は、電気絶縁板114の一方の面に帯状の複数の接続ランド116を有していると共に、電気絶縁板114の他方の面に複数のテスターランド118を有している。 Is on one surface of the electrically insulating plate 114 with has a plurality of connection lands 116 of the strip has a plurality of tester lands 118 on the other surface of the electrically insulating plate 114. 【0103】接続ランド116とテスターランド118 [0103] The connection land 116 and the tester land 118
とは、相互に及びプローブ要素10に個々に対応されており、また配線120により一対一の形に接続されている。 And it is mutually and are corresponding to the individual probe elements 10, and by wiring 120 is connected to the one-to-one form. 【0104】接続ランド116は、一方向へ伸びる状態に他方向に間隔をおいて並列的に配置された2組の接続ランド群に分けられて2列に配置されている。 [0104] connection land 116, in a state extending in one direction are arranged in two rows are divided into two sets of connection land group which is parallel spaced in the other direction. テスターランド118は、電気絶縁板114の他方の面の周縁部に多重に形成されている。 Tester lands 118 are formed in the multiplex to the peripheral portion of the other surface of the electrically insulating plate 114. 【0105】各プローブ要素10は、突起部18が電気絶縁板114の側と反対の側となる状態に、取付座部1 [0105] Each probe element 10 is in a state where the protrusion 18 becomes the side opposite to the side of the electrically insulating plate 114, mounting base 1
2において対応する接続ランド114に半田のような導電性接着剤により組み付けられている。 It is assembled by a conductive adhesive such as solder to the corresponding connection land 114 at 2. 【0106】プローブカード110は、集積回路のような半導体デバイスの通電試験に用いられるものであるが、本発明のプローブ要素及びその製造方法は半導体デバイス以外の液晶表示パネルのような被検査体の通電試験に用いられるプローブ要素及びその製造方法にも適用することができる。 [0106] The probe card 110, although those used for electrical test of the semiconductor devices such as integrated circuits, the probe elements and their manufacturing methods device under test such as a liquid crystal display panel other than the semiconductor device of the present invention it can be applied to the probe element and a manufacturing method thereof, for use in an electrical test. 【0107】本発明は、上記実施例に限定されない。 [0107] The present invention is not limited to the above embodiments. 本発明は、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更することができる。 The present invention, without departing from the spirit, but can be variously modified.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に係るプローブ要素の一実施例を示す斜視図である。 Is a perspective view showing an embodiment of a probe element according to BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】本発明に係るプローブ要素の製造方法の一実施例を説明するためのステップを示す図である。 Is a diagram showing the steps for explaining one embodiment of a manufacturing method of probe elements according to the invention; FIG. 【図3】図2に示すステップに続くステップを示す図である。 3 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図4】図3に示すステップに続くステップを示す図である。 4 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図5】図4に示すステップに続くステップを示す図である。 5 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図6】図5に示すステップに続くステップを示す図である。 6 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図7】図6に示すステップに続くステップを示す図である。 7 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図8】図7に示すステップに続くステップを示す図である。 8 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図9】図8に示すステップに続くステップを示す図である。 9 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 【図10】本発明に係るプローブ要素の製造方法の他の実施例を説明するためのステップを示す図である。 10 is a diagram showing the steps for explaining another embodiment of a method of manufacturing a probe elements according to the present invention. 【図11】図10に示すステップに続くステップを示す図である。 11 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 10. 【図12】図11に示すステップに続くステップを示す図である。 12 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 11. 【図13】図12に示すステップに続くステップを示す図である。 13 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 12. 【図14】図13に示すステップに続くステップを示す図である。 14 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 13. 【図15】図14に示すステップに続くステップを示す図である。 15 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 14. 【図16】図15に示すステップに続くステップを示す図である。 16 is a diagram showing a step subsequent to that shown in Figure 15. 【図17】図16に示すステップに続くステップを示す図である。 17 is a diagram showing a step subsequent to that shown in FIG. 16. 【図18】図1に示すプローブ要素を用いたプローブカードの一実施例を示す図である。 18 is a diagram showing an embodiment of a probe card using the probe element shown in FIG. 【図19】図18における19−19線に沿って得た断面図である。 19 is a cross-sectional view taken along line 19-19 in FIG. 18. 【符号の説明】 10 プローブ要素12 取付座部14 柱状部16 アーム部18 突起部20 基台の凹所24,38,44,50,60 ホトレジスト層22 基台36,46,70,82 導電層42,78 第1のアーム領域46、82 電気絶縁樹脂層50,90 第1の座部領域64,102 貫通穴72,74,80,86,96 ホトレジスト層 [Reference Numerals] 10 probe elements 12 attaching seat portion 14 the columnar portion 16 arm portion 18 protrusion 20 base plate recess 24,38,44,50,60 photoresist layer 22 base plate 36,46,70,82 conductive layer 42,78 first arm regions 46,82 electrically insulating resin layer 50, 90 the first seat area 64,102 through hole 72,74,80,86,96 photoresist layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤平 明久 東京都武蔵野市吉祥寺本町2丁目6番8号 株式会社日本マイクロニクス内Fターム(参考) 2G011 AA09 AA15 AA21 AB06 AB08 AC31 AD01 AE01 AE03 4M106 AA01 BA01 DD03 DD10 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Akihisa Akabira Musashino-shi, Tokyo Kichijojihon-cho 2-chome No. 6 No. 8 Nippon Micronics in the F-term (reference) 2G011 AA09 AA15 AA21 AB06 AB08 AC31 AD01 AE01 AE03 4M106 AA01 BA01 DD03 DD10

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する第1のステップと、 フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを重ねた第1のホトレジスト層であって当該第1のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記凹所に達する突起部を有する第1のホトレジスト層を前記主面に形成する第2 A first step of preparing a base having one or more recesses on the main surface and having a [Claims 1. A main surface, overlaid with 2 or more dry photoresist was filmy second to form a first photoresist layer having a protrusion and a first photoresist layer reaching the said recess through the first photoresist layer to the thickness direction to the main surface
    のステップとを含む、プローブ要素及びその製造方法。 And a step, the probe elements and a manufacturing method thereof. 【請求項2】 さらに、導電性材料を用いたスパッタリングにより前記突起部に接合された第1の導電層を前記第1のホトレジスト層に形成する第3のステップと、 該第1の導電層に第2のホトレジスト層を形成する第4 2. A further a third step of forming a first conductive layer by sputtering using a conductive material bonded to the projections on the first photoresist layer, the first conductive layer the forming a second photoresist layer 4
    のステップと、 前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であって前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホトレジスト層に形成する第5のステップとを含む、請求項1に記載の製造方法。 Steps and, said the arm portion extending substantially perpendicularly and a second photoresist layer the protrusions A arm portion joined are overlapped with the first conductive layer through to the thickness direction 2 fifth and the step, the manufacturing method according to claim 1 to form a photoresist layer. 【請求項3】 さらに、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3のホトレジスト層と、該第3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む積層シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成する第6のステップと、 前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第7のステップと、 前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が接合されている領域を除いて前記第2の導電層を除去する第8の 3. Further, the third photoresist layer formed by stacking two or more dry photoresist that a film-like, electrically insulating resin layer superposed on the photoresist layer of the third, superimposed on the electrical insulating resin layer a second conductive layer, the laminated sheet layers including a fourth photoresist layer superposed on the second conductive layer, in a state in which the third photoresist layer becomes the second photoresist layer side, a sixth step of forming on said arm portion and said second photoresist layer, the portion corresponding to the columnar portion of the second conductive layer superposed in a joined base probe element is lacking a seventh step of forming a base portion on the fourth photoresist layer, and removing the fourth photoresist layer, removing the second conductive layer except for a region where the base portion is joined eighth テップと、 前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5のホトレジスト層を形成する第9のステップと、 前記第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成する第10のステップと、 前記アーム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第11のステップと、 前記第1,第2,第3及び第5のホトレジスト層並びに前記電気絶縁樹脂フィルム層を除去すると共に、前記第1及び第2の導電層の不要な箇所を除去する第12のステップとを含む、請求項3に記載の製造方法。 A step, a ninth step of forming a fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer, the photoresist layer of the fifth, the lack portion and the laminated sheet layers of the base part a tenth step of forming a hole reaching said arm portions through the arm portion, and the eleventh step of forming the second conductive layer and the base columnar portion of the joined conductive in part into the hole said first, second, to remove the third and fifth photoresist layer and the electrically insulating resin film layer, and a twelfth step of removing the unnecessary portions of the first and second conductive layers including method according to claim 3. 【請求項4】 主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する第1のステップと、 フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを用いた第1のホトレジスト層及び該第1のホトレジスト層に重ねられた第1の導電層を含む第1の積層シート層を前記第1のホトレジスト層が前記基台側となる状態に前記基台に形成する第2のステップと、 前記凹所に達する貫通穴を前記第1の積層シート層に形成する第3のステップと、 前記凹所から前記第1のホトレジスト層及び前記第1の導電層に達する突起部を前記凹所及び前記貫通穴に形成する第4のステップとを含む、プローブ要素及びその製造方法。 The first photoresist layer and using a first step of preparing a base having one or more recesses on the main surface, one or more dry photoresist that a film which has a 4. A main surface a second step of forming a first laminated sheet layers including a first conductive layer superposed on the photoresist layer of said first to said base in a state in which the first photoresist layer is the base side the third step of forming a through-hole reaching said recess in said first laminated sheet layers, a protrusion from the recess reaching said first photoresist layer and the first conductive layer recess and a fourth step of forming the through hole, the probe elements and a manufacturing method thereof. 【請求項5】 さらに、前記第1の導電層に第2のホトレジスト層を形成する第5のステップと、 前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であって前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホトレジスト層に形成する第6のステップとを含む、請求項4に記載の製造方法。 5. Further, a fifth step of forming a second photoresist layer on the first conductive layer, the second photoresist layer on the first conductive layer through to the thickness direction 6 and a step of manufacturing method of claim 4 to form the arm portions extending substantially perpendicularly to the projections by an arm portion that is joined superimposed on the photoresist layer of the two. 【請求項6】 さらに、フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3のホトレジスト層と、該第3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む第2 6. Furthermore, the third photoresist layer formed by stacking two or more dry photoresist that a film-like, electrically insulating resin layer superposed on the photoresist layer of the third, superimposed on the electrical insulating resin layer and second comprising a second conductive layer, and a fourth photoresist layer superposed on the second conductive layer
    の積層シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成する第7のステップと、 前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第8のステップと、 前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が接合されている領域を除いて前記第2の導電層を除去する第9のステップと、 前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5のホトレジスト層を形成する第10のステップと、 前記第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成する第11のステップと、 前記ア The laminated sheet layers, said the third state in which the photoresist layer becomes the second photoresist layer side, and a seventh step of forming on said arm portion and said second photoresist layer, said second conductive layer an eighth step of forming a base portion which portion is lacking corresponding to the columnar portion of the probe element to a base portion which is joined superimposed on the fourth photoresist layer to, the fourth photoresist layer was removed, and the ninth step of removing the second conductive layer except for a region where the base portion is joined, the fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer a tenth step of forming, from a photoresist layer of the fifth, the eleventh step of forming a hole reaching the arm portion lacking portion and through the laminated sheet layers of the base portion, the a ム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第12のステップと、 前記第1,第2,第4及び第5のホトレジスト層、前記電気絶縁樹脂層並びに前記第1の導電層を除去する第1 Arm portion, and a twelfth step of forming the second conductive layer and the base columnar portion of the joined conductive in part into the hole, the first, second, fourth and fifth photoresist layer, the electrically insulating resin layer and the first removing the first conductive layer
    1のステップとを含む、請求項5に記載の製造方法。 And a first step, the manufacturing method according to claim 5. 【請求項7】 取付座部と、該取付座部からこれとほぼ直角に伸びる柱状部と、該柱状部からこれとほぼ直角に伸びるアーム部と、該アーム部の先端部から前記柱状部と反対方向へ突出する突起部とを含む、プローブ要素。 7. A mounting seat portion, a columnar portion extending substantially perpendicularly thereto from the attachment seat, and an arm portion extending substantially perpendicularly thereto from the columnar portion, the columnar portion from the tip of the arm portion and a protrusion portion protruding in the opposite direction, the probe element.
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