JP2003204220A - インダクタ及び電圧制御発振器 - Google Patents
インダクタ及び電圧制御発振器Info
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- JP2003204220A JP2003204220A JP2001403166A JP2001403166A JP2003204220A JP 2003204220 A JP2003204220 A JP 2003204220A JP 2001403166 A JP2001403166 A JP 2001403166A JP 2001403166 A JP2001403166 A JP 2001403166A JP 2003204220 A JP2003204220 A JP 2003204220A
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- inductor
- voltage controlled
- controlled oscillator
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基板の部品搭載面積を若干犠牲にしてもその
犠牲分を凌駕できるようＱ値を高めたインダクタを得る
こと及びそのインダクタを組み込んで発振特性の優れた
電圧制御共振器を提案する。 【解決手段】 インダクタ２７を渦巻き状に形成してそ
の内方側一端部２７ａ寄りにトリミング可能な幅広部Ｓ
を設ける。そしてこのインダクタ２７を電圧制御発振器
２６の誘電体基板２１上に他の電子部品とともに搭載
し、２本の他のインダクタ２８、２９を前記誘電体基板
２１より下層にある誘電体層２３、２４内に埋設する。
犠牲分を凌駕できるようＱ値を高めたインダクタを得る
こと及びそのインダクタを組み込んで発振特性の優れた
電圧制御共振器を提案する。 【解決手段】 インダクタ２７を渦巻き状に形成してそ
の内方側一端部２７ａ寄りにトリミング可能な幅広部Ｓ
を設ける。そしてこのインダクタ２７を電圧制御発振器
２６の誘電体基板２１上に他の電子部品とともに搭載
し、２本の他のインダクタ２８、２９を前記誘電体基板
２１より下層にある誘電体層２３、２４内に埋設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタである
マイクロストリップラインの特定部位にトリミング可能
な広幅部を設けるとともに、そのインダクタ及び他のイ
ンダクタを基板の特定部位に組み込んだ電圧制御発振器
に関するものである。
マイクロストリップラインの特定部位にトリミング可能
な広幅部を設けるとともに、そのインダクタ及び他のイ
ンダクタを基板の特定部位に組み込んだ電圧制御発振器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から公知の電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）は、図４に示すように、共振部Ｘと、その共振部Ｘ
で設定された発振周波数において発振状態を継続させる
発振回路Ｙを以って構成される。そして共振部Ｘはスト
リップラインＳｐを用いた共振回路であり、コンデンサ
Ｃ３、可変容量ダイオードＤ１及びインダクタンスＬ３
で構成され、前記コンデンサＣ３のキャパシタンスを
Ｃ、可変容量ダイオードＤ１のキャパシタンスをＣｄと
したとき、共振部Ｘの共振周波数Ｆは（１／２π）√Ｌ
（Ｃ＋Ｃｄ）で決定される。電圧制御発振器の発振周波
数は端子Ｖｔに印加される直流電圧により制御され、端
子Ｖｔに印可される直流電圧はインダクタＬ１を介して
可変容量ダイオードＤ１に印加される。従って、可変容
量ダイオードＤ１のキャパシタンスＣｄが変化すると共
振部Ｘの共振周波数Ｆが変化する。
Ｏ）は、図４に示すように、共振部Ｘと、その共振部Ｘ
で設定された発振周波数において発振状態を継続させる
発振回路Ｙを以って構成される。そして共振部Ｘはスト
リップラインＳｐを用いた共振回路であり、コンデンサ
Ｃ３、可変容量ダイオードＤ１及びインダクタンスＬ３
で構成され、前記コンデンサＣ３のキャパシタンスを
Ｃ、可変容量ダイオードＤ１のキャパシタンスをＣｄと
したとき、共振部Ｘの共振周波数Ｆは（１／２π）√Ｌ
（Ｃ＋Ｃｄ）で決定される。電圧制御発振器の発振周波
数は端子Ｖｔに印加される直流電圧により制御され、端
子Ｖｔに印可される直流電圧はインダクタＬ１を介して
可変容量ダイオードＤ１に印加される。従って、可変容
量ダイオードＤ１のキャパシタンスＣｄが変化すると共
振部Ｘの共振周波数Ｆが変化する。
【０００３】他方、発振回路Ｙはカップリングコンデン
サＣ５を介して前記共振部Ｘに接続されている。また、
カスケード接続されたトランジスタＴｒ１は、コレクタ
のコンデンサＣ１０を介して高周波的に接地されている
とともに、コンデンサＣ７、Ｃ８に接続され、発信信号
が帰還するコルビッツ回路を構成している。なお、発振
回路ＹにはバッファトランジスタＴｒ２が組み込まれて
おり、コンデンサＣ６、Ｃ１１、Ｃ１２及びインダクタ
Ｌ２によりバッファ部を構成している。このように従来
から公知の発振回路においては少なくとも３個のインダ
クタＬ１、Ｌ２、Ｌ３が組み込まれている。
サＣ５を介して前記共振部Ｘに接続されている。また、
カスケード接続されたトランジスタＴｒ１は、コレクタ
のコンデンサＣ１０を介して高周波的に接地されている
とともに、コンデンサＣ７、Ｃ８に接続され、発信信号
が帰還するコルビッツ回路を構成している。なお、発振
回路ＹにはバッファトランジスタＴｒ２が組み込まれて
おり、コンデンサＣ６、Ｃ１１、Ｃ１２及びインダクタ
Ｌ２によりバッファ部を構成している。このように従来
から公知の発振回路においては少なくとも３個のインダ
クタＬ１、Ｌ２、Ｌ３が組み込まれている。
【０００４】そして前記発振回路は、図５に示すような
電圧制御発振器に組み込まれる。すなわち、第一誘電体
層１、第一グランド２、第二誘電体層３、第三誘電体層
４及び第二グランド５が上から順次積層された電圧制御
発振器６において、前記第二誘電体層３と第三誘電体層
４との間に前記インダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３としてスト
リップライン７、８、９が介装されている。第一誘電体
層１の表面には前記発振回路を構成する電子部品１０、
１１、１２等が前述したカップリングコンデンサＣ５、
トランジスタＴｒ１、バッファトランジスタＴｒ２とし
て搭載されているとともに、前記ストリップラインのう
ち、共振部Ｘのストリップライン７の一部分を分割して
マイクロストリップライン（分割ストリップラインとい
う）とし、スルホール１３を介してマイクロストリップ
ラインを前記表面に引き出している。分割ストリップラ
インの形状としては使用する周波数帯域や部品搭載面上
のスペースにより種々の形状・構造を備えたものが考え
られるが、一例として、図６に示すように、じぐざく状
に屈曲した形状の分割ストリップライン７ａが考えられ
る。そしてこの種の分割ストリップライン７ａをレーザ
ビームによりトリミングするために、分割ストリップラ
イン７ａのじぐざく状部分の一部分に幅広の被トリミン
グ領域Ｔが設けられる。
電圧制御発振器に組み込まれる。すなわち、第一誘電体
層１、第一グランド２、第二誘電体層３、第三誘電体層
４及び第二グランド５が上から順次積層された電圧制御
発振器６において、前記第二誘電体層３と第三誘電体層
４との間に前記インダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３としてスト
リップライン７、８、９が介装されている。第一誘電体
層１の表面には前記発振回路を構成する電子部品１０、
１１、１２等が前述したカップリングコンデンサＣ５、
トランジスタＴｒ１、バッファトランジスタＴｒ２とし
て搭載されているとともに、前記ストリップラインのう
ち、共振部Ｘのストリップライン７の一部分を分割して
マイクロストリップライン（分割ストリップラインとい
う）とし、スルホール１３を介してマイクロストリップ
ラインを前記表面に引き出している。分割ストリップラ
インの形状としては使用する周波数帯域や部品搭載面上
のスペースにより種々の形状・構造を備えたものが考え
られるが、一例として、図６に示すように、じぐざく状
に屈曲した形状の分割ストリップライン７ａが考えられ
る。そしてこの種の分割ストリップライン７ａをレーザ
ビームによりトリミングするために、分割ストリップラ
イン７ａのじぐざく状部分の一部分に幅広の被トリミン
グ領域Ｔが設けられる。
【０００５】一般に電圧制御発振器６の発振特性を良好
にするにはインダクタとしての分割ストリップラインの
Ｑ値を高める必要があるが、Ｑ値は、信号の媒質内波長
をλ、ラインのインピーダンスをＺ、直列抵抗をｒとし
た場合、（π／λ）と（２Ｚ／ｒ）の積で表されるか
ら、Ｑを大きくするには分割ストリップラインのインピ
ーダンスＺを大きくする必要がある。分割ストリップラ
インのインピーダンスＺは、その静電容量Ｃ当たり分割
ストリップラインの単位長さ当たり誘導成分Ｌの平方根
に比例するから、結局、Ｑを大きくするには前記Ｌを大
きくする必要がある。
にするにはインダクタとしての分割ストリップラインの
Ｑ値を高める必要があるが、Ｑ値は、信号の媒質内波長
をλ、ラインのインピーダンスをＺ、直列抵抗をｒとし
た場合、（π／λ）と（２Ｚ／ｒ）の積で表されるか
ら、Ｑを大きくするには分割ストリップラインのインピ
ーダンスＺを大きくする必要がある。分割ストリップラ
インのインピーダンスＺは、その静電容量Ｃ当たり分割
ストリップラインの単位長さ当たり誘導成分Ｌの平方根
に比例するから、結局、Ｑを大きくするには前記Ｌを大
きくする必要がある。
【０００６】そこで前記公知技術におけるＱを検討して
みると、公知技術の分割ストリップライン７ａはじぐざ
く状に屈曲しているため、その一部分が平行に重なる平
行ラインＳ１、Ｓ２に電流が流れて発生する磁束同士が
相互に打ち消し合うので、前記平行ラインＳ１、Ｓ２で
はＬの低下が避けられず、その結果、分割ストリップラ
イン７ａそのもののＬが小さくなる。加えて、前記第二
誘電体層３と第三誘電体層４との間に残存するマイクロ
ストリップライン７の静電容量が大きくなるので、共振
器としてのラインインピーダンスが大きくなり難く、そ
の結果、Ｑ値が抑制されるという問題がある。
みると、公知技術の分割ストリップライン７ａはじぐざ
く状に屈曲しているため、その一部分が平行に重なる平
行ラインＳ１、Ｓ２に電流が流れて発生する磁束同士が
相互に打ち消し合うので、前記平行ラインＳ１、Ｓ２で
はＬの低下が避けられず、その結果、分割ストリップラ
イン７ａそのもののＬが小さくなる。加えて、前記第二
誘電体層３と第三誘電体層４との間に残存するマイクロ
ストリップライン７の静電容量が大きくなるので、共振
器としてのラインインピーダンスが大きくなり難く、そ
の結果、Ｑ値が抑制されるという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、磁束の打ち消
し合いが低いマイクロストリップラインとして図７に記
載の形状の分割ストリップライン７ｂを採用するととも
に、前記第二誘電体層３と第三誘電体層４の間に設けた
スルホール１３を排除した電圧制御発振器６が考えられ
る。すなわち、基板である第一誘電体層１の部品搭載面
積を若干犠牲して、前記分割ストリップライン７ｂの一
部分が平行になる領域を少なくする態様が考えられる
が、この態様においては、被トリミング領域Ｔをどの部
位に設けるかが問題になる。例えば、図７に示したよう
に被トリミング領域Ｔを分割ストリップラインラインの
外側に突出形成すると、その分、基板上に他の部品を搭
載するスペースが侵される。従って本発明の課題は、基
板の部品搭載面積を所定の範囲において若干犠牲にする
がその犠牲分を十分凌駕するに十分なＱ値を有するトリ
ミング可能なインダクタを得ること及びそのインダクタ
を組み込んで発振特性の優れた電圧制御共振器を提案す
ることにある。
し合いが低いマイクロストリップラインとして図７に記
載の形状の分割ストリップライン７ｂを採用するととも
に、前記第二誘電体層３と第三誘電体層４の間に設けた
スルホール１３を排除した電圧制御発振器６が考えられ
る。すなわち、基板である第一誘電体層１の部品搭載面
積を若干犠牲して、前記分割ストリップライン７ｂの一
部分が平行になる領域を少なくする態様が考えられる
が、この態様においては、被トリミング領域Ｔをどの部
位に設けるかが問題になる。例えば、図７に示したよう
に被トリミング領域Ｔを分割ストリップラインラインの
外側に突出形成すると、その分、基板上に他の部品を搭
載するスペースが侵される。従って本発明の課題は、基
板の部品搭載面積を所定の範囲において若干犠牲にする
がその犠牲分を十分凌駕するに十分なＱ値を有するトリ
ミング可能なインダクタを得ること及びそのインダクタ
を組み込んで発振特性の優れた電圧制御共振器を提案す
ることにある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本請求項１発明は前記
の課題を解決するために、渦巻き状に形成されているイ
ンダクタであって、その内方側一端部寄りにトリミング
可能な幅広部を設けてなるインダクタとする。同じく請
求項２発明は渦巻き状に形成されたインダクタであっ
て、その内方側一端部寄りにトリミング可能な幅広部を
設けてなるインダクタを誘電体基板上に設けるととも
に、２本の他のインダクタを前記誘電体基板内に埋設し
てなる電圧制御発振器とする。このようにトリミング可
能な幅広部を渦巻き状に形成したインダクタの内方側一
端部寄りに設けたので、インダクタを構成するラインの
一部分が平行に重なる領域を少なくでき、その結果、イ
ンダクタに通電されたとき発生する磁束同士が打ち消し
合う領域を少なくできる。加えて３本のインダクタのう
ち、共振用のインダクタをマイクロストリップラインと
して基板の表面に設けたので、対向するグランド間の静
電容量を小さくでき、ひいてはインダクタのＱ値の低減
を抑制できる。
の課題を解決するために、渦巻き状に形成されているイ
ンダクタであって、その内方側一端部寄りにトリミング
可能な幅広部を設けてなるインダクタとする。同じく請
求項２発明は渦巻き状に形成されたインダクタであっ
て、その内方側一端部寄りにトリミング可能な幅広部を
設けてなるインダクタを誘電体基板上に設けるととも
に、２本の他のインダクタを前記誘電体基板内に埋設し
てなる電圧制御発振器とする。このようにトリミング可
能な幅広部を渦巻き状に形成したインダクタの内方側一
端部寄りに設けたので、インダクタを構成するラインの
一部分が平行に重なる領域を少なくでき、その結果、イ
ンダクタに通電されたとき発生する磁束同士が打ち消し
合う領域を少なくできる。加えて３本のインダクタのう
ち、共振用のインダクタをマイクロストリップラインと
して基板の表面に設けたので、対向するグランド間の静
電容量を小さくでき、ひいてはインダクタのＱ値の低減
を抑制できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に図面を参照しながら本発明の
実施形態を詳述すると、図１及び図２に示すように、本
発明に係る電圧制御共振器は基本的に従来技術のそれと
同様に構成される。すなわち、電圧制御共振器２６は第
一誘電体層２１、第一グランド２２、第二誘電体層２
３、第三誘電体層２４及び第二グランド２５を順次積層
することにより形成されており、第二誘電体層２３と第
三誘電体層２４との間にインダクタとしてのストリップ
ライン２８、２９が介装されている。そして第一誘電体
層２１の表面には前記発振回路を構成するカップリング
コンデンサ３０、可変ダイオード３１、トランジスタ３
２及びバッファ用トランジスタ３４や他の電子部品（図
示なし）が複数個搭載されている。なお、図におい
て（）内の符号は前述した従来技術の電子部品の符号に
相当する。
実施形態を詳述すると、図１及び図２に示すように、本
発明に係る電圧制御共振器は基本的に従来技術のそれと
同様に構成される。すなわち、電圧制御共振器２６は第
一誘電体層２１、第一グランド２２、第二誘電体層２
３、第三誘電体層２４及び第二グランド２５を順次積層
することにより形成されており、第二誘電体層２３と第
三誘電体層２４との間にインダクタとしてのストリップ
ライン２８、２９が介装されている。そして第一誘電体
層２１の表面には前記発振回路を構成するカップリング
コンデンサ３０、可変ダイオード３１、トランジスタ３
２及びバッファ用トランジスタ３４や他の電子部品（図
示なし）が複数個搭載されている。なお、図におい
て（）内の符号は前述した従来技術の電子部品の符号に
相当する。
【００１０】しかしながら、本発明に係る電圧制御発振
器２６にあってはもう１個のインダクタであるマイクロ
ストリップライン２７が前記電子部品の搭載基板である
第１誘電体層２１の表面に搭載されているとともに、ス
ルーホール３３を介して第二グランド２５と通電可能に
なっている。また他の２本のインダクタであるストリッ
プライン２８、２９は第二誘電体層２３と第三誘電体層
２４との間に埋設されている。
器２６にあってはもう１個のインダクタであるマイクロ
ストリップライン２７が前記電子部品の搭載基板である
第１誘電体層２１の表面に搭載されているとともに、ス
ルーホール３３を介して第二グランド２５と通電可能に
なっている。また他の２本のインダクタであるストリッ
プライン２８、２９は第二誘電体層２３と第三誘電体層
２４との間に埋設されている。
【００１１】そして前記マイクロストリップライン２７
は、その一部分が平行な領域が極力少ない渦巻き形状を
なす電極からなり、図３に示すように、その内方側一端
部２７ａ寄りにトリミング可能な幅広部Ｓが設けられて
いるとともに、前記第二グランド２５に導通するスルー
ホール３３と電子部品搭載面の電極３３ａとが接合され
ている。前記幅広部Ｓの長さａ及び幅ｂは、周波数を所
定の範囲内で調整するためのトリミングが可能であり、
かつトリミングした後に形成される平行ラインＳ１、Ｓ
２の生成を最小限に止めることができるように定められ
る。なお、第一誘電体層２１には、図２に示すように、
電源端子４１、周波数制御端子４３、出力端子４６、グ
ランド端子４２、４５、４７、４８等が設けられてお
り、各誘電体層のグランドは側面の電極を通して相互に
接続されている。
は、その一部分が平行な領域が極力少ない渦巻き形状を
なす電極からなり、図３に示すように、その内方側一端
部２７ａ寄りにトリミング可能な幅広部Ｓが設けられて
いるとともに、前記第二グランド２５に導通するスルー
ホール３３と電子部品搭載面の電極３３ａとが接合され
ている。前記幅広部Ｓの長さａ及び幅ｂは、周波数を所
定の範囲内で調整するためのトリミングが可能であり、
かつトリミングした後に形成される平行ラインＳ１、Ｓ
２の生成を最小限に止めることができるように定められ
る。なお、第一誘電体層２１には、図２に示すように、
電源端子４１、周波数制御端子４３、出力端子４６、グ
ランド端子４２、４５、４７、４８等が設けられてお
り、各誘電体層のグランドは側面の電極を通して相互に
接続されている。
【００１２】上記のようにインダクタであるマイクロス
トリップライン２７の一部分が平行に重なる平行ライン
Ｓ１、Ｓ２を少なくした渦巻き形状のストリップライン
２７を電圧制御発振器２６に組み込んだので、前記平行
ラインＳ１、Ｓ２が通電されるたとき生ずる磁束同士の
打ち消し合う度合いが少なくなり、その結果マイクロス
トリップライン２７のＱ値が低下するのを抑制できる。
またトリミングされる幅広部Ｓを前記ストリップライン
２７の内方側一端部に設けたので、前記広幅部Ｓが第一
誘電体層２１の部品搭載スペースを狭めることがない。
ただマイクロストリップライン２７を渦巻き形状にした
分、前記スペースは犠牲になるが、本発明に係る電圧制
御発振器２６はその犠牲分を凌駕するに十分なＱ値を得
ることができる。さらに３本のインダクタのうち、１本
のインダクタであるマイクロストリップライン２７を第
二誘電体層２３及び第三誘電体層２４から排除して、マ
イクロストリップライン２７と他のインダクタであるス
トリップライン２８、２９を通る磁束が結合して生ずる
相互干渉を抑制し、ひいては静電容量の影響を抑制した
ので、マイクロストリップライン２７のＱ値を向上させ
ることができる。
トリップライン２７の一部分が平行に重なる平行ライン
Ｓ１、Ｓ２を少なくした渦巻き形状のストリップライン
２７を電圧制御発振器２６に組み込んだので、前記平行
ラインＳ１、Ｓ２が通電されるたとき生ずる磁束同士の
打ち消し合う度合いが少なくなり、その結果マイクロス
トリップライン２７のＱ値が低下するのを抑制できる。
またトリミングされる幅広部Ｓを前記ストリップライン
２７の内方側一端部に設けたので、前記広幅部Ｓが第一
誘電体層２１の部品搭載スペースを狭めることがない。
ただマイクロストリップライン２７を渦巻き形状にした
分、前記スペースは犠牲になるが、本発明に係る電圧制
御発振器２６はその犠牲分を凌駕するに十分なＱ値を得
ることができる。さらに３本のインダクタのうち、１本
のインダクタであるマイクロストリップライン２７を第
二誘電体層２３及び第三誘電体層２４から排除して、マ
イクロストリップライン２７と他のインダクタであるス
トリップライン２８、２９を通る磁束が結合して生ずる
相互干渉を抑制し、ひいては静電容量の影響を抑制した
ので、マイクロストリップライン２７のＱ値を向上させ
ることができる。
【００１３】本発明はその根本的技術思想を踏襲し発明
の効果を著しく損なわない限度において前記実施形態の
一部分を変更して実施できる。
の効果を著しく損なわない限度において前記実施形態の
一部分を変更して実施できる。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明は、基板の部
品搭載面積を若干犠牲にするもののその犠牲分を十分凌
駕して余りある程Ｑ値を高めたインダクタを得るができ
るとともに、そのインダクタを組み込んで発振特性の優
れた電圧制御共振器を得ることができる。
品搭載面積を若干犠牲にするもののその犠牲分を十分凌
駕して余りある程Ｑ値を高めたインダクタを得るができ
るとともに、そのインダクタを組み込んで発振特性の優
れた電圧制御共振器を得ることができる。
【図１】本発明に係る電圧制御共振器の概略断面図であ
る。
る。
【図２】前記電圧制御共振器の分解斜視図である。
【図３】本発明に係るインダクタの要部平面図である。
【図４】前記電圧制御発振器に組み込まれる電子回路図
である。
である。
【図５】従来技術に関する電圧制御共振器の概略断面図
である。
である。
【図６】従来技術に係るインダクタの要部平面図であ
る。
る。
【図７】同様に他の態様を示すインダクタの要部平面図
である。
である。
７ａ 一端部
２１ 第一誘電体層（誘電体基板）
２３ 第二誘電体層（誘電体基板）
２４ 第三誘電体層（誘電体基板）
２６ 電圧制御発振器
２７ インダクタ（マイクロストリップライン）
２８ インダクタ（ストリップライン）
２９ インダクタ（ストリップライン）。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB01 CB03 CB13 CC03
5J081 AA11 CC30 DD02 DD21 EE02
EE03 EE09 EE18 FF05 FF21
JJ12 JJ14 JJ23 KK02 KK09
KK22 KK23 LL01 MM01 MM07
Claims (2)
- 【請求項１】 渦巻き状に形成されたインダクタであっ
て、その内方側一端部（２７ａ）寄りにトリミング可能
な幅広部（Ｓ）を設けてなるインダクタ。 - 【請求項２】 渦巻き状に形成されたインダクタであっ
て、その内方側一端部（２７ａ）寄りにトリミング可能
な幅広部（Ｓ）を設けてなるインダクタ（２７）を誘電
体基板（２１、２３、２４）上に設けるとともに、他の
２本のインダクタ（２８、２９）を前記誘電体基板（２
３、２４）内に埋設したことを特徴とする電圧制御発振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001403166A JP2003204220A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | インダクタ及び電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001403166A JP2003204220A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | インダクタ及び電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204220A true JP2003204220A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27640472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001403166A Pending JP2003204220A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | インダクタ及び電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003204220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145406B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Phase adjusting circuit and oscillator including the same |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001403166A patent/JP2003204220A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145406B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Phase adjusting circuit and oscillator including the same |
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