JP2003202418A - Mirror, optical switch using the same, and method for manufacturing the same - Google Patents
Mirror, optical switch using the same, and method for manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用光スイッ
チ用ミラーや、光センサー、光反射型ディスプレイ、光
スキャナー等に用いるビーム偏向用ミラー等のミラー、
それを用いた光スイッチならびにその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical switch mirror for optical communication, a mirror such as a beam deflecting mirror used for an optical sensor, a light reflection type display, an optical scanner, and the like,
The present invention relates to an optical switch using the same and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８（ａ）は、従来の光通信用光スイッ
チの構成を示す図、（ｂ）、（ｃ）は（ａ）の光スイッ
チの１個のミラーの平面図で、光ビームのミラー面上の
位置を示す図である。８０は光スイッチ、８１は光ファ
イバアレイ、８２は光ファイバアレイ８１の入力ポー
ト、８３はコリメートレンズアレイ、８４はミラー、８
５はミラーアレイ、８６は光ファイバアレイ８１の出力
ポート、８７は信号光、８８はモニタ光分岐手段、８９
は光検出器、（ｂ）、（ｃ）において、１００は光ビー
ムである。図９は従来の光スキャナの構成を示す図であ
る。９０は光スキャナ、９１は光源、９２はビームスプ
リッタ、９３はミラー、９４は光ビーム、９５は光検出
器、９６は光源９１のドライバである。2. Description of the Related Art FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a conventional optical switch for optical communication, and FIGS. 8B and 8C are plan views of one mirror of the optical switch shown in FIG. It is a figure which shows the position on the mirror surface of a beam. 80 is an optical switch, 81 is an optical fiber array, 82 is an input port of the optical fiber array 81, 83 is a collimating lens array, 84 is a mirror, 8
5 is a mirror array, 86 is an output port of the optical fiber array 81, 87 is a signal light, 88 is a monitor light branching means, 89
Is a photodetector, and in (b) and (c), 100 is a light beam. FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional optical scanner. 90 is an optical scanner, 91 is a light source, 92 is a beam splitter, 93 is a mirror, 94 is a light beam, 95 is a photodetector, and 96 is a driver of the light source 91.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のミラーは、光の
反射機能のみを有する。例えば、図８に示す対向する２
組のミラー８４を用いた光スイッチ８０においては、光
ファイバアレイ８１の各チャネルにおける光量をモニタ
するために、カプラーなどからなるモニタ光分岐手段８
８により、光を分岐し、光検出器８９により光を検出し
て光強度を測定する必要があり、部品点数が多く、構成
が複雑であり、コストが増加する問題があった。また、
コリメートレンズアレイ８３等のコリメート系を用いた
光スイッチ８０では、図８（ｂ）、（ｃ）に示すよう
な、各ミラー８４に入射する光ビーム１００の位置の検
出ができないという問題があった。また、例えば、図９
に示すミラー９３を有する光スキャナー９０において、
光源光量を制御するためには、別の光検出器９５を配置
して、光源光量をモニタし、フィードハックをかけて、
光源９１のドライバ９６の駆動を制御することにより、
光源９１の光量を制御する必要があり、部品点数が多
く、構成が複雑であり、コストが増加する問題があっ
た。本発明の目的は、従来のミラーが持つ上記問題を解
決し、光ビームやその位置が検出できる手段をミラー自
体に設け、部品点数を低減し、構成が簡易で、コストを
低減できるミラー、それを用いた光スイッチならびにそ
の製造方法を提供することにある。The conventional mirror has only the function of reflecting light. For example, two facing two shown in FIG.
In the optical switch 80 using the set of mirrors 84, in order to monitor the light quantity in each channel of the optical fiber array 81, the monitor light branching means 8 including a coupler or the like is used.
It is necessary to split the light by 8 and detect the light by the photodetector 89 to measure the light intensity, which has a large number of parts, has a complicated configuration, and causes a problem of increased cost. Also,
The optical switch 80 using a collimating system such as the collimating lens array 83 has a problem that the position of the light beam 100 incident on each mirror 84 cannot be detected as shown in FIGS. 8B and 8C. . Also, for example, in FIG.
In the optical scanner 90 having the mirror 93 shown in
In order to control the light amount of the light source, another light detector 95 is arranged, the light amount of the light source is monitored, and a feed hack is applied.
By controlling the driving of the driver 96 of the light source 91,
It is necessary to control the light quantity of the light source 91, the number of parts is large, the configuration is complicated, and the cost is increased. An object of the present invention is to solve the above problems of conventional mirrors, provide a means for detecting a light beam and its position in the mirror itself, reduce the number of parts, simplify the configuration, and reduce the cost, An object of the present invention is to provide an optical switch using and a manufacturing method thereof.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のミラーは、ミラー基板面上に光反射層とと
もに、光検出層を設けることを特徴とし、単に光を反射
するだけの従来のミラーと異なるものである。すなわ
ち、上記課題を解決するため、本発明においては特許請
求の範囲に記載するような構成をとる。つまり、請求項
１記載のミラーは、ミラー基板面上に、光を検出する光
検出層と、光を反射する光反射層とを設けたことを特徴
とする。また、請求項２記載のミラーは、請求項１記載
のミラーにおいて、前記ミラー基板の、前記光検出層と
前記光反射層とを設けた面の反対面上に、ミラーグラウ
ンド電極を設けたことを特徴とする。また、請求項３記
載のミラーは、請求項１記載のミラーにおいて、前記ミ
ラー基板の、前記光検出層と前記光反射層とを設けた面
と同じ側の面上に、ミラーグラウンド電極を設けたこと
を特徴とする。また、請求項４記載のミラーは、請求項
１、２または３記載のミラーにおいて、上記ミラー基板
面上に設けたｎ型半導体層と、上記ｎ型半導体層上に設
けた金属層との金属−半導体界面により形成されるショ
ットキー接合を有し、上記ｎ型半導体層と上記金属層を
上記光検出層とし、上記金属層を上記光反射層とするこ
とを特徴とする。また、請求項５記載のミラーは、請求
項１、２または３記載のミラーにおいて、上記ミラー基
板面上に設けたｐ型半導体層と、上記ｐ型半導体層上に
設けた金属層との金属−半導体界面により形成されるシ
ョットキー接合を有し、上記ｐ型半導体層と上記金属層
を上記光検出層とし、上記金属層を上記光反射層とする
ことを特徴とする。また、請求項６記載のミラーは、請
求項１、２または３記載のミラーにおいて、上記ミラー
基板面上に設けたｎ型半導体層と、上記ｎ型半導体層上
に設けた絶縁層と、上記絶縁層上に設けた金属層との金
属−絶縁体−半導体界面により形成されるショットキー
接合を有し、上記ｎ型半導体層と上記絶縁層と上記金属
層を上記光検出層とし、上記金属層を上記光反射層とす
ることを特徴とする。また、請求項７記載のミラーは、
請求項１、２または３記載のミラーにおいて、上記ミラ
ー基板面上に設けたｐ型半導体層と、上記ｐ型半導体層
上に設けた絶縁層と、上記絶縁層上に設けた金属層との
金属−絶縁体−半導体界面により形成されるショットキ
ー接合を有し、上記ｐ型半導体層と上記絶縁層と上記金
属層を上記光検出層とし、上記金属層を上記光反射層と
することを特徴とする。また、請求項８記載のミラー
は、請求項１、２または３記載のミラーにおいて、上記
ミラー基板面上に設けた光導電性膜を上記光検出層と
し、その上に、上記光の検出に必要な光量を透過し、反
射率が１００％未満の上記光反射層を設けたことを特徴
とする。また、請求項９記載のミラーは、請求項１、２
または３記載のミラーにおいて、上記ミラー基板面上に
設けたｐ型半導体層とｎ型半導体層とにより形成された
ｐ−ｎ接合を有し、上記ｐ型半導体層と上記ｎ型半導体
層を上記光検出層とし、その上に、上記光の検出に必要
な光量を透過し、反射率が１００％未満の上記光反射層
を設けたことを特徴とする。また、請求項１０記載のミ
ラーは、請求項１、２または３記載のミラーにおいて、
上記ミラー基板面上に設けたｐ型半導体層、絶縁層、ｎ
型半導体層からなるｐ−ｉ−ｎ構造を上記光検出層と
し、その上に、上記光の検出に必要な光量を透過し、反
射率が１００％未満の上記光反射層を設けたことを特徴
とする。また、請求項１１記載のミラーは、請求項１、
２または３記載のミラーにおいて、上記ミラー基板面上
に設けた光導電性膜を上記光検出層とし、その上に、反
射率が１００％未満の上記光反射層を設けたことを特徴
とする。また、請求項１２記載のミラーは、請求項１、
２または３記載のミラーにおいて、上記ミラー基板面上
に設けたｐ型半導体層とｎ型半導体層とにより形成され
たｐ−ｎ接合を有し、上記ｐ型半導体層と上記ｎ型半導
体層を上記光検出層とし、その上に、反射率が１００％
未満の上記光反射層を設けたことを特徴とする。また、
請求項１３記載のミラーは、請求項１、２または３記載
のミラーにおいて、上記ミラー基板面上に設けたｐ型半
導体層、絶縁層、ｎ型半導体層からなるｐ−ｉ−ｎ構造
を上記光検出層とし、その上に、反射率が１００％未満
の上記光反射層を設けたことを特徴とする。また、請求
項１４記載のミラーは、請求項１乃至１３のいずれか記
載のミラーにおいて、上記光検出層が複数個に分割さ
れ、当該ミラーに入射する光の位置検出手段を有するこ
とを特徴とする。また、請求項１５記載のミラーは、請
求項１乃至１３のいずれか記載のミラーにおいて、上記
光検出層が複数個設けられ、当該ミラーに入射する光の
位置検出手段を有することを特徴とする。また、請求項
１６記載の光スイッチは、入力用光ファイバアレイと、
前記入力用光ファイバアレイからの光ビームを反射させ
るように配置した請求項１乃至１５のいずれか記載の第
一のミラーを有する第一のミラーアレイと、前記第一の
ミラーアレイからの光ビームを反射させる請求項１乃至
１５のいずれか記載の第二のミラーを有する第二のミラ
ーアレイと、前記第二のミラーアレイからの光ビームを
出力する出力用光ファイバアレイを有する光スイッチで
あって、前記第一のミラーからの前記第二のミラー上に
おける光ビームの位置を検出し、前記第一のミラー上に
おける光ビームが前記第二のミラー上に適切に照射され
るように、前記第一のミラーの方向をフィードバック制
御する制御装置を有することを特徴とする。また、請求
項１７記載の光スイッチの製造方法は、入力用光ファイ
バアレイと、前記入力用光ファイバアレイからの光ビー
ムを反射させるように配置した請求項１乃至１５のいず
れか記載の第一のミラーを有する第一のミラーアレイ
と、前記第一のミラーアレイからの光ビームを反射させ
る請求項１乃至１５のいずれか記載の第二のミラーを有
する第二のミラーアレイと、前記第二のミラーアレイか
らの光ビームを出力する出力用光ファイバアレイを有す
る光スイッチの製造方法であって、前記第一のミラーの
光ビームの位置検出を行い、前記入力用光ファイバアレ
イの入力ポート側のコリメートレンズアレイと、前記第
一のミラーアレイ間の光軸調整を行うことを特徴とす
る。本発明のミラーでは、ミラー基板面上に光検出層を
設けるので、ミラーに入射する光を検出し、光強度を測
定することが可能である。また、光検出層を複数個設け
ることにより、ミラー上に入射する光ビームの位置を検
出することができる。また、本発明の光スイッチでは、
光検出層によって入射光の強度、位置を検出できるの
で、外部検出機器を不用とし、ミラーを用いるスイッチ
ング装置等の構成を簡易とし、コストダウンを実現でき
る。また、本発明の光スイッチの製造方法では、入力ポ
ート側のコリメートレンズアレイと、第一のミラーアレ
イ間の光軸が正確に調整された光スイッチを提供でき
る。In order to solve the above problems, the mirror of the present invention is characterized in that a light detection layer is provided together with a light reflection layer on the surface of the mirror substrate, and the mirror merely reflects light. It is different from conventional mirrors. That is, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a configuration as described in the claims. That is, the mirror according to claim 1 is characterized in that a light detection layer for detecting light and a light reflection layer for reflecting light are provided on the mirror substrate surface. The mirror according to claim 2 is the mirror according to claim 1, wherein a mirror ground electrode is provided on a surface of the mirror substrate opposite to a surface on which the photodetection layer and the light reflection layer are provided. Is characterized by. The mirror according to claim 3 is the mirror according to claim 1, wherein a mirror ground electrode is provided on a surface of the mirror substrate on the same side as a surface on which the photodetection layer and the light reflection layer are provided. It is characterized by that. Further, the mirror according to claim 4 is the mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein a metal of an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer. -The semiconductor layer has a Schottky junction formed by a semiconductor interface, the n-type semiconductor layer and the metal layer serve as the photodetection layer, and the metal layer serves as the light reflection layer. The mirror according to claim 5 is the mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein a metal of a p-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface and a metal layer provided on the p-type semiconductor layer. -The semiconductor layer has a Schottky junction formed by a semiconductor interface, the p-type semiconductor layer and the metal layer serve as the photodetection layer, and the metal layer serves as the light reflection layer. A mirror according to claim 6 is the mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, an insulating layer provided on the n-type semiconductor layer, and A Schottky junction formed by a metal-insulator-semiconductor interface with a metal layer provided on the insulating layer, wherein the n-type semiconductor layer, the insulating layer, and the metal layer serve as the photodetection layer, and the metal It is characterized in that the layer is the light reflecting layer. Further, the mirror according to claim 7,
The mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein a p-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, an insulating layer provided on the p-type semiconductor layer, and a metal layer provided on the insulating layer. It has a Schottky junction formed by a metal-insulator-semiconductor interface, and the p-type semiconductor layer, the insulating layer, and the metal layer are used as the photodetection layer, and the metal layer is used as the light reflection layer. Characterize. Further, the mirror according to claim 8 is the mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein the photoconductive film provided on the mirror substrate surface is used as the photodetection layer, and the photoconductive film is provided thereon for detecting the light. It is characterized in that the above-mentioned light reflecting layer which transmits a necessary amount of light and has a reflectance of less than 100% is provided. Further, the mirror according to claim 9 is the mirror according to claim 1,
Or the p-n junction formed by the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, wherein the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are the above-mentioned. A light detecting layer is provided, and the light reflecting layer having a reflectance of less than 100%, which transmits the amount of light necessary for detecting the light, is provided thereon. A mirror according to claim 10 is the mirror according to claim 1, 2 or 3,
A p-type semiconductor layer, an insulating layer, and n provided on the mirror substrate surface.
A p-i-n structure made of a type semiconductor layer is used as the photodetection layer, and the light reflection layer having a reflectance of less than 100%, which transmits the amount of light necessary for detecting the light, is provided thereon. Characterize. The mirror according to claim 11 is the mirror according to claim 1,
The mirror according to 2 or 3 is characterized in that the photoconductive film provided on the mirror substrate surface is used as the photodetection layer, and the photoreflection layer having a reflectance of less than 100% is provided thereon. . The mirror according to claim 12 is the mirror according to claim 1,
2. The mirror according to 2 or 3, which has a pn junction formed by a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, and includes the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer. The above photo-detecting layer, on which the reflectance is 100%
It is characterized in that less than the above light reflection layer is provided. Also,
The mirror according to claim 13 is the mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein the p-i-n structure including a p-type semiconductor layer, an insulating layer, and an n-type semiconductor layer is provided on the mirror substrate surface. A light detection layer, and the light reflection layer having a reflectance of less than 100% is provided thereon. A mirror according to claim 14 is characterized in that, in the mirror according to any one of claims 1 to 13, the photodetection layer is divided into a plurality of parts, and has position detecting means for the light incident on the mirror. To do. A mirror according to a fifteenth aspect is the mirror according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein a plurality of the photodetection layers are provided and a position detecting unit for detecting light incident on the mirror is provided. . The optical switch according to claim 16 further comprises an input optical fiber array,
A first mirror array having the first mirror according to any one of claims 1 to 15 arranged to reflect a light beam from the input optical fiber array, and a light beam from the first mirror array. An optical switch having a second mirror array having the second mirror according to any one of claims 1 to 15 and an output optical fiber array for outputting a light beam from the second mirror array. By detecting the position of the light beam on the second mirror from the first mirror, so that the light beam on the first mirror is appropriately irradiated on the second mirror, It is characterized by having a control device for feedback controlling the direction of the first mirror. The method of manufacturing an optical switch according to claim 17, wherein the first optical fiber array for input and the first optical fiber array for input are arranged so as to reflect the light beam from the first optical fiber array for input. A second mirror array having a second mirror according to any one of claims 1 to 15 for reflecting a light beam from the first mirror array; A method for manufacturing an optical switch having an output optical fiber array for outputting a light beam from the mirror array, wherein the position of the light beam of the first mirror is detected, and the input port side of the input optical fiber array is detected. The optical axis between the collimator lens array and the first mirror array is adjusted. In the mirror of the present invention, since the photodetection layer is provided on the mirror substrate surface, it is possible to detect the light incident on the mirror and measure the light intensity. Further, by providing a plurality of light detection layers, the position of the light beam incident on the mirror can be detected. Further, in the optical switch of the present invention,
Since the intensity and the position of the incident light can be detected by the light detection layer, it is possible to eliminate the need for an external detection device, simplify the configuration of a switching device using a mirror, and realize cost reduction. Further, the optical switch manufacturing method of the present invention can provide an optical switch in which the optical axis between the collimating lens array on the input port side and the first mirror array is accurately adjusted.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
実施の形態１
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１のミラーの平面
図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。１はミラー、２は
ミラー基板、３は光検出層、４は光反射層、５はミラー
支持基板、６はミラー駆動用電極基板、７はミラー支持
構造体、８はねじりばね、９はミラーグラウンド電極、
１０はミラー駆動用電極、１１は４分割光検出面であ
る。本実施の形態１のミラー１は、ミラー基板２面上
に、光を検出する光検出層３と、光を反射する光反射層
４とが設けてある。ミラー基板２の表面に、面積が均等
な４個の光検出層３が分割形成され、その上に、図１
（ｂ）に示すように、例えば反射率Ａ％（Ａ＜ｌ００）
の光反射層４が形成されている。ミラー１の面に光が入
射すると、Ａ％の光が反射され、残りの（１００−Ａ）
％の光は光検出層３に届き、光検出層３を照射する面積
に応じた光検出信号が得られる。この反射率Ａ％はミラ
ー１の用途、光検出層３の性能により決定される。光検
出信号は、４個の光検出層３と、ミラーグラウンド電極
９間で、独立に検出できるので、光ビームの光強度はこ
れらの４個の光検出信号の合計により測定できる。ま
た、本実施の形態１のミラー１では、図１（ａ）に示す
ように、光検出層３が４個に分割され、当該ミラー１に
入射する光の位置検出手段（図示省略）を有する。すな
わち、これら４個の光検出層３から取り出される光検出
信号の大小を図示しない比較手段により比較することに
より、ミラー１の面上の中央からどちらに偏っているか
が測定可能であり、光ビームの位置が検出可能である。
本実施の形態１では、ミラーグラウンド電極９をミラー
基板２の裏面に形成した場合である。ミラー基板２はね
じりばね８を介して、ミラー基板２外側のミラー支持構
造体７と繋がっており、ねじりばね８のねじれにより、
ミラー基板２は２軸方向に傾き、ミラー基板２の面を空
間的に任意の方向に向けることが可能である。本実施の
形態１では、ミラー基板２の駆動は静電駆動方式であ
り、ミラー駆動用電極基板６に、平面的に４分割した電
極（図１（ｂ）では２個のみ図示）を形成し、それぞれ
に印加電圧を加えることにより、ミラー基板２とミラー
駆動用電極１０との間に静電引力が働き、ミラー基板２
がミラー駆動用電極基板６に引き付けられ、ねじりばね
８のばね力と、この静電引力との平衡点においてつり合
い、ミラー基板２の面が所定の位置に偏向する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In the drawings described below, components having the same function are designated by the same reference numeral, and repeated description thereof will be omitted. Embodiment 1 FIG. 1A is a plan view of a mirror according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view of FIG. 1 is a mirror, 2 is a mirror substrate, 3 is a light detecting layer, 4 is a light reflecting layer, 5 is a mirror supporting substrate, 6 is a mirror driving electrode substrate, 7 is a mirror supporting structure, 8 is a torsion spring, and 9 is a mirror. Ground electrode,
Reference numeral 10 is a mirror driving electrode, and 11 is a four-division light detection surface. In the mirror 1 of the first embodiment, a light detection layer 3 for detecting light and a light reflection layer 4 for reflecting light are provided on the surface of the mirror substrate 2. On the surface of the mirror substrate 2, four photodetection layers 3 having an equal area are formed in a divided manner, and on top of that, the photodetection layers 3 shown in FIG.
As shown in (b), for example, reflectance A% (A <100)
The light reflection layer 4 is formed. When light is incident on the surface of the mirror 1, A% of the light is reflected and the remaining (100-A)
% Of the light reaches the photodetection layer 3, and a photodetection signal corresponding to the area irradiated with the photodetection layer 3 is obtained. This reflectance A% is determined by the use of the mirror 1 and the performance of the photodetection layer 3. Since the light detection signal can be detected independently between the four light detection layers 3 and the mirror ground electrode 9, the light intensity of the light beam can be measured by the total of these four light detection signals. Further, in the mirror 1 of the first embodiment, as shown in FIG. 1A, the photodetection layer 3 is divided into four and has a position detecting means (not shown) for the light incident on the mirror 1. . That is, by comparing the magnitudes of the photodetection signals extracted from these four photodetection layers 3 by a comparison means (not shown), it is possible to measure the deviation from the center on the surface of the mirror 1 and the light beam. The position of can be detected.
In the first embodiment, the mirror ground electrode 9 is formed on the back surface of the mirror substrate 2. The mirror substrate 2 is connected to the mirror support structure 7 on the outside of the mirror substrate 2 via the torsion spring 8, and the torsion of the torsion spring 8 causes
The mirror substrate 2 can be tilted biaxially, and the surface of the mirror substrate 2 can be spatially oriented in any direction. In the first embodiment, the mirror substrate 2 is driven by an electrostatic drive method, and four electrodes (only two electrodes are shown in FIG. 1B) are formed on the mirror driving electrode substrate 6 in a plane. , By applying an applied voltage to each of them, an electrostatic attractive force acts between the mirror substrate 2 and the mirror driving electrode 10, and the mirror substrate 2
Are attracted to the mirror driving electrode substrate 6 and are balanced at the equilibrium point between the spring force of the torsion spring 8 and this electrostatic attractive force, and the surface of the mirror substrate 2 is deflected to a predetermined position.
【０００６】実施の形態２
図２（ａ）は、本発明の実施の形態２のミラーの平面
図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。上記実施の形態１
においては、ミラーグラウンド電極９をミラー基板２の
裏面に形成したが、本実施の形態２においては、図２
（ａ）に示すように、ミラーグラウンド電極９をミラー
基板２の表面上の周辺に、すなわち、ミラー基板２の光
検出層３と光反射層４とを設けた面と同じ側の面上に形
成したものである。その他の構成、作用、効果は上記実
施の形態１と同様である。Embodiment 2 FIG. 2A is a plan view of a mirror according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 2B is a sectional view of FIG. First Embodiment
In the first embodiment, the mirror ground electrode 9 is formed on the back surface of the mirror substrate 2, but in the second embodiment, as shown in FIG.
As shown in (a), the mirror ground electrode 9 is provided on the periphery of the surface of the mirror substrate 2, that is, on the surface of the mirror substrate 2 on the same side as the surface on which the photodetection layer 3 and the light reflection layer 4 are provided. It was formed. Other configurations, operations, and effects are similar to those of the first embodiment.
【０００７】実施の形態３
以下、本実施の形態３のミラー１の製造方法について説
明する。図３（ａ）〜（ｇ）は、本実施の形態３のミラ
ー１の製造方法を示す工程断面図である。（ａ）〜
（ｄ）はミラー支持基板５の製造工程、（ｅ）、（ｆ）
はミラー駆動用電極基板６の製造工程、（ｇ）はミラー
支持基板５とミラー駆動用電極基板６との接合工程を示
す。ミラー１の構成は、図１、図２のミラーとほぼ同様
である。ここでは、例えばＳＯＩ（Silicon On Insulat
or）基板を用いた例を示す。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、Ｓｉ層１２／ＳｉＯ２層（中間酸化膜）１３／Ｓ
ｉ層（Ｓｉ基板）１４の３層からなるＳＯＩ基板１５上
に光検出層３を形成し、ミラー形状、電極形状に沿った
パターニングを行う。次に、その上に、光反射層４を形
成し、パターニングを行う。次に、図３（ｂ）に示すよ
うに、電極配線１６を形成した後、ＳＯＩ基板１５の表
面および裏面に、例えばＳｉＯ２からなるエッチング用
のマスクパターン１７を形成する。次に、図３（ｃ）に
示すように、このマスクパターン１７をマスクとして、
Ｓｉ層（Ｓｉ活性層）１４からなるミラー基板２と、ね
じりばね８の形状加工を、例えば高アスペクト加工用反
応性イオンエッチング（Deep RIE(Reactive Ion Etchin
g) またはICP(Induction Coupled Plasma) RIE）で行
う。また、マスクパターン１７をマスクとして、ＳＯＩ
基板１５の下層Ｓｉ層１２を例えばＫＯＨ水溶液により
エッチングする。次に、図３（ｄ）に示すように、ミラ
ー駆動用電極基板６との接合用金属膜（例えば下層から
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）１８を形成し、ＳＯＩ基板１５のＳ
ｉＯ２層１３と、ＳｉＯ２からなるマスクパターン（図
示省略）をフッ酸で除去し、ねじりばね８により支持さ
れた可動ミラー支持基板５が完成する（ミラーグラウン
ド電極９は図示省略）。次に、図３（ｅ）に示すよう
に、Ｓｉ基板からなるミラー駆動用電極基板６に例えば
下層からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して、ミラー駆動用電
極１０を形成し、そのパターニングを行なう。次に、図
３（ｆ）に示すように、ミラー支持基板５との接合用金
属膜および半田膜（金属膜は例えば下層からＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕ、半田膜は例えばＡｕＳｎ）１９を蒸着し、パタ
ーニングを行なう。最後に、ミラー支持基板５とミラー
駆動用電極基板６とを、上記ハンダを溶かして接合し、
ミラー１が完成する。図１、図２、図３に示した光検出
層３としては、例えばミラー基板２面上にｎ型Ｓｉ等の
ｎ型半導体層を形成し、その上に半透明の薄い金属膜
（例えばＰｔ、Ａｕ等）を蒸着等により形成した金属−
半導体界面のショットキー接合によるものを用いること
ができる。この場合、この金属層を光反射層４とする。
あるいは、ミラー基板２上にｎ型Ｓｉ等のｎ型半導体層
を形成し、その上にＳｉＯ２等の絶縁層を形成し、さら
にその上に半透明の金属層（例えばＰｔ、Ａｕ等）を蒸
着等により形成した金属−絶縁体−半導体界面のショッ
トキー接合によるものを用いることができる。この場
合、この金属層を光反射層４とする。このように、ショ
ットキー接合を用いる場合は、光検出層３の一部の金属
層と光反射層４とを同一金属層で形成可能であり、製造
工程を短縮できる。なお、光検出層３を構成するｎ型半
導体層に替えて、ｐ型半導体層を用いても良い。あるい
は、ミラー基板２上に光導電性膜を形成したものを用い
ることができる。この場合、この光導電性膜の上に、光
の検出に必要な光量を透過し、反射率が１００％未満の
光反射層４を設ける。あるいは、ミラー基板２上に設け
たｐ型半導体層とｎ型半導体層（どちらが上層、下層で
もよい）からなるｐ−ｎフォトダイオード層を形成した
ものを用いることができる。この場合、このｐ−ｎフォ
トダイオード層の上に、光の検出に必要な光量を透過
し、反射率が１００％未満の光反射層４を設ける。ある
いは、ミラー基板２上に設けたｐ型半導体層、絶縁層、
ｎ型半導体層からなるｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを形
成したものを用いることができる。この場合、このｐ−
ｉ−ｎフォトダイオード層の上に、光の検出に必要な光
量を透過し、反射率が１００％未満の光反射層４を設け
る。また、図３の上記製造方法では、シリコンを半導体
として用いたが、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＡｌＮ、Ａ
ｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＯ、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＴ
ｅ、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＩｎＳｅ、Ｓｎ
Ｏ２、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｂ
ｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｔｅ３、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ等の他の半導体を用いても本発明を実現可能であるこ
とは明らかである。ここで、半導体がシリコンの場合に
は、精製が容易で、欠陥の少ない単結晶が製作しやす
く、また、絶縁膜であるＳｉＯ２膜を高品質で形成する
ことが容易であるという利点がある。また、半導体がＩ
ｎＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、
ＩｎＳｂ等の場合では、電子移動度が高く、光検出器と
しての応答速度が速いという利点がある。さらに、半導
体が、直接遷移型半導体であるＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、
ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴ
ｅ、ＨｇＴｅ、ＳｎＯ２等の場合では、同一基板上にお
いて、発光ダイオードや、レーザー等の発光する構造を
形成することができるという利点がある。また、図１〜
図３の上記実施の形態１〜３においては、光検出層３を
４分割したものを示したが、ミラー基板２上に複数個の
光検出層３を点対称に、例えばハイブリッド集積して付
与した形態でも光ビームの位置検出が可能である。Third Embodiment Hereinafter, a method of manufacturing the mirror 1 according to the third embodiment will be described. 3A to 3G are process cross-sectional views showing a method for manufacturing the mirror 1 according to the third embodiment. (A) ~
(D) is a manufacturing process of the mirror support substrate 5, (e), (f)
Shows a manufacturing process of the mirror driving electrode substrate 6, and (g) shows a bonding process of the mirror supporting substrate 5 and the mirror driving electrode substrate 6. The structure of the mirror 1 is almost the same as that of the mirror of FIGS. Here, for example, SOI (Silicon On Insulat)
or) shows an example using a substrate. First, as shown in FIG. 3A, Si layer 12 / SiO 2 layer (intermediate oxide film) 13 / S
The photodetection layer 3 is formed on the SOI substrate 15 composed of three layers, i layer (Si substrate) 14, and patterning is performed along the mirror shape and the electrode shape. Next, the light reflection layer 4 is formed on it and patterned. Next, as shown in FIG. 3B, after forming the electrode wiring 16, an etching mask pattern 17 made of, for example, SiO 2 is formed on the front surface and the back surface of the SOI substrate 15. Next, as shown in FIG. 3C, using this mask pattern 17 as a mask,
The mirror substrate 2 including the Si layer (Si active layer) 14 and the torsion spring 8 are processed by, for example, reactive ion etching (Deep RIE (Reactive Ion Etchin) for high aspect processing.
g) or ICP (Induction Coupled Plasma) RIE). Further, using the mask pattern 17 as a mask, the SOI
The lower Si layer 12 of the substrate 15 is etched by, for example, a KOH aqueous solution. Next, as shown in FIG. 3D, a metal film (for example, Ti / Pt / Au from the lower layer) 18 for bonding with the mirror driving electrode substrate 6 is formed, and S of the SOI substrate 15 is formed.
The iO 2 layer 13 and the mask pattern (not shown) made of SiO 2 are removed by hydrofluoric acid, and the movable mirror support substrate 5 supported by the torsion spring 8 is completed (the mirror ground electrode 9 is not shown). Next, as shown in FIG. 3E, for example, Ti / Pt / Au is vapor-deposited from the lower layer on the mirror driving electrode substrate 6 made of a Si substrate to form the mirror driving electrode 10, and patterning is performed. . Next, as shown in FIG. 3F, a metal film for bonding to the mirror support substrate 5 and a solder film (the metal film is, for example, Ti / Pt from the lower layer).
/ Au, the solder film is formed by evaporating AuSn) 19, for example. Finally, the mirror supporting substrate 5 and the mirror driving electrode substrate 6 are joined by melting the solder.
The mirror 1 is completed. As the photodetection layer 3 shown in FIGS. 1, 2, and 3, for example, an n-type semiconductor layer such as n-type Si is formed on the surface of the mirror substrate 2, and a semitransparent thin metal film (for example, Pt) is formed thereon. , Au, etc.) formed by vapor deposition or the like.
A semiconductor interface Schottky junction can be used. In this case, this metal layer is used as the light reflection layer 4.
Alternatively, an n-type semiconductor layer such as n-type Si is formed on the mirror substrate 2, an insulating layer such as SiO 2 is formed thereon, and a semitransparent metal layer (eg Pt, Au, etc.) is further formed thereon. A metal-insulator-semiconductor interface Schottky junction formed by vapor deposition or the like can be used. In this case, this metal layer is used as the light reflection layer 4. As described above, when the Schottky junction is used, a part of the metal layer of the light detection layer 3 and the light reflection layer 4 can be formed of the same metal layer, and the manufacturing process can be shortened. Note that a p-type semiconductor layer may be used instead of the n-type semiconductor layer forming the photodetection layer 3. Alternatively, a mirror substrate having a photoconductive film formed thereon can be used. In this case, a light reflection layer 4 that transmits a quantity of light necessary for detecting light and has a reflectance of less than 100% is provided on the photoconductive film. Alternatively, a pn photodiode layer formed of a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer (which may be an upper layer or a lower layer) provided on the mirror substrate 2 may be used. In this case, a light reflection layer 4 that transmits a quantity of light necessary for detecting light and has a reflectance of less than 100% is provided on the pn photodiode layer. Alternatively, a p-type semiconductor layer provided on the mirror substrate 2, an insulating layer,
A p-i-n photodiode formed of an n-type semiconductor layer can be used. In this case, p-
On the i-n photodiode layer, the light reflection layer 4 that transmits the amount of light necessary for detecting light and has a reflectance of less than 100% is provided. Although silicon is used as a semiconductor in the manufacturing method of FIG. 3, Ge, SiC, SiGe, AlN, A
IP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, GaS
b, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, Z
nS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgT
e, GaS, GaSe, GaTe, InSe, Sn
O 2 , PbS, PbSe, PbTe, Sb 2 Te 3 , B
i 2 Se 3 , Bi 2 Te 3 , InGaAs, AlGaA
It is obvious that the present invention can be realized by using other semiconductors such as s. Here, when the semiconductor is silicon, there are advantages that purification is easy, a single crystal with few defects is easily manufactured, and a SiO 2 film that is an insulating film is easily formed with high quality. . In addition, the semiconductor is I
nGaAs, GaSb, GaAs, InP, InAs,
In the case of InSb or the like, there are advantages that the electron mobility is high and the response speed as a photodetector is fast. Furthermore, the semiconductor is AlN, GaN, GaA which is a direct transition type semiconductor.
s, GaSb, InN, InP, InAs, InSb,
ZnO, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdT
In the case of e, HgTe, SnO 2 or the like, there is an advantage that a structure that emits light such as a light emitting diode or a laser can be formed on the same substrate. In addition,
In the above-described first to third embodiments of FIG. 3, the photodetection layer 3 is divided into four, but a plurality of photodetection layers 3 are provided on the mirror substrate 2 in point symmetry, for example, by hybrid integration. The position of the light beam can be detected even in this form.
【０００８】さらに、図１〜図３の上記実施の形態１〜
３においては、ミラー基板２の駆動方式として静電引力
を用いたが、磁場と電流を利用したローレンツカや電磁
力、ピエゾや超音波モーターのような圧電力を用いた駆
動方式であっても良いことは言うまでもない。Further, the first to third embodiments shown in FIGS.
In 3, the electrostatic attraction is used as the driving method for the mirror substrate 2, but a driving method using Lorentzka or electromagnetic force using magnetic field and current, or piezoelectric power such as piezo or ultrasonic motor may be used. Not to mention good things.
【０００９】実施の形態４
図４（ａ）は、本発明の実施の形態４のミラーを用いた
光スイッチの構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のミラーの
平面図である。４０は光スイッチ、４１は光ファイバア
レイ、４１ａは入力用光ファイバアレイ、４１ｂは出力
用光ファイバアレイ、４２は光ファイバアレイ４１ａの
入力ポート、４３ａ、４３ｂはコリメートレンズアレ
イ、４４ａ、４４ｂはミラー、４５ａ、４５ｂはミラー
アレイ、４６は光ファイバアレイ４１ｂの出力ポート、
４７は信号光、４８は制御装置、１００は光ビームであ
る。入力ポート４２からの光ビーム１００はコリメート
レンズアレイ４３ａを経て、１次ミラーアレイ４５ａの
ミラー４４ａ、２次ミラーアレイ４５ｂのミラー４４ｂ
で偏向され、所望の出力ポート４６ヘ誘導される。この
とき、光ビーム１００を偏向すると同時に、光検出層３
を有するミラー４４ａまたは４４ｂ面上で信号光４７の
光を検出し、光強度を測定できるので、出カポート４６
での信号光強度のモニタ、すなわち、モニタ光分岐手段
（図８の８８）、光検出器（図８の８９）は不要であ
る。また、本実施の形態４では、光検出層３を４個に分
割した４分割光検出機能により、ミラー４４ａまたは４
４ｂ上への光ビームの位置検出が可能で、この信号をミ
ラー４４ａまたは４４ｂの位置制御に用いることもでき
る。一例として、光検出層３を４個に分割した４分割光
検出機能により、２次ミラーアレイ４５ｂ上のミラー４
４ｂ上における光ビームの位置検出が可能で、この信号
を解析して、光ビームが２次ミラーアレイ４５ｂ上のミ
ラー４４ｂの中心に適切に照射されるように、１次ミラ
ーアレイ上４５ａ上のミラー４４ａの方向をフィードバ
ック制御することもできる。また、１次ミラーアレイ４
５ａ上のミラー４４ａにおいて、同様の光ビームの位置
検出を行うこともでき、この信号を解析して、上記光ス
イッチ製作時において、入力ポート４２側のコリメート
レンズアレイ４３ａと１次ミラーアレイ４５ａ間の光軸
調整に用いることができる。Embodiment 4 FIG. 4 (a) is a diagram showing a structure of an optical switch using a mirror of Embodiment 4 of the present invention, and FIG. 4 (b) is a plan view of the mirror of FIG. 4 (a). 40 is an optical switch, 41 is an optical fiber array, 41a is an input optical fiber array, 41b is an output optical fiber array, 42 is an input port of the optical fiber array 41a, 43a and 43b are collimating lens arrays, and 44a and 44b are mirrors. , 45a and 45b are mirror arrays, 46 is an output port of the optical fiber array 41b,
Reference numeral 47 is a signal light, 48 is a control device, and 100 is a light beam. The light beam 100 from the input port 42 passes through the collimator lens array 43a, the mirror 44a of the primary mirror array 45a, and the mirror 44b of the secondary mirror array 45b.
And is guided to the desired output port 46. At this time, the light beam 100 is deflected, and at the same time, the light detection layer 3
Since it is possible to detect the light of the signal light 47 on the surface of the mirror 44a or 44b having the light and measure the light intensity, the output port 46
It is not necessary to monitor the signal light intensity at 1, that is, the monitor light branching means (88 in FIG. 8) and the photodetector (89 in FIG. 8). In addition, in the fourth embodiment, the mirror 44a or 4 is provided by the four-division photodetection function in which the photodetection layer 3 is divided into four.
The position of the light beam on 4b can be detected, and this signal can also be used for position control of the mirror 44a or 44b. As an example, the mirrors 4 on the secondary mirror array 45b are divided by the four-division light detection function in which the light detection layer 3 is divided into four.
It is possible to detect the position of the light beam on 4b, and analyze this signal so that the light beam is properly irradiated to the center of the mirror 44b on the secondary mirror array 45b. The direction of the mirror 44a can be feedback-controlled. In addition, the primary mirror array 4
It is also possible to detect the position of the same light beam at the mirror 44a on the 5a, and analyze this signal, and when the above-mentioned optical switch is manufactured, between the collimating lens array 43a on the input port 42 side and the primary mirror array 45a. It can be used to adjust the optical axis of.
【００１０】すなわち、本実施の形態４の光スイッチ４
０は、入力用光ファイバアレイ４１ａと、入力用光ファ
イバアレイ４１ａからの光ビームを反射させるように配
置した実施の形態１〜３の第一のミラー４４ａを有する
第一のミラーアレイ４５ａと、第一のミラーアレイ４５
ａからの光ビームを反射させる実施の形態１〜３の第二
のミラー４４ｂを有する第二のミラーアレイ４５ｂと、
第二のミラーアレイ４５ｂからの光ビームを出力する出
力用光ファイバアレイ４１ｂを有する光スイッチ４０で
あって、第一のミラー４４ａからの第二のミラー４４ｂ
上における光ビームの位置を検出し、第一のミラー４４
ａ上における光ビームが第二のミラー４４ｂ上に適切に
照射されるように、第一のミラー４４ａの方向をフィー
ドバック制御する制御装置４８を有する。このような構
成により、光検出層３によって入射光の強度、位置を検
出できるので、外部検出機器を不用とし、ミラーを用い
るスイッチング装置等の構成を簡易とし、コストダウン
を実現できる。また、本実施の形態４の光スイッチ４０
の製造方法は、入力用光ファイバアレイ４１ａと、入力
用光ファイバアレイ４１ａからの光ビームを反射させる
ように配置した実施の形態１〜３の第一のミラー４４ａ
を有する第一のミラーアレイ４５ａと、第一のミラーア
レイ４５ａからの光ビームを反射させる実施の形態１〜
３の第二のミラー４４ｂを有する第二のミラーアレイ４
５ｂと、第二のミラーアレイ４５ｂからの光ビームを出
力する出力用光ファイバアレイ４１ｂを有する光スイッ
チ４０の製造方法であって、第一のミラー４４ａの光ビ
ームの位置検出を行い、入力用光ファイバアレイ４１ａ
の入力ポート４２側のコリメートレンズアレイ４３ａ
と、第一のミラーアレイ４５ａ間の光軸調整を行う。こ
のような構成により、入力ポート４２側のコリメートレ
ンズアレイ４３ａと、第一のミラーアレイ４５ａ間の光
軸が正確に調整された光スイッチ４０を提供できる。That is, the optical switch 4 of the fourth embodiment
0 is an input optical fiber array 41a, a first mirror array 45a having the first mirror 44a of the first to third embodiments arranged to reflect the light beam from the input optical fiber array 41a, First mirror array 45
a second mirror array 45b having the second mirror 44b of the first to third embodiments for reflecting the light beam from a.
An optical switch 40 having an output optical fiber array 41b for outputting the light beam from the second mirror array 45b, the optical switch 40 comprising a first mirror 44a and a second mirror 44b.
The position of the light beam above is detected and the first mirror 44
It has a control device 48 that feedback-controls the direction of the first mirror 44a so that the light beam on a is appropriately irradiated onto the second mirror 44b. With such a configuration, the intensity and position of the incident light can be detected by the photodetection layer 3, so that an external detection device is unnecessary, the configuration of a switching device or the like using a mirror can be simplified, and cost reduction can be realized. In addition, the optical switch 40 of the fourth embodiment
In the manufacturing method of No. 3, the input optical fiber array 41a and the first mirror 44a of the first to third embodiments arranged to reflect the light beam from the input optical fiber array 41a.
The first mirror array 45a having the above and the first to sixth embodiments for reflecting the light beam from the first mirror array 45a
Second mirror array 4 having three second mirrors 44b
5b and a method for manufacturing an optical switch 40 having an output optical fiber array 41b for outputting a light beam from a second mirror array 45b, which detects the position of the light beam of the first mirror 44a and Optical fiber array 41a
Input port 42 side collimator lens array 43a
Then, the optical axis between the first mirror arrays 45a is adjusted. With such a configuration, it is possible to provide the optical switch 40 in which the optical axis between the collimator lens array 43a on the input port 42 side and the first mirror array 45a is accurately adjusted.
【００１１】実施の形態５
図５（ａ）は、本発明の実施の形態５のミラーを用いた
光スキャナの構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のミラーの
斜視図である。５０は光スキャナ、５１は光源、５２は
ミラー、５３は光ビーム、５４は光強度（光量）検出
器、５５は光源５１のドライバ、（ｂ）において、５６
はミラー駆動源である。光源５１からの光ビーム５３が
ミラー５２の面で反射され、任意の方向に偏向される。
ミラー５２の面で光ビーム５３の偏向を行うと同時に、
ミラー５２に設けた光検出層３により光を検出し、光強
度検出器５４により光強度の検出が可能であるので、従
来必要であった光ビーム５３を分岐させるビームスプリ
ッタ（図９の９２）や別装置として光検出器（図９の９
５）を用意する必要がない。Embodiment 5 FIG. 5A is a diagram showing the construction of an optical scanner using a mirror of Embodiment 5 of the present invention, and FIG. 5B is a perspective view of the mirror of FIG. 50 is an optical scanner, 51 is a light source, 52 is a mirror, 53 is a light beam, 54 is a light intensity (light quantity) detector, 55 is a driver of the light source 51, and in (b), 56
Is a mirror drive source. The light beam 53 from the light source 51 is reflected by the surface of the mirror 52 and is deflected in an arbitrary direction.
At the same time as deflecting the light beam 53 on the surface of the mirror 52,
Since the light detection layer 3 provided on the mirror 52 can detect light and the light intensity detector 54 can detect the light intensity, a beam splitter (92 in FIG. 9) for branching the light beam 53, which has been conventionally required, can be obtained. As another device, a photodetector (9 in FIG. 9)
There is no need to prepare 5).
【００１２】実施の形態６
図６（ａ）は、本発明の実施の形態６のミラーの光検出
層３からの光信号（光電流）取り出し用配線の構成を示
す図、（ｂ）は光検出層３にフォトダイオード等の光起
電力層を用いた場合の信号検出回路図、（ｃ）は光検出
層３に光導電性膜を用いた場合の信号検出回路図であ
る。（ａ）において、１はミラー、３は光検出層（光検
出層３の上に光反射層４が形成されている）、８はねじ
りばね、６０は光信号取り出し用配線、９はミラーグラ
ウンド電極、６１はミラーグラウンド配線、（ｂ）にお
いて、６２は光、６３はフォトダイオード、６４はアノ
ード、６５はカソード、６６はオペアンプ、（ｃ）にお
いて、６７は光導電性膜、６８は外部電源、６９は固定
抵抗である。本実施の形態６は、最もシンプルな１軸ミ
ラーで、１個のアノードと１個のカソードを有する構成
例である。図６（ａ）に示すように、光信号取り出し用
配線６０とその光信号取り出し用電極パッド（アノー
ド）６４、並びにミラーグラウンド配線６１とそのミラ
ーグラウンド電極パッド（カソード）６５を形成して、
各電極パッド６４、６５からワイヤボンディング実装に
より外部へ取り出す。Embodiment 6 FIG. 6A is a diagram showing the structure of a wiring for extracting an optical signal (photocurrent) from the photodetection layer 3 of the mirror of Embodiment 6 of the present invention, and FIG. FIG. 3C is a signal detection circuit diagram when a photovoltaic layer such as a photodiode is used as the detection layer 3, and FIG. 7C is a signal detection circuit diagram when a photoconductive film is used as the photodetection layer 3. In (a), 1 is a mirror, 3 is a light detection layer (the light reflection layer 4 is formed on the light detection layer 3), 8 is a torsion spring, 60 is an optical signal extraction wiring, and 9 is a mirror ground. Electrode, 61 is mirror ground wiring, in (b), 62 is light, 63 is photodiode, 64 is anode, 65 is cathode, 66 is operational amplifier, in (c), 67 is photoconductive film, 68 is external power supply , 69 are fixed resistors. The sixth embodiment is an example of the simplest uniaxial mirror having one anode and one cathode. As shown in FIG. 6A, the optical signal extraction wiring 60 and the optical signal extraction electrode pad (anode) 64, the mirror ground wiring 61 and the mirror ground electrode pad (cathode) 65 are formed,
It is taken out from each electrode pad 64, 65 by wire bonding mounting.
【００１３】光検出層３にフォトダイオード等の光起電
力層を用いた場合は、図６（ｂ）に示すように、オペア
ンプ６６等を用いて光電流を電圧出力として取り出す。
光検出層３に光導電性膜を用いた場合は、図６（ｃ）に
示すように、光照射により抵抗が変化するので、外部電
源６８から供給される電流の変化を別の固定抵抗６９を
介して取り出す。When a photovoltaic layer such as a photodiode is used as the photodetection layer 3, a photocurrent is taken out as a voltage output using an operational amplifier 66 as shown in FIG. 6B.
When a photoconductive film is used for the photodetection layer 3, the resistance changes due to light irradiation as shown in FIG. 6C, so that the change in the current supplied from the external power supply 68 is changed to another fixed resistance 69. Take out through.
【００１４】実施の形態７
図７（ａ）は、本発明の実施の形態７のミラーの光検出
層３からの光信号（光電流）取り出し用配線の構成を示
す図、（ｂ）はその信号検出回路図である。（ａ）にお
いて、７１ａ〜７１ｄは光信号取り出し用配線、７２
ａ、７２ｂはミラーグラウンド配線、（ｂ）において、
７３ａ〜７３ｄは光、７４ａ〜７４ｄはフォトダイオー
ド、７５ａ〜７５ｄはアノード、７６はカソード、７７
ａ〜７７ｄはオペアンプである。本実施の形態７は、図
７（ａ）に示すように、フォトダイオード等の光起電力
層を用いた光検出層３が４分割された２軸ミラーで、４
個のアノードと１個のカソードを有する構成例である。
このように分割した光検出層３を備えたミラー７０は、
図７（ｂ）に示すように、各光検出層３に対応した検出
回路を構成し（グラウンドは共通）、それぞれの光信号
出力Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ４を比較し、光ビームの偏光
状況を判断することが可能である。以上説明したよう
に、上記実施の形態１〜７では、ミラーに反射機能に加
えて、光検出機能を集積しているので、従来のミラーで
は知り得なかった光ビームの光強度を他の検出器無しで
測定できる。また、光検出層３を複数個に分割する多分
割光検出構造、または例えば多数個のフォトダイオード
チップをボンディングする等、多数の光検出部分を持つ
構造にすることで、光ビームの位置検出も可能となる。
また、光ビームの偏向と光検出の両方が必要な装置にお
いては、従来必要であった検出器等の部品を用いる必要
がなく、ミラーのみで構成できるため、装置を構成する
場合において部品点数を削減でき、大きく経済化を図る
ことができる。以上本発明を実施の形態に基づいて具体
的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能であることは勿論である。Embodiment 7 FIG. 7A is a diagram showing the structure of a wiring for extracting an optical signal (photocurrent) from the photodetection layer 3 of the mirror of Embodiment 7 of the present invention, and FIG. It is a signal detection circuit diagram. In (a), 71a to 71d are optical signal extraction wirings, and 72
a and 72b are mirror ground wiring, and in (b),
73a to 73d are light, 74a to 74d are photodiodes, 75a to 75d are anodes, 76 is a cathode, 77
a to 77d are operational amplifiers. As shown in FIG. 7A, the seventh embodiment is a biaxial mirror in which the photodetection layer 3 using a photovoltaic layer such as a photodiode is divided into four.
It is a structural example which has one anode and one cathode.
The mirror 70 provided with the photodetection layer 3 thus divided is
As shown in FIG. 7B, a detection circuit corresponding to each photodetection layer 3 is configured (the ground is common), respective optical signal outputs V out 1 to V out 4 are compared, and the polarization state of the light beam is compared. It is possible to judge. As described above, in the first to seventh embodiments, the mirror has a light detection function in addition to the reflection function. Therefore, the light intensity of the light beam that cannot be detected by the conventional mirror is detected by other means. It can be measured without a container. Also, the position of the light beam can be detected by using a multi-division photo detection structure in which the photo detection layer 3 is divided into a plurality of parts or a structure having a large number of photo detection parts such as bonding a plurality of photodiode chips. It will be possible.
Further, in a device that requires both light beam deflection and light detection, it is not necessary to use components such as a detector that were required in the past, and it is possible to configure with only a mirror. Therefore, when configuring the device, the number of components is reduced. It is possible to reduce the cost and greatly improve the economy. Although the present invention has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のミラーに
よれば、従来のミラーでは知り得なかった光ビームの光
強度を他の検出器無しで測定できる。また、光検出層を
複数個設けることにより光ビームの位置検出も可能とな
る。また、光ビームの偏向と光検出の両方が必要な装置
においては、従来必要であった検出器等の部品を用いる
必要がなく、ミラーのみで構成できるため、装置を構成
する場合において部品点数を削減でき、大きく経済化を
図ることができる。また、本発明の光スイッチによれ
ば、光検出層によって入射光の強度、位置を検出できる
ので、外部検出機器を不用とし、ミラーを用いるスイッ
チング装置等の構成を簡易とし、コストダウンを実現で
きる。また、本発明の光スイッチの製造方法によれば、
入力ポート側のコリメートレンズアレイと、第一のミラ
ーアレイ間の光軸が正確に調整された光スイッチを提供
できる。As described above, according to the mirror of the present invention, it is possible to measure the light intensity of the light beam which cannot be known by the conventional mirror without any other detector. Moreover, the position of the light beam can be detected by providing a plurality of light detection layers. Further, in a device that requires both light beam deflection and light detection, it is not necessary to use components such as a detector that were required in the past, and it is possible to configure with only a mirror. Therefore, when configuring the device, the number of components is reduced. It is possible to reduce the cost and greatly improve the economy. Further, according to the optical switch of the present invention, since the intensity and position of the incident light can be detected by the photodetection layer, an external detection device is unnecessary, the configuration of a switching device or the like using a mirror can be simplified, and cost reduction can be realized. . Further, according to the method for manufacturing an optical switch of the present invention,
It is possible to provide an optical switch in which the optical axis between the collimating lens array on the input port side and the first mirror array is accurately adjusted.
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１のミラーの平面
図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。1A is a plan view of a mirror according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view of FIG.
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態２のミラーの平面
図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。2A is a plan view of a mirror according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a sectional view of FIG.
【図３】（ａ）〜（ｇ）は本実施の形態３のミラーの製
造方法を示す工程断面図である。3A to 3G are process cross-sectional views showing a method of manufacturing a mirror according to the third embodiment.
【図４】（ａ）は本発明の実施の形態４のミラーを用い
た光スイッチの構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のミラー
の平面図である。4A is a diagram showing a configuration of an optical switch using a mirror according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a plan view of the mirror of FIG.
【図５】（ａ）は本発明の実施の形態５のミラーを用い
た光スキャナの構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のミラー
の斜視図である。5A is a diagram showing a configuration of an optical scanner using a mirror according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a perspective view of the mirror shown in FIG.
【図６】（ａ）は本発明の実施の形態６のミラーの光検
出層からの光信号取り出し用配線の構成を示す図、
（ｂ）は光検出層にフォトダイオード等の光起電力層を
用いた場合の信号検出回路図、（ｃ）は光検出層に光導
電性膜を用いた場合の信号検出回路図である。FIG. 6A is a diagram showing a configuration of a wiring for extracting an optical signal from a photodetection layer of a mirror according to a sixth embodiment of the present invention,
(B) is a signal detection circuit diagram when a photovoltaic layer such as a photodiode is used for the photo detection layer, and (c) is a signal detection circuit diagram when a photoconductive film is used for the photo detection layer.
【図７】（ａ）は本発明の実施の形態７のミラーの光検
出層からの光信号取り出し用配線の構成を示す図、
（ｂ）はその信号検出回路図である。FIG. 7A is a diagram showing a configuration of a wiring for extracting an optical signal from a photodetection layer of a mirror according to a seventh embodiment of the present invention;
(B) is the signal detection circuit diagram.
【図８】（ａ）は従来の光通信用光スイッチの構成を示
す図、（ｂ）、（ｃ）は（ａ）の光スイッチの１個のミ
ラーの平面図で、光ビームのミラー面上の位置を示す図
である。8A is a diagram showing a configuration of a conventional optical switch for optical communication, and FIGS. 8B and 8C are plan views of one mirror of the optical switch of FIG. 8A, showing a mirror surface of a light beam. It is a figure which shows an upper position.
【図９】従来の光スキャナの構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional optical scanner.
１…ミラー、２…ミラー基板、３…光検出層、４…光反
射層、５…ミラー支持基板、６…ミラー駆動用電極基
板、７…ミラー支持構造体、８…ねじりばね、９…ミラ
ーグラウンド電極、１０…ミラー駆動用電極、１１…４
分割光検出面、１２…Ｓｉ層、１３…ＳｉＯ２層、１４
…Ｓｉ層、１５…ＳＯＩ基板、１６…電極配線、１７…
マスクパターン、１８…接合用金属膜、１９…接合用金
属膜および半田膜、４０…光スイッチ、４１、４１ａ、
４１ｂ…光ファイバアレイ、４２…入力ポート、４３
ａ、４３ｂ…コリメートレンズアレイ、４４ａ、４４ｂ
…ミラー、４５ａ、４５ｂ…ミラーアレイ、４６…出力
ポート、４７…信号光、４８…制御装置、５０…光スキ
ャナ、５１…光源、５２…ミラー、５３…光ビーム、５
４…光強度検出器、５５…ドライバ、５６…ミラー駆動
源、６０…光信号取り出し用配線、６１…ミラーグラウ
ンド配線、６２…光、６３…フォトダイオード、６４…
アノード、６５…カソード、６６…オペアンプ、６７…
光導電性膜、６８…外部電源、６９…固定抵抗、７１ａ
〜７１ｄ…光信号取り出し用配線、７２ａ、７２ｂ…ミ
ラーグラウンド配線、７３ａ〜７３ｄ…光、７４ａ〜７
４ｄフォトダイオード、７５ａ〜７５ｄ…アノード、７
６…カソード、７７ａ〜７７ｄ…オペアンプ、８０…光
スイッチ、８１…光ファイバアレイ、８２…入力ポー
ト、８３…コリメートレンズアレイ、８４…ミラー、８
５…ミラーアレイ、８６…出力ポート、８７…信号光、
８８…モニタ光分岐手段、８９…光検出器、９０…光ス
キャナ、９１…光源、９２…ビームスプリッタ、９３…
ミラー、９４…光ビーム、９５…光検出器、９６…ドラ
イバ、１００…光ビーム。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mirror, 2 ... Mirror substrate, 3 ... Photodetection layer, 4 ... Light reflection layer, 5 ... Mirror support substrate, 6 ... Mirror drive electrode substrate, 7 ... Mirror support structure, 8 ... Torsion spring, 9 ... Mirror Ground electrode, 10 ... Mirror driving electrode, 11 ... 4
Divided light detection surface, 12 ... Si layer, 13 ... SiO 2 layer, 14
... Si layer, 15 ... SOI substrate, 16 ... Electrode wiring, 17 ...
Mask pattern, 18 ... Bonding metal film, 19 ... Bonding metal film and solder film, 40 ... Optical switch, 41, 41a,
41b ... Optical fiber array, 42 ... Input port, 43
a, 43b ... Collimating lens array, 44a, 44b
... Mirrors, 45a, 45b ... Mirror array, 46 ... Output port, 47 ... Signal light, 48 ... Control device, 50 ... Optical scanner, 51 ... Light source, 52 ... Mirror, 53 ... Light beam, 5
4 ... Light intensity detector, 55 ... Driver, 56 ... Mirror drive source, 60 ... Optical signal extraction wiring, 61 ... Mirror ground wiring, 62 ... Light, 63 ... Photo diode, 64 ...
Anode, 65 ... Cathode, 66 ... Operational amplifier, 67 ...
Photoconductive film, 68 ... External power supply, 69 ... Fixed resistance, 71a
-71d ... Optical signal extraction wiring, 72a, 72b ... Mirror ground wiring, 73a-73d ... Optical, 74a-7
4d photodiode, 75a to 75d ... Anode, 7
6 ... Cathode, 77a-77d ... Operational amplifier, 80 ... Optical switch, 81 ... Optical fiber array, 82 ... Input port, 83 ... Collimating lens array, 84 ... Mirror, 8
5 ... Mirror array, 86 ... Output port, 87 ... Signal light,
88 ... Monitor light splitting means, 89 ... Photodetector, 90 ... Optical scanner, 91 ... Light source, 92 ... Beam splitter, 93 ...
Mirror, 94 ... Light beam, 95 ... Photodetector, 96 ... Driver, 100 ... Light beam.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 26/10 Ｇ０２Ｂ 26/10 １０４Ｚ ５Ｋ００２ １０４ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｇ０２Ｂ 7/18 Ｚ Ｈ０４Ｂ 10/02 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｔ (72)発明者 伊藤 高廣 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 山口 城治 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 山本 剛 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 石井 仁 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H041 AA12 AA16 AB14 AB15 AB34 AB36 AC01 AC06 AZ02 AZ03 AZ08 2H042 DA00 DA20 DE00 2H043 CB01 CD02 CD04 CE00 2H045 AB06 AB13 AB16 AB73 CA82 5F049 MA02 MA04 MA05 MB03 NA18 NA19 NB01 SE16 SS03 TA14 5K002 AA07 BA06 BA07 BA21 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) G02B 26/10 G02B 26/10 104Z 5K002 104 H01L 31/10 A H01L 31/10 G02B 7/18 Z H04B 10/02 H04B 9/00 T (72) Inventor Takahiro Ito 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Joji Yamaguchi 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Tsuyoshi Yamamoto 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Hitoshi Ishii 2-3-3, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. 1 F-Term within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (reference) 2H041 AA12 AA16 AB14 AB15 AB34 AB36 AC01 AC06 AZ02 AZ03 AZ08 2H042 DA00 DA20 DE00 2H043 CB01 CD02 CD04 CE00 2H045 AB06 AB13 AB16 AB73 CA82 5F049 MA02 SE16 NA19 NA19 MB01 NA03 SS03 TA14 5K002 AA07 BA06 BA07 BA21
Claims (17)
と、光を反射する光反射層とを設けたことを特徴とする
ミラー。1. A mirror comprising a light detecting layer for detecting light and a light reflecting layer for reflecting light provided on a mirror substrate surface.
反射層とを設けた面の反対面上に、ミラーグラウンド電
極を設けたことを特徴とする請求項１記載のミラー。2. The mirror according to claim 1, wherein a mirror ground electrode is provided on the surface of the mirror substrate opposite to the surface on which the photodetection layer and the light reflection layer are provided.
反射層とを設けた面と同じ側の面上に、ミラーグラウン
ド電極を設けたことを特徴とする請求項１記載のミラ
ー。3. The mirror according to claim 1, wherein a mirror ground electrode is provided on the surface of the mirror substrate on the same side as the surface on which the photodetection layer and the light reflection layer are provided.
と、上記ｎ型半導体層上に設けた金属層との金属−半導
体界面により形成されるショットキー接合を有し、上記
ｎ型半導体層と上記金属層を上記光検出層とし、上記金
属層を上記光反射層とすることを特徴とする請求項１、
２または３記載のミラー。4. An n-type semiconductor layer having a Schottky junction formed by a metal-semiconductor interface between an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer. The semiconductor layer and the metal layer serve as the light detection layer, and the metal layer serves as the light reflection layer.
The mirror described in 2 or 3.
と、上記ｐ型半導体層上に設けた金属層との金属−半導
体界面により形成されるショットキー接合を有し、上記
ｐ型半導体層と上記金属層を上記光検出層とし、上記金
属層を上記光反射層とすることを特徴とする請求項１、
２または３記載のミラー。5. A p-type semiconductor layer having a Schottky junction formed by a metal-semiconductor interface between a p-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface and a metal layer provided on the p-type semiconductor layer. The semiconductor layer and the metal layer serve as the light detection layer, and the metal layer serves as the light reflection layer.
The mirror described in 2 or 3.
と、上記ｎ型半導体層上に設けた絶縁層と、上記絶縁層
上に設けた金属層との金属−絶縁体−半導体界面により
形成されるショットキー接合を有し、上記ｎ型半導体層
と上記絶縁層と上記金属層を上記光検出層とし、上記金
属層を上記光反射層とすることを特徴とする請求項１、
２または３記載のミラー。6. A metal-insulator-semiconductor interface between an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, an insulating layer provided on the n-type semiconductor layer, and a metal layer provided on the insulating layer. 2. The Schottky junction formed according to claim 1, wherein the n-type semiconductor layer, the insulating layer, and the metal layer are used as the photodetection layer, and the metal layer is used as the light reflection layer.
The mirror described in 2 or 3.
と、上記ｐ型半導体層上に設けた絶縁層と、上記絶縁層
上に設けた金属層との金属−絶縁体−半導体界面により
形成されるショットキー接合を有し、上記ｐ型半導体層
と上記絶縁層と上記金属層を上記光検出層とし、上記金
属層を上記光反射層とすることを特徴とする請求項１、
２または３記載のミラー。7. A metal-insulator-semiconductor interface between a p-type semiconductor layer provided on the surface of the mirror substrate, an insulating layer provided on the p-type semiconductor layer, and a metal layer provided on the insulating layer. 2. The Schottky junction formed according to claim 1, wherein the p-type semiconductor layer, the insulating layer, and the metal layer serve as the light detection layer, and the metal layer serves as the light reflection layer.
The mirror described in 2 or 3.
上記光検出層とし、その上に、上記光の検出に必要な光
量を透過し、反射率が１００％未満の上記光反射層を設
けたことを特徴とする請求項１、２または３記載のミラ
ー。8. The photoconductive film provided on the surface of the mirror substrate is used as the photodetection layer, on which the amount of light necessary for detecting the light is transmitted, and the light reflection having a reflectance of less than 100%. The mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein a layer is provided.
とｎ型半導体層とにより形成されたｐ−ｎ接合を有し、
上記ｐ型半導体層と上記ｎ型半導体層を上記光検出層と
し、その上に、上記光の検出に必要な光量を透過し、反
射率が１００％未満の上記光反射層を設けたことを特徴
とする請求項１、２または３記載のミラー。9. A pn junction formed by a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface,
The p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are used as the photodetection layer, and the light reflection layer having a reflectance of less than 100% is provided on the photodetection layer. 4. The mirror according to claim 1, 2 or 3.
層、絶縁層、ｎ型半導体層からなるｐ−ｉ−ｎ構造を上
記光検出層とし、その上に、上記光の検出に必要な光量
を透過し、反射率が１００％未満の上記光反射層を設け
たことを特徴とする請求項１、２または３記載のミラ
ー。10. A p-i-n structure composed of a p-type semiconductor layer, an insulating layer, and an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface is used as the photodetection layer, and is necessary for detecting the light thereon. 4. The mirror according to claim 1, wherein the light reflecting layer having a reflectance of less than 100% is provided to transmit a certain amount of light.
を上記光検出層とし、その上に、反射率が１００％未満
の上記光反射層を設けたことを特徴とする請求項１、２
または３記載のミラー。11. The photoconductive film provided on the mirror substrate surface is used as the photodetection layer, and the photoreflection layer having a reflectance of less than 100% is provided thereon. Two
Or the mirror described in 3.
層とｎ型半導体層とにより形成されたｐ−ｎ接合を有
し、上記ｐ型半導体層と上記ｎ型半導体層を上記光検出
層とし、その上に、反射率が１００％未満の上記光反射
層を設けたことを特徴とする請求項１、２または３記載
のミラー。12. A p-n junction formed by a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer provided on the mirror substrate surface, wherein the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are photodetected. 4. The mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein the mirror is a layer, and the light reflection layer having a reflectance of less than 100% is provided on the layer.
層、絶縁層、ｎ型半導体層からなるｐ−ｉ−ｎ構造を上
記光検出層とし、その上に、反射率が１００％未満の上
記光反射層を設けたことを特徴とする請求項１、２また
は３記載のミラー。13. A photo-detecting layer having a pin structure consisting of a p-type semiconductor layer, an insulating layer, and an n-type semiconductor layer provided on the surface of the mirror substrate, and having a reflectance of less than 100%. The mirror according to claim 1, 2 or 3, wherein the light reflection layer is provided.
ミラーに入射する光の位置検出手段を有することを特徴
とする請求項１乃至１３のいずれか記載のミラー。14. The mirror according to claim 1, wherein the photodetection layer is divided into a plurality of parts, and the position detection means for the light incident on the mirror is provided.
ラーに入射する光の位置検出手段を有することを特徴と
する請求項１乃至１３のいずれか記載のミラー。15. The mirror according to claim 1, wherein a plurality of the photodetection layers are provided, and the position detection means for the light incident on the mirror is provided.
光ファイバアレイからの光ビームを反射させるように配
置した請求項１乃至１５のいずれか記載の第一のミラー
を有する第一のミラーアレイと、前記第一のミラーアレ
イからの光ビームを反射させる請求項１乃至１５のいず
れか記載の第二のミラーを有する第二のミラーアレイ
と、前記第二のミラーアレイからの光ビームを出力する
出力用光ファイバアレイを有する光スイッチであって、
前記第一のミラーからの前記第二のミラー上における光
ビームの位置を検出し、前記第一のミラー上における光
ビームが前記第二のミラー上に適切に照射されるよう
に、前記第一のミラーの方向をフィードバック制御する
制御装置を有することを特徴とする光スイッチ。16. An input optical fiber array and a first mirror array having the first mirror according to claim 1, wherein the first mirror array is arranged to reflect a light beam from the input optical fiber array. A second mirror array having the second mirror according to any one of claims 1 to 15 for reflecting the light beam from the first mirror array; and outputting the light beam from the second mirror array. An optical switch having an output optical fiber array for
The position of the light beam on the second mirror from the first mirror is detected, and the first light beam on the first mirror is appropriately irradiated onto the second mirror. An optical switch having a control device that feedback-controls the direction of the mirror.
光ファイバアレイからの光ビームを反射させるように配
置した請求項１乃至１５のいずれか記載の第一のミラー
を有する第一のミラーアレイと、前記第一のミラーアレ
イからの光ビームを反射させる請求項１乃至１５のいず
れか記載の第二のミラーを有する第二のミラーアレイ
と、前記第二のミラーアレイからの光ビームを出力する
出力用光ファイバアレイを有する光スイッチの製造方法
であって、前記第一のミラーの光ビームの位置検出を行
い、前記入力用光ファイバアレイの入力ポート側のコリ
メートレンズアレイと、前記第一のミラーアレイ間の光
軸調整を行うことを特徴とする光スイッチの製造方法。17. An optical fiber array for input, and a first mirror array having a first mirror according to any one of claims 1 to 15 arranged so as to reflect a light beam from the optical fiber array for input. A second mirror array having the second mirror according to any one of claims 1 to 15 for reflecting the light beam from the first mirror array; and outputting the light beam from the second mirror array. A method of manufacturing an optical switch having an output optical fiber array, wherein the position of the light beam of the first mirror is detected, a collimating lens array on the input port side of the input optical fiber array, and the first A method for manufacturing an optical switch, characterized in that the optical axis between the mirror arrays is adjusted.
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