JP2003197129A - Cold cathode display device, and method for manufacturing the same - Google Patents

Cold cathode display device, and method for manufacturing the same

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JP2003197129A
JP2003197129A JP2001274218A JP2001274218A JP2003197129A JP 2003197129 A JP2003197129 A JP 2003197129A JP 2001274218 A JP2001274218 A JP 2001274218A JP 2001274218 A JP2001274218 A JP 2001274218A JP 2003197129 A JP2003197129 A JP 2003197129A
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JP
Japan
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thick film
film
layer
conductor
dielectric
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JP2001274218A
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Japanese (ja)
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Susumu Sakamoto
進 阪本
Masayuki Hiroshima
政幸 廣嶋
Shigeo Mori
繁夫 森
Eiji Naraki
英二 楢木
Koichi Sato
康一 佐藤
Hirotoshi Takechi
洋利 武市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
Original Assignee
Noritake Co Ltd
Noritake Electronics Ltd
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sufficiently thin cold cathode display device provided with a gate electrode with high relative position precision, and a method for easily manufacturing the cold cathode electrode display device. <P>SOLUTION: In manufacturing an FED10 by combining a back face board 18 and a front face board 16 to be fixed, a sheet member 42 provided with plural thick film conductor layers on the surface of a dielectric layer 40 is fixed to the back face board 18, so that the gate electrode 34 is provided between an emitter 38 and an anode 24. The sheet member 42 is thus provided with the thick film conductor layers to compose the gate electrode 34 on the surface of the dielectric layer 40, so that high mechanical characteristics are provided based on the dielectric layer 40. Sufficiently high mechanical strength can thus be achieved even with a thin film thickness of it, and with a thin film thickness of the thick film conductor layer in turn. Damage is hard to occur compared to a cases with the gate electrode 34 of a metal thin plate, thereby it can be formed thin. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、冷陰極表示装置お
よびその製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a cold cathode display device and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、電界放出によって電子源(エミ
ッタ)から陽極に向かって真空中に電子を放出させ、そ
の電子でその陽極の表面に固着された蛍光体を励起して
発光させることにより画像を表示させる冷陰極表示装置
が知られている。ここで、「電界放出(電界電子放出)」
とは、強電場の作用により、量子力学的なトンネル現象
を利用して電子を固体表面から真空準位へ引き出すこと
である。真空準位と金属または半導体表面とのエネルギ
ー差は仕事関数(work function)φで表されるが、例え
ば通常の金属材料では仕事関数φが数(eV)と大きいた
め、室温において金属中の電子が真空中に飛び出すこと
はない。しかしながら、外部から強電場を作用させるこ
とによりポテンシャル障壁を薄くすると、トンネル効果
によって電子が確率論的に真空中に飛び出す。これが電
界放出であり、仕事関数φが小さいほど弱い電場で電子
を放出させることが可能となる。
2. Description of the Related Art For example, by emitting electrons into a vacuum from an electron source (emitter) to an anode by field emission and exciting the phosphor adhered to the surface of the anode by the electrons to emit light, There is known a cold cathode display device for displaying. Here, "field emission (field electron emission)"
Is to extract electrons from the solid surface to the vacuum level by utilizing the quantum mechanical tunneling phenomenon by the action of a strong electric field. The energy difference between the vacuum level and the metal or semiconductor surface is represented by the work function φ.For example, since the work function φ is large (eV) in ordinary metal materials, the electrons in the metal at room temperature Does not jump into the vacuum. However, when the potential barrier is made thin by applying a strong electric field from the outside, the electrons stochastically jump into the vacuum due to the tunnel effect. This is field emission, and as the work function φ is smaller, electrons can be emitted in a weaker electric field.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な冷陰極表示装置においては、発光させる蛍光体を選択
して所望の画像を表示するために、例えば、エミッタと
陽極との間にゲート電極が設けられる。ゲート電極は、
個々のエミッタの上方に1乃至複数個の電子通過孔を有
する導体であり、例えば、以下のようにして製造され
る。すなわち、例えば先端部を尖鋭にしたSpindt型と称
されるモリブデン・コーン等でエミッタが構成される場
合には、薄膜プロセスを用いてガラス基板上に陰極膜、
アモルファス・シリコンから成る抵抗膜、二酸化珪素か
ら成る絶縁膜、およびゲート膜を順次形成し、上記の電
子通過孔に対応する位置にイオン・エッチングや化学エ
ッチングでゲート膜および絶縁膜を除去して穴を開け、
更に、そのゲート膜上にニッケル膜を設けた後にモリブ
デン膜を成膜することで、上記のエミッタやゲート電極
等が形成される。しかしながら、この形式の冷陰極表示
装置は、薄膜プロセスを必須とするために製造コストが
高くなると共に対角数十インチ以上の大型表示装置の製
造が困難である。
In the cold cathode display device as described above, in order to display a desired image by selecting a phosphor to emit light, for example, a gate electrode is provided between the emitter and the anode. Is provided. The gate electrode is
This is a conductor having one to a plurality of electron passage holes above each emitter, and is manufactured as follows, for example. That is, for example, when the emitter is composed of a molybdenum cone or the like called Spindt type with a sharp tip, a cathode film on a glass substrate using a thin film process,
A resistance film made of amorphous silicon, an insulation film made of silicon dioxide, and a gate film are sequentially formed, and the gate film and the insulation film are removed by ion etching or chemical etching at the positions corresponding to the electron passage holes. Open the
Further, by forming a nickel film on the gate film and then forming a molybdenum film, the emitter, the gate electrode and the like are formed. However, since this type of cold cathode display device requires a thin film process, the manufacturing cost is high, and it is difficult to manufacture a large display device having a diagonal of several tens of inches or more.

【0004】これに対して、エミッタを多数本のカーボ
ン・ナノチューブ(以下、単にナノチューブという)で構
成することが提案されている。例えば、特開平10−1
49760号公報に記載された電界放出型冷陰極装置や
特開平10−012124号公報に記載された電子放出
素子等がそれである。ナノチューブとは、円筒状を成す
炭素原子(C)の結合体であって、径の異なる複数個のグ
ラファイト・シート(グラフェン・シートすなわち主と
して炭素の六員環から成るグラファイト層)が入れ子に
なり、全体の直径が1〜50(nm)程度、長さが100(μm)程
度以下の寸法を有する微細な構造体をいう。ナノチュー
ブは、微小径のその先端から効率よく電子放出が起き且
つエミッション特性に優れると共に、炭素原子だけで構
成されるため真空中で耐酸化性が高く化学的安定性に優
れ且つ耐イオン衝撃性も高い特徴を有している。このよ
うなナノチューブでエミッタが構成される場合には、ゲ
ート電極は、例えば、エッチング処理して電子通過孔を
設けた金属薄板をガラスフリット等で基板に固着するこ
とでエミッタの上方に設けられる。
On the other hand, it has been proposed that the emitter be composed of a large number of carbon nanotubes (hereinafter, simply referred to as nanotubes). For example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-1
The field-emission cold cathode device described in Japanese Patent Publication No. 49760 and the electron-emitting device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-012124 are examples thereof. A nanotube is a combination of carbon atoms (C) in a cylindrical shape, and a plurality of graphite sheets with different diameters (graphene sheets, that is, a graphite layer mainly composed of a six-membered ring of carbon) are nested, It means a fine structure having an overall diameter of about 1 to 50 (nm) and a length of about 100 (μm) or less. Nanotubes efficiently emit electrons from the tip of a minute diameter and have excellent emission characteristics, and because they are composed of carbon atoms only, they have high oxidation resistance in vacuum, excellent chemical stability, and ion impact resistance. It has high features. When the emitter is composed of such nanotubes, the gate electrode is provided above the emitter by, for example, fixing a metal thin plate provided with electron passage holes by etching to a substrate with glass frit or the like.

【0005】しかしながら、この方法では、ゲート電極
は可及的に薄いことが望まれるにも拘わらずエッチング
処理や組み付け等の際の金属薄板の強度保持のために少
なくとも100(μm)程度以上の厚さ寸法が必要であり、例
えば対角40インチ以上の表示装置を製造しようとする場
合には膜厚を一層厚くする必要があった。しかも、ゲー
ト電極をエミッタ等が形成された基板に固定する際に
は、基板や固定用ガラスフリット、端子との接続用導電
材料等との熱膨張の相違に起因して歪みや浮き、位置ず
れ等が生じ易いことから位置合わせが困難でもあった。
更に、ゲート電極は駆動の際の電圧の印加単位毎に区分
された帯状に構成されるため、高画質になるほど寸法が
小さく且つ本数が多くなって取扱いが煩雑になると共に
位置合わせが一層困難となる。なお、基板をソーダライ
ム・ガラスで構成すると共に、ゲート電極材料にこれと
同様な熱膨張係数を有する426合金等を用いても、これ
を基板に固着するための熱プロセスでは熱伝導性のよい
金属材料が基板等よりも早く温度上昇させられ、しか
も、その温度上昇が周辺から中央に向かって進むため、
精度よく固着することは困難である。
However, in this method, although the gate electrode is desired to be as thin as possible, a thickness of at least about 100 (μm) is required to maintain the strength of the thin metal plate during etching or assembly. However, in order to manufacture a display device having a diagonal size of 40 inches or more, it is necessary to further increase the film thickness. Moreover, when fixing the gate electrode to the substrate on which the emitter etc. is formed, due to the difference in thermal expansion between the substrate, the fixing glass frit, and the conductive material for connecting the terminals, etc. It was also difficult to perform the alignment because of the easy occurrence of such problems.
Furthermore, since the gate electrode is formed in a strip shape divided for each voltage application unit during driving, the higher the image quality, the smaller the size and the number of the electrodes, which makes the handling complicated and makes the alignment more difficult. Become. Even if the substrate is made of soda lime glass and the gate electrode material is made of 426 alloy or the like having a similar coefficient of thermal expansion, it has good thermal conductivity in the thermal process for fixing it to the substrate. Since the temperature of the metal material is raised faster than the substrate, etc., and the temperature rise goes from the periphery to the center,
It is difficult to fix them accurately.

【0006】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的は、十分に薄く且つ位置精度
の高いゲート電極を備えた冷陰極表示装置およびその冷
陰極表示装置を容易に製造する方法を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a cold cathode display device having a sufficiently thin gate electrode with high positional accuracy and a cold cathode display device thereof. To provide a manufacturing method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための第1の手段】斯かる目的を達成
するため、第1発明の冷陰極表示装置の要旨とするとこ
ろは、第1基板上に設けられた複数個のエミッタと、そ
の第1基板に平行な第2基板上にそのエミッタに対向し
て設けられ且つ各々の表面に蛍光体層が固着された複数
個の陽極と、それらエミッタおよび陽極の中間位置に設
けられ且つそのエミッタからその陽極に向かわせられる
電子が通過させられる複数個の貫通穴を有する複数個の
ゲート電極とを備え、その電子で前記蛍光体層を励起し
て発光させる形式の冷陰極表示装置であって、(a)前記
貫通穴を有する厚膜誘電体層と、前記複数個のゲート電
極をそれぞれ構成するために相互に電気的に独立してそ
の厚膜誘電体層の表面に積層された複数の厚膜導体層と
を備えたシート部材を含むことにある。
In order to achieve such an object, the gist of a cold cathode display device of the first invention is that a plurality of emitters provided on a first substrate and A plurality of anodes provided on the second substrate parallel to the first substrate so as to face the emitters and having a phosphor layer fixed to each surface thereof, and the emitters provided at an intermediate position between the emitters and the anodes. And a plurality of gate electrodes having a plurality of through holes through which electrons are directed from the anode to the anode, and the electrons are used to excite the phosphor layer to emit light. (A) a thick film dielectric layer having the through holes, and a plurality of layers stacked on the surface of the thick film dielectric layer electrically independently of each other to form the plurality of gate electrodes, respectively. Sheet member having thick film conductor layer Some that include.

【0008】[0008]

【第1発明の効果】このようにすれば、シート部材上の
複数の厚膜導体層で複数個のゲート電極が構成される
が、そのシート部材はその厚膜導体層が厚膜誘電体層の
表面に積層されたものであってその厚膜誘電体層に基づ
く高い機械的特性を有するため、その膜厚延いては厚膜
導体層の膜厚を薄くしても十分に高い機械的強度を有す
ることとなる。そのため、ゲート電極が金属薄板で構成
される場合に比較して薄くしても損傷を受け難く、且
つ、複数個のゲート電極が厚膜誘電体層上に一体的に備
えられることから個々に独立した導体で構成される場合
に比較してその形成時の位置精度に従った高い位置精度
が実現される。上記により、十分に薄く且つ位置精度の
高いゲート電極を備えた冷陰極表示装置が得られる。
According to the present invention, a plurality of thick film conductor layers on the sheet member constitute a plurality of gate electrodes. In the sheet member, the thick film conductor layer is a thick film dielectric layer. It has a high mechanical strength due to its high mechanical properties based on its thick-film dielectric layer, even if the thickness of the thick-film conductor layer is reduced. Will have. Therefore, compared with the case where the gate electrode is made of a thin metal plate, it is less likely to be damaged even if it is thin, and since a plurality of gate electrodes are integrally provided on the thick film dielectric layer, they are individually independent. As compared with the case where it is composed of the conductors described above, high positional accuracy is realized according to the positional accuracy at the time of formation. From the above, a cold cathode display device having a sufficiently thin and highly accurate gate electrode can be obtained.

【0009】[0009]

【課題を解決するための第2の手段】また、前記目的を
達成するための製造方法に係る第2発明の要旨とすると
ころは、複数個のエミッタが設けられた第1基板と、各
々の表面に蛍光体層が固着された複数個の陽極が設けら
れた第2基板とを、そのエミッタからその陽極に向かわ
せられる電子を貫通させるための複数個の貫通穴を有す
る複数個のゲート電極をそれらの中間に位置させ且つ互
いに平行に重ね合わせて固着することにより、その電子
で前記蛍光体層を励起して発光させる形式の冷陰極表示
装置を製造する方法であって、(a)前記貫通穴を有する
厚膜誘電体層と、前記複数個のゲート電極をそれぞれ構
成するために相互に電気的に独立してその厚膜誘電体層
の表面に積層された複数の厚膜導体層とを備えたシート
部材を、前記エミッタが設けられた第1基板上または前
記陽極が設けられた第2基板上に固着するシート部材固
着工程を含むことにある。
A second aspect of the present invention relating to a manufacturing method for achieving the above-mentioned object is to provide a first substrate provided with a plurality of emitters, and A second substrate having a plurality of anodes having a phosphor layer fixed to the surface thereof, and a plurality of gate electrodes having a plurality of through holes for passing electrons from the emitters to the anodes A method of manufacturing a cold cathode display device of a type in which the phosphor layer is positioned in the middle of them and fixed in parallel with each other by exciting the phosphor layer with the electrons to emit light, (a) A thick film dielectric layer having a through hole, and a plurality of thick film conductor layers that are electrically independent of each other to form the plurality of gate electrodes and are laminated on the surface of the thick film dielectric layer. The sheet member provided with In that comprises a sheet member fixing step of fixing the second substrate to the first substrate or the anode which is provided is provided.

【0010】[0010]

【第2発明の効果】このようにすれば、第1基板および
第2基板を重ね合わせて固着することにより冷陰極表示
装置を製造するに際して、複数の厚膜導体層が厚膜誘電
体層の表面に積層されて成るシート部材がその第1基板
または第2基板に固着されることにより、エミッタと陽
極との間にゲート電極が備えられる。そのため、シート
部材は厚膜誘電体層の表面にゲート電極を構成する厚膜
導体層を備えたものであってその厚膜誘電体層に基づく
高い機械的特性を有することから、その膜厚延いては厚
膜導体層の膜厚を薄くしても十分に高い機械的強度を有
することとなる。したがって、ゲート電極が金属薄板で
構成される場合に比較して薄くしても損傷を受け難い。
また、シート部材には複数の厚膜導体層が相互に絶縁さ
せられた状態で厚膜誘電体層上に一体的に備えられてい
ることから、個々に独立した導体で構成される場合のよ
うな相互の位置合わせが困難になる等の問題もない。上
記により、十分に薄く且つ位置精度の高いゲート電極を
備えた冷陰極表示装置を容易に製造することができる。
According to this structure, when a cold cathode display device is manufactured by stacking and fixing the first substrate and the second substrate, the plurality of thick film conductor layers become thick film dielectric layers. By fixing the sheet member laminated on the surface to the first substrate or the second substrate, a gate electrode is provided between the emitter and the anode. Therefore, since the sheet member has a thick film conductor layer forming a gate electrode on the surface of the thick film dielectric layer and has high mechanical characteristics based on the thick film dielectric layer, the film thickness extension As a result, even if the film thickness of the thick film conductor layer is reduced, the mechanical strength is sufficiently high. Therefore, compared with the case where the gate electrode is made of a thin metal plate, it is less likely to be damaged even if it is thin.
In addition, since the sheet member is integrally provided on the thick film dielectric layer in a state of being insulated from each other, a plurality of thick film conductor layers may be formed. There is no problem such as difficult mutual alignment. According to the above, a cold cathode display device having a sufficiently thin gate electrode with high positional accuracy can be easily manufactured.

【0011】[0011]

【第2発明の他の態様】ここで、好適には、前記の冷陰
極表示装置の製造方法は、(b)所定の第1温度よりも高
い融点を有する粒子が樹脂で結合されて成る高融点粒子
層で構成された膜形成面を有する支持体を用意する支持
体準備工程と、(c)前記第1温度で焼結させられる厚膜
誘電体材料の構成粒子が樹脂で結合されて成る誘電体ペ
ースト膜を前記膜形成面に前記厚膜誘電体層に対応する
所定パターンで形成する誘電体ペースト膜形成工程と、
(d)その誘電体ペースト膜の表面に前記第1温度で焼結
させられる厚膜導体材料の構成粒子が樹脂で結合されて
成る導体ペースト膜を前記厚膜導体層に対応する複数に
分割されたパターンで形成する導体ペースト膜形成工程
と、(e)前記誘電体ペースト膜および前記導体ペースト
膜を設けた前記支持体を前記第1温度で加熱処理するこ
とにより、前記高融点粒子層を焼結させることなくそれ
ら誘電体ペースト膜および導体ペースト膜を焼結させ
て、それら誘電体ペースト膜および導体ペースト膜から
前記厚膜誘電体層および前記厚膜導体層を生成する焼成
工程とを、含む工程により前記シート部材を製造するも
のである。
According to another aspect of the present invention, preferably, in the method for manufacturing a cold cathode display device described above, (b) a high temperature obtained by bonding particles having a melting point higher than a predetermined first temperature with a resin. A supporting body preparation step of preparing a supporting body having a film forming surface composed of a melting point particle layer, and (c) the constituent particles of the thick film dielectric material to be sintered at the first temperature are bonded with a resin. A dielectric paste film forming step of forming a dielectric paste film on the film forming surface in a predetermined pattern corresponding to the thick film dielectric layer;
(d) A conductor paste film, in which constituent particles of a thick film conductor material to be sintered at the first temperature are bonded to the surface of the dielectric paste film with a resin, is divided into a plurality of parts corresponding to the thick film conductor layer. A step of forming a conductor paste film having a different pattern, and (e) baking the high melting point particle layer by heat treating the support provided with the dielectric paste film and the conductor paste film at the first temperature. A sintering step of sintering the dielectric paste film and the conductor paste film without binding them to generate the thick film dielectric layer and the thick film conductor layer from the dielectric paste film and the conductor paste film. The sheet member is manufactured by steps.

【0012】このようにすれば、厚膜誘電体材料および
厚膜導体材料の焼結温度(第1温度)よりも高い融点を有
する高融点粒子層で構成された膜形成面に厚膜誘電体材
料および厚膜導体材料のペースト膜がそれぞれ所定パタ
ーンで形成された後、それら厚膜誘電体材料および厚膜
導体材料の焼結させられる第1温度で加熱処理が施され
ることにより、厚膜誘電体層の表面に厚膜導体層が形成
されたシート部材が生成される。そのため、その加熱処
理温度では焼結させられない高融点粒子層は樹脂が焼失
させられることにより高融点粒子のみが並ぶ層となるこ
とから、生成された厚膜は支持体に固着されないため、
その膜形成面から容易に剥離することができる。このと
き、厚膜誘電体材料および厚膜導体材料のペースト膜
は、材料や用途に応じた適宜の方法を用いることによ
り、簡便な設備を用いて所望のパターンで膜形成面に形
成することが可能である。しかも、加熱処理により焼結
させられるまでは膜形成面に塗布されることにより一時
的に固着された状態で取り扱われることから、取扱いが
容易である。したがって、ゲート電極を構成するための
シート部材を容易に製造し且つ冷陰極表示装置の製造に
用いることができる。
In this way, the thick film dielectric is formed on the film forming surface formed of the high melting point particle layer having a melting point higher than the sintering temperature (first temperature) of the thick film dielectric material and the thick film conductor material. After the paste films of the material and the thick-film conductor material are respectively formed in a predetermined pattern, the thick-film dielectric material and the thick-film conductor material are subjected to heat treatment at the first temperature, whereby the thick film is formed. A sheet member having a thick film conductor layer formed on the surface of the dielectric layer is produced. Therefore, since the high-melting point particle layer that is not sintered at the heat treatment temperature becomes a layer in which only the high-melting point particles are arranged by burning the resin, the generated thick film is not fixed to the support,
It can be easily peeled off from the film forming surface. At this time, the paste film of the thick film dielectric material and the thick film conductor material can be formed on the film formation surface in a desired pattern using a simple facility by using an appropriate method according to the material and the application. It is possible. Moreover, it is easy to handle because it is applied to the film forming surface and is temporarily fixed until it is sintered by heat treatment. Therefore, the sheet member for forming the gate electrode can be easily manufactured and used for manufacturing the cold cathode display device.

【0013】なお、上記のように高融点粒子のみが並ぶ
層の上で焼結させられる厚膜は、通常の厚膜形成とは異
なり、その収縮時に何ら形成面に拘束されない。そのた
め、形成面との間の収縮抵抗に起因する反りや変形等が
抑制され、延いてはそれら反りや変形に伴う亀裂の発生
等も解消される利点もある。
The thick film sintered on the layer in which only the high melting point particles are arranged as described above is not restricted by the forming surface at the time of contraction unlike the normal thick film formation. Therefore, there is an advantage that warpage, deformation, and the like due to shrinkage resistance between the surface and the forming surface are suppressed, and in turn, generation of cracks and the like due to the warpage and deformation is eliminated.

【0014】また、前記冷陰極表示装置の製造方法にお
いて、好適には、前記誘電体ペースト膜形成工程は、前
記導体ペースト膜と同材料から成る他の導体ペースト膜
を前記厚膜導体層に対応するパターンで形成した後に、
その他の導体ペースト膜上に誘電体ペースト膜を設ける
ものである。すなわち、好適には、他の導体ペースト膜
を形成する第1導体ペースト膜形成工程と、誘電体ペー
スト膜形成工程と、その上に更に導体ペースト膜を形成
する第2導体ペースト膜形成工程が順次実施される。こ
のようにすれば、厚膜誘電体層の両面に厚膜導体層が備
えられたシート部材が得られ、その両面に設けられた厚
膜導体層で前記ゲート電極が構成される。そのため、厚
膜導体層と厚膜誘電体層との熱膨張係数の相違に起因し
て、シート部材を生成するための加熱処理時にそのシー
ト部材に反りが生じることが抑制される。特に、両面の
厚膜導体層が前記貫通穴の内面等を介して接続される場
合には、陽極側の厚膜導体層を外部回路と接続するため
の配線層とすると共に、エミッタ側の厚膜導体層を電子
を引き出すためのゲート電極とする役割分担が可能とな
るため、そのエミッタ側の厚膜導体層を、隣接するセル
(画素)への影響を排除しつつ所望のエミッタから選択的
に電子を引き出すための形状に最適化を図ることが容易
になる。
In the method for manufacturing the cold cathode display device, preferably, in the dielectric paste film forming step, another conductor paste film made of the same material as the conductor paste film corresponds to the thick film conductor layer. After forming with a pattern
A dielectric paste film is provided on another conductor paste film. That is, preferably, the first conductor paste film forming step of forming another conductor paste film, the dielectric paste film forming step, and the second conductor paste film forming step of further forming a conductor paste film thereon are sequentially performed. Be implemented. In this way, a sheet member having thick film conductor layers on both sides of the thick film dielectric layer is obtained, and the gate electrodes are constituted by the thick film conductor layers provided on both sides thereof. Therefore, due to the difference in thermal expansion coefficient between the thick-film conductor layer and the thick-film dielectric layer, the sheet member is suppressed from being warped during the heat treatment for producing the sheet member. In particular, when the thick film conductor layers on both sides are connected through the inner surface of the through hole, etc., the thick film conductor layer on the anode side is used as a wiring layer for connecting to an external circuit, and the thickness on the emitter side is used. Since it becomes possible to divide the role of the film conductor layer into a gate electrode for drawing out electrons, the thick film conductor layer on the emitter side of the film conductor layer is adjacent to the adjacent cell.
It becomes easy to optimize the shape for selectively extracting electrons from a desired emitter while eliminating the influence on (pixels).

【0015】また、好適には、前記支持体準備工程は、
所定の基板の表面に前記高融点粒子層を形成するもので
ある。このようにすれば、ペースト膜が基板上に形成さ
れることから、加熱処理後にも支持体の形状が維持され
るため、高融点粒子層のみで支持体が構成されている場
合(例えば、セラミック生シートで支持体が構成されて
いる場合)に比較してゲート電極を構成するためのシー
ト部材の取扱いが容易になる利点がある。しかも、この
ような支持体が用いられる場合には、ペースト膜との間
に高融点粒子層が介在させられる基板は加熱処理の際に
そのペースト膜を何ら拘束せず、且つそのペースト膜の
表面粗度は高融点粒子層の表面粗度のみが反映されるこ
とから、基板の平坦度、表面粗度、膨張係数等のシート
部材の品質に及ぼす影響が小さくなるため、基板に高い
品質は要求されない。
Further, preferably, the support preparing step comprises:
The high melting point particle layer is formed on the surface of a predetermined substrate. In this way, since the paste film is formed on the substrate, the shape of the support is maintained even after the heat treatment, so that the support is composed of only the high melting point particle layer (for example, ceramics). Compared with the case where the support is made of a green sheet), there is an advantage that the sheet member for forming the gate electrode can be easily handled. Moreover, when such a support is used, the substrate in which the high melting point particle layer is interposed between the substrate and the paste film does not restrain the paste film during the heat treatment, and the surface of the paste film is not restricted. Since the roughness reflects only the surface roughness of the high melting point particle layer, the influence on the quality of the sheet member such as the flatness of the substrate, the surface roughness, and the expansion coefficient is small, so high quality is required for the substrate. Not done.

【0016】また、好適には、前記基板は、前記焼成温
度で変形しないものである。このようにすれば、厚膜誘
電体層および厚膜導体層を生成するための加熱処理が施
される際にも膜形成面の形状が初期の形状に保たれるた
め、高融点粒子層を表面に形成することにより、支持体
として繰り返し使用可能となる利点がある。基板は、上
記の条件を満たす適宜のものが選ばれるが、例えば、一
般ガラス、耐熱ガラス、セラミック板、金属板等を用い
ることができる。
Preferably, the substrate does not deform at the firing temperature. By doing so, the shape of the film-formed surface is maintained at the initial shape even when the heat treatment for producing the thick-film dielectric layer and the thick-film conductor layer is performed, so that the high-melting point particle layer is formed. Forming on the surface has an advantage that it can be repeatedly used as a support. As the substrate, an appropriate substrate satisfying the above conditions is selected, and for example, general glass, heat-resistant glass, ceramic plate, metal plate or the like can be used.

【0017】また、好適には、前記ペースト膜形成工程
は、厚膜スクリーン印刷法を用いて前記誘電体ペースト
膜および前記導体ペースト膜をそれぞれ形成するもので
ある。ペースト膜の形成方法としては、例えば、印刷、
サンド・ブラスト、リフトオフ、感光性ペーストを用い
たフォト・プロセス等の種々の方法からコスト、必要精
度、他の工程との兼ね合い等に応じて選択した適宜の方
法を用いることができるが、上記のように印刷法による
場合には、膜形成面のうち無用な部分には膜構成材料が
塗布されないことから、材料の無駄がない利点がある。
すなわち、セラミック生シートのプレス加工、或いはセ
ラミック・シートのレーザ加工や金属材料の化学エッチ
ング等によるもの等に比較して加工時に除去される材料
の無駄が極めて少なくなる。
Further, preferably, in the paste film forming step, the dielectric paste film and the conductor paste film are respectively formed by using a thick film screen printing method. As a method of forming the paste film, for example, printing,
An appropriate method selected from various methods such as sand blasting, lift-off, and photo process using a photosensitive paste depending on cost, required accuracy, balance with other steps, etc. can be used. As described above, in the case of using the printing method, the film forming material is not applied to an unnecessary portion of the film forming surface, so that there is an advantage that the material is not wasted.
That is, the waste of the material removed at the time of processing is extremely reduced as compared with that by pressing the ceramic green sheet, laser processing the ceramic sheet, or chemical etching of the metal material.

【0018】上記のように厚膜スクリーン印刷法が利用
される場合において、一層好適には、上記第2導体ペー
スト膜形成工程は、上記第1導体ペースト膜形成工程で
用いるものよりも前記電子通過孔に対応する個々の開口
部が僅かに大きいパターンを備えたスクリーンを用いて
厚膜導体ペーストを塗布するものである。このようにす
れば、誘電体ペースト膜に設けられている電子通過孔に
対応する貫通穴の内壁面にも厚膜導体ペーストが塗布さ
れることとなるため、ゲート電極による電子放出の制御
機能が一層高められる利点がある。
In the case where the thick film screen printing method is used as described above, more preferably, the second conductor paste film forming step has the electron passage more than that used in the first conductor paste film forming step. The thick film conductor paste is applied using a screen having a pattern in which the individual openings corresponding to the holes are slightly larger. By doing so, the thick film conductor paste is applied also to the inner wall surface of the through hole corresponding to the electron passage hole provided in the dielectric paste film, so that the control function of electron emission by the gate electrode is achieved. There is an advantage that it can be further enhanced.

【0019】また、好適には、前記高融点粒子は、セラ
ミックス或いはガラス・フリット等の無機材料から成る
ものである。高融点粒子としては、高融点粒子層を構成
する樹脂が焼失した後も何ら軟化等するものでなけれ
ば、適宜の無機材料を用いることができる。なお、具体
的な材質は、シート部材を構成する厚膜材料の種類やそ
の焼成温度等に応じて適宜選択される。
Preferably, the high melting point particles are made of an inorganic material such as ceramics or glass frit. As the high melting point particles, an appropriate inorganic material can be used as long as it does not soften after the resin forming the high melting point particle layer is burned. The specific material is appropriately selected according to the type of thick film material forming the sheet member and the firing temperature thereof.

【0020】また、好適には、前記シート部材は、20〜
50(μm)程度の範囲内の膜厚を備えた厚膜誘電体層と、7
〜10(μm)程度の範囲内の膜厚を備えてその厚膜誘電体
層の一面或いは両面に固着された厚膜導体層とから成
り、全体で30〜70(μm)程度の厚み寸法を備えたもので
ある。このような厚さ寸法の範囲内であれば、可及的に
薄いことの望まれるゲート電極の構成部材として好適に
用いられ、しかも、厚膜スクリーン印刷法等の通常の厚
膜形成プロセスを利用して、シート部材を容易に製造す
ることができる。特に、本発明によれば、厚さ寸法が薄
くなっても製造時および加工時における取扱いの困難性
が少ないので、厚さ寸法が薄くなるほど、同様な寸法お
よび形状のシート部材を従来から用いられているエッチ
ングやプレス等で製造する場合に比較して大きな利点が
ある。
Also, preferably, the sheet member is 20 to
A thick dielectric layer with a thickness in the range of 50 (μm) and 7
It consists of a thick film conductor layer adhered on one or both sides of the thick film dielectric layer with a film thickness in the range of ~ 10 (μm), and a total thickness of about 30 to 70 (μm). Be prepared. If the thickness is within such a range, it is preferably used as a constituent member of a gate electrode that is desired to be as thin as possible, and a normal thick film forming process such as a thick film screen printing method is used. Then, the sheet member can be easily manufactured. In particular, according to the present invention, even if the thickness is thin, the handling is less difficult at the time of manufacturing and processing. Therefore, as the thickness becomes thinner, the sheet member having the similar size and shape is conventionally used. There is a great advantage as compared with the case of manufacturing by etching, pressing or the like.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0022】図1は、本発明の冷陰極表示装置の一例で
あるFED10の構成を一部を切り欠いて示す斜視図で
ある。図において、FED10は、それぞれの略平坦な
一面12,14が対向するように所定間隔を隔てて互い
に平行に配置された相互に略同様な寸法・形状の前面板
16および背面板18を備えたものであり、それらがそ
の周縁部において気密に封着されることにより内部に気
密空間が形成されている。なお、気密容空間内は、例え
ば6.7×10-5(Pa)[5×10-7(Torr)]程度の真空になって
いる。本実施例においては、背面板18が第1基板に、
前面板16が第2基板にそれぞれ相当する。
FIG. 1 is a perspective view showing an FED 10 which is an example of a cold cathode display device of the present invention with a part cut away. In the figure, the FED 10 includes a front plate 16 and a rear plate 18 having substantially the same size and shape as each other, which are arranged in parallel with each other at a predetermined distance so that the respective substantially flat surfaces 12 and 14 face each other. The airtight space is formed inside by hermetically sealing them at their peripheral edges. The airtight space has a vacuum of, for example, about 6.7 × 10 −5 (Pa) [5 × 10 −7 (Torr)]. In this embodiment, the back plate 18 is the first substrate,
The front plate 16 corresponds to the second substrate, respectively.

【0023】上記の前面板16および背面板18は、例
えば、軟化点が600(℃)程度のソーダライム・ガラスや
高歪点ガラス等で構成された透光性基板である。これら
は、例えば何れも800×500(mm)程度の外形寸法と3(mm)
程度の略一様な厚さ寸法とを備えたものであり、それら
の相互間隔は例えば1〜2(mm)程度に設定されている。
The front plate 16 and the rear plate 18 are translucent substrates made of, for example, soda lime glass having a softening point of about 600 (° C.) or high strain point glass. These are, for example, external dimensions of about 800 × 500 (mm) and 3 (mm)
The thickness is approximately uniform and the mutual distance between them is set to, for example, about 1 to 2 (mm).

【0024】また、前面板16の一面(対向面)12に
は、例えばITO(酸化インジウム錫:Indium Tin Oxid
e)等から成るストライプ状の複数本の透明な陽極24
が、一方向に沿って並んで設けられている。それら複数
本の陽極24の各々の表面には、R(赤),G(緑),B
(青)の3つの発光色の何れかに対応する蛍光体層26
が、例えば、その一方向と直交する方向にR,G,Bの
順に繰り返し並び且つ陽極24の長手方向に一致するそ
の一方向に沿った方向において発光の単位毎に独立する
ように断続して備えられる。なお、蛍光体層26は陽極
24上において連続するストライプ状に設けられてもよ
い。上記の陽極24は、例えばスパッタ等の薄膜法によ
って例えば1(μm)程度の厚さ寸法に形成されたものであ
り、シート抵抗値が10(Ω/□)以下程度と比較的高い導
電性を備えている。また、上記の蛍光体層26は、例え
ば、電子線によって可視光を発するZnO:Zn,ZnS:Ag+In2
O3等の材料から構成されるものであって、例えば厚膜ス
クリーン印刷法等によって10〜20(μm)程度の厚さ寸法
で設けられることにより、面積抵抗率が500(Ω/cm2)以
下程度の導電性を備えている。
Further, on one surface (opposing surface) 12 of the front plate 16, for example, ITO (Indium Tin Oxid: Indium Tin Oxid) is used.
e) a plurality of striped transparent anodes 24
Are arranged side by side along one direction. R (red), G (green), B is formed on the surface of each of the plurality of anodes 24.
Phosphor layer 26 corresponding to any of the three emission colors (blue)
However, for example, R, G, and B are repeatedly arranged in the direction orthogonal to the one direction, and the light emission units are intermittently separated in the direction along the one direction that coincides with the longitudinal direction of the anode 24. Be prepared. The phosphor layer 26 may be provided on the anode 24 in a continuous stripe shape. The anode 24 is formed to have a thickness of, for example, about 1 (μm) by a thin film method such as sputtering, and has a relatively high conductivity such as a sheet resistance value of about 10 (Ω / □) or less. I have it. The phosphor layer 26 is, for example, ZnO: Zn, ZnS: Ag + In 2 which emits visible light by an electron beam.
It is composed of a material such as O 3 , and is provided with a thickness dimension of about 10 to 20 (μm) by a thick film screen printing method or the like to have an area resistivity of 500 (Ω / cm 2 ). It has the following conductivity.

【0025】図2は、FED10の断面を拡大して示す
図である。前面板16は、一面12のうちの蛍光体層2
6が設けられていない残部には、例えば黒色顔料を含む
ガラスから成るブラック・マトリクス(ブラック・マス
ク)28が15〜20(μm)程度の厚さ寸法で設けられてお
り、それら蛍光体層26の表面およびブラック・マトリ
クス28の表面は、一面12の全面にそれら蛍光体層2
6およびブラック・マトリクス28の表面形状に倣って
設けられた100〜200(nm)程度の厚さのメタル・バック3
0によって覆われている。上記のブラック・マトリクス
28は例えば厚膜スクリーン印刷法等によって設けられ
たものであり、前述したようにマトリクス状に設けられ
た蛍光体層26相互の間を通る格子状を成す。なお、蛍
光体層26がストライプ状を成す場合には、ブラック・
マトリクス28に代えてその間を通るストライプ状のブ
ラック・マスクが設けられる。また、メタル・バック3
0は例えばアルミニウム薄膜の蒸着等によって設けられ
たものであり、比較的滑らかな表面を有しているが、電
子が容易に透過する程度の厚さの薄膜に形成されてい
る。
FIG. 2 is an enlarged view of the cross section of the FED 10. The front plate 16 is the phosphor layer 2 of the one surface 12.
A black matrix (black mask) 28 made of, for example, glass containing a black pigment is provided with a thickness of about 15 to 20 (μm) on the remaining portion where 6 is not provided. Of the phosphor layer 2 and the surface of the black matrix 28 are formed on the entire surface of the one surface 12.
6 and the metal back 3 having a thickness of about 100 to 200 (nm), which is provided following the surface shape of the black matrix 28.
Covered by 0s. The black matrix 28 is provided by, for example, a thick film screen printing method or the like, and has a grid shape that passes between the phosphor layers 26 provided in a matrix as described above. When the phosphor layer 26 has a stripe shape, black.
Instead of the matrix 28, a stripe-shaped black mask passing between them is provided. Also, metal back 3
0 is provided by vapor deposition of an aluminum thin film, for example, and has a relatively smooth surface, but is formed as a thin film having a thickness that allows electrons to easily pass therethrough.

【0026】また、図2および前記の図1に示すよう
に、背面板18の一面(対向面)14には、複数本のカソ
ード電極32およびゲート電極34が互いに直交し且つ
相互に絶縁させられた状態で設けられており、それらの
交差部分毎に、ゲート電極34には厚み方向に貫通する
複数個の電子通過孔(ゲートホール)36が設けられてい
る。この電子通過孔36の開口径は電子放出効果および
放出面積(開口率)のトレード・オフの関係で決まるもの
であるが、ドット寸法が3(mm)程度の場合には例えば100
(μm)程度である。一方、カソード電極32上にはその
電子通過孔36に対応する部分毎にエミッタ(冷陰極)3
8が備えられている。
Further, as shown in FIG. 2 and FIG. 1, a plurality of cathode electrodes 32 and gate electrodes 34 are orthogonal to each other and insulated from each other on one surface (opposing surface) 14 of the back plate 18. The gate electrode 34 is provided with a plurality of electron passage holes (gate holes) 36 penetrating in the thickness direction at each intersection thereof. The opening diameter of the electron passage hole 36 is determined by the trade-off relationship between the electron emission effect and the emission area (aperture ratio), but when the dot size is about 3 (mm), it is, for example, 100.
(μm). On the other hand, on the cathode electrode 32, the emitter (cold cathode) 3 is provided for each part corresponding to the electron passage hole 36.
8 are provided.

【0027】上記のカソード電極32は例えば、スパッ
タ等の薄膜法や印刷等の厚膜法等によって形成された金
(Au)や厚膜銀等の導電材料から成るものであり、ゲート
電極34は例えば厚膜銀等の厚膜導体材料から成るもの
である。また、エミッタ38は、例えば、ゲート電極3
4に向かって配向する極めて多数のナノチューブ(CN
T)が密集したものであり、C=20(μm)程度の膜厚を備
え、そのゲート電極34との間隔はG=27〜30(μm)程
度になっている。なお、エミッタ38は、モリブデン(M
o)等から成るスピント(spindt)型と呼ばれる1(μm)程度
の高さ寸法を備えた円錐状の冷陰極等であってもよい。
The cathode electrode 32 is, for example, a gold film formed by a thin film method such as sputtering or a thick film method such as printing.
The gate electrode 34 is made of a conductive material such as (Au) or thick silver, and the gate electrode 34 is made of a thick conductive material such as thick silver. The emitter 38 is, for example, the gate electrode 3
An extremely large number of nanotubes (CN
T) is dense, has a film thickness of about C = 20 (μm), and its distance from the gate electrode 34 is about G = 27 to 30 (μm). The emitter 38 is molybdenum (M
It may be a conical cold cathode or the like having a height dimension of about 1 (μm) called a Spindt type composed of o) and the like.

【0028】また、厚膜導体材料から成るゲート電極3
4は、例えば厚さ寸法が20〜50(μm)程度で320×430(m
m)程度の大きさを備えた薄板状の誘電体層40上、例え
ばその両面の同一位置に、7〜10(μm)程度の一様な膜厚
で所定の相互間隔を以て互いに平行に設けられた穴明き
帯状を成す厚膜である。この誘電体層40は、PbO-B2O3
-SiO2-Al2O3-TiO2系の低軟化点ガラスおよびアルミナ等
のセラミックフィラー等の厚膜誘電体材料から成るもの
であって、背面板18を構成するソーダライム・ガラス
と同程度の熱膨張係数を備えている。すなわち、本実施
例においては、厚膜誘電体層40とその表面に積層固着
された厚膜導体層とを備えて50(μm)程度の厚さ寸法を
有するシート部材42がFED10に設けられており、
ゲート電極34は、その厚膜導体層で構成される。
Further, the gate electrode 3 made of a thick film conductor material
4 has a thickness of 20 to 50 (μm) and 320 × 430 (m
m) is provided on a thin plate-shaped dielectric layer 40, for example, at the same position on both surfaces thereof with a uniform film thickness of about 7 to 10 (μm) and in parallel with each other with a predetermined mutual interval. It is a thick film in the form of a perforated strip. This dielectric layer 40 is made of PbO-B 2 O 3
-SiO 2 -Al 2 O 3 -TiO 2 -based low softening point glass and thick film dielectric material such as ceramic filler such as alumina, the same degree as the soda lime glass forming the back plate 18 It has a coefficient of thermal expansion of. That is, in this embodiment, the FED 10 is provided with the sheet member 42 having the thick film dielectric layer 40 and the thick film conductor layer laminated and fixed on the surface thereof and having a thickness dimension of about 50 (μm). Cage,
The gate electrode 34 is composed of the thick film conductor layer.

【0029】図3にシート部材42の一部を拡大した平
面図を示す。誘電体層40は、電子通過孔36が図に示
す位置すなわちゲート電極34と同じ位置に設けられた
矩形の薄板である。複数本のゲート電極34は、その誘
電体層40上に相互に電気的に絶縁させられた状態で備
えられており、その長手方向に所定の相互間隔を以て、
前記カソード電極32との交点となる位置毎に電子通過
孔36が密集した開口群44が形成されている。前記の
図1においては交点毎に4つの電子通過孔36が描かれ
ているが、実際には、図に示すような多数の或いは更に
多数の電子通過孔36が備えられているのである。電子
通過孔36の相互間隔は例えば150(μm)程度になってい
る。なお、誘電体層40の両面に設けられているゲート
電極34は、上記電子通過孔36の内壁面に設けられた
厚膜導体層により相互に接続されており、図示しない外
部回路に接続されているのは例えば陽極24側の一面に
設けられている一方だけである。すなわち、本実施例に
おいては、厚膜導体層のうちエミッタ38側に位置する
ものが電子を制御する本来のゲート電極として機能し、
陽極24側に位置するものは配線として機能する。ま
た、誘電体層40は、ゲート電極34の固着されていな
い部分においてスペーサ46で支持されることにより、
ゲート電極34をエミッタ38から離隔した一定の高さ
位置に位置させている。スペーサ46の厚さ寸法は例え
ば20〜50(μm)程度である。
FIG. 3 shows an enlarged plan view of a part of the sheet member 42. The dielectric layer 40 is a rectangular thin plate in which the electron passage hole 36 is provided at the position shown in the figure, that is, at the same position as the gate electrode 34. The plurality of gate electrodes 34 are provided on the dielectric layer 40 in a state of being electrically insulated from each other, and have a predetermined mutual interval in the longitudinal direction,
An opening group 44 in which the electron passage holes 36 are densely formed is formed at each position that is an intersection with the cathode electrode 32. In FIG. 1 described above, four electron passage holes 36 are drawn at each intersection, but in reality, a large number of electron passage holes 36 or a larger number of electron passage holes 36 are provided as shown in the figure. The mutual intervals of the electron passage holes 36 are, for example, about 150 (μm). The gate electrodes 34 provided on both surfaces of the dielectric layer 40 are connected to each other by a thick film conductor layer provided on the inner wall surface of the electron passage hole 36, and are connected to an external circuit (not shown). For example, only one is provided on one surface of the anode 24 side. That is, in this embodiment, the thick-film conductor layer located on the emitter 38 side functions as an original gate electrode for controlling electrons,
Those located on the anode 24 side function as wiring. Further, the dielectric layer 40 is supported by the spacer 46 at the portion where the gate electrode 34 is not fixed,
The gate electrode 34 is located at a constant height position apart from the emitter 38. The thickness dimension of the spacer 46 is, for example, about 20 to 50 (μm).

【0030】このように、本実施例ではシート部材42
上の複数の厚膜導体層で複数個のゲート電極34が構成
されるが、そのシート部材42は誘電体層40の表面に
そのゲート電極34を備えたものであってその誘電体層
40に基づく高い機械的特性を有するため、その膜厚延
いてはゲート電極34の膜厚を前述したように極めて薄
くしても十分に高い機械的強度を有することとなる。そ
のため、ゲート電極34が金属薄板で構成される場合に
比較して薄くしても損傷を受け難く、且つ、複数個のゲ
ート電極34が誘電体層40上に一体的に備えられるこ
とから個々に独立した導体で構成される場合に比較して
高い相対位置精度が実現されている。
As described above, in this embodiment, the sheet member 42 is used.
A plurality of gate electrodes 34 are formed by the plurality of thick film conductor layers above, and the sheet member 42 has the gate electrodes 34 on the surface of the dielectric layer 40. Since it has high mechanical properties based on the above, even if the thickness of the gate electrode 34 and the thickness of the gate electrode 34 are extremely thin as described above, the mechanical strength is sufficiently high. Therefore, compared with the case where the gate electrode 34 is made of a thin metal plate, it is less likely to be damaged even if it is thin, and since a plurality of gate electrodes 34 are integrally provided on the dielectric layer 40, they are individually provided. Higher relative position accuracy is realized compared to the case where the conductors are composed of independent conductors.

【0031】このため、カソード電極32およびゲート
電極34にそれぞれ所定の信号電圧および走査電圧が印
加されると、それらの間の大きな電圧勾配に基づいて生
じる電界放出(Field Emission)によってエミッタ38か
ら電子が放出される。この電子は、前面板16上に設け
られた陽極24に所定の正電圧が印加されることによ
り、電子通過孔36を通ってその陽極24に向かって飛
ぶ。これにより、その陽極24上に設けられている前記
蛍光体層26に電子が衝突させられ、蛍光体層26が発
光させられる。このとき、蛍光体層26はメタル・バッ
ク30で覆われているが、そのメタル・バック30は蒸
着形成された薄膜であって電子が容易に透過する程度の
厚さであるため、エミッタ38から放出され且つ陽極2
4に引き寄せられた電子は、そのメタル・バック30を
透過して蛍光体層26に入射して蛍光体に衝突する。一
方、蛍光体層26で発生した光は、前面板16側だけで
なく背面板18側にも向かうが、その背面板18側に向
かう光はメタル・バック30で前面板16側に反射され
る。したがって、発生した光の殆どが前面板16を透過
して射出されることとなるため、実質的な発光効率が高
められる。このため、背面板18側からは蛍光体層26
の発光が観察され得ず、FED10は、前面板16側か
ら蛍光体層26を透過した光を観察する所謂透過型の表
示装置に構成されている。
Therefore, when a predetermined signal voltage and scanning voltage are applied to the cathode electrode 32 and the gate electrode 34, respectively, electrons are emitted from the emitter 38 by field emission caused by a large voltage gradient between them. Is released. The electrons fly toward the anode 24 through the electron passage hole 36 by applying a predetermined positive voltage to the anode 24 provided on the front plate 16. As a result, electrons collide with the phosphor layer 26 provided on the anode 24, and the phosphor layer 26 emits light. At this time, the phosphor layer 26 is covered with the metal back 30, but the metal back 30 is a thin film formed by vapor deposition and has a thickness that allows electrons to easily pass therethrough. Emitted and anode 2
The electrons attracted to the laser beam 4 pass through the metal back 30 and enter the phosphor layer 26 to collide with the phosphor. On the other hand, the light generated in the phosphor layer 26 goes not only to the front plate 16 side but also to the back plate 18 side, but the light going to the back plate 18 side is reflected to the front plate 16 side by the metal back 30. . Therefore, most of the generated light passes through the front plate 16 and is emitted, so that the substantial luminous efficiency is improved. For this reason, from the rear plate 18 side, the phosphor layer 26
No emission of light can be observed, and the FED 10 is configured as a so-called transmissive display device in which the light transmitted through the phosphor layer 26 is observed from the front plate 16 side.

【0032】ところで、上記のようなFED10は、例
えば図4に示される工程図に従って別々に処理(或いは
製造)されたゲート電極34、背面板18、および前面
板16を組み立てることで製造される。背面板18の処
理工程においては、先ず、カソード形成工程48におい
て、背面板18の一面14上に例えばスパッタ法等で金
等から成る導電膜を成膜してパターニングすること等に
より前記のカソード電極32を形成する。続くエミッタ
形成工程50においては、別途製造したCNTから成る
複数個のエミッタ38をそのカソード電極32上の所定
の位置(ゲート電極34との交点となる位置)に導電性接
着剤等を用いて固着する。接合工程52においては、ゲ
ート電極34の処理工程のシート部材作製工程54にお
いて作製した前記のシート部材42を、スペーサ46を
介してこの背面板18に重ね合わせ、ガラスフリット等
を用いて接合する。
By the way, the FED 10 as described above is manufactured by assembling the gate electrode 34, the back plate 18 and the front plate 16 which are separately processed (or manufactured) according to the process diagram shown in FIG. In the processing step of the back plate 18, first, in the cathode forming step 48, a conductive film made of gold or the like is formed on the one surface 14 of the back plate 18 by a sputtering method or the like, and is patterned. 32 is formed. In a subsequent emitter forming step 50, a plurality of separately manufactured emitters 38 made of CNT are fixed to a predetermined position on the cathode electrode 32 (a position which is an intersection with the gate electrode 34) by using a conductive adhesive or the like. To do. In the joining step 52, the sheet member 42 produced in the sheet member producing step 54 of the step of treating the gate electrode 34 is superposed on the back plate 18 via the spacer 46 and joined using a glass frit or the like.

【0033】一方、前面板16の処理工程においては、
先ず、陽極形成工程56において、一面12にITOか
ら成る前記の陽極24をスパッタ等の薄膜法によって形
成し、次いで、ブラック・マスク形成工程58におい
て、その一面12上に例えば厚膜スクリーン印刷法等を
用いて黒色顔料を含む絶縁ガラス・ペーストを印刷し、
例えば450(℃)程度の温度で焼成処理を施すことによ
り、前記のブラック・マスク28を形成する。続く蛍光
体層形成工程60においては、そのブラック・マスク2
8の格子内に、RGB3色に対応する3種の蛍光体ペー
ストを色毎に定められた所定位置に厚膜スクリーン印刷
法等によって塗布し、例えば450(℃)程度の温度で焼成
処理を施すことにより、前記の蛍光体層26を設ける。
その後、メタル・バック形成工程62において、適宜前
処理を施してアルミニウム薄膜を蒸着することにより、
それら蛍光体層26およびブラック・マトリクス28の
表面を覆うようにメタル・バック30を形成する。
On the other hand, in the process of treating the front plate 16,
First, in the anode forming step 56, the anode 24 made of ITO is formed on the one surface 12 by a thin film method such as sputtering, and then in the black mask forming step 58, for example, a thick film screen printing method or the like is formed on the one surface 12. Print an insulating glass paste containing a black pigment using
For example, the black mask 28 is formed by performing a baking process at a temperature of about 450 (° C.). In the subsequent phosphor layer forming step 60, the black mask 2
In the grid of 8, three kinds of phosphor pastes corresponding to three colors of RGB are applied to predetermined positions determined for each color by a thick film screen printing method or the like, and subjected to a baking treatment at a temperature of about 450 (° C.), for example. Thus, the phosphor layer 26 is provided.
Then, in the metal back forming step 62, by appropriately performing a pretreatment and depositing an aluminum thin film,
A metal back 30 is formed so as to cover the surfaces of the phosphor layer 26 and the black matrix 28.

【0034】そして、組立工程64においては、上記の
ようにしてそれぞれ処理された背面板18および前面板
16を、別途用意したスペーサを介して一面12、14
が向かい合うように積み重ねて加熱処理を施すことによ
り、そのスペーサ或いは一面12,14に塗布されたシ
ール・ガラス等の封着剤で気密に接合する。この後、排
気工程66において、図示しない排気穴から排気するこ
とにより、前記図1に示されるFED10が得られる。
Then, in the assembling step 64, the back plate 18 and the front plate 16 respectively treated as described above are placed on one surface 12, 14 through a spacer prepared separately.
Are stacked so as to face each other and subjected to a heat treatment, so that the spacers or the sealants applied to the one surface 12, 14 are hermetically bonded with a sealant such as glass. Then, in the exhaust step 66, the FED 10 shown in FIG. 1 is obtained by exhausting from an exhaust hole (not shown).

【0035】上記の製造工程において、シート部材作製
工程54は、よく知られた厚膜印刷技術を応用した例え
ば図5に示される示す工程に従って実施される。以下、
シート部材42の製造方法を、製造工程の要部段階にお
ける状態を表した図6(a)〜(e)および図7(f)、(g)を参
照して説明する。
In the above manufacturing process, the sheet member manufacturing process 54 is carried out according to the process shown in, for example, FIG. 5 to which the well-known thick film printing technique is applied. Less than,
A method of manufacturing the sheet member 42 will be described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (e) and FIGS. 7 (f) and 7 (g), which show the states in the main part of the manufacturing process.

【0036】先ず、基板用意工程68では、厚膜印刷を
施す基板70(図6参照)を用意し、その表面72等に適
宜の清浄化処理を施す。この基板70は、後述する加熱
処理の際に殆ど変形や変質の生じないものであって、例
えば、熱膨張係数が87×10-7(/℃)程度で、740(℃)程度
の軟化点および510(℃)程度の歪み点を備えたソーダラ
イム・ガラス等から成るガラス基板が好適に用いられ
る。なお、基板70の厚さ寸法は例えば2.8(mm)程度で
あり、その表面72の大きさは前記のシート部材42よ
りも十分に大きい400×450(mm)程度である。
First, in the substrate preparing step 68, a substrate 70 (see FIG. 6) to be subjected to thick film printing is prepared, and its surface 72 and the like are subjected to appropriate cleaning treatment. This substrate 70 is one which hardly deforms or deteriorates during the heat treatment described later, and has a thermal expansion coefficient of about 87 × 10 −7 (/ ° C.) and a softening point of about 740 (° C.), for example. A glass substrate made of soda lime glass or the like having a strain point of about 510 (° C.) is preferably used. The thickness of the substrate 70 is, for example, about 2.8 (mm), and the size of the surface 72 thereof is about 400 × 450 (mm), which is sufficiently larger than the sheet member 42.

【0037】次いで、剥離層形成工程74では、高融点
粒子が樹脂で結合させられた剥離層76を、基板70の
表面72に例えば5〜50(μm)程度の厚さ寸法で設ける。
上記の高融点粒子は、例えば平均粒径が0.5〜3(μm)程
度の高軟化点ガラスフリットおよび平均粒径が0.01〜5
(μm)程度のアルミナやジルコニア等のセラミック・フ
ィラーを混合したものである。上記の高軟化点ガラス
は、例えば550(℃)程度以上の軟化点を備えたものであ
り、混合物である高融点粒子の軟化点は、例えば550
(℃)程度以上になっている。また、樹脂は、例えば350
(℃)程度で焼失させられるエチルセルロース系樹脂等で
ある。この剥離層76は、例えば、上記の高融点粒子お
よび樹脂がブチルカルビトールアセテート(BCA)等の
有機溶剤中に分散させられた無機材料ペースト30を、
例えば図6(a)に示すようにスクリーン印刷法を用いて
基板70の略全面に塗布し、室温において乾燥させるこ
とで設けられるが、コータやフィルム・ラミネートの貼
り付け等で設けることもできる。図6(b)は、このよう
にして剥離層76を形成した段階を示している。なお、
図6(a)において、80はスクリーン、82はスキージ
である。本実施例においては、上記の剥離層76を備え
た基板70が支持体に、その剥離層76の表面が膜形成
面にそれぞれ相当し、上記の基板用意工程68および剥
離層形成工程74が支持体準備工程に対応する。
Next, in a peeling layer forming step 74, a peeling layer 76 having high melting point particles bonded with a resin is provided on the surface 72 of the substrate 70 in a thickness dimension of, for example, about 5 to 50 (μm).
The high melting point particles, for example, an average particle size of 0.5 ~ 3 (μm) high softening point glass frit and an average particle size of 0.01 ~ 5
It is a mixture of ceramic filler such as alumina and zirconia (about μm). The high softening point glass is, for example, one having a softening point of about 550 (° C.) or higher, and the softening point of the high melting point particles as a mixture is, for example, 550.
(° C) or higher. Further, the resin is, for example, 350
It is an ethyl cellulose resin that is burned down at about (° C.). The peeling layer 76 is formed of, for example, the inorganic material paste 30 in which the high melting point particles and the resin are dispersed in an organic solvent such as butyl carbitol acetate (BCA).
For example, as shown in FIG. 6A, it is provided by coating on substantially the entire surface of the substrate 70 using a screen printing method and drying at room temperature, but it can also be provided by applying a coater or a film laminate. FIG. 6B shows a stage in which the release layer 76 is formed in this way. In addition,
In FIG. 6 (a), 80 is a screen and 82 is a squeegee. In the present embodiment, the substrate 70 provided with the release layer 76 corresponds to the support, and the surface of the release layer 76 corresponds to the film formation surface, and the substrate preparation step 68 and the release layer formation step 74 support the substrate. Corresponds to the body preparation process.

【0038】続く厚膜ペースト層形成工程84では、前
記のゲート電極34を形成するための厚膜導体ペースト
86および前記の誘電体層40を形成するための厚膜誘
電体ペースト88(図6(a)参照)を、無機材料ペースト
78と同様にスクリーン印刷法等を利用して剥離層76
上に所定のパターンで順次に塗布する。このとき、スク
リーン32は、前記の図3に示されるゲート電極34お
よび誘電体層40の形状にそれぞれ対応する開口パター
ンを備えたものが用いられ、焼成収縮後にそれぞれ前記
の膜厚が得られるように設定された所定の厚さ寸法で厚
膜導体ペースト86および厚膜誘電体ペースト88が塗
布される。すなわち、厚膜導体ペースト86は互いに平
行な複数本の穴明き帯状パターンで塗布され、厚膜誘電
体ペースト88は、全面で連続する穴明き連続パターン
で塗布される。図6(c)〜(e)は、それぞれ厚膜導体ペー
スト86,厚膜誘電体ペースト88,および厚膜導体ペ
ースト86が順次塗布されることにより、導体印刷層9
0,誘電体印刷層92,導体印刷層94が形成された段
階を示している。なお、電子通過孔36内の導体層は、
例えば導体印刷層94を形成する際に、導体印刷層90
を形成する場合よりも開口パターン径が僅かに大きくさ
れたスクリーン80を用いて厚膜導体ペースト86を塗
布して、これを内壁面に沿って流下させることにより設
けられる。但し、図6においては、電子通過孔36に相
当する穴の内壁面のペーストを省略した。本実施例で
は、厚膜ペースト層形成工程84は、2回の導体印刷層
形成工程および1回の誘電体印刷層形成工程で構成され
ている。上記の厚膜誘電体ペースト88は、アルミナや
ジルコニア等の誘電体材料粉末、ガラスフリット、およ
び樹脂が有機溶剤中に分散させられたものである。ま
た、厚膜導体ペースト86は、銀粉末等の導体材料粉
末、ガラスフリット、および樹脂が有機溶剤中に分散さ
せられたものである。上記のガラスフリットは、例えば
PbO-B2O3-SiO2-Al2O3-TiO2系の低軟化点ガラス等が用い
られ、樹脂および溶剤は例えば無機材料ペースト78と
同様なものが用いられる。
In the subsequent thick film paste layer forming step 84, a thick film conductor paste 86 for forming the gate electrode 34 and a thick film dielectric paste 88 for forming the dielectric layer 40 (see FIG. a)) is applied to the release layer 76 by using a screen printing method or the like similarly to the inorganic material paste 78.
Sequentially apply a predetermined pattern on top. At this time, as the screen 32, one having an opening pattern corresponding to the shapes of the gate electrode 34 and the dielectric layer 40 shown in FIG. 3 is used, so that the above-mentioned film thickness can be obtained after firing shrinkage. The thick film conductor paste 86 and the thick film dielectric paste 88 are applied with a predetermined thickness dimension set to. That is, the thick film conductor paste 86 is applied in a plurality of perforated strip patterns that are parallel to each other, and the thick film dielectric paste 88 is applied in a continuous perforated pattern on the entire surface. 6 (c) to 6 (e) show that the thick film conductor paste 86, the thick film dielectric paste 88, and the thick film conductor paste 86 are sequentially applied to form the conductor printed layer 9
0, the dielectric printed layer 92, and the conductor printed layer 94 are formed. The conductor layer in the electron passage hole 36 is
For example, when forming the conductor print layer 94, the conductor print layer 90
The thick film conductor paste 86 is applied by using a screen 80 having an opening pattern diameter slightly larger than that in the case of forming, and is made to flow down along the inner wall surface. However, in FIG. 6, the paste on the inner wall surface of the hole corresponding to the electron passage hole 36 is omitted. In this embodiment, the thick film paste layer forming step 84 is composed of two conductor printed layer forming steps and one dielectric printed layer forming step. The thick-film dielectric paste 88 is a dielectric material powder such as alumina or zirconia, glass frit, and resin dispersed in an organic solvent. The thick-film conductor paste 86 is a material in which a conductor material powder such as silver powder, glass frit, and resin are dispersed in an organic solvent. The above glass frit is, for example,
PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 -TiO 2 -based low softening point glass or the like is used, and the resin and the solvent are similar to those of the inorganic material paste 78, for example.

【0039】なお、上記のように厚膜誘電体ペースト8
8が厚膜導体ペースト86の塗布されていない部分にも
塗布されることから、その部分すなわち帯状パターンの
相互間は、その厚膜誘電体ペースト88が流れ込むこと
によりこれに埋め尽くされるか、表面張力により浮いた
状態に保たれて誘電体印刷層92が下に凸形状となって
いる。図6、図7においては、後者の状態となっている
場合を示した。
The thick film dielectric paste 8 is used as described above.
8 is also applied to the uncoated portion of the thick-film conductor paste 86, so that the thick-film dielectric paste 88 flows into the portion, that is, between the strip-shaped patterns, or the thick-film dielectric paste 88 fills the surface. The dielectric print layer 92 is kept in a floating state by the tension and has a downward convex shape. 6 and 7, the latter case is shown.

【0040】上記のようにして厚膜印刷層90〜94を
形成し、乾燥工程96において例えばこれを乾燥して溶
剤を除去した後、焼成工程98においては、基板70を
炉室100内に入れ、厚膜導体ペースト86および厚膜
誘電体ペースト88の種類に応じた例えば550(℃)程度
の焼成温度で加熱処理を施す。図7(f)は加熱処理中の
状態を示している。
The thick film printing layers 90 to 94 are formed as described above, and after the solvent is removed by drying the thick film printing layers 90 to 94 in the drying step 96, the substrate 70 is placed in the furnace chamber 100 in the baking step 98. The heat treatment is performed at a firing temperature of, for example, about 550 (° C.) depending on the types of the thick film conductor paste 86 and the thick film dielectric paste 88. FIG. 7 (f) shows a state during the heat treatment.

【0041】上記の加熱処理過程において、厚膜印刷層
90〜94は、その焼結温度が例えば550(℃)程度であ
るため、その樹脂成分が焼失させられると共に誘電体材
料、導体材料、およびガラスフリットが焼結させられ、
誘電体層40および厚膜導体層(ゲート電極34)すなわ
ちシート部材42が生成される。図7(g)は、この状態
を示している。このとき、前記の剥離層76は、前述し
たようにその無機成分粒子が550(℃)以上の軟化点を備
えたものであるため、樹脂成分は焼失させられるが高融
点粒子(ガラス粉末およびセラミック・フィラー)は焼結
させられない。そのため、加熱処理の進行に伴って樹脂
成分が焼失させられると、剥離層76は高融点粒子10
2(図8参照)のみから成る粒子層104となる。
In the above heat treatment process, since the thick film printing layers 90 to 94 have a sintering temperature of, for example, about 550 (° C.), the resin component thereof is burned off, and the dielectric material, the conductor material, and The glass frit is sintered,
A dielectric layer 40 and a thick film conductor layer (gate electrode 34) or sheet member 42 are produced. FIG. 7 (g) shows this state. At this time, since the release layer 76 has the inorganic component particles having a softening point of 550 (° C.) or higher as described above, the resin component is burned off, but the high melting point particles (glass powder and ceramics). -Filler) cannot be sintered. Therefore, when the resin component is burned down as the heat treatment progresses, the peeling layer 76 is formed into the high melting point particles 10.
The particle layer 104 is composed of only 2 (see FIG. 8).

【0042】図8は、図7(g)の右端の一部を拡大し
て、上記の加熱処理における焼結の進行状態を模式的に
示した図である。剥離層76の樹脂成分が焼失させられ
て生成された粒子層104は、単に高融点粒子102が
積み重なっただけの層であり、その高融点粒子102は
互いに拘束されていない。そのため、図に一点鎖線で示
される焼成前の端部位置から厚膜印刷層90〜94が収
縮するときには、その高融点粒子102がコロの如き作
用をする。これにより、厚膜印刷層90〜94の下面側
でも基板70との間にその収縮を妨げる力が作用しない
ので、上面側と同様に収縮させられることから、収縮量
の相違に起因する密度差や反り等は何ら生じていない。
FIG. 8 is an enlarged view of a part of the right end of FIG. 7 (g), schematically showing the progress of sintering in the above heat treatment. The particle layer 104 generated by burning off the resin component of the peeling layer 76 is a layer in which the high melting point particles 102 are simply stacked, and the high melting point particles 102 are not bound to each other. Therefore, when the thick film printing layers 90 to 94 contract from the end positions before firing indicated by the alternate long and short dash line in the figure, the high melting point particles 102 act like rollers. As a result, even on the lower surface side of the thick film printing layers 90 to 94, the force that prevents the contraction does not act between the thick film printed layers 90 to 94 and the thick film printing layers 90 to 94, so that the thick film printed layers 90 to 94 can be contracted in the same manner as the upper surface side, and therefore the density difference caused by the difference in the contraction amount. No warping or the like has occurred.

【0043】なお、本実施例においては、基板70の熱
膨張係数は誘電体材料と略同じであり、厚膜印刷層90
〜94の焼結が開始するまで、すなわち、樹脂成分は焼
失させられたがガラスフリット、誘電体材料粉末や導体
粉末の結合力が未だ小さい温度範囲ではこれらの熱膨張
量に殆ど差はない。一方、厚膜印刷層90〜94の焼結
が開始するときには、上述したように粒子層104の作
用によって基板70はその焼成収縮を何ら妨げない。し
たがって、基板70の熱膨張は生成される厚膜の品質に
実質的に影響しない。なお、基板70を繰り返し使用す
る場合や熱処理温度が高くなる場合には、歪み点の一層
高い耐熱性ガラス(例えば、熱膨張係数が32×10-7(/℃)
程度で軟化点が820(℃)程度のパイレックス・ガラス
(「パイレックス」は米国コーニング社の登録商標)や、
熱膨張係数が5×10-7(/℃)程度で軟化点が1580(℃)程度
の石英ガラス等)を用いることができる。この場合に
も、誘電体材料粉末等の結合力が小さい温度範囲では基
板70の熱膨張量が極めて小さくなるので、その熱膨張
が生成される厚膜の品質に影響することはない。
In this embodiment, the coefficient of thermal expansion of the substrate 70 is substantially the same as that of the dielectric material, and the thick film printing layer 90 is used.
Until the sintering of ~ 94 is started, that is, in the temperature range in which the resin component is burned off, but the binding force of the glass frit, the dielectric material powder and the conductor powder is still small, there is almost no difference in the thermal expansion amount. On the other hand, when the thick film printing layers 90 to 94 start to be sintered, the substrate 70 does not hinder the firing shrinkage thereof by the action of the particle layer 104 as described above. Therefore, the thermal expansion of the substrate 70 does not substantially affect the quality of the thick film produced. When the substrate 70 is repeatedly used or the heat treatment temperature becomes high, heat-resistant glass having a higher strain point (for example, a thermal expansion coefficient of 32 × 10 -7 (/ ° C))
Pyrex glass with a softening point of about 820 (℃)
("Pyrex" is a registered trademark of Corning Incorporated), and
Quartz glass or the like having a thermal expansion coefficient of about 5 × 10 −7 (/ ° C.) and a softening point of about 1580 (° C.) can be used. Also in this case, since the thermal expansion amount of the substrate 70 is extremely small in the temperature range where the binding force of the dielectric material powder or the like is small, the thermal expansion does not affect the quality of the thick film produced.

【0044】図5に戻って、剥離工程106では、生成
された厚膜すなわち誘電体層40およびゲート電極34
の積層体を基板70から剥離する。それらの間に介在さ
せられている粒子層104は高融点粒子102が単に積
み重なっただけであるので、上記剥離処理は何らの薬品
や装置を用いることなく容易に行い得る。このとき、積
層体の裏面には高融点粒子102が一層程度の厚みで付
着し得るが、この付着粒子は、必要に応じて、続く粒子
除去工程108において、粘着テープやエアブロー等を
用いて除去する。なお、厚膜が剥離された基板70は、
前述したように前記の焼成温度では変形および変質し難
いものであるため、同様な用途に繰り返し用いられる。
Returning to FIG. 5, in the peeling step 106, the generated thick film or dielectric layer 40 and gate electrode 34 are formed.
The laminated body of is peeled from the substrate 70. Since the high melting point particles 102 are simply stacked in the particle layer 104 interposed between them, the peeling process can be easily performed without using any chemicals or devices. At this time, the high melting point particles 102 can be attached to the back surface of the laminated body with a thickness of about one layer, but the attached particles are removed using an adhesive tape, an air blow, or the like in the subsequent particle removing step 108, if necessary. To do. The substrate 70 from which the thick film has been peeled off is
As described above, since it is hard to be deformed or deteriorated at the above firing temperature, it is repeatedly used for the same purpose.

【0045】ここで、本実施例においては、背面板18
および前面板16を重ね合わせて固着することによりF
ED10を製造するに際して、誘電体層40の表面に複
数の厚膜導体層が設けられたシート部材42がその背面
板18に固着されることにより、エミッタ38と陽極2
4との間にゲート電極34が備えられる。そのため、シ
ート部材42は誘電体層40の表面にゲート電極34を
構成する厚膜導体層を備えたものであってその誘電体層
40に基づく高い機械的特性を有することから、その膜
厚延いては厚膜導体層の膜厚を薄くしても十分に高い機
械的強度を有することとなる。したがって、ゲート電極
34が金属薄板で構成される場合に比較して薄くしても
損傷を受け難い。また、シート部材42には複数のゲー
ト電極34が相互に絶縁させられた状態で誘電体層40
上に一体的に備えられていることから、取扱いが容易で
あると共に個々に独立した導体で構成される場合のよう
な相互の位置合わせが困難になる等の問題もない。上記
により、十分に薄く且つ相対位置精度の高いゲート電極
34を備えたFED10を容易に製造することができ
る。
Here, in this embodiment, the back plate 18
F and the front plate 16 are overlapped and fixed to each other.
When manufacturing the ED 10, the sheet member 42 having a plurality of thick film conductor layers provided on the surface of the dielectric layer 40 is fixed to the back plate 18, thereby the emitter 38 and the anode 2 are formed.
The gate electrode 34 is provided between the gate electrode 4 and the gate electrode 4. Therefore, the sheet member 42 has a thick film conductor layer forming the gate electrode 34 on the surface of the dielectric layer 40, and has high mechanical characteristics based on the dielectric layer 40, and therefore the film thickness is increased. As a result, even if the film thickness of the thick film conductor layer is reduced, the mechanical strength is sufficiently high. Therefore, compared with the case where the gate electrode 34 is made of a thin metal plate, it is less likely to be damaged even if it is made thin. Further, the dielectric layer 40 is formed on the sheet member 42 in a state where the plurality of gate electrodes 34 are insulated from each other.
Since it is integrally provided on the upper side, it is easy to handle, and there is no problem that mutual alignment becomes difficult as in the case where the conductors are individually formed. As described above, the FED 10 including the gate electrode 34 that is sufficiently thin and has high relative position accuracy can be easily manufactured.

【0046】また、本実施例においては、厚膜誘電体ペ
ースト88および厚膜導体ペースト86の焼結温度より
も高い融点を有する剥離層76で構成された膜形成面に
誘電体印刷層92および導体印刷層90,94が所定パ
ターンで形成された後、それらの焼結させられる温度で
加熱処理が施されることにより、誘電体層40の両面に
ゲート電極34を構成する厚膜導体層が形成されたシー
ト部材42が生成される。そのため、その加熱処理温度
では焼結させられない剥離層76は樹脂が焼失させられ
ることにより高融点粒子102のみが並ぶ粒子層104
となることから、生成された厚膜は基板70に固着され
ないため、その表面72から容易に剥離することができ
る。したがって、ゲート電極34を構成するためのシー
ト部材42を容易に製造し且つFED10の製造に用い
ることができる。
Further, in this embodiment, the dielectric printing layer 92 and the dielectric printing layer 92 are formed on the film forming surface constituted by the peeling layer 76 having a melting point higher than the sintering temperature of the thick film dielectric paste 88 and the thick film conductor paste 86. After the conductor printed layers 90 and 94 are formed in a predetermined pattern, heat treatment is performed at a temperature at which they are sintered, whereby thick film conductor layers forming the gate electrodes 34 are formed on both surfaces of the dielectric layer 40. The formed sheet member 42 is generated. Therefore, in the peeling layer 76 that is not sintered at the heat treatment temperature, the resin layer is burned off, so that the particle layer 104 in which only the high melting point particles 102 are lined up.
Therefore, the generated thick film is not fixed to the substrate 70 and can be easily peeled from the surface 72 thereof. Therefore, the sheet member 42 for forming the gate electrode 34 can be easily manufactured and used for manufacturing the FED 10.

【0047】また、本実施例においては、厚膜ペースト
86,88の塗布される支持体は、基板70の表面に剥
離層76が形成されることにより構成されるため、加熱
処理後にも支持体の形状が維持されるため、剥離層76
のみで支持体が構成されている場合に比較してシート部
材42の生成後の取扱いが容易になる利点がある。な
お、厚膜印刷層90〜94と基板70との間には剥離層
76が介在させられていることから、加熱処理の際にそ
の厚膜印刷層90〜94を何ら拘束しないため、基板7
0の平坦度や表面粗度等は特に問題にならない。すなわ
ち、例えば図9(a)に示されるように基板表面72が凹
状に反っている場合には、厚膜印刷層90〜94はその
表面72に倣って反りを有して形成される。しかしなが
ら、生成される厚膜(シート部材42)が十分に薄い場合
には、焼成後にも十分な柔軟性があるため、図9(b)に
示すように平坦面Hに置いた場合にその面に倣ってシー
ト部材42も平坦になる。また、基板70の表面粗度が
悪い場合にも、シート部材42の表面粗度はそれに接す
る剥離層76の表面性状のみに影響されるのである。
Further, in the present embodiment, the support to which the thick film pastes 86 and 88 are applied is formed by forming the peeling layer 76 on the surface of the substrate 70, so that the support is supported even after the heat treatment. Since the shape of the peeling layer 76 is maintained,
There is an advantage in that the sheet member 42 can be easily handled after being formed, as compared with the case where the support body is configured only. Since the peeling layer 76 is interposed between the thick film printed layers 90 to 94 and the substrate 70, the thick film printed layers 90 to 94 are not constrained at the time of the heat treatment.
The flatness of 0, the surface roughness, etc. are not particularly problematic. That is, for example, when the substrate surface 72 is warped in a concave shape as shown in FIG. 9A, the thick film printing layers 90 to 94 are formed with a warp following the surface 72. However, when the thick film (sheet member 42) produced is sufficiently thin, it has sufficient flexibility even after firing, so that when it is placed on the flat surface H as shown in FIG. Then, the sheet member 42 also becomes flat. Further, even when the surface roughness of the substrate 70 is poor, the surface roughness of the sheet member 42 is influenced only by the surface texture of the peeling layer 76 in contact with it.

【0048】また、本実施例においては、厚膜印刷層9
0〜94は、厚膜スクリーン印刷法を用いて形成される
ことから、装置が簡単且つ材料の無駄が少ないため、低
コストとなる利点がある。
Further, in this embodiment, the thick film printing layer 9 is used.
Since 0 to 94 are formed by using the thick film screen printing method, there is an advantage that the cost is low because the device is simple and the waste of materials is small.

【0049】また、本実施例によれば、ゲート電極34
がシート部材42の形態で提供されることから、金属の
みで構成される場合に比較して熱容量が背面板18や接
合のためのガラスフリット等と似ているため、製造過程
で種々の熱処理を施した場合にもその熱容量の相違に起
因するゲート電極34の変形が生じ難い利点がある。
Further, according to the present embodiment, the gate electrode 34
Since the sheet is provided in the form of the sheet member 42, the heat capacity is similar to that of the back plate 18 or the glass frit for joining as compared with the case where the sheet member 42 is made of only metal. Even when it is applied, there is an advantage that the gate electrode 34 is unlikely to be deformed due to the difference in heat capacity.

【0050】また、本実施例によれば、厚膜スクリーン
印刷法を用いて膜形成がされることから所謂ウェット・
プロセスがないため、排水処理が容易になる利点もあ
る。因みに、ウェット・プロセスでは、溶液が膜内に浸
透して残存すると、前面板16および背面板18を接着
して真空容器を構成した後のアウトガスの原因になり得
る。これを避けるためには、構成材料の耐熱温度を高く
して気密封着後の排気温度を高め、或いは排気時間を長
くする等の工程負荷が重くなるような処置が必要とな
る。また、ゲート電極34等の導体層を厚膜銀で構成す
る場合には、銀が誘電体層40に浸透・拡散することに
より信頼性が低下する問題もある。
Further, according to this embodiment, since the film is formed by using the thick film screen printing method, the so-called wet coating is performed.
There is also an advantage that wastewater treatment is easy because there is no process. Incidentally, in the wet process, if the solution permeates and remains in the film, it may cause outgas after the front plate 16 and the back plate 18 are bonded to form a vacuum container. In order to avoid this, it is necessary to take measures such as increasing the heat resistance temperature of the constituent materials to increase the exhaust gas temperature after hermetically sealing, or prolonging the exhaust time, thereby increasing the process load. Further, when the conductor layer such as the gate electrode 34 is formed of thick film silver, there is a problem that reliability is lowered due to the permeation and diffusion of silver into the dielectric layer 40.

【0051】図10(a)〜(c)は、シート部材42の他の
膜構成例を説明する図である。図10(a)に示されるシ
ート部材110では、電子通過孔36の内壁面に厚膜導
体層が形成されておらず、誘電体層40の両面に設けら
れている厚膜導体層すなわちゲート電極34は相互に接
続されていない。このようなシート部材110は、例え
ば、前記の図6(e)に示されるように上側の導体印刷層
94を形成するに際して、導体印刷層90を形成する場
合と同じスクリーン80を用いて厚膜導体ペースト86
を塗布することにより製造される。図10(b)に示され
るシート部材112では、ゲート電極34が誘電体層4
0の上面すなわち陽極24側の一面だけに設けられてお
り、図10(c)に示されるシート部材114では、下面
すなわちエミッタ38側の一面だけに設けられている。
これらは、前記の図6(e)に示される工程を省略し、或
いは図6(c)に示される工程を省略することで作製する
ことができる。厚膜導体層は誘電体層40上に適宜の形
状で設けることができ、上記シート部材110〜114
の何れを用いても、前記のFED10と同様な冷陰極表
示装置を製造することができる。これらは、印加電圧や
表示面積等の種々の駆動条件に応じて選択すればよい。
FIGS. 10A to 10C are views for explaining another example of the film structure of the sheet member 42. In the sheet member 110 shown in FIG. 10A, the thick film conductor layer is not formed on the inner wall surface of the electron passage hole 36, and the thick film conductor layer, that is, the gate electrode provided on both surfaces of the dielectric layer 40. 34 are not connected to each other. Such a sheet member 110 may be formed into a thick film by using the same screen 80 as when forming the conductor printed layer 90 when forming the upper conductor printed layer 94 as shown in FIG. 6 (e). Conductor paste 86
It is manufactured by applying. In the sheet member 112 shown in FIG. 10B, the gate electrode 34 has the dielectric layer 4
0 is provided only on the upper surface, that is, one surface on the anode 24 side, and in the sheet member 114 shown in FIG. 10C, it is provided on the lower surface, that is, only one surface on the emitter 38 side.
These can be manufactured by omitting the step shown in FIG. 6 (e) or by omitting the step shown in FIG. 6 (c). The thick film conductor layer can be provided on the dielectric layer 40 in an appropriate shape, and the sheet members 110 to 114 described above can be provided.
Any of the above can be used to manufacture a cold cathode display device similar to the FED 10 described above. These may be selected according to various driving conditions such as applied voltage and display area.

【0052】また、図11は、ゲート電極34に設けら
れている電子通過孔36の形状の他の例を示す図であ
る。図に示す例では電子通過孔116が六角形状を成
す。複数個の電子通過孔116は、その外周縁と隣接す
る他の電子通過孔116の外周縁との相互間隔が一定の
大きさになるように配置されている。このような形状と
した場合には、円形の電子通過孔36に比較して開口率
を大きくできる利点がある。誘電体層40およびゲート
電極34は厚膜スクリーン印刷法で設け得るので、開口
形状も比較的自由に決定することができる。したがっ
て、要求される電子制御機能に応じて適宜の形状に設計
すればよい。
FIG. 11 is a diagram showing another example of the shape of the electron passage hole 36 provided in the gate electrode 34. In the illustrated example, the electron passage hole 116 has a hexagonal shape. The plurality of electron passage holes 116 are arranged such that the outer periphery of the plurality of electron passage holes 116 and the outer periphery of another adjacent electron passage hole 116 have a constant mutual distance. With such a shape, there is an advantage that the aperture ratio can be increased as compared with the circular electron passage hole 36. Since the dielectric layer 40 and the gate electrode 34 can be provided by the thick film screen printing method, the opening shape can be relatively freely determined. Therefore, it may be designed into an appropriate shape according to the required electronic control function.

【0053】図12,図13は、本発明のシート部材の
製造方法の他の構成例を説明する工程図および要部段階
における模式図である。本実施例においては、厚膜ペー
スト層形成工程84と乾燥工程96との間にパターニン
グ工程118が設けられている。図13(a)は、厚膜ペ
ースト層形成工程84の実施後の状態を示した図であ
り、図に示されるように、厚膜ペースト層(導体印刷層
或いは誘電体印刷層)120は何らパターン化されない
で「ベタ」に設けられている。このような厚膜ペースト
層94は、感光性樹脂で構成されたものであって、例え
ば、コータやフィルム・ラミネート等によって形成され
る。
FIGS. 12 and 13 are process diagrams and schematic diagrams in the main part stage for explaining another configuration example of the method for manufacturing a sheet member according to the present invention. In this embodiment, the patterning process 118 is provided between the thick film paste layer forming process 84 and the drying process 96. FIG. 13A is a diagram showing a state after performing the thick film paste layer forming step 84. As shown in the figure, the thick film paste layer (conductor printed layer or dielectric printed layer) 120 is It is provided "solid" without being patterned. Such a thick film paste layer 94 is made of a photosensitive resin, and is formed by, for example, a coater or a film laminate.

【0054】続くパターニング工程118では、所定パ
ターンの露光マスク122を介して露光処理を施した
後、水洗等の現像処理が施される。図13(b)は露光処
理の実施状態を表した図であり、図において124は露
光ランプである。図13(c)に現像処理後すなわちパタ
ーニング後の状態を示す。この後、乾燥工程96以下が
実施されることにより、シート部材42と同様なシート
部材が得られることとなる。要求されるゲート電極34
の形状や寸法・形状精度等に応じて、このようなパター
ニングを厚膜ペーストの塗布とは別に実施する方法に
も、本発明を適用することができる。しかも、シート部
材42を構成する複数の材料から成る層(すなわち例え
ば誘電体層と導体層)を重ねて塗布形成し、或いはシー
トの貼り付けで形成し、露光・現像を一括処理すれば、
位置合わせが不要になるため工程負荷が軽減されると共
にパターンの微細化が容易になる利点もある。
In the subsequent patterning step 118, an exposure process is performed through the exposure mask 122 having a predetermined pattern, and then a development process such as washing with water is performed. FIG. 13B is a diagram showing an implementation state of the exposure processing, in which 124 is an exposure lamp. FIG. 13C shows a state after the development processing, that is, after the patterning. After that, the drying step 96 and subsequent steps are performed, so that a sheet member similar to the sheet member 42 is obtained. Required gate electrode 34
The present invention can also be applied to a method of performing such patterning separately from the application of the thick film paste, depending on the shape, size, shape accuracy, etc. In addition, if layers (that is, for example, a dielectric layer and a conductor layer) that are composed of a plurality of materials that form the sheet member 42 are overlaid and formed, or formed by pasting sheets, and exposure and development are collectively processed,
Since the alignment is not required, the process load is reduced and the pattern can be easily miniaturized.

【0055】図14は、セラミック生シート126が支
持体として用いられた場合を説明するための図6(e)お
よび図7に対応する図である。本実施例では、セラミッ
ク生シート126の表面128に厚膜ペーストが塗布さ
れることにより誘電体印刷層92および導体印刷層9
0,94が形成されており、そのセラミック生シート1
28が炉室100内に投入されることによって、セッタ
130に乗せられた状態で焼成処理が施される。このた
め、焼成処理後には、セッタ130の上に粒子層104
を介して厚膜シート(誘電体層40およびゲート電極3
4)が乗せられた状態となるが、セッタ130の表面状
態や反応性等が特に問題なければこのようにしてシート
部材42を製造することもできる。なお、セラミック生
シート126を基板70等の上に乗せて焼成することも
無論可能である。
FIG. 14 is a view corresponding to FIGS. 6 (e) and 7 for explaining a case where the ceramic green sheet 126 is used as a support. In this embodiment, a thick film paste is applied to the surface 128 of the ceramic green sheet 126, so that the dielectric print layer 92 and the conductor print layer 9 are formed.
0, 94 are formed and its ceramic raw sheet 1
By putting 28 into the furnace chamber 100, the firing process is performed while being placed on the setter 130. Therefore, after the firing process, the particle layer 104 is formed on the setter 130.
Through the thick film sheet (dielectric layer 40 and gate electrode 3
4) is placed, but the sheet member 42 can be manufactured in this manner unless the surface condition, reactivity, etc. of the setter 130 are particularly problematic. It is of course possible to place the ceramic green sheet 126 on the substrate 70 or the like and fire it.

【0056】以上、本発明を図面を参照して詳細に説明
したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。
Although the present invention has been described above in detail with reference to the drawings, the present invention can be implemented in other modes.

【0057】例えば、実施例においては、エミッタ38
がCNTで構成されたFED10に本発明が適用された
場合について説明したが、エミッタ38と陽極24との
間にゲート電極34を必要とする形式の冷陰極表示装置
であれば、スピント型やペンシル型等種々の形状のエミ
ッタを備えたものにも本発明は同様に適用される。
For example, in the embodiment, the emitter 38
The present invention is applied to the FED 10 composed of CNT. However, in the case of a cold cathode display device of the type that requires the gate electrode 34 between the emitter 38 and the anode 24, a Spindt type or pencil type The present invention is similarly applied to a device having various shapes of emitters such as a mold.

【0058】また、実施例のFED10は、3色の蛍光
体層26を備えてフルカラー表示をさせる形式のもので
あったが、本発明は、1色或いは2色の蛍光体層を備え
たFEDであっても同様に適用される。
Further, although the FED 10 of the embodiment is of a type in which the phosphor layers 26 of three colors are provided for full-color display, the present invention is an FED having a phosphor layer of one or two colors. Applies equally well.

【0059】また、実施例においては、シート部材42
の厚さ寸法が50(μm)程度にされていたが、その膜厚は
陽極24とエミッタ38との相互間隔や必要とされる機
械的強度等に応じて適宜変更される。厚さ寸法を変更す
る場合には、要求される導電性や厚さ寸法に応じて導体
層(ゲート電極34)および誘電体層40の両方或いは一
方の厚さ寸法を変更すればよい。なお、誘電体層40を
厚くするほど機械的強度が高くなり、導体層を厚くする
ほど導電性が高められるので、それぞれの厚さ寸法やシ
ート部材42全体の厚さ寸法は、これらの兼ね合いで定
めることが望ましい。
Further, in the embodiment, the sheet member 42 is used.
Although the thickness of the anode was set to about 50 (μm), the thickness thereof is appropriately changed according to the mutual distance between the anode 24 and the emitter 38, the required mechanical strength, and the like. When the thickness is changed, the thickness of one or both of the conductor layer (gate electrode 34) and the dielectric layer 40 may be changed according to the required conductivity and the required thickness. Since the thicker the dielectric layer 40 is, the higher the mechanical strength is, and the thicker the conductor layer is, the higher the conductivity is. Therefore, the respective thickness dimensions and the thickness dimension of the entire sheet member 42 are a trade-off of these factors. It is desirable to set.

【0060】また、実施例においては、ゲート電極34
として機能する導体層を有したシート部材42が背面板
18上に固着されていたが、シート部材42はゲート電
極34をエミッタ38と陽極24との間の高さ位置に設
けるためのものであるので、前面板16および背面板1
8の中間の所定位置に固定されるのであれば、それらの
うち何れに固着されていても差し支えない。
Further, in the embodiment, the gate electrode 34
Although the sheet member 42 having the conductor layer functioning as is fixed to the back plate 18, the sheet member 42 is for providing the gate electrode 34 at a height position between the emitter 38 and the anode 24. Therefore, the front plate 16 and the rear plate 1
If it is fixed at a predetermined position in the middle of 8, it may be fixed to any of them.

【0061】その他、一々例示はしないが、本発明は、
その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るもので
ある。
Although not specifically exemplified, the present invention is
Various changes can be made without departing from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の冷陰極表示装置の一例であるFEDを
一部を切り欠いて示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an FED, which is an example of a cold cathode display device of the present invention, with a part thereof cut away.

【図2】図1のFEDの断面を詳細に説明する図であ
る。
FIG. 2 is a diagram illustrating a cross section of the FED of FIG. 1 in detail.

【図3】図1のFEDに備えられたシート部材を示す平
面図である。
3 is a plan view showing a sheet member included in the FED of FIG. 1. FIG.

【図4】図1のFEDの製造方法を説明する工程図であ
る。
4A to 4D are process diagrams illustrating a method for manufacturing the FED of FIG.

【図5】図3の厚膜シートの製造方法を説明する工程図
である。
5A to 5C are process diagrams illustrating a method of manufacturing the thick film sheet of FIG.

【図6】(a)〜(e)は、図5の製造工程の要部段階におけ
る基板および厚膜の状態を示す図である。
6 (a) to 6 (e) are diagrams showing the states of the substrate and the thick film at the main stage of the manufacturing process of FIG.

【図7】(f)、(g)は、図5の製造工程の要部段階におけ
る基板および厚膜の状態を示すための図6に続く図であ
る。
7 (f) and (g) are views following FIG. 6 for showing the state of the substrate and the thick film in the main part stage of the manufacturing process of FIG.

【図8】図5の焼成工程における収縮挙動を説明するた
めの図7(g)の一部を拡大して示す図である。
8 is an enlarged view of a part of FIG. 7 (g) for explaining the shrinkage behavior in the firing step of FIG.

【図9】(a)、(b)は、基板の反りの影響を説明する図で
ある。
9A and 9B are diagrams for explaining the influence of the warp of the substrate.

【図10】(a)〜(c)はゲート電極を構成するためのシー
ト部材の他の例を説明する断面図である。
10A to 10C are cross-sectional views for explaining another example of the sheet member for forming the gate electrode.

【図11】ゲート電極に設けられる電子通過孔の形状の
他の例を説明する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating another example of the shape of the electron passage hole provided in the gate electrode.

【図12】本発明の製造方法の他の適用例であって、図
3に示すシート部材の他の製造方法を説明する工程図で
ある。
FIG. 12 is a process diagram illustrating another application example of the manufacturing method of the present invention, which illustrates another manufacturing method of the sheet member shown in FIG. 3.

【図13】(a)〜(c)は、図12の製造工程の要部段階に
おける厚膜の状態を説明する図である。
13 (a) to 13 (c) are views for explaining the state of the thick film in the main part stage of the manufacturing process of FIG.

【図14】(a)〜(c)は、本発明の更に他の実施例の工程
の要部段階における厚膜の状態を説明する図である。
14 (a) to 14 (c) are views for explaining a state of a thick film at a main stage of a process of still another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:FED 16:前面板 18:背面板 24:陽極 34:ゲート電極 38:エミッタ 40:誘電体層 42:シート部材 76:剥離層 92:誘電体印刷層 90,94:導体印刷層 104:粒子層 10: FED 16: Front plate 18: Back plate 24: Anode 34: Gate electrode 38: Emitter 40: Dielectric layer 42: Sheet member 76: Release layer 92: Dielectric print layer 90, 94: Conductor print layer 104: Particle layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪本 進 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 (72)発明者 廣嶋 政幸 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 (72)発明者 森 繁夫 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 (72)発明者 楢木 英二 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 (72)発明者 佐藤 康一 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 (72)発明者 武市 洋利 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 ノリタケ電子工業株式会社夜須工場 内 Fターム(参考) 5C012 AA05 BB02 BB07 5C036 EE14 EE19 EF01 EF06 EF09 EG02 EG30 EG31 EH06    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Susumu Sakamoto             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within (72) Inventor Masayuki Hiroshima             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within (72) Inventor Shigeo Mori             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within (72) Inventor Eiji Naragi             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within (72) Inventor Koichi Sato             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within (72) Inventor Yoichi Takeichi             2160 Yatsunami, Sanjo, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture             Address Noritake Electronics Co., Ltd. Yasu Factory             Within F-term (reference) 5C012 AA05 BB02 BB07                 5C036 EE14 EE19 EF01 EF06 EF09                       EG02 EG30 EG31 EH06

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1基板上に設けられた複数個のエミッ
タと、その第1基板に平行な第2基板上にそのエミッタ
に対向して設けられ且つ各々の表面に蛍光体層が固着さ
れた複数個の陽極と、それらエミッタおよび陽極の中間
位置に設けられ且つそのエミッタからその陽極に向かわ
せられる電子が通過させられる複数個の貫通穴を有する
複数個のゲート電極とを備え、その電子で前記蛍光体層
を励起して発光させる形式の冷陰極表示装置であって、 前記貫通穴を有する厚膜誘電体層と、前記複数個のゲー
ト電極をそれぞれ構成するために相互に電気的に独立し
てその厚膜誘電体層の表面に積層された複数の厚膜導体
層とを備えたシート部材を含むことを特徴とする冷陰極
表示装置。
1. A plurality of emitters provided on a first substrate, a second substrate parallel to the first substrate and provided opposite to the emitters, and a phosphor layer fixed to each surface. A plurality of anodes, and a plurality of gate electrodes provided at an intermediate position between the emitters and the anodes and having a plurality of through holes through which electrons directed from the emitters to the anodes pass, In the cold cathode display device of the type in which the phosphor layer is excited to emit light, the thick film dielectric layer having the through hole and the plurality of gate electrodes are electrically connected to each other. A cold cathode display device comprising: a sheet member independently provided with a plurality of thick film conductor layers laminated on the surface of the thick film dielectric layer.
【請求項2】 複数個のエミッタが設けられた第1基板
と、各々の表面に蛍光体層が固着された複数個の陽極が
設けられた第2基板とを、そのエミッタからその陽極に
向かわせられる電子を貫通させるための複数個の貫通穴
を有する複数個のゲート電極をそれらの中間に位置させ
且つ互いに平行に重ね合わせて固着することにより、そ
の電子で前記蛍光体層を励起して発光させる形式の冷陰
極表示装置を製造する方法であって、 前記貫通穴を有する厚膜誘電体層と、前記複数個のゲー
ト電極をそれぞれ構成するために相互に電気的に独立し
てその厚膜誘電体層の表面に積層された複数の厚膜導体
層とを備えたシート部材を、前記エミッタが設けられた
第1基板上または前記陽極が設けられた第2基板上に固
着するシート部材固着工程を含むことを特徴とする冷陰
極表示装置の製造方法。
2. A first substrate provided with a plurality of emitters, and a second substrate provided with a plurality of anodes each having a phosphor layer adhered to the surface thereof, and facing from the emitters to the anodes. A plurality of gate electrodes having a plurality of through-holes for letting through electrons to be exchanged are positioned in the middle of them and are stuck in parallel with each other so that the electrons excite the phosphor layer. A method of manufacturing a cold cathode display device of the type that emits light, comprising: a thick film dielectric layer having the through holes; and a thickness of the thick film dielectric layer that is electrically independent of each other to form the plurality of gate electrodes. A sheet member for fixing a sheet member provided with a plurality of thick film conductor layers laminated on the surface of a film dielectric layer on a first substrate provided with the emitter or a second substrate provided with the anode. Including the fixing process Manufacturing method of a cold cathode display device characterized.
【請求項3】 所定の第1温度よりも高い融点を有する
粒子が樹脂で結合されて成る高融点粒子層で構成された
膜形成面を有する支持体を用意する支持体準備工程と、 前記第1温度で焼結させられる厚膜誘電体材料の構成粒
子が樹脂で結合されて成る誘電体ペースト膜を前記膜形
成面に前記厚膜誘電体層に対応する所定パターンで形成
する誘電体ペースト膜形成工程と、 その誘電体ペースト膜の表面に前記第1温度で焼結させ
られる厚膜導体材料の構成粒子が樹脂で結合されて成る
導体ペースト膜を前記厚膜導体層に対応する複数に分割
されたパターンで形成する導体ペースト膜形成工程と、 前記誘電体ペースト膜および前記導体ペースト膜を設け
た前記支持体を前記第1温度で加熱処理することによ
り、前記高融点粒子層を焼結させることなくそれら誘電
体ペースト膜および導体ペースト膜を焼結させて、それ
ら誘電体ペースト膜および導体ペースト膜から前記厚膜
誘電体層および前記厚膜導体層を生成する焼成工程と
を、含む工程により前記シート部材を製造するものであ
る請求項2の冷陰極表示装置の製造方法。
3. A support preparation step of preparing a support having a film forming surface composed of a high melting point particle layer formed by bonding particles having a melting point higher than a predetermined first temperature with a resin, A dielectric paste film in which constituent particles of a thick film dielectric material that can be sintered at one temperature are combined with a resin to form a dielectric paste film on the film formation surface in a predetermined pattern corresponding to the thick film dielectric layer. Forming step, and dividing the conductor paste film, in which the constituent particles of the thick film conductor material to be sintered at the first temperature are bonded to the surface of the dielectric paste film with a resin, into a plurality of parts corresponding to the thick film conductor layer. And a conductor paste film forming step of forming the dielectric paste film and the conductor paste film are heated at the first temperature to sinter the high melting point particle layer. thing Without sintering the dielectric paste film and the conductor paste film to produce the thick film dielectric layer and the thick film conductor layer from the dielectric paste film and the conductor paste film. The method for manufacturing a cold cathode display device according to claim 2, wherein the sheet member is manufactured.
【請求項4】 前記支持体準備工程は、所定の基板の表
面に前記高融点粒子層を形成するものである請求項3の
冷陰極表示装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a cold cathode display device according to claim 3, wherein in the support preparing step, the high melting point particle layer is formed on a surface of a predetermined substrate.
【請求項5】 前記基板は、前記焼成温度で変形しない
ものである請求項4の冷陰極表示装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a cold cathode display device according to claim 4, wherein the substrate does not deform at the firing temperature.
【請求項6】 前記ペースト膜形成工程は、厚膜スクリ
ーン印刷法を用いて前記誘電体ペースト膜および前記導
体ペースト膜をそれぞれ形成するものである請求項3乃
至請求項5の何れかの冷陰極表示装置の製造方法。
6. The cold cathode according to claim 3, wherein the paste film forming step forms each of the dielectric paste film and the conductor paste film by using a thick film screen printing method. Manufacturing method of display device.
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