JP2003195813A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device

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JP2003195813A
JP2003195813A JP2002261950A JP2002261950A JP2003195813A JP 2003195813 A JP2003195813 A JP 2003195813A JP 2002261950 A JP2002261950 A JP 2002261950A JP 2002261950 A JP2002261950 A JP 2002261950A JP 2003195813 A JP2003195813 A JP 2003195813A
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JP2002261950A
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Inventor
Hajime Kimura
肇 木村
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To overcome the problem wherein a light emitting element has variance in luminance owing to characteristic variations of a driving transistor. <P>SOLUTION: A characteristic of the driving transistor provided to a pixel is specified and according to the results, a video signal inputted to the pixel is corrected. Consequently, a light emitting device which prevents effect of characteristic variations of a transistor and can make sharp multi-gradation display and its driving method can be provided. Further, a light emitting device which suppresses change in the amount of a current flowing between both electrodes of the light emitting element due to temporal variation and can make sharp multi-gradation display and its driving method can be provided. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上又は絶縁表面上に発光素子と、該発光素子を制御するトランジスタとが設けられた発光装置及びその駆動方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention includes a light-emitting element on a semiconductor substrate or an insulating surface, the light emitting device and the driving transistor are provided for controlling the light emitting element a method for. より詳細には、発光素子を制御するトランジスタの特性バラツキの影響を防止した発光装置及びその駆動方法に関する。 More particularly, the invention relates to a light emitting device and a driving method thereof to prevent the influence of variation in characteristics of the transistor for controlling the light emitting element. また本発明は、トランジスタ等の半導体素子を用いた発光装置に係る技術分野に属する。 The present invention belongs to the technical sector relating to the light-emitting device using a semiconductor element such as a transistor. 【0002】 【従来の技術】近年、発光素子が用いられた発光装置(画像表示装置)の開発が進められている。 [0002] In recent years, development of a light emitting device emitting element is used (image display device) has been advanced. 発光装置は、大別してパッシブ型とアクティブ型に分類される。 Emitting devices are classified into passive and active type roughly.
アクティブ型の発光装置は、絶縁表面上に発光素子と、 Active light emitting device includes a light emitting element on an insulating surface,
該発光素子を制御するトランジスタとが設けられる。 And the transistor is provided to control the light emitting element. 【0003】ポリシリコン膜を用いたトランジスタは、 [0003] The transistor using a polysilicon film,
従来のアモルファスシリコン膜を用いたトランジスタよりも電界効果移動度(モビリティともいう)が高く、高速動作が可能である。 Field-effect mobility than a transistor using a conventional amorphous silicon film (also referred to as mobility) high-speed operation is possible. そのため、従来基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の絶縁表面上に形成した駆動回路で行うことが可能である。 Therefore, the control of the pixel which has been performed by the driving circuit of the conventional board outside, it is possible to perform a driver circuit formed on the same insulating surface and pixels. このようなアクティブ型の発光装置は、同一の絶縁表面上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、小型化、歩留まりの上昇及びスループットの低減などの様々な利点が得られる。 Such active light emitting device, reducing manufacturing costs by fabricate various circuits and elements on the same insulating surface, miniaturization, various advantages such as increased and throughput reduction in the yield obtained. 【0004】アクティブ型の発光装置の主な駆動方法としては、アナログ方式とデジタル方式が挙げられる。 [0004] The main driving method for an active type light emitting device include the analog system and the digital system. 前者のアナログ方式は、発光素子に流れる電流を制御することにより、輝度を制御して階調を得る方式である。 The former analog system, by controlling the current flowing through the light emitting element, a method of obtaining a tone by controlling the brightness. 一方、後者のデジタル方式は、発光素子がオン状態(その輝度がほぼ100%である状態)と、オフ状態(その輝度がほぼ0%である状態)の2つの状態のみによって駆動される。 On the other hand, the latter digital system, the light emitting element is turned on (state luminance is substantially 100%), off-state (luminance state is substantially 0%) is driven only by two states. しかしながら、デジタル方式の場合は、このままでは2階調しか表示できないため、時間階調方式や面積階調方式などと組み合わせて多階調化を実現する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。 However, in the case of digital system, since this remains in the two gradations can only display has been proposed a technique for realizing such combination with multiple tone time gray scale method or an area gray scale method (for example, see Patent Document 1 ). 【0005】 【特許文献1】 特開2001-159878号公報(第6、7頁) 【0006】ここで、発光装置の駆動方法について、図14及び図15を用いて詳しく説明する。 [Patent Document 1] Japanese 2001-159878 discloses (pages 6 and 7) [0006] Here, a method for driving the light emitting device will be described in detail with reference to FIGS. 14 and 15. まず発光装置の構成について、図14を用いて説明する。 The configuration of the first light-emitting device will be described with reference to FIG. 14. 図14には、発光装置が有する画素部1800の回路図の一例を示す。 Figure 14 shows an example of a circuit diagram of a pixel portion 1800 emitting apparatus. ゲート信号線駆動回路から供給されるゲート信号を画素に伝えるゲート信号線(G1〜Gyのいずれか一つ)は、各画素が有するスイッチング用トランジスタ1 A gate signal line for transmitting a gate signal supplied from the gate signal line driver circuit to the pixel (one of G1 to Gy), the switching transistor 1 in which each pixel has
801のゲート電極に接続されている。 801 is connected to the gate electrode of. また各画素が有するスイッチング用トランジスタ1801のソース領域とドレイン領域は、一方はビデオ信号を入力するソース信号線(S1〜Sxのいずれか一つ)に、もう一方は各画素が有する駆動用トランジスタ1804のゲート電極及び各画素が有するコンデンサ1808にそれぞれ接続されている。 The source region and a drain region of the switching transistor 1801 included in each pixel, to one source signal line for inputting a video signal (one of S1 to Sx), the driving transistor 1804 other is that each pixel has They are respectively connected to a capacitor 1808 having the gate electrode and each pixel of. 【0007】各画素が有する駆動用トランジスタ180 [0007] the driving transistor 180 in which each pixel has
4のソース領域は電源供給線(V1〜Vxのいずれか一つ)に接続されており、ドレイン領域は発光素子180 The source region 4 is connected to a power supply line (one of V1 to Vx), the drain region is the light emitting element 180
6に接続されている。 It is connected to the 6. なお、電源供給線(V1〜Vxのいずれか一つ)の電位は電源電位と呼ぶ。 Note that the potential of the power supply line (one of V1 to Vx) is referred to as a power supply potential. また電源供給線(V1〜Vxのいずれか一つ)は、各画素が有するコンデンサ1808に接続されている。 The power supply line (one of V1 to Vx) is connected to a capacitor 1808 which each pixel has. 【0008】発光素子1806は、陽極及び陰極、並びに前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機化合物層を有する。 [0008] light-emitting element 1806 has an anode and a cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the cathode. 発光素子1806の陽極が駆動用トランジスタ1804のドレイン領域と接続している場合、発光素子1806の陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。 When the anode of the light emitting element 1806 is connected to the drain region of the driving transistor 1804, the anode of the light emitting element 1806 is the pixel electrode, the cathode is a counter electrode. 逆に発光素子1806の陰極が駆動用トランジスタ180 Conversely to the cathode of the light-emitting element 1806 is a driving transistor 180
4のドレイン領域と接続している場合、発光素子180 If 4 of the drain region to be connected, the light emitting element 180
6の陽極が対向電極、陰極が画素電極となる。 6 anode of the counter electrode, the cathode becomes the pixel electrode. 【0009】なお対向電極の電位を対向電位と呼び、対向電極に対向電位を与える電源を対向電源と呼ぶ。 [0009] Note that referred to the potential of the counter electrode and the counter potential is referred to power source for supplying a counter potential to the counter electrode and the opposing power source. 画素電極の電位と対向電極の電位の電位差が駆動電圧であり、この駆動電圧が有機化合物層にかかる。 Difference between the potential and the potential of the opposing electrode of the pixel electrode is a drive voltage, the drive voltage is applied to the organic compound layer. 【0010】図14で示した発光装置を、アナログ方式で駆動させた場合のタイミングチャートを図15に示す。 [0010] The light emitting device shown in FIG. 14, FIG. 15 shows a timing chart in the case of driving by analog method. 図15において、1つのゲート信号線が選択されてから、その次のゲート信号線が選択されるまでの期間を1ライン期間(L)と呼ぶ。 15, referred to from one gate signal line is selected, the duration of one line period until the next gate signal line is selected (L). また、1つの画像が表示されてから次の画像が表示されるまでの期間を1フレーム期間(F)と呼ぶ。 Further, called period from one image is displayed until the next image is displayed as one frame period (F). 図14の発光装置の場合、ゲート信号線はy本あるので、1フレーム期間中にy個のライン期間(L1〜Ly)が設けられている。 For the light emitting device of FIG. 14, the gate signal line is y present, y-number of line periods (L1 to Ly) are provided in one frame period. 【0011】電源供給線(V1〜Vx)は、一定の電源電位に保たれている。 [0011] The power supply line (V1~Vx) is maintained at a constant power supply potential. また対向電極の電位である対向電位も一定の電位に保たれている。 The opposing electric potential is the potential of the opposing electrode is also held at a fixed potential. 対向電位は、発光素子が発光する程度に電源電位との間に電位差を有している。 Opposite potential, the light emitting element has a potential difference between the power supply potential to the extent that emits light. 【0012】第1のライン期間(L1)において、ゲート信号線駆動回路から供給されるゲート信号によって、 [0012] In the first line period (L1), by a gate signal supplied from the gate signal line driver circuit,
ゲート信号線(G1)が選択される。 The gate signal line (G1) is selected. なおゲート信号線が選択されるとは、該ゲート信号線にゲート電極が接続されたトランジスタがオンの状態になることを意味する。 Incidentally gate signal line is to be selected, meaning that the transistors having a gate electrode connected to the gate signal line is turned on. 【0013】そして、ソース信号線(S1〜Sx)に順にアナログのビデオ信号が入力される。 [0013] The analog video signal is sequentially inputted to the source signal lines (S1 to Sx). ゲート信号線(G1)に接続された全てのスイッチング用トランジスタ1801はオン状態になっているので、ソース信号線(S1〜Sx)に入力されたビデオ信号は、スイッチング用トランジスタ1801を介して駆動用トランジスタ1804のゲート電極に入力される。 Since all of the switching transistor 1801 connected to the gate signal line (G1) is in the on state, the video signal inputted to the source signal line (S1 to Sx) is driving via a switching transistor 1801 is input to the gate electrode of the transistor 1804. 【0014】駆動用トランジスタ1804のチャネル形成領域を流れる電流の量は、駆動用トランジスタ180 The amount of current flowing through the channel formation region of the driving transistor 1804, a driving transistor 180
4のゲート電極に入力される信号の電位の高さ(電圧) Level of the potential of the signal inputted to the gate electrode 4 (voltage)
によって制御される。 It is controlled by. よって、発光素子1806の画素電極にかかる電位は、駆動用トランジスタ1804のゲート電極に入力されたビデオ信号の電位の高さによって決まる。 Accordingly, the potential applied to the pixel electrode of the light emitting element 1806 is determined by the height of the potential of the input video signal to the gate electrode of the driving transistor 1804. つまり発光素子1806はビデオ信号の電位の高さに応じて、発光素子1806に電流が流れ、その電流量に応じて発光を行う。 That light emitting device 1806 according to the height of the potential of the video signal, a current flows through the light emitting element 1806 to emit light in accordance with the current amount. 【0015】上述した動作を繰り返し、ソース信号線(S1〜Sx)にビデオ信号の入力が終了すると、第1 [0015] repeating the above operation, when the input video signal to the source signal lines (S1 to Sx) is completed, the first
のライン期間(L1)が終了する。 Period of line (L1) is completed. 次いで第2のライン期間(L2)となり、ゲート信号によってゲート信号線(G2)が選択される。 Then the second line period (L2), and the gate signal line (G2) is selected by the gate signal. そして第1のライン期間(L And the first line period (L
1)と同様にソース信号線(S1〜Sx)に順にビデオ信号が入力される。 Video signal is sequentially inputted to the 1) as well as the source signal line (S1 to Sx). 【0016】上述した動作を繰り返し、全てのゲート信号線(G1〜Gy)にゲート信号が入力されると、1フレーム期間が終了する。 [0016] repeating the above operation, the gate signal to all of the gate signal line (G1 to Gy) is input, one frame period is completed. 1フレーム期間において全ての画素が表示を行い、1つの画像が形成される。 All the pixels perform display in one frame period, one image is formed. 【0017】このように、ビデオ信号によって発光素子に流れる電流量が制御され、その電流量に応じて階調表示がなされる方式が、アナログ方式と呼ばれる駆動方式である。 [0017] Thus, the amount of current flowing through the light emitting element by the video signal is controlled, a method of gray scale display is performed in accordance with the amount of current, a driving method called analog type. つまり、アナログ方式では、画素に入力されるビデオ信号の電位に応じて階調表示が行われる。 That is, in the analog method, gradation display in accordance with the potential of the video signal inputted to the pixel. 【0018】一方、デジタル方式は、上述したように時間階調方式などと組み合わせて多階調化を実現する。 Meanwhile, digital realizes it in conjunction with a time gray scale method as described above multi-gradation. 詳しいタイミングチャートの図示は省略するが、時間階調方式と組み合わせたデジタル方式では、発光素子の両電極間に電流が流れている時間の長さに応じて階調表示が行われる。 Is a detailed illustration of the timing diagram is omitted, the digital combined with a time gray scale method, gray scale display is performed according to the length of time that the current flows between both electrodes of the light emitting element. 【0019】続いて、駆動用トランジスタ1804と発光素子1806の電圧電流特性について、図11〜図1 [0019] Then, the voltage-current characteristics of the driving transistor 1804 and the light emitting element 1806, 11 to 1
3を用いて説明する。 It will be described with reference to the 3. 図11(A)は、図14に示した画素において、駆動用トランジスタ1804および発光素子1806の構成部分のみを示す。 11 (A) is in the pixel shown in FIG. 14 shows only components of the driving transistor 1804 and the light emitting element 1806. 図11(B)は、 FIG. 11 (B)
図11(A)で示した駆動用トランジスタ1804および発光素子1806の電圧電流特性を示す。 Figure 11 shows the voltage-current characteristics of the driving transistor 1804 and the light emitting element 1806 shown in (A). なお図11 It should be noted that FIG. 11
(B)に示す駆動用トランジスタ1804の電圧電流特性のグラフは、ソース領域とドレイン領域の間の電圧であるV DSに対する、駆動用トランジスタ1804のドレイン領域に流れる電流の大きさを示す。 Graph of voltage-current characteristics of the driving transistor 1804 shown in (B) shows for V DS is a voltage between the source region and the drain region, the magnitude of the current flowing through the drain region of the driving transistor 1804. 図12は、駆動用トランジスタ1804のソース領域とゲート電極の間の電圧であるV GSの値が異なる複数のグラフを示す。 12, the value of V GS is a voltage between the source region and the gate electrode of the driving transistor 1804 depicts the different graphs. 【0020】図11(A)に示したように、発光素子1 [0020] As shown in FIG. 11 (A), the light-emitting element 1
806の画素電極と対向電極の間にかかる電圧をV EL Voltage V EL applied between the 806 pixel electrode and the counter electrode,
電源供給線に接続される端子3601と発光素子180 Terminal is connected to the power supply line 3601 and the light emitting element 180
6の対向電極の間にかかる電圧をV Tとする。 The voltage between the 6 counter electrode of the V T. なおV Tは電源供給線(V1〜Vx)の電位によってその値が固定される。 Note V T is the value is fixed by the potential of the power supply line (V1 to Vx). また駆動用トランジスタ1804のソース領域・ドレイン領域間の電圧をV DS 、駆動用トランジスタ1 The voltage V DS between the source region and the drain region of the driving transistor 1804, a driving transistor 1
804のゲート電極に接続される配線3602とソース領域との間の電圧、つまり駆動用トランジスタ1804 Voltage between the wires 3602 and the source region coupled to the gate electrode 804, i.e. the driving transistor 1804
のゲート電極とソース領域の間の電圧をV GSとする。 The voltage between the gate electrode and the source region of the V GS. 【0021】駆動用トランジスタ1804と発光素子1 [0021] and the driving transistor 1804 light-emitting element 1
806とは直列に接続されている。 806 are connected in series with the. よって、両素子(駆動用トランジスタ1804と発光素子1806)を流れる電流量は同じである。 Therefore, the amount of current flowing through both elements (the driving transistor 1804 and the light emitting element 1806) are the same. 従って、図11(A)に示した駆動用トランジスタ1804と発光素子1806とは、 Accordingly, the driving transistor 1804 shown in FIG. 11 (A) and the light emitting element 1806,
両素子の電圧電流特性を示すグラフの交点(動作点)において駆動する。 Driving in the intersection (operating point) of the graphs showing voltage-current characteristics of both elements. 図11(B)において、V ELは、対向電極1809の電位と動作点での電位との間の電圧に相当する。 In FIG. 11 (B), V EL is equivalent to the voltage between the potential at the potential and the operating point of the counter electrode 1809. DSは、駆動用トランジスタ1804の端子3 V DS, the terminal 3 of the driving transistor 1804
601での電位と動作点での電位との間の電圧に相当する。 It corresponds to a voltage between the potential at the potential and the operating point at 601. つまり、V In other words, V Tは、V ELとV DSの和に等しい。 T is equal to the sum of V EL and V DS. 【0022】ここで、V GSを変化させた場合について考える。 [0022] In this case, consider the case of changing the V GS. 図11(B)から分かるように、駆動用トランジスタ1804の|V GS −V TH |が大きくなるにつれて、 As can be seen from FIG. 11 (B), the driving transistor 1804 | V GS -V TH | as increases,
言い換えると|V GS |が大きくなるにつれて、駆動用トランジスタ1804に流れる電流量が大きくなる。 In other words | V GS | As increases, the amount of current flowing through the driving transistor 1804 is increased. なお、V THは駆動用トランジスタ1804のしきい値電圧である。 Note that the V TH is the threshold voltage of the driving transistor 1804. よって図11(B)から分かるように、|V GS Therefore, as can be seen from FIG. 11 (B), | V GS
|が大きくなると、動作点において発光素子1806を流れる電流量も当然大きくなる。 | Is increased, the amount of current flowing through the light emitting element 1806 at the operating point becomes naturally large. 発光素子1806の輝度は、発光素子1806を流れる電流量に比例して高くなる。 Luminance of the light emitting element 1806 becomes higher in proportion to the amount of current flowing through the light emitting element 1806. 【0023】|V GS |が大きくなることによって発光素子1806を流れる電流量が大きくなると、電流量に応じてV ELの値も大きくなる。 [0023] | V GS | the amount of current flowing through the light emitting element 1806 by the increase becomes larger, the value of V EL also increases in accordance with the current amount. そしてV Tの大きさは電源供給線(V1〜Vx)の電位によって定まっているので、V ELが大きくなると、その分V DSが小さくなる。 And the size of the V T is definite by the potential of the power supply line (V1 to Vx), the V EL increases, correspondingly V DS becomes smaller. 【0024】また図11(B)に示したように、駆動用トランジスタ1804の電圧電流特性は、V GSとV DSの値によって2つの領域に分けられる。 [0024] As shown in FIG. 11 (B), the voltage-current characteristics of the driving transistor 1804 is divided into two regions by the value of V GS and V DS. |V GS −V TH |< | V GS -V TH | <
|V | V DS |である領域が飽和領域、|V GS −V TH |>|V DS | whose area is the saturation region, | V GS -V TH |> | V
DS |である領域が線形領域である。 DS | whose area is in the linear region. 【0025】飽和領域においては以下の式(1)が成り立つ。 [0025] The following equation in the saturation region (1) is satisfied. なおI DSは駆動用トランジスタ1804のチャネル形成領域を流れる電流量である。 Incidentally I DS is the amount of current flowing through the channel formation region of the driving transistor 1804. またβ=μC 0 W/ The β = μC 0 W /
Lであり、μは駆動用トランジスタ1804の移動度、 It is L, μ is the mobility of the driving transistor 1804,
0は単位面積あたりのゲート容量、W/Lはチャネル形成領域のチャネル幅Wとチャネル長Lの比である。 C 0 is the gate capacitance per unit area, W / L is the ratio of the channel width W and channel length L of the channel formation region. 【0026】 【数1】 I DS =β(V GS −V TH2・・(1) 【0027】また線形領域においては以下の式(2)が成り立つ。 [0026] Equation 1] I DS = β (V GS -V TH) 2 ·· (1) Further the following formula in the linear region (2) is satisfied. 【0028】 【数2】 I DS =β{(V GS −V TH )V DS −V DS 2 }・・・(2) 【0029】式(1)からわかるように、飽和領域において電流量はV DSによってほとんど変化せず、V GSのみによって電流量が定まる。 [0028] Equation 2] I DS = β {(V GS -V TH) V DS -V DS 2} ··· (2) [0029] As can be seen from equation (1), the amount of current in the saturation region hardly changed by V DS, the amount of current is determined solely by V GS. 【0030】また、式(2)からわかるように、線形領域においては、V DSとV GSとにより電流量が定まる。 Further, as can be seen from equation (2), in the linear region, the amount of current is determined by the V DS and V GS. |
GS |を大きくしていくと、駆動用トランジスタ180 V GS | and a is increased, the driving transistor 180
4は線形領域で動作するようになる。 4 is to operate in the linear region. そして、V ELも徐々に大きくなっていく。 Then, V EL also gradually increases. よって、V ELが大きくなった分だけ、V DSが小さくなっていく。 Thus, by an amount corresponding to V EL is increased, V DS becomes smaller. 線形領域においては、 In the linear region,
DSが小さくなると電流量も小さくなる。 V DS is reduced and the amount of current is also reduced. そのため、| Therefore, |
GS |を大きくしていっても、電流量は増加しにくくなってくる。 V GS | even when the began to increase, the amount of current becomes less likely to increase. |V GS |=∞になった時、電流量=I MAXとなる。 | V GS | when = became ∞, the amount of current = I MAX. つまり、|V GS |をいくら大きくしても、I MAX In other words, | V GS | no matter how large, I MAX
以上の電流は流れない。 Or more of the current does not flow. ここで、I MAXは、V EL =V Tの時に、発光素子1806を流れる電流量である。 Here, I MAX, when the V EL = V T, which is the amount of current flowing through the light emitting element 1806. 【0031】このように|V GS |の大きさを制御することによって、動作点を飽和領域にしたり、線形領域にしたりすることができる。 [0031] Thus | V GS | by controlling the size, or the operating point to the saturation region, or can be in the linear region. 【0032】ところで、全ての駆動用トランジスタ18 [0032] By the way, all of the driving transistor 18
04の特性は理想的には全て同じであることが望ましいが、実際には個々の駆動用トランジスタ1804でしきい値V THと移動度μとが異なっていることが多い。 Characteristics of 04 is desirably ideally all the same, in fact, it is often different from a threshold value V TH and the mobility μ in each of the driving transistor 1804. そして個々の駆動用トランジスタ1804のしきい値V THと移動度μとが互いに異なると、式(1)及び式(2)からわかるように、V GSの値が同じでも駆動用トランジスタ1804のチャネル形成領域を流れる電流量が異なってしまう。 And the individual if the threshold V TH of the driving transistor 1804 and the mobility μ are different from each other, as can be seen from equation (1) and (2), the channel of the driving transistor 1804 the value of V GS even same the amount of current flowing through the formation region becomes different. 【0033】図12にしきい値V THと移動度μがずれた駆動用トランジスタ1804の電流電圧特性を示す。 [0033] Figure 12 shows the current-voltage characteristics of the driving transistor 1804 threshold V TH and the mobility μ are shifted. 実線3701が理想の電流電圧特性のグラフであり、37 The solid line 3701 is a graph of current-voltage characteristics of an ideal, 37
02、3703がそれぞれしきい値V THと移動度μとが理想とする値と異なってしまった場合の駆動用トランジスタ1804の電流電圧特性である。 02,3703 is a current-voltage characteristic of the driving transistor 1804 in the case of the threshold V TH and the mobility μ is had different from the value of the ideal, respectively. 【0034】電流電圧特性のグラフ3702、3703 The graph of the current-voltage characteristic 3702,3703
は飽和領域においては同じ電流量ΔI 1だけ、理想の特性を有する電流電圧特性のグラフ3701からずれていて、電流電圧特性のグラフ3702の動作点3705は飽和領域にあり、電流電圧特性のグラフ3703の動作点3706は線形領域にあったとする。 By the same amount of current [Delta] I 1 in the saturation region, be offset from the graph 3701 of the current-voltage characteristic having an ideal characteristic, the operating point 3705 of the graph of the current-voltage characteristic 3702 is in the saturation region, the graph of the current-voltage characteristic 3703 the operating point 3706 of the were in the linear region. その場合、理想の特性を有する電流電圧特性のグラフ3701の動作点3704における電流量と、動作点3705及び動作点3706における電流量のずれをそれぞれΔI In that case, the amount of current at the operating point 3704 of the graph 3701 of the current-voltage characteristic having an ideal characteristic, the current amount of deviation at the operating point 3705 and the operating point 3706, respectively ΔI 2 、ΔI 3 2, ΔI 3
とすると、飽和領域における動作点3705におけるずれΔI 2よりも線形領域における動作点3706におけるずれΔI 3の方が小さくなっている。 When, towards the deviation [Delta] it 3 at the operating point 3706 in the linear region is smaller than the deviation [Delta] I 2 at the operating point 3705 in the saturation region. 【0035】以上の動作分析のまとめとして、駆動用トランジスタ1804のゲート電圧|V GS |に対する電流量のグラフを図13に示す。 [0035] As a summary of the above operation analysis, the gate voltage of the driving transistor 1804 | FIG. 13 shows a graph of the current amount to the | V GS. |V GS |を大きくしていき、駆動用トランジスタ1804のしきい値電圧の絶対値|V TH |よりも大きくなると、駆動用トランジスタ1 | V GS | a gradually increasing, the absolute value of the threshold voltage of the driving transistor 1804 | V TH | becomes larger than the driving transistor 1
804が導通状態となり、電流が流れ始める。 804 becomes conductive, current starts to flow. そして、 And,
さらに|V GS |を大きくしていくと、|V GS |が|V GS In addition | and a is increased, | | V GS V GS | is | V GS
−V TH |=|V DS |を満たすような値(ここでは仮にA -V TH | = | V DS | a satisfying such values (if A is here
とする)となり、飽和領域から線形領域になる。 To), and becomes a linear region from the saturation region. さらに|V GS |を大きくしていくと、電流量が大きくなり、遂には、電流量が飽和してくる。 Furthermore | V GS | and a is increased, the amount of current is increased, finally, the amount of current will come to saturation. その時|V GS |=∞となる。 At that time | V GS | = a ∞. 【0036】図13から分かる通り、|V GS |≦|V TH [0036] As can be seen from FIG 13, | V GS | ≦ | V TH
|の領域では、電流がほとんど流れない。 | In the region, almost no current flows. |V TH |≦| | V TH | ≦ |
GS |≦Aの領域は飽和領域とよばれる領域であり、| V GS | region of ≦ A is an area called a saturation region, |
GS |によって電流量が変化する。 V GS | amount of current is changed by. これは、飽和領域において、発光素子1806に印加される電圧が少しでも変化すると、それに対して発光素子1806を流れる電流が指数関数的に大きく変化するということである。 This is in the saturation region, when the voltage applied to the light emitting element 1806 is changed even slightly, the current flowing through the light emitting element 1806 is that changes exponentially large for it. そして、発光素子1806の輝度は、発光素子1806に流れる電流にほぼ正比例して大きくなる。 The luminance of the light emitting element 1806 increases substantially in proportion to the current flowing through the light emitting element 1806. つまり、|V In other words, | V
GS |の値に応じて発光素子に流れる電流を制御することにより、輝度を制御して階調を得る方式であるアナログ方式は、主に飽和領域で動作される。 GS | By controlling the current flowing through the light emitting element in accordance with the value, the analog system is a method of obtaining a tone by controlling the luminance is operated mainly in the saturation region. 【0037】一方、図13において、A≦|V GS |の領域は線形領域であり、発光素子に流れる電流量は|V GS On the other hand, in FIG. 13, A ≦ | V GS | region is a linear region, the amount of current flowing through the light emitting element | V GS
|及び|V DS |よって電流量が変化する。 | And | V DS | Therefore, the current amount changes. 線形領域においては、発光素子1806に印加される電圧の大きさを変化させても、発光素子1806を流れる電流量は大きく変化しない。 In the linear region, even by changing the magnitude of the voltage applied to the light emitting element 1806, the amount of current flowing through the light emitting element 1806 does not change significantly. デジタル方式は、発光素子がオン状態(その輝度がほぼ100%である状態)、又はオフ状態(その輝度がほぼ0%である状態)の2つの状態のみによって駆動されるが、発光素子をオン状態にするには、 Digital system, the light emitting element is turned on (state luminance is substantially 100%), or OFF state (luminance state is substantially 0%) is driven only by two states, on the light emitting element to state,
A≦|V GS |で動作させると、いつでも電流値はI MAX A ≦ | V GS | Operation at any time the current value I MAX
に近くなるため、その輝度はほぼ100%の状態となる。 It becomes closer Therefore, the luminance is substantially 100% state. また発光素子をオフ状態にするには、|V TH |≧| Also in the light emitting element to off state, | V TH | ≧ |
GS |で動作させると、電流値はほぼゼロとなり、発光素子の輝度はほぼ0%となる。 V GS | When operated, the current value becomes almost zero, the luminance of the light emitting element becomes substantially 0%. つまり、デジタル方式で駆動させる発光装置は、主に|V TH |≧|V GS |、A≦ That is, the light-emitting device to be driven in a digital manner is mainly | V TH | ≧ | V GS |, A ≦
|V GS |の領域で動作される。 | Is operated in the area | V GS. 【0038】 【発明が解決しようとする課題】アナログ方式で駆動させた発光装置において、スイッチング用トランジスタがオンになると、画素に入力されたアナログのビデオ信号は、駆動用トランジスタのゲート電圧となる。 [0038] In the light-emitting device was driven by an analog method [SUMMARY OF THE INVENTION], the switching transistor is turned on, an analog video signal input to the pixel becomes the gate voltage of the driving transistor. このとき、駆動用トランジスタのゲート電極に入力されるアナログのビデオ信号の電圧に対応して、ドレイン領域の電位が定まり、所定のドレイン電流が発光素子に流れ、その電流量に対応した発光量(輝度)で前記発光素子が発光する。 At this time, in response to the voltage of the analog video signal inputted to the gate electrode of the driving transistor, Sadamari the potential of the drain region, a predetermined drain current flows to the light emitting element, light emission amount corresponding to the amount of current ( the light emitting element emits light at luminance). 以上のように、ビデオ信号によって発光素子の発光量が制御され、その発光量の制御によって階調表示がなされる。 As described above, the light emission amount of the light emitting element by the video signal is controlled, the gradation display is performed by controlling the amount of light emission. 【0039】しかし、上記アナログ方式は駆動用トランジスタの特性バラツキに非常に弱いという欠点がある。 [0039] However, the analog method has the drawback of very weak to the characteristic variation of the driving transistor.
仮に各画素の駆動用トランジスタに等しいゲート電圧がかかったとしても、駆動用トランジスタに特性バラツキが生じていれば、同じドレイン電流を供給することはできない。 Even if the same gate voltage is applied to the driving transistor of each pixel, if the characteristic variation occurs in the driving transistor, it is impossible to supply the same drain current. つまり、僅かな駆動用トランジスタの特性バラツキによって、同じ電圧のビデオ信号を入力しても発光素子の発光量が大きく異なってしまう。 That is, the characteristic variation of the small driving transistor, light emission of even light emitting element enter a video signal of the same voltage largely differs. 【0040】このように、アナログ方式は駆動用トランジスタの特性バラツキに対して敏感であり、その点が従来のアクティブ型の発光装置の階調表示における障害となっていた。 [0040] Thus, the analog system is sensitive to characteristic variations of the driving transistor, the point has been an obstacle in the gray scale display of conventional active light emitting device. 【0041】また駆動用トランジスタの特性バラツキに対処するために、デジタル方式で発光装置を駆動させると、発光素子の有機化合物層が劣化したときに、有機化合物層に流れる電流量が変化してしまう。 [0041] In order to cope with variations in the characteristics of the driving transistor and to drive the light emitting device digitally, when the organic compound layer of the light emitting element has deteriorated, the amount of current flowing through the organic compound layer is changed . 【0042】これは、発光素子が経時変化により劣化する性質を有することに起因する。 [0042] This is because the light emitting element has a property to deteriorate due to aging. 図18(A)には、発光素子の劣化前と劣化後の電圧電流特性のグラフを示す。 In FIG. 18 (A) shows a graph of voltage-current characteristics after degradation before and deterioration of the light emitting element. 上述したように、デジタル方式では線形領域で動作する。 As described above, it operates in the linear region digitally. 従って、図18(A)に示すように、発光素子が劣化すると、その電圧電流特性のグラフが変化するため、その動作点がずれてしまう。 Accordingly, as shown in FIG. 18 (A), the light emitting element is deteriorated, since the graph of the voltage-current characteristic changes, shifted its operating point. そうすると、発光素子の両電極間に流れる電流量は変化してしまう。 Then, the amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element varies. 【0043】本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、アナログ方式で駆動させた発光装置において、 [0043] The present invention has been made in consideration of the above situation, in the light emitting device was driven by an analog method,
トランジスタの特性バラツキによる影響を防止し、鮮明な多階調の表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。 To prevent the influence of variations in characteristics of the transistors, and to provide a clear multi-tone light emitting device and a driving method thereof capable of displaying. また本発明は、前記発光装置を表示用の装置として具備した電子機器を提供することを課題とする。 The present invention aims to provide an electronic apparatus including a device for displaying the light emitting device. 【0044】さらに本発明は、経時変化により発光素子の両電極間に流れる電流量の変化を抑制し、鮮明な多階調表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。 [0044] The present invention is to suppress a change in amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element due to aging, it is an object to provide a light emitting device and its driving method capable vivid multi-gradation display . また本発明は、前記発光装置を表示用の装置として具備した電子機器を提供することを課題とする。 The present invention aims to provide an electronic apparatus including a device for displaying the light emitting device. 【0045】 【課題を解決するための手段】本発明は、上述の実情を鑑み、画素に設けられた駆動用トランジスタの特性を特定し、その結果に基づいて画素に入力するビデオ信号を補正することにより、駆動用トランジスタの特性バラツキによる影響を防止した発光装置およびその駆動方法を提供する。 [0045] According to an aspect of the present invention is to provide a situation described above, to identify the characteristics of the driving transistor provided in the pixel, corrects the video signal input to the pixel on the basis of the result it allows to provide a light emitting device and a driving method thereof to prevent the influence of variation in characteristics of the driving transistor. 【0046】また本発明は、発光素子の発光量(輝度) [0046] The present invention, quantity of light from the light emitting element (luminance)
が、発光素子に流れる電流量に制御されることを利用する。 But use to be controlled to the amount of current flowing through the light emitting element. つまり発光素子に所望の電流量が流れるようにすれば、発光素子により所望の発光量を得ることが出来る。 That is, if so desired current amount to the light-emitting element flows, by the light emitting element desired light emission amount can be obtained.
そのため、各画素の駆動用トランジスタの特性に応じたビデオ信号を各画素に入力し、発光素子に所望の電流量が流れるようにする。 Therefore, a video signal corresponding to the characteristics of the driving transistor of each pixel inputted to each pixel, so that a desired amount of current to the light emitting element flows. そうすれば駆動用トランジスタの特性バラツキに影響されることなく、発光素子により所望の発光を得ることが出来る。 Without being affected by the characteristic variations of the driving transistor That way, it is possible to obtain a desired light emission by the light emitting element. 【0047】本発明の基幹である駆動用トランジスタの特性を特定する方法について以下に説明する。 The method for identifying the characteristics of the core in which the driving transistor of the present invention will be described below. まず、発光素子に電流を供給している配線上に電流計を接続して、該発光素子に流れる電流値を測定する。 First, by connecting an ammeter to the wiring that supplies a current to the light emitting element, it measures the current flowing to the light emitting element. 例えば、電源供給線や対向電源線などの発光素子に電流を供給している配線上に電流計を接続し、該発光素子に流れる電流値を測定する。 For example, to connect the ammeter current to the light-emitting element such as a power supply line and the opposing power source line on the wiring that supplies, to measure the current value flowing to the light emitting element. このとき、ソース信号線駆動回路からある特定の画素(好ましくは一画素、複数の画素でもよい)のみにビデオ信号が入力されるようにして、それ以外の画素の発光素子には電流が流れないようにする。 In this case, the specific pixel from the source signal line driver circuit (preferably one pixel, or a plurality of pixels) so as to only the video signal is input, no current flows through the light emitting element of the other pixel so as to. そうすると電流計によって、ある特定の画素のみに流れる電流値を測定することが出来る。 Then the ammeter, there can be measured the current flowing through only the specific pixel. また大きさ(電圧値) The magnitude (voltage value)
の異なるビデオ信号を入力すれば、画素ごとに大きさ(電圧値)の異なるビデオ信号に対応した複数の電流値を測定することが出来る。 By entering the different video signals can be measured a plurality of current values ​​corresponding to the video signals of different magnitude (voltage value) for each pixel. 【0048】本発明は、ビデオ信号をP(P1、P2、 [0048] The present invention, a video signal P (P1, P2,
・・・、Pn、nは少なくとも2以上の自然数)とする。 ···, Pn, n is at least a natural number of 2 or more). 前記ビデオ信号P(P1、P2、・・・、Pn)に対応した電流値Q(Q1、Q2、・・・、Qn)は、表示パネルの全ての画素が非点灯時の電流値I0と表示パネルの画素が1つだけ点灯しているときの電流値I1、 Said video signal P (P1, P2, ···, Pn) to a corresponding current value Q (Q1, Q2, ···, Qn), all the pixels of the display panel and the current value I0 at the time of non-lighting display current value I1 when the pixels of the panel is on only one
I2、・・・、Inの差を計算することにより得られる。 I2, · · ·, obtained by calculating the difference In. PとQを画素ごとに測定したら、補間法を用いて画素の特性を求める。 When P and Q were measured for each pixel, determining characteristics of the pixels using an interpolation method. 補間法とは、関数の二つ以上の点における関数値を用いて、関数値の間の点の近似値を求める計算法、或いはその間の点における関数値を与えて(補間して)関数を拡張する方法である。 The interpolation method, using the function values ​​at two or more points of a function, the calculation method of calculating the approximate value of a point between the function values, or giving function values ​​at intervening points (the interpolation with) Function it is a way to extend. その近似値を与える式は、補間式とよばれ、式(3)に示す。 Formula gives the approximation, called interpolation formula, shown in equation (3). 【0049】 【数3】 Q=F(P)・・・(3) 【0050】画素ごとに測定されたビデオ信号P(P [0049] Equation 3] Q = F (P) ··· (3) [0050] is measured for each pixel video signal P (P
1、P2、・・・、Pn)と、該ビデオ信号に対応した電流値Q(Q1、Q2、・・・、Qn)の値を式(3) 1, P2, ···, and Pn), a current value corresponding to the video signal Q (Q1, Q2, ···, a value of Qn) Equation (3)
に代入すれば補間関数Fが求められる。 Interpolation function F can be obtained by substituting in. そして求められた補間関数Fは、発光装置に設けられた半導体メモリや磁気メモリなどの記憶媒体に記憶される。 The interpolation function F obtained is stored in a storage medium such as a semiconductor memory or a magnetic memory provided in the light emitting device. 【0051】そして発光装置に画像を表示するときには、記憶媒体に記憶された補間関数Fを用いて、各画素の駆動用トランジスタの特性に応じたビデオ信号(P) [0051] and when an image is displayed on the light emitting device, using an interpolation function F stored in the storage medium, a video signal corresponding to the characteristics of the driving transistor of each pixel (P)
を計算して求める。 A is calculated seek. そして求められたビデオ信号(P) And the obtained video signal (P)
を各画素に入力すれば、発光素子に所望の電流量を流すことが出来るので、所望の輝度を得ることができる。 The be input to each pixel, it is possible to flow a desired amount of current to the light emitting element, it is possible to obtain a desired luminance. 【0052】なお本発明における発光装置とは、発光素子を有する画素部及び駆動回路を基板とカバー材との間に封入した表示パネル(発光パネル)、前記表示パネルにIC等を実装した発光モジュール、表示装置として用いられる発光ディスプレイなどを範疇に含む。 It should be noted that the light-emitting device of the present invention, a light-emitting module mounted with IC, etc. pixel portion and a driver circuit to the display panel (light-emitting panel), the display panel enclosed between the substrate and the cover member having a light-emitting element , etc. in the category light emitting display used as a display device. つまり発光装置は、発光パネル、発光モジュール及び発光ディスプレイなどの総称に相当する。 That light emitting device corresponds to a generic term such as a light emitting panel, the light emitting module and a light emitting display. なお本発明の必須の構成要素に発光素子は含まれないが、該発光素子を含まない場合においてもここでは発光装置と称する。 Note emitting elements essential component of the present invention is not included, in this case even if they do not contain the light-emitting element is referred to as a light-emitting device. 【0053】本発明は、発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを有する発光装置であって、前記画素の電流値を測定する電流測定手段、前記電流測定手段の出力を用いて前記画素に対応した補間関数を計算する計算手段、前記補間関数を記憶する記憶手段、及び前記記憶手段に記憶された前記補間関数を用いてビデオ信号を補正する信号補正手段を有することを特徴とする。 [0053] The present invention is a light-emitting device having a display panel in which pixels including a light-emitting element is provided, the current measuring means for measuring a current value of the pixel, the pixel using the output of the current measuring means calculating means for calculating the corresponding interpolation function, characterized by having a signal correction means for correcting the video signal using the interpolation function memory means, and stored in the storage means storing the interpolation function. 【0054】前記電流測定手段は、発光素子の両電極間に流れる電流値を測定する手段を有するものであり、例えば電流計や、抵抗素子及び容量素子で構成され抵抗分割を利用して測定を行う回路などに相当する。 [0054] The current measuring means is one comprising means for measuring a current flowing between both electrodes of the light emitting element, for example a current meter or the measurement by using the composed resistance divided by the resistance element and capacitance element equivalent on a circuit to perform. 前記計算手段及び前記信号補正手段は、計算を行う手段を有するものであり、例えばマイクロコンピュータやCPUなどに相当する。 It said calculating means and said signal correcting means is one comprising means for performing calculations, corresponding in, for example, a microcomputer or a CPU. 前記記憶手段は、半導体メモリや磁気メモリなどの公知の記憶媒体に相当する。 The storage means corresponds to a known storage medium such as a semiconductor memory or a magnetic memory. また、画素が非点灯の状態とは、該画素が有する発光素子が非発光の状態、“黒”の画像信号が入力された画素の状態に相当する。 Further, pixels A non-lighting state, the light emitting device pixel has is equivalent to a state of a pixel image signal is input in the non-emission state, "black". 画素が点灯の状態とは、該画素が有する発光素子が発光の状態、“白”の画像信号が入力された画素の状態に相当する。 Pixels and the state of lighting, the light emitting device pixel has is equivalent to a state of a pixel image signal is inputted in the light emitting state, "white". 【0055】本発明は、表示パネルを有する発光装置の駆動方法であって、前記表示パネルの全ての画素が非点灯の状態における電流値I0を測定し、前記表示パネルの各画素にビデオ信号P1、P2、・・・、Pn(nは自然数)を入力したときの電流値I1、I2、・・・、 [0055] The present invention is a driving method of a light emitting device having a display panel, wherein all the pixels of the display panel measures the current value I0 in the non-lighting state, the video signals P1 to each pixel of the display panel , P2, ···, Pn (n is a natural number) the current value when inputting I1, I2, ···,
Inを測定し、前記電流値I0と前記電流値Inの差Q Measured In, difference Q of the current value In and the current value I0
1、Q2、・・・、Qn及び前記ビデオ信号P1、P 1, Q2, ···, Qn, and the video signal P1, P
2、・・・、Pn及び補間式Q=F(P)を用いて補間関数Fを計算し、前記補間関数Fを用いて前記表示パネルの各画素に入力するビデオ信号を補正することを特徴とする。 2, ..., characterized in that the Pn and interpolation equation Q = with F (P) to calculate the interpolation function F, corrects the video signal input to each pixel of the display panel by using the interpolation function F to. 【0056】本発明における前記画素の代表的な構成としては、前記発光素子の両電極間に流れる電流を制御する第1半導体素子及び前記画素に対するビデオ信号の入力を制御する第2半導体素子、並びに前記ビデオ信号を保持する容量素子とを有する構成が挙げられる。 [0056] Typical structure of the pixel in the present invention, the second semiconductor element which controls a video signal input to the first semiconductor element and the pixel for controlling a current flowing between both electrodes of the light emitting element, and configuration and the like and a capacitive element for holding the video signal. なお、 It should be noted that,
前記半導体素子とは、トランジスタなどのスイッチング機能を有する素子に相当する。 Wherein the semiconductor element corresponds to the element having a switching function such as a transistor. 容量素子とは、電荷を保持する機能を有し、構成する材料は特に限定されない。 The capacitor element has a function of retaining charges, material configuration is not particularly limited. 【0057】上記の構成を有する本発明はアナログ方式で駆動させた発光装置において、トランジスタの特性バラツキによる影響を防止し、鮮明な多階調の表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することができる。 [0057] In the light emitting device The present invention, which was driven by an analog method having the structure described above, to prevent the influence of variations in characteristics of transistors, to provide a light emitting device and a driving method thereof capable of displaying a clear multi-gradation be able to.
さらに本発明は、経時変化により発光素子の両電極間に流れる電流量の変化を抑制し、鮮明な多階調表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することが出来る。 The present invention is to suppress a change in amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element due to aging, it can be provided which can be clear multi-gradation display light-emitting device and a driving method thereof. 【0058】 【発明の実施の形態】(実施の形態)本発明の実施の形態について、図1〜図5を用いて説明する。 [0058] For PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment) An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 【0059】図1に発光装置の回路図の一例を示す。 [0059] An example of a circuit diagram of a light emitting device in FIG. 図1において、発光装置は、画素部103、画素部103 In Figure 1, the light emitting device includes a pixel unit 103, pixel unit 103
の周辺に配置されたソース信号線駆動回路101及びゲート信号線駆動回路102を有している。 And a source signal line driver circuit 101 and the gate signal line driver circuit 102 arranged in the periphery of. なお、図1において発光装置はソース信号線駆動回路101と、ゲート信号線駆動回路102とをそれぞれ1つずつ有しているが、本発明はこれに限定されない。 Note that a source signal line driver circuit 101 is the light emitting device in FIG. 1, although a gate signal line driver circuit 102 one each, the present invention is not limited thereto. 画素100の構成に応じて、ソース信号線駆動回路101とゲート信号線駆動回路102の数は任意に定めることができる。 Depending on the configuration of the pixel 100, the number of source signal line driver circuit 101 and the gate signal line driver circuit 102 may be arbitrarily determined. 【0060】またソース信号線駆動回路101は、シフトレジスタ101a、バッファ101b、サンプリング回路101cを有している。 [0060] The source signal line driver circuit 101 has a shift register 101a, a buffer 101b, and a sampling circuit 101c. しかしながら本発明はこれに限定されず、保持回路などを有していてもよい。 However, the present invention is not limited thereto, may have like holding circuit. 【0061】シフトレジスタ101aにはクロック信号(CLK)及びスタートパルス(SP)が入力される。 [0061] The clock signal to the shift register 101a (CLK) and a start pulse (SP) are inputted. シフトレジスタ101aは、クロック信号(CLK)及びスタートパルス(SP)に基づき、タイミング信号を順に発生させ、バッファ101bを介してサンプリング回路10 Shift register 101a, based on the clock signal (CLK) and a start pulse (SP), to generate a timing signal in order, the sampling circuit 10 through the buffer 101b
1cに順次入力される。 It is sequentially input to 1c. 【0062】シフトレジスタ101aから供給されるタイミング信号は、バッファ101bによって緩衝増幅される。 [0062] The timing signals supplied from the shift register 101a is buffered and amplified by the buffer 101b. タイミング信号が入力される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量が大きくなってしまう。 Wiring the timing signal is input, the load capacity for a number of circuits or elements are connected increases. そのためバッファ101bは、該負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの鈍りを防ぐために設けられている。 Therefore buffer 101b is provided to prevent the dull rise or fall of the timing signal generated for the load capacitance is large. 【0063】サンプリング回路101cは、バッファ1 [0063] sampling circuit 101c, the buffer 1
01bから入力されたタイミング信号に基づいて、ビデオ信号を順に画素100に出力していく。 Based on the input timing signals from 01b, continue to output a video signal sequentially to the pixels 100. サンプリング回路101cは、ビデオ信号線125とサンプリング線(SA1〜SAx)とを有している。 Sampling circuit 101c includes a video signal line 125 and the sampling line (SA1~SAx). なお本発明はこの構成に限定されず、アナログスイッチなどの半導体素子を有していてもよい。 The present invention is not limited to this structure may have a semiconductor device such as an analog switch. 【0064】画素部103は、ソース信号線(S1〜S [0064] pixel 103, a source signal line (Sl to S
x)と、ゲート信号線(G1〜Gy)と、電源供給線(V1〜Vx)と、対向電源線(E1〜Ey)が設けられている。 And x), the gate signal line (G1 to Gy), the power supply line and (V1 to Vx), the opposing power source line (E1~Ey) is provided. また画素部103には、複数の画素100がマトリクス状に設けられている。 The pixel portion 103 includes a plurality of pixels 100 are arranged in matrix. 【0065】電源供給線(V1〜Vx)は、電流計13 [0065] power supply line (V1~Vx), the current total of 13
0を介して電源131に接続されている。 It is connected to the power supply 131 through a 0. なお電流計1 The ammeter 1
30と電源131は、画素部103が形成されている基板とは異なる基板上に形成され、コネクター等を介して画素部103と接続されていてもよいし、作製が可能であれば画素部103と同じ基板上に形成してもよい。 30 and the power source 131 is formed on a different substrate from the substrate on which the pixel portion 103 is formed, may be connected to the pixel portion 103 through a connector or the like, the pixel portion 103 as long as possible to produce it may be formed on the same substrate as the. なお電流計130と電源131の数は特に限定されず、任意に定めることができる。 Note the number of the ammeter 130 and the power source 131 is not particularly limited and can be arbitrarily determined. また電流計130は、発光素子111に電流を供給する配線上に設ければよく、例えば対向電源線(E1〜Ey)に電流計130を接続してもよい。 The ammeter 130 may be provided a current on the wiring for supplying the light emitting element 111, for example, the opposing power source line (E1~Ey) may be connected to the ammeter 130. つまり、電流計130を設ける場所は特に限定されない。 In other words, the location providing the ammeter 130 is not particularly limited. 電流計130は、測定手段に相当する。 Ammeter 130 corresponds to the measuring means. 【0066】そして電流計130により測定された電流値は、データとして補正回路210に送られる。 [0066] The current value measured by the ammeter 130 is sent to the correction circuit 210 as data. 補正回路210は、記憶媒体(記憶手段)211、計算回路(計算手段)202及び信号補正回路(信号補正手段) Correction circuit 210, a storage medium (storage unit) 211, calculation circuit (calculation means) 202 and a signal correction circuit (signal correcting means)
204を有している。 It has a 204. なお補正回路210の構成は、図1に示す構成に限定されず、増幅回路、変換回路などを設けてもよい。 Note of the correction circuit 210 configuration is not limited to the configuration shown in FIG. 1, the amplifier circuit, or the like may be provided conversion circuit. また必要に応じて、記憶媒体211のみを設けてもよく、前記補正回路210の構成は、任意に定めることができる。 If necessary, may be provided only storage medium 211, the configuration of the correction circuit 210 may be arbitrarily determined. 【0067】記憶媒体211は、第1メモリ200、第2メモリ201及び第3メモリ203を有している。 [0067] storage medium 211 includes a first memory 200, second memory 201 and third memory 203. しかし本発明はこれに限定されず、メモリの数は設計者が自由に設計することが出来る。 However, the present invention is not limited to this, the number of the memory can be a designer to design freely. また記憶媒体211としては、ROM、RAM、フラッシュメモリ、磁気テープなどの公知の記憶媒体を用いることが出来る。 As the storage medium 211, ROM, RAM, flash memory, it may be a known storage medium such as a magnetic tape. しかし画素部が設けられている基板上などに一体化して記憶媒体211を設ける場合には、半導体メモリを用いることが好ましく、特にROMを用いることが好ましい。 However, if integrated into such substrate where the pixel portion is provided provided a storage medium 211, it is preferable to use a semiconductor memory, it is particularly preferable to use ROM. またコンピュータの表示装置として、本発明の発光装置を用いる場合には、該コンピュータ内に記憶媒体211を設けてもよい。 Also as a display device of a computer, when the light emitting device of the present invention, the storage medium 211 may be provided in the computer. 【0068】計算回路202は、計算を行う手段を有する。 [0068] calculating circuit 202 has a means for performing calculations. より詳しくは、画素100にビデオ信号P1、P More specifically, the video signal P1, P to the pixel 100
2、・・・、Pnが入力されたときの電流値I1、I 2, ..., a current value when Pn is input I1, I
2、・・・、Inから、画素部103が非発光の状態における電流値I0を減算し、電流値Q1、Q2、・・ 2, ..., from In, the pixel unit 103 subtracts the current value I0 in the non-emission state, the current value Q1, Q2, · ·
・、Qnを算出する手段を有する。 - comprises means for calculating the Qn. また上述した式(3)の補間関数の計算を行う手段を有する。 Also it has means for performing the calculation of the interpolation function of the above-mentioned equation (3). なお計算回路202としては、公知の計算回路、マイクロコンピュータなどを用いることが出来る。 Incidentally as the calculation circuit 202, known calculation circuit, or the like may be used a microcomputer. コンピュータの表示装置として、本発明の発光装置を用いる場合には、該コンピュータ内に計算回路202を設けてもよい。 As display devices for computers, when the light emitting device of the present invention, the calculation circuit 202 may be provided in the computer. 【0069】信号補正回路204は、ビデオ信号を補正する手段を有する。 [0069] The signal correction circuit 204 has a means for correcting the video signal. より詳しくは記憶媒体211に記憶されている画素100の補間関数Fと、上述した式(3)から、画素100に入力されるビデオ信号を補正する手段を有する。 More specifically it has an interpolation function F of the pixels 100 stored in the storage medium 211, from the above equation (3), the means for correcting the video signal input to the pixel 100. なお信号補正回路204としては、 Note The signal correction circuit 204,
公知の信号補正回路、マイクロコンピュータなどを用いることが出来る。 Known signal correction circuit, or the like may be used a microcomputer. コンピュータの表示装置として、本発明の発光装置を用いる場合には、該コンピュータ内に信号補正回路204を設けてもよい。 As display devices for computers, when the light emitting device of the present invention may be provided with a signal correction circuit 204 into the computer. 【0070】ソース信号線(S1〜Sx)は、サンプリング用トランジスタ126を介してビデオ信号線125 [0070] The source signal line (S1 to Sx), the video signal line via the sampling transistor 126 125
に接続されている。 It is connected to the. サンプリング用トランジスタ126 The sampling transistor 126
のソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号線S A source region and a drain region of the one source signal line S
(S1〜Sxのいずれか一つ)に接続され、もう一方はビデオ信号線125に接続されている。 Connected to (one of S1 to Sx), the other is connected to the video signal line 125. そしてサンプリング用トランジスタ126のゲート電極は、サンプリング線SA(SA1〜SAxのいずれか一つ)に接続されている。 The gate electrode of the sampling transistor 126 is connected to the sampling line SA (one of SA1~SAx). 【0071】次いで、i列目j行目に設けられた画素1 [0071] Then, a pixel 1 which is provided in the i-th column j-th row
00の拡大図を図2に示す。 An enlarged view of the 00 shown in FIG. 画素(i,j)において、 In pixel (i, j),
111は発光素子、112はスイッチング用トランジスタ、113は駆動用トランジスタ、114はコンデンサである。 111 light emitting element, 112 denotes a switching transistor, 113 is a driving transistor, 114 is a capacitor. 【0072】スイッチング用トランジスタ112のゲート電極は、ゲート信号線(Gi)に接続されている。 [0072] The gate electrode of the switching transistor 112 is connected to the gate signal line (Gi). スイッチング用トランジスタ112のソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号線(Si)、もう一方は駆動用トランジスタ113のゲート電極に接続されている。 A source region and a drain region of the switching transistor 112, one source signal line (Si), and the other one is connected to the gate electrode of the driving transistor 113. スイッチング用トランジスタ112は、画素100 Switching transistor 112, the pixel 100
に信号を入力するときのスイッチング素子として機能するトランジスタである。 A transistor functioning as a switching element when a signal is inputted into. なおスイッチング用トランジスタ112が接続しているソース信号線(Si)は、図1 Note the source signal line switching transistor 112 is connected (Si) is 1
に示すようにサンプリング用トランジスタ126を介してビデオ信号線125に接続されているが、図2では図示を省略している。 It is connected to the video signal line 125 through the sampling transistor 126 as shown in, are not shown in FIG. 【0073】コンデンサ114は、スイッチング用トランジスタ112が非選択状態(オフ状態)にあるときに、駆動用トランジスタ113のゲート電圧を保持するために設けられている。 [0073] Capacitor 114 includes a switching transistor 112 when in a non-selected state (OFF state), is provided to hold the gate voltage of the driving transistor 113. なお本実施の形態では、コンデンサ114を設ける構成にしたが、本発明はこれに限定されず、コンデンサ114を設けない構成にしてもよい。 In the present embodiment has a configuration in which the capacitor 114, the present invention is not limited thereto, it may be configured without the capacitor 114. 【0074】駆動用トランジスタ113のソース領域は、電源供給線(Vi)に接続され、ドレイン領域は発光素子111に接続される。 [0074] The source region of the driving transistor 113 is connected to a power supply line (Vi), the drain region is connected to the light emitting element 111. 電源供給線(Vi)は、電流計130を介して電源131に接続されており、常に一定の電源電位が与えられている。 Power supply line (Vi) is connected to the power supply 131 through the ammeter 130, it is always given constant power supply potential. また電源供給線Vi The power supply line Vi
はコンデンサ114に接続されている。 It is connected to a capacitor 114. 駆動用トランジスタ113は、発光素子111に供給する電流を制御するための素子(電流制御素子)として機能するトランジスタである。 The driving transistor 113 is a transistor functioning as an element (current control element) for controlling the current supplied to the light emitting element 111. 【0075】発光素子111は、陽極及び陰極、並びに前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機化合物層とからなる。 [0075] emitting element 111 includes an anode and a cathode, and an organic compound layer and provided between the anode and the cathode. 陽極が駆動用トランジスタ113のドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。 When the anode is connected to the drain region of the driving transistor 113, the anode is the pixel electrode, the cathode is a counter electrode. 逆に陰極が駆動用トランジスタ113のドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。 If the cathode reversed is connected to the drain region of the driving transistor 113, the cathode is the pixel electrode, the anode becomes the opposing electrode. 【0076】なお、発光素子とは、一対の電極(陽極と陰極)間に有機化合物層が挟まれた構造とする。 [0076] Note that the light-emitting element, an organic compound layer is sandwiched structure between a pair of electrodes (anode and cathode). 有機化合物層は、公知の発光材料を用いて作製することが出来る。 The organic compound layer can be manufactured using a known light emitting material. また有機化合物層には、単層構造と積層構造の二つの構造があるが、どちらの構造を用いてもよい。 Also the organic compound layer, there are two structures of the single-layer structure and multilayer structure, may be used either structure. 有機化合物層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)とがあるが、どちらの発光を用いてもよい。 The luminescence in the organic compound layer, and a singlet excited state emission in returning to a base state from (fluorescence), light emission in returning to a base state from a triplet excited state (phosphorescence) and, either emission it may be used. 【0077】発光素子の対向電極は、対向電源121に接続されている。 [0077] The counter electrode of the light emitting element is connected to the opposing power source 121. なお、対向電源121の電位を対向電位と呼ぶ。 Incidentally, it referred to the potential of the opposing power source 121 and the opposing electric potential. 画素電極の電位と対向電極の電位の差が駆動電圧であり、当該駆動電圧が有機化合物層にかかる。 The difference in potential of the counter electrode of the pixel electrode is a drive voltage, the drive voltage is applied to the organic compound layer. 【0078】次いで、図1、図2で示した本発明の発光装置において、画素100に設けられた駆動用トランジスタ113の特性を特定し、その結果に基づいて画素1 [0078] Next, FIG. 1, the light-emitting device of the present invention shown in FIG. 2, to identify the characteristics of the driving transistor 113 provided in the pixel 100, the pixel 1 on the basis of the result
00に入力するビデオ信号を補正する方法について、図3(A)を用いて説明する。 The method of correcting a video signal to be input to 00 will be described with reference to FIG. 3 (A). なお説明を分かりやすくするために各段階をステップ1〜ステップ5とする。 Note each step and steps 1 to 5 for clarity of explanation. また図3(B)には、補正回路210を示しているので、図3(A)、(B)をそれぞれ参照するとよい。 Also in the FIG. 3 (B), the it indicates correction circuit 210, FIG. 3 (A), the reference may be made, respectively (B). 【0079】図4は発光装置に設けられた駆動回路(ソース信号線駆動回路101、ゲート信号線駆動回路10 [0079] Figure 4 is a drive circuit provided in the light emitting device (a source signal line driver circuit 101, a gate signal line driver circuit 10
2)から出力される信号のタイミングチャートを示している。 It shows a timing chart of signals output from the 2). 画素部103には、ゲート信号線がy本設けられているので、1フレーム期間中にy個のライン期間(L The pixel portion 103, the gate signal line is provided y the present, y-number of line periods in one frame period (L
1〜Ly)が設けられている。 1~Ly) is provided. 【0080】図4(A)は、1ライン期間(L)において、1本のゲート信号線G(G1〜Gyのいずれか一つ)が選択され、y本のゲート信号線(G1〜Gy)が選択されると1フレーム期間が経過する様子を示している。 [0080] FIG. 4 (A), in one line period (L), 1 pieces of gate signal line G (any one of G1 to Gy) are selected, y of gate signal lines (G1 to Gy) There one frame period when selected indicates how the course. 図4(B)は、x本のサンプリング線SA(SA1 FIG. 4 (B), x the sampling lines SA (SA1
〜SAxのいずれか一つ)が順に選択され、全てのサンプリング線(SA1〜SAx)が選択されると1ライン期間が経過する様子を示している。 One of ~SAx) are sequentially selected, shows how the 1-line period when all the sampling line (SA1~SAx) is selected elapses. 図4(C)は、ステップ1においてソース信号線(S1〜Sx)にビデオ信号P0が入力される様子を示している。 FIG. 4 (C) shows a state in which the video signal P0 is input to the source signal line (S1 to Sx) in the step 1. 図4(D)は、 FIG. 4 (D)
ステップ2においてソース信号線(S1〜Sx)にビデオ信号P1、P2、P3、P0が入力される様子を示している。 Step video signal to the source signal line (S1 to Sx) in 2 P1, P2, P3, P0 indicates a state to be entered. 【0081】まずステップ1において、画素部103を全黒の状態にする。 [0081] First, in step 1, the pixel portion 103 in the all-black state. 全黒の状態とは、全ての発光素子1 The all-black state, all the light-emitting element 1
11を非発光の状態、全ての画素を非点灯の状態にするということである。 11 a non-emission state is that a state of non-lighting all the pixels. 図4(C)には、ステップ1においてソース信号線(S1〜Sx)にビデオ信号P0が入力される様子が示されている。 FIG. 4 (C) shows how the video signal P0 is input to the source signal line (S1 to Sx) in the step 1. なお図4(C)には、1ライン期間において、ソース信号線(S1〜Sx)にビデオ信号P0が入力される様子のみが図示されているが、 Note in FIG. 4 (C), in one line period, only how the video signal P0 is input to the source signal line (S1 to Sx) are shown,
実際は1フレーム期間(F)に設けられた全てのライン期間(L1〜Ly)において行われる。 In fact it takes place in all the line periods provided in 1 frame period (F) (L1~Ly). そして1フレーム期間において、全ての画素100に同じビデオ信号P And in one frame period, the same video signal to all the pixels 100 P
0が入力されると、画素部103に設けられた全ての発光素子111は非発光の状態(全黒の状態)になる。 When 0 is input, all the light emitting elements 111 provided in the pixel portion 103 becomes the non-emission state (all-black state). 【0082】このような状態になったら、電流計130 [0082] Once this happens, the ammeter 130
を用いて電源供給線(V1〜Vx)に流れる電流値I0 Current flowing through the power supply line (V1 to Vx) using a value I0
を測定する。 To measure. このとき測定される電流値I0は、発光素子111が有する陽極と陰極間の一部がショートしていたり、画素100の一部がショートしていたり、画素部103に接続されたFPCが正確に接続されていなかったりする場合に流れてしまった電流値に相当する。 Current value I0 is measured at this time, or shorted part is between an anode and a cathode in the light-emitting element 111 has, or have short part of the pixel 100, FPC exactly connected to the pixel portion 103 corresponds to the current value fell through when you or not connected. そして測定された電流値I0は、補正回路210に設けられた第1メモリ200に保存され、ステップ1が終了する。 The measured current value I0 is stored in the first memory 200 provided in the correction circuit 210, Step 1 is completed. 【0083】次いでステップ2において、画素部103 [0083] Then, in step 2, a pixel portion 103
に設けられた画素100にそれぞれ異なるビデオ信号P Different video signals to the pixels 100 provided in the P
1、P2、P3、P0を入力する。 To enter the 1, P2, P3, P0. 【0084】本実施の形態では、図4(D)に示すように、階段状に変化させた4つのビデオ信号P1、P2、 [0084] In this embodiment, as shown in FIG. 4 (D), 4 single video signal which is varied stepwise P1, P2,
P3、P0をソース信号線(S1〜Sx)に入力している。 The P3, P0 is input to the source signal line (S1~Sx). つまり1ライン期間(L)で、1つの画素100に4つのビデオ信号P1、P2、P3、P0を入力し、1 In other words, in one line period (L), and inputted to one pixel 100 four video signals P1, P2, P3, P0, 1
フレーム期間(F)で画素部103に設けられた全ての画素100に4つのビデオ信号P1、P2、P3、P0 To all the pixels 100 in the pixel portion 103 in a frame period (F) 4 single video signal P1, P2, P3, P0
を入力する。 To enter. 【0085】そして、3つのビデオ信号P1、P2、P [0085] Then, three of the video signal P1, P2, P
3に対応した、駆動用トランジスタ113に流れた電流、つまり電源供給線(V1〜Vx)に流れた電流値を電流計130により測定する。 Corresponding to 3, current flowing through the driving transistor 113, i.e. the value of the current that flowed in the power supply line (V1 to Vx) is measured by the ammeter 130. 【0086】なおここでは、1ライン期間(L)において、1つの画素に階段状に変化させた4つのビデオ信号P1、P2、P3、P0を入力したが、本発明はこれに限定されない。 [0086] Note that here, in one line period (L), 4 single video signal which is varied stepwise in one pixel P1, P2, P3, P0 has been entered, and the present invention is not limited thereto. 例えば、1ライン期間(L)にビデオ信号P1のみを入力し、次の1ライン期間(L)にビデオ信号P2を入力し、また次の1ライン期間(L)にビデオ信号P3を入力してもよい。 For example, 1 line period (L) only the video signal P1 type the inputs a video signal P2 to the next one line period (L), also enter a video signal P3 to the next one line period (L) it may be. また本実施の形態では、 In this embodiment also,
階段状に変化させた4つのビデオ信号P1、P2、P Four video signals is varied stepwise P1, P2, P
3、P0を入力したが、本発明は大きさ(電圧値)の異なるビデオ信号を入力して、該大きさ(電圧値)の異なるビデオ信号に対応した電流値を測定すればよい。 3, P0 has been entered, and the present invention is to input video signals of different magnitude (voltage value) may be measured a current value corresponding to the different video signals the magnitude (voltage value). 例えばランプ状(のこぎり刃状)に変化させたビデオ信号を入力して、ある一定の期間ごとに電流計130を用いて複数の電流値を測定するようにしてもよい。 For example ramp-like to input video signal is changed to (sawtooth), may be measured a plurality of current values ​​by using the ammeter 130 for each certain period of time. 【0087】ここで、1例として、j行目のゲート信号線(Gj)がゲート信号線駆動回路102から供給されるゲート信号によって選択される場合について説明する。 [0087] Here, as an example, the case where the j-th row of the gate signal line (Gj) is selected by a gate signal supplied from the gate signal line driver circuit 102. 1ライン期間(Lj)には、一つの画素100に4 The one line period (Lj), 4 in one pixel 100
つのビデオ信号P1、P2、P3、P0が入力されるので、ビデオ信号が入力された画素100(ここでは(1、j)に設けられた画素100とする)以外は、全てオフ状態にある。 Since One of the video signals P1, P2, P3, P0 is input, the pixel 100 video signal is input (here the pixels 100 provided in (1, j)) except all in the OFF state. そのため、電流計130で測定される電流値は、ある特定の画素(着目している画素)10 Therefore, the current value measured by the ammeter 130, a particular pixel (pixel is focused) 10
0の駆動用トランジスタ113を流れる電流値とステップ1で測定された電流値I0を足した値となる。 Value obtained by adding the measured current value I0 in the current value and the step 1 through the driving transistor 113 becomes zero. そして、(1、j)に設けられた画素100において、P Then, in the pixel 100 provided in (1, j), P
1、P2、P3の各々のビデオ信号に対応した電流値I 1, P2, current values ​​corresponding to each video signal P3 I
1、I2、I3を測定して、該電流値IA、IB、IC 1, I2, I3 to measure, current value IA, IB, IC
を第2メモリ201に保存する。 Save the second memory 201. 【0088】次いで、画素(1、j)にビデオ信号P0 [0088] Then, a video signal P0 to a pixel (1, j)
を入力し、画素100の発光素子111を非発光の状態、画素(1、j)を非点灯の状態にする。 Enter a, to the state of non-light emitting elements 111 of the pixels 100, pixels (1, j) in the non-lighting state. これは、次の画素(2、j)を測定するときに、電流が流れてしまうことを防ぐためである。 This is when measuring the next pixel (2, j), it is to prevent the current flows. 【0089】そして次に、(2、j)に設けられた画素100に、4つのビデオ信号P1、P2、P3、P0を入力する。 [0089] and then, the pixel 100 provided in the (2, j), and inputs the four video signals P1, P2, P3, P0. ビデオ信号P1、P2、P3に対応した電流値I1、I2、I3を取得して、第2メモリ201に保存する。 It acquires the current value I1, I2, I3 corresponding to the video signal P1, P2, P3, is stored in the second memory 201. 【0090】このようにして上述した動作を繰り返し、 [0090] repeats the above operation this way,
j行目に設けられた1列目からx列目までの画素100 Pixels from the first row provided in the j-th row to column x 100
にビデオ信号の入力が終了する。 Input of the video signal is terminated. つまり、全てのソース信号線(S1〜Sx)へのビデオ信号の入力が終了すると、1つのライン期間Ljが終了する。 That is, when the input video signal to all the source signal lines (S1 to Sx) ends, one line period Lj is ended. 【0091】そして、次のライン期間L j+1となり、ゲート信号線駆動回路102から供給されるゲート信号によってゲート信号線G j+1が選択される。 [0091] Then, the next line period L j + 1, and the gate signal line G j + 1 by a gate signal supplied from the gate signal line driver circuit 102 is selected. そして、全てのソース信号線(S1〜Sx)に4つのビデオ信号P Then, all the source signal lines (S1 to Sx) 4 single video signal P
1、P2、P3、P0が入力される。 1, P2, P3, P0 is input. 【0092】このようにして上述した動作を繰り返し、 [0092] repeats the above operation this way,
全てのゲート信号線(G1〜Gy)にゲート信号が入力されると、全てのライン期間(L1〜Ly)が終了する。 When the gate signal to all of the gate signal line (G1 to Gy) is input, all the line periods (L1 to Ly) are completed. そして全てのライン期間(L1〜Ly)が終了すると、1フレーム期間が終了する。 And all line periods (L1 to Ly) are the ends, one frame period is completed. 【0093】こうして画素部103に設けられた画素1 [0093] Thus the pixel 1 in the pixel portion 103
00に入力された3つのビデオ信号P1、P2、P3に対応する電流値I1、I2、I3を測定することが出来る。 00 three video signals inputted to the P1, P2, a current value corresponding to the P3 I1, I2, I3 can be measured. そして得られたデータは、第2メモリ201に保存される。 And the resulting data is stored in the second memory 201. 【0094】そして、計算回路202において、画素部103に設けられた画素100ごとに電流値I1、I [0094] Then, the calculation circuit 202, a current value for each pixel 100 in the pixel portion 103 I1, I
2、I3から、ステップ1において第1メモリ200に保存された電流値I0との差を求めて、電流値Q1(= From 2, I3, and obtains the difference between the current value I0 stored in the first memory 200 in step 1, the current value Q1 (=
I1-I0)、Q2(=I2-I0)、Q3(=I3-I I1-I0), Q2 (= I2-I0), Q3 (= I3-I
0)を求める。 0) is determined. そして電流値Q1、Q2、Q3は第2メモリ201に保存され、ステップ2は終了する。 The current value Q1, Q2, Q3 are stored in the second memory 201, step 2 is completed. 【0095】なお画素部103にショートしている画素がなく、また画素部103に接続されたFPCなどが正確に接続されている場合には、電流値I0はゼロ、又はほぼゼロである値が測定される場合がある。 [0095] Note that if no pixels that are shorted to the pixel portion 103, also the FPC or the like connected to the pixel portion 103 is correctly connected, the current value I0 zero, or a value nearly zero there is a case to be measured. このような場合には、画素部103に設けられた画素100ごとに電流値I1、I2、I3から、電流値I0を引く動作や電流値I0を測定する動作を削除してもよく、これは任意に設定することが出来る。 In such a case, the current value I1, I2, I3 for each pixel 100 in the pixel portion 103 may be deleted operation of measuring the behavior and current value I0 subtracting the current value I0, which is it can be set to any. 【0096】次いでステップ3においては、上述した式(1)を用いて、計算回路202において、各画素の駆動用トランジスタの電流電圧特性(I DS −V GS特性)を取得する。 In [0096] Next Step 3, using equation (1) described above, the calculation circuit 202, and acquires the current-voltage characteristics of the driving transistor of each pixel (I DS -V GS characteristic). なお式(1)において、I DS →I、V GS It should be noted that in equation (1), I DS → I , V GS →
P、V TH →Bとし、Q=I-I0とすると、以下の式(4)が求められる。 P, and V TH → B, When Q = I-I0, of formula (4) is obtained below. 【0097】 【数4】 Q=A*(P−B) 2・・・(4) 【0098】式(4)において、AとBは定数である。 [0097] Equation 4] Q = A * (P-B ) 2 ··· (4) [0098] formula (4), A and B are constants.
定数Aと定数Bは少なくとも2組の(Pn、Qn)のデータがあれば求めることができる。 Constants A and constant B can be obtained if there is data of at least two sets of (Pn, Qn). つまり、ステップ2 In other words, step 2
において求めた少なくとも2つの大きさ(電圧値)の異なるビデオ信号(Pn)と、そのビデオ信号(Pn)に対応した少なくとも2つの電流値(Qn)を式(3)に代入すれば、定数Aと定数Bを求めることが出来る。 And at least two magnitude (voltage value) of different video signals (Pn) obtained in, by substituting at least two current values ​​corresponding to the video signal (Pn) to (Qn) in the equation (3), constant A it can be obtained a constant B. そして、定数Aと定数Bは第3メモリ203に保存される。 The constants A and constant B are stored in the third memory 203. 【0099】第3メモリ203に保存された定数Aと定数Bを用いることで、ある電流値(Qn)を流すために必要なビデオ信号(Pn)の値を求めることができる。 [0099] By using the third constants A and constant B stored in the memory 203, it is possible to determine the value of the video signal (Pn) required to pass certain current value (Qn).
その際には、以下の式(5)を用いる。 At that time, using the following equation (5). 【0100】 【数5】 P=(Q/A) 1/2 +B={(I-I0)/A} 1/2 +B・・・(5) 【0101】ここで、一例として式(4)、式(5)を用いて、画素D、画素E、画素Fの定数Aと定数Bの値を求め、それをグラフに示したものを図5に示す。 [0100] Equation 5] P = (Q / A) 1/2 + B = {(I-I0) / A} 1/2 + B ··· (5) [0102] Here, the formula as an example (4) , using equation (5), the pixel D, pixel E, obtains the value of the constant a and constant B of the pixel F, shown in Figure 5 shows it in the graph. 図5 Figure 5
に示すように、画素D、画素E、画素Fに同じビデオ信号(ここでは一例としてビデオ信号P2とする)を入力した場合、画素DではIqで示す電流が流れ、画素EではIrで示す電流が流れ、画素FではIpで示す電流が流れている。 As shown in, the pixel D, pixel E, if you enter the same video signal to the pixel F (where the video signal P2 as an example), current flows as indicated by Iq in the pixel D, the current indicated by Ir in the pixel E flows, flows a current indicated by Ip in the pixel F. つまり同じビデオ信号(P2)を入力しても、画素D、E、Fに設けられたトランジスタの特性が異なるために、電流値が異なってしまっている。 That also enter the same video signal (P2), the pixel D, E, to the characteristics of the transistors provided differ F, they've different current values. そこで本発明はこのような特性バラツキの影響を抑制するために、上述した式(4)を用いて、画素100の特性に応じたビデオ信号を画素100に入力する。 The present invention is to suppress the influence of such a characteristic variation, using Equation (4) described above, a video signal is input according to the characteristics of the pixel 100 to pixel 100. 【0102】なお図5では、画素D、画素E、画素Fの特性を式(4)、式(5)を用いて2次曲線で示したが、本発明はこれに限定されない。 [0102] In FIG. 5, the pixel D, pixel E, wherein the characteristics of the pixel F (4), is shown by a quadratic curve using Equation (5), the present invention is not limited thereto. 図16には、以下の式(6)を用いて画素D、画素E、画素Fに入力したビデオ信号(P)と、該ビデオ信号(P)に対応した電流値(Q)との関係を直線としたグラフを示す。 16, the following pixels D using equation (6), a pixel E, a video signal input to the pixel F (P), a current value corresponding to the video signal (P) the relationship between the (Q) It shows a graph of a straight line. 【0103】 【数6】 Q=a*P+b・・・(6) 【0104】式(6)にステップ2で求めた画素ごとの電圧値(P)と電流値(Q)を代入することで、定数a [0103] [6] Q = a * P + b ··· (6) [0104] By substituting equation voltage value of each pixel obtained in step 2 in (6) (P) and the current value (Q) , constant a
と定数bを求める。 And seek the constant b. そして、求められた定数aと定数b Then, the obtained constants a and constant b
は、画素100ごとに第3メモリ203に保存されてステップ3は終了する。 It is stored in the third memory 203 for each pixel 100 Step 3 terminates. 【0105】図16に示すグラフは、図5に示すグラフと同じように、画素D、画素E、画素Fに同じビデオ信号(ここでは一例としてビデオ信号P2とする)を入力した場合、画素DではIqで示す電流が流れ、画素EではIrで示す電流が流れ、画素FではIpで示す電流が流れている。 [0105] The graph shown in FIG. 16, like the graph shown in FIG. 5, the pixel D, if you enter the pixel E, the same video signal to the pixel F (and video signal P2 as an example here), a pixel D in current flows indicated by Iq, current flows as indicated by Ir in the pixel E, and current flows as indicated by Ip in the pixel F. つまり同じビデオ信号(P2)を入力しても、画素100に設けられたトランジスタの特性が異なるために、電流値が異なってしまっている。 That also enter the same video signal (P2), to the characteristics of the transistors provided in the pixel 100 are different, they've different current values. そこで本発明はこのような特性バラツキの影響を抑制するために、 The present invention is to suppress the influence of such a characteristic variation,
上述した式(6)を用いて、画素100の特性に応じたビデオ信号を画素100に入力する。 Using the foregoing equation (6), and inputs a video signal corresponding to the characteristics of the pixel 100 to pixel 100. 【0106】なお、ビデオ信号の電圧値(P)と電流値(Q)との関係を特定する方法としては、図5に示すように2次曲線で示すことにより特定してもよいし、図1 [0106] As a method for specifying the relationship between the voltage value of the video signal (P) current value (Q) may be identified by indicating a quadratic curve as shown in FIG. 5, FIG. 1
6に示すように直線で示すことにより特定してもよい。 It may be identified by indicating a straight line as shown in 6.
またスプライン曲線(スプライン関数)やベジェ曲線(ベジェ関数)で特定してもよいし、また曲線上にうまく電流値がのらない場合には、最小自乗法を用いて曲線(1次関数)を最適化してもよく、その方法は特に限定されない。 Also it may be identified by a spline curve (spline function) and Bezier curves (Bezier function), also when the work current value on the curve is not ride the curve (a linear function) using the method of least squares may be optimized, the method is not particularly limited. 【0107】続いて、ステップ4において、信号補正回路204において、上述した式(5)(又は式(6)) [0107] Subsequently, in step 4, the signal correction circuit 204, and equation (5) (or formula (6))
などを用いて各画素100の特性に応じたビデオ信号の値を計算する。 Calculating the value of the video signal corresponding to the characteristic of each pixel 100 by using a. そうするとステップ4は終了し、ステップ5において、計算されたビデオ信号を画素100に入力すれば、駆動用トランジスタの特性バラツキの影響を抑制して、発光素子に所望の電流を流すことが可能となり、その結果所望の発光量(輝度)を得ることが出来る。 Then Step 4 is terminated, in step 5, by entering the calculated video signal to the pixel 100, to suppress the influence of variation in characteristics of the driving transistor, it becomes possible to flow a desired current to the light emitting element, As a result the desired amount of light emission can be obtained (luminance). なお画素100ごとに求められた定数Aと定数B Incidentally constant A and constant B determined for each pixel 100
(又は定数aと定数b)の値が一旦第3メモリ203に保存されたら、後はステップ4とステップ5を交互に繰り返せばよい。 (Or constant a and the constant b) When the value of is temporarily stored in the third memory 203, later it may be repeated Step 4 and Step 5 alternately. 【0108】ここで再び図5を参照する。 [0108] Referring now to FIG. 5 again. 仮に、画素D、画素E、画素Fを同じ輝度で発光させたいときは、 If, when it is desired to light emitting pixel D, pixel E, pixel F in the same brightness,
同じ電流値Irを流すことが必要となる。 It is necessary to flow a same current value Ir. そのためには、駆動用トランジスタの特性に応じたビデオ信号を入力することが必要であり、図5に示すように、画素Dにはビデオ信号P1を入力し、画素Eにはビデオ信号P2 For that purpose, it is necessary to input a video signal corresponding to characteristics of the driving transistors, as shown in FIG. 5, a video signal is input P1 to the pixel D, the video signal to the pixel E is P2
を入力し、画素Fにはビデオ信号P3を入力することが必要となる。 Enter a, it is necessary to enter the video signal P3 to the pixel F. そのためには、ステップ4において、各画素の特性に応じたビデオ信号を求め、その求められた信号を各画素に入力することが必須となる。 For this purpose, in step 4, it obtains a video signal corresponding to the characteristics of each pixel, and thus is essential to enter the sought signal to each pixel. 【0109】なお電流計130を用いて複数の異なるビデオ信号に対応した複数の電流値を測定する動作(ステップ1〜ステップ3の動作)は、実際に画像を表示させる直前、又は直後に行ってもよいし、ある一定の期間ごとに行ってもよい。 [0109] Note that the ammeter 130 operation of measuring a plurality of current values ​​corresponding to a plurality of different video signals using the (operation of Step 1 to Step 3), just before to actually display the image, or go immediately it may be, may be carried out for each a certain period of time. また記憶手段に所定の情報を記憶させる前に行ってもよい。 Or it may be performed prior to storing the predetermined information in the storage means. さらに出荷前のみに行ってもよいが、その場合には計算回路202において計算された補間関数Fを一旦記憶媒体211に記憶させて、該記憶媒体211を画素部103と一体化形成すればよい。 May be only carried out further before shipment, the once stored in the storage medium 211 the calculated interpolation function F in the calculation circuit 202 in the case, the storage medium 211 may be integrally formed with the pixel portion 103 . そうすれば、後は記憶媒体211に記憶された補間関数F That way, the interpolation function F stored in the storage medium 211 after
を参照して、画素の特性に応じたビデオ信号を計算することができるので、電流計130を発光装置に設ける必要がない。 See, it is possible to calculate the video signal corresponding to the characteristic of the pixel, it is not necessary to provide the ammeter 130 to the light emitting device. 【0110】なお本実施の形態においては、補間関数F [0110] In this embodiment, the interpolation function F
が記憶媒体211に記憶されたら、それをもとに画素1 Once but stored in a storage medium 211, the pixel 1 based on it
00に入力するビデオ信号を計算回路202において随時計算して、その計算したビデオ信号を画素100に入力しているが、本発明はこれに限定されない。 00 a video signal to be input from time to time calculated in the calculation circuit 202, while entering the calculated video signal to the pixel 100, the present invention is not limited thereto. 【0111】例えば記憶媒体211に記憶された補間関数Fを基に、表示される画像の階調数に対応したビデオ信号を、あらかじめ画素100ごとに計算回路202において計算しておき、その計算されたビデオ信号を記憶媒体211に記憶させておいてもよい。 [0111] Based on the interpolation function F stored in, for example, the storage medium 211, a video signal corresponding to the gradation number of the image to be displayed in advance calculated in the calculation circuit 202 in advance for each pixel 100, is the calculated the video signal may be stored in the storage medium 211. 例えば16階調で画像を表示するとしたら、該16階調分の16個のビデオ信号を画素100ごとにあらかじめ計算しておく。 For example, if want to display an image with 16 gradations, keep 16 of the video signal of the 16 gradations previously calculated for each pixel 100.
そして計算したビデオ信号は、記憶媒体211に記憶させておく。 The calculated video signal and stored in the storage medium 211. そうすれば、画素100ごとにある階調を表示するときに入力するビデオ信号の情報が記憶媒体21 That way, the video signal information storage medium 21 to enter when displaying gradation in each pixel 100
1に記憶されているので、その情報をもとに、画像を表示することが出来る。 Because it is stored in 1, based on the information, the image can be displayed. つまり、計算回路202を発光装置に設けなくても、記憶媒体211に記憶させた情報をもとに画像を表示することが出来る。 In other words, without providing a calculation circuit 202 to the light emitting device, the information stored in the storage medium 211 can be displayed an image based. 【0112】また表示される画像の階調数に対応したビデオ信号を、あらかじめ画素100ごとに計算回路20 [0112] Also calculate the video signal corresponding to the gradation number of the image displayed, in advance for each pixel 100 circuit 20
2において計算しておくときには、該ビデオ信号に、ガンマ値でガンマ補正をしたビデオ信号を記憶媒体211 When to be calculated at 2, to the video signal, storing video signals obtained by the gamma correction with a gamma value medium 211
に記憶させておいてもよい。 It may be stored in. なお用いるガンマ値は、画素部で共通であってもよいし、各画素で異なっていてもよい。 Incidentally gamma value used may be a common pixel portion or may be different at each pixel. そうすると、より鮮明な画像を表示することが出来る。 Then, it is possible to display a clearer image. 【0113】 【実施例】(実施例1)本発明は、図2とは異なる構成の画素の発光装置にも適用できる。 [0113] [Example] (Example 1) The present invention is also applicable to the light emitting device of a pixel having a structure different from that of FIG. 本実施例ではその一例について図6、図18(B)(C)を用いて説明する。 In the present embodiment 6 an example thereof will be described with reference to FIG. 18 (B) (C). 【0114】図6に示す画素(i、j)は、発光素子3 [0114] In a pixel shown in FIG. 6 (i, j) is the light-emitting element 3
11、スイッチング用トランジスタ312、駆動用トランジスタ313、消去用トランジスタ315及び保持容量314とを有する。 11, the switching transistor 312, a driving transistor 313, and an erasing transistor 315 and the storage capacitor 314. また画素100は、ソース信号線(Si)、電源供給線(Vi)、ゲート信号線(G The pixel 100 has a source signal line (Si), the power supply line (Vi), the gate signal line (G
j)、消去用ゲート信号線(Rj)に囲まれた領域に配置されている。 j), is arranged in a region surrounded by the erasing gate signal line (Rj). 【0115】スイッチング用トランジスタ312のゲート電極は、ゲート信号線(Gj)に接続されている。 [0115] The gate electrode of the switching transistor 312 is connected to the gate signal line (Gj). スイッチング用トランジスタ312のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線(Si)、もう一方が駆動用トランジスタ313のゲート電極に接続されている。 A source region and a drain region of the switching transistor 312, one source signal line (Si), and the other is connected to the gate electrode of the driving transistor 313. スイッチング用トランジスタ312は、画素100 Switching transistor 312, pixel 100
に信号を入力するときのスイッチング素子として機能するトランジスタである。 A transistor functioning as a switching element when a signal is inputted into. 【0116】コンデンサ314は、スイッチング用トランジスタ312が非選択状態(オフ状態)にあるときに、駆動用トランジスタ313のゲート電圧を保持するために設けられている。 [0116] Capacitor 314 includes a switching transistor 312 when in a non-selected state (OFF state), is provided for holding a gate voltage of the driving transistor 313. なお本実施の形態では、コンデンサ314を設ける構成にしたが、本発明はこれに限定されず、コンデンサ314を設けない構成にしてもよい。 In the present embodiment has a configuration in which the capacitor 314, the present invention is not limited thereto, it may be configured without the capacitor 314. 【0117】駆動用トランジスタ313のソース領域は電源供給線(Vi)に接続され、ドレイン領域は発光素子311に接続される。 [0117] The source region of the driving transistor 313 is connected to the power supply line (Vi), the drain region is connected to the light emitting element 311. 電源供給線(Vi)は、電流計130を介して電源131に接続されており、常に一定の電源電位が与えられている。 Power supply line (Vi) is connected to the power supply 131 through the ammeter 130, it is always given constant power supply potential. また電源供給線(Vi) The power supply line (Vi)
はコンデンサ314に接続されている。 It is connected to a capacitor 314. 駆動用トランジスタ313は、発光素子311に供給する電流を制御するための素子(電流制御素子)として機能するトランジスタである。 The driving transistor 313 is a transistor functioning as an element (current control element) for controlling the current supplied to the light emitting element 311. 【0118】発光素子311は、陽極及び陰極、並びに前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機化合物層とからなる。 [0118] emitting element 311 includes an anode and a cathode, and an organic compound layer and provided between the anode and the cathode. 陽極が駆動用トランジスタ313のドレイン領域と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。 When the anode is connected to the drain region of the driving transistor 313, the anode is the pixel electrode, the cathode is a counter electrode. 逆に陰極が駆動用トランジスタ313のドレイン領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。 If the cathode reversed is connected to the drain region of the driving transistor 313, the cathode is the pixel electrode, the anode becomes the opposing electrode. 【0119】消去用トランジスタ315のゲート電極は、消去用ゲート信号線(Rj)に接続されている。 [0119] The gate electrode of the erasing transistor 315 is connected to the erasing gate signal line (Rj). 消去用トランジスタ315のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線(Vi)、もう一方が駆動用トランジスタ313のゲート電極に接続されている。 A source region and a drain region of the erasing transistor 315, one power supply line (Vi), the other is connected to the gate electrode of the driving transistor 313. 消去用トランジスタ315は、画素100に書き込まれた信号を消去(リセット)するための素子として機能するトランジスタである。 Erasing transistor 315 is a transistor functioning as a device for erasing a signal written to the pixel 100 (reset). 【0120】消去用トランジスタ315をオン状態にすると、コンデンサ314に保持された容量は放電される。 [0120] When you turn on the erasing transistor 315, the capacity held in the capacitor 314 is discharged. そうすると、画素100に書き込まれた信号は消去(リセット)されて、発光素子は非発光となる。 Then, the signal written in the pixel 100 are cleared (reset), the light emitting element emits no light. つまり消去用トランジスタ315をオン状態にすることで、画素100は強制的に非発光となる。 That By the erasing transistor 315 in the on state, the pixel 100 will be forced to emit light. このように消去用トランジスタ315を設けることで、画素100を強制的に非発光とできることには様々な効果がある。 By providing the erasing transistor 315, it is to be forced to non-emitting pixels 100 have different effects. 例えば、 For example,
デジタル方式の場合には、発光素子の点灯時間を任意に設定することができるため、高階調の画像を表示することができる。 In the case of digital system, it is possible to arbitrarily set the lighting time of the light emitting element, it is possible to display an image of high gradation. またアナログ方式の場合には、フレーム期間が切り替わるたびに画素を非発光状態にすることができるため、残像を残すことなく動画をきれいに表示することが出来る。 In the case of an analog system, it is possible to pixels every time the frame period is switched to the non-luminescent state, can be displayed clearly video without leaving an afterimage. 【0121】そして電源供給線(Vi)は電流計130 [0121] The power supply line (Vi) is a current total of 130
を介して電源131に接続されている。 It is connected to the power supply 131 through the. なお、電流計1 The current total of 1
30と電源131は、画素部103が形成されている基板とは異なる基板上に形成され、コネクター等を介して画素部103と接続されていてもよいし、作製が可能であれば画素部103と同じ基板上に形成してもよい。 30 and the power source 131 is formed on a different substrate from the substrate on which the pixel portion 103 is formed, may be connected to the pixel portion 103 through a connector or the like, the pixel portion 103 as long as possible to produce it may be formed on the same substrate as the. なお電流計130と電源131の数は特に限定されず、任意に設定することができる。 Note the number of the ammeter 130 and the power source 131 is not particularly limited, it can be set arbitrarily. 【0122】そして電流計130により測定された電流値は、データとして補正回路210に送られる。 [0122] The current value measured by the ammeter 130 is sent to the correction circuit 210 as data. 補正回路210は、記憶媒体211、計算回路202及び信号補正回路204を有している。 Correction circuit 210 includes a storage medium 211, calculation circuit 202 and a signal correction circuit 204. なお補正回路210の構成は、図6に示す構成に限定されず、増幅回路などを設けてもよい。 Note of the correction circuit 210 configuration is not limited to the configuration shown in FIG. 6, or the like may be provided an amplifier circuit. 補正回路210の構成は、設計者が自由に設計することが出来る。 Configuration of the correction circuit 210 may be a designer to design freely. 【0123】そして画素部(図示せず)には、図6に示す画素(i、j)がマトリクス状に設けられている。 [0123] The pixel portion (not shown), the pixel (i, j) shown in FIG. 6 are arranged in matrix. また画素部には、ソース信号線(S1〜Sx)と、ゲート信号線(G1〜Gy)と、電源供給線(V1〜Vx) Further in the pixel portion, a source signal line (S1 to Sx), the gate signal line (G1 to Gy), the power supply line (V1 to Vx)
と、消去用ゲート信号線(R1〜Ry)とが設けられている。 When the gate signal line (R1~Ry) and is provided for erasing. 【0124】また図18(B)には、図2に示した画素にリセット線Rjを追加して配置した構成の画素を示し、コンデンサ114が電源供給線Viではなく、リセット線Rjに接続されている。 [0124] Also in FIG. 18 (B) shows a pixel structure arranged by adding a reset line Rj pixel shown in FIG. 2, the capacitor 114 is not the power supply line Vi, is connected to a reset line Rj ing. この場合、このコンデンサ114は画素(i、j)をリセットする役目を担う。 In this case, the capacitor 114 plays a role of resetting the pixel (i, j).
さらに図18(C)には、図2に示した画素にリセット線Rj及びダイオード150を追加した構成の画素を示し、該ダイオードが画素(i、j)をリセットする役目を担う。 More Figure 18 (C), shows a pixel arrangement obtained by adding a reset line Rj and diode 150 in the pixel shown in FIG. 2, plays the role of the diode resets the pixel (i, j). 【0125】なお本発明が適用される発光装置の画素の構成とは、発光素子とトランジスタを有する構成である。 [0125] Note that the structure of a pixel of a light-emitting device to which the present invention is applied is configured to have a light emitting element and a transistor. 前記画素において発光素子とトランジスタとの接続関係は特に限定されず、どのような接続関係でもよく、 The connection relationship between the light emitting element and the transistor in the pixel is not particularly limited and may be any connection relation,
本実施例で示した画素の構成はその一例である。 Structure of the pixel shown in this embodiment is one example. 【0126】ここで、図6に示した画素を例に挙げて、 [0126] Here, as an example pixel shown in FIG. 6,
その動作について簡単に説明する。 It will be briefly described the operation thereof. 前記画素には、デジタル方式、アナログ方式のいずれの方式も適用することができるが、ここでは時間階調方式と組み合わせたデジタル方式を適用したときの動作について説明する。 The pixels are digitally but can be applied any type of analog system, operation will be described here when applying a digital method in combination with a time gray scale method. なお時間階調方式とは、特開2001-343933号公報にて詳しく報告されているように、発光素子の点灯期間を制御することにより、階調表現を行う方式である。 Note that the time gray scale method, as reported in detail in JP-A-2001-343933, by controlling a lighting period of the light emitting element, a method of performing gradation expression. 具体的には、1フレーム期間を長さの異なる複数のサブフレーム期間に分割し、各期間での発光素子の発光又は非発光を選択することで、1フレーム期間内における点灯期間の長さの差をもって階調を表現する。 Specifically, 1 frame period is divided into a plurality of different subframe periods lengths, by selecting light emission or non-light emission of the light emitting element in each period, the lighting period in one frame period length of a gray scale is expressed with a difference. つまりビデオ信号により点灯期間の長さを制御することで、階調を表現する。 That By controlling the length of a lighting period by the video signal, a gray scale is expressed. 【0127】なお、デジタル方式では、すでに述べたように、主に線形領域で動作させるが、飽和領域で動作させてもよい。 [0127] In the digital system, as already mentioned, but operates mainly in the linear region, it may be operated in the saturation region. 線形領域で動作させる場合は、有機化合物層が劣化したときに、電流量が変化してしまう。 When operating in the linear region, when the organic compound layer is deteriorated, the amount of current is changed. 一方、 on the other hand,
飽和領域で動作させる場合は、駆動用トランジスタの特性バラツキの影響を受けやすい。 When operating in the saturation region is susceptible to the characteristic variation of the driving transistor. 【0128】なお本発明では、各画素に入力するビデオ信号を補正することで、各画素の特性バラツキの影響を抑制する。 [0128] In the present invention, by correcting the video signal to be input to each pixel, to suppress the influence of the characteristic variation of each pixel. つまり、アナログ方式が適用された発光装置では、ビデオ信号の補正とは、該ビデオ信号の振幅値の補正に相当する。 That is, the light emitting device analog method is applied, the correction of the video signal, which corresponds to the correction of the amplitude value of the video signal. また、時間階調方式と組み合わせたデジタル方式が適用された発光装置では、ビデオ信号の補正とは、該ビデオ信号が入力された画素の点灯期間の長さの補正に相当する。 In the light emitting device is applied digitally combined with the time gray scale method, the correction of the video signal, which corresponds to a correction of the length of a lighting period of the pixel of the video signal is input. 【0129】時間階調方式と組み合わせたデジタル方式が適用された発光装置では、直線で示される式(6)を用いることが好ましい。 [0129] In time-emitting device digital scheme is applied in combination with gray scale method, it is preferable to use expression represented by the straight line (6). 但し、デジタル方式では、非発光の状態をわざわざ測定する必要がないため、式(6) However, since the digital bother not necessary to measure the non-emission state, equation (6)
における定数bの値をゼロとするとよい。 The value of the constant b may be zero in. そして各画素の特性の測定は一度だけ行って定数aの値を求めるとよい。 The measurement of the characteristics of each pixel may determine the value of the constant a by performing only once. 【0130】上記の構成を有する本発明はアナログ方式で駆動させた発光装置において、トランジスタの特性バラツキによる影響を防止し、鮮明な多階調の表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することができる。 [0130] In the light emitting device The present invention, which was driven by an analog method having the structure described above, to prevent the influence of variations in characteristics of transistors, to provide a light emitting device and a driving method thereof capable of displaying a clear multi-gradation be able to.
さらに本発明は、経時変化により発光素子の両電極間に流れる電流量の変化を抑制し、鮮明な多階調表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することが出来る。 The present invention is to suppress a change in amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element due to aging, it can be provided which can be clear multi-gradation display light-emitting device and a driving method thereof. 【0131】なお本実施例は、実施の形態と自由に組み合わせることが可能である。 [0131] Note that this embodiment can be freely combined with the embodiment. 【0132】(実施例2)本実施例では、画素の断面構造の一例について図7を用いて説明する。 [0132] (Embodiment 2) This embodiment will be described with reference to FIG. 7 an example of a cross-sectional structure of a pixel. 【0133】図7において、基板4501上に設けられたスイッチング用トランジスタ4502は公知の方法で形成されたnチャネル型トランジスタを用いる。 [0133] In FIG 7, the switching transistor 4502 provided on the substrate 4501 using the n-channel transistor formed in a known manner. なお、 It should be noted that,
本実施例ではダブルゲート構造としているが、シングルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造でも構わない。 In this embodiment, although a double gate structure, to may be a single gate structure, but may be a multi-gate structure having a triple gate structure or more than three gates. また、公知の方法で形成されたpチャネル型トランジスタを用いて形成しても構わない。 Further, it may be formed by using a p-channel transistor formed in a known manner. 【0134】駆動用トランジスタ4503は、公知の方法で形成されたnチャネル型トランジスタを用いる。 [0134] the driving transistor 4503, an n-channel transistor formed in a known manner. スイッチング用トランジスタ4502のドレイン配線45 Drain wiring of the switching transistor 4502 45
04は配線(図示せず)によって駆動用トランジスタ4 04 driving transistor 4 through a wiring (not shown)
503のゲート電極4506に電気的に接続されている。 503 is electrically connected to the gate electrode 4506 of the. 【0135】駆動用トランジスタ4503は発光素子4 [0135] the driving transistor 4503 is a light-emitting element 4
510を流れる電流量を制御するための素子であるため、多くの電流が流れ、熱による劣化やホットキャリアによる劣化の危険性が高い素子でもある。 Because it is a device for controlling the amount of current flowing through 510, a number of current flow, the risk of thermal degradation and degradation with hot carriers TFT has a high. そのため、駆動用トランジスタ4503のドレイン領域、あるいはソース領域とドレイン領域の両方に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるようにLDD領域を設ける構造は極めて有効である。 Therefore, the drain region of the driving transistor 4503 or both the source region and the drain region, a structure in which an LDD region is provided so as to overlap the gate electrode through the gate insulating film is very effective. 図7においては、一例として駆動用トランジスタ4503のソース領域とドレイン領域の両方にLDD領域を形成した例を示している。 7 shows an example of forming an LDD region in both the source region and the drain region of the driving transistor 4503 as an example. 【0136】また、本実施例では駆動用トランジスタ4 [0136] Further, the driving transistor 4 in this embodiment
503をシングルゲート構造で図示しているが、複数のトランジスタを直列に接続したマルチゲート構造としても良い。 503 illustrates a single-gate structure, but may have a multi-gate structure connecting a plurality of transistors in series. さらに、複数のトランジスタを並列につなげて実質的にチャネル形成領域を複数に分割し、熱の放射を高い効率で行えるようにした構造としても良い。 Further, substantially divide a channel forming region into a plurality of connecting a plurality of transistors in parallel, may be a structure to heat radiation can be effected efficiently. このような構造は熱による劣化対策として有効である。 Such structure is effective as a countermeasure against deterioration due to heat. 【0137】また、駆動用トランジスタ4503のゲート電極4506を含む配線(図示せず)は、駆動用トランジスタ4503のドレイン配線4512と絶縁膜を介して一部で重なり、その領域では保持容量が形成される。 [0137] Further, wiring including the gate electrode 4506 of the driving transistor 4503 (not shown), a drain wiring 4512 of the driving transistor 4503 and the overlapping part with an insulating film, a storage capacitor is formed in that region that. この保持容量は駆動用トランジスタ4503のゲート電極4506にかかる電圧を保持する機能を有する。 The storage capacitor has a function of holding a voltage applied to the gate electrode 4506 of the driving transistor 4503. 【0138】スイッチング用トランジスタ4502および駆動用トランジスタ4503の上には第1の層間絶縁膜4514が設けられ、その上に樹脂絶縁膜でなる第2 [0138] The first interlayer insulating film 4514 is provided on the switching transistor 4502 and a driving transistor 4503, first made of a resin insulating film is formed thereon 2
の層間絶縁膜4515が形成される。 The interlayer insulating film 4515 is formed. 【0139】4517は透光性の高い導電膜でなる画素電極(発光素子の陽極)であり、駆動用トランジスタ4 [0139] 4517 is a pixel electrode made of a highly light-transmitting conductive film (anode of the light emitting element), a driving transistor 4
503のドレイン領域に一部が覆い被さるように形成され、電気的に接続される。 Part 503 drain region of is formed so as to cover and electrically connected. 画素電極4517としては酸化インジウムと酸化スズとの化合物(ITOと呼ばれる)、或いは酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物を用いることが好ましい。 The compounds of indium oxide and tin oxide as the pixel electrode 4517 (referred to as ITO), or it is preferable to use a compound of indium oxide and zinc oxide. もちろん、他の透光性の導電膜を用いてもよい。 Of course, it is also possible to use other light-transmitting conductive film. 【0140】次に有機樹脂膜4516を画素電極451 [0140] Then the organic resin film 4516 and the pixel electrode 451
7上に形成し、画素電極4517に面する部分をパターニングした後、有機化合物層4519が形成される。 Is formed on the 7, after patterning the portion facing the pixel electrode 4517, the organic compound layer 4519 is formed. なおここでは図示していないが、R(赤)、G(緑)、B It is to be noted here is not shown, R (red), G (green), B
(青)の各色に対応した有機化合物層4519を作り分けても良い。 (Blue) of may be separately formed organic compound layer 4519 corresponding to each color. 有機化合物層4519とする発光材料としてはπ共役ポリマー系材料を用いる。 As the light emitting material for the organic compound layer 4519 using a π-conjugated polymer material. 代表的なポリマー系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン(PP As typical polymer materials, polyparaphenylene vinylene (PP
V)系、ポリビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオレン系などが挙げられる。 V) system, polyvinylcarbazole (PVK) system, polyfluorene and the like. また、有機化合物層45 The organic compound layer 45
19は、単層構造、積層構造の二つの構造があるが、本発明はどちらの構造を作製してもよい。 19, a single-layer structure, there are two structures of a laminated structure, the present invention may be produced either structure. 公知の材料、及び構造を自由に組み合わせて有機化合物層4519(発光およびそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。 Known materials and may be formed freely combined organic compound layer 4519 (a layer for causing light emission and movement of carriers for that) the structure. 【0141】例えば、本実施例ではポリマー系材料を有機化合物層4519として用いる例を示したが、低分子系有機発光材料を用いても良い。 [0141] For example, although this embodiment shows an example of using polymer materials to form organic compound layers 4519 may be used a low molecular weight organic light emitting material. また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。 It is also possible to use inorganic materials such as silicon carbide as a charge-transporting layer and charge injection layer. これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。 These organic light emitting materials and inorganic materials can be a known material. 【0142】陰極4523まで形成されると、発光素子4510が完成する。 [0142] Once formed to the cathode 4523, the light emitting element 4510 is completed. なお、ここでいう発光素子451 It should be noted that the light emitting element 451 referred to here
0とは、画素電極4517と、有機化合物層4519 0 A, the pixel electrode 4517, the organic compound layer 4519
と、正孔注入層4522および陰極4523で形成された積層体を示す。 If, showing a laminated body formed by the hole injection layer 4522 and the cathode 4523. 【0143】ところで、本実施例では、陰極4523の上にパッシベーション膜4524を設けている。 [0143] Incidentally, in this embodiment, it is provided with a passivation film 4524 on the cathode 4523. パッシベーション膜4524としては窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜が好ましい。 A silicon nitride film or a silicon oxynitride film is preferable as a passivation film 4524. この目的は、外部と発光素子45 This object is outside the light-emitting element 45
10とを遮断することであり、発光材料の酸化による劣化を防ぐ意味と、有機発光材料からの脱ガスを抑える意味との両方を併せ持つ。 It is to cut off and 10, both the meaning of preventing deterioration due to oxidation of the luminescent material, both the meaning of suppressing degassing from the organic light emitting material. これにより発光装置の信頼性が高められる。 Thus the reliability of the light emitting device is enhanced. 【0144】以上のように本実施例において説明してきた発光装置は図7に示す構造の画素からなる画素部を有し、オフ電流値の十分に低い選択用トランジスタと、ホットキャリア注入に強い駆動用トランジスタとを有する。 [0144] The above light-emitting device has been described in the present embodiment, as has a pixel portion comprising pixels having the structure shown in FIG. 7, a sufficiently low selection transistor off current, strong drive to hot carrier injection and a use transistor. 従って、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な発光装置が得られる。 Therefore, a high reliability and capable of good image display light emitting device is obtained. 【0145】本実施例において説明した構造を有する発光素子の場合、有機化合物層4519で発生した光は、 [0145] For light-emitting element having the structure described in this embodiment, light generated in the organic compound layer 4519 is
矢印で示されるようにトランジスタが形成された基板4 Substrate transistor is formed as indicated by arrow 4
501の方向に向かって出射される。 It is emitted in the direction of 501. なお、発光素子4 The light emitting element 4
510から発せられる光が基板4501の方向に向かって出射することを下面出射とよぶ。 Light emitted from the 510 referred to as a bottom emission to emit toward the substrate 4501. 【0146】次いで、発光素子から発せられる光が、基板4510と反対の方向に向かって出射する(上面出射)発光装置の断面構造について図17を用いて説明する。 [0146] Then, light emitted from the light emitting element, a cross-sectional structure of the emitted toward the direction opposite to the substrate 4510 (top emission) light emitting device will be described with reference to FIG. 17. 【0147】図17(A)において、基板1600上には、駆動用トランジスタ1601が形成されている。 [0147] In FIG. 17 (A), on a substrate 1600, a driving transistor 1601 is formed. 駆動用トランジスタ1601は、ソース領域1604aとドレイン領域1604cと、チャネル形成領域1604 The driving transistor 1601, a source region 1604a and the drain region 1604c, a channel formation region 1604
bとを有する。 With a and b. またゲート絶縁膜1605を介して、チャネル形成領域1604b上に設けられたゲート電極1 The gate insulating film 1605 via the gate electrode 1 provided over the channel formation region 1604b
603aを有する。 With a 603a. なお駆動用トランジスタ1601 It should be noted that the driving transistor 1601
は、図17(A)に示した構成だけでなく、公知の構成のトランジスタを自由に用いることができる。 Not only the structure shown in FIG. 17 (A), it can be freely used transistors known configuration. 【0148】駆動用トランジスタ1601上には層間膜1606が形成されている。 [0148] On the driving transistor 1601 is formed an interlayer film 1606. 次いで、ITO等の透明導電膜を成膜して、所望の形状にパターニングして、画素電極1608を形成する。 Then, a transparent conductive film such as ITO by deposition, and patterned into a desired shape to form a pixel electrode 1608. ここで画素電極1608は、 Here the pixel electrode 1608,
発光素子1614の陽極として機能する。 Functions as an anode of the light emitting element 1614. 【0149】そして層間膜1606は、駆動用トランジスタ1601のソース領域1604a及びドレイン領域1604cに達するコンタクトホールを形成し、Ti、 [0149] The interlayer film 1606 to form contact holes reaching the source region 1604a and the drain region 1604c of the driving transistor 1601, Ti,
Tiを含むAlおよびTiでなる積層膜を成膜して、所望の形状にパターニングする。 By forming a laminated film made of Al and Ti containing Ti, patterned into a desired shape. そうすると、配線160 Then, wiring 160
7及び配線1609が形成される。 7 and the wiring 1609 are formed. 【0150】続いて、アクリル等の有機樹脂材料等でなる絶縁膜を形成し、発光素子1614の画素電極160 [0150] Subsequently, an insulating film made of an organic resin material such as acrylic, pixel electrode 160 of the light emitting element 1614
8に対応する位置に開口部を形成して絶縁膜1610を形成する。 Openings are formed in the insulating film 1610 at a position corresponding to 8. ここで、開口部の側壁の段差に起因する有機化合物層の劣化、段切れ等の問題を回避するため、開口部は十分になだらかなテーパー形状の側壁を有するように形成する。 Here, the deterioration of the organic compound layer due to the step of the side wall of the opening, in order to avoid problems such as disconnection, opening is formed to have a side wall of sufficiently gentle tapered shape. 【0151】そして有機化合物層1611を形成した後、発光素子1614の対向電極(陰極)1612を、 [0151] Then after forming the organic compound layer 1611, a counter electrode (cathode) 1612 of the light emitting element 1614,
2nm以下の厚さのセシウム(Cs)膜及び10nm以下の厚さの銀(Ag)膜を順に成膜した積層膜によって形成する。 2nm or less of the thickness of the cesium (Cs) film and 10nm or less of the thickness of silver (Ag) film sequentially formed by the formed laminated film. 発光素子1614の対向電極1612の膜厚を極めて薄くすることにより、有機化合物層1611から発せられた光は対向電極1612を透過して、基板1600 By extremely thin film thickness of the opposite electrode 1612 of the light emitting element 1614, light emitted from the organic compound layer 1611 is transmitted through the opposite electrode 1612, substrate 1600
と反対の方向に出射される。 It is emitted in the opposite direction. そして、発光素子1614 Then, the light-emitting element 1614
の保護を目的として、保護膜1613を成膜する。 Protection for the purpose of, forming a protective film 1613. 【0152】図17(B)は、図17(A)と異なる構成の断面図である。 [0152] FIG. 17 (B) is a cross-sectional view of a different structure FIG 17 (A). なお図17(B)において、図17 In yet FIG. 17 (B), the 17
(A)と同じ部分は同じ符号を用いて説明する。 (A) and like parts are denoted by the same reference numerals. また図17(B)において、駆動用トランジスタ1601と層間膜1606を形成するまでは、図17(A)で示した構成と同様であるので説明は省略する。 In FIG. 17 (B), the until forming the driver transistor 1601 and the interlayer film 1606, description of the same constitution as that shown in FIG. 17 (A) is omitted. 【0153】層間膜1606に、駆動用トランジスタ1 [0153] The interlayer film 1606, the driving transistor 1
601のソース領域1604a及びドレイン領域160 601 a source region 1604a and the drain region 160 of the
4cに達するコンタクトホールを形成する。 Forming a contact hole reaching the 4c. その後、T Then, T
i、Tiを含むAlおよびTiでなる積層膜を成膜して、続いて、ITO等を代表とする透明導電膜を成膜する。 i, by forming a laminated film made of Al and Ti containing Ti, followed by forming a transparent conductive film typified by ITO or the like. Ti、Tiを含むAlおよびTiでなる積層膜と、 Ti, a laminated film made of Al and Ti containing Ti,
ITO等を代表とする透明導電膜とを、所望の形状にパターニングして、配線1607、配線1608、配線1 A transparent conductive film typified by ITO or the like, and then patterned into a desired shape, the wiring 1607, the wiring 1608, the wiring 1
609、画素電極1620を形成する。 609, a pixel electrode 1620. なお画素電極1 It is to be noted that the pixel electrode 1
620は、発光素子1624の陽極として機能する。 620 functions as an anode of the light-emitting element 1624. 【0154】続いて、アクリル等の有機樹脂材料等でなる絶縁膜を形成し、発光素子1624の画素電極162 [0154] Subsequently, an insulating film made of an organic resin material such as acryl, pixels of the light emitting element 1624 electrode 162
0に対応する位置に開口部を形成して絶縁膜1610を形成する。 0 to form an opening in the corresponding position to form an insulating film 1610. ここで、開口部の側壁の段差に起因する有機化合物層の劣化、段切れ等の問題を回避するため、開口部は、十分になだらかなテーパー形状の側壁を有するように形成する。 Here, the deterioration of the organic compound layer due to the step of the side wall of the opening, in order to avoid problems such as disconnection, opening is formed so as to have a side wall of sufficiently gentle tapered shape. 【0155】次に、有機化合物層1611を形成した後、発光素子1624の対向電極(陰極)1612を、 [0155] Next, after forming the organic compound layer 1611, a counter electrode (cathode) 1612 of the light emitting element 1624,
2nm以下の厚さのセシウム(Cs)膜及び10nm以下の厚さの銀(Ag)膜を順に成膜した積層膜によって形成する。 2nm or less of the thickness of the cesium (Cs) film and 10nm or less of the thickness of silver (Ag) film sequentially formed by the formed laminated film. 発光素子1624の対向電極1612の膜厚を極めて薄くすることにより、有機化合物層1611から発せられた光は対向電極1612を透過して、基板1600 By extremely thin film thickness of the opposite electrode 1612 of the light emitting element 1624, light emitted from the organic compound layer 1611 is transmitted through the opposite electrode 1612, substrate 1600
とは反対の方向に出射される。 It is emitted in a direction opposite to the. 次いで、発光素子162 Then, the light emitting element 162
4の保護を目的として、保護膜1613を成膜する。 4 protection purposes, forming a protective film 1613. 【0156】このように、基板1600とは反対の方向に光を出射する発光装置は、基板1600上に形成された、駆動用トランジスタ1601等の素子を介して、発光素子1614の発光を視認する必要が無いために、開口率を大きくすることが出来る。 [0156] Thus, the light emitting device for emitting light in a direction opposite to the substrate 1600, formed on the substrate 1600, through the device, such as a driving transistor 1601, viewing the light emission of the light emitting element 1614 for there is no need, it is possible to increase the aperture ratio. 【0157】図17(B)で示した構成の画素は、図1 [0157] The configuration of the pixel shown in FIG. 17 (B) is 1
7(A)で示した構成の画素と比較すると、駆動用トランジスタのソース領域またはドレイン領域と接続される配線1619と、画素電極1620を、共通のフォトマスクを用いてパターニングして形成することができるため、作成工程において必要となるフォトマスクの削減及び工程の簡略化が可能となる。 Compared to the configuration of the pixel shown in 7 (A), a wiring 1619 connected to the source region or the drain region of the driving transistor, the pixel electrode 1620, be formed by patterning using a common photomask it therefore becomes possible to simplify the reduction and processes of a photomask required in the creation process. 【0158】なお、本実施例は、実施の形態及び実施例1と自由に組み合わせることが可能である。 [0158] Incidentally, this embodiment can be freely combined with Embodiment Mode and Embodiment 1. FIG. 【0159】(実施例3)本実施例では、本発明の発光装置の外観について、図8を用いて説明する。 [0159] (Embodiment 3) In this embodiment, the appearance of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 【0160】図8(A)は、発光装置の上面図であり、 [0160] FIG. 8 (A) is a top view of a light emitting device,
図8(B)は、図8(A)のA−A'における断面図、 FIG. 8 (B) cross-sectional view along A-A 'of FIG. 8 (A),
図8(C)は図8(A)のB−B'における断面図である。 Figure 8 (C) is a sectional view along B-B 'in FIG. 8 (A). 【0161】基板4001上に設けられた画素部400 [0161] pixel portion 400 provided over the substrate 4001
2と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及び第2 2, the source signal line driver circuit 4003, first and second
のゲート信号線線駆動回路4004a、bとを囲むようにして、シール材4009が設けられている。 The gate signal line line driver circuit 4004a, so as to surround a b, the sealing member 4009 is provided. また画素部4002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1 The pixel portion 4002, the source signal line driver circuit 4003, the first
及び第2のゲート信号線線駆動回路4004a、bとの上にシーリング材4008が設けられている。 Sealing material 4008 is provided and the second gate signal line line driver circuit 4004a, on the b. 画素部4 Pixel portions 4
002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及び第2のゲート信号線線駆動回路4004a、bとは、基板4001とシール材4009とシーリング材4008 And 002, a source signal line driver circuit 4003, first and second gate signal line line driver circuit 4004a, the is b, the substrate 4001, the sealant 4009 and the sealing material 4008
とによって、充填材4210と共に密封されている。 And by being sealed together with a filler 4210. 【0162】なお本実施例において、1組(2つ)のゲート信号線駆動回路が設けられているが、本発明はこれに限定されず、ゲート信号線駆動回路とソース信号線駆動回路の数は設計者が任意に定めることが出来る。 [0162] In the present embodiment, the gate signal line driver circuit of one pair (2) are provided, the number of the present invention is not limited to this, the gate signal line driver circuit and a source signal line driver circuit can be arbitrarily determined by a designer is. 【0163】また基板4001上に設けられた画素部4 [0163] The pixel portion 4 provided on the substrate 4001
002と、ソース信号線駆動回路4003と、第1及び第2のゲート信号線線駆動回路4004a、bとは、複数のトランジスタを有している。 And 002, a source signal line driver circuit 4003, first and second gate signal line line driver circuit 4004a, the is b, and a plurality of transistors. 図8(B)では、下地膜4010上に形成されたソース信号線駆動回路400 Figure 8 (B) in the source signal line driver circuit 400 formed over the base film 4010
3に含まれる駆動回路用トランジスタ(但し、ここではnチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタを図示する)4201及び画素部4002に含まれる駆動用トランジスタ(発光素子への電流を制御するトランジスタ)4202を図示した。 Drive circuit included in the three transistors (however, here illustrates the n-channel transistor and a p-channel transistor) 4201 and a driving transistor included in the pixel portion 4002 (the transistor for controlling the current to the light emitting element) 4202 It was shown. 【0164】本実施例では、駆動回路用トランジスタ4 [0164] In the present embodiment, the driving circuit transistor 4
201には公知の方法で作製されたpチャネル型トランジスタまたはnチャネル型トランジスタが用いられ、駆動用トランジスタ4202には公知の方法で作製されたpチャネル型トランジスタが用いられる。 201 p-channel transistor or an n-channel transistor manufactured by a known method is used as the, p-channel transistor fabricated by a known method is used for the driving transistor 4202. また、画素部4002には駆動用トランジスタ4202のゲート電極に接続された保持容量(図示せず)が設けられる。 Further, connected to the gate electrode of the driving transistor 4202 a storage capacitor (not shown) is provided in the pixel portion 4002. 【0165】駆動回路用トランジスタ4201及び駆動用トランジスタ4202上には層間絶縁膜(平坦化膜) [0165] driver circuit transistor 4201 and the interlayer insulating film is formed on the driving transistor 4202 (leveling film)
4301が形成され、その上に駆動用トランジスタ42 4301 is formed, the driving transistor 42 thereon
02のドレインと電気的に接続する画素電極(陽極)4 02 electrically connected with the drain to a pixel electrode (anode) 4
203が形成される。 203 are formed. 画素電極4203としては仕事関数の大きい透明導電膜が用いられる。 A transparent conductive film having a large work function is used as the pixel electrode 4203. 透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。 As the transparent conductive film, a compound of indium oxide and tin oxide, a compound of indium oxide and zinc oxide, zinc oxide, it can be used tin oxide or indium oxide. また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。 It may also be used as above added with gallium to the transparent conductive film. 【0166】そして、画素電極4203の上には絶縁膜4302が形成され、絶縁膜4302は画素電極420 [0166] Then, on the pixel electrode 4203 insulating film 4302 is formed, an insulating film 4302 is a pixel electrode 420
3の上に開口部が形成されている。 Opening is formed on the 3. この開口部において、画素電極4203の上には有機化合物層4204が形成される。 In this opening, on the pixel electrode 4203 of the organic compound layer 4204 is formed. 有機化合物層4204は公知の有機発光材料または無機発光材料を用いることができる。 The organic compound layer 4204 may be a known organic light emitting material or inorganic light emitting material. また、有機発光材料には低分子系(モノマー系)材料と高分子系(ポリマー系)材料があるがどちらを用いても良い。 It may also be used either there is a low molecular weight (monomer) material and a high molecular (polymer) material in an organic light emitting material. 【0167】有機化合物層4204の形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。 [0167] method for forming an organic compound layer 4204 may be a known evaporation technique or coating technique. また、有機化合物層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、 The structure of the organic compound layer is a hole injection layer, a hole transport layer, luminescent layer,
電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば良い。 It may be a laminate structure or a single layer structure by freely combining an electron transporting layer or an electron injection layer. 【0168】有機化合物層4204の上には遮光性を有する導電膜(代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜)からなる陰極4205が形成される。 [0168] made of a conductive film (typically aluminum, a conductive film composed mainly of copper or silver or a laminate film thereof with other conductive films) having a light shielding property is formed on the organic compound layer 4204 cathode 4205 There is formed. また、陰極4 In addition, the cathode 4
205と有機化合物層4204の界面に存在する水分や酸素は極力排除しておくことが望ましい。 It is desirable that moisture and oxygen existing in the interface 205 and the organic compound layer 4204 are removed as much as possible. 従って、有機化合物層4204を窒素または希ガス雰囲気で形成し、 Thus, an organic compound layer 4204 is formed in a nitrogen or rare gas atmosphere,
酸素や水分に触れさせないまま陰極4205を形成するといった工夫が必要である。 Make such contrivance to form the cathode 4205 without being exposed to oxygen and moisture is required. 本実施例ではマルチチャンバー方式(クラスターツール方式)の成膜装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。 Enabling the above-described film deposition by use of the deposition apparatus of multi-chamber system (cluster tool system) in this embodiment. そして陰極42 And cathode 42
05は所定の電圧が与えられている。 05 is given a predetermined voltage. 【0169】以上のようにして、画素電極(陽極)42 [0169] As described above, the pixel electrode (anode) 42
03、有機化合物層4204及び陰極4205からなる発光素子4303が形成される。 03, the light emitting element 4303 is formed of an organic compound layer 4204 and the cathode 4205. そして発光素子430 And the light-emitting element 430
3を覆うように、絶縁膜4302上に保護膜4209が形成されている。 3 so as to cover the protective film 4209 is formed over the insulating film 4302. 保護膜4209は、発光素子4303 Protective film 4209, the light emitting element 4303
に酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。 It is effective to prevent oxygen, moisture and the like from entering the. 【0170】4005aは電源線に接続された引き回し配線であり、駆動用トランジスタ4202のソース領域に電気的に接続されている。 [0170] 4005a is connected to lead wiring to the power supply line, and is electrically connected to the source region of the driving transistor 4202. 引き回し配線4005aはシール材4009と基板4001との間を通り、異方導電性フィルム4300を介してFPC4006が有するFPC用配線4301に電気的に接続される。 Lead wiring 4005a passes between the seal member 4009 and the substrate 4001, FPC 4006 are electrically connected to an FPC wiring 4301 possessed by via an anisotropic conductive film 4300. 【0171】シーリング材4008としては、ガラス材、金属材(代表的にはステンレス材)、セラミックス材、プラスチック材(プラスチックフィルムも含む)を用いることができる。 [0171] As the sealing material 4008, a glass material, a metallic material (typically stainless steel), ceramic material, or a plastic material (including a plastic film). プラスチック材としては、FRP As the plastic material, FRP
(Fiberglass−Reinforced Pl (Fiberglass-Reinforced Pl
astics)板、PVF(ポリビニルフルオライド) Astics) plate, PVF (polyvinyl fluoride)
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。 Film, a Mylar film, a polyester film, or an acrylic resin film. また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。 It is also possible to use a sheet in which aluminum foil is sandwiched by PVF films or Mylar films. 【0172】但し、発光素子からの光の放射方向がカバー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければならない。 [0172] However, the cover member in the case where the radiation direction of light from the light emitting element is directed toward the cover material side must be transparent. その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明物質を用いる。 In that case, a glass plate, a plastic plate, a transparent material such as a polyester film or an acrylic film is used. 【0173】また、充填材4103としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはE [0173] Further, in addition to an inert gas such as nitrogen or argon as the filler 4103, it is possible to use an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, PVC (polyvinyl chloride), acrylic, polyimide, epoxy resin, silicone resin, PVB (polyvinyl butyral) or E
VA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。 It can be used VA (ethylene vinyl acetate). 本実施例では充填材として窒素を用いた。 Nitrogen was used as the filler in the present embodiment. 【0174】また充填材4103を吸湿性物質(好ましくは酸化バリウム)もしくは酸素を吸着しうる物質にさらしておくために、シーリング材4008の基板400 [0174] In order to filler 4103 hygroscopic material (preferably barium oxide) previously exposed to or a material capable of adsorbing oxygen, a substrate 400 of the sealing material 4008
1側の面に凹部4007を設けて吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質4207を配置する。 A recess portion 4007 is provided on the surface of one side to place the material 4207 capable of adsorbing hygroscopic substance or oxygen. そして、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質4207が飛び散らないように、凹部カバー材4208によって吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質4207は凹部4007に保持されている。 As SPREAD substance 4207 the hygroscopic substance or oxygen, material 4207 a hygroscopic substance or oxygen by a recess cover member 4208 is held in the recess 4007. なお凹部カバー材4208は目の細かいメッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質4207は通さない構成になっている。 Note that the concave portion cover member 4208 has a fine mesh-like, air and moisture through substance 4207 the hygroscopic substance or oxygen has a structure impermeable. 吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質4207を設けることで、発光素子4303の劣化を抑制できる。 The hygroscopic substance or oxygen by providing the material 4207, it is possible to suppress the deterioration of the light emitting element 4303. 【0175】図8(C)に示すように、画素電極420 [0175] As shown in FIG. 8 (C), the pixel electrode 420
3が形成されると同時に、引き回し配線4005a上に接するように導電性膜4203aが形成される。 3 at the same time is formed, a conductive film 4203a is formed so as to contact on the lead wiring 4005a. 【0176】また、異方導電性フィルム4300は導電性フィラー4300aを有している。 [0176] The anisotropic conductive film 4300 has conductive filler 4300a. 基板4001とF Substrate 4001, the F
PC4006とを熱圧着することで、基板4001上の導電性膜4203aとFPC4006上のFPC用配線4301とが、導電性フィラー4300aによって電気的に接続される。 And PC4006 by thermocompression bonding, and the FPC wiring 4301 on the conductive film 4203a and FPC4006 on the substrate 4001 are electrically connected through the conductive filler 4300a. 【0177】本発明の発光装置が有する電流計及び補正回路は、基板4001とは異なる基板(図示せず)上に形成され、FPC4006を介して、基板4001上に形成された電源線及び陰極4205に電気的に接続されている。 [0177] ammeter and the correction circuit emitting device of the present invention, the substrate 4001 is formed on a different substrate (not shown), via the FPC 4006, the formed power lines and cathode on the substrate 4001 4205 It is electrically connected to. 【0178】なお本実施例は、実施の形態及び実施例1、2と自由に組み合わせて実施することが可能である。 [0178] Note that this embodiment can be implemented freely combining with Embodiment and Examples 1 and 2 embodiment. 【0179】(実施例4)本実施例では、実施例3とは異なる本発明の発光装置の外観について、図9を用いて説明する。 [0179] Example 4 In this example, the appearance of the light emitting device of the present invention, which is different from that in Example 3 will be described with reference to FIG. より詳しくは、電流計及び補正回路を、画素部が形成されている基板とは異なる基板上に形成し、ワイヤボンディング法、COG(チップ・オン・グラス) More specifically, the ammeter and the correction circuit, formed on a different substrate from the substrate on which the pixel portion is formed, a wire bonding method, COG (chip on glass)
法等の手段によって画素部が形成されている基板上の配線と接続した場合の発光装置の外観について、図9を用いて説明する。 The appearance of the light emitting device when connected to the wiring on the substrate on which the pixel portion is formed by means of law, etc., will be described with reference to FIG. 【0180】図9に本実施例の発光装置の外観図を示す。 [0180] shows an external view of a light emitting device of this embodiment in FIG. 基板5001上に設けられた画素部5002と、ソース信号線駆動回路5003と、第1及び第2のゲート信号線線駆動回路5004a、bとを囲むようにして、 The pixel portion 5002 provided on the substrate 5001, the source signal line driver circuit 5003, first and second gate signal line line driver circuit 5004A, so as to surround the b,
シール材5009が設けられている。 Sealing material 5009 is provided. また画素部500 The pixel portion 500
2と、ソース信号線駆動回路5003と、第1及び第2 2, the source signal line driver circuit 5003, first and second
のゲート信号線線駆動回路5004a、bとの上にシーリング材5008が設けられている。 Sealing material 5008 is provided in the gate signal line line driver circuit 5004A, on the b. よって画素部50 Accordingly, the pixel portion 50
02と、ソース信号線駆動回路5003と、第1及び第2のゲート信号線線駆動回路5004a、bとは、基板5001とシール材5009とシーリング材5008とによって、充填材(図示せず)と共に密封されている。 And 02, a source signal line driver circuit 5003, first and second gate signal line line driver circuit 5004A, is is b, by the substrate 5001, the sealant 5009 and the sealing material 5008, together with a filler (not shown) It is sealed. 【0181】なお本実施例において、2つのゲート信号線駆動回路が設けられているが、これに限定されず、ゲート信号線駆動回路とソース信号線駆動回路の数は設計者が任意に定めることが出来る。 [0181] In the present embodiment, two gate signal line driver circuits are provided, not limited to this, the number of gate signal line driver circuit and a source signal line driver circuit be arbitrarily determined by a designer It can be. 【0182】シーリング材5008の基板5001側の面に凹部5007を設けて吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質を配置する。 [0182] The recesses 5007 provided on the surface of the substrate 5001 side of the sealing material 5008 to place the substance capable of adsorbing the hygroscopic substance or oxygen. 【0183】基板5001上に引き回されている配線(引き回し配線)は、シール材5009と基板5001 [0183] wire is routed on the substrate 5001 (drawn wiring), the seal member 5009 and the substrate 5001
との間を通り、FPC5006を介して発光装置の外部の回路または素子に接続されている。 Passes between the, is connected to an external circuit or element of the light emitting device through the FPC5006. 【0184】電流計及び補正回路は、基板5001とは異なる基板(以下、チップと呼ぶ)5020に形成され、COG(チップ・オン・グラス)法等の手段によって基板5001上に取り付けられ、基板5001上に形成された電源線及び陰極(図示せず)に電気的に接続されている。 [0184] ammeter and the correction circuit substrate different from the substrate 5001 (hereinafter referred to as chip) formed on 5020, it mounted on the substrate 5001 by COG (chip on glass) method, or the like means, the substrate 5001 and it is electrically connected to a formed in the upper power supply line and a cathode (not shown). 【0185】本実施例では、チップ5020は、ワイヤボンディング法、COG法等により基板5001上に取り付けることで、発光装置を1枚の基板で構成することができ、装置自体がコンパクトになり、機械的強度も上がる。 [0185] In this embodiment, the chip 5020, a wire bonding method, by mounting on the substrate 5001 by a COG method or the like, it is possible to configure the light emitting device in one substrate, the device itself becomes compact, machine strength also increases. 【0186】なお、基板上にチップを接続する方法に関しては、公知の方法を用いて行うことが可能である。 [0186] Regarding the method of connecting the chip onto the substrate, it can be performed using a known method. また、電流計と、補正回路以外の回路及び素子を、基板5 Further, a current meter, the circuits and elements other than the correction circuit, board 5
001上に取り付けても良い。 It may be mounted on a 001. 【0187】本実施例は、実施の形態及び実施例1〜3 [0187] This example embodiment and Examples 1-3
と自由に組み合わせて実施することが可能である。 It can be implemented by being freely combined with. 【0188】(実施例5)発光装置は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。 [0188] For Example 5 the light emitting device is a self-luminous type, compared with a liquid crystal display excellent in visibility in bright places and wider viewing angle. 従って、様々な電子機器の表示部に用いることができる。 Accordingly, it can be used in display portions of various electronic devices. 【0189】本発明の発光装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。 [0189] Such electronic devices using a light-emitting device of the present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, an audio reproducing device (such as car audio and audio components), notebook personal computers, game machines, portable information terminals (mobile computers, cellular phones, portable game machines, and electronic books), the image reproducing device provided with a recording medium (specifically for reproducing a recording medium such as a digital video disk (DVD), the image apparatus has a display for displaying a), and the like. 特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。 In particular, portable information terminals opportunity often see the screen from an oblique direction is required to have a wide viewing angle is important, it is preferable to use a light-emitting device. それら電子機器の具体例を図10に示す。 Specific examples of these electronic devices are shown in FIG. 10. 【0190】図10(A)は発光装置であり、筐体30 [0190] FIG. 10 (A) is a light emitting device, the housing 30
01、支持台3002、表示部3003、スピーカー部3004、ビデオ入力端子3005等を含む。 01, including a support base 3002, a display portion 3003, a speaker portion 3004, a video input terminal 3005 and the like. 本発明の発光装置は表示部3003に用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 3003. 発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。 Light-emitting device requires no backlight because it is of a self-emission type, it can make a thinner display unit than liquid crystal display.
なお、発光装置は、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。 It should be noted that the light-emitting device for personal computers, for TV broadcasting reception, includes all display devices for displaying information such as an advertising display. 【0191】図10(B)はデジタルスチルカメラであり、本体3101、表示部3102、受像部3103、 [0191] FIG. 10 (B) is a digital still camera which includes a main body 3101, a display portion 3102, an image receiving portion 3103,
操作キー3104、外部接続ポート3105、シャッター3106等を含む。 Operation keys 3104, an external connection port 3105, a shutter 3106, and the like. 本発明の発光装置は表示部310 The light emitting device of the present invention the display unit 310
2に用いることができる。 It can be used for 2. 【0192】図10(C)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体3201、筐体3202、表示部3 [0192] FIG. 10 (C) shows a notebook personal computer, which includes a main body 3201, a housing 3202, a display portion 3
203、キーボード3204、外部接続ポート320 203, a keyboard 3204, an external connection port 320
5、ポインティングマウス3206等を含む。 5, a pointing mouse 3206 and the like. 本発明の発光装置は表示部3203に用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used in the display portion 3203. 【0193】図10(D)はモバイルコンピュータであり、本体3301、表示部3302、スイッチ330 [0193] FIG. 10 (D) shows a mobile computer including a main body 3301, a display portion 3302, a switch 330
3、操作キー3304、赤外線ポート3305等を含む。 3, operation keys 3304, an infrared port 3305 and the like. 本発明の発光装置は表示部3302に用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used in the display portion 3302. 【0194】図10(E)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体3401、筐体3402、表示部A3403、表示部B3404、記録媒体(DVD等)読み込み部340 [0194] a diagram 10 (E) a portable image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a DVD reproduction apparatus), which includes a main body 3401, a housing 3402, a display portion A 3403, a display portion B 3404, a recording medium ( DVD or the like) reading portion 340
5、操作キー3406、スピーカー部3407等を含む。 5, an operation key 3406, a speaker portion 3407 and the like. 表示部A3403は主として画像情報を表示し、表示部B3404は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部A、B3403、3404 Display unit A3403 mainly displays image information, display unit B3404 mainly displays character information, these display portion A light-emitting device of the present invention, B3403,3404
に用いることができる。 It can be used for. なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine. 【0195】図10(F)はゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)であり、本体350 [0195] FIG. 10 (F) shows a goggle type display (head mounted display) which includes a main body 350
1、表示部3502、アーム部3503を含む。 1, a display unit 3502, and an arm portion 3503. 本発明の発光装置は表示部3502に用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used in the display portion 3502. 【0196】図10(G)はビデオカメラであり、本体3601、表示部3602、筐体3603、外部接続ポート3604、リモコン受信部3605、受像部360 [0196] FIG. 10 (G) shows a video camera which includes a main body 3601, a display portion 3602, a housing 3603, an external connection port 3604, a remote control receiving portion 3605, an image receiving portion 360
6、バッテリー3607、音声入力部3608、操作キー3609等を含む。 6, the battery 3607, an audio input portion 3608, an operation key 3609, and the like. 本発明の発光装置は表示部360 The light emitting device of the present invention the display unit 360
2に用いることができる。 It can be used for 2. 【0197】ここで図10(H)は携帯電話であり、本体3701、筐体3702、表示部3703、音声入力部3704、音声出力部3705、操作キー3706、 [0197] a wherein FIG 10 (H) is a mobile phone which includes a main body 3701, a housing 3702, a display portion 3703, an audio input portion 3704, an audio output portion 3705, operation keys 3706,
外部接続ポート3707、アンテナ3708等を含む。 An external connection port 3707, an antenna 3708 and the like.
本発明の発光装置は表示部3703に用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used in the display portion 3703. なお、表示部3703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。 Note that the display portion 3703 can reduce power consumption of the portable telephone by displaying white characters on a black background. 【0198】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。 [0198] Incidentally, the higher the light emission luminance in the future organic light emitting material, it can be used for a front or rear projector light including output image information is enlarged projected by a lens or the like. 【0199】また、上記電子機器はインターネットやC [0199] In addition, the electronic device is the Internet or a C
ATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。 Would be more likely to display the information that has been distributed via electronic communication lines such as the ATV (cable TV), it has increased the opportunity to especially display the video information. 有機発光材料の応答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。 Since the response speed of the organic light emitting material is very high, the light emitting device is suitable for animation display. 【0200】また、発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。 [0200] Also, the portion of the light emitting device that is emitting light consumes power, it is desirable that the light emitting portion to display information such that as small as possible. 従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。 Accordingly, a portable information terminal, in particular in the case of using a light emitting device in a display portion mainly for character information, such as a cellular phone or an audio reproducing device, display text information non-emitting portions as background and forming the light-emitting portion it is desirable to. 【0201】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。 [0202] As described above, the applicable range of the present invention can be used in extremely wide, electronic devices in all fields. 【0202】 【発明の効果】本発明は、画素の構成を変更することなく、各画素の駆動用トランジスタの特性に応じたビデオ信号を計算して求める。 [0202] According to the present invention, without changing the structure of the pixel is obtained by calculating a video signal according to the characteristics of the driving transistor of each pixel. そして求められたビデオ信号を各画素に入力すれば、発光素子に所望の電流量を流すことが出来るので、所望の発光を得ることができる。 The video signal obtained by inputting to each pixel, it is possible to flow a desired amount of current to the light emitting element, it is possible to obtain a desired light emission. その結果、発光素子を制御するトランジスタの特性バラツキの影響を防止した発光装置及びその駆動方法を提供することが出来る。 As a result, the light emitting device and a driving method thereof to prevent the influence of variation in characteristics of the transistor for controlling the light-emitting element can be provided. 【0203】また上記の構成を有する本発明は、アナログ方式で駆動させた発光装置において、トランジスタの特性バラツキによる影響を防止し、鮮明な多階調の表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することができる。 [0203] The present invention having the above configuration, the light emitting device was driven by an analog method, to prevent the influence of variations in characteristics of the transistor, the light emitting device and a driving method thereof capable of displaying a clear multi-gradation it is possible to provide. さらに本発明は、経時変化により発光素子の両電極間に流れる電流量の変化を抑制し、鮮明な多階調表示が可能な発光装置及びその駆動方法を提供することが出来る。 The present invention is to suppress a change in amount of current flowing between both electrodes of the light emitting element due to aging, it can be provided which can be clear multi-gradation display light-emitting device and a driving method thereof.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の発光装置の回路図。 Circuit diagram of a light emitting device BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】 本発明の発光装置の回路図。 Circuit diagram of a light emitting device of the present invention; FIG. 【図3】 本発明の発光装置の駆動方法を説明する図。 Diagram for explaining a driving method of a light-emitting device of the present invention; FIG. 【図4】 本発明の発光装置に入力される信号のタイミングチャートを示す図。 It shows a timing chart of signals input to the light emitting device of the present invention; FIG. 【図5】 ビデオ信号と電流値との関係を示す図。 Figure 5 is a graph showing a relation between the video signal and the current value. 【図6】 本発明の発光装置の画素の回路図を示す図。 It shows a circuit diagram of a pixel of a light-emitting device of the present invention; FIG. 【図7】 本発明の発光装置の断面構造(下面出射)を示す図。 FIG. 7 shows a sectional structure (bottom emission) of the light-emitting device of the present invention. 【図8】 本発明の発光装置の外観を示す図。 View showing an appearance of a light-emitting device of the present invention; FIG. 【図9】 本発明の発光装置の外観を示す図。 9 is a diagram showing an appearance of a light-emitting device of the present invention. 【図10】 本発明の発光装置が具備された電子機器の一例を示す図。 Diagram illustrating an example of an electronic apparatus emitting device is provided in the present invention; FIG. 【図11】 発光素子と駆動用トランジスタの接続の構成を示す図と、発光素子と駆動用トランジスタの電圧電流特性を示す図。 [11] and shows the configuration of the connection between the light emitting element driving transistor, shows voltage-current characteristics of the light-emitting element driving transistor. 【図12】 発光素子と駆動用トランジスタの電圧電流特性を示す図。 12 is a diagram showing voltage-current characteristics of the light-emitting element driving transistor. 【図13】 駆動用トランジスタのゲート電圧とドレイン電流の関係を示す図。 13 is a graph showing the relation between the gate voltage and the drain current of the driving transistor. 【図14】 発光装置の画素部の回路図を示す図。 14 illustrates a circuit diagram of a pixel portion of the light emitting device. 【図15】 発光装置に入力される信号のタイミングチャートを示す図。 FIG. 15 shows a timing chart of signals input to the light emitting device. 【図16】 ビデオ信号と電流値との関係を示す図。 Figure 16 is a graph showing a relation between the video signal and the current value. 【図17】 本発明の発光装置の断面構造(上面出射) FIG. 17 is a cross-sectional structure of the light-emitting device of the present invention (top emission)
を示す図。 It shows a. 【図18】 発光素子と駆動用トランジスタの電圧電流特性を示す図と画素の回路図。 [Figure 18] Schematic diagrams and pixels showing voltage-current characteristics of the light-emitting element driving transistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641D 641P 642 642P 670 670J H05B 33/14 H05B 33/14 A ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641D 641P 642 642P 670 670J H05B 33/14 H05B 33/14 a

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを有する発光装置であって、 前記画素に対応した補間関数を記憶する記憶手段、 及び前記補間関数と補間式Q=F(P)とを用いてビデオ信号を補正する信号補正手段を有することを特徴とする発光装置。 Patent Claims: 1. A light emitting device having a display panel in which pixels are provided including a light-emitting element, a storage means for storing the interpolation functions corresponding to the pixel, and the interpolation function and the interpolation formula Q = F (P) and the light emitting device characterized by having a signal correction means for correcting the video signal by using a. 【請求項2】発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを有する発光装置であって、 前記画素の電流値を測定する電流測定手段、 前記画素に対応した補間関数を計算する計算手段、 前記補間関数を記憶する記憶手段、 及び前記補間関数と補間式Q=F(P)とを用いてビデオ信号を補正する信号補正手段を有することを特徴とする発光装置。 2. A light emitting device having a display panel in which pixels are provided including a light-emitting element, current measuring means for measuring a current value of the pixel, calculating means for calculating an interpolation function corresponding to the pixel, the storage means for storing the interpolation function, and a light-emitting device characterized by having a signal correction means for correcting the video signal by using said interpolation function interpolation formula Q = F (P). 【請求項3】発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを構成するための発光装置であって、 前記画素に対応した補間関数を記憶する記憶手段、 及び前記補間関数と補間式Q=F(P)とを用いてビデオ信号を補正する信号補正手段を有することを特徴とする発光装置。 3. A light emitting device for constituting a display panel in which pixels are provided including a light-emitting element, a storage means for storing the interpolation functions corresponding to the pixel, and with the interpolation function interpolation formula Q = F (P) and the light emitting device characterized by having a signal correction means for correcting the video signal by using a. 【請求項4】発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを構成するための発光装置であって、 前記画素の電流値を測定する電流測定手段、 前記画素に対応した補間関数を計算する計算手段、 前記補間関数を記憶する記憶手段、 及び前記補間関数と補間式Q=F(P)とを用いてビデオ信号を補正する信号補正手段を有することを特徴とする発光装置。 4. A light emitting device for constituting a display panel in which pixels are provided including a light-emitting element, current measuring means for measuring a current value of the pixel, calculation for calculating an interpolation function corresponding to the pixel means, the storage means for storing the interpolation function, and a light-emitting device characterized by having a signal correction means for correcting the video signal by using said interpolation function interpolation formula Q = F (P). 【請求項5】記憶手段及び信号補正手段を構成するための発光装置であって、 発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを有し、 前記記憶手段は前記表示パネルの各画素に対応した補間関数を記憶し、前記信号補正手段は前記記憶手段に記憶された前記補間関数及び補間式Q=F(P)を用いてビデオ信号を補正することを特徴とする発光装置。 5. A light emitting device for constituting the storage means and the signal correction means includes a display panel in which pixels including light-emitting elements are provided, said storage means corresponding to each pixel of the display panel storing the interpolation function, said signal correction means emitting device and correcting the video signal using the stored the interpolation function and the interpolation formula Q = F (P) in the storage means. 【請求項6】電流測定手段、計算手段、記憶手段及び信号補正手段を構成するための発光装置であって、 発光素子を含む画素が設けられた表示パネルを有し、 前記電流測定手段は前記画素の電流値を測定し、前記計算手段は前記電流測定手段の出力を用いて前記画素に対応した補間関数を計算し、前記記憶手段は前記補間関数を記憶し、前記信号補正手段は前記記憶手段に記憶された前記補間関数及び補間式Q=F(P)を用いてビデオ信号を補正することを特徴とする発光装置。 6. The current measuring means, calculating means, a light emitting device for constituting the storage means and the signal correction means includes a display panel in which pixels including light-emitting elements are provided, said current measuring means the measuring a current value of a pixel, said calculating means calculates the interpolation function corresponding to the pixel using the output of the current measuring means, said storing means stores the interpolation function, said signal correction means the storage light emitting device and correcting the video signal using the stored in unit interpolation function and interpolation equation Q = F (P). 【請求項7】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記信号補正手段はCPU又はマイクロコンピュータであることを特徴とする発光装置。 7. A any one of claims 1 to 6, wherein the signal correction means emitting device which is a CPU or microcomputer. 【請求項8】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記記憶手段は、半導体メモリ又は磁気メモリであることを特徴とする発光装置。 8. according to any one of claims 1 to 6, wherein the storage unit, the light emitting device which is a semiconductor memory or magnetic memory. 【請求項9】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記画素には前記発光素子に接続され且つ飽和領域で動作するトランジスタが配置され、 前記トランジスタの特性バラツキが補正されることを特徴とする発光装置。 9. A any one of claims 1 to 6, wherein the pixels are arranged transistor operating in the connected and the saturation region to the light emitting element, the characteristic variation of the transistor is corrected the light emitting device according to claim. 【請求項10】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記画素には前記発光素子に接続され且つ線形領域で動作するトランジスタが配置され、 前記発光素子の劣化が補正されることを特徴とする発光装置。 10. A any one of claims 1 to 6, wherein the pixels are arranged transistor operating in the connected and linear region in the light emitting element, the deterioration of the light emitting element is corrected the light emitting device according to claim. 【請求項11】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記画素には前記発光素子の両電極間に流れる電流を制御する第1半導体素子及び前記画素に対するビデオ信号の入力を制御する第2半導体素子、並びに前記ビデオ信号を保持する容量素子とを有することを特徴とする発光装置。 11. The any one of claims 1 to 6, in the pixel controls a video signal input to the first semiconductor element and the pixel for controlling a current flowing between both electrodes of the light emitting element the second semiconductor element, and the light emitting device characterized by having a capacitor element for holding the video signal. 【請求項12】請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、 前記画素には前記発光素子の両電極間に流れる電流を制御する第1半導体素子及び前記画素に対するビデオ信号の入力を制御する第2半導体素子、並びに前記ビデオ信号を保持する容量素子及び前記容量素子に保持された電荷を放電する第3半導体素子を有することを特徴とする発光装置。 12. The any one of claims 1 to 6, in the pixel controls a video signal input to the first semiconductor element and the pixel for controlling a current flowing between both electrodes of the light emitting element to the second semiconductor element, and the light emitting device characterized by having a third semiconductor element for discharging the charge held in the capacitor element and the capacitor element for holding the video signal. 【請求項13】請求項2、4又は6において、 前記電流測定手段は、前記画素にビデオ信号P1、P 13. The method of claim 2, 4 or 6, wherein the current measuring means, a video signal P1, P to the pixel
    2、・・・、Pn(nは2以上の自然数)が入力されたときの電流値Q1、Q2、・・・、Qnを測定することを特徴とする発光装置。 2, ..., Pn (n is a natural number of 2 or more) light-emitting device and measuring current values ​​Q1, Q2 when is input, ..., and Qn. 【請求項14】請求項2、4又は6において、 前記電流測定手段は、前記表示パネルの全ての画素が非点灯の状態における電流値I0と、前記表示パネルの1 14. The method of claim 2, 4 or 6, wherein the current measuring means, all of the pixels of the display panel is the current value I0 in the non-lighting state, of the display panel 1
    つの画素のみが点灯の状態における電流値I1、I2、 One of only the pixel current value in the state of the lighting I1, I2,
    ・・・、In(nは2以上の自然数)とを測定することを特徴とする発光装置。 ···, In (n is a natural number of 2 or more) light-emitting device and measuring the. 【請求項15】請求項2、4又は6において、 前記電流測定手段は、前記表示パネルの全ての画素が非点灯の状態における電流値I0と、前記表示パネルの1 15. The method of Claim 2, 4 or 6, wherein the current measuring means, all of the pixels of the display panel is the current value I0 in the non-lighting state, of the display panel 1
    つの画素のみが点灯の状態における電流値I1、I2、 One of only the pixel current value in the state of the lighting I1, I2,
    ・・・、In(nは2以上の自然数)とを測定し、 前記計算手段は、前記電流値Inと前記電流値I0の差を計算することを特徴とする発光装置。 · · ·, In (n is a natural number of 2 or more) were measured, said calculating means, the light emitting apparatus characterized by calculating a difference between the said current value In current value I0. 【請求項16】請求項2、4又は6において、 前記電流測定手段は、前記表示パネルの全ての画素が非点灯の状態における電流値I0と、前記表示パネルが有する複数の画素から選択された1つの画素のみが点灯した状態において前記画素にビデオ信号P1、P2、・・ 16. The method of claim 2, 4 or 6, wherein the current measuring means, all of the pixels of the display panel is the current value I0 in the non-lighting state, selected from a plurality of pixels, wherein the display panel has video signal to the pixel in a state in which only one pixel is lit P1, P2, · ·
    ・、Pn(nは2以上の自然数)が入力されたときの電流値I1、I2、・・・、Inを測定し、 前記計算手段は、前記電流値I1、I2、・・・、In ·, Pn (n is a natural number of 2 or more) to measure the current value I1, I2, · · ·, an In when is inputted, the calculating means, the current value I1, I2, · · ·, an In
    と前記電流値I0の差Q1、Q2、・・・、Qn、並びに前記ビデオ信号P1、P2、・・・、Pn及び補間式Q=F(P)を用いて補間関数Fを計算することを特徴とする発光装置。 The difference Q1, Q2 of the current value I0, ···, Qn, and the video signal P1, P2, ···, to calculate an interpolation function F using Pn and interpolation equation Q = F (P) emitting device comprising. 【請求項17】請求項2、4又は6において、 前記計算手段は、前記画素に入力されたビデオ信号P 17. The method of claim 2, 4 or 6, wherein the calculating means is input to the pixel video signal P
    1、P2、・・・、Pn(nは2以上の自然数)及び前記電流測定手段から出力された電流値Q1、Q2、・・ 1, P2, ···, Pn (n is a natural number of 2 or more) and the current current value output from the measuring means Q1, Q2, · ·
    ・、Qn、並びに補間式Q=F(P)を用いて補間関数 ·, Qn, and using an interpolation equation Q = F (P) interpolation function
    Fを計算することを特徴とする発光装置。 Light emitting device and calculating a F. 【請求項18】請求項2、4又は6において、 前記電流測定手段による所定の測定動作は、前記表示パネルを用いて画像の表示を行う直前又は直後、もしくは前記記憶手段に補間関数が記憶される前に行うことを特徴とする発光装置。 18. The method of Claim 2, 4 or 6, wherein the current predetermined measurement operation by the measuring means, immediately before or after the display of images using the display panel, or the interpolation function in the storage means is stored emitting device, which comprises carrying out the before. 【請求項19】請求項2、4又は6において、 前記計算手段は、CPU又はマイクロコンピュータであることを特徴とする発光装置。 19. The method of claim 2, 4 or 6, wherein the calculating means, the light emitting device which is a CPU or microcomputer. 【請求項20】請求項1乃至6、16、17のいずれか一項において、 前記補間式Q=F(P)はQ=A*(P-B) 2 、Q=a* 20. In any one of claims 1 to 6,16,17, the interpolation equation Q = F (P) is Q = A * (P-B ) 2, Q = a *
    P+b、スプライン関数、ベジェ関数又は1次関数で示されることを特徴とする発光装置。 P + b, spline function, the light emitting device characterized by represented by a Bezier function or a linear function.
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