JP2003174019A - Ozone treatment device - Google Patents

Ozone treatment device

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JP2003174019A
JP2003174019A JP2001370929A JP2001370929A JP2003174019A JP 2003174019 A JP2003174019 A JP 2003174019A JP 2001370929 A JP2001370929 A JP 2001370929A JP 2001370929 A JP2001370929 A JP 2001370929A JP 2003174019 A JP2003174019 A JP 2003174019A
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Japan
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substrate
head
ozone
gas
process gas
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JP2001370929A
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Japanese (ja)
Inventor
Tokiko Kanayama
Tatsuo Kikuchi
Masataka Yamaguchi
Takeo Yamanaka
健夫 山中
征隆 山口
辰男 菊池
登紀子 金山
Original Assignee
Sumitomo Precision Prod Co Ltd
住友精密工業株式会社
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ozone treatment device that can improve usability (reaction efficiency) of ozone.
SOLUTION: This ozone treatment device is provided with a supply head 2 which is positioned to face a substrate K and blows an ozone-containing process gas upon the substrate K, process gas supply means 5 and 6 which supply the process gas to the head 2, and a driving means 13 which drives the substrate K and head 2 relatively to each other. This treatment device is also provided with a heating means 14 which heats the substrate K. The supply head 2 is provided with a retention chamber 3 in which the process gas can retain and is composed of an enclosure-like member having an opening facing the substrate K. The process gas supplied into the supply head 2 by means of the supply means 5 and 6 is caused to generate a convection which returns to the retention chamber 3 after the gas flows toward the substrate K from the chamber 3.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶基板などの基板表面に、少なくともオゾンを含んだ処理ガスを吹きかけて、当該基板表面に酸化膜を形成したり、或いは基板表面に形成された酸化膜を改質したり、 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate or substrate surface such as a liquid crystal substrate, by spraying a processing gas containing at least ozone, the oxide film on the substrate surface formed or, alternatively or modify the oxide film formed on the substrate surface,
更には、基板表面に形成されたレジスト膜を除去するオゾン処理装置に関する。 Further relates to an ozone treatment apparatus for removing the resist film formed on the substrate surface. 【0002】 【従来の技術】従来、上記オゾン処理装置として、特開平8−139046号公報に開示されたアッシング装置が知られている。 [0004] Conventionally, as the ozone treatment apparatus, an ashing apparatus is known as disclosed in JP-A-8-139046. このアッシング装置100は、図4に示すように、載置台103と、この載置台103上に載置される筐体107と、透明な石英等からなり、筐体1 The ashing apparatus 100, as shown in FIG. 4, a mounting table 103, a housing 107 which is mounted on the mounting table 103 made of a transparent quartz or the like, the housing 1
07内を処理室101とランプ室106とに仕切る隔壁板108などから構成される。 And the like partition plate 108 for partitioning the inside 07 to the processing chamber 101 and the lamp chamber 106. 【0003】前記半導体ウエハ102は、突起部104 [0003] The semiconductor wafer 102, the protrusion 104
を介して載置台103に載置され、前記ランプ室106 Mounted on the mounting table 103 through the lamp chamber 106
内に配設された複数のランプ105によって加熱される。 It is heated by a plurality of lamps 105 disposed within. また、前記処理室101内には、ガス導入管109 In addition, the said processing chamber 101, a gas introduction pipe 109
を介してオゾンガスが供給され、排気管110から外部に排出されるようになっている。 Through the ozone gas is supplied, and is discharged to the outside from the exhaust pipe 110. 【0004】このアッシング装置100によれば、処理室101内に配置され、前記ランプ105によって加熱された半導体ウエハ102に、前記ガス導入管109から供給されたオゾンガスが接触することにより、半導体ウエハ102上に形成されたフォトレジスト膜が、オゾンとの熱化学反応によって除去される。 [0004] According to the ashing apparatus 100, disposed in the processing chamber 101, the semiconductor wafer 102 which has been heated by the lamp 105, by the ozone gas supplied from the gas inlet pipe 109 is in contact, the semiconductor wafer 102 the photoresist film formed above, is removed by thermochemical reaction with ozone. 【0005】 【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従来のアッシング装置100では、半導体ウエハ102と隔壁板108との間の隙間が狭く設定されており、ガス導入管109から供給されたオゾンガスが排気管110 [0005] The present invention is to provide However, in the conventional ashing device 100 described above, the gap is set narrower between the semiconductor wafer 102 and the partition plate 108, which is supplied from the gas introduction pipe 109 ozone gas exhaust pipe 110
に向けた気流のみを生じる構造となっている。 It has become only the resulting structure airflow toward. このため、オゾンガスが半導体ウエハ102と接触する時間は極短く、上記熱化学反応に使用されるオゾンは極僅かである。 Therefore, the time ozone is in contact with the semiconductor wafer 102 is extremely short, the ozone used for the thermal chemical reaction is negligible. 即ち、オゾンガスから見た反応効率は極めて悪い。 In other words, the reaction efficiency is very bad when viewed from the ozone gas. 【0006】そして、通常、排気管110から排気された未反応のオゾンガスは、再利用されることなく、適宜後処理が行われた後、廃棄される。 [0006] Then, typically, unreacted ozone gas which is exhausted from the exhaust pipe 110, without being reused, after post-processing is performed as appropriate, are discarded. したがって、上記アッシング装置100では、多量のオゾンガスを必要とし、その分コスト高となっていた。 Therefore, in the ashing apparatus 100, and requires a large amount of ozone gas, it has been a correspondingly high cost. 【0007】本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、オゾンの使用効率(反応効率)を高めることができるオゾン処理装置の提供を目的とする。 The present invention has been achieved in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an ozone treatment apparatus that can increase the ozone use efficiency (reaction efficiency). 【0008】 【課題を解決するための手段及びその効果】上記課題を解決するための本発明は、処理位置で基板と対向するように配置され、該基板に対してオゾンを含んだ処理ガスを吹きかける供給ヘッドと、前記供給ヘッドに前記処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記基板と供給ヘッドとを相対移動させる駆動手段と、前記処理位置にある基板を加熱する加熱手段とを備えて構成され、前記処理位置で、前記供給ヘッドから基板に処理ガスを吹きかけて、該基板を処理するオゾン処理装置において、前記供給ヘッドを、前記処理ガスが滞留可能な滞留室を備え、且つ前記基板との対向面を開口せしめた筐体状の部材から構成し、前記処理ガス供給手段によって前記供給ヘッドの滞留室内に供給された処理ガスに、該滞留室から前記 [0008] [SUMMARY and their effects for the present invention for solving the above problems, is arranged to the substrate and a counter in the processing position, the process gas containing ozone against substrate comprises a delivery head spraying, a processing gas supply means for supplying the processing gas to the feed head, driving means for relatively moving the said substrate and the dispensing head, and heating means for heating the substrate in said processing position consists, in the processing position, by spraying the treatment gas from the supply head substrate, the ozone treatment apparatus for processing a substrate, the supply head comprises a holding chamber capable the process gas residence, and the substrate consist of a box-shaped member that the opposing surfaces have allowed the opening and, in the process gas supplied to the residence chamber of the dispensing head by the processing gas supply unit, from said 該滞 Tomeshitsu 基板に向け流れて前記基板に接触した後、該記滞留室内に戻る対流を生じるように構成したことを特徴とするオゾン処理装置に係る。 After flowing toward the substrate in contact with the substrate, according to the ozone treatment apparatus characterized by being configured to produce a convection back to 該記 residence chamber. 【0009】このオゾン処理装置によれば、前記処理位置において、供給ヘッドから基板に向け、オゾンを含む処理ガスが吹きかけられる。 According to the ozone treatment apparatus, in the processing position, towards the delivery head to the substrate, the process gas containing ozone is blown. 処理位置にある基板は加熱手段によって加熱されており、この加熱された基板にオゾンが接触して、熱分解により活性の高い活性酸素が生成され、この活性酸素によって基板表面に酸化膜が形成され、或いは基板表面上の酸化膜が改質されたり、基板表面に形成されたレジスト膜が活性酸素との熱化学反応によって除去される。 Substrate in position is heated by the heating means, in contact with ozone in the heated substrate, a high active oxygen active is generated by thermal decomposition, oxidation film is formed on the substrate surface by the active oxygen or or oxide film on the substrate surface is reformed, the resist film formed on the substrate surface is removed by thermochemical reaction with active oxygen. 【0010】処理ガスは、処理ガス供給手段により供給ヘッドの滞留室内に供給され、前記開口部から前記基板に向けて流れ、前記基板に接触した後、その一部は、供給ヘッドと基板との間の隙間から外部に漏出し、他のものは、供給ヘッド内に戻る対流となる。 [0010] The processing gas is supplied by the processing gas supply unit to the retention chamber of the dispensing head, flows toward the substrate through the opening, after contact with the substrate, some of the supply head and the substrate and leak out from the gap between, others, a convection back into the supply head. そして、対流として供給ヘッド内に戻った処理ガスは、再び、前記基板に向けた流れを形成する。 Then, the process gas returned to the feed head as convection, again, to form a flow toward the substrate. 【0011】このように、このオゾン処理装置によれば、供給ヘッド内において、処理ガスに対流を生じさせる構成としているので、上記従来のアッシング装置に比べて、オゾンが基板表面と接触する機会を増加させることができ、これにより、上記熱化学反応に使用されるオゾン量を増加させることができる。 [0011] Thus, according to the ozone treatment device, in the feed head, since a structure that causes the convection to the process gas, as compared with the conventional ashing device, an opportunity ozone is in contact with the substrate surface it can be increased, thereby, it is possible to increase the amount of ozone used in the thermochemical reaction. 即ち、未利用のオゾンを低減して、オゾンガスから見た反応効率を高めることができる。 That is, by reducing the ozone unused, it is possible to increase the reaction efficiency as seen from the ozone gas. このため、少量の処理ガスで従来と同程度の処理効果を得ることができ、その分コストを低減することができる。 Therefore, it is possible to obtain a treatment effect of conventional level with a small amount of the processing gas, it can be reduced correspondingly cost. 【0012】尚、前記供給ヘッドを基板の上方に設置すれば、加熱された基板に接触することで、前記処理ガスに上昇気流が生じるため、より効果的に前記対流を生じさせることができる。 [0012] Incidentally, when installing the supply head over a substrate, by contacting the heated substrate, since the processing gas into updraft occurs, it can be generated more effectively the convection. 【0013】また、基板の加熱温度は、200〜500 [0013] In addition, the heating temperature of the substrate, 200-500
℃の範囲が好ましい。 Range of ℃ is preferred. この範囲であれば、基板内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と同時に行うことができる。 Within this range, the vaporization of the impurities contained in the substrate can be performed simultaneously with the above process. また、前記処理ガスは、14重量%以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとTEOS(Tetraethyl Further, the processing gas is suitably those containing 14% or more by weight of ozone, ozone and TEOS (Tetraethyl
orthosilicate、ケイ酸テトラエチル、Si(C orthosilicate, tetraethyl silicate, Si (C 2 H
O) )の混合ガスであっても良い。 5 O) 4) may be a mixed gas. 【0014】前記供給ヘッドは、これを、その開口部周縁に、外側に向けて延設された鍔部を備えた構成のものとすることができる。 [0014] The feed head, which, in the opening peripheral edge can be of a structure having a flange portion extending outward. このようにすれば、供給ヘッドと基板との間の隙間から外部に漏出する処理ガスを、前記鍔部によって、基板表面に沿わせた流れとすることができ、同部でのオゾンと基板表面との接触の機会を増加させることができ、オゾンの利用効率を高めることができる。 In this way, the process gas leaking out from the gap between the supply head and the substrate, by the flange portion may be a flow of along a substrate surface, the ozone and the substrate surface of the same part can increase the chance of contact with, it is possible to enhance the utilization efficiency of the ozone. 【0015】また、上記オゾン処理装置は、前記供給ヘッドの開口部の近傍に開口する吸気口を有し、前記供給ヘッドと基板との間の隙間から漏出した前記処理ガスを、前記吸気口から吸引して排気する排気手段を備えた構成のものであっても良い。 Further, the ozone treatment unit has an inlet which opens in the vicinity of the opening of the delivery head, the process gas leaked from a gap between the supply head and the substrate, from the intake port exhaust means for withdrawing to be evacuated may be of configurations with. このようにすれば、供給ヘッドと基板との間の隙間から漏出した処理ガスを、直ちに吸気口から吸引して排気することができる。 Thus, the leaked process gas from the gap between the supply head and the substrate, can be exhausted by suction from immediately inlet. これにより、前記処理ガスが周囲に散乱して、環境が汚損されるのを防止することができる。 Thus, the process gas is scattered around, it is possible to prevent the environment is soiled. 【0016】また、前記供給ヘッドに超音波発生手段を設けることもできる。 [0016] It is also possible to provide an ultrasonic wave generating device to the supply head. このようにすれば、超音波発生手段によって発生せしめられた超音波振動が、処理ガスを介して基板表面に伝達される。 Thus, ultrasonic vibration is caused to occur by the ultrasonic generating unit is transmitted to the substrate surface via a process gas. そして、当該超音波振動により、同表面に形成されたレジスト膜の除去が促進され、また、同表面に残存するレジスト膜の残渣が除去され、その除去効果が高められる。 Then, by the ultrasonic vibration, the removal of the resist film formed on the surface is promoted, also residues of the resist film remaining in the surface is removed, the removal effect can be enhanced. 【0017】 【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 図1は、本実施形態のオゾン処理装置たるレジスト膜除去装置(アッシング装置)を示した正断面図であり、図2は、その底面図である。 Figure 1 is a front sectional view showing a resist film removal device in the form of ozone treatment apparatus (asher), FIG. 2 is a bottom view thereof. 【0018】図1及び図2に示すように、本例のレジスト膜除去装置1は、基板Kを矢示A方向に搬送する複数の搬送ローラ13と、この搬送ローラ13によって搬送される基板Kの上方に位置し、下端が基板Kと僅かな間隙をもって配設される供給ヘッド2と、この供給ヘッド2と対向して、前記基板Kの下方の前記搬送ローラ13 As shown in FIGS. 1 and 2, a resist film removing apparatus 1 of this embodiment, the substrate K to be transported to a plurality of transport rollers 13 for transporting the substrate K in the direction of arrow A, by the conveying roller 13 of located above the lower end and the supply head 2 is disposed with a slight gap between the substrate K, and facing the feed head 2, wherein the conveying rollers of the lower substrate K 13
間に配置されるヒータ14と、前記供給ヘッド2の上面に固設された超音波振動子13と、前記供給ヘッド2を覆うように配設された排気容器8などからなる。 A heater 14 disposed between the ultrasonic transducer 13 which is fixed to the upper surface of the feed head 2, and the like waste container 8 arranged so as to cover the delivery head 2. 【0019】前記供給ヘッド2は、滞留室3となる内部空間を備えた筐体状の部材からなる。 [0019] The dispensing head 2 is composed of a box-shaped member having an inner space serving as a holding chamber 3. この供給ヘッド2 The feed head 2
の上面には、一方端がオゾン発生器6に接続されたガス供給管5の他方端が接続されており、オゾン発生器6によって生成された所定オゾン濃度の処理ガスが、このガス供給管5を介してオゾン発生器6から前記滞留室3内に供給される。 The upper surface has one end is connected to the other end of the gas supply pipe 5 connected to the ozone generator 6, the process gas at a predetermined concentration of ozone generated by the ozone generator 6 is, the gas supply pipe 5 It is supplied to the holding chamber 3 from an ozone generator 6 via. 【0020】また、供給ヘッド2の基板Kとの対向面はその全面が開口せしめられており、この開口部7を通じて、滞留室3内の処理ガスが基板Kと接触可能な状態になっている。 Further, the surface facing the substrate K of the feed head 2 has been made to the entire surface of the opening, through the opening 7, the processing gas in the holding chamber 3 is in possible contact with the substrate K . また、この開口部7の周縁には、供給ヘッド2の外側面から外側に延出するように、言い換えれば、前記基板Kに沿うように鍔部4が設けられている。 Further, in a peripheral edge of the opening 7, so as to extend outwardly from the outer surface of the delivery head 2, in other words, the flange portion 4 along the substrate K is provided. 【0021】前記排気容器8は、前記供給ヘッド2より寸法の大きい同じく筐体状をした部材からなり、その下面は全面が開口し、同開口部から前記供給ヘッド2を覆うように配設される。 [0021] The exhaust container 8 is made large similarly to the box-shaped member of the dimension from the feed head 2, its lower surface is arranged so as entirely is open, covers the delivery head 2 from the opening that. そして、このように配設されることにより、当該排気容器8の開口部と前記鍔部4の外周縁との間に吸気口11が形成される。 By being arranged in this manner, the air inlet 11 between the outer edge of the the opening flange portion 4 of the waste container 8 is formed. 【0022】また、この排気容器8には、一方端が真空ポンプ12に接続された排気管10の他方端が接続されており、当該排気容器8の内部空間9内の気体が、この排気管10を介し、前記真空ポンプ12によって排気されるようになっている。 Further, in the exhaust chamber 8, one end is connected to the other end of the exhaust pipe 10 connected to a vacuum pump 12, gas in the inner space 9 of the waste container 8, the exhaust pipe through 10, and is exhausted by the vacuum pump 12. 【0023】また、前記超音波振動子15及びヒータ1 Further, the ultrasonic transducer 15 and the heater 1
4は、適宜電力供給源(図示せず)からそれぞれ電力の供給を受けて、超音波振動子15は超音波振動を発生し、ヒータ14は自体発熱して基板Kを加熱するようになっている。 4 receives a respective power supply from appropriate power source (not shown), the ultrasonic vibrator 15 generates ultrasonic vibration, the heater 14 so as to heat the substrate K by itself fever there. また、前記搬送ローラ13は、適宜駆動手段(図示せず)により駆動されて、基板Kを矢示A方向に搬送する。 Further, the conveying roller 13 is driven by an appropriate driving means (not shown), transports the substrate K in the arrow A direction. 【0024】以上の構成を備えた本例のレジスト膜除去装置1によれば、まず、基板Kが搬送ローラ13によって矢示A方向に搬送され、ヒータ14と供給ヘッド2との間(この位置を以下「処理位置」という)に導入される。 According to the resist film removing apparatus 1 of this embodiment having the above configuration, first, the substrate K is conveyed to the direction of arrow A by the conveying rollers 13, between the heater 14 and the supply head 2 (this position the is introduced into the hereinafter referred to as the "processing position"). 【0025】基板Kが前記処理位置に達すると、これがヒータ14により加熱されて昇温するとともに、その表面が、供給ヘッド2の滞留室3内に充満された処理ガスと接触可能な状態になる。 [0025] substrate K reaches the processing position, with which to raise the temperature by being heated by the heater 14, the surface becomes possible contact with filling process gas into the holding chamber 3 of the dispensing head 2 . 【0026】オゾン発生器6からガス供給管6を介して供給ヘッド2の滞留室3内に供給された処理ガスは、滞留室3内を前記基板Kに向けて流れ、前記開口部7を通過して前記基板Kに接触した後、その一部は、供給ヘッド2及び鍔部4と基板Kとの間に形成される隙間から外部に漏出し、他のものは、滞留室3内に戻る対流となる。 The residence chamber 3 in the processing gas supplied to the ozone generator 6 supplies the head 2 through the gas supply pipe 6 flows through the residence chamber 3 toward the substrate K, passes through the opening 7 after contact with the substrate K and, some of leaking to the outside from the gap formed between the dispensing head 2 and the flange portion 4 and the substrate K, others, back into the holding chamber 3 a convection. そして、対流として滞留室3内に戻った処理ガスは、再び、前記基板Kに向けた流れを形成する。 Then, the process gas returned to the residence chamber 3 as convection, again, to form a flow toward the substrate K. 【0027】こうして、加熱された基板Kに処理ガスが接触すると、処理ガス中に含まれるオゾンが熱分解してより活性の高い活性酸素が生成され、基板表面に形成されたレジスト膜がこの活性酸素との熱化学反応によって除去される。 [0027] Thus, the process gas to a heated substrate K are in contact, the process ozone contained in the gas is high active oxygen pyrolysis to more active is produced, the resist film is this activity is formed on the substrate surface It is removed by thermochemical reaction with oxygen. 【0028】一方、供給ヘッド2から外に漏出した処理ガスは、前記吸気口11から排気容器8の内部空間9内に吸引され、排気管10を介して外部に排気される。 On the other hand, the process gas leaked out of the feed head 2 is sucked from the intake port 11 into the interior space 9 of the waste container 8, it is discharged to the outside through the exhaust pipe 10. 【0029】また、供給ヘッド2には前記超音波振動子15によって生じた超音波振動が伝播されており、更に、これが処理ガスを介して基板Kの表面に伝播される。 Further, the dispensing head 2 the are ultrasonic vibrations generated by the ultrasonic vibrator 15 is propagated further which is propagated to the surface of the substrate K through the process gas. これにより、基板K表面に形成されたレジスト膜の剥離が促進され、また、同表面に残存するレジスト膜の残渣などが除去される。 Accordingly, peeling of the resist film formed on a substrate K surface is promoted, also including residues of the resist film remaining in the surface is removed. 【0030】このように、このレジスト膜除去装置1によれば、供給ヘッド2の滞留室3内において、処理ガスに対流を生じさせる構成としているので、上記従来のアッシング装置に比べて、オゾンが基板表面と接触する機会を増加させることができ、これにより、上記熱化学反応に使用されるオゾン量を増加させることができる。 [0030] Thus, according to the resist film removing apparatus 1, the retention chamber 3 of the feed head 2, since a configuration to cause convection in the process gas, as compared with the conventional ashing device, ozone the opportunity to contact with the substrate surface can be increased, thereby, it is possible to increase the amount of ozone used in the thermochemical reaction. 即ち、未利用のオゾンを低減して、オゾンガスから見た反応効率を高めることができる。 That is, by reducing the ozone unused, it is possible to increase the reaction efficiency as seen from the ozone gas. このため、少量の処理ガスで従来と同程度の処理効果を得ることができ、その分コストを低減することができる。 Therefore, it is possible to obtain a treatment effect of conventional level with a small amount of the processing gas, it can be reduced correspondingly cost. 【0031】また、搬送ローラ13によって、基板Kを搬送しながらレジスト膜を剥離するようにしているので、これを連続的に処理することができ、効率的な処理を行うことができる。 Further, the conveying roller 13, since so as to remove the resist film while transporting the substrate K, which continuously can be processed, efficient processing can be performed. 【0032】また、前記供給ヘッド2を基板Kの上方に設置しているので、処理ガスが加熱された基板Kに接触することで、当該処理ガスに上昇気流が生じるため、より効果的に前記対流を生じさせることができる。 Further, since the installation the delivery head 2 above the substrate K, that the process gas is brought into contact with the substrate K which is heated, for rising to the process gas stream occurs, more effectively the it is possible to cause convection. 【0033】また、供給ヘッド2の外周縁に鍔部4を形成しているので、供給ヘッド2から外に漏出した処理ガスを、前記鍔部4によって、基板K表面に沿わせた流れとすることができ、同部でのオゾンと基板K表面との接触の機会を増加させることができ、これによってもオゾンの利用効率を高められる。 Further, since the form a flange portion 4 on the outer peripheral edge of the dispensing head 2, the process gas leaked out of the dispensing head 2, by the flange portion 4, and flow of along a substrate K surface it can, can increase the chance of contact between the ozone and the substrate K surface at the department, which enhances the utilization efficiency of ozone by. 【0034】また、供給ヘッド2から外に漏出した処理ガスを、前記吸気口11から排気容器8の内部空間9内に吸引し、排気管10を介して外部に排気するようにしているので、処理ガスが周囲に散乱して、環境が汚損されるのを防止することができる。 Further, the process gas leaked out from the supply head 2, sucked from the intake port 11 into the interior space 9 of the waste container 8, so that so as to exhaust to the outside through the exhaust pipe 10, process gas is scattered around, it is possible to prevent the environment is soiled. 【0035】尚、前記基板Kの加熱温度は、200〜5 [0035] The heating temperature of the substrate K is 200-5
00℃の範囲が好ましい。 The range of 00 ℃ is preferable. この範囲であれば、基板K内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と同時に行うことができる。 Within this range, the vaporization of the impurities contained in the substrate K can be carried out simultaneously with the process. また、前記処理ガスは、14重量%以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとTEOS(Tetrae Further, the processing gas is suitably those containing 14% or more by weight of ozone, ozone and TEOS (Tetrae
thyl orthosilicate、ケイ酸テトラエチル、Si(C Thyl orthosilicate, tetraethyl silicate, Si (C 2 H
O) )の混合ガスであっても良い。 5 O) 4) may be a mixed gas. 【0036】以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明が採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。 [0036] Having described an embodiment of the present invention, specific embodiments in which the invention may take is not to be limited thereto. 【0037】例えば、上記の例では、基板Kを搬送ローラ13により搬送するように構成したが、これに限られるものではなく、図3に示した態様とすることもできる。 [0037] For example, in the above example, has been configured to transport the substrate K by the conveyance roller 13 is not limited to this, it is also possible to the embodiment shown in FIG. 即ち、同図に示したレジスト膜除去装置20は、図1に示したレジスト膜除去装置1の搬送ローラ13及びヒータ14に代えて、基板Kが載置される回転載置台2 That is, the resist film removing device 20 shown in the figure, instead of the conveying roller 13 and the heater 14 of the resist film removing apparatus 1 shown in FIG. 1, the rotation table 2 in which the substrate K is placed
1と、この回転載置台21を支持する回転軸22と、この回転軸22を軸中心に回転させる回転駆動源23とを備えて構成される。 1, and it includes a rotary shaft 22 for supporting the rotation table 21, and a rotation drive source 23 for rotating the rotary shaft 22 in the axial center. 回転載置台21には、ヒータが内蔵されており、基板Kがこのヒータによって加熱される。 The rotation table 21, a heater is built, the substrate K is heated by the heater.
斯くして、このレジスト膜除去装置20によっても、上記レジスト膜除去装置1と同様の効果が奏される。 Thus to, by the resist film removing apparatus 20, the same effect as in the resist film removing apparatus 1 can be attained. 【0038】また、上記レジスト膜除去装置1及び20 Further, the resist film removing apparatus 1 and 20
の構成は、レジスト膜除去の他に、基板K表面に酸化膜を形成したり、或いは基板K表面に形成された酸化膜を改質する装置としてこれを使用することができる。 Construction of, in addition to the resist film removal, may be used as a device for modifying or forming an oxide film on a substrate K surface or an oxide film formed on a substrate K surface.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施形態に係るレジスト膜除去装置を示した正断面図である。 Is a front sectional view showing a resist film removal device according to an embodiment of the BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】図1に示したレジスト膜除去装置の底面図である。 It is a bottom view of a resist film removing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 【図3】本発明の他の形態に係るレジスト膜除去装置を示した正断面図である。 3 is a front sectional view showing a resist film removal device according to another embodiment of the present invention. 【図4】従来例に係るレジスト膜除去装置を示した正断面図である。 4 is a front sectional view showing a resist film removal device according to a conventional example. 【符号の説明】 1 レジスト膜除去装置2 供給ヘッド3 滞留室4 鍔部5 ガス供給管6 オゾン発生器7 開口部8 排気容器9 内部空間10 排気管11 吸気口12 真空ポンプ13 搬送ローラ14 ヒータ15 超音波振動子 [Reference Numerals] 1 resist film removing apparatus 2 supply head 3 holding chamber 4 flange portion 5 gas supply pipe 6 an ozone generator 7 opening 8 a waste container 9 inside space 10 exhaust pipe 11 inlet 12 vacuum pump 13 conveying roller 14 heater 15 ultrasonic vibrator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1333 500 H01L 21/302 104H (72)発明者 山口 征隆 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内(72)発明者 金山 登紀子 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内Fターム(参考) 2H088 FA17 FA30 HA01 MA20 2H090 HC15 HC18 JA06 JC06 3B116 AA01 AB32 BB22 BB72 BB82 BB83 BB87 BB89 CD11 CD33 3B201 AA01 AB32 BB22 BB72 BB82 BB83 BB87 BB89 BB98 CD11 CD33 5F004 AA16 BA19 BB32 BC07 BD01 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) G02F 1/1333 500 H01L 21/302 104H ( 72) inventor Yamaguchi TadashiTakashi Amagasaki, Hyogo Prefecture Fuso-cho, No. 1 10 No. Sumitomo precision industry Co., Ltd. in the (72) inventor Tokiko Jinshan Amagasaki, Hyogo Prefecture Fuso-cho, No. 1, No. 10 Sumitomo precision industry Co., Ltd. in the F-term (reference) 2H088 FA17 FA30 HA01 MA20 2H090 HC15 HC18 JA06 JC06 3B116 AA01 AB32 BB22 BB72 BB82 BB83 BB87 BB89 CD11 CD33 3B201 AA01 AB32 BB22 BB72 BB82 BB83 BB87 BB89 BB98 CD11 CD33 5F004 AA16 BA19 BB32 BC07 BD01

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 処理位置で基板と対向するように配置され、該基板に対してオゾンを含んだ処理ガスを吹きかける供給ヘッドと、 前記供給ヘッドに前記処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、 前記基板と供給ヘッドとを相対移動させる駆動手段と、 前記処理位置にある基板を加熱する加熱手段とを備えて構成され、 前記処理位置で、前記供給ヘッドから基板に処理ガスを吹きかけて、該基板を処理するオゾン処理装置において、 前記供給ヘッドを、前記処理ガスが滞留可能な滞留室を備え、且つ前記基板との対向面を開口せしめた筐体状の部材から構成して、 前記処理ガス供給手段によって前記供給ヘッドの滞留室内に供給された処理ガスに、該滞留室から前記基板に向け流れて前記基板に接触した後、該記滞留室 It is arranged so as to face the substrate and in the Patent Claims 1. A process position, and supplies a supply head spraying laden process gas ozone, the treatment gas to the feed head against the substrate a processing gas supply unit, and a driving means for relatively moving the said substrate and the dispensing head is configured to include a heating means for heating the substrate which is in the processing position, at the processing position, processing from the delivery head to the substrate by spraying a gas, construction in an ozone processing apparatus for processing a substrate, the supply head comprises a holding chamber capable the process gas residence, and a box-shaped member that the opposing surfaces have allowed the opening and the substrate to, the retention process gas supplied to the chamber of the dispensing head by the processing gas supply unit, after contact with the substrate to flow toward the 該滞 Tomeshitsu the substrate, 該記 holding chamber に戻る対流を生じるように構成したことを特徴とするオゾン処理装置。 Ozone treatment apparatus characterized by being configured to produce a convection back to. 【請求項2】 前記供給ヘッドが、その開口部周縁に、 Wherein said delivery head is in the opening peripheral edge,
    外側に向けて延設された鍔部を備えてなる請求項1記載のオゾン処理装置。 Ozone treatment apparatus comprising comprises a flange portion extending according to claim 1, wherein outward. 【請求項3】 前記供給ヘッドの開口部の近傍に開口する吸気口を備え、前記供給ヘッドと基板との間の隙間から漏出した前記処理ガスを、前記吸気口から吸引して排気する排気手段を設けて構成したことを特徴とする請求項1又は2記載のオゾン処理装置。 Wherein an intake port opened to the vicinity of the opening of the delivery head, the process gas leaked from a gap between the supply head and the substrate, an exhaust means for exhausting by suction from the intake port ozone treatment apparatus according to claim 1 or 2, wherein the configured provided. 【請求項4】 前記供給ヘッドが、超音波発生手段を備えてなる請求項1乃至3記載のいずれかのオゾン処理装置。 Wherein said delivery head is one of ozone treatment apparatus of claims 1 to 3, wherein comprising comprises an ultrasonic generator.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101008253B1 (en) 2008-12-23 2011-01-14 이혜영 Dry type cleaning device for cleaning organic and inorganic matter on substrate
US8691669B2 (en) 2008-08-13 2014-04-08 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US8758512B2 (en) 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
US8770142B2 (en) 2008-09-17 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Electrode for generating plasma and plasma generator
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US8851012B2 (en) 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8871628B2 (en) 2009-01-21 2014-10-28 Veeco Ald Inc. Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US8895108B2 (en) 2009-02-23 2014-11-25 Veeco Ald Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8691669B2 (en) 2008-08-13 2014-04-08 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US8851012B2 (en) 2008-09-17 2014-10-07 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
US8770142B2 (en) 2008-09-17 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Electrode for generating plasma and plasma generator
KR101008253B1 (en) 2008-12-23 2011-01-14 이혜영 Dry type cleaning device for cleaning organic and inorganic matter on substrate
US8871628B2 (en) 2009-01-21 2014-10-28 Veeco Ald Inc. Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
US8895108B2 (en) 2009-02-23 2014-11-25 Veeco Ald Inc. Method for forming thin film using radicals generated by plasma
US8758512B2 (en) 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US8877300B2 (en) 2011-02-16 2014-11-04 Veeco Ald Inc. Atomic layer deposition using radicals of gas mixture
US9163310B2 (en) 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

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