JP2003171359A - （２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル誘導体の製造方法及びその合成中間体 - Google Patents
（２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル誘導体の製造方法及びその合成中間体Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】工業的生産に適する（２−ニトロフェニル）ア
セトニトリル誘導体の製造方法、及びその製造中間体を
提供する。 【解決手段】（Ａ）〜（Ｃ）の各工程からなる、一般式
［ＩＶ］ ｛式中、Ｘはアルコキシメチル基等を表す。｝で表され
る（２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル類の製造方
法、及び合成中間体。（Ａ）一般式［Ｉ］ で表される化合物を、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
ジアルキルアセタ−ルと反応させ、酸加水分解すること
により、一般式［ＩＩ］ の化合物とする第１工程。（Ｂ）第１工程で得られた一
般式［ＩＩ］で表される化合物を、ヒドロキシルアミン
と反応させて、一般式［ＩＩＩ］ のアルドキシム誘導体とする第２工程。（Ｃ）第２工程
で得られた一般式［ＩＩＩ］で表されるアルドキシム誘
導体を、脱水することにより、一般式［ＩＶ］ で表される（２−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導
体とする第３工程。
セトニトリル誘導体の製造方法、及びその製造中間体を
提供する。 【解決手段】（Ａ）〜（Ｃ）の各工程からなる、一般式
［ＩＶ］ ｛式中、Ｘはアルコキシメチル基等を表す。｝で表され
る（２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル類の製造方
法、及び合成中間体。（Ａ）一般式［Ｉ］ で表される化合物を、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
ジアルキルアセタ−ルと反応させ、酸加水分解すること
により、一般式［ＩＩ］ の化合物とする第１工程。（Ｂ）第１工程で得られた一
般式［ＩＩ］で表される化合物を、ヒドロキシルアミン
と反応させて、一般式［ＩＩＩ］ のアルドキシム誘導体とする第２工程。（Ｃ）第２工程
で得られた一般式［ＩＩＩ］で表されるアルドキシム誘
導体を、脱水することにより、一般式［ＩＶ］ で表される（２−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導
体とする第３工程。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、（２−ニトロフェ
ニル）アセトニトリル類の新規な製造方法、及びその合
成中間体に関するものである。
ニル）アセトニトリル類の新規な製造方法、及びその合
成中間体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、（２−ニトロフェニル）アセトニ
トリル類の合成法としては、２−ニトロベンジルブロミ
ド類をシアノ化物と反応させることにより、（２−ニト
ロフェニル）アセトニトリル類を合成する方法が知られ
ていた（例えば、特許文献１、非特許文献１参照。）。
トリル類の合成法としては、２−ニトロベンジルブロミ
ド類をシアノ化物と反応させることにより、（２−ニト
ロフェニル）アセトニトリル類を合成する方法が知られ
ていた（例えば、特許文献１、非特許文献１参照。）。
【特許文献１】国際公開（ＷＯ）第９１／１５４７８号
【非特許文献１】「シンセシス（Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ）」、（米国）、ゲオルグ チーメ フェルラク シ
ュツッツガルト（Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌ
ａｇ Ｓｔｕｔｔｕｇａｒｔ）、１９８７年、第５巻、
ｐ．５１４〜５１５
ｓ）」、（米国）、ゲオルグ チーメ フェルラク シ
ュツッツガルト（Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌ
ａｇ Ｓｔｕｔｔｕｇａｒｔ）、１９８７年、第５巻、
ｐ．５１４〜５１５
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
て反応中間体として使用される、２−ニトロベンジルブ
ロミド類は、目的物である（２−ニトロフェニル）アセ
トニトリル誘導体をもベンジル化するため、目的物収率
も低く、精製も困難であった。従って、副生物が少なく
精製が容易で、高収率を与える製造方法が求められてい
る。本発明は、工業的生産に適する（２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル誘導体を製造する方法、及びその製
造中間体を提供するものである。
て反応中間体として使用される、２−ニトロベンジルブ
ロミド類は、目的物である（２−ニトロフェニル）アセ
トニトリル誘導体をもベンジル化するため、目的物収率
も低く、精製も困難であった。従って、副生物が少なく
精製が容易で、高収率を与える製造方法が求められてい
る。本発明は、工業的生産に適する（２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル誘導体を製造する方法、及びその製
造中間体を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために検討を加えた結果、シアノ化合物をベ
ンジル化することなく（２−ニトロフェニル）アセトニ
トリル誘導体の製造方法を見出し、発明を完成するに至
った。
を解決するために検討を加えた結果、シアノ化合物をベ
ンジル化することなく（２−ニトロフェニル）アセトニ
トリル誘導体の製造方法を見出し、発明を完成するに至
った。
【０００５】
【発明の実施の形態】即ち、本発明は、〔１〕乃至
〔２〕の発明を提供することにより、上記課題を解決し
たものである。
〔２〕の発明を提供することにより、上記課題を解決し
たものである。
【０００６】〔１〕（Ａ）〜（Ｃ）の各工程からなる、
一般式［ＩＶ］
一般式［ＩＶ］
【０００７】
【化７】
【０００８】｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアル
コキシカルボニル基を表す。｝
コキシカルボニル基を表す。｝
【０００９】で表される（２−ニトロ−フェニル）アセ
トニトリル類の製造方法。
トニトリル類の製造方法。
【００１０】（Ａ）一般式［Ｉ］
【００１１】
【化８】
【００１２】｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアル
コキシカルボニル基を表す。｝
コキシカルボニル基を表す。｝
【００１３】で表される２−メチルニトロベンゼン誘導
体を、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキルアセ
タ−ルと反応させ、２−（２−ジアルキルアミノエテニ
ル）ニトロベンゼン誘導体を得、これを酸性加水分解す
ることにより、一般式［ＩＩ］
体を、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキルアセ
タ−ルと反応させ、２−（２−ジアルキルアミノエテニ
ル）ニトロベンゼン誘導体を得、これを酸性加水分解す
ることにより、一般式［ＩＩ］
【００１４】
【化９】
【００１５】｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝
【００１６】で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導
体とする第１工程。
体とする第１工程。
【００１７】（Ｂ）第１工程で得られた一般式［ＩＩ］
で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体を、ヒドロ
キシルアミンと反応させて、一般式［ＩＩＩ］
で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体を、ヒドロ
キシルアミンと反応させて、一般式［ＩＩＩ］
【００１８】
【化１０】
｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝で表されるフェ
ニルアセトアルドキシム誘導体とする第２工程。 （Ｃ）第２工程で得られた一般式［ＩＩＩ］で表される
フェニルアセトアルドキシム誘導体を、脱水することに
より、一般式［ＩＶ］
ニルアセトアルドキシム誘導体とする第２工程。 （Ｃ）第２工程で得られた一般式［ＩＩＩ］で表される
フェニルアセトアルドキシム誘導体を、脱水することに
より、一般式［ＩＶ］
【化１１】
【００１９】｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝
【００２０】で表される（２−ニトロ−フェニル）アセ
トニトリル誘導体とする第３工程。
トニトリル誘導体とする第３工程。
【００２１】〔２〕一般式［Ｖ］
【００２２】
【化１２】
【００２３】｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアル
コキシカルボニル基を表し、Ｙはメチル基、２−ジアル
キルアミノエテニル基（ジアルキルアミノ部のアルキル
基は、同一又は相異なってもよく、また窒素原子と共に
５〜６員環を形成することもできる。）、ホルミルメチ
ル基、２−ヒドロキシイミノエチル基を表す。但し、Ｙ
がメチル基又は２−ジアルキルアミノエテニル基を表す
時は、Ｘはメトキシメチル基を表す。｝
コキシカルボニル基を表し、Ｙはメチル基、２−ジアル
キルアミノエテニル基（ジアルキルアミノ部のアルキル
基は、同一又は相異なってもよく、また窒素原子と共に
５〜６員環を形成することもできる。）、ホルミルメチ
ル基、２−ヒドロキシイミノエチル基を表す。但し、Ｙ
がメチル基又は２−ジアルキルアミノエテニル基を表す
時は、Ｘはメトキシメチル基を表す。｝
【００２４】で表されるニトロベンゼン誘導体。
【００２５】まず、〔１〕の本発明方法について説明す
る。
る。
【００２６】〔１〕の本発明方法は、前記（Ａ）〜
（Ｃ）の各工程からなる、一般式［ＩＶ］
（Ｃ）の各工程からなる、一般式［ＩＶ］
【化１３】
｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアルコキシカルボ
ニル基を表す。｝で表される（２−ニトロ−フェニル）
アセトニトリル類の製造方法であるが、（Ａ）〜（Ｃ）
の各工程、或いは（Ａ）〜（Ｃ）各工程中の各反応の生
成物は、必ずしも工程或いは反応ごとに単離、精製して
次工程或いは次反応に用いる必要はなく、必要に応じ、
同一容器内で（Ａ）〜（Ｃ）の各工程、或いは（Ａ）〜
（Ｃ）各工程中の各反応を連続して行うこともできる。
ニル基を表す。｝で表される（２−ニトロ−フェニル）
アセトニトリル類の製造方法であるが、（Ａ）〜（Ｃ）
の各工程、或いは（Ａ）〜（Ｃ）各工程中の各反応の生
成物は、必ずしも工程或いは反応ごとに単離、精製して
次工程或いは次反応に用いる必要はなく、必要に応じ、
同一容器内で（Ａ）〜（Ｃ）の各工程、或いは（Ａ）〜
（Ｃ）各工程中の各反応を連続して行うこともできる。
【００２７】（Ａ）第１工程は下記スキームで表され
る。
る。
【００２８】
【化１４】
【００２９】｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表し、
Ｒ１、Ｒ２は、同一又は相異なるアルキル基を示し、さ
らにこれらの結合した窒素原子と共に５〜６員環を形成
することもできる。Ｒ３、Ｒ４は同一又は相異なるアル
キル基を示す。｝
Ｒ１、Ｒ２は、同一又は相異なるアルキル基を示し、さ
らにこれらの結合した窒素原子と共に５〜６員環を形成
することもできる。Ｒ３、Ｒ４は同一又は相異なるアル
キル基を示す。｝
【００３０】（Ａ）第１工程で原料となる、一般式
［Ｉ］
［Ｉ］
【００３１】
【化１５】
｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアルコキシカルボ
ニル基を表す。｝
ニル基を表す。｝
【００３２】で表される２−メチルニトロベンゼン誘導
体としては、Ｘが直鎖又は分岐鎖の炭素数１乃至６（以
下、炭素数については、この場合では「Ｃ１−Ｃ６」の
様に略記する。）アルコキシ−メチル基〔すなわち、
（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）メチル基〕又は、直鎖又は分
岐鎖（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）カルボニル基であれば良
く、ここで（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）メチル基として
は、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ
−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ−
ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ｎ−
ヘキシルオキシメチル基等を例示することができ、また
（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）カルボニル基としては、例え
ばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−
プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等を例示
することができる。従って、Ｘがアルコキシメチル基で
ある化合物としては、具体的には、例えば３−メトキシ
メチル−２−ニトロトルエン、３−エトキシメチル−２
−ニトロトルエン、３−ｎ−プロポキシメチル−２−ニ
トロトルエン、３−イソプロポキシメチル−２−ニトロ
トルエン、３−ｎ−ブトキシメチル−２−ニトロトルエ
ン、３−ｎ−ペンチルオキシ−２−ニトロトルエン、３
−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ニトロトルエン等を例示で
き、また、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物と
しては、具体的には、例えば３−メチル−２−ニトロ安
息香酸メチル、３−メチル−２−ニトロ安息香酸エチ
ル、３−メチル−２−ニトロ安息香酸ｎ−プロピル、３
−メチル−２−ニトロ安息香酸ｎ−ブチル、３−メチル
−２−ニトロ安息香酸ｎ−ペンチル、３−メチル−２−
ニトロ安息香酸ｎ−ヘキシル等を例示することができ
る。
体としては、Ｘが直鎖又は分岐鎖の炭素数１乃至６（以
下、炭素数については、この場合では「Ｃ１−Ｃ６」の
様に略記する。）アルコキシ−メチル基〔すなわち、
（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）メチル基〕又は、直鎖又は分
岐鎖（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）カルボニル基であれば良
く、ここで（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）メチル基として
は、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ
−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ−
ブトキシメチル基、ｎ−ペンチルオキシメチル基、ｎ−
ヘキシルオキシメチル基等を例示することができ、また
（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）カルボニル基としては、例え
ばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−
プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等を例示
することができる。従って、Ｘがアルコキシメチル基で
ある化合物としては、具体的には、例えば３−メトキシ
メチル−２−ニトロトルエン、３−エトキシメチル−２
−ニトロトルエン、３−ｎ−プロポキシメチル−２−ニ
トロトルエン、３−イソプロポキシメチル−２−ニトロ
トルエン、３−ｎ−ブトキシメチル−２−ニトロトルエ
ン、３−ｎ−ペンチルオキシ−２−ニトロトルエン、３
−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ニトロトルエン等を例示で
き、また、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物と
しては、具体的には、例えば３−メチル−２−ニトロ安
息香酸メチル、３−メチル−２−ニトロ安息香酸エチ
ル、３−メチル−２−ニトロ安息香酸ｎ−プロピル、３
−メチル−２−ニトロ安息香酸ｎ−ブチル、３−メチル
−２−ニトロ安息香酸ｎ−ペンチル、３−メチル−２−
ニトロ安息香酸ｎ−ヘキシル等を例示することができ
る。
【００３３】これらの一般式［Ｉ］で表される２−メチ
ルニトロベンゼン誘導体は公知の化合物であるか、或い
は、Ｘがアルコキシメチル基である化合物は、例えば３
−メチル−２−ニトロ安息香酸エステル（代表的にはメ
チルエステル）あるいは３−メチル−２−ニトロ安息香
酸ハライド（代表的にはクロライド）を還元して３−メ
チル−２−ニトロベンジルアルコールとし、さらに例え
ばテトラヘドロン レター（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ
Ｌｅｔｔｅｒ）、第３０巻、４７−５０頁（１９８９
年）に記載の方法に準じてアルキル化することによっ
て、また、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物
は、例えばブルチン オブ ザ ケミカルソサエティ
オブ ジャパン（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐ
ｎ．）、第６０巻、３６５９頁（１９８７年）記載の方
法に準じて、３−メチル安息香酸を２−ニトロ化した
後、常法に準じ塩化チオニル等で酸ハライドとし、更
に、ケミカルレビューズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉ
ｅｗｓ）、第５２巻、２３７頁（１９５３年）記載の方
法等、公知の方法に準じて、例えば３−メチル−２−ニ
トロ安息香酸クロライド等の３−メチル−２−ニトロ安
息香酸ハライドと、対応するアルコールを反応させてエ
ステル化することによって、それぞれ、得ることができ
る化合物である。
ルニトロベンゼン誘導体は公知の化合物であるか、或い
は、Ｘがアルコキシメチル基である化合物は、例えば３
−メチル−２−ニトロ安息香酸エステル（代表的にはメ
チルエステル）あるいは３−メチル−２−ニトロ安息香
酸ハライド（代表的にはクロライド）を還元して３−メ
チル−２−ニトロベンジルアルコールとし、さらに例え
ばテトラヘドロン レター（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ
Ｌｅｔｔｅｒ）、第３０巻、４７−５０頁（１９８９
年）に記載の方法に準じてアルキル化することによっ
て、また、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物
は、例えばブルチン オブ ザ ケミカルソサエティ
オブ ジャパン（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐ
ｎ．）、第６０巻、３６５９頁（１９８７年）記載の方
法に準じて、３−メチル安息香酸を２−ニトロ化した
後、常法に準じ塩化チオニル等で酸ハライドとし、更
に、ケミカルレビューズ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉ
ｅｗｓ）、第５２巻、２３７頁（１９５３年）記載の方
法等、公知の方法に準じて、例えば３−メチル−２−ニ
トロ安息香酸クロライド等の３−メチル−２−ニトロ安
息香酸ハライドと、対応するアルコールを反応させてエ
ステル化することによって、それぞれ、得ることができ
る化合物である。
【００３４】Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物
の製造において用いる、対応するアルコールとしては、
Ｃ１〜Ｃ６の直鎖又は分岐鎖アルコール、具体的には例
えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−
プロパノール（２−プロパノール）、ｎ−ブタノール、
ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール等を例示
できる。
の製造において用いる、対応するアルコールとしては、
Ｃ１〜Ｃ６の直鎖又は分岐鎖アルコール、具体的には例
えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−
プロパノール（２−プロパノール）、ｎ−ブタノール、
ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール等を例示
できる。
【００３５】第１工程で原料となる、一般式［ＶＩ］で
表されるＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキルア
セタ−ルとしては、例えばＮ，Ｎ−ジ（Ｃ１〜Ｃ６アル
キル）ホルムアミドジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アセタ−
ル、具体的には例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエ
チルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドジメチ
ルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジプロピルホルムアミドジメチ
ルアセタ−ル、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル等や、Ｒ１、Ｒ２が、これらの結合し
た窒素原子と共に５〜６員環を形成している化合物、具
体的には例えばピロリジン等を例示することができる。
表されるＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキルア
セタ−ルとしては、例えばＮ，Ｎ−ジ（Ｃ１〜Ｃ６アル
キル）ホルムアミドジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アセタ−
ル、具体的には例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエ
チルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドジメチ
ルアセタ−ル、Ｎ，Ｎ−ジプロピルホルムアミドジメチ
ルアセタ−ル、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル等や、Ｒ１、Ｒ２が、これらの結合し
た窒素原子と共に５〜６員環を形成している化合物、具
体的には例えばピロリジン等を例示することができる。
【００３６】また、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジ
アルキルアセタ−ルを用いる代わりに、一般式［ＶＩ
Ｉ］で示されるＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチル
アセタ−ル及び一般式［ＶＩＩＩ］で表されるジアルキ
ルアミンを用いることもでき、その場合の一般式［ＶＩ
ＩＩ］で表されるジアルキルアミンとしては、ジ（Ｃ１
〜Ｃ６アルキル）アミン、具体的にはジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、
メチルエチルアミンや、窒素原子と共に５〜６員環を形
成している化合物、具体的には例えばピロリジン等を例
示することができる。
アルキルアセタ−ルを用いる代わりに、一般式［ＶＩ
Ｉ］で示されるＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチル
アセタ−ル及び一般式［ＶＩＩＩ］で表されるジアルキ
ルアミンを用いることもでき、その場合の一般式［ＶＩ
ＩＩ］で表されるジアルキルアミンとしては、ジ（Ｃ１
〜Ｃ６アルキル）アミン、具体的にはジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、
メチルエチルアミンや、窒素原子と共に５〜６員環を形
成している化合物、具体的には例えばピロリジン等を例
示することができる。
【００３７】第１工程の反応に供される試剤の量は、一
般式［Ｉ］で表される２−メチルニトロベンゼン誘導体
１当量に対して、一般式［ＶＩ］〜［ＶＩＩＩ］で表さ
れる化合物はそれぞれ、１〜１０当量、好ましくは１〜
３当量である。
般式［Ｉ］で表される２−メチルニトロベンゼン誘導体
１当量に対して、一般式［ＶＩ］〜［ＶＩＩＩ］で表さ
れる化合物はそれぞれ、１〜１０当量、好ましくは１〜
３当量である。
【００３８】第１工程で用いることができる溶媒として
は、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロ
ベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジ
ノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又
はキシレン等の芳香族炭化水素類；或いはこれらの混合
物が挙げられる。その該溶媒の使用量は一般式［Ｉ］で
表される２−ニトロトルエン誘導体（即ち、２−メチル
ニトロベンゼン誘導体）１モルに対して、１００００ｍ
ｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の範囲を例示でき
る。
は、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロ
ベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジ
ノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又
はキシレン等の芳香族炭化水素類；或いはこれらの混合
物が挙げられる。その該溶媒の使用量は一般式［Ｉ］で
表される２−ニトロトルエン誘導体（即ち、２−メチル
ニトロベンゼン誘導体）１モルに対して、１００００ｍ
ｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の範囲を例示でき
る。
【００３９】第１工程で加水分解に用いる酸としては、
塩酸、硫酸等の鉱酸、酢酸、メタンスルホン酸、パラ−
トルエンスルホン酸等の有機酸を挙げることができる。
また、反応に供される酸の量は一般式［Ｉ］で表される
２−ニトロトルエン誘導体１当量に対して、１〜２０当
量、好ましくは１〜３当量である。
塩酸、硫酸等の鉱酸、酢酸、メタンスルホン酸、パラ−
トルエンスルホン酸等の有機酸を挙げることができる。
また、反応に供される酸の量は一般式［Ｉ］で表される
２−ニトロトルエン誘導体１当量に対して、１〜２０当
量、好ましくは１〜３当量である。
【００４０】第１工程の反応温度は、いずれの反応も−
１０℃〜反応系における還流温度までの任意の温度で行
い、好ましくは０℃〜１３０℃の温度範囲を例示でき、
反応は化合物により異なるが０．５時間〜２４時間で終
了する。
１０℃〜反応系における還流温度までの任意の温度で行
い、好ましくは０℃〜１３０℃の温度範囲を例示でき、
反応は化合物により異なるが０．５時間〜２４時間で終
了する。
【００４１】続いて、（Ｂ）第２工程について説明す
る。
る。
【００４２】（Ｂ）第２工程は下記スキームで表され
る。
る。
【００４３】
【化１６】
【００４４】｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝
【００４５】第２工程の目的物たる一般式［ＩＩＩ］で
表されるフェニルアセトアルドキシム誘導体は、前記
（Ａ）第１工程で得られる一般式［ＩＩ］で表されるフ
ェニルアセトアルデヒド誘導体と、一般式［Ｘ］で表さ
れるヒドロキシルアミン又はその鉱酸塩とを、溶媒中又
は溶媒の非存在下で（好ましくは適当な溶媒中）、塩基
の存在下又は非存在下において、反応させることにより
製造することができる。
表されるフェニルアセトアルドキシム誘導体は、前記
（Ａ）第１工程で得られる一般式［ＩＩ］で表されるフ
ェニルアセトアルデヒド誘導体と、一般式［Ｘ］で表さ
れるヒドロキシルアミン又はその鉱酸塩とを、溶媒中又
は溶媒の非存在下で（好ましくは適当な溶媒中）、塩基
の存在下又は非存在下において、反応させることにより
製造することができる。
【００４６】第２工程の反応に供される一般式［Ｘ］で
表されるヒドロキシルアミン又はその鉱酸塩（例えば塩
酸塩、硝酸塩、硫酸塩等）の量は、一般式［ＩＩ］で表
される化合物１当量に対して、一般式［Ｘ］で表される
化合物は１〜２当量、好ましくは１〜１．２当量であ
る。
表されるヒドロキシルアミン又はその鉱酸塩（例えば塩
酸塩、硝酸塩、硫酸塩等）の量は、一般式［ＩＩ］で表
される化合物１当量に対して、一般式［Ｘ］で表される
化合物は１〜２当量、好ましくは１〜１．２当量であ
る。
【００４７】第２工程において用い得る塩基としては、
例えば水素化ナトリウム等の金属水素化物；ナトリウム
アミド又はリチウムジイソプロピルアミド等のアルカリ
金属アミド類；ピリジン、トリエチルアミン又は１，８
−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の
有機塩基類；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のア
ルカリ金属の水酸化物；水酸化カルシウム又は水酸化マ
グネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；炭酸ナト
リウム又は炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩類；
炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウム等のアルカリ
金属の重炭酸塩類；酢酸ナトリウムやギ酸カリウム等の
アルカリ金属のカルボン酸塩類；或いはナトリウムメト
キシド又はカリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルコ
−ルの金属塩類が挙げられる。該塩基の使用量は一般式
［ＩＩ］で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体１
モルに対して１〜２モル、好ましくは１〜１．２モルの
範囲を例示できる。
例えば水素化ナトリウム等の金属水素化物；ナトリウム
アミド又はリチウムジイソプロピルアミド等のアルカリ
金属アミド類；ピリジン、トリエチルアミン又は１，８
−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の
有機塩基類；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のア
ルカリ金属の水酸化物；水酸化カルシウム又は水酸化マ
グネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；炭酸ナト
リウム又は炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩類；
炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウム等のアルカリ
金属の重炭酸塩類；酢酸ナトリウムやギ酸カリウム等の
アルカリ金属のカルボン酸塩類；或いはナトリウムメト
キシド又はカリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルコ
−ルの金属塩類が挙げられる。該塩基の使用量は一般式
［ＩＩ］で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体１
モルに対して１〜２モル、好ましくは１〜１．２モルの
範囲を例示できる。
【００４８】第２工程において用い得る溶媒としては、
例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の
エ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベン
ゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；メタノ−ル、エタノ−
ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル（２−プロパノー
ル）、ブタノ−ル又はｔｅｒｔ−ブタノ−ル等のアルコ
−ル類；アセトニトリル等のニトリル類；水或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は一般式［Ｉ
Ｉ］で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体１モル
に対して、１００００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍ
ｌ以下の範囲を例示できる。
例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の
エ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベン
ゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；メタノ−ル、エタノ−
ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル（２−プロパノー
ル）、ブタノ−ル又はｔｅｒｔ−ブタノ−ル等のアルコ
−ル類；アセトニトリル等のニトリル類；水或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は一般式［Ｉ
Ｉ］で表されるフェニルアセトアルデヒド誘導体１モル
に対して、１００００ｍｌ以下、好ましくは１０００ｍ
ｌ以下の範囲を例示できる。
【００４９】第２工程の反応温度は０℃〜反応系におけ
る還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは２０℃
〜７０℃の温度範囲を例示でき、反応は化合物により異
なるが１時間〜７２時間で終了する。
る還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは２０℃
〜７０℃の温度範囲を例示でき、反応は化合物により異
なるが１時間〜７２時間で終了する。
【００５０】続いて（Ｃ）第３工程について説明する。
【００５１】（Ｃ）第３工程は下記スキームで表され
る。
る。
【００５２】
【化１７】
【００５３】｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝
【００５４】第３工程の目的物たる一般式［ＩＶ］で表
されるフェニルアセトニトリル誘導体は、前記（Ｂ）第
２工程で得られる一般式［ＩＩＩ］で表されるフェニル
アセトアルドキシム誘導体を、溶媒中又は溶媒の非存在
下で（好ましくは適当な溶媒中）、脱水剤と反応するこ
とにより製造することができる。
されるフェニルアセトニトリル誘導体は、前記（Ｂ）第
２工程で得られる一般式［ＩＩＩ］で表されるフェニル
アセトアルドキシム誘導体を、溶媒中又は溶媒の非存在
下で（好ましくは適当な溶媒中）、脱水剤と反応するこ
とにより製造することができる。
【００５５】第３工程で用いる脱水剤としては、アセチ
ルクロリド、ホスゲン、チオニルクロリド、オキシ塩化
リン等の酸ハライド類；無水トリフルオロ酢酸、無水酢
酸等の酸無水物；カルボニルジイミダゾ−ル、ジシクロ
ヘキサンジイミド等の縮合剤が挙げられる。
ルクロリド、ホスゲン、チオニルクロリド、オキシ塩化
リン等の酸ハライド類；無水トリフルオロ酢酸、無水酢
酸等の酸無水物；カルボニルジイミダゾ−ル、ジシクロ
ヘキサンジイミド等の縮合剤が挙げられる。
【００５６】第３工程おいて反応に供される試剤の量
は、一般式［ＩＩＩ］で表されるフェニルアセトアルド
キシム誘導体１当量に対して、脱水剤は１〜３当量であ
る。
は、一般式［ＩＩＩ］で表されるフェニルアセトアルド
キシム誘導体１当量に対して、脱水剤は１〜３当量であ
る。
【００５７】第３工程において用い得る溶媒としては、
例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の
エ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベン
ゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプ
ロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタノン等の
ケトン類；アセトニトリル等のニトリル類；或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、一般式
［ＩＩＩ］で表されるフェニルアセトアルドキシム誘導
体１モルに対して、１００００ｍｌ以下、好ましくは１
０００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の
エ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベン
ゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプ
ロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタノン等の
ケトン類；アセトニトリル等のニトリル類；或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、一般式
［ＩＩＩ］で表されるフェニルアセトアルドキシム誘導
体１モルに対して、１００００ｍｌ以下、好ましくは１
０００ｍｌ以下の範囲を例示できる。
【００５８】第３工程の反応温度は０℃〜反応系におけ
る還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは７０℃
〜１５０℃の温度範囲であり、反応は化合物により異な
るが１時間〜７２時間で終了する。
る還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは７０℃
〜１５０℃の温度範囲であり、反応は化合物により異な
るが１時間〜７２時間で終了する。
【００５９】続いて、参考として、第３工程で得られた
一般式［ＩＶ］で表されるフェニルアセトニトリル誘導
体の内、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物を、
還元して、２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルア
ルコ−ルとした後、（２−ニトロ−３−アルコキシメチ
ル−フェニル）アセトニトリル誘導体を製造する工程に
ついて説明する。
一般式［ＩＶ］で表されるフェニルアセトニトリル誘導
体の内、Ｘがアルコキシカルボニル基である化合物を、
還元して、２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルア
ルコ−ルとした後、（２−ニトロ−３−アルコキシメチ
ル−フェニル）アセトニトリル誘導体を製造する工程に
ついて説明する。
【００６０】参考の本工程は下記スキームで表される。
【００６１】
【化１８】
【００６２】｛式中、Ｘ１はアルコキシカルボニル基を
表し、Ｈａｌはハロゲン原子を表し、Ｒ５はアルキル基
を表す。｝
表し、Ｈａｌはハロゲン原子を表し、Ｒ５はアルキル基
を表す。｝
【００６３】本工程は、上記スキームのごとく、一般式
［ＩＶ’］で表される（３−アルコキシカルボニル−２
−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導体（即ち、第３
工程で得られた一般式［ＩＶ］で表される（２−ニトロ
フェニル）アセトニトリル誘導体の内、Ｘがアルコキシ
カルボニル基である化合物）を還元して、２−ニトロ−
３−シアノメチル−ベンジルアルコ−ルとした後、下記
ａ：又はｂ：の何れかの方法で、（２−ニトロ−３−ア
ルコキシメチル−フェニル）アセトニトリル誘導体を製
造する工程である。 ａ：２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコ−
ルをアルキル化剤と反応させる。
［ＩＶ’］で表される（３−アルコキシカルボニル−２
−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導体（即ち、第３
工程で得られた一般式［ＩＶ］で表される（２−ニトロ
フェニル）アセトニトリル誘導体の内、Ｘがアルコキシ
カルボニル基である化合物）を還元して、２−ニトロ−
３−シアノメチル−ベンジルアルコ−ルとした後、下記
ａ：又はｂ：の何れかの方法で、（２−ニトロ−３−ア
ルコキシメチル−フェニル）アセトニトリル誘導体を製
造する工程である。 ａ：２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコ−
ルをアルキル化剤と反応させる。
【００６４】ｂ：２−ニトロ−３−シアノメチル−ベン
ジルアルコ−ルをハロゲン化することにより得られる、
一般式［ＸＩＩＩ］
ジルアルコ−ルをハロゲン化することにより得られる、
一般式［ＸＩＩＩ］
【００６５】
【化１９】
【００６６】｛式中、Ｈａｌはハロゲン原子を表す。｝
【００６７】で表される２−ニトロ−３−シアノメチル
−ベンジルハライド誘導体を、アルコールと反応させ
る。
−ベンジルハライド誘導体を、アルコールと反応させ
る。
【００６８】まず、本工程の還元について説明する。
【００６９】本工程における、一般式［ＩＶ’］で表さ
れる（３−アルコキシカルボニル−２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル誘導体の還元は、還元剤を用いて行
い、この還元剤としては、ニトロ基、ニトリル基を還元
することなくアルコキシカルボニル基をヒドロキシメチ
ル基に還元できるものであれば何れでも構わないが、例
えば、水素化ホウ素ナトリウムとメタノールの組合わせ
等を例示することができる。還元剤として水素化ホウ素
ナトリウムとメタノールの組合わせを用いるときは、一
般式［ＩＶ’］で表される（３−アルコキシカルボニル
−２−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導体１モルに
対して水素化ホウ素ナトリウム１．０〜３．０モル、好
ましくは１．０〜１．５モル、メタノール１．０〜２０
モル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
れる（３−アルコキシカルボニル−２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル誘導体の還元は、還元剤を用いて行
い、この還元剤としては、ニトロ基、ニトリル基を還元
することなくアルコキシカルボニル基をヒドロキシメチ
ル基に還元できるものであれば何れでも構わないが、例
えば、水素化ホウ素ナトリウムとメタノールの組合わせ
等を例示することができる。還元剤として水素化ホウ素
ナトリウムとメタノールの組合わせを用いるときは、一
般式［ＩＶ’］で表される（３−アルコキシカルボニル
−２−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導体１モルに
対して水素化ホウ素ナトリウム１．０〜３．０モル、好
ましくは１．０〜１．５モル、メタノール１．０〜２０
モル、好ましくは２〜１０モルの範囲を例示できる。
【００７０】本工程の還元は、溶媒中で行うのが一般的
であり、使用しうる溶媒としては、例えばジオキサン、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエ−テル類；ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン又はジクロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
又はＮ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド類；ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又はスルホラン等の硫黄
化合物；ベンゼン、トルエン又はキシレン等の芳香族炭
化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプロピル等のエステル
類；アセトン又は２−ブタノン等のケトン類；アセトニ
トリル等のニトリル類、或いはこれらの混合物が挙げら
れる。該溶媒の使用量は、一般式［ＩＶ’］で表される
（３−アルコキシカルボニル−２−ニトロフェニル）ア
セトニトリル誘導体１モルに対して、１００〜５０００
ｍｌ、好ましくは３００〜１０００ｍｌの範囲を例示で
きる。
であり、使用しうる溶媒としては、例えばジオキサン、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエ−テル類；ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン又はジクロロベ
ンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
又はＮ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド類；ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又はスルホラン等の硫黄
化合物；ベンゼン、トルエン又はキシレン等の芳香族炭
化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプロピル等のエステル
類；アセトン又は２−ブタノン等のケトン類；アセトニ
トリル等のニトリル類、或いはこれらの混合物が挙げら
れる。該溶媒の使用量は、一般式［ＩＶ’］で表される
（３−アルコキシカルボニル−２−ニトロフェニル）ア
セトニトリル誘導体１モルに対して、１００〜５０００
ｍｌ、好ましくは３００〜１０００ｍｌの範囲を例示で
きる。
【００７１】本工程の還元の反応温度は４０℃〜反応系
における還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは
５０℃〜反応系における還流温度の温度範囲であり、還
元剤として水素化ホウ素ナトリウムとメタノールの組合
わせを用いるときは、還流下にメタノールを滴下するよ
うにする。反応は化合物により異なるが１時間〜７２時
間で終了する。
における還流温度までの任意の温度で行い、好ましくは
５０℃〜反応系における還流温度の温度範囲であり、還
元剤として水素化ホウ素ナトリウムとメタノールの組合
わせを用いるときは、還流下にメタノールを滴下するよ
うにする。反応は化合物により異なるが１時間〜７２時
間で終了する。
【００７２】次に、本工程のａ：の方法について説明す
る。
る。
【００７３】本工程のａ：の方法は、２−ニトロ−３−
シアノメチル−ベンジルアルコールをアルキル化剤と反
応させる。
シアノメチル−ベンジルアルコールをアルキル化剤と反
応させる。
【００７４】本工程のａ：の方法における、２−ニトロ
−３−シアノメチル−ベンジルアルコールのアルキル化
は、アルキル化剤を用いて行い、このアルキル化剤とし
ては、ベンジルアルコール部位をアルコキシメチル基に
アルキル化できるものであれば何れでも構わないが、例
えば、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸等のジ（Ｃ１〜Ｃ６
アルキル硫酸：ヨウ化メチル、臭化エチル等のハロゲン
化（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル等を例示することができる。
アルキル化剤の使用量としては、２−ニトロ−３−シア
ノメチル−ベンジルアルコール１モルに対して、１．０
〜２．０モル、好ましくは１．０〜１．５モルの範囲を
例示できる。
−３−シアノメチル−ベンジルアルコールのアルキル化
は、アルキル化剤を用いて行い、このアルキル化剤とし
ては、ベンジルアルコール部位をアルコキシメチル基に
アルキル化できるものであれば何れでも構わないが、例
えば、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸等のジ（Ｃ１〜Ｃ６
アルキル硫酸：ヨウ化メチル、臭化エチル等のハロゲン
化（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル等を例示することができる。
アルキル化剤の使用量としては、２−ニトロ−３−シア
ノメチル−ベンジルアルコール１モルに対して、１．０
〜２．０モル、好ましくは１．０〜１．５モルの範囲を
例示できる。
【００７５】本工程のａ：の方法におけるアルキル化
は、溶媒中で行うのが一般的であり、使用しうる溶媒と
しては、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロ
リジノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエ
ン又はキシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢
酸イソプロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタ
ノン等のケトン類；アセトニトリル等のニトリル類；或
いはこれらの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、
２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコール１
モルに対して、５００〜５０００ｍｌ、好ましくは１０
００〜３０００ｍｌの範囲を例示できる。
は、溶媒中で行うのが一般的であり、使用しうる溶媒と
しては、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロ
リジノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエ
ン又はキシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢
酸イソプロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタ
ノン等のケトン類；アセトニトリル等のニトリル類；或
いはこれらの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、
２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコール１
モルに対して、５００〜５０００ｍｌ、好ましくは１０
００〜３０００ｍｌの範囲を例示できる。
【００７６】本工程のａ：の方法におけるアルキル化の
反応温度は１０℃〜反応系における還流温度までの任意
の温度で行い、好ましくは２０℃〜４０℃の温度範囲で
あり、反応は化合物により異なるが１時間〜７２時間で
終了する。
反応温度は１０℃〜反応系における還流温度までの任意
の温度で行い、好ましくは２０℃〜４０℃の温度範囲で
あり、反応は化合物により異なるが１時間〜７２時間で
終了する。
【００７７】続いて、本工程のｂ：の方法について説明
する。
する。
【００７８】本工程のｂ：の方法は、２−ニトロ−３−
シアノメチル−ベンジルアルコールをハロゲン化するこ
とにより得られる、一般式［ＸＩＩＩ］
シアノメチル−ベンジルアルコールをハロゲン化するこ
とにより得られる、一般式［ＸＩＩＩ］
【００７９】
【化２０】
【００８０】｛式中、Ｈａｌはハロゲン原子を表す。｝
【００８１】で表される２−ニトロ−３−シアノメチル
−ベンジルハライド誘導体を、アルコールと反応させる
方法である。
−ベンジルハライド誘導体を、アルコールと反応させる
方法である。
【００８２】本工程のｂ：の方法にける、２−ニトロ−
３−シアノメチル−ベンジルアルコールのハロゲン化
は、ハロゲン化剤を用いて行い、このハロゲン化剤とし
ては、ヒドロキシメチル基をハロゲノメチル基にハロゲ
ン化できるものであれば何れでも構わないが、例えば、
三塩化リンや三臭化リン等の三ハロゲン化リン；塩化チ
オニル等のハロゲン化チオニル；五塩化リン、五臭化リ
ン等の五ハロゲン化リン等を例示することができる。ハ
ロゲン化剤の使用量としては、２−ニトロ−３−シアノ
メチル−ベンジルアルコール１モルに対して、１．０〜
３．０モル、好ましくは１．０〜１．５モルの範囲を例
示できる。
３−シアノメチル−ベンジルアルコールのハロゲン化
は、ハロゲン化剤を用いて行い、このハロゲン化剤とし
ては、ヒドロキシメチル基をハロゲノメチル基にハロゲ
ン化できるものであれば何れでも構わないが、例えば、
三塩化リンや三臭化リン等の三ハロゲン化リン；塩化チ
オニル等のハロゲン化チオニル；五塩化リン、五臭化リ
ン等の五ハロゲン化リン等を例示することができる。ハ
ロゲン化剤の使用量としては、２−ニトロ−３−シアノ
メチル−ベンジルアルコール１モルに対して、１．０〜
３．０モル、好ましくは１．０〜１．５モルの範囲を例
示できる。
【００８３】本工程のｂ：の方法におけるハロゲン化
は、溶媒中で行うのが一般的であり、使用しうる溶媒と
しては、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロ
リジノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエ
ン又はキシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢
酸イソプロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタ
ノン等のケトン類；アセトニトリル等のニトリル類、或
いはこれらの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、
２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコール１
モルに対して、５００〜５０００ｍｌ、好ましくは１０
００〜３０００ｍｌの範囲を例示できる。
は、溶媒中で行うのが一般的であり、使用しうる溶媒と
しては、例えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）等のエ−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、ク
ロロベンゼン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロ
リジノン等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）又はスルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエ
ン又はキシレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢
酸イソプロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタ
ノン等のケトン類；アセトニトリル等のニトリル類、或
いはこれらの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、
２−ニトロ−３−シアノメチル−ベンジルアルコール１
モルに対して、５００〜５０００ｍｌ、好ましくは１０
００〜３０００ｍｌの範囲を例示できる。
【００８４】本工程のｂ：の方法におけるハロゲン化の
反応温度は１０℃〜反応系における還流温度までの任意
の温度で行い、好ましくは２０℃〜４０℃の温度範囲で
あり、反応は化合物により異なるが１時間〜７２時間で
終了する。
反応温度は１０℃〜反応系における還流温度までの任意
の温度で行い、好ましくは２０℃〜４０℃の温度範囲で
あり、反応は化合物により異なるが１時間〜７２時間で
終了する。
【００８５】本工程のｂ：の方法における、一般式［Ｘ
ＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル−ベ
ンジルハライド誘導体とアルコールとの反応において用
いられるアルコールは直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ６アル
コール、具体的にはメタノール、エタノール、ｎ−プロ
パノール、ｉ−プロパノール（２−プロパノール）、ｎ
−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、
ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサ
ノール等であれば良く、反応に供されるアルコールの量
は、一般式［ＸＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シ
アノメチル−ベンジルハライド誘導体１当量に対して、
Ｃ１〜Ｃ６アルコールが１．０〜２０当量、好ましくは
１．０〜１０当量である。
ＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル−ベ
ンジルハライド誘導体とアルコールとの反応において用
いられるアルコールは直鎖又は分岐鎖のＣ１〜Ｃ６アル
コール、具体的にはメタノール、エタノール、ｎ−プロ
パノール、ｉ−プロパノール（２−プロパノール）、ｎ
−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、
ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサ
ノール等であれば良く、反応に供されるアルコールの量
は、一般式［ＸＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シ
アノメチル−ベンジルハライド誘導体１当量に対して、
Ｃ１〜Ｃ６アルコールが１．０〜２０当量、好ましくは
１．０〜１０当量である。
【００８６】本工程のｂ：の方法における、一般式［Ｘ
ＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル−ベ
ンジルハライド誘導体とアルコールとの反応は、溶媒中
で行うことも可能であり、使用しうる溶媒としては、例
えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエ
−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼ
ン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプ
ロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタノン等の
ケトン類；アセトニトリル等のニトリル類、或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、一般式
［ＸＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル
−ベンジルハライド誘導体１モルに対して、５０００ｍ
ｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の範囲を例示でき
る。
ＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル−ベ
ンジルハライド誘導体とアルコールとの反応は、溶媒中
で行うことも可能であり、使用しうる溶媒としては、例
えばジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエ
−テル類；ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼ
ン又はジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）又はＮ−メチル−２−ピロリジノン
等のアミド類；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又は
スルホラン等の硫黄化合物；ベンゼン、トルエン又はキ
シレン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸イソプ
ロピル等のエステル類；アセトン又は２−ブタノン等の
ケトン類；アセトニトリル等のニトリル類、或いはこれ
らの混合物が挙げられる。該溶媒の使用量は、一般式
［ＸＩＩＩ］で表される２−ニトロ−３−シアノメチル
−ベンジルハライド誘導体１モルに対して、５０００ｍ
ｌ以下、好ましくは１０００ｍｌ以下の範囲を例示でき
る。
【００８７】本工程のｂ：の方法のアルコールとの反応
の反応温度は５０℃〜１００℃までの任意の温度で行
い、好ましくは６０℃〜９０℃の温度範囲であり、反応
は化合物により異なるが１時間〜７２時間で終了する。
の反応温度は５０℃〜１００℃までの任意の温度で行
い、好ましくは６０℃〜９０℃の温度範囲であり、反応
は化合物により異なるが１時間〜７２時間で終了する。
【００８８】本発明方法により得られる、（３−メトキ
シメチル−２−ニトロ−フェニル）アセトニトリルに代
表される一般式［ＩＶ］で表される（２−ニトロ−フェ
ニル）アセトニトリル類は、例えば下記スキームのよう
に、２−メタンスルホニル−４，６−ジメトキシピリミ
ジンと反応させた後、例えばｍ−クロロ過安息香酸や過
酸化水素を用いて酸化的に脱シアノ化することにより、
ＷＯ００／０６５５３に記載の農薬の原料にまで誘導す
ることができる。
シメチル−２−ニトロ−フェニル）アセトニトリルに代
表される一般式［ＩＶ］で表される（２−ニトロ−フェ
ニル）アセトニトリル類は、例えば下記スキームのよう
に、２−メタンスルホニル−４，６−ジメトキシピリミ
ジンと反応させた後、例えばｍ−クロロ過安息香酸や過
酸化水素を用いて酸化的に脱シアノ化することにより、
ＷＯ００／０６５５３に記載の農薬の原料にまで誘導す
ることができる。
【化２１】
【００８９】
【発明の効果】
【００９０】本発明方法によれば、例えばＷＯ００／０
６５５３記載の農薬の有用な中間体となる、一般式［Ｉ
Ｖ］で表される（２−ニトロ−フェニル）アセトニトリ
ル類を工業的に簡便に製造できる。また、本発明によ
り、ＷＯ００／０６５５３に記載の農薬の有用な合成中
間体が提供される。
６５５３記載の農薬の有用な中間体となる、一般式［Ｉ
Ｖ］で表される（２−ニトロ−フェニル）アセトニトリ
ル類を工業的に簡便に製造できる。また、本発明によ
り、ＷＯ００／０６５５３に記載の農薬の有用な合成中
間体が提供される。
【００９１】
【実施例】次に、実施例をあげて、本発明方法及び本発
明化合物の製造法を具体的に説明する。
明化合物の製造法を具体的に説明する。
【００９２】＜参考例１＞３−メトキシメチル−２−ニ
トロトルエンの合成 ３−メチル−２−ニトロ安息香酸メチル（１００ｇ，
０．５１ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２５０ｍ
ｌ）に水素化ホウ素ナトリウム（１９．４ｇ，０．５１
ｍｏｌ）を加えた。還流させながらメタノ−ル（４９．
２ｇ，１．５４ｍｏｌ）を３０分間かけてゆっくり滴下
した。滴下後、発泡が消失するまで１時間還流し、冷却
後水にあけジイソプロピルエ−テルで抽出した。有機層
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−
ヒドロキシメチル−２−ニトロトルエンの淡褐色結晶を
得た（収量８０．３ｇ，収率９４％、融点４１〜４２
℃）。このもののテトラヒドロフラン溶液（３５０ｍ
ｌ）に室温下、粉末の水酸化ナトリウム（２６．９ｇ，
０．６７ｍｏｌ）を入れ１時間攪拌した。白色固体析出
後、３０℃以下３０分間でジメチル硫酸（９０．９ｇ，
０．７２ｍｏｌ）を滴下した。滴下中一度均一になり、
その後、寒天状になった。そのまま２日間攪拌し、水に
あけアンモニア水（１００ｇ）を加えた。１時間攪拌後
酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後濃縮し、３−メトキシメチル−２−ニ
トロトルエンの液体を得た（８７．０ｇ，１００％，純
度９６％）。
トロトルエンの合成 ３−メチル−２−ニトロ安息香酸メチル（１００ｇ，
０．５１ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２５０ｍ
ｌ）に水素化ホウ素ナトリウム（１９．４ｇ，０．５１
ｍｏｌ）を加えた。還流させながらメタノ−ル（４９．
２ｇ，１．５４ｍｏｌ）を３０分間かけてゆっくり滴下
した。滴下後、発泡が消失するまで１時間還流し、冷却
後水にあけジイソプロピルエ−テルで抽出した。有機層
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−
ヒドロキシメチル−２−ニトロトルエンの淡褐色結晶を
得た（収量８０．３ｇ，収率９４％、融点４１〜４２
℃）。このもののテトラヒドロフラン溶液（３５０ｍ
ｌ）に室温下、粉末の水酸化ナトリウム（２６．９ｇ，
０．６７ｍｏｌ）を入れ１時間攪拌した。白色固体析出
後、３０℃以下３０分間でジメチル硫酸（９０．９ｇ，
０．７２ｍｏｌ）を滴下した。滴下中一度均一になり、
その後、寒天状になった。そのまま２日間攪拌し、水に
あけアンモニア水（１００ｇ）を加えた。１時間攪拌後
酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後濃縮し、３−メトキシメチル−２−ニ
トロトルエンの液体を得た（８７．０ｇ，１００％，純
度９６％）。
【００９３】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．４１
−７．２３（３Ｈ，ｍ），４．４９（２Ｈ，ｓ），３．
３７（３Ｈ，ｄ），２．３５（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
−７．２３（３Ｈ，ｍ），４．４９（２Ｈ，ｓ），３．
３７（３Ｈ，ｄ），２．３５（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【００９４】＜実施例１＞
（Ａ）３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセト
アルデヒドの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロトルエン（１５．０
ｇ，８２．８ｍｍｏｌ）とピロリジン（１３．０ｇ，
０．１８ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメ
チルアセタ−ル（１９．７ｇ，０．１７ｍｏｌ）、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（６．０５ｇ，８２．８ｍｍ
ｏｌ）の混合溶液を、ディーン・スタ−ク管を用いて低
沸点物を除きながら、内温１２５℃まで１時間加熱し
た。反応溶液を濃縮し、３−メトキシメチル−２−｛２
−（ピロリジン−１−イル）エテニル｝ニトロベンゼン
を得た（２２．７ｇ，収率１００％、）。
アルデヒドの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロトルエン（１５．０
ｇ，８２．８ｍｍｏｌ）とピロリジン（１３．０ｇ，
０．１８ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメ
チルアセタ−ル（１９．７ｇ，０．１７ｍｏｌ）、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド（６．０５ｇ，８２．８ｍｍ
ｏｌ）の混合溶液を、ディーン・スタ−ク管を用いて低
沸点物を除きながら、内温１２５℃まで１時間加熱し
た。反応溶液を濃縮し、３−メトキシメチル−２−｛２
−（ピロリジン−１−イル）エテニル｝ニトロベンゼン
を得た（２２．７ｇ，収率１００％、）。
【００９５】ｍ／Ｚ：２６２（Ｍ＋），１４５，１３
２，１１２（基準ピ−ク），１０５，７０
２，１１２（基準ピ−ク），１０５，７０
【００９６】得られた３−メトキシメチル−２−｛２−
（ピロリジン−１−イル）エテニル｝ニトロベンゼン
（２２．７ｇ、８２．８ｍｍｏｌ）を、氷冷下１０％塩
酸水溶液（３００ｍｌ）に加えた。次いでジイソプロピ
ルエ−テル（３００ｍｌ）を加え室温下一晩攪拌し、ジ
イソプロピルエ−テルにて抽出した。有機層を希塩酸、
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濃縮
後、３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトア
ルデヒドの液体を得た（収量１０．６ｇ，収率６１％，
純度９４％）。
（ピロリジン−１−イル）エテニル｝ニトロベンゼン
（２２．７ｇ、８２．８ｍｍｏｌ）を、氷冷下１０％塩
酸水溶液（３００ｍｌ）に加えた。次いでジイソプロピ
ルエ−テル（３００ｍｌ）を加え室温下一晩攪拌し、ジ
イソプロピルエ−テルにて抽出した。有機層を希塩酸、
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濃縮
後、３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトア
ルデヒドの液体を得た（収量１０．６ｇ，収率６１％，
純度９４％）。
【００９７】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：９．７６
（１Ｈ，tｒｉ），７．５７−７．２５（３Ｈ，ｍ），
４．５７（２Ｈ，ｓ）， ３．８０（２Ｈ，ｓ），３．
４０（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
（１Ｈ，tｒｉ），７．５７−７．２５（３Ｈ，ｍ），
４．５７（２Ｈ，ｓ）， ３．８０（２Ｈ，ｓ），３．
４０（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【００９８】（Ｂ）３−メトキシメチル−２−ニトロフ
ェニルアセトアルドキシムの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルデ
ヒド（５．６０ｇ，２６．８ｍｍｏｌ）のメタノ−ル溶
液（１３ｍｌ）に酢酸ナトリウム（２．０５ｇ，２９．
５ｍｍｏｌ）とヒドロキシルアミン塩酸塩（２．４４
ｇ，３４．８ｍｍｏｌ）を順に加え、室温下３０分間攪
拌した。濃縮後水にあけ酢酸エチルで抽出した。有機層
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−
メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルドキシ
ム（ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２２４（Ｍ＋）、２０６（Ｍ
＋−Ｈ２Ｏ））の淡黄色結晶を得た（収量６．０６ｇ，
収率１００％，純度９２％、融点９２〜９５℃）。
ェニルアセトアルドキシムの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルデ
ヒド（５．６０ｇ，２６．８ｍｍｏｌ）のメタノ−ル溶
液（１３ｍｌ）に酢酸ナトリウム（２．０５ｇ，２９．
５ｍｍｏｌ）とヒドロキシルアミン塩酸塩（２．４４
ｇ，３４．８ｍｍｏｌ）を順に加え、室温下３０分間攪
拌した。濃縮後水にあけ酢酸エチルで抽出した。有機層
を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−
メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルドキシ
ム（ＧＣ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２２４（Ｍ＋）、２０６（Ｍ
＋−Ｈ２Ｏ））の淡黄色結晶を得た（収量６．０６ｇ，
収率１００％，純度９２％、融点９２〜９５℃）。
【００９９】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．４７
−７．３４（３Ｈ，ｍ），６．８７（１Ｈ，tｒｉ），
４．５２（２Ｈ，ｓ），３．７３（２Ｈ，ｄ），３．３
９（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
−７．３４（３Ｈ，ｍ），６．８７（１Ｈ，tｒｉ），
４．５２（２Ｈ，ｓ），３．７３（２Ｈ，ｄ），３．３
９（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【０１００】（Ｃ）３−メトキシメチル−２−ニトロフ
ェニルアセトニトリルの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルド
キシム（２．２４ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）を無水酢酸
（１．５３ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）に溶かし１２０℃で
３０分間攪拌した。冷却後水にあけ、酢酸エチルで抽出
した。有機層を重曹水、水で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後濃縮し、３−メトキシメチル−２−ニトロフ
ェニルアセトニトリルの茶褐色結晶を得た（収量２．１
４ｇ，収率１００％，純度９１％、融点３４〜３６
℃）。
ェニルアセトニトリルの合成 ３−メトキシメチル−２−ニトロフェニルアセトアルド
キシム（２．２４ｇ，１０．０ｍｍｏｌ）を無水酢酸
（１．５３ｇ，１５．０ｍｍｏｌ）に溶かし１２０℃で
３０分間攪拌した。冷却後水にあけ、酢酸エチルで抽出
した。有機層を重曹水、水で洗浄し無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後濃縮し、３−メトキシメチル−２−ニトロフ
ェニルアセトニトリルの茶褐色結晶を得た（収量２．１
４ｇ，収率１００％，純度９１％、融点３４〜３６
℃）。
【０１０１】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．６１
−７．５９（３Ｈ，ｍ），４．５５（２Ｈ，ｓ），３．
８６（２Ｈ，ｄ），３．４０（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
−７．５９（３Ｈ，ｍ），４．５５（２Ｈ，ｓ），３．
８６（２Ｈ，ｄ），３．４０（３Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【０１０２】＜実施例２＞
（Ａ）３−ホルミルメチル−２−ニトロ安息香酸メチル
の合成 ３−メチル−２−ニトロ安息香酸メチル（１９．５ｇ，
０．１０ｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル（２３．８ｇ，０．２０ｍｏｌ）の
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液（５０ｍｌ）を５時
間還流した。ディーン・スタ−ク管を付し低沸点物を留
去することなく更に５時間還流させた。Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドジメチルアセタ−ル（１１．９ｇ，０．
１０ｍｏｌ）を追加し、５時間還流した。３−メチル−
２−ニトロ安息香酸メチルの消失を確認し、冷却後１０
％ＨＣｌ水溶液（３００ｍｌ）にあけ室温で１時間攪拌
した。酢酸エチルで抽出した後、水層を重曹水でアルカ
リ性にし酢酸エチルで抽出した。得られた有機層をあわ
せて水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３
−ホルミルメチル−２−ニトロ安息香酸メチルの液体を
得た（収量２１．０ｇ，収率９０％）。
の合成 ３−メチル−２−ニトロ安息香酸メチル（１９．５ｇ，
０．１０ｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
メチルアセタ−ル（２３．８ｇ，０．２０ｍｏｌ）の
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液（５０ｍｌ）を５時
間還流した。ディーン・スタ−ク管を付し低沸点物を留
去することなく更に５時間還流させた。Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドジメチルアセタ−ル（１１．９ｇ，０．
１０ｍｏｌ）を追加し、５時間還流した。３−メチル−
２−ニトロ安息香酸メチルの消失を確認し、冷却後１０
％ＨＣｌ水溶液（３００ｍｌ）にあけ室温で１時間攪拌
した。酢酸エチルで抽出した後、水層を重曹水でアルカ
リ性にし酢酸エチルで抽出した。得られた有機層をあわ
せて水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３
−ホルミルメチル−２−ニトロ安息香酸メチルの液体を
得た（収量２１．０ｇ，収率９０％）。
【０１０３】屈折率（▲ｎαＤ▼）：測定不可１
Ｈ−ＮＭR（ＣＤＣｌ３）δ：９．７５（１Ｈ，
ｄ），７．９５（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６０（１Ｈ，t
ｒｉ），７．５１（１Ｈ，ｄ−ｄ），３．９１（３Ｈ，
ｓ），３．７８（２Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
ｄ），７．９５（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６０（１Ｈ，t
ｒｉ），７．５１（１Ｈ，ｄ−ｄ），３．９１（３Ｈ，
ｓ），３．７８（２Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【０１０４】（Ｂ）３−（２−ヒドロキシイミノ）エチ
ル−２−ニトロ安息香酸メチルの合成 ３−ホルミルメチル−２−ニトロ安息香酸メチル（２
１．０ｇ，９０ｍｍｏｌ）のメタノ−ル溶液（５０ｍ
ｌ）に室温下、酢酸ナトリウム（９．１０ｇ，０．１３
ｍｏｌ）、ヒドロキシルアミン塩酸塩（７．６４ｇ，
０．１１ｍｏｌ）を順に加えた。室温下３０分間攪拌
後、濃縮し水にあけ酢酸エチルで抽出した。有機層を水
洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−（２
−ヒドロキシイミノ）エチル−２−ニトロ安息香酸メチ
ルの茶褐色結晶を得た（収量２１．０ｇ，収率９８％、
融点１０３〜１０６℃）。
ル−２−ニトロ安息香酸メチルの合成 ３−ホルミルメチル−２−ニトロ安息香酸メチル（２
１．０ｇ，９０ｍｍｏｌ）のメタノ−ル溶液（５０ｍ
ｌ）に室温下、酢酸ナトリウム（９．１０ｇ，０．１３
ｍｏｌ）、ヒドロキシルアミン塩酸塩（７．６４ｇ，
０．１１ｍｏｌ）を順に加えた。室温下３０分間攪拌
後、濃縮し水にあけ酢酸エチルで抽出した。有機層を水
洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、３−（２
−ヒドロキシイミノ）エチル−２−ニトロ安息香酸メチ
ルの茶褐色結晶を得た（収量２１．０ｇ，収率９８％、
融点１０３〜１０６℃）。
【０１０５】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．９９
（１Ｈ，ｂｒ），７．９３（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６１
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．５４（１Ｈ，ｔｒｉ），６．８
５（１Ｈ，ｔｒｉ），３．９１（３Ｈ，ｓ），３．７２
（２Ｈ，ｄ）ｐｐｍ
（１Ｈ，ｂｒ），７．９３（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６１
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．５４（１Ｈ，ｔｒｉ），６．８
５（１Ｈ，ｔｒｉ），３．９１（３Ｈ，ｓ），３．７２
（２Ｈ，ｄ）ｐｐｍ
【０１０６】（Ｃ）３−シアノメチル−２−ニトロ安息
香酸メチルの合成 ３−（２−ヒドロキシイミノ）エチル−２−ニトロ安息
香酸メチル（２１．０ｇ，８８ｍｍｏｌ）を無水酢酸
（１５．３ｇ，０．１５ｍｏｌ）に溶かし１２０℃で３
０分間攪拌した。冷却後水にあけ、酢酸エチルで抽出し
た。有機層を重曹水、水で洗浄し無水硫酸マグネシウム
で乾燥後濃縮し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲル
カラム（酢酸エチル:ヘキサン＝１：２〜１：１）にて
精製し、ジイソプロピルエ−テル洗浄し、３−シアノメ
チル−２−ニトロ安息香酸メチルの淡褐色結晶を得た
（収量１５．４ｇ、収率８０％、融点７７〜８０℃）。
香酸メチルの合成 ３−（２−ヒドロキシイミノ）エチル−２−ニトロ安息
香酸メチル（２１．０ｇ，８８ｍｍｏｌ）を無水酢酸
（１５．３ｇ，０．１５ｍｏｌ）に溶かし１２０℃で３
０分間攪拌した。冷却後水にあけ、酢酸エチルで抽出し
た。有機層を重曹水、水で洗浄し無水硫酸マグネシウム
で乾燥後濃縮し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲル
カラム（酢酸エチル:ヘキサン＝１：２〜１：１）にて
精製し、ジイソプロピルエ−テル洗浄し、３−シアノメ
チル−２−ニトロ安息香酸メチルの淡褐色結晶を得た
（収量１５．４ｇ、収率８０％、融点７７〜８０℃）。
【０１０７】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：８．０１
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．８８（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６
８（１Ｈ，ｔｒｉ），３．９２（３Ｈ，ｓ），３．８３
（２Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．８８（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．６
８（１Ｈ，ｔｒｉ），３．９２（３Ｈ，ｓ），３．８３
（２Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
【０１０８】＜参考例２＞３−ヒドロキシメチルー２−
ニトロフェニルアセトニトリルの合成 ３−シアノメチル−２−ニトロフェニル安息香酸メチル
（４．４０ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラ
ン溶液（２０ｍｌ）に、室温下、水素化ホウ素ナトリウ
ム（１．５１ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応溶
液を還流しながらメタノール（３．８４ｇ、０．１２ｍ
ｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後発泡の消失が
なくなるまで1時間還流した。冷却後水にあけ酢酸エチ
ルで抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後濃縮し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲル
カラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、
融点６０〜６２℃の、３−ヒドロキシメチルー２−ニト
ロフェニルアセトニトリル（２．９０ｇ、収率７６％）
の深緑色結晶を得た。
ニトロフェニルアセトニトリルの合成 ３−シアノメチル−２−ニトロフェニル安息香酸メチル
（４．４０ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラ
ン溶液（２０ｍｌ）に、室温下、水素化ホウ素ナトリウ
ム（１．５１ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応溶
液を還流しながらメタノール（３．８４ｇ、０．１２ｍ
ｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後発泡の消失が
なくなるまで1時間還流した。冷却後水にあけ酢酸エチ
ルで抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後濃縮し粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲル
カラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、
融点６０〜６２℃の、３−ヒドロキシメチルー２−ニト
ロフェニルアセトニトリル（２．９０ｇ、収率７６％）
の深緑色結晶を得た。
【０１０９】＜参考例３＞（３−ブロモメチル−２−ニ
トロフェニル）アセトニトリルの合成 五臭化リン（３．０ｇ、９．７ｍｍｏｌ）を、トルエン
（９ｍｌ）及びテトラヒドロフラン（３ｍｌ）の混合溶
媒に分散させた中に、（３−ヒドロキシメチルー２−ニ
トロフェニル）アセトニトリル（１．７ｇ、８．８ｍｍ
ｏｌ）を加え、室温下、１時間攪拌した。反応混合物を
氷水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し粗生成物を得た。
粗生成物をシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝
１：５〜１：２）にて精製し、融点７１〜７３℃の、
（３−ブロモメチル−２−ニトロフェニル）アセトニト
リル（１．７５ｇ、収率７８％）の淡褐色結晶を得た。
トロフェニル）アセトニトリルの合成 五臭化リン（３．０ｇ、９．７ｍｍｏｌ）を、トルエン
（９ｍｌ）及びテトラヒドロフラン（３ｍｌ）の混合溶
媒に分散させた中に、（３−ヒドロキシメチルー２−ニ
トロフェニル）アセトニトリル（１．７ｇ、８．８ｍｍ
ｏｌ）を加え、室温下、１時間攪拌した。反応混合物を
氷水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し粗生成物を得た。
粗生成物をシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝
１：５〜１：２）にて精製し、融点７１〜７３℃の、
（３−ブロモメチル−２−ニトロフェニル）アセトニト
リル（１．７５ｇ、収率７８％）の淡褐色結晶を得た。
【０１１０】（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリルの合成 （３−ブロモメチル−２−ニトロフェニル）アセトニト
リル（１．３ｇ、５．１ｍｍｏｌ）のメタノール溶液
（２０ｍｌ）を５時間還流した。冷却後メタノールを減
圧下留去し、残査を水にあけ酢酸エチルで抽出した。有
機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し粗
生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５〜１：２）にて精製し、融点３４
〜３６℃の、（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル（０．２ｇ、収率１９％）の茶褐色
結晶を得た。
ル）アセトニトリルの合成 （３−ブロモメチル−２−ニトロフェニル）アセトニト
リル（１．３ｇ、５．１ｍｍｏｌ）のメタノール溶液
（２０ｍｌ）を５時間還流した。冷却後メタノールを減
圧下留去し、残査を水にあけ酢酸エチルで抽出した。有
機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し粗
生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（酢酸エチ
ル：ヘキサン＝１：５〜１：２）にて精製し、融点３４
〜３６℃の、（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニ
ル）アセトニトリル（０．２ｇ、収率１９％）の茶褐色
結晶を得た。
【０１１１】＜参考例４＞２−（４，６−ジメトキシピ
リミジン−２−イル）−２−（３−メトキシメチル−２
−ニトロフェニル）アセトニトリル ６０％水素化ナトリウム（１１．２ｇ，０．２８ｍｏ
ｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに懸濁
させて氷水浴で１０℃以下に冷却し、攪拌しながら（３
−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）アセトニトリ
ル（２９ｇ、０．１４ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１００ｍｌに懸濁させた溶液を滴下した。滴下
終了後、室温下で水素の発生が無くなるまで攪拌した。
再び氷水浴中で１０℃以下に冷却し、攪拌しながら４，
６−ジメトキシピリミジン−２−メチルスルホニルピリ
ミジン（３０ｇ、０．１４ｍｏｌ）を加え、室温下で１
２時間攪拌後、反応液を氷水に注加し、１０％塩酸で酸
性にした後、析出した粗結晶を濾別し、水及びエタノー
ル−イソプロピルエーテル混合溶液で洗浄することによ
り、２−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）
−２−（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）ア
セトニトリル４２ｇ（収率８７％）を、赤褐色粉末（融
点１１２〜１１３℃）として得た。
リミジン−２−イル）−２−（３−メトキシメチル−２
−ニトロフェニル）アセトニトリル ６０％水素化ナトリウム（１１．２ｇ，０．２８ｍｏ
ｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに懸濁
させて氷水浴で１０℃以下に冷却し、攪拌しながら（３
−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）アセトニトリ
ル（２９ｇ、０．１４ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１００ｍｌに懸濁させた溶液を滴下した。滴下
終了後、室温下で水素の発生が無くなるまで攪拌した。
再び氷水浴中で１０℃以下に冷却し、攪拌しながら４，
６−ジメトキシピリミジン−２−メチルスルホニルピリ
ミジン（３０ｇ、０．１４ｍｏｌ）を加え、室温下で１
２時間攪拌後、反応液を氷水に注加し、１０％塩酸で酸
性にした後、析出した粗結晶を濾別し、水及びエタノー
ル−イソプロピルエーテル混合溶液で洗浄することによ
り、２−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）
−２−（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）ア
セトニトリル４２ｇ（収率８７％）を、赤褐色粉末（融
点１１２〜１１３℃）として得た。
【０１１２】確認データ１
Ｈ−ＮＭＲ ３００ＭＨｚ ＣＤＣｌ３ ＴＭＳ
７．８３（ｍ，１Ｈ）、７．５８（ｍ，２Ｈ）、５．９
１（ｓ，１Ｈ）、５．７２（ｓ，１Ｈ）、４．５３
（ｓ，２Ｈ）、３．９０（ｓ，６Ｈ）、３．３９（ｓ，
３Ｈ）
１（ｓ，１Ｈ）、５．７２（ｓ，１Ｈ）、４．５３
（ｓ，２Ｈ）、３．９０（ｓ，６Ｈ）、３．３９（ｓ，
３Ｈ）
【０１１３】＜参考例５＞（３−メトキシメチル−２−
ニトロフェニル）（４，６−ジメトキシピリミジン−２
−イル）ケトンの合成 １−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）−１
−（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）アセト
ニトリル（７．６ｇ，２２．１ｍｍｏｌ）を酢酸（２２
ｍｌ）に溶かし、過酸化水素（４．３ｇ，４４．２ｍｍ
ｏｌ）、タングステン酸ナトリウム（０．７３ｇ，２．
２ｍｍｏｌ）を加え７０℃で２時間加熱した。反応終了
をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で確認し、エバポ
レ−タ−で酢酸を留去し、痕跡の酢酸を除くためにメタ
ノ−ルを加えてさらに濃縮した。
ニトロフェニル）（４，６−ジメトキシピリミジン−２
−イル）ケトンの合成 １−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）−１
−（３−メトキシメチル−２−ニトロフェニル）アセト
ニトリル（７．６ｇ，２２．１ｍｍｏｌ）を酢酸（２２
ｍｌ）に溶かし、過酸化水素（４．３ｇ，４４．２ｍｍ
ｏｌ）、タングステン酸ナトリウム（０．７３ｇ，２．
２ｍｍｏｌ）を加え７０℃で２時間加熱した。反応終了
をＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で確認し、エバポ
レ−タ−で酢酸を留去し、痕跡の酢酸を除くためにメタ
ノ−ルを加えてさらに濃縮した。
【０１１４】残査をメタノ−ル２２ｍｌ，テトラヒドロ
フラン２２ｍｌで溶解し、２５％水酸化ナトリウム
（５．３ｇ，３３．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間
撹拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、水、重曹
水、水の順に洗浄し、乾燥、濃縮、乾固した。得られた
固体をジイソプロピルエ−テルで洗浄し、（３−メトキ
シメチル−２−ニトロフェニル）（４，６−ジメトキシ
ピリミジン−２−イル）ケトンの白色粉末を得た（収量
５．８ｇ，収率７９％、融点１１１〜１１３℃）。
フラン２２ｍｌで溶解し、２５％水酸化ナトリウム
（５．３ｇ，３３．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間
撹拌した。反応終了後、酢酸エチルを加え、水、重曹
水、水の順に洗浄し、乾燥、濃縮、乾固した。得られた
固体をジイソプロピルエ−テルで洗浄し、（３−メトキ
シメチル−２−ニトロフェニル）（４，６−ジメトキシ
ピリミジン−２−イル）ケトンの白色粉末を得た（収量
５．８ｇ，収率７９％、融点１１１〜１１３℃）。
【０１１５】１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．９０
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．７２（１Ｈ，ｔｒｉ），７．６
０（１Ｈ，ｄ−ｄ），６．１３（１Ｈ，ｓ），４．７８
（２Ｈ，ｓ），３．９０（６Ｈ，ｓ），３．４７（３
Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
（１Ｈ，ｄ−ｄ），７．７２（１Ｈ，ｔｒｉ），７．６
０（１Ｈ，ｄ−ｄ），６．１３（１Ｈ，ｓ），４．７８
（２Ｈ，ｓ），３．９０（６Ｈ，ｓ），３．４７（３
Ｈ，ｓ）ｐｐｍ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高部 文明
静岡県磐田郡福田町塩新田408−１ 株式
会社ケイ・アイ研究所内
Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB84 BU26 QN20
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）〜（Ｃ）の各工程からなる、一般式
［ＩＶ］ 【化１】 ｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアルコキシカルボ
ニル基を表す。｝で表される（２−ニトロ−フェニル）
アセトニトリル類の製造方法。 （Ａ）一般式［Ｉ］ 【化２】 ｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアルコキシカルボ
ニル基を表す。｝で表される２−メチルニトロベンゼン
誘導体を、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドジアルキル
アセタ−ルと反応させ、２−（２−ジアルキルアミノエ
テニル）ニトロベンゼン誘導体を得、これを酸加水分解
することにより、一般式［ＩＩ］ 【化３】 ｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝で表されるフェ
ニルアセトアルデヒド誘導体とする第１工程。 （Ｂ）第１工程で得られた一般式［ＩＩ］で表されるフ
ェニルアセトアルデヒド誘導体を、ヒドロキシルアミン
と反応させて、一般式［ＩＩＩ］ 【化４】 ｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝で表されるフェ
ニルアセトアルドキシム誘導体とする第２工程。 （Ｃ）第２工程で得られた一般式［ＩＩＩ］で表される
フェニルアセトアルドキシム誘導体を、脱水することに
より、一般式［ＩＶ］ 【化５】 ｛式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。｝で表される（２
−ニトロフェニル）アセトニトリル誘導体とする第３工
程。 - 【請求項２】一般式［Ｖ］ 【化６】 ｛式中、Ｘはアルコキシメチル基又はアルコキシカルボ
ニル基を表し、Ｙはメチル基、２−ジアルキルアミノエ
テニル基（ジアルキルアミノ部のアルキル基は、同一又
は相異なってもよく、また窒素原子と共に５〜６員環を
形成することもできる。）、ホルミルメチル基、２−ヒ
ドロキシイミノエチル基を表す。但し、Ｙがメチル基又
は２−ジアルキルアミノエテニル基を表す時は、Ｘはメ
トキシメチル基を表す。｝で表されるニトロベンゼン誘
導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002283705A JP2003171359A (ja) | 2001-09-28 | 2002-09-27 | （２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル誘導体の製造方法及びその合成中間体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001299205 | 2001-09-28 | ||
| JP2001-299205 | 2001-09-28 | ||
| JP2002283705A JP2003171359A (ja) | 2001-09-28 | 2002-09-27 | （２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル誘導体の製造方法及びその合成中間体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003171359A true JP2003171359A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=26623205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002283705A Pending JP2003171359A (ja) | 2001-09-28 | 2002-09-27 | （２−ニトロ−フェニル）アセトニトリル誘導体の製造方法及びその合成中間体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003171359A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106954A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | ベンゾイルピラゾール系化合物、それらの製造方法及びそれらを含有する除草剤 |
| WO2015159904A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
| WO2015159905A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
-
2002
- 2002-09-27 JP JP2002283705A patent/JP2003171359A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006106954A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | ベンゾイルピラゾール系化合物、それらの製造方法及びそれらを含有する除草剤 |
| WO2015159904A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
| WO2015159905A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2015-10-22 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
| JPWO2015159904A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2017-04-13 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
| JPWO2015159905A1 (ja) * | 2014-04-17 | 2017-04-13 | 住友化学株式会社 | ニトロ化合物の製造方法 |
| US9822061B2 (en) | 2014-04-17 | 2017-11-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing nitro compound |
| US9975844B2 (en) | 2014-04-17 | 2018-05-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing nitro compound |
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