JP2003147523A - ターゲット装置 - Google Patents

ターゲット装置

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JP2003147523A
JP2003147523A JP2002274523A JP2002274523A JP2003147523A JP 2003147523 A JP2003147523 A JP 2003147523A JP 2002274523 A JP2002274523 A JP 2002274523A JP 2002274523 A JP2002274523 A JP 2002274523A JP 2003147523 A JP2003147523 A JP 2003147523A
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vacuum coating
coating apparatus
vacuum
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Wolfgang Erbkamm
ヴオルフガング・エフプカム
Hans-Christian Hecht
クリスチアン・ヘヒト ハンス−
Michael Hofmann
ミヒヤエル・ホフマン
Falk Milde
ファルク・ミルデ
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Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 マグネトロンチャンバー壁を洗浄する際のメ
ンテナンス経費を減少すること、および、プロセスチャ
ンバーからのマグネトロンチャンバーのガス分離を、お
互いの間で改良すること。 【解決手段】 複数のマグネトロンチャンバー７が、別
個のマグネトロンチャンバー壁５によって形成され、各
マグネトロンスパッタ供給源４は、このマグネトロンチ
ャンバー壁７と冷却ローラ３で囲繞され、且つプロセス
真空状態になっており、その際、これらマグネトロンチ
ャンバー壁５が、少なくとも間接的に、マグネトロンス
パッタ供給源４のように、共通の運び台８に固定されて
おり、この運び台が、冷却ローラ軸線に対して平行に移
動可能であり、かつ、その際にマグネトロンチャンバー
７内におけるプロセス圧力が、プロセスチャンバー１内
におけるプロセス圧力よりもより高い、プロセスチャン
バー１およびマグネトロンチャンバー７の分離された真
空状態になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスチャンバ
ー内において帯状の材料を被覆するための真空被覆装置
に関し、この真空被覆装置に巻戻し装置および巻取り装
置が設けられており、これら巻戻し装置と巻取り装置と
の間で、被覆されるべき帯状の材料が、少なくとも１つ
の真空状態を形成可能な、その中にプロセスチャンバー
真空状態が存在しているプロセスチャンバーを通過し、
その際、このプロセスチャンバー内において、少なくと
も１つの冷却ローラが設けられており、この冷却ローラ
の表面にわたって、それぞれに少なくとも２つのマグネ
トロンスパッタ供給源が存在し、これらマグネトロンス
パッタ供給源が相互に別個にマグネトロンチャンバー内
に設けられている。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許第１９７ ３５
６０３号明細書から、帯状の材料のための真空被覆装置
が公知であり、この真空被覆装置は、２つのプロセスチ
ャンバー１から成っている。それぞれのプロセスチャン
バー内に、ローラ架構部が設けられており、このローラ
架構部に、案内装置および冷却ローラが軸受されてい
る。
【０００３】マグネトロンチャンバー壁によって、それ
ぞれのプロセスチャンバーは、プロセス技術に応じて、
異なるマグネトロンチャンバーに分割されている。これ
らマグネトロンチャンバー壁は、プロセスチャンバー壁
と解離可能に結合されており、且つ、所属する冷却ロー
ラに対して間隔をもって配設されている。これらマグネ
トロンチャンバー内に、少なくとも１つの帯状の材料を
被覆するために使用されるマグネトロンスパッタ供給源
が設けられている。全てのマグネトロンスパッタ供給
源、およびそれらマグネトロンスパッタ供給源に所属す
る１つの冷却ローラのマグネトロン囲繞部は、移動可能
なチャンバーフランジと結合されており、このチャンバ
ーフランジによって、これらマグネトロンスパッタ供給
源およびマグネトロン囲繞部は、この冷却ローラから離
脱運動され得る。
【０００４】帯状の材料を被覆する場合、同様に、不都
合な、且つ従って、時々、除去されるべきマグネトロン
チャンバー壁が被覆された状態になる。しかしながら、
これらマグネトロンチャンバー壁は、プロセスチャンバ
ー壁と結合されている。これらマグネトロンチャンバー
壁を、清掃可能とするために、これらマグネトロンチャ
ンバー壁は、個別に、プロセスチャンバーから解体され
ねばならない。その際に、高いメンテナンス経費が発生
する。
【０００５】マグネトロンチャンバー内の真空状態は、
基本的に、それぞれのマグネトロンチャンバーに所属し
て設けられた真空ポンプによって、これらマグネトロン
チャンバー壁と冷却ローラとの間の流動抵抗部との組み
合わせによって生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の根底
をなす課題は、マグネトロンチャンバー壁を洗浄する際
のメンテナンス経費を減少すること、および、同時に、
プロセスチャンバーからのマグネトロンチャンバーのガ
ス分離を、お互いの間で改良することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従い、この冒頭
に記載した様式の真空被覆装置における課題は、マグネ
トロンチャンバーが、それぞれに、一方では冷却ローラ
によって、および他方ではマグネトロンチャンバー壁に
よって区画されており、その際、これらマグネトロンチ
ャンバーが、この冷却ローラを、流動抵抗部によって部
分的に囲繞しており、且つこれらマグネトロンチャンバ
ー壁が、外側で完全に、プロセスチャンバー真空状態に
よって囲繞されていること、および、それぞれのマグネ
トロンチャンバーの内の１つのマグネトロンチャンバー
とプロセスチャンバー真空状態との間で、圧力差が調節
可能であること、によって解決される。
【０００８】従って、被覆プロセスのために必要な、プ
ロセスチャンバーと何ら直接的な関係を有していないマ
グネトロンチャンバーが形成される。このマグネトロン
チャンバーとプロセスチャンバーとの間の圧力差の調節
によって、このマグネトロンチャンバー内へのガスの侵
入は、防止される。
【０００９】本発明の実施形態において、それぞれのマ
グネトロンチャンバーは、真空発生装置と結合されてい
る。
【００１０】即ち、それぞれのマグネトロンチャンバー
は、ただこのマグネトロンチャンバーだけに所属して設
けられた１つの真空発生装置を有しているか、それとも
全てのマグネトロンチャンバーが、共通の真空発生装置
と接続されている。
【００１１】本発明の他の実施形態において、流動抵抗
部は、冷却ローラから離脱運動可能である。
【００１２】これによって、冷却ローラ表面からの流動
抵抗部の間隔が、全てのユニットの移動の前に拡大され
るというやり方で、マグネトロンチャンバーの移動は、
冷却ローラ軸線に対して平行に冷却ローラ表面の損傷無
しに可能とされる。
【００１３】本発明の有利な実施形態において、マグネ
トロンチャンバー壁は、少なくとも間接的に、共通の運
び台に固定されており、この運び台が、冷却ローラ軸線
に対して平行に移動可能である。
【００１４】従って、マグネトロンスパッタ供給源と同
様に、マグネトロンチャンバー壁も、冷却ローラの洗浄
目的、もしくはメンテナンス目的のために離脱運動さ
れ、その際、真空ポンプに対する結合は、自動的に分離
される。
【００１５】本発明の他の有利な実施形態において、そ
の中で冷却ローラ軸線が存在する水平方向の面の上方に
設けられたマグネトロンチャンバーが、冷却ローラから
旋回離脱可能である。
【００１６】この構成によって、冷却ローラに対する上
記のこれらマグネトロンチャンバーの間隔は拡大され、
且つ、全ての運び台の降下が、外への走行前に可能とさ
れる。
【００１７】本発明の他の実施形態において、マグネト
ロンチャンバーは、共通の運び台との結合状態におい
て、降下可能である。
【００１８】先ず第一に、その中で冷却ローラ軸線が存
在する水平方向の面の上方に設けられたマグネトロンチ
ャンバーは、冷却ローラから旋回離脱する。引き続い
て、全ての運び台は降下し、且つ、いまや冷却ローラか
ら離脱運動される。
【００１９】本発明の他の有利な実施形態において、運
び台、マグネトロンスパッタ供給源およびマグネトロン
チャンバーから成るユニット、とローラ架構部との間
に、調節手段が設けられている。
【００２０】この調節装置を用いて、一度行われたマグ
ネトロンスパッタ供給源、およびそれぞれの冷却ローラ
に対する流動抵抗部を含めてマグネトロンチャンバー壁
の精確な整向状態を、新たな時間の消費無しに、元の状
態に戻すことが可能である。
【００２１】本発明の他の実施形態において、プロセス
チャンバーは、マグネトロンチャンバーに対して付加的
に、およびこれらマグネトロンチャンバーから分離され
て、真空状態を形成可能である。
【００２２】本発明の他の実施形態において、プロセス
チャンバー内における圧力は、マグネトロンチャンバー
内における圧力よりもより低い。
【００２３】プロセスチャンバーの別個の真空状態、お
よび、このプロセスチャンバーとマグネトロンチャンバ
ーとの間の達成可能な圧力比によって、品質的により良
好なガス分離が、それぞれのスパッタ供給源のために保
証されている。何故ならば、適宜のマグネトロンチャン
バー内への、ガスの侵入は、もはや可能でないからであ
る。
【００２４】次に、実施例に基づいて本発明を詳しく説
明する。所属する図は、プロセスチャンバー構造部（の
要部）の原理図を示している。
【００２５】
【発明の実施の形態】真空被覆装置のプロセスチャンバ
ー１内に、ローラ架構部２が設けられており、このロー
ラ架構部内に、冷却ローラ３が軸受されている。この冷
却ローラ表面にわたって、異なる位置において、マグネ
トロンスパッタ供給源４が設けられている。マグネトロ
ンスパッタ供給源４と冷却ローラ３との間の空間を、真
空状態にするために、この空間は、冷却ローラ３に向か
って流動抵抗部６によって封隙されるマグネトロンチャ
ンバー壁５によって囲繞されている。従って、個別のマ
グネトロンチャンバー７が形成される。これらマグネト
ロンチャンバー７は、端面側の端部において、それぞれ
１つの、ここでは図示されていない真空ポンプのための
接続部９を備えている。従って、これらマグネトロンチ
ャンバー７は、分離され、且つ相互に依存せずに真空状
態にされる。
【００２６】プロセスチャンバー１と、同様に、真空ポ
ンプ１０が、接続されており、この真空ポンプを介し
て、このプロセスチャンバー１を真空状態にすること
は、マグネトロンチャンバー７に依存せずに行われる。
これらマグネトロンチャンバー７内へのプロセスガスの
吸気の結果として、これらマグネトロンチャンバー７内
において、プロセスチャンバー１内におけるよりもより
高い圧力が生じ、且つこれに伴って、マグネトロンチャ
ンバー７内への異種ガスの侵入を防止する。
【００２７】全てのマグネトロンスパッタ供給源４およ
びマグネトロンチャンバー７は、共通の運び台８に固定
されており、この運び台を介して、これらマグネトロン
スパッタ供給源およびマグネトロンチャンバーは、所属
する冷却ローラ３から離脱運動される。上記の目的のた
めに、全てのマグネトロンチャンバー７の流動抵抗部６
は、冷却ローラ３から離脱運動可能である。冷却ローラ
軸線の上方に設けられた旋回可能なマグネトロンチャン
バー７は、旋回離脱され、且つ全ての運び台８が降下さ
れる。これら準備的な処置により、冷却ローラ表面の損
傷は、運び台８の外への走行において回避される。マグ
ネトロンスパッタ供給源４、流動抵抗部６を含めてマグ
ネトロンチャンバー７の位置決めは、正確に、冷却ロー
ラ軸線に対して行われねばならない。この運び台８の離
脱運動の前に調節された位置決め状態を、新たな時間の
消費無しに、元の状態に戻すために、調節手段１１が使
用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】プロセスチャンバー構造部の要部の原理図であ
る。
【符号の説明】
１ プロセスチャンバー ２ ローラ架構部 ３ 冷却ローラ ４ マグネトロンスパッタ供給源 ５ マグネトロンチャンバー壁 ６ 流動抵抗部 ７ マグネトロンチャンバー ８ 運び台 ９ 端面側の真空ポンプ接続部 １０ 真空ポンプ １１ 調節手段
フロントページの続き (72)発明者 ハンス− クリスチアン・ヘヒト ドイツ連邦共和国、ヴアインベーラ、ノル トストラーセ、13アー (72)発明者 ミヒヤエル・ホフマン ドイツ連邦共和国、ドレスデン、アウグス ブルガー・ストラーセ、89 (72)発明者 ファルク・ミルデ ドイツ連邦共和国、ドレスデン、アム・シ ュッツェンフエルデ、29 Ｆターム(参考） 4K029 AA25 DA01 DA10 DC16 DC39 EA03 JA10

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プロセスチャンバー内において帯状の材
    料を被覆するための真空被覆装置であって、この真空被
    覆装置に巻戻し装置および巻取り装置が設けられてお
    り、これら巻戻し装置と巻取り装置との間で、被覆され
    るべき帯状の材料が、少なくとも１つの真空状態を形成
    可能な、その中にプロセスチャンバー真空状態が存在し
    ているプロセスチャンバーを通過し、その際、このプロ
    セスチャンバー内において、少なくとも１つの冷却ロー
    ラが設けられており、この冷却ローラの表面にわたっ
    て、それぞれに少なくとも２つのマグネトロンスパッタ
    供給源が存在し、これらマグネトロンスパッタ供給源が
    相互に別個にマグネトロンチャンバー内に設けられてい
    る様式の上記真空被覆装置において、マグネトロンチャ
    ンバー（７）が、それぞれに、一方では冷却ローラ
    （３）によって、および他方ではマグネトロンチャンバ
    ー壁（５）によって区画されており、その際、これらマ
    グネトロンチャンバー（７）が、この冷却ローラ（３）
    を、流動抵抗部（６）によって部分的に囲繞しており、
    且つこれらマグネトロンチャンバー壁（５）が、外側で
    完全に、プロセスチャンバー真空状態によって囲繞され
    ていること、および、それぞれのマグネトロンチャンバ
    ー（７）の内の１つのマグネトロンチャンバーとプロセ
    スチャンバー真空状態との間で、圧力差が調節可能であ
    るように構成されていることを特徴とする真空被覆装
    置。
  2. 【請求項２】 それぞれのマグネトロンチャンバー
    （７）は、真空発生装置と結合されていることを特徴と
    する請求項１に記載の真空被覆装置。
  3. 【請求項３】 流動抵抗部（６）は、冷却ローラ（３）
    から離脱運動可能であるように構成されていることを特
    徴とする請求項１または２に記載の真空被覆装置。
  4. 【請求項４】 マグネトロンチャンバー壁（５）は、少
    なくとも間接的に、共通の運び台（８）に固定されてお
    り、この運び台が、冷却ローラ軸線に対して平行に移動
    可能であるように構成されていることを特徴とする請求
    項１から３のいずれか一つに記載の真空被覆装置。
  5. 【請求項５】 その中で冷却ローラ軸線が存在する水平
    方向の面の上方に設けられたマグネトロンチャンバー
    （７）は、冷却ローラ（３）から旋回離脱可能であるよ
    うに構成されていることを特徴とする請求項１から４の
    いずれか一つに記載の真空被覆装置。
  6. 【請求項６】 マグネトロンチャンバー（７）は、共通
    の運び台（８）との結合状態において、降下可能である
    ように構成されていることを特徴とする請求項１から５
    のいずれか一つに記載の真空被覆装置。
  7. 【請求項７】 運び台（８）、マグネトロンスパッタ供
    給源（４）およびマグネトロンチャンバー（７）から成
    るユニット、とローラ架構部（２）との間に、調節手段
    （１１）が設けられていることを特徴とする請求項４か
    ら６のいずれか一つに記載の真空被覆装置。
  8. 【請求項８】 プロセスチャンバー（１）は、マグネト
    ロンチャンバー（７）に対して付加的に、およびこれら
    マグネトロンチャンバーから分離されて、真空状態を形
    成可能であるように構成されていることを特徴とする請
    求項１から７のいずれか一つに記載の真空被覆装置。
  9. 【請求項９】 プロセスチャンバー（１）内における圧
    力は、マグネトロンチャンバー（７）内における圧力よ
    りもより低いように構成されていることを特徴とする請
    求項８に記載の真空被覆装置。
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