JP2003124174A - 半導体基板の洗浄液 - Google Patents
半導体基板の洗浄液Info
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- JP2003124174A JP2003124174A JP2001310997A JP2001310997A JP2003124174A JP 2003124174 A JP2003124174 A JP 2003124174A JP 2001310997 A JP2001310997 A JP 2001310997A JP 2001310997 A JP2001310997 A JP 2001310997A JP 2003124174 A JP2003124174 A JP 2003124174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面の金属濃度を極めて低く
抑える半導体基板洗浄液を提供する。 【解決手段】 過酸化水素および分子内に５以上
のホスホン酸基を有するキレート化合物を含有する半導
体基板の洗浄液。
抑える半導体基板洗浄液を提供する。 【解決手段】 過酸化水素および分子内に５以上
のホスホン酸基を有するキレート化合物を含有する半導
体基板の洗浄液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の洗浄
液および洗浄方法に関するものである。
液および洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、半導
体基板表面の汚染物質を除去するために種々の洗浄が行
われており、最も広く用いられている方法として「ＲＣ
Ａ洗浄」が知られている。基板の汚染物質として特に問
題視されているのは、半導体素子の電気的特性の異常を
引き起こす金属不純物と、デバイスの配線パターンの形
成に支障を及ぼす微粒子である。ＲＣＡ洗浄は、アンモ
ニアと過酸化水素を主成分とした水溶液で微粒子の除去
を主目的として行う「ＳＣ−１洗浄」と、塩酸と過酸化
水素を主成分とする水溶液で金属除去を主目的として行
う「ＳＣ−２洗浄」から構成される。
体基板表面の汚染物質を除去するために種々の洗浄が行
われており、最も広く用いられている方法として「ＲＣ
Ａ洗浄」が知られている。基板の汚染物質として特に問
題視されているのは、半導体素子の電気的特性の異常を
引き起こす金属不純物と、デバイスの配線パターンの形
成に支障を及ぼす微粒子である。ＲＣＡ洗浄は、アンモ
ニアと過酸化水素を主成分とした水溶液で微粒子の除去
を主目的として行う「ＳＣ−１洗浄」と、塩酸と過酸化
水素を主成分とする水溶液で金属除去を主目的として行
う「ＳＣ−２洗浄」から構成される。
【０００３】ＳＣ−１洗浄は基板表面の微粒子の低減に
非常に有効である反面、洗浄液中の金属が基板表面に付
着して金属汚染の原因になるという問題がある。ＲＣＡ
洗浄では、ＳＣ−１洗浄の後にＳＣ−２洗浄を行うこと
により金属による汚染を低減しているが、ＳＣ−２洗浄
は微粒子を除去する能力がないため、金属を除去するこ
とにより、再び微粒子による汚染が発生するという問題
があった。
非常に有効である反面、洗浄液中の金属が基板表面に付
着して金属汚染の原因になるという問題がある。ＲＣＡ
洗浄では、ＳＣ−１洗浄の後にＳＣ−２洗浄を行うこと
により金属による汚染を低減しているが、ＳＣ−２洗浄
は微粒子を除去する能力がないため、金属を除去するこ
とにより、再び微粒子による汚染が発生するという問題
があった。
【０００４】基板に付着した微粒子は、そのサイズが１
μｍ以下であっても配線パターンの形成を妨げ、素子製
造の歩留まりに大きな悪影響を及ぼす。また、金属不純
物は、基板上の濃度が１０10から１０11ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2程度であっても、半導体素子の電気的特性の異常を
引き起こすことになる。
μｍ以下であっても配線パターンの形成を妨げ、素子製
造の歩留まりに大きな悪影響を及ぼす。また、金属不純
物は、基板上の濃度が１０10から１０11ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2程度であっても、半導体素子の電気的特性の異常を
引き起こすことになる。
【０００５】このような問題を回避するため、ＳＣ−１
洗浄に、金属不純物濃度が極めて低いアンモニア水や過
酸化水素水を用いる方法が一般的に広く行われてきた。
現状で用いられているアンモニア水や過酸化水素水は、
ほとんどの金属不純物の濃度が１０ｐｐｔ以下である
が、このような薬品を用いた場合でも、ＳＣ−２による
金属除去を行った後と比較すると、基板表面への付着量
が１０倍以上高い金属もあるため、金属汚染を防止する
手段としては不十分な点がある。また、前工程において
基板に付着した汚染物質や、薬品タンクや洗浄槽に由来
する汚染物質が、ＳＣ−１洗浄液中に持ち込まれ、突発
的に汚染が発生する場合もある。
洗浄に、金属不純物濃度が極めて低いアンモニア水や過
酸化水素水を用いる方法が一般的に広く行われてきた。
現状で用いられているアンモニア水や過酸化水素水は、
ほとんどの金属不純物の濃度が１０ｐｐｔ以下である
が、このような薬品を用いた場合でも、ＳＣ−２による
金属除去を行った後と比較すると、基板表面への付着量
が１０倍以上高い金属もあるため、金属汚染を防止する
手段としては不十分な点がある。また、前工程において
基板に付着した汚染物質や、薬品タンクや洗浄槽に由来
する汚染物質が、ＳＣ−１洗浄液中に持ち込まれ、突発
的に汚染が発生する場合もある。
【０００６】基板として最も広く用いられるＳｉの場
合、許容される表面金属不純物濃度は少なくとも１０10
ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下であるが、たとえばＡｌはＳＣ
−１洗浄においてＳｉ基板に非常に付着しやすく、洗浄
液中の濃度が１０ｐｐｔ程度であっても、付着量は１０
10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度となる。このため、金属不純
物含量の少ない薬液を用いても、Ａｌの付着量を安定的
に１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に維持するのは困難で
あるのが現状である。
合、許容される表面金属不純物濃度は少なくとも１０10
ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下であるが、たとえばＡｌはＳＣ
−１洗浄においてＳｉ基板に非常に付着しやすく、洗浄
液中の濃度が１０ｐｐｔ程度であっても、付着量は１０
10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度となる。このため、金属不純
物含量の少ない薬液を用いても、Ａｌの付着量を安定的
に１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に維持するのは困難で
あるのが現状である。
【０００７】また、洗浄液中の金属が基板上に付着する
のを防止する手段として、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン
四酢酸）に代表される酢酸基を有するキレート化合物を
添加する方法が提案されてきた。しかしながら、過酸化
水素を含む洗浄液中では、酢酸基を持つキレート化合物
は過酸化水素の酸化作用により分解し、基板の金属汚染
防止効果が安定して得られないばかりでなく、キレート
化合物の分解物がさらなる汚染源になるという問題があ
った。
のを防止する手段として、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン
四酢酸）に代表される酢酸基を有するキレート化合物を
添加する方法が提案されてきた。しかしながら、過酸化
水素を含む洗浄液中では、酢酸基を持つキレート化合物
は過酸化水素の酸化作用により分解し、基板の金属汚染
防止効果が安定して得られないばかりでなく、キレート
化合物の分解物がさらなる汚染源になるという問題があ
った。
【０００８】このような問題に対し、特開平５−２７５
４０５号公報や特開平６−１１６７７０号公報におい
て、過酸化水素により分解せず、金属の付着を抑制する
ことが可能なキレート化合物として、ホスホン酸基を有
する化合物が提案されている。しかしながら、ホスホン
酸基を有するキレート化合物は、Ｆｅの汚染を抑制する
効果が高いことが確認されているが、Ｆｅ以外の金属、
たとえばＡｌの付着を抑制する効果は必ずしも得られな
いという問題点があった。
４０５号公報や特開平６−１１６７７０号公報におい
て、過酸化水素により分解せず、金属の付着を抑制する
ことが可能なキレート化合物として、ホスホン酸基を有
する化合物が提案されている。しかしながら、ホスホン
酸基を有するキレート化合物は、Ｆｅの汚染を抑制する
効果が高いことが確認されているが、Ｆｅ以外の金属、
たとえばＡｌの付着を抑制する効果は必ずしも得られな
いという問題点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける上記のような問題を解決し、種々の金属を除去す
ることが可能な半導体基板の洗浄液および洗浄方法を提
供することにある。
おける上記のような問題を解決し、種々の金属を除去す
ることが可能な半導体基板の洗浄液および洗浄方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ホスホン
酸基を５以上有するキレート化合物が、過酸化水素を含
む洗浄液中で、半導体基板への金属の付着を長時間にわ
たり安定に抑制する効果を示すことを見出し、本発明に
到達した。
酸基を５以上有するキレート化合物が、過酸化水素を含
む洗浄液中で、半導体基板への金属の付着を長時間にわ
たり安定に抑制する効果を示すことを見出し、本発明に
到達した。
【００１１】すなわち、本発明は、過酸化水素および分
子内に５以上のホスホン酸基を有するキレート化合物を
含有する半導体基板の洗浄液に関するものであり、さら
に、アルカリ、過酸化水素および分子内に５以上のホス
ホン酸基を有するキレート化合物を含有する半導体基板
の洗浄液に関するものである。
子内に５以上のホスホン酸基を有するキレート化合物を
含有する半導体基板の洗浄液に関するものであり、さら
に、アルカリ、過酸化水素および分子内に５以上のホス
ホン酸基を有するキレート化合物を含有する半導体基板
の洗浄液に関するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の洗浄液は、Ｓｉ、Ｇｅ、
ＧａＡｓのような半導体材料を含む基板の処理に用いる
ことができる。特に、シリコンウエハやＬＣＤ基板の洗
浄に好適に用いることができ、基板の金属汚染を極めて
低いレベルに抑制することが可能である。
ＧａＡｓのような半導体材料を含む基板の処理に用いる
ことができる。特に、シリコンウエハやＬＣＤ基板の洗
浄に好適に用いることができ、基板の金属汚染を極めて
低いレベルに抑制することが可能である。
【００１３】本発明の洗浄液には、金属不純物濃度が低
い電子工業用のアルカリ水溶液および過酸化水素水を用
い、また、これらの薬品を希釈する水は純水や超純水を
用いる。工業用の薬品や水を用いた場合、これらに含ま
れる金属不純物濃度が高く、本発明の金属不純物含量が
少ないキレート化合物を用いることによる効果が得られ
ない場合がある。本発明の洗浄液は、通常、アルカリ
０．０１〜１０重量％および過酸化水素０．０１〜１０
重量％の濃度範囲で用いられる。アルカリとして、アン
モニアや、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよ
び２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロ
キシド（コリン）などの４級アンモニウムヒドロキシド
が挙げられる。
い電子工業用のアルカリ水溶液および過酸化水素水を用
い、また、これらの薬品を希釈する水は純水や超純水を
用いる。工業用の薬品や水を用いた場合、これらに含ま
れる金属不純物濃度が高く、本発明の金属不純物含量が
少ないキレート化合物を用いることによる効果が得られ
ない場合がある。本発明の洗浄液は、通常、アルカリ
０．０１〜１０重量％および過酸化水素０．０１〜１０
重量％の濃度範囲で用いられる。アルカリとして、アン
モニアや、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよ
び２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロ
キシド（コリン）などの４級アンモニウムヒドロキシド
が挙げられる。
【００１４】本発明のキレート化合物は、分子内に５以
上のホスホン酸基を有する化合物である。特に、１級ま
たは２級アミノ基を有する化合物を原料として、Journa
l ofOrganic Chemistry第３１巻１６０３頁に記載の方
法により得ることが可能で、分子内に、＞ＮＣＨ2ＰＯ3
Ｈ2基を５以上有する化合物を好適に用いることができ
る。具体的な例として、ジエチレントリアミンペンタ
（メチレンホスホン酸）、３，３´−ジアミノジプロピ
ルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサ
メチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、
トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン
酸）、トリ（２−アミノエチル）アミンヘキサ（メチレ
ンホスホン酸）、トリ（３−アミノプロピル）アミンヘ
キサ（メチレンホスホン酸）、テトラエチレンペンタミ
ンヘプタ（メチレンホスホン酸）、ペンタエチレンヘキ
サミンオクタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレン
テトラミンオクタ（メチレンホスホン酸）などが挙げら
れる。また、これらの化合物の有するホスホノメチル基
の一部分が水素原子やメチル基などの他の基に置換され
たものであっても、分子内のホスホン酸基が５以上であ
れば、同様に用いることができる。さらに、たとえば、
ポリエチレンイミンやポリアリルアミンのように、主鎖
または側鎖に１級または２級アミノ基を有する高分子体
を原料とし、分子内に、＞ＮＣＨ2ＰＯ3Ｈ2基を５以上
導入した化合物も用いることができる。これらのキレー
ト化合物のホスホン酸基は、遊離の酸でなく、例えばア
ンモニウム塩のような塩であっても同様に用いることが
できる。
上のホスホン酸基を有する化合物である。特に、１級ま
たは２級アミノ基を有する化合物を原料として、Journa
l ofOrganic Chemistry第３１巻１６０３頁に記載の方
法により得ることが可能で、分子内に、＞ＮＣＨ2ＰＯ3
Ｈ2基を５以上有する化合物を好適に用いることができ
る。具体的な例として、ジエチレントリアミンペンタ
（メチレンホスホン酸）、３，３´−ジアミノジプロピ
ルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサ
メチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、
トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン
酸）、トリ（２−アミノエチル）アミンヘキサ（メチレ
ンホスホン酸）、トリ（３−アミノプロピル）アミンヘ
キサ（メチレンホスホン酸）、テトラエチレンペンタミ
ンヘプタ（メチレンホスホン酸）、ペンタエチレンヘキ
サミンオクタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレン
テトラミンオクタ（メチレンホスホン酸）などが挙げら
れる。また、これらの化合物の有するホスホノメチル基
の一部分が水素原子やメチル基などの他の基に置換され
たものであっても、分子内のホスホン酸基が５以上であ
れば、同様に用いることができる。さらに、たとえば、
ポリエチレンイミンやポリアリルアミンのように、主鎖
または側鎖に１級または２級アミノ基を有する高分子体
を原料とし、分子内に、＞ＮＣＨ2ＰＯ3Ｈ2基を５以上
導入した化合物も用いることができる。これらのキレー
ト化合物のホスホン酸基は、遊離の酸でなく、例えばア
ンモニウム塩のような塩であっても同様に用いることが
できる。
【００１５】本発明のキレート化合物は、２種以上併用
することも可能である。キレート化合物は洗浄液中の金
属イオンを捕捉し、金属−キレート錯体を形成すること
により、基板表面への金属の付着を抑制しているが、そ
れぞれの化合物には対象となる金属イオンによって、捕
捉能力に差異がある。したがって、２種以上の化合物を
併用すると、相補的作用により、より多くの金属の付着
をより効果的に抑制することが可能となる。
することも可能である。キレート化合物は洗浄液中の金
属イオンを捕捉し、金属−キレート錯体を形成すること
により、基板表面への金属の付着を抑制しているが、そ
れぞれの化合物には対象となる金属イオンによって、捕
捉能力に差異がある。したがって、２種以上の化合物を
併用すると、相補的作用により、より多くの金属の付着
をより効果的に抑制することが可能となる。
【００１６】キレート化合物の濃度は、通常は、１ｐｐ
ｍ〜１％の範囲で用いられ、好ましくは、１ｐｐｍ〜
０．５％の範囲で用いられる。特に、キレート化合物の
濃度が低い場合、Ａｌの付着を抑制する効果が十分に得
られないため、少なくとも１ｐｐｍ以上、好ましくは１
０ｐｐｍ以上の濃度で使用することが望ましい。
ｍ〜１％の範囲で用いられ、好ましくは、１ｐｐｍ〜
０．５％の範囲で用いられる。特に、キレート化合物の
濃度が低い場合、Ａｌの付着を抑制する効果が十分に得
られないため、少なくとも１ｐｐｍ以上、好ましくは１
０ｐｐｍ以上の濃度で使用することが望ましい。
【００１７】洗浄液の調製として、アルカリおよび過酸
化水素を任意の濃度に調整した後にキレート化合物を添
加する方法やアルカリ水溶液、過酸化水素水または水に
あらかじめ添加しておき、これらを使用時に混合する方
法などで行うことができる。さらには、洗浄中にキレー
ト化合物を追加して添加することもできる。
化水素を任意の濃度に調整した後にキレート化合物を添
加する方法やアルカリ水溶液、過酸化水素水または水に
あらかじめ添加しておき、これらを使用時に混合する方
法などで行うことができる。さらには、洗浄中にキレー
ト化合物を追加して添加することもできる。
【００１８】本発明の洗浄液は、長時間保持した場合で
も、Ａｌの付着を抑制する効果が失われることなく、安
定した洗浄が達成できる。本発明の洗浄液に、さらに無
機酸、有機酸、無機塩または界面活性剤のような成分を
共存させて用いた場合も、Ａｌの付着を抑制する効果は
同様に得られる。
も、Ａｌの付着を抑制する効果が失われることなく、安
定した洗浄が達成できる。本発明の洗浄液に、さらに無
機酸、有機酸、無機塩または界面活性剤のような成分を
共存させて用いた場合も、Ａｌの付着を抑制する効果は
同様に得られる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明を実施例によって詳細に説明す
るが、本発明は実施例によって制限されるものではな
い。
るが、本発明は実施例によって制限されるものではな
い。
【００２０】ＳＣ−１洗浄液は、２９重量％電子工業用
アンモニア水、３１重量％電子工業用過酸化水素水およ
び超純水を１：４：２０の容量比で混合して洗浄直前に
調製した。金属および／またはキレート化合物を添加す
る場合は、洗浄液を調製後、金属および／またはキレー
ト化合物を添加し、７０〜８０℃の温度で５分間保持し
た後に洗浄に供した。添加する金属は化学分析用標準液
を用いた。洗浄液を一定時間保持した後に洗浄を行う場
合には、適宜、超純水とアンモニア水を補充し、洗浄液
の液量とｐＨを一定に維持した。
アンモニア水、３１重量％電子工業用過酸化水素水およ
び超純水を１：４：２０の容量比で混合して洗浄直前に
調製した。金属および／またはキレート化合物を添加す
る場合は、洗浄液を調製後、金属および／またはキレー
ト化合物を添加し、７０〜８０℃の温度で５分間保持し
た後に洗浄に供した。添加する金属は化学分析用標準液
を用いた。洗浄液を一定時間保持した後に洗浄を行う場
合には、適宜、超純水とアンモニア水を補充し、洗浄液
の液量とｐＨを一定に維持した。
【００２１】半導体基板には、ｎ型、面方位＜１１１＞
のＳｉウエハを用い、ＳＣ−１洗浄は８０℃で１０分間
行った。洗浄槽には石英製容器を用いた。基板表面の金
属濃度は、フッ化水素酸と過酸化水素水の混合液で処理
して表面上の金属を溶解し、混合液中の金属濃度をフレ
ームレス原子吸光分析により測定し、基板表面上濃度に
換算した。
のＳｉウエハを用い、ＳＣ−１洗浄は８０℃で１０分間
行った。洗浄槽には石英製容器を用いた。基板表面の金
属濃度は、フッ化水素酸と過酸化水素水の混合液で処理
して表面上の金属を溶解し、混合液中の金属濃度をフレ
ームレス原子吸光分析により測定し、基板表面上濃度に
換算した。
【００２２】用いたキレート化合物は以下の様に略記す
る。１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
「ＨＥＤＰ」、アミノトリ（メチレンホスホン酸）「Ａ
ＴＰ」、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）「ＥＤＴＰ」、ｃｉｓ−シクロヘキサンジアミンテ
トラ（メチレンホスホン酸）「ｃｉｓ−ＣＤＴＰ」、ｔ
ｒａｎｓ−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホ
スホン酸）「ｔｒａｎｓ−ＣＤＴＰ」、ヘキサメチレン
ジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）「ＨＤＴＰ」、
ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）
「ＤＴＰＰ」、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレ
ンホスホン酸）「ＴＴＨＰ」、トリ（２−アミノエチ
ル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）「ＴＡＥＨ
Ｐ」、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホス
ホン酸）「ＴＰＨＰ」、ペンタエチレンヘキサミンオク
タ（メチレンホスホン酸）「ＰＨＯＰ」。
る。１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
「ＨＥＤＰ」、アミノトリ（メチレンホスホン酸）「Ａ
ＴＰ」、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）「ＥＤＴＰ」、ｃｉｓ−シクロヘキサンジアミンテ
トラ（メチレンホスホン酸）「ｃｉｓ−ＣＤＴＰ」、ｔ
ｒａｎｓ−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホ
スホン酸）「ｔｒａｎｓ−ＣＤＴＰ」、ヘキサメチレン
ジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）「ＨＤＴＰ」、
ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）
「ＤＴＰＰ」、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレ
ンホスホン酸）「ＴＴＨＰ」、トリ（２−アミノエチ
ル）アミンヘキサ（メチレンホスホン酸）「ＴＡＥＨ
Ｐ」、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホス
ホン酸）「ＴＰＨＰ」、ペンタエチレンヘキサミンオク
タ（メチレンホスホン酸）「ＰＨＯＰ」。
【００２３】実施例１
Ａｌ濃度１０ｐｐｂとし、本発明のキレート化合物を１
０、１００または１０００ｐｐｍ添加して、ＳＣ−１洗
浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表１に示
す。
０、１００または１０００ｐｐｍ添加して、ＳＣ−１洗
浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表１に示
す。
【００２４】比較例１
Ａｌ濃度を１０ｐｐｂとし、キレート化合物無添加で、
ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は
表１に示す。
ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は
表１に示す。
【００２５】比較例２
Ａｌ濃度１０ｐｐｂとし、分子内に４以下のホスホン酸
基を有するキレート化合物を１００または１０００ｐｐ
ｍ添加して、ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定
した。結果は表１に示す。
基を有するキレート化合物を１００または１０００ｐｐ
ｍ添加して、ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定
した。結果は表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例２
３１重量％電子工業用過酸化水素水に、ＤＴＰＰ、ＴＴ
ＨＰ、ＴＡＥＨＰ、ＴＰＨＰ、ＰＨＯＰを溶解し、２５
℃で３０日間または７０日間放置した。この過酸化水素
水を用いて、キレート化合物の濃度が１００または１０
００ｐｐｍのＳＣ−１洗浄液を調製し、Ａｌ濃度を１０
ｐｐｂとして、洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。
結果は表２に示す。
ＨＰ、ＴＡＥＨＰ、ＴＰＨＰ、ＰＨＯＰを溶解し、２５
℃で３０日間または７０日間放置した。この過酸化水素
水を用いて、キレート化合物の濃度が１００または１０
００ｐｐｍのＳＣ−１洗浄液を調製し、Ａｌ濃度を１０
ｐｐｂとして、洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。
結果は表２に示す。
【００２８】比較例３
３１重量％電子工業用過酸化水素水に、ＡＴＰを溶解
し、２５℃で１０日間放置した。この過酸化水素水を用
いて、ＡＴＰの濃度が１０００ｐｐｍのＳＣ−１洗浄液
を調製し、Ａｌ濃度を１０ｐｐｂとして、洗浄を行い、
表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表２に示す。
し、２５℃で１０日間放置した。この過酸化水素水を用
いて、ＡＴＰの濃度が１０００ｐｐｍのＳＣ−１洗浄液
を調製し、Ａｌ濃度を１０ｐｐｂとして、洗浄を行い、
表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】実施例３
３１重量％電子工業用過酸化水素水に、ＤＴＰＰ、ＴＴ
ＨＰ、ＴＡＥＨＰ、ＴＰＨＰ、ＰＨＯＰを溶解し、２５
℃で７０日間放置した。この過酸化水素水を用いて、キ
レート化合物の濃度が１、１０、または１００ｐｐｍの
ＳＣ−１洗浄液を調製し、Ｆｅ濃度を１０ｐｐｂとし
て、洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表３
に示す。
ＨＰ、ＴＡＥＨＰ、ＴＰＨＰ、ＰＨＯＰを溶解し、２５
℃で７０日間放置した。この過酸化水素水を用いて、キ
レート化合物の濃度が１、１０、または１００ｐｐｍの
ＳＣ−１洗浄液を調製し、Ｆｅ濃度を１０ｐｐｂとし
て、洗浄を行い、表面Ａｌ濃度を測定した。結果は表３
に示す。
【００３１】比較例４
Ｆｅ濃度を１０ｐｐｂとし、キレート化合物無添加で、
ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ｆｅ濃度を測定した。結果は
表３に示す。
ＳＣ−１洗浄を行い、表面Ｆｅ濃度を測定した。結果は
表３に示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】
【発明の効果】本発明の洗浄液を用いることにより、Ａ
ｌの付着を確実に、かつ、安定に抑制することが可能で
あり、洗浄後の基板の表面金属濃度を従来よりも極めて
低く低減することができる。
ｌの付着を確実に、かつ、安定に抑制することが可能で
あり、洗浄後の基板の表面金属濃度を従来よりも極めて
低く低減することができる。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｇ
Ｆターム(参考） 4H003 BA12 DA15 DB01 EA20 EA23
EB24 ED02 EE04 FA07
5F043 AA01 BB27 GG10
Claims (5)
- 【請求項１】 過酸化水素および分子内に５以上のホス
ホン酸基を有するキレート化合物を含有する半導体基板
の洗浄液。 - 【請求項２】 アルカリ、過酸化水素および分子内に５
以上のホスホン酸基を有するキレート化合物を含有する
半導体基板の洗浄液。 - 【請求項３】 過酸化水素の濃度が０．０１〜１０重量
％およびキレート化合物の濃度が１ｐｐｍ〜１重量％で
ある請求項１記載の半導体基板の洗浄液。 - 【請求項４】 アルカリの濃度が０．０１〜１０重量
％、過酸化水素の濃度が０．０１〜１０重量％およびキ
レート化合物の濃度が１ｐｐｍ〜１重量％である請求項
２記載の半導体基板の洗浄液。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の洗浄液を用いる
半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001310997A JP2003124174A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 半導体基板の洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001310997A JP2003124174A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 半導体基板の洗浄液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124174A true JP2003124174A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19129896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001310997A Pending JP2003124174A (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 半導体基板の洗浄液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124174A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102193540A (zh) * | 2011-03-11 | 2011-09-21 | 海沃机械(扬州)有限公司 | 垃圾站管理及智能控制系统及其操作方法 |
| JP2014203849A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池 |
| US9831088B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
-
2001
- 2001-10-09 JP JP2001310997A patent/JP2003124174A/ja active Pending
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| CN102193540A (zh) * | 2011-03-11 | 2011-09-21 | 海沃机械(扬州)有限公司 | 垃圾站管理及智能控制系统及其操作方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070816 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071107 |