JP2003123559A - Forming method and its device for transparent conductive film, transparent conductive film and electronic paper - Google Patents

Forming method and its device for transparent conductive film, transparent conductive film and electronic paper

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JP2003123559A JP2001322272A JP2001322272A JP2003123559A JP 2003123559 A JP2003123559 A JP 2003123559A JP 2001322272 A JP2001322272 A JP 2001322272A JP 2001322272 A JP2001322272 A JP 2001322272A JP 2003123559 A JP2003123559 A JP 2003123559A
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Takuya Miyagawa
Yoshinori Ota
吉則 太田
拓也 宮川
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a forming method for a transparent conductive film capable of securing adhesion with a member to be processed without heating the member to be processed. SOLUTION: An ITO coat is formed on a surface of a substrate by a plasma- activated chemical vapor deposition method using gasified indium oxide, gasified stannic chloride, and gaseous oxygen as raw materials. A polythiophene coat is formed on the surface of the substrate by the plasma-activated chemical vapor deposition method using gasified thiophene as a raw material. The plasma-activated chemical vapor deposition method is carried out via electric discharge to gaseous argon. The member to be processed comprises an organic material.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性膜の形成方法、その装置、透明導電性膜および電子ペーパーに関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a transparent conductive film, its apparatus, and a transparent conductive film and electronic paper. 【0002】 【従来の技術】近年、電子ペーパーの開発が活発に行われている。 [0002] In recent years, the development of electronic paper has been actively carried out. 電子ペーパーは、フレキシブルなフィルム上に文字や画像を表示するとともに、これらの自由な書き換えを可能としたものである。 Electronic paper, and displays characters and images on a flexible film is obtained by allowing these free rewriting. 図4(1)に代表的な電子ペーパーの説明図を示す。 4 (1) shows an illustration of a typical electronic paper. 電子ペーパー1の両面には透明なフィルム基板2が配置され、それぞれの内表面上に透明導電性膜であるITO(Indium Tin Oxide)からなる電極3が形成されている。 Is disposed a transparent film substrate 2 on both sides of the electronic paper 1, the electrode 3 made of ITO (Indium Tin Oxide) which is a transparent conductive film on the respective inner surfaces are formed. さらに各ITO電極3の間には、導電性を有する黒色トナー6および電気絶縁性を有する白色トナー5が封入されている。 Between more of the ITO electrode 3, a white toner 5 having a black toner 6 and electrically insulating having conductivity is enclosed. そして図4 And Figure 4
(2)に示すようにITO電極3の間に電圧を印加すると、下方にある黒色トナー6が移動して、上方にある白色トナー5と入れ替わる。 When a voltage is applied between the ITO electrodes 3 as shown in (2), by moving the black toner 6 located below, replaces the white toner 5 located above. これにより、上方から見た場合に白色から黒色へと変化して、文字や画像を形成することが可能となる。 Thus, the change from white when viewed from the top to black, it is possible to form characters and images. 【0003】 【発明が解決しようとする課題】一般にITO電極の形成には、スパッタ法が用いられている。 [0003] the formation of generally ITO electrode The object of the invention is to solve the above-sputtering method is used. 例えば液晶表示装置等の製造工程において、ガラス基板上にITO電極を形成する場合には、ターゲットであるITOの固体に加速したイオンを照射して表面の分子を蒸発させ、スパッタ蒸発したターゲット物質をガラス基板上に付着させて、ITO薄膜を形成している。 For example in the manufacturing process of a liquid crystal display device, in the case of forming the ITO electrodes on the glass substrate is irradiated with ions accelerated to ITO solid that is the target to evaporate the molecules of the surface, the sputtering evaporated target material It is deposited on a glass substrate to form an ITO film. ここで、ITO電極とガラス基板との密着性を確保するためには、ガラス基板の温度を300℃以上の高温にして、スパッタ法を行う必要がある。 Here, in order to secure the adhesion between the ITO electrodes and the glass substrate, the temperature of the glass substrate to a high temperature above 300 ° C., it is necessary to perform sputtering. 【0004】しかし、電子ペーパーのITO電極は、有機材料からなるフィルム基板またはプラスチック基板上に形成するので、基板を高温にすると基板が変形および変質してしまうという問題がある。 However, ITO electrodes of electronic paper, because it forms on a film substrate or a plastic substrate made of an organic material, there is a problem that when the substrate to high temperature substrate deformed and altered. 従って、フィルム基板等とITO電極との密着性の確保が困難であるという問題がある。 Therefore, there is a problem of securing adhesion between the film substrate and the like and the ITO electrode is difficult. そして、フィルム基板からITO電極が脱落した場合には、文字や画像を表示することが不可能となる。 Then, when the ITO electrodes from the film substrate is missing, it becomes impossible to display characters or images. 【0005】本発明は上記問題点に着目し、被処理部材を高温にすることなく被処理部材との密着性確保が可能な、透明導電性膜の形成方法およびその装置の提供を目的とする。 The present invention focuses on the problems, which can be adhesion securing the member to be processed without a workpiece member at a high temperature, and an object thereof is to provide a forming method and apparatus of the transparent conductive film . また本発明は、被処理部材との密着性に優れた透明導電性膜を提供することを目的とする。 The present invention also aims to provide a transparent conductive film having excellent adhesion to the member to be processed. さらに本発明は、基板と電極との密着性に優れた電子ペーパーを提供することを目的とする。 The present invention aims to provide an electronic paper having excellent adhesiveness between the substrate and the electrode. 【0006】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明に係る透明導電膜の形成方法は、透明導電性膜の構成物を含む低沸点の材料をガス化して原料に使用し、プラズマCVD法により、被処理部材の表面に透明導電性膜を形成する構成とした。 [0006] To achieve the above object, according to an aspect of method for forming the transparent conductive film according to the present invention, the low boiling materials including composition of the transparent conductive film is gasified raw material use, by a plasma CVD method, and configured to form a transparent conductive film on the surface of the member to be processed. 【0007】透明導電性膜の構成物を含む材料をガス化して原料に使用することにより、プラズマCVD法を用いて透明導電性膜を形成することができる。 [0007] By the use in the raw material is gasified material comprising a composition of the transparent conductive film, it is possible to form the transparent conductive film by a plasma CVD method. このプラズマCVD法では、プラズマにより分解した原料が被処理部材上で結合することにより透明導電性膜が形成されるので、被処理部材との密着性を確保することができる。 In the plasma CVD method, since the raw material is decomposed by the plasma is a transparent conductive film by binding on the member to be processed is formed, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed.
また低沸点の、つまり蒸気圧の高い材料を使用することにより、室温で気化しない膜を低温で形成できる。 The low-boiling, i.e. by using a high vapor pressure material, capable of forming a film that does not vaporize at room temperature at low temperatures. 従って、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Therefore, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0008】また、ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により、被処理部材の表面にITOの被膜を形成する構成とした。 Further, gasified indium iodide, stannic and oxygen gas chloride gasified as a raw material by a plasma CVD method, and the structure forming the ITO coating on the surface of the member to be processed. ITO被膜の構成物を含み、なおかつ低沸点の材料であるヨウ化インジウムおよび塩化第二錫を使用することにより、低温でプラズマCVD法を実施することができる。 Wherein the configuration of the ITO film, yet by using the indium iodide and the stannic chloride is a low boiling point material, it is possible to implement a plasma CVD method at a low temperature. 従って、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Therefore, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0009】また、ガス化したチオフェンを原料として、プラズマCVD法により、被処理部材の表面にポリチオフェンの被膜を形成する構成とした。 Further, thiophene gasified as a raw material by a plasma CVD method, and configured to form a polythiophene film on the surface of the member to be processed. 低沸点のチオフェンを原料として使用することにより、低温でプラズマCVD法を実施することができる。 The use of low-boiling thiophene as starting material, may be performed by a plasma CVD method at a low temperature. 従って、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Therefore, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0010】なお前記被処理部材は、有機材料からなる構成としてもよい。 [0010] Note that the member to be processed may be configured of an organic material. 上記のように、被処理部材を高温にすることなく被処理部材との密着性を確保することができるので、有機材料からなる被処理部材であっても、これらを変形または変質させることなく密着性を確保することができる。 As described above, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed without a workpiece member at a high temperature, even workpiece member made of an organic material, contact without deforming or alteration of these it is possible to ensure the sex. 【0011】なお前記プラズマCVD法は、希ガスを導入して、不活性ガスに対する放電を介して行う構成とするのが好ましい。 [0011] Note that the plasma CVD method, by introducing a noble gas, preferably configured to perform through the discharging of inert gas. 特に前記不活性ガスは、アルゴンガスである構成とするのが好ましい。 In particular the inert gas is preferably configured argon gas. アルゴンガスは分子量が小さいので、電極から放出された電子と容易に衝突することがなく、放電を広げて維持することができる。 Argon gas is so small molecular weight, easily without colliding with emitted electrons from the electrode, it can be maintained to expand the discharge. そして希ガスは弱いエネルギーでも分解し、放電しにくいガスを導入した際でも容易に放電を維持することができる。 The noble gas may be decomposed at low energy, to maintain easily discharged even upon introduction discharge hardly gas. これにより、プラズマCVD法を用いて透明導電性膜を形成することができる。 Thus, it is possible to form a transparent conductive film by a plasma CVD method. 【0012】一方、本発明に係る透明導電膜は、請求項1ないし6のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法を使用して製造した構成とした。 Meanwhile, the transparent conductive film according to the present invention has a structure produced using the method of forming the transparent conductive film according to any one of claims 1 to 6. これにより、被処理部材との密着性に優れた透明導電性膜を提供することができる。 Thus, it is possible to provide a transparent conductive film having excellent adhesion to the member to be processed. 【0013】一方、本発明に係る電子ペーパーは、請求項7に記載の透明導電性膜を使用して製造した構成とした。 Meanwhile, the electronic paper according to the present invention has a structure produced using the transparent conductive film according to claim 7. これにより、基板と電極との密着性に優れた電子ペーパーを提供することができる。 Thus, it is possible to provide an excellent electronic paper adhesion between the substrate and the electrode. 【0014】一方、本発明に係る透明導電膜の形成装置は、被処理部材の表面にITOの被膜を形成する装置であって、前記被処理部材を配置するチャンバと、前記チャンバ内を真空状態とする真空ポンプと、前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源および電極と、前記チャンバ内にガス化したヨウ化インジウムを供給するヨウ化インジウムガス供給手段と、前記チャンバ内にガス化した塩化第二錫を供給する塩化第二錫ガス供給手段と、前記チャンバ内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段と、前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段と、を有する構成とした。 [0014] On the other hand, forming apparatus of the transparent conductive film according to the present invention is an apparatus for forming a film of ITO on the surface of the member to be processed, a chamber for disposing the member to be processed, a vacuum state inside the chamber chloride and vacuum pump, and a high frequency power source and electrodes for applying a high frequency electric field in the chamber, and indium iodide gas supply means for supplying the gasified indium iodide into the chamber, and the gas into the chamber to and stannic chloride gas supply means for supplying a stannic, an oxygen gas supply means for supplying an oxygen gas into the chamber, and configured to have, and an argon gas supply means for supplying argon gas in the chamber . これにより、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Thus, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0015】また、被処理部材の表面にポリチオフェンの被膜を形成する装置であって、前記被処理部材を配置するチャンバと、前記チャンバ内を真空状態とする真空ポンプと、前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源および電極と、前記チャンバ内にガス化したチオフェンを供給するチオフェンガス供給手段と、前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段と、を有する構成とした。 Further, an apparatus for forming a polythiophene film on the surface of the member to be processed, a chamber for disposing the member to be processed, a vacuum pump to the chamber a vacuum state, a high frequency electric field to the chamber a high frequency power source and electrodes for applying a thiophene gas supply means for supplying a thiophene gasified within said chamber, and configured to have, and an argon gas supply means for supplying argon gas into the chamber. これにより、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Thus, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0016】 【発明の実施の形態】本発明に係る透明導電性膜の形成方法および透明導電性膜の好ましい実施の形態を、添付図面にしたがって詳細に説明する。 [0016] The preferred embodiment of the forming method and the transparent conductive film of the transparent conductive film according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. なお以下に記載するのは本発明の実施形態の一態様にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。 Note is only one aspect of an embodiment of the present invention to described below, the present invention is not limited thereto. 【0017】最初に、第1実施形態について説明する。 [0017] First, a first embodiment will be described.
第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により、被処理部材の表面にITOの無機被膜を形成するものである。 Method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment, gasified indium iodide, stannic and oxygen gas chloride gasified as a raw material by a plasma CVD method, the ITO on the surface of the member to be processed inorganic it is to form a film. 【0018】第1実施形態では、被処理部材の表面にI [0018] In the first embodiment, I on the surface of the member to be processed
TOの被膜を形成する。 Forming a TO coating. 被処理部材にはガラス基板を使用する。 The workpiece member using the glass substrate. なおITO(Indium Tin Oxide)は、酸化インジウムに酸化錫を1〜5重量%ドープしたものであり、 Note ITO (Indium Tin Oxide) is obtained by 1 to 5 wt% doped tin oxide into indium oxide,
透明で導電性を有する。 A transparent conductive material. 【0019】第1実施形態では、プラズマCVD法でI [0019] In the first embodiment, I by the plasma CVD method
TO被膜を形成するので、その原料は、インジウム、錫および酸素を含み、しかも低温でガス化し得る必要がある。 Since forming a TO film, the raw material comprises indium, tin and oxygen, yet it is necessary to be gasified at a low temperature. なお、ここにいう低温とは、ITO被膜等を形成する被処理部材が変形または変質することのない温度である。 Note that the low temperature referred herein is the temperature never treated member forming the ITO film or the like is deformed or altered. かかる条件を満たす原料として、ヨウ化インジウム、塩化第二錫および酸素ガスを使用する。 As such conditions are satisfied raw material, using indium iodide, stannic and oxygen gas chloride. なおヨウ化インジウムは標準状態で固体であるが、真空状態では1 Note indium iodide is a solid at standard conditions, but 1 in vacuum
20〜130℃程度まで加熱すれば、条件を満たす量のガスを供給することができる。 By heating to about 20 to 130 ° C., it can be supplied to satisfy the amount of gas. また塩化第二錫は標準状態で液体であるが、その沸点は約114℃と低温であり、真空状態では100℃程度で条件を満たす量のガスを供給することができる。 Although stannic chloride is liquid at standard conditions, the boiling point is about 114 ° C. and cold, in a vacuum state can be supplied to satisfy the amount of gas at about 100 ° C.. そして、ガス化したヨウ化インジウム(InI 3 )および酸素ガス(O 2 )をプラズマ化することにより、酸化インジウム(In 23 )を形成することができる。 Then, by plasma gasified indium iodide (InI 3) and oxygen gas (O 2), can be formed of indium oxide (In 2 O 3). また、ガス化した塩化第二錫(Sn Furthermore, gasified stannic chloride (Sn
Cl 4 )および酸素ガス(O 2 )をプラズマ化することにより、酸化錫(SnO 2 )を形成することができる。 Cl 4) and by plasma of oxygen gas (O 2), it is possible to form a tin oxide (SnO 2). なお、塩化第二錫に代えてフッ化錫を使用することも可能である。 It is also possible to use tin fluoride in place of the stannic chloride. 【0020】ITO被膜は、図1に示す透明導電性膜の形成装置10を使用して形成する。 The ITO film is formed by using the forming apparatus 10 of the transparent conductive film shown in FIG. 透明導電性膜の形成装置10として、内部に被処理部材を配置するチャンバ12を形成する。 As forming apparatus 10 of the transparent conductive film, forming a chamber 12 to place the workpiece member therein. また、チャンバ12内を減圧し真空状態に近づける真空ポンプ14を接続する。 Moreover, to connect the vacuum pump 14 to approach a vacuum state to reduce the pressure in the chamber 12. さらに、チャンバ12の下部には基板8を載置するステージ13を設置する。 Furthermore, the bottom of the chamber 12 is installed a stage 13 for placing a substrate 8. 加えて、チャンバ12の上部には絶縁体17を介して電極16を設置し、高周波電源18に接続する。 In addition, the upper part of the chamber 12 of the electrode 16 is placed through an insulator 17, is connected to a high frequency power supply 18.
一方、導電性材料で形成したチャンバ12は接地する。 On the other hand, the chamber 12 formed by the conductive material is grounded.
これにより、チャンバ12内に高周波電界を印加して、 Thus, by applying a high frequency electric field in the chamber 12,
供給された原料ガスをプラズマ化することが可能となる。 It is possible to plasma the supplied raw material gas. なお、プラズマによるチャンバ12内の温度上昇を抑制するため、チャンバ12は冷却可能に形成する。 In order to suppress the temperature rise in the chamber 12 by the plasma, the chamber 12 is coolable formed. また、チャンバ12には排気ポンプ(不図示)を接続し、 Further, the chamber 12 is connected an exhaust pump (not shown),
使用後のガスを排気処理装置(不図示)に供給して排気可能とする。 By supplying gas after use in an exhaust treatment apparatus (not shown) to allow exhaust. さらには、チャンバ12を冷却可能としつつ、ステージ13にチラー等の温度制御装置(不図示) Furthermore, while the chamber 12 can be cooled, the temperature control device such as a chiller to stage 13 (not shown)
を設けることにより、基板の温度を調整しながら蒸着可能としてもよい。 By providing, it may be deposited while adjusting the temperature of the substrate. 一般的には、基板温度を高温にして成膜すると密着性の良い膜が得られるからである。 In general, because good adhesion film is obtained and deposited with the substrate temperature to a high temperature. 【0021】また、各種ガスの供給手段20,30,4 [0021] In addition, the supply of various gases means 20,30,4
0,50を設ける。 Providing a 0,50. まず、チャンバ12内にヨウ化インジウムガスを供給するヨウ化インジウムガス供給手段2 First, indium iodide gas supply means for supplying the indium iodide gas into the chamber 12 2
0を設ける。 0 is provided. 具体的には、まず固体のヨウ化インジウムを収納する容器22を設ける。 Specifically, first providing a container 22 for accommodating the indium iodide solid. また、容器22の下部にはヒータ24を設置し、ヨウ化インジウムのガス化を可能とする。 Further, the bottom of the container 22 is installed a heater 24, to allow gasification of the indium iodide. さらに、容器22は供給配管27によりチャンバ12と接続する。 Further, the container 22 is connected to the chamber 12 by the supply pipe 27. なお、ヨウ化インジウムのガスはチャンバ12の負圧により吸引され、チャンバ12内に供給される。 The gas of indium iodide is sucked by the negative pressure in the chamber 12, it is supplied into the chamber 12. また、供給配管27におけるガスの結露を防止するため、供給配管27の長さを短くするか、供給配管27に沿って結露防止用ヒータ(不図示)を設置するのが好ましい。 In order to prevent condensation of the gas in the supply pipe 27, or to shorten the length of the supply pipe 27, it is preferable to install the anti-condensation heaters along the supply pipe 27 (not shown). 加えて、供給配管27には流量制御弁(Mass Flow制御弁)26を設け、チャンバ12に流入するガスの流量を調整可能とする。 In addition, the flow control valve (Mass Flow control valve) 26 provided in the supply pipe 27, and capable of adjusting the flow rate of the gas flowing into the chamber 12. 同様にして、チャンバ12内に塩化第二錫ガスを供給する塩化第二錫ガス供給手段30を設ける。 Similarly, providing the stannic gas supply means 30 chloride supplying stannic chloride gas into the chamber 12. 【0022】また、チャンバ12内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段40を設ける。 Further, it provided an oxygen gas supply means 40 for supplying an oxygen gas into the chamber 12. 具体的には、酸素ガスボンベ等の供給源42を設け、供給配管47によりチャンバ12と接続する。 Specifically, a source 42 such as an oxygen gas cylinder is provided, connected to the chamber 12 by the supply pipe 47. なお同様にして、チャンバ12 It should be noted that in the same manner, the chamber 12
内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段50 Argon gas supply means 50 for supplying argon gas within
を設け、チャンバ12内の放電の維持を可能とする。 The provided, to allow the maintenance of the discharge in the chamber 12. なお、アルゴンガス以外の不活性ガスを使用してもよい。 It is also possible to use an inert gas other than argon gas. 【0023】次に、上記透明導電性膜の形成装置を使用した、第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法について説明する。 Next, using the forming apparatus of the above transparent conductive film, a method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment will be described. 第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、プラズマCVD法により透明導電性膜を形成するものである。 Method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment is for forming a transparent conductive film by the plasma CVD method. まず、チャンバ12内のステージ13上に基板8を配置する。 First, placing a substrate 8 on the stage 13 in the chamber 12. 次に真空ポンプ14により、チャンバ12内を例えば0.1Torr程度まで減圧する。 Then the vacuum pump 14 to reduce the pressure in the chamber 12, for example up to about 0.1 Torr. 【0024】次に、ヨウ化インジウムガス供給手段20 Next, indium iodide gas supply means 20
により、チャンバ12内にヨウ化インジウムガスを供給する。 The supply indium iodide gas into the chamber 12. 具体的には、まず容器22に固体のヨウ化インジウムを配置し、ヒータ24で120〜130℃程度に加熱してガス化させる。 Specifically, first container 22 to place the solid indium iodide, and is gasified by heating to about 120 to 130 ° C. by the heater 24. なお、チャンバ12の負圧により容器22内も負圧となって、ヨウ化インジウムを比較的低温でガス化させることができる。 Incidentally, it is also the negative pressure by the container 22 of the chamber 12 becomes negative pressure, is relatively gasified low temperature indium iodide. またチャンバ12の負圧により、ヨウ化インジウムガスが吸引されてチャンバ12内に供給される。 Also by the negative pressure of the chamber 12, indium iodide gas is supplied to the suction chamber 12. ここで流量制御弁26を調整し、ヨウ化インジウムガスの流量を、例えば100cc Here and adjust the flow rate control valve 26, the flow rate of indium iodide gas, for example 100cc
m程度とする。 The order of m. 同様にして、塩化第二錫ガス供給手段3 Similarly, stannic gas supply means 3 chloride
0により、チャンバ12内に塩化第二錫ガスを供給する。 The 0, supplies the stannic chloride gas into the chamber 12. なお、塩化第二錫ガスの流量は、例えば5ccm程度とする。 The flow rate of the stannic chloride gas is, eg, about 5 ccm. これにより、酸化インジウムに対する酸化錫の形成量が1〜5重量%となり、理想的な組成比を有するITO被膜を形成することができる。 Thus, becomes 1 to 5% by weight is formed of tin oxide with respect to indium oxide, it is possible to form an ITO film having an ideal composition ratio. 【0025】また、酸素ガス供給手段40により、チャンバ12内に酸素ガスを供給する。 Further, the oxygen gas supply means 40 supplies the oxygen gas into the chamber 12. なお酸素ガスの流量は、例えば200ccm程度とする。 Note flow rate of the oxygen gas is, e.g., about 200 ccm. さらに、アルゴンガス供給手段50により、チャンバ12内にアルゴンガスを供給する。 Further, the argon gas supplying unit 50 supplies argon gas into the chamber 12. なおアルゴンガスの流量は、例えば10 Note argon gas flow rate, for example 10
0ccm程度とする。 And about 0ccm. 【0026】次に、高周波電源18および電極16によりチャンバ12内に高周波電界を印加する。 Next, applying a high frequency electric field in the chamber 12 by the high frequency power source 18 and electrode 16. すると、放出された電子がチャンバ12内に供給されたアルゴンの分子と衝突し、アルゴンラジカルなどのプラズマ粒子が発生する。 Then, the emitted electrons collide with molecules of argon supplied to the chamber 12, plasma particles such as argon radicals are generated. さらにこのプラズマ粒子が、チャンバ12内に供給されたヨウ化インジウム、塩化第二錫および酸素の分子と衝突して、インジウムイオン、錫イオンおよび酸素イオンなどのプラズマ粒子が発生する。 Moreover the plasma particles, indium iodide, which is supplied into the chamber 12 collide with stannic and oxygen molecules chloride, indium ions, plasma particles such as tin ions and oxygen ions occurs. そして、これらのプラズマ粒子が基板8上で結合して酸化インジウムおよび酸化錫となり、ガラス基板上にITO被膜が形成される。 Then, these plasma particles are bonded on the substrate 8 becomes indium oxide and tin oxide, ITO film is formed on a glass substrate. なお、プラズマによる温度上昇を抑制するため、チャンバ12を冷却して基板8を室温程度に保持する。 In order to suppress the temperature rise due to plasma, to cool the chamber 12 for holding a substrate 8 to about room temperature. 【0027】上記のように形成したITO被膜につき、 The per ITO film formed as described above,
ガラス基板との密着性を確認する試験を行った。 Tests were conducted to check the adhesion to the glass substrate. 具体的には、ITO被膜の上に粘着テープを貼り付け、このテープを剥がす際にITO被膜も同時に剥がれるか試験した。 Specifically, paste the adhesive tape on the ITO film, ITO film was also tested for peel at the same time peeling off the tape. その結果、第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法を使用して形成したITO被膜は、ガラス基板に密着して剥がれることはなかった。 As a result, ITO film formed by using the formation method of the transparent conductive film according to the first embodiment, did not peel off in close contact with the glass substrate. 【0028】この点、従来のITO等の無機透明導電性膜の形成には、スパッタ法を用いていたため、ITO被膜とガラス基板との密着性を確保するためには、ガラス基板の温度を300℃以上の高温にする必要があった。 [0028] In this respect, the formation of the inorganic transparent electroconductive film, such as a conventional ITO, because it was by sputtering, in order to secure the adhesion between the ITO film and the glass substrate, 300 the temperature of the glass substrate ℃ had to be a high temperature of more.
なお、ガラス基板を低温としたままスパッタ法によりI Incidentally, I by while sputtering was a glass substrate with a low temperature
TO被膜を形成し、上記密着性試験を行ったところ、粘着テープと同時にITO被膜がガラス基板から剥がれて、密着性に欠けることが確認された。 Forming a TO film was subjected to the adhesion test, simultaneously ITO film and the adhesive tape is peeled off from the glass substrate, it was confirmed that lacks adhesiveness. 【0029】しかし、第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法では、透明導電性膜の構成物を含む低沸点の材料をガス化して原料に使用し、プラズマCVD法により被処理部材の表面に透明導電性膜を形成する構成とした。 [0029] However, in the method of forming the transparent conductive film according to the first embodiment, the low boiling materials including composition of the transparent conductive film is used as a raw material is gasified by a plasma CVD method of the processed member and configured to form a transparent conductive film on the surface. 透明導電性膜の構成物を含む材料をガス化して原料に使用することにより、プラズマCVD法を用いて透明導電性膜を形成することができる。 A material containing a constituent of the transparent conductive film by using the raw material is gasified, it is possible to form a transparent conductive film by a plasma CVD method. このプラズマCVD This plasma CVD
法では、プラズマにより分解した原料が被処理部材上で結合することにより透明導電性膜が形成されるので、被処理部材との密着性を確保することができる。 The law, since raw material is decomposed by the plasma is a transparent conductive film by binding on the member to be processed is formed, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. また低沸点の、つまり蒸気圧の高い材料を使用することにより、 The low-boiling, i.e. by using a high vapor pressure material,
低温でプラズマCVD法を実施することができる。 It can be carried by a plasma CVD method at a low temperature. 従って、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Therefore, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. これにより、有機材料からなるフィルム基板またはプラスチック基板等を変形または変質させることなく、これらとの密着性を確保することができる。 Thus, without deforming or mar the film substrate or plastic substrate made of an organic material, it is possible to ensure the adhesion between them. 【0030】具体的には、ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により、被処理部材の表面にIT [0030] Specifically, IT gasified indium iodide, stannic and oxygen gas chloride gasified as a raw material by a plasma CVD method, the surface of the member to be processed
O被膜を形成する構成とした。 And configured to form an O film. ITO被膜の構成物を含み、なおかつ低沸点の材料であるヨウ化インジウムおよび塩化第二錫を使用することにより、低温でプラズマC Wherein the configuration of the ITO film, by the use of indium iodide and stannic chloride yet a low boiling point material, the plasma C at low temperature
VD法を実施することができる。 VD method can be carried out. 従って、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 Therefore, without a workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0031】また被処理部材は、有機材料からなる構成としてもよい。 Further workpiece member may be configured of an organic material. 上記のように第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法により、被処理部材を高温にすることなく被処理部材との密着性を確保することができるので、被処理部材を有機材料からなるフィルム基板またはプラスチック基板等とした場合でも、これらを変形または変質させることなく密着性を確保することができる。 The method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment as described above, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed without a workpiece member at a high temperature, the organic material to be processed member even when become a film substrate or plastic substrate, it is possible to secure adhesion without deformation or deterioration of these. 【0032】またプラズマCVD法は、不活性ガスに対する放電を介して行う構成とした。 Further plasma CVD method was configured to perform through the discharging of inert gas. 特に、不活性ガスがアルゴンガスである構成とした。 In particular, it has a structure inert gas is argon gas. 希ガスは弱いエネルギーでも分解し、放電しにくいガスを導入した際でも容易に放電を維持することができる。 Noble gas can be decomposed even with a weak energy to maintain easily discharged even upon introduction discharge hardly gas. これにより、プラズマCVD法を用いて透明導電性膜を形成することができる。 Thus, it is possible to form a transparent conductive film by a plasma CVD method. 【0033】また、第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法により、フィルム基板上にITO電極を形成して電子ペーパーを製造すれば、フィルム基板のフレキシブル性を損なうことなく、なおかつフィルム基板とIT Further, the method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment, when manufacturing the electronic paper by forming an ITO electrode on the film substrate, without impairing the flexibility of the film substrate, yet the film substrate IT and
O電極との密着性に優れた電子ペーパーを提供することができる。 Electronic paper with excellent adhesion to the O electrode can be provided. また第1実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、電子ペーパー以外にも、液晶表示装置、電磁波シールド、湿度計等のセンサ、蓄電池および太陽電池等の製造に利用することが可能である。 The method for forming a transparent conductive film according to the first embodiment, in addition to the electronic paper, liquid crystal display device, it is possible to use in the production of such an electromagnetic wave shielding, sensors hygrometer etc., storage batteries and solar cells . 【0034】なお、ITOの成分である酸化錫は、単独でも無機透明導電性膜としての性質を有する。 [0034] Incidentally, the tin oxide is a component of ITO has a property as an inorganic transparent conductive film even alone. 酸化錫の被膜は、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により形成することができる。 Coating tin oxide, stannic and oxygen gas chloride gasified as a raw material, can be formed by a plasma CVD method.
この場合には、塩化第二錫の供給量を例えば100cc In this case, the supply amount of stannic chloride for example 100cc
m程度とする。 The order of m. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、塩化第二錫ガス供給手段、酸素ガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film, stannic gas supply means chloride, composed of the oxygen gas supply means and an argon gas supply means. 【0035】また、酸化亜鉛(ZnO)も無機透明導電性膜としての性質を有する。 Further, zinc oxide (ZnO) also has properties as an inorganic transparent electroconductive film. 酸化亜鉛の被膜は、ガス化した硝酸亜鉛(Zn(NO 32・6H 2 O)および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により形成することができる。 Coating of zinc oxide, can be gasified zinc nitrate of (Zn (NO 3) 2 · 6H 2 O) and oxygen gas as raw material, formed by a plasma CVD method. 硝酸亜鉛は標準状態で固体であるが、比較的低温でガス化することができる。 Although zinc nitrate are solid at standard conditions, it is possible to relatively gas at low temperatures. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、硝酸亜鉛ガス供給手段、酸素ガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film is composed of a zinc nitrate gas supply means, an oxygen gas supply means and an argon gas supply means. 【0036】また、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物も、無機透明導電性膜としての性質を有する。 Further, a mixture of zinc oxide and gallium oxide also has the property as an inorganic transparent electroconductive film. この混合物の被膜は、ガス化した硝酸亜鉛、ガス化した塩化ガリウム(GaCl 3 )および酸素ガスを原料として、プラズマCVD法により形成することができる。 The coating mixture can be zinc nitrate which is gasified, a gasification gallium chloride (GaCl 3) and oxygen gas as raw material, formed by a plasma CVD method. なお、塩化ガリウムは常温で固体であり、その沸点は200℃である。 Incidentally, gallium chloride is solid at room temperature, the boiling point of 200 ° C.. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、硝酸亜鉛ガス供給手段、塩化ガリウムガス供給手段、酸素ガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film, zinc nitrate gas supply means, the gallium gas supply means chloride, composed of the oxygen gas supply means and an argon gas supply means. 【0037】次に、第2実施形態について説明する。 Next, a second embodiment will be described. 第2実施形態に係る透明導電性膜の形成方法は、ガス化したチオフェンを原料として、プラズマCVD法により、 Method for forming a transparent conductive film according to the second embodiment, a thiophene gasified as a raw material by a plasma CVD method,
被処理部材の表面にポリチオフェンの有機被膜を形成するものである。 It is intended to form an organic film of polythiophene on the surface of the member to be processed. なお、第1実施形態と同じ構成となる部分についてはその説明を省略する。 Incidentally, portions having the same configuration as the first embodiment will be omitted. 【0038】第2実施形態では、ガス化したチオフェンを原料とする。 [0038] In the second embodiment, the thiophene gasified raw material. 図2(1)にチオフェンの化学構造式を示す。 The chemical structural formula of thiophene in FIG. 2 (1). チオフェン(C 44 S)の物理的性質および化学的性質はベンゼンに類似し、標準状態では液体でその沸点は約84℃と低温であり、真空状態では40℃程度で条件を満たす量のガスを供給することができる。 Physical and chemical properties of thiophene (C 4 H 4 S) is similar to benzene, in the standard state is a boiling point of about 84 ° C. and cold liquid, in vacuum satisfies the condition of at about 40 ° C. it is possible to supply gas. また第2実施形態では、被処理部材としてポリエチレン製のフィルム基板を使用する。 In the second embodiment, using a polyethylene film substrate as the member to be processed. そしてこのフィルム基板上に、 And in this film on a substrate,
ポリチオフェンの有機被膜を形成する。 Forming an organic film of polythiophene. 図2(2)にポリチオフェンの化学構造式を示す。 2 (2) shows a polythiophene of formula. ポリチオフェンは赤色を帯びた透明の膜であり、導電性を有する。 Polythiophene is a transparent film reddish, electrically conductive. 【0039】ポリチオフェンの被膜は、図3に示す透明導電性膜の形成装置70を使用して形成する。 The polythiophene film are formed by using the forming apparatus 70 of the transparent conductive film shown in FIG. なお、原料ガスの供給手段80以外の構成は、図1に示す透明導電性膜の形成装置10と同様である。 Note that the configuration other than the supply means 80 of the raw material gas is the same as that forming apparatus 10 of the transparent conductive film shown in FIG. 原料ガス供給手段として、チャンバ12にチオフェンガスを供給するチオフェンガス供給手段80を設ける。 As the raw material gas supply means is provided with a thiophene gas supply means 80 for supplying a thiophene gas into the chamber 12. 具体的には、液体のチオフェンを収納する容器22を設ける。 Specifically, providing the container 22 for accommodating the thiophene liquid. その他の点は、図1に示す透明導電性膜の形成装置10におけるヨウ化インジウムガス供給手段20または塩化第二錫ガス供給手段30と同様である。 Other points are the same as indium iodide gas supply means 20 or stannic gas supply means 30 chloride in the formation device 10 of the transparent conductive film shown in FIG. 【0040】次に、上記透明導電性膜の形成装置を使用した、第2実施形態に係る透明導電性膜の形成方法について説明する。 Next, using the forming apparatus of the above transparent conductive film, a method for forming a transparent conductive film according to the second embodiment will be described. なお、第1実施形態と同じ構成となる部分についてはその説明を省略する。 Incidentally, portions having the same configuration as the first embodiment will be omitted. 第2実施形態では、 In the second embodiment,
チオフェンガス供給手段80により、チャンバ12内にチオフェンガスを供給する。 The thiophene gas supply means 80 supplies a thiophene gas into the chamber 12. チオフェンガスの流量は、 The flow rate of thiophene gas,
例えば100ccm程度とする。 For example, about 100ccm. またアルゴンガス供給手段50により、チャンバ12内にアルゴンガスを供給する。 Also with argon gas supply means 50 supplies argon gas into the chamber 12. なおアルゴンガスの流量は、例えば100ccm Note argon gas flow rate, for example 100ccm
程度とする。 The degree. 【0041】次に、高周波電源18および電極16によりチャンバ12内に高周波電界を印加する。 Next, applying a high frequency electric field in the chamber 12 by the high frequency power source 18 and electrode 16. すると、アルゴンラジカルなどのプラズマ粒子が発生し、このプラズマ粒子がチャンバ12内に供給されたチオフェンの分子と衝突して、炭素と水素との結合が切断された活性なチオフェンが発生する。 Then, the generated plasma particles such as argon radicals, the plasma particles collide with molecules of thiophene supplied into the chamber 12, to generate the active thiophene bond is broken between the carbon and hydrogen. そして、この活性なチオフェンが基板9上で重合することにより、フィルム基板上にポリチオフェンの被膜が形成される。 By this active thiophene is polymerized on the substrate 9, polythiophene film is formed on the film substrate. なお第1実施形態と同様に、チャンバ12を冷却して基板9を室温程度に保持する。 Note as in the first embodiment, to cool the chamber 12 for holding a substrate 9 to about room temperature. 上述した第2実施形態に係る透明導電性膜の形成方法により、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 The method for forming a transparent conductive film according to the second embodiment described above, without the workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. 【0042】従来、有機透明導電性膜の形成には、LB [0042] Conventionally, the formation of the organic transparent conductive films, LB
(ラングミュアーブロジェット)法や真空蒸着法を用いていた。 It has been using the (Langmuir-Blodgett) method or a vacuum evaporation method. LB法とは、液上に形成した単分子膜に基板を押し付けて引き上げるものである。 The LB method, in which pulling against the substrate monomolecular film formed on the liquid. また真空蒸着法とは、真空中で加熱蒸発させた材料を基板上に付着させて薄膜を形成するものである。 The vacuum deposition method also in which the material was heated and evaporated in vacuo deposited on a substrate to form a thin film. これらの方法では、被処理部材との密着性を確保するのが困難であり、実用化することは不可能であった。 In these methods, it is difficult to ensure the adhesion to the member to be processed, it was impossible to put into practical use. 【0043】しかし、第2実施形態に係る透明導電性膜の形成方法では、ガス化したチオフェンを原料として、 [0043] However, in the method of forming the transparent conductive film according to the second embodiment, as a material thiophene gasified,
プラズマCVD法により、被処理部材の表面にポリチオフェンの有機被膜を形成する構成とした。 By a plasma CVD method, and a configuration of forming an organic film of polythiophene on the surface of the member to be processed. プラズマCV Plasma CV
D法では、被処理部材上でプラズマ粒子が結合して透明導電性膜が形成されるので、被処理部材との密着性を確保することができる。 In Method D, since the transparent conductive film is formed by combining the plasma particles on the member to be processed, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed. また低沸点のチオフェンを使用することにより、低温でプラズマCVD法を実施することができる。 Further, by using a low-boiling thiophene, it can be performed by a plasma CVD method at a low temperature. 従って、被処理部材を高温にすることなく、 Therefore, without a workpiece member at a high temperature,
被処理部材との密着性を確保することができる。 It is possible to ensure the adhesion between the member to be processed. これにより、ポリエチレン製のフィルム基板等を変形または変質させることなく、これらとの密着性を確保することができる。 Thus, without deforming or mar the polyethylene film substrate or the like, it is possible to ensure the adhesion between them. 【0044】なお、ポリアセチレンも有機透明導電性膜としての性質を有する。 [0044] Incidentally, polyacetylene also has properties as an organic transparent conductive film. ポリアセチレンの被膜は、アセチレンガス(C 22 )を原料として、プラズマCVD法により形成することができる。 Coating polyacetylene, acetylene gas (C 2 H 2) as a raw material, can be formed by a plasma CVD method. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、アセチレンガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film constitutes an acetylene gas supply means and an argon gas supply means. 【0045】また、ポリアニリンも有機透明導電性膜としての性質を有する。 Further, polyaniline also has properties as an organic transparent conductive film. ポリアニリンの被膜は、ガス化したアニリン(C 65 NH 2 )を原料として、プラズマC Coating polyaniline gasified aniline (C 6 H 5 NH 2) as a raw material, a plasma C
VD法により形成することができる。 It can be formed by VD method. なお、アニリンは常温で液体であり、その沸点は約183℃である。 Incidentally, aniline is liquid at room temperature, the boiling point is about 183 ° C.. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film,
アニリンガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Composed of aniline gas supply means and an argon gas supply means. 【0046】また、ポリピロールも有機透明導電性膜としての性質を有する。 [0046] Further, polypyrrole also has properties as an organic transparent conductive film. ポリピロールの被膜は、ガス化したピロール(C 45 N)を原料として、プラズマCVD Coating polypyrrole, a gasified pyrrole (C 4 H 5 N) as a raw material, a plasma CVD
法により形成することができる。 It can be formed by law. なお、ピロールは常温で液体であり、その沸点は約130℃である。 Incidentally, pyrrole is a liquid at normal temperature, its boiling point is about 130 ° C.. また、透明導電性膜の形成装置におけるガス供給手段は、ピロールガス供給手段およびアルゴンガス供給手段で構成する。 Further, gas supply means in forming apparatus of the transparent conductive film is composed of a pyrrole gas supply means and an argon gas supply means. 【0047】 【発明の効果】ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマC [0047] [Effect of the Invention] gasified indium iodide, the gasified stannic and oxygen gas chloride as a raw material, a plasma C
VD法により、被処理部材の表面にITOの被膜を形成する構成としたので、被処理部材を高温にすることなく、被処理部材との密着性を確保することができる。 The VD method, since a configuration to form a coating of ITO on the surface of the member to be processed, without the workpiece member at a high temperature, it is possible to secure the adhesion between the member to be processed.

【図面の簡単な説明】 【図1】 第1実施形態に係る透明導電性膜の形成装置の説明図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view of a forming apparatus of a transparent conductive film according to the first embodiment. 【図2】 (1)はチオフェンの化学構造式であり、 [2] (1) is a chemical structural formula of thiophene,
(2)はポリチオフェンの化学構造式である。 (2) is a chemical structural formula of polythiophene. 【図3】 第2実施形態に係る透明導電性膜の形成装置の説明図である。 3 is an explanatory view of a forming apparatus of a transparent conductive film according to the second embodiment. 【図4】 電子ペーパーの説明図である。 FIG. 4 is an explanatory view of an electronic paper. 【符号の説明】 1………電子ペーパー、2………フィルム基板、3…… [DESCRIPTION OF SYMBOLS] 1 ......... electronic paper, 2 ......... film substrate, 3 ......
…ITO電極、5………白色トナー、6………黒色トナー、8,9………基板、10………透明導電性膜の形成装置、12………チャンバ、13………ステージ、14 ... ITO electrode, 5 ......... white toner, 6 ......... black toner, 8,9 ......... substrate, 10 ......... forming apparatus of the transparent conductive film, 12 ......... chamber 13 ......... stage, 14
………真空ポンプ、16………電極、17………絶縁体、18………高周波電源、20………ヨウ化インジウムガス供給手段、22………容器、24………ヒータ、 ......... vacuum pump, 16 ......... electrodes, 17 ......... insulator 18 ......... high-frequency power source, 20 ......... indium iodide gas supply means 22 ......... vessel 24 ......... heater,
26………流量制御弁、27………供給配管、30…… 26 ......... flow control valve, 27 ......... supply piping, 30 ......
…塩化第二錫ガス供給手段、32………容器、34…… ... stannic gas supply means chloride, 32 ......... container, 34 ......
…ヒータ、36………流量制御弁、37………供給配管、40………酸素ガス供給手段、42………供給源、 ... heater, 36 ......... flow control valve, 37 ......... supply pipe, 40 ......... oxygen gas supply means, 42 ......... source,
46………流量制御弁、47………供給配管、50…… 46 ......... flow control valve, 47 ......... supply pipe, 50 ......
…アルゴンガス供給手段、52………供給源、56…… ... argon gas supply means, 52 ......... source, 56 ......
…流量制御弁、57………供給配管、70………透明導電性膜の形成装置、80………ヨウ化インジウムガス供給手段、82………容器、84………ヒータ、86…… ... flow control valve, 57 ......... supply pipe, 70 ......... forming apparatus of the transparent conductive film, 80 ......... indium iodide gas supply means, 82 ......... vessel 84 ......... heater, 86 ......
…流量制御弁、87………供給配管。 ... flow control valve, 87 ......... supply pipe.

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Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 透明導電性膜の構成物を含む蒸気圧の高い材料をガス化して原料に使用し、プラズマCVD法により、被処理部材の表面に透明導電性膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の形成方法。 The Claims 1. A material having high vapor pressure, including the composition of the transparent conductive film is used as a raw material is gasified by a plasma CVD method, a transparent conductive film on the surface of the member to be processed method for forming a transparent conductive film and forming. 【請求項2】 ガス化したヨウ化インジウム、ガス化した塩化第二錫および酸素ガスを原料として、プラズマC 2. A gasified indium iodide, stannic and oxygen gas chloride gasified as a raw material, a plasma C
    VD法により、被処理部材の表面にITOの被膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の形成方法。 The VD method, a method of forming the transparent conductive film and forming a film of ITO on the surface of the member to be processed. 【請求項3】 ガス化したチオフェンを原料として、プラズマCVD法により、被処理部材の表面にポリチオフェンの被膜を形成することを特徴とする透明導電性膜の形成方法。 The 3. gasified thiophene as starting material by plasma CVD method for forming a transparent conductive film and forming a surface polythiophene coatings of the member to be processed. 【請求項4】 前記被処理部材は、有機材料からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法。 Wherein said member to be processed The method for forming a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it consists of an organic material. 【請求項5】 前記プラズマCVD法は、不活性ガスに対する放電を介して行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法。 Wherein said plasma CVD method for forming a transparent conductive film according to any one of claims 1 to 3, characterized in that via the discharge for the inert gas. 【請求項6】 前記不活性ガスは、アルゴンガスであることを特徴とする請求項5に記載の透明導電性膜の形成方法。 Wherein said inert gas is a method of forming the transparent conductive film according to claim 5, characterized in that the argon gas. 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかに記載の透明導電性膜の形成方法を使用して製造したことを特徴とする透明導電性膜。 7. The method of claim 1 to the transparent conductive film, which was prepared using the method of forming the transparent conductive film according to any one of 6. 【請求項8】 請求項7に記載の透明導電性膜を使用して製造したことを特徴とする電子ペーパー。 8. An electronic paper, characterized in that produced using the transparent conductive film according to claim 7. 【請求項9】 被処理部材の表面にITOの被膜を形成する装置であって、 内部に前記被処理部材を配置するチャンバと、 前記チャンバ内を減圧するポンプと、 前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源および電極と、 前記チャンバ内にガス化したヨウ化インジウムを供給するヨウ化インジウムガス供給手段と、 前記チャンバ内にガス化した塩化第二錫を供給する塩化第二錫ガス供給手段と、 前記チャンバ内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段と、 前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段と、 を有することを特徴とする透明導電性膜の形成装置。 9. An apparatus for forming a film of ITO on the surface of the member to be processed, a chamber for disposing the member to be processed therein, a pump for reducing the pressure within the chamber, a high frequency electric field in the chamber a high frequency power source and electrodes for applying a indium iodide gas supply means for supplying the indium iodide gasified in the chamber, gasified stannic chloride gas supply means for supplying stannic chloride into said chamber When the oxygen gas supply means for supplying an oxygen gas into the chamber, forming apparatus of the transparent conductive film characterized by having a argon gas supply means for supplying argon gas into the chamber. 【請求項10】 被処理部材の表面にポリチオフェンの被膜を形成する装置であって、 内部に前記被処理部材を配置するチャンバと、 前記チャンバ内を減圧するポンプと、 前記チャンバ内に高周波電界を印加する高周波電源および電極と、 前記チャンバ内にガス化したチオフェンを供給するチオフェンガス供給手段と、 前記チャンバ内にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段と、 を有することを特徴とする透明導電性膜の形成装置。 10. An apparatus for forming a surface on the polythiophene coatings of the member to be processed, a chamber for disposing the member to be processed therein, a pump for reducing the pressure within the chamber, a high frequency electric field in the chamber a high frequency power source and electrodes for applying, thiophene gas supply means for supplying a thiophene gasified in the chamber, a transparent conductive, characterized in that it comprises argon gas supply means for supplying an argon gas into the chamber film forming apparatus.
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