JP2003108067A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2003108067A
JP2003108067A JP2001302076A JP2001302076A JP2003108067A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2001302076 A JP2001302076 A JP 2001302076A JP 2003108067 A JP2003108067 A JP 2003108067A
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JP
Japan
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optical element
display device
transistor
voltage
characterized
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Pending
Application number
JP2001302076A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoichiro Matsumoto
昭一郎 松本
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for realizing a display device of an efficient voltage program system with simple constitution.
SOLUTION: In this display device, the total value of the threshold voltage of a Tr21 and the operating threshold voltage of an OLED (organic light- emitting diode) 20 is made to be stored in a C21 and a Tr20 is turned ON by making a GL2 to be in a high level in this state. When a luminance signal is made to flow through a data 10, a voltage in which the voltage of the signal is put upon the total value is applied to the gate of a Tr22 and a current is made to flow through the OLED20 to make the OLED20 emit a light.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a display device. 本発明は特に、表示装置に用いる光学素子を制御するための回路設計技術に関する。 The present invention particularly relates to a circuit design technology for controlling the optical element used for a display device. 【0002】 【従来の技術】従来より、有機EL(Electro-Luminesc [0002] than conventional, organic EL (Electro-Luminesc
ence)素子を用いた表示装置においては、回路構成のひとつである駆動用トランジスタのしきい値や駆動能力にばらつきが大きく、さらに有機EL自体の経年変化によって発光能力の個体差が大きいことから、入力信号に対して輝度が一定にならないという問題があった。 In the display device using ence) element, since large variations in the threshold and the driving capability of the drive transistor, which is one circuit configuration, individual differences of the light generating capability by further aging of the organic EL itself is large, luminance is disadvantageously not constant with respect to the input signal. この問題に対処する技術として、文献「Design of an Improve As a technology to cope with this problem, the document "Design of an Improve
d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE d Pixel for a Polysilicon Active-Matrix Organic LE
D Display」(SID 98, International SymposiumProcee D Display "(SID 98, International SymposiumProcee
dings, 1998, p.11)に電圧プログラム方式による有機ELの回路構成が開示されている。 dings, 1998, the circuit configuration of the organic EL is disclosed by the voltage program scheme p.11). 以下、この技術を図1および図2を用いて簡単に説明する。 Hereinafter, this technique will be briefly described with reference to FIGS. 【0003】図1は、従来技術における1ピクセルに相当する回路構成を示す。 [0003] Figure 1 shows a circuit configuration corresponding to one pixel in the prior art. DDは電源電圧、Selec V DD is a power supply voltage, Selec
t1は走査信号、Data1は輝度信号をそれぞれ入力するラインである。 t1 the scanning signal, Data1 is a line for inputting respectively the luminance signal. さらに、4個のトランジスタTr In addition, four of the transistor Tr
1、Tr2、Tr3、Tr4と、2個のコンデンサC 1, and Tr2, Tr3, Tr4, 2 single capacitor C
1、C2と、有機ELであるOLED1を含む。 And 1, C2, including OLED1 is an organic EL. AZ AZ
1、AZB1は、それぞれTr2、Tr4をオンする制御信号のラインである。 1, AZB1 is a line control signal for turning on the Tr2, Tr4, respectively. N1、N2、N3、N4、N N1, N2, N3, N4, N
5、N6、N7、N8、N9はそれぞれノードを示す。 5, N6, N7, N8, N9 denotes a node, respectively. 【0004】図2は、従来技術における動作手順を示すタイムチャートである。 [0004] Figure 2 is a time chart showing the operation procedure in the prior art. 図1とあわせて動作手順を説明する。 The operation procedure will be described in conjunction with FIG. 期間のとき、Select1をローレベルにするとTr1がオンになり、さらにAZ1をローレベルにするとTr2がオンになる。 When a period, becomes Tr1 is turned on when the Select1 low level, Tr2 is turned on further to AZ1 to low level. このとき、N1、N3、およびN8に輝度信号ではない初期電位がData1から供給され、これにより初期化がなされる。 At this time, N1, N3, and N8 initial potential not luminance signal is supplied from the Data1, which initialization is performed by. 一方、それまでN3に蓄積されていた電荷がTr2、Tr4、およびOLED1を経て放電され、N8は接地電位であるN9 On the other hand, so far the charge accumulated in the N3 is discharged through Tr2, Tr4, and OLED1, N8 is the ground potential N9
の電位よりOLED1の動作しきい値電圧だけ高い電位に設定される。 Only the operating threshold voltage of OLED1 than the potential is set to a higher potential. 期間のとき、AZB1をハイレベルにするとTr4がオフになる。 When a period, Tr4 are turned off when the AZB1 high. このとき、V DD 1からの電流がTr3およびTr2を経てN3に流入し、N3はV DD 1よりTr3の動作しきい値電圧だけ低い電圧まで充電される。 In this case, flows into the N3 current through Tr3 and Tr2 from V DD 1, N3 is charged to a lower voltage by operating threshold voltage of the Tr3 than V DD 1. N3の電位が安定する頃にAZ1をハイレベルにしてTr2をオフにする。 Potential of N3 is to turn off the Tr2 in the high level AZ1 the time to stabilize. このとき、Tr3は弱くオンされた状態である。 At this time, Tr3 is weakly turned-on state. 【0005】期間のとき、Data1から輝度信号が入力され、この値に応じた電位降下がN3に現れ、その電位降下に応じてTr3がオンされてN4からN7に電流が流れることにより、輝度の書き込みがなされる。 [0005] When the period, the luminance signal from the Data1 is input, appear in the potential drop N3 corresponding to this value, the current flows from Tr3 is turned on N4 N7 according to the voltage drop, the luminance writing is made. 期間のとき、Select1をハイレベルにするとTr When the period, when the Select1 to the high level Tr
1がオフになり、AZB1をローレベルにするとTr4 1 is turned off, and the AZB1 to the low level Tr4
がオンになる。 There turned on. このとき、OLED1に電流が流れ、予め書き込まれた輝度に応じた発光が得られる。 At this time, current flows through the OLED1, light emission is obtained in accordance with the previously written brightness. その発光は次の輝度書き込みまで継続される。 The emission is continued until the next luminance write. 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の従来技術においては、Tr2、Tr4をオンさせるための制御信号ラインとしてAZ1、AZB1の2本が必要であり、これをピクセルごとに設けなければならないために設計が複雑になり、周辺回路の占有面積が大きくなる。 [0006] The present invention is, however, in the above prior art, it is necessary AZ1, AZB1 2 present as a control signal line for turning on the Tr2, Tr4, provided this for each pixel design is complicated because there must, occupied area of ​​the peripheral circuit becomes large. パネル面積が大きくなれば、歩留まりの低下やコスト増大の原因ともなる。 If the panel area becomes large, also causing a decrease or increase in cost of the yield. さらに、動作が複雑な分、制御上の時間的マージンも少ない。 Moreover, operation is complicated minute, time margin for control is small. 【0007】本発明はこうした背景からなされたものであり、その目的は、簡素な構成で効率のよい電圧プログラム方式の表示装置を実現する技術の提供にある。 [0007] The present invention has been made from this background, the object is to provide a technique to realize a display device of the efficient voltage program method with a simple configuration. 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明のある実施の形態は表示装置である。 [0008] [Means for Solving the Problems] One embodiment of the present invention is a display device. この装置は、画素を構成する光学素子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子以外の素子に対する制御信号を利用して実施する。 The apparatus includes an optical element constituting the pixel, in the display device of a program type for setting the light intensity of the optical element, is implemented utilizing a control signal to the program for a certain optical elements for elements other than the optical element . 「光学素子」は、有機EL素子やLC(Li "Optical element", the organic EL element and LC (Li
quid Crystal)素子であってもよい。 quid Crystal) may be an element. 「その光学素子以外の素子」は、たとえば隣接する画素を構成する光学素子を意味する。 "Elements other than the optical element" means an optical element constituting the example adjoining pixels. 【0009】本発明の他の実施の形態もまた表示装置である。 [0009] Another embodiment of the present invention is also a display device. この装置は、画素を構成する光学素子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走査信号を利用して実施する。 The apparatus includes an optical element constituting a pixel, in its program type display device for setting the light intensity of the optical element, an optical element that is temporally controlled before that optical element program for a optical element It performed utilizing a scanning signal for. 【0010】上記二つの形態において、光学素子に電流を流すためにこの光学素子と直列に配された駆動用トランジスタをさらに含み、これら光学素子および駆動用トランジスタの動作しきい値の合計電圧がこの駆動用トランジスタの制御電極にプログラムされるよう構成してもよい。 In the above two forms, further comprising a driving transistor located in this optical element in series for conducting the current to the optical element, the total voltage of the operating threshold of the optical element and the driving transistor this it may be configured to be programmed to the control electrode of the driving transistor. また、光学素子よりも前に制御される光学素子に対する走査信号がアクティブになったときにオンするプログラム用トランジスタをさらに含み、プログラム用トランジスタがオンしたときその光学素子と駆動用トランジスタとが直列に配された系と、その駆動用トランジスタのゲートと固定電位の間に設けられた容量とが導通してこの容量に合計電圧が記憶されるよう構成してもよい。 Moreover, further comprising a programming transistor which is turned on when the scan signal to the optical elements controlled before the optical element is activated, and its optical element when the programming transistor is turned on and the driving transistor in series and it provided the system, the total voltage on the capacitor with continuity and capacitance provided between the gate and the fixed potential of the driving transistor may be configured to be stored. 駆動用トランジスタをnチャネル電界効果トランジスタによって構成してもよい。 The driving transistor may be constituted by n-channel field effect transistor. 「固定電位」は、接地レベルでもよい。 "Fixed potential", may be a ground level. 【0011】 【発明の実施の形態】図3は、実施の形態に係る回路構成を示す。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Figure 3 shows a circuit configuration according to the embodiment. 本実施形態においては、光学素子として有機ELを用い、駆動用トランジスタとしてMOSFET In the present embodiment, an organic EL as an optical element, MOSFET as a driving transistor
(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transisto (Metal OxideSemiconductor Field Effect Transisto
r、金属酸化物電界効果トランジスタ)を用いる。 r, metal oxide field effect transistor) is used. Pi Pi
x1、2はそれぞれピクセル単位の回路である。 x1,2 is a circuit of the respective pixels. 【0012】Pix1の回路は、4個のトランジスタT [0012] The circuit of Pix1 is, four of the transistor T
r10、Tr11、Tr12、Tr13と、3個のコンデンサC10、C11、C12と、1個の光学素子OL r10, Tr11, Tr12, and Tr 13, and the three capacitors C10, C11, C12, 1 single optical element OL
ED10と、を含む。 Including the ED10, the. Tr10、Tr11、Tr12はnチャネルトランジスタであり、Tr13はpチャネルトランジスタである。 Tr10, Tr11, Tr12 is an n-channel transistor, Tr 13 are p-channel transistors. Tr11は駆動用トランジスタとして働き、OLED10と直列に接続される。 Tr11 serves as a driving transistor and connected OLED10 series. C12 C12
は、Tr11のゲート電極と固定電位であるアースの間に設けられ、プログラム用コンデンサとして働く。 It is provided between the ground a fixed potential to the gate electrode of Tr11, serves as a program capacitor. GL GL
1はPix1に対して走査信号を入力し、Data10 1 inputs the scan signals to Pix1, Data10
はPix1に対して輝度信号を入力する。 Inputs the luminance signal to Pix1. DD 10 V DD 10
は、電源電圧である。 It is a power supply voltage. Tr12、Tr13をオンする制御信号GL0から入力する。 Tr12, enter a Tr13 from the ON control signal GL0. 【0013】Pix2の回路もまた、4個のトランジスタTr20、Tr21、Tr22、Tr23と、3個のコンデンサC20、C21、C22と、1個の光学素子OLED20と、を含む。 [0013] circuits of Pix2 also includes a four transistors Tr20, Tr21, Tr22, Tr23, and three capacitors C20, C21, C22, and one of the optical element OLED 20, a. Tr20、Tr21、Tr2 Tr20, Tr21, Tr2
2もまたnチャネルトランジスタであり、Tr23はp 2 is also a n-channel transistor, the Tr23 p
チャネルトランジスタである。 It is a channel transistor. Tr21は駆動用トランジスタとして働き、OLED20と直列に接続される。 Tr21 serves as a driving transistor and connected OLED20 series.
C22は、Tr21のゲート電極と固定電位であるアースの間に設けられ、プログラム用コンデンサとして働く。 C22 is provided between the ground a fixed potential to the gate electrode of Tr21, serves as a program capacitor. GL2はPix2に対して走査信号を入力し、Da GL2 inputs the scan signals to Pix2, Da
ta10はPix2に対して輝度信号を入力する。 ta10 inputs the luminance signal to Pix2. V
DD 10は、電源電圧である。 DD 10 is a power supply voltage. Tr22、Tr23をオンする制御信号として、Pix1に対する走査信号をG Tr22, Tr23 as an ON control signal, a scan signal for Pix1 G
L1から入力する。 Input from the L1. 【0014】これらPix1、Pix2と同様の回路をマトリクス上にm×n個設けて表示装置を構成する。 [0014] These Pix1, constituting the (m × n) provided display device in a matrix to circuit similar to Pix2. 走査信号ラインであるGLの数は(m+1)本であり、輝度信号ラインであるDataの数はn本である。 The number of a scanning signal line GL is (m + 1) present, the number of Data a luminance signal lines is n present. 【0015】図4は、実施の形態に係る回路の動作手順を示すタイムチャートである。 [0015] Figure 4 is a time chart showing the operation procedure of the circuit according to the embodiment. 以下、図3および図4に沿ってPix2を中心に説明する。 The following description focuses on Pix2 along FIGS. まず、Pix2よりも前に制御されるべきPix1に対する走査信号としてGL1をハイレベルにしたとき、プログラム用トランジスタとして動作するTr22がオンになり、Tr23がオフになる。 First, when the GL1 to a high level as the scanning signal for Pix1 be controlled before Pix2, Tr22 which operates as the programming transistor is turned on, Tr23 are turned off. N27はV DD 10と切り離され、N23 N27 is disconnected from the V DD 10, N23
−N24間が導通すると、C22に貯まった電荷はN2 If during -N24 conducts, the charge accumulated in C22 is N2
2方向とN25方向に流入して放電される。 It is discharged and flows in two directions and N25 direction. OLED2 OLED2
0に流入する電流はN22の電位がN25の電位よりT Current flowing into the zero T than the potential of the potential of the N22 is N25
r21の動作しきい値電圧V th 2だけ高い電位に到達した時点で止まる。 It stops when it reaches the operating threshold voltage V th 2 potential higher of r21. このときのN25の電位はOLED N25 of the potential of this time, the OLED
20の動作しきい値電圧V 2であり、したがってN2 An operating threshold voltage V f 2 of 20, hence N2
2はV 2とV 2の合計値V 2に設定される。 2 is set to the sum V s 2 of V t h 2 and V f 2. 【0016】これにより、N22の電位はOLED20 [0016] Thus, N22 is the potential OLED20
の動作しきい値電圧や駆動トランジスタTr21の動作しきい値電圧にばらつきや経年変化が生じてもつねにV Always V even if operation variation or aging in operating threshold voltage of the threshold voltage and the drive transistor Tr21 of
s2に設定され、そのばらつきや経年変化が吸収される。 Is set to s2, the variation or aging is absorbed. このとき、Tr21は弱くオンされた状態になり、 At this time, Tr21 is turned weakly turned-on state,
これを初期化状態と呼ぶ。 This is referred to as the initialization state. C22はその初期化に用いるためのコンデンサと位置づけられ、その両端にはV DD C22 is positioned a capacitor for use in the initialization, the both ends V DD
10の電圧が印加されている。 Voltage of 10 is applied. 【0017】GL1をローレベルにするとTr22はオフになり、Tr23がオンになる。 [0017] When the GL1 to low level Tr22 is turned off, Tr23 is turned on. GL2をハイレベルにするとTr20がオンになり、N20−N21間が導通する。 When the GL2 high level Tr20 is turned on, conduction is between N20-N21. C20はフローティング状態なのでData1 Since the C20 is a floating state Data1
0にPix2に対する輝度信号が流れると、その電位にN22の電位が加算されたいわゆる「たたき上げ」られた電圧がTr21のゲート電極に加えられる。 When 0 flows luminance signal for Pix2, so-called "Tatakiage" was voltage potential of N22 is added to the potential applied to the gate electrode of Tr21. これにより、N24−N25間が導通し、OLED20が発光する。 Thus, conduction between N24-N25, OLED 20 emits light. なお、図4に示されるように、Data10は1ラインを走査する間に1ラインに含まれるピクセルの数だけ時分割で信号を入力する。 Incidentally, as shown in FIG. 4, Data10 inputs the signal in time division by the number of pixels included in one line while scanning a line. 【0018】以上の実施形態によれば、Tr21のオンの程度によってOLED20に入力される電流値が決まるため、OLED20はつねにData10から入力される電流に応じた輝度が得られる。 According to the above embodiment, since the determined current value input to the OLED 20 by the degree of ON Tr21, OLED 20 is luminance can be obtained in accordance with the current input always from Data10. これにより、トランジスタおよび有機ELの動作しきい値のばらつきや経年変化による劣化に左右されず、輝度ばらつきの小さい安定動作を実現できる。 Thus, without being influenced by deterioration due to variations and aging of the operating threshold of the transistor and organic EL, it can be realized brightness variation small stable operation. 【0019】Tr20、Tr21、Tr22としてnチャネルトランジスタを用いるので、従来技術のように4 [0019] Tr20, Tr21, since an n-channel transistor as Tr22, as in the prior art 4
つのトランジスタ全てにpチャネルトランジスタを用いる場合よりも漏れ電流を抑制できる。 One of possible to suppress the leakage current as compared with the case of using the p-channel transistors for all the transistors. また、nチャネルトランジスタは、pチャネルトランジスタと比べて駆動電流が大きいので、ゲート幅を小さくでき、画素面積を小型化できる。 Further, n-channel transistor, the drive current as compared to the p-channel transistor is large, the gate width can be reduced, thereby downsizing the pixel area. 【0020】nチャネルトランジスタを用いる場合、p [0020] In the case of using the n-channel transistor, p
チャネルトランジスタを用いる場合よりも輝度信号に必要な電圧を低く抑えることができ、よって外部駆動IC Than using a channel transistor can be kept low voltage required for the luminance signal, thus an external driving IC
の消費電力を低下させることができる。 Power consumption can be reduced. たとえば、pチャネルトランジスタの場合は輝度信号としてV DD −V For example, V DD -V as the luminance signal in the case of p-channel transistor
th以下の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を4 The following voltage th requires, 4 a voltage range of the luminance signal
Vとすると8.5〜12.5Vが必要となる。 8.5~12.5V is required if the V. 一方、n On the other hand, n
チャネルトランジスタの場合は輝度信号としてV +V V f + V as the luminance signal in the case of channel transistor
th以上の電圧が必要であり、輝度信号の電圧範囲を4 th more voltage is required, 4 a voltage range of the luminance signal
Vとすると6.5〜10.5Vで足り、相対的に消費電力が低下する。 Sufficient in 6.5~10.5V when is V, relatively power consumption is reduced. 【0021】例えばTr22およびTr23の制御信号として、そのピクセルよりも前に制御されるピクセルに対する走査信号を流用しているので、その制御信号用の駆動回路をさらに設けることなく回路を構成できる。 [0021] as a control signal, for example Tr22 and Tr23, since diverted scan signal for the pixel to be controlled before the pixel, the circuit can be constructed without further provided a driving circuit for a control signal. しかも、Tr22およびTr23の制御信号を一つの走査信号で代用するので、2本の信号線を追加する場合と比べてコンパクトに回路を構成できる。 Moreover, since the substitute one scanning signal control signals Tr22 and Tr23, the circuit can be constructed compactly as compared with the case of adding the two signal lines. 【0022】構成が簡素化される分、制御も簡素化されるため、時間的なマージンが増加し、動作を高速化できる。 The amount that construction is simplified, since the control is also simplified, increased temporal margin can increase the operating speed. 周辺回路数が少なくなるので、歩留まりが向上してコストを低下させることができる。 Since the number of the peripheral circuit is reduced, it is possible to lower the cost and improve the yield. 【0023】以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。 [0023] The present invention has been described based on the embodiments. この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。 This embodiment is exemplary, is a it is understood by those skilled in the art that the various modifications to the combination it is possible, also to such modifications of the foregoing components and processes are also within the scope of the present invention . 以下、変形例を挙げる。 Below, deformation example. 【0024】本実施形態においては、図3に示される通り、プログラム用コンデンサであるC21の一端と初期化用コンデンサであるC22の一端をそれぞれ固定電位となるように接地している。 In the present embodiment, is grounded so that the fixed potential as a program capacitor C21 one end and the C22 one end of a capacitor for initialization shown in FIG. 変形例においては、それら各一端をそれぞれ定電圧電源に接続してもよい。 In a variant, it may be connected them each end to a respective constant voltage power supply. 【0025】 【発明の効果】本発明によれば、電圧プログラム方式による有機ELの回路構成および制御を簡素化することができる。 According to the present invention, it is possible to simplify the circuit configuration and control of the organic EL due to the voltage program method.

【図面の簡単な説明】 【図1】 従来技術における1ピクセルに相当する回路構成を示す図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration corresponding to one pixel in the prior art. 【図2】 従来技術における動作手順を示すタイムチャートである。 2 is a time chart showing the operation procedure in the prior art. 【図3】 実施の形態に係る回路構成を示す図である。 3 is a diagram showing a circuit configuration according to the embodiment. 【図4】 実施の形態に係る回路の動作手順を示すタイムチャートである。 4 is a time chart showing the operation procedure of the circuit according to the embodiment. 【符号の説明】 GL0、1、2、 Pix1、2、 Data10、 [Description of the code] GL0,1,2, Pix1,2, Data10,
DD 10、 Tr10、11、12、13、20、2 V DD 10, Tr10,11,12,13,20,2
1、22、23、 C10、11、12、20、21、 1,22,23, C10,11,12,20,21,
22、 N10、11、12、13、14、15、1 22, N10,11,12,13,14,15,1
6、17、18、20、21、22、23、24、2 6,17,18,20,21,22,23,24,2
5、26、27、28。 5,26,27,28.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB02 AB17 BA06 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD22 DD29 EE28 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA07 AA45 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DB01 DB04 EA04 EA07 FB01 FB20 GA10 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 a F-term (reference) 3K007 AB02 AB17 BA06 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD22 DD29 EE28 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA07 AA45 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DB01 DB04 EA04 EA07 FB01 FB20 GA10

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 画素を構成する光学素子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子以外の素子に対する制御信号を利用して実施することを特徴とする表示装置。 It includes an optical element constituting the Patent Claims 1 pixel, the program type display device for setting the light intensity of the optical element, controls the program for a certain optical elements for elements other than the optical element display apparatus characterized by implemented utilizing signal. 【請求項2】 画素を構成する光学素子を含み、その光学素子の光強度を設定するプログラム型の表示装置において、ある光学素子に対するプログラムをその光学素子よりも時間的に前に制御される光学素子に対する走査信号を利用して実施することを特徴とする表示装置。 2. A includes an optical element constituting the pixel, the optical in its program type display device for setting the light intensity of the optical element, which is controlled program for a optical element before temporally than the optical element display device characterized by implemented utilizing a scanning signal for the device. 【請求項3】 前記光学素子に電流を流すためにこの光学素子と直列に配された駆動用トランジスタを含み、これら光学素子および駆動用トランジスタの動作しきい値の合計電圧がこの駆動用トランジスタの制御電極にプログラムされることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。 3. A includes a driving transistor located in this optical element in series for conducting the current to the optical element, the total voltage of the operating threshold of the optical element and the driving transistor of the driving transistor the display device according to claim 1 or 2, characterized in that it is programmed to the control electrode. 【請求項4】 前記光学素子よりも前に制御される光学素子に対する走査信号がアクティブになったときにオンするプログラム用トランジスタをさらに含み、プログラム用トランジスタがオンしたとき前記光学素子と前記駆動用トランジスタとが直列に配された系と、前記駆動用トランジスタのゲートと固定電位の間に設けられた容量とが導通してこの容量に前記合計電圧が記憶されることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。 Wherein said scanning signal with respect to the optical elements controlled before the optical element further comprises a programming transistor which is turned on when activated, for the drive and the optical element when the programming transistor is turned on claims and the transistor is characterized as a system arranged in series, said sum voltage to the capacitance and continuity and capacitance provided between the gate and the fixed potential of the driving transistor are stored 3 the display device according to. 【請求項5】 前記駆動用トランジスタをnチャネル電界効果トランジスタによって構成したことを特徴とする請求項3または4に記載の表示装置。 5. The display device according to claim 3 or 4, characterized in that the drive transistor constituted by the n-channel field effect transistor.
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004280059A (en) * 2003-02-24 2004-10-07 Chi Mei Electronics Corp Display device
JP2005189387A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp Display device, and method for driving display device
JP2005234063A (en) * 2004-02-17 2005-09-02 Sharp Corp Display device and method for driving display device
JP2005326754A (en) * 2004-05-17 2005-11-24 Seiko Epson Corp Electrooptical apparatus, its driving method, and electronic equipment
JP2006011435A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd Display device and driving method thereof
JP2006023515A (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp Pixel circuit, active matrix device, and display device
JP2006330223A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Seiko Epson Corp Light emitting device, method and circuit for driving same, and electronic apparatus
JP2007079599A (en) * 2006-11-06 2007-03-29 Hitachi Ltd Image display device
US7277071B2 (en) 2003-01-21 2007-10-02 Samsung Sdi Co., Ltd Luminescent display, and driving method and pixel circuit thereof, and display device
JP2007316453A (en) * 2006-05-29 2007-12-06 Sony Corp Image display device
CN100419833C (en) 2003-05-16 2008-09-17 京瓷株式会社;奇美电子股份有限公司 The image display apparatus
JP2008216962A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescence display
US7427971B2 (en) 2004-03-24 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Light emitting display and driving method thereof
CN100505002C (en) 2004-04-28 2009-06-24 株式会社半导体能源研究所 Display device
US7688292B2 (en) 2005-03-16 2010-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and driving method thereof
US7786959B2 (en) 2004-06-14 2010-08-31 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP2010191454A (en) * 2010-04-02 2010-09-02 Seiko Epson Corp Light emitting device, drive method and drive circuit therefor, and electronic equipment
CN1734532B (en) * 2004-05-20 2010-09-08 三星电子株式会社 Display device and driving method thereof
JP2010282223A (en) * 2010-08-06 2010-12-16 Hitachi Displays Ltd Image display device and driving method thereof
US7864140B2 (en) 2004-03-09 2011-01-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light-emitting display
CN101093642B (en) 2006-06-19 2011-11-23 精工爱普生株式会社 Electronic circuit, method for driving the same, electronic device, and electronic apparatus
CN102593151A (en) * 2011-12-30 2012-07-18 友达光电股份有限公司 Pixel Structure, driven method thereof and self-emitting display applying the structure
JP2012137788A (en) * 2005-03-18 2012-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic apparatus
US8237639B2 (en) 2006-05-29 2012-08-07 Sony Corporation Image display device
TWI402800B (en) * 2007-06-13 2013-07-21 Sony Corp Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
JP2014112231A (en) * 2001-10-24 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, display module, and electronic apparatus
CN107919093A (en) * 2018-01-05 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 A kind of pixel compensation circuit and its driving method, display device

Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9082734B2 (en) 2001-10-24 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8994029B2 (en) 2001-10-24 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2014112231A (en) * 2001-10-24 2014-06-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, display device, display module, and electronic apparatus
US9892679B2 (en) 2001-10-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9449549B2 (en) 2001-10-24 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7277071B2 (en) 2003-01-21 2007-10-02 Samsung Sdi Co., Ltd Luminescent display, and driving method and pixel circuit thereof, and display device
JP2004280059A (en) * 2003-02-24 2004-10-07 Chi Mei Electronics Corp Display device
JP4734529B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-27 京セラ株式会社 Display device
CN100419833C (en) 2003-05-16 2008-09-17 京瓷株式会社;奇美电子股份有限公司 The image display apparatus
JP2005189387A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Sony Corp Display device, and method for driving display device
JP2005234063A (en) * 2004-02-17 2005-09-02 Sharp Corp Display device and method for driving display device
JP4536392B2 (en) * 2004-02-17 2010-09-01 シャープ株式会社 Display device and driving method of display device
US8330680B2 (en) 2004-03-09 2012-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting display
US7864140B2 (en) 2004-03-09 2011-01-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light-emitting display
US7427971B2 (en) 2004-03-24 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Light emitting display and driving method thereof
CN100505002C (en) 2004-04-28 2009-06-24 株式会社半导体能源研究所 Display device
JP2005326754A (en) * 2004-05-17 2005-11-24 Seiko Epson Corp Electrooptical apparatus, its driving method, and electronic equipment
CN1734532B (en) * 2004-05-20 2010-09-08 三星电子株式会社 Display device and driving method thereof
US7786959B2 (en) 2004-06-14 2010-08-31 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus
CN100541574C (en) 2004-06-22 2009-09-16 三星电子株式会社 Display device and a driving method thereof
JP2006011435A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd Display device and driving method thereof
US7864141B2 (en) 2004-06-22 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and a driving method thereof
TWI405157B (en) * 2004-06-22 2013-08-11 Samsung Display Co Ltd Display device and a driving method thereof
JP4645881B2 (en) * 2004-07-08 2011-03-09 ソニー株式会社 Pixel circuit, active matrix device, and display device
JP2006023515A (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp Pixel circuit, active matrix device, and display device
US7688292B2 (en) 2005-03-16 2010-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and driving method thereof
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
JP2012137788A (en) * 2005-03-18 2012-07-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic apparatus
JP2006330223A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Seiko Epson Corp Light emitting device, method and circuit for driving same, and electronic apparatus
US8237639B2 (en) 2006-05-29 2012-08-07 Sony Corporation Image display device
JP2007316453A (en) * 2006-05-29 2007-12-06 Sony Corp Image display device
CN101093642B (en) 2006-06-19 2011-11-23 精工爱普生株式会社 Electronic circuit, method for driving the same, electronic device, and electronic apparatus
JP2007079599A (en) * 2006-11-06 2007-03-29 Hitachi Ltd Image display device
JP4596176B2 (en) * 2006-11-06 2010-12-08 株式会社 日立ディスプレイズ Image display device
JP2008216962A (en) * 2007-03-02 2008-09-18 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescence display
US8334825B2 (en) 2007-03-02 2012-12-18 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display for suppressing images sticking and compensating a threshold voltage
JP4680964B2 (en) * 2007-03-02 2011-05-11 三星モバイルディスプレイ株式會社 Organic electroluminescence display
TWI402800B (en) * 2007-06-13 2013-07-21 Sony Corp Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus
JP2010191454A (en) * 2010-04-02 2010-09-02 Seiko Epson Corp Light emitting device, drive method and drive circuit therefor, and electronic equipment
JP2010282223A (en) * 2010-08-06 2010-12-16 Hitachi Displays Ltd Image display device and driving method thereof
US8947326B2 (en) 2011-12-30 2015-02-03 Au Optronics Corp. Pixel circuit, driving method thereof and self-emitting display using the same
CN102593151B (en) * 2011-12-30 2015-06-17 友达光电股份有限公司 Pixel Structure, driven method thereof and self-emitting display applying the structure
CN102593151A (en) * 2011-12-30 2012-07-18 友达光电股份有限公司 Pixel Structure, driven method thereof and self-emitting display applying the structure
CN107919093A (en) * 2018-01-05 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 A kind of pixel compensation circuit and its driving method, display device

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