JP2003084689A - El display device and electronic equipment - Google Patents

El display device and electronic equipment

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JP2003084689A JP2001280451A JP2001280451A JP2003084689A JP 2003084689 A JP2003084689 A JP 2003084689A JP 2001280451 A JP2001280451 A JP 2001280451A JP 2001280451 A JP2001280451 A JP 2001280451A JP 2003084689 A JP2003084689 A JP 2003084689A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL (electroluminescence) display device which has a little luminance unevenness or display unevenness accompanying manufacturing variance, and excellent uniformity in image quality. SOLUTION: The organic EL display device is provided with an organic EL element 8 in which an organic EL luminous layer is at least held between a pair of electrode in one pixel, a capacitor 5, a write transistor 4, and two drive transistors 6 and 7 connected in parallel. The two driving transistors 6 and 7 are arranged at each of corners in the diagonal direction of the rectangular pixel.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス(Electroluminescence,以下、ELと略記す
る)表示装置および電子機器に関し、特に、EL表示装
置における各画素内の駆動トランジスタの配置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) display device and electronic equipment, and more particularly to the arrangement of drive transistors in each pixel of an EL display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】各画素に対応して有機EL素子を備えた
有機EL表示装置は、高輝度で自発光であること、直流
低電圧駆動が可能であること、応答が高速であること、
固体有機膜による発光であることなどから表示性能に優
れており、また、表示装置の薄型化、軽量化、低消費電
力化が可能であるため、将来的に液晶表示装置に続く表
示装置として期待されている。特に、駆動方式がアクテ
ィブマトリクス方式のアクティブマトリクス型有機EL
表示装置は、画素毎にトランジスタと容量を備えている
ため、高輝度、高精細化が可能であり、多階調化や表示
装置の大型化に対応できるものである。
2. Description of the Related Art An organic EL display device provided with an organic EL element corresponding to each pixel is capable of self-luminous display with high brightness, capable of being driven at a low DC voltage, and having a high response.
It has excellent display performance because it emits light from a solid organic film, and it is expected to be a display device that will follow liquid crystal display devices in the future because it can make the display device thinner, lighter, and consume less power. Has been done. In particular, the active matrix organic EL whose drive method is the active matrix method
Since the display device includes a transistor and a capacitor for each pixel, high luminance and high definition can be achieved, and multi-gray scale and a large display device can be dealt with.

【0003】図10は、従来のアクティブマトリクス型
有機EL表示装置の一つの画素を示す等価回路図の一例
である。ゲート線101(走査線ともいう)が横方向に
延在し、ソース線102(データ線ともいう)とこれを
挟持する2本のEL電源線103が縦方向(ゲート線と
直交する方向)に延在して互いに格子状に配置され、こ
れら配線に区画された領域が一画素を構成している。画
素内には、書き込みトランジスタ104、キャパシタ1
05、相互に並列接続された2つの駆動トランジスタ1
06,107、これら駆動トランジスタ106,107
と接続された有機EL素子108がそれぞれ設けられて
いる。
FIG. 10 is an example of an equivalent circuit diagram showing one pixel of a conventional active matrix type organic EL display device. A gate line 101 (also referred to as a scan line) extends in a horizontal direction, and a source line 102 (also referred to as a data line) and two EL power supply lines 103 which sandwich the source line 102 in a vertical direction (a direction orthogonal to the gate line). Regions that extend and are arranged in a grid pattern and are partitioned by these wirings form one pixel. In the pixel, a writing transistor 104 and a capacitor 1
05, two drive transistors 1 connected in parallel to each other
06 and 107, these drive transistors 106 and 107
The organic EL elements 108 connected to the respective are provided.

【0004】このような回路構成を有する有機EL表示
装置の動作について説明する。まず最初に、ゲートドラ
イバから複数のゲート線101に対して走査信号(電
圧)を順次印加し、1本毎にそのゲート線101に接続
された全ての書き込みトランジスタ104(第1のTF
T)をオン状態とする。また、この走査に同期してソー
スドライバからソース線102に表示信号を供給する。
この時、書き込みトランジスタ104がオン状態となっ
ているため、この表示信号はキャパシタ105に蓄積さ
れる。次に、キャパシタ105に蓄積された表示信号の
電荷量によって、駆動トランジスタ106,107(第
2,第3のTFT)の動作状態が決まる。例えば、表示
信号の電荷量が駆動トランジスタ106,107の閾値
電圧を超え、駆動トランジスタ106,107がオン状
態になった場合、EL電源線103から2個の駆動トラ
ンジスタ106,107を介して有機EL素子108に
電流が供給され、有機EL素子108が発光し、その画
素が点灯する。
The operation of the organic EL display device having such a circuit configuration will be described. First, a scanning signal (voltage) is sequentially applied from the gate driver to the plurality of gate lines 101, and all the write transistors 104 (first TF) connected to the gate line 101 are individually applied.
T) is turned on. Further, a display signal is supplied from the source driver to the source line 102 in synchronization with this scanning.
At this time, since the writing transistor 104 is in the ON state, this display signal is stored in the capacitor 105. Next, the operating state of the drive transistors 106 and 107 (second and third TFTs) is determined by the charge amount of the display signal accumulated in the capacitor 105. For example, when the charge amount of the display signal exceeds the threshold voltage of the drive transistors 106 and 107 and the drive transistors 106 and 107 are turned on, the organic EL is connected from the EL power supply line 103 through the two drive transistors 106 and 107. A current is supplied to the element 108, the organic EL element 108 emits light, and the pixel thereof lights up.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、アクティブ
マトリクス型有機EL表示装置の場合、各有機EL素子
を自発光させるために素子の発光時間中は常に電流を供
給し続ける必要がある。この時供給すべき電流量は、素
子面積と発光輝度に依るが、概ね数μA程度必要とな
る。これだけ大きな電流を供給する駆動トランジスタを
構成するには、トランジスタ幅を大きくするか、もしく
は複数のトランジスタを並列接続する方法が考えられ
る。これらの方法のいずれを用いてもよいが、一般にト
ランジスタの特性にはバラツキがあるため、複数のトラ
ンジスタを用いることで電流バラツキを緩和するという
観点では、例えばThe 10th International Workshop on
Inorganic and Organic Electroluminescence(EL'00),
2000, pp347-352にあるように、複数のトランジスタを
並列接続する方法を採用する方が望ましい。これによ
り、輝度ムラや表示ムラの小さい有機EL表示装置を実
現することができる。この例が図10で示したものであ
る。
By the way, in the case of an active matrix type organic EL display device, in order to cause each organic EL element to emit light by itself, it is necessary to continuously supply a current during the light emission time of the element. The amount of current to be supplied at this time depends on the element area and the light emission luminance, but needs to be about several μA. In order to configure a drive transistor that supplies a current as large as this, a method of increasing the transistor width or connecting a plurality of transistors in parallel can be considered. Although any of these methods may be used, in general, there are variations in the characteristics of transistors, so from the viewpoint of mitigating current variations by using multiple transistors, for example, The 10th International Workshop on
Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00),
As described in 2000, pp347-352, it is preferable to adopt a method of connecting a plurality of transistors in parallel. As a result, it is possible to realize an organic EL display device having less unevenness in brightness and unevenness in display. This example is shown in FIG.

【0006】しかしながら、有機EL表示装置の製造プ
ロセスにおいて、種々の要因、例えばTFTを構成する
ゲート絶縁膜の膜厚、半導体層の不純物濃度などのパラ
メータが基板面内である程度ばらつくのは避けられない
ことである。仮に基板面内で局所的にこれらパラメータ
がばらついたとすると、その領域内にあるTFTの電気
的特性がばらつき、オン電流のバラツキとなって現れる
ことが考えられる。ここで、有機EL表示装置は電流駆
動方式の表示装置であるから、電流バラツキが輝度ム
ラ、表示ムラに直接影響することになり、基板面内での
製造プロセス上のバラツキに伴って輝度ムラや表示ムラ
が発生するという問題を抱えていた。すなわち、輝度ム
ラ、表示ムラの小さい有機EL表示装置を得ることを目
的として複数の駆動トランジスタを並列接続する設計手
法を採用していながら、実際には製造バラツキによって
充分な画質の均一性が得られないという問題があった。
However, in the manufacturing process of the organic EL display device, it is inevitable that various factors such as parameters such as the film thickness of the gate insulating film forming the TFT and the impurity concentration of the semiconductor layer vary to some extent within the substrate surface. That is. If these parameters locally fluctuate on the substrate surface, it is conceivable that the electric characteristics of the TFTs in the region fluctuate and the ON current fluctuates. Here, since the organic EL display device is a current drive type display device, the current variation directly affects the luminance unevenness and the display unevenness, and the luminance unevenness and the display unevenness are caused by the variations in the manufacturing process on the substrate surface. There was a problem that display unevenness occurred. That is, although a design method in which a plurality of driving transistors are connected in parallel is adopted for the purpose of obtaining an organic EL display device with less unevenness in brightness and display, in reality, sufficient image quality uniformity can be obtained due to manufacturing variations. There was a problem of not having.

【0007】以上、有機EL表示装置の例を挙げて説明
したが、EL表示装置の中には無機EL材料を用いた表
示装置もある。一般に、無機EL表示装置は交流電圧駆
動であるが、その発光メカニズムは、電界中を障壁を越
えてトンネル注入された電子が発光中心と衝突したとき
に発光するというものである。よって、その電流を制御
することが重要であり、そのためにも駆動トランジスタ
のバラツキを抑える必要がある。また、駆動電圧を抑え
るためには無機EL素子の薄膜化が一つの手段となる
が、この手段を用いた場合、薄膜化に伴って電流のバラ
ツキを抑える手段が重要となる。すなわち、画質の均一
性を得るために駆動トランジスタの製造バラツキを抑制
することは、有機EL表示装置のみならず、無機EL表
示装置にも共通の問題である。
Although an example of an organic EL display device has been described above, some EL display devices include a display device using an inorganic EL material. Generally, an inorganic EL display device is driven by an AC voltage, but its light emitting mechanism is that light is emitted when electrons tunnel-injected through an electric field across a barrier collide with a light emission center. Therefore, it is important to control the current, and for that reason, it is necessary to suppress the variation of the driving transistor. Further, in order to suppress the driving voltage, thinning the inorganic EL element is one means, but when this means is used, it is important to suppress the variation in current due to the thinning. That is, it is a common problem not only for organic EL display devices but also for inorganic EL display devices to suppress manufacturing variations of drive transistors in order to obtain uniform image quality.

【0008】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、従来に比べて製造バラツキに伴う
輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたE
L表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and has less unevenness in brightness and unevenness in display due to manufacturing variations as compared with the prior art, and is excellent in uniformity of image quality.
It is an object to provide an L display device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のEL表示装置は、マトリクス状に配置さ
れた複数の画素の各々に、一対の電極間に少なくともE
L発光層が挟持されたEL素子と、キャパシタと、書き
込みトランジスタと、並列接続された複数の駆動トラン
ジスタとが備えられたEL表示装置であり、前記複数の
駆動トランジスタが、略矩形状の画素の対角線方向の角
部のそれぞれに配置されたことを特徴とする。すなわ
ち、本発明のEL表示装置はアクティブマトリクス型の
表示装置であり、本発明における「画素」とは、格子状
に配置されたゲート線とデータ線(もしくはEL素子用
電源線)とによって区画された領域のことを言う。
In order to achieve the above-mentioned object, the EL display device of the present invention has at least E between a pair of electrodes in each of a plurality of pixels arranged in a matrix.
An EL display device comprising an EL element in which an L light emitting layer is sandwiched, a capacitor, a writing transistor, and a plurality of driving transistors connected in parallel, wherein the plurality of driving transistors are pixels of a substantially rectangular shape. It is characterized in that it is arranged at each of the corners in the diagonal direction. That is, the EL display device of the present invention is an active matrix type display device, and the “pixel” in the present invention is partitioned by the gate lines and the data lines (or EL element power supply lines) arranged in a grid pattern. Area.

【0010】本発明者は、画素内に複数の並列接続の駆
動トランジスタを備えたEL表示装置において、駆動ト
ランジスタの画素内での配置を工夫することにより輝度
ムラや表示ムラにつながる電流バラツキを従来に比べて
低減できることを見い出した。以下、その内容について
説明する。
The inventor of the present invention, in an EL display device provided with a plurality of parallel-connected drive transistors in a pixel, has devised the arrangement of the drive transistors in the pixel to cause current variations that lead to uneven brightness and uneven display. It was found that it can be reduced compared to. The contents will be described below.

【0011】通常、アクティブマトリクス型のEL表示
装置は一つの画素の形状が矩形状であり、例えばR
(赤)、G(緑)、B(青)の3色の画素を備えたEL
表示装置では3つの画素で画像の1ドットを構成するこ
とから、長辺の寸法が短辺の寸法の数倍程度あるような
細長い長方形状となっていることが多い。図8(a)は
2個の駆動トランジスタを備えた従来の画素の構成を示
す図であり、符号TRの円で示したのが駆動トランジス
タである。すなわち、従来の設計では2個の駆動トラン
ジスタが画素の短辺に沿う方向に並んで配置されていた
(図10は従来の装置の等価回路図であるが、実際の回
路パターンでも駆動トランジスタが長方形の画素の短辺
方向に並んでいた)。
Usually, in an active matrix type EL display device, one pixel has a rectangular shape, for example R.
EL with three color pixels (red), G (green), and B (blue)
Since one pixel of an image is composed of three pixels in a display device, it is often an elongated rectangular shape in which the dimension of the long side is about several times the dimension of the short side. FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a conventional pixel provided with two drive transistors, and a drive transistor is shown by a circle of TR. That is, in the conventional design, the two driving transistors are arranged side by side in the direction along the short side of the pixel (FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the conventional device, but the driving transistors are rectangular even in the actual circuit pattern). Were arranged in the short side direction of the pixels).

【0012】今、仮に電流供給能力が100の駆動トラ
ンジスタTRを形成したとする。ところが、製造プロセ
スを経る間に符号A1で示す破線の円内でゲート絶縁膜
の膜厚、半導体層の不純物濃度などの何らかの製造パラ
メータのバラツキが生じ、この領域内では電流供給能力
が95の駆動トランジスタが形成されたものとする。す
ると、正常な画素では2個の駆動トランジスタで合わせ
て200の電流供給能力があったとしても、符号G1で
示す図8(a)の中央の画素では190の電流供給能力
しか得られない。したがって、この画素は正常な画素に
比べて5%の電流供給能力の低下があることになり、こ
れが輝度ムラや表示ムラの原因となっていた。
Now, assume that a drive transistor TR having a current supply capacity of 100 is formed. However, during the manufacturing process, some variations in manufacturing parameters such as the thickness of the gate insulating film and the impurity concentration of the semiconductor layer occur within the circle of the broken line indicated by the symbol A1. It is assumed that a transistor is formed. Then, even if a normal pixel has a current supply capacity of 200 in total by the two drive transistors, only a current supply capacity of 190 is obtained in the central pixel of FIG. Therefore, this pixel has a 5% lower current supply capability than a normal pixel, which causes uneven brightness and uneven display.

【0013】これに対して、本発明のEL表示装置にお
いては、図8(b)に示すように、2個の駆動トランジ
スタTRが画素の対角線方向の角部にそれぞれ配置され
ているため、図8(a)の場合に比べて一つの画素内で
の2個の駆動トランジスタ間の距離が長くなる。このよ
うにすると、図8(a)の場合と同じ面積を占める同様
の箇所で製造パラメータのバラツキが生じたとしても、
例えば、図8(b)の符号A2の破線の領域のように、
一つの画素内の1個のトランジスタのみの電流供給能力
が95に低下するだけである。したがって、この画素G
2でのトランジスタの電流供給能力は195となり、正
常な画素と比べたときの電流供給能力の低下分は2.5
%となる。このように、図8(a)の従来の場合に比べ
て正常な画素に対する電流供給能力の低下分を小さくす
ることができる。
On the other hand, in the EL display device of the present invention, as shown in FIG. 8B, the two driving transistors TR are arranged at the corners of the pixel in the diagonal direction. The distance between the two drive transistors in one pixel is longer than in the case of 8 (a). By doing so, even if variations in manufacturing parameters occur at similar locations occupying the same area as in the case of FIG. 8A,
For example, as shown by the broken line area A2 in FIG.
The current supply capability of only one transistor in one pixel is reduced to 95. Therefore, this pixel G
The current supply capacity of the transistor in 2 is 195, and the decrease in the current supply capacity is 2.5 when compared to a normal pixel.
%. In this way, it is possible to reduce the decrease in the current supply capability for normal pixels as compared with the conventional case of FIG.

【0014】また、2個の駆動トランジスタを画素の対
角線方向の角部に配置した場合、斜め方向に並ぶ画素間
では駆動トランジスタ間の距離が短い箇所があるため、
例えば、図8(b)の符号A3の破線の領域のように、
製造パラメータのバラツキが生じた領域内に2個の駆動
トランジスタが含まれる場合もある。ところが、この場
合でも2個の駆動トランジスタは別々の画素G3,G4
に属しているため、バラツキを2つの画素G3,G4で
分け合う形となり、斜め方向に並ぶ2つの画素でのトラ
ンジスタの電流供給能力がともに195となる。したが
って、この場合も正常な画素と比べたときの電流供給能
力の低下分は2.5%となる。この場合、電流供給能力
が低下する画素が2個になるものの、正常な画素に対す
る電流供給能力の低下分が半減するため、画面全体を通
して見ればやはり表示ムラの程度が軽減される。
Further, when the two drive transistors are arranged at the corners of the pixel in the diagonal direction, the distance between the drive transistors is short between the pixels arranged in the diagonal direction.
For example, as indicated by the broken line area A3 in FIG.
In some cases, two drive transistors are included in the region where the manufacturing parameter varies. However, even in this case, the two drive transistors are provided in different pixels G3 and G4.
Therefore, the variation is shared by the two pixels G3 and G4, and the current supply capability of the transistors in both of the two pixels arranged diagonally becomes 195. Therefore, also in this case, the amount of decrease in the current supply capacity is 2.5% as compared with a normal pixel. In this case, although the current supply capacity is reduced to two pixels, the decrease in the current supply capacity for normal pixels is halved, so that the degree of display unevenness is also reduced when viewed over the entire screen.

【0015】このように、本発明のEL表示装置によれ
ば、一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の
距離を従来に比べて長くしたことにより、基板面内での
製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力の
画素間バラツキを従来に比べて低減することができる。
その結果、従来に比べて輝度ムラや表示ムラが少なく、
画質の均一性に優れたEL表示装置を提供することがで
きる。
As described above, according to the EL display device of the present invention, the distance between the plurality of drive transistors in one pixel is made longer than that of the conventional one, so that the drive transistors due to manufacturing variations in the substrate surface are produced. It is possible to reduce the variation in the current driving capability among the pixels as compared with the related art.
As a result, there is less unevenness in brightness and display than in the past,
An EL display device having excellent image quality uniformity can be provided.

【0016】なお、上記の図8(a)、(b)に示した
モデルは説明を簡単にするための一つのモデルケースで
あって、画素の寸法や駆動トランジスタ間の距離、製造
バラツキが生じた領域の大きさや形状等の相互関係によ
っては、これ以外の様々なケースが考えられることは勿
論である。しかしながら、どのようなケースであっても
一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の距離
を長くしさえすれば、程度の差こそあれ、確率的には必
ず駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間バラツキを
従来に比べて低減できる、という作用は得られることに
なる。
The model shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b) is one model case for simplifying the description, and the dimensions of the pixels, the distance between the driving transistors, and manufacturing variations occur. It goes without saying that various cases other than this may be considered depending on the mutual relation of the size and shape of the region. However, in any case, if the distance between a plurality of drive transistors in one pixel is increased, there is a certain degree of probability that the current drive capability of the drive transistor will invariably vary among pixels. It is possible to obtain the effect that the power consumption can be reduced as compared with the conventional one.

【0017】また、隣り合う略矩形状の画素内における
前記複数の駆動トランジスタが、それぞれの画素におい
て異なる対角線方向の角部に配置されていることが望ま
しい。
Further, it is desirable that the plurality of drive transistors in adjacent substantially rectangular pixels are arranged at different corners in the diagonal direction in each pixel.

【0018】図9に示すように、例えば隣り合う画素内
における2個の駆動トランジスタTRを異なる対角線方
向のそれぞれに配置すると、4個の画素の駆動トランジ
スタTRが互いに近接することになる。ここで、上記と
同様、符号A4で示す破線の円内で製造パラメータのバ
ラツキが生じ、この領域内では電流供給能力が95の駆
動トランジスタが形成されたものとする。この場合、4
個の駆動トランジスタが別々の画素G5,G6,G7,
G8に属しているため、バラツキを4個の画素で分け合
う形となる。その結果、図8(b)の場合よりもさらに
広範囲の画素にわたって電流供給能力が均一化され、よ
り一層輝度ムラや画素ムラが少なく、画質の均一性に優
れたEL表示装置を提供することができる。
As shown in FIG. 9, for example, when two drive transistors TR in adjacent pixels are arranged in different diagonal directions, the drive transistors TR of four pixels are close to each other. Here, similarly to the above, it is assumed that the manufacturing parameters vary within the broken-line circle indicated by symbol A4, and a drive transistor having a current supply capacity of 95 is formed in this region. In this case, 4
The individual driving transistors are different pixels G5, G6, G7,
Since it belongs to G8, the variation is shared by four pixels. As a result, the current supply capability is made uniform over a wider range of pixels than in the case of FIG. 8B, and there is less unevenness in brightness and pixels, and an EL display device with excellent image quality uniformity can be provided. it can.

【0019】本発明の他のEL表示装置は、マトリクス
状に配置された複数の画素の各々に、一対の電極間に少
なくともEL発光層が挟持されたEL素子と、キャパシ
タと、書き込みトランジスタと、並列接続された複数の
駆動トランジスタとが備えられたEL表示装置であっ
て、前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の
長辺が延在する方向の端部のそれぞれに配置されたこと
を特徴とする。
In another EL display device of the present invention, an EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, a writing transistor are provided in each of a plurality of pixels arranged in a matrix. An EL display device including a plurality of drive transistors connected in parallel, wherein the plurality of drive transistors are arranged at respective end portions in a direction in which long sides of substantially rectangular pixels extend. Is characterized by.

【0020】この構成においても、複数の駆動トランジ
スタを画素の対角線方向に配置した上記の構成と同様、
一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の距離
が従来よりも長くなることにより製造バラツキに伴う駆
動トランジスタの電流駆動能力のバラツキを従来に比べ
て低減でき、輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一
性に優れたEL表示装置を得ることができる。
Also in this configuration, similar to the above-described configuration in which a plurality of drive transistors are arranged in the diagonal direction of the pixel,
Since the distance between multiple drive transistors in one pixel is longer than before, it is possible to reduce variations in the current drive capacity of the drive transistors due to variations in manufacturing compared to the past, and to reduce uneven brightness and display unevenness An EL display device having excellent uniformity can be obtained.

【0021】また、複数の駆動トランジスタを画素の長
辺の延在方向の端部に配置した場合、一つの画素内にお
ける複数の駆動トランジスタの全てを、同一のEL素子
用電源線に接続することが望ましい。
When a plurality of drive transistors are arranged at the ends of the long side of the pixel in the extending direction, all the drive transistors in one pixel should be connected to the same EL element power supply line. Is desirable.

【0022】アクティブマトリクス型EL表示装置の通
常の構成ではゲート線の延在方向が画素の短辺方向であ
り、データ線およびEL素子用電源線の延在方向が画素
の長辺方向である。EL表示装置においては駆動トラン
ジスタをEL素子用電源線に接続する必要があるが、例
えば2個の駆動トランジスタを画素の短辺方向に並べた
従来の構成の場合、配線の引き回しが困難であるという
設計上の事情から、各駆動トランジスタを別のEL素子
用電源線に接続しなければならず、画素の両側方にEL
素子用電源線を配置する必要がある。すなわち、隣接す
る画素間の領域に、1本のデータ線と、この両側方に配
置される2本のEL電源線の計3本の配線が必要にな
る。
In the usual structure of the active matrix type EL display device, the extending direction of the gate line is the short side direction of the pixel, and the extending direction of the data line and the EL element power source line is the long side direction of the pixel. In the EL display device, it is necessary to connect the drive transistor to the EL element power supply line. However, in the case of the conventional configuration in which two drive transistors are arranged in the short side direction of the pixel, it is difficult to route the wiring. Due to design considerations, each drive transistor must be connected to a separate EL element power line, and the EL elements must be connected to both sides of the pixel.
It is necessary to arrange the power line for the device. That is, in the area between adjacent pixels, one data line and two EL power supply lines arranged on both sides of the data line, that is, three wiring lines in total are required.

【0023】ところが、本発明のEL表示装置、特に複
数の駆動トランジスタを画素の長辺方向に配置したEL
表示装置によれば、配線の引き回しの困難さがなくな
り、一つの画素内における複数の駆動トランジスタの全
てを同一のEL素子用電源線に接続することが可能にな
る。この場合、画素の片側に1本のEL素子用電源線を
配置すればよいので、隣接する画素間の領域に1本のデ
ータ線と1本のEL電源線の計2本の配線があればよい
ことになる。これにより、従来に比べて配線領域を狭く
することができ、その結果、開口率を向上させることが
できる。
However, the EL display device of the present invention, in particular, an EL device in which a plurality of drive transistors are arranged in the long side direction of a pixel.
According to the display device, it is possible to eliminate the difficulty of routing the wiring, and to connect all of the plurality of drive transistors in one pixel to the same EL element power supply line. In this case, since one EL element power supply line may be arranged on one side of the pixel, if there is a total of two wirings, one data line and one EL power supply line, in the area between adjacent pixels. It will be good. As a result, the wiring area can be made narrower than in the conventional case, and as a result, the aperture ratio can be improved.

【0024】また、前記キャパシタを、書き込みトラン
ジスタに接続されたデータ線および駆動トランジスタに
接続されたEL素子用電源線と平面的に重なる領域に配
置することが望ましい。
Further, it is desirable that the capacitor is arranged in a region that planarly overlaps the data line connected to the write transistor and the EL element power supply line connected to the drive transistor.

【0025】キャパシタの配置に関しては、データ線や
EL素子用電源線と平面的に重ならない画素内部の領域
に配置してもよいが、データ線やEL素子用電源線と平
面的に重なる領域に配置すれば、画素内でのキャパシタ
の占有領域を削減することができ、その分開口率を向上
させることができる。
Regarding the arrangement of the capacitors, the capacitors may be arranged in an area inside the pixel which does not overlap with the data line or the EL element power supply line in plan view, but in the area where it overlaps with the data line or EL element power supply line in plan view. With the arrangement, the area occupied by the capacitor in the pixel can be reduced, and the aperture ratio can be improved accordingly.

【0026】本発明の電子機器は、上記本発明のEL表
示装置を備えたことを特徴とするものである。この構成
によれば、輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性
に優れたEL表示部を備えた電子機器を実現することが
できる。
The electronic equipment of the present invention is characterized by including the EL display device of the present invention. According to this configuration, it is possible to realize an electronic device including an EL display unit that has less unevenness in brightness and unevenness in display and is excellent in uniformity of image quality.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】[第1の実施の形態]以下、本発
明の第1の実施の形態を図1および図2を参照して説明
する。図1は、本実施の形態のアクティブマトリクス型
有機EL表示装置(EL表示装置)を構成する一画素の
等価回路図であり、図2は、図1の等価回路図を実現す
るための具体的な回路パターンの一例を示す平面図であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of one pixel constituting the active matrix organic EL display device (EL display device) of the present embodiment, and FIG. 2 is a specific example for realizing the equivalent circuit diagram of FIG. It is a plan view showing an example of a different circuit pattern.

【0028】本実施の形態の有機EL表示装置において
は、図1に示すように、ゲート線1(走査線)が横方向
に延在し、ソース線2(データ線)とこれを挟持する2
本のEL素子用電源線3(以下、単にEL電源線とい
う)が縦方向(ゲート線1と直交する方向)に延在して
互いに格子状に配置され、これら配線に区画された領域
が一画素を構成している。画素内には、ゲート線1およ
びソース線2に電気的に接続された書き込みトランジス
タ4、書き込みトランジスタ4に電気的に接続されたキ
ャパシタ5、キャパシタ5に電気的に接続され、相互に
並列接続された2つの駆動トランジスタ6,7、これら
駆動トランジスタ6,7に電気的に接続された有機EL
素子8が設けられている。等価回路として見る限りは従
来の構成と類似しているが、本実施の形態の場合、各駆
動トランジスタ6,7が画素の対角線方向の角部のそれ
ぞれに配置されている。
In the organic EL display device of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the gate line 1 (scanning line) extends in the lateral direction and sandwiches the source line 2 (data line) and the gate line 1 (data line).
The EL element power supply lines 3 (hereinafter, simply referred to as EL power supply lines) extend in the vertical direction (direction orthogonal to the gate line 1) and are arranged in a grid pattern with each other. It constitutes a pixel. In the pixel, a write transistor 4 electrically connected to the gate line 1 and the source line 2, a capacitor 5 electrically connected to the write transistor 4, a capacitor 5 electrically connected, and connected in parallel with each other. Two driving transistors 6 and 7, and an organic EL electrically connected to these driving transistors 6 and 7
The element 8 is provided. As far as an equivalent circuit is concerned, it is similar to the conventional configuration, but in the case of the present embodiment, the drive transistors 6 and 7 are arranged at respective corners in the diagonal direction of the pixel.

【0029】次に、図2を参照して具体的な回路パター
ンについて説明する。図2中、符号1はゲート線、2は
ソース線、3はEL電源線であり、以下の説明では便宜
上、ゲート線1が配置された領域を横方向配線領域L、
ソース線2およびEL電源線3が配置された領域を縦方
向配線領域Vと称する。実際のパターンでは各トランジ
スタはTFTで構成されており、書き込みトランジスタ
4を構成する第1のTFTにおいては、一端がコンタク
トホール9を通じてソース線2に接続され、ゲート線1
と交差した後、他端が縦方向配線領域Vに沿って延在す
る半導体層10が設けられている。半導体層10の上部
と下部から画素の内側に向けて延在する部分(それぞれ
第1の延在部10a、第2の延在部10bという)が設
けられ、この部分に後述する第2,第3のTFTのゲー
ト電極が接続されている。また、半導体層10の縦方向
配線領域Vに沿って延在する部分10cはキャパシタ5
の一方の電極を構成しており、この部分10cと重なる
ように一端がコンタクトホール11を通じてEL電源線
3に接続され、キャパシタ5の他方の電極を構成する容
量電極12が設けられている。
Next, a specific circuit pattern will be described with reference to FIG. In FIG. 2, reference numeral 1 is a gate line, 2 is a source line, and 3 is an EL power supply line. In the following description, for convenience, the region where the gate line 1 is arranged is referred to as a lateral wiring region L,
A region where the source line 2 and the EL power supply line 3 are arranged is referred to as a vertical wiring region V. In the actual pattern, each transistor is composed of a TFT, and in the first TFT which constitutes the writing transistor 4, one end is connected to the source line 2 through the contact hole 9 and the gate line 1 is connected.
A semiconductor layer 10 is provided, the other end of which extends along the vertical wiring region V after intersecting with. Portions extending from the upper portion and the lower portion of the semiconductor layer 10 toward the inside of the pixel (referred to as a first extending portion 10a and a second extending portion 10b, respectively) are provided. The gate electrodes of the 3 TFTs are connected. Further, the portion 10c extending along the vertical wiring region V of the semiconductor layer 10 is the capacitor 5
One electrode is formed, one end of which is connected to the EL power supply line 3 through the contact hole 11 so as to overlap with this portion 10c, and the capacitive electrode 12 which forms the other electrode of the capacitor 5 is provided.

【0030】駆動トランジスタ6の一つを構成する第2
のTFTにおいては、その一端がコンタクトホール13
を通じて画素の左側のEL電源線3に接続された半導体
層14が図2における画素の左上の角部に形成され、コ
ンタクトホール15を通じて第1のTFTの半導体層1
0の第1の延在部10a(ドレイン領域)と接続された
ゲート電極16がこの半導体層14と交差するように設
けられている。そして、第2のTFTの半導体層14の
他端(ドレイン領域)にコンタクトホール17を通じて
接続された中継層18が設けられ、中継層18にはコン
タクトホール19を通じてインジウム錫酸化物(Indium
Tin Oxide, 以下、ITOと略記する)等の透明導電膜
からなる画素電極20の上端が接続されている。すなわ
ち、第2のTFTの半導体層14と画素電極20とが中
継層18を介して電気的に接続されている。
The second constituting one of the driving transistors 6
The TFT has a contact hole 13 at one end.
The semiconductor layer 14 connected to the EL power source line 3 on the left side of the pixel is formed in the upper left corner of the pixel in FIG. 2, and the semiconductor layer 1 of the first TFT is formed through the contact hole 15.
A gate electrode 16 connected to the first extended portion 10 a (drain region) of 0 is provided so as to intersect with the semiconductor layer 14. Further, a relay layer 18 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 14 of the second TFT through the contact hole 17 is provided, and the relay layer 18 is contacted with the indium tin oxide (Indium Tin Oxide) through the contact hole 19.
The upper end of the pixel electrode 20 formed of a transparent conductive film such as Tin Oxide (hereinafter abbreviated as ITO) is connected. That is, the semiconductor layer 14 of the second TFT and the pixel electrode 20 are electrically connected via the relay layer 18.

【0031】また、駆動トランジスタ7の他の一つを構
成する第3のTFTにおいては、その一端がコンタクト
ホール21を通じて画素の右側のEL電源線3に接続さ
れた半導体層22が図2における画素の右下の角部に形
成され、コンタクトホール23を通じて第1のTFTの
半導体層10の第2の延在部10b(ドレイン領域)と
接続された長いL字状のゲート電極24が半導体層22
と交差するように設けられている。そして、第3のTF
Tの半導体層22の他端(ドレイン領域)にコンタクト
ホール25を通じて接続された中継層26が設けられ、
中継層26にはコンタクトホール27を通じて画素電極
20の下端が接続されている。すなわち、第3のTFT
の半導体層22と画素電極20とが中継層26を介して
電気的に接続されている。
In the third TFT which constitutes another one of the drive transistors 7, the semiconductor layer 22 whose one end is connected to the EL power supply line 3 on the right side of the pixel through the contact hole 21 is the pixel in FIG. A long L-shaped gate electrode 24 is formed in the lower right corner of the semiconductor layer 22 and is connected to the second extension 10b (drain region) of the semiconductor layer 10 of the first TFT through the contact hole 23.
It is provided to intersect with. And the third TF
A relay layer 26 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 22 of T through a contact hole 25 is provided,
The lower end of the pixel electrode 20 is connected to the relay layer 26 through a contact hole 27. That is, the third TFT
The semiconductor layer 22 and the pixel electrode 20 are electrically connected via the relay layer 26.

【0032】なお、図2における符号28の実線は有機
EL発光層の輪郭であり、符号29で示す1点鎖線は遮
光層(ブラックマトリクス)の輪郭である。また、有機
EL素子8は、有機EL素子の陽極となる画素電極20
と陰極となる金属電極(図示せず)からなる一対の電極
間に少なくとも有機EL発光層28が挟持されたもので
ある。一対の電極間には、発光層の他、正孔注入層、正
孔輸送層、電子輸送層などの層を挟持させてもよい。
The solid line 28 in FIG. 2 is the outline of the organic EL light emitting layer, and the alternate long and short dash line 29 is the outline of the light shielding layer (black matrix). In addition, the organic EL element 8 is a pixel electrode 20 that serves as an anode of the organic EL element.
At least the organic EL light emitting layer 28 is sandwiched between a pair of electrodes composed of a metal electrode (not shown) serving as a cathode. In addition to the light emitting layer, layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer may be sandwiched between the pair of electrodes.

【0033】本実施の形態の有機EL表示装置は平面的
なパターン配置が従来と異なるものであって、等価回路
的には従来と変わらないため、有機EL表示装置の動作
についても従来と全く同様であり、説明を省略する。
The organic EL display device of this embodiment is different from the conventional one in the planar pattern arrangement, and since the equivalent circuit is the same as the conventional one, the operation of the organic EL display device is also exactly the same as the conventional one. Therefore, the description is omitted.

【0034】本実施の形態によれば、一つの画素内にお
ける2個の駆動トランジスタ6,7を矩形の画素の対角
線方向の角部に配置し、図10に示した従来のものに比
べて駆動トランジスタ6,7間の距離を長くしたことに
より、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トランジス
タの電流駆動能力の画素間バラツキを従来に比べて低減
することができる。また、画素に対して対角線の方向に
並ぶ別の画素内の駆動トランジスタとの距離が、同一画
素内の2つの駆動トランジスタ6,7間の距離よりも短
くなれば、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トラン
ジスタの電流駆動能力のばらつきをそれらの画素間で分
け合うことができる。その結果、従来に比べて輝度ムラ
や表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた有機EL表
示装置を提供することができる。
According to the present embodiment, the two driving transistors 6 and 7 in one pixel are arranged at the corners of the rectangular pixel in the diagonal direction, and the driving transistor is driven as compared with the conventional one shown in FIG. By increasing the distance between the transistors 6 and 7, it is possible to reduce the variation between the pixels of the current driving capability of the drive transistor due to the variation in manufacturing in the substrate surface as compared with the conventional case. Further, if the distance from the driving transistor in another pixel arranged diagonally to the pixel is shorter than the distance between the two driving transistors 6 and 7 in the same pixel, the manufacturing variation in the plane of the substrate will occur. It is possible to share the variation in the current driving capability of the drive transistor due to the above-mentioned difference among the pixels. As a result, it is possible to provide an organic EL display device that has less unevenness in brightness and unevenness in display than conventional ones and is excellent in uniformity of image quality.

【0035】また本実施の形態の場合、キャパシタ5を
縦方向配線領域Vに配置したため、画素内でのキャパシ
タ5の占有領域を削減することができ、その分開口率を
向上させることができる。
Further, in the present embodiment, since the capacitor 5 is arranged in the vertical wiring region V, the area occupied by the capacitor 5 in the pixel can be reduced and the aperture ratio can be improved accordingly.

【0036】なお、本実施の形態では、全ての画素にお
いて同一の対角線方向の角部にのみ2個の駆動トランジ
スタ6,7を配置しているが、隣り合う画素のそれぞれ
において異なる対角線方向の角部に2個の駆動トランジ
スタを配置してもよい。その場合、4つの画素の駆動ト
ランジスタが互いに近接し、それらがバラツキを分け合
うことになる。そのため、より一層輝度ムラや画素ムラ
が少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を提供す
ることができる。
In this embodiment, the two driving transistors 6 and 7 are arranged only at the same corner portion in the diagonal direction in all the pixels, but different diagonal corners are formed in adjacent pixels. Two drive transistors may be arranged in the section. In that case, the drive transistors of the four pixels are close to each other, and they share variations. Therefore, it is possible to provide an EL display device that has less unevenness in brightness and unevenness in pixels and is excellent in uniformity of image quality.

【0037】[第2の実施の形態]以下、本発明の第2
の実施の形態を図3および図4を参照して説明する。図
3は、本実施の形態のアクティブマトリクス型有機EL
表示装置を構成する一画素の等価回路図であり、図4
は、図3の等価回路図を実現するための具体的な回路パ
ターンの一例を示す平面図である。第1の実施の形態が
2個の駆動トランジスタを画素の対角線方向に配置した
のに対し、本実施の形態は2個の駆動トランジスタを画
素の長辺方向に配置した例である。よって、図3、図4
において図1、図2と共通の構成要素には同一の符号を
付し、共通部分の詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment] The second embodiment of the present invention will be described below.
An embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 shows the active matrix type organic EL of this embodiment.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of one pixel forming the display device.
FIG. 4 is a plan view showing an example of a specific circuit pattern for realizing the equivalent circuit diagram of FIG. 3. While the two driving transistors are arranged in the diagonal direction of the pixel in the first embodiment, the present embodiment is an example in which the two driving transistors are arranged in the long side direction of the pixel. Therefore, FIG. 3 and FIG.
In FIG. 1, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description of the common portions will be omitted.

【0038】本実施の形態の有機EL表示装置において
は、図3に示すように、ゲート線1とソース線2および
EL電源線3とが格子状に配置され、これら配線に区画
された画素内に、書き込みトランジスタ4、キャパシタ
5、並列接続された2つの駆動トランジスタ6,7、有
機EL素子8が設けられている。等価回路として見る限
りは従来の構成および第1の実施の形態と同様である
が、本実施の形態の場合、各駆動トランジスタ6,7が
画素の長辺方向の端部のそれぞれに配置されている。さ
らに第1の実施の形態と異なる点として、これら駆動ト
ランジスタ6,7が同一のEL電源線3(画素の左側の
EL電源線3)に接続されており、第1の実施の形態で
は縦方向配線領域Vのソース線2の両側に2本設けられ
ていたEL電源線3が片側1本になっている。
In the organic EL display device of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the gate lines 1, the source lines 2 and the EL power supply lines 3 are arranged in a grid pattern, and the inside of a pixel is divided into these wirings. Further, a writing transistor 4, a capacitor 5, two driving transistors 6 and 7 connected in parallel, and an organic EL element 8 are provided. As far as an equivalent circuit is concerned, it is similar to the conventional configuration and the first embodiment, but in the case of the present embodiment, the drive transistors 6 and 7 are arranged at the ends of the pixel in the long side direction. There is. Further, as a difference from the first embodiment, these drive transistors 6 and 7 are connected to the same EL power supply line 3 (EL power supply line 3 on the left side of the pixel), and in the first embodiment, the vertical direction. The two EL power supply lines 3 provided on both sides of the source line 2 in the wiring region V are one on each side.

【0039】次に、図4を参照して具体的な回路パター
ンについて説明する。第1の実施の形態では画素の左上
と右下に駆動トランジスタが配置されていたのに対し、
本実施の形態では画素の左上と左下に駆動トランジスタ
6,7が配置されている。したがって、画素の上側(第
1,第2のTFT側)のパターン構成は第1の実施の形
態(図2)と略同様であり、画素の下側(第3のTFT
側)のパターン構成のみが異なっている。そして本実施
の形態では、第2のTFT側と第3のTFT側がほぼ対
称の構成となっている。
Next, a specific circuit pattern will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the drive transistors are arranged at the upper left and lower right of the pixel,
In this embodiment, the drive transistors 6 and 7 are arranged at the upper left and lower left of the pixel. Therefore, the pattern configuration on the upper side of the pixel (on the side of the first and second TFTs) is substantially the same as that of the first embodiment (FIG. 2), and on the lower side of the pixel (on the side of the third TFT).
Side) only the pattern configuration is different. In the present embodiment, the second TFT side and the third TFT side are substantially symmetrical.

【0040】すなわち、第3のTFTも第2のTFTと
同様、その一端がコンタクトホールを通じて画素の左側
のEL電源線3に接続された半導体層22が図4におけ
る画素の左下の角部に設けられ、コンタクトホール23
を通じて第1のTFTの半導体層10の第2の延在部1
0b(ドレイン領域)と接続されたゲート電極24がこ
の半導体層10と交差するように設けられている。そし
て、第3のTFTの半導体層22の他端(ドレイン領
域)にコンタクトホール25を通じて接続された中継層
26が設けられ、中継層26にはコンタクトホール27
を通じて画素電極20の下端が接続されている。
That is, similarly to the second TFT, the third TFT has the semiconductor layer 22 whose one end is connected to the EL power source line 3 on the left side of the pixel through the contact hole at the lower left corner of the pixel in FIG. Contact hole 23
Through the second extending portion 1 of the semiconductor layer 10 of the first TFT
A gate electrode 24 connected to 0b (drain region) is provided so as to cross the semiconductor layer 10. A relay layer 26 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 22 of the third TFT through the contact hole 25 is provided, and the relay layer 26 has a contact hole 27.
The lower end of the pixel electrode 20 is connected through.

【0041】本実施の形態においても、一つの画素内に
おける2個の駆動トランジスタ6,7を矩形の画素の長
辺方向の端部に配置し、これら駆動トランジスタ6,7
間の距離を長くしたことにより、駆動トランジスタの電
流駆動能力の画素間バラツキを低減でき、従来に比べて
輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた有
機EL表示装置を実現できる、キャパシタ5を縦方向配
線領域Vに配置したことにより開口率を向上させること
ができる、といった第1の実施の形態と同様の効果を得
ることができる。
Also in this embodiment, the two driving transistors 6 and 7 in one pixel are arranged at the ends of the rectangular pixel in the long side direction, and these driving transistors 6 and 7 are arranged.
By increasing the distance between the pixels, it is possible to reduce the variation in the current driving capability of the drive transistor between pixels, and to realize an organic EL display device that has less unevenness in brightness and display than in the past and has excellent image quality uniformity. By arranging the capacitor 5 in the vertical wiring region V, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment such that the aperture ratio can be improved.

【0042】さらに本実施の形態においては、2個の駆
動トランジスタ6,7を画素の長辺方向の端部に配置し
たことでこれら駆動トランジスタ6,7を共通の1本の
EL電源線3に接続することが可能になる。この構成に
より、一つの画素に対してEL電源線が1本で済み、縦
方向配線領域を狭くすることができるため、第1の実施
の形態に比べて開口率をより向上させることができる。
Further, in the present embodiment, the two drive transistors 6 and 7 are arranged at the ends in the long side direction of the pixel, so that the drive transistors 6 and 7 are connected to one common EL power supply line 3. It becomes possible to connect. With this configuration, only one EL power supply line is required for one pixel, and the vertical wiring region can be narrowed, so that the aperture ratio can be further improved as compared with the first embodiment.

【0043】[電子機器]上記実施の形態の有機EL表
示装置を備えた電子機器の例について説明する。図5
は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図5におい
て、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001
は上記の有機EL表示装置を用いた表示部を示してい
る。
[Electronic Device] An example of an electronic device equipped with the organic EL display device of the above embodiment will be described. Figure 5
FIG. 4 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 5, reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001.
Indicates a display unit using the above organic EL display device.

【0044】図6は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図6において、符号1100は時計本体
を示し、符号1101は上記の有機EL表示装置を用い
た表示部を示している。
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In FIG. 6, reference numeral 1100 indicates a watch main body, and reference numeral 1101 indicates a display unit using the above organic EL display device.

【0045】図7は、ワープロ、パソコンなどの携帯型
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7におい
て、符号1200は情報処理装置、符号1202はキー
ボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本
体、符号1206は上記の有機EL表示装置を用いた表
示部を示している。
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor and a personal computer. In FIG. 7, reference numeral 1200 is an information processing apparatus, reference numeral 1202 is an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 is the information processing apparatus main body, and reference numeral 1206 is a display unit using the above organic EL display device.

【0046】図5〜図7に示す電子機器は、上記実施の
形態の有機EL表示装置を備えているので、輝度ムラや
表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた表示部を備え
た電子機器を実現することができる。
Since the electronic equipment shown in FIGS. 5 to 7 is equipped with the organic EL display device of the above-mentioned embodiment, the electronic equipment equipped with the display section with less unevenness in brightness and display and excellent in image quality uniformity. Equipment can be realized.

【0047】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記第1、第2の実施の形態においては、複数の駆
動トランジスタとして2個のトランジスタを用いた例を
示したが、3個以上のトランジスタを用いてもよい。そ
の場合、いくつかのトランジスタは短辺方向に並ぶこと
があったとしても、対角線方向や長辺方向に一部のトラ
ンジスタを振り分けるようにすれば、3個以上のトラン
ジスタを全て短辺方向に並べるよりは輝度ムラ、表示ム
ラの低減効果を得ることができる。また、図2、図4で
示した平面パターンはあくまでも一例であり、各パター
ンの具体的な形状や大きさは適宜変更が可能である。さ
らに、上記実施の形態では有機EL表示装置の例を挙げ
て説明したが、同様の構成を無機EL表示装置に適用す
ることも可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described first and second embodiments, an example in which two transistors are used as a plurality of drive transistors has been shown, but three or more transistors may be used. In that case, even if some transistors are arranged in the short side direction, if some transistors are distributed in the diagonal direction or the long side direction, all three or more transistors are arranged in the short side direction. The effect of reducing uneven brightness and uneven display can be obtained. Further, the plane patterns shown in FIGS. 2 and 4 are merely examples, and the specific shape and size of each pattern can be appropriately changed. Furthermore, in the above embodiment, the example of the organic EL display device has been described, but the same configuration can be applied to the inorganic EL display device.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、一つの画素内における複数の駆動トランジスタ
の配置を工夫してこれら駆動トランジスタ間の距離を従
来より長くしたことにより、駆動トランジスタの電流駆
動能力の画素間のバラツキを低減でき、従来に比べて輝
度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL
表示装置を実現することができる。また、画素間の複数
の駆動トランジスタの距離が、同一画素内の2つの駆動
トランジスタ間の距離よりも短くなれば、基板面内での
製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力の
ばらつきをそれらの画素間で分け合うことができるた
め、従来に比べてさらに輝度ムラや表示ムラが少なく、
画質の均一性に優れた有機EL表示装置を実現すること
ができる。
As described above in detail, according to the present invention, the arrangement of a plurality of drive transistors in one pixel is devised so that the distance between these drive transistors is made longer than in the conventional case. An EL that can reduce variations in the current drive capacity of transistors between pixels, has less unevenness in brightness and display than before, and has excellent image uniformity.
A display device can be realized. In addition, if the distance between the plurality of drive transistors between pixels is shorter than the distance between two drive transistors within the same pixel, variations in the current drivability of the drive transistors due to manufacturing variations within the substrate surface can be reduced. Since it can be shared between pixels, there is less unevenness in brightness and display compared to the conventional one,
It is possible to realize an organic EL display device having excellent image quality uniformity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態の有機EL表示装置
の一画素を示す等価回路図である。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of an organic EL display device of a first embodiment of the present invention.

【図2】 同、等価回路を実現する回路パターンの一構
成例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing one configuration example of a circuit pattern that realizes the equivalent circuit.

【図3】 本発明の第2の実施形態の有機EL表示装置
の一画素を示す等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of the organic EL display device of the second embodiment of the present invention.

【図4】 同、等価回路を実現する回路パターンの一構
成例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of a circuit pattern that realizes the equivalent circuit.

【図5】 上記有機EL表示装置を備えた本発明の電子
機器の一例を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus of the present invention including the organic EL display device.

【図6】 同、電子機器の他の例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing another example of the electronic device.

【図7】 同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view showing still another example of the electronic device.

【図8】 本発明の作用を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the present invention.

【図9】 本発明の作用を説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the operation of the present invention.

【図10】 従来のアクティブマトリクス型有機EL表
示装置の一画素を示す等価回路図である。
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of a conventional active matrix type organic EL display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート線(走査線) 2 ソース線(データ線) 3 EL電源線(EL素子用電源線) 4 書き込みトランジスタ 5 キャパシタ 6,7 駆動トランジスタ 8 有機EL素子 1 gate line (scan line) 2 Source line (data line) 3 EL power supply line (EL element power supply line) 4 writing transistor 5 capacitors 6,7 drive transistor 8 Organic EL element

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マトリクス状に配置された複数の画素の
各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持さ
れたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタ
と、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えら
れたEL表示装置であって、 前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の対角
線方向の角部のそれぞれに配置されたことを特徴とする
EL表示装置。
1. An EL element in which at least an EL emission layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, a writing transistor, and a plurality of driving transistors connected in parallel to each other in each of a plurality of pixels arranged in a matrix. An EL display device comprising: a plurality of drive transistors, each of which is arranged at each corner of a substantially rectangular pixel in a diagonal direction.
【請求項2】 隣り合う略矩形状の画素内における前記
複数の駆動トランジスタが、それぞれの画素において異
なる対角線方向の角部に配置されたことを特徴とする請
求項1に記載のEL表示装置。
2. The EL display device according to claim 1, wherein the plurality of drive transistors in adjacent substantially rectangular pixels are arranged at different corners in a diagonal direction in each pixel.
【請求項3】 マトリクス状に配置された複数の画素の
各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持さ
れたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタ
と、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えら
れたEL表示装置であって、 前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の長辺
が延在する方向の端部のそれぞれに配置されたことを特
徴とするEL表示装置。
3. An EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, a writing transistor, and a plurality of driving transistors connected in parallel to each other in each of a plurality of pixels arranged in a matrix. An EL display device comprising: a plurality of drive transistors, wherein the plurality of drive transistors are arranged at respective end portions in a direction in which long sides of substantially rectangular pixels extend.
【請求項4】 一つの画素内における複数の駆動トラン
ジスタの全てが、同一のEL素子用電源線に接続された
ことを特徴とする請求項3に記載のEL表示装置。
4. The EL display device according to claim 3, wherein all of the plurality of drive transistors in one pixel are connected to the same EL element power supply line.
【請求項5】 前記キャパシタが、前記書き込みトラン
ジスタに電気的に接続されたデータ線および前記駆動ト
ランジスタに電気的に接続されたEL素子用電源線と平
面的に重なる領域に配置されたことを特徴とする請求項
1ないし4のいずれか一項に記載のEL表示装置。
5. The capacitor is arranged in a region that planarly overlaps with a data line electrically connected to the write transistor and an EL element power line electrically connected to the drive transistor. The EL display device according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 請求項1ないし5のいずれか一項に記載
のEL表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
6. An electronic apparatus comprising the EL display device according to claim 1. Description:
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