JP2003063841A - 光ファイバ母材の製造装置及び方法 - Google Patents

光ファイバ母材の製造装置及び方法

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JP2003063841A
JP2003063841A JP2002175049A JP2002175049A JP2003063841A JP 2003063841 A JP2003063841 A JP 2003063841A JP 2002175049 A JP2002175049 A JP 2002175049A JP 2002175049 A JP2002175049 A JP 2002175049A JP 2003063841 A JP2003063841 A JP 2003063841A
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deposition tube
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Seikoku Go
成國 呉
Jin-Han Kim
鎭漢 金
Man-Seok Seo
晩碩 徐
Seichin Kin
成珍 金
Yun-Ho Kim
允鎬 金
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 内付け化学気相蒸着法のような気相蒸着法を
利用した光ファイバ母材の製造装置及び方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 原料ガスが流入される第1端部と原料ガ
スが排出される第2端部とを有するシリンダー形蒸着用
チューブと、蒸着用チューブの外周面を加熱して蒸着用
チューブの内部に第1高温領域を形成するためにガイド
に装着される第1熱源と、蒸着用チューブの外周面を加
熱して蒸着用チューブの内部に第2高温領域を形成する
ために蒸着用チューブの長さ方向に沿って第1熱源と所
定の距離に離隔してガイドに装着される第2熱源と、第
1熱源と第2熱源との所定の距離を保持しつつ第1及び
第2熱源を移動させる熱源移動部とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材の
製造装置及び方法に関し、特に、内付け化学気相蒸着法
のような気相蒸着法による光ファイバ母材の製造装置及
び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバ母材の製造方法では、MCV
D方法、VAD(Vapour phase AxialDeposition)方法、
OVD(Outside Vapour phase Deposition)方法などが
あり、これらの方法のうち、内付け化学気相蒸着法を利
用した光ファイバ用母材製造装置及び方法に関する。
【0003】図1は、従来の内付け化学気相蒸着法を利
用した光ファイバ母材の製造装置の構成を示す。前記装
置は、原料ガス供給部120と、シェルフ150と、酸
素/水素バーナー160とから構成される。
【0004】前記原料ガス供給部120は、酸素と多数
の添加物質とを組み合わせて前記蒸着用チューブの内部
に酸素及びSiCl、GeCl、POClなどの
原料ガスを供給する。
【0005】前記シェルフ150は、一対のチャック1
32及び136とガイド140とを備え、前記一対のチ
ャック132には、蒸着用チューブ110の両端が回転
可能であるように固定され、前記ガイド140には、前
記酸素/水素バーナー160が移動可能であるように搭
載される。前記酸素/水素バーナー160は水素及び酸
素が供給され、前記蒸着用チューブ110の外周面を加
熱しつつ前記ガイド140に沿って所定の速度で移動す
る。
【0006】図2及び図3は、図1に示した製造装置を
利用した光ファイバ母材の製造方法を説明する図であ
る。図2は、蒸着用チューブ110と前記蒸着用チュー
ブ110の外周面を加熱する酸素/水素バーナー160
とを示している。前記蒸着用チューブ110は、所定の
速度で回転し、前記酸素/水素バーナー160によって
加熱されるにつれて前記蒸着用チューブ110の内部に
は高温領域が形成される。
【0007】前記高温領域を通過する原料ガスは反応物
170を生成し、このときの反応式は、例えば、SiC
+O →SiO+2Cl、GeCl+O
→GeO+2Clのようである。前記反応物170
は、熱泳動メカニズム(thermophoretic mechanism)によ
って相対的に温度が低い前記蒸着用チューブ110の内
壁へ移動するにつれて前記蒸着用チューブ110の内壁
に蒸着される。図2は、このような蒸着過程によって形
成される第1蒸着領域を示している。
【0008】しかし、示したように、前記蒸着用チュー
ブ110の内壁に蒸着されない反応物170は、前記蒸
着用チューブ110の内部に形成された気流によって継
続して移動し、このような移動過程で粒子衝突による反
応物170の成長が発生する。すなわち、反応物170
の粒子大きさ及び質量が増加するものである。成長した
反応物170が前記蒸着用チューブ110の内壁へ移動
するにつれて前記蒸着用チューブ110の内壁に蒸着さ
れる。図2は、このような蒸着過程によって形成される
第2蒸着領域を示している。
【0009】図3は、前記製造方法による結果物を示し
ている。すなわち、前記蒸着用チューブ110の内壁に
蒸着された層180は、正常蒸着領域181及び非正常
蒸着領域182に区分される。前記正常蒸着領域181
の層180は、粒子大きさ及び組成比が均一な反面、前
記非正常蒸着領域182の層180は、粒子大きさ及び
組成比が不均一である。また、前記蒸着された層180
の幾何構造も不均一であることがわかる。
【0010】前述したように、従来の内付け化学気相蒸
着法を利用した光ファイバ母材の製造装置及び方法は、
第1及び第2蒸着過程が同時に進行するにつれて、製造
された光ファイバ母材の物性が全体長さに対して不均一
であるという短所があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、反応物の第2蒸着を抑制することによって光ファイ
バ母材の物性の均一性を確保し、蒸着用チューブの内壁
に蒸着された層の幾何構造を安定化させることができる
内付け化学気相蒸着法を利用した光ファイバ母材の製造
装置及び方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために、本発明の一実施形態による気相蒸着法を利
用した光ファイバ母材の製造装置において、原料ガスが
流入する第1端部と前記原料ガスが排出される第2端部
とを有するシリンダー形蒸着用チューブと、前記蒸着用
チューブの外周面を加熱して前記蒸着用チューブの内部
に第1高温領域を形成するためにガイドに装着される第
1熱源と、前記蒸着用チューブの外周面を加熱して前記
蒸着用チューブの内部に第2高温領域を形成するために
前記蒸着用チューブの長さ方向に沿って前記第1熱源と
所定の距離に離隔して前記ガイドに装着される第2熱源
と、前記第1熱源と第2熱源との所定の距離を保持しつ
つ前記第1及び第2熱源を移動させる熱源移動部とを含
むことを特徴とする。
【0013】また、本発明による内付け化学気相蒸着法
を利用した光ファイバ母材の製造方法において、第1熱
源を利用してシリンダー形蒸着用チューブの内部に第1
高温領域を形成するステップと、前記第1高温領域を通
じて原料ガスを注入することにより前記原料ガスの反応
物を生成するステップと、熱泳動メカニズムによって前
記反応物が前記シリンダー形蒸着用チューブの内壁に蒸
着されるステップと、成長した前記反応物が前記蒸着用
チューブの内壁に蒸着されないように第2熱源を利用し
て前記蒸着用チューブの内部に第2高温領域を形成する
ステップとを含むことを特徴とする。
【0014】さらに、本発明のまた他の実施形態による
気相蒸着法を利用した光ファイバ母材の製造装置におい
て、原料ガスが流入される第1端部及び前記原料ガスが
排出される第2端部を有するシリンダー形蒸着用チュー
ブと、前記蒸着用チューブの内部に第1高温領域を形成
するための第1熱源と、前記蒸着用チューブの内部に第
2高温領域を形成するための第2熱源と、前記第1熱源
と前記第2熱源との所定の距離を保持しつつ前記第1及
び第2熱源を移動させる熱源移動部とを含むことを特徴
とする。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う好適な実施形
態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の
説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的か
ら、関連した公知機能または構成に関する具体的な説明
は省略する。
【0016】図4及び図5は、本発明による内付け化学
気相蒸着(MCVD)法を利用した光ファイバ母材の製
造方法を説明するための図である。図4は、蒸着用チュ
ーブ210と前記蒸着用チューブ210の外周面を加熱
する第1熱源262及び第2熱源266とを示してい
る。
【0017】前記蒸着用チューブ210は所定の速度で
回転し、前記蒸着用チューブ210の一端を通じて原料
ガスが流入され、前記蒸着用チューブ210の内部に
は、前記蒸着用チューブ210の一端からその他端へ進
行する内部気流が形成される。
【0018】前記第1熱源262は、前記蒸着用チュー
ブ210の外周面を加熱することにより、前記蒸着用チ
ューブ210の内部に第1高温領域330を形成する。
前記原料ガスは、前記第1高温領域330を通過しつつ
反応物を生成し、前記反応物310は、熱泳動メカニズ
ムによって前記蒸着用チューブ210の内壁に蒸着され
る。図4は、このような蒸着過程によって形成される蒸
着領域331を示している。
【0019】また、前記蒸着用チューブ210の内壁に
蒸着されない反応物310は、前記蒸着用チューブ21
0の内部に形成された気流によって継続して移動し、こ
のような移動過程で粒子衝突による反応物310の成長
が発生する。図4は、このような成長過程が発生する粒
子成長領域332を示している。この後、成長した反応
物310は、前記蒸着用チューブ210の内壁へ移動す
るようになる。
【0020】前記第2熱源266は、前記蒸着用チュー
ブ210の長さ方向に沿って前記第1熱源262と所定
の距離で離隔して設置されており、前記蒸着用チューブ
210の外周面を加熱して前記蒸着用チューブ210の
内部に第2高温領域333を形成する。これにより、前
記蒸着用チューブ210の内壁へ移動する成長した反応
物310を前記蒸着用チューブ210の中心へ移動、す
なわちフローティングさせる。前記第2熱源266は、
粒子衝突によって生成される成長した反応物310が前
記蒸着用チューブ210の内壁に蒸着されることを抑制
する機能を遂行するものである。この後、成長した反応
物310は、前記蒸着用チューブ210の外部へ円滑に
排出される。
【0021】図5は、前記製造方法による結果物を示し
ている。すなわち、前記蒸着用チューブ210の内壁に
蒸着された層320は、全体長さにわたって粒子大きさ
及び組成比が均一である。また、前記蒸着された層32
0の幾何構造も均一であることが分かる。
【0022】図6は、本発明の好適な実施形態による内
付け化学気相蒸着法を利用した光ファイバ母材の製造装
置の構成を示す。前記製造装置は、原料ガス供給部22
0、シェルフ250、第1熱源262及び第2熱源26
6、ガイド246、熱源移動部242、位置センサー2
70、第1流量調節部280及び第2流量調節部29
0、及び制御部300で構成される。
【0023】前記原料ガス供給部220は、酸素と多数
の添加物質とを組み合わせて、前記蒸着用チューブ21
0の内部に酸素とSiCl、GeCl、POC
、及びフレオンなどの原料ガスを供給する。
【0024】前記シェルフ250は、一対のチャック2
32及び236とガイド246とを備え、前記一対のチ
ャック232及び236には、前記蒸着用チューブ21
0の両端が回転可能であるように固定され、前記ガイド
246には、前記第1熱源262及び第2熱源266が
移動可能であるように搭載される。前記第1熱源262
及び第2熱源266は、水素及び酸素を供給され、前記
蒸着用チューブ210の外周面を加熱しつつ前記ガイド
246に沿って所定の速度で移動する。また、前記ガイ
ド246は、前記蒸着用チューブ210の長さ方向に平
行に設置される。また、前記第1熱源262または第2
熱源266で酸素/水素バーナーの代わりにプラズマト
ーチ(plasma torch)を使用することができ、前記第1熱
源262または第2熱源266の形状は、半円形、棒
形、または板形であることもある。
【0025】前記熱源移動部242は、前記制御部30
0の移動制御信号によって前記第1熱源262及び第2
熱源266の移動速度を調節する。このとき、前記第1
熱源262及び第2熱源266は、設定された離隔距離
を保持したまま移動するようになる。また、前記蒸着用
チューブ210内に形成される蒸着領域331の安全な
確保のために前記離隔距離が300mm以上であること
が望ましい。
【0026】前記位置センサー270は、前記第2熱源
266の位置を感知し、その感知された位置信号を前記
制御部300へ出力する。前記第2熱源266は、前記
第1熱源262と所定の距離で離隔しているので、前記
第1熱源262は、前記蒸着用チューブ210の範囲内
にあるが、前記第2熱源266は、前記蒸着用チューブ
210の範囲を外れる場合が発生することがある。これ
を防止するために、前記位置センサー270は、前記第
2熱源266の位置が前記蒸着用チューブ210の範囲
内にあるか否かを監視する機能を遂行する。
【0027】前記第1流量調節部280及び第2流量調
節部290は、それぞれ前記制御部300の流量制御信
号によって前記第1熱源262または第2熱源266に
供給される燃料、すなわち、酸素及び水素の流量を調節
する。
【0028】前記制御部300は、前記熱源移動部24
2へ移動制御信号を出力して前記第1熱源262及び第
2熱源266の移動速度を調節し、前記位置センサー2
70から前記第2熱源266の位置を示す位置感知信号
を入力される。また、前記第2熱源266の位置が前記
蒸着用チューブ210の範囲を外れた場合、前記第2流
量調節部290へ流量制御信号を出力して前記第2熱源
266に供給される燃料を遮断することにより、不要に
浪費される燃料の損失を防止する。この後、前記第1熱
源262及び第2熱源266は、次の蒸着パスを進行す
るために初期の位置にさらに復帰することができる。
【0029】前記制御部300は、コンピュータで読み
取り可能なコード、すなわち、前記機能に関連したアプ
リケーションを実行するためのマイクロプロセッサーな
どを含む。このようなアプリケーションは、内部メモ
リ、ディスクドライブ内のフロッピー(登録商標)ディ
スク、またはCD−ROMドライブ内のCD−ROMに
貯蔵されることもできる。前記制御部300は、メモリ
インターフェースを通じてフロッピー(登録商標)ディ
スクに貯蔵されたアプリケーションまたは他のデータ)
にアクセスするか、CD−ROMドライブインターフェ
ースを通じてCD−ROMに貯蔵されたアプリケーショ
ン(または他のデータ)にアクセスする。また、前記制御
部300は、遠隔通信インターフェース(remote commun
ication interface)を含むこともできる。
【0030】前述したように、前記制御部300の機能
は、データ処理装置によって実行されるコンピュータで
読み取り可能なコードによって具現されることもでき
る。前記コードは、前記データ処理装置内のメモリに貯
蔵されるか、またはCD−ROMまたはフロッピー(登
録商標)ディスクのようなメモリ媒体から読み取り/ダ
ウンロードされることもできる。反面に、他の実施形態
でハードウェア的な回路が本発明を具現するためのソフ
トウェア的な指示に代えて(またはともに)使用されるこ
ともできる。
【0031】前述の如く、本発明の詳細な説明では具体
的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明
の範囲は前記実施形態によって限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
【0032】
【発明の効果】以上から述べてきたように、本発明によ
る内付け化学気相蒸着法を利用した光ファイバ母材の製
造装置及び方法は、第2熱源を利用して蒸着用チューブ
の内部に第2高温領域を形成することにより、成長した
反応物の第2蒸着を抑制することができる。これによ
り、本発明による内付け化学気相蒸着法を利用した光フ
ァイバ母材の製造装置及び方法を利用して生成された光
ファイバ母材は、均一な物性を有し、安定した幾何構造
を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による内付け化学気相蒸着法を利用
した光ファイバ母材の製造装置の構成を示す図である。
【図2】 図1に示した製造装置を利用した光ファイバ
母材の製造方法を説明するための図である。
【図3】 図1に示した製造装置を利用した光ファイバ
母材の製造方法を説明するための図である。
【図4】 本発明による内付け化学気相蒸着法を利用し
た光ファイバ母材の製造方法を説明するための図であ
る。
【図5】 本発明による内付け化学気相蒸着法を利用し
た光ファイバ母材の製造方法を説明するための図であ
る。
【図6】 本発明の好適な実施形態による内付け化学気
相蒸着法を利用した光ファイバ母材の製造装置の構成を
示す図である。
【符号の説明】
210 シリンダー形蒸着用チューブ 242 熱源移動部 262 第1熱源 266 第2熱源 270 位置センサー 280 第1流量調節部 290 第2流量調節部 300 制御部 330 第1高温領域 333 第2高温領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徐 晩碩 大韓民国慶尚北道龜尾市玉渓洞(番地な し) 大白アパート103棟904號 (72)発明者 金 成珍 大韓民国慶尚北道龜尾市玉渓洞(番地な し) 富榮アパート2次907號 (72)発明者 金 允鎬 大韓民国大邱廣域市東區栗下洞915番地2 號 Fターム(参考) 4G021 EA02 EB14 EB26

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気相蒸着法による光ファイバ母材の製造
    装置において、 原料ガスが流入される第1端部と前記原料ガスが排出さ
    れる第2端部とを有するシリンダー形蒸着用チューブ
    と、 前記蒸着用チューブの外周面を加熱して前記蒸着用チュ
    ーブの内部に第1高温領域を形成するためにガイドに装
    着される第1熱源と、 前記蒸着用チューブの外周面を加熱して前記蒸着用チュ
    ーブの内部に第2高温領域を形成するために前記蒸着用
    チューブの長さ方向に沿って前記第1熱源と所定の距離
    に離隔して前記ガイドに装着される第2熱源と、 前記第1熱源と第2熱源との所定の距離を保持しつつ前
    記第1及び第2熱源を移動させる熱源移動部とを含むこ
    とを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
  2. 【請求項2】 前記気相蒸着法は、内付け化学気相蒸着
    法であることを特徴とする請求項1記載の光ファイバ母
    材の製造装置。
  3. 【請求項3】 前記第1及び第2熱源に連結されて供給
    される燃料量を調節する第1及び第2流量調節部と、 前記第2熱源の位置を示す位置感知信号を出力する位置
    センサーと、 前記位置感知信号から把握された前記第2熱源の位置が
    所定の位置を外れた場合、前記第2熱源に供給される燃
    料を減少させるように前記第2流量調節部へ流量制御信
    号を出力する制御部とをさらに含むことを特徴とする請
    求項2記載の光ファイバ母材の製造装置。
  4. 【請求項4】 前記所定の離隔距離は、300mm以上
    であることを特徴とする請求項3記載の光ファイバ母材
    の製造装置。
  5. 【請求項5】 内付け化学気相蒸着法による光ファイバ
    母材の製造方法において、 第1熱源を利用してシリンダー形蒸着用チューブの内部
    に第1高温領域を形成するステップと、 前記第1高温領域を通じて原料ガスを注入することによ
    り前記原料ガスの反応物を生成するステップと、 熱泳動メカニズムによって前記反応物が前記シリンダー
    形蒸着用チューブの内壁に蒸着されるステップと、 成長した前記反応物が前記蒸着用チューブの内壁に蒸着
    されないように第2熱源を利用して前記蒸着用チューブ
    の内部に第2高温領域を形成するステップとを含むこと
    を特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記第2高温領域から前記蒸着用チュー
    ブの内壁へ移動する前記成長した反応物がフローティン
    グされることを特徴とする請求項5記載の光ファイバ母
    材の製造方法。
  7. 【請求項7】 所定の離隔距離を保持しつつ前記第1及
    び第2熱源を移動させるステップをさらに含むことを特
    徴とする請求項5記載の光ファイバ母材の製造方法。
  8. 【請求項8】 気相蒸着法による光ファイバ母材の製造
    装置において、 原料ガスが流入される第1端部及び前記原料ガスが排出
    される第2端部を有するシリンダー形蒸着用チューブ
    と、 前記蒸着用チューブの内部に第1高温領域を形成するた
    めの第1熱源と、 前記蒸着用チューブの内部に第2高温領域を形成するた
    めの第2熱源と、 前記第1熱源と前記第2熱源との所定の距離を保持しつ
    つ前記第1及び第2熱源を移動させる熱源移動部とを含
    むことを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
  9. 【請求項9】 前記気相蒸着法は、内付け化学気相蒸着
    法であることを特徴とする請求項8記載の光ファイバ母
    材の製造装置。
  10. 【請求項10】 前記第1及び第2熱源に供給される燃
    料の量と前記熱源移動部の移動を制御するための制御部
    をさらに含むことを特徴とする請求項9記載の光ファイ
    バ母材の製造装置。
JP2002175049A 2001-07-23 2002-06-14 光ファイバ母材の製造装置及び方法 Withdrawn JP2003063841A (ja)

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