JP2003058104A - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
表示装置およびその駆動方法Info
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- JP2003058104A JP2003058104A JP2002170333A JP2002170333A JP2003058104A JP 2003058104 A JP2003058104 A JP 2003058104A JP 2002170333 A JP2002170333 A JP 2002170333A JP 2002170333 A JP2002170333 A JP 2002170333A JP 2003058104 A JP2003058104 A JP 2003058104A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 点灯率が変化しても安定に放電を行うことが
できるとともに、無効電力を低減して消費電力を低減す
ることができる表示装置およびその駆動方法を提供す
る。 【解決手段】 サブフィールド点灯率測定器８によりサ
ブフィールドごとの点灯率を検出し、サブフィールド処
理器３ａにより、検出されたサブフィールドごとの点灯
率が小さくなるほど、維持パルスの回収時間、ＬＣ共振
の共振時間および維持周期が長くなるように、スキャン
ドライバ５ｂおよびサステインドライバ６ｂを制御す
る。
できるとともに、無効電力を低減して消費電力を低減す
ることができる表示装置およびその駆動方法を提供す
る。 【解決手段】 サブフィールド点灯率測定器８によりサ
ブフィールドごとの点灯率を検出し、サブフィールド処
理器３ａにより、検出されたサブフィールドごとの点灯
率が小さくなるほど、維持パルスの回収時間、ＬＣ共振
の共振時間および維持周期が長くなるように、スキャン
ドライバ５ｂおよびサステインドライバ６ｂを制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の放電セルを
選択的に放電させて画像を表示する表示装置およびその
駆動方法に関するものである。
選択的に放電させて画像を表示する表示装置およびその
駆動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
を用いたプラズマディスプレイ装置は、薄型化および大
画面化が可能であるという利点を有する。このプラズマ
ディスプレイ装置では、画素を構成する放電セルの放電
の際の発光を利用することにより画像を表示している。
を用いたプラズマディスプレイ装置は、薄型化および大
画面化が可能であるという利点を有する。このプラズマ
ディスプレイ装置では、画素を構成する放電セルの放電
の際の発光を利用することにより画像を表示している。
【０００３】図４７は、従来のプラズマディスプレイ装
置のサステインドライバの構成を示す回路図である。
置のサステインドライバの構成を示す回路図である。
【０００４】図４７に示すように、サステインドライバ
６００は、回収コンデンサＣ１１、回収コイルＬ１１、
スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２およ
びダイオードＤ１１，Ｄ１２を含む。
６００は、回収コンデンサＣ１１、回収コイルＬ１１、
スイッチＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２およ
びダイオードＤ１１，Ｄ１２を含む。
【０００５】スイッチＳＷ１１は、電源端子Ｖ１１とノ
ードＮ１１との間に接続され、スイッチＳＷ１２は、ノ
ードＮ１１と接地端子との間に接続されている。電源端
子Ｖ１１には、維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。ノード
Ｎ１１は、例えば４８０本のサステイン電極に接続さ
れ、図４７では、複数のサステイン電極と接地端子との
間の全容量に相当するパネル容量Ｃｐが示されている。
ードＮ１１との間に接続され、スイッチＳＷ１２は、ノ
ードＮ１１と接地端子との間に接続されている。電源端
子Ｖ１１には、維持電圧Ｖｓｕｓが印加される。ノード
Ｎ１１は、例えば４８０本のサステイン電極に接続さ
れ、図４７では、複数のサステイン電極と接地端子との
間の全容量に相当するパネル容量Ｃｐが示されている。
【０００６】回収コンデンサＣ１１は、ノードＮ１３と
接地端子との間に接続されている。ノードＮ１３とノー
ドＮ１２との間にスイッチＳＷ２１およびダイオードＤ
１１が直列に接続され、ノードＮ１２とノードＮ１３と
の間にダイオードＤ１２およびスイッチＳＷ２２が直列
に接続されている。回収コイルＬ１１は、ノードＮ１２
とノードＮ１１との間に接続されている。
接地端子との間に接続されている。ノードＮ１３とノー
ドＮ１２との間にスイッチＳＷ２１およびダイオードＤ
１１が直列に接続され、ノードＮ１２とノードＮ１３と
の間にダイオードＤ１２およびスイッチＳＷ２２が直列
に接続されている。回収コイルＬ１１は、ノードＮ１２
とノードＮ１１との間に接続されている。
【０００７】図４８は、図４７のサステインドライバ６
００の維持期間の動作を示すタイミング図である。図４
８には、図４７のノードＮ１１の電圧およびスイッチＳ
Ｗ２１，ＳＷ１１，ＳＷ２２，ＳＷ１２の動作が示され
る。
００の維持期間の動作を示すタイミング図である。図４
８には、図４７のノードＮ１１の電圧およびスイッチＳ
Ｗ２１，ＳＷ１１，ＳＷ２２，ＳＷ１２の動作が示され
る。
【０００８】まず、期間Ｔａにおいて、スイッチＳＷ２
１がオンし、スイッチＳＷ１２がオフする。このとき、
スイッチＳＷ１１，ＳＷ２２はオフしている。これによ
り、回収コイルＬ１１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ
共振により、ノードＮ１１の電圧がピーク電圧Ｖｐまで
上昇し、回収コンデンサＣ１１に蓄積されている電荷が
パネル容量Ｃｐに供給される。このとき、ノードＮ１１
の電圧が維持期間の放電開始電圧を超えると、維持放電
が開始される。
１がオンし、スイッチＳＷ１２がオフする。このとき、
スイッチＳＷ１１，ＳＷ２２はオフしている。これによ
り、回収コイルＬ１１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ
共振により、ノードＮ１１の電圧がピーク電圧Ｖｐまで
上昇し、回収コンデンサＣ１１に蓄積されている電荷が
パネル容量Ｃｐに供給される。このとき、ノードＮ１１
の電圧が維持期間の放電開始電圧を超えると、維持放電
が開始される。
【０００９】次に、期間Ｔｂにおいて、スイッチＳＷ２
１がオフし、スイッチＳＷ１１がオンする。これによ
り、ノードＮ１１が電源端子Ｖ１１に接続され、ノード
Ｎ１１の電圧が急激に上昇し、期間ＴｃではノードＮ１
１の電圧が維持電圧Ｖｓｕｓに固定される。
１がオフし、スイッチＳＷ１１がオンする。これによ
り、ノードＮ１１が電源端子Ｖ１１に接続され、ノード
Ｎ１１の電圧が急激に上昇し、期間ＴｃではノードＮ１
１の電圧が維持電圧Ｖｓｕｓに固定される。
【００１０】次に、期間Ｔｄにおいて、スイッチＳＷ１
１がオフし、スイッチＳＷ２２がオンする。これによ
り、回収コイルＬ１１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ
共振により、ノードＮ１１の電圧が緩やかに降下し、パ
ネル容量Ｃｐから回収コンデンサＣ１１に電荷が回収さ
れる。
１がオフし、スイッチＳＷ２２がオンする。これによ
り、回収コイルＬ１１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ
共振により、ノードＮ１１の電圧が緩やかに降下し、パ
ネル容量Ｃｐから回収コンデンサＣ１１に電荷が回収さ
れる。
【００１１】最後に、期間Ｔｅにおいて、スイッチＳＷ
２２がオフし、スイッチＳＷ１２がオンする。これによ
り、ノードＮ１１の電圧が急激に降下して接地電位に固
定される。
２２がオフし、スイッチＳＷ１２がオンする。これによ
り、ノードＮ１１の電圧が急激に降下して接地電位に固
定される。
【００１２】上記の動作を維持期間において繰り返し行
うことにより、複数のサステイン電極に周期的な維持パ
ルスＰｓｕが印加され、維持パルスＰｓｕの立ち上がり
時に放電セルが放電し、維持放電が行われる。また、期
間Ｔｄにおいて回収コンデンサＣ１１によりパネル容量
Ｃｐの電荷を回収し、回収した電荷を期間Ｔａにおいて
再びパネル容量Ｃｐに供給することにより、消費電力の
低減を図っている。
うことにより、複数のサステイン電極に周期的な維持パ
ルスＰｓｕが印加され、維持パルスＰｓｕの立ち上がり
時に放電セルが放電し、維持放電が行われる。また、期
間Ｔｄにおいて回収コンデンサＣ１１によりパネル容量
Ｃｐの電荷を回収し、回収した電荷を期間Ｔａにおいて
再びパネル容量Ｃｐに供給することにより、消費電力の
低減を図っている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
サステインドライバでは、回収時間となる期間Ｔａおよ
び期間Ｔｄにおいて、スイッチＳＷ２１，ＳＷ２２とし
て使用される電界効果型トランジスタのオン抵抗、ダイ
オードＤ１１，Ｄ１２による損失、回収コイルＬ１１の
直流抵抗、パネル容量Ｃｐを形成する電極の抵抗等によ
り電力が消費され、無効電力が発生する。
サステインドライバでは、回収時間となる期間Ｔａおよ
び期間Ｔｄにおいて、スイッチＳＷ２１，ＳＷ２２とし
て使用される電界効果型トランジスタのオン抵抗、ダイ
オードＤ１１，Ｄ１２による損失、回収コイルＬ１１の
直流抵抗、パネル容量Ｃｐを形成する電極の抵抗等によ
り電力が消費され、無効電力が発生する。
【００１４】この無効電力ＬＰは、維持パルスＰｓｕの
維持電圧をＶｓｕｓ、回収時間のピーク電圧をＶｐ、１
秒間の維持パルスの数をＦとすると、次式により表され
る。
維持電圧をＶｓｕｓ、回収時間のピーク電圧をＶｐ、１
秒間の維持パルスの数をＦとすると、次式により表され
る。
【００１５】
ＬＰ＝Ｃｐ×Ｖｓｕｓ×（Ｖｓｕｓ−Ｖｐ）×Ｆ
ここで、回収時間を長くすると、ＬＣ共振によるピーク
電圧Ｖｐを高くすることができ、無効電力ＬＰを低減す
ることができるが、点灯率が大きい場合に回収時間を長
くすると、安定に放電することができなくなるため、全
ての点灯率に対して回収時間を短く設定している。
電圧Ｖｐを高くすることができ、無効電力ＬＰを低減す
ることができるが、点灯率が大きい場合に回収時間を長
くすると、安定に放電することができなくなるため、全
ての点灯率に対して回収時間を短く設定している。
【００１６】このため、従来のプラズマディスプレイ装
置では、回収時間のピーク電圧Ｖｐが低くなり、点灯率
が小さい場合に無効電力を十分に低減することができ
ず、消費電力を十分に低減することができない。
置では、回収時間のピーク電圧Ｖｐが低くなり、点灯率
が小さい場合に無効電力を十分に低減することができ
ず、消費電力を十分に低減することができない。
【００１７】本発明の目的は、点灯率が変化しても安定
に放電を行うことができるとともに、無効電力を低減し
て消費電力を低減することができる表示装置およびその
駆動方法を提供することである。
に放電を行うことができるとともに、無効電力を低減し
て消費電力を低減することができる表示装置およびその
駆動方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】（１）第１の発明
第１の発明に係る表示装置は、複数の放電セルを選択的
に放電させて画像を表示する表示装置であって、放電セ
ルに蓄積された電荷を回収し、回収された電荷を用いて
駆動パルスを駆動する回収手段と、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出する検出手
段とを備え、複数の放電セルは、容量性負荷を含み、回
収手段は、一端が容量性負荷に接続される少なくとも一
つのインダクタンス素子を有するインダクタンス手段
と、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含み、検出手
段により検出された点灯率に応じて回収手段により駆動
パルスが駆動される回収時間およびＬＣ共振の共振時間
を変化させるように回収手段を制御する制御手段をさら
に備えるものである。
に放電させて画像を表示する表示装置であって、放電セ
ルに蓄積された電荷を回収し、回収された電荷を用いて
駆動パルスを駆動する回収手段と、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出する検出手
段とを備え、複数の放電セルは、容量性負荷を含み、回
収手段は、一端が容量性負荷に接続される少なくとも一
つのインダクタンス素子を有するインダクタンス手段
と、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含み、検出手
段により検出された点灯率に応じて回収手段により駆動
パルスが駆動される回収時間およびＬＣ共振の共振時間
を変化させるように回収手段を制御する制御手段をさら
に備えるものである。
【００１９】本発明に係る表示装置においては、容量性
負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振により駆動パル
スを駆動するとともに、複数の放電セルのうち同時に点
灯させる放電セルの点灯率を検出し、点灯率に応じて駆
動パルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振の共振時間
を変化させている。それにより、点灯率に応じた最適な
回収時間およびＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動
することができる。したがって、点灯率が大きい場合は
回収時間を短くして安定に放電できるようにすることが
できるとともに、共振時間を短くして無効電力を低減す
ることができる。また、点灯率が小さい場合は回収時間
を長くして無効電力を低減することができる。この結
果、点灯率が変化しても安定に放電を行うことができる
とともに、無効電力を低減して消費電力を低減すること
ができる。
負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振により駆動パル
スを駆動するとともに、複数の放電セルのうち同時に点
灯させる放電セルの点灯率を検出し、点灯率に応じて駆
動パルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振の共振時間
を変化させている。それにより、点灯率に応じた最適な
回収時間およびＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動
することができる。したがって、点灯率が大きい場合は
回収時間を短くして安定に放電できるようにすることが
できるとともに、共振時間を短くして無効電力を低減す
ることができる。また、点灯率が小さい場合は回収時間
を長くして無効電力を低減することができる。この結
果、点灯率が変化しても安定に放電を行うことができる
とともに、無効電力を低減して消費電力を低減すること
ができる。
【００２０】（２）第２の発明
第２の発明に係る表示装置は、第１の発明に係る表示装
置の構成において、１フィールドを複数のサブフィール
ドに分割してサブフィールドごとに選択された放電セル
を放電させて階調表示を行うために、１フィールドの画
像データを各サブフィールドの画像データに変換する変
換手段をさらに備え、検出手段は、サブフィールドごと
の点灯率を検出するサブフィールド点灯率検出手段を含
み、制御手段は、サブフィールド点灯率検出手段により
検出されたサブフィールドごとの点灯率に応じて回収時
間およびＬＣ共振の共振時間を変化させるように回収手
段を制御するものである。
置の構成において、１フィールドを複数のサブフィール
ドに分割してサブフィールドごとに選択された放電セル
を放電させて階調表示を行うために、１フィールドの画
像データを各サブフィールドの画像データに変換する変
換手段をさらに備え、検出手段は、サブフィールドごと
の点灯率を検出するサブフィールド点灯率検出手段を含
み、制御手段は、サブフィールド点灯率検出手段により
検出されたサブフィールドごとの点灯率に応じて回収時
間およびＬＣ共振の共振時間を変化させるように回収手
段を制御するものである。
【００２１】この場合、サブフィールドごとに検出した
点灯率に応じて回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変
化させることができるので、階調表示を行う場合でも、
点灯率に応じて回収時間およびＬＣ共振の共振時間を最
適化することができる。
点灯率に応じて回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変
化させることができるので、階調表示を行う場合でも、
点灯率に応じて回収時間およびＬＣ共振の共振時間を最
適化することができる。
【００２２】（３）第３の発明
第３の発明に係る表示装置は、第１〜第２のいずれかの
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率が小さいほど回収時間が長
くなるように回収手段を制御するものである。
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率が小さいほど回収時間が長
くなるように回収手段を制御するものである。
【００２３】この場合、検出された点灯率が小さいほど
回収時間を長くしているので、点灯率が小さい場合に回
収時間を長くし、無効電力の低下を図ることができると
ともに、点灯率が大きい場合に回収時間を短くして安定
に放電を行うことができる。
回収時間を長くしているので、点灯率が小さい場合に回
収時間を長くし、無効電力の低下を図ることができると
ともに、点灯率が大きい場合に回収時間を短くして安定
に放電を行うことができる。
【００２４】（４）第４の発明
第４の発明に係る表示装置は、第１〜第３のいずれかの
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率が小さいほどＬＣ共振の共
振時間が長くなるように回収手段を制御するものであ
る。
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率が小さいほどＬＣ共振の共
振時間が長くなるように回収手段を制御するものであ
る。
【００２５】この場合、検出された点灯率が小さいほど
ＬＣ共振の共振時間を長くしているので、点灯率が小さ
い場合に回収時間を長くし、無効電力の低下を図ること
ができるとともに、点灯率が大きい場合にＬＣ共振の共
振時間を短くして安定に放電を行うことができ、かつ無
効電力をより低下させることができる。
ＬＣ共振の共振時間を長くしているので、点灯率が小さ
い場合に回収時間を長くし、無効電力の低下を図ること
ができるとともに、点灯率が大きい場合にＬＣ共振の共
振時間を短くして安定に放電を行うことができ、かつ無
効電力をより低下させることができる。
【００２６】（５）第５の発明
第５の発明に係る表示装置は、第１〜第４のいずれかの
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率に応じて回収時間のうち放
電セルが放電する放電回収時間を変化させ、回収時間の
うち放電セルが放電しない非放電回収時間を変化させな
いように回収手段を制御するものである。
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率に応じて回収時間のうち放
電セルが放電する放電回収時間を変化させ、回収時間の
うち放電セルが放電しない非放電回収時間を変化させな
いように回収手段を制御するものである。
【００２７】この場合、検出された点灯率に応じて回収
時間のうち放電セルが放電する放電回収時間を変化させ
ているので、検出された点灯率に応じて放電回収時間を
最適化することができ、無効電力を低減することができ
るとともに安定な放電を行うことができる。また、回収
時間のうち放電セルが放電しない非放電回収時間を変化
させていないので、この期間の駆動波形の制御が簡略化
され、回路構成を簡略化することができる。
時間のうち放電セルが放電する放電回収時間を変化させ
ているので、検出された点灯率に応じて放電回収時間を
最適化することができ、無効電力を低減することができ
るとともに安定な放電を行うことができる。また、回収
時間のうち放電セルが放電しない非放電回収時間を変化
させていないので、この期間の駆動波形の制御が簡略化
され、回路構成を簡略化することができる。
【００２８】（６）第６の発明
第６の発明に係る表示装置は、第１〜第５のいずれかの
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率に応じて回収時間のうち放
電セルが放電する放電回収時間より回収時間のうち放電
セルが放電しない非放電回収時間が長くなるように回収
手段を制御するものである。
発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、検出
手段により検出された点灯率に応じて回収時間のうち放
電セルが放電する放電回収時間より回収時間のうち放電
セルが放電しない非放電回収時間が長くなるように回収
手段を制御するものである。
【００２９】この場合、検出される点灯率に応じて放電
回収時間より非放電回収時間を長くしているので、放電
の安定性を考慮する必要がない非放電回収時間をより長
くして、無効電力をより低減することができる。
回収時間より非放電回収時間を長くしているので、放電
の安定性を考慮する必要がない非放電回収時間をより長
くして、無効電力をより低減することができる。
【００３０】（７）第７の発明
第７の発明に係る表示装置は、複数の放電セルを選択的
に放電させて画像を表示する表示装置であって、放電セ
ルに蓄積された電荷を回収し、回収された電荷を用いて
駆動パルスを駆動する回収手段と、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出する検出手
段とを備え、複数の放電セルは、容量性負荷を含み、回
収手段は、一端が容量性負荷に接続される少なくとも一
つのインダクタンス素子を有するインダクタンス手段
と、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含み、検出手
段により検出された点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間
を変化させるように回収手段を制御する制御手段をさら
に備えるものである。
に放電させて画像を表示する表示装置であって、放電セ
ルに蓄積された電荷を回収し、回収された電荷を用いて
駆動パルスを駆動する回収手段と、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出する検出手
段とを備え、複数の放電セルは、容量性負荷を含み、回
収手段は、一端が容量性負荷に接続される少なくとも一
つのインダクタンス素子を有するインダクタンス手段
と、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含み、検出手
段により検出された点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間
を変化させるように回収手段を制御する制御手段をさら
に備えるものである。
【００３１】本発明に係る表示装置においては、容量性
負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振により駆動パル
スを駆動するとともに、検出された点灯率に応じてＬＣ
共振の共振時間を変化させているので、検出された点灯
率に応じてＬＣ共振の共振時間を最適な時間に設定する
ことができる。したがって、点灯率が小さい場合はイン
ダクタンス素子のインダクタンス値を大きくして共振時
間を長くし、点灯率が大きい場合はインダクタンス素子
のインダクタンス値を小さくして共振時間を短くするこ
とにより、安定放電電圧を一定にすることができる。特
に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に放
電できるようにすることができ、かつ回収効率を向上し
て無効電力を低下させることができる。また、回収時間
を一定にすることにより、放電の安定性を向上させるこ
とができる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電
を行うことができるとともに、無効電力を低減して消費
電力を低減することができる。
負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振により駆動パル
スを駆動するとともに、検出された点灯率に応じてＬＣ
共振の共振時間を変化させているので、検出された点灯
率に応じてＬＣ共振の共振時間を最適な時間に設定する
ことができる。したがって、点灯率が小さい場合はイン
ダクタンス素子のインダクタンス値を大きくして共振時
間を長くし、点灯率が大きい場合はインダクタンス素子
のインダクタンス値を小さくして共振時間を短くするこ
とにより、安定放電電圧を一定にすることができる。特
に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に放
電できるようにすることができ、かつ回収効率を向上し
て無効電力を低下させることができる。また、回収時間
を一定にすることにより、放電の安定性を向上させるこ
とができる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電
を行うことができるとともに、無効電力を低減して消費
電力を低減することができる。
【００３２】（８）第８の発明
第８の発明に係る表示装置は、第１または第７の発明に
係る表示装置の構成において、インダクタンス手段は、
インダクタンス値を変化させることができる可変インダ
クタンス手段を含み、制御手段は、検出手段により検出
された点灯率に応じて可変インダクタンス手段のインダ
クタンス値を変化させるものである。
係る表示装置の構成において、インダクタンス手段は、
インダクタンス値を変化させることができる可変インダ
クタンス手段を含み、制御手段は、検出手段により検出
された点灯率に応じて可変インダクタンス手段のインダ
クタンス値を変化させるものである。
【００３３】この場合、検出される点灯率に応じてイン
ダクタンス値を変化させることができるので、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
き、回収効率を向上することができる。
ダクタンス値を変化させることができるので、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
き、回収効率を向上することができる。
【００３４】（９）第９の発明
第９の発明に係る表示装置は、第８の発明に係る表示装
置の構成において、可変インダクタンス手段は、並列に
接続された複数のインダクタンス素子と、制御手段に制
御され、複数のインダクタンス素子のうち所定のインダ
クタンス素子を選択する選択手段とを含むものである。
置の構成において、可変インダクタンス手段は、並列に
接続された複数のインダクタンス素子と、制御手段に制
御され、複数のインダクタンス素子のうち所定のインダ
クタンス素子を選択する選択手段とを含むものである。
【００３５】この場合、並列に接続された複数のインダ
クタンス素子のうち所定のインダクタンス素子を選択す
ることができるので、複数のインダクタンス素子のうち
所定のインダクタンス素子を組み合わせることにより種
々のインダクタンス値を実現することができ、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
きる。
クタンス素子のうち所定のインダクタンス素子を選択す
ることができるので、複数のインダクタンス素子のうち
所定のインダクタンス素子を組み合わせることにより種
々のインダクタンス値を実現することができ、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
きる。
【００３６】（１０）第１０の発明
第１０の発明に係る表示装置は、第８の発明に係る表示
装置の構成において、可変インダクタンス手段は、直列
に接続された複数のインダクタンス素子と、制御手段に
制御され、複数のインダクタンス素子のうち所定のイン
ダクタンス素子を選択する選択手段とを含むものであ
る。
装置の構成において、可変インダクタンス手段は、直列
に接続された複数のインダクタンス素子と、制御手段に
制御され、複数のインダクタンス素子のうち所定のイン
ダクタンス素子を選択する選択手段とを含むものであ
る。
【００３７】この場合、直列に接続された複数のインダ
クタンス素子のうち所定のインダクタンス素子を選択す
ることができるので、複数のインダクタンス素子のうち
所定のインダクタンス素子を組み合わせることにより種
々のインダクタンス値を実現することができ、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
きる。
クタンス素子のうち所定のインダクタンス素子を選択す
ることができるので、複数のインダクタンス素子のうち
所定のインダクタンス素子を組み合わせることにより種
々のインダクタンス値を実現することができ、点灯率に
応じてインダクタンス値を最適な値に設定することがで
きる。
【００３８】（１１）第１１の発明
第１１の発明に係る表示装置は、第８の発明に係る表示
装置の構成において、回収手段は、容量性負荷から電荷
を回収するための容量性素子をさらに含み、可変インダ
クタンス手段は、第１のインダクタンス素子を含み、共
振駆動手段は、容量性負荷と容量性素子との間に第１の
インダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ
手段を含み、可変インダクタンス手段は、第１のインダ
クタンス素子の両端に直列に接続される第２のインダク
タンス素子および第２のスイッチ手段をさらに含み、制
御手段は、第１および第２のスイッチ手段のオン／オフ
状態を制御するものである。
装置の構成において、回収手段は、容量性負荷から電荷
を回収するための容量性素子をさらに含み、可変インダ
クタンス手段は、第１のインダクタンス素子を含み、共
振駆動手段は、容量性負荷と容量性素子との間に第１の
インダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ
手段を含み、可変インダクタンス手段は、第１のインダ
クタンス素子の両端に直列に接続される第２のインダク
タンス素子および第２のスイッチ手段をさらに含み、制
御手段は、第１および第２のスイッチ手段のオン／オフ
状態を制御するものである。
【００３９】この場合、点灯率に応じて第２のインダク
タンス素子を第１のインダクタンス素子に並列に接続す
ることができるので、第１および第２のインダクタンス
素子の合成インダクタンス値および第１のインダクタン
ス素子のインダクタンス値を用いて、点灯率に応じてイ
ンダクタンス値を最適な値に設定することができる。
タンス素子を第１のインダクタンス素子に並列に接続す
ることができるので、第１および第２のインダクタンス
素子の合成インダクタンス値および第１のインダクタン
ス素子のインダクタンス値を用いて、点灯率に応じてイ
ンダクタンス値を最適な値に設定することができる。
【００４０】（１２）第１２の発明
第１２の発明に係る表示装置は、第８の発明に係る表示
装置の構成において、回収手段は、容量性負荷から電荷
を回収するための容量性素子をさらに含み、可変インダ
クタンス手段は、第１のインダクタンス素子を含み、共
振駆動手段は、容量性負荷と容量性素子との間に第１の
インダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ
手段を含み、可変インダクタンス手段は、容量性負荷と
容量性素子との間に直列に接続される第２のインダクタ
ンス素子および第２のスイッチ手段をさらに含み、制御
手段は、第１および第２のスイッチ手段のオン／オフ状
態を制御するものである。
装置の構成において、回収手段は、容量性負荷から電荷
を回収するための容量性素子をさらに含み、可変インダ
クタンス手段は、第１のインダクタンス素子を含み、共
振駆動手段は、容量性負荷と容量性素子との間に第１の
インダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ
手段を含み、可変インダクタンス手段は、容量性負荷と
容量性素子との間に直列に接続される第２のインダクタ
ンス素子および第２のスイッチ手段をさらに含み、制御
手段は、第１および第２のスイッチ手段のオン／オフ状
態を制御するものである。
【００４１】この場合、点灯率に応じて第１および第２
のスイッチ手段のオン／オフ状態が制御されるので、第
１および第２のインダクタンス素子の合成インダクタン
ス値ならびに第１および第２のインダクタンス素子のイ
ンダクタンス値を用いて、点灯率に応じてインダクタン
ス値を最適な値に設定することができる。また、容量性
負荷と容量素子との間には、一つのスイッチ手段しか挿
入されないため、スイッチ手段による損失を必要最低限
に抑えることができ、無効電力をより低減することがで
きる。
のスイッチ手段のオン／オフ状態が制御されるので、第
１および第２のインダクタンス素子の合成インダクタン
ス値ならびに第１および第２のインダクタンス素子のイ
ンダクタンス値を用いて、点灯率に応じてインダクタン
ス値を最適な値に設定することができる。また、容量性
負荷と容量素子との間には、一つのスイッチ手段しか挿
入されないため、スイッチ手段による損失を必要最低限
に抑えることができ、無効電力をより低減することがで
きる。
【００４２】（１３）第１３の発明
第１３の発明に係る表示装置は、第１２の発明に係る表
示装置の構成において、共振駆動手段は、容量性負荷と
容量性素子との間に直列に接続される第３のインダクタ
ンス素子および第３のスイッチ手段をさらに含み、制御
手段は、回収時間のうち放電セルが放電する放電回収時
間に第１および第２のスイッチ手段の少なくとも一方を
オンさせ、回収時間のうち前記放電セルが放電しない非
放電回収時間に第３のスイッチ手段をオンさせるもので
ある。
示装置の構成において、共振駆動手段は、容量性負荷と
容量性素子との間に直列に接続される第３のインダクタ
ンス素子および第３のスイッチ手段をさらに含み、制御
手段は、回収時間のうち放電セルが放電する放電回収時
間に第１および第２のスイッチ手段の少なくとも一方を
オンさせ、回収時間のうち前記放電セルが放電しない非
放電回収時間に第３のスイッチ手段をオンさせるもので
ある。
【００４３】この場合、放電回収時間に第１および第２
のインダクタンス素子の少なくとも一方が容量性負荷と
容量素子との間に接続されるように第１および第２のス
イッチ手段のオン／オフ状態が制御されるので、第１お
よび第２のインダクタンス素子の合成インダクタンス値
ならびに第１および第２のインダクタンス素子のインダ
クタンス値を用いて、点灯率に応じて放電回収時間にお
けるインダクタンス値を最適な値に設定することができ
る。
のインダクタンス素子の少なくとも一方が容量性負荷と
容量素子との間に接続されるように第１および第２のス
イッチ手段のオン／オフ状態が制御されるので、第１お
よび第２のインダクタンス素子の合成インダクタンス値
ならびに第１および第２のインダクタンス素子のインダ
クタンス値を用いて、点灯率に応じて放電回収時間にお
けるインダクタンス値を最適な値に設定することができ
る。
【００４４】また、非放電回収時間に第３のインダクタ
ンス素子が容量性負荷と容量性素子との間に接続される
ように第３のスイッチ手段のオン／オフ状態が制御され
るので、非放電回収時間において放電セルの放電安定性
を考慮することなく無効電力の低減のみを考慮して、第
３のインダクタンス素子のインダクタンス値を設定する
ことができ、無効電力をより低減することができる。
ンス素子が容量性負荷と容量性素子との間に接続される
ように第３のスイッチ手段のオン／オフ状態が制御され
るので、非放電回収時間において放電セルの放電安定性
を考慮することなく無効電力の低減のみを考慮して、第
３のインダクタンス素子のインダクタンス値を設定する
ことができ、無効電力をより低減することができる。
【００４５】（１４）第１４の発明
第１４の発明に係る表示装置は、第１２の発明に係る表
示装置の構成において、共振駆動手段は、第１のスイッ
チ手段に並列に接続される第３のスイッチ手段をさらに
含み、可変インダクタンス手段は、第２のスイッチ手段
に並列に接続される第４のスイッチ手段をさらに含み、
制御手段は、第１〜第４のスイッチ手段のオン／オフ状
態を制御するものである。
示装置の構成において、共振駆動手段は、第１のスイッ
チ手段に並列に接続される第３のスイッチ手段をさらに
含み、可変インダクタンス手段は、第２のスイッチ手段
に並列に接続される第４のスイッチ手段をさらに含み、
制御手段は、第１〜第４のスイッチ手段のオン／オフ状
態を制御するものである。
【００４６】この場合、第１〜第４のスイッチ手段のオ
ン／オフ状態を独立して制御することができるので、駆
動パルスの立ち上がり時および立ち下がり時の共振時間
を独立して制御することができるとともに、第２のイン
ダクタンス素子を維持パルスの立ち上がり時および立ち
下がり時に共用しているため、回路構成を簡略化するこ
とができる。
ン／オフ状態を独立して制御することができるので、駆
動パルスの立ち上がり時および立ち下がり時の共振時間
を独立して制御することができるとともに、第２のイン
ダクタンス素子を維持パルスの立ち上がり時および立ち
下がり時に共用しているため、回路構成を簡略化するこ
とができる。
【００４７】（１５）第１５の発明
第１５の発明に係る表示装置は、第１１〜第１４のいず
れかの発明に係る表示装置の構成において、制御手段
は、第１のスイッチ手段がオンした後に第２のスイッチ
手段がオンするように第１および第２のスイッチ手段の
オン／オフ状態を制御するものである。
れかの発明に係る表示装置の構成において、制御手段
は、第１のスイッチ手段がオンした後に第２のスイッチ
手段がオンするように第１および第２のスイッチ手段の
オン／オフ状態を制御するものである。
【００４８】この場合、容量性素子と第１のインダクタ
ンス素子とが接続された後に第１のインダクタンス素子
と第２のインダクタンス素子とが並列に接続されるの
で、第１のインダクタンス素子のインダクタンス値のみ
を用いる期間と第１および第２のインダクタンス素子の
合成インダクタンス値を用いる期間との比率を変化させ
ることにより、インダクタンス値を種々の値に変化させ
ることができ、点灯率に応じてインダクタンス値を最適
な値に設定することができる。
ンス素子とが接続された後に第１のインダクタンス素子
と第２のインダクタンス素子とが並列に接続されるの
で、第１のインダクタンス素子のインダクタンス値のみ
を用いる期間と第１および第２のインダクタンス素子の
合成インダクタンス値を用いる期間との比率を変化させ
ることにより、インダクタンス値を種々の値に変化させ
ることができ、点灯率に応じてインダクタンス値を最適
な値に設定することができる。
【００４９】（１６）第１６の発明
第１６の発明に係る表示装置は、第１１〜第１５のいず
れかの発明に係る表示装置の構成において、１フィール
ドを複数のサブフィールドに分割してサブフィールドご
とに選択された放電セルを放電させて階調表示を行うた
めに、１フィールドの画像データを各サブフィールドの
画像データに変換する変換手段をさらに備え、検出手段
は、サブフィールドごとの点灯率を検出するサブフィー
ルド点灯率検出手段を含み、制御手段は、サブフィール
ド点灯率検出手段により検出されたサブフィールドごと
の点灯率に応じて第２のスイッチ手段がオンする期間を
制御するものである。
れかの発明に係る表示装置の構成において、１フィール
ドを複数のサブフィールドに分割してサブフィールドご
とに選択された放電セルを放電させて階調表示を行うた
めに、１フィールドの画像データを各サブフィールドの
画像データに変換する変換手段をさらに備え、検出手段
は、サブフィールドごとの点灯率を検出するサブフィー
ルド点灯率検出手段を含み、制御手段は、サブフィール
ド点灯率検出手段により検出されたサブフィールドごと
の点灯率に応じて第２のスイッチ手段がオンする期間を
制御するものである。
【００５０】この場合、サブフィールドごとに検出した
点灯率に応じて第２のスイッチ手段がオンする期間を制
御しているので、サブフィールドごとの点灯率に応じて
インダクタンス値を変化させることができ、階調表示を
行う場合でも、点灯率に応じてインダクタンス値を最適
化することができる。
点灯率に応じて第２のスイッチ手段がオンする期間を制
御しているので、サブフィールドごとの点灯率に応じて
インダクタンス値を変化させることができ、階調表示を
行う場合でも、点灯率に応じてインダクタンス値を最適
化することができる。
【００５１】（１７）第１７の発明
第１７の発明に係る表示装置は、第１１〜第１６のいず
れかの発明に係る表示装置の構成において、第１および
第２のスイッチ手段は、直列に接続された電界効果型ト
ランジスタおよびダイオード、直列に接続された２つの
電界効果型トランジスタ、および絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタのうちのいずれか一つである。
れかの発明に係る表示装置の構成において、第１および
第２のスイッチ手段は、直列に接続された電界効果型ト
ランジスタおよびダイオード、直列に接続された２つの
電界効果型トランジスタ、および絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタのうちのいずれか一つである。
【００５２】この場合、スイッチ手段が直列に接続され
た電界効果型トランジスタおよびダイオード、直列に接
続された二つの電界効果型トランジスタ、および絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタのうちいずれか一つから
第１および第２のスイッチ手段が構成されているので、
これらの各素子によりスイッチング動作を行うことがで
きる。また、直列に接続された二つの電界効果型トラン
ジスタを用いる場合、スイッチ手段における損失を特に
低減することができる。
た電界効果型トランジスタおよびダイオード、直列に接
続された二つの電界効果型トランジスタ、および絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタのうちいずれか一つから
第１および第２のスイッチ手段が構成されているので、
これらの各素子によりスイッチング動作を行うことがで
きる。また、直列に接続された二つの電界効果型トラン
ジスタを用いる場合、スイッチ手段における損失を特に
低減することができる。
【００５３】（１８）第１８の発明
第１８の発明に係る表示装置は、第８〜第１７のいずれ
かの発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、
検出手段により検出された点灯率が小さいほどＬＣ共振
の共振時間が長くなるように回収手段を制御するもので
ある。
かの発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、
検出手段により検出された点灯率が小さいほどＬＣ共振
の共振時間が長くなるように回収手段を制御するもので
ある。
【００５４】この場合、検出された点灯率が小さいほど
ＬＣ共振の共振時間を長くしているので、点灯率が小さ
い場合は共振時間を長くし、点灯率が大きい場合は共振
時間を短くすることにより、安定放電電圧を一定にする
ことができる。特に、点灯率が大きい場合は共振時間を
短くして安定に放電できるようにすることができ、かつ
回収効率を向上して無効電力を低下させることができ
る。
ＬＣ共振の共振時間を長くしているので、点灯率が小さ
い場合は共振時間を長くし、点灯率が大きい場合は共振
時間を短くすることにより、安定放電電圧を一定にする
ことができる。特に、点灯率が大きい場合は共振時間を
短くして安定に放電できるようにすることができ、かつ
回収効率を向上して無効電力を低下させることができ
る。
【００５５】（１９）第１９の発明
第１９の発明に係る表示装置は、第１〜第１８のいずれ
かの発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、
検出手段により検出された点灯率に応じて駆動パルスの
周期を変化させるものである。
かの発明に係る表示装置の構成において、制御手段は、
検出手段により検出された点灯率に応じて駆動パルスの
周期を変化させるものである。
【００５６】この場合、点灯率に応じて駆動パルスの周
期を変化させることができるので、点灯率が小さい場合
に駆動パルスの周期を長くして回収時間を十分に確保す
ることができる。
期を変化させることができるので、点灯率が小さい場合
に駆動パルスの周期を長くして回収時間を十分に確保す
ることができる。
【００５７】（２０）第２０の発明
第２０の発明に係る表示装置の駆動方法は、複数の放電
セルを選択的に放電させて画像を表示する表示装置の駆
動方法であって、複数の放電セルは、容量性負荷を含
み、表示装置は、一端が容量性負荷に接続される少なく
とも一つのインダクタンス素子を有するインダクタンス
手段を含み、放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収
された電荷を用いて容量性負荷とインダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、複
数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの点灯率
を検出するステップと、検出ステップにより検出された
点灯率に応じて回収ステップにおいて駆動パルスが駆動
される回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変化させる
ステップとを含むものである。
セルを選択的に放電させて画像を表示する表示装置の駆
動方法であって、複数の放電セルは、容量性負荷を含
み、表示装置は、一端が容量性負荷に接続される少なく
とも一つのインダクタンス素子を有するインダクタンス
手段を含み、放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収
された電荷を用いて容量性負荷とインダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、複
数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの点灯率
を検出するステップと、検出ステップにより検出された
点灯率に応じて回収ステップにおいて駆動パルスが駆動
される回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変化させる
ステップとを含むものである。
【００５８】本発明に係る表示装置の駆動方法において
は、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動するとともに、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出し、点灯率
に応じて駆動パルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振
の共振時間を変化させている。それにより、点灯率に応
じた最適な回収時間およびＬＣ共振の共振時間で駆動パ
ルスを駆動することができる。したがって、点灯率が大
きい場合は回収時間を短くして安定に放電できるように
することができるとともに、共振時間を短くして無効電
力を低減することができる。また、点灯率が小さい場合
は回収時間を長くして無効電力を低減することができ
る。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行うこ
とができるとともに、無効電力を低減して消費電力を低
減することができる。
は、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動するとともに、複数の放電セルのう
ち同時に点灯させる放電セルの点灯率を検出し、点灯率
に応じて駆動パルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振
の共振時間を変化させている。それにより、点灯率に応
じた最適な回収時間およびＬＣ共振の共振時間で駆動パ
ルスを駆動することができる。したがって、点灯率が大
きい場合は回収時間を短くして安定に放電できるように
することができるとともに、共振時間を短くして無効電
力を低減することができる。また、点灯率が小さい場合
は回収時間を長くして無効電力を低減することができ
る。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行うこ
とができるとともに、無効電力を低減して消費電力を低
減することができる。
【００５９】（２１）第２１の発明
第２１の発明に係る表示装置の駆動方法は、複数の放電
セルを選択的に放電させて画像を表示する表示装置の駆
動方法であって、複数の放電セルは、容量性負荷を含
み、表示装置は、一端が容量性負荷に接続される少なく
とも一つのインダクタンス素子を有するインダクタンス
手段を含み、放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収
された電荷を用いて容量性負荷とインダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、複
数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの点灯率
を検出するステップと、検出ステップにより検出された
点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間を変化させるステッ
プとを含むものである。
セルを選択的に放電させて画像を表示する表示装置の駆
動方法であって、複数の放電セルは、容量性負荷を含
み、表示装置は、一端が容量性負荷に接続される少なく
とも一つのインダクタンス素子を有するインダクタンス
手段を含み、放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収
された電荷を用いて容量性負荷とインダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、複
数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの点灯率
を検出するステップと、検出ステップにより検出された
点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間を変化させるステッ
プとを含むものである。
【００６０】本発明に係る表示装置の駆動方法において
は、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動するとともに、検出された点灯率に
応じてＬＣ共振の共振時間を変化させているので、検出
された点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間を最適な時間
に設定することができる。したがって、点灯率が小さい
場合はインダクタンス素子のインダクタンス値を大きく
して共振時間を長くし、点灯率が大きい場合はインダク
タンス素子のインダクタンス値を小さくして共振時間を
短くすることにより、安定放電電圧を一定にすることが
できる。特に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くし
て安定に放電できるようにすることができ、かつ回収効
率を向上して無効電力を低下させることができる。ま
た、回収時間を一定にすることにより、放電の安定性を
向上させることができる。この結果、点灯率が変化して
も安定に放電を行うことができるとともに、無効電力を
低減して消費電力を低減することができる。
は、容量性負荷とインダクタンス素子とのＬＣ共振によ
り駆動パルスを駆動するとともに、検出された点灯率に
応じてＬＣ共振の共振時間を変化させているので、検出
された点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間を最適な時間
に設定することができる。したがって、点灯率が小さい
場合はインダクタンス素子のインダクタンス値を大きく
して共振時間を長くし、点灯率が大きい場合はインダク
タンス素子のインダクタンス値を小さくして共振時間を
短くすることにより、安定放電電圧を一定にすることが
できる。特に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くし
て安定に放電できるようにすることができ、かつ回収効
率を向上して無効電力を低下させることができる。ま
た、回収時間を一定にすることにより、放電の安定性を
向上させることができる。この結果、点灯率が変化して
も安定に放電を行うことができるとともに、無効電力を
低減して消費電力を低減することができる。
【００６１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る表示装置の一
例としてＡＣ型プラズマディスプレイ装置について説明
する。図１は、本発明の第１の実施の形態によるプラズ
マディスプレイ装置の構成を示すブロック図である。
例としてＡＣ型プラズマディスプレイ装置について説明
する。図１は、本発明の第１の実施の形態によるプラズ
マディスプレイ装置の構成を示すブロック図である。
【００６２】図１のプラズマディスプレイ装置は、Ａ／
Ｄコンバータ（アナログ・デジタル変換器）１、映像信
号−サブフィールド対応付け器２、サブフィールド処理
器３、データドライバ４、スキャンドライバ５、サステ
インドライバ６、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネ
ル）７およびサブフィールド点灯率測定器８を備える。
Ｄコンバータ（アナログ・デジタル変換器）１、映像信
号−サブフィールド対応付け器２、サブフィールド処理
器３、データドライバ４、スキャンドライバ５、サステ
インドライバ６、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネ
ル）７およびサブフィールド点灯率測定器８を備える。
【００６３】Ａ／Ｄコンバータ１には、映像信号ＶＤが
入力される。Ａ／Ｄコンバータ１は、アナログの映像信
号ＶＤをデジタルの画像データに変換し、映像信号−サ
ブフィールド対応付け器２へ出力する。映像信号−サブ
フィールド対応付け器２は、１フィールドを複数のサブ
フィールドに分割して表示するため、１フィールドの画
像データから各サブフィールドの画像データＳＰを作成
し、サブフィールド処理器３およびサブフィールド点灯
率測定器８へ出力する。
入力される。Ａ／Ｄコンバータ１は、アナログの映像信
号ＶＤをデジタルの画像データに変換し、映像信号−サ
ブフィールド対応付け器２へ出力する。映像信号−サブ
フィールド対応付け器２は、１フィールドを複数のサブ
フィールドに分割して表示するため、１フィールドの画
像データから各サブフィールドの画像データＳＰを作成
し、サブフィールド処理器３およびサブフィールド点灯
率測定器８へ出力する。
【００６４】サブフィールド点灯率測定器８は、サブフ
ィールドごとの画像データＳＰから、ＰＤＰ７上で同時
に駆動される放電セル１４の点灯率を検出し、その結果
をサブフィールド点灯率信号ＳＬとしてサブフィールド
処理器３へ出力する。
ィールドごとの画像データＳＰから、ＰＤＰ７上で同時
に駆動される放電セル１４の点灯率を検出し、その結果
をサブフィールド点灯率信号ＳＬとしてサブフィールド
処理器３へ出力する。
【００６５】ここで、点灯率とは、独立に点灯／非点灯
の状態に制御することができる放電空間の最小単位を放
電セルと呼ぶとすると、 （点灯率）＝（同時に点灯させる放電セルの数）／（Ｐ
ＤＰの全放電セル数） をいうものとする。
の状態に制御することができる放電空間の最小単位を放
電セルと呼ぶとすると、 （点灯率）＝（同時に点灯させる放電セルの数）／（Ｐ
ＤＰの全放電セル数） をいうものとする。
【００６６】具体的には、サブフィールド点灯率測定器
８は、映像信号−サブフィールド対応付け器２によって
生成されるサブフィールドごとの放電セルの点灯／非点
灯を表す１ビット情報に分解された映像信号情報を用い
てすべてのサブフィールドの点灯率を別々に計算し、そ
の結果をサブフィールド点灯率信号ＳＬとしてサブフィ
ールド処理器３へ出力する。
８は、映像信号−サブフィールド対応付け器２によって
生成されるサブフィールドごとの放電セルの点灯／非点
灯を表す１ビット情報に分解された映像信号情報を用い
てすべてのサブフィールドの点灯率を別々に計算し、そ
の結果をサブフィールド点灯率信号ＳＬとしてサブフィ
ールド処理器３へ出力する。
【００６７】例えば、サブフィールド点灯率測定器８
は、内部にカウンタを備え、点灯／非点灯を表す１ビッ
ト情報に分解された映像信号情報が点灯を表す場合にカ
ウンタの値を１ずつ増加させることにより点灯している
放電セルの総数をサブフィールドごとに求め、これをＰ
ＤＰ７のすべての放電セル数で除算して点灯率を求め
る。
は、内部にカウンタを備え、点灯／非点灯を表す１ビッ
ト情報に分解された映像信号情報が点灯を表す場合にカ
ウンタの値を１ずつ増加させることにより点灯している
放電セルの総数をサブフィールドごとに求め、これをＰ
ＤＰ７のすべての放電セル数で除算して点灯率を求め
る。
【００６８】サブフィールド処理器３は、サブフィール
ドごとの画像データＳＰおよびサブフィールド点灯率信
号ＳＬ等からデータドライバ駆動制御信号ＤＳ、スキャ
ンドライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステインドライバ
駆動制御信号ＵＳを作成し、それぞれデータドライバ
４、スキャンドライバ５およびサステインドライバ６へ
出力する。
ドごとの画像データＳＰおよびサブフィールド点灯率信
号ＳＬ等からデータドライバ駆動制御信号ＤＳ、スキャ
ンドライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステインドライバ
駆動制御信号ＵＳを作成し、それぞれデータドライバ
４、スキャンドライバ５およびサステインドライバ６へ
出力する。
【００６９】ＰＤＰ７は、複数のアドレス電極（データ
電極）１１、複数のスキャン電極（走査電極）１２およ
び複数のサステイン電極（維持電極）１３を含む。複数
のアドレス電極１１は、画面の垂直方向に配列され、複
数のスキャン電極１２および複数のサステイン電極１３
は、画面の水平方向に配列されている。また、複数のサ
ステイン電極１３は、共通に接続されている。アドレス
電極１１、スキャン電極１２およびサステイン電極１３
の各交点には、放電セル１４が形成され、各放電セル１
４が画面上の画素を構成する。
電極）１１、複数のスキャン電極（走査電極）１２およ
び複数のサステイン電極（維持電極）１３を含む。複数
のアドレス電極１１は、画面の垂直方向に配列され、複
数のスキャン電極１２および複数のサステイン電極１３
は、画面の水平方向に配列されている。また、複数のサ
ステイン電極１３は、共通に接続されている。アドレス
電極１１、スキャン電極１２およびサステイン電極１３
の各交点には、放電セル１４が形成され、各放電セル１
４が画面上の画素を構成する。
【００７０】データドライバ４は、ＰＤＰ７の複数のア
ドレス電極１１に接続されている。スキャンドライバ５
は、各スキャン電極１２ごとに設けられた駆動回路を内
部に備え、各駆動回路がＰＤＰ７の対応するスキャン電
極１２に接続されている。サステインドライバ６は、Ｐ
ＤＰ７の複数のサステイン電極１３に接続されている。
ドレス電極１１に接続されている。スキャンドライバ５
は、各スキャン電極１２ごとに設けられた駆動回路を内
部に備え、各駆動回路がＰＤＰ７の対応するスキャン電
極１２に接続されている。サステインドライバ６は、Ｐ
ＤＰ７の複数のサステイン電極１３に接続されている。
【００７１】データドライバ４は、データドライバ駆動
制御信号ＤＳに従い、書き込み期間において、画像デー
タＳＰに応じてＰＤＰ７の該当するアドレス電極１１に
書き込みパルスを印加する。スキャンドライバ５は、ス
キャンドライバ駆動制御信号ＣＳに従い、書き込み期間
において、シフトパルスを垂直走査方向にシフトしつつ
ＰＤＰ７の複数のスキャン電極１２に書き込みパルスを
順に印加する。これにより、該当する放電セル１４にお
いてアドレス放電が行われる。
制御信号ＤＳに従い、書き込み期間において、画像デー
タＳＰに応じてＰＤＰ７の該当するアドレス電極１１に
書き込みパルスを印加する。スキャンドライバ５は、ス
キャンドライバ駆動制御信号ＣＳに従い、書き込み期間
において、シフトパルスを垂直走査方向にシフトしつつ
ＰＤＰ７の複数のスキャン電極１２に書き込みパルスを
順に印加する。これにより、該当する放電セル１４にお
いてアドレス放電が行われる。
【００７２】また、スキャンドライバ５は、スキャンド
ライバ駆動制御信号ＣＳに従い、維持期間において、周
期的な維持パルスをＰＤＰ７の複数のスキャン電極１２
に印加する。一方、サステインドライバ６は、サステイ
ンドライバ駆動制御信号ＵＳに従い、維持期間におい
て、ＰＤＰ７の複数のサステイン電極１３に、スキャン
電極１２の維持パルスに対して１８０°位相のずれた維
持パルスを同時に印加する。これにより、該当する放電
セル１４において維持放電が行われる。
ライバ駆動制御信号ＣＳに従い、維持期間において、周
期的な維持パルスをＰＤＰ７の複数のスキャン電極１２
に印加する。一方、サステインドライバ６は、サステイ
ンドライバ駆動制御信号ＵＳに従い、維持期間におい
て、ＰＤＰ７の複数のサステイン電極１３に、スキャン
電極１２の維持パルスに対して１８０°位相のずれた維
持パルスを同時に印加する。これにより、該当する放電
セル１４において維持放電が行われる。
【００７３】また、上記の維持期間において、スキャン
ドライバ５およびサステインドライバ６は、後述するよ
うに、スキャンドライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステ
インドライバ駆動制御信号ＵＳに従い、サブフィールド
点灯率信号ＳＬに応じて維持パルスの波形および周期を
変化させる。
ドライバ５およびサステインドライバ６は、後述するよ
うに、スキャンドライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステ
インドライバ駆動制御信号ＵＳに従い、サブフィールド
点灯率信号ＳＬに応じて維持パルスの波形および周期を
変化させる。
【００７４】図１に示すプラズマディスプレイ装置で
は、階調表示駆動方式として、ＡＤＳ（Address Displa
y-Period Separation ：アドレス・表示期間分離）方式
が用いられている。ＡＤＳ方式では、１フィールド（１
／６０秒＝１６．６７ｍｓ）を複数のサブフィールドに
時間的に分割する。
は、階調表示駆動方式として、ＡＤＳ（Address Displa
y-Period Separation ：アドレス・表示期間分離）方式
が用いられている。ＡＤＳ方式では、１フィールド（１
／６０秒＝１６．６７ｍｓ）を複数のサブフィールドに
時間的に分割する。
【００７５】例えば、８ビットで２５６階調表示を行う
場合には、１フィールドを８つのサブフィールドＳＦ１
〜ＳＦ８に分割する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８
では、それぞれ、１、２、４、８、１６、３２、６４、
１２８の明るさの重み付けがなされ、これらのサブフィ
ールドＳＦ１〜ＳＦ８を組み合わせることにより、明る
さのレベルを０〜２５５までの２５６段階で調整し、階
調表示を行うことができる。なお、サブフィールドの分
割数および重み付け値等は、上記の例に特に限定され
ず、種々の変更が可能であり、例えば、動画疑似輪郭を
低減するために、サブフィールドＳＦ８を二つに分割し
て二つのサブフィールドの重み付け値を６４に設定して
もよい。
場合には、１フィールドを８つのサブフィールドＳＦ１
〜ＳＦ８に分割する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８
では、それぞれ、１、２、４、８、１６、３２、６４、
１２８の明るさの重み付けがなされ、これらのサブフィ
ールドＳＦ１〜ＳＦ８を組み合わせることにより、明る
さのレベルを０〜２５５までの２５６段階で調整し、階
調表示を行うことができる。なお、サブフィールドの分
割数および重み付け値等は、上記の例に特に限定され
ず、種々の変更が可能であり、例えば、動画疑似輪郭を
低減するために、サブフィールドＳＦ８を二つに分割し
て二つのサブフィールドの重み付け値を６４に設定して
もよい。
【００７６】図２は、図１のＰＤＰ７におけるスキャン
電極１２およびサステイン電極１３の駆動電圧の一例を
示すタイミング図である。
電極１２およびサステイン電極１３の駆動電圧の一例を
示すタイミング図である。
【００７７】初期化および書き込み期間には、複数のス
キャン電極１２に初期化パルス（セットアップパルス）
Ｐｓｅｔが同時に印加される。その後、複数のスキャン
電極１２に書き込みパルスＰｗが順に印加される。これ
により、ＰＤＰ７の該当する放電セルにおいてアドレス
放電が起こる。
キャン電極１２に初期化パルス（セットアップパルス）
Ｐｓｅｔが同時に印加される。その後、複数のスキャン
電極１２に書き込みパルスＰｗが順に印加される。これ
により、ＰＤＰ７の該当する放電セルにおいてアドレス
放電が起こる。
【００７８】次に、維持期間において、複数のスキャン
電極１２に維持パルスＰｓｃが周期的に印加され、複数
のサステイン電極１３に維持パルスＰｓｕが周期的に印
加される。維持パルスＰｓｕの位相は、維持パルスＰｓ
ｃの位相に対して１８０°ずれている。これにより、ア
ドレス放電に続いて維持放電が起こる。
電極１２に維持パルスＰｓｃが周期的に印加され、複数
のサステイン電極１３に維持パルスＰｓｕが周期的に印
加される。維持パルスＰｓｕの位相は、維持パルスＰｓ
ｃの位相に対して１８０°ずれている。これにより、ア
ドレス放電に続いて維持放電が起こる。
【００７９】図３は、図１に示すサステインドライバ６
の構成を示す回路図である。なお、スキャンドライバ５
は、サステインドライバ６と同様に構成され、同様に動
作するので、スキャンドライバ５に関する詳細な説明を
省略し、サステインドライバ６についてのみ、以下詳細
に説明する。
の構成を示す回路図である。なお、スキャンドライバ５
は、サステインドライバ６と同様に構成され、同様に動
作するので、スキャンドライバ５に関する詳細な説明を
省略し、サステインドライバ６についてのみ、以下詳細
に説明する。
【００８０】図３に示すサステインドライバ６は、ＦＥ
Ｔ（電界効果型トランジスタ、以下トランジスタと称
す）Ｑ１〜Ｑ４、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬお
よびダイオードＤ１，Ｄ２を含む。
Ｔ（電界効果型トランジスタ、以下トランジスタと称
す）Ｑ１〜Ｑ４、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬお
よびダイオードＤ１，Ｄ２を含む。
【００８１】トランジスタＱ１は、一端が電源端子Ｖ１
に接続され、他端がノードＮ１に接続され、ゲートには
制御信号Ｓ１が入力される。電源端子Ｖ１には、維持電
圧Ｖｓｕｓが印加される。トランジスタＱ２は、一端が
ノードＮ１に接続され、他端が接地端子に接続され、ゲ
ートには制御信号Ｓ２が入力される。
に接続され、他端がノードＮ１に接続され、ゲートには
制御信号Ｓ１が入力される。電源端子Ｖ１には、維持電
圧Ｖｓｕｓが印加される。トランジスタＱ２は、一端が
ノードＮ１に接続され、他端が接地端子に接続され、ゲ
ートには制御信号Ｓ２が入力される。
【００８２】ノードＮ１は、例えば４８０本のサステイ
ン電極１３に接続されているが、図３では、複数のサス
テイン電極１３と接地端子との間の全容量に相当するパ
ネル容量Ｃｐが示されている。なお、この点に関して
は、以下の他の実施の形態によるサステインドライバに
ついても同様である。
ン電極１３に接続されているが、図３では、複数のサス
テイン電極１３と接地端子との間の全容量に相当するパ
ネル容量Ｃｐが示されている。なお、この点に関して
は、以下の他の実施の形態によるサステインドライバに
ついても同様である。
【００８３】回収コンデンサＣｒは、ノードＮ３と接地
端子との間に接続される。トランジスタＱ３およびダイ
オードＤ１は、ノードＮ３とノードＮ２との間に直列に
接続される。ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４
は、ノードＮ２とノードＮ３との間に直列に接続され
る。トランジスタＱ３のゲートには、制御信号Ｓ３が入
力され、トランジスタＱ４のゲートには制御信号Ｓ４が
入力される。回収コイルＬは、ノードＮ２とノードＮ１
との間に接続される。
端子との間に接続される。トランジスタＱ３およびダイ
オードＤ１は、ノードＮ３とノードＮ２との間に直列に
接続される。ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４
は、ノードＮ２とノードＮ３との間に直列に接続され
る。トランジスタＱ３のゲートには、制御信号Ｓ３が入
力され、トランジスタＱ４のゲートには制御信号Ｓ４が
入力される。回収コイルＬは、ノードＮ２とノードＮ１
との間に接続される。
【００８４】図４は、図１に示すサブフィールド処理器
３の構成を示すブロック図である。図４に示すサブフィ
ールド処理器３は、点灯率／回収時間ＬＵＴ（ルックア
ップテーブル）３１、回収時間決定部３２、点灯率／維
持周期ＬＵＴ３３、維持周期決定部３４および放電制御
信号発生器３５を含む。
３の構成を示すブロック図である。図４に示すサブフィ
ールド処理器３は、点灯率／回収時間ＬＵＴ（ルックア
ップテーブル）３１、回収時間決定部３２、点灯率／維
持周期ＬＵＴ３３、維持周期決定部３４および放電制御
信号発生器３５を含む。
【００８５】点灯率／回収時間ＬＵＴ３１は、回収時間
決定部３２と接続され、実験データに基づく点灯率と回
収時間との関係をテーブル形式で記憶している。例え
ば、点灯率が０〜１０％に対して回収時間として１３０
０ｎｓが記憶され、点灯率が１０〜５０％に対して回収
時間として１１００ｎｓが記憶され、点灯率が５０〜８
０％に対して回収時間として９００ｎｓが記憶され、点
灯率が８０〜９０％に対して回収時間として７００ｎｓ
が記憶され、点灯率が９０〜１００％に対して６００ｎ
ｓが記憶されている。ここで、回収時間とは、回収コイ
ルＬおよびパネル容量ＣｐによるＬＣ共振により維持パ
ルスＰｓｕを駆動する時間をいう。
決定部３２と接続され、実験データに基づく点灯率と回
収時間との関係をテーブル形式で記憶している。例え
ば、点灯率が０〜１０％に対して回収時間として１３０
０ｎｓが記憶され、点灯率が１０〜５０％に対して回収
時間として１１００ｎｓが記憶され、点灯率が５０〜８
０％に対して回収時間として９００ｎｓが記憶され、点
灯率が８０〜９０％に対して回収時間として７００ｎｓ
が記憶され、点灯率が９０〜１００％に対して６００ｎ
ｓが記憶されている。ここで、回収時間とは、回収コイ
ルＬおよびパネル容量ＣｐによるＬＣ共振により維持パ
ルスＰｓｕを駆動する時間をいう。
【００８６】回収時間決定部３２は、放電制御信号発生
器３５に接続され、サブフィールド点灯率測定器８から
出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対応
する回収時間を点灯率／回収時間ＬＵＴ３１から読み出
し、読み出した回収時間を放電制御信号発生器３５へ出
力する。なお、回収時間の決定は、上記のように実験デ
ータに基づく点灯率と回収時間との関係をテーブル形式
で記憶する例に特に限定されず、点灯率と回収時間との
関係を表す近似式から点灯率に対応する回収時間を求め
るようにしてもよい。
器３５に接続され、サブフィールド点灯率測定器８から
出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対応
する回収時間を点灯率／回収時間ＬＵＴ３１から読み出
し、読み出した回収時間を放電制御信号発生器３５へ出
力する。なお、回収時間の決定は、上記のように実験デ
ータに基づく点灯率と回収時間との関係をテーブル形式
で記憶する例に特に限定されず、点灯率と回収時間との
関係を表す近似式から点灯率に対応する回収時間を求め
るようにしてもよい。
【００８７】点灯率／維持周期ＬＵＴ３３は、維持周期
決定部３４と接続され、実験データに基づく点灯率と維
持周期との関係をテーブル形式で記憶している。例え
ば、点灯率が０〜５０％に対して維持周期として８μｓ
が記憶され、点灯率が５０〜８０％に対して維持周期と
して７μｓが記憶され、点灯率が８０〜１００％に対し
て維持周期として６μｓが記憶されている。ここで、維
持周期とは、維持パルスＰｓｕの周期をいう。
決定部３４と接続され、実験データに基づく点灯率と維
持周期との関係をテーブル形式で記憶している。例え
ば、点灯率が０〜５０％に対して維持周期として８μｓ
が記憶され、点灯率が５０〜８０％に対して維持周期と
して７μｓが記憶され、点灯率が８０〜１００％に対し
て維持周期として６μｓが記憶されている。ここで、維
持周期とは、維持パルスＰｓｕの周期をいう。
【００８８】維持周期決定部３４は、放電制御信号発生
器３５と接続され、サブフィールド点灯率測定器８から
出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対応
する維持周期を点灯率／維持周期ＬＵＴ３３から読み出
し、読み出した維持周期を放電制御信号発生器３５へ出
力する。なお、維持周期の決定は、上記のように実験デ
ータに基づく点灯率と維持周期との関係をテーブル形式
で記憶する例に特に限定されず、点灯率と維持周期との
関係を表す近似式等を用いてもよい。
器３５と接続され、サブフィールド点灯率測定器８から
出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対応
する維持周期を点灯率／維持周期ＬＵＴ３３から読み出
し、読み出した維持周期を放電制御信号発生器３５へ出
力する。なお、維持周期の決定は、上記のように実験デ
ータに基づく点灯率と維持周期との関係をテーブル形式
で記憶する例に特に限定されず、点灯率と維持周期との
関係を表す近似式等を用いてもよい。
【００８９】放電制御信号発生器３５は、回収時間決定
部３２により決定された回収時間および維持周期決定部
３４に決定された維持周期でサステインドライバ６が維
持パルスＰｓｕを出力するように、サステインドライバ
駆動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ４を出力す
る。
部３２により決定された回収時間および維持周期決定部
３４に決定された維持周期でサステインドライバ６が維
持パルスＰｓｕを出力するように、サステインドライバ
駆動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ４を出力す
る。
【００９０】なお、スキャンドライバ５についても上記
と同様にサブフィールド処理器３により制御され、同様
にサブフィールドの点灯率に応じてスキャン電極１２に
印加される維持パルスの波形および周期が制御される。
と同様にサブフィールド処理器３により制御され、同様
にサブフィールドの点灯率に応じてスキャン電極１２に
印加される維持パルスの波形および周期が制御される。
【００９１】本実施の形態では、トランジスタＱ３，Ｑ
４、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬおよびダイオー
ドＤ１，Ｄ２が回収手段に相当し、サブフィールド点灯
率測定器８が検出手段およびサブフィールド点灯率検出
手段に相当し、サブフィールド処理器３が制御手段に相
当し、映像信号−サブフィールド対応付け器２が変換手
段に相当する。また、回収コイルＬがインダクタンス手
段およびインダクタンス素子に相当し、トランジスタＱ
３，Ｑ４、回収コンデンサＣｒおよびダイオードＤ１，
Ｄ２が共振駆動手段に相当する。
４、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬおよびダイオー
ドＤ１，Ｄ２が回収手段に相当し、サブフィールド点灯
率測定器８が検出手段およびサブフィールド点灯率検出
手段に相当し、サブフィールド処理器３が制御手段に相
当し、映像信号−サブフィールド対応付け器２が変換手
段に相当する。また、回収コイルＬがインダクタンス手
段およびインダクタンス素子に相当し、トランジスタＱ
３，Ｑ４、回収コンデンサＣｒおよびダイオードＤ１，
Ｄ２が共振駆動手段に相当する。
【００９２】図５は、図３に示すサステインドライバ６
の維持期間の動作の一例を示すタイミング図である。図
５には、図３のノードＮ１の電圧およびトランジスタＱ
１〜Ｑ４に入力される制御信号Ｓ１〜Ｓ４が示される。
の維持期間の動作の一例を示すタイミング図である。図
５には、図３のノードＮ１の電圧およびトランジスタＱ
１〜Ｑ４に入力される制御信号Ｓ１〜Ｓ４が示される。
【００９３】まず、期間ＴＡにおいて、制御信号Ｓ２が
ローレベルになりトランジスタＱ２がオフし、制御信号
Ｓ３がハイレベルになりトランジスタＱ３がオンする。
このとき、制御信号Ｓ１はローレベルにありトランジス
タＱ１はオフし、制御信号Ｓ４はローレベルにありトラ
ンジスタＱ４はオフしている。したがって、回収コンデ
ンサＣｒがトランジスタＱ３およびダイオードＤ１を介
して回収コイルＬに接続され、回収コイルＬおよびパネ
ル容量ＣｐによるＬＣ共振により、ノードＮ１の電圧が
接地電位からピーク電圧Ｖｐまで上昇する。
ローレベルになりトランジスタＱ２がオフし、制御信号
Ｓ３がハイレベルになりトランジスタＱ３がオンする。
このとき、制御信号Ｓ１はローレベルにありトランジス
タＱ１はオフし、制御信号Ｓ４はローレベルにありトラ
ンジスタＱ４はオフしている。したがって、回収コンデ
ンサＣｒがトランジスタＱ３およびダイオードＤ１を介
して回収コイルＬに接続され、回収コイルＬおよびパネ
ル容量ＣｐによるＬＣ共振により、ノードＮ１の電圧が
接地電位からピーク電圧Ｖｐまで上昇する。
【００９４】このとき、ノードＮ１の電圧が維持期間に
おける放電開始電圧を越えると、放電セル１４が放電を
開始し、維持放電が行われる。また、回収コンデンサＣ
ｒの電荷がトランジスタＱ３、ダイオードＤ１および回
収コイルＬを介してパネル容量Ｃｐへ放出される。
おける放電開始電圧を越えると、放電セル１４が放電を
開始し、維持放電が行われる。また、回収コンデンサＣ
ｒの電荷がトランジスタＱ３、ダイオードＤ１および回
収コイルＬを介してパネル容量Ｃｐへ放出される。
【００９５】次に、期間ＴＢにおいて、制御信号Ｓ１が
ハイレベルになりトランジスタＱ１がオンし、制御信号
Ｓ３がローレベルになりトランジスタＱ３がオフする。
したがって、ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続され、ノ
ードＮ１の電圧が上昇し、維持電圧Ｖｓｕｓに固定され
る。
ハイレベルになりトランジスタＱ１がオンし、制御信号
Ｓ３がローレベルになりトランジスタＱ３がオフする。
したがって、ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続され、ノ
ードＮ１の電圧が上昇し、維持電圧Ｖｓｕｓに固定され
る。
【００９６】次に、期間ＴＣにおいて、制御信号Ｓ１が
ローレベルになりトランジスタＱ１がオフし、制御信号
Ｓ４がハイレベルになりトランジスタＱ４がオンする。
したがって、回収コンデンサＣｒがダイオードＤ２およ
びトランジスタＱ４を介して回収コイルＬに接続され、
回収コイルＬおよびパネル容量ＣｐによるＬＣ共振によ
り、ノードＮ１の電圧が緩やかに降下する。このとき、
パネル容量Ｃｐに蓄えられた電荷は、回収コイルＬ、ダ
イオードＤ２およびトランジスタＱ４を介して回収コン
デンサＣｒに蓄えられ、電荷が回収される。
ローレベルになりトランジスタＱ１がオフし、制御信号
Ｓ４がハイレベルになりトランジスタＱ４がオンする。
したがって、回収コンデンサＣｒがダイオードＤ２およ
びトランジスタＱ４を介して回収コイルＬに接続され、
回収コイルＬおよびパネル容量ＣｐによるＬＣ共振によ
り、ノードＮ１の電圧が緩やかに降下する。このとき、
パネル容量Ｃｐに蓄えられた電荷は、回収コイルＬ、ダ
イオードＤ２およびトランジスタＱ４を介して回収コン
デンサＣｒに蓄えられ、電荷が回収される。
【００９７】次に、期間ＴＤにおいて、制御信号Ｓ２が
ハイレベルになりトランジスタＱ２がオンし、制御信号
Ｓ４がローレベルになりトランジスタＱ４がオフする。
したがって、ノードＮ１が接地端子に接続され、ノード
Ｎ１の電圧が降下し、接地電位に固定される。
ハイレベルになりトランジスタＱ２がオンし、制御信号
Ｓ４がローレベルになりトランジスタＱ４がオフする。
したがって、ノードＮ１が接地端子に接続され、ノード
Ｎ１の電圧が降下し、接地電位に固定される。
【００９８】ここで、図５に示す例では、期間ＴＡ，Ｔ
Ｃが回収時間であり、このうち期間ＴＡが放電セルが放
電する放電回収時間であり、期間ＴＣが放電セルが放電
しない非放電回収時間である。
Ｃが回収時間であり、このうち期間ＴＡが放電セルが放
電する放電回収時間であり、期間ＴＣが放電セルが放電
しない非放電回収時間である。
【００９９】また、回収コイルＬおよびパネル容量Ｃｐ
によるＬＣ共振により維持パルスＰｓｕがピークに達す
るまでの時間を共振時間というものとし、回収コイルＬ
のインダクタンス値をＬおよびパネル容量Ｃｐの容量を
Ｃｐとすると、共振時間Ｔｒは、次式で表される。
によるＬＣ共振により維持パルスＰｓｕがピークに達す
るまでの時間を共振時間というものとし、回収コイルＬ
のインダクタンス値をＬおよびパネル容量Ｃｐの容量を
Ｃｐとすると、共振時間Ｔｒは、次式で表される。
【０１００】Ｔｒ＝π（Ｌ・Ｃｐ）1/2
したがって、図５に示す例では、期間ＴＡの終了時に維
持パルスＰｓｕが回収コイルＬおよびパネル容量Ｃｐに
よるＬＣ共振によるピーク電圧Ｖｐに達しているため、
期間ＴＡは、共振時間でもある。
持パルスＰｓｕが回収コイルＬおよびパネル容量Ｃｐに
よるＬＣ共振によるピーク電圧Ｖｐに達しているため、
期間ＴＡは、共振時間でもある。
【０１０１】上記の動作を維持期間において繰り返し行
うことにより、接地電位から維持電圧Ｖｓｕｓに立ち上
がるときに放電セル１４を放電させる周期的な維持パル
スＰｓｕを複数のサステイン電極１３に印加することが
できる。なお、上記と同様にして、スキャン電極１２に
も、スキャンドライバ５により上記の維持パルスＰｓｕ
と同様の波形を有し、１８０°位相のずれた維持パルス
Ｐｓｃが周期的に印加される。
うことにより、接地電位から維持電圧Ｖｓｕｓに立ち上
がるときに放電セル１４を放電させる周期的な維持パル
スＰｓｕを複数のサステイン電極１３に印加することが
できる。なお、上記と同様にして、スキャン電極１２に
も、スキャンドライバ５により上記の維持パルスＰｓｕ
と同様の波形を有し、１８０°位相のずれた維持パルス
Ｐｓｃが周期的に印加される。
【０１０２】図６は回収時間および共振時間を説明する
ための波形図である。図６において、ＣＬは図３のノー
ドＮ１を電源電圧（維持電圧Ｖｓｕｓ）にクランプする
タイミングを表す。回収時間は、回収開始からノードＮ
１を電源電圧にクランプするまでの時間である。一方、
共振時間は、回収開始からノードＮ１がＬＣ共振による
波形の本来のピーク電圧に達するまでの時間である。
ための波形図である。図６において、ＣＬは図３のノー
ドＮ１を電源電圧（維持電圧Ｖｓｕｓ）にクランプする
タイミングを表す。回収時間は、回収開始からノードＮ
１を電源電圧にクランプするまでの時間である。一方、
共振時間は、回収開始からノードＮ１がＬＣ共振による
波形の本来のピーク電圧に達するまでの時間である。
【０１０３】図７は回収時間の可変制御を説明するため
の波形図である。共振時間を固定して回収時間を変化さ
せた場合には、トランジスタＱ１がオンすることにより
ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続された時点からノード
Ｎ１の電圧が電源電圧に達するまでのノードＮ１の電圧
の上昇量が変化する。それにより、無効電力損失が変化
する。この場合、回収時間が長いほど無効電力損失が小
さくなる。
の波形図である。共振時間を固定して回収時間を変化さ
せた場合には、トランジスタＱ１がオンすることにより
ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続された時点からノード
Ｎ１の電圧が電源電圧に達するまでのノードＮ１の電圧
の上昇量が変化する。それにより、無効電力損失が変化
する。この場合、回収時間が長いほど無効電力損失が小
さくなる。
【０１０４】図８は共振時間の可変制御を説明するため
の波形図である。回収時間を固定して共振時間を変化さ
せた場合には、トランジスタＱ１がオンすることにより
ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続された時点からノード
Ｎ１の電圧が電源電圧に達するまでのノードＮ１の電圧
の上昇量が変化する。それにより、無効電力損失が変化
する。この場合、共振時間が短いほど無効電力損失が小
さくなる。
の波形図である。回収時間を固定して共振時間を変化さ
せた場合には、トランジスタＱ１がオンすることにより
ノードＮ１が電源端子Ｖ１に接続された時点からノード
Ｎ１の電圧が電源電圧に達するまでのノードＮ１の電圧
の上昇量が変化する。それにより、無効電力損失が変化
する。この場合、共振時間が短いほど無効電力損失が小
さくなる。
【０１０５】次に、図１に示すサブフィールド処理器３
による維持パルスの回収時間および維持周期の制御動作
について説明する。
による維持パルスの回収時間および維持周期の制御動作
について説明する。
【０１０６】図９は、回収時間と無効電力損失との関係
の一例を示す図であり、共振時間を１３００ｎｓに固定
し、回収時間を変化させたときの１パルス当たりの無効
電力損失を計測したデータを示している。図９に示すよ
うに、回収時間が長くなるほど、１パルス当たりの無効
電力損失が小さくなることがわかる。
の一例を示す図であり、共振時間を１３００ｎｓに固定
し、回収時間を変化させたときの１パルス当たりの無効
電力損失を計測したデータを示している。図９に示すよ
うに、回収時間が長くなるほど、１パルス当たりの無効
電力損失が小さくなることがわかる。
【０１０７】図１０は、各回収時間における点灯率と安
定に放電を行うことができる安定放電電圧との関係の一
例を示す図である。図１０に示すように、回収時間が長
くなるにつれ、点灯率が同じ場合でも、安定放電電圧が
高くなることがわかる。例えば、回収時間が１３００ｎ
ｓの場合、点灯率が０〜１０％の範囲では、維持パルス
Ｐｓｕの維持電圧Ｖｓｕｓ以下で安定に放電することが
できるが、約２５％を超えた時点から維持電圧Ｖｓｕｓ
では安定に放電できなくなることがわかる。
定に放電を行うことができる安定放電電圧との関係の一
例を示す図である。図１０に示すように、回収時間が長
くなるにつれ、点灯率が同じ場合でも、安定放電電圧が
高くなることがわかる。例えば、回収時間が１３００ｎ
ｓの場合、点灯率が０〜１０％の範囲では、維持パルス
Ｐｓｕの維持電圧Ｖｓｕｓ以下で安定に放電することが
できるが、約２５％を超えた時点から維持電圧Ｖｓｕｓ
では安定に放電できなくなることがわかる。
【０１０８】このように、回収時間が短い場合、点灯率
が大きい場合でも小さい場合でも安定に放電を行うこと
ができるが、回収時間が長くなると、点灯率が小さい場
合は安定に発光することができるが、点灯率が大きくな
ると、安定に放電することができない。
が大きい場合でも小さい場合でも安定に放電を行うこと
ができるが、回収時間が長くなると、点灯率が小さい場
合は安定に発光することができるが、点灯率が大きくな
ると、安定に放電することができない。
【０１０９】したがって、本実施の形態では、点灯率が
小さい場合に回収時間を長くし、点灯率が大きい場合に
回収時間を短くし、いずれの点灯率の場合でも安定に放
電させながら、点灯率が小さいときの無効電力を低減し
ている。
小さい場合に回収時間を長くし、点灯率が大きい場合に
回収時間を短くし、いずれの点灯率の場合でも安定に放
電させながら、点灯率が小さいときの無効電力を低減し
ている。
【０１１０】具体的には、図１０に示す実線部分を用
い、点灯率が０〜１０％の範囲では回収時間を１３００
ｎｓに設定し、点灯率が１０〜５０％の範囲では回収時
間を１１００ｎｓに設定し、点灯率が５０〜８０％の範
囲では回収時間を９００ｎｓに設定し、点灯率が８０〜
９０％の範囲では回収時間を７００ｎｓに設定し、点灯
率が９０〜１００％の範囲では回収時間を６００ｎｓに
設定している。
い、点灯率が０〜１０％の範囲では回収時間を１３００
ｎｓに設定し、点灯率が１０〜５０％の範囲では回収時
間を１１００ｎｓに設定し、点灯率が５０〜８０％の範
囲では回収時間を９００ｎｓに設定し、点灯率が８０〜
９０％の範囲では回収時間を７００ｎｓに設定し、点灯
率が９０〜１００％の範囲では回収時間を６００ｎｓに
設定している。
【０１１１】すなわち、サブフィールド処理器３は、点
灯率が０〜１０％の場合に、期間ＴＡが１３００ｎｓに
なるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が１
０〜５０％の場合に、期間ＴＡが１１００ｎｓとなるよ
うに制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が５０〜８
０％の場合に、期間ＴＡが９００ｎｓとなるように制御
信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が８０〜９０％の場
合に、期間ＴＡが７００ｎｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ４を発生させ、点灯率が９０〜１００％の場合に、
期間ＴＡが６００ｎｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４
を発生させている。
灯率が０〜１０％の場合に、期間ＴＡが１３００ｎｓに
なるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が１
０〜５０％の場合に、期間ＴＡが１１００ｎｓとなるよ
うに制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が５０〜８
０％の場合に、期間ＴＡが９００ｎｓとなるように制御
信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が８０〜９０％の場
合に、期間ＴＡが７００ｎｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ４を発生させ、点灯率が９０〜１００％の場合に、
期間ＴＡが６００ｎｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４
を発生させている。
【０１１２】この結果、全ての点灯率に対して維持電圧
Ｖｓｕｓに対して十分低い電圧で安定に放電することが
できるとともに、点灯率が小さくなるほど回収時間を長
くし、点灯率の低下とともに無効電力を低減している。
Ｖｓｕｓに対して十分低い電圧で安定に放電することが
できるとともに、点灯率が小さくなるほど回収時間を長
くし、点灯率の低下とともに無効電力を低減している。
【０１１３】また、サブフィールド処理器３は、点灯率
が０〜１０％の場合に、維持周期が８μｓとなるように
制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が１０〜５０％
の場合に、維持周期が７μｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ４を発生させ、点灯率が８０〜１００％の場合に、
維持周期が６μｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発
生させている。したがって、点灯率が小さい場合に駆動
パルスの周期を長くして回収時間を十分に確保すること
ができる。
が０〜１０％の場合に、維持周期が８μｓとなるように
制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発生させ、点灯率が１０〜５０％
の場合に、維持周期が７μｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ４を発生させ、点灯率が８０〜１００％の場合に、
維持周期が６μｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ４を発
生させている。したがって、点灯率が小さい場合に駆動
パルスの周期を長くして回収時間を十分に確保すること
ができる。
【０１１４】上記のように、本実施の形態では、サブフ
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの回収
時間および維持周期を長くしている。したがって、点灯
率が大きい場合は回収時間を短くして安定に放電できる
ようにすることができるとともに、点灯率が小さい場合
は回収時間を長くして無効電力を低減することができ
る。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行うこ
とができるとともに、無効電力を低減して消費電力を低
減することができる。
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの回収
時間および維持周期を長くしている。したがって、点灯
率が大きい場合は回収時間を短くして安定に放電できる
ようにすることができるとともに、点灯率が小さい場合
は回収時間を長くして無効電力を低減することができ
る。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行うこ
とができるとともに、無効電力を低減して消費電力を低
減することができる。
【０１１５】また、本実施の形態のプラズマディスプレ
イ装置は、簡単な回路構成で実現される。
イ装置は、簡単な回路構成で実現される。
【０１１６】なお、本実施の形態では、点灯率に応じて
回収時間および維持周期をともに変化させているが、回
収時間のみを変化させるようにしてもよい。
回収時間および維持周期をともに変化させているが、回
収時間のみを変化させるようにしてもよい。
【０１１７】次に、本発明の第２の実施の形態によるプ
ラズマディスプレイ装置について説明する。図１１は、
本発明の第２の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
ラズマディスプレイ装置について説明する。図１１は、
本発明の第２の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
【０１１８】図１１に示すプラズマディスプレイ装置と
図１に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点は、
サブフィールドごとの点灯率に応じてスキャンドライバ
５ａおよびサステインドライバ６ａのインダクタンス値
を変化させるインダクタンス制御回路９が付加された点
であり、その他の点は図１に示すプラズマディスプレイ
装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付し、
以下異なる部分として点灯率に応じた共振時間の制御に
ついてのみ詳細に説明する。なお、本実施の形態でも、
第１の実施の形態と同様に点灯率に応じて回収時間およ
び維持周期が制御される。
図１に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点は、
サブフィールドごとの点灯率に応じてスキャンドライバ
５ａおよびサステインドライバ６ａのインダクタンス値
を変化させるインダクタンス制御回路９が付加された点
であり、その他の点は図１に示すプラズマディスプレイ
装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付し、
以下異なる部分として点灯率に応じた共振時間の制御に
ついてのみ詳細に説明する。なお、本実施の形態でも、
第１の実施の形態と同様に点灯率に応じて回収時間およ
び維持周期が制御される。
【０１１９】図１１に示すインダクタンス制御回路９
は、サブフィールド点灯率測定器８から出力されるサブ
フィールド点灯率信号ＳＬを受け、サブフィールドごと
の点灯率に応じてＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
を制御するためのインダクタンス制御信号ＬＣ，ＬＵを
スキャンドライバ５ａおよびサステインドライバ６ａへ
それぞれ出力する。
は、サブフィールド点灯率測定器８から出力されるサブ
フィールド点灯率信号ＳＬを受け、サブフィールドごと
の点灯率に応じてＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
を制御するためのインダクタンス制御信号ＬＣ，ＬＵを
スキャンドライバ５ａおよびサステインドライバ６ａへ
それぞれ出力する。
【０１２０】図１２は、図１１に示すインダクタンス制
御回路９の構成を示すブロック図である。図１２に示す
インダクタンス制御回路９は、点灯率／インダクタンス
ＬＵＴ９１およびインダクタンス決定部９２を含む。
御回路９の構成を示すブロック図である。図１２に示す
インダクタンス制御回路９は、点灯率／インダクタンス
ＬＵＴ９１およびインダクタンス決定部９２を含む。
【０１２１】点灯率／インダクタンスＬＵＴ９１は、イ
ンダクタンス決定部９２と接続され、実験データに基づ
く点灯率とＬＣ共振に寄与するインダクタンス値との関
係をテーブル形式で記憶している。例えば、点灯率が０
〜５０％に対してインダクタンス値として１８００ｎＨ
が記憶され、点灯率が５０〜８０％に対してインダクタ
ンス値として１３００ｎＨが記憶され、点灯率が８０〜
９０％に対してインダクタンス値として５２０ｎＨが記
憶され、点灯率が９０〜１００％に対してインダクタン
ス値として３６０ｎＨが記憶されている。
ンダクタンス決定部９２と接続され、実験データに基づ
く点灯率とＬＣ共振に寄与するインダクタンス値との関
係をテーブル形式で記憶している。例えば、点灯率が０
〜５０％に対してインダクタンス値として１８００ｎＨ
が記憶され、点灯率が５０〜８０％に対してインダクタ
ンス値として１３００ｎＨが記憶され、点灯率が８０〜
９０％に対してインダクタンス値として５２０ｎＨが記
憶され、点灯率が９０〜１００％に対してインダクタン
ス値として３６０ｎＨが記憶されている。
【０１２２】インダクタンス決定部９２は、サブフィー
ルド点灯率測定器８から出力されるサブフィールド点灯
率信号ＳＬに応じて対応するインダクタンス値を点灯率
／インダクタンスＬＵＴ９１から読み出し、スキャンド
ライバ５ａおよびサステインドライバ６ａのＬＣ共振に
寄与するインダクタンス値を読み出したインダクタンス
値に設定するためのインダクタンス制御信号ＬＣ，ＬＵ
をスキャンドライバ５ａおよびサステインドライバ６ａ
へそれぞれ出力する。なお、インダクタンス値の決定
は、上記のように実験データに基づく点灯率とインダク
タンス値との関係をテーブル形式で記憶する例に特に限
定されず、点灯率とインダクタンス値との関係を表す近
似式から点灯率に対応するインダクタンス値を求めるよ
うにしてもよい。
ルド点灯率測定器８から出力されるサブフィールド点灯
率信号ＳＬに応じて対応するインダクタンス値を点灯率
／インダクタンスＬＵＴ９１から読み出し、スキャンド
ライバ５ａおよびサステインドライバ６ａのＬＣ共振に
寄与するインダクタンス値を読み出したインダクタンス
値に設定するためのインダクタンス制御信号ＬＣ，ＬＵ
をスキャンドライバ５ａおよびサステインドライバ６ａ
へそれぞれ出力する。なお、インダクタンス値の決定
は、上記のように実験データに基づく点灯率とインダク
タンス値との関係をテーブル形式で記憶する例に特に限
定されず、点灯率とインダクタンス値との関係を表す近
似式から点灯率に対応するインダクタンス値を求めるよ
うにしてもよい。
【０１２３】上記の構成により、インダクタンス制御回
路９は、サブフィールド点灯率測定器８により測定され
た点灯率に応じてスキャンドライバ５ａおよびサステイ
ンドライバ６ａのＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
を制御する。
路９は、サブフィールド点灯率測定器８により測定され
た点灯率に応じてスキャンドライバ５ａおよびサステイ
ンドライバ６ａのＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
を制御する。
【０１２４】図１３は、図１１に示すサステインドライ
バ６ａの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ａもサステインドライバ６ａと同
様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライバ
５ａに関する詳細な説明を省略し、サステインドライバ
６ａについてのみ、以下詳細に説明する。
バ６ａの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ａもサステインドライバ６ａと同
様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライバ
５ａに関する詳細な説明を省略し、サステインドライバ
６ａについてのみ、以下詳細に説明する。
【０１２５】図１３に示すサステインドライバ６ａと図
３に示すサステインドライバ６とで異なる点は、回収コ
イルＬがインダクタンス制御信号ＬＵに応じてインダク
タンス値を変化させる可変インダクタンス部ＶＬに変更
された点であり、その他の点は図３に示すサステインド
ライバ６と同様であるので同一部分に同一符号を付し、
以下異なる点についてのみ詳細に説明する。
３に示すサステインドライバ６とで異なる点は、回収コ
イルＬがインダクタンス制御信号ＬＵに応じてインダク
タンス値を変化させる可変インダクタンス部ＶＬに変更
された点であり、その他の点は図３に示すサステインド
ライバ６と同様であるので同一部分に同一符号を付し、
以下異なる点についてのみ詳細に説明する。
【０１２６】図１３に示す可変インダクタンス部ＶＬ
は、ノードＮ２とノードＮ１との間に接続され、インダ
クタンス制御回路９から出力されるインダクタンス制御
信号ＬＵに応じてインダクタンス値を変化させる。
は、ノードＮ２とノードＮ１との間に接続され、インダ
クタンス制御回路９から出力されるインダクタンス制御
信号ＬＵに応じてインダクタンス値を変化させる。
【０１２７】図１４は、図１３に示す可変インダクタン
ス部ＶＬの一例を示す回路図である。図１４に示す可変
インダクタンス部ＶＬは、回収コイルＬＡ〜ＬＤおよび
トランジスタＱＡ〜ＱＤを含む。
ス部ＶＬの一例を示す回路図である。図１４に示す可変
インダクタンス部ＶＬは、回収コイルＬＡ〜ＬＤおよび
トランジスタＱＡ〜ＱＤを含む。
【０１２８】回収コイルＬＡおよびトランジスタＱＡ
は、ノードＮ１とノードＮ２との間に直列に接続され、
以降同様に回収コイルＬＢ〜ＬＤおよびトランジスタＱ
Ｂ〜ＱＤがそれぞれノードＮ１とノードＮ２との間に直
列に接続されている。トランジスタＱＡ〜ＱＤの各ゲー
トには、インダクタンス制御信号ＳＡ〜ＳＤが入力され
る。インダクタンス制御信号ＳＡ〜ＳＤは、図１２に示
すインダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信
号ＬＵとして出力される信号である。
は、ノードＮ１とノードＮ２との間に直列に接続され、
以降同様に回収コイルＬＢ〜ＬＤおよびトランジスタＱ
Ｂ〜ＱＤがそれぞれノードＮ１とノードＮ２との間に直
列に接続されている。トランジスタＱＡ〜ＱＤの各ゲー
トには、インダクタンス制御信号ＳＡ〜ＳＤが入力され
る。インダクタンス制御信号ＳＡ〜ＳＤは、図１２に示
すインダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信
号ＬＵとして出力される信号である。
【０１２９】本実施の形態では、トランジスタＱ３，Ｑ
４、回収コンデンサＣｒ、可変インダクタンス部ＶＬお
よびダイオードＤ１，Ｄ２が回収手段に相当し、サブフ
ィールド処理器３およびインダクタンス制御回路９が制
御手段に相当し、可変インダクタンス部ＶＬがインダク
タンス手段および可変インダクタンス手段に相当し、回
収コイルＬＡ〜ＬＤがインダクタンス素子に相当し、ト
ランジスタＱＡ〜ＱＤが選択手段に相当し、その他の点
は、第１の実施の形態と同様である。
４、回収コンデンサＣｒ、可変インダクタンス部ＶＬお
よびダイオードＤ１，Ｄ２が回収手段に相当し、サブフ
ィールド処理器３およびインダクタンス制御回路９が制
御手段に相当し、可変インダクタンス部ＶＬがインダク
タンス手段および可変インダクタンス手段に相当し、回
収コイルＬＡ〜ＬＤがインダクタンス素子に相当し、ト
ランジスタＱＡ〜ＱＤが選択手段に相当し、その他の点
は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３０】図１５は、図１４に示す可変インダクタン
ス部ＶＬのトランジスタＱＡ〜ＱＤのオン／オフ状態と
各状態に対応する維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形を示す概略図である。
ス部ＶＬのトランジスタＱＡ〜ＱＤのオン／オフ状態と
各状態に対応する維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形を示す概略図である。
【０１３１】図１５に示すように、点灯率が９０〜１０
０％の場合、インダクタンス決定部９２からインダクタ
ンス制御信号ＳＡ〜ＳＤがハイレベルで出力され、トラ
ンジスタＱＡ〜ＱＤがオンされると、ノードＮ２とノー
ドＮ１との間に回収コイルＬＡ〜ＬＤが並列に接続され
る。したがって、可変インダクタンス部ＶＬの合成イン
ダクタンス値は、最も小さい値、例えば３６０ｎＨとな
り、共振時間が６００ｎｓとなる。この結果、維持パル
スＰｓｕの立ち上がり時の駆動波形は、ピーク電圧Ｖｐ
が低く、回収時間が短い駆動波形となる。
０％の場合、インダクタンス決定部９２からインダクタ
ンス制御信号ＳＡ〜ＳＤがハイレベルで出力され、トラ
ンジスタＱＡ〜ＱＤがオンされると、ノードＮ２とノー
ドＮ１との間に回収コイルＬＡ〜ＬＤが並列に接続され
る。したがって、可変インダクタンス部ＶＬの合成イン
ダクタンス値は、最も小さい値、例えば３６０ｎＨとな
り、共振時間が６００ｎｓとなる。この結果、維持パル
スＰｓｕの立ち上がり時の駆動波形は、ピーク電圧Ｖｐ
が低く、回収時間が短い駆動波形となる。
【０１３２】次に、点灯率が８０〜９０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号ＳＡ
〜ＳＣがハイレベルで出力されるとともに、インダクタ
ンス制御信号ＳＤがローレベルで出力され、トランジス
タＱＡ〜ＱＣがオンされ、トランジスタＱＤがオフされ
ると、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬＡ
〜ＬＣが並列に接続される。したがって、可変インダク
タンス部ＶＬの合成インダクタンス値は、より大きな
値、例えば６８０ｎＨとなり、共振時間が８００ｎｓと
なる。この結果、維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形のピーク電圧Ｖｐがより高くなるとともに、回収
時間もより長くなる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号ＳＡ
〜ＳＣがハイレベルで出力されるとともに、インダクタ
ンス制御信号ＳＤがローレベルで出力され、トランジス
タＱＡ〜ＱＣがオンされ、トランジスタＱＤがオフされ
ると、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬＡ
〜ＬＣが並列に接続される。したがって、可変インダク
タンス部ＶＬの合成インダクタンス値は、より大きな
値、例えば６８０ｎＨとなり、共振時間が８００ｎｓと
なる。この結果、維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形のピーク電圧Ｖｐがより高くなるとともに、回収
時間もより長くなる。
【０１３３】次に、点灯率が５０〜８０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ，ＳＢがハイレベルで出力されるとともに、インダク
タンス制御信号ＳＣ，ＳＤがローレベルで出力され、ト
ランジスタＱＡ，ＱＢがオンされ、トランジスタＱＣ，
ＱＤがオフされると、ノードＮ２とノードＮ１との間に
回収コイルＬＡ，ＬＢが並列に接続される。したがっ
て、可変インダクタンス部ＶＬの合成インダクタンス値
は、さらに大きな値、例えば１３００ｎＨとなり、共振
時間が１１００ｎｓとなる。この結果、維持パルスＰｓ
ｕの駆動波形のピーク電圧Ｖｐがさらに高くなるととも
に、回収時間もさらに長くなる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ，ＳＢがハイレベルで出力されるとともに、インダク
タンス制御信号ＳＣ，ＳＤがローレベルで出力され、ト
ランジスタＱＡ，ＱＢがオンされ、トランジスタＱＣ，
ＱＤがオフされると、ノードＮ２とノードＮ１との間に
回収コイルＬＡ，ＬＢが並列に接続される。したがっ
て、可変インダクタンス部ＶＬの合成インダクタンス値
は、さらに大きな値、例えば１３００ｎＨとなり、共振
時間が１１００ｎｓとなる。この結果、維持パルスＰｓ
ｕの駆動波形のピーク電圧Ｖｐがさらに高くなるととも
に、回収時間もさらに長くなる。
【０１３４】最後に、点灯率が０〜５０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号ＳＡ
がハイレベルで出力されるとともに、インダクタンス制
御信号ＳＢ〜ＳＤがローレベルで出力され、トランジス
タＱＡがオンされ、トランジスタＱＢ〜ＱＤがオフされ
ると、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬＡ
のみが接続される。したがって、可変インダクタンス部
ＶＬのインダクタンス値は、回収コイルＬＡのインダク
タンス値となり、インダクタンス値が最大、例えば１８
００ｎＨとなり、共振時間が１３００ｎｓとなる。この
結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電圧Ｖｐが
最大になるとともに、回収時間も最長となる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号ＳＡ
がハイレベルで出力されるとともに、インダクタンス制
御信号ＳＢ〜ＳＤがローレベルで出力され、トランジス
タＱＡがオンされ、トランジスタＱＢ〜ＱＤがオフされ
ると、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬＡ
のみが接続される。したがって、可変インダクタンス部
ＶＬのインダクタンス値は、回収コイルＬＡのインダク
タンス値となり、インダクタンス値が最大、例えば１８
００ｎＨとなり、共振時間が１３００ｎｓとなる。この
結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電圧Ｖｐが
最大になるとともに、回収時間も最長となる。
【０１３５】図１６は、共振時間と無効電力損失との関
係の一例を示す図である。図１６に示すように、共振時
間が長くなるほど、１パルス当たりの無効電力損失が小
さくなることがわかる。したがって、ＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値を大きくすることにより、１パルス
当たりの無効電力損失を小さくすることができる。
係の一例を示す図である。図１６に示すように、共振時
間が長くなるほど、１パルス当たりの無効電力損失が小
さくなることがわかる。したがって、ＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値を大きくすることにより、１パルス
当たりの無効電力損失を小さくすることができる。
【０１３６】これは、インダクタンス値が大きくなるほ
ど、回収効率η（＝Ｖｐ／Ｖｓｕｓ×１００（％））が
向上し、維持パルスの維持電圧Ｖｓｕｓが一定の場合、
回収時間のピーク電圧Ｖｐが上昇し、無効電力を低減す
ることができるためである。
ど、回収効率η（＝Ｖｐ／Ｖｓｕｓ×１００（％））が
向上し、維持パルスの維持電圧Ｖｓｕｓが一定の場合、
回収時間のピーク電圧Ｖｐが上昇し、無効電力を低減す
ることができるためである。
【０１３７】上記のように、本実施の形態では、第１の
実施の形態と同様にサブフィールドごとの点灯率に応じ
て回収時間および維持周期を制御するとともに、サブフ
ィールドごとの点灯率が小さくなるほど、可変インダク
タンス部ＶＬのインダクタンス値を大きくして共振時間
を長くしている。したがって、点灯率が小さい場合はイ
ンダクタンス値を大きくして共振時間を長くすることが
できるので、回収効率を向上して無効電力をより低下さ
せることができる。
実施の形態と同様にサブフィールドごとの点灯率に応じ
て回収時間および維持周期を制御するとともに、サブフ
ィールドごとの点灯率が小さくなるほど、可変インダク
タンス部ＶＬのインダクタンス値を大きくして共振時間
を長くしている。したがって、点灯率が小さい場合はイ
ンダクタンス値を大きくして共振時間を長くすることが
できるので、回収効率を向上して無効電力をより低下さ
せることができる。
【０１３８】図１７は、図１３に示す可変インダクタン
ス部ＬＵの他の例の構成を示す回路図である。
ス部ＬＵの他の例の構成を示す回路図である。
【０１３９】図１７に示す可変インダクタンス部は、回
収コイルＬＡ’〜ＬＤ’およびトランジスタＱＡ’〜Ｑ
Ｄ’を含む。
収コイルＬＡ’〜ＬＤ’およびトランジスタＱＡ’〜Ｑ
Ｄ’を含む。
【０１４０】回収コイルＬＡ’およびトランジスタＱ
Ａ’は並列に接続され、以降同様に回収コイルＬＢ’〜
ＬＤ’がトランジスタＱＢ’〜ＱＤ’とそれぞれ並列に
接続され、並列に接続された回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’
およびトランジスタＱＡ’〜ＱＤ’がノードＮ２とノー
ドＮ１との間に直列に接続される。トランジスタＱＡ’
〜ＱＤ’の各ゲートには、インダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’が入力される。インダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’は、図１２に示すインダクタンス制御部９
２からインダクタンス制御信号ＬＵとして出力される信
号である。
Ａ’は並列に接続され、以降同様に回収コイルＬＢ’〜
ＬＤ’がトランジスタＱＢ’〜ＱＤ’とそれぞれ並列に
接続され、並列に接続された回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’
およびトランジスタＱＡ’〜ＱＤ’がノードＮ２とノー
ドＮ１との間に直列に接続される。トランジスタＱＡ’
〜ＱＤ’の各ゲートには、インダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’が入力される。インダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’は、図１２に示すインダクタンス制御部９
２からインダクタンス制御信号ＬＵとして出力される信
号である。
【０１４１】図１８は、図１７に示す可変インダクタン
ス部のトランジスタＱＡ’〜ＱＤ’のオン／オフ状態と
各状態に対応する維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形を示す概略図である。
ス部のトランジスタＱＡ’〜ＱＤ’のオン／オフ状態と
各状態に対応する維持パルスＰｓｕの立ち上がり時の駆
動波形を示す概略図である。
【０１４２】図１８に示すように、点灯率が９０〜１０
０％の場合、インダクタンス決定部９２からインダクタ
ンス制御信号ＳＡ’〜ＳＣ’がハイレベルで出力される
とともに、インダクタンス制御信号ＳＤ’がローレベル
で出力され、トランジスタＱＡ’〜ＱＣ’がオンされ、
トランジスタＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノー
ドＮ１との間に回収コイルＬＤ’が接続される。したが
って、可変インダクタンス部の合成インダクタンス値
は、回収コイルＬＤ’のインダクタンス値となり、イン
ダクタンス値が最も小さい値、例えば３６０ｎＨとな
り、共振時間が６００ｎｓとなる。この結果、維持パル
スＰｓｕの立ち上がり時の駆動波形は、ピーク電圧Ｖｐ
が低く、回収時間が短い駆動波形となる。
０％の場合、インダクタンス決定部９２からインダクタ
ンス制御信号ＳＡ’〜ＳＣ’がハイレベルで出力される
とともに、インダクタンス制御信号ＳＤ’がローレベル
で出力され、トランジスタＱＡ’〜ＱＣ’がオンされ、
トランジスタＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノー
ドＮ１との間に回収コイルＬＤ’が接続される。したが
って、可変インダクタンス部の合成インダクタンス値
は、回収コイルＬＤ’のインダクタンス値となり、イン
ダクタンス値が最も小さい値、例えば３６０ｎＨとな
り、共振時間が６００ｎｓとなる。この結果、維持パル
スＰｓｕの立ち上がり時の駆動波形は、ピーク電圧Ｖｐ
が低く、回収時間が短い駆動波形となる。
【０１４３】次に、点灯率が８０〜９０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’，ＳＢ’がハイレベルで出力されるとともに、イン
ダクタンス制御信号ＳＣ’，ＳＤ’がローレベルで出力
され、トランジスタＱＡ’，ＱＢ’がオンされ、トラン
ジスタＱＣ’，ＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノ
ードＮ１との間に回収コイルＬＣ’，ＬＤ’が直列に接
続される。したがって、可変インダクタンス部の合成イ
ンダクタンス値は、回収コイルＬＣ’，ＬＤ’のインダ
クタンス値の合計値となり、インダクタンス値がより大
きな値、例えば６８０ｎＨとなり、共振時間が８００ｎ
ｓとなる。この結果、維持パルスＰｓｕの立ち上がり時
の駆動波形のピーク電圧Ｖｐがより高くなるとともに、
回収時間もより長くなる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’，ＳＢ’がハイレベルで出力されるとともに、イン
ダクタンス制御信号ＳＣ’，ＳＤ’がローレベルで出力
され、トランジスタＱＡ’，ＱＢ’がオンされ、トラン
ジスタＱＣ’，ＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノ
ードＮ１との間に回収コイルＬＣ’，ＬＤ’が直列に接
続される。したがって、可変インダクタンス部の合成イ
ンダクタンス値は、回収コイルＬＣ’，ＬＤ’のインダ
クタンス値の合計値となり、インダクタンス値がより大
きな値、例えば６８０ｎＨとなり、共振時間が８００ｎ
ｓとなる。この結果、維持パルスＰｓｕの立ち上がり時
の駆動波形のピーク電圧Ｖｐがより高くなるとともに、
回収時間もより長くなる。
【０１４４】次に、点灯率が５０〜８０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’がハイレベルで出力されるとともに、インダクタン
ス制御信号ＳＢ’〜ＳＤ’がローレベルで出力され、ト
ランジスタＱＡ’がオンされ、トランジスタＱＢ’〜Ｑ
Ｄ’がオフされると、ノードＮ２とノードＮ１との間に
回収コイルＬＢ’〜ＬＤ’が直列に接続される。したが
って、可変インダクタンス部の合成インダクタンス値
は、回収コイルＬＢ’〜ＬＤ’のインダクタンス値の合
計値となり、インダクタンス値がさらに大きな値、例え
ば１３００ｎＨとなり、共振時間が１１００ｎｓとな
る。この結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電
圧Ｖｐがさらに高くなるとともに、回収時間もさらに長
くなる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’がハイレベルで出力されるとともに、インダクタン
ス制御信号ＳＢ’〜ＳＤ’がローレベルで出力され、ト
ランジスタＱＡ’がオンされ、トランジスタＱＢ’〜Ｑ
Ｄ’がオフされると、ノードＮ２とノードＮ１との間に
回収コイルＬＢ’〜ＬＤ’が直列に接続される。したが
って、可変インダクタンス部の合成インダクタンス値
は、回収コイルＬＢ’〜ＬＤ’のインダクタンス値の合
計値となり、インダクタンス値がさらに大きな値、例え
ば１３００ｎＨとなり、共振時間が１１００ｎｓとな
る。この結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電
圧Ｖｐがさらに高くなるとともに、回収時間もさらに長
くなる。
【０１４５】最後に、点灯率が０〜５０％の場合、イン
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’がローレベルで出力され、トランジスタＱ
Ａ’〜ＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノードＮ１
との間に回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’が直列に接続され
る。したがって、可変インダクタンスの合成インダクタ
ンス値は、回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’の各インダクタン
ス値の合計値となり、インダクタンス値が最大、例えば
１８００ｎＨとなり、共振時間が１３００ｎｓとなる。
この結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電圧Ｖ
ｐが最大になるとともに、回収時間も最長となる。
ダクタンス決定部９２からインダクタンス制御信号Ｓ
Ａ’〜ＳＤ’がローレベルで出力され、トランジスタＱ
Ａ’〜ＱＤ’がオフされると、ノードＮ２とノードＮ１
との間に回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’が直列に接続され
る。したがって、可変インダクタンスの合成インダクタ
ンス値は、回収コイルＬＡ’〜ＬＤ’の各インダクタン
ス値の合計値となり、インダクタンス値が最大、例えば
１８００ｎＨとなり、共振時間が１３００ｎｓとなる。
この結果、維持パルスＰｓｕの駆動波形のピーク電圧Ｖ
ｐが最大になるとともに、回収時間も最長となる。
【０１４６】上記のようにして、図１７に示す可変イン
ダクタンス部でも、図１４に示す可変インダクタンス部
ＶＬと同様の効果を得ることができる。
ダクタンス部でも、図１４に示す可変インダクタンス部
ＶＬと同様の効果を得ることができる。
【０１４７】なお、回収コイルおよびトランジスタの接
続数は、上記の４つに特に限定されず、種々の接続数に
変更可能である。また、可変インダクタンス部として
は、上記の各例に特に限定されず、インダクタンス制御
信号に応じてインダクタンス値を可変できるものであれ
ば他の構成であってもよい。
続数は、上記の４つに特に限定されず、種々の接続数に
変更可能である。また、可変インダクタンス部として
は、上記の各例に特に限定されず、インダクタンス制御
信号に応じてインダクタンス値を可変できるものであれ
ば他の構成であってもよい。
【０１４８】また、本実施の形態では、点灯率に応じて
回収時間、共振時間および維持周期をともに変化させて
いるが、共振時間のみを変化させるようにしてもよい。
回収時間、共振時間および維持周期をともに変化させて
いるが、共振時間のみを変化させるようにしてもよい。
【０１４９】次に、本発明の第３の実施の形態によるプ
ラズマディスプレイ装置について説明する。図１９は、
本発明の第３の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
ラズマディスプレイ装置について説明する。図１９は、
本発明の第３の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
【０１５０】図１９に示すプラズマディスプレイ装置と
図１に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点は、
サブフィールド処理器３が点灯率に応じて共振時間、放
電回収時間および維持周期を変化させるようにスキャン
ドライバ５ｂおよびサステインドライバ６ｂを制御する
サブフィールド処理器３ａに変更された点であり、その
他の点は図１に示すプラズマディスプレイ装置と同様で
あるので、同一部分には同一符号を付し、以下異なる部
分についてのみ詳細に説明する。
図１に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点は、
サブフィールド処理器３が点灯率に応じて共振時間、放
電回収時間および維持周期を変化させるようにスキャン
ドライバ５ｂおよびサステインドライバ６ｂを制御する
サブフィールド処理器３ａに変更された点であり、その
他の点は図１に示すプラズマディスプレイ装置と同様で
あるので、同一部分には同一符号を付し、以下異なる部
分についてのみ詳細に説明する。
【０１５１】図１９に示すサブフィールド処理器３ａ
は、図１に示すサブフィールド処理器３の動作に加え、
サブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて共振時間、放電
回収時間および維持周期を変化させるためのスキャンド
ライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステインドライバ駆動
制御信号ＵＳを作成し、それぞれスキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂへ出力する。
は、図１に示すサブフィールド処理器３の動作に加え、
サブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて共振時間、放電
回収時間および維持周期を変化させるためのスキャンド
ライバ駆動制御信号ＣＳおよびサステインドライバ駆動
制御信号ＵＳを作成し、それぞれスキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂへ出力する。
【０１５２】スキャンドライバ５ｂおよびサステインド
ライバ６ｂは、スキャンドライバ駆動制御信号ＣＳおよ
びサステインドライバ駆動制御信号ＵＳに応じて動作
し、点灯率に応じて維持パルスの共振時間、放電回収時
間および維持周期を変化させ、ＰＤＰ７のスキャン電極
１２およびサステイン電極１３へ出力する。
ライバ６ｂは、スキャンドライバ駆動制御信号ＣＳおよ
びサステインドライバ駆動制御信号ＵＳに応じて動作
し、点灯率に応じて維持パルスの共振時間、放電回収時
間および維持周期を変化させ、ＰＤＰ７のスキャン電極
１２およびサステイン電極１３へ出力する。
【０１５３】図２０は、図１９に示すサブフィールド処
理器３ａの構成を示すブロック図である。図２０に示す
サブフィールド処理器３ａと図４に示すサブフィールド
処理器３とで異なる点は、点灯率／共振時間ＬＵＴ３６
および共振時間決定部３７が付加され、放電制御信号発
生器３５が放電制御信号発生器３５ａに変更された点で
あり、その他の点は図４に示すサブフィールド処理器３
と同様であるので、同一部分には同一符号を付し、以下
詳細な説明を省略する。
理器３ａの構成を示すブロック図である。図２０に示す
サブフィールド処理器３ａと図４に示すサブフィールド
処理器３とで異なる点は、点灯率／共振時間ＬＵＴ３６
および共振時間決定部３７が付加され、放電制御信号発
生器３５が放電制御信号発生器３５ａに変更された点で
あり、その他の点は図４に示すサブフィールド処理器３
と同様であるので、同一部分には同一符号を付し、以下
詳細な説明を省略する。
【０１５４】図２０に示す点灯率／共振時間ＬＵＴ３６
は、共振時間決定部３７と接続され、実験データに基づ
く点灯率と共振時間との関係をテーブル形式で記憶して
いる。例えば、表１に示すように、点灯率が０〜１０％
に対して共振時間として１３００ｎｓが記憶され、点灯
率が１０〜２０％に対して共振時間として１２００ｎｓ
が記憶され、点灯率が２０〜３０％に対して共振時間と
して１１００ｎｓが記憶され、点灯率が３０〜４０％に
対して共振時間として１０００ｎｓが記憶され、点灯率
が４０〜５０％に対して共振時間として８５０ｎｓが記
憶され、点灯率が５０〜６０％に対して共振時間として
８００ｎｓが記憶され、点灯率が６０〜７０％に対して
共振時間として７５０ｎｓが記憶され、点灯率が７０〜
８０％に対して共振時間として７００ｎｓが記憶され、
点灯率が８０〜１００％に対して共振時間として６００
ｎｓが記憶されている。
は、共振時間決定部３７と接続され、実験データに基づ
く点灯率と共振時間との関係をテーブル形式で記憶して
いる。例えば、表１に示すように、点灯率が０〜１０％
に対して共振時間として１３００ｎｓが記憶され、点灯
率が１０〜２０％に対して共振時間として１２００ｎｓ
が記憶され、点灯率が２０〜３０％に対して共振時間と
して１１００ｎｓが記憶され、点灯率が３０〜４０％に
対して共振時間として１０００ｎｓが記憶され、点灯率
が４０〜５０％に対して共振時間として８５０ｎｓが記
憶され、点灯率が５０〜６０％に対して共振時間として
８００ｎｓが記憶され、点灯率が６０〜７０％に対して
共振時間として７５０ｎｓが記憶され、点灯率が７０〜
８０％に対して共振時間として７００ｎｓが記憶され、
点灯率が８０〜１００％に対して共振時間として６００
ｎｓが記憶されている。
【０１５５】
【表１】
【０１５６】共振時間決定部３７は、放電制御信号発生
器３５ａと接続され、サブフィールド点灯率測定器８か
ら出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対
応する共振時間を点灯率／共振時間ＬＵＴ３６から読み
出し、読み出した共振時間を放電制御信号発生器３５へ
出力する。なお、共振時間の決定は、上記のように実験
データに基づく点灯率と共振時間との関係をテーブル形
式で記憶する例に特に限定されず、点灯率と共振時間と
の関係を表す近似式から点灯率に対応する共振時間を求
めるようにしてもよい。
器３５ａと接続され、サブフィールド点灯率測定器８か
ら出力されるサブフィールド点灯率信号ＳＬに応じて対
応する共振時間を点灯率／共振時間ＬＵＴ３６から読み
出し、読み出した共振時間を放電制御信号発生器３５へ
出力する。なお、共振時間の決定は、上記のように実験
データに基づく点灯率と共振時間との関係をテーブル形
式で記憶する例に特に限定されず、点灯率と共振時間と
の関係を表す近似式から点灯率に対応する共振時間を求
めるようにしてもよい。
【０１５７】また、本実施の形態では、点灯率／回収時
間ＬＵＴ３１は、例えば、表１に示すように、点灯率が
０〜１０％に対して放電回収時間として１１００ｎｓが
記憶され、点灯率が１０〜２０％に対して放電回収時間
として１０００ｎｓが記憶され、点灯率が２０〜３０％
に対して放電回収時間として９００ｎｓが記憶され、点
灯率が３０〜４０％に対して放電回収時間として８００
ｎｓが記憶され、点灯率が４０〜５０％に対して放電回
収時間として７００ｎｓが記憶され、点灯率が５０〜６
０％に対して放電回収時間として６５０ｎｓが記憶さ
れ、点灯率が６０〜７０％に対して放電回収時間として
６００ｎｓが記憶され、点灯率が７０〜８０％に対して
放電回収時間として５５０ｎｓが記憶され、点灯率が８
０〜１００％に対して５００ｎｓが記憶されている。
間ＬＵＴ３１は、例えば、表１に示すように、点灯率が
０〜１０％に対して放電回収時間として１１００ｎｓが
記憶され、点灯率が１０〜２０％に対して放電回収時間
として１０００ｎｓが記憶され、点灯率が２０〜３０％
に対して放電回収時間として９００ｎｓが記憶され、点
灯率が３０〜４０％に対して放電回収時間として８００
ｎｓが記憶され、点灯率が４０〜５０％に対して放電回
収時間として７００ｎｓが記憶され、点灯率が５０〜６
０％に対して放電回収時間として６５０ｎｓが記憶さ
れ、点灯率が６０〜７０％に対して放電回収時間として
６００ｎｓが記憶され、点灯率が７０〜８０％に対して
放電回収時間として５５０ｎｓが記憶され、点灯率が８
０〜１００％に対して５００ｎｓが記憶されている。
【０１５８】このように、点灯率が低くなるに従い、回
収時間と共振時間との差が大きくなるように回収時間お
よび共振時間を設定する。
収時間と共振時間との差が大きくなるように回収時間お
よび共振時間を設定する。
【０１５９】なお、上記の各放電回収時間は、放電の安
定度を高めるために、共振時間より短く設定している。
また、本実施の形態では、非放電回収時間は、点灯率に
関わらず、無効電力を低減するため、１３００ｎｓに固
定している。
定度を高めるために、共振時間より短く設定している。
また、本実施の形態では、非放電回収時間は、点灯率に
関わらず、無効電力を低減するため、１３００ｎｓに固
定している。
【０１６０】また、点灯率／維持周期ＬＵＴ３３は、例
えば、点灯率が０〜２０％に対して維持周期として８μ
ｓが記憶され、点灯率が２０〜４０％に対して維持周期
として７μｓが記憶され、点灯率が４０〜８０％に対し
て維持周期として６μｓが記憶され、点灯率が８０〜１
００％に対して維持周期として５μｓが記憶されてい
る。
えば、点灯率が０〜２０％に対して維持周期として８μ
ｓが記憶され、点灯率が２０〜４０％に対して維持周期
として７μｓが記憶され、点灯率が４０〜８０％に対し
て維持周期として６μｓが記憶され、点灯率が８０〜１
００％に対して維持周期として５μｓが記憶されてい
る。
【０１６１】放電制御信号発生器３５ａは、サステイン
ドライバ６ｂが共振時間決定部３７により決定された共
振時間、回収時間決定部３２により決定された放電回収
時間および維持周期決定部３４に決定された維持周期で
維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆動
制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ５を出力する。
ドライバ６ｂが共振時間決定部３７により決定された共
振時間、回収時間決定部３２により決定された放電回収
時間および維持周期決定部３４に決定された維持周期で
維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆動
制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ５を出力する。
【０１６２】なお、スキャンドライバ５ｂについても上
記と同様にサブフィールド処理器３ａにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
記と同様にサブフィールド処理器３ａにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
【０１６３】図２１は、図１９に示すサステインドライ
バ６ｂの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｂも、サステインドライバ６ｂと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｂに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｂについてのみ、以下詳細に説明する。
バ６ｂの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｂも、サステインドライバ６ｂと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｂに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｂについてのみ、以下詳細に説明する。
【０１６４】図２１に示すサステインドライバ６ｂと図
３に示すサステインドライバ６とで異なる点は、ノード
Ｎ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ１と直列に接続
されたダイオードＤ３、トランジスタＱ５および回収コ
イルＬ２とが並列に接続された点であり、その他の点は
図３に示すサステインドライバ６と同様であるので、同
一部分には同一符号を付し、以下詳細な説明を省略す
る。
３に示すサステインドライバ６とで異なる点は、ノード
Ｎ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ１と直列に接続
されたダイオードＤ３、トランジスタＱ５および回収コ
イルＬ２とが並列に接続された点であり、その他の点は
図３に示すサステインドライバ６と同様であるので、同
一部分には同一符号を付し、以下詳細な説明を省略す
る。
【０１６５】図２１に示すサステインドライバ６ｂで
は、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ１が
接続される。回収コイルＬ１のインダクタンス値は、例
えば、１８００ｎＨである。また、ノードＮ２とノード
Ｎ１との間にダイオードＤ３、トランジスタＱ５および
回収コイルＬ２が直列に接続される。回収コイルＬ２の
インダクタンス値は、例えば、４５０ｎＨである。
は、ノードＮ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ１が
接続される。回収コイルＬ１のインダクタンス値は、例
えば、１８００ｎＨである。また、ノードＮ２とノード
Ｎ１との間にダイオードＤ３、トランジスタＱ５および
回収コイルＬ２が直列に接続される。回収コイルＬ２の
インダクタンス値は、例えば、４５０ｎＨである。
【０１６６】したがって、維持パルスＰｓｕの立ち上が
り時すなわち放電回収時間にトランジスタＱ３をオン
し、トランジスタＱ５をオフすると、回収コイルＬ１の
みがＬＣ共振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するインダクタ
ンス値は、回収コイルＬ１のインダクタンス値である１
８００ｎＨとなる。
り時すなわち放電回収時間にトランジスタＱ３をオン
し、トランジスタＱ５をオフすると、回収コイルＬ１の
みがＬＣ共振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するインダクタ
ンス値は、回収コイルＬ１のインダクタンス値である１
８００ｎＨとなる。
【０１６７】一方、放電回収時間にトランジスタＱ３を
オンした後に所定の遅延時間だけ遅延させてトランジス
タＱ５をオンすると、回収コイルＬ１および回収コイル
Ｌ２がＬＣ共振に寄与し、このときにＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値は、回収コイルＬ１，Ｌ２の合成イ
ンダクタンス値である３６０ｎＨとなる。
オンした後に所定の遅延時間だけ遅延させてトランジス
タＱ５をオンすると、回収コイルＬ１および回収コイル
Ｌ２がＬＣ共振に寄与し、このときにＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値は、回収コイルＬ１，Ｌ２の合成イ
ンダクタンス値である３６０ｎＨとなる。
【０１６８】図２２は、回収コイルＬ１，Ｌ２による共
振時間と遅延時間との関係の一例を示す図である。図２
２に示すように、遅延時間が０ｎｓすなわちトランジス
タＱ３，Ｑ５が同時にオンする場合、ＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値は回収コイルＬ１，Ｌ２の合成イン
ダクタンス値である３６０ｎＨとなり、共振時間は６０
０ｎｓとなる。
振時間と遅延時間との関係の一例を示す図である。図２
２に示すように、遅延時間が０ｎｓすなわちトランジス
タＱ３，Ｑ５が同時にオンする場合、ＬＣ共振に寄与す
るインダクタンス値は回収コイルＬ１，Ｌ２の合成イン
ダクタンス値である３６０ｎＨとなり、共振時間は６０
０ｎｓとなる。
【０１６９】ここで、遅延時間が増加するに従い、回収
コイルＬ１のインダクタンス値である１８００ｎＨの割
合が増加し、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値が増
加する。このため、共振時間も増加し、最終的に、ＬＣ
共振に寄与するインダクタンス値は回収コイルＬ１のイ
ンダクタンス値である１８００ｎＨとなり、共振時間が
１３００ｎｓとなる。したがって、遅延時間を調整する
ことにより、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値を３
６０〜１８００ｎＨの範囲の所定の値に設定することが
でき、共振時間を６００〜１３００ｎｓの間の所望の時
間に設定することができる。
コイルＬ１のインダクタンス値である１８００ｎＨの割
合が増加し、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値が増
加する。このため、共振時間も増加し、最終的に、ＬＣ
共振に寄与するインダクタンス値は回収コイルＬ１のイ
ンダクタンス値である１８００ｎＨとなり、共振時間が
１３００ｎｓとなる。したがって、遅延時間を調整する
ことにより、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値を３
６０〜１８００ｎＨの範囲の所定の値に設定することが
でき、共振時間を６００〜１３００ｎｓの間の所望の時
間に設定することができる。
【０１７０】なお、維持パルスＰｓｕの立下り時すなわ
ち非放電回収時間では、ダイオードＤ３により電流が制
限されるので、トランジスタＱ５のオン／オフに関わら
ず、回収コイルＬ１のみがＬＣ共振に寄与し、共振時間
は固定されている。
ち非放電回収時間では、ダイオードＤ３により電流が制
限されるので、トランジスタＱ５のオン／オフに関わら
ず、回収コイルＬ１のみがＬＣ共振に寄与し、共振時間
は固定されている。
【０１７１】本実施の形態では、トランジスタＱ３〜Ｑ
５、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ１，Ｌ２および
ダイオードＤ１〜Ｄ３が回収手段に相当し、サブフィー
ルド処理器３ａが制御手段に相当し、ダイオードＤ３、
トランジスタＱ５および回収コイルＬ１，Ｌ２がインダ
クタンス手段および可変インダクタンス手段に相当し、
回収コンデンサＣｒが容量性素子に相当し、回収コイル
Ｌ１が第１のインダクタンス素子に相当し、回収コイル
Ｌ２が第２のインダクタンス素子に相当し、ダイオード
Ｄ１およびトランジスタＱ３が第１のスイッチ手段に相
当し、ダイオードＤ３およびトランジスタＱ５が第２の
スイッチ手段に相当し、その他の点は、第１の実施の形
態と同様である。
５、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ１，Ｌ２および
ダイオードＤ１〜Ｄ３が回収手段に相当し、サブフィー
ルド処理器３ａが制御手段に相当し、ダイオードＤ３、
トランジスタＱ５および回収コイルＬ１，Ｌ２がインダ
クタンス手段および可変インダクタンス手段に相当し、
回収コンデンサＣｒが容量性素子に相当し、回収コイル
Ｌ１が第１のインダクタンス素子に相当し、回収コイル
Ｌ２が第２のインダクタンス素子に相当し、ダイオード
Ｄ１およびトランジスタＱ３が第１のスイッチ手段に相
当し、ダイオードＤ３およびトランジスタＱ５が第２の
スイッチ手段に相当し、その他の点は、第１の実施の形
態と同様である。
【０１７２】図２３〜図２６は、図２１に示すサステイ
ンドライバ６ｂの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図２３〜図２６には、図２１のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ５が示される。
ンドライバ６ｂの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図２３〜図２６には、図２１のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ５が示される。
【０１７３】図２３に示すように、点灯率が大きい場
合、例えば点灯率が８０〜１００％の場合、まず、期間
ＴＡにおいて、制御信号Ｓ２がローレベルになりトラン
ジスタＱがオフし、制御信号Ｓ３がハイレベルになりト
ランジスタＱ３がオンし、制御信号Ｓ５がハイレベルに
なりトランジスタＳ５がオンし、遅延時間は０ｎｓとな
る。このとき、制御信号Ｓ１，Ｓ４はローレベルになり
トランジスタＱ１，Ｑ４はオフしている。
合、例えば点灯率が８０〜１００％の場合、まず、期間
ＴＡにおいて、制御信号Ｓ２がローレベルになりトラン
ジスタＱがオフし、制御信号Ｓ３がハイレベルになりト
ランジスタＱ３がオンし、制御信号Ｓ５がハイレベルに
なりトランジスタＳ５がオンし、遅延時間は０ｎｓとな
る。このとき、制御信号Ｓ１，Ｓ４はローレベルになり
トランジスタＱ１，Ｑ４はオフしている。
【０１７４】したがって、回収コンデンサＣｒがトラン
ジスタＱ３およびダイオードＤ１を介して回収コイルＬ
１に接続されるとともに、さらにダイオードＤ３および
トランジスタＱ５を介して回収コイルＬ２に接続され
る。この結果、回収コイルＬ１，Ｌ２の合成インダクタ
ンス値である３６０ｎＨがＬＣ共振に寄与し、共振時間
は６００ｎｓとなる。このときの放電回収時間である期
間ＴＡは５００ｎｓであり、ノードＮ１の電圧が接地電
位からピーク電圧Ｖｐ１まで上昇する。
ジスタＱ３およびダイオードＤ１を介して回収コイルＬ
１に接続されるとともに、さらにダイオードＤ３および
トランジスタＱ５を介して回収コイルＬ２に接続され
る。この結果、回収コイルＬ１，Ｌ２の合成インダクタ
ンス値である３６０ｎＨがＬＣ共振に寄与し、共振時間
は６００ｎｓとなる。このときの放電回収時間である期
間ＴＡは５００ｎｓであり、ノードＮ１の電圧が接地電
位からピーク電圧Ｖｐ１まで上昇する。
【０１７５】このとき、ノードＮ１の電圧が維持期間に
おける放電開始電圧を越えると、放電セル１４が放電を
開始し、維持放電が行われる。また、回収コンデンサＣ
ｒの電荷がトランジスタＱ３、ダイオードＤ１および回
収コイルＬ１を介してパネル容量Ｃｐへ放出される。
おける放電開始電圧を越えると、放電セル１４が放電を
開始し、維持放電が行われる。また、回収コンデンサＣ
ｒの電荷がトランジスタＱ３、ダイオードＤ１および回
収コイルＬ１を介してパネル容量Ｃｐへ放出される。
【０１７６】次に、期間ＴＢにおいて、制御信号Ｓ１が
ハイレベルになりトランジスタＱ１がオンし、制御信号
Ｓ３，Ｓ５がローレベルになりトランジスタＱ３，Ｑ５
がオフする。したがって、ノードＮ１が電源端子Ｖ１に
接続され、ノードＮ１の電圧が急激に上昇し、維持電圧
Ｖｓｕｓに固定される。
ハイレベルになりトランジスタＱ１がオンし、制御信号
Ｓ３，Ｓ５がローレベルになりトランジスタＱ３，Ｑ５
がオフする。したがって、ノードＮ１が電源端子Ｖ１に
接続され、ノードＮ１の電圧が急激に上昇し、維持電圧
Ｖｓｕｓに固定される。
【０１７７】次に、期間ＴＣにおいて、制御信号Ｓ１が
ローレベルになりトランジスタＱ１がオフし、制御信号
Ｓ４がハイレベルになりトランジスタＱ４がオンする。
したがって、回収コンデンサＣｒがダイオードＤ２およ
びトランジスタＱ４を介して回収コイルＬ１に接続さ
れ、回収コイルＬ１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ共
振により、ノードＮ１の電圧が緩やかに降下する。
ローレベルになりトランジスタＱ１がオフし、制御信号
Ｓ４がハイレベルになりトランジスタＱ４がオンする。
したがって、回収コンデンサＣｒがダイオードＤ２およ
びトランジスタＱ４を介して回収コイルＬ１に接続さ
れ、回収コイルＬ１およびパネル容量ＣｐによるＬＣ共
振により、ノードＮ１の電圧が緩やかに降下する。
【０１７８】このとき、パネル容量Ｃｐに蓄えられた電
荷は、回収コイルＬ１、ダイオードＤ２およびトランジ
スタＱ４を介して回収コンデンサＣｒに蓄えられ、電荷
が回収される。この場合、回収コイルＬ１のみがＬＣ共
振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値は１
８００ｎＨとなり、共振時間は１３００ｎｓとなる。こ
のときの非放電回収時間である期間ＴＣは１３００ｎｓ
であり、非放電回収時間と共振時間とが一致している。
荷は、回収コイルＬ１、ダイオードＤ２およびトランジ
スタＱ４を介して回収コンデンサＣｒに蓄えられ、電荷
が回収される。この場合、回収コイルＬ１のみがＬＣ共
振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するインダクタンス値は１
８００ｎＨとなり、共振時間は１３００ｎｓとなる。こ
のときの非放電回収時間である期間ＴＣは１３００ｎｓ
であり、非放電回収時間と共振時間とが一致している。
【０１７９】次に、期間ＴＤにおいて、制御信号Ｓ２が
ハイレベルになりトランジスタＱ２がオンし、制御信号
Ｓ４がローレベルになりトランジスタＱ４がオフする。
したがって、ノードＮ１が接地端子に接続され、ノード
Ｎ１の電圧が降下し、接地電位に固定される。
ハイレベルになりトランジスタＱ２がオンし、制御信号
Ｓ４がローレベルになりトランジスタＱ４がオフする。
したがって、ノードＮ１が接地端子に接続され、ノード
Ｎ１の電圧が降下し、接地電位に固定される。
【０１８０】このように、遅延時間が０ｎｓの場合、全
放電回収時間においてＬＣ共振に寄与するインダクタン
ス値が回収コイルＬ１，Ｌ２の合成インダクタンス値と
なり、共振時間が短くされるとともに、放電回収時間も
短くされる。
放電回収時間においてＬＣ共振に寄与するインダクタン
ス値が回収コイルＬ１，Ｌ２の合成インダクタンス値と
なり、共振時間が短くされるとともに、放電回収時間も
短くされる。
【０１８１】次に、点灯率が小さくなると、図２４に示
すように、制御信号Ｓ５の遅延時間が設定され、期間Ｔ
Ａにおいて、制御信号Ｓ３がハイレベルになりトランジ
スタＱ３がオンした後、制御信号Ｓ５が遅延時間ＤＴ１
だけ遅延された後にハイレベルになり、トランジスタＱ
５がオンされる。
すように、制御信号Ｓ５の遅延時間が設定され、期間Ｔ
Ａにおいて、制御信号Ｓ３がハイレベルになりトランジ
スタＱ３がオンした後、制御信号Ｓ５が遅延時間ＤＴ１
だけ遅延された後にハイレベルになり、トランジスタＱ
５がオンされる。
【０１８２】したがって、遅延時間ＤＴ１では、トラン
ジスタＱ３がオンし、回収コイルＬ１がＬＣ共振に寄与
するが、トランジスタＱ５はオフされているため、回収
コイルＬ２はＬＣ共振に寄与しない。次に、期間ＴＡの
遅延時間ＤＴ１以降の期間では、トランジスタＱ３，Ｑ
５がともにオンし、回収コイルＬ１，Ｌ２がともにＬＣ
共振に寄与する。この結果、ＬＣ共振に寄与するインダ
クタンス値が大きくなり、共振時間が長くなる。
ジスタＱ３がオンし、回収コイルＬ１がＬＣ共振に寄与
するが、トランジスタＱ５はオフされているため、回収
コイルＬ２はＬＣ共振に寄与しない。次に、期間ＴＡの
遅延時間ＤＴ１以降の期間では、トランジスタＱ３，Ｑ
５がともにオンし、回収コイルＬ１，Ｌ２がともにＬＣ
共振に寄与する。この結果、ＬＣ共振に寄与するインダ
クタンス値が大きくなり、共振時間が長くなる。
【０１８３】例えば、点灯率が４０〜５０％の場合、共
振時間は８００ｎｓとなり、維持パルスＰｓｕのピーク
電圧Ｖｐ２がピーク電圧Ｖｐ１より高くなり、また、放
電回収時間も７００ｎｓと長くされ、回収効率が向上す
るとともに無効電力が低減される。
振時間は８００ｎｓとなり、維持パルスＰｓｕのピーク
電圧Ｖｐ２がピーク電圧Ｖｐ１より高くなり、また、放
電回収時間も７００ｎｓと長くされ、回収効率が向上す
るとともに無効電力が低減される。
【０１８４】次に、さらに点灯率が小さくなると、図２
５に示すように、制御信号Ｓ５の遅延時間がさらに延長
され、期間ＴＡにおいて、制御信号Ｓ３がハイレベルに
なりトランジスタＱ３がオンした後、制御信号Ｓ５が遅
延時間ＤＴ２だけ遅延された後にハイレベルになり、ト
ランジスタＱ５がオンされる。したがって、回収コイル
Ｌ１のみがＬＣ共振に寄与する期間が長くなるととも
に、回収コイルＬ１，Ｌ２がともにＬＣ共振に寄与する
期間が短くなるため、ＬＣ共振に寄与するインダクタン
ス値がより大きくなり、共振時間がより長くなる。
５に示すように、制御信号Ｓ５の遅延時間がさらに延長
され、期間ＴＡにおいて、制御信号Ｓ３がハイレベルに
なりトランジスタＱ３がオンした後、制御信号Ｓ５が遅
延時間ＤＴ２だけ遅延された後にハイレベルになり、ト
ランジスタＱ５がオンされる。したがって、回収コイル
Ｌ１のみがＬＣ共振に寄与する期間が長くなるととも
に、回収コイルＬ１，Ｌ２がともにＬＣ共振に寄与する
期間が短くなるため、ＬＣ共振に寄与するインダクタン
ス値がより大きくなり、共振時間がより長くなる。
【０１８５】例えば、点灯率が２０〜３０％の場合、共
振時間は１１００ｎｓとなり、維持パルスＰｓｕのピー
ク電圧Ｖｐ３がピーク電圧Ｖｐ２より高くなり、また、
放電回収時間も９００ｎｓに長くされ、回収効率がより
向上するとともに無効電力がより低減される。
振時間は１１００ｎｓとなり、維持パルスＰｓｕのピー
ク電圧Ｖｐ３がピーク電圧Ｖｐ２より高くなり、また、
放電回収時間も９００ｎｓに長くされ、回収効率がより
向上するとともに無効電力がより低減される。
【０１８６】次に、さらに点灯率が小さくなり、例え
ば、点灯率が０〜１０％になった場合、図２６に示すよ
うに、制御信号Ｓ５は常にローレベルにあり、トランジ
スタＱ５は常にオフしている。したがって、回収コイル
Ｌ１のみがＬＣ共振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するイン
ダクタンス値が１８００ｎＨと大きくなり、共振時間が
１３００ｎｓと長くなるとともに、放電回収時間も１３
００ｎｓと長くされる。この結果、維持パルスＰｓｕの
ピーク電圧Ｖｐ４がピーク電圧Ｖｐ３よりさらに高くな
り、回収効率がさらに向上するとともに無効電力がさら
に低減される。
ば、点灯率が０〜１０％になった場合、図２６に示すよ
うに、制御信号Ｓ５は常にローレベルにあり、トランジ
スタＱ５は常にオフしている。したがって、回収コイル
Ｌ１のみがＬＣ共振に寄与し、ＬＣ共振に寄与するイン
ダクタンス値が１８００ｎＨと大きくなり、共振時間が
１３００ｎｓと長くなるとともに、放電回収時間も１３
００ｎｓと長くされる。この結果、維持パルスＰｓｕの
ピーク電圧Ｖｐ４がピーク電圧Ｖｐ３よりさらに高くな
り、回収効率がさらに向上するとともに無効電力がさら
に低減される。
【０１８７】このように、点灯率が小さくなるほど、放
電回収時間である期間ＴＡを長くするとともに、ＬＣ共
振に寄与するインダクタンス値を大きくして共振時間を
長くしている。したがって、２つの回収コイルＬ１，Ｌ
２を用いて放電回収時間である期間ＴＡにおけるインダ
クタンス値を順次変化させることができ、点灯率に応じ
て最適なインダクタンス値に設定することができる。
電回収時間である期間ＴＡを長くするとともに、ＬＣ共
振に寄与するインダクタンス値を大きくして共振時間を
長くしている。したがって、２つの回収コイルＬ１，Ｌ
２を用いて放電回収時間である期間ＴＡにおけるインダ
クタンス値を順次変化させることができ、点灯率に応じ
て最適なインダクタンス値に設定することができる。
【０１８８】上記のように、本実施の形態では、第２の
実施の形態と同様にサブフィールドごとの点灯率に応じ
て共振時間、放電回収時間および維持周期を制御するこ
とができるので、第２の実施の形態と同様の効果を得る
ことができるとともに、２個の回収コイルを用いて共振
時間を種々の値に設定することができ、回路構成を簡略
することができる。
実施の形態と同様にサブフィールドごとの点灯率に応じ
て共振時間、放電回収時間および維持周期を制御するこ
とができるので、第２の実施の形態と同様の効果を得る
ことができるとともに、２個の回収コイルを用いて共振
時間を種々の値に設定することができ、回路構成を簡略
することができる。
【０１８９】なお、本実施の形態では、点灯率に応じて
共振時間、放電回収時間および維持周期をともに変化さ
せているが、維持周期を変えずに、放電回収時間と共振
時間だけを変化させるようにしてもよい。
共振時間、放電回収時間および維持周期をともに変化さ
せているが、維持周期を変えずに、放電回収時間と共振
時間だけを変化させるようにしてもよい。
【０１９０】次に、図１９に示すサステインドライバ６
ｂの他の例について説明する。図２７は、図１９に示す
サステインドライバ６ｂの他の例の構成を示す回路図で
ある。
ｂの他の例について説明する。図２７は、図１９に示す
サステインドライバ６ｂの他の例の構成を示す回路図で
ある。
【０１９１】図２７に示すサステインドライバ６ｂ’と
図２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、
ダイオードＤ３およびトランジスタＱ５が省略され、回
収コイルＬ２がトランジスタＱ６およびダイオードＤ４
を介して回収コンデンサＣｒに接続される点であり、そ
の他の点は図２１に示すサステインドライバ６ｂと同様
であるので、同一部分には同一符号を付し、以下詳細な
説明を省略する。
図２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、
ダイオードＤ３およびトランジスタＱ５が省略され、回
収コイルＬ２がトランジスタＱ６およびダイオードＤ４
を介して回収コンデンサＣｒに接続される点であり、そ
の他の点は図２１に示すサステインドライバ６ｂと同様
であるので、同一部分には同一符号を付し、以下詳細な
説明を省略する。
【０１９２】図２７に示すように、回収コンデンサＣｒ
とノードＮ１との間には、直列に接続されたトランジス
タＱ３、ダイオードＤ１および回収コイルＬ１と、直列
に接続されたトランジスタＱ６、ダイオードＤ４および
回収コイルＬ２とが並列に接続される。トランジスタＱ
６のゲートには制御信号Ｓ５が入力される。
とノードＮ１との間には、直列に接続されたトランジス
タＱ３、ダイオードＤ１および回収コイルＬ１と、直列
に接続されたトランジスタＱ６、ダイオードＤ４および
回収コイルＬ２とが並列に接続される。トランジスタＱ
６のゲートには制御信号Ｓ５が入力される。
【０１９３】上記の構成により、図２７に示すサステイ
ンドライバ６ｂ’も図２１に示すサステインドライバ６
ｂと同様に動作することができ、同様の効果を得ること
ができる。また、図２７に示すサステインドライバ６
ｂ’では、回収コンデンサＣｒと回収コイルＬ２との間
に１個のトランジスタＱ６および１個のダイオードＤ４
のみが接続されているので、図２１に示すサステインド
ライバ６ｂのように２個のトランジスタＱ３，Ｑ５およ
び２個のダイオードＤ１，Ｄ３が接続される場合と比較
して、電流経路での損失を小さくすることができ、無効
電力をより低減することができる。
ンドライバ６ｂ’も図２１に示すサステインドライバ６
ｂと同様に動作することができ、同様の効果を得ること
ができる。また、図２７に示すサステインドライバ６
ｂ’では、回収コンデンサＣｒと回収コイルＬ２との間
に１個のトランジスタＱ６および１個のダイオードＤ４
のみが接続されているので、図２１に示すサステインド
ライバ６ｂのように２個のトランジスタＱ３，Ｑ５およ
び２個のダイオードＤ１，Ｄ３が接続される場合と比較
して、電流経路での損失を小さくすることができ、無効
電力をより低減することができる。
【０１９４】次に、図１９に示すサステインドライバ６
ｂのさらに他の例について説明する。図２８は、図１９
に示すサステインドライバ６ｂのさらに他の例の構成を
示す回路図である。
ｂのさらに他の例について説明する。図２８は、図１９
に示すサステインドライバ６ｂのさらに他の例の構成を
示す回路図である。
【０１９５】図２８に示すサステインドライバ６ｂ”と
図２７に示すサステインドライバ６ｂ’とで異なる点
は、ダイオードＤ２がノードＮ２から切り離され、ダイ
オードｄ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ３が挿入
された点であり、その他の点は図２７に示すサステイン
ドライバ６ｂと同様であるので、同一部分には同一符号
を付し、以下詳細な説明を省略する。
図２７に示すサステインドライバ６ｂ’とで異なる点
は、ダイオードＤ２がノードＮ２から切り離され、ダイ
オードｄ２とノードＮ１との間に回収コイルＬ３が挿入
された点であり、その他の点は図２７に示すサステイン
ドライバ６ｂと同様であるので、同一部分には同一符号
を付し、以下詳細な説明を省略する。
【０１９６】図２８に示すように、ノードＮ１に回収コ
イルＬ３の一端が接続され、回収コイルＬ３の他端がダ
イオードＤ２のアノードに接続される。したがって、非
放電回収時間である期間ＴＣにおいてＬＣ共振に寄与す
る回収コイルは、回収コイルＬ３となり、非放電回収時
間におけるＬＣ共振に寄与するインダクタンス値を放電
回収時間におけるＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
と独立して任意の値に設定することができる。
イルＬ３の一端が接続され、回収コイルＬ３の他端がダ
イオードＤ２のアノードに接続される。したがって、非
放電回収時間である期間ＴＣにおいてＬＣ共振に寄与す
る回収コイルは、回収コイルＬ３となり、非放電回収時
間におけるＬＣ共振に寄与するインダクタンス値を放電
回収時間におけるＬＣ共振に寄与するインダクタンス値
と独立して任意の値に設定することができる。
【０１９７】この場合、非放電回収時間では放電が行わ
れないため、放電安定性を考慮することなく、回収時間
を十分に長くすることができる。例えば、回収時間を２
０００ｎｓに設定するとともに、共振時間が２０００ｎ
ｓとなるようなインダクタンス値に回収コイルＬ３のイ
ンダクタンス値を設定することにより、非放電回収時間
をさらに長くすることができ、無効電力をより低減する
ことができる。
れないため、放電安定性を考慮することなく、回収時間
を十分に長くすることができる。例えば、回収時間を２
０００ｎｓに設定するとともに、共振時間が２０００ｎ
ｓとなるようなインダクタンス値に回収コイルＬ３のイ
ンダクタンス値を設定することにより、非放電回収時間
をさらに長くすることができ、無効電力をより低減する
ことができる。
【０１９８】次に、本発明の第４の実施の形態によるプ
ラズマディスプレイ装置について説明する。図２９は、
本発明の第４の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
ラズマディスプレイ装置について説明する。図２９は、
本発明の第４の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
【０１９９】図２９に示すプラズマディスプレイ装置と
図１９に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ａ、スキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂが点灯率に応じて共振時
間、放電回収時間、非放電回収時間および維持周期を変
化させるためのサブフィールド処理器３ｂ、スキャンド
ライバ５ｃおよびサステインドライバ６ｃに変更された
点であり、その他の点は図１９に示すプラズマディスプ
レイ装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付
し以下異なる部分について詳細に説明する。
図１９に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ａ、スキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂが点灯率に応じて共振時
間、放電回収時間、非放電回収時間および維持周期を変
化させるためのサブフィールド処理器３ｂ、スキャンド
ライバ５ｃおよびサステインドライバ６ｃに変更された
点であり、その他の点は図１９に示すプラズマディスプ
レイ装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付
し以下異なる部分について詳細に説明する。
【０２００】図３０は、図２９に示すサブフィールド処
理器３ｂの構成を示すブロック図である。図３０に示す
サブフィールド処理器３ｂと図２０に示すサブフィール
ド処理器３ａとで異なる点は、放電制御信号発生器３５
ａが点灯率に応じて共振時間、放電回収時間、非放電回
収時間および維持周期を変化させるための制御信号Ｓ１
〜Ｓ５を出力する放電制御信号発生器３５ｂに変更され
た点であり、その他の点は図２０に示すサブフィールド
処理器３ａと同様であるので、同一部分には同一符号を
付し以下詳細な説明を省略する。
理器３ｂの構成を示すブロック図である。図３０に示す
サブフィールド処理器３ｂと図２０に示すサブフィール
ド処理器３ａとで異なる点は、放電制御信号発生器３５
ａが点灯率に応じて共振時間、放電回収時間、非放電回
収時間および維持周期を変化させるための制御信号Ｓ１
〜Ｓ５を出力する放電制御信号発生器３５ｂに変更され
た点であり、その他の点は図２０に示すサブフィールド
処理器３ａと同様であるので、同一部分には同一符号を
付し以下詳細な説明を省略する。
【０２０１】図３０に示す放電制御信号発生器３５ｂ
は、サステインドライバ６ｃが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間、回収時間決定部３２により決定
された回収時間すなわち放電回収時間および非放電回収
時間ならびに維持周期決定部３４に決定された維持周期
で維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆
動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ５を出力する。
は、サステインドライバ６ｃが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間、回収時間決定部３２により決定
された回収時間すなわち放電回収時間および非放電回収
時間ならびに維持周期決定部３４に決定された維持周期
で維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆
動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ５を出力する。
【０２０２】なお、スキャンドライバ５ｃについても上
記と同様にサブフィールド処理器３ｂにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
記と同様にサブフィールド処理器３ｂにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
【０２０３】図３１は、図２９に示すサステインドライ
バ６ｃの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｃも、サステインドライバ６ｃと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｃに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｃについてのみ、以下詳細に説明する。
バ６ｃの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｃも、サステインドライバ６ｃと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｃに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｃについてのみ、以下詳細に説明する。
【０２０４】図３１に示すサステインドライバ６ｃと図
２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、ダ
イオードＤ３およびトランジスタＱ５が２個のトランジ
スタＱ７，Ｑ８に変更された点であり、その他の点は図
２１に示すサステインドライバ６ｂと同様であるので、
同一部分には同一符号を付し以下詳細な説明を省略す
る。
２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、ダ
イオードＤ３およびトランジスタＱ５が２個のトランジ
スタＱ７，Ｑ８に変更された点であり、その他の点は図
２１に示すサステインドライバ６ｂと同様であるので、
同一部分には同一符号を付し以下詳細な説明を省略す
る。
【０２０５】図３１に示すように、トランジスタＱ７の
ドレインがノードＮ２に接続され、トランジスタＱ７の
ソースとトランジスタＱ８のソースとが接続され、トラ
ンジスタＱ８のドレインが回収コイルＬ２に接続され、
トランジスタＱ７，Ｑ８の各ゲートには制御信号Ｓ５が
入力される。
ドレインがノードＮ２に接続され、トランジスタＱ７の
ソースとトランジスタＱ８のソースとが接続され、トラ
ンジスタＱ８のドレインが回収コイルＬ２に接続され、
トランジスタＱ７，Ｑ８の各ゲートには制御信号Ｓ５が
入力される。
【０２０６】上記の構成により、図３１に示すサステイ
ンドライバ６ｃでは、ノードＮ２とノードＮ１との間の
双方向の電流をオン／オフすることができ、維持パルス
Ｐｓｕの立ち上がり時に共振時間および放電回収時間を
変化させることができるとともに、立ち下がり時に共振
時間および非放電回収時間を変化させることができる。
ンドライバ６ｃでは、ノードＮ２とノードＮ１との間の
双方向の電流をオン／オフすることができ、維持パルス
Ｐｓｕの立ち上がり時に共振時間および放電回収時間を
変化させることができるとともに、立ち下がり時に共振
時間および非放電回収時間を変化させることができる。
【０２０７】本実施の形態では、トランジスタＱ３，Ｑ
４，Ｑ７，Ｑ８、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ
１，Ｌ２およびダイオードＤ１，Ｄ２が回収手段に相当
し、サブフィールド処理器３ｂが制御手段に相当し、ト
ランジスタＱ７，Ｑ８および回収コイルＬ１，Ｌ２がイ
ンダクタンス手段および可変インダクタンス手段に相当
し、トランジスタＱ７，Ｑ８が第２のスイッチ手段に相
当し、その他の点は、第３の実施の形態と同様である。
４，Ｑ７，Ｑ８、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ
１，Ｌ２およびダイオードＤ１，Ｄ２が回収手段に相当
し、サブフィールド処理器３ｂが制御手段に相当し、ト
ランジスタＱ７，Ｑ８および回収コイルＬ１，Ｌ２がイ
ンダクタンス手段および可変インダクタンス手段に相当
し、トランジスタＱ７，Ｑ８が第２のスイッチ手段に相
当し、その他の点は、第３の実施の形態と同様である。
【０２０８】図３２〜図３５は、図３１に示すサステイ
ンドライバ６ｃの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図３２〜図３５には、図３１のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ５が示される。
ンドライバ６ｃの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図３２〜図３５には、図３１のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ５が示される。
【０２０９】図３２〜図３５に示すように、サステイン
ドライバ６ｃでは、第３の実施の形態と同様に、点灯率
に応じて、放電回収時間となる期間ＴＡおよび遅延時間
ＤＴ１，ＤＴ２が制御されるとともに、非放電回収時間
となる期間ＴＣおよび遅延時間ＤＴ１，ＤＴ２が制御さ
れる。
ドライバ６ｃでは、第３の実施の形態と同様に、点灯率
に応じて、放電回収時間となる期間ＴＡおよび遅延時間
ＤＴ１，ＤＴ２が制御されるとともに、非放電回収時間
となる期間ＴＣおよび遅延時間ＤＴ１，ＤＴ２が制御さ
れる。
【０２１０】上記のように、本実施の形態では、サブフ
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの立ち
上がり時および立ち下がり時の放電回収時間、非放電回
収時間、共振時間および維持周期を長くすることがで
き、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの立ち
上がり時および立ち下がり時の放電回収時間、非放電回
収時間、共振時間および維持周期を長くすることがで
き、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
【０２１１】また、直列に接続された二つの電界効果型
トランジスタＱ７，Ｑ８を用いているので、トランジス
タＱ７，Ｑ８における損失を十分に低減することがで
き、無効電力をより低減することができる。
トランジスタＱ７，Ｑ８を用いているので、トランジス
タＱ７，Ｑ８における損失を十分に低減することがで
き、無効電力をより低減することができる。
【０２１２】なお、本実施の形態では、放電回収時間お
よびその共振時間と、非放電回収時間およびその共振時
間を同じ時間にしているが、両者を独立して異なる時間
になるように制御してもよい。
よびその共振時間と、非放電回収時間およびその共振時
間を同じ時間にしているが、両者を独立して異なる時間
になるように制御してもよい。
【０２１３】また、スイッチ手段として、トランジスタ
Ｑ７，Ｑ８を用いたが、この例に特に限定されず、ＭＯ
Ｓ（Metal Oxide Semiconductor ）ＦＥＴとバイポーラ
トランジスタを組み合わせて１チップにした素子である
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等を
用いてもよい。また、第３の実施の形態では、スイッチ
手段として、ダイオードＤ１およびトランジスタＱ３、
ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４、ダイオードＤ
３およびトランジスタＱ５を用いたが、第４の実施の形
態と同様に直列に接続された二つの電界効果型トランジ
スタを用いてもよく、絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ等を用いてもよい。この点に関して後述する第５の
実施の形態も同様である。
Ｑ７，Ｑ８を用いたが、この例に特に限定されず、ＭＯ
Ｓ（Metal Oxide Semiconductor ）ＦＥＴとバイポーラ
トランジスタを組み合わせて１チップにした素子である
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等を
用いてもよい。また、第３の実施の形態では、スイッチ
手段として、ダイオードＤ１およびトランジスタＱ３、
ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４、ダイオードＤ
３およびトランジスタＱ５を用いたが、第４の実施の形
態と同様に直列に接続された二つの電界効果型トランジ
スタを用いてもよく、絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ等を用いてもよい。この点に関して後述する第５の
実施の形態も同様である。
【０２１４】次に、本発明の第５の実施の形態によるプ
ラズマディスプレイ装置について説明する。図３６は、
本発明の第５の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
ラズマディスプレイ装置について説明する。図３６は、
本発明の第５の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
【０２１５】図３６に示すプラズマディスプレイ装置と
図１９に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ａ、スキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂが点灯率に応じて共振時
間、放電回収時間、非放電回収時間および維持周期を変
化させるためのサブフィールド処理器３ｃ、スキャンド
ライバ５ｄおよびサステインドライバ６ｄに変更された
点であり、その他の点は図１９に示すプラズマディスプ
レイ装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付
し以下異なる部分について詳細に説明する。
図１９に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ａ、スキャンドライバ５ｂ
およびサステインドライバ６ｂが点灯率に応じて共振時
間、放電回収時間、非放電回収時間および維持周期を変
化させるためのサブフィールド処理器３ｃ、スキャンド
ライバ５ｄおよびサステインドライバ６ｄに変更された
点であり、その他の点は図１９に示すプラズマディスプ
レイ装置と同様であるので、同一部分には同一符号を付
し以下異なる部分について詳細に説明する。
【０２１６】図３７は、図３６に示すサブフィールド処
理器３ｃの構成を示すブロック図である。図３７に示す
サブフィールド処理器３ｃと図２０に示すサブフィール
ド処理器３ａとで異なる点は、放電制御信号発生器３５
ａが点灯率に応じて共振時間、放電回収時間、非放電回
収時間および維持周期を変化させるための制御信号Ｓ１
〜Ｓ６を出力する放電制御信号発生器３５ｃに変更され
た点であり、その他の点は図２０に示すサブフィールド
処理器３ａと同様であるので、同一部分には同一符号を
付し以下詳細な説明を省略する。
理器３ｃの構成を示すブロック図である。図３７に示す
サブフィールド処理器３ｃと図２０に示すサブフィール
ド処理器３ａとで異なる点は、放電制御信号発生器３５
ａが点灯率に応じて共振時間、放電回収時間、非放電回
収時間および維持周期を変化させるための制御信号Ｓ１
〜Ｓ６を出力する放電制御信号発生器３５ｃに変更され
た点であり、その他の点は図２０に示すサブフィールド
処理器３ａと同様であるので、同一部分には同一符号を
付し以下詳細な説明を省略する。
【０２１７】図３７に示す放電制御信号発生器３５ｃ
は、サステインドライバ６ｄが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間、回収時間決定部３２により決定
された回収時間すなわち放電回収時間および非放電回収
時間ならびに維持周期決定部３４に決定された維持周期
で維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆
動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ６を出力する。
は、サステインドライバ６ｄが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間、回収時間決定部３２により決定
された回収時間すなわち放電回収時間および非放電回収
時間ならびに維持周期決定部３４に決定された維持周期
で維持パルスを出力するように、サステインドライバ駆
動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ６を出力する。
【０２１８】なお、スキャンドライバ５ｄについても上
記と同様にサブフィールド処理器３ｃにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
記と同様にサブフィールド処理器３ｃにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
【０２１９】図３８は、図３６に示すサステインドライ
バ６ｄの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｄも、サステインドライバ６ｄと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｄに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｄについてのみ、以下詳細に説明する。
バ６ｄの構成を示す回路図である。なお、本実施の形態
のスキャンドライバ５ｄも、サステインドライバ６ｄと
同様に構成され、同様に動作するので、スキャンドライ
バ５ｄに関する詳細な説明を省略し、サステインドライ
バ６ｄについてのみ、以下詳細に説明する。
【０２２０】図３８に示すサステインドライバ６ｄと図
２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、ダ
イオードＤ３およびトランジスタＱ５が省略され、回収
コイルＬ２がトランジスタＱ９およびダイオードＤ５と
トランジスタＱ１０およびダイオードＤ６とを介して回
収コンデンサＣｒに接続される点であり、その他の点は
図２１に示すサステインドライバ６ｂと同様であるの
で、同一部分には同一符号を付し、以下詳細な説明を省
略する。
２１に示すサステインドライバ６ｂとで異なる点は、ダ
イオードＤ３およびトランジスタＱ５が省略され、回収
コイルＬ２がトランジスタＱ９およびダイオードＤ５と
トランジスタＱ１０およびダイオードＤ６とを介して回
収コンデンサＣｒに接続される点であり、その他の点は
図２１に示すサステインドライバ６ｂと同様であるの
で、同一部分には同一符号を付し、以下詳細な説明を省
略する。
【０２２１】図３８に示すように、回収コンデンサＣｒ
と回収コイルＬ２との間には、直列に接続されたトラン
ジスタＱ９およびダイオードＤ５と、直列に接続された
トランジスタＱ１０およびダイオードＤ６とが並列に接
続される。トランジスタＱ９のゲートには制御信号Ｓ５
が入力され、トランジスタＱ１０のゲートには制御信号
Ｓ６が入力される。
と回収コイルＬ２との間には、直列に接続されたトラン
ジスタＱ９およびダイオードＤ５と、直列に接続された
トランジスタＱ１０およびダイオードＤ６とが並列に接
続される。トランジスタＱ９のゲートには制御信号Ｓ５
が入力され、トランジスタＱ１０のゲートには制御信号
Ｓ６が入力される。
【０２２２】上記の構成により、図３８に示すサステイ
ンドライバ６ｄでは、ノードＮ４とノードＮ３との間の
双方向の電流をオン／オフすることができるので、回収
コイルＬ１に対する回収コイルＬ２の並列接続状態を維
持パルスＰｓｕの立ち上がり時および立ち下がり時に独
立して制御することができ、維持パルスＰｓｕの立ち上
がり時に共振時間および放電回収時間を変化させること
ができるとともに、立ち下がり時に共振時間および非放
電回収時間を変化させることができる。
ンドライバ６ｄでは、ノードＮ４とノードＮ３との間の
双方向の電流をオン／オフすることができるので、回収
コイルＬ１に対する回収コイルＬ２の並列接続状態を維
持パルスＰｓｕの立ち上がり時および立ち下がり時に独
立して制御することができ、維持パルスＰｓｕの立ち上
がり時に共振時間および放電回収時間を変化させること
ができるとともに、立ち下がり時に共振時間および非放
電回収時間を変化させることができる。
【０２２３】本実施の形態では、トランジスタＱ３，Ｑ
４，Ｑ９，Ｑ１０、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ
１，Ｌ２およびダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ５，Ｄ６が回
収手段に相当し、サブフィールド処理器３ｃが制御手段
に相当し、トランジスタＱ９，Ｑ１０、ダイオードＤ
５，Ｄ６および回収コイルＬ１，Ｌ２がインダクタンス
手段および可変インダクタンス手段に相当し、ダイオー
ドＤ５およびトランジスタＱ９が第２のスイッチ手段に
相当し、ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４が第３
のスイッチ手段に相当し、ダイオードＤ６およびトラン
ジスタＱ１０が第４のスイッチ手段に相当し、その他の
点は、第３の実施の形態と同様である。
４，Ｑ９，Ｑ１０、回収コンデンサＣｒ、回収コイルＬ
１，Ｌ２およびダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ５，Ｄ６が回
収手段に相当し、サブフィールド処理器３ｃが制御手段
に相当し、トランジスタＱ９，Ｑ１０、ダイオードＤ
５，Ｄ６および回収コイルＬ１，Ｌ２がインダクタンス
手段および可変インダクタンス手段に相当し、ダイオー
ドＤ５およびトランジスタＱ９が第２のスイッチ手段に
相当し、ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４が第３
のスイッチ手段に相当し、ダイオードＤ６およびトラン
ジスタＱ１０が第４のスイッチ手段に相当し、その他の
点は、第３の実施の形態と同様である。
【０２２４】図３９〜図４２は、図３８に示すサステイ
ンドライバ６ｄの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図３９〜図４２には、図３８のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ６が示される。
ンドライバ６ｄの維持期間の動作を示すタイミング図で
ある。図３９〜図４２には、図３８のノードＮ１の電圧
および制御信号Ｓ１〜Ｓ６が示される。
【０２２５】図３９〜図４２に示すように、サステイン
ドライバ６ｄでは、第４の実施の形態と同様に、点灯率
に応じて、放電回収時間となる期間ＴＡおよび遅延時間
ＤＴ１，ＤＴ２が制御されるとともに、非放電回収時間
となる期間ＴＣおよび遅延時間ＤＴ１，ＤＴ２が制御さ
れる。
ドライバ６ｄでは、第４の実施の形態と同様に、点灯率
に応じて、放電回収時間となる期間ＴＡおよび遅延時間
ＤＴ１，ＤＴ２が制御されるとともに、非放電回収時間
となる期間ＴＣおよび遅延時間ＤＴ１，ＤＴ２が制御さ
れる。
【０２２６】上記のように、本実施の形態では、サブフ
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの立ち
上がり時および立ち下がり時の放電回収時間、非放電回
収時間、共振時間および維持周期を長くすることがで
き、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの立ち
上がり時および立ち下がり時の放電回収時間、非放電回
収時間、共振時間および維持周期を長くすることがで
き、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
【０２２７】また、制御信号Ｓ５，Ｓ６によりトランジ
スタＱ９，Ｑ１０のオン／オフ状態を独立して制御する
ことができるので、維持パルスの立ち上がり時および立
ち下がり時の共振時間を独立して制御することができる
とともに、回収コイルＬ２を維持パルスの立ち上がり時
および立ち下がり時に共用しているため、回路構成を簡
略化することができる。
スタＱ９，Ｑ１０のオン／オフ状態を独立して制御する
ことができるので、維持パルスの立ち上がり時および立
ち下がり時の共振時間を独立して制御することができる
とともに、回収コイルＬ２を維持パルスの立ち上がり時
および立ち下がり時に共用しているため、回路構成を簡
略化することができる。
【０２２８】上記の構成により、図３８に示すサステイ
ンドライバ６ｄでは、回収コンデンサＣｒと回収コイル
Ｌ２との間に１個のトランジスタＱ９および１個のダイ
オードＤ５のみが接続されているので、図３１に示すサ
ステインドライバ６ｃのように３個のトランジスタＱ
３，Ｑ７，Ｑ８および１個のダイオードＤ１が接続され
る場合と比較して、電流経路での損失を小さくすること
ができ、無効電力をより低減することができる。
ンドライバ６ｄでは、回収コンデンサＣｒと回収コイル
Ｌ２との間に１個のトランジスタＱ９および１個のダイ
オードＤ５のみが接続されているので、図３１に示すサ
ステインドライバ６ｃのように３個のトランジスタＱ
３，Ｑ７，Ｑ８および１個のダイオードＤ１が接続され
る場合と比較して、電流経路での損失を小さくすること
ができ、無効電力をより低減することができる。
【０２２９】なお、本実施の形態では、放電回収時間お
よびその共振時間と、非放電回収時間およびその共振時
間を同じ時間にしているが、両者を独立して異なる時間
になるように制御してもよい。
よびその共振時間と、非放電回収時間およびその共振時
間を同じ時間にしているが、両者を独立して異なる時間
になるように制御してもよい。
【０２３０】次に、本発明の第６の実施の形態によるプ
ラズマディスプレイ装置について説明する。図４３は、
本発明の第６の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
ラズマディスプレイ装置について説明する。図４３は、
本発明の第６の実施の形態によるプラズマディスプレイ
装置の構成を示すブロック図である。
【０２３１】図４３に示すプラズマディスプレイ装置と
図３６に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ｃ、スキャンドライバ５ｄ
およびサステインドライバ６ｄが点灯率に応じて共振時
間および維持周期を変化させるためのサブフィールド処
理器３ｄ、スキャンドライバ５ｅおよびサステインドラ
イバ６ｅに変更された点であり、その他の点は図３６に
示すプラズマディスプレイ装置と同様であるので、同一
部分には同一符号を付し以下異なる部分について詳細に
説明する。
図３６に示すプラズマディスプレイ装置とで異なる点
は、サブフィールド処理器３ｃ、スキャンドライバ５ｄ
およびサステインドライバ６ｄが点灯率に応じて共振時
間および維持周期を変化させるためのサブフィールド処
理器３ｄ、スキャンドライバ５ｅおよびサステインドラ
イバ６ｅに変更された点であり、その他の点は図３６に
示すプラズマディスプレイ装置と同様であるので、同一
部分には同一符号を付し以下異なる部分について詳細に
説明する。
【０２３２】図４４は、図４３に示すサブフィールド処
理器３ｄの構成を示すブロック図である。図４４に示す
サブフィールド処理器３ｄと図３７に示すサブフィール
ド処理器３ｃとで異なる点は、図４４のサブフィールド
処理器３ｄでは、放電制御信号発生器３５ｃが、回収時
間を固定して点灯率に応じて共振時間および維持周期を
変化させるための制御信号Ｓ１〜Ｓ６を出力する放電制
御信号発生器３５ｄに変更された点、および点灯率／回
収時間ＬＵＴ３１および回収時間決定部３２が設けられ
ていない点であり、その他の点は図３７に示すサブフィ
ールド処理器３ｃと同様であるので、同一部分には同一
符号を付し以下詳細な説明を省略する。
理器３ｄの構成を示すブロック図である。図４４に示す
サブフィールド処理器３ｄと図３７に示すサブフィール
ド処理器３ｃとで異なる点は、図４４のサブフィールド
処理器３ｄでは、放電制御信号発生器３５ｃが、回収時
間を固定して点灯率に応じて共振時間および維持周期を
変化させるための制御信号Ｓ１〜Ｓ６を出力する放電制
御信号発生器３５ｄに変更された点、および点灯率／回
収時間ＬＵＴ３１および回収時間決定部３２が設けられ
ていない点であり、その他の点は図３７に示すサブフィ
ールド処理器３ｃと同様であるので、同一部分には同一
符号を付し以下詳細な説明を省略する。
【０２３３】図４４に示す放電制御信号発生器３５ｄ
は、サステインドライバ６ｅが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間および維持周期決定部３４に決定
された維持周期で維持パルスを出力するように、サステ
インドライバ駆動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ
６を出力する。
は、サステインドライバ６ｅが共振時間決定部３７によ
り決定された共振時間および維持周期決定部３４に決定
された維持周期で維持パルスを出力するように、サステ
インドライバ駆動制御信号ＵＳとして制御信号Ｓ１〜Ｓ
６を出力する。
【０２３４】なお、スキャンドライバ５ｅについても上
記と同様にサブフィールド処理器３ｄにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
記と同様にサブフィールド処理器３ｄにより制御され、
同様にサブフィールドごとの点灯率に応じてスキャン電
極１２に印加される維持パルスの波形および周期が制御
される。
【０２３５】図４３に示すサステインドライバ６ｅの構
成は、図３８に示されたサステインドライバ６ｄの構成
と同様である。また、図４３に示すスキャンドライバ５
ｅも、サステインドライバ６ｅと同様に構成され、同様
に動作する。
成は、図３８に示されたサステインドライバ６ｄの構成
と同様である。また、図４３に示すスキャンドライバ５
ｅも、サステインドライバ６ｅと同様に構成され、同様
に動作する。
【０２３６】なお、サステインドライバ６ｅおよびスキ
ャンドライバ５ｅの構成として、図２１に示したサステ
インドライバ６ｂの構成、図２７に示したサステインド
ライバ６ｂ’の構成、図２８に示したサステインドライ
バ６ｂ”の構成、図３１に示したサステインドライバ６
ｃの構成、または図３８に示したサステインドライバ６
ｄの構成を用いてもよい。この場合にも、図４４のサブ
フィールド処理器３ｄは、回収周期を固定して点灯率に
応じて共振時間および維持周期を変化させる。
ャンドライバ５ｅの構成として、図２１に示したサステ
インドライバ６ｂの構成、図２７に示したサステインド
ライバ６ｂ’の構成、図２８に示したサステインドライ
バ６ｂ”の構成、図３１に示したサステインドライバ６
ｃの構成、または図３８に示したサステインドライバ６
ｄの構成を用いてもよい。この場合にも、図４４のサブ
フィールド処理器３ｄは、回収周期を固定して点灯率に
応じて共振時間および維持周期を変化させる。
【０２３７】次に、図４３に示すサブフィールド処理器
３ｄによる維持パルスの共振時間および維持周期の制御
動作について説明する。
３ｄによる維持パルスの共振時間および維持周期の制御
動作について説明する。
【０２３８】図４５は、共振時間と無効電力損失との関
係の一例を示す図であり、回収時間を７００ｎｓに固定
し、共振時間を変化させたときの１パルス当たりの無効
電力損失を計測したデータを示している。図４５に示す
ように、共振時間が短くなるほど、１パルス当たりの無
効電力損失が小さくなることがわかる。
係の一例を示す図であり、回収時間を７００ｎｓに固定
し、共振時間を変化させたときの１パルス当たりの無効
電力損失を計測したデータを示している。図４５に示す
ように、共振時間が短くなるほど、１パルス当たりの無
効電力損失が小さくなることがわかる。
【０２３９】図４６は、各共振時間における点灯率と安
定に放電を行うことができる安定放電電圧との関係の一
例を示す図である。図４６に示すように、共振時間が長
くなるにつれ、点灯率が同じ場合でも、安定放電電圧が
高くなることがわかる。例えば、共振時間が１０００ｎ
ｓの場合、点灯率が０〜４０％の範囲では、維持パルス
Ｐｓｕの維持電圧Ｖｓｕｓ以下で安定に放電することが
できるが、約４０％を超えた時点から維持電圧Ｖｓｕｓ
では安定に放電できなくなることがわかる。
定に放電を行うことができる安定放電電圧との関係の一
例を示す図である。図４６に示すように、共振時間が長
くなるにつれ、点灯率が同じ場合でも、安定放電電圧が
高くなることがわかる。例えば、共振時間が１０００ｎ
ｓの場合、点灯率が０〜４０％の範囲では、維持パルス
Ｐｓｕの維持電圧Ｖｓｕｓ以下で安定に放電することが
できるが、約４０％を超えた時点から維持電圧Ｖｓｕｓ
では安定に放電できなくなることがわかる。
【０２４０】このように、共振時間が短い場合、点灯率
が大きい場合でも小さい場合でも安定に放電を行うこと
ができるが、共振時間が長くなると、点灯率が小さい場
合は安定に発光することができるが、点灯率が大きくな
ると、安定に放電することができない。
が大きい場合でも小さい場合でも安定に放電を行うこと
ができるが、共振時間が長くなると、点灯率が小さい場
合は安定に発光することができるが、点灯率が大きくな
ると、安定に放電することができない。
【０２４１】したがって、本実施の形態では、点灯率が
小さい場合に共振時間を長くし、点灯率が大きい場合に
共振時間を短くし、いずれの点灯率の場合でも安定に放
電させながら、点灯率が大きいときの無効電力を低減し
ている。
小さい場合に共振時間を長くし、点灯率が大きい場合に
共振時間を短くし、いずれの点灯率の場合でも安定に放
電させながら、点灯率が大きいときの無効電力を低減し
ている。
【０２４２】具体的には、図４６に示す実線部分を用
い、点灯率が０〜２０％の範囲では共振時間を１０００
ｎｓに設定し、点灯率が２０〜５０％の範囲では共振時
間を９００ｎｓに設定し、点灯率が５０〜８０％の範囲
では共振時間を８００ｎｓに設定し、点灯率が８０〜１
００％の範囲では共振時間を７００ｎｓに設定してい
る。
い、点灯率が０〜２０％の範囲では共振時間を１０００
ｎｓに設定し、点灯率が２０〜５０％の範囲では共振時
間を９００ｎｓに設定し、点灯率が５０〜８０％の範囲
では共振時間を８００ｎｓに設定し、点灯率が８０〜１
００％の範囲では共振時間を７００ｎｓに設定してい
る。
【０２４３】この結果、全ての点灯率に対して維持電圧
Ｖｓｕｓに対して十分低い電圧で安定に放電することが
できるとともに、点灯率が大きくなるほど共振時間を短
くし、点灯率の上昇とともに無効電力を低減している。
Ｖｓｕｓに対して十分低い電圧で安定に放電することが
できるとともに、点灯率が大きくなるほど共振時間を短
くし、点灯率の上昇とともに無効電力を低減している。
【０２４４】また、サブフィールド処理器３は、点灯率
が０〜２０％の場合に、維持周期が８μｓとなるように
制御信号Ｓ１〜Ｓ６を発生させ、点灯率が２０〜５０％
の場合に、維持周期が７μｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ６を発生させ、点灯率が８０〜１００％の場合に、
維持周期が６μｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ６を発
生させている。したがって、点灯率が小さい場合に駆動
パルスの周期を長くして共振時間を十分に確保すること
ができる。
が０〜２０％の場合に、維持周期が８μｓとなるように
制御信号Ｓ１〜Ｓ６を発生させ、点灯率が２０〜５０％
の場合に、維持周期が７μｓとなるように制御信号Ｓ１
〜Ｓ６を発生させ、点灯率が８０〜１００％の場合に、
維持周期が６μｓとなるように制御信号Ｓ１〜Ｓ６を発
生させている。したがって、点灯率が小さい場合に駆動
パルスの周期を長くして共振時間を十分に確保すること
ができる。
【０２４５】上記のように、本実施の形態では、サブフ
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの共振
時間および維持周期を長くしている。
ィールドごとの点灯率を検出し、検出されたサブフィー
ルドごとの点灯率が小さくなるほど、維持パルスの共振
時間および維持周期を長くしている。
【０２４６】したがって、点灯率が小さい場合は共振時
間を長くし、点灯率が大きい場合は共振時間を短くする
ことにより、安定放電電圧を一定にすることができる。
特に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に
放電できるようにすることができ、かつ回収効率を向上
して無効電力を低下させることができる。また、回収時
間を固定しているので、電源電圧へのクランプ期間を一
定にすることができ、放電の安定性を向上させることが
できる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行
うことができるとともに、無効電力を低減して消費電力
を低減することができる。
間を長くし、点灯率が大きい場合は共振時間を短くする
ことにより、安定放電電圧を一定にすることができる。
特に、点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に
放電できるようにすることができ、かつ回収効率を向上
して無効電力を低下させることができる。また、回収時
間を固定しているので、電源電圧へのクランプ期間を一
定にすることができ、放電の安定性を向上させることが
できる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行
うことができるとともに、無効電力を低減して消費電力
を低減することができる。
【０２４７】なお、点灯率に応じて共振時間を変化させ
るための構成として、図１１〜図１３に示したインダク
タンス制御回路９およびサステインドライバ６ａと同様
の構成を用いてもよい。
るための構成として、図１１〜図１３に示したインダク
タンス制御回路９およびサステインドライバ６ａと同様
の構成を用いてもよい。
【０２４８】また、本実施の形態では、点灯率に応じて
共振時間および維持周期をともに変化させているが、共
振時間のみを変化させるようにしてもよい。
共振時間および維持周期をともに変化させているが、共
振時間のみを変化させるようにしてもよい。
【０２４９】さらに、上記の各実施の形態では、維持パ
ルスの立ち上がり時に放電を行う正極性のパルスについ
て説明したが、維持パルスの立ち下がり時に放電を行う
負極性のパルスを用いる場合も本発明を同様に適用する
ことができ、この場合は、放電が行われる立ち下がり時
に点灯率に応じて常に安定に放電ができ、かつ無効電力
を低減できるように回収時間等が設定される。
ルスの立ち上がり時に放電を行う正極性のパルスについ
て説明したが、維持パルスの立ち下がり時に放電を行う
負極性のパルスを用いる場合も本発明を同様に適用する
ことができ、この場合は、放電が行われる立ち下がり時
に点灯率に応じて常に安定に放電ができ、かつ無効電力
を低減できるように回収時間等が設定される。
【０２５０】
【発明の効果】本発明によれば、点灯率に応じて駆動パ
ルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変
化させているので、点灯率に応じた最適な回収時間およ
びＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動することがで
きる。したがって、点灯率が大きい場合は回収時間を短
くして安定に放電できるようにすることができるととも
に、共振時間を短く無効電力を低減することができる。
また、点灯率が小さい場合は回収時間を長くして無効電
力を低減することができる。この結果、点灯率が変化し
ても安定に放電を行うことができるとともに、無効電力
を低減して消費電力を低減することができる。
ルスを駆動する回収時間およびＬＣ共振の共振時間を変
化させているので、点灯率に応じた最適な回収時間およ
びＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動することがで
きる。したがって、点灯率が大きい場合は回収時間を短
くして安定に放電できるようにすることができるととも
に、共振時間を短く無効電力を低減することができる。
また、点灯率が小さい場合は回収時間を長くして無効電
力を低減することができる。この結果、点灯率が変化し
ても安定に放電を行うことができるとともに、無効電力
を低減して消費電力を低減することができる。
【０２５１】また、点灯率に応じてＬＣ共振の共振時間
を変化させているので、点灯率に応じた最適な回収時間
およびＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動すること
ができる。したがって、点灯率が小さい場合はインダク
タンス素子のインダクタンス値を大きくして共振時間を
長くし、点灯率が大きい場合はインダクタンス素子のイ
ンダクタンス値を小さくして共振時間を短くすることに
より、安定放電電圧を一定にすることができる。特に、
点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に放電で
きるようにすることができ、かつ回収効率を向上して無
効電力を低下させることができる。また、回収時間を一
定にすることにより、放電の安定性を向上させることが
できる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行
うことができるとともに、無効電力を低減して消費電力
を低減することができる。
を変化させているので、点灯率に応じた最適な回収時間
およびＬＣ共振の共振時間で駆動パルスを駆動すること
ができる。したがって、点灯率が小さい場合はインダク
タンス素子のインダクタンス値を大きくして共振時間を
長くし、点灯率が大きい場合はインダクタンス素子のイ
ンダクタンス値を小さくして共振時間を短くすることに
より、安定放電電圧を一定にすることができる。特に、
点灯率が大きい場合は共振時間を短くして安定に放電で
きるようにすることができ、かつ回収効率を向上して無
効電力を低下させることができる。また、回収時間を一
定にすることにより、放電の安定性を向上させることが
できる。この結果、点灯率が変化しても安定に放電を行
うことができるとともに、無効電力を低減して消費電力
を低減することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるプラズマディ
スプレイ装置の構成を示すブロック図
スプレイ装置の構成を示すブロック図
【図２】図１のＰＤＰにおけるスキャン電極およびサス
テイン電極の駆動電圧の一例を示すタイミング図
テイン電極の駆動電圧の一例を示すタイミング図
【図３】図１に示すサステインドライバの構成を示す回
路図
路図
【図４】図１に示すサブフィールド処理器の構成を示す
ブロック図
ブロック図
【図５】図３に示すサステインドライバの維持期間の動
作の一例を示すタイミング図
作の一例を示すタイミング図
【図６】回収時間および共振時間を説明するための波形
図
図
【図７】回収時間の可変制御を説明するための波形図
【図８】共振時間の可変制御を説明するための波形図
【図９】回収時間と無効電力損失との関係の一例を示す
図
図
【図１０】各回収時間における点灯率と安定に放電を行
うことができる安定放電電圧との関係の一例を示す図
うことができる安定放電電圧との関係の一例を示す図
【図１１】本発明の第２の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
【図１２】図１１に示すインダクタンス制御回路の構成
を示すブロック図
を示すブロック図
【図１３】図１１に示すサステインドライバの構成を示
す回路図
す回路図
【図１４】図１３に示す可変インダクタンス部の一例の
構成を示す回路図
構成を示す回路図
【図１５】図１４に示す可変インダクタンス部の各トラ
ンジスタのオン／オフ状態と各状態に対応する維持パル
スの立ち上がり時の駆動波形を示す概略図
ンジスタのオン／オフ状態と各状態に対応する維持パル
スの立ち上がり時の駆動波形を示す概略図
【図１６】共振時間と無効電力損失との関係の一例を示
す図
す図
【図１７】図１３に示す可変インダクタンス部の他の例
の構成を示す回路図
の構成を示す回路図
【図１８】図１７に示す可変インダクタンス部のトラン
ジスタのオン／オフ状態と各状態に対応する維持パルス
の立ち上がり時の駆動波形を示す概略図
ジスタのオン／オフ状態と各状態に対応する維持パルス
の立ち上がり時の駆動波形を示す概略図
【図１９】本発明の第３の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
【図２０】図１９に示すサブフィールド処理器の構成を
示すブロック図
示すブロック図
【図２１】図１９に示すサステインドライバの構成を示
す回路図
す回路図
【図２２】２個の回収コイルによる共振時間と遅延時間
との関係の一例を示す図
との関係の一例を示す図
【図２３】図２１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第１のタイミング図
の動作を示す第１のタイミング図
【図２４】図２１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第２のタイミング図
の動作を示す第２のタイミング図
【図２５】図２１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第３のタイミング図
の動作を示す第３のタイミング図
【図２６】図２１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第４のタイミング図
の動作を示す第４のタイミング図
【図２７】図１９に示すサステインドライバの他の例の
構成を示す回路図
構成を示す回路図
【図２８】図１９に示すサステインドライバのさらに他
の例の構成を示す回路図
の例の構成を示す回路図
【図２９】本発明の第４の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
【図３０】図２９に示すサブフィールド処理器の構成を
示すブロック図
示すブロック図
【図３１】図２９に示すサステインドライバの構成を示
す回路図
す回路図
【図３２】図３１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第１のタイミング図
の動作を示す第１のタイミング図
【図３３】図３１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第２のタイミング図
の動作を示す第２のタイミング図
【図３４】図３１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第３のタイミング図
の動作を示す第３のタイミング図
【図３５】図３１に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第４のタイミング図
の動作を示す第４のタイミング図
【図３６】本発明の第５の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
【図３７】図３６に示すサブフィールド処理器の構成を
示すブロック図
示すブロック図
【図３８】図３６に示すサステインドライバの構成を示
す回路図
す回路図
【図３９】図３８に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第１のタイミング図
の動作を示す第１のタイミング図
【図４０】図３８に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第２のタイミング図
の動作を示す第２のタイミング図
【図４１】図３８に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第３のタイミング図
の動作を示す第３のタイミング図
【図４２】図３８に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示す第４のタイミング図
の動作を示す第４のタイミング図
【図４３】本発明の第６の実施の形態によるプラズマデ
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
ィスプレイ装置の構成を示すブロック図
【図４４】図４３に示すサブフィールド処理器の構成を
示すブロック図
示すブロック図
【図４５】共振時間と無効電力損失との関係の一例を示
す図
す図
【図４６】各共振時間における点灯率と安定に放電を行
うことができる安定放電電圧との関係の一例を示す図
うことができる安定放電電圧との関係の一例を示す図
【図４７】従来のプラズマディスプレイ装置のサステイ
ンドライバの構成を示す回路図
ンドライバの構成を示す回路図
【図４８】図４７に示すサステインドライバの維持期間
の動作を示すタイミング図
の動作を示すタイミング図
１ Ａ／Ｄコンバータ
２ 映像信号−サブフィールド対応付け器
３，３ａ〜３ｄ サブフィールド処理器
４ データドライバ
５，５ａ〜５ｅ スキャンドライバ
６，６ａ〜６ｅ，６ｂ’，６ｂ” サステインドライバ
７ ＰＤＰ
８ サブフィールド点灯率測定器
９ インダクタンス制御回路
１１ アドレス電極
１２ スキャン電極
１３ サステイン電極
１４ 放電セル
３１ 点灯率／回収時間ＬＵＴ
３２ 回収時間決定部
３３ 点灯率／維持周期ＬＵＴ
３４ 維持周期決定部
３５，３５ａ〜３５ｃ 放電制御信号発生器
３６ 点灯率／共振時間ＬＵＴ
３７ 共振時間決定部
９１ 点灯率／インダクタンスＬＵＴ
９２ インダクタンス決定部
Ｃｒ 回収コンデンサ
Ｄ１〜Ｄ６ ダイオード
Ｌ，Ｌ１〜Ｌ３，ＬＡ〜ＬＤ，ＬＡ’〜ＬＤ’ 回収コ
イル ＶＬ 可変インダクタンス部 Ｑ１〜Ｑ１０，ＱＡ〜ＱＤ，ＱＡ’〜ＱＤ’ ＦＥＴ
イル ＶＬ 可変インダクタンス部 Ｑ１〜Ｑ１０，ＱＡ〜ＱＤ，ＱＡ’〜ＱＤ’ ＦＥＴ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１Ｂ
Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１ Ｇ０９Ｇ 3/28 Ｊ
Ｈ
(72)発明者 森 光広
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 橋口 淳平
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C058 AA11 BA03 BA26 BB00
5C080 AA05 BB05 DD26 EE29 FF12
HH05 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05
Claims (21)
- 【請求項１】 複数の放電セルを選択的に放電させて画
像を表示する表示装置であって、 前記放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収された電
荷を用いて駆動パルスを駆動する回収手段と、 前記複数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの
点灯率を検出する検出手段とを備え、 前記複数の放電セルは、容量性負荷を含み、 前記回収手段は、 一端が前記容量性負荷に接続される少なくとも一つのイ
ンダクタンス素子を有するインダクタンス手段と、 前記容量性負荷と前記インダクタンス素子とのＬＣ共振
により前記駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含
み、 前記検出手段により検出された点灯率に応じて前記回収
手段により前記駆動パルスが駆動される回収時間および
前記ＬＣ共振の共振時間を変化させるように前記回収手
段を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする
表示装置。 - 【請求項２】 １フィールドを複数のサブフィールドに
分割してサブフィールドごとに選択された放電セルを放
電させて階調表示を行うために、１フィールドの画像デ
ータを各サブフィールドの画像データに変換する変換手
段をさらに備え、 前記検出手段は、サブフィールドごとの点灯率を検出す
るサブフィールド点灯率検出手段を含み、 前記制御手段は、前記サブフィールド点灯率検出手段に
より検出されたサブフィールドごとの点灯率に応じて前
記回収時間および前記ＬＣ共振の共振時間を変化させる
ように前記回収手段を制御することを特徴とする請求項
１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、前記検出手段により検
出された点灯率が小さいほど前記回収時間が長くなるよ
うに前記回収手段を制御することを特徴とする請求項１
〜２のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記検出手段により検
出された点灯率が小さいほど前記ＬＣ共振の共振時間が
長くなるように前記回収手段を制御することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記制御手段は、前記検出手段により検
出された点灯率に応じて前記回収時間のうち前記放電セ
ルが放電する放電回収時間を変化させ、前記回収時間の
うち前記放電セルが放電しない非放電回収時間を変化さ
せないように前記回収手段を制御することを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記制御手段は、前記検出手段により検
出された点灯率に応じて前記回収時間のうち前記放電セ
ルが放電する放電回収時間より前記回収時間のうち前記
放電セルが放電しない非放電回収時間が長くなるように
前記回収手段を制御することを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項７】 複数の放電セルを選択的に放電させて画
像を表示する表示装置であって、 前記放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収された電
荷を用いて駆動パルスを駆動する回収手段と、 前記複数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの
点灯率を検出する検出手段とを備え、 前記複数の放電セルは、容量性負荷を含み、 前記回収手段は、 一端が前記容量性負荷に接続される少なくとも一つのイ
ンダクタンス素子を有するインダクタンス手段と、 前記容量性負荷と前記インダクタンス素子とのＬＣ共振
により前記駆動パルスを駆動する共振駆動手段とを含
み、 前記検出手段により検出された点灯率に応じて前記ＬＣ
共振の共振時間を変化させるように前記回収手段を制御
する制御手段をさらに備えることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項８】 前記インダクタンス手段は、インダクタ
ンス値を変化させることができる可変インダクタンス手
段を含み、 前記制御手段は、前記検出手段により検出された点灯率
に応じて前記可変インダクタンス手段のインダクタンス
値を変化させることを特徴とする請求項１または７記載
の表示装置。 - 【請求項９】 前記可変インダクタンス手段は、 並列に接続された複数のインダクタンス素子と、 前記制御手段に制御され、前記複数のインダクタンス素
子のうち所定のインダクタンス素子を選択する選択手段
とを含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１０】 前記可変インダクタンス手段は、 直列に接続された複数のインダクタンス素子と、 前記制御手段に制御され、前記複数のインダクタンス素
子のうち所定のインダクタンス素子を選択する選択手段
とを含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１１】 前記回収手段は、 前記容量性負荷から電荷を回収するための容量性素子を
さらに含み、 前記可変インダクタンス手段は、 第１のインダクタンス素子を含み、 前記共振駆動手段は、 前記容量性負荷と前記容量性素子との間に前記第１のイ
ンダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ手
段を含み、 前記可変インダクタンス手段は、 前記第１のインダクタンス素子の両端に直列に接続され
る第２のインダクタンス素子および第２のスイッチ手段
をさらに含み、 前記制御手段は、前記第１および第２のスイッチ手段の
オン／オフ状態を制御することを特徴とする請求項８記
載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記回収手段は、 前記容量性負荷から電荷を回収するための容量性素子を
さらに含み、 前記可変インダクタンス手段は、 第１のインダクタンス素子を含み、 前記共振駆動手段は、 前記容量性負荷と前記容量性素子との間に前記第１のイ
ンダクタンス素子と直列に接続される第１のスイッチ手
段を含み、 前記可変インダクタンス手段は、 前記容量性負荷と前記容量性素子との間に直列に接続さ
れる第２のインダクタンス素子および第２のスイッチ手
段をさらに含み、 前記制御手段は、前記第１および第２のスイッチ手段の
オン／オフ状態を制御することを特徴とする請求項８記
載の表示装置。 - 【請求項１３】 前記共振駆動手段は、 前記容量性負荷と前記容量性素子との間に直列に接続さ
れる第３のインダクタンス素子および第３のスイッチ手
段をさらに含み、 前記制御手段は、前記回収時間のうち前記放電セルが放
電する放電回収時間に前記第１および第２のスイッチ手
段の少なくとも一方をオンさせ、前記回収時間のうち前
記放電セルが放電しない非放電回収時間に前記第３のス
イッチ手段をオンさせることを特徴とする請求項１２記
載の表示装置。 - 【請求項１４】 前記共振駆動手段は、 前記第１のスイッチ手段に並列に接続される第３のスイ
ッチ手段をさらに含み、 前記可変インダクタンス手段は、 前記第２のスイッチ手段に並列に接続される第４のスイ
ッチ手段をさらに含み、 前記制御手段は、前記第１〜第４のスイッチ手段のオン
／オフ状態を制御することを特徴とする請求項１２記載
の表示装置。 - 【請求項１５】 前記制御手段は、前記第１のスイッチ
手段がオンした後に前記第２のスイッチ手段がオンする
ように前記第１および第２のスイッチ手段のオン／オフ
状態を制御することを特徴とする請求項１１〜１４のい
ずれかに記載の表示装置。 - 【請求項１６】 １フィールドを複数のサブフィールド
に分割してサブフィールドごとに選択された放電セルを
放電させて階調表示を行うために、１フィールドの画像
データを各サブフィールドの画像データに変換する変換
手段をさらに備え、 前記検出手段は、サブフィールドごとの点灯率を検出す
るサブフィールド点灯率検出手段を含み、 前記制御手段は、前記サブフィールド点灯率検出手段に
より検出されたサブフィールドごとの点灯率に応じて前
記第２のスイッチ手段がオンする期間を制御することを
特徴とする請求項１１〜１５のいずれかに記載の表示装
置。 - 【請求項１７】 前記第１および第２のスイッチ手段
は、直列に接続された電界効果型トランジスタおよびダ
イオード、直列に接続された２つの電界効果型トランジ
スタ、および絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのう
ちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１１〜
１６のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項１８】 前記制御手段は、前記検出手段により
検出された点灯率が小さいほど前記ＬＣ共振の共振時間
が長くなるように前記回収手段を制御することを特徴と
する請求項８〜１７のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項１９】 前記制御手段は、前記検出手段により
検出された点灯率に応じて前記駆動パルスの周期を変化
させることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記
載の表示装置。 - 【請求項２０】 複数の放電セルを選択的に放電させて
画像を表示する表示装置の駆動方法であって、 前記複数の放電セルは、容量性負荷を含み、 前記表示装置は、一端が前記容量性負荷に接続される少
なくとも一つのインダクタンス素子を有するインダクタ
ンス手段を含み、 前記放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収された電
荷を用いて前記容量性負荷と前記インダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、 前記複数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの
点灯率を検出するステップと、 前記検出ステップにより検出された点灯率に応じて前記
回収ステップにおいて前記駆動パルスが駆動される回収
時間および前記ＬＣ共振の共振時間を変化させるステッ
プとを含むことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 【請求項２１】 複数の放電セルを選択的に放電させて
画像を表示する表示装置の駆動方法であって、 前記複数の放電セルは、容量性負荷を含み、 前記表示装置は、一端が前記容量性負荷に接続される少
なくとも一つのインダクタンス素子を有するインダクタ
ンス手段を含み、 前記放電セルに蓄積された電荷を回収し、回収された電
荷を用いて前記容量性負荷と前記インダクタンス素子と
のＬＣ共振により駆動パルスを駆動するステップと、 前記複数の放電セルのうち同時に点灯させる放電セルの
点灯率を検出するステップと、 前記検出ステップにより検出された点灯率に応じて前記
ＬＣ共振の共振時間を変化させるステップとを含むこと
を特徴とする表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002170333A JP2003058104A (ja) | 2000-09-13 | 2002-06-11 | 表示装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000277878 | 2000-09-13 | ||
| JP2000-277878 | 2000-09-13 | ||
| JP2002170333A JP2003058104A (ja) | 2000-09-13 | 2002-06-11 | 表示装置およびその駆動方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001266383A Division JP3390752B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-09-03 | 表示装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003058104A true JP2003058104A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=26599847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002170333A Pending JP2003058104A (ja) | 2000-09-13 | 2002-06-11 | 表示装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003058104A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005017346A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| US7619592B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-11-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Driving method of plasma display panel |
| WO2010146787A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 |
-
2002
- 2002-06-11 JP JP2002170333A patent/JP2003058104A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005017346A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| US7619592B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-11-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Driving method of plasma display panel |
| WO2010146787A1 (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-23 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置 |
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