JP2003051385A - Manufacturing method of display device - Google Patents

Manufacturing method of display device

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JP2003051385A
JP2003051385A JP2001237384A JP2001237384A JP2003051385A JP 2003051385 A JP2003051385 A JP 2003051385A JP 2001237384 A JP2001237384 A JP 2001237384A JP 2001237384 A JP2001237384 A JP 2001237384A JP 2003051385 A JP2003051385 A JP 2003051385A
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JP
Japan
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organic
solder material
display device
wiring board
laser light
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Pending
Application number
JP2001237384A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Motosuke Omi
元祐 大海
Yoshio Watanabe
喜夫 渡邉
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JP2003051385A publication Critical patent/JP2003051385A/en
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8794Arrangements for heating and cooling

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To establish electric connection without generating a great amount of heat in electrically connecting an organic electroluminescent element and a wiring board. SOLUTION: An electrode terminal part 106 and a conducting part 203 are electrically connected by positioning the electrode terminal part 106 for conducting the organic electroluminescence element 6 and the conducting part 203 of a through hole shape provided on the wiring board 5, arranging a solder material 301 in the through hole shaped conducting part 203, and irradiating a laser light 401 to the solder material 301 and melting. In this regard, in advance of the electrical connection, treatment for improving absorption of the laser light 401 is applied at least to the solder material 301.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
を有する表示装置の製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a display device having an organic electroluminescent element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、有機電界発光素子(有機エレクト
ロルミネッセンス素子、以下「有機EL素子」という)
を発光素子とした表示装置(以下「有機ELディスプレ
イ」という)が注目を集めている。有機ELディスプレ
イは、通常、透明ガラス等からなるパネル基板上に陽極
(アノード)となる透明電極がストライプ状に形成され
ており、その透明電極上に正孔輸送層と発光層とからな
る有機層が当該透明電極と直交する方向に形成されてお
り、さらにその有機層上には陰極(カソード)が形成さ
れている。これにより、透明電極と陰極とが交差する位
置のそれぞれには、有機EL素子が形成される。そし
て、これらの有機EL素子を縦横に配列することで発光
エリアが形成される。また、その周辺部には、発光エリ
アを外部回路または内部駆動回路と接続させるための電
極部が形成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, organic electroluminescent elements (organic electroluminescent elements, hereinafter referred to as "organic EL elements")
A display device (hereinafter, referred to as “organic EL display”) using a light emitting element has been attracting attention. In an organic EL display, usually, a transparent electrode that serves as an anode is formed in a stripe shape on a panel substrate made of transparent glass or the like, and an organic layer including a hole transport layer and a light emitting layer is formed on the transparent electrode. Is formed in a direction orthogonal to the transparent electrode, and a cathode is formed on the organic layer. Thereby, an organic EL element is formed at each of the positions where the transparent electrode and the cathode intersect. A light emitting area is formed by arranging these organic EL elements vertically and horizontally. In addition, an electrode portion for connecting the light emitting area to an external circuit or an internal drive circuit is formed in the peripheral portion.

【0003】このような構成の有機ELディスプレイに
おいて、陽極である透明電極に対して正の電圧が印加さ
れ、陰極に対して負の電圧が印加されると、透明電極か
ら注入された正孔が正孔輸送層を経て発光層に到達す
る。一方、陰極から注入された電子も発光層に到達す
る。したがって、発光層内では、電子−正孔の再結合が
生じることから、所定の波長を持った光が発生する。そ
して、その光は、透明ガラス等からなるパネル基板から
外部に向けて出射されることになる。これにより、有機
ELディスプレイでは、例えば画像表示を行うことが可
能になるのである。
In the organic EL display having such a structure, when a positive voltage is applied to the transparent electrode as an anode and a negative voltage is applied to the cathode, holes injected from the transparent electrode are generated. It reaches the light emitting layer through the hole transport layer. On the other hand, the electrons injected from the cathode also reach the light emitting layer. Therefore, electron-hole recombination occurs in the light emitting layer, so that light having a predetermined wavelength is generated. Then, the light is emitted to the outside from the panel substrate made of transparent glass or the like. As a result, the organic EL display can display an image, for example.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の有
機ELディスプレイに代表される表示装置は、発光素子
駆動のために、パネル基板上における電極部に対して、
外部回路または内部駆動回路の一部を構成するフレキシ
ブル配線板や駆動用ドライバIC(集積回路)を、電気
的に接続する必要がある。この電気的接続は、通常、異
方性導電膜(Anisotropic Conductive Film;以下「A
CF」と略す)を介して行われている。
By the way, a display device typified by this type of organic EL display is provided with respect to an electrode portion on a panel substrate for driving a light emitting element.
It is necessary to electrically connect a flexible wiring board or a driver IC (integrated circuit) for driving, which constitutes a part of an external circuit or an internal drive circuit. This electrical connection is usually an anisotropic conductive film (A).
Abbreviated as “CF”).

【0005】しかしながら、ACFを用いて電気的に接
続を行う場合には、そのACFの軟化接着のために加熱
加圧が不可欠となるので、以下に述べるような問題が生
じてしまうおそれがある。有機EL素子は、熱に弱く、
八十度程度しか熱的に耐えられない。したがって、電気
的接続を確立する際における加熱の影響が広範囲に及ぶ
と、有機EL素子が熱的なダメージを受けてしまう。ま
た、電気的接続を確立する際の加圧も有機EL素子の直
上を避けて行う必要があるため、高密度な接合ができ
ず、その結果大画面化や省スペース構成への対応が困難
になってしまう。
However, when electrically connecting using the ACF, heating and pressurization are indispensable for softening and adhering the ACF, so that the following problems may occur. Organic EL elements are vulnerable to heat,
It can only withstand about 80 degrees. Therefore, when the influence of heating upon establishing the electrical connection extends over a wide range, the organic EL element is thermally damaged. In addition, since it is necessary to avoid the pressure directly above the organic EL element when applying electrical connection, it is not possible to perform high-density bonding, and as a result it is difficult to deal with large screens and space-saving configurations. turn into.

【0006】このような有機EL素子へのダメージ等を
避けるためには、ACFを用いて電気的な接続を行うの
ではなく、例えばレーザ接合を利用して電気的接続を確
立することも考えられる。レーザ接合によれば、電気的
接続を確立すべき箇所に半田ボール等を配しておき、そ
こにレーザ光を照射して溶融させることで電気的な接続
を行うため、局所的な加熱で電気的接続を確立すること
ができ、また有機EL素子が加圧による悪影響を受けて
しまうこともない。
In order to avoid such damage to the organic EL element, it is conceivable to establish electrical connection by using, for example, laser bonding instead of making electrical connection by using ACF. . According to laser bonding, a solder ball or the like is placed at a place where an electrical connection should be established, and an electrical connection is made by irradiating with laser light to melt the solder ball. Connection can be established, and the organic EL element is not adversely affected by pressure.

【0007】ところが、レーザ接合を用いても、例えば
レーザ光を長時間に渡って照射しなければ半田ボール等
が溶融しないといった場合には、そのレーザ照射によっ
て多くの熱が発生することとなり、結果として有機EL
素子に熱的な悪影響が及ぶ可能性が高くなる。さらに、
かかる場合には、レーザパワーも多くを必要とするた
め、レーザ照射のための設備およびその付帯設備の大型
化や高コスト化等を招いてしまうことにもなる。
However, even if the laser bonding is used, for example, when the solder balls or the like do not melt unless the laser light is irradiated for a long time, a lot of heat is generated by the laser irradiation. As an organic EL
There is a high possibility that the device will be adversely affected by heat. further,
In such a case, a large amount of laser power is required, so that the equipment for laser irradiation and its ancillary equipment are increased in size and cost.

【0008】そこで、本発明は、多くの熱が発生するこ
となく電気的接続を確立することによって、有機EL素
子に対する悪影響等を排除しつつ、表示装置を構成する
ことを可能にする、表示装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
Therefore, the present invention makes it possible to construct a display device while eliminating an adverse effect on the organic EL element by establishing an electrical connection without generating much heat. It aims at providing the manufacturing method of.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために案出された表示装置の製造方法である。す
なわち、表示装置を構成する有機電界発光素子と配線基
板とを電気的に接続する際に用いられる表示装置の製造
方法であって、前記有機電界発光素子に導通する電極端
子部と前記配線基板に設けられた貫通孔状の導通部とを
位置合わせする位置合わせステップと、前記位置合わせ
ステップの後に、または先立って、前記配線基板におけ
る前記導通部の貫通孔内に半田材を配する半田充填ステ
ップと、前記導通部内の半田材にレーザ光を照射して溶
融することで、前記電極端子部と前記導通部とを電気的
に接続する接続ステップと、前記接続ステップに先立っ
て、少なくとも前記半田材にレーザ光の吸収を良くする
ための処理を施しておく処理ステップとを備えることを
特徴とする。
The present invention is a method of manufacturing a display device devised to achieve the above object. That is, it is a manufacturing method of a display device used when electrically connecting an organic electroluminescent element and a wiring substrate that form a display device, in which the electrode terminal portion electrically connected to the organic electroluminescent element and the wiring substrate are provided. Positioning step for aligning a provided through-hole-shaped conductive portion, and solder filling step for arranging a solder material in the through-hole of the conductive portion in the wiring board after or prior to the positioning step. A connecting step of electrically connecting the electrode terminal portion and the conductive portion by irradiating the solder material in the conductive portion with a laser beam to melt the solder material, and at least the solder material prior to the connecting step. And a processing step for performing processing for improving absorption of laser light.

【0010】上記手順の表示装置の製造方法によれば、
接続ステップに先立つ処理ステップにおいて、少なくと
も半田材に対して、例えば着色処理や表面粗さの加工処
理等といった、レーザ光の吸収を良くするための処理を
施しておく。したがって、当該処理を施していない場合
に比べて、半田材がレーザ光を良く吸収するため、接続
ステップにおけるレーザ光の照射時間または照射パワー
等が少なくて済み、結果としてレーザ光の照射に伴う発
熱を抑えられるようになる。
According to the manufacturing method of the display device having the above procedure,
In the processing step prior to the connecting step, at least the solder material is subjected to processing for improving absorption of laser light, such as coloring processing and surface roughness processing. Therefore, compared with the case where the treatment is not performed, the solder material absorbs the laser light well, so that the irradiation time or the irradiation power of the laser light in the connection step can be short, and as a result, the heat generated by the irradiation of the laser light can be reduced. Can be suppressed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明に係る
表示装置の製造方法について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】先ず、はじめに、本発明に係る表示装置の
製造方法の説明に先立ち、その表示装置、さらに詳しく
は有機EL素子を表示素子として用いた有機ELディス
プレイについて説明する。図1および図2は、有機EL
ディスプレイの外観構成を示す斜視図である。
First, prior to the description of the method for manufacturing a display device according to the present invention, the display device, more specifically, an organic EL display using an organic EL element as a display element will be described. 1 and 2 show organic EL
It is a perspective view which shows the external appearance structure of a display.

【0013】図1に示すように、ここで説明する有機E
Lディスプレイ1は、例えばテレビジョン受像機に用い
られるもので、大型の表示面(例えば75インチサイズ
以上)1aを有しているものである。また、有機ELデ
ィスプレイ1は、図2に示すように、表示面1aの背面
側に、有機ELユニット2として、例えばA6サイズ程
度毎に分割されたそれぞれの駆動回路領域に対応して細
分化された複数枚の駆動回路基板を備えるとともに、隣
同士の駆動回路基板が電気配線により接続された構造を
有している。
As shown in FIG. 1, the organic E described here is used.
The L display 1 is used for a television receiver, for example, and has a large display surface (for example, 75-inch size or more) 1a. In addition, as shown in FIG. 2, the organic EL display 1 is subdivided on the back side of the display surface 1a as the organic EL unit 2 corresponding to each drive circuit area divided into, for example, about A6 size. In addition to having a plurality of drive circuit boards, it has a structure in which adjacent drive circuit boards are connected by electrical wiring.

【0014】図3は、有機ELユニットの一部分の構成
を拡大して示した分解斜視図である。有機ELユニット
2は、複数のIC(集積回路)基板3と、1枚の有機E
Lパネル4と、を有している。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an enlarged structure of a part of the organic EL unit. The organic EL unit 2 includes a plurality of IC (integrated circuit) substrates 3 and one organic E unit.
L panel 4, and.

【0015】各IC基板3は、駆動回路基板として機能
するもので、1つまたは複数個のドライバIC31を搭
載している。これらのドライバIC31は、フレキシブ
ル配線板5を介して、それぞれ有機ELパネル4の裏面
側(IC基板3側)の電気接続部分に電気的に接続する
ようになっている。さらに、各IC基板3は、フレキシ
ブル配線板5とは別のフレキシブル基板51を介して、
相互に電気的に接続するようになっている。
Each IC board 3 functions as a drive circuit board and is equipped with one or a plurality of driver ICs 31. These driver ICs 31 are electrically connected to the electrical connection portions on the back surface side (IC substrate 3 side) of the organic EL panel 4 via the flexible wiring board 5. Furthermore, each IC substrate 3 is connected via a flexible substrate 51 different from the flexible wiring board 5,
It is designed to be electrically connected to each other.

【0016】このように、大型の面積を有する有機EL
パネル4を複数の区分面41に分け、各区分面41に対
応して複数のIC基板3を配設するのは、以下に述べる
理由による。すなわち、有機ELパネル4を各区分面4
1毎に駆動すれば、各IC基板3から対応する位置にあ
る区分面41までの駆動配線の長さが短くなり、表示面
1aを大型化した場合でも配線抵抗による電圧降下をな
くして、安定した有機ELパネル4の表示駆動を行うこ
とができるからである。さらには、区分面41毎に分割
してIC基板3をそれぞれ配置すれば、仮にいずれかの
IC基板3のドライバIC31の動作が不良になった場
合でも、その該当する区分面41のIC基板3のみを取
り外して交換するといったことも可能となり、メンテナ
ンス時のコストダウン等を図ることができるといったメ
リットも得られるからである。
Thus, an organic EL having a large area
The reason why the panel 4 is divided into a plurality of partition surfaces 41 and the plurality of IC boards 3 are arranged corresponding to the partition surfaces 41 is as follows. That is, the organic EL panel 4 is attached to each partition surface 4
By driving every one, the length of the drive wiring from each IC substrate 3 to the partition surface 41 at the corresponding position becomes short, and even if the display surface 1a is enlarged, the voltage drop due to the wiring resistance is eliminated and stability is achieved. This is because the display drive of the organic EL panel 4 can be performed. Furthermore, if the IC boards 3 are arranged separately for each partition surface 41, even if the operation of the driver IC 31 of any one of the IC boards 3 becomes defective, the IC board 3 of the corresponding partition surface 41 can be used. This is because it is also possible to remove and replace only the one, and it is possible to obtain the merit that the cost at the time of maintenance can be reduced.

【0017】図4は、有機ELパネルの一構造例を示す
概略構成図である。図例では、一つの区分面41、すな
わち一つのIC基板3が受け持つ例えばA6サイズ程度
の駆動回路領域のみを示している。有機ELパネル4
は、表示部領域42と、電気的な接続領域43と、を有
している。表示部領域42は、有機ELパネル4の全
面、すなわち図中の寸法DおよびD8と寸法D7とで形
成される領域であり、R(赤)、G(緑)、B(青)の
各色成分の画素が均等に配置されている。また、電気的
な接続領域43は、上記R、G、Bの各画素の間に接続
ポイントを配した形で図中の寸法D5と寸法D6および
寸法D7と寸法D8で形成される領域に配置され、例え
ば丸形状の接続ポイントPが複数配設されている。この
接続ポイントPは、後述する全陰極ストライプと全陽極
ストライプの一つ一つにそれぞれ少なくとも一箇所設け
られるもので、RGB画素の間に配置されている。この
接続ポイントPを介してIC基板3との電気的な接続を
確立することで、有機ELパネル4は、ディスプレイと
しての機能を実現するようになっている。なお、有機E
Lパネル4の端部には、例えば正方形の形状を有した位
置決め用のアライメントマーク44が形成されている。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing one structural example of the organic EL panel. In the example shown in the figure, only one partition surface 41, that is, only one drive circuit area which is handled by one IC substrate 3 and has an A6 size, for example, is shown. Organic EL panel 4
Has a display area 42 and an electrical connection area 43. The display area 42 is the entire surface of the organic EL panel 4, that is, an area formed by the dimensions D and D8 and the dimension D7 in the figure, and each color component of R (red), G (green), and B (blue). Pixels are evenly arranged. Further, the electrical connection region 43 is arranged in a region formed by dimensions D5 and D6 and dimensions D7 and D8 in the figure with connection points arranged between the R, G and B pixels. For example, a plurality of round-shaped connection points P are arranged. The connection point P is provided at least at one position for each of all cathode stripes and all anode stripes, which will be described later, and is arranged between the RGB pixels. By establishing an electrical connection with the IC substrate 3 via the connection point P, the organic EL panel 4 realizes a function as a display. In addition, organic E
An alignment mark 44 for positioning having a square shape, for example, is formed at the end of the L panel 4.

【0018】ここで、以上のような有機ELパネル4に
ついて、さらに詳しく説明する。図5および図6は、有
機ELパネル、特にその有機ELパネルが備える有機E
L素子部分を示す概略構成図である。
Here, the above-mentioned organic EL panel 4 will be described in more detail. 5 and 6 show an organic EL panel, particularly an organic EL panel provided in the organic EL panel.
It is a schematic block diagram which shows an L element part.

【0019】有機ELパネル4は、図5に示すように、
透明ガラス等からなるパネル基板(以下、単に「透明基
板」という)101上に、陽極(アノード)となる透明
電極102をストライプ状に形成し、その透明電極10
2上に、正孔輸送層と発光層とからなる有機EL膜10
3を透明電極102と直交するように形成し、さらにそ
の有機EL膜103上に陰極(カソード)104を形成
することで、透明電極102と陰極104とが交差する
位置にそれぞれ有機EL素子6を備えた構成となってい
る。この構成により、透明基板101上では、有機EL
素子6が縦横に配置された発光エリアである表示部領域
42が形成されるとともに、その発光エリアをIC基板
3と接続させるための電気的な接続領域43が形成され
るのである。
The organic EL panel 4, as shown in FIG.
On a panel substrate (hereinafter, simply referred to as “transparent substrate”) 101 made of transparent glass or the like, transparent electrodes 102 to be anodes are formed in stripes, and the transparent electrodes 10 are formed.
2 is an organic EL film 10 including a hole transport layer and a light emitting layer.
3 is formed so as to be orthogonal to the transparent electrode 102, and a cathode (cathode) 104 is further formed on the organic EL film 103, so that the organic EL element 6 is provided at the position where the transparent electrode 102 and the cathode 104 intersect. It is equipped with it. With this configuration, the organic EL is formed on the transparent substrate 101.
The display area 42, which is a light emitting area in which the elements 6 are arranged vertically and horizontally, is formed, and an electrical connection area 43 for connecting the light emitting area to the IC substrate 3 is formed.

【0020】なお、有機ELパネル4においては、通
常、透明電極102間に絶縁層が設けられており、これ
によって透明電極102間の短絡と、さらには透明電極
102と陰極104との問の短絡が防止されている。
In the organic EL panel 4, an insulating layer is usually provided between the transparent electrodes 102, which causes a short circuit between the transparent electrodes 102 and a short circuit between the transparent electrode 102 and the cathode 104. Is prevented.

【0021】ところで、このような有機ELパネル4に
おいて、表示部領域42では、図6(a)に示すよう
に、透明電極102と有機EL膜103(陰極104)
とが交差しており、その交差位置に有機EL素子6が形
成されるが、その有機EL素子6としては、例えば図6
(b)に示すようなシングルヘテロ型のものである。す
なわち、有機EL素子6は、透明基板101上にITO
(Indium tin oxide)膜等の透明電極102からなる陽
極が設けられ、その上に正孔輸送層103aおよび発光
層103bからなる有機EL膜103と陰極104が設
けられることによって形成されたものである。
By the way, in such an organic EL panel 4, in the display area 42, as shown in FIG. 6A, the transparent electrode 102 and the organic EL film 103 (cathode 104) are formed.
And intersect, and the organic EL element 6 is formed at the intersecting position. As the organic EL element 6, for example, as shown in FIG.
It is a single hetero type as shown in (b). That is, the organic EL element 6 has ITO on the transparent substrate 101.
An anode made of a transparent electrode 102 such as an (Indium tin oxide) film is provided, and an organic EL film 103 made of a hole transport layer 103a and a light emitting layer 103b and a cathode 104 are provided thereon. .

【0022】このようにして形成された有機EL素子6
では、陽極である透明電極102に正の電圧を印加し、
陰極104に負の電圧を印加すると、透明電極102か
ら注入された正孔が正孔輸送層103aを経て発光層1
03bに到達し、陰極104から注入された電子が発光
層103bに到達するので、発光層103b内で電子−
正孔の再結合が生じる。これにより、発光層103b内
で所定の波長を持った光が発生し、その光が図6(b)
の矢印で示すように透明基板101側から外に出射する
ので、有機ELパネル4では、例えばRGBに各画素表
示(画像表示)を行うことが可能になるのである。
The organic EL element 6 thus formed
Then, a positive voltage is applied to the transparent electrode 102 which is an anode,
When a negative voltage is applied to the cathode 104, the holes injected from the transparent electrode 102 pass through the hole transport layer 103a and the light emitting layer 1
03b and the electrons injected from the cathode 104 reach the light emitting layer 103b.
Recombination of holes occurs. As a result, light having a predetermined wavelength is generated in the light emitting layer 103b, and the light is generated as shown in FIG.
Since the light is emitted from the transparent substrate 101 side as indicated by the arrow, the organic EL panel 4 can display each pixel (image display) in RGB, for example.

【0023】続いて、以上のような有機EL素子6の断
面構造等について、さらに詳しく説明する。図7は、有
機EL素子部分の断面構造を示す概略構成図である。
Next, the sectional structure and the like of the organic EL element 6 as described above will be described in more detail. FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a cross-sectional structure of the organic EL element portion.

【0024】図例において、透明基板101には、例え
ば透明ガラス基板または透明プラスラック基板を用いる
ことが考えられる。透明ガラス基板としては、例えばソ
ーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等が挙げら
れる。また、透明プラスチック基板としては、例えばポ
リカーボネート(PC)、フッ素ポリイミド(PI)、
アクリル樹脂(PMMA)、ポリエチレンテレフタレー
ト(PET)、ポリアリレート(PAR)、ポリエーテ
ルスルフォン(PES)、ポリエーテルニトリル(PE
N)、シクロ・オレフイン系樹脂等が挙げられる。
In the illustrated example, it is conceivable to use, for example, a transparent glass substrate or a transparent plus rack substrate as the transparent substrate 101. Examples of the transparent glass substrate include soda glass, non-alkali glass, and quartz glass. Examples of the transparent plastic substrate include polycarbonate (PC), fluoropolyimide (PI),
Acrylic resin (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyarylate (PAR), polyether sulfone (PES), polyether nitrile (PE
N), cyclo-olefin resin and the like.

【0025】透明基板101の表裏面には、ガスバリア
膜111が形成されている。このガスバリア膜111
は、水分や酸素等のガスの素子内への浸入を防いで、有
機EL素子の劣化を防止するためのものである。なお、
少なくとも表面側(外側に面した側)のガスバリア膜1
11は、透明基板101での光の反射を抑えて、透過率
の高い優れた有機EL素子を実現するためにも、反射防
止特性が付与されていることが望ましい。
Gas barrier films 111 are formed on the front and back surfaces of the transparent substrate 101. This gas barrier film 111
Is for preventing invasion of gas such as water and oxygen into the element to prevent deterioration of the organic EL element. In addition,
At least the gas barrier film 1 on the surface side (side facing the outside)
In order to suppress the reflection of light on the transparent substrate 101 and realize an excellent organic EL element having a high transmittance, it is desirable that 11 has an antireflection characteristic.

【0026】一方のガスバリア膜111の上には、補助
電極112が形成されている。この補助電極112は、
抵抗値を下げるためのもので、例えばクロム(Cr)を
櫛状に形成することによって実現される。
An auxiliary electrode 112 is formed on one gas barrier film 111. This auxiliary electrode 112 is
This is for reducing the resistance value, and is realized by forming chromium (Cr) in a comb shape.

【0027】補助電極112の上には、透明電極102
が形成されている。この透明電極102は、正の電圧が
印加される陽極として機能するものであり、例えばスト
ライプ状に形成されたITO膜からなるものである。
The transparent electrode 102 is formed on the auxiliary electrode 112.
Are formed. The transparent electrode 102 functions as an anode to which a positive voltage is applied, and is made of, for example, an ITO film formed in a stripe shape.

【0028】透明電極102の上には、第1絶縁層11
3が形成されている。さらに、第1絶縁層113の上に
は、有機EL膜103が形成されている。第1絶縁層1
13は、例えば窒化ケイ素(SiN)からなり、電気絶
縁性ばかりでなく、水分や酸素等に対するガスバリア機
能をも有している。このガスバリア機能をもたせること
で、素子内部への水分や酸素等の浸入を防いで、有機E
L膜103の劣化を防ぐようになっている。また、有機
EL膜103は、正孔輸送層と発光層とが積層された多
層構造を有している。
A first insulating layer 11 is formed on the transparent electrode 102.
3 is formed. Further, the organic EL film 103 is formed on the first insulating layer 113. First insulating layer 1
13 is made of, for example, silicon nitride (SiN), and has not only an electrical insulating property, but also a gas barrier function against moisture and oxygen. By providing this gas barrier function, it is possible to prevent water and oxygen from entering the inside of the device, and
The L film 103 is prevented from being deteriorated. In addition, the organic EL film 103 has a multilayer structure in which a hole transport layer and a light emitting layer are laminated.

【0029】そして、これら第1絶縁層113および有
機EL膜103の上には、陰極(カソード電極)104
が形成されている。陰極104は、有機EL膜103の
カソードとなるもので、有機EL膜103よりも大きめ
に形成されている。陰極104は、例えばフッ化リチウ
ム(LiF)からなる。
A cathode (cathode electrode) 104 is formed on the first insulating layer 113 and the organic EL film 103.
Are formed. The cathode 104 serves as the cathode of the organic EL film 103, and is formed larger than the organic EL film 103. The cathode 104 is made of, for example, lithium fluoride (LiF).

【0030】また、第1絶縁層113と陰極104の上
には、第2絶縁層114が形成されている。この第2絶
縁層114は、素子全体に亘って形成されており、例え
ば窒化ケイ素(SiN)、窒化アルミニウム(AlN)
等にからなる。第2絶縁層114も、第1絶縁層113
と同様に、ガスバリア機能を有しており、これにより有
機EL膜103の劣化を防止することができる。
A second insulating layer 114 is formed on the first insulating layer 113 and the cathode 104. The second insulating layer 114 is formed over the entire element, and is made of, for example, silicon nitride (SiN) or aluminum nitride (AlN).
And so on. The second insulating layer 114 is also the first insulating layer 113.
Similarly to the above, it has a gas barrier function, which can prevent the deterioration of the organic EL film 103.

【0031】ところで、第1絶縁層113と第2絶縁層
114には、接続ポイントPとなる位置に、開口部10
5が形成されている。そして、この開口部105の部分
には、それぞれ、導電性を有する金属膜、例えばニッケ
ル(Ni)、Au(金)またはSb(アンチモン)によ
って、電極端子部106が設けられている。この電極端
子部106は、有機EL素子6を構成する透明電極10
2および陰極104に対する通電を行うためのものであ
る。
By the way, the opening 10 is formed in the first insulating layer 113 and the second insulating layer 114 at the position which becomes the connection point P.
5 is formed. Then, the electrode terminal portion 106 is provided in each of the openings 105 with a conductive metal film such as nickel (Ni), Au (gold) or Sb (antimony). The electrode terminal portion 106 is the transparent electrode 10 that constitutes the organic EL element 6.
2 and to energize the cathode 104.

【0032】これら透明基板101、ガスバリア膜11
1、補助電極112、透明電極102、第1絶縁層11
3、有機EL膜103、陰極104、第2絶縁層11
4、および電極端子部106によって、有機ELパネル
4が構成されているのである。なお、本実施形態におい
ては、この有機ELパネル4における電極端子部106
が本発明における電極端子部に相当しているものとす
る。
These transparent substrate 101 and gas barrier film 11
1, auxiliary electrode 112, transparent electrode 102, first insulating layer 11
3, organic EL film 103, cathode 104, second insulating layer 11
The organic EL panel 4 is constituted by 4 and the electrode terminal portion 106. In the present embodiment, the electrode terminal portion 106 of the organic EL panel 4 is used.
Corresponds to the electrode terminal portion in the present invention.

【0033】このような構成の有機ELパネル4上に
は、接着剤201を介して、フレキシブル配線板5が貼
り付けられる。接着剤201としては、例えばフレキシ
ブル配線板5に貼り付けられた両面粘着テープが考えら
れる。ただし、接着剤201は、有機ELパネル4の電
極端子部106の部分には存在していない。
On the organic EL panel 4 having such a structure, the flexible wiring board 5 is attached via the adhesive 201. The adhesive 201 may be, for example, a double-sided adhesive tape attached to the flexible wiring board 5. However, the adhesive 201 does not exist in the portion of the electrode terminal portion 106 of the organic EL panel 4.

【0034】フレキシブル配線板5は、例えばポリイミ
ド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)に
よって形成することが考えられる。ただし、フレキシブ
ル配線板5には、有機ELパネル4における電極端子部
106と対応する位置に、貫通孔状のスルーホール20
2が設けられている。さらに、そのスルーホール202
の内壁部分およびその近傍は、導電性を有した導通部2
03で覆われている。この導通部203は、フレキシブ
ル配線板5における電気的な配線パターン204に接続
しているもので、例えば銅(Cu)、または銅上にニッ
ケル(Ni)若しくはニッケル/金(Ni/Au)を積
層したものによって形成することが考えられる。
The flexible wiring board 5 may be formed of, for example, polyimide (PI) or polyethylene terephthalate (PET). However, in the flexible wiring board 5, a through-hole-shaped through hole 20 is provided at a position corresponding to the electrode terminal portion 106 in the organic EL panel 4.
Two are provided. Furthermore, the through hole 202
The inner wall portion of and the vicinity thereof have a conductive portion 2 having conductivity.
It is covered with 03. The conductive portion 203 is connected to the electrical wiring pattern 204 of the flexible wiring board 5, and is made of, for example, copper (Cu), or nickel (Ni) or nickel / gold (Ni / Au) laminated on the copper. It is conceivable that it is formed by what was done.

【0035】このように、フレキシブル配線板5は、ス
ルーホール202および導通部203を有して構成され
ている。本実施形態においては、このフレキシブル配線
板5が本発明における配線基板に相当し、そのフレキシ
ブル配線板5における導通部203が本発明における貫
通孔状の導通部に相当しているものとする。ただし、本
発明における配線基板は、必ずしもフレキシブル配線板
5に限定されるものではない。すなわち、有機ELパネ
ル4の電極端子部106と電気的に接続するための導通
部を有したものであれば、その有機ELパネル4を駆動
するための駆動回路の一部または全部を構成するもの、
さらに具体的にはIC基板3自体やこれに搭載されたド
ライバIC31自体等であっても構わない。
As described above, the flexible wiring board 5 has the through holes 202 and the conducting portions 203. In the present embodiment, the flexible wiring board 5 corresponds to the wiring board of the present invention, and the conducting portion 203 of the flexible wiring board 5 corresponds to the through-hole-like conducting portion of the present invention. However, the wiring board in the present invention is not necessarily limited to the flexible wiring board 5. That is, as long as it has a conductive portion for electrically connecting to the electrode terminal portion 106 of the organic EL panel 4, it constitutes a part or the whole of a drive circuit for driving the organic EL panel 4. ,
More specifically, it may be the IC substrate 3 itself, the driver IC 31 itself mounted on the IC substrate 3, or the like.

【0036】次に、以上のように構成された有機ELパ
ネル4に対してフレキシブル配線板5を電気的に接続す
る際の手順、すなわち有機ELユニット2(有機ELデ
ィスプレイ1)の製造方法について、図8〜10を参照
しながら詳しく説明する。
Next, regarding the procedure for electrically connecting the flexible wiring board 5 to the organic EL panel 4 configured as described above, that is, the method for manufacturing the organic EL unit 2 (organic EL display 1), This will be described in detail with reference to FIGS.

【0037】図8は、電気的接続を確立する際における
有機EL素子部分の断面構造を示す概略構成図(その
1)である。有機ELパネル4に対してフレキシブル配
線板5を電気的に接続する際には、先ず、有機ELパネ
ル4の電極端子部106とフレキシブル配線板5のスル
ーホール202とを位置合わせした状態で、これらを互
いに重ね合わせ、接着剤201で密着固定させる。この
ときの位置合わせは、例えば有機ELパネル4上に設け
られたアライメントマーク44を基にして行えばよい。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram (No. 1) showing a cross-sectional structure of the organic EL element portion when establishing the electrical connection. When electrically connecting the flexible wiring board 5 to the organic EL panel 4, first, the electrode terminal portion 106 of the organic EL panel 4 and the through hole 202 of the flexible wiring board 5 are aligned with each other. Are laid on top of each other and adhered and fixed with an adhesive 201. The alignment at this time may be performed, for example, based on the alignment mark 44 provided on the organic EL panel 4.

【0038】これにより、電極端子部106と、スルー
ホール202およびその周囲部分の導通部203とは、
有機ELパネル4上の接続ポイントPに対応した箇所に
位置することとなる。ただし、これらの接続ポイントP
は、有機EL膜103に重ならないように位置している
ものとする。これは、電極端子部106と導通部203
とを電気的に接続する際に、有機EL膜103への熱の
伝導を極力防ぐためである。
As a result, the electrode terminal portion 106, the through hole 202 and the conducting portion 203 in the peripheral portion thereof are
It will be located at a location corresponding to the connection point P on the organic EL panel 4. However, these connection points P
Are located so as not to overlap the organic EL film 103. This is the electrode terminal portion 106 and the conducting portion 203.
This is to prevent conduction of heat to the organic EL film 103 as much as possible when electrically connecting and.

【0039】有機ELパネル4とフレキシブル配線板5
とを密着固定させた後は、そのフレキシブル配線板5の
スルーホール202内に半田ボール301を投入する。
図9は、電気的接続を確立する際における半田ボール投
入の概要を示す説明図である。図例のように、スルーホ
ール202内への半田ボール301の投入にあたって
は、吸引装置302を作動させて、半田ボール投入用の
ホルダー303の穴304内に、半田ボール301を真
空吸着させる。そして、ホルダー303をフレキシブル
配線板5上に移動させた後、吸引装置302による真空
吸着を解除させることで、半田ボール301をフレキシ
ブル配線板5のそれぞれのスルーホール202内に投入
させる。
Organic EL panel 4 and flexible wiring board 5
After closely fixing and, the solder balls 301 are put into the through holes 202 of the flexible wiring board 5.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an outline of throwing in a solder ball when establishing electrical connection. As shown in the drawing, when the solder balls 301 are loaded into the through holes 202, the suction device 302 is operated to vacuum-adsorb the solder balls 301 into the holes 304 of the solder ball loading holder 303. Then, after moving the holder 303 onto the flexible wiring board 5, the vacuum suction by the suction device 302 is released, so that the solder balls 301 are put into the respective through holes 202 of the flexible wiring board 5.

【0040】このときに投入される半田ボール301と
しては、例えば無鉛半田を用い、その外周面にフラック
スFが転写されたものであることが考えられる。このフ
ラックスFにより、半田ボール301は、スルーホール
202内に投入される際およびその投入後であっても転
がり難くなる。
It is conceivable that, for example, lead-free solder is used as the solder balls 301 to be introduced at this time, and the flux F is transferred to the outer peripheral surface thereof. The flux F makes it difficult for the solder balls 301 to roll when they are put into the through holes 202 and even after the putting.

【0041】また、半田ボール301には、スルーホー
ル202内への投入に先立って、レーザ光の吸収を良く
するための処理が施されているものとする。具体的に
は、半田ボール301は、その表面が例えばコバルト
(Co)合金によってコーティングされており、これに
よりその表面が黒色化されている。このコバルト合金の
コーティングによる黒色化は、半田ボール301のみな
らず、スルーホール202の内壁部分、すなわち導通部
203にも施しておくことが望ましい。なお、半田ボー
ル301等に施す着色処理は、コバルト合金のコーティ
ングによるものには限られず、その表面に着色をし、か
つ、半田ボール301への不純物の混入を招かないもの
であれば、他の手法による着色処理を行うようにしても
よい。
Further, it is assumed that the solder ball 301 has been subjected to a treatment for improving absorption of laser light prior to being put into the through hole 202. Specifically, the surface of the solder ball 301 is coated with, for example, a cobalt (Co) alloy, and the surface thereof is blackened. It is desirable that the blackening by the coating of the cobalt alloy is applied not only to the solder ball 301 but also to the inner wall portion of the through hole 202, that is, the conductive portion 203. It should be noted that the coloring treatment applied to the solder balls 301 and the like is not limited to the one using the cobalt alloy coating, and any other treatment can be used as long as the surface thereof is colored and impurities are not mixed into the solder balls 301. You may make it color-process by a method.

【0042】着色処理を施した半田ボール301をスル
ーホール202内に投入した後は、図8に示すように、
その半田ボール301に対してレーザ光401を照射す
る。このレーザ光401は、例えば半導体レーザ、エキ
シマレーザあるいはYAGレーザ等を用いることが考え
られるが、いずれにしても半田ボール301を溶融でき
るものであればどの種類のレーザを用いても構わないこ
とは勿論である。
After the colored solder balls 301 are put into the through holes 202, as shown in FIG.
The solder ball 301 is irradiated with laser light 401. As the laser beam 401, for example, a semiconductor laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like may be used, but any type of laser may be used as long as it can melt the solder ball 301. Of course.

【0043】なお、レーザ光401を半田ボール301
に照射する場合には、必要に応じてマスキング材402
を用いるとよい。マスキング材402は、レーザ光40
1を半田ボール301に当てるための穴403を有して
いる。
The laser beam 401 is applied to the solder ball 301.
Masking material 402 if necessary
Should be used. The masking material 402 is the laser light 40.
1 has a hole 403 for hitting the solder ball 301.

【0044】図10は、電気的接続を確立する際におけ
る有機EL素子部分の断面構造を示す概略構成図(その
2)である。半田ボール301に対してレーザ光401
を照射すると、半田ボール301は、図例のように、溶
融する。そして、溶融した半田材305は、有機ELパ
ネル4の電極端子部106とフレキシブル配線板5の導
通部203とを電気的かつ機械的に接続することにな
る。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram (No. 2) showing the cross-sectional structure of the organic EL element portion when establishing the electrical connection. Laser light 401 for solder balls 301
Is irradiated, the solder balls 301 are melted as shown in the figure. Then, the melted solder material 305 electrically and mechanically connects the electrode terminal portion 106 of the organic EL panel 4 and the conducting portion 203 of the flexible wiring board 5.

【0045】ただし、このとき、半田ボール301およ
び導通部203には、既に説明したように、レーザ光の
吸収を良くするための着色処理(黒色化)が施されてい
る。したがって、これらに対してレーザ光401を照射
すると、レーザ光が良く吸収されるので、着色処理を施
していない場合に比べて、少ない照射時間または少ない
照射パワーで半田ボール301が溶融して、電気的接続
を確立するようになる。
However, at this time, the solder ball 301 and the conducting portion 203 are subjected to a coloring treatment (blackening) for improving the absorption of the laser light, as already described. Therefore, when the laser beam 401 is irradiated to these, the laser beam is well absorbed, so that the solder ball 301 melts in a shorter irradiation time or a smaller irradiation power as compared with the case where the coloring process is not performed, and the electric power is reduced. To establish a dynamic connection.

【0046】以上のような製造方法により、電極端子部
106と導通部203との間は、溶融後の半田材305
を介して、電気的に接続されることになる。このとき、
レーザ光401は、例えば半田ボール301が配された
箇所に対してのみ、すなわち局所的に照射される。した
がって、ACFを用いて電気的な接続を行う場合のよう
に、有機EL膜103(有機EL素子6)が加熱加圧に
よる悪影響を受けてしまうことがない。
By the manufacturing method as described above, the solder material 305 after melting is provided between the electrode terminal portion 106 and the conducting portion 203.
It will be electrically connected via. At this time,
The laser light 401 is irradiated, for example, locally only to the places where the solder balls 301 are arranged. Therefore, the organic EL film 103 (organic EL element 6) is not adversely affected by heating and pressing unlike the case where electrical connection is made using the ACF.

【0047】しかも、半田ボール301は、着色処理に
よってレーザ光401を良く吸収するようになっている
ので、より少ない照射時間または少ない照射パワーで溶
融する。つまり、レーザ光401を長時間に渡って照射
しなければ半田ボール301が溶融しないといったこと
がない。また、着色処理を施していない場合に比べて、
レーザ光401の照射パワーを下げることが可能とな
り、レーザ光401の照射による発熱も抑えられる。こ
れらのことからも、有機EL膜103(有機EL素子
6)が熱的なダメージを受けるのを極力回避することが
できる。
Moreover, since the solder ball 301 absorbs the laser light 401 well by the coloring treatment, it melts in a shorter irradiation time or a smaller irradiation power. That is, the solder ball 301 will not be melted unless it is irradiated with the laser light 401 for a long time. In addition, compared to the case without coloring treatment,
The irradiation power of the laser light 401 can be reduced, and heat generation due to the irradiation of the laser light 401 can be suppressed. From these facts, it is possible to prevent the organic EL film 103 (organic EL element 6) from being thermally damaged as much as possible.

【0048】その上、レーザ光401の照射パワーを下
げることが可能であることから、レーザ照射のための設
備およびその付帯設備、具体的にはレーザ光401の発
振器、電源、冷却部等といった各種設備を小型化するこ
とができ、またこれに伴って各種設備の低コスト化等も
期待できる。
In addition, since the irradiation power of the laser light 401 can be reduced, equipment for laser irradiation and its incidental equipment, specifically, various oscillators of the laser light 401, a power supply, a cooling unit, etc. The equipment can be downsized, and along with this, cost reduction of various equipment can be expected.

【0049】また、レーザ光401の吸収を良くするた
めの着色処理を、半田ボール301に加えて導通部20
3にも施した場合には、以下に述べる理由によって、半
田ボール301をより少ない照射時間または少ない照射
パワーで溶融させるのに好適なものとなる。レーザ光4
01のスポット径は、通常、半田ボール301の径より
もやや大きい。そのため、半田ボール301への照射の
際には、レーザ光401がスルーホール202内に洩れ
て、半田ボール301のみならず導通部203をも照射
することが考えられる。この場合に、導通部203にも
着色処理を施しておけば、レーザ光401による加熱が
効率的に行われることになるので、その導通部203に
接する半田ボール301についてもより一層効率的に溶
融させ得るようになる。
A coloring treatment for improving the absorption of the laser beam 401 is applied to the solder balls 301 and the conductive portions 20 are added.
When it is also applied to No. 3, it is suitable for melting the solder ball 301 in a shorter irradiation time or a smaller irradiation power for the reason described below. Laser light 4
The spot diameter of 01 is usually slightly larger than the diameter of the solder ball 301. Therefore, when the solder ball 301 is irradiated, the laser light 401 may leak into the through hole 202 and irradiate not only the solder ball 301 but also the conductive portion 203. In this case, if the conductive portion 203 is also colored, the heating by the laser light 401 is efficiently performed, so that the solder ball 301 in contact with the conductive portion 203 is melted more efficiently. Will be able to.

【0050】ところで、上述した実施の形態では、電極
端子部106と導通部203との間の電気的接続を、半
田ボール301を用いてこれをスルーホール202内に
投入することによって行う場合を例に挙げて説明した
が、当該電気的接続は、これ以外にも例えば以下のよう
にして行うことが考えられる。図11は、電気的接続を
確立する際における有機EL素子部分の断面構造の他の
例を示す概略構成図である。図例の場合では、有機EL
パネル4の電極端子部106とフレキシブル配線板5の
スルーホール202とを位置合わせするのに先立ち、予
めそのフレキシブル配線板5のスルーホール202内
に、半田材306を充填しておく。ただし、この半田材
306は、その表面に例えばコバルト合金のコーティン
グによる黒色化処理が施されているものとする。
By the way, in the above-described embodiment, the case where the electrical connection between the electrode terminal portion 106 and the conducting portion 203 is performed by using the solder ball 301 and inserting it into the through hole 202 is an example. However, other than this, the electrical connection may be performed as follows, for example. FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing another example of the cross-sectional structure of the organic EL element portion when establishing the electrical connection. In the case of the example shown, organic EL
Prior to aligning the electrode terminal portion 106 of the panel 4 with the through hole 202 of the flexible wiring board 5, the solder material 306 is filled in the through hole 202 of the flexible wiring board 5 in advance. However, it is assumed that the surface of the solder material 306 is subjected to blackening treatment by coating with a cobalt alloy, for example.

【0051】そして、スルーホール202内に半田材3
06が充填されたまま、有機ELパネル4とフレキシブ
ル配線板5との位置合わせを行い、その後充填された半
田材306に対してレーザ光401を照射する。このと
き、半田材306には黒色化処理が施されているので、
その半田材306は、黒色化処理を施していない場合に
比べて、少ない照射時間または少ない照射パワーで溶融
して、電気的接続を確立するようになる。つまり、スル
ーホール202内に半田材306を充填した場合であっ
ても、上述した半田ボール301の場合と全く同様に、
その半田材306に着色処理を施すことによって、有機
EL膜103(有機EL素子6)への熱的なダメージを
極力回避することができ、また各種設備の小型化や低コ
スト化等も期待できる。
Then, the solder material 3 is placed in the through hole 202.
The organic EL panel 4 and the flexible wiring board 5 are aligned with each other while being filled with 06, and then the filled solder material 306 is irradiated with a laser beam 401. At this time, since the solder material 306 has been blackened,
The solder material 306 melts in a shorter irradiation time or a smaller irradiation power as compared with the case where the blackening treatment is not performed, and the electrical connection is established. That is, even when the through hole 202 is filled with the solder material 306, just as in the case of the solder ball 301 described above,
By coloring the solder material 306, thermal damage to the organic EL film 103 (organic EL element 6) can be avoided as much as possible, and miniaturization of various equipment and cost reduction can be expected. .

【0052】また、上述した実施の形態では、半田ボー
ル301(または半田材306)に対して着色処理を施
した場合を例に挙げて説明したが、レーザ光401の吸
収を良くするための処理としては、これ以外にも例えば
以下のようにすることが考えられる。すなわち、半田ボ
ール301(または半田材306)に表面粗さの加工処
理を施しておく。さらに具体的には、表面粗さが所定値
(例えば、十点平均粗さ5μm)以上となるように、加
工処理を施しておく。
In the above-described embodiment, the case where the solder ball 301 (or the solder material 306) is colored is described as an example, but the process for improving the absorption of the laser light 401 is performed. Other than this, the following may be considered. That is, the solder ball 301 (or the solder material 306) is subjected to surface roughness processing. More specifically, processing is performed so that the surface roughness becomes a predetermined value (for example, ten-point average roughness 5 μm) or more.

【0053】図12は、レーザ照射面の粗度(Rz)と
赤外光(λ=9.3μ)の吸収率との関係の一具体例を
示す説明図である。図例のように、レーザ照射面は、そ
の表面の粗度が大きいほど、レーザ光の吸収率が高くな
ることがわかる。これは、レーザ照射面が粗であると
き、照射されたレーザ光は乱反射して、これによりレー
ザの吸収率が上がるためと考えられる(例えば、キャリ
ア付き極薄銅箔を用いたダイレクトレーザ穴あけ加工、
中野、山本ら著、MES2000(第10回マイクロエ
レクトロニクスシンポジウム)、2000年11月)。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a specific example of the relationship between the roughness (Rz) of the laser irradiation surface and the absorptance of infrared light (λ = 9.3 μ). As shown in the figure, it can be seen that the higher the surface roughness of the laser irradiation surface, the higher the absorption rate of the laser light. This is because when the laser irradiation surface is rough, the irradiated laser light is diffusely reflected, which increases the laser absorption rate (for example, direct laser drilling using an ultra-thin copper foil with carrier). ,
Nakano, Yamamoto et al., MES2000 (10th Microelectronics Symposium), November 2000).

【0054】したがって、半田ボール301(または半
田材306)に表面粗さの加工処理を施しておけば、レ
ーザ光401の吸収率が高くなり、より少ない照射時間
または少ない照射パワーで半田ボール301(または半
田材306)が溶融するので、着色処理を施した場合と
全く同様に、有機EL膜103(有機EL素子6)への
熱的なダメージを極力回避することができ、また各種設
備の小型化や低コスト化等も期待できる。
Therefore, if the solder ball 301 (or the solder material 306) is subjected to surface roughness processing, the absorption rate of the laser light 401 becomes high, and the solder ball 301 (with a shorter irradiation time or a smaller irradiation power). Alternatively, since the solder material 306) is melted, it is possible to avoid thermal damage to the organic EL film 103 (organic EL element 6) as much as possible in the same manner as in the case where the coloring treatment is performed, and to reduce the size of various equipment. And cost reduction can be expected.

【0055】なお、上述した実施の形態では、いずれの
場合においても本発明の好適な具体例として技術的に好
ましい種々の限定について述べたが、本発明の範囲は特
に本発明を限定する旨の記載がない限り、本実施形態で
述べた内容に限られるものではないことはいうまでもな
い。
In each of the above-mentioned embodiments, various technically preferable limitations are described as suitable specific examples of the present invention in any case, but the scope of the present invention is particularly limited to the present invention. Needless to say, the contents are not limited to those described in the present embodiment unless otherwise stated.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る表
示装置の製造方法によれば、多くの熱が発生することな
く有機EL素子と配線基板との間の電気的接続を確立す
ることができるので、有機EL素子に対する悪影響等を
排除しつつ、高品質な表示装置を構成することが可能に
なる。しかも、電気的接続を確立するために必要となる
レーザ照射設備およびその付帯設備の大型化や高コスト
化等も抑制し得るようになる。
As described above, according to the manufacturing method of the display device of the present invention, the electrical connection between the organic EL element and the wiring board can be established without generating much heat. Therefore, it is possible to configure a high-quality display device while eliminating adverse effects on the organic EL element. Moreover, it is possible to prevent the laser irradiation equipment and its associated equipment, which are necessary for establishing electrical connection, from increasing in size and cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】表示装置の外観構成の一例を模式的に示す図で
あり、その表示装置を表示面側からみた場合の斜視図で
ある。
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an example of the external configuration of a display device, and is a perspective view of the display device when viewed from the display surface side.

【図2】表示装置の一構成例を模式的に示す図であり、
その表示装置を表示面の反対側からみた場合の斜視図で
ある。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of a display device,
It is a perspective view when the display device is seen from the opposite side of the display surface.

【図3】図2の表示装置が有する有機ELユニットの一
部分の構成を拡大して示した分解斜視図である。
3 is an exploded perspective view showing an enlarged configuration of a part of an organic EL unit included in the display device of FIG.

【図4】有機ELパネルの一構造例を示す概略構成図で
あり、電気的な接続領域および表示領域の例を詳細に示
す図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing one structural example of an organic EL panel, and is a diagram showing in detail an example of an electrical connection region and a display region.

【図5】有機ELパネルが備える有機EL素子部分の構
成例を示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a configuration example of an organic EL element portion included in an organic EL panel.

【図6】有機EL素子部分の構成例を詳細に示す概略構
成図であり、(a)はその平面図、(b)はその要部断
面図である。
6A and 6B are schematic configuration diagrams showing a detailed configuration example of an organic EL element portion, in which FIG. 6A is a plan view thereof, and FIG.

【図7】本発明に係る製造方法により電気的接続を確立
する前の状態における有機EL素子部分の断面構造を示
す概略構成図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a cross-sectional structure of an organic EL element portion in a state before electrical connection is established by the manufacturing method according to the present invention.

【図8】本発明に係る製造方法により電気的接続を確立
する際における有機EL素子部分の断面構造の一例を示
す概略構成図(その1)である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram (No. 1) showing an example of a cross-sectional structure of an organic EL element portion when electrical connection is established by the manufacturing method according to the present invention.

【図9】本発明に係る製造方法により電気的接続を確立
する際における半田ボール投入の概要を示す説明図であ
る。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an outline of throwing in a solder ball when establishing electrical connection by the manufacturing method according to the present invention.

【図10】本発明に係る製造方法により電気的接続を確
立する際における有機EL素子部分の断面構造の一例を
示す概略構成図(その2)である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram (No. 2) showing an example of the cross-sectional structure of the organic EL element portion when establishing the electrical connection by the manufacturing method according to the present invention.

【図11】本発明に係る製造方法により電気的接続を確
立する際における有機EL素子部分の断面構造の他の例
を示す概略構成図である。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing another example of the cross-sectional structure of the organic EL element portion when establishing the electrical connection by the manufacturing method according to the present invention.

【図12】レーザ照射面の粗度(Rz)と赤外光(λ=
9.3μ)の吸収率との関係の一具体例を示す説明図で
ある。
FIG. 12 shows the roughness (Rz) of the laser irradiation surface and infrared light (λ =
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a specific example of the relationship with the absorption rate of 9.3 μ).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…有機ELディスプレイ、2…有機ELユニット、3
…IC基板、4…有機ELパネル、5…フレキシブル配
線板、6…有機EL素子、101…透明基板、102…
透明電極、103…有機EL膜、103a…正孔輸送
層、103b…発光層、104…陰極、105…開口
部、106…電極端子部、201…接着剤、202…ス
ルーホール、203…導通部、301…半田ボール、3
06…半田材、401…レーザ光
1 ... Organic EL display, 2 ... Organic EL unit, 3
... IC substrate, 4 ... Organic EL panel, 5 ... Flexible wiring board, 6 ... Organic EL element, 101 ... Transparent substrate, 102 ...
Transparent electrode, 103 ... Organic EL film, 103a ... Hole transport layer, 103b ... Light emitting layer, 104 ... Cathode, 105 ... Opening portion, 106 ... Electrode terminal portion, 201 ... Adhesive agent, 202 ... Through hole, 203 ... Conducting portion , 301 ... Solder balls, 3
06 ... Solder material, 401 ... Laser light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/40 301 G09F 9/40 301 H05B 33/06 H05B 33/06 33/10 33/10 33/14 33/14 A Fターム(参考) 3K007 AB11 AB18 BA06 BB07 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02 5C094 AA13 AA14 AA15 AA21 AA31 AA43 AA48 AA53 AA55 BA27 CA19 DA09 DA12 DB01 DB03 DB05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 FB20 GB10 5G435 AA14 AA16 AA17 AA18 BB05 CC09 EE32 EE35 EE36 EE43 HH12 HH14 KK05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/40 301 G09F 9/40 301 H05B 33/06 H05B 33/06 33/10 33/10 33/14 33/14 A F-term (reference) 3K007 AB11 AB18 BA06 BB07 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02 5C094 AA13 AA14 AA15 AA21 AA31 AA43 AA48 AA53 AA55 BA27 CA19 DA09 DA12 DB01 DB03 DB05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 FB20 GB10 5G435 AA14 AA16 AA17 AA18 BB05 CC09 EE32 EE35 EE36 EE43 HH12 HH14 KK05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表示装置を構成する有機電界発光素子と
配線基板とを電気的に接続する際に用いられる表示装置
の製造方法であって、 前記有機電界発光素子に導通する電極端子部と前記配線
基板に設けられた貫通孔状の導通部とを位置合わせする
位置合わせステップと、 前記位置合わせステップの後に、または先立って、前記
配線基板における前記導通部の貫通孔内に半田材を配す
る半田充填ステップと、 前記導通部内の半田材にレーザ光を照射して溶融するこ
とで、前記電極端子部と前記導通部とを電気的に接続す
る接続ステップと、 前記接続ステップに先立って、少なくとも前記半田材に
レーザ光の吸収を良くするための処理を施しておく処理
ステップとを備えることを特徴とする表示装置の製造方
法。
1. A method of manufacturing a display device used when electrically connecting an organic electroluminescent element constituting a display device and a wiring board, comprising: an electrode terminal portion electrically connected to the organic electroluminescent element; A positioning step of positioning a through-hole-shaped conductive portion provided on the wiring board, and a solder material is arranged in the through-hole of the conductive portion of the wiring board after or prior to the positioning step. A solder filling step, a connection step of electrically connecting the electrode terminal section and the conductive section by irradiating the solder material in the conductive section with laser light to melt the solder material, and at least prior to the connecting step, A method of manufacturing a display device, comprising: a treatment step of subjecting the solder material to treatment for improving absorption of laser light.
【請求項2】 前記半田材に加えて前記導通部にもレー
ザ光の吸収を良くするための処理を施しておくことを特
徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein a treatment for improving absorption of laser light is performed on the conductive portion in addition to the solder material.
【請求項3】 前記処理ステップでの前記半田材に対す
る処理として、当該半田材に着色処理を施しておくこと
を特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
3. The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the solder material is subjected to a coloring treatment as the treatment of the solder material in the treatment step.
【請求項4】 前記処理ステップでの前記半田材に対す
る処理として、当該半田材に表面粗さの加工処理を施し
ておくことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造
方法。
4. The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the solder material is subjected to surface roughness processing as the processing for the solder material in the processing step.
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