JP2003043223A - Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts - Google Patents

Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts

Info

Publication number
JP2003043223A
JP2003043223A JP2001230515A JP2001230515A JP2003043223A JP 2003043223 A JP2003043223 A JP 2003043223A JP 2001230515 A JP2001230515 A JP 2001230515A JP 2001230515 A JP2001230515 A JP 2001230515A JP 2003043223 A JP2003043223 A JP 2003043223A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
beam
splitter
crystal
crystalline
device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001230515A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naomasa Shiraishi
直正 白石
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a beam splitter which can maintain preferable optical performance without having substantial influences of birefringence even when a birefringent crystal material such as fluorite is used. SOLUTION: The beam splitter is made of a crystal belonging to the cubic system. The incident direction of a beam to the beam splitter and the exiting direction of the beam from the beam splitter are preliminarily controlled to be almost coincident with the crystalline axis [100] of the crystal or with a crystalline axis optically equivalent to the above crystalline axis.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、結晶材料で形成されたビームスプリッターおよび波長板、並びにこれらの結晶光学部品を備えた光学装置に関し、特に半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置に関連する光学系に好適な光学部品に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention includes a beam splitter and a wavelength plate formed of a crystal material, and relates to an optical device having these crystal optics, Ya especially chips those of the preferred optical components in the optical system relating to the exposure apparatus used in manufacturing a micro device such as a liquid crystal display element in a photolithography process. 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路や液晶ディスプレイ等の電子デバイス(マイクロデバイス)の微細パターンの形成に際して、形成すべきパターンを4〜5倍程度に比例拡大して描画したフォトマスク(レチクルとも呼ぶ)のパターンを、投影露光装置を用いてウエハ等の感光性基板(被露光基板)上に縮小露光転写する方法が用いられている。 [0002] Semiconductor integrated circuits, liquid crystal display and electronic devices (microdevices) of the formation of a fine pattern, a photomask (reticle to be formed patterns drawn in proportion expanded to about 4-5 times the the pattern also called) and, how to reduce exposure transferred onto a photosensitive substrate such as a wafer (substrate to be exposed) using a projection exposure apparatus is used. この種の投影露光装置では、半導体集積回路の微細化に対応するために、その露光波長が短波長側へシフトし続けている。 In this type of projection exposure apparatus, in order to cope with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, the exposure wavelength is continuously shifted to a shorter wavelength side. 【0003】現在、露光波長はKrFエキシマレーザーの248nmが主流となっているが、より短波長のAr [0003] Currently, the exposure wavelength is 248nm of KrF excimer laser has become the mainstream, of shorter wavelength Ar
Fエキシマレーザーの193nmも実用化段階に入りつつある。 193nm of F excimer laser also is entering the stage of practical use. さらに、波長157nmのF 2レーザーや波長126nmのAr 2レーザー等の、いわゆる真空紫外域と呼ばれる波長帯の光を供給する光源を使用する投影露光装置の提案も行なわれている。 Further, the Ar 2 laser or the like of the F 2 laser or a wavelength 126nm wavelength 157 nm, have been made proposals for a projection exposure apparatus using a light source for supplying light in a wavelength band so-called vacuum ultraviolet region. また、投影光学系の大開口数(NA)化によっても高解像度化が可能であるため、露光波長の短波長化のための開発だけでなく、より大きい開口数を有する投影光学系の開発もなされている。 Furthermore, since by the large numerical aperture (NA) of the projection optical system is capable of high resolution, not only development for shorter exposure wavelength, development of a projection optical system having a numerical aperture greater than It has been made. 【0004】なお、この種の投影光学系では、高解像度を実現するために、その残存収差が極めて小さく抑えられている必要がある。 [0004] In this type of projection optical system, in order to achieve high resolution, it is necessary that the residual aberration is suppressed extremely small. その目的のために、投影光学系の残存収差を計測するための検査光学系が必要であり、この検査光学系自体においても残存収差が極めて小さく抑えられていることが要求されることは言うまでもない。 For that purpose, it is necessary inspection optical system for measuring the residual aberration of the projection optical system, it is needless to say that even residual aberration in the inspection optical system itself is required to have suppressed extremely small .
また、半導体集積回路の性能の向上、特に動作速度の向上に関しては、回路内のパターンの寸法均一性が極めて重要である。 Also, improvement in performance of the semiconductor integrated circuit, particularly with respect to improvement of the operating speed, the dimensional uniformity of the pattern of the circuit is very important. パターン寸法を均一にするには露光量を均一にする必要があるため、レチクルに照明光を供給する照明光学系には極めて高い照度均一性が要求される。 Order to make uniform the pattern size, it is necessary to make uniform the amount of exposure, an extremely high illuminance uniformity is required for the illumination optical system supplies illumination light to the reticle. 【0005】このように波長の短い紫外域の露光光に対しては、透過率や均一性の良好な光学材料(レンズ材料)は限定される。 [0005] For the exposure light shorter ultraviolet having thus wavelength, good optical material (lens material) of the transmittance and uniformity is limited. ArFエキシマレーザーを光源とする投影光学系では、レンズ材料として合成石英ガラスも使用可能であるが、1種類のレンズ材料では色収差の補正を十分に行うことができないので、一部のレンズにフッ化カルシウム結晶(蛍石)が用いられる。 The projection optical system as a light source an ArF excimer laser, but a synthetic quartz glass can be used as a lens material, since the one of the lens material can not be carried out sufficiently correct chromatic aberration, fluoride in a part of the lens calcium crystals (fluorite) is used. 一方、F 2 On the other hand, F 2
レーザーを光源とする投影光学系では、使用可能なレンズ材料は事実上フッ化カルシウム結晶(蛍石)に限定される。 The projection optical system as a light source a laser, lens material available is limited to virtually crystalline calcium fluoride (fluorite). そして、検査光学系や照明光学系に使用可能なレンズの材料および透過性光学部品の材料についても、蛍石に限定されることになる。 Then, for the material of the material and transmissive optical component of the available lens inspection optical system and the illumination optical system, it will be limited to fluorite. 【0006】 【発明が解決しようとする課題】最近、このように波長の短い紫外線に対しては、立方晶系であるフッ化カルシウム結晶(蛍石)においても、複屈折が生じることが報告されている。 SUMMARY OF THE INVENTION Problem to be Solved] Recently, for the short ultraviolet wavelengths Thus, also in the cubic system in which calcium fluoride crystal (fluorite), is reported that birefringence occurs ing. 電子デバイスの製造に用いられる投影光学系のような超高精度の光学系においては、レンズ材料の複屈折に伴って生じる収差は致命的であり、複屈折の影響を実質的に回避したレンズ構成およびレンズ設計の採用が不可欠である。 In ultra-precision optical systems such as projection optical systems used in the manufacture of electronic devices, aberrations caused by the birefringence of the lens material is fatal, the lens configuration in which substantially avoid the influence of birefringence and lens adopted design is essential. また、その投影光学系の残存収差を計測するための検査光学系についても、複屈折の影響を実質的に回避した光学部品の使用およびレンズ構成の採用が不可欠である。 As for the inspection optical system for measuring the residual aberration of the projection optical system, it is essential to adopt a substantially avoid the use of optics and lens arrangement the influence of birefringence. 【0007】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、たとえば蛍石のような複屈折性の結晶材料を用いても、複屈折の影響を実質的に受けることなく良好な光学性能を確保することのできる、ビームスプリッターおよび波長板を提供することを目的とする。 [0007] The present invention has been made in view of the problems described above, even by using a birefringent crystal material such as fluorite, good optical without substantial influence of birefringence It can ensure performance, and to provide a beam splitter and a wavelength plate. また、複屈折の影響を実質的に受けることなく良好な光学性能を有するビームスプリッターや波長板のような結晶光学部品を備えた光学装置を提供することを目的とする。 Another object is to provide an optical apparatus having a crystal optical components such as beam splitter and the wavelength plate with good optical performance without substantially affected by birefringence. 【0008】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するために、本発明の第1発明では、立方晶系に属する結晶で形成されたビームスプリッターにおいて、前記ビームスプリッターへの光束の入射方向および前記ビームスプリッターからの光束の射出方向が、前記結晶の結晶軸[10 In order to solve the above object, according to an aspect of, the first aspect of the present invention, the beam splitter formed of a crystal belonging to a cubic system, the incident light beam to said beam splitter emission direction of the light beam from the direction and the beam splitter, the crystalline crystal axis [10
0]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とするビームスプリッターを提供する。 0] or to provide a beam splitter, characterized in that is configured to substantially coincide with the crystal axis and optically equivalent to the crystal axes. 【0009】本発明の第2発明では、立方晶系に属する結晶で形成されたビームスプリッターにおいて、前記ビームスプリッターは、三角柱状の一対のプリズム部材を有し、一方のプリズム部材では、通過する光束の進行方向が前記結晶の結晶軸[100]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定され、他方のプリズム部材では、通過する光束の進行方向が前記結晶の結晶軸[111]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とするビームスプリッターを提供する。 [0009] In the second aspect of the present invention is a beam splitter formed of a crystal belonging to a cubic system, the beam splitter has a triangular prism-shaped pair of prism member, the one prism member, the light beams passing through is set as the traveling direction of which substantially coincides with the crystal axis of the crystal [100] or the crystal axis optically equivalent to the crystal axis, the other prism member, crystalline traveling direction of the light beam passing through the said crystal providing a beam splitter, characterized in that it is set to be substantially coincident with the axis [111] or the crystal axis optically equivalent to the crystal axes. 【0010】第1発明または第2発明の好ましい態様によれば、前記ビームスプリッターは、偏光ビームスプリッターである。 [0010] According to a preferred embodiment of the first or second aspect, wherein the beam splitter is a polarizing beam splitter. また、前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることが好ましい。 Further, it is preferable that the crystal is a calcium fluoride crystal or barium fluoride crystal. 【0011】本発明の第3発明では、立方晶系に属する結晶で形成された波長板において、前記波長板を通過する光束の進行方向が、前記結晶の結晶軸[110]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とする波長板を提供する。 [0011] In the third aspect of the present invention is a wavelength plate which is formed by crystal belonging to a cubic system, the traveling direction of the light beam passing through the wave plate, crystal axis of the crystal [110] or with said crystal axis to provide a wave plate, characterized in that is configured to substantially coincide with optically equivalent to the crystal axis. 【0012】第3発明の好ましい態様によれば、前記光束の進行方向に沿って約6cmの厚さを有し、約157 [0012] According to a preferred embodiment of the third invention, has a thickness of about 6cm along the traveling direction of the light beam, about 157
nmの波長を有する光束に対して1/4波長板として機能する。 Functions as a quarter-wave plate for the light flux having a wavelength of nm. あるいは、前記光束の進行方向に沿って約12 Alternatively, approximately along the traveling direction of the light beam 12
cmの厚さを有し、約157nmの波長を有する光束に対して1/2波長板として機能することが好ましい。 Having a thickness of cm, preferably functions as a half-wave plate for the light flux having a wavelength of about 157 nm. 【0013】また、第3発明の好ましい態様によれば、 [0013] According to a preferred embodiment of the third aspect of the present invention,
前記光束の進行方向にほぼ垂直な入射面と、前記光束の進行方向に垂直な面に対して実質的に傾いた射出面とを有する。 It has a substantially perpendicular incidence plane to the traveling direction of the light beam, the exit surface and inclined substantially with respect to a plane perpendicular to the traveling direction of the light beam. さらに、前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることが好ましい。 Further, it is preferable that the crystal is a calcium fluoride crystal or barium fluoride crystal. 【0014】本発明の第4発明では、第1発明または第2発明のビームスプリッターおよび第3発明の波長板のうちの少なくとも一方の結晶光学部品を備えていることを特徴とする光学装置を提供する。 [0014] In the fourth aspect of the present invention, it provides an optical apparatus characterized in that it comprises at least one crystalline optical component of the wavelength plate of the beam splitter and the third invention of the first or second aspect of the invention to. 【0015】本発明の第5発明では、照明光の光路中に第3発明のいずれか1項に記載の波長板が配置されていることを特徴とする照明光学系を提供する。 [0015] In the fifth aspect of the present invention provides an illumination optical system, wherein a wave plate according to any one of the third invention is arranged in the optical path of the illumination light. 【0016】本発明の第6発明では、マスクを照明するための第5発明の照明光学系と、前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。 [0016] In the sixth aspect of the present invention includes an illumination optical system of the fifth aspect of the present invention for illuminating a mask, a projection optical system for forming on a photosensitive substrate an image of a pattern formed on the mask provided that provide an exposure apparatus according to claim it is. 【0017】本発明の第7発明では、マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系を検査する検査装置において、前記投影光学系に検査光を照射する照射光学系を備え、前記照射光学系は、 [0017] In the seventh aspect of the present invention, in the inspection apparatus for inspecting a projection optical system for forming an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, irradiation of irradiating an inspection light to the projection optical system It includes an optical system, the illumination optical system,
第4発明の光学装置を備えていることを特徴とする検査装置を提供する。 It provides a test apparatus characterized by comprising an optical device of the fourth invention. 【0018】 【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。 [0018] The embodiment of the embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 図1は、本発明の実施形態にかかる結晶光学部品を備えた検査装置の構成を概略的に示す図である。 Figure 1 is a diagram schematically showing the configuration of an inspection apparatus having such a crystal optics to an embodiment of the present invention. この検査装置は、例えば被検光学系の波面収差を測定するものである。 The testing device is, for example, to measure the wavefront aberration of the optical system. また、図2は、図1の被検光学系としての投影光学系を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。 2 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus with a projection optical system as the optical system to be measured in FIG. まず、図2を参照して、露光装置の構成および動作について説明する。 First, referring to FIG. 2, the configuration and operation of the exposure apparatus. 【0019】図2に示す露光装置は、たとえばArFエキシマレーザーやF 2レーザーのような光源21を備えている。 The exposure apparatus shown in FIG. 2, for example, includes a light source 21 such as an ArF excimer laser or F 2 laser. 光源21から供給された光束は、送光系22を経由して、照明光学系23に導かれる。 The light beam supplied from a light source 21, via a light transmitting system 22 is guided to the illumination optical system 23. 照明光学系23 The illumination optical system 23
は、図示した折り曲げミラー23aおよび23bや不図示のオプティカルインテグレータ(照度均一化素子)等からなり、レチクル(マスク)33をほぼ均一な照度で照明する。 Consists mirrors 23a and 23b and not shown optical integrator bent illustrated (illumination equalizing element) or the like, illuminates the reticle (mask) 33 with a substantially uniform illuminance. レチクル33は、たとえば真空吸着によりレチクルホルダー24に保持され、レチクルステージ25 The reticle 33 is held by a reticle holder 24, for example, by vacuum suction, the reticle stage 25
の作用によって移動可能に構成されている。 And it is movable by the action. 【0020】レチクル33を透過した光束は、投影光学系31を介して集光され、半導体ウエハ32のような感光性基板上に、レチクル33上のパターンの投影像を形成する。 [0020] The light beam which has passed through the reticle 33 is condensed through the projection optical system 31, on a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer 32 to form the projected image of the pattern on the reticle 33. ウエハ32も、たとえば真空吸着によりウエハホルダー27に保持され、ウエハステージ28の作用によって移動可能に構成されている。 Wafer 32, for example, held by the wafer holder 27 by vacuum suction, is configured to be movable by the action of the wafer stage 28. こうして、ウエハ3 In this way, the wafer 3
2をステップ移動させつつ一括露光を行うことにより、 By performing batch exposure 2 while moving step,
ウエハ32の各露光領域にレチクル33のパターン投影像を順次転写することができる。 A pattern projected image of the reticle 33 in the exposure area of ​​the wafer 32 can be sequentially transferred. 【0021】また、投影光学系31に対してレチクル3 [0021] In addition, the reticle 3 with respect to the projection optical system 31
3およびウエハ32を相対移動させつつ走査露光(スキャン露光)を行うことにより、ウエハ32の各露光領域にレチクル33のパターン投影像を順次転写することも可能である。 By performing 3 and scanning exposure of the wafer 32 while relatively moving the (scanning exposure), it is possible to sequentially transfer the pattern projected image of the reticle 33 in the exposure area of ​​the wafer 32. なお、実際の電子デバイスへの回路パターンの露光に際しては、前の工程で形成されたパターンの上に次の工程のパターンを正確に位置合わせして露光する必要があるので、露光装置にはウエハ32上の位置検出マークの位置を正確に検出するためのアライメント顕微鏡30が搭載されている。 Note that when the exposure of the circuit pattern of the actual electronic device, since the pattern of the next step on the previous pattern formed in step accurately aligned with it is necessary to expose, in the exposure apparatus wafer alignment microscope 30 for accurately detecting the position of the position detection mark on 32 is mounted. 【0022】光源21としてF 2レーザーやArFエキシマレーザー(あるいは波長126nmのAr 2レーザーなど)を用いる場合、送光系22、照明光学系23および投影光学系31の光路が、たとえば窒素やヘリウムのような不活性ガスでパージされている。 [0022] When using a F 2 laser or ArF excimer laser as the light source 21 (or such Ar 2 laser having a wavelength of 126 nm), light transmitting system 22, the optical path of the illumination optical system 23 and the projection optical system 31, for example nitrogen or helium It is purged with an inert gas such as. 特に、F 2レーザーを用いる場合には、レチクル33、レチクルホルダー24およびレチクルステージ25がケーシング26 Particularly, in the case of using the F 2 laser, a reticle 33, the reticle holder 24 and the reticle stage 25 is a casing 26
によって外部の雰囲気と隔離され、このケーシング26 It is isolated from the outside atmosphere by, the casing 26
の内部空間も不活性ガスでパージされている。 Also the internal space of which is purged with an inert gas. 【0023】同様に、ウエハ32、ウエハホルダー27 [0023] Similarly, the wafer 32, the wafer holder 27
およびウエハステージ28がケーシング29によって外部の雰囲気と隔離され、このケーシング29の内部空間も不活性ガスでパージされている。 And the wafer stage 28 is isolated from the outside atmosphere by the casing 29, the interior space of the casing 29 has also been purged with an inert gas. なお、送光系22の光路中に配置されている光学部品35については後述する。 It will be described later optical component 35 disposed in the optical path of the light transmitting system 22. また、光源21としてF 2レーザーを用いている場合を想定し、図1を参照して検査装置の構成および動作を説明する。 Further, assuming a case of using F 2 laser as the light source 21, the configuration and operation of the inspection apparatus with reference to FIG. 【0024】図1に示す検査装置は、固体レーザーと高調波発生用結晶(またはファイバー等)とからなる光源1を備えている。 The inspection apparatus shown in FIG 1 comprises a light source 1 consisting of a solid-state laser and the harmonic generation crystals (or fiber, etc.). 光源1からは、F 2レーザーの波長である157nmにほぼ等しい波長を有する光束が射出される。 From the light source 1, the light beam having a wavelength approximately equal to 157nm which is the wavelength of F 2 laser is injected. なお、光源1として、露光装置で用いられるF 2 As the light source 1, used in an exposure apparatus F 2
レーザー光源を用いてもよい。 It may be a laser light source. 光源1から射出された光束は、ミラー2によって偏向され、ビームエキスパンダーを構成するレンズ3,4,5,6によって拡大され、 The light beam emitted from the light source 1 is deflected by the mirror 2, is magnified by a lens 3, 4, 5, 6 constituting a beam expander,
平行光束となって、偏光ビームスプリッター7に入射する。 Become a parallel light flux, incident on the polarization beam splitter 7. 偏光ビームスプリッター7に入射する光束は、図1 The light beam enters the polarization beam splitter 7, FIG. 1
の紙面に平行な面に沿って偏光面を有する直線偏光である。 That is linearly polarized light with a polarization plane of along a plane parallel to the paper surface. 【0025】したがって、偏光ビームスプリッター7に入射した光束は、その偏光分離面を透過し、1/4波長板8に入射する。 [0025] Thus, a light beam incident on the polarization beam splitter 7 is transmitted through the polarization separation surface, is incident on the 1/4 wavelength plate 8. 1/4波長板8の作用によって直線偏光から円偏光に変換された光束は、集光レンズを構成するレンズ9,10,11,12を介して、図中破線で示す仮想物体面13上に集光点13Cを形成する。 The light beam is converted from linearly polarized light into circularly polarized light by the quarter-wave plate 8, through a lens 9, 10, 11, 12 constituting the condenser lens, on the virtual object plane 13 indicated by a broken line in FIG to form a focal point 13C. なお、 It should be noted that,
レンズ12の仮想物体面13側の面すなわち参照面12 Virtual object surface 13 side surface or reference surface of the lens 12 12
aは、ハーフミラーとなっており、所定のエネルギー割合で入射光束を反射する。 a is a half mirror, reflects the incident light beam at a predetermined energy ratio. また、参照面12aの曲率中心は、集光点13Cと一致している。 Further, the center of curvature of the reference surface 12a is coincident with the focal point 13C. 【0026】こうして、参照面12aへの光束の入射角は常に0度となるので、参照面12aで反射された光束は、集光レンズ(12,11,10,9)中を入射光束と同じ光路を辿りながら進み、平行光束に変換された後に、1/4波長板8に入射する。 [0026] Thus, since the incident angle of the light beam to the reference surface 12a always becomes 0 °, the light beam reflected by the reference surface 12a is a condenser lens (12,11,10,9) the same as the incident light beam a medium proceeds by following the optical path, after being converted into a parallel light beam, incident on the 1/4 wavelength plate 8. 一方、仮想物体面13 On the other hand, the virtual object plane 13
を通過した光束は、検査すべき光学系、たとえば投影光学系14(図2では参照符号31で示す)に入射し、投影光学系14の結像作用によって、図中破線で示す仮想像面15上に集光点15Cを形成する。 The light beam that has passed through the optical system to be examined, for example, enters the projection optical system 14 (indicated by reference numeral 31 in FIG. 2), the image forming operation for the projection optical system 14, virtual image plane 15 indicated by a broken line in FIG to form a focal point 15C above. 集光点15Cを介して発散した光束は、集光点15Cを曲率中心とする球面状の反射面を有する凹面反射鏡16に入射する。 The light beam divergence through the focal point 15C is incident on the concave reflection mirror 16 having a spherical reflecting surface to the center of curvature of the focal point 15C. 【0027】凹面反射鏡16で反射された光束は、集光点15Cに集光した後、投影光学系14を介して、仮想物体面13上の集光点13Cに集光する。 The light beam reflected by the concave reflecting mirror 16, after collected at the focal point 15C, via the projection optical system 14 is focused on the imaginary object plane 13 Ueno condensing point 13C. 集光点13C The focal point 13C
を介した光束は、集光レンズ(12,11,10,9) The light beam through the condenser lens (12,11,10,9)
によって平行光束に変換された後に、1/4波長板8に入射する。 After being converted into a parallel beam by entering the 1/4 wavelength plate 8. このように、参照面12aで反射された参照光と投影光学系14を往復した被検光とが、1/4波長板8に戻ることになる。 Thus, the reference light reflected by the reference surface 12a and the test light to travel back and forth in the projection optical system 14, will return to 1/4 wavelength plate 8. ここで、1/4波長板8に入射する参照光および被検光はともに円偏光であるが、1/ Here, the reference beam and the test light that is incident on the 1/4 wavelength plate 8 are both circularly polarized light, 1 /
4波長板8から射出される参照光および被検光は、1/ Reference light and Hikenko emitted from the quarter-wave plate 8, 1 /
4波長板8の作用により図1の紙面に垂直な面に沿って偏光面を有する直線偏光に変換される。 Along a plane perpendicular to the plane of FIG. 1 is converted into linearly polarized light having a polarization plane by the action of the quarter-wave plate 8. 【0028】こうして、1/4波長板8を介した参照光および被検光は、偏光ビームスプリッター7で反射され、たとえばCCD等の撮像素子17に導かれる。 [0028] Thus, the reference light and Hikenko through the 1/4-wave plate 8, is reflected by the polarization beam splitter 7, for example, it is guided to the image pickup device 17 such as a CCD. そして、撮像素子17の撮像面には、参照光と被検光との干渉縞が形成される。 Then, on the imaging surface of the imaging device 17, the interference fringes of the reference light and the test light is formed. この干渉縞は参照光と被検光との位相情報の差によって生じるものであり、この位相情報の差は被検光が投影光学系14を往復してその波面収差による位相変化を受けたことに起因する。 The interference fringes are those caused by the difference of phase information of the reference light and the test light, the difference between the phase information is that test light is subjected to phase changes due to the wave front aberration by reciprocating a projection optical system 14 caused by. したがって、上述の干渉縞を計測し、その変形量を解析することにより、被検光学系としての投影光学系14の波面収差を求めることができる。 Thus, by measuring the interference pattern described above, by analyzing the amount of deformation, it is possible to determine the wavefront aberration of the projection optical system 14 as the optical system to be measured. 【0029】なお、F 2レーザーの波長である波長15 [0029] It should be noted that the wavelength 15 is the wavelength of the F 2 laser
7nmの様な短波長の紫外線が良好に透過し且つ良好な均一性を有する光学材料は、現状では蛍石に限定されている。 Optical material short wavelength ultraviolet such as 7nm have satisfactorily transmitted and good uniformity, is currently limited to fluorite. したがって、レンズ3,4,5,6、偏光ビームスプリッター7、1/4波長板8、レンズ9,10,1 Thus, the lens 3, 4, 5, 6, a polarization beam splitter 7,1 / 4 wavelength plate 8, a lens 9, 10
1,12を形成する光学材料には、蛍石を使用することになる。 The optical material forming the 1,12 would use fluorite. この場合、前述したように、蛍石には短波長の光束に対して複屈折性がある。 In this case, as described above, the fluorite is birefringent for the light flux of the short wavelength. ただし、蛍石結晶の結晶軸[100]の方向、および結晶軸[111]の方向に進む光については、複屈折性(直交する偏光面を有する2つの光束間の屈折率差)は生じない。 However, the light traveling in the direction of the crystal axis of the fluorite crystal [100], and the crystal axis [111], (refractive index difference between the two light beams having orthogonal polarization planes) birefringence does not occur . したがって、蛍石レンズの結晶軸[111]または[100]と光軸A Accordingly, the crystal axis of the fluorite lens [111] or [100] with the optical axis A
X(ひいては蛍石レンズの光軸)とが一致するように設定すれば、光軸AXと平行に進む結像光に対して複屈折は生じないことになる。 By setting as X (hence the optical axis of the fluorite lens) and match, will not occur birefringence with respect to imaging light traveling parallel to the optical axis AX. 【0030】実際には、レンズ3,4,5,6、およびレンズ9,10,11,12のいずれにおいても、その内部を透過する光束は開き角(NA)を有するため、わずかではあるが複屈折の影響を受けることになる。 In practice, the lens 3, 4, 5, 6, and in any of the lenses 10, 11, 12, because of its open angle light flux passing through the inside (NA), although slight some It will be affected by the birefringence. そこで、図3を参照して、蛍石のような立方晶系の結晶における結晶軸の名称などを説明する。 Referring now to FIG. 3, the name etc. of the crystal axis in the cubic crystal system crystal such as fluorite. 立方晶系とは、立方体の単位胞がその立方体の各辺の方向に周期的に配列した結晶構造である。 The cubic, a crystal structure unit cell of cube were periodically arranged in the direction of each side of the cube. 立方体の各辺は、相互に直交しており、これをXa軸,Ya軸,Za軸とする。 Each side of the cube are orthogonal to each other, which Xa axis, Ya axis, and Za axis. このとき、 At this time,
Xa軸の+方向が結晶軸[100]の方向であり、Ya Of Xa axis + direction is the direction of the crystal axis [100], Ya
軸の+方向が結晶軸[010]の方向であり、Za軸の+方向が結晶軸[001]の方向である。 A direction of + direction the crystal axis of the shaft [010], + direction of the Za axis is the direction of the crystal axis [001]. 【0031】より一般的には、上記の(Xa,Ya,Z [0031] More generally, the (Xa, Ya, Z
a)座標系において方位ベクトル(x1,y1,z1) a) orientation vector in the coordinate system (x1, y1, z1)
をとるとき、その向きが結晶軸[x1,y1,z1]の方向となる。 When taking, its direction is the direction of the crystal axis [x1, y1, z1]. たとえば、結晶軸[111]の向きは、方位ベクトル(1,1,1)の向きと一致する。 For example, the orientation of the crystal axis [111] is consistent with the direction of orientation vector (1,1,1). また、結晶軸[11−2]の向きは、方位ベクトル(1,1,− The direction of the crystal axis [11-2] is the orientation vector (1,1, -
2)の向きと一致する。 The orientation of the 2) to match. もちろん、立方晶系の結晶において、Xa軸とYa軸とZa軸とは、光学的にも機械的にも互いに全く等価であり、実際の結晶において何ら区別をつけることはできない。 Of course, in the crystal of cubic system, the Xa axis and Ya axis and Za axis, is exactly equivalent to each other optically and mechanically, it can not be given a no distinction in the actual crystals. また、結晶軸[011], In addition, the crystal axis [011],
[0−11],[110]等のように3個の数字の並びおよびその符号を変えた各結晶軸も、光学的にも機械的にも全く等価(同等)である。 [0-11], the crystal axes for changing the arrangement and its sign three digits as such [110] is also exactly equivalent to optically and mechanically (equivalent). 【0032】本発明では、相対的な結晶軸方位を厳密に定義する必要がある場合には、たとえば結晶軸[01 [0032] In the present invention, when it is necessary to strictly define the relative crystal axis orientation, for example the crystal axis [01
1]と光学的に等価な複数の結晶軸を、[011], 1] and optically equivalent plurality of crystal axes [011],
[0−11],[110]などのように、符号や配列位置を変えて表記(列記)する。 [0-11], such as [110], denoted by changing the code or sequence positions (listed). しかしながら、相対的な結晶軸方位を厳密に定義する必要がない場合には、結晶軸[011]の表記をもって、[011],[0−1 However, if it is not necessary to strictly define the relative crystal axis orientation may have a notation of the crystal axis [011], [011], [0-1
1],[110]の様な複数の光学的に等価な結晶軸を一括的に表わすものとする。 1], it is assumed that collectively represent a plurality of optically equivalent crystal axes such as [110]. これは、結晶軸[001] This crystal axis [001]
や[111]等のように結晶軸[011]以外の他の結晶軸についても同様である。 And [111] is the same for other crystal axes other than the crystal axis [011] as such. 【0033】これらの結晶軸方向のうち、結晶軸[10 [0033] Of these crystal-axis direction, the crystal axis [10
0](またはこれと光学的に等価な結晶軸)の方向、および結晶軸[111](またはこれと光学的に等価な結晶軸)の方向に進む光に対しては、上述の通り複屈折は生じない。 0] for the (or optically equivalent to the crystal axis) direction, and the light traveling in the direction of the crystal axis [111] (or optically equivalent to the crystal axis), as described above birefringence It does not occur. 一方、これらの結晶軸方位から離れた方向に進む光に対しては、複屈折が生じる。 On the other hand, for light traveling in a direction away from these crystal axis orientation, birefringence occurs. そして、複屈折量は、結晶軸[011](またはこれと光学的に等価な結晶軸)の方向に進行する光に対して最大となる。 The birefringence amount is maximized with respect to light traveling in the direction of the crystal axis [011] (or optically equivalent to the crystal axes). このとき、結晶軸[100]の方向に偏光方向(電場方向)を有する光の屈折率n100と、結晶軸[0−11]の方向に偏光方向を有する光の屈折率n011との差は、結晶が蛍石であれば、波長が193nmのArFレーザー光に対しては3.6×10 -7程度であり、波長が157 In this case, the difference between the refractive index n100 of light having the polarization direction (electric field direction) in the direction of the crystal axis [100], the refractive index n011 of light having a polarization direction in the direction of the crystal axis [0-11], if crystal fluorite is 3.6 × 10 -7 for the ArF laser light having a wavelength of 193 nm, the wavelength is 157
nmのF nm of F 2レーザー光に対しては6.5×10 -7程度である。 For 2 laser beam is about 6.5 × 10 -7. 【0034】図1の検査装置において、この複屈折の影響を実質的に回避するには、たとえば、レンズ3とレンズ4とをレンズペアとし、レンズ9と10とをレンズペアとする。 [0034] In the testing apparatus of FIG. 1, to substantially avoid the influence of the birefringence, for example, a lens 3 and lens 4 is a lens pair and the lens 9 and 10 and the pair of lenses. そして、これら4つのレンズにおいて結晶軸[111]を光軸AXに一致させるとともに、各レンズペアにおいて一方のレンズを他方のレンズに対して光軸AXを中心に60度相対回転させて配置する。 Then, the matching crystal axes in these four lenses [111] to the optical axis AX, is arranged one of the lens center to 60 degrees rotated relative to the optical axis AX relative to the other lenses in each lens pair. 同様に、 Similarly,
レンズ5とレンズ6とをレンズペアとし、レンズ11と12とをレンズペアとする。 The lens 5 and the lens 6 is a lens pair and the lens 11 and 12 and the pair of lenses. そして、これら4つのレンズにおいて結晶軸[100]を光軸AXに一致させるとともに、各レンズペアにおいて一方のレンズを他方のレンズに対して光軸AXを中心に45度相対回転させて配置する。 Then, the matching crystal axes in these four lenses [100] to the optical axis AX, is arranged one of the lens center 45 degrees rotated relative to the optical axis AX relative to the other lenses in each lens pair. このように、光軸と一致させる結晶軸の選定や、光軸を中心とした所定角度の回転の付与によって、 Thus, selection and the crystal axis to coincide with the optical axis, by the application of the rotation of a predetermined angle around the optical axis,
蛍石レンズの複屈折の悪影響を実質的に除去することが可能である。 It is possible to substantially eliminate the adverse effects of the birefringence of fluorite lens. 【0035】一方、偏光ビームスプリッター7にも、蛍石のような結晶材料を使用することになるので、この結晶材料の結晶軸の採り方によっては複屈折に起因する波面収差が発生してしまう。 On the other hand, even the polarization beam splitter 7, it means the use of crystalline materials such as fluorite, wavefront aberration occurs due to birefringence by way take the crystal axis of the crystal material . したがって、偏光ビームスプリッター7においても、複屈折の影響が実質的に生じないような結晶軸方向の選定が必要になる。 Therefore, also in the polarization beam splitter 7, it is necessary to influence the selection of the crystal axis direction as there is substantially no birefringence. 図4は、偏光ビームスプリッターにおける結晶軸の選定を説明する図である。 Figure 4 is a diagram for explaining the selection of the crystal axes in the polarizing beam splitter. 図4を参照すると、光源1(図4では不図示) Referring to FIG. 4, the light source 1 (not shown in FIG. 4)
からの光束は、図中上方から−Z方向に沿って偏光ビームスプリッター7に入射する。 Light beam from is incident on the polarization beam splitter 7 along the -Z direction from the upward in the drawing. このとき、偏光ビームスプリッター7への入射光束は、YZ平面に平行な偏光面を有する直線偏光である。 At this time, the light beam incident on the polarization beam splitter 7 is a linearly polarized light having a polarization plane parallel to the YZ plane. 【0036】なお、偏光ビームスプリッター7は、三角柱型の部材7aと部材7bとからなるキューブ型(直方体)のビームスプリッターである。 It should be noted, the polarization beam splitter 7 is a beam splitter cube type comprising a triangular prism-shaped member 7a and the member 7b (cuboid). そして、部材7aと部材7bとの接合面には、S偏光とP偏光とで反射特性および透過特性の異なる多層膜7cが形成されている。 Then, the bonding surface between the member 7a and the member 7b, different multilayer film 7c reflection and transmission properties in the S-polarized light and P-polarized light is formed.
図中上方から−Z方向に沿って部材7aに入射したP偏光(YZ平面に平行な偏光面を有する直線偏光)の光束は、多層膜7cを透過して部材7bに入射する。 Light beam drawing P polarized light incident on the member 7a along the -Z direction from the upper (linearly polarized light having a polarization plane parallel to the YZ plane) is incident on member 7b passes through the multilayer film 7c. そして、部材7bを透過し、図中下方へ−Z方向に沿って投影光学系14(図4では不図示)へ向かう。 Then, through the member 7b, directed along the -Z direction downwards in the figure to the projection optical system 14 (not shown in FIG. 4). 【0037】一方、投影光学系14からの戻り光(被検光)は、図中下方から+Z方向に沿って部材7bおよび多層膜7cに入射する。 On the other hand, the return light from the projection optical system 14 (test light) is incident on the member 7b and the multilayer film 7c along the + Z direction from the bottom in FIG. このとき、偏光ビームスプリッター7への入射光束は、XZ平面に平行な偏光面を有する直線偏光(S偏光)である。 At this time, the light beam incident on the polarization beam splitter 7 is a linearly polarized light having a parallel polarization plane to the XZ plane (S-polarized light). したがって、多層膜7c Therefore, the multilayer film 7c
に入射した被検光は、多層膜7cで+Y方向に反射され、撮像素子17(図4では不図示)へ導かれる。 Test light incident on is reflected in the + Y direction by the multilayer film 7c, it is guided to the image sensor 17 (not shown in FIG. 4). 【0038】以上のように、偏光ビームスプリッター7 [0038] As described above, the polarization beam splitter 7
では、光束は直交する2方向(すなわちZ方向およびY So, the light beam orthogonal two directions (i.e. Z-direction and Y
方向)に進行するため、この直交する2方向について複屈折が生じないような結晶軸を選ぶ必要がある。 To traveling direction), it is necessary for the two directions orthogonal choose crystal axis that does not cause birefringence. 複屈折の生じない結晶軸は、結晶軸[100]およびこれと光学的に等価な結晶軸([010],[001],[−1 Crystal axis causing no birefringence, crystal axes [100] and which optically equivalent to the crystal axis ([010], [001], [- 1
00],[0−10],[00−1])である。 00], [0-10], a [00-1]). したがって、本実施形態では、図4に示すように、偏光ビームスプリッター7において、光束の入射方向および光束の射出方向が結晶軸[100](またはこの結晶軸と光学的に等価な結晶軸)と一致するように設定することにより、結晶材料の複屈折の悪影響を実質的に回避することができる。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the polarizing beam splitter 7, the injection direction of the incident direction and the luminous flux of the light flux the crystal axis [100] (or a crystal axis optically equivalent to the crystal axis) and by setting it to match, it is possible to substantially avoid the adverse effects of the birefringence of the crystal material. 【0039】なお、図4に示す例では、偏光ビームスプリッター7を構成する部材7a中を通る光束は、Z方向に平行な入射光束のみである。 [0039] In the example shown in FIG. 4, the light beam passing through the in member 7a constituting the polarization beam splitter 7, only incident light beam parallel to the Z-direction. したがって、部材7aについては、光束の入射方向が結晶軸[111](またはこの結晶軸と光学的に等価な結晶軸)と一致するように設定しても、複屈折の影響を実質的に受けない偏光ビームスプリッターを構成することができる。 Thus, members 7a, be set so that the incident direction of the light beam coincides with the crystal axis [111] (or a crystal axis optically equivalent to the crystal axis), substantially under the influence of birefringence it can be constructed without polarization beam splitter. この場合、部材7aの入射側面が加工の容易な<111>面となるので、部材7aの加工や反射防止膜の形成の点で有利である。 In this case, since the entrance surface of the member 7a is easily <111> plane of the machining, is advantageous in forming processing and the anti-reflection film of the member 7a. また、本実施形態では、偏光ビームスプリッター7 Further, in this embodiment, the polarization beam splitter 7
に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、単なるビームスプリッターに本発明を適用することもできることは言うまでもない。 Although the present invention is applied to, without being limited thereto, of course it is also possible to apply the present invention to just the beam splitter. 【0040】次いで、蛍石のような立方晶系の結晶材料を使用した1/4波長板8について説明する。 [0040] Next, a description will be given quarter-wave plate 8 using the cubic crystal material such as fluorite. 図5は、 Fig. 5,
1/4波長板における結晶軸の選定を説明する図である。 Is a diagram illustrating the selection of the crystal axis in the quarter-wave plate. 図5(a)を参照すると、1/4波長板8では、光束の進行方向が結晶軸[011](またはこの結晶軸と光学的に等価な結晶軸)と一致するように設定されている。 Referring to FIG. 5 (a), the 1/4-wave plate 8, the traveling direction of the light beam is set to coincide with the crystal axis [011] (or a crystal axis optically equivalent to the crystal axis) . 偏光ビームスプリッター7側から1/4波長板8を見た図である図5(b)を参照すると、図5(b)の紙面において水平方向に沿って偏光方向PDを有する直線偏光が入射する。 With reference to FIG. 5 (b) from the polarization beam splitter 7 side is a view of the quarter-wave plate 8, the linearly polarized light is incident having a polarization direction PD along the horizontal direction in the plane shown in FIG. 5 (b) . 【0041】そこで、図5(b)に示すように、結晶軸[011]と直交する面内(すなわち図5(b)の紙面内)において、偏光方向PDに対してそれぞれ45度をなす方向に結晶軸[100],[0−11],[−10 [0041] Therefore, as shown in FIG. 5 (b), the crystal axis [011] perpendicular to the plane (i.e. in the plane of FIG. 5 (b)), a direction forming 45 degrees respectively with respect to the polarization direction PD crystal axis [100], [0-11], [- 10
0],[01−1]が一致するように、結晶材料の回転方位(光束の進行方向と一致させた結晶軸[011]を回転中心とした回転角)を設定する。 0], [as 01-1] match, setting the rotational orientation of the crystal material (rotation angle as the rotation around the crystallographic axis which is coincident with the traveling direction of the light beam [011]). この場合、偏光方向PDから両側に45度離れた方向に偏光面を有する2 In this case, 2 having a polarization plane in a direction 45 degrees apart on either side from the polarization direction PD
つの偏光の屈折率が異なることになり、このような結晶光学素子は波長板としての機能を有することになる。 One of the refractive index of polarized light will be different, such crystalline optical element will have a function as a wavelength plate. 【0042】上述のように、結晶軸[011]の方向に進む光について、結晶軸[100]の方向の偏光の屈折率と、結晶軸[0−11]の方向の偏光の屈折率との差は、結晶が蛍石の場合、波長157nmのF 2レーザー光に対して6.5×10 -7程度である。 [0042] As described above, the light traveling in the direction of the crystal axis [011], between the direction of polarization refractive index of the crystal axis [100], the direction of polarization refractive index of the crystal axis [0-11] difference, if crystals of fluorite, is 6.5 × 10 -7 against F 2 laser light having a wavelength of 157 nm. その結果、結晶中の1cmの光路長に対して、6.5nmの光路差が生じる。 As a result, the optical path length of 1cm in the crystal, the optical path difference of 6.5nm occurs. したがって、光束の進行方向に沿った結晶の長さが24cm(=157/6.5)程度であれば、この結晶は1波長板として機能することになる。 Therefore, the length of the crystal along the traveling direction of the light beam is equal 24cm (= 157 / 6.5) is about, the crystals will function as a wave plate. また、光束の進行方向に沿った結晶の長さがその1/2の12cm程度の長さであれば、1/2波長板として機能する。 The length of the crystal along the traveling direction of the light beam is equal from approximately the half of 12cm, function as 1/2-wavelength plate. さらに、光束の進行方向に沿った結晶の長さがその1/4の6cm程度の長さであれば、1/4波長板として機能する。 Further, the length of the crystal along the traveling direction of the light beam is equal from approximately 6cm of 1/4, function as 1/4-wave plate. 【0043】本実施形態の1/4波長板8は、この原理に基づくものであり、上述の結晶方位を有する蛍石の結晶を約6cmの長さに設定したものを1/4波長板8として使用している。 The quarter-wave plate 8 in this embodiment is based on this principle, a quarter wave plate 8 which is set to a length of about 6cm crystal fluorite which has a crystal orientation of above It is used as. 以上の構成を有する1/4波長板8 Quarter-wave plate 8 having the above configuration
の作用により、入射した直線偏光が円偏光に変換されて射出される。 By the action, the linearly polarized light incident is emitted is converted into circularly polarized light. 1/4波長板8を介して形成された円偏光は、投影光学系14を透過した後に凹面反射鏡16で反射され、この反射により逆回りの円偏光になって1/4 Circularly polarized light formed through the quarter-wave plate 8, is reflected by the concave mirror 16 after passing through the projection optical system 14, is reversed circularly polarized light by the reflection 1/4
波長板8に入射する。 It enters the wave plate 8. このとき、この逆回りの円偏光は、図5(b)の紙面において偏光方向PDと直交する方向に偏光方向を有する直線偏光に変換され、偏光ビームスプリッター7に向かって射出される。 In this case, circularly polarized light of the opposite direction is converted to linearly polarized light with the polarization direction along a direction perpendicular to the polarization direction PD in the plane of FIG. 5 (b), is emitted towards the polarizing beam splitter 7. 【0044】なお、1/4波長板8の断面形状は、図5 [0044] The cross-sectional shape of the 1/4 wavelength plate 8, FIG. 5
(b)に示す形態に限定されることなく、その外形および結晶方位の回転関係が図5(b)から45度回転した形態、すなわち図5(c)に示す形態であっても良いことは言うまでもない。 Without being limited to the embodiment shown in (b), forms the rotational relationship of the outer shape and crystal orientation is rotated 45 degrees from FIG. 5 (b), i.e. FIG 5 (c) to be in the form shown it is needless to say. また、図1に示した検査装置では、構成要素として1/4波長板が必要であるため、光束の進行方向に沿った結晶の長さが約6cmの蛍石を使用しているが、これに限定されることなく、構成要素として1/2波長板が必要な場合には光束の進行方向に沿った結晶の長さが約12cmの蛍石を使用すれば良い。 Further, in the inspection apparatus shown in FIG. 1, due to the need for the quarter-wave plate as a component, the length of the crystal along the traveling direction of the light beam is using fluorite about 6 cm, which without being limited to the length of the crystal along the traveling direction of the light beam when the half-wave plate as a component is required may be used fluorite about 12cm. 【0045】なお、上述のような波長板は、投影露光装置においても重要な構成要素である。 [0045] The wavelength plate as described above, an important component also in a projection exposure apparatus. 投影露光装置では、転写する回路パターンのパターン線幅の均一性を確保するために、極めて均一な照度でレチクル(マスク) In the projection exposure apparatus, in order to ensure the uniformity of pattern line width of a circuit pattern to be transferred, a reticle in a very uniform illumination (mask)
を照明する照明光学系が必要である。 It is necessary illumination optical system for illuminating the. しかしながら、光源としてレーザーを用いる場合、その高い干渉性のためにマスク面上に生じる干渉縞によって照度の均一性が悪化してしまう。 However, when using a laser as a light source, the uniformity of the illuminance is deteriorated by the interference fringes produced on the mask surface due to its high interference resistance. これを解消するには、照明光学系中に波長板を設けて光源からの光束の偏光状態を制御し、レチクル上で干渉縞が形成されにくくするのが好ましい。 To solve this, it controls the polarization state of the light beam from the light source by providing a wave plate in the illumination optical system, preferably to aggravate the interference fringes formed on the reticle. 【0046】具体的には、図2に示すような投影露光装置の送光系22の光路中に、立方晶系に属する結晶材料からなる光学部材(結晶光学部品)35として、たとえば図5に示すような1/4波長板を設けることが好ましい。 [0046] Specifically, in the optical path of the optical system 22 feeding of the projection exposure apparatus as shown in FIG. 2, as an optical member (crystal optics) 35 made of a crystalline material belonging to a cubic system, for example, in FIG. 5 it is preferable to provide a quarter-wave plate as shown. この構成により、レーザー光源21から射出された直線偏光が、1/4波長板35を介して円偏光に変換される。 With this configuration, linearly polarized light is emitted from the laser light source 21 is converted into circularly polarized light through a 1/4-wave plate 35. その結果、照明光束の干渉性を低減することができ、ひいてはレチクル33上の干渉縞を低減することができる。 As a result, it is possible to reduce interference of the illumination light flux, it is possible to reduce the interference fringes on the thus reticle 33. 【0047】図6は、投影露光装置の送光系の光路中に付設される結晶光学部品の変形例を示す図である。 [0047] Figure 6 is a diagram showing a modification of the crystalline optical components attached to the optical path of the light transmission system of the projection exposure apparatus. 図6 Figure 6
を参照すると、光学部材35は、立方晶系に属する結晶からなる部材35aと35bとから構成されている。 Referring to the optical member 35, and a member 35a and 35b consisting of crystals belonging to the cubic system. ここで、光源側(図6(a)中下側)に配置された部材3 Here, the light source side (FIGS. 6 (a) lower middle) member disposed 3
5aでは、図5に示す1/4波長板と同様に、光束の進行方向と結晶軸[011]とが一致している。 In 5a, similarly to the quarter-wave plate shown in FIG. 5, the traveling direction and the crystal axis of the light beam [011] and are consistent. そして、 And,
部材35aを光源側から見た図である図6(b)に示すように、入射光束の偏光方向IPに対してそれぞれ45 As shown in FIG. 6 (b) is a view of the member 35a from the light source side, respectively to the polarization direction IP of the incident light beam 45
度回転した方向に、結晶軸[100],[0−11], In a direction degree rotation, the crystal axis [100], [0-11],
[−100],[01−1]が一致するように、結晶材料の回転方位(光束の進行方向と一致させた結晶軸[0 [100], as [01-1] matches the rotational orientation (crystal axis to match the traveling direction of the light beam of the crystal material [0
11]を回転中心とした回転角)が設定されている。 11] rotation angle as the rotation center) is set to. 【0048】したがって、部材35aは波長板として作用するが、その光束の進行方向に沿った長さが図6 [0048] Thus, although member 35a acts as a wavelength plate, the length along the traveling direction of the light flux 6
(a)に示すように図中の左右で異なっているため、照明光束は左右で異なる偏光状態となって部材35aから射出され、部材35bに入射する。 Since the different left and right in the figure (a), the illumination light beam emitted from the member 35a becomes different polarization states in the left and right, is incident on the member 35b. ここで、部材35b Here, member 35b
では、光束の進行方向と結晶軸[111]とが一致しているので、複屈折作用が無い。 In so proceeding direction and the crystal axis of the light beam [111] and are consistent, no birefringence effects. このため、部材35aを射出した光束の偏光状態が保たれたまま、部材35bから射出される。 Therefore, while the polarization state of the light beam emerging from the member 35a is maintained, and it is emitted from the member 35b. 部材35bからの射出光束は、照明光学系23を経てレチクル33を照明するが、この照明光束には様々な偏光状態が混在しているため、レチクル33 The light rays emitted from the member 35b, but via the illumination optical system 23 illuminates the reticle 33, for various polarization states are mixed in the illumination light beam, the reticle 33
上の干渉縞の生成を十分に小さく抑えることが可能になる。 The generation of interference fringes on it is possible to sufficiently reduce. 【0049】この場合、部材35bは、必ずしも必要ではない。 [0049] In this case, the member 35b is not necessarily required. しかしながら、部材35bが無いと、照明光束が部材35aの射出端面で大きく屈折してしまうため、 However, if there is no member 35b, since the illuminating light beam will be refracted greatly exit end surface of the member 35a,
この屈折を抑えるために部材35bを設けた方が良い。 It is better to provide a member 35b in order to suppress the refraction.
また、光源側の部材35aにおいて光束の進行方向と結晶軸[111]とを一致させ、部材35bにおいて光束の進行方向と結晶軸[011]とを一致させる構成としても、同様な波長板を形成することができることは言うまでもない。 Also, the traveling direction and the crystal axis of the light beam in the light source side of the member 35a [111] and to match the, it is configured to match the traveling direction of the light flux the crystal axis [011] and the member 35b, forming a similar wave plate it goes without saying that it is possible to. また、複屈折を生じさせない側の部材では、結晶軸[111]ではなく結晶軸[100]を光束の進行方向に一致させても良い。 Further, in the side of the member which does not cause birefringence, crystal axes [111] instead of the crystal axis [100] may be matched with the traveling direction of the light flux. 【0050】なお、上述の実施形態では、複屈折性の光学材料としてフッ化カルシウム結晶(蛍石)を用いているが、これに限定されることなく、他の一軸性結晶、たとえばフッ化バリウム結晶(BaF 2 )、フッ化リチウム結晶(LiF)、フッ化ナトリウム結晶(NaF)、 [0050] In the above embodiment, it is used a calcium fluoride crystal (fluorite) as a birefringent optical material, without being limited thereto, other uniaxial crystal, such as barium fluoride crystals (BaF 2), lithium fluoride crystals (LiF), sodium fluoride crystals (NaF),
フッ化ストロンチウム結晶(SrF 2 )、フッ化ベリリウム結晶(BeF 2 )など、紫外線に対して透明な他の結晶材料を用いることもできる。 Strontium fluoride crystals (SrF 2), such as beryllium fluoride crystals (BeF 2), it is also possible to use a transparent other crystalline materials to ultraviolet light. このうち、フッ化バリウム結晶は、すでに直径200mmを越す大型の結晶材料も開発されており、レンズ材料として有望である。 Of these, barium fluoride crystal, even large-sized crystalline material already Kosu diameter 200mm have been developed and are promising as a lens material. この場合、フッ化バリウム(BaF 2 )などの結晶軸方位も本発明に従って決定されることが好ましい。 In this case, preferably it is determined according to the crystal axis orientation also present invention, such as barium fluoride (BaF 2). 【0051】上述の各実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル(マスク)を照明し(照明工程)、 [0051] In the exposure apparatus of each embodiment described above, it illuminates the reticle (mask) by the illumination apparatus (illumination step),
投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。 A pattern for transfer formed on the mask using a projection optical system to expose the photosensitive substrate by (exposure step), to manufacture microdevices (semiconductor devices, imaging devices, liquid crystal display devices, thin-film magnetic heads, etc.) be able to. 以下、各実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図7のフローチャートを参照して説明する。 Hereinafter, by forming a predetermined circuit pattern on a wafer or the like as a photosensitive substrate using the exposure apparatus of each embodiment, with reference to the flowchart of FIG. 7 per example of a technique for obtaining a semiconductor device as a microdevice It described Te. 【0052】先ず、図7のステップ301において、1 [0052] First, in step 301 of FIG. 7, 1
ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。 Metal film is deposited on a lot of wafers. 次のステップ302において、そのlロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。 In the next step 302, photoresist is applied onto the metal film on the wafer of the l lot. その後、ステップ303 Then, step 303
において、各実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。 In using the exposure apparatus of each embodiment, the image of the pattern on the mask through the projection optical system, are sequentially exposed and transferred to each shot area on the wafer in the lot. その後、ステップ304において、その1ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ30 Thereafter, in step 304, after development of the photoresist on the wafer in the lot is performed, step 30
5において、その1ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。 In 5, by etching the resist pattern on the wafer in the lot as a mask, a circuit pattern corresponding to the pattern on the mask is formed in each shot area on each wafer. 【0053】その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。 [0053] Thereafter, by further performing the formation of circuit patterns in upper layers, devices such as semiconductor devices are manufactured. 上述の半導体デバイス製造方法によれば、 According to the semiconductor device manufacturing method described above,
極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。 It is possible to obtain semiconductor devices with extremely fine circuit patterns at high throughput. なお、ステップ30 In addition, step 30
1〜ステップ305では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。 At 1 step 305, metal is deposited on the wafer, a resist is applied on the metal film, and exposure, development, are performed the steps of etching, prior to these steps, the silicon on the wafer after forming the oxide film, applying a resist onto the oxide film of the silicon, and exposure, development, may of course be carried out each step of etching. 【0054】また、各実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、 [0054] Further, the exposure apparatus of each embodiment, the plate (glass substrate) a predetermined pattern on (the circuit pattern,
電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。 By forming an electrode pattern, etc.), it is also possible to obtain a liquid crystal display device as a microdevice. 以下、図8のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。 Hereinafter, with reference to the flowchart of FIG. 8, it will be described an example of a method in this case. 図8において、パターン形成工程401では、各実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。 8, in the pattern forming step 401, using the exposure apparatus of the embodiment will be transferred and exposed onto a photosensitive substrate a pattern of a mask (a resist glass substrate coated), Tokoroiko lithography process is performed. この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。 This photolithography process, on the photosensitive substrate a predetermined pattern including a number of electrodes and others are formed. その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程402へ移行する。 Thereafter, the exposed substrate is developed process, an etching process, by the respective steps such as the reticle stripping step, a predetermined pattern is formed on the substrate, followed by the next color filter forming step 402. 【0055】次に、カラーフィルター形成工程402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3 Next, in the color filter forming step 402, R (Red), 3 corresponding to G (Green), B (Blue)
つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、 One of or a set of dots are arrayed in a matrix,
またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。 Or forms R, G, color filters or arrayed three stripes of the filter set into a plurality of lines along the horizontal scan line direction B. そして、カラーフィルター形成工程4 The color filter forming step 4
02の後に、セル組み立て工程403が実行される。 After 02, the cell assembling step 403 is executed. セル組み立て工程403では、パターン形成工程401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。 In the cell assembly step 403 is to assemble a liquid crystal panel (liquid crystal cell), using the patterned substrate with the predetermined pattern obtained in step 401, and the color filter forming the color filter obtained in the 402. セル組み立て工程403では、例えば、パターン形成工程4 In the cell assembly step 403, for example, pattern forming step 4
01にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程402にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。 Between the color filter obtained in the substrate and the color filter forming step 402 with the predetermined pattern obtained in 01 by injecting liquid crystal to produce a liquid crystal panel (liquid crystal cell). 【0056】その後、モジュール組み立て工程404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。 [0056] subsequent module assembly step 404, an electric circuit for display operation of the assembled liquid crystal panel (liquid crystal cell), by attaching the respective components such as a backlight to complete the liquid-crystal display device. 上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。 According to the manufacturing method of the liquid crystal display device described above, it is possible to obtain a liquid crystal display device with extremely fine circuit patterns at high throughput. 【0057】また、上述の実施形態では、193nmの波長光を供給するArFエキシマ [0057] In the aforementioned embodiment, ArF excimer supplying wavelength light 193nm レーザー光源や157 Laser light source and 157
nmの波長光を供給するF 2レーザー光源を用いているが、これに限定されることなく、たとえば126nmの波長光を供給するAr While nm wavelength light is used F 2 laser light source which supplies, without being limited thereto, for example, supplies a wavelength of 126 nm Ar レーザー光源などを用いることもできる。 It can also be used such as a laser light source. 【0058】 【発明の効果】以上説明したように、本発明では、たとえば蛍石のような複屈折性の結晶材料を用いても、複屈折の影響を実質的に受けることなく良好な光学性能を有するビームスプリッターおよび波長板を実現することができる。 [0058] As described in the foregoing, in the present invention, for example be used birefringent crystal material such as fluorite, good optical performance without substantially receiving that the influence of birefringence it is possible to realize a beam splitter and a wavelength plate having. また、本発明では、複屈折の影響を実質的に受けることなく良好な光学性能を有するビームスプリッターや波長板のような結晶光学部品を備えた光学装置を得ることができる。 In the present invention, it is possible to obtain an optical device having a crystal optical components such as beam splitter and the wavelength plate with good optical performance without substantially affected by birefringence. この光学装置として、たとえば露光装置に搭載される投影光学系の波面収差を計測するための高精度な検査装置や、レチクル上の干渉縞の生成を十分に小さく抑えることのできる露光装置などを実現することができる。 As the optical device, for example, highly accurate and testing apparatus for measuring a wavefront aberration of a projection optical system mounted on the exposure apparatus, realizing an exposure apparatus capable of sufficiently reduced generation of interference fringes on the reticle can do.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施形態にかかる結晶光学部品を備えた検査装置の構成を概略的に示す図である。 It is a diagram schematically showing the configuration of a testing apparatus having such a crystal optics to embodiments of the drawings: Figure 1 of the present invention. 【図2】図1の被検光学系としての投影光学系を備えた露光装置の構成を概略的に示す図である。 2 is a diagram schematically showing the configuration of an exposure apparatus with a projection optical system as the optical system to be measured in FIG. 【図3】蛍石のような立方晶系の結晶における結晶軸の名称などを説明する図である。 3 is a diagram illustrating a name etc. of the crystal axis in the cubic crystal system crystal such as fluorite. 【図4】偏光ビームスプリッターにおける結晶軸の選定を説明する図である。 4 is a diagram for explaining the selection of the crystal axes in the polarizing beam splitter. 【図5】1/4波長板における結晶軸の選定を説明する図である。 5 is a diagram for explaining the selection of the crystal axis in the quarter-wave plate. 【図6】投影露光装置の送光系の光路中に付設される結晶光学部品の変形例を示す図である。 6 is a diagram showing a modification of the crystalline optical components attached to the optical path of the light transmission system of the projection exposure apparatus. 【図7】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。 7 is a flowchart of a method for obtaining a semiconductor device as a microdevice. 【図8】マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。 8 is a flowchart of a method for obtaining a liquid crystal display element as a microdevice. 【符号の説明】 1 光源2 ミラー3,4,5,6 ビームエキスパンダーを構成するレンズ7 偏光ビームスプリッター8 1/4波長板9,10,11,12 集光レンズを構成するレンズ12a 参照面13 仮想物体面14,31 投影光学系15 仮想像面16 凹面反射鏡17 撮像素子21 光源22 送光系23 照明光学系25 レチクルステージ28 ウエハステージ26,29 ケーシング30 アライメント顕微鏡32 ウエハ33 レチクル [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 light source 2 mirror 3,4,5,6 lens 12a reference surface 13 of the lens 7 the polarization beam splitter 8 quarter-wave plate 9, 10, 11, 12 condenser lens constituting the beam expander virtual object plane 14, 31 the projection optical system 15 virtual image plane 16 concave reflector 17 imaging device 21 light source 22 light transmitting system 23 illuminating optical system 25 reticle stage 28 the wafer stage 26 and 29 casing 30 alignment microscopes 32 wafer 33 reticle

フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/20 521 G03F 7/20 521 H01L 21/027 H01L 21/30 515D Fターム(参考) 2H042 CA06 CA14 CA18 2H049 BA05 BA06 BA07 BA42 BB03 BB61 BC21 2H097 CA06 CA13 GB01 LA10 LA12 2H099 AA00 BA17 CA02 CA05 CA07 DA00 5F046 CB10 CB15 Of the front page Continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (Reference) G03F 7/20 521 G03F 7/20 521 H01L 21/027 H01L 21/30 515D F -term (reference) 2H042 CA06 CA14 CA18 2H049 BA05 BA06 BA07 BA42 BB03 BB61 BC21 2H097 CA06 CA13 GB01 LA10 LA12 2H099 AA00 BA17 CA02 CA05 CA07 DA00 5F046 CB10 CB15

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 立方晶系に属する結晶で形成されたビームスプリッターにおいて、 前記ビームスプリッターへの光束の入射方向および前記ビームスプリッターからの光束の射出方向が、前記結晶の結晶軸[100]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とするビームスプリッター。 All Claims 1. A beam splitter formed of a cubic belonging crystal injection direction of the light beam from the incident direction and the beam splitter of the light beam to the beam splitter, the crystal of the crystalline beam splitter, characterized in that the axial [100] or the crystal axis optically equivalent to the crystal axis is set to be substantially coincident. 【請求項2】 立方晶系に属する結晶で形成されたビームスプリッターにおいて、 前記ビームスプリッターは、三角柱状の一対のプリズム部材を有し、 一方のプリズム部材では、通過する光束の進行方向が前記結晶の結晶軸[100]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定され、 他方のプリズム部材では、通過する光束の進行方向が前記結晶の結晶軸[111]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とするビームスプリッター。 2. A beam splitter formed of a cubic belonging crystal, the beam splitter has a triangular prism-shaped pair of prism member, the one prism member, the traveling direction of the light beam passing through the crystal is set between the crystal axis [100] or the crystal axis optically equivalent to the crystal axis so as to substantially coincide with the other prism member, the crystal axes of the traveling direction the crystal of the light beam passing through [111] or the beam splitter, characterized in that it is set to substantially coincide with the crystal axis and optically equivalent to the crystal axes. 【請求項3】 前記ビームスプリッターは、偏光ビームスプリッターであることを特徴とする請求項1または2 Wherein the beam splitter, according to claim 1 or 2, characterized in that a polarization beam splitter
    に記載のビームスプリッター。 Beam splitter according to. 【請求項4】 前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のビームスプリッター。 Wherein said crystal beam splitter according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a calcium fluoride crystal or barium fluoride crystal. 【請求項5】 立方晶系に属する結晶で形成された波長板において、 前記波長板を通過する光束の進行方向が、前記結晶の結晶軸[110]または該結晶軸と光学的に等価な結晶軸とほぼ一致するように設定されていることを特徴とする波長板。 5. A cubic wavelength plate formed of a crystal belonging to the system, the traveling direction of the light beam passing through the wave plate, the crystal axis of the crystal [110] or the crystal axis and optically equivalent crystal wave plate, characterized in that it is set to substantially coincide with the axis. 【請求項6】 前記光束の進行方向に沿って約6cmの厚さを有し、 約157nmの波長を有する光束に対して1/4波長板として機能することを特徴とする請求項5に記載の波長板。 6. have a thickness of about 6cm along the traveling direction of the light beam, according to claim 5, characterized in that the function as a quarter-wave plate for the light flux having a wavelength of about 157nm wave plate. 【請求項7】 前記光束の進行方向に沿って約12cm 7. about 12cm along the traveling direction of the light beam
    の厚さを有し、 約157nmの波長を有する光束に対して1/2波長板として機能することを特徴とする請求項5に記載の波長板。 Has a thickness of the wavelength plate according to claim 5, characterized in that the function as a half-wave plate for the light flux having a wavelength of about 157 nm. 【請求項8】 前記光束の進行方向にほぼ垂直な入射面と、前記光束の進行方向に垂直な面に対して実質的に傾いた射出面とを有することを特徴とする請求項5に記載の波長板。 8. A substantially perpendicular incidence plane to the traveling direction of the light beam, according to claim 5, characterized in that it comprises a substantially inclined exit surface with respect to a plane perpendicular to the traveling direction of the light beam wave plate. 【請求項9】 前記結晶はフッ化カルシウム結晶またはフッ化バリウム結晶であることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の波長板。 Wherein said crystal wave plate according to any one of claims 5 to 8, characterized in that a calcium fluoride crystal or barium fluoride crystal. 【請求項10】 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のビームスプリッターおよび請求項5乃至9のいずれか1項に記載の波長板のうちの少なくとも一方の結晶光学部品を備えていることを特徴とする光学装置。 10. that it comprises at least one crystalline optical component of the wavelength plate according to the beam splitter and any one of claims 5 to 9 according to any one of claims 1 to 4 optical device according to claim. 【請求項11】 照明光の光路中に請求項5乃至9のいずれか1項に記載の波長板が配置されていることを特徴とする照明光学系。 11. The illumination optical system, wherein a wavelength plate is arranged according to any one of claims 5 to 9 in the optical path of the illumination light. 【請求項12】 マスクを照明するための請求項11に記載の照明光学系と、 前記マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。 12. that includes an illumination optical system according to claim 11 for illuminating the mask, a projection optical system for forming on a photosensitive substrate an image of a pattern formed on the mask exposure apparatus according to claim. 【請求項13】 マスクに形成されたパターンの像を感光性基板上に形成するための投影光学系を検査する検査装置において、 前記投影光学系に検査光を照射する照射光学系を備え、 前記照射光学系は、請求項10に記載の光学装置を備えていることを特徴とする検査装置。 In the inspection apparatus for inspecting the projection optical system 13. To form an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, comprising an irradiation optical system for irradiating an inspection light to the projection optical system, wherein irradiation optical system, the inspection device characterized in that it comprises an optical device according to claim 10.
JP2001230515A 2001-07-30 2001-07-30 Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts Pending JP2003043223A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001230515A JP2003043223A (en) 2001-07-30 2001-07-30 Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001230515A JP2003043223A (en) 2001-07-30 2001-07-30 Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003043223A true true JP2003043223A (en) 2003-02-13

Family

ID=19062713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001230515A Pending JP2003043223A (en) 2001-07-30 2001-07-30 Beam splitter and wave plate made of crystal material, and optical device, exposure device and inspection device equipped with the crystal optical parts

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003043223A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005010963A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-03 Nikon Corporation Illuminating optical system, exposure system and exposure method
JP2007059566A (en) * 2005-08-24 2007-03-08 Canon Inc Aligner and method of manufacturing device
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
WO2005010963A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-03 Nikon Corporation Illuminating optical system, exposure system and exposure method
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2007059566A (en) * 2005-08-24 2007-03-08 Canon Inc Aligner and method of manufacturing device
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5241423A (en) High resolution reduction catadioptric relay lens
US6943941B2 (en) Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6965484B2 (en) Optical imaging systems and methods using polarized illumination and coordinated pupil filter
US20090073441A1 (en) Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US7442908B2 (en) Method for optically detecting deviations of an image plane of an imaging system from the surface of a substrate
US20050264885A1 (en) Apparatus for providing a pattern of polarization
US5089913A (en) High resolution reduction catadioptric relay lens
US20050134825A1 (en) Polarization-optimized illumination system
US20030227607A1 (en) Exposure apparatus and an exposure method
US20020001134A1 (en) Illumination optical system in exposure apparatus
EP0823662A2 (en) Projection exposure apparatus
US5933219A (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method capable of controlling polarization direction
US6731374B1 (en) Beam-splitter optics design that maintains an unflipped (unmirrored) image for a catadioptric lithographic system
US6762824B2 (en) Correction apparatus that corrects optical shift in two optical units, and exposure apparatus having the same
US6661499B2 (en) Projection exposure apparatus with a catadioptric projection optical system
US20100141921A1 (en) Optical system, exposure system, and exposure method
US20050237527A1 (en) Illumination optical system, exposure apparatus and device fabrication method
US20090122292A1 (en) Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US20030011893A1 (en) Optical system and exposure apparatus equipped with the optical system
WO2004104654A1 (en) Depolarization element, illumination optical device, exposure device, and exposure method
WO2006077849A1 (en) Method of adjusting lighting optical device, lighting optical device, exposure system, and exposure method
WO2004051717A1 (en) Illumination optical system, exposure system, and exposure method
JP2000114157A (en) Illuminator and projection aligner provided therewith
US20070258077A1 (en) Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2000021748A (en) Method of exposure and exposure equipment