JP2003033628A - 排ガス中のダイオキシン類削減方法及び装置 - Google Patents

排ガス中のダイオキシン類削減方法及び装置

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JP2003033628A JP2001226226A JP2001226226A JP2003033628A JP 2003033628 A JP2003033628 A JP 2003033628A JP 2001226226 A JP2001226226 A JP 2001226226A JP 2001226226 A JP2001226226 A JP 2001226226A JP 2003033628 A JP2003033628 A JP 2003033628A
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Mitsuyoshi Kaneko
Yoshiki Kuroda
龍一 石川
充良 金子
芳喜 黒田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 廃棄物焼却炉又はガス化溶融炉から排出され
る排ガス中のダイオキシン類濃度を0.01(ng−T
EQ/m3N)の極低濃度域まで安定して削減すること
ができる排ガス中のダイオキシン類削減方法及び装置を
提供すること。 【解決手段】 ガス化溶融炉21から排出される排ガス
を減温工程22で冷却した後、バグフィルタ23を有す
る集塵工程排ガス中のダストHCl,SOxを除去し、
その後、該排ガスを上流側に脱硝触媒層を下流側に活性
炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒反応塔24
に入口温度150〜200℃で通過せしめ、該脱硝触媒
層により大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダ
イオキシン類を該活性炭層に吸着せしめる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は廃棄物焼却施設の廃
棄物焼却炉、ガス化溶融施設のガス化溶融炉から排出さ
れる排ガス中に含まれるダイオキシン類を削減する排ガ
ス中のダイオキシン類削減方法及び装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】二酸化チタンを担体とし、五酸化バナジ
ウムを活性成分として、場合によっては耐SOx性を高
めるため、三酸化タングステン、三酸化モリブデン等を
含む脱硝触媒はアンモニア添加により窒素酸化物を窒素
に選択還元できるにとどまらず、排ガス中のダイオキシ
ン類を分解・除去でき、ダイオキシン類の高度排ガス処
理技術として、最近廃棄物焼却施設やガス化溶融施設に
多用されてきている。
【0003】上記技術は、平成9年1月に旧厚生省より
示された「新ガイドライン」や平成9年廃棄物処理法の
政省令改正で施設規模4ton/h以上の新設炉に適用
される排ガス中のダイオキシン類を0.1ng−TEQ
/m3N以下にするという維持管理基準に対して充分に
対応可能な技術である。
【0004】しかしながら、更に一桁下げたダイオキシ
ン類濃度0.01(ng−TEQ/m3N)まで脱硝触
媒で削減しようとすると、ダイオキシン類の濃度低下と
ともに、脱硝触媒のダイオキシン分解率が低下し、0.
01(ng−TEQ/m3N)以下に絶えず削減するこ
とは困難である。
【0005】本特許出願の発明者等が行った、触媒塔を
設置した廃棄物焼却施設及びガス化溶融施設の脱硝触媒
の分解率事例を図1に示す。図1において、横軸は触媒
入口ダイオキシン類濃度(ng−TEQ/m3N)、縦
軸は触媒出口ダイオキシン類濃度(ng−TEQ/m3
N)を示す。
【0006】触媒温度は160〜210℃、触媒体積は
SV=1500〜3500(m3N/m3h)の範囲であ
る。入口ダイオキシン類濃度が1〜10(ng−TEQ
/m3N)の場合、触媒出口はほとんどのケースで0.
1(ng−TEQ/m3N)以下になっているが、入口
ダイオキシン類の分解効率が低下し始め、入口ダイオキ
シン類濃度が0.01(ng−TEQ/m3N)付近の
場合、効率はもっと低下する。従って、脱硝触媒による
ダイオキシン類の分解率は濃度が高いと分解効率は良好
であるが、濃度が低くなるにつれて分解効率が低下し、
0.01(ng−TEQ/m3N)の極低濃度域に安定
して下回らせることが困難である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、廃棄物焼却炉又はガス化溶融炉か
ら排出される排ガス中のダイオキシン類濃度を0.01
(ng−TEQ/m3N)の極低濃度域まで安定して削
減することができる排ガス中のダイオキシン類削減方法
及び装置を提供することを目的とする。
【0008】また、排ガス中のHCl,SOxの除去に
使用した反応後の消石灰、洗煙排水中のダイオキシン類
を低減し、廃棄物焼却設備やガス化溶融施設からの総ダ
イオキシン類を削減する排ガス中のダイオキシン類削減
方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス
化溶融炉から排出される排ガスを減温工程で冷却した
後、集塵工程又は排ガス処理工程で該排ガス中のダスト
HCl,SOxを除去し、その後該排ガスを上流側に脱
硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造の活性
炭層付き触媒反応塔に入口温度150〜200℃で通過
せしめ、該脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類を
分解させ、残分のダイオキシン類を該活性炭層に吸着せ
しめることを特徴とする。
【0010】請求項2に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、1段目のバグフィルタを通過せしめ該排
ガス中のダストを除去し、その後該排ガスを入口温度1
80〜230℃の範囲で脱硝触媒反応塔に通過せしめ大
部分のダイオキシン類を分解させた後、さらに130〜
180℃に冷却し、2段目のバグフィルタを通過せしめ
該排ガス中のダストHCl,SOx等を除去し、その後
該排ガスを活性炭充填塔に通過せしめ、残分のダイオキ
シン類を該活性炭充填層の活性炭層に吸着せしめること
を特徴とする。
【0011】請求項3に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、バグフィルタを通過せしめ該排ガス中の
ダストを除去し、その後該排ガスを湿式スクラバーを通
過せしめて該排ガス中のHCl,SOx等を除去し、次
に該排ガスを150〜200℃に加熱した後、上流側に
脱硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造の活
性炭層付き触媒反応塔に通過せしめ該脱硝触媒層により
大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダイオキシ
ン類を活性炭層に吸着せしめることを特徴とする。
【0012】請求項4に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、バグフィルタを通過せしめ該排ガス中の
ダストを除去し、その後入口温度180〜230℃の範
囲で脱硝触媒反応塔を通過せしめ大部分のダイオキシン
類を分解させた後、湿式スクラバーを通過せしめて該排
ガス中のHCl,SOx等を除去し、次に該排ガスを1
20〜180℃に加熱した後、活性炭充填塔を通過せし
めて残分のダイオキシン類を該活性炭充填塔の活性炭層
に吸着せしめることを特徴とする。
【0013】請求項5に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを冷却する
減温装置と、該減温装置で冷却された該排ガス中のダス
トHCl,SOxを除去する集塵装置又は排ガス処理装
置と、該集塵装置又は排ガス処理装置でダストHCl,
SOxが除去された排ガスを通過させる活性炭層付き触
媒反応塔を具備し、活性炭層付き触媒反応塔は上流側に
脱硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造であ
り、ダストHCl,SOxが除去された排ガスを入口温
度150〜200℃で通過せしめ、該脱硝触媒層により
大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダイオキシ
ン類を該活性炭層に吸着せしめることを特徴とする。
【0014】脱硝触媒によるダイオキシン類の酸化分解
率は濃度が高い程良好であるため、これを前段に設置し
排ガス中の殆どのダイオキシン類を分解する。残りのダ
イオキシン類は活性炭吸着法により吸着する。活性炭法
によるダイオキシン類の吸着除去は活性炭粒子表面まで
のダイオキシン類の拡散が律速と言われ、粒状活性炭の
充填層とし接触効率を高めることにより、低濃度域でも
良好な除去効率が得られる。ダイオキシン類は活性炭に
吸着され、蓄積されて行くが前段の触媒層ですでに殆ど
が分解されているため、吸着量はわずかであり、そのた
め破過時間は非常に長くなり、通常3〜5年間は初期性
能の除去率を維持する。
【0015】脱硝触媒反応塔の後段に脱HCl,SOx
工程を設置し、最終工程に活性炭充填塔を設置する排ガ
ス処理フローの手段を設けることで、排ガス処理で使用
した反応後の消石灰や洗煙排水中のダイオキシン類濃度
削減が図れる。即ち、バグフィルタで集塵した後、先ず
180〜230℃の温度域で脱硝触媒塔を通過させ、排
ガス中の殆どのダイオキシン類を分解した後、消石灰を
添加して、2番目のバグフィルタで排ガス中のHCl,
SOxを除去する。又は、湿式洗煙設備で苛性ソーダ等
を補給して排ガス中のHCL,SOxを除去する。
【0016】その後、排ガスを120〜180℃に温度
調節して、活性炭吸着塔に通過させる。こうすることに
より、ダイオキシン類が削減された排ガスと接触してH
Cl,SOx除去を行うことになり反応消石灰や洗煙排
水中のダイオキシン類濃度は低く抑えられる。残分のダ
イオキシン類は確実に活性炭充填塔で除去できる。
【0017】また、このように触媒反応塔と活性炭充填
塔を分離させた場合は、脱硝触媒のダイオキシン分解及
び脱硝を同時に行う場合、排ガス中の硫黄酸化物とアン
モニアの反応により酸性硫安の触媒表面への析出防止に
温度が高いほうが有利であり、活性炭吸着法は低温度の
ほうが有利であるため、おのおの最適な温度で操業でき
る利点もある。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を説
明する。本発明は排ガス中のダイオキシン類を削減する
方法であり、脱硝触媒による酸化分解法と活性炭吸着法
を合理的に組み合わせることにより、排ガス中のダイオ
キシン類を0.01ng−TEQ/m 3N以下に安定し
て削減し、場合によってはHCl,SOxの除去後の消
石灰や洗煙排水中のダイオキシン類を低減できる排ガス
中のダイオキシン類削減方法である。
【0019】図2は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法に用いる活性炭層付き触媒反応塔の概略構
成を示す図である。図示するように、活性炭層付き触媒
反応塔は下端に排ガス流入口11、上端に排ガス流出口
12を有するケーシング10の下段に脱硝触媒をカート
リッジに収納してなる触媒カートリッジ13を収納し、
上段に粒状活性炭の充填層からなる活性炭層14を収納
した構成である。この活性炭層14は圧力損失を低くす
るため、排ガスとの接触面積を大きくして通過ガス流速
を低くしている。
【0020】上記活性炭層14がハニカム触媒層からな
り、触媒反応塔に組み込む場合、図3に示すように充填
層14aを縦方向に複数収納させ、ガスとの接触は側流
式とする。即ち、充填層14aと充填層14aの間隙の
上下に交互に閉止板14bを設けて閉塞し、下側の開口
14cにガスGを導入する。該導入したガスGは充填層
14aを透過した後、上側の開口14cから流出する。
なお、14dは充填層14aの上部に設けた上蓋部であ
る。例えば、径が4mm、長さが10mmの円柱状の粒
状活性炭を使用する場合、通過ガス流速は0.3〜0.
35m/secが適当であり、充填層14aの層厚は
0.2mで90%以上のダイオキシン類の除去率が得ら
れる。なお、図3(a)は斜視図、図3(b)は側断面
図である。
【0021】また、脱硝触媒反応塔の後段に脱HCl,
SOx工程を設置し、最終工程に活性炭吸着塔を設置す
る排ガス処理フローにすることで、排ガス処理で使用し
た反応後の消石灰等や洗煙排水中のダイオキシン類の低
減を図ることができる。即ち、バグフィルタで集塵した
後、まず180〜230℃の温度域で脱硝触媒反応塔を
通過させ、排ガス中の殆どのダイオキシン類を分解した
後、消石灰を添加して、2番目のバグフィルタで排ガス
中のHCl,SOxを除去する。または、湿式洗煙設備
で苛性ソーダ等を補給して排ガス中のHCl,SOxを
除去する。
【0022】HCl,SOxを除去した後の排ガスを1
20〜180℃に温度調節して、活性炭吸着塔に通過さ
せることにより排ガス中のダイオキシン類の残分は該活
性炭充填塔の活性炭層に吸着され0.01ng−TEQ
/m3N以下の極低濃度まで削減することができる。こ
うすることにより、反応後の消石灰や洗煙排水中のダイ
オキシン類は確実に低減される。上記2段バグフィルタ
フローの場合を後に詳述するように図6に、湿式洗煙設
備の場合を図8に示す。
【0023】図4は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の構成例
を示す図である。図において、21は廃棄物ガス化溶融
炉としてのガス化溶融炉であり、該ガス化溶融炉21か
ら排出された排ガスは減温工程22を経て180℃に減
温し、該減温した排ガスに消石灰26を添加し、バグフ
ィルタ23を通すことにより、排ガス中のHCl,SO
xを除去した後、続けてアンモニア(NH3)27を添
加して活性炭層付き触媒反応塔24を通過させることに
より、触媒カートリッジ13からなる脱硝触媒層(図2
参照)により大部分のダイオキシン類を分解させ、残分
のダイオキシン類を活性炭層14(図2参照)で吸着除
去する。このダイオキシン類の除去された排ガスは煙突
25から大気中に放出される。
【0024】図5は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。図5が図4と異なる点はバグフィ
ルタを第1と第2の2段のバグフィルタとし、減温工程
22を経て180℃に減温された排ガスを第1バグフィ
ルタ23−1を通して該排ガスに含まれる灰等の塵を除
去し、灰は戻し灰としてガス化溶融炉21に戻してい
る。第1バグフィルタ23−1を通った排ガスには消石
灰26を添加し、第2バグフィルタ23−2を通すこと
により、排ガス中のHCl,SOxを除去する。続い
て、図4の場合と同様、アンモニア(NH3)27を添
加して活性炭層付き触媒反応塔24を通過させることに
より、脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類を分解
させ、残分のダイオキシン類を活性炭層で吸着させて除
去する。ダイオキシン類の除去された排ガスは煙突25
から大気中に放出される。
【0025】図6は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉21から排出された
排ガスは減温工程22を経て、第1バグフィルタ23−
1を通って、排ガスに含まれる灰等の塵を除去し、灰は
戻し灰としてガス化溶融炉21に戻される。第1バグフ
ィルタ23−1を通った排ガス(180〜230℃)に
はアンモニア(NH3)27を添加して触媒反応塔28
を通過させることにより、大部分のダイオキシン類は分
解される。続いて減温工程29を経て所定温度に減温
し、消石灰26を添加し、第2バグフィルタ23−2を
通過させることにより、排ガス(120〜180℃)中
のHCl,SOxを除去する。続いて、活性炭充填塔3
0を通すことにより、残分のダイオキシン類が活性炭充
填塔30の活性炭層に吸着され、ダイオキシン類の除去
された排ガスは煙突25から大気中に放出される。
【0026】図7は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉21から排出された
排ガスは、減温工程22を経て180℃に減温し、バグ
フィルタ23を通って、排ガスに含まれる灰等の塵が除
去され、灰は戻し灰としてガス化溶融炉21に戻され
る。バグフィルタ23を通った排ガス中には苛性ソーダ
31を添加して湿式洗煙設備(湿式スクラバー)32を
通過させ排ガス中のHCl,SOxを除去する。その後
再加熱器33で約180℃に昇温させ(加温)、アンモ
ニア(NH3)27を添加して活性炭層付き触媒反応塔
24を通すことにより、脱硝触媒層により大部分のダイ
オキシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭
層で吸着除去され、ダイオキシン類の除去された排ガス
は煙突25から大気中に放出される。
【0027】図8は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉21から排出された
排ガスは減温工程22を経て減温され、バグフィルタ2
3を通って(180〜230℃)、排ガスに含まれる灰
等の塵を除去し、灰は戻し灰としてガス化溶融炉21に
戻される。バグフィルタ23を通った排ガスにはアンモ
ニア(NH3)27を添加して触媒反応塔28を通過さ
せることにより、大部分のダイオキシン類は脱硝触媒層
により分解される。続いて排ガスに苛性ソーダ31を添
加し、湿式洗煙設備(湿式スクラバー)32を通過させ
排ガス中のHCl,SOxを除去する。その後再加熱器
33で約180℃に昇温させ、活性炭充填塔30を通す
ことにより、残分のダイオキシン類を活性炭充填塔30
の活性炭層に吸着除去させ、ダイオキシン類の除去され
た排ガスは煙突25から大気中に放出する。
【0028】図9は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。34は廃棄物焼却炉としての流動
床式焼却炉であり、該流動床式焼却炉34から排出され
た排ガスは減温工程22を経て180℃に減温し、バグ
フィルタ23を通って、排ガスに含まれる灰等の塵を除
去する。バグフィルタ23を通った排ガスには苛性ソー
ダ31を添加して、湿式洗煙設備(湿式スクラバー)3
2を通過させ、排ガス中のHCl,SOxを除去する。
その後、再加熱器33で約180℃に昇温させ、アンモ
ニア(NH3)27を添加し活性炭層付き触媒反応塔2
4を通すことにより、脱硝触媒層により大部分のダイオ
キシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭層
で吸着除去し、ダイオキシン類の除去された排ガスは煙
突25から大気中に放出される。
【0029】図10は図6に示す排ガス処理設備で、2
0t/日で都市ごみをガス化溶融させた時のダイオキシ
ン類の測定を行った結果を示す図である。処理ガス量は
8000m3N/h、触媒反応塔28は3段のハニカム
触媒層からなり、触媒全体積は7.6m3、触媒反応塔
28の入口温度200℃又は触媒反応塔28の入口にア
ンモニア(NH3)27を添加しNOx150ppmを
20ppmに低減している。減温工程29では間接空気
冷却器により排ガスを160℃に冷却し、第2バグフィ
ルタに消石灰15(kg/h)を添加し、HClを40
0ppmから20ppmに低減している。続いての活性
炭充填塔30の活性炭層には径4mm、長さ10mmの
円柱状の成形炭を用いた。全体断面積14m2、層厚2
00mmなる図3に示すように分割し、ガス流れは側流
型にした活性炭層に充填し、活性炭充填塔30に収納し
た。活性炭充填塔30の入口温度は150℃にして行っ
た。
【0030】ここで触媒入口、出口は触媒反応塔28の
入口、出口を指し、活性炭入口、出口は活性炭充填塔3
0の入口、出口を指す。図から明らかなように、ダイオ
キシン類は触媒出口では0.01ng−TEQ/m3
を若干オーバしているが、活性炭層出口(活性炭充填塔
30の出口)で0.01ng−TEQ/m3Nを充分下
回った値が得られている。また、反応後の消石灰中のダ
イオキシン類濃度はRUN1が0.0005ng−TE
Q/g、RUN2が0.0007ng−TEQ/gと低
い濃度が得られた。
【0031】図11は図9に示す排ガス処理設備で、焼
却量140t/日、処理ガス量40000m3N/hで
都市ごみ焼却した場合の活性炭層付き触媒反応塔のダイ
オキシン類除去率を測定した結果を示す図である。ここ
で活性炭層付き触媒反応塔24には、2段のハニカム触
媒層、1段の活性炭層からなる活性炭層付き触媒反応塔
24を用いている。触媒層1段当りの体積は4.88m
3、活性炭充填層は径4mm、長さ10mm程度の円柱
状の成形炭を用いた。全体断面積45m2、層厚200
mmなる図3に示すように分割し、ガス流れは側流型に
した活性炭層に充填し、活性炭層付き触媒反応塔24に
収納した。活性炭層付き触媒反応塔24の入口(触媒入
口)温度は180℃にして行った。なお、ここで1層出
口、2層出口とはそれぞれ上記1段目のハニカム触媒層
の出口、2段目のハニカム触媒層の出口を指す。
【0032】活性炭層付き触媒反応塔24の入口にアン
モニア(NH3)27を添加し、NOx120ppmを
50ppmに低減している。測定結果を図11に示す。
活性炭層付き触媒反応塔24の出口(活性炭層出口)で
0.01ng−TEQ/m3を充分下回った値が得られ
ている。
【0033】
【発明の効果】以上、説明したように各請求項に記載の
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。
【0034】排ガスを脱硝触媒層に通過させることによ
り、大部分のダイオキシン類は分解されると共に、残分
のダイオキシン類を活性炭層に吸着させ除去するので、
排ガス中のダイオキシン類濃度を0.01(ng−TE
Q/m3N)以下の低濃度に安定して低減できる。
【0035】また、HCl,SOx除去工程の前段に触
媒反応塔を設置することにより、HCl,SOx除去工
程から排出される反応消石灰や洗煙排水のダイオキシン
類含有量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】脱硝触媒塔を設置した廃棄物焼却施設及びガス
化溶融施設の脱硝触媒のダイオキシン類分解率の事例を
示す図である。
【図2】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法に用いる活性炭層付き触媒反応塔の概略構成を示す図
である。
【図3】活性炭層の構成例を示す図である。
【図4】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図5】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図6】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図7】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図8】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図9】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。
【図10】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減
方法によるダイオキシン類測定結果を示す図である。
【図11】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減
方法によるダイオキシン類測定結果を示す図である。
【符号の説明】
10 ケーシング 11 排ガス流入口 12 排ガス流出口 13 触媒カートリッジ 14 活性炭層 21 ガス化溶融炉 22 減温工程 23 バグフィルタ 23−1 第1バグフィルタ 23−2 第2バグフィルタ 24 活性炭層付き触媒反応塔 25 煙突 26 消石灰 27 アンモニア(NH3) 28 触媒反応塔 29 減温工程 30 活性炭充填塔 31 苛性ソーダ 32 湿式洗煙設備 33 再加熱器 34 流動床式焼却炉
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 充良 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 Fターム(参考) 3K065 AA24 AB01 AB03 BA01 BA08 HA02 HA03 3K070 DA03 DA05 DA14 DA16 DA22 DA24 DA27 DA32 DA35 DA83 4D002 AA02 AA12 AA19 AA21 AC04 AC10 BA02 BA03 BA04 BA06 BA13 BA14 CA07 DA02 DA05 DA07 DA12 DA41 EA02 EA03 GA01 GB03 4D048 AA11 AB03 CC51 CD01 CD02 CD03 CD08 DA01 DA03 DA06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
    ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、集塵工程
    又は排ガス処理工程で該排ガス中のダストHCl,SO
    xを除去し、その後該排ガスを上流側に脱硝触媒層を下
    流側に活性炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒
    反応塔に入口温度150〜200℃で通過せしめ、該脱
    硝触媒層により大部分のダイオキシン類を分解させ、残
    分のダイオキシン類を該活性炭層に吸着せしめることを
    特徴とする排ガス中のダイオキシン類削減方法。
  2. 【請求項2】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
    ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、1段目の
    バグフィルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去
    し、その後該排ガスを入口温度180〜230℃の範囲
    で脱硝触媒反応塔に通過せしめ大部分のダイオキシン類
    を分解させた後、さらに130〜180℃に冷却し、2
    段目のバグフィルタを通過せしめ該排ガス中のダストH
    Cl,SOx等を除去し、その後該排ガスを活性炭充填
    塔に通過せしめ、残分のダイオキシン類を該活性炭充填
    層の活性炭層に吸着せしめることを特徴とする排ガス中
    のダイオキシン類削減方法。
  3. 【請求項3】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
    ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、バグフィ
    ルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去し、その後
    該排ガスを湿式スクラバーを通過せしめて該排ガス中の
    HCl,SOx等を除去し、次に該排ガスを150〜2
    00℃に加熱した後、上流側に脱硝触媒層を下流側に活
    性炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒反応塔に
    通過せしめ該脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類
    を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭層に吸着せ
    しめることを特徴とする排ガス中のダイオキシン類削減
    方法。
  4. 【請求項4】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
    ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、バグフィ
    ルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去し、その後
    入口温度180〜230℃の範囲で脱硝触媒反応塔を通
    過せしめ大部分のダイオキシン類を分解させた後、湿式
    スクラバーを通過せしめて該排ガス中のHCl,SOx
    等を除去し、次に該排ガスを120〜180℃に加熱し
    た後、活性炭充填塔を通過せしめて残分のダイオキシン
    類を該活性炭充填塔の活性炭層に吸着せしめることを特
    徴とする排ガス中のダイオキシン類削減方法。
  5. 【請求項5】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
    ら排出される排ガスを冷却する減温装置と、該減温装置
    で冷却された該排ガス中のダストHCl,SOxを除去
    する集塵装置又は排ガス処理装置と、該集塵装置又は排
    ガス処理装置でダストHCl,SOxが除去された排ガ
    スを通過させる活性炭層付き触媒反応塔を具備し、 前記活性炭層付き触媒反応塔は上流側に脱硝触媒層を下
    流側に活性炭層を配置した一体構造であり、前記ダスト
    HCl,SOxが除去された排ガスを入口温度150〜
    200℃で通過せしめ、該脱硝触媒層により大部分のダ
    イオキシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を該活
    性炭層に吸着せしめることを特徴とする排ガス中のダイ
    オキシン類削減装置。
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