JP2003033628A - 排ガス中のダイオキシン類削減方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 廃棄物焼却炉又はガス化溶融炉から排出され
る排ガス中のダイオキシン類濃度を０．０１（ｎｇ−Ｔ
ＥＱ／ｍ³Ｎ）の極低濃度域まで安定して削減すること
ができる排ガス中のダイオキシン類削減方法及び装置を
提供すること。 【解決手段】 ガス化溶融炉２１から排出される排ガス
を減温工程２２で冷却した後、バグフィルタ２３を有す
る集塵工程排ガス中のダストＨＣｌ，ＳＯｘを除去し、
その後、該排ガスを上流側に脱硝触媒層を下流側に活性
炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒反応塔２４
に入口温度１５０〜２００℃で通過せしめ、該脱硝触媒
層により大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダ
イオキシン類を該活性炭層に吸着せしめる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は廃棄物焼却施設の廃
棄物焼却炉、ガス化溶融施設のガス化溶融炉から排出さ
れる排ガス中に含まれるダイオキシン類を削減する排ガ
ス中のダイオキシン類削減方法及び装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】二酸化チタンを担体とし、五酸化バナジ
ウムを活性成分として、場合によっては耐ＳＯｘ性を高
めるため、三酸化タングステン、三酸化モリブデン等を
含む脱硝触媒はアンモニア添加により窒素酸化物を窒素
に選択還元できるにとどまらず、排ガス中のダイオキシ
ン類を分解・除去でき、ダイオキシン類の高度排ガス処
理技術として、最近廃棄物焼却施設やガス化溶融施設に
多用されてきている。

【０００３】上記技術は、平成９年１月に旧厚生省より
示された「新ガイドライン」や平成９年廃棄物処理法の
政省令改正で施設規模４ｔｏｎ／ｈ以上の新設炉に適用
される排ガス中のダイオキシン類を０．１ｎｇ−ＴＥＱ
／ｍ³Ｎ以下にするという維持管理基準に対して充分に
対応可能な技術である。

【０００４】しかしながら、更に一桁下げたダイオキシ
ン類濃度０．０１（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）まで脱硝触
媒で削減しようとすると、ダイオキシン類の濃度低下と
ともに、脱硝触媒のダイオキシン分解率が低下し、０．
０１（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）以下に絶えず削減するこ
とは困難である。

【０００５】本特許出願の発明者等が行った、触媒塔を
設置した廃棄物焼却施設及びガス化溶融施設の脱硝触媒
の分解率事例を図１に示す。図１において、横軸は触媒
入口ダイオキシン類濃度（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）、縦
軸は触媒出口ダイオキシン類濃度（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³
Ｎ）を示す。

【０００６】触媒温度は１６０〜２１０℃、触媒体積は
ＳＶ＝１５００〜３５００（ｍ³Ｎ／ｍ³ｈ）の範囲であ
る。入口ダイオキシン類濃度が１〜１０（ｎｇ−ＴＥＱ
／ｍ³Ｎ）の場合、触媒出口はほとんどのケースで０．
１（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）以下になっているが、入口
ダイオキシン類の分解効率が低下し始め、入口ダイオキ
シン類濃度が０．０１（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）付近の
場合、効率はもっと低下する。従って、脱硝触媒による
ダイオキシン類の分解率は濃度が高いと分解効率は良好
であるが、濃度が低くなるにつれて分解効率が低下し、
０．０１（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）の極低濃度域に安定
して下回らせることが困難である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、廃棄物焼却炉又はガス化溶融炉か
ら排出される排ガス中のダイオキシン類濃度を０．０１
（ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ）の極低濃度域まで安定して削
減することができる排ガス中のダイオキシン類削減方法
及び装置を提供することを目的とする。

【０００８】また、排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘの除去に
使用した反応後の消石灰、洗煙排水中のダイオキシン類
を低減し、廃棄物焼却設備やガス化溶融施設からの総ダ
イオキシン類を削減する排ガス中のダイオキシン類削減
方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス
化溶融炉から排出される排ガスを減温工程で冷却した
後、集塵工程又は排ガス処理工程で該排ガス中のダスト
ＨＣｌ，ＳＯｘを除去し、その後該排ガスを上流側に脱
硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造の活性
炭層付き触媒反応塔に入口温度１５０〜２００℃で通過
せしめ、該脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類を
分解させ、残分のダイオキシン類を該活性炭層に吸着せ
しめることを特徴とする。

【００１０】請求項２に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、１段目のバグフィルタを通過せしめ該排
ガス中のダストを除去し、その後該排ガスを入口温度１
８０〜２３０℃の範囲で脱硝触媒反応塔に通過せしめ大
部分のダイオキシン類を分解させた後、さらに１３０〜
１８０℃に冷却し、２段目のバグフィルタを通過せしめ
該排ガス中のダストＨＣｌ，ＳＯｘ等を除去し、その後
該排ガスを活性炭充填塔に通過せしめ、残分のダイオキ
シン類を該活性炭充填層の活性炭層に吸着せしめること
を特徴とする。

【００１１】請求項３に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、バグフィルタを通過せしめ該排ガス中の
ダストを除去し、その後該排ガスを湿式スクラバーを通
過せしめて該排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘ等を除去し、次
に該排ガスを１５０〜２００℃に加熱した後、上流側に
脱硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造の活
性炭層付き触媒反応塔に通過せしめ該脱硝触媒層により
大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダイオキシ
ン類を活性炭層に吸着せしめることを特徴とする。

【００１２】請求項４に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを減温工程
で冷却した後、バグフィルタを通過せしめ該排ガス中の
ダストを除去し、その後入口温度１８０〜２３０℃の範
囲で脱硝触媒反応塔を通過せしめ大部分のダイオキシン
類を分解させた後、湿式スクラバーを通過せしめて該排
ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘ等を除去し、次に該排ガスを１
２０〜１８０℃に加熱した後、活性炭充填塔を通過せし
めて残分のダイオキシン類を該活性炭充填塔の活性炭層
に吸着せしめることを特徴とする。

【００１３】請求項５に記載の発明は、廃棄物焼却炉又
は廃棄物ガス化溶融炉から排出される排ガスを冷却する
減温装置と、該減温装置で冷却された該排ガス中のダス
トＨＣｌ，ＳＯｘを除去する集塵装置又は排ガス処理装
置と、該集塵装置又は排ガス処理装置でダストＨＣｌ，
ＳＯｘが除去された排ガスを通過させる活性炭層付き触
媒反応塔を具備し、活性炭層付き触媒反応塔は上流側に
脱硝触媒層を下流側に活性炭層を配置した一体構造であ
り、ダストＨＣｌ，ＳＯｘが除去された排ガスを入口温
度１５０〜２００℃で通過せしめ、該脱硝触媒層により
大部分のダイオキシン類を分解させ、残分のダイオキシ
ン類を該活性炭層に吸着せしめることを特徴とする。

【００１４】脱硝触媒によるダイオキシン類の酸化分解
率は濃度が高い程良好であるため、これを前段に設置し
排ガス中の殆どのダイオキシン類を分解する。残りのダ
イオキシン類は活性炭吸着法により吸着する。活性炭法
によるダイオキシン類の吸着除去は活性炭粒子表面まで
のダイオキシン類の拡散が律速と言われ、粒状活性炭の
充填層とし接触効率を高めることにより、低濃度域でも
良好な除去効率が得られる。ダイオキシン類は活性炭に
吸着され、蓄積されて行くが前段の触媒層ですでに殆ど
が分解されているため、吸着量はわずかであり、そのた
め破過時間は非常に長くなり、通常３〜５年間は初期性
能の除去率を維持する。

【００１５】脱硝触媒反応塔の後段に脱ＨＣｌ，ＳＯｘ
工程を設置し、最終工程に活性炭充填塔を設置する排ガ
ス処理フローの手段を設けることで、排ガス処理で使用
した反応後の消石灰や洗煙排水中のダイオキシン類濃度
削減が図れる。即ち、バグフィルタで集塵した後、先ず
１８０〜２３０℃の温度域で脱硝触媒塔を通過させ、排
ガス中の殆どのダイオキシン類を分解した後、消石灰を
添加して、２番目のバグフィルタで排ガス中のＨＣｌ，
ＳＯｘを除去する。又は、湿式洗煙設備で苛性ソーダ等
を補給して排ガス中のＨＣＬ，ＳＯｘを除去する。

【００１６】その後、排ガスを１２０〜１８０℃に温度
調節して、活性炭吸着塔に通過させる。こうすることに
より、ダイオキシン類が削減された排ガスと接触してＨ
Ｃｌ，ＳＯｘ除去を行うことになり反応消石灰や洗煙排
水中のダイオキシン類濃度は低く抑えられる。残分のダ
イオキシン類は確実に活性炭充填塔で除去できる。

【００１７】また、このように触媒反応塔と活性炭充填
塔を分離させた場合は、脱硝触媒のダイオキシン分解及
び脱硝を同時に行う場合、排ガス中の硫黄酸化物とアン
モニアの反応により酸性硫安の触媒表面への析出防止に
温度が高いほうが有利であり、活性炭吸着法は低温度の
ほうが有利であるため、おのおの最適な温度で操業でき
る利点もある。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を説
明する。本発明は排ガス中のダイオキシン類を削減する
方法であり、脱硝触媒による酸化分解法と活性炭吸着法
を合理的に組み合わせることにより、排ガス中のダイオ
キシン類を０．０１ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ ³Ｎ以下に安定し
て削減し、場合によってはＨＣｌ，ＳＯｘの除去後の消
石灰や洗煙排水中のダイオキシン類を低減できる排ガス
中のダイオキシン類削減方法である。

【００１９】図２は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法に用いる活性炭層付き触媒反応塔の概略構
成を示す図である。図示するように、活性炭層付き触媒
反応塔は下端に排ガス流入口１１、上端に排ガス流出口
１２を有するケーシング１０の下段に脱硝触媒をカート
リッジに収納してなる触媒カートリッジ１３を収納し、
上段に粒状活性炭の充填層からなる活性炭層１４を収納
した構成である。この活性炭層１４は圧力損失を低くす
るため、排ガスとの接触面積を大きくして通過ガス流速
を低くしている。

【００２０】上記活性炭層１４がハニカム触媒層からな
り、触媒反応塔に組み込む場合、図３に示すように充填
層１４ａを縦方向に複数収納させ、ガスとの接触は側流
式とする。即ち、充填層１４ａと充填層１４ａの間隙の
上下に交互に閉止板１４ｂを設けて閉塞し、下側の開口
１４ｃにガスＧを導入する。該導入したガスＧは充填層
１４ａを透過した後、上側の開口１４ｃから流出する。
なお、１４ｄは充填層１４ａの上部に設けた上蓋部であ
る。例えば、径が４ｍｍ、長さが１０ｍｍの円柱状の粒
状活性炭を使用する場合、通過ガス流速は０．３〜０．
３５ｍ／ｓｅｃが適当であり、充填層１４ａの層厚は
０．２ｍで９０％以上のダイオキシン類の除去率が得ら
れる。なお、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は側断面
図である。

【００２１】また、脱硝触媒反応塔の後段に脱ＨＣｌ，
ＳＯｘ工程を設置し、最終工程に活性炭吸着塔を設置す
る排ガス処理フローにすることで、排ガス処理で使用し
た反応後の消石灰等や洗煙排水中のダイオキシン類の低
減を図ることができる。即ち、バグフィルタで集塵した
後、まず１８０〜２３０℃の温度域で脱硝触媒反応塔を
通過させ、排ガス中の殆どのダイオキシン類を分解した
後、消石灰を添加して、２番目のバグフィルタで排ガス
中のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。または、湿式洗煙設備
で苛性ソーダ等を補給して排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘを
除去する。

【００２２】ＨＣｌ，ＳＯｘを除去した後の排ガスを１
２０〜１８０℃に温度調節して、活性炭吸着塔に通過さ
せることにより排ガス中のダイオキシン類の残分は該活
性炭充填塔の活性炭層に吸着され０．０１ｎｇ−ＴＥＱ
／ｍ³Ｎ以下の極低濃度まで削減することができる。こ
うすることにより、反応後の消石灰や洗煙排水中のダイ
オキシン類は確実に低減される。上記２段バグフィルタ
フローの場合を後に詳述するように図６に、湿式洗煙設
備の場合を図８に示す。

【００２３】図４は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の構成例
を示す図である。図において、２１は廃棄物ガス化溶融
炉としてのガス化溶融炉であり、該ガス化溶融炉２１か
ら排出された排ガスは減温工程２２を経て１８０℃に減
温し、該減温した排ガスに消石灰２６を添加し、バグフ
ィルタ２３を通すことにより、排ガス中のＨＣｌ，ＳＯ
ｘを除去した後、続けてアンモニア（ＮＨ₃）２７を添
加して活性炭層付き触媒反応塔２４を通過させることに
より、触媒カートリッジ１３からなる脱硝触媒層（図２
参照）により大部分のダイオキシン類を分解させ、残分
のダイオキシン類を活性炭層１４（図２参照）で吸着除
去する。このダイオキシン類の除去された排ガスは煙突
２５から大気中に放出される。

【００２４】図５は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。図５が図４と異なる点はバグフィ
ルタを第１と第２の２段のバグフィルタとし、減温工程
２２を経て１８０℃に減温された排ガスを第１バグフィ
ルタ２３−１を通して該排ガスに含まれる灰等の塵を除
去し、灰は戻し灰としてガス化溶融炉２１に戻してい
る。第１バグフィルタ２３−１を通った排ガスには消石
灰２６を添加し、第２バグフィルタ２３−２を通すこと
により、排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。続い
て、図４の場合と同様、アンモニア（ＮＨ₃）２７を添
加して活性炭層付き触媒反応塔２４を通過させることに
より、脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類を分解
させ、残分のダイオキシン類を活性炭層で吸着させて除
去する。ダイオキシン類の除去された排ガスは煙突２５
から大気中に放出される。

【００２５】図６は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉２１から排出された
排ガスは減温工程２２を経て、第１バグフィルタ２３−
１を通って、排ガスに含まれる灰等の塵を除去し、灰は
戻し灰としてガス化溶融炉２１に戻される。第１バグフ
ィルタ２３−１を通った排ガス（１８０〜２３０℃）に
はアンモニア（ＮＨ₃）２７を添加して触媒反応塔２８
を通過させることにより、大部分のダイオキシン類は分
解される。続いて減温工程２９を経て所定温度に減温
し、消石灰２６を添加し、第２バグフィルタ２３−２を
通過させることにより、排ガス（１２０〜１８０℃）中
のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。続いて、活性炭充填塔３
０を通すことにより、残分のダイオキシン類が活性炭充
填塔３０の活性炭層に吸着され、ダイオキシン類の除去
された排ガスは煙突２５から大気中に放出される。

【００２６】図７は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉２１から排出された
排ガスは、減温工程２２を経て１８０℃に減温し、バグ
フィルタ２３を通って、排ガスに含まれる灰等の塵が除
去され、灰は戻し灰としてガス化溶融炉２１に戻され
る。バグフィルタ２３を通った排ガス中には苛性ソーダ
３１を添加して湿式洗煙設備（湿式スクラバー）３２を
通過させ排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。その後
再加熱器３３で約１８０℃に昇温させ（加温）、アンモ
ニア（ＮＨ₃）２７を添加して活性炭層付き触媒反応塔
２４を通すことにより、脱硝触媒層により大部分のダイ
オキシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭
層で吸着除去され、ダイオキシン類の除去された排ガス
は煙突２５から大気中に放出される。

【００２７】図８は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。ガス化溶融炉２１から排出された
排ガスは減温工程２２を経て減温され、バグフィルタ２
３を通って（１８０〜２３０℃）、排ガスに含まれる灰
等の塵を除去し、灰は戻し灰としてガス化溶融炉２１に
戻される。バグフィルタ２３を通った排ガスにはアンモ
ニア（ＮＨ₃）２７を添加して触媒反応塔２８を通過さ
せることにより、大部分のダイオキシン類は脱硝触媒層
により分解される。続いて排ガスに苛性ソーダ３１を添
加し、湿式洗煙設備（湿式スクラバー）３２を通過させ
排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。その後再加熱器
３３で約１８０℃に昇温させ、活性炭充填塔３０を通す
ことにより、残分のダイオキシン類を活性炭充填塔３０
の活性炭層に吸着除去させ、ダイオキシン類の除去され
た排ガスは煙突２５から大気中に放出する。

【００２８】図９は本発明に係る排ガス中のダイオキシ
ン類削減方法を実施するための排ガス処理設備の他の構
成例を示す図である。３４は廃棄物焼却炉としての流動
床式焼却炉であり、該流動床式焼却炉３４から排出され
た排ガスは減温工程２２を経て１８０℃に減温し、バグ
フィルタ２３を通って、排ガスに含まれる灰等の塵を除
去する。バグフィルタ２３を通った排ガスには苛性ソー
ダ３１を添加して、湿式洗煙設備（湿式スクラバー）３
２を通過させ、排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘを除去する。
その後、再加熱器３３で約１８０℃に昇温させ、アンモ
ニア（ＮＨ₃）２７を添加し活性炭層付き触媒反応塔２
４を通すことにより、脱硝触媒層により大部分のダイオ
キシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭層
で吸着除去し、ダイオキシン類の除去された排ガスは煙
突２５から大気中に放出される。

【００２９】図１０は図６に示す排ガス処理設備で、２
０ｔ／日で都市ごみをガス化溶融させた時のダイオキシ
ン類の測定を行った結果を示す図である。処理ガス量は
８０００ｍ³Ｎ／ｈ、触媒反応塔２８は３段のハニカム
触媒層からなり、触媒全体積は７．６ｍ³、触媒反応塔
２８の入口温度２００℃又は触媒反応塔２８の入口にア
ンモニア（ＮＨ₃）２７を添加しＮＯｘ１５０ｐｐｍを
２０ｐｐｍに低減している。減温工程２９では間接空気
冷却器により排ガスを１６０℃に冷却し、第２バグフィ
ルタに消石灰１５（ｋｇ／ｈ）を添加し、ＨＣｌを４０
０ｐｐｍから２０ｐｐｍに低減している。続いての活性
炭充填塔３０の活性炭層には径４ｍｍ、長さ１０ｍｍの
円柱状の成形炭を用いた。全体断面積１４ｍ²、層厚２
００ｍｍなる図３に示すように分割し、ガス流れは側流
型にした活性炭層に充填し、活性炭充填塔３０に収納し
た。活性炭充填塔３０の入口温度は１５０℃にして行っ
た。

【００３０】ここで触媒入口、出口は触媒反応塔２８の
入口、出口を指し、活性炭入口、出口は活性炭充填塔３
０の入口、出口を指す。図から明らかなように、ダイオ
キシン類は触媒出口では０．０１ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎ
を若干オーバしているが、活性炭層出口（活性炭充填塔
３０の出口）で０．０１ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³Ｎを充分下
回った値が得られている。また、反応後の消石灰中のダ
イオキシン類濃度はＲＵＮ１が０．０００５ｎｇ−ＴＥ
Ｑ／ｇ、ＲＵＮ２が０．０００７ｎｇ−ＴＥＱ／ｇと低
い濃度が得られた。

【００３１】図１１は図９に示す排ガス処理設備で、焼
却量１４０ｔ／日、処理ガス量４００００ｍ³Ｎ／ｈで
都市ごみ焼却した場合の活性炭層付き触媒反応塔のダイ
オキシン類除去率を測定した結果を示す図である。ここ
で活性炭層付き触媒反応塔２４には、２段のハニカム触
媒層、１段の活性炭層からなる活性炭層付き触媒反応塔
２４を用いている。触媒層１段当りの体積は４．８８ｍ
³、活性炭充填層は径４ｍｍ、長さ１０ｍｍ程度の円柱
状の成形炭を用いた。全体断面積４５ｍ²、層厚２００
ｍｍなる図３に示すように分割し、ガス流れは側流型に
した活性炭層に充填し、活性炭層付き触媒反応塔２４に
収納した。活性炭層付き触媒反応塔２４の入口（触媒入
口）温度は１８０℃にして行った。なお、ここで１層出
口、２層出口とはそれぞれ上記１段目のハニカム触媒層
の出口、２段目のハニカム触媒層の出口を指す。

【００３２】活性炭層付き触媒反応塔２４の入口にアン
モニア（ＮＨ₃）２７を添加し、ＮＯｘ１２０ｐｐｍを
５０ｐｐｍに低減している。測定結果を図１１に示す。
活性炭層付き触媒反応塔２４の出口（活性炭層出口）で
０．０１ｎｇ−ＴＥＱ／ｍ³を充分下回った値が得られ
ている。

【００３３】

【発明の効果】以上、説明したように各請求項に記載の
発明によれば下記のような優れた効果が得られる。

【００３４】排ガスを脱硝触媒層に通過させることによ
り、大部分のダイオキシン類は分解されると共に、残分
のダイオキシン類を活性炭層に吸着させ除去するので、
排ガス中のダイオキシン類濃度を０．０１（ｎｇ−ＴＥ
Ｑ／ｍ³Ｎ）以下の低濃度に安定して低減できる。

【００３５】また、ＨＣｌ，ＳＯｘ除去工程の前段に触
媒反応塔を設置することにより、ＨＣｌ，ＳＯｘ除去工
程から排出される反応消石灰や洗煙排水のダイオキシン
類含有量を削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】脱硝触媒塔を設置した廃棄物焼却施設及びガス
化溶融施設の脱硝触媒のダイオキシン類分解率の事例を
示す図である。

【図２】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法に用いる活性炭層付き触媒反応塔の概略構成を示す図
である。

【図３】活性炭層の構成例を示す図である。

【図４】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図５】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図６】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図７】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図８】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図９】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減方
法を実施するための排ガス処理設備の構成例を示す図で
ある。

【図１０】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減
方法によるダイオキシン類測定結果を示す図である。

【図１１】本発明に係る排ガス中のダイオキシン類削減
方法によるダイオキシン類測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１０ ケーシング １１ 排ガス流入口 １２ 排ガス流出口 １３ 触媒カートリッジ １４ 活性炭層 ２１ ガス化溶融炉 ２２ 減温工程 ２３ バグフィルタ ２３−１ 第１バグフィルタ ２３−２ 第２バグフィルタ ２４ 活性炭層付き触媒反応塔 ２５ 煙突 ２６ 消石灰 ２７ アンモニア（ＮＨ₃） ２８ 触媒反応塔 ２９ 減温工程 ３０ 活性炭充填塔 ３１ 苛性ソーダ ３２ 湿式洗煙設備 ３３ 再加熱器 ３４ 流動床式焼却炉

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 充良 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3K065 AA24 AB01 AB03 BA01 BA08 HA02 HA03 3K070 DA03 DA05 DA14 DA16 DA22 DA24 DA27 DA32 DA35 DA83 4D002 AA02 AA12 AA19 AA21 AC04 AC10 BA02 BA03 BA04 BA06 BA13 BA14 CA07 DA02 DA05 DA07 DA12 DA41 EA02 EA03 GA01 GB03 4D048 AA11 AB03 CC51 CD01 CD02 CD03 CD08 DA01 DA03 DA06

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
   ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、集塵工程
   又は排ガス処理工程で該排ガス中のダストＨＣｌ，ＳＯ
   ｘを除去し、その後該排ガスを上流側に脱硝触媒層を下
   流側に活性炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒
   反応塔に入口温度１５０〜２００℃で通過せしめ、該脱
   硝触媒層により大部分のダイオキシン類を分解させ、残
   分のダイオキシン類を該活性炭層に吸着せしめることを
   特徴とする排ガス中のダイオキシン類削減方法。
2. 【請求項２】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
   ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、１段目の
   バグフィルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去
   し、その後該排ガスを入口温度１８０〜２３０℃の範囲
   で脱硝触媒反応塔に通過せしめ大部分のダイオキシン類
   を分解させた後、さらに１３０〜１８０℃に冷却し、２
   段目のバグフィルタを通過せしめ該排ガス中のダストＨ
   Ｃｌ，ＳＯｘ等を除去し、その後該排ガスを活性炭充填
   塔に通過せしめ、残分のダイオキシン類を該活性炭充填
   層の活性炭層に吸着せしめることを特徴とする排ガス中
   のダイオキシン類削減方法。
3. 【請求項３】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
   ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、バグフィ
   ルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去し、その後
   該排ガスを湿式スクラバーを通過せしめて該排ガス中の
   ＨＣｌ，ＳＯｘ等を除去し、次に該排ガスを１５０〜２
   ００℃に加熱した後、上流側に脱硝触媒層を下流側に活
   性炭層を配置した一体構造の活性炭層付き触媒反応塔に
   通過せしめ該脱硝触媒層により大部分のダイオキシン類
   を分解させ、残分のダイオキシン類を活性炭層に吸着せ
   しめることを特徴とする排ガス中のダイオキシン類削減
   方法。
4. 【請求項４】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
   ら排出される排ガスを減温工程で冷却した後、バグフィ
   ルタを通過せしめ該排ガス中のダストを除去し、その後
   入口温度１８０〜２３０℃の範囲で脱硝触媒反応塔を通
   過せしめ大部分のダイオキシン類を分解させた後、湿式
   スクラバーを通過せしめて該排ガス中のＨＣｌ，ＳＯｘ
   等を除去し、次に該排ガスを１２０〜１８０℃に加熱し
   た後、活性炭充填塔を通過せしめて残分のダイオキシン
   類を該活性炭充填塔の活性炭層に吸着せしめることを特
   徴とする排ガス中のダイオキシン類削減方法。
5. 【請求項５】 廃棄物焼却炉又は廃棄物ガス化溶融炉か
   ら排出される排ガスを冷却する減温装置と、該減温装置
   で冷却された該排ガス中のダストＨＣｌ，ＳＯｘを除去
   する集塵装置又は排ガス処理装置と、該集塵装置又は排
   ガス処理装置でダストＨＣｌ，ＳＯｘが除去された排ガ
   スを通過させる活性炭層付き触媒反応塔を具備し、 前記活性炭層付き触媒反応塔は上流側に脱硝触媒層を下
   流側に活性炭層を配置した一体構造であり、前記ダスト
   ＨＣｌ，ＳＯｘが除去された排ガスを入口温度１５０〜
   ２００℃で通過せしめ、該脱硝触媒層により大部分のダ
   イオキシン類を分解させ、残分のダイオキシン類を該活
   性炭層に吸着せしめることを特徴とする排ガス中のダイ
   オキシン類削減装置。