JP2003023769A - 電力用半導体モジュール - Google Patents
電力用半導体モジュールInfo
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＧＢＴＱを搭載する電力用半導体モジュー
ルにスナバ回路を外部に設けることなくＩＧＢＴＱを保
護させる電力用半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 本発明の電力用半導体モジュールは，電
力用半導体チップＱと，電力用半導体チップＱの第１主
電極Ｃとゲート電極Ｇとの間に直列に複数個設けた，温
度変化率の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオ
ードチップＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎと，電力
用半導体チップの第２主電極Ｅとゲート電極Ｇとの間に
設けた，温度変化率の小さいツェナー電圧を有するツェ
ナーダイオードチップＺＤＥ１，ＺＤＥ２とを備えたも
のである。
ルにスナバ回路を外部に設けることなくＩＧＢＴＱを保
護させる電力用半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 本発明の電力用半導体モジュールは，電
力用半導体チップＱと，電力用半導体チップＱの第１主
電極Ｃとゲート電極Ｇとの間に直列に複数個設けた，温
度変化率の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオ
ードチップＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎと，電力
用半導体チップの第２主電極Ｅとゲート電極Ｇとの間に
設けた，温度変化率の小さいツェナー電圧を有するツェ
ナーダイオードチップＺＤＥ１，ＺＤＥ２とを備えたも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はツェナーダイオード
を内蔵した電力用半導体モジュールに関するものであ
る。
を内蔵した電力用半導体モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来，電力用半導体モジュールに図４に
示すようなものがある。すなわち，図示しない銅，鉄な
どの金属基板の上に図示しないセラミックスの絶縁板を
貼り付け，この絶縁板に電力用半導体チップＱ，例え
ば，ＩＧＢＴが搭載され貼り付けられている。このＩＧ
ＢＴＱチップから外部接続用に端子Ｃ，Ｅ，Ｇが引き出
されている。この後，図示しない樹脂によりモールドさ
れている。
示すようなものがある。すなわち，図示しない銅，鉄な
どの金属基板の上に図示しないセラミックスの絶縁板を
貼り付け，この絶縁板に電力用半導体チップＱ，例え
ば，ＩＧＢＴが搭載され貼り付けられている。このＩＧ
ＢＴＱチップから外部接続用に端子Ｃ，Ｅ，Ｇが引き出
されている。この後，図示しない樹脂によりモールドさ
れている。
【０００３】この電力用半導体モジュールを実装する場
合，特に負荷側にリアクトル成分があれば，ＩＧＢＴＱ
がオン状態からオフ状態に切り替わったとき，リアクト
ル成分のエネルギーが放出されるまで，過大電圧が発生
し，ＩＧＢＴＱが破損する恐れがある。このＩＧＢＴＱ
が破損しないように，モジュール１の端子ＣＥ間に，ダ
イオード３とコンデンサ４との直列回路と，ダイオード
３と並列に抵抗５を接続したスナバ回路が接続されてい
る。
合，特に負荷側にリアクトル成分があれば，ＩＧＢＴＱ
がオン状態からオフ状態に切り替わったとき，リアクト
ル成分のエネルギーが放出されるまで，過大電圧が発生
し，ＩＧＢＴＱが破損する恐れがある。このＩＧＢＴＱ
が破損しないように，モジュール１の端子ＣＥ間に，ダ
イオード３とコンデンサ４との直列回路と，ダイオード
３と並列に抵抗５を接続したスナバ回路が接続されてい
る。
【０００４】ところが，スナバ回路は容量に応じて大型
化し，外部配線が必要で，高コストになるという問題を
持っている。そこで，特開平６−２０４５０５号公報等
で見られるようにツェナーダイオードを内蔵したトラン
ジスタチップが提案されている。
化し，外部配線が必要で，高コストになるという問題を
持っている。そこで，特開平６−２０４５０５号公報等
で見られるようにツェナーダイオードを内蔵したトラン
ジスタチップが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし，半導体（トラ
ンジスタ）に１つのツェナーダイオードを用いている。
このため，ツェナー電圧が高く，温度変化率が大きく，
半導体（トランジスタ）を保証する電圧以上になり，ス
ナバ回路を追加しなければ半導体（トランジスタ）を破
損させる恐れなどの問題を持っていた。
ンジスタ）に１つのツェナーダイオードを用いている。
このため，ツェナー電圧が高く，温度変化率が大きく，
半導体（トランジスタ）を保証する電圧以上になり，ス
ナバ回路を追加しなければ半導体（トランジスタ）を破
損させる恐れなどの問題を持っていた。
【０００６】また，大容量の電力用半導体モジュールを
製作する場合，モジュール内部に小容量の電力用半導体
チップを複数個並列に接続し，大容量の電力用半導体モ
ジュールが形成される。この大容量の電力用半導体モジ
ュールでは，ツェナーダイオードのツェナー電圧にばら
つきがあると，リアクトル成分により発生した過大電圧
に対し，ツェナー電圧の低いツェナーダイオードが接続
された小容量の電力用半導体チップの動作をする。これ
によりそのチップが破損することがあった。
製作する場合，モジュール内部に小容量の電力用半導体
チップを複数個並列に接続し，大容量の電力用半導体モ
ジュールが形成される。この大容量の電力用半導体モジ
ュールでは，ツェナーダイオードのツェナー電圧にばら
つきがあると，リアクトル成分により発生した過大電圧
に対し，ツェナー電圧の低いツェナーダイオードが接続
された小容量の電力用半導体チップの動作をする。これ
によりそのチップが破損することがあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の電力用
半導体モジュールは，電力用半導体チップと，電力用半
導体チップの第１主電極とゲート電極との間に，温度変
化率の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオード
を複数個直列に埋め込ませた第１ツェナーダイオードチ
ップと，電力用半導体チップの第２主電極とゲート電極
との間に，温度変化率の小さいツェナー電圧を有するツ
ェナーダイオードを埋め込ませた第２ツェナーダオード
チップとを備えたものである。電力用半導体チップに印
加する電圧が電力用半導体チップが持つ最大定格より大
きいときには，電力用半導体チップがオンして，保護す
る。
半導体モジュールは，電力用半導体チップと，電力用半
導体チップの第１主電極とゲート電極との間に，温度変
化率の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオード
を複数個直列に埋め込ませた第１ツェナーダイオードチ
ップと，電力用半導体チップの第２主電極とゲート電極
との間に，温度変化率の小さいツェナー電圧を有するツ
ェナーダイオードを埋め込ませた第２ツェナーダオード
チップとを備えたものである。電力用半導体チップに印
加する電圧が電力用半導体チップが持つ最大定格より大
きいときには，電力用半導体チップがオンして，保護す
る。
【０００８】請求項２の発明は，並列に接続される電力
用半導体チップと，各電力用半導体チップの第１主電極
とゲート電極との間に，温度変化率の小さいツェナー電
圧を有するツェナーダイオードを複数個直列に埋め込ま
せた第１ツェナーダイオードチップと，各電力用半導体
チップの第２主電極とゲート電極との間に，温度変化率
の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオードを埋
め込ませた第２ツェナーダオードチップとを備え，か
つ，各電力用半導体チップのゲート電極間を橋絡したも
のである。この発明では，電力用半導体チップのうち一
番低い電圧のツェナーダイオードチップに電流が流れ
る。このとき，各ゲート間がワイヤにより橋絡されてい
るため，各ゲートに信号が入力し，電力用半導体チップ
は全て同時にオンとなる。これにより電力用半導体チッ
プ及び電力用半導体モジュールは保護される。
用半導体チップと，各電力用半導体チップの第１主電極
とゲート電極との間に，温度変化率の小さいツェナー電
圧を有するツェナーダイオードを複数個直列に埋め込ま
せた第１ツェナーダイオードチップと，各電力用半導体
チップの第２主電極とゲート電極との間に，温度変化率
の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオードを埋
め込ませた第２ツェナーダオードチップとを備え，か
つ，各電力用半導体チップのゲート電極間を橋絡したも
のである。この発明では，電力用半導体チップのうち一
番低い電圧のツェナーダイオードチップに電流が流れ
る。このとき，各ゲート間がワイヤにより橋絡されてい
るため，各ゲートに信号が入力し，電力用半導体チップ
は全て同時にオンとなる。これにより電力用半導体チッ
プ及び電力用半導体モジュールは保護される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を，電力用半導
体モジュール内の等価回路を示す図１と，モジュール内
のチップ配置を示す図２とを参照して説明する。Ｑは電
力用半導体チップ，例えばＩＧＢＴチップ，Ｄ１は保護
用ダイオード，ＺＤＣ１，ＺＤＣ２・・ＺＤＣｎはツェ
ナーダイオードチップで，ツェナー電圧が温度変化に対
し安定した５乃至１０Ｖのものが選択される。保護ダイ
オードＤ１と，ツェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ
２，・・ＺＤＣｎは直列に接続され，電力用半導体チッ
プＱの第１主電極のコレクタＣとゲートＧ間に接続され
る。また，Ｄ２も保護用ダイオード，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２もツェナーダイオードチップで，ツェナー電圧が温度
変化に対し安定した５乃至１０Ｖのものが選択される。
さらに，保護ダイオードＤ２，ツェナーダイオードＺＤ
Ｅ１，ＺＤＥ２は直列に接続され，ＩＧＢＴチップＱの
ゲートＧと第２主電極のエミッタＥ間に接続される。こ
こで，ツェナーダイオードＺＤＥ１とＺＤＥ２のツェナ
ー電圧の和はＩＧＢＴＱのスレッシュホールド電圧以上
に選定される。
体モジュール内の等価回路を示す図１と，モジュール内
のチップ配置を示す図２とを参照して説明する。Ｑは電
力用半導体チップ，例えばＩＧＢＴチップ，Ｄ１は保護
用ダイオード，ＺＤＣ１，ＺＤＣ２・・ＺＤＣｎはツェ
ナーダイオードチップで，ツェナー電圧が温度変化に対
し安定した５乃至１０Ｖのものが選択される。保護ダイ
オードＤ１と，ツェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ
２，・・ＺＤＣｎは直列に接続され，電力用半導体チッ
プＱの第１主電極のコレクタＣとゲートＧ間に接続され
る。また，Ｄ２も保護用ダイオード，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２もツェナーダイオードチップで，ツェナー電圧が温度
変化に対し安定した５乃至１０Ｖのものが選択される。
さらに，保護ダイオードＤ２，ツェナーダイオードＺＤ
Ｅ１，ＺＤＥ２は直列に接続され，ＩＧＢＴチップＱの
ゲートＧと第２主電極のエミッタＥ間に接続される。こ
こで，ツェナーダイオードＺＤＥ１とＺＤＥ２のツェナ
ー電圧の和はＩＧＢＴＱのスレッシュホールド電圧以上
に選定される。
【００１０】図２において，１は電力用半導体モジュー
ル，１１は図示しない鉄，銅などの金属基板の上に貼り
付けられたセラミックスの絶縁板で，この絶縁板に銅回
路１２，１４，１６，１８，２２，２４が貼り付けられ
ている。銅回路１２には電力用半導体チップＱ，例え
ば，ＩＧＢＴＱと，外部接続用コレクタ端子１３が搭載
され貼り付けられている。銅回路１４，１６，１８には
それぞれ外部接続用エミッタ端子１５，外部接続用ゲー
ト端子１７，外部接続用制御エミッタ端子１９が搭載さ
れ貼り付けられている。さらに，ＩＧＢＴＱチップのエ
ミッタ電極は銅回路１４にワイヤ接続され，ＩＧＢＴＱ
チップのゲート電極は銅回路１６にワイヤ接続され，銅
回路１４と銅回路１８との間はワイヤ接続されている。
ル，１１は図示しない鉄，銅などの金属基板の上に貼り
付けられたセラミックスの絶縁板で，この絶縁板に銅回
路１２，１４，１６，１８，２２，２４が貼り付けられ
ている。銅回路１２には電力用半導体チップＱ，例え
ば，ＩＧＢＴＱと，外部接続用コレクタ端子１３が搭載
され貼り付けられている。銅回路１４，１６，１８には
それぞれ外部接続用エミッタ端子１５，外部接続用ゲー
ト端子１７，外部接続用制御エミッタ端子１９が搭載さ
れ貼り付けられている。さらに，ＩＧＢＴＱチップのエ
ミッタ電極は銅回路１４にワイヤ接続され，ＩＧＢＴＱ
チップのゲート電極は銅回路１６にワイヤ接続され，銅
回路１４と銅回路１８との間はワイヤ接続されている。
【００１１】ダイオードＤ１，ツェナーダイオードＺＤ
Ｃ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎが第１ツェナーダイオー
ドチップＺＤＣに埋め込まれて銅回路２２に貼り付けら
れている。銅回路１２と第１ツェナーダイオードチップ
ＺＤＣの一方の電極とはワイヤ接続され，他方の電極は
銅回路１６とワイヤ接続されている。ダイオードＤ２，
ツェナーダイオードＺＤＥ１，ＺＤＥ２が第２ツェナー
ダイオードチップＺＤＥに埋め込まれて銅回路２４に貼
り付けられている。銅回路１６と第２ツェナーダイオー
ドチップＺＤＥの一方の電極とはワイヤ接続され，他方
の電極は銅回路１８とワイヤ接続されている。この後，
図示しない樹脂によりモールドされている。
Ｃ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎが第１ツェナーダイオー
ドチップＺＤＣに埋め込まれて銅回路２２に貼り付けら
れている。銅回路１２と第１ツェナーダイオードチップ
ＺＤＣの一方の電極とはワイヤ接続され，他方の電極は
銅回路１６とワイヤ接続されている。ダイオードＤ２，
ツェナーダイオードＺＤＥ１，ＺＤＥ２が第２ツェナー
ダイオードチップＺＤＥに埋め込まれて銅回路２４に貼
り付けられている。銅回路１６と第２ツェナーダイオー
ドチップＺＤＥの一方の電極とはワイヤ接続され，他方
の電極は銅回路１８とワイヤ接続されている。この後，
図示しない樹脂によりモールドされている。
【００１２】この電力用半導体モジュールを，負荷側に
リアクトル成分がある回路に実装する場合，ＩＧＢＴＱ
がオン状態からオフ状態に切り替わったとき，リアクト
ル成分のエネルギーが放出されるまで，過大電圧が発生
する。このとき，モジュールに印加する電圧が高く，ツ
ェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，
ＺＤＥ１，ＺＤＥ２がオンすると，ＩＧＢＴＱのコレク
タ端子Ｃ，保護用ダイオードＤ１，ツェナーダイオード
ＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２を介して電流が流れる。ここで，ツェナーダイオード
ＺＤＥ１，ＺＤＥ２がオンにより，ＩＧＢＴＱのスレッ
シュホールド電圧を確保され，ＩＧＢＴＱはオンとな
る。これにより，ＩＧＢＴＱに電流が流れ，リアクトル
成分のエネルギーが放出される。
リアクトル成分がある回路に実装する場合，ＩＧＢＴＱ
がオン状態からオフ状態に切り替わったとき，リアクト
ル成分のエネルギーが放出されるまで，過大電圧が発生
する。このとき，モジュールに印加する電圧が高く，ツ
ェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，
ＺＤＥ１，ＺＤＥ２がオンすると，ＩＧＢＴＱのコレク
タ端子Ｃ，保護用ダイオードＤ１，ツェナーダイオード
ＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２を介して電流が流れる。ここで，ツェナーダイオード
ＺＤＥ１，ＺＤＥ２がオンにより，ＩＧＢＴＱのスレッ
シュホールド電圧を確保され，ＩＧＢＴＱはオンとな
る。これにより，ＩＧＢＴＱに電流が流れ，リアクトル
成分のエネルギーが放出される。
【００１３】なお，直列接続されるツェナーダイオード
ＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２のツェナー電圧の合計電圧がＩＧＢＴＱのコレクタエ
ミッタ間電圧にほぼ等しく選定すると，ＩＧＢＴＱに印
加する電圧が，ＩＧＢＴＱが持つ最大定格より大きいと
きにはＩＧＢＴＱがオンして保護し，電圧が低い場合に
は損傷することがない。
ＺＤＣ１，ＺＤＣ２，・・ＺＤＣｎ，ＺＤＥ１，ＺＤＥ
２のツェナー電圧の合計電圧がＩＧＢＴＱのコレクタエ
ミッタ間電圧にほぼ等しく選定すると，ＩＧＢＴＱに印
加する電圧が，ＩＧＢＴＱが持つ最大定格より大きいと
きにはＩＧＢＴＱがオンして保護し，電圧が低い場合に
は損傷することがない。
【００１４】上記実施形態では，直列接続される複数の
ツェナーダイオードを１つのチップに埋め込ませている
が，複数のツェナーダイオードチップ内に分けて埋め込
ませてもよい。
ツェナーダイオードを１つのチップに埋め込ませている
が，複数のツェナーダイオードチップ内に分けて埋め込
ませてもよい。
【００１５】ところで，大容量の電力用半導体モジュー
ルでは，モジュール内部に小容量の電力用半導体チップ
を複数個並列に接続し，大容量の電力用半導体モジュー
ルを形成する。この大容量の電力用半導体モジュールで
は，ツェナーダイオードのツェナー電圧にばらつきがあ
ると，ツェナー電圧の低いツェナーダイオードが接続さ
れた小容量の電力用半導体チップの動作をする。これに
よりそのチップが破損することがある。図３の実施形態
のものは，小容量の電力用半導体チップを複数個並列に
接続した大容量の電力用半導体モジュールの改善を提案
するものである。
ルでは，モジュール内部に小容量の電力用半導体チップ
を複数個並列に接続し，大容量の電力用半導体モジュー
ルを形成する。この大容量の電力用半導体モジュールで
は，ツェナーダイオードのツェナー電圧にばらつきがあ
ると，ツェナー電圧の低いツェナーダイオードが接続さ
れた小容量の電力用半導体チップの動作をする。これに
よりそのチップが破損することがある。図３の実施形態
のものは，小容量の電力用半導体チップを複数個並列に
接続した大容量の電力用半導体モジュールの改善を提案
するものである。
【００１６】すなわち，図３において，Ｑａ，Ｑｂ，Ｑ
ｃはＩＧＢＴチップで，それぞれのコレクタＣａ，Ｃ
ｂ，ＣｃとゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃとの間に，保護用ダ
イオードＤ１，ツェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ
２，・・ＺＤＣｎを直列接続状に埋め込んだツェナーダ
イオードチップＺＤＣａ，ＺＤＣｂ，ＺＤＣｃが接続さ
れている。また，それぞれのゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃと
エミッタＥａ，Ｅｂ，Ｅｃとの間に，保護用ダイオード
Ｄ２，ツェナーダイオードＺＤＥ１，ＺＤＥ２を直列接
続状に埋め込んだツェナーダイオードチップＺＤＥａ，
ＺＤＥｂ，ＺＤＥｃが接続されている。それぞれのゲー
トＧａ，Ｇｂ，Ｇｃと外部接続用ゲート端子Ｇとの間に
はバランス用抵抗Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃが接続されている。
さらに，各ゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ間はワイヤＧｓによ
り橋絡されている。
ｃはＩＧＢＴチップで，それぞれのコレクタＣａ，Ｃ
ｂ，ＣｃとゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃとの間に，保護用ダ
イオードＤ１，ツェナーダイオードＺＤＣ１，ＺＤＣ
２，・・ＺＤＣｎを直列接続状に埋め込んだツェナーダ
イオードチップＺＤＣａ，ＺＤＣｂ，ＺＤＣｃが接続さ
れている。また，それぞれのゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃと
エミッタＥａ，Ｅｂ，Ｅｃとの間に，保護用ダイオード
Ｄ２，ツェナーダイオードＺＤＥ１，ＺＤＥ２を直列接
続状に埋め込んだツェナーダイオードチップＺＤＥａ，
ＺＤＥｂ，ＺＤＥｃが接続されている。それぞれのゲー
トＧａ，Ｇｂ，Ｇｃと外部接続用ゲート端子Ｇとの間に
はバランス用抵抗Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃが接続されている。
さらに，各ゲートＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ間はワイヤＧｓによ
り橋絡されている。
【００１７】いま，ツェナーダイオードチップＺＤＣ
ａ，ＺＤＣｂ，ＺＤＣｃとＺＤＥａ，ＺＤＥｂ，ＺＤＥ
ｃにツェナー電圧にばらつきがある場合，一番低い電圧
のツェナーダイオードチップにまず電流が流れる。この
とき，各ゲート間がワイヤＧｓにより橋絡されているた
め，最初に流れたツェナーダイオードチップから各ゲー
トに信号が出力し，ＩＧＢＴチップＱａ，Ｑｂ，Ｑｃは
全て同時にオンとなる。これによりＩＧＢＴは保護され
る。また，スナバ回路を設ける必要もない。
ａ，ＺＤＣｂ，ＺＤＣｃとＺＤＥａ，ＺＤＥｂ，ＺＤＥ
ｃにツェナー電圧にばらつきがある場合，一番低い電圧
のツェナーダイオードチップにまず電流が流れる。この
とき，各ゲート間がワイヤＧｓにより橋絡されているた
め，最初に流れたツェナーダイオードチップから各ゲー
トに信号が出力し，ＩＧＢＴチップＱａ，Ｑｂ，Ｑｃは
全て同時にオンとなる。これによりＩＧＢＴは保護され
る。また，スナバ回路を設ける必要もない。
【００１８】上記実施形態ではＩＧＢＴチップについて
説明したが，電力用ＭＯＳＦＥＴにも適用できる。
説明したが，電力用ＭＯＳＦＥＴにも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明では，ＩＧＢＴＱに印加する電圧
が，ＩＧＢＴＱが持つ最大定格より大きいときにはＩＧ
ＢＴＱがオンして保護し，電圧が低い場合にはそれ自身
の能力で損傷することがない。また，ツェナー電圧の温
度変化率が小さく，半導体（ＩＧＢＴ）を確実に保証す
ることができ，従来のようにスナバ回路を追加する必要
がない。
が，ＩＧＢＴＱが持つ最大定格より大きいときにはＩＧ
ＢＴＱがオンして保護し，電圧が低い場合にはそれ自身
の能力で損傷することがない。また，ツェナー電圧の温
度変化率が小さく，半導体（ＩＧＢＴ）を確実に保証す
ることができ，従来のようにスナバ回路を追加する必要
がない。
【００２０】また，モジュール内部に小容量の電力用半
導体チップを複数個並列に接続した大容量の電力用半導
体モジュールでは，電力用半導体チップのうち一番低い
電圧のツェナーダイオードチップに電流が流れ，各ゲー
トに信号が入力し，各電力用半導体チップは全て同時に
オンとなる。これにより各電力用半導体チップ及び電力
用半導体モジュールは保護される。また，スナバ回路を
設ける必要はない。
導体チップを複数個並列に接続した大容量の電力用半導
体モジュールでは，電力用半導体チップのうち一番低い
電圧のツェナーダイオードチップに電流が流れ，各ゲー
トに信号が入力し，各電力用半導体チップは全て同時に
オンとなる。これにより各電力用半導体チップ及び電力
用半導体モジュールは保護される。また，スナバ回路を
設ける必要はない。
【図１】本発明の電力用半導体モジュールの実施形態の
図である。
図である。
【図２】図１の電力用半導体モジュールの内部説明図で
ある。
ある。
【図３】本発明の他の実施形態の図である。
【図４】従来技術の実施例の図である。
１ 電力半導体モジュール
Ｑ 電力用半導体（ＩＧＢＴ）チップ
Ｃ コレクタ
Ｅ エミッタ
Ｇ ゲート
Ｄ１，Ｄ２ 保護ダイオード
ＺＤＣ１，ＺＤＣ２，ＺＤＣｎ ツェナーダイオード
ＺＤＥ１，ＺＤＥ２ ツェナーダイオード
ＺＤＣ 第１ツェナーダイオードチップ
ＺＤＥ 第２ツェナーダイオードチップ
Claims (2)
- 【請求項１】 電力用半導体チップと，上記電力用半導
体チップの第１主電極とゲート電極との間に，温度変化
率の小さいツェナー電圧を有するツェナーダイオードを
複数個直列に埋め込ませた第１ツェナーダイオードチッ
プと，上記電力用半導体チップの第２主電極とゲート電
極との間に，温度変化率の小さいツェナー電圧を有する
ツェナーダイオードを埋め込ませた第２ツェナーダオー
ドチップとを，備えた電力用半導体モジュール。 - 【請求項２】 並列に接続される電力用半導体チップ
と，上記各電力用半導体チップの第１主電極とゲート電
極との間に，温度変化率の小さいツェナー電圧を有する
ツェナーダイオードを複数個直列に埋め込ませた第１ツ
ェナーダイオードチップと，上記各電力用半導体チップ
の第２主電極とゲート電極との間に，温度変化率の小さ
いツェナー電圧を有するツェナーダイオードを埋め込ま
せた第２ツェナーダオードチップとを備え，かつ，各電
力用半導体チップのゲート電極間を橋絡した電力用半導
体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001205490A JP2003023769A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 電力用半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001205490A JP2003023769A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 電力用半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003023769A true JP2003023769A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=19041786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001205490A Pending JP2003023769A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 電力用半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003023769A (ja) |
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