JP2003022049A - Circuit, driver circuit, organic electroluminescent display device, electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling current supply to organic electroluminescent pixel and method for driving circuit - Google Patents

Circuit, driver circuit, organic electroluminescent display device, electro-optical device, electronic apparatus, method of controlling current supply to organic electroluminescent pixel and method for driving circuit

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JP2003022049A JP2001208518A JP2001208518A JP2003022049A JP 2003022049 A JP2003022049 A JP 2003022049A JP 2001208518 A JP2001208518 A JP 2001208518A JP 2001208518 A JP2001208518 A JP 2001208518A JP 2003022049 A JP2003022049 A JP 2003022049A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EL pixel driving circuit which operates in stages that comprise a programming stage and a reproduction stage.
SOLUTION: The EL pixel driving circuit comprises a plurality of current paths each of which passes through the circuit, a current driven element, a transistor connected so as operatively to control the current supplied to the element, a capacitor connected for storing an operating voltage of the transistor during the programming stage, and switching means which control the current paths, and the arrangement is such that one of the current paths does not include the element. No current is applied to the current driven element by the current controlling transistor during the programming stage and thus the overall power consumption is reduced. Furthermore, the circuit can be operated from a normal supply voltage rather than requiring a high bias voltage. During the programming stage, the circuit uses a current sink rather than a current source.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、特に、駆動回路に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates in particular to a driving circuit. この駆動回路の1つの特徴的な用途として、有機エレクトロルミネッセンス装置の画素を駆動するための回路が挙げられる。 One characteristic application of the driving circuit, and a circuit for driving a pixel of an organic electroluminescent device. 【0002】 【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス(OE [0002] an organic electroluminescence (OE
L)素子は、アノード層とカソード層に挟まれた発光物質層を備えている。 L) element includes a luminescent material layer between the anode and cathode layers. この素子は、電気的には、ダイオードのように動作する。 This device, the electrical, operates like a diode. この素子は、光学的には、順バイアス時に発光し、順バイアス電流の増加にともなってその発光強度が増加する。 This device, the optical, fire when forward biased, its emission intensity increases with increasing forward bias current. 少なくとも1つの透明電極層を有しつつ透明基板上に作りこまれた有機エレクトロルミネッセンス素子のマトリクスを用いて、ディスプレイパネルを構築することが可能である。 Using a matrix of at least one transparent electrode layer an organic electroluminescent device which is built on a transparent substrate while having, it is possible to construct a display panel. 低温ポリシリコン薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)技術を用いることにより、このパネル上に、駆動回路をも一体的に設けることができる。 By using low-temperature polysilicon thin-film transistor (TFT) technology, this panel can also be provided integrally with the driving circuit. 【0003】アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の基本的なアナログ駆動方式では、原理的に、1画素につき少なくとも2つのトランジスタが必要である(図1)。 [0003] In a basic analog driving scheme for an active matrix organic electroluminescent display, in principle, it requires at least two transistors per pixel (Figure 1). T1は画素を選択し、 T1 selects a pixel,
T2は、データ電圧信号を、有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)を指定の輝度で発光させるための駆動電流に変換する。 T2 is a data voltage signal into a driving current for light emission with a luminance of the specified organic electroluminescent device (OELD). 前記データ信号は、画素が選択されていないときには、蓄積容量素子(storage capacito Wherein the data signal, when the pixel is not selected, the storage capacitor element (storage capacito
r)Cstorageに保存される。 Is stored in r) Cstorage. 各図には、Pチャンネル型の薄膜トランジスタが示されているが、Nチャンネル型薄膜トランジスタを用いた回路にも同じ原理が適用できる。 Each figure, P-channel type thin film transistor is shown, it is also subject to the same principle circuit using the N-channel type thin film transistor. 【0004】薄膜トランジスタアナログ回路には問題があり、また、有機エレクトロルミネッセンス素子はダイオードと全く同じように振る舞う訳ではない。 [0004] The TFT analog circuit has a problem, also, the organic electroluminescent device not behave exactly like the diode. しかし、 But,
発光物質は、比較的均一な特性を有する。 Luminescent material has a relatively uniform characteristics. 薄膜トランジスタ製造法に由来して、パネル全体には、薄膜トランジスタの特性に関する空間的なばらつきが生ずる。 It derived from the thin film transistor manufacturing method, the entire panel, the spatial variations caused on the properties of the thin film transistor. 薄膜トランジスタアナログ回路において最も重要な考慮すべき点の一つは、デバイス間におけるしきい値電圧△Vtのばらつきである。 One of the most important considerations in a TFT analog circuit is the variation in the threshold voltage △ Vt between devices. 完全にダイオード的な振る舞いを示さないことに起因する、このような有機エレクトロルミネッセンスディスプレイのばらつきの結果、ディスプレイパネル全体で画素の輝度が不均一になる。 Due to not fully exhibit diode behavior, the result of variations in the organic electroluminescent display, the brightness of the pixel becomes non-uniform across the display panel. これは著しく画像の品質を損なう。 This impairs the quality of significantly image. このため、トランジスタ特性のばらつきを補償するための組み込み回路が必要とされている。 Thus, incorporation circuit to compensate for variations in transistor characteristics is required. 【0005】図2に示す回路は、トランジスタ特性のばらつきを補償するための組み込み回路の1つとして挙げられる。 [0005] The circuit shown in FIG. 2 are given as one of the built-in circuit for compensating for variations in the transistor characteristics. この回路において、T1は画素を選択するためのものである。 In this circuit, T1 is for selecting a pixel. T2はアナログ電流制御として機能し、 T2 functions as an analog current control,
駆動電流を供給する。 Supplying a driving current. T3は、T2のドレイン及びゲート間を接続し、T2を、ダイオード又は飽和の状態に切り替える。 T3 connects between the drain of T2 and the gate, the T2, switches the state of the diode or saturated. T4はスイッチとして動作する。 T4 operates as a switch. T1とT4 T1 and T4
は、どの時点においても、どちらか一方のみがオンとなる。 Is at any one time, only one of is turned on. 初期状態では、T1及びT3がオフで、T4がオンである。 In the initial state, the T1 and T3 are turned off, T4 is ON. T4をオフにしたとき、T1及びT3がオンとなり、所定の(known)値の電流がT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)に流れ込むようにできる。 When you turn off the T4, T1 and T3 are turned on, current having a predetermined (known) value can be to flow into the organic electroluminescent device (OELD) through T2. T2のしきい値電圧がそのT2がダイオードとして動作している(T3がオン)状態で測定され、 Threshold voltage is running its T2 is a diode T2 (T3 on) is measured in the state,
このときプログラミング電流がT1及びT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子に流れ込むことができる。 In this case the programming current can flow into the organic EL element through the T1 and T2. これがプログラミングステージ(programming stag This is the programming stage (programming stag
e)である。 A e). T3は、T2のドレイン及びゲート間を短絡し、T2をダイオードの状態へと切り替える。 T3 is short-circuited between the drain and gate of T2, switches the T2 to the state of the diodes. T2で検出されるしきい値電圧は、T3及びT1がオフのとき、T2のゲート及びソース端子間に接続された容量素子C1に蓄積される。 Threshold voltage detected by T2 are, T3 and T1 is off is accumulated in the capacitor C1 connected between the gate of T2 and the source terminal. T4がオンになると、今度はVDD If the T4 is turned on, this time VDD
により電流が供給される。 Current is supplied by. 出力特性の勾配(slope)が平坦であれば、T2の検出されるしきい値電圧がどのような値であっても、リプロダクション電流(reproduced If flat slope of the output characteristic (slope) is, whatever value the threshold voltage to be detected in T2 is, Reproduction current (Reproduced
current)はプログラム電流と等しくなるであろう。 current) will be equal to the program current. T4 T4
をオンにすることにより、T2のドレイン−ソース間の電圧は引き上げられ、その結果、出力特性の平坦性によりリプロダクション電流がプログラム電流と等しく保たれる。 The by turning on, the drain of T2 - voltage between the source is raised, as a result, Reproduction current is kept equal to the programming current by the flatness of the output characteristics. 図2に示された△VT2 は、仮想的であって、現実のものではない点に注意してほしい。 Was △ VT2 that shown in FIG. 2 is a virtual, I want you to note that not a reality. 【0006】図2のタイミングチャートでt2からt5 [0006] from t2 in the timing chart of FIG. 2 t5
の範囲で示されるアクティブプログラミングステージにおいては、理論上、一定値の電流が供給される。 In an active programming stage, it is shown in a range of, theoretically, a current of a constant value is supplied. リプロダクションステージ(reproduction stage)はt6において開始する。 The reproduction stage (reproduction stage) starts at t6. 【0007】 【発明が解決しようとする課題】図2の回路は効果的であるが、依然として、電力消費の低減というニーズがある。 [0007] The present invention is to provide a circuit of FIG. 2 is effective, there is still a need of reducing the power consumption. 特に、図2の回路において電流源を提供するには、 In particular, to provide a current source in the circuit of Figure 2,
供給電圧VDDに加えてバイアス電圧VBIASが必要である。 In addition to the supply voltage VDD is required bias voltage VBIAS. 供給電圧VDDを、必要なバイアス電圧VBIASの分まで大きくすることもできる。 The supply voltage VDD, may be increased to the minute of the required bias voltage VBIAS. そうすれば構成要素の数を低減させる効果はあるが、いかなる値のデータ電流(I That way there is the effect of reducing the number of components, but the data current of any value (I
DAT)をプログラムする場合でも、システム全体の電力消費はやはり、増加してしまう。 Even when programming the DAT), the overall system power consumption again increases. 【0008】本発明では、図2の回路を通過する全ての電流が有機エレクトロルミネッセンス素子を通過するという事実に注目する。 [0008] In the present invention, all the current passing through the circuit of Figure 2 is focused on the fact that passes through the organic electroluminescent device. このことが本発明にとっていかに重要であるかは、以下の説明によって明らかになるであろう。 If this it is importance for the present invention will become apparent from the following description. 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明の第1の様態によれば、プログラミングステージ及びリプロダクションステージを有するステージにおいて動作する駆動回路であって、前記回路は、それぞれが前記回路を通過する複数の電流経路と、電流駆動素子と、前記素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、 According to a first aspect of the present invention, in order to solve the problems], a driving circuit that operates in a stage having a programming stage and the reproduction stage, the circuit, each said circuit a plurality of current paths through the current driven element, a transistor connected to operate for controlling the current supplied to the device,
プログラミングステージ中に前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記電流経路を制御するスイッチ手段とを有し、この回路構成(th It includes a capacitor connected for storing an operating voltage of the transistor during the programming stage, and switch means for controlling the current path, the circuit arrangement (th
e arrangement)では、前記電流経路の1つが前記素子を含まないこととする駆動回路が提供される。 In e arrangement The), one of said current path driving circuit to be free of the element is provided. 【0010】本発明の第2の様態によれば、EL(エレクトロルミネッセンス)装置の画素を駆動するための駆動回路であって、前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、前記回路は、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記プログラミングステージ中の動作時に、 According to a second aspect of the present invention, there is provided a driving circuit for driving a pixel of an EL (electro luminescence) device, the pixel includes an electroluminescent element, the circuit, the electroluminescent and a transistor connected to operate the control of the current supplied to the device, during the programming stage, and a capacitor which is connected for storing an operating voltage of said transistor, during operation in the programming stage,
前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1 The resulting current path through the transistor 1
のスイッチ手段と、リプロダクションステージ中の動作時に、前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段とを有し、前記第1スイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の電流経路が前記エレクトロルミネッセンス素子を通過しないように接続されていることとする駆動回路が提供される。 A switching means, during operation in the reproduction stage, and a second switching means for generating a current path through the transistor and the electroluminescent element, the first switching means, in said programming stage driving circuit to the current path is connected to not pass through the electroluminescent device is provided. 【0011】本発明の第3の様態によれば、エレクトロルミネッセンス装置の画素を駆動するための駆動回路であって、前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、前記回路は、前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、前記プログラミングステージ中の動作時に、前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1のスイッチ手段と、リプロダクションステージ中の動作時に、 According to a third aspect of the present invention, there is provided a driving circuit for driving a pixel of an electroluminescent device, the pixel includes an electroluminescent element, the circuit is supplied to the electroluminescence element and a transistor connected to operate the control of the current, during the programming stage, and a capacitor which is connected for storing an operating voltage of said transistor, during operation in the programming stage, through said transistor a first switch means for generating a current path, during the operation in the reproduction stage,
前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段と、電流シンク(current sink)とを有し、前記第1のスイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の電流経路が前記トランジスタを介して前期電流シンクへと通じるように接続されていることを特徴とする駆動回路が提供される。 A second switch means for generating said transistor and a current path passing through the electroluminescence element, and a current sink (current sink), said first switching means, a current path in said programming stage the driving circuit, characterized in that connected so as to communicate with the previous period current sink via a transistor is provided. 【0012】本発明の第4の様態によれば、エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、プログラミングステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過しない電流経路を提供するステップと、リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of controlling the current supply to the electroluminescent element, during the programming stage, the steps of providing a current path that does not pass through the electroluminescent element, Li during reproduction stage, the method comprising the steps of providing a current path through said electroluminescent device is provided. 【0013】本発明の第5の様態によれば、エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、プログラミングステージ中に、電流シンクへと接続された電流経路を提供するステップと、リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法が提供される。 According to a fifth aspect of the invention, there is provided a method of controlling the current supply to the electroluminescent element, during the programming stage, the steps of providing a current path connected to a current sink, Li during reproduction stage, the method comprising the steps of providing a current path through said electroluminescent device is provided. 【0014】本発明の第6の様態によれば、前記本発明の第1から第3の様態のいずれかに係る駆動回路を1つ又は2つ以上備えたエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, the electroluminescent display device from the first with the third one driving circuit according to one or more aspects of the present invention is provided. 【0015】本発明の第7の様態によれば、本発明の前記第6の様態に係るエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置を用いた電子機器が提供される。 According to a seventh aspect of the present invention, an electronic apparatus using the electro-luminescence display device according to the sixth aspect of the present invention is provided. 【0016】本発明の第8の様態によれば、電流駆動素子を有する回路であって、この回路は、前記電流駆動素子を含む第1の電流経路と、前記電流駆動素子を含まない第2の電流経路とを有する回路が提供される。 According to an eighth aspect of the invention, a circuit having a current driven element, the circuit has a first current path including the current driven element, the second not including the current driven element circuit having a current path is provided. 【0017】本発明の第9の様態によれば、電流駆動素子を有する回路であって、この回路は、前記電流駆動素子を通過する電流を流す第1の電流経路と、前記電流駆動素子を通過する電流を流さない第2の電流経路とを有する回路が提供される。 According to a ninth aspect of the invention, a circuit having a current driven element, the circuit has a first current path flowing a current through the current driven element, the current driving device circuit and a second current path passes no current passing through is provided. 本発明の第10の様態によれば、電流駆動素子と、前記電流駆動素子への電流供給を制御するトランジスタとを備えた回路を駆動する方法であって、所定の電流に基づいて前記トランジスタのゲート電圧を決定するステップを有する方法が提供される。 According to a tenth aspect of the present invention, a current driven element, a method for driving a circuit comprising a transistor for controlling current supply to the current driven element, the transistor based on a predetermined current comprising the step of determining a gate voltage is provided. 【0018】本発明によれば、プログラミングステージ中は、電流制御トランジスタによる、電流駆動素子への電流供給はないということに気づくであろう。 According to the invention, during the programming stage, by the current control transistor, will realize that no current supply to the current driven element. 本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、このエレクトロルミネッセンス装置によって表示される画像の質を損なうことなく、画素駆動回路を実現することができる。 In the electroluminescent device of the present invention is to provide a quality of an image displayed by the electroluminescent device, it is possible to realize a pixel driving circuit. 本発明では、プログラミングステージ及びリプロダクションステージにおいて、等しい電流が流されて従来技術に比べ、トータルな電力消費を低減させる効果をも有する。 In the present invention, during the programming stage and the reproduction stage, compared with the prior art it is flowed equal current also has an effect of reducing the total power consumption.
さらに、従来技術は高バイアスの電圧を必要としたのに対して、本発明の回路は、通常の供給電圧により動作させることができる。 Furthermore, the prior art with respect to that required a high bias voltage, the circuit of the present invention can be operated by a conventional supply voltage. 実際、本発明ではプログラミング電流の経路とリプロダクション電流の経路とを分けることができる。 In fact, the present invention can separate the paths of the path of the programming current and Reproduction current. これにより、多くの効果が得られる。 Accordingly, many advantages are obtained. 例えば、プログラミングステージにおいて、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流が無ければ、プログラミングステージをより高速に動作させることができる。 For example, in the programming stage, if there is no current passing through the organic EL element, it is possible to operate the programming stage faster. なぜならば、このような構成では、有機エレクトロルミネッセンス素子の寄生容量(parasitic capacitanc Because in such a configuration, parasitic capacitance of the organic electroluminescence element (parasitic capacitanc
e)により引き起こされる低速化を防止することができるからである。 This is because it is possible to prevent a slow caused by e). 【0019】 【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、さらに実例によって、添付の図面を参照しつつ説明する。 [0019] Embodiments of the embodiment of the present invention, further By way of example, with reference to the accompanying drawings. これらはあくまでも例示に過ぎない。 These are only illustrative purpose only. 【0020】本発明の第1の実施形態に係る画素駆動回路を図3に示す。 [0020] The pixel driving circuit according to a first embodiment of the present invention shown in FIG. トランジスタT2は、有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)への駆動電流を供給するアナログ電流コントローラとして動作する。 Transistor T2 operates the driving current to the organic electroluminescent device (OELD) as an analog current controller supplies. また、蓄積容量素子(ストレージキャパシタ)C1は、トランジスタT2のゲート及びソースの間に接続されている。 Also, the storage capacitor element (a storage capacitor) C1 is connected between the gate of the transistor T2 and the source. 図2 Figure 2
の回路においては、プログラミングステージ中に、電流源がトランジスタT1を経由してトランジスタT2のソースに接続され、そのため、有機エレクトロルミネッセンス素子に電流が供給される。 In the circuit of, during the programming stage, a current source is connected to the source of the transistor T2 via the transistor T1, therefore, current is supplied to the organic electroluminescent element. 本発明に係る本実施形態では、トランジスタT1は、プログラミングステージ中にトランジスタT2を電流シンクへと接続する。 In this embodiment of the present invention, the transistor T1 is connected during the programming stage transistor T2 to a current sink. つまり、本発明では、プログラミングステージ中にT2を介して有機エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流はゼロである。 That is, in the present invention, the current during the programming stage flows to the organic electroluminescence element via the T2 is zero. 図3の回路において、トランジスタT2のドレインは、トランジスタT3のソース−ドレイン経路を介して、トランジスタT1のソースに接続されている。 In the circuit of FIG. 3, the drain of the transistor T2, the source of the transistor T3 - through the drain path is connected to the source of the transistor T1. トランジスタT1のソースはトランジスタT2のゲートに接続され、トランジスタT1とT3のゲートは互いに接続されている。 The source of the transistor T1 is connected to the gate of the transistor T2, the gate of the transistor T1 and T3 are connected together. T1とT3のゲートには、プログラミング電圧Vpが印加される。 The gates of T1 and T3, the programming voltage Vp is applied. プログラミングステージ中オフにされるトランジスタT4は、T2のドレインとT3のソースを有機エレクトロルミネッセンス素子(OELD)に接続している。 Transistor is during the programming stage off T4 is connected to the source of the drain and T3 of T2 to the organic electroluminescent device (OELD). プログラミングステージ中、トランジスタT1は、トランジスタT2を、接地もしくは基準電圧に接続された電流シンクに接続する。 During programming stage, transistor T1, the transistor T2, it is connected to a current sink that is connected to a ground or reference voltage. 【0021】図3の回路は、プログラミングステージ中、T4がオフで、T1及びT3がオンの状態で動作する。 The circuit of Figure 3, during the programming stage, T4 is off, T1 and T3 are operated in a state of ON. オンの状態のT3は、T2をダイオードとして動作させる効果を有する。 T3 ON state, has the effect of operating the T2 as a diode. また、T1は、このダイオードをデータ電流シンクへと接続する。 Further, T1 connects this diode to the data current sink. その結果、容量素子C As a result, the capacitor C
1は蓄電(電荷の蓄積)する(又は、前フレーム中に蓄積された電圧に依存して放電する)。 1 stores electric (charge accumulation) (or discharges, depending on the stored voltage in the previous frame). 容量素子C1は、 Capacity element C1,
トランジスタT2のゲート−ソース間電圧に応じて蓄電し、その結果、リプロダクションステージ中に有機エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御することになる電圧(VGS2、データ電流IDATに対応)を蓄積する。 The gate of the transistor T2 - to power storage in accordance with the source voltage, as a result, the voltage that will control the current supply to the organic electroluminescent device in the reproduction stage accumulating (VGS2, corresponding to the data current IDAT). プログラミングステージの終了時に、T1及びT3 During the programming stage end, T1 and T3
はオフとなる。 It is turned off. このフレームの残りの期間のために、電圧VGS2がC1に蓄積される。 For the remainder of this frame, voltage VGS2 is stored in C1. 回路図及びこの説明から容易に理解されるように、本発明によれば、電流源を提供するためのバイアス電圧は特に必要ない。 As will be readily understood from the circuit diagram and this description, according to the present invention, the bias voltage for providing a current source is not particularly necessary. つまり、図3における供給電圧(VDD)は、T2及び有機エレクトロルミネッセンス素子により決定され、電流源の電力用の高電圧は特に必要ない。 That is, the supply voltage in FIG. 3 (VDD) is determined by T2 and organic electroluminescent device, a high voltage is not particularly necessary for the current source power. この回路に必要となる電圧は最大でも、明らかに、図2の回路において必要となる大きさよりも小さい。 At maximum voltage required for the circuit, obviously, smaller than the size required in the circuit of FIG. 【0022】T4がオフの状態にあるプログラミングステージ開始時には、デバイスを通じて放電される寄生容量現象を有機エレクトロルミネッセンス素子(OEL [0022] T4 is the time of starting programming stage in the off state, the organic electroluminescence device parasitic capacitance phenomena are discharged through a device (OEL
D)が示す。 D) is shown. C1の蓄電速度は、プログラミングステージにかかる時間を決定する。 Power storage speed of C1 determines the time required for programming stage. 本発明の実施形態の回路においては、C1の容量は比較的小さくすることができ、 In the circuit embodiment of the present invention, it is the capacity of C1 is relatively small,
そのため蓄電は非常に高速に行われる。 Therefore, power storage is very fast. その結果、T2 As a result, T2
から有機エレクトロルミネッセンス素子に電流が全く供給されない期間は、フレーム全体と較べると非常に短い。 Period current to the organic electroluminescence element is not at all supplied from a very short Compared with the entire frame. これらのことと人間の眼の残像効果とから、表示される画像には、認識可能な劣化は生じない。 And a residual image effect of these things and the human eye, the image displayed does not occur recognizable deterioration. 【0023】C1が蓄電されてT3がオフになった後、 [0023] After the C1 is power storage T3 is turned off,
T3のオフ抵抗は、このフレームの残り期間中、C1に印加された電圧に影響を与え得るので、T3のオフ抵抗が重要になることがある。 Off resistance of T3 during the remainder period of the frame, because it can affect the voltage applied to C1, sometimes off resistance of T3 can be important. そのため、T3のゲート−ソース間容量は、C1に比較して小さいことが望ましい。 Therefore, the gate of T3 - source capacitance is smaller it is preferable compared to C1. 【0024】リプロダクション電圧VRは、トランジスタT4のゲートに印加される。 [0024] The re-production voltage VR is applied to the gate of the transistor T4. 図3の回路における、リプロダクションステージの開始時には、T4はオンであり、T1及びT3はオフのままである。 In the circuit of FIG. 3, at the start of the reproduction stage, T4 is on and T1 and T3 remain off. その結果、T2 As a result, T2
は、C1によりバイアスされたVGS2により電流源として動作し、電流を有機エレクトロルミネッセンス素子に供給する。 Operates as a current source by VGS2 biased by C1, it supplies a current to the organic electroluminescence element. リプロダクションステージの終了時には、T At the end of the reproduction stage, T
4はオフにされ、T1及びT3はオフのままとどまる。 4 is turned off, T1 and T3 remain remains off.
これにより1つのサイクルが終了する。 This one cycle is completed. この駆動波形は、図3に示されている。 This driving waveform is illustrated in Figure 3. 【0025】図4は、本発明に係る第2の実施形態を示している。 FIG. 4 shows a second embodiment according to the present invention. 図4の回路は、トランジスタT3の接続形態が図3の回路と異なっている。 The circuit of FIG. 4, the connection form of the transistor T3 is different from the circuit of FIG. 図4の回路では、T1はT3のドレイン−ソース経路を経由してC1に接続されている。 In the circuit of FIG. 4, T1 the drain of T3 - is connected to C1 via the source path. 図4の回路は、プログラミングステージ中にT The circuit of FIG. 4, T during the programming stage
3が電流経路上に位置していないという点で図3の回路よりも好ましい。 3 is preferred over the circuit of Figure 3 in that not located on the current path. それ以外の動作及び効果の点では、第2の実施形態は第1の実施形態と同じである。 In terms of other operation and effects of the second embodiment is the same as the first embodiment. 【0026】図5は、アクティブマトリックスディスプレイにおける多数の画素を示す回路図である。 [0026] FIG. 5 is a circuit diagram showing a number of pixels in an active matrix display. 各画素は、図4に示された回路に合わせて実現されている。 Each pixel is realized in accordance with the circuit shown in FIG. 図示を簡単にするために、モノクロのディスプレイ装置が示されている。 For ease of illustration, a monochrome display device is shown. この回路はアクティブマトリクス型のものなので、同じ行(row)の画素は、同時に選択される。 Since this circuit, such as an active matrix type, pixels in the same row (row) is selected simultaneously. トランジスタT3が、画素の選択を担っている。 Transistor T3, is responsible for the selection of the pixel. そのため、T3のソース端子は画素の列(column)によって共有される電流データ線に接続されている。 Therefore, the source terminal of T3 is connected to the current data line shared by a column of pixels (column). このため、T3の漏れ電流は最小に抑える必要がある。 For this reason, leakage current of T3 should be kept to a minimum. T1にマルチゲートストラクチャ(multi−gate structure) T1 to multi-gate structure (multi-gate structure)
を使用することにより、確実に漏れ電流を最小化することができる。 By using, it can be minimized reliably leakage current. マルチゲートストラクチャに加えて、LD In addition to the multi-gate structure, LD
D構造を使用することにより、さらに漏れ電流を減少させることができる。 By using D structure, it is possible to further reduce the leakage current. 【0027】図6は、ある有機エレクトロルミネッセンス素子装置における画素駆動回路の実装状態を表す模式的断面図である。 [0027] FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a mounting state of the pixel drive circuit in a certain organic electroluminescent device unit. 図6において、符号132は正孔注入層を示し、符号133は有機エレクトロルミネッセンス層を示し、符号151は抵抗もしくは分離体を示す。 6, reference numeral 132 denotes a hole injection layer, reference numeral 133 denotes an organic EL layer, reference numeral 151 denotes a resistor or separator. スイッチング薄膜トランジスタ121及びnチャンネル型の電流薄膜トランジスタ(current thin film transist Switching thin film transistor 121 and the n-channel type current thin film transistor (current thin film transist
or)122には、例えば公知の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置などにおいて使用されるような、トップゲートストラクチャ(top-gate structure)や最高温度が摂氏600度以下の製造方法などの、低温ポリシリコン薄膜トランジスタに通常使用される構造及び方法を採用する。 The or) 122, for example as used in such known thin film transistor liquid crystal display device, a top-gate structure (top-gate structure) and the maximum temperature, such as the following manufacturing method 600 degrees Celsius, typically in a low-temperature polysilicon thin film transistor adopting the structures and methods used. しかし、その他の構造や方法なども使用可能である。 However, other structures and methods may also be used. 【0028】正置(forward oriented)有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ素子131は、アルミニウム製画素電極115、ITO製の対向する電極116、 [0028] Sei置 (forward oriented) organic electroluminescence display element 131, aluminum pixel electrodes 115, ITO made of the opposing electrode 116,
正孔注入層132、及び有機エレクトロルミネッセンス層133から構成される。 Hole injection layer 132, and an organic electroluminescent layer 133. 正置有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ素子131において、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の電流の向きは、I In positive oriented organic EL display element 131, the direction of current of the organic electroluminescent display device, I
TO製の対向する電極116からアルミニウム製画素電極115への向きに設定することができる。 Can be set from the TO made of opposing electrodes 116 in the direction of the aluminum pixel electrodes 115. 【0029】正孔注入層132及び有機エレクトロルミネッセンス層は、抵抗151を画素間の分離構造体として利用しつつ、インクジェット式印字方法により形成することができる。 The hole injection layer 132 and the organic electroluminescent layer, a resistance 151 while using as a separating structure between the pixels, can be formed by an ink jet printing method. ITO製の対向する電極116は、スパッタリングにより形成することができる。 Electrode 116 facing made of ITO may be formed by sputtering. しかし、これらの構成要素すべてを形成するために、これ以外の方法を用いることも可能である。 However, in order to form all of these components, it is also possible to use other methods. 【0030】本発明を用いたディスプレイパネル全体の典型的なレイアウトを図7に模式的に示す。 [0030] The typical layout of the entire display panel using the present invention is schematically shown in FIG. このパネルは、アナログ電流プログラム式画素を有するアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス素子20 This panel is an active matrix organic electroluminescent device 20 having an analog current programmed pixel
0、レベルシフタを有する一体化(integrated)薄膜トランジスタ走査ドライバ210、フレキシブルTABテープ220、及び一体化RAM/コントローラ(integr 0, integrated with a level shifter (integrated) TFT scanning driver 210, a flexible TAB tape 220 and integrated RAM / controller, (integr
ated RAM/controller)付き外部アナログドライバLS ated RAM / controller) with external analog driver LS
I230から構成される。 It consists of I230. もちろんこれは、本発明を利用して実現可能なパネル構成の一例に過ぎない。 Of course this is only one example of possible panel constructed using the present invention. 【0031】有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の構造は、上記のものに限定されるものではない。 The structure of the organic electroluminescent display device is not limited to those described above. その他の構造も適用可能である。 Other structures are also applicable. 【0032】例えば図3の回路を参照すると、本発明ではデータ電流源を(この例では有機エレクトロルミネッセンス素子に)提供していることが解る。 Referring to the circuit of FIG. 3, for example, a data current source in the present invention (the organic electroluminescence element in this example) it can be seen that to offer. この回路は、 This circuit,
容易に、増幅された及び/又は複数レベルの(電流)出力を提供するように拡張することができる。 Easily it can be extended to provide a (current) output of the amplified and / or multiple levels. そのような回路の原理は、図8を参照しつつ理解することができる。 The principle of such a circuit can be understood with reference to FIG. 図8の回路は、図3の回路に加えて、追加の駆動トランジスタT5及び追加のスイッチングトランジスタT Circuit of Figure 8, in addition to the circuit of FIG. 3, additional drive transistor T5 and an additional switching transistor T
6を有する。 With a 6. T5のソースは、VDDに接続されており、 T5 source of is connected to VDD,
そのゲートには、トランジスタT2のゲートと同じ駆動電圧信号が印加される。 Its gate, the same drive voltage signal to the gate of the transistor T2 is applied. トランジスタT5のドレインはトランジスタT6のドレインと直列に接続されており、 The drain of the transistor T5 is connected to the drain in series with the transistor T6,
T6のソースはトランジスタT2、T3、及びT4の共通接続箇所に接続されている。 T6 source is connected to the common connection point of the transistors T2, T3, and T4. トランジスタT6のゲートはトランジスタT4のゲートに接続されている。 The gate of the transistor T6 is connected to the gate of the transistor T4. トランジスタT2の特性がW/Lであり、トランジスタT5 Characteristics of the transistor T2 is W / L, the transistor T5
の特性が(N−1)W/Lとなるように選択されると仮定される場合は、以下のような電流の増幅が得られる。 If the characteristics of (N-1) is assumed to be selected such that the W / L is obtained amplification such as the following current. Iout=Iin×N Iinは電流シンクを流れる電流、すなわち図3及び図4 Iout = Iin × N Iin is the current through the current sink, i.e. 3 and 4
におけるIDATである。 It is a IDAT in. Ioutは有機エレクトロルミネッセンス素子を流れる電流である。 Iout is the current through the organic electroluminescence element. そのため、図8の回路を使用すると、図3及び図4の回路と比較して、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流は等しく保ちつつ、IDATの値を低減させることができる。 Therefore, by using the circuit of Figure 8, as compared with the circuit of FIG. 3 and FIG. 4, the current passing through the organic electroluminescent device while maintaining equal, it is possible to reduce the value of IDAT. IDATの値を低減させることにより、回路の動作速度を増加させる効果を奏する。 By reducing the value of IDAT, the effect of increasing the operating speed of the circuit. また、IDATの値を低減させることにより、画素マトリクスを通過する間に発生する伝送損失を低減させるという効果も奏する。 Moreover, by reducing the value of IDAT, also Kanade effect of reducing the transmission loss generated while passing through the pixel matrix. この効果は、大型ディスプレイパネルに関しては特に重要である。 This effect is particularly important with respect to large-sized display panel. 【0033】もちろん、追加のトランジスタT5及びT [0033] Of course, additional transistors T5 and T
6からなる回路の段をさらに追加することもできる。 Furthermore it is also possible to add a circuit stage consisting of 6. 図9に(A、Bなどで)示すように、直列接続され、それぞれ個別のゲート駆動信号を受信するスイッチングトランジスタT6によって、有機エレクトロルミネッセンス素子を通過する様々な電流値を選択することができる。 As shown in FIG. 9 (A, B, etc.), connected in series, by a respective switching transistor T6 for receiving a separate gate drive signals, it is possible to select various current passing through the organic electroluminescent device.
その結果、出力光の輝度を様々に指定することができる。 As a result, it is possible to variously specify the brightness of the output light. 【0034】図3乃至図9に示した回路は、薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタ)技術を用いて実現することが好ましく、最も好ましくはポリシリコン薄膜トランジスタである。 The circuit shown in FIGS. 3 to 9 is preferably implemented using a thin film transistor (TFT) technology, most preferably poly silicon thin film transistor. 【0035】本発明は、携帯電話、コンピュータ、CD [0035] The present invention is, mobile phone, computer, CD
プレーヤー、DVDプレーヤーなどの小型の、携帯電子機器に対して特に有効である。 Player, a small, such as a DVD player, is particularly effective for portable electronic devices. もちろんこれらに限られるものではない。 Of course the present invention is not limited to these. 【0036】上述の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置を使用した電子機器について幾つか以下に説明する。 [0036] will be described below some electronic apparatuses using the above organic electroluminescent display device. 【0037】<1:モバイルコンピュータ>上述の実施形態のうちの1つによるディスプレイ装置を適用したモバイルパーソナルコンピュータの例について次に説明する。 [0037]: Next will be described an example of <1 Mobile Computer> mobile personal computer to which the display device according to one of the embodiments described above. 【0038】図10は、このパーソナルコンピュータの構成を表す等角投影図である。 [0038] FIG. 10 is an isometric view illustrating the configuration of this personal computer. 図中、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を含む本体11 In the figure, the personal computer 1100 includes a main body 11 including a keyboard 1102
04、及びディスプレイユニット1106を備える。 04, and a display unit 1106. このディスプレイユニット1106は、本発明により製造されたディスプレイパネルを用いて上述の様に実現されている。 The display unit 1106 is implemented as described above using a display panel fabricated according to the present invention. 【0039】<2:携帯電話>次に、携帯電話のディスプレイ部分に本発明のディスプレイ装置を適用した例について説明する。 [0039] <2: Mobile Phone> Next, an example of applying the display device of the present invention will be described on the display portion of the mobile phone. 図11は、この携帯電話の構成を表す等角投影図である。 Figure 11 is an isometric view illustrating the structure of the cellular phone. 図中、携帯電話1200は、複数の操作キー1202、スピーカ1204、マイク120 In the figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation keys 1202, a speaker 1204, a microphone 120
6、及びディスプレイパネル100を備える。 6, and a display panel 100. このディスプレイパネル100は、本発明により製造されたディスプレイパネルを用いて上述の様に実現されている。 The display panel 100 is implemented as described above using a display panel fabricated according to the present invention. 【0040】<3:デジタルスチルカメラ>次に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置をファインダーとして用いたデジタルスチルカメラについて説明する。 [0040] <3: Digital Still Camera> Next, a description will be given digital still camera using an organic electroluminescent display device as a finder. 図12はこのデジタルスチルカメラの構成、及び外部装置への接続の概要を表す等角投影図である。 Figure 12 is an isometric view illustrating the outline of the configuration of the digital still camera and the connection to external devices. 【0041】通常のカメラは、被写体の光学画像をフィルムに感光させるが、デジタルスチルカメラ1300 The ordinary camera, but to expose the optical image of a subject on a film, digital still camera 1300
は、例えば、電荷結合素子(CCD)を用いて光電変換により、被写体の光学画像から画像信号を生成する。 It is, for example, by photoelectric conversion using a charge-coupled device (CCD), to generate an image signal from an object optical image. このデジタルスチルカメラ1300は、ケース1302の後面に、CCDからの画像信号に基づき表示を行う有機エレクトロルミネッセンス素子100を備える。 The digital still camera 1300, on a rear surface of the case 1302 includes an organic electroluminescent device 100 for displaying based on the image signals from the CCD. そのため、このディスプレイパネル100は、被写体を表示するファインダーとして機能する。 Therefore, the display panel 100 functions as a finder for displaying a subject. 光学レンズ及びCCD Optical lenses and CCD
を有する受光ユニット(photo acceptance unit)13 Receiving unit having a (photo acceptance unit) 13
04が、ケース1302の前面(図の後方)に備わっている。 04 resides in the front of the case 1302 (the rear of the drawing). 【0042】撮影者が有機エレクトロルミネッセンス素子パネル100に表示された被写体画像を決定し、シャッターを開放するとCCDからの画像信号が伝送され、 The photographer determines an object image displayed on the organic electroluminescence element panel 100, the image signal from the CCD when opening the shutter are transmitted,
回路基板1308内のメモリに保存される。 It is stored in a memory in the circuit board 1308. このデジタルスチルカメラ1300では、ケース1302の側面にビデオ信号出力端子1312及びデータ通信用入出力端子1314が設けられている。 In the digital still camera 1300, video signal output terminals 1312 and a data communications input-output terminal 1314 are provided on the side surface of the case 1302. 図に示されているように、必要に応じて、TVモニタ1430及びパーソナルコンピュータ1440を、それぞれ、ビデオ信号端子1 As shown, if desired, the TV monitor 1430 and the personal computer 1440, respectively, the video signal terminal 1
312及び入出力端子1314に接続する。 Connecting to 312 and the input-output terminal 1314. 所定の操作により、回路基板1308のメモリに保存された画像信号が、TVモニタ1430及びパーソナルコンピュータ1440への出力となる。 By a predetermined operation, the image signal stored in the memory of the circuit board 1308, and output to the TV monitor 1430 and the personal computer 1440. 【0043】図10に示したパーソナルコンピュータ、 The personal computer shown in FIG. 10,
図11の携帯電話、及び図12のデジタルスチルカメラ以外の電子機器の例としては、有機エレクトロルミネッセンス素子TVセット、ビューファインダー式及びモニタリング式のビデオテープ録画器、カーナビゲーションシステム、ポケットベル(登録商標)、電子ノート、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、TV電話、POSシステム端末、及びタッチパネル付きデバイス等が挙げられる。 Mobile phone 11, and examples of electronic devices other than the digital still camera in FIG. 12, the organic electroluminescence device TV sets, viewfinder-type and monitoring-type video tape recording apparatus, a car navigation system, a pager (R ), an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, TV phone, POS system terminal, and the touch-panel-equipped device, and the like. 無論、上述の有機エレクトロルミネッセンス装置はこれらの電子機器のディスプレイ部分に適用可能である。 Of course, the organic electroluminescence device described above is applicable to the display portion of these electronic devices. 【0044】本発明の駆動回路は、ディスプレイユニットの画素内に配置するのみならず、ディスプレイユニット外に配置することも可能である。 The driving circuit of the present invention not only disposed in a pixel of the display unit, it is also possible to arrange the outside of the display unit. 【0045】前述の説明では、本発明の駆動回路は種々のディスプレイ装置を例として説明した。 [0045] In the above description, the driving circuit of the present invention has been described as an example of various display devices. 本発明の駆動回路の用途は、ディスプレイ装置にとどまらず、例えば、磁気抵抗RAM、容量センサ(capacitance senso Application of the driving circuit of the present invention is not limited to a display device, for example, magnetoresistive RAM, a capacitive sensor (Capacitance senso
r)、電荷センサ(charge sensor)、DNAセンサ、暗視カメラ、及びその他多くの装置なども含まれる。 r), charge sensor (charge sensor), DNA sensor, are also included, such as night vision cameras, and many other devices. 【0046】図13は、本発明の駆動回路の磁気RAM [0046] Figure 13 is a magnetic RAM of the drive circuit of the present invention
への応用を示している。 Shows the application to. 図13では、磁気ヘッドを符号MHで示している。 13 shows a magnetic head by the reference numeral MH. 【0047】図14は、本発明の駆動回路の磁気抵抗素子への応用を示している。 [0047] Figure 14 illustrates the application of the magnetoresistive element of the drive circuit of the present invention. 図14では、磁気ヘッドを符号MHで、磁気レジスタを符号MRで示している。 In Figure 14, the magnetic head by the reference numeral MH, shows a magnetic register code MR. 【0048】図15は、本発明の駆動回路の容量センサ、又は電荷センサへの応用を示している。 [0048] Figure 15 illustrates the application of capacitive sensor of the drive circuit of the present invention, or to the charge sensor. 図15では、センス容量素子(sense capacitor)を符号Csense In Figure 15, the sense capacitance element (sense Capacitor) code Csense
で示している。 It is indicated by. 図15の回路は、指紋センサやDNAなどこの他の用途にも応用可能である。 Circuit of Figure 15 is also applicable to the other applications, such as a fingerprint sensor or DNA. 【0049】図16は、本発明の駆動回路の暗視カメラへの応用を示している。 [0049] Figure 16 shows an application to a night vision camera of the driving circuit of the present invention. 図16では、光伝導体を符号R In Figure 16, the photoconductor symbols R
で示している。 It is indicated by. 【0050】上述の特定された説明において示された実施形態では、各トランジスタはpチャンネル型トランジスタとして示された。 [0050] In the embodiment shown in identified above description, the transistors have been shown as p-channel transistors. このことは本発明の限定的要素ではない。 This is not a limiting element of the present invention. 例えば、図17は、図4の回路の変形例の簡単な概要を示したものである。 For example, Figure 17 shows a brief overview of a modification of the circuit of FIG. 図17の回路では、駆動トランジスタをpチャンネル型のままとした以外、nチャンネル型のトランジスタを使用している。 In the circuit of Figure 17, except that the driving transistor was left p-channel type, using n-channel type transistor. 【0051】図3から図16までに関して説明された構成には、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更や改良が可能であることが当業者には明らかであろう。 [0051] The described arrangements with respect to FIGS. 3 to 16, without departing from the scope of the present invention, that various changes and modifications will be apparent to those skilled in the art.

【図面の簡単な説明】 【図1】 2個のトランジスタを使用した、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子画素駆動回路を示している。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS was used [1] two transistors, shows a conventional organic electroluminescent device pixel drive circuit. 【図2】 しきい値電圧補償機能を有する、公知の電流プログラム式有機エレクトロルミネッセンス素子駆動回路を示している。 [Figure 2] having a threshold voltage compensation function shows a known current programmed organic electroluminescent element driving circuit. 【図3】 本発明の第1の実施形態による画素駆動回路を示している。 Shows a pixel driving circuit according to a first embodiment of the present invention; FIG. 【図4】 本発明の第2の実施形態による画素駆動回路を示している。 Shows a pixel driving circuit according to a second embodiment of the present invention; FIG. 【図5】 マトリックス状ディスプレイにおける複数の画素を示している。 5 shows a plurality of pixels in a matrix display. 各画素は図4の回路を使用している。 Each pixel uses the circuit in Figure 4. 【図6】 本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子及び画素駆動回路の実装状態を示す模式的断面図である。 6 is a schematic sectional view showing a mounted state of the organic electroluminescence element and a pixel driving circuit according to an embodiment of the present invention. 【図7】 本発明による有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの概略平面図である。 7 is a schematic plan view of an organic electroluminescent display panel according to the present invention. 【図8】 本発明による画素駆動回路の別の実施形態を示している。 Shows another embodiment of a pixel driving circuit according to the present invention; FIG. 【図9】 本発明による画素駆動回路の別の実施形態を示している。 Shows another embodiment of a pixel driving circuit according to the present invention; FIG. 【図10】 本発明の画素駆動回路を有するディスプレイ装置を使用したモバイルパーソナルコンピュータの模式図である。 It is a schematic diagram of a mobile personal computer using a display device having a pixel driver circuit of the present invention; FIG. 【図11】 本発明の画素駆動回路を有するディスプレイ装置を使用した携帯電話の模式図である。 11 is a schematic view of a cellular phone using a display device having a pixel driver circuit of the present invention. 【図12】 本発明の画素駆動回路を有するディスプレイ装置を使用したデジタルカメラの模式図である。 12 is a schematic diagram of a digital camera using a display device having a pixel driver circuit of the present invention. 【図13】 本発明の駆動回路の磁気RAMへの応用を示している。 [Figure 13] shows the application to the magnetic RAM of the drive circuit of the present invention. 【図14】 本発明の駆動回路の磁気抵抗素子への応用を示している。 [Figure 14] shows the application to the magnetoresistive element of the drive circuit of the present invention. 【図15】 本発明の駆動回路の容量センサ又は電荷センサへの応用を示している。 15 shows an application to a capacitive sensor or a charge sensor driving circuit of the present invention. 【図16】 本発明の駆動回路の暗視カメラへの応用を示している。 16 illustrates the application to a night vision camera of the driving circuit of the present invention. 【図17】 図4の回路の変形例の概要を簡単に示している。 Description of a modification of the circuit of FIG. 17 FIG. 4 is a simplified view. 【符号の説明】 T1、T2、T3、T4 トランジスタC1 蓄積容量VP プログラム電圧VDD 供給電圧IDD データ電流VR リプロダクション電圧132 正孔注入層133 有機エレクトロルミネッセンス層151 抵抗121 スイッチング薄膜トランジスタ122 nチャンネル型電流薄膜トランジスタ131 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ115、116 画素電極200 アクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス素子210 薄膜トランジスタスキャンニングドライバ220 フレキシブルTABテープ230 外部アナログドライバ1100 パーソナルコンピュータ1200 携帯電話1300 デジタルスチルカメラ [Reference Numerals] T1, T2, T3, T4 transistors C1 storage capacitor VP program voltage VDD supply voltage IDD data current VR Reproduction voltage 132 hole injection layer 133 organic EL layer 151 resistor 121 switching thin film transistor 122 n-channel type current thin film transistor 131 organic electroluminescent display 115 pixel electrode 200 an active matrix organic electroluminescent device 210 TFT scanning driver 220 flexible TAB tape 230 an external analog driver 1100 PC 1200 mobile phone 1300 digital still camera

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 プログラミングステージ(programming [Claims 1] programming stage (programming
    stage)及びリプロダクションステージ(reproduction stage) and the reproduction stage (reproduction
    stage)を有するステージにおいて動作する駆動回路であって、 前記回路は、 それぞれが前記回路を通過する複数の電流経路と、 電流駆動素子と、 前記電流駆動素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、 プログラミングステージ中に前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、 前記電流経路を制御するスイッチ手段とを備え、 この回路構成(the arrangement)では、前記電流経路の1つが前記電流駆動素子を含まないことを特徴とする駆動回路。 A driving circuit that operates in a stage having a Stage), the circuit is operated a plurality of current paths, each of which passes through the circuit, a current driven element, for controlling the current supplied to the current driven element comprising a transistor connected in order to, a capacitance element connected for storing an operating voltage of the transistor during the programming stage, and switch means for controlling the current path, in the circuit arrangement (the arrangement the), a drive circuit one of the current path is characterized by not including the current driven element. 【請求項2】 EL(エレクトロルミネッセンス)装置の画素を駆動するための駆動回路であって、 前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、 前記回路は、 前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、 プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、 前記プログラミングステージ中の動作時に、前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1のスイッチ手段と、 リプロダクションステージ中の動作時に、前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段とを有し、 前記第1スイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の前記電流経路が前記 2. A driving circuit for driving a pixel of an EL (electro luminescence) device, the pixel includes an electroluminescent element, wherein the circuit, for controlling the current supplied to the electroluminescent element and a transistor connected to operate, during the programming stage, and a capacitor which is connected for storing an operating voltage of said transistor, during operation in the programming stage, thereby producing an electrical current path through the transistor a first switch means, in operation in the reproduction stage, and a second switching means for generating a current path through the transistor and the electroluminescent element, the first switching means, said programming stage wherein the current path in the レクトロルミネッセンス素子を通過しないように接続されていることを特徴とする駆動回路。 Driving circuit, characterized in that connected to not pass through the recto b ELEMENT. 【請求項3】 エレクトロルミネッセンス装置の画素を駆動するための駆動回路であって、前記画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し、 前記回路は、 前記エレクトロルミネッセンス素子に供給される電流の制御用に動作すべく接続されたトランジスタと、 プログラミングステージ中に、前記トランジスタの動作電圧を蓄積するために接続された容量素子と、 前記プログラミングステージ中の動作時に、前記トランジスタを通過する電流経路を生じさせる第1のスイッチ手段と、 リプロダクションステージ中の動作時に、前記トランジスタ及び前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を生じさせる第2のスイッチ手段と、 電流シンクとを有し、 前記第1のスイッチ手段は、前記プログラミングステージ中の前記電流経 3. A drive circuit for driving a pixel of an electroluminescent device, the pixel includes an electroluminescent element, the circuit, operates to control the current supplied to the electroluminescent element and a transistor connected to, during the programming stage, and a capacitor which is connected for storing an operating voltage of said transistor, during operation in the programming stage, a first generating a current path through the transistor and switching means, during operation in the reproduction stage, and a second switch means for producing a current path through the transistor and the electroluminescent element, and a current sink, said first switch means, said the current through in the programming stage が前記トランジスタを介して前期電流シンクへと通じるように接続されていることを特徴とする駆動回路。 There driving circuit, characterized in that connected so as to communicate with the previous period current sink through the transistor. 【請求項4】 請求項2又は3のいずれかに記載の駆動回路において、前記第1及び第2のスイッチ手段は、それぞれ互いに独立した制御信号により制御されることを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to any one of claims 4] according to claim 2 or 3, wherein the first and second switching means, the drive circuit being controlled by a control signal independent of each other, respectively. 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の駆動回路であって、さらに、前記プログラミングステージ中に前記トランジスタをダイオードとして動作させるべくバイアス(bias)するように接続された第3のスイッチ手段を有する駆動回路。 5. A drive circuit according to any one of claims 1 to 4, further, the said transistor in said programming stage is connected to a bias (bias) in order to operate as a diode driving circuit having a third switching means. 【請求項6】 請求項5に記載の駆動回路において、前記第3のスイッチ手段は、前記第1のスイッチ手段を前記トランジスタのソース−ドレイン電流経路に接続することを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to 6. The method of claim 5, wherein the third switching means, said first switch means the source of the transistor - driving circuit, characterized in that connected to the drain current path. 【請求項7】 請求項5に記載の駆動回路において、前記第3のスイッチ手段は、前記第1のスイッチ手段を前記トランジスタのゲートに接続することを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to claim 7 claim 5, wherein the third switching means, driving circuit, characterized by connecting said first switching means to the gate of the transistor. 【請求項8】 請求項2乃至7のいずれかに記載の駆動回路において、前記トランジスタと並列に追加のトランジスタが接続され、追加スイッチ手段が前記トランジスタ及び前記追加トランジスタの双方のドレイン間を接続し、前記追加トランジスタのゲートは前記トランジスタのゲートに接続されていることを特徴とする駆動回路。 8. The drive circuit according to any one of claims 2 to 7, wherein the transistor and the additional transistor in parallel connected, additional switching means connected between the drain of both the transistors and the additional transistors the gate of the additional transistor drive circuit, characterized in that connected to the gate of the transistor. 【請求項9】 請求項8に記載の駆動回路において、それぞれ追加スイッチ手段を有する複数の追加のトランジスタを有し、各追加トランジスタ及び追加スイッチ手段は前述の様に(as aforesaid)接続され、前記追加スイッチ手段は互いに直列に接続されていることを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to claim 9 to claim 8, each having a plurality of additional transistor having an additional switching means, each additional transistor and additional switching means is as described previously (as aforesaid) connection, the driving circuit additional switching means, characterized in that it is connected in series with each other. 【請求項10】 先行する各請求項のいずれかに記載の駆動回路において、前記回路は、ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて実現されていることを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to any one of claims 10] Each the preceding claims, wherein the circuit, a drive circuit, characterized in that it is implemented using poly-silicon thin film transistor. 【請求項11】 エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、 プログラミングステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過しない電流経路を提供するステップと、 リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法。 11. A method of controlling the current supply to the electroluminescent element, during the programming stage, the steps of providing a current path that does not pass through the electroluminescent element during the reproduction stage, the electroluminescence element method comprising the steps of providing a current path through the. 【請求項12】 エレクトロルミネッセンス素子への電流供給を制御する方法であって、 プログラミングステージ中に、電流シンクへと接続された電流経路を提供するステップと、 リプロダクションステージ中に、前記エレクトロルミネッセンス素子を通過する電流経路を提供するステップとを有する方法。 12. A method of controlling the current supply to the electroluminescent element, during the programming stage, the steps of providing a current path connected to a current sink, in the reproduction stage, the electroluminescence element method comprising the steps of providing a current path through the. 【請求項13】 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の駆動回路を1つ又は2つ以上備えたエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置。 13. electroluminescent display device comprising one or more drive circuit according to any one of claims 1 to 10. 【請求項14】 請求項13に記載のエレクトロルミネッセンスディスプレイ装置を用いた電子機器。 14. An electronic device using an electroluminescent display device according to claim 13. 【請求項15】 請求項5に記載の駆動回路において、 15. The drive circuit according to claim 5,
    前記第3のスイッチ手段は、前記容量素子と前記第1のスイッチ手段との間に配置されていることを特徴とする駆動回路。 It said third switching means, driving circuit, characterized by being disposed between the capacitive element and the first switching means. 【請求項16】 請求項1乃至10のいずれかに記載の駆動回路において、前記トランジスタは、pチャンネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする駆動回路。 The driving circuit according to any one of claims 16] claims 1 to 10, wherein the transistor is a driving circuit, which is a p-channel thin film transistor. 【請求項17】 請求項5に記載の駆動回路において、 17. The drive circuit according to claim 5,
    前記第1、第2、及び第3のスイッチ手段は、それぞれnチャンネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする駆動回路。 It said first, second, and third switching means, driving circuit, which is a n-channel thin film transistor, respectively. 【請求項18】 電流駆動素子を有する回路であって、 この回路は、 前記電流駆動素子を含む第1の電流経路と、 前記電流駆動素子を含まない第2の電流経路とを有する回路。 18. A circuit having a current driven element, the circuit is a circuit having a first current path including the current driven element, and a second current path not including the current driven element. 【請求項19】 電流駆動素子を有する回路であって、 この回路は、 前記電流駆動素子に電流が流れる第1の電流経路と、 前記電流駆動素子に電流が流れない第2の電流経路とを有する回路。 19. A circuit having a current driven element, the circuit has a first current path in which a current flows to the current driven element, and a second current path a current does not flow through the current-driven elements circuit having. 【請求項20】 請求項18又は請求項19のいずれかに記載の回路であって、さらに、前記電流駆動素子に供給される電流を制御するためのトランジスタを有する回路。 20. A circuit according to claim 18 or claim 19, further circuit having a transistor for controlling the current supplied to the current driven element. 【請求項21】 請求項20に記載の回路において、前記第2の電流経路は、この第2の電流経路が電源に接続可能となるように配置されていることを特徴とする回路。 In the circuit according to 21. The method of claim 20, wherein the second current path, circuit, characterized in that the second current path is arranged so as to be connected to a power source. 【請求項22】 請求項20に記載の回路において、前記第2の電流経路は、さらに、第1のスイッチ手段を有することを特徴とする回路。 In the circuit according to 22. The method of claim 20, wherein the second current path further, circuit characterized in that it comprises a first switch means. 【請求項23】 請求項20に記載の回路において、前記第2の電流経路は、前記トランジスタ及び、このトランジスタを通過する電流の流れを決定する別のトランジスタのうち少なくとも一つを有することを特徴とする回路。 23. The circuit of claim 20, wherein the second current path, said transistor and, characterized by at least one of the further transistor which determines the flow of current through the transistor circuit to be. 【請求項24】 請求項20に記載の回路であって、さらに、前記トランジスタのゲートに接続された容量素子を有する回路。 24. A circuit according to claim 20, further circuit having a capacitive element connected to the gate of the transistor. 【請求項25】 請求項24に記載の回路であって、さらに、前記電流駆動素子と前記トランジスタとの間に配置された第2のスイッチ手段を有する回路。 25. The circuit of claim 24, further circuit having a second switching means disposed between the current driven element and the transistor. 【請求項26】 請求項25に記載の回路であって、さらに、前記第1のスイッチ手段と前記容量素子との間に配置された第3のスイッチ手段を有する回路。 26. A circuit according to claim 25, further circuit having a third switching means disposed between said first switching means and the capacitive element. 【請求項27】 請求項25に記載の回路において、前記第1のスイッチ手段及び第2のスイッチ手段は、それぞれ別個の制御信号によって制御されることを特徴とする回路。 In the circuit according to 27. Claim 25, wherein the first switch means and second switch means, circuit, characterized in that each controlled by separate control signals. 【請求項28】 請求項18又は請求項19のいずれかに記載の回路において、前記電流駆動素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする回路。 In the circuit according to any one of claims 28] according to claim 18 or claim 19, wherein the current driven element, the circuit characterized in that an organic electroluminescence element. 【請求項29】 請求項20に記載の回路において、前記トランジスタは、pチャンネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする回路。 In the circuit according to 29. Claim 20, wherein the transistor is a circuit which is a p-channel thin film transistor. 【請求項30】 請求項26に記載の回路において、前記第1、第2、及び第3のスイッチ手段は、nチャンネル型の薄膜トランジスタであることを特徴とする回路。 In the circuit according to 30. The method of claim 26, wherein the first, second, and third switching means, circuit, which is a n-channel thin film transistor. 【請求項31】 請求項20に記載の回路において、前記第1の電流経路及び前記第2の電流経路は、前記トランジスタを含むことを特徴とする回路。 The circuit according to claim 31] of claim 20, wherein the first current path and the second current path, the circuit which comprises the transistors. 【請求項32】 複数の画素と、 電流駆動素子を有する回路を備えた少なくとも1つの画素と、 データ信号によって電流を決定する電流決定手段とを有する電気光学装置であって、 前記回路は、 前記電流駆動素子を含む第1の電流経路と、 前記電流駆動素子を含まない第2の電流経路とを備えることを特徴とする電気光学装置。 And 32. a plurality of pixels, an electro-optical device having at least one pixel having a circuit having a current driven element and a current determining means for determining a current by a data signal, said circuit comprises electro-optical device, characterized in that it comprises a first current path including the current driven element, and a second current path not including the current driven element. 【請求項33】 請求項32に記載の電気光学装置を含む電子機器。 33. An electronic apparatus comprising an electro-optical device according to claim 32. 【請求項34】 請求項18又は請求項19に記載の回路において、前記第2の電流経路は、電流シンクに接続されていることを特徴とする回路。 In the circuit according to 34. The method of claim 18 or claim 19, wherein the second current path, circuit, characterized in that connected to the current sink. 【請求項35】 請求項21に記載の回路において、前記第2の電流経路は電流シンクに接続されていることを特徴とする回路。 In the circuit according to 35. Claim 21, wherein the second current path, characterized in that connected to the current sink circuit. 【請求項36】 電流駆動素子と、 前記電流駆動素子への電流供給を制御するトランジスタとを備えた回路を駆動する方法であって、 所定の電流に基づいて前記トランジスタのゲート電圧を決定するステップを有することを特徴とする方法。 And 36. The current driving device, a method for driving a circuit comprising a transistor for controlling current supply to the current driven element, the step of determining a gate voltage of the transistor based on a predetermined current method characterized by having a. 【請求項37】 請求項36に記載の方法であって、さらに、前記電流駆動素子への電流を供給するステップを有する方法。 37. A method according to claim 36, further comprising the step supplying a current to the current driven element. 【請求項38】 請求項36に記載の方法において、前記トランジスタのゲート電圧を所定の電流に基づいて決定するステップ中は、前記電流駆動素子への電流の供給が無いことを特徴とする方法。 11. 38. A method according to claim 36, in the step of determining based on the gate voltage of the transistor to a predetermined current, wherein the current supply to the current driven element is not.
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