JP2003020257A - Wiring board, semiconductor device and method for manufacturing these - Google Patents

Wiring board, semiconductor device and method for manufacturing these

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JP2003020257A
JP2003020257A JP2001202913A JP2001202913A JP2003020257A JP 2003020257 A JP2003020257 A JP 2003020257A JP 2001202913 A JP2001202913 A JP 2001202913A JP 2001202913 A JP2001202913 A JP 2001202913A JP 2003020257 A JP2003020257 A JP 2003020257A
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glass substrate
substrate
wiring
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alkali metal
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尚哉 ▲諌▼田
Hiroyuki Hozoji
Naoya Isada
Takashi Naito
Takao Terabayashi
Yoshihide Yamaguchi
内藤  孝
裕之 宝蔵寺
隆夫 寺林
欣秀 山口
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Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a core board or a wiring board having high reliability on strength and a method for manufacturing these, to provide a core board or a wiring board having high surface smoothness and heat resistance and a method for manufacturing these, and to provide a semiconductor mount module and a method for manufacturing the module having fine wires formed by using the wiring board having high reliability on strength. SOLUTION: A glass substrate containing alkali oxides in which a plurality of minute through holes are formed is immersed in a fused salt bath containing alkali metal ions having larger ion radii than the ion radii of the alkali metal ions in the glass substrate so as to substitute the alkali metal ions in the fused salt bath for the alkali metal ions in the glass substrate to generate compressive residual stress in the surface layer including the inner surfaces of the minute through holes. By using the reinforced substrate as a core board, a wiring board having circuits mounted on the glass substrate having good flatness can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板、配線基板、それを用いた半導体モジュールおよびそれらの製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention comprises a core substrate, the wiring substrate, a semiconductor module and a method for their preparation using the same. 例えば、マルチチップモジュール、マルチチップパッケージあるいはビルドアップ配線板などにおけるコア基板のように、その表面に形成した配線層を介して半導体素子あるいはその他の電気素子を搭載するためのベースとなる基板に関し、特に微細貫通孔付きの高強度なガラス基板並びにその製造方法に関する。 For example, a multi-chip module, as in the core substrate in such a multi-chip package or build-up wiring board, relates to a substrate serving as a base for mounting a semiconductor element or other electrical device via the wiring layer formed on its surface, particularly high strength relates to a glass substrate and a manufacturing method thereof with micro through holes. 【0002】 【従来の技術】マルチチップモジュールやマルチチップパッケージなどはベースとなるコア基板上に微細配線層を介して複数の半導体チップや受動電気素子を高密度に実装してひとつの機能モジュールを形成したもので、例えばこれらをマザー基板上に搭載して使用する。 [0002] etc. [Prior Art] multi-chip module or multi-chip package the one function module by densely mounting a plurality of semiconductor chips and passive electrical devices via a fine wiring layer on the core substrate as a base obtained by forming, for example used by mounting them on the mother board. この際コア基板には用途によってガラスエポキシ基板などの有機基板やセラミック基板などの無機材料基板が用いられるのが一般的である。 This time is given in the core substrate inorganic material substrate such as an organic or ceramic substrate such as a glass epoxy substrate by the application is generally used. 【0003】しかしながら、これらのコア基板は基板を構成する材料の形態あるいは基板製造工程中の熱などに起因する基板寸法変化や表面うねり、及び表面凹凸のため、その上に形成する配線寸法の微細化が難しい。 However, these core substrates substrate dimensional changes and surface waviness due like heat in the material or in the form of the substrate manufacturing process for forming the substrate, and for surface irregularities, fine wiring dimensions for forming thereon reduction is difficult. また、有機基板では耐熱性の面から基板上への受動電気素子の作り込みが難しいという問題がある。 Further, in the organic substrate has a problem that it is difficult to lump made of passive electrical elements on a substrate in terms of heat resistance. さらに、上に搭載される半導体素子との熱膨張の不整合によって、半導体素子とコア基板のハンダ接続部に発生するせん断応力を解消するのに多々工夫を要するという問題がある。 Furthermore, the thermal expansion mismatch between the semiconductor element mounted on the upper, there is a problem that requires devising many to overcome the shear stress generated in the solder connection of the semiconductor element and the core board. 【0004】このため、最近、比較的熱膨張がシリコンに近く表面平坦性と耐熱性に優れたガラス基板に微細貫通孔を形成してコア基板とする動きがある。 [0004] Therefore, recently, there is a movement to the core substrate to form micro through holes in the glass substrate relatively thermal expansion excellent near the surface flatness and heat resistance silicon. 【0005】しかしながら、貫通孔付きガラス基板をコア基板として用いる方法においては、ガラスが非晶質かつ化学的に比較的安定でしかも脆性材料であるが故に、 However, in the method using a glass substrate with through holes as a core substrate, because a glass is amorphous and chemically relatively stable, yet brittle material,
円筒度の良い多数の微細貫通孔を能率良く形成することが極めて難しく、さらに、貫通孔が加工できたとしてもガラス自身が引張り応力に弱いこと、貫通孔自身が外力に対して切り欠きとして振る舞うため応力集中が発生し、実装工程中での様々な応力や実装後の熱衝撃試験での熱応力などで簡単に割れが生じるという重大な問題がある。 It is very difficult to a good number of fine through-holes of cylindricity efficiently formed, further, that the through hole is weak in tensile glass itself stress even be processed, the through-holes themselves act as notches against external forces because stress concentration occurs, there is a serious problem that easily cracked by thermal stress in the heat shock test after various stresses and mounting in the mounting process occurs. 【0006】これに対して、微細貫通孔を形成したガラス薄板をコア基板とする方法として、例えば、特開平2 [0006] In contrast, as a method for the glass sheet forming the fine through-hole and the core substrate, for example, JP-A-2
001−44639「多層プリント配線板及びその製造方法」において公開されている感光性ガラスによる方法がある。 001-44639 a method according to photosensitive glass which has been published in "multilayer printed wiring board and its manufacturing method". これはLiO2−Al2O3−SiO2(A This is LiO2-Al2O3-SiO2 (A
u、Ce)系の化学切削性感光性ガラスに対して露光・ u, Ce) exposure to actinic cuttability photosensitive glass of system-
現像処理により貫通孔を形成したものをコア基板として用いる方法である。 A method of using a material obtained by forming a through hole by the development process as a core substrate. 【0007】この方法は貫通孔形成の難しさを解決したという点では優れたものであるが、材料組成面での制約が大きいこと、実用強度を得るためにはセラミック基板と同様に高温で長時間の焼結を行う必要があることからコスト高になり易く、かつ加工スループットに課題がある。 [0007] Although this method is excellent in terms of resolving the difficulty of the through-hole formation, it is a large constraint on the material composition surface, in order to obtain practical strength is long at a high temperature similar to the ceramic substrate It tends to become costly since it is necessary to perform the sintering time, and there is a problem in processing throughput. また製造効率を上げてコストを下げるため大面積薄板基板を用いようとする場合、反りを発生させずに均一に焼結するのはかなり難しく、また設備的に大掛かりになるといったような問題がある。 Further, when increasing the manufacturing efficiency is to be used for large-area thin substrate to reduce the cost, is considerably difficult to uniformly sinter without causing warp, also there is a problem such that it becomes large-scale equipment to . 【0008】一方、特開平11−60283「化学強化ガラス基板及びその製造方法」にはイオン交換によってガラス平板表面のアルカリイオンをそれより大きいイオン半径を有するアルカリイオンで置換することで、基板表面に圧縮の残留応力層を形成したガラス基板及びその製造方法が開示されている。 On the other hand, the JP-A 11-60283 "chemically tempered glass substrate, and a manufacturing method thereof" by replacing the alkali ions of the glass plate surface with alkali ions having a larger ionic radius than by ion exchange, the substrate surface glass substrate and a manufacturing method thereof to form a residual stress layer of compression is disclosed. これはガラス平板表面を鉱酸に接触させることで、表面のアルカリ金属を溶出させた後、この基板表面を、元のアルカリ金属イオンより大きいイオン半径を持つアルカリイオンを含む溶融塩浴表面に接触させることで、基板表面のアルカリ金属イオンを元のイオンより大きいイオンに置換することで表面に圧縮応力を形成するものである。 This is brought into contact with the mineral acid glass plate surface, after eluting the alkali metal of the surface, the substrate surface in contact with the molten salt bath surface containing alkali ions having large ion radius than that of the original alkali metal ions be to, it is to form a compression stress to the surface by replacing the alkali metal ions of the substrate surface to the original larger ions than the ions. 【0009】しかしながら、この公知例では単純なガラス平板表面をイオン交換処理することで強化する方法を対象としており、複数の貫通孔を有するガラス基板の強化処理、特に貫通孔の内壁も含めた化学強化処理については言及していない。 However, it has a simple glass plate surface in this known example to a method of strengthening by ion exchange treatment, tempering treatment of the glass substrate, including in particular also the inner wall of the through-hole chemical having a plurality of through-holes It does not refer to strengthening treatment. 通常、貫通孔付き基板では貫通孔そのものが外力に対して切り欠きとして作用するため、 Usually, since the through-hole itself is a through-hole with the substrate acts as a notch with respect to an external force,
外力が加わると応力集中により貫通孔内壁部周辺に通常の穴無し基板よりもはるかに大きな応力が発生する。 External force much larger stresses occur than normal holes without substrate around the through-hole inner wall portion by stress concentration when applied. つまり、従来のようにガラスの板面のみをイオン交換し強化する方法は、穴無し基板に対しては効果的であるが、 That is, a method of only the plate surface of the glass as in the conventional ion exchange strengthening is effective for the hole without the substrate,
多数の貫通孔を有するガラス基板に対しては、それほど大きな効果が得られないという問題がある。 For the glass substrate having a large number of through-holes, there is a problem that can not be obtained great effects so. 【0010】また、上記公知例に限らず、ガラス基板の強化処理に関する公知例で、多層配線基板のコア基板に用いるという観点、及び半導体モジュール基板として用いる観点から言及されたものはない。 Further, not limited to the above known examples, a known example of strengthening of the glass substrate, the multilayer viewpoint used in the core substrate of the wiring board, and not those mentioned in terms of use as a semiconductor module substrate. 【0011】 【発明が解決しようとする課題】このような材料面での制約やコスト低減、ハンドリング基板の大型化などの問題を解決するには、一般的に普及している低価格のガラス薄板に対して複数の微細貫通孔を能率良く形成し、かつこの貫通孔を形成したガラス基板に対して実装工程中の各種応力に耐え得るだけの強度を付与する方法の開発が必要である。 [0011] [INVENTION Problems to be Solved constraints and cost reduction of such a material surface, to solve problems such as enlargement of the handling substrate is a low cost of glass sheet which is generally spread efficiently forming a plurality of fine through-holes with respect to, and it is necessary to develop a method of imparting strength to withstand the various stresses in the mounting process on the glass substrate with the through hole. 【0012】本発明の目的は、強度信頼性が高いコア基板または配線基板およびそれらの製造方法を提供することである。 An object of the present invention is that the reliability of strength to provide a high core substrate or wiring board and a method for their preparation. さらに、表面平滑性および耐熱性が高いコア基板または配線基板およびそれらの製造方法を提供することである。 Further, to provide a surface smoothness and heat resistance is high core substrate or wiring board and a method for their preparation. また本発明の目的は、強度信頼性が高い配線基板を用いて、微細配線を形成した半導体実装モジュールおよびその製造方法を提供することである。 The object of the present invention, by using a high wiring board strength reliability is to provide a semiconductor mounting module and a manufacturing method thereof to form a fine wiring. 【0013】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。 [0013] To achieve the above object, resolving means for the problems], among the inventions disclosed in this application will be briefly described typical ones are as follows. 【0014】貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の内表面を含む基板表面部に圧縮の応力層が形成されているものである。 [0014] A glass substrate having a through-hole, in which the stress layer of compression is formed on the substrate surface region including the inner surface of the through hole. 【0015】貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の内表面を含む基板表面部は、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されているものである。 [0015] A glass substrate having a through-hole, the substrate surface part including the inner surface of the through hole, which is substituted by ionic radius larger alkali metal ions than alkali metal ions contained in the glass substrate it is. 【0016】また、貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の開口部周辺の基板表面部および貫通孔内表面部が、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されているものである。 Further, a glass substrate having a through-hole, the substrate surface portion of the peripheral opening and the through hole surface of the through hole is, the ionic radius of larger alkali than alkali metal ions contained in the glass substrate those which are substituted with metal ions. 【0017】また、コアとなるガラス基板上に形成した導体層と絶縁層からなる配線層を介して半導体素子などの電気部品を搭載する配線基板であって、該ガラス基板は複数の貫通孔を有し、かつ少なくとも、該ガラス基板の貫通孔周りの基板表面部並びに貫通孔内表面部に圧縮の残留応力層が形成されているものである。 Further, a wiring substrate for mounting an electrical component such as a semiconductor element via the wiring layer conductor layer formed on a glass substrate serving as a core and made of an insulating layer, the glass substrate a plurality of through-holes It has, and at least one in which the residual stress layer of compression on the substrate surface portion and the through hole surface portion around the through hole of the glass substrate is formed. また、貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板上に形成された導体層と絶縁層を有する配線層を備え、該貫通孔の内表面に形成された配線を介して該ガラス基板の表裏で電気的接続を取る配線基板であって、該貫通孔の内表面は、 Further, a glass substrate having a through-hole, provided with a wiring layer having a conductive layer and an insulating layer formed on the glass substrate, the front and back of the glass substrate through the wiring formed on the inner surface of the through hole a wiring substrate making electrical connections, the inner surface of the through hole,
該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されているものである。 Those substituted with ionic radius larger alkali metal ions than alkali metal ions contained in the glass substrate. 【0018】また、配線基板の製造方法であって、アルカリ酸化物を含むガラス基板を準備する工程と、該ガラス基板に複数の貫通孔を形成する工程と、該ガラス基板を、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属イオンを含む溶融塩浴中に浸漬させ、該ガラス基板の貫通孔の内表面を含む表面のアルカリ金属イオンを前記溶融塩浴中のアルカリ金属イオンと置換する工程を含むものである。 [0018] A manufacturing method of a wiring substrate, a step of preparing a glass substrate containing an alkali oxide, and forming a plurality of through-holes in the glass substrate, the glass substrate, to the glass substrate alkali metal ions is immersed in a large molten salt bath containing alkali metal ions having an ionic radius than the alkali metal of the alkali metal ions in the molten salt bath surface including the inner surfaces of the through holes of the glass substrate included it is intended to include the step of replacing the ion. 【0019】また、配線基板の製造方法であって、アルカリ酸化物を含むガラス基板を準備する工程と、該ガラス基板に複数の貫通孔を形成する工程と、該複数の貫通孔内に、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属塩と増粘材を有するペーストを充填する工程と、該ペーストを充填したガラス基板を加熱処理し、少なくとも該ガラス基板の貫通孔内表面のアルカリ金属イオンを該ペーストのアルカリ金属イオンと置換する工程を含むものである。 [0019] A manufacturing method for a wiring board, a step of preparing a glass substrate containing an alkali oxide, and forming a plurality of through-holes in the glass substrate, the through hole of the plurality of, the a step of filling a paste with an alkali metal salt and thickener having a larger ionic radius than alkali metal ions contained in the glass substrate, and heating the glass substrate filled with the paste, at least the through-hole of said glass substrate the alkali metal ions of the inner surface is intended to include the step of replacing the alkali metal ions in the paste. また、前記ガラス基板表面に配線層を形成するものである。 Also, it is to form a wiring layer on the glass substrate surface. また、前記ガラス基板に半導体チップ等の部品を搭載し、個別のモジュール等に分離するものである。 Further, mounting the components of the semiconductor chip or the like on the glass substrate, it is to separate the individual modules and the like. 【0020】 【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例について図面を用いて詳述する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter will be described in detail with reference to the drawings Specific embodiments of the present invention. 【0021】《実施例1》図1は本発明の第一の実施例を示すもので、微細貫通孔の内表面を含む表面層に圧縮の残留応力層を形成したガラスコア基板を用いた半導体実装モジュールの一例を示す部分断面図である。 [0021] "Embodiment 1" Fig. 1 shows a first embodiment of the present invention, a semiconductor using a glass core substrate with the residual stress layer of compression on the surface layer including the inner surface of the micro through holes it is a partial sectional view showing an example of mounting module. なお、 It should be noted that,
本図では発明の要点に直接関わらない配線層の部分は簡略化して示してある。 Portions of the wiring layers not directly to the gist of the invention in this drawing is shown in a simplified manner. 【0022】図において、1はガラスコア基板、2はガラスコア基板に形成した微細貫通孔、3は微細貫通孔内表面を含むガラス基板表面に形成された圧縮残留応力層、4は貫通孔内壁に形成されたメタライズ層、5は半導体チップの端子ピッチを下地基板ピッチまで拡大するための配線層、6は裏面配線、7、9はハンダボール、 [0022] In FIG, 1 is a glass core substrate, 2 micro through holes formed in the glass core substrate, 3 is compressive residual stress layer formed on the glass substrate surface including the fine through-hole surfaces, the inner wall of the through hole 4 metallized layer formed on the wiring layer for enlarging the terminal pitch of the semiconductor chip to the underlying substrate pitch 5, 6 backside interconnect, 7,9 solder balls,
8は半導体チップ、をそれぞれ意味する。 8 denotes a semiconductor chip, respectively. 【0023】本実施例ではガラス基板としてソーダライム系ガラスを用いた。 [0023] Using soda lime glass as a glass substrate in this embodiment. 貫通孔2を形成したソーダライム系ガラス基板を硝酸カリウムの溶融塩浴に浸漬することで基板表面のナトリウムイオンをイオン交換により、イオン半径のより大きい塩浴中のカリウムイオンと置換する。 Soda lime glass substrate with the through hole 2 by ion exchange of sodium ions in the substrate surface by dipping in a molten salt bath of potassium nitrate, is replaced with potassium ions in the larger salt bath ionic radius. これにより貫通孔内表面を含む表面層に圧縮残留応力層3を形成される。 Thus is formed a compressive residual stress layer 3 on the surface layer including the through-hole surfaces. その後、貫通孔内壁にメタライズ層4を形成し、配線層5、裏面配線6を形成した後、ハンダボール7を介して半導体素子8を搭載する。 Thereafter, the metallized layer 4 is formed on the inner wall of the through hole, the wiring layer 5, after forming the backside interconnect 6, mounting a semiconductor element 8 through the solder balls 7. なお、 It should be noted that,
図1は多数個取りが可能な基板に前記の工程を経由した後、個別のモジュールに切断したものの一断面を示したものである。 1 after passing through the steps to the substrate capable of multi-cavity, it shows one section of what was cut into individual modules. なお、図2はひとつのモジュール領域に異なる機能をもつ複数の半導体素子を搭載した多数個取り基板を表したもので、図中16は個々のモジュールに切断する際の切断線である。 Incidentally, FIG. 2 is a representation of a multi-chip substrate having a plurality of semiconductor devices having different functions in one module region, reference numeral 16 is a cutting line for cutting out the individual modules. 【0024】本実施例では貫通孔を形成した0.5mm [0024] 0.5mm in this embodiment forming the through holes
厚のガラス基板を硝酸カリウムの溶融塩浴中に浸漬することで表面から約15μmの深さ部分に約650MPa About a glass substrate having a thickness in a depth portion of about 15μm from the surface by immersion in a molten salt bath of potassium nitrate 650MPa
の圧縮の残留応力層を形成した。 And residual stress layer compression forming. この結果、このガラス基板は実装プロセス中の配線層5や裏面配線6を形成する際の各種応力に問題なく耐えることがわかった。 As a result, the glass substrate was found to withstand without problems to various stresses in forming the wiring layer 5 and the back surface wiring 6 in the implementation process. 【0025】また、残留応力層と強度の関係についても検討した。 [0025] In addition, also considered the relationship between the residual stress layer and strength. 0.5mm厚の貫通孔無しのガラスの3点曲げ試験において、ガラス基板の表面下15μmの深さにわたって650MPaの圧縮応力が形成されるように化学強化処理したソーダガラスの強度は、平均350MP In 0.5mm three-point bending of the glass without the through hole of the thick test, the strength of the soda glass chemically strengthened treated as compressive stress of 650MPa over the depth of the subsurface 15μm of the glass substrate is formed, the average 350MP
aであった。 It was a. 一方、処理しないソーダガラスの強度は平均200MPaである。 On the other hand, the strength of the soda glass which is not treated is the average 200 MPa. 【0026】曲げ強度が板厚の2乗できくということを考慮すると、ガラス基板の厚さは0.38になるので、 [0026] Flexural strength is considered that listening by the square of the plate thickness, the thickness of the glass substrate is 0.38,
アルカリ溶出による強度低下がなければ、ガラス基板の厚さを約0.4mm程度に薄くすることが可能性である。 Without strength reduction by alkali elution is likely to be thin as approximately 0.4mm approximately the thickness of the glass substrate. 従って、本実施例にかかるガラス基板は、より薄膜化、薄型化が要求される半導体装置、半導体モジュール、マルチチップモジュール等の基板に適用することができる。 Thus, a glass substrate according to this embodiment is more thinning, the semiconductor device thinner is required, the semiconductor module can be applied to a substrate such as a multi-chip module. 【0027】なお、この表面に導入する圧縮応力は大きければ良いというわけではない。 [0027] It should be noted that the compressive stress to be introduced to this surface does not mean that be greater. 圧縮応力が不必要に大きすぎると製造工程中に基板に作用する応力に対しては安全側に働くが、最終的に個々のモジュールに分離した際に、圧縮応力を有する基板表面部分とモジュール端部の切断部に露出した圧縮応力の無い部分との応力バランスが崩れ、切断部に割れが入る場合がある。 For stress compressive stress acts on the substrate during the manufacturing process unnecessarily too large operate safely, but when finally separated into individual modules, the substrate surface portion and the module end with a compressive stress collapses stress balance between the portion having no compressive stress exposed to the cutting section of the part, there is a case where cracks occurred in the cutting unit. したがって、圧縮応力としては貫通孔を形成した状態でのガラス基板の強度が、安全率を見込んで製造工程中に基板に加わる応力の2〜3倍程度になるよう強化処理することが好ましい。 Therefore, the compressive stress strength of the glass substrate in a state of forming a through hole, it is preferable to enhance processing to be two to three times the stress applied to the substrate during the manufacturing process in anticipation of safety factor. 【0028】例えば、切り欠きの無いガラス基板に0. [0028] For example, 0 to the glass substrate having no notch.
5mmピッチで貫通孔を形成すると、加工法にもよるが、その抗折強度は貫通孔の無い場合の1/3〜1/4 When forming the through holes at 5mm pitch, depending on the processing method, the bending strength of the case without the through-hole 1 / 3-1 / 4
程度に低下する。 Reduced to such an extent. 0.5mm厚のソーダライムガラス系基板にサンドブラストでφ0.2mmの穴を0.5mm 0.5 mm 0.5 mm holes φ0.2mm in sandblasting soda lime glass based substrate thickness
ピッチで加工した場合、その抗折強度は約50〜60M When processed by the pitch, the transverse strength is about 50~60M
Paになる。 It becomes Pa. 一方、この基板に例えばクロム薄膜と銅薄膜からなる薄膜金属層ならびに絶縁樹脂層を形成すると、各々の膜厚にもよるがトータルで50MPa程度の引張りの内部応力が発生する。 On the other hand, when forming a thin film metal layer and the insulating resin layer made of a substrate such as chromium thin film and a copper thin film, although it depends on each of the film thickness inside tensile stress of about 50MPa in total it occurs. これに対して、貫通孔内表面を含む基板表面を化学強化処理することで、基板の抗折強度を100〜150MPa程度に上げると工程中の応力に対して十分耐える。 In contrast, the substrate surface including the through-hole surface by chemical strengthening, sufficiently withstand to stress during the process increasing the bending strength of the substrate to about 100~150MPa. また、後述するように、貫通孔内表面及び貫通孔内とその周辺部のみを化学強化処理する方法もある。 As described later, is through-hole surfaces and through holes and a method of chemically strengthening process only its periphery. 【0029】図3は図1に示した基板の製造工程の概略を説明するもので、貫通孔形成にサンドブラスト法を用いた例である。 [0029] Figure 3 is intended to explain the outline of the manufacturing process of the substrate shown in FIG. 1, an example using a sandblasting method in the through hole formation. なお、実際には例えば図2に示したような多数個取り基板サイズで工程を流すが、本実施例においては簡略化して2個取りの例を用いて説明する。 Actually, the flow process in multi-chip substrate size as shown in FIG. 2 for example, in the present embodiment will be described using the example of two-up in a simplified manner. 【0030】図において、10はガラス基板上に形成したマスク層、11はマスク層10に形成した開口部、1 [0030] In Figure, the mask layer was formed on a glass substrate 10, 11 is an opening portion formed in the mask layer 10, 1
2は研磨材ジェット、13は完成したモジュール、をそれぞれ意味する。 2 the abrasive jet, 13 denotes finished module, respectively. 【0031】まず、ソーダライム系ガラスの薄板を用意する(a)次に、このガラス板表面に開口部11を有するマスク層10を形成し(b)、サンドブラスト法により研磨材ジェット12をマスク層10の開口部11を介して吹き付けることで、開口部のガラスを微小単位で破砕しながら貫通孔2を形成する(c)。 [0031] First, a sheet of soda-lime glass (a) Next, the surface of a glass plate to form a mask layer 10 having openings 11 (b), the mask layer an abrasive jet 12 by sandblasting by blowing through the opening 11 of 10, forming the through hole 2 while breaking the glass of the opening in minute units (c). この貫通孔2を形成した基板を硝酸カリウムの溶融塩浴中に浸漬することで貫通孔2の内表面を含むガラス基板の表面層のナトリウムイオンをそれより原子半径の大きいカリウムイオンと置換することで表面層に圧縮の残留応力層3を形成する(d)。 By replacing it than the atomic radius larger potassium ions of sodium ions in the surface layer of the glass substrate including the inner surfaces of the through holes 2 by immersing the through hole 2 substrate formed with a molten salt bath of potassium nitrate the surface layer to form a residual stress layer 3 compression (d). これにより、強度信頼性が向上した配線基板用のコア基板が完成する。 Thus, a core substrate of the wiring board for strength improved reliability is completed. さらに、この状態で図1において述べたのと同様に貫通孔内壁をメタライズし、さらに再配線層5、裏面配線6を形成したのち半導体素子を8を搭載する(e)。 Further, metallized inner wall of the through hole in a manner similar to that described in FIG. 1 in this state, further redistribution layer 5, equipped with 8 a semiconductor element after forming the backside interconnect 6 (e). 最後に多数個取り基板を切断して個々に分離することで半導体実装モジュール13が完成する(f)。 Finally semiconductor mounting module 13 by separating individually by cutting the multi-chip substrate is completed (f). 【0032】この方法では貫通孔内表面から外周に至るまでのすべての基板表面に圧縮残留応力層が形成されているため、実装プロセス中の引張り応力に対して極めて高い耐性を有する。 [0032] Since the compressive residual stress layer is formed on all the substrate surface up to the outer periphery of through-hole surfaces in this way has a very high resistance to tensile stress in the implementation process. 最終的に個々のモジュールに分割された時にはガラス基板外周部に圧縮残留応力の無い部分が露出するが、この時点では基板が小さくなっていること、外周以外には圧縮残留応力層が残っていることから、製品としての強度信頼性は十分である。 Although the when it is divided into individual modules eventually exposed portion having no residual compressive stresses in the glass substrate peripheral portion, that is the substrate is reduced at this time, there remains a residual compressive stress layer in addition to outer peripheral since the strength reliability of the product is sufficient. 【0033】また、本実施例ではガラス基板にソーダライム系ガラスを用いた例について述べたが、基板材料はこれに限るものではなく、アルミナシリケート系ガラスやリチウムシリケート系ガラス、さらには多少なりともアルカリ金属元素を含むホウケイ酸ガラスでも良い。 Further, although this embodiment described the example using the soda lime glass on the glass substrate, the substrate material is not limited thereto, alumina silicate glass or lithium silicate-based glass, further more or less it may be a borosilicate glass containing an alkali metal element. ここで、置換するためのアルカリ塩としては硝酸カリウムに限るものではなく、例えば塩化カリウム、硝酸ナトリウム、塩化ナトリウムなど、使用するガラス基板に含まれるアルカリ金属成分によって使い分ければ良い。 Here, not limited to potassium nitrate as an alkaline salt to replace, for example potassium chloride, sodium nitrate, sodium chloride, may be used properly by an alkali metal component contained in the glass substrate used. 例えば、ソーダライム系ガラスの場合ナトリウムイオンをカリウムイオンで置換する。 For example, in the case of soda-lime glass to replace sodium ions with potassium ions. アルミナシリケート系ガラスの場合リチウムイオンやナトリウムイオンを含むため、 Since the case of alumina-silicate glass containing lithium ions and sodium ions,
リチウムイオンをナトリウムイオンで置換し、ナトリウムイオンをカリウムイオンで置換する。 Substituting lithium ions with sodium ions to replace sodium ions with potassium ions. 【0034】なお、この実施例では貫通孔形成法としてサンドブラスト法を用いる場合について述べたが、当然のことながらこの方法に限定するものではなく、比較的円筒度の良い方法として超音波加工、硬質ドリルによる加工、円筒度の点で多少劣るが、貫通孔形成が可能な方法としてレーザ加工、電子ビーム加工、化学エッチングなど別の方法を用いても良い。 [0034] Incidentally, it has dealt with the case of using the sand blast method as a through-hole forming method in this embodiment, of course not limited to this method, ultrasonic machining as good way relatively cylindricity, hard processing with a drill, although somewhat inferior in cylindricity, laser machining, electron beam machining, may be used another method such as a chemical etching as a method capable through hole formation. 【0035】なお、貫通孔の形状は図4(a)に示すようにその壁面が基板表面に対してほとんど垂直でも良いが、どちらかといえば(b)のように幾分テーパを有しているのが、溶融塩浴中でのイオン交換処理や貫通孔内壁のメタライズ処理を行う上で好ましい。 [0035] The shape of the through hole may be almost vertical wall surface thereof is the substrate surface as shown in FIG. 4 (a), have if anything somewhat tapered as (b) It is the are preferable for performing the metallization process of the ion exchange process or the through-hole inner wall in a molten salt bath. ただし、テーパが大きすぎると大開口側の径が大きくなりすぎて穴間ピッチが小さい場合、配線スペースが無くなるため適度のテーパにすることが重要である。 However, if the taper is too large and the large opening side diameter becomes large and too a hole pitch is small, it is important to moderate taper for wiring space is eliminated. ガラス基板の厚さや貫通孔間隔によっても異なるが、厚さ0.3〜0.5m It varies depending on the thickness and the through hole spacing of the glass substrate, but the thickness 0.3~0.5m
mのガラス基板に、直径0.1〜0.2mm程度の貫通孔を0.5mm程度のピッチで形成する場合、小開口側の穴壁と基板表面の成す角度にしておおむね78〜90 A glass substrate m, the case of forming a through hole having a diameter of about 0.1~0.2mm at a pitch of about 0.5 mm, generally in the angle between the bore wall and the substrate surface of the small opening side 78-90
度の範囲が好ましい。 Range of time is preferred. また、本実施例ではサンドブラスト面に直接イオン交換処理を施す例について述べたが、 Further, although this embodiment described the example of applying the direct ion exchange treatment to sandblasting surface,
化学エッチングなどでサンドブラスト面に潜在するマイクロクラックを除去したのちにイオン交換処理すると強度の向上に対してさらに効果的である。 It is more effective for improving the strength when the ion exchange treatment after removing the micro-cracks that potentially sandblasting surface by chemical etching. 【0036】《実施例2》図5は本発明の第2の実施例を示したもので、微細貫通孔の内表面層にのみ圧縮残留応力層を形成したガラスコア基板を用いた半導体実装モジュールの一例を示す部分断面図である。 [0036] "Example 2" Figure 5 shows a second embodiment of the present invention, a semiconductor mounting module using a glass core substrate provided with the compressive residual stress layer only on the inner surface layer of the micro through holes it is a partial sectional view showing an example of. なお、この図においても図1と同様に発明の要点に直接関わらない配線層の部分は簡略化して示してある。 The portion of the wiring layer also not directly to gist likewise invention as FIG. 1 in this figure is shown in a simplified manner. 【0037】基板に外力が加わった際の応力集中は、特に貫通孔の周囲で生じる。 The stress concentration when an external force is applied to the substrate, especially at the periphery of the through hole. また、貫通孔形成により発生するマイクロクラックは貫通孔内壁部に集中的に残存している。 The micro cracks generated by the through-hole formed is intensively remaining inner wall of the through hole portion. このことから、強度のある程度高いガラスを選定し、貫通孔内表面層に適度の圧縮残留応力層を形成することによって少なくとも貫通孔形成前程度の基板強度は確保することが可能であるため、外力が加わった時に貫通孔内壁に残存するマイクロクラックが起点になって基板が破壊する可能性は大幅に軽減される。 Therefore, in order to select a relatively high glass strength, substrate strength of about at least prior through-hole formed by forming a moderate compressive residual stress layer in the through hole surface layer can be ensured, the external force the possibility that the microcracks remaining inner wall of the through hole when applied is a substrate becomes a starting point to break is greatly reduced. 【0038】図6は図5の半導体モジュールの製造工程を示したものである。 [0038] FIG. 6 shows the process of manufacturing the semiconductor module of FIG. この場合も2個取りの例で説明する。 In this case also described in example 2-cavity. 【0039】図において14はアルカリ金属塩と増粘材からなるペーストを意味する。 14 means a paste comprising an alkali metal salt and thickener in [0039] FIG. 【0040】サンドブラスト法などで複数の微細貫通孔を形成したソーダライム系ガラス基板を準備する(a)。 [0040] Prepare the soda lime glass substrate having a plurality of micro through holes in the sand blast method (a). 次にこのガラス基板の貫通孔内に硝酸カリウム塩と増粘材を混合したペーストを充填する(b)。 Then filling the paste prepared by mixing potassium nitrate salt and thickener in the through hole of the glass substrate (b). このペースト充填に関してはここではスクリーン印刷法を用いたが、貫通孔内に充填さえできればその方法は特に規定するものではない。 This respect paste filling herein using a screen printing method, the method is not particularly defined as long even filled in the through hole. この基板を炉に入れて加熱することでペースト中のカリウムイオンと貫通孔内表面層のナトリウムイオンが置換され、貫通孔内表面に圧縮残留応力層を形成される。 The sodium ions and potassium ions in the paste through hole surface layer is replaced with a substrate by heating a furnace, it is formed a compressive residual stress layer in the through hole surface. その後余分な硝酸カリウム塩は洗浄等で除去する(c)。 Then extra potassium nitrate salt is removed by washing, etc. (c). これにより、強度信頼性が向上した配線基板用のコア基板が完成する。 Thus, a core substrate of the wiring board for strength improved reliability is completed. 後は図2と同様の工程を通すことで、半導体実装モジュールが得られる(d)(e)。 After by passing the same steps as FIG. 2, the semiconductor mounting module is obtained (d) (e). なお、本実施例においても、第1の実施例同様ガラス基板材料としてはソーダライム系ガラスに限るものではなく、アルミナシリケート系あるいはリチウムシリケート系ガラスなどでも良い。 Also in this embodiment, as the first embodiment similarly glass substrate material is not limited to the soda lime glass, it may be alumina silicate or lithium silicate glass. 【0041】この第2の実施例では化学強化される範囲が貫通孔とその周辺に限定されるため、貫通孔形成前の基板強度を越えるような大幅な強度上昇は期待できないが、イオン交換処理のための特別な設備を必要せず、例えばスクリーン印刷機と熱処理炉だけで十分である。 [0041] Therefore, in the second embodiment the range is chemically strengthened to be limited to and around the through-hole, significant increase in strength that exceeds the substrate strength of the front through-hole formed is not expected, ion exchange treatment without requiring special equipment for, for example, it is sufficient as a screen printing machine heat treatment furnace only. また、基板表面が溶融塩に直接触れないため、イオン交換処理中での基板の割れや溶融塩中の異物などによるガラス基板表面荒れなどのリスクが少なくなる。 Further, since the substrate surface is not directly touch the molten salt, the risk of such roughened surface of the glass substrate due to foreign matter in the substrate cracks or molten salt by ion exchange treatment in decreases. 【0042】なお、前記、第1及び第2の実施例ではアルカリ系ガラス基板表面に直接配線形成する場合について説明したが、使用環境によってはアルカリ金属の溶出の可能性がある。 It should be noted, above, the first and second embodiments have been described for the case of direct wiring formed alkali glass substrate surface, the use environment is the possibility of elution of alkali metals. そのような場合にはガラス基板表面に溶出防止層を形成し、その上に配線形成をすることで避けることができる。 Forms an elution preventing layer on the glass substrate surface in such a case, it can be avoided by the wiring formed thereon. この溶出防止層としては、例えばスパッタ法などで窒化ケイ素(Si3N4)薄膜を形成した上にさらに酸化ケイ素(SiO2)を形成する方法がある。 As the elution preventing layer, for example, a method of forming a silicon nitride with a sputtering method (Si3 N4) further silicon oxide on the formation of the thin film (SiO2). 【0043】 【発明の効果】本発明によれば、強度信頼性が高いコア基板または配線基板およびそれらの製造方法を提供することができる。 [0043] According to the present invention, it is possible strength reliability provide high core substrate or wiring board and a method for their preparation. また、本発明によれば、強度信頼性が高い配線基板を用いて、微細配線を有する半導体実装モジュールを提供することができる。 Further, according to the present invention, by using a high wiring board strength reliability, it is possible to provide a semiconductor mounting module having a fine wiring.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明による第1の実施例である半導体実装モジュールを示す部分断面図。 Partial cross-sectional view showing a semiconductor mounting module according to a first embodiment according to the drawings: Figure 1 of the present invention. 【図2】多数個取りの半導体モジュール基板を示す説明図【図3】本発明による第1の実施例の製造工程を示す説明図。 FIG. 2 is an explanatory view showing a manufacturing step of the first embodiment according to the diagram Figure 3 the invention showing a semiconductor module substrate of the multi-cavity. 【図4】貫通孔形状の説明図【図5】本発明による第2の実施例である半導体実装モジュールを示す部分断面図。 Figure 4 is a partial sectional view showing a semiconductor mounting module is a second embodiment according to illustration the present invention; FIG through-hole shape. 【図6】本発明よる第2の実施例の製造工程を示す説明図。 Figure 6 is an explanatory view showing a manufacturing step of the second embodiment with the present invention. 【符号の説明】 1…ガラスコア基板、2…貫通孔、3…圧縮残留応力層、4…メタライズ層、5…配線層、6…裏面配線、7 [Reference Numerals] 1 ... glass core substrate, 2 ... through-hole, 3 ... compressive residual stress layer, 4 ... metallized layer, 5 ... wiring layer, 6 ... backside interconnect, 7
…ハンダボール、8…半導体チップ、9…ハンダボール、10…マスク層、11…開口部、12…研磨材ジェット、13…半導体実装モジュール、14…アルカリ金属塩ペースト、15…半導体実装モジュール、16…切断線 ... solder balls, 8 ... semiconductor chip, 9 ... solder balls, 10 ... mask layer, 11 ... opening, 12 ... abrasive jet, 13 ... semiconductor mounting module, 14 ... alkali metal salt pastes, 15 ... semiconductor mounting module, 16 ... cutting line

フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/40 H05K 3/46 Z 3/46 H01L 23/12 H L 23/14 C (72)発明者 山口 欣秀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内(72)発明者 宝蔵寺 裕之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内(72)発明者 内藤 孝 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内Fターム(参考) 4G059 AA08 AB01 AC16 HB03 HB13 HB14 5E317 AA24 BB04 BB11 CC31 CD05 CD23 CD27 CD32 GG09 5E346 AA02 AA12 AA15 AA41 BB01 BB15 CC02 CC08 CC31 DD15 EE31 FF01 FF45 GG01 HH11 Front page continued (51) Int.Cl. 7 identifications FI Theme coat Bu (Reference) H05K 3/40 H05K 3/46 Z 3/46 H01L 23/12 H L 23/14 C (72) inventor Yamaguchi欣秀Kanagawa Prefecture, Totsuka-ku, Yokohama-shi Yoshida-cho, 292 address Co., Ltd. Hitachi, production technology in the Laboratory (72) inventor Hozoji Hiroyuki Kanagawa Prefecture, Totsuka-ku, Yokohama-shi Yoshida-cho, address 292 Co., Ltd. Hitachi, production technology in the Laboratory (72) inventor Takashi Naito Hitachi City, Ibaraki Prefecture Omika-cho, seven chome No. 1 Co., Ltd. Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory in the F-term (reference) 4G059 AA08 AB01 AC16 HB03 HB13 HB14 5E317 AA24 BB04 BB11 CC31 CD05 CD23 CD27 CD32 GG09 5E346 AA02 AA12 AA15 AA41 BB01 BB15 CC02 CC08 CC31 DD15 EE31 FF01 FF45 GG01 HH11

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の内表面を含む基板表面部に圧縮の応力層が形成されていることを特徴とするガラス基板。 Patent Claims: 1. A glass substrate having a through hole, the glass substrate, wherein a stress layer of compression is formed on the substrate surface region including the inner surface of the through hole. 【請求項2】貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の内表面を含む基板表面部は、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されていることを特徴とするガラス基板。 2. A glass substrate having a through-hole, the substrate surface part including the inner surfaces of the through holes, is substituted with a large alkali metal ions in ion radius than alkali metal ions contained in the glass substrate glass substrates, characterized in that there. 【請求項3】貫通孔を有するガラス基板であって、該貫通孔の開口部の周辺の基板表面部および貫通孔内表面部が、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されていることを特徴とするガラス基板。 3. A glass substrate having a through-hole, the substrate surface portion of the peripheral and the through hole surface of the opening of the through hole is larger in ion radius than alkali metal ions contained in the glass substrate glass substrate which is characterized in that it is substituted by an alkali metal ion. 【請求項4】請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板であって、前記ガラス基板はアルカリ酸化物を含むことを特徴とするガラス基板。 4. A glass substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the glass substrate is a glass substrate which comprises alkali oxides. 【請求項5】請求項4に記載のガラス基板であって、前記アルカリ系酸化物を含むガラス基板として、ソーダライム系ガラス基板若しくはアルミナシリケート系ガラス基板、若しくはホウケイ酸ガラスを用いることを特徴とするガラス基板。 5. A glass substrate according to claim 4, as a glass substrate including the alkali-based oxide, and characterized by using soda lime glass substrate or alumina silicate glass substrate, or a borosilicate glass glass substrate. 【請求項6】請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板であって、前記貫通孔はサンドブラストにより形成されていることを特徴とするガラス基板。 6. A glass substrate according to any one of claims 1 to 3, a glass substrate having the through hole is characterized in that it is formed by sandblasting. 【請求項7】請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板であって、前記貫通孔はテーパを有していることを特徴とするガラス基板。 7. A glass substrate according to any one of claims 1 to 3, a glass substrate, wherein the through hole has a taper. 【請求項8】請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板の表面に、導体層と絶縁層を有する配線層が形成されていることを特徴とする配線基板。 8. On the surface of the glass substrate according to any one of claims 1 to 3, the wiring board, wherein a wiring layer having a conductive layer and an insulating layer is formed. 【請求項9】コアとなるガラス基板上に形成した導体層と絶縁層からなる配線層を介して半導体素子などの電気部品を搭載する配線基板であって、 該ガラス基板は複数の貫通孔を有し、かつ少なくとも、 9. A wiring board for mounting the electrical components such as semiconductor devices via the wiring layer conductor layer formed on a glass substrate serving as a core and made of an insulating layer, the glass substrate a plurality of through-holes has, and at least,
    該ガラス基板の貫通孔周りの基板表面部並びに貫通孔内表面部に圧縮の残留応力層が形成されていることを特徴とする配線基板。 Wiring board, wherein a residual stress layer is formed of a compressed surface of the substrate portion and the through hole surface portion around the through hole of the glass substrate. 【請求項10】貫通孔を有するガラス基板と、該ガラス基板上に形成された導体層と絶縁層を有する配線層を備え、該貫通孔の内表面に形成された配線を介して該ガラス基板の表裏で電気的接続を取る配線基板であって、該貫通孔の内表面は、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きいアルカリ金属イオンで置換されていることを特徴とする配線基板。 A glass substrate having a 10. A through-hole, provided with a wiring layer having a conductive layer and an insulating layer formed on the glass substrate, the glass substrate through the wiring formed on the inner surface of the through hole a wiring board in the front and back taking electrical connection, the inner surface of the through hole is characterized in that it is substituted by ionic radius larger alkali metal ions than alkali metal ions contained in the glass substrate wiring board. 【請求項11】請求項8から10のいずれか1項に記載の配線基板であって、前記配線層は多層に形成されていることを特徴とする配線基板。 11. A wiring board comprising a wiring substrate according to any one of claims 8 10, wherein the wiring layer is characterized by being formed into a multilayer. 【請求項12】請求項11に記載の配線基板であって、 12. A circuit board according to claim 11,
    前記ガラス基板の一方の面に形成された第一の配線層の配線パターンの幅と、前記ガラス基板の他方の面に形成された第二の配線層の配線パターンの幅は異なることを特徴とする配線基板。 The width of the wiring pattern of the first wiring layer formed on one surface of the glass substrate, the width of the second wiring layer of the wiring pattern formed on the other surface of the glass substrate and being different from wiring board. 【請求項13】請求項12に記載の配線基板であって、 13. A circuit board according to claim 12,
    前記配線パターンの幅が小さい配線層に半導体チップが搭載されていることを特徴とする半導体モジュール。 Semiconductor module, wherein a semiconductor chip is mounted on the wiring layer width is smaller of the wiring pattern. 【請求項14】配線基板の製造方法であって、アルカリ酸化物を含むガラス基板を準備する工程と該ガラス基板に複数の貫通孔を形成する工程と、該ガラス基板を、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属イオンを含む溶融塩浴中に浸漬させ、該ガラス基板の貫通孔の内表面を含む表面のアルカリ金属イオンを前記溶融塩浴中のアルカリ金属イオンと置換する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 14. A method of manufacturing a wiring substrate, a step of forming a plurality of through-holes in the process and the glass substrate to prepare a glass substrate containing an alkali oxide, the glass substrate, contained in the glass substrate which is immersed in a molten salt bath containing alkali metal ions having a larger ionic radius than alkali metal ions, alkali metal ions of the alkali metal ions in the molten salt bath surface including the inner surfaces of the through holes of the glass substrate method for manufacturing a wiring board, which comprises a step of substituting a. 【請求項15】配線基板の製造方法であって、アルカリ酸化物を含むガラス基板を準備する工程と該ガラス基板に複数の貫通孔を形成する工程と、該複数の貫通孔内に、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンよりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属塩と増粘材を有するペーストを充填する工程と、該ペーストを充填したガラス基板を加熱処理し、少なくとも該ガラス基板の貫通孔内表面のアルカリ金属イオンを該ペーストのアルカリ金属イオンと置換する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 15. A method of manufacturing a wiring substrate, a step of forming a plurality of through-holes in the process and the glass substrate to prepare a glass substrate containing alkali oxides, in the through hole of the plurality of, the glass a step of filling a paste with an alkali metal salt and thickener having a larger ionic radius than alkali metal ions contained in the substrate, and heating the glass substrate filled with the paste, of at least the glass substrate through hole method for manufacturing a wiring board, which comprises a step of substituting the alkali metal ions of the surface and the alkali metal ion of the paste. 【請求項16】請求項14または15に記載の配線基板の製造方法において、 前記ガラス基板としてソーダライム系ガラス基板若しくはアルミナシリケート系ガラス基板を用い、該ガラス基板に含まれるアルカリ金属イオンを置換する材料としてナトリウムイオン若しくはカリウムイオンを用いることを特徴とする配線基板の製造方法。 16. The method for manufacturing a wiring substrate according to claim 14 or 15, using a soda lime glass substrate or alumina silicate glass substrate as the glass substrate, to replace the alkali metal ions contained in the glass substrate method for manufacturing a wiring board, which comprises using a sodium ion or potassium ion as a material. 【請求項17】請求項14または15に記載の配線基板の製造方法において、前記ガラス基板の複数の貫通孔は、該ガラス基板表面に複数の開口部を有するマスク層を形成し、該ガラス基板のなかで、該マスク層の開口部分にある部分を破砕除去することにより形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 17. The method for manufacturing a wiring substrate according to claim 14 or 15, a plurality of through-holes of the glass substrate, forming a mask layer having a plurality of openings in the glass substrate surface, the glass substrate among the manufacturing method of the wiring substrate and forming by disrupting remove some portion of the opening portion of the mask layer. 【請求項18】請求項14または15に記載の配線基板の製造方法において、 さらに、前記配線基板に導体層と絶縁層からなる配線層を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 18. A method of manufacturing a wiring board according to claim 14 or 15, further fabrication of a wiring board characterized by having a step of forming a wiring layer made of a conductor layer and an insulating layer on the wiring substrate Method. 【請求項19】請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板に、導体層と絶縁層を有する配線層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 19. The glass substrate according to any one of claims 1 to 3, the manufacturing method of a wiring board and forming a wiring layer having a conductive layer and an insulating layer. 【請求項20】請求項1から12のいずれか1項に記載の配線基板に、半導体装置を実装することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 20. The wiring board according to any one of claims 1 to 12, a method of manufacturing a semiconductor module, characterized by mounting the semiconductor device.
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