JP2002374670A - Circuit module for ion generator - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、イオン発生装置
に関する。[0001] The present invention relates to an ion generator.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、室内あるいは自動車内の空気の浄
化、殺菌あるいは消臭等を行なうために、イオン発生装
置が使用されている。これらの多くは、筐体内に交流電
源部と昇圧用のトランスと針状電極とを配し、トランス
にて昇圧された交流高電圧を針状電極に印加してコロナ
放電を生じさせ、その放電により発生するイオンを、筐
体に孔設されたイオン放出口から放出させるものであ
る。なお、イオン発生装置から発生するイオンは、負イ
オンと正イオンとがあり、例えば負イオンは浄化や消臭
あるいは殺菌の効果に関しては、負イオンの方が優れる
といわれ、最近では空気清浄機やエアコンなどにも搭載
されるなど、注目を集めている。また、自動車の車内は
空気が汚れがちであり、居住性向上の観点から負イオン
発生装置の搭載に関する要望が高い。2. Description of the Related Art Conventionally, an ion generator has been used to purify, sterilize, or deodorize air in a room or an automobile. In many of these, an AC power supply unit, a step-up transformer and a needle electrode are arranged in a housing, and a high AC voltage boosted by the transformer is applied to the needle electrode to generate corona discharge, and the discharge is performed. Is emitted from an ion emission port provided in the housing. The ions generated from the ion generator include negative ions and positive ions.For example, negative ions are said to be superior in terms of purification, deodorization or sterilization effects. It is attracting attention because it is also used in air conditioners. In addition, the interior of a car tends to be contaminated with air, and there is a high demand for mounting a negative ion generator from the viewpoint of improving comfort.
【0003】最近、上記のようなイオン発生装置をより
小型に構成するために、イオン発生用の高電圧電源部
を、圧電トランスを用いて構成したものが提案されてい
る(例えば、特開平10−199654号あるいは特開
平10−199655号の各公報)。圧電トランスは、
圧電セラミック素子の有する電気/機械エネルギー変換
機能に、機械振動の共振現象を結合することにより、巻
線トランスよりも軽量かつコンパクトでありながら、高
い昇圧比を実現できる利点がある。[0003] Recently, in order to make the above-mentioned ion generating device smaller, a device has been proposed in which a high voltage power supply unit for generating ions is formed by using a piezoelectric transformer (for example, Japanese Patent Laid-Open No. -199654 or JP-A-10-199655). The piezoelectric transformer is
By coupling the resonance phenomenon of mechanical vibration to the electric / mechanical energy conversion function of the piezoelectric ceramic element, there is an advantage that a high step-up ratio can be realized while being lighter and more compact than a wound transformer.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電ト
ランスには、一般的な巻線型トランスにはない種々の制
約も存在する。まず、昇圧機能の根幹を担う圧電セラミ
ック素子の共振周波数は、素子の材質、寸法及び形状に
より固定されてしまうため、限られた周波数範囲の交流
しか昇圧できない。この周波数は一般にかなり高いの
で、例えば、商用交流(例えば50Hz/60Hz)を
直接昇圧することは不可能であり、直流変換回路や発振
回路等を含む駆動交流の発生回路が必要になる。また、
圧電トランスの駆動交流は、周波数が限定されるだけで
なく、圧電セラミック素子の耐久性確保と高電圧確保と
を両立させる観点から、15〜40V程度の比較的狭い
駆動電圧の範囲でしか作動させることができない。この
場合、素子の形状等を考慮すれば、適正電圧の範囲はさ
らに狭くなる。However, the piezoelectric transformer has various restrictions that are not found in a general wound-type transformer. First, the resonance frequency of the piezoelectric ceramic element, which is the basis of the boosting function, is fixed by the material, dimensions and shape of the element, so that only an alternating current in a limited frequency range can be boosted. Since this frequency is generally quite high, for example, it is impossible to directly boost commercial AC (for example, 50 Hz / 60 Hz), and a driving AC generating circuit including a DC conversion circuit and an oscillation circuit is required. Also,
The drive AC of the piezoelectric transformer is not only limited in frequency but also operates only in a relatively narrow drive voltage range of about 15 to 40 V from the viewpoint of ensuring both durability and high voltage of the piezoelectric ceramic element. Can not do. In this case, the range of the appropriate voltage is further narrowed in consideration of the shape of the element and the like.
【0005】ここで、前述の通り、イオン発生装置の応
用範囲は近年急速に広まりつつあるが、圧電トランス用
に確保できる駆動用の直流電源は、適用される用途によ
って電圧レベルに相当の開きがある。例えば、エアコン
などの一般家電製品の場合は、マイコンやハードウェア
ロジックなどを駆動するために5Vの直流電源が搭載さ
れていることが多く、これを利用する形となる。他方、
自動車用の場合は、車載のバッテリーが直流電源として
使用できる。その電圧は、一般的なガソリンエンジン車
の場合は12Vであり、大型ディーゼル車等では24V
である。As described above, the application range of the ion generator has been rapidly expanding in recent years. However, the DC power supply for driving that can be secured for the piezoelectric transformer has a considerable difference in voltage level depending on the application. is there. For example, a general home appliance such as an air conditioner is often equipped with a 5V DC power supply for driving a microcomputer, hardware logic, or the like, and this is used. On the other hand,
In the case of an automobile, a battery mounted on the vehicle can be used as a DC power supply. The voltage is 12 V for a general gasoline engine vehicle and 24 V for a large diesel vehicle.
It is.
【0006】他方、圧電トランスのコンパクト性を、装
置の組立工程において最大限に活用するためには、イオ
ン発生用の高電圧回路を圧電トランスとともに基板に組
み込んでモジュール化することが有効である。しかしな
がら、イオン発生装置の適用分野により電源電圧が異な
る場合、圧電トランス用に特化された電圧の直流を作る
ために、異なる仕様の電圧変換回路を、使用する電圧毎
に設計しなければならず、仕様の異なる電圧変換回路を
有した多種類のモジュールを用意しなければならないの
で、コストアップの一因となっていた。On the other hand, in order to make the most of the compactness of the piezoelectric transformer in the process of assembling the device, it is effective to incorporate a high voltage circuit for generating ions into the substrate together with the piezoelectric transformer to form a module. However, when the power supply voltage differs depending on the application field of the ion generator, a voltage conversion circuit having a different specification must be designed for each voltage to be used in order to generate a DC voltage specialized for the piezoelectric transformer. In addition, it is necessary to prepare various types of modules having voltage conversion circuits having different specifications, which has been a factor of cost increase.
【0007】また、モジュールの小型化を推し進めよう
とすると、基板上の部品の実装間隔も狭くなり、限られ
たスペースに高圧を発生する圧電トランスが搭載されて
いることも相俟って、わずかな結露や異物付着等が生じ
ただけでも短絡等の不具合要因となる。そこで、圧電ト
ランスを含めた基板上の部品を、絶縁性の高分子により
モールドすることが不可欠となる。[0007] Further, when an attempt is made to reduce the size of the module, the mounting interval of components on the substrate becomes narrower, and a piezoelectric transformer for generating a high voltage is mounted in a limited space. Even the occurrence of dew condensation or the attachment of foreign matter, etc., may be a cause of trouble such as a short circuit. Therefore, it is indispensable to mold components on the substrate including the piezoelectric transformer with an insulating polymer.
【0008】ここで、圧電トランスを含んだ回路は、圧
電セラミック素子をスムーズに振動させることができ、
かつ、その振動の周波数を安定させなければならないと
いう、通常の電気回路には求められない要請がある。本
発明者らが検討したところ、前記したモールドを行なう
場合、その材質選択が圧電トランスを用いたイオン発生
装置の出力特性に大きく影響を及ぼし、選択する材料に
よっては駆動に十分な高電圧を確保できず、イオン発生
性能が損なわれてしまう問題のあることがわかった。Here, the circuit including the piezoelectric transformer can smoothly vibrate the piezoelectric ceramic element,
In addition, there is a demand that the frequency of the vibration must be stabilized, which is not required for ordinary electric circuits. The present inventors have studied that when performing the above-described molding, the selection of the material greatly affects the output characteristics of the ion generator using the piezoelectric transformer, and a high voltage sufficient for driving is secured depending on the selected material. It was found that there was a problem that the ion generation performance could be impaired.
【0009】本発明の第一の課題は、適用用途によって
使用できる電源電圧が異なる場合でも、圧電トランスに
よるイオン発生用の高電圧を常に安定的に発生でき、ひ
いてはコンパクトで汎用性に優れたイオン発生装置用回
路モジュールを提供することにある。また、第二の課題
は、基板上の部品がモールドされることで部品実装密度
を高めても、短絡等の不具合が生じにくく、かつ、圧電
トランスによるイオン発生性能を最大限に引き出すこと
が可能なイオン発生装置用回路モジュールを提供するこ
とにある。A first object of the present invention is to enable a stable high voltage for ion generation by a piezoelectric transformer even when the power supply voltage that can be used differs depending on the application. A circuit module for a generator is provided. The second issue is that even if the component mounting density is increased by molding the components on the board, problems such as short-circuits are unlikely to occur, and it is possible to maximize the ion generation performance of the piezoelectric transformer Another object of the present invention is to provide a circuit module for an ion generator.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明の
イオン発生装置用回路モジュールの第一の構成は、前記
第一の課題を解決するべく、イオン発生電極を接続する
ための電極接続部と、電極接続部に対しイオン発生用の
高電圧を供給するためのものであって、昇圧用の圧電ト
ランスと、その圧電トランスの一次側駆動交流を、予め
定められた電圧の直流(以下、駆動源直流という)から
の変換により生成する駆動用直流−交流変換回路とを含
んで構成された高電圧電源回路と、複数種類の電圧の外
部直流が入力可能とされ、その入力された外部直流を、
入力電圧とは無関係に、予め定められた一定電圧の駆動
源直流に変換する直流電源回路と、それら電極接続部と
高電圧電源回路と直流電源回路とが一体に取り付けられ
る基板と、を備えたことを特徴とする。The first configuration of the circuit module for an ion generator according to the present invention comprises an electrode connecting portion for connecting an ion generating electrode in order to solve the first problem. For supplying a high voltage for ion generation to the electrode connection portion, and a step-up piezoelectric transformer and a primary-side driving AC of the piezoelectric transformer are connected to a DC (hereinafter referred to as a predetermined voltage). A high-voltage power supply circuit including a driving DC-AC conversion circuit generated by conversion from a driving source DC) and an external DC of a plurality of types of voltages can be input. To
A DC power supply circuit for converting a drive source DC of a predetermined constant voltage irrespective of the input voltage, and a substrate on which the electrode connection portion, the high-voltage power supply circuit, and the DC power supply circuit are integrally mounted, are provided. It is characterized by the following.
【0011】上記の構成によると、複数種類の電圧の外
部直流が入力可能とされ、その入力された外部直流を、
入力電圧とは無関係に、予め定められた一定電圧の駆動
源直流に変換する直流電源回路を設けたから、駆動電源
として使用できる外部直流の電圧レベルが適用用途によ
り異なっても、従来のように、仕様の異なる電圧変換回
路を個別に搭載した複数種類のモジュールを用意する必
要がなくなる。その結果、圧電トランスによるイオン発
生用の高電圧を、入力電圧の種類によらず常に安定的に
発生でき、ひいてはコンパクトで汎用性に優れたイオン
発生装置用回路モジュールが実現できる。また、複数種
類の外部直流を、単一の直流電源回路にて処理できるこ
とも、モジュールのコンパクト化を図る上での重要な利
点である。According to the above configuration, external DC of a plurality of types of voltages can be input, and the input external DC is
Regardless of the input voltage, a DC power supply circuit is provided to convert the drive source DC into a predetermined constant voltage drive source, so even if the external DC voltage level that can be used as the drive power source differs depending on the application, as in the past, There is no need to prepare a plurality of types of modules each having a different voltage conversion circuit with different specifications. As a result, a high voltage for ion generation by the piezoelectric transformer can always be stably generated regardless of the type of input voltage, and a compact and versatile circuit module for an ion generator can be realized. Further, the fact that a plurality of types of external direct currents can be processed by a single direct current power supply circuit is also an important advantage in reducing the size of the module.
【0012】また、本発明のイオン発生装置用回路モジ
ュールの第二の構成は、前記第二の課題を解決するべ
く、イオン発生電極を取り付けるための電極接続部と、
電極接続部に対しイオン発生用の高電圧を供給するため
のものであって、昇圧用の圧電トランスと、その圧電ト
ランスの一次側駆動交流を、予め定められた電圧の直流
(以下、駆動源直流という)からの変換により生成する
駆動用直流−交流変換回路とを含んで構成された高電圧
電源回路と、それら電極接続部と高電圧電源回路とが一
体に取り付けられる基板と、基板上において、圧電トラ
ンスが有する圧電セラミック素子を、高電圧電源回路の
構成部品とともにモールドする高分子材料モールド部と
を備え、その高分子材料モールド部が、JIS:K−6
253(1997)に規定されたタイプAのデュロメー
タ硬さにおいて80以下の硬度を有するゴム又はエラス
トマーにより構成されていることを特徴とする。A second configuration of the circuit module for an ion generator according to the present invention includes an electrode connecting portion for attaching an ion generating electrode to solve the second problem.
This is for supplying a high voltage for generating ions to the electrode connecting portion. The piezoelectric transformer for boosting and the primary side driving AC of the piezoelectric transformer are connected to a DC (hereinafter referred to as a driving source) of a predetermined voltage. A high-voltage power supply circuit including a driving DC-AC conversion circuit generated by conversion from DC), a substrate on which the electrode connection portion and the high-voltage power supply circuit are integrally mounted, and And a polymer material molding section for molding a piezoelectric ceramic element of the piezoelectric transformer together with components of a high-voltage power supply circuit, and the polymer material molding section is JIS: K-6.
253 (1997) is characterized by being made of a rubber or an elastomer having a durometer hardness of 80 or less in a type A durometer.
【0013】従来の電子回路基板では、ノイズ防止や強
度向上等を優先するために、回路部品をエポキシ樹脂等
の比較的硬質の高分子材料によりモールドすることが多
く行なわれてきた。しかし、本発明者らが検討したとこ
ろ、このような硬質のモールドにて、イオン発生装置回
路基板に設けられた圧電トランスを覆った場合、圧電セ
ラミック素子の振動が拘束され、スムーズな振動が妨げ
られる結果、十分な出力電圧ひいてはイオン発生性能が
得られなくなることがわかった。また、硬質のモールド
は、圧電セラミック素子と基板やケースなどの周辺部品
との間の機械的な結合を高めるため、連成振動等による
寄生共振モードを生じやすく、これも圧電トランスの出
力を低下させる一因となる。In a conventional electronic circuit board, a circuit component is often molded with a relatively hard polymer material such as an epoxy resin in order to give priority to prevention of noise and improvement of strength. However, the present inventors have studied that when such a hard mold covers the piezoelectric transformer provided on the ion generating device circuit board, the vibration of the piezoelectric ceramic element is restrained, and smooth vibration is hindered. As a result, it was found that a sufficient output voltage and, consequently, an ion generation performance could not be obtained. In addition, the rigid mold enhances the mechanical coupling between the piezoelectric ceramic element and the peripheral components such as the substrate and the case, so that a parasitic resonance mode due to coupled vibration and the like is likely to occur, which also reduces the output of the piezoelectric transformer. Contributes to
【0014】そこで、さらに検討を重ねた結果、高分子
材料モールド部を上記のような硬さのゴム又はエラスト
マーにより構成することにより、圧電セラミック素子の
振動拘束の問題が顕著に解消されてスムーズな振動が可
能となり、結果として圧電トランスの出力電圧の低下、
ひいてはイオン発生性能の低下を効果的に抑制できるこ
とを見出した。また、このように、適度に柔軟なゴム又
はエラストマーをモールド部の材質として採用すること
で、圧電セラミック素子の振動がモールド部に弾性的に
吸収され、基板やケースなどの周辺部品との機械的な結
合が緩和される。その結果、寄生共振モード等による出
力の低下も起こり難い。Therefore, as a result of further study, the problem of vibration restraint of the piezoelectric ceramic element is remarkably solved by forming the polymer material mold portion from rubber or elastomer having the above-mentioned hardness, and smoothness is achieved. Vibration becomes possible, and as a result, the output voltage of the piezoelectric transformer decreases,
As a result, it has been found that a decrease in ion generation performance can be effectively suppressed. In addition, as described above, by adopting a moderately flexible rubber or elastomer as a material of the mold portion, the vibration of the piezoelectric ceramic element is elastically absorbed by the mold portion, and mechanical vibration with peripheral components such as a substrate and a case. Is reduced. As a result, a decrease in output due to a parasitic resonance mode or the like hardly occurs.
【0015】他方、また、本発明のイオン発生装置用回
路モジュールの第三の構成は、前記第二の課題を解決す
るべく、イオン発生電極を取り付けるための電極接続部
と、電極接続部に対しイオン発生用の高電圧を供給する
ためのものであって、昇圧用の圧電トランスと、その圧
電トランスの一次側駆動交流を、予め定められた電圧の
直流(以下、駆動源直流という)からの変換により生成
する駆動用直流−交流変換回路とを含んで構成された高
電圧電源回路と、それら電極接続部と高電圧電源回路と
が一体に取り付けられる基板と、基板上において、圧電
トランスが有する圧電セラミック素子を、高電圧電源回
路の構成部品とともにコーティングする高分子材料コー
ティング部とを備え、その高分子材料モールド部の圧電
セラミック素子に対する被覆厚さが1mm以下であるこ
とを特徴とする。On the other hand, a third configuration of the circuit module for an ion generator according to the present invention includes an electrode connecting portion for attaching an ion generating electrode, and an electrode connecting portion for solving the second problem. It is for supplying a high voltage for generating ions, and includes a step-up piezoelectric transformer and a primary-side drive AC of the piezoelectric transformer, which is supplied from a DC of a predetermined voltage (hereinafter referred to as a drive source DC). A high-voltage power supply circuit including a driving DC-AC conversion circuit generated by conversion, a substrate on which the electrode connection portion and the high-voltage power supply circuit are integrally mounted, and a piezoelectric transformer on the substrate A polymer material coating section for coating the piezoelectric ceramic element together with the components of the high-voltage power supply circuit. Coating thickness which is equal to or is 1mm or less.
【0016】上記第三の構成は、前記第二の構成の高分
子材料モールド部を高分子材料コーティング部で置き換
えたものであり、該コーティング部の圧電セラミック素
子に対する被覆厚さを1mm以下とした。このように、
圧電セラミック素子に対するコーティング厚さを薄くす
ることにより、圧電セラミック素子の振動拘束の問題が
顕著に解消されてスムーズな振動が可能となり、結果と
して圧電トランスの出力電圧の低下、ひいてはイオン発
生性能の低下を効果的に抑制できる。なお、外コーティ
ング厚さは、基板の強度向上あるいはノイズ防止等の効
果を十分に確保する観点から、0.1mm以上確保され
ていることが望ましい。In the third configuration, the polymer material mold portion of the second configuration is replaced with a polymer material coating portion, and the coating thickness of the coating portion on the piezoelectric ceramic element is 1 mm or less. . in this way,
By reducing the thickness of the coating on the piezoceramic element, the problem of vibration constraint of the piezoceramic element is remarkably solved, enabling smooth vibration, and as a result, the output voltage of the piezoelectric transformer is reduced and, consequently, the ion generation performance is reduced. Can be effectively suppressed. The outer coating thickness is desirably 0.1 mm or more from the viewpoint of sufficiently improving the strength of the substrate or preventing effects such as noise.
【0017】上記第二の構成ないし第三の構成は、第一
の構成と互いに組み合わせて実施することが当然に可能
である。これにより、高性能で汎用性に優れ、しかもコ
ンパクトな回路モジュールを実現することができる。The above-described second to third configurations can be implemented in combination with the first configuration. As a result, a high-performance, excellent versatility and compact circuit module can be realized.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面に示す実施例を参照して説明する。図1は、本
発明の一実施例たるイオン発生装置用回路モジュール
(以下、単に回路モジュールともいう)1の外観を示す
ものである。回路モジュール1は、イオン発生電極27
を接続するための電極接続部27aと、電極接続部27
aに対しイオン発生用の高電圧を供給する圧電トランス
70を有した高電圧電源回路(後述)、さらには、その
高電圧電源回路に対し駆動源電流となる直流電流を供給
するための直流電源回路(後述)を、ガラス−エポキシ
樹脂複合材料等からなる基板31に一体的に組み付けた
ものである。そして、その基板31上において、圧電ト
ランス70が有する圧電セラミック素子を、高電圧電源
回路の構成部品とともにモールドする高分子材料モール
ド部30が設けられている。その高分子材料モールド部
30は、JIS:K−6253(1997)に規定され
たタイプAのデュロメータ硬さにおいて80以下の硬度
を有するゴム又はエラストマーにより構成されている。
このような硬さのゴム/エラストマーを採用することに
よる作用・効果は既に説明済みである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows the appearance of a circuit module for an ion generator (hereinafter, also simply referred to as a circuit module) 1 according to one embodiment of the present invention. The circuit module 1 includes the ion generating electrode 27
Electrode connecting portion 27a for connecting the
a high-voltage power supply circuit (described later) having a piezoelectric transformer 70 for supplying a high voltage for generating ions to a, and a DC power supply for supplying a DC current as a drive source current to the high-voltage power supply circuit A circuit (to be described later) is integrated with a substrate 31 made of a glass-epoxy resin composite material or the like. Further, on the substrate 31, there is provided a polymer material molding section 30 for molding the piezoelectric ceramic element of the piezoelectric transformer 70 together with the components of the high-voltage power supply circuit. The polymer material mold portion 30 is made of rubber or elastomer having a type A durometer hardness of 80 or less specified in JIS: K-6253 (1997).
The operation and effect of adopting a rubber / elastomer having such hardness have already been described.
【0019】高分子材料モールド部30の硬さが上記タ
イプAデュロメータ硬さにおいて80を超えると、圧電
トランス70の出力低下が生じやすくなる。また、該硬
さの下限値に特に制限はないが、該硬さが1程度までの
ものであれば、市販のゴムから選択できる利点がある。
また、硬さが極度に低いものは、モールドとしての保型
機能が維持できなくなる場合があり、このような不具合
が生じない範囲にて硬さの選択を行なうことが望まし
い。なお、高分子材料モールド部30の硬さは、より望
ましくは10〜50程度の範囲で選択するのがよい。If the hardness of the polymer material mold portion 30 exceeds 80 in the type A durometer hardness, the output of the piezoelectric transformer 70 tends to decrease. The lower limit of the hardness is not particularly limited, but if the hardness is up to about 1, there is an advantage that it can be selected from commercially available rubber.
If the hardness is extremely low, the mold-retaining function as a mold may not be maintained in some cases, and it is desirable to select the hardness within a range in which such a problem does not occur. The hardness of the polymer material mold section 30 is more desirably selected in the range of about 10 to 50.
【0020】採用するゴム/エラストマーの材質は、上
記の硬さ範囲を満たすものであれば特に限定されない
が、常温未硬化状態にて液状のゴム/エラストマー(例
えばシリコーン系やウレタン系のもの)を使用すると、
注型によるモールドを簡単に行なうことができる。本実
施形態では、基板31をケース35に収容し、該ケース
35内に基板31を配置した状態で、ゴム又はエラスト
マー(当然、液状状態のものである)を注型し、その後
これを硬化させることにより、基板31上に実装されて
いる前記回路の構成部品Cを、該基板31とともにケー
ス35内にてモールドするようにしている。The material of the rubber / elastomer to be employed is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned hardness range, but a liquid rubber / elastomer (for example, silicone or urethane) in an uncured state at normal temperature is used. When used,
Molding by casting can be performed easily. In the present embodiment, the substrate 31 is housed in the case 35, and in a state where the substrate 31 is arranged in the case 35, a rubber or an elastomer (of course, in a liquid state) is cast and then cured. Thus, the component C of the circuit mounted on the board 31 is molded together with the board 31 in the case 35.
【0021】ケース35は、具体的には、基板31を収
容するための開口部35cが上面側に形成され、基板3
1は、基板裏面側に配置された部品Cがケース底面と接
触しないように、スペーサ35a(ケース底面から突出
形成されている)により該底面から一定距離浮かせた形
でケース31内に配置されている。なお、注型時におい
て基板裏面側の空間を満たす気体を排出するための貫通
部31aが板厚方向に形成されている。これにより、注
型後に基盤周辺に気泡等が残留して耐食性等が損なわれ
る不具合を防止ないし抑制することができる。In the case 35, specifically, an opening 35c for accommodating the substrate 31 is formed on the upper surface side.
1 is arranged in the case 31 so as to be floated from the bottom surface by a predetermined distance by a spacer 35a (protruded from the case bottom surface) so that the component C disposed on the back surface side of the substrate does not contact the case bottom surface. I have. In addition, a penetration portion 31a for discharging gas filling the space on the back surface side of the substrate at the time of casting is formed in the thickness direction. Thus, it is possible to prevent or suppress a problem that bubbles and the like remain around the base after casting and the corrosion resistance and the like are impaired.
【0022】基板31は、スペーサ35aに対しボルト
等の締結部材35bにより固定されている。また、基板
31の表面に形成された電極接続部27aには、高電圧
出力用ケーブル27bの基端が接続されるとともに、反
対側がモールド部30の外に延出して、その先端にイオ
ン発生電極27が取り付けられるようになっている。The substrate 31 is fixed to the spacer 35a by a fastening member 35b such as a bolt. A base end of a high-voltage output cable 27b is connected to an electrode connecting portion 27a formed on the surface of the substrate 31, and the opposite side extends out of the mold portion 30 and has an ion generating electrode 27 is attached.
【0023】なお、基板31を上記のようにモールドす
る代わりに、図1(c)に示すように、基板31の全体
を高分子材料コーティング部130で覆った構成とする
ことができる。この場合、高分子材料コーティング部1
30の硬さを限定しない代わりに、その圧電セラミック
素子70に対する被覆厚さ(平均値)tを、1mm以下
(0.1mm以上)とするようにしてもよい。なお、高
分子材料コーティング部130の材質は、ウレタン樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を使用できる。Instead of molding the substrate 31 as described above, a configuration in which the entire substrate 31 is covered with a polymer material coating portion 130 as shown in FIG. 1C can be adopted. In this case, the polymer material coating section 1
Instead of limiting the hardness of 30, the coating thickness (average value) t of the piezoelectric ceramic element 70 may be set to 1 mm or less (0.1 mm or more). In addition, as the material of the polymer material coating portion 130, urethane resin, acrylic resin, epoxy resin, or the like can be used.
【0024】図2は、上記回路モジュールの回路構成の
一例を示すブロック図である。害回路は、前述の通り高
電圧電源回路41と、直流電源回路36とを含む。高電
圧電源回路41は、電極接続部27aに対しイオン発生
用の高電圧を供給するためのものであり、昇圧用の圧電
トランス70と、その圧電トランス70の一次側駆動交
流を、予め定められた電圧の直流(駆動源直流)からの
変換により生成する駆動用直流−交流変換回路42を含
む。また、直流電源回路36は、複数種類の電圧の外部
直流が入力可能とされ、その入力された外部直流を、入
力電圧とは無関係に、予め定められた一定電圧の駆動源
直流に変換するものである。これら、電極接続部27a
と高電圧電源回路41と直流電源回路36とが、図1の
基板31に一体に取り付けられている。FIG. 2 is a block diagram showing an example of a circuit configuration of the circuit module. The harmful circuit includes the high-voltage power supply circuit 41 and the DC power supply circuit 36 as described above. The high-voltage power supply circuit 41 is for supplying a high voltage for generating ions to the electrode connecting portion 27a. The high-voltage power supply circuit 41 includes a piezoelectric transformer 70 for boosting and a primary-side driving AC of the piezoelectric transformer 70, which is determined in advance. And a driving DC-AC conversion circuit 42 that is generated by converting the output voltage from DC (drive source DC). Further, the DC power supply circuit 36 is capable of inputting a plurality of types of external DC, and converts the input external DC into a drive source DC of a predetermined constant voltage irrespective of the input voltage. It is. These electrode connection portions 27a
The high-voltage power supply circuit 41 and the DC power supply circuit 36 are integrally mounted on the substrate 31 of FIG.
【0025】高電圧電源回路41は、発振部37、スイ
ッチング部38、昇圧部39及び整流部40を含む。図
3は、その具体的な回路構成の一例を示すものである。
昇圧部39に含まれる圧電トランス70は、圧電セラミ
ック素子板71に入力側端子72a,73aと出力側端
子74aとを形成し、その入力側端子72a,73aか
らの一次側交流入力電圧を、圧電セラミック素子板71
の機械振動を介して一次側交流電圧よりも高圧の二次側
交流電圧に変換し、出力側端子74aからイオン発生電
極27に向けて出力するものである。The high voltage power supply circuit 41 includes an oscillating unit 37, a switching unit 38, a boosting unit 39, and a rectifying unit 40. FIG. 3 shows an example of the specific circuit configuration.
The piezoelectric transformer 70 included in the booster 39 forms input-side terminals 72a and 73a and an output-side terminal 74a on the piezoelectric ceramic element plate 71, and converts a primary-side AC input voltage from the input-side terminals 72a and 73a into a piezoelectric transformer. Ceramic element plate 71
Is converted to a secondary-side AC voltage higher than the primary-side AC voltage via the mechanical vibration described above, and is output from the output-side terminal 74a to the ion generating electrode 27.
【0026】一方、整流部40は、イオン発生電極27
への電圧印加極性が負(第一極性)の側に優位となるよ
うに、圧電トランスの二次側交流出力を整流するもので
ある。これにより、イオン発生電極27は主に負イオン
発生源として機能することとなる。他方、本発明は、正
イオン発生装置として機能させる構成も可能であるが、
この場合は、整流部40の接続方向を逆とすればよい。On the other hand, the rectifying section 40 includes the ion generating electrode 27.
This is for rectifying the secondary-side AC output of the piezoelectric transformer such that the polarity of the voltage applied to the piezoelectric transformer becomes dominant on the negative (first polarity) side. Thereby, the ion generating electrode 27 mainly functions as a negative ion generating source. On the other hand, the present invention can be configured to function as a positive ion generator,
In this case, the connection direction of the rectifier 40 may be reversed.
【0027】発振部37は、直流電源部36からの駆動
源直流を受けて、圧電トランス70への一次側交流入力
に対応した周波数にて発振波形を生成する。この発振部
37は、本実施形態では、オペアンプ62と、負帰還側
の抵抗器52とコンデンサ53にて構成される方形波発
振回路として構成されている。なお、抵抗器54及び5
5は、発振入力の基準電圧、つまり、発振の電圧振幅の中
心値を規定するためのものである。さらに、コンデンサ
57は、基準電圧に重畳されるノイズ除去用のものであ
るが、基準電圧が安定な場合は省略できる。The oscillating section 37 receives the driving source DC from the DC power supply section 36 and generates an oscillating waveform at a frequency corresponding to the primary side AC input to the piezoelectric transformer 70. In this embodiment, the oscillating unit 37 is configured as a square wave oscillating circuit including an operational amplifier 62, a resistor 52 on the negative feedback side, and a capacitor 53. Note that the resistors 54 and 5
Reference numeral 5 designates the reference voltage of the oscillation input, that is, the center value of the oscillation voltage amplitude. Further, the capacitor 57 is for removing noise superimposed on the reference voltage, but can be omitted when the reference voltage is stable.
【0028】また、スイッチング部(スイッチング回
路)38は、発振部37からの波形信号を受けて、電源
ユニット30からの直流定電圧入力を高速スイッチング
することにより、圧電トランス70の一次側への入力交
流波形を生成する。具体的には、スイッチング部38
は、1対のトランジスタ65,66を含むプッシュプル
スイッチング回路として構成されている。これらトラン
ジスタ65,66は、オペアンプ62の出力(43はプ
ルアップ抵抗である)によりオン・オフし、発振部37
の発振周波数にて発振する方形波交流波形を生じさせ
る。この波形が圧電トランス70の一次側に入力され
る。なお、コンデンサ58は、トランジスタ65,66
のスイッチング入力に重畳されるノイズ除去用のもので
あるが、ノイズが少ない場合は省略できる。The switching section (switching circuit) 38 receives the waveform signal from the oscillating section 37 and performs high-speed switching of the DC constant voltage input from the power supply unit 30 to thereby input the piezoelectric transformer 70 to the primary side. Generate an AC waveform. Specifically, the switching unit 38
Is configured as a push-pull switching circuit including a pair of transistors 65 and 66. These transistors 65 and 66 are turned on / off by the output of the operational amplifier 62 (43 is a pull-up resistor), and the oscillation unit 37
A square wave AC waveform oscillating at the oscillation frequency of is generated. This waveform is input to the primary side of the piezoelectric transformer 70. Note that the capacitor 58 includes transistors 65 and 66
This is for removing noise superimposed on the switching input, but can be omitted when the noise is small.
【0029】次に、圧電トランス70の圧電セラミック
素子板71は横長板状に形成され、その板面長手方向中
間位置にて、板厚方向に分極処理された第一板状領域7
1aと、板面長手方向に分極処理された第二板状領域7
1bとに区切られている。そして、第一板状領域71a
の両面を覆う形で、入力側端子72a,73aが接続さ
れる入力側電極対72,73が形成される一方、第二板
状領域71bの板面長手方向の端面に、出力側端子74
aが接続される出力側電極74が形成されている。Next, the piezoelectric ceramic element plate 71 of the piezoelectric transformer 70 is formed in a horizontally long plate shape, and a first plate-like region 7 polarized in the plate thickness direction is provided at an intermediate position in the plate surface longitudinal direction.
1a and a second plate-like region 7 polarized in the longitudinal direction of the plate surface
1b. Then, the first plate-shaped region 71a
Are formed so as to cover both surfaces of the input terminal 72a and the input terminal 72a connected to the input terminal 72a. On the other hand, the output terminal 74 is provided on the end surface of the second plate-like region 71b in the longitudinal direction of the plate surface.
An output-side electrode 74 to which a is connected is formed.
【0030】上記の構成の圧電トランス70では、入力
側電極対72,73を介して第一板状領域71aに対し
交流入力を行なうと、第一板状領域71aではその分極
方向が厚さ方向であるから、長手方向に伝播する板波が
板厚方向の電界と強く結合する形となり、電気エネルギ
ーの大半が、長手方向に伝播する板波のエネルギーに変
換される。他方、この長手方向の板波は第二板状領域7
1bに伝わるが、ここでは分極方向が長手方向であるか
ら、該板波は長手方向の電界と強く結合する。そして、
入力側の交流周波数を圧電セラミック素子板71の機械
振動の共振周波数に対応(望ましくは一致)させると
き、素子71のインピーダンスは、入力側ではほぼ最小
(共振)となるのに対し出力側ではほぼ最大(反共振)
となり、このインピーダンス変換比に応じた昇圧比によ
り一次側入力が昇圧されて二次側出力となる。In the piezoelectric transformer 70 having the above configuration, when an AC input is made to the first plate-shaped region 71a through the input-side electrode pairs 72 and 73, the polarization direction of the first plate-shaped region 71a is changed in the thickness direction. Therefore, the plate wave propagating in the longitudinal direction is strongly coupled to the electric field in the plate thickness direction, and most of the electric energy is converted into the energy of the plate wave propagating in the longitudinal direction. On the other hand, this longitudinal plate wave is generated in the second plate-like region 7.
Although transmitted to 1b, since the polarization direction is the longitudinal direction, the plate wave is strongly coupled to the electric field in the longitudinal direction. And
When the input-side AC frequency corresponds to (preferably coincides with) the resonance frequency of the mechanical vibration of the piezoelectric ceramic element plate 71, the impedance of the element 71 is substantially minimum (resonance) on the input side, whereas it is substantially the same on the output side. Maximum (anti-resonance)
Then, the primary side input is boosted by the boosting ratio according to the impedance conversion ratio to become the secondary side output.
【0031】このような作動原理を有する圧電トランス
70は構造が簡単であり、前述の通り、鉄芯を有する巻
線型トランスと比較すると非常に軽量・コンパクトに構
成できる利点がある。そして、負荷の大きい条件ではイ
ンピーダンス変換効率が高く、安定で高い昇圧比を得る
ことができる。また、イオン放出に伴う放電電流の発生
を除けば負荷開放に近い条件で駆動されるイオン発生装
置では、イオン発生に適した高圧を安定的に発生するこ
とができ、前記の圧電トランス特有の利点も有効に活用
することができる。The piezoelectric transformer 70 having such an operation principle has a simple structure, and as described above, has an advantage that it can be configured to be extremely lightweight and compact as compared with a wire wound transformer having an iron core. Then, under a heavy load condition, the impedance conversion efficiency is high, and a stable and high boosting ratio can be obtained. In addition, in an ion generator driven under conditions close to the load release except for the generation of a discharge current due to ion emission, a high voltage suitable for ion generation can be stably generated. Can also be used effectively.
【0032】圧電セラミック素子71の材質は特に限定
されないが、例えば本実施例ではジルコン酸チタン酸鉛
系ペロブスカイト型圧電セラミック(いわゆるPZT)
にて構成している。これは、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛
との固溶体を主体に構成されるものであり、インピーダ
ンス変換効率に優れていることから本発明に好適に使用
できる。なお、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛と配合比は、
ジルコン酸鉛/チタン酸鉛のモル比にて0.8〜1.3
程度とすることが、良好なインピーダンス変換効率を実
現する上で望ましい。また、必要に応じてジルコニウム
あるいはチタンの一部を、Ni、Nb、Mg、Co、M
n等で置換することもできる。The material of the piezoelectric ceramic element 71 is not particularly limited. For example, in this embodiment, a lead zirconate titanate-based perovskite piezoelectric ceramic (so-called PZT) is used.
It consists of. This is mainly composed of a solid solution of lead zirconate and lead titanate, and can be suitably used in the present invention because of its excellent impedance conversion efficiency. The mixing ratio of lead zirconate and lead titanate is as follows:
0.8 to 1.3 in a lead zirconate / lead titanate molar ratio.
It is desirable that the degree be about the same in order to realize good impedance conversion efficiency. If necessary, a part of zirconium or titanium may be replaced with Ni, Nb, Mg, Co, M
It can be replaced by n or the like.
【0033】なお、PZT系の圧電セラミック素子は、
駆動周波数が極端に高くなると共振尖鋭度が急速に鈍く
なり、変換効率の低下を招くことから、一次側交流入力
の周波数は、40〜300kHz(望ましくは、50〜
150kHz)程度の比較的低い周波数範囲にて、素子
71の機械的共振周波数に対応した値に設定することが
望ましい。逆に言えば、素子71の機械的共振周波数が
上記の周波数範囲に収まるように、素子71の寸法を決
定することが望ましい。The PZT piezoelectric ceramic element is
When the driving frequency becomes extremely high, the resonance sharpness rapidly becomes dull and the conversion efficiency is lowered. Therefore, the frequency of the primary side AC input is 40 to 300 kHz (preferably 50 to 300 kHz).
It is desirable to set a value corresponding to the mechanical resonance frequency of the element 71 in a relatively low frequency range of about 150 kHz). Conversely, it is desirable to determine the dimensions of the element 71 such that the mechanical resonance frequency of the element 71 falls within the above frequency range.
【0034】なお、PZT系の圧電セラミック素子を使
用する場合、その一次側交流入力の電圧レベルは、負イ
オンの発生効率を確保し、かつ素子の耐久性確保の観点
から、15〜40V程度に設定される。これにより、イ
オン発生電極7への印加電圧レベルは、前記の一次側交
流入力の周波数範囲にて最大で4000〜6000V程
度を確保できる。When a PZT type piezoelectric ceramic element is used, the voltage level of the primary side AC input is set to about 15 to 40 V from the viewpoint of securing the generation efficiency of negative ions and ensuring the durability of the element. Is set. Thereby, the applied voltage level to the ion generating electrode 7 can secure about 4000 to 6000 V at the maximum in the frequency range of the primary side AC input.
【0035】次に、整流部40は、整流回路をなすダイ
オード76を含んでいる。このダイオード76は、イオ
ン発生電極27を負極性にチャージアップさせる向きの
電荷移動は許容し、これと逆向きの電荷移動を阻止する
ように、圧電トランス70の二次側交流出力を整流する
役割を果たす。なお、本実施形態では、耐電圧を確保す
るために複数個(ここでは4個)のダイオード76を直
列接続している。また、交流高電圧電源つまり圧電トラ
ンス70の出力端子74aにイオン発生電極27が接続
され、その出力端子からイオン発生電極へ向かう経路か
ら分岐して放電路90が設けられている。なお、放電路
90の末端は接地されている。Next, the rectifying section 40 includes a diode 76 forming a rectifying circuit. This diode 76 has a role of rectifying the secondary-side AC output of the piezoelectric transformer 70 so as to allow the charge transfer in the direction of charging up the ion generating electrode 27 to the negative polarity and prevent the charge transfer in the opposite direction. Fulfill. In the present embodiment, a plurality of (here, four) diodes 76 are connected in series in order to ensure a withstand voltage. Further, the ion generating electrode 27 is connected to an AC high voltage power supply, that is, the output terminal 74a of the piezoelectric transformer 70, and a discharge path 90 is provided branching from a path from the output terminal to the ion generating electrode. The end of the discharge path 90 is grounded.
【0036】図6(a)は基板31の表面側、(b)は
同じく裏面側の部品実装レイアウトの一例を示すもので
ある。図中の符号は図3及び図4の回路図中の符号に対
応している。本実施形態では、(a)に示すように、基
板31に圧電トランス70を、圧電セラミック素子板7
1と基板面とが互いに略平行となるように実装してい
る。また、(b)に示すように、基板31の裏面側にお
いて圧電セラミック素子板73に対応する領域が金属膜
電極75にて覆われており、該金属膜電極75と圧電セ
ラミック素子板71とが、基板31の両者の間に位置す
る部分とともに帰還キャパシタンスを構成している。FIG. 6A shows an example of the component mounting layout on the front side of the substrate 31, and FIG. The reference numerals in the drawings correspond to the reference numerals in the circuit diagrams of FIGS. In this embodiment, as shown in (a), a piezoelectric transformer 70 is provided on a substrate 31 and a piezoelectric ceramic element plate 7 is provided.
1 and the board surface are substantially parallel to each other. Further, as shown in (b), a region corresponding to the piezoelectric ceramic element plate 73 on the back side of the substrate 31 is covered with a metal film electrode 75, and the metal film electrode 75 and the piezoelectric ceramic element plate 71 are , And the portion of the substrate 31 located therebetween, constitutes a feedback capacitance.
【0037】次に、図4は、直流電源回路36の構成例
を示す回路図である。この回路においては、一定範囲の
直流電圧(本実施形態では、DC4.5V〜DC32
V)が、基板上に設けられた単一の入力コネクタ2から
連続可変入力可能とされ、当該入力電圧よりも昇圧され
た直流を生成して、これを駆動源直流(本実施形態では
DC32V)として出力する入力可変型ステップアップ
回路として構成されている。既に説明した通り、エアコ
ンなどの一般家電製品や、自動車用などの種々の用途
に、イオン発生装置をモジュールの形で組み込む場合、
外部直流として使用できる電圧は、組み込み対象となる
製品に応じてまちまちである(例えば前者はDC5V、
後者はDC12Vあるいは24V)。しかし、直流電源
回路36を上記のような入力可変型ステップアップ回路
として構成しておけば、使用する外部直流の電圧に関係
なく常に一定の電圧の駆動源直流が得られる。また、そ
れらの外部直流を、単一の入力コネクタ2から入力すれ
ばよく、電圧によるコネクタの使い分けの必要もないか
ら、一層汎用性を高めることができる。FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration example of the DC power supply circuit 36. In this circuit, a DC voltage in a certain range (in this embodiment, DC 4.5 V to DC 32
V) can be continuously and continuously input from a single input connector 2 provided on the substrate, and generates a direct current boosted from the input voltage, and converts this to a drive source direct current (DC 32 V in this embodiment). And is configured as an input variable step-up circuit that outputs a signal. As already described, when incorporating ion generators in the form of modules for general home appliances such as air conditioners and various applications such as automobiles,
The voltage that can be used as the external DC varies depending on the product to be incorporated (for example, the former is DC5V,
The latter is DC12V or 24V). However, if the DC power supply circuit 36 is configured as the above-described variable input type step-up circuit, a constant drive source DC can always be obtained regardless of the external DC voltage used. Further, these external direct currents may be input from a single input connector 2, and there is no need to use different connectors depending on the voltage, so that the versatility can be further enhanced.
【0038】さらに、上記構成の大きな特徴は、入力さ
れる外部直流の電圧レベルが多少変動したり、あるいは
比較的大きなリップルが形成されたりしている場合で
も、入力可変型に構成されているため、ほとんどその影
響を受けることなく一定電圧の駆動源直流に変換できる
点である。このことは、電圧変動の影響を受けやすい圧
電トランスの駆動源直流として有利に作用する。さら
に、結果的に本ステップアップ回路の前段に、電圧安定
化のための回路を特に設ける必要がなくなり、電源回路
の大幅な簡略化を図ることができる。以上の効果は、車
載バッテリー電圧にオルターネータ交流波形が重畳され
る結果、リップルが特に大きくなる自動車用の用途にお
いて、とりわけ顕著に達成される。Further, a great feature of the above configuration is that, even when the input external DC voltage level fluctuates somewhat or a relatively large ripple is formed, the input is of a variable input type. That is, it can be converted into a constant-voltage drive source DC with almost no influence. This advantageously acts as a drive source direct current of the piezoelectric transformer which is easily affected by voltage fluctuations. Furthermore, as a result, it is not necessary to particularly provide a circuit for stabilizing the voltage in the preceding stage of the present step-up circuit, so that the power supply circuit can be greatly simplified. The above effects are particularly remarkably achieved in an automotive application in which ripples become particularly large as a result of the alternator AC waveform being superimposed on the vehicle battery voltage.
【0039】以下、図4の入力可変型ステップアップ回
路の詳細構成についてさらに説明する。該回路は、制御
用IC21(本実施形態では、新日本無線(株)製の市
販品(NJM2360A)を用いている)と、該制御用
IC21に外付け接続されたインダクタ10(本実施形
態ではシールドコイルである)、及び整流・平滑化部を
なすダイオード13及びコンデンサ16を主体に構成さ
れている。制御用IC21の等価回路は図5に示す通り
であり、発振回路103と、外部直流の一部を分岐入力
させ、その分岐直流入力を発振回路103が規定する一
定周波数にて断続スイッチングするスイッチング部10
6と、出力側直流電圧を基準電圧と比較して、それら出
力側直流電圧と基準電圧との差が縮小するように、分岐
入力直流の断続スイッチングの許容及び禁止を制御する
制御部107とを有する。図5の各端子番号は、図4の
端子番号に対応している。Hereinafter, the detailed configuration of the variable input type step-up circuit of FIG. 4 will be further described. The circuit includes a control IC 21 (in this embodiment, a commercially available product (NJM2360A) manufactured by New Japan Radio Co., Ltd.) and an inductor 10 externally connected to the control IC 21 (in this embodiment, And a diode 13 and a capacitor 16 serving as a rectifying / smoothing unit. The equivalent circuit of the control IC 21 is as shown in FIG. 5. The oscillation circuit 103 and a switching unit that branches a part of the external DC and inputs the branch DC input at a constant frequency defined by the oscillation circuit 103. 10
6 and a control unit 107 that compares the output DC voltage with the reference voltage and controls the permission and prohibition of the intermittent switching of the branch input DC so that the difference between the output DC voltage and the reference voltage is reduced. Have. Each terminal number in FIG. 5 corresponds to the terminal number in FIG.
【0040】図4に示すように、インダクタ10は、分
岐直流入力の断続スイッチングに基づいて誘導電流を発
生させるとともに、その誘導電流に基づくリップル電圧
を外部直流の入力電圧に重畳させた形で出力するもので
ある。また、整流・平滑化部13,16は、インダクタ
10からの出力電圧を整流及び平滑化することにより外
部直流よりも昇圧された直流を生成し、これを駆動源直
流(DC32V)として出力するためのものである。As shown in FIG. 4, the inductor 10 generates an induced current based on the intermittent switching of the branch DC input, and outputs the ripple voltage based on the induced current superimposed on the external DC input voltage. Is what you do. Also, the rectifying / smoothing units 13 and 16 rectify and smooth the output voltage from the inductor 10 to generate a DC boosted from an external DC, and output this as a drive source DC (DC 32 V). belongs to.
【0041】この回路の動作は、基本的には、制御用I
C21において、一定周波数で断続スイッチングされる
電流をインダクタ10に導き、その誘導電流による電圧
波形を入力電圧に重畳させた後平滑化を行なうことで、
入力電圧よりも高電圧の直流を発生させる、一般的なス
テップアップ回路と同一の原理によっている。そして、
その特徴は、出力電圧を制御用IC21にフィードバッ
クし(5番端子)、これを制御部107において基準電
圧と比較するとともに、もし出力電圧が基準電圧をオー
バーシュートした場合は、誘導電流を発生させるための
スイッチングを一時的に中止して、基準電圧に向けた電
圧復帰が生ずるように制御される点である。インダクタ
10の誘導電流による電圧成分は交流波形であり、これ
を整流・平滑化したときの電圧レベルが、ステップアッ
プによる電圧増分の最大値となる。従って、入力電圧の
平均レベルと、得るべき駆動源直流の目標電圧との差分
よりも大きくなるようにスイッチング周波数を設定して
おけば、入力電圧と目標電圧との差がどのような値であ
っても、そのスイッチング動作の停止/継続の時間比を
調整することで、常に目標電圧に近い出力を得ることが
できる。このことは、入力電圧が規定された範囲内(本
実施形態では、DC4.5〜DC32V)で連続可変で
あり、突発的な要因による電圧変動や入力側のリップル
の影響なども全て吸収できることを意味する。The operation of this circuit is basically based on the control I
In C21, a current that is intermittently switched at a constant frequency is guided to the inductor 10, and a voltage waveform due to the induced current is superimposed on the input voltage, and then smoothing is performed.
It is based on the same principle as a general step-up circuit that generates a DC voltage higher than the input voltage. And
The feature is that the output voltage is fed back to the control IC 21 (terminal 5), and this is compared with the reference voltage in the control unit 107. If the output voltage overshoots the reference voltage, an induced current is generated. Is temporarily stopped so that the voltage is restored to the reference voltage. The voltage component due to the induced current of the inductor 10 is an AC waveform, and the voltage level when this is rectified and smoothed becomes the maximum value of the voltage increment due to the step-up. Therefore, if the switching frequency is set so as to be larger than the difference between the average level of the input voltage and the target voltage of the drive source DC to be obtained, the difference between the input voltage and the target voltage is any value. However, by adjusting the time ratio of stop / continuation of the switching operation, an output close to the target voltage can always be obtained. This means that the input voltage is continuously variable within a specified range (4.5 to 32 VDC in the present embodiment), and it is possible to absorb all the effects of voltage fluctuations due to sudden factors and ripples on the input side. means.
【0042】本実施形態では、外部直流は、制御用IC
21内に組み込まれたスイッチング部をなすトランジス
タ106a,106bのエミッタ端子(2番端子)とコ
レクタ端子(1番端子)とを短絡する短絡経路25に入
力され、インダクタ10はその短絡経路25上に配置さ
れている。これにより、インダクタ10の誘導電流に基
づくリップル電圧を外部直流の入力電圧に重畳させる回
路構成を合理的に実現できる。In this embodiment, the external direct current is supplied to the control IC
The short-circuit path 25 short-circuits the emitter terminals (second terminals) and the collector terminals (first terminals) of the transistors 106 a and 106 b forming the switching units incorporated in the circuit 21, and the inductor 10 is placed on the short-circuit path 25. Are located. Thus, a circuit configuration for superimposing a ripple voltage based on an induction current of the inductor 10 on an external DC input voltage can be rationally realized.
【0043】図4において、外部直流は入力コネクタ2
から入力される。コネクタ2の1番端子から入力された
直流電圧は、調整用の抵抗8を経て短絡経路25に入力
され、整流・平滑化回路をなすダイオード13を経て出
力される。このダイオードは、スイッチングがオフされ
るときのインダクタ10に向けたフライバック電流を遮
断する役割も果たす。他方、平滑化機能を担うコンデン
サ16は、この出力経路と並列に接続されている。な
お、コネクタ2の2番端子及び3番端子はジャンパ7
(結線状態)により短絡された接地線につながってい
る。また、符号9及び10は電波吸収体をなすフェライ
トコアである。また、図4の回路に現われているコンデ
ンサ19,20,22はノイズ吸収用のものである。さ
らに、符号3は、サージ対策用のバリスタであり、符号
4は過電流防止用のヒューズである。In FIG. 4, the external direct current is
Is entered from The DC voltage input from the first terminal of the connector 2 is input to the short-circuit path 25 via the adjusting resistor 8, and is output via the diode 13 forming a rectifying / smoothing circuit. This diode also serves to cut off the flyback current towards inductor 10 when switching is turned off. On the other hand, a capacitor 16 having a smoothing function is connected in parallel with this output path. The second and third terminals of the connector 2 are jumpers 7
(Connected state) is connected to the ground wire short-circuited. Reference numerals 9 and 10 denote ferrite cores forming a radio wave absorber. The capacitors 19, 20, and 22 appearing in the circuit of FIG. 4 are for absorbing noise. Further, reference numeral 3 denotes a varistor for surge suppression, and reference numeral 4 denotes a fuse for preventing overcurrent.
【0044】出力電圧のフィードバックは、抵抗14及
び15により分圧調整されて制御用IC21に入力され
る。図4に示すように、制御回路107はコンパレータ
102、ANDゲート104及びRSラッチ105から
なり、発振器103の出力はANDゲート104とRS
ラッチ105のリセット端子に分配されている。また、
コンパレータ102の出力は、ANDゲート104の他
方の端子に入力される。フィードバックされた出力電圧
Vは5番端子からコンパレータ102に入力され、そこ
で基準電圧発生部101からの基準電圧Vrと比較され
る。他方、ANDゲート104の出力はRSラッチ10
5のセット端子に入力される一方、発振器103の出力
は反転した形でRSラッチ105のリセット端子に入力
されている。従って、RSラッチ105は、V<Vrの
とき、発振器103と同期したパルスを出力し、そのパ
ルス波形に同期してトランジスタ106a,106bを
スイッチングする。他方、V≧Vrのときは、RSラッ
チ105は発振器103の出力を遮断し、スイッチング
は停止する。なお、トランジスタ106a,106b
は、スイッチングの電流容量を確保するため2段にダー
リントン接続されたものが用いられている。また、発振
器103の発振周波数は、3番端子に接続されるコンデ
ンサ(タイミングキャパシタ:図4の符号18)の容量
により調整される。The feedback of the output voltage is divided and adjusted by the resistors 14 and 15 and input to the control IC 21. As shown in FIG. 4, the control circuit 107 includes a comparator 102, an AND gate 104, and an RS latch 105.
It is distributed to the reset terminal of the latch 105. Also,
The output of the comparator 102 is input to the other terminal of the AND gate 104. The fed back output voltage V is input from the fifth terminal to the comparator 102, where it is compared with the reference voltage Vr from the reference voltage generator 101. On the other hand, the output of the AND gate 104 is
5 is input to the reset terminal of the RS latch 105 while the output of the oscillator 103 is inverted. Therefore, when V <Vr, the RS latch 105 outputs a pulse synchronized with the oscillator 103, and switches the transistors 106a and 106b in synchronization with the pulse waveform. On the other hand, when V ≧ Vr, the RS latch 105 shuts off the output of the oscillator 103, and the switching stops. Note that the transistors 106a and 106b
In order to secure a switching current capacity, a two-stage Darlington connection is used. The oscillation frequency of the oscillator 103 is adjusted by the capacity of a capacitor (timing capacitor: 18 in FIG. 4) connected to the third terminal.
【0045】本実施形態においては、図4に示すよう
に、直流電源回路36からの出力の一部を、高電圧電源
回路41(図2)以外の外部回路に供給するための、外
部出力用コネクタ23が基板31上に設けられている。
このようにすると、直流電源回路36を高電圧電源回路
41以外の電源部としても活用することができる。例え
ば、イオン発生装置の周辺回路用として、高電圧電源回
路41と同一電圧仕様の電源系統として用いることが可
能であり、このような電源回路の共用化により装置全体
としての一層のコンパクト化を図ることができる。本実
施形態では、図1に示すように、外部出力用コネクタ2
3が入力コネクタ2とともに、高分子材料モールド部3
0の上面に差し込み口を露出させる形で配置されてい
る。In the present embodiment, as shown in FIG. 4, a part of the output from the DC power supply circuit 36 is supplied to an external circuit other than the high-voltage power supply circuit 41 (FIG. 2). The connector 23 is provided on the board 31.
In this way, the DC power supply circuit 36 can be used as a power supply unit other than the high-voltage power supply circuit 41. For example, it can be used as a power supply system having the same voltage specification as that of the high-voltage power supply circuit 41 for peripheral circuits of the ion generator, and the use of such a power supply circuit further downsizes the entire apparatus. be able to. In the present embodiment, as shown in FIG.
3 is a polymer material molded part 3 together with the input connector 2
It is arranged so that the insertion port is exposed on the upper surface of the “0”.
【0046】このような外部出力用コネクタ2には、例
えば電極接続部27aに取り付けられたイオン発生電極
27(図1)をクリーニングするためのクリーニング機
構を接続することができる。イオン発生装置を長期間使
用していると、気流に含まれている埃や油、あるいはそ
の他の汚れ物質がイオン発生電極に付着し、やがては放
電面がそれらの汚れ物質にて覆われてしまう。このよう
な状態になると、イオン発生のための放電が著しく妨げ
られ、イオン発生効率の低下や、甚だしい場合にはイオ
ン発生の停止につながる場合がある。そこで、このよう
なクリーニング機構を設けておけば、イオン発生電極2
7を常に正常な状態に保つことができ、ひいてはイオン
発生効率を高めることが可能である。A cleaning mechanism for cleaning, for example, the ion generating electrode 27 (FIG. 1) attached to the electrode connecting portion 27a can be connected to such an external output connector 2. If the ion generator has been used for a long period of time, dust, oil, or other contaminants contained in the airflow will adhere to the ion generation electrode, and the discharge surface will eventually be covered with those contaminants. . In such a state, discharge for ion generation is significantly hindered, which may lead to a decrease in ion generation efficiency or, in extreme cases, stop of ion generation. Therefore, if such a cleaning mechanism is provided, the ion generating electrode 2
7 can always be kept in a normal state, and the ion generation efficiency can be increased.
【0047】クリーニング機構は、イオン発生電極に付
着した汚れを電気的発熱により焼失させる電気的クリー
ニング機構とすることができる。この電気的クリーニン
グ機構は、例えばイオン発生電極自体あるいはイオン発
生に近接して配置された別体の抵抗発熱体を抵抗通電発
熱させることにより焼失させるものとしてもよいが、本
実施形態では、以下のようなものを採用している。 す
なわち、該電気的クリーニング機構79においては、図
9(a)に示すように、高電圧電源部が火花放電用高電
圧発生部に兼用され、イオン発生電極27と火花放電対
向電極83との間に形成されるギャップに、火花放電用
の高電圧が印加される。そして、その高電圧印加にてイ
オン発生電極7と火花放電対向電極83との間に発生す
る放電火花により、イオン発生電極に付着した付着物が
焼失・除去される。なお、火花放電対向電極83は接地
しておくこともできるが、火花放電時間が短ければ装置
キャパシタンスにて放電電流を吸収することができるの
で、特に接地しない構成としてもよい。The cleaning mechanism may be an electric cleaning mechanism for burning off dirt attached to the ion generating electrode by electric heating. The electrical cleaning mechanism may be, for example, the ion generating electrode itself or a separate resistive heating element disposed in the vicinity of the ion generation to be burned out by causing resistance heating to generate heat. Something like that has been adopted. That is, in the electrical cleaning mechanism 79, as shown in FIG. 9A, a high-voltage power supply unit is also used as a high-voltage generation unit for spark discharge, and a high-voltage power supply unit is provided between the ion generation electrode 27 and the spark discharge counter electrode 83. Is applied with a high voltage for spark discharge. Then, by the discharge spark generated between the ion generation electrode 7 and the spark discharge counter electrode 83 by the application of the high voltage, the deposits attached to the ion generation electrode are burned out and removed. The spark discharge counter electrode 83 can be grounded. However, if the spark discharge time is short, the discharge current can be absorbed by the device capacitance.
【0048】火花放電対向電極83はイオン発生電極2
7の先端部7aと対向する形で配置される。具体的には
火花放電対向電極83は棒状に形成され、その棒状の火
花放電対向電極83の先端面又は側面(本実施形態では
側面)がイオン発生電極27の先端部7aと対向する。The spark discharge counter electrode 83 is the ion generating electrode 2
7 are arranged so as to face the tip 7a. Specifically, the spark discharge opposing electrode 83 is formed in a rod shape, and the distal end surface or side surface (the side surface in the present embodiment) of the rod-shaped spark discharge opposing electrode 83 faces the distal end portion 7a of the ion generating electrode 27.
【0049】また、図8に示すように、火花放電対向電
極83をイオン発生電極7に対して、イオン発生電極7
からイオン発生させるための離間位置((b))と、火
花放電対向電極83とイオン発生電極7との間で放電火
花を発生させるための接近位置((a))との間で少な
くとも、相対的に接近・離間させる火花放電対向電極移
動機構78が設けられている。ここでは、イオン発生電
極7の位置が固定とされ、火花放電対向電極移動機構7
8は火花放電対向電極83を移動させるものとして構成
されている。As shown in FIG. 8, the spark discharge opposing electrode 83 is connected to the ion generating electrode 7 with respect to the ion generating electrode 7.
At least a relative position ((a)) between a separation position ((b)) for generating ions from the electrode and an approach position ((a)) for generating a discharge spark between the spark discharge counter electrode 83 and the ion generation electrode 7. A spark discharge opposing electrode moving mechanism 78 is provided for moving toward and away from each other. Here, the position of the ion generation electrode 7 is fixed, and the spark discharge counter electrode moving mechanism 7
Reference numeral 8 is configured to move the spark discharge counter electrode 83.
【0050】具体的には、火花放電対向電極移動機構7
8はソレノイド80を含み、その進退ロッド81の先端
部に結合部材82を介して棒状の火花放電対向電極83
の後端部が結合されており、進退ロッド81がソレノイ
ド80によって進退駆動されることにより、火花放電対
向電極83の先端部がイオン発生電極7の先端部に向け
て接近・離間する。なお、84aはソレノイド80を固
定するための位置決めプレートである。また、84は火
花放電対向電極83が挿通されるガイド穴を有したガイ
ドプレートであり、火花放電対向電極83がイオン発生
電極7に向けて略水平に接近・離間するから、火花放電
のギャップ形成精度を高めることができる。Specifically, the spark discharge counter electrode moving mechanism 7
Numeral 8 includes a solenoid 80, and a rod-shaped spark discharge counter electrode 83 is provided at the tip end of a forward / backward rod 81 via a coupling member 82.
When the forward / backward rod 81 is driven forward / backward by the solenoid 80, the front end of the spark discharge opposing electrode 83 approaches or separates toward the front end of the ion generating electrode 7. Reference numeral 84a is a positioning plate for fixing the solenoid 80. Reference numeral 84 denotes a guide plate having a guide hole through which the spark discharge opposing electrode 83 is inserted. Since the spark discharge opposing electrode 83 approaches and separates substantially horizontally toward the ion generating electrode 7, a gap for spark discharge is formed. Accuracy can be increased.
【0051】図7は、火花放電対向電極移動機構78の
電気的構成の一例を示す回路図である。ソレノイド80
は、コネクタ87を前記した外部入力用コネクタ2に接
続することで、図2の直流電源部36から受電する(D
C32V)。他方、ソレノイド80の付勢信号は、スイ
ッチ機構85(本実施形態ではフォトMOSにて構成し
ている)を介して制御部86より供給される。制御部8
6は、出入力ポート86aと、これに接続されたCPU
86b、RAM8c及び86dとが組み込まれたマイク
ロプロセッサにて構成され、ROM86dには火花放電
対向電極移動機構78の動作制御プログラムが書き込ま
れている。CPU86bは、RAM86cをワークエリ
アとして動作制御プログラムを実行することにより、放
電対向電極移動機構78の動作制御主体として機能す
る。制御部86が火花放電対向電極移動機構78の駆動
指令信号を発すると、フォトMOS85がターンオン
し、ソレノイド80が直流駆動電圧を受電して付勢され
るようになっている。FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of the electrical configuration of the spark discharge counter electrode moving mechanism 78. Solenoid 80
Receives power from the DC power supply unit 36 in FIG. 2 by connecting the connector 87 to the external input connector 2 (D
C32V). On the other hand, the energizing signal of the solenoid 80 is supplied from the control unit 86 via a switch mechanism 85 (in the present embodiment, constituted by a photo MOS). Control unit 8
6 is an input / output port 86a and a CPU connected to the input / output port 86a.
The operation control program for the spark discharge counter electrode moving mechanism 78 is written in the ROM 86d. The CPU 86b functions as an operation control subject of the discharge counter electrode moving mechanism 78 by executing the operation control program using the RAM 86c as a work area. When the control unit 86 issues a drive command signal for the spark discharge opposing electrode moving mechanism 78, the photo MOS 85 is turned on, and the solenoid 80 receives a DC drive voltage and is energized.
【0052】図9(a)に示すように、火花放電対向電
極83はソレノイド80の付勢によりイオン発生電極2
7に向けて接近する。これにより、同図(b)に示すよ
うに、火花放電対向電極83の先端部83aはイオン発
生電極27の先端部7aに対し、所定量のギャップが形
成されるように位置決めされる。例えば、この状態でイ
オン発生電極7に放電用の電圧を印加しておくことで、
ギャップには放電火花SPが発生し、火花による熱集中
によりイオン発生電極7の先端部7aに付着した埃や汚
れなどの付着物が焼き飛ばされる。他方、同図(c)に
示すように、火花放電対向電極83が後退すれば電極間
距離が拡大し、放電火花の発生は停止する。しかしなが
ら、イオン発生電極27には引き続きイオン発生電極7
にイオン発生用電圧が印加されているから、火花放電が
終了するとともに直ちにイオン発生モードに移行するこ
とができる。As shown in FIG. 9 (a), the spark discharge opposing electrode 83 is
Approach towards 7. Thereby, as shown in FIG. 3B, the tip 83a of the spark discharge opposing electrode 83 is positioned with respect to the tip 7a of the ion generating electrode 27 so as to form a predetermined gap. For example, by applying a discharge voltage to the ion generating electrode 7 in this state,
Discharge sparks SP are generated in the gaps, and attached matter such as dust and dirt attached to the tip 7a of the ion generating electrode 7 is burned off by heat concentration due to the sparks. On the other hand, as shown in FIG. 3C, if the spark discharge opposing electrode 83 recedes, the distance between the electrodes increases, and the generation of the discharge spark stops. However, the ion generating electrode 27 continues to be the ion generating electrode 27.
Since the voltage for ion generation is applied to the battery, it is possible to immediately shift to the ion generation mode as soon as the spark discharge ends.
【0053】図4に戻り、本発明の回路モジュールにお
いては、交流電源入力に共用化できるように、以下のよ
うな工夫がなされている。すなわち、前記した直流入力
用のステップアップ回路配線部と並列に、ダイオードブ
リッジからなる全波整流回路5が設けられている。交流
使用時は、ステップアップ回路を構成する制御用IC2
1及びその周辺の素子類は省略することができる。ま
た、外部交流電源を使用する場合は、その外部交流電源
側の接地系統を使用することになるので、回路モジュー
ル側の接地配線系統は不使用となる。従って、ジャンパ
7は切断して用いる。なお、直流入力のみで使用する場
合は、本交流入力共用化のための回路部分は省略するこ
とも可能である。Returning to FIG. 4, in the circuit module of the present invention, the following contrivance has been made so that the circuit module can be commonly used for AC power supply input. That is, the full-wave rectifier circuit 5 including a diode bridge is provided in parallel with the DC input step-up circuit wiring section. At the time of AC use, the control IC 2 that constitutes the step-up circuit
Element 1 and its peripheral elements can be omitted. When an external AC power supply is used, the grounding system on the external AC power supply side is used, so that the ground wiring system on the circuit module side is not used. Therefore, the jumper 7 is cut and used. In the case where only the DC input is used, the circuit portion for sharing the AC input can be omitted.
【0054】上記本発明の回路モジュール1では、図4
の高電圧電源回路41が直流電源部36から直流定電圧
の供給を受け、発振部37及びスイッチング部38の作
動により方形波交流を発生させるとともに、これが圧電
トランス70の入力側端子72aに調整用抵抗67(波
形調整用の可変抵抗67aを含む)を介して一次側交流
入力として入力される。圧電トランス70は、前述の作
動原理に従いこれを昇圧し、出力側端子74aから二次
側交流出力として出力するIn the circuit module 1 of the present invention, FIG.
The high-voltage power supply circuit 41 receives the supply of a constant DC voltage from the DC power supply unit 36, and generates a square wave AC by the operation of the oscillation unit 37 and the switching unit 38, which is applied to the input terminal 72a of the piezoelectric transformer 70 for adjustment. The signal is input as a primary-side AC input via a resistor 67 (including a variable resistor 67a for waveform adjustment). The piezoelectric transformer 70 boosts the voltage in accordance with the operation principle described above and outputs the boosted voltage from the output terminal 74a as a secondary AC output.
【0055】上記構成においては、図5(a)に示すよ
うに、圧電トランス70の二次側が負の半波を出力する
とき、イオン発生電極27は負に帯電する。その結果、
イオン発生電極27の周囲には負イオン発生に好都合な
電界勾配が生じ、周囲の空気中の分子、例えば水分子
を、ヒドロキシルイオン等の形でイオン化する。すなわ
ち、負イオンを発生させる。次いで、正の半波が出力さ
れるときは、イオン発生電極27の負電荷は接地側に放
電しようとするが、この電荷の流れはダイオード76に
より阻止される。かくして、イオン発生電極27の負極
性帯電状態が常時維持され、負イオンを恒常的に発生さ
せることができる。In the above configuration, as shown in FIG. 5A, when the secondary side of the piezoelectric transformer 70 outputs a negative half-wave, the ion generating electrode 27 is negatively charged. as a result,
An electric field gradient suitable for generating negative ions is generated around the ion generation electrode 27, and molecules in the surrounding air, for example, water molecules are ionized in the form of hydroxyl ions or the like. That is, negative ions are generated. Next, when a positive half-wave is output, the negative charge of the ion generating electrode 27 tends to be discharged to the ground side, but the flow of this charge is blocked by the diode 76. Thus, the negatively charged state of the ion generating electrode 27 is always maintained, and negative ions can be constantly generated.
【0056】[0056]
【実施例】以下、本発明の効果を確認するために行なっ
た実験結果について説明する。 (実施例1)高分子材料モールド部30の材質選択によ
り、イオン発生電極27に印加される最大電圧が影響を
受けることを、以下の実験により確認した。すなわち、
図1及び図2に示すイオン発生装置1を、図3及び図4
の回路構成を有するものとして構成した。圧電セラミッ
ク素子71の組成として、ジルコン酸鉛とチタン酸鉛と
配合比はモル比でほぼ1:1、添加元素としてNbを約
2重量%含有するものを選定し、例えば長さ52mm、
幅1.85mm、厚さ13mmの寸法に形成した。ま
た、イオン発生電極7は厚さ約0.2mmのNi板にて
構成し、その放電部7bは、長さ約5mmにて尖鋭に形
成した。回路基板5aはガラス繊維強化プラスチック板
にて構成した。そして、高分子材料モールド部の材質と
して、以下の3種類を注型により形成した(は比較例
である)。なお、注型後の硬さを、JIS:K−625
3(1997)に規定されたタイプAのデュロメータに
より測定した。 ウレタンゴム(硬さ:45) シリコーンゴム(硬さ:60) エポキシ樹脂(硬さ:90以上)EXAMPLES The results of experiments conducted to confirm the effects of the present invention will be described below. (Example 1) It was confirmed by the following experiment that the maximum voltage applied to the ion generating electrode 27 was affected by the selection of the material of the polymer material mold portion 30. That is,
The ion generator 1 shown in FIG. 1 and FIG.
Having the following circuit configuration. As the composition of the piezoelectric ceramic element 71, a composition in which lead zirconate and lead titanate are mixed at a molar ratio of about 1: 1, and containing about 2% by weight of Nb as an additional element, for example, having a length of 52 mm,
It was formed to have dimensions of 1.85 mm in width and 13 mm in thickness. Further, the ion generating electrode 7 was formed of a Ni plate having a thickness of about 0.2 mm, and the discharge portion 7b was formed to be sharp with a length of about 5 mm. The circuit board 5a was made of a glass fiber reinforced plastic plate. Then, the following three types were formed by casting as the material of the polymer material mold part (is a comparative example). In addition, the hardness after casting is determined according to JIS: K-625.
3 (1997) using a type A durometer. Urethane rubber (hardness: 45) Silicone rubber (hardness: 60) Epoxy resin (hardness: 90 or more)
【0057】そして、圧電トランス70への一次側交流
入力の周波数を約72kHz、電圧をpeakto peakにて
24Vとして作動させたところ、イオン発生電極7への
印加電圧レベルは、硬質のエポキシ樹脂を用いたが4
600Vにとどまったのに対し、硬さ80以下のゴムを
使用した及びについては、が5200V、が4
900Vと、いずれもより高電圧を発生できることがわ
かった。When the primary-side AC input to the piezoelectric transformer 70 was operated at a frequency of about 72 kHz and a voltage of 24 V at peak to peak, the voltage applied to the ion generating electrode 7 was determined using hard epoxy resin. Was 4
In the case of using a rubber having a hardness of 80 or less while staying at 600 V, 5200 V and 4
It was found that a higher voltage of 900 V could be generated.
【0058】(実施例2)図1(c)の構成において、
高分子材料コーティング部130の厚さ選択により、イ
オン発生電極27に印加される最大電圧が影響を受ける
ことを、以下の実験により確認した。すなわち、図1及
び図2に示すイオン発生装置1を、図3及び図4の回路
構成を有するものとして構成した。圧電セラミック素子
71、イオン発生電極7、回路基板5aは実施例1と同
様に構成した。そして、高分子材料コーティング部の材
質として、2液アクリルウレタン樹脂塗料(商品名:エ
アーウレタン(イサム塗料(株))を用い、スプレー吹
き付けにより、圧電セラミック素子70を含む基板の全
体をコーティングした。なお、コーティング厚さtは、
圧電セラミック素子70の主表面にて、0.4mm(実
施例)及び2.0mm(5回重ね塗り)の2水準とし
た。(Embodiment 2) In the configuration of FIG.
The following experiment confirmed that the selection of the thickness of the polymer material coating portion 130 affected the maximum voltage applied to the ion generating electrode 27. That is, the ion generator 1 shown in FIGS. 1 and 2 was configured to have the circuit configuration shown in FIGS. The piezoelectric ceramic element 71, the ion generating electrode 7, and the circuit board 5a were configured in the same manner as in the first embodiment. A two-component acrylic urethane resin paint (trade name: Air Urethane (Isamu Co., Ltd.)) was used as the material of the polymer material coating portion, and the entire substrate including the piezoelectric ceramic element 70 was coated by spraying. The coating thickness t is
On the main surface of the piezoelectric ceramic element 70, two levels of 0.4 mm (example) and 2.0 mm (five coatings) were set.
【0059】そして、圧電トランス70への一次側交流
入力の周波数を約72kHz、電圧をpeakto peakにて
24Vとして作動させたところ、イオン発生電極7への
印加電圧レベルは、コーティング厚さを2mmとしたも
のは4700Vにとどまったのに対し、コーティング厚
さを1mm以下である0.4mmとしたものは5200
Vと、より高電圧を発生できることがわかった。When the frequency of the primary side AC input to the piezoelectric transformer 70 was set to about 72 kHz and the voltage was set to 24 V at peak to peak, the applied voltage level to the ion generating electrode 7 was 2 mm in coating thickness. The coating thickness was kept at 4700 V, whereas the coating thickness of 0.4 mm, which is 1 mm or less, was 5200 V.
V and higher voltage can be generated.
【図1】本発明のイオン発生装置用回路モジュールの一
例を示す外観斜視図、及びその内部構成を示す断面図。FIG. 1 is an external perspective view showing an example of a circuit module for an ion generator of the present invention, and a cross-sectional view showing the internal configuration thereof.
【図2】そのイオン発生回路ユニットの構成を示すブロ
ック図。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the ion generation circuit unit.
【図3】図2の高電圧電源部の一例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a high-voltage power supply unit of FIG. 2;
【図4】同じく直流電源部の一例を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a DC power supply unit.
【図5】図4の制御用ICの等価回路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the control IC of FIG. 4;
【図6】図1のイオン発生回路ユニットの、基板実装レ
イアウトの例を示す図。FIG. 6 is a view showing an example of a board mounting layout of the ion generation circuit unit of FIG. 1;
【図7】クリーニング機構の電気的構成例を示す回路
図。FIG. 7 is a circuit diagram illustrating an example of an electrical configuration of a cleaning mechanism.
【図8】火花放電式クリーニング機構の一例を、その動
作とともに示す説明図。FIG. 8 is an explanatory view showing an example of a spark discharge type cleaning mechanism together with its operation.
【図9】図8のクリーニング機構の作用説明図。FIG. 9 is a diagram illustrating the operation of the cleaning mechanism of FIG. 8;
1 イオン発生装置用回路モジュール 2 外部直流取出用コネクタ 10 インダクタ 13 ダイオード 16 コンデンサ(整流・平滑化部) 21 制御用IC 23 入力コネクタ 25 短絡経路 27 イオン発生電極 27a 電極接続部 30 高分子材料モールド部 31 基板 36 直流電源回路と 41 高電圧電源回路 70 圧電トランス 78 クリーニング機構 103 発振回路 106 スイッチング部 106a,106b トランジスタ 107 制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit module for ion generator 2 Connector for external direct current extraction 10 Inductor 13 Diode 16 Capacitor (rectifying / smoothing part) 21 Control IC 23 Input connector 25 Short circuit path 27 Ion generating electrode 27a Electrode connection part 30 Polymer material molding part 31 Substrate 36 DC power supply circuit and 41 High voltage power supply circuit 70 Piezoelectric transformer 78 Cleaning mechanism 103 Oscillation circuit 106 Switching unit 106a, 106b Transistor 107 Control unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4C080 AA09 BB02 BB05 CC01 QQ11 4D054 AA11 BB04 CA18 CA19 CB01 CB03 CB07 CB09 CB10 DA12 EA01 5H730 AA15 AS04 BB57 BB61 DD02 DD28 EE48 FD01 FD21 FD51 FG01 XX03 XX04 XX12 XX15 XX23 XX24 XX32 XX35 ZZ01 ZZ04 ZZ11 ZZ12 ZZ15 ZZ19 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4C080 AA09 BB02 BB05 CC01 QQ11 4D054 AA11 BB04 CA18 CA19 CB01 CB03 CB07 CB09 CB10 DA12 EA01 5H730 AA15 AS04 BB57 BB61 DD02 DD28 EE48 FD01 XX XX XX XXXXX ZZ01 ZZ04 ZZ11 ZZ12 ZZ15 ZZ19
Claims (10)
続部と、 前記電極接続部に対しイオン発生用の高電圧を供給する
ためのものであって、昇圧用の圧電トランスと、その圧
電トランスの一次側駆動交流を、予め定められた電圧の
直流(以下、駆動源直流という)からの変換により生成
する駆動用直流−交流変換回路とを含んで構成された高
電圧電源回路と、 複数種類の電圧の外部直流が入力可能とされ、その入力
された外部直流を、入力電圧とは無関係に、予め定めら
れた一定電圧の前記駆動源直流に変換する直流電源回路
と、 それら電極接続部と高電圧電源回路と直流電源回路とが
一体に取り付けられる基板と、 を備えたことを特徴とするイオン発生装置用回路モジュ
ール。1. An electrode connecting part for connecting an ion generating electrode, a high-voltage piezoelectric transformer for supplying a high voltage for ion generation to the electrode connecting part, and a piezoelectric transformer for the same A high-voltage power supply circuit configured to include a driving DC-AC conversion circuit that generates a primary-side driving AC from a DC of a predetermined voltage (hereinafter, referred to as a driving source DC); A DC power supply circuit that converts the input external DC to the drive source DC of a predetermined constant voltage, irrespective of the input voltage, A circuit module for an ion generator, comprising: a substrate on which a high-voltage power supply circuit and a DC power supply circuit are integrally mounted.
圧が、前記基板上に設けられた単一の入力コネクタから
連続可変入力可能とされ、当該入力電圧よりも昇圧され
た直流を生成して、これを前記駆動源直流として出力す
る入力可変型ステップアップ回路として構成されている
請求項1記載のイオン発生装置用回路モジュール。2. The DC power supply circuit is capable of continuously inputting a DC voltage in a certain range from a single input connector provided on the board, and generates a DC voltage higher than the input voltage. 2. The circuit module for an ion generator according to claim 1, wherein the circuit module is configured as an input variable step-up circuit that outputs the output as the drive source DC.
分岐直流入力を前記発振回路が規定する一定周波数にて
断続スイッチングするスイッチング部と、出力側直流電
圧を基準電圧と比較して、それら出力側直流電圧と基準
電圧との差が縮小するように、前記分岐入力直流の断続
スイッチングの許容及び禁止を制御する制御部と、を有
する制御用ICと、 該制御用ICに外付け接続され、前記分岐直流入力の断
続スイッチングに基づいて誘導電流を発生させるととも
に、その誘導電流に基づくリップル電圧を前記外部直流
の入力電圧に重畳させた形で出力するインダクタと、 前記制御用ICに外付け接続され、そのインダクタから
の出力電圧を整流及び平滑化することにより前記外部直
流よりも昇圧された直流を生成し、これを前記駆動源直
流として出力するための整流・平滑化部と、 を有するものである請求項2記載のイオン発生装置用回
路モジュール。3. An input variable type step-up circuit, comprising: an oscillating circuit; and a switching unit for branching and inputting a part of the external direct current and intermittently switching the branched direct current input at a constant frequency defined by the oscillating circuit. A control unit that controls the allowance and prohibition of the intermittent switching of the branch input DC so that the output side DC voltage is compared with the reference voltage and the difference between the output side DC voltage and the reference voltage is reduced. A control IC, which is externally connected to the control IC, generates an induced current based on the intermittent switching of the branch DC input, and superimposes a ripple voltage based on the induced current on the external DC input voltage. An inductor that is externally connected to the control IC, and rectifies and smoothes an output voltage from the inductor to thereby control the external direct current. 3. The circuit module for an ion generator according to claim 2, further comprising: a rectifying / smoothing unit for generating a direct current boosted from a current and outputting the generated direct current as the driving source direct current.
まれた前記スイッチング部をなすトランジスタのエミッ
タ端子とコレクタ端子とを短絡する短絡経路に入力さ
れ、前記インダクタはその短絡経路上に配置されている
請求項3記載のイオン発生装置用回路モジュール。4. The external direct current is input to a short-circuit path for short-circuiting an emitter terminal and a collector terminal of a transistor constituting the switching unit incorporated in a control IC, and the inductor is arranged on the short-circuit path. The circuit module for an ion generator according to claim 3, wherein:
前記高電圧電源回路以外の外部回路に供給するための、
外部出力用コネクタが前記基板上に設けられている請求
項1ないし4のいずれか1項に記載のイオン発生装置用
回路モジュール。5. A part of an output from the DC power supply circuit,
For supplying to an external circuit other than the high-voltage power supply circuit,
The circuit module for an ion generator according to any one of claims 1 to 4, wherein an external output connector is provided on the substrate.
続部に取り付けられたイオン発生電極をクリーニングす
るためのクリーニング機構が接続される請求項5記載の
イオン発生装置用回路モジュール。6. The circuit module for an ion generator according to claim 5, wherein a cleaning mechanism for cleaning an ion generating electrode attached to the electrode connection portion is connected to the external output connector.
が有する圧電セラミック素子を、前記高電圧電源回路及
び前記直流電源回路の構成部品とともにモールドする高
分子材料モールド部を備え、その高分子材料モールド部
が、JIS:K−6253(1997)に規定されたタ
イプAのデュロメータ硬さにおいて80以下の硬度を有
するゴム又はエラストマーにより構成されている請求項
1ないし6のいずれか1項に記載のイオン発生装置用回
路モジュール。7. A polymer material molding section for molding a piezoelectric ceramic element of the piezoelectric transformer together with components of the high-voltage power supply circuit and the DC power supply circuit on the substrate, wherein the polymer material molding section is provided. The ion generator according to any one of claims 1 to 6, comprising a rubber or an elastomer having a type A durometer hardness of 80 or less specified in JIS: K-6253 (1997). Circuit module for equipment.
が有する圧電セラミック素子を、前記高電圧電源回路及
び前記直流電源回路の構成部品とともにコーティングす
る高分子材料コーティング部を備え、その高分子材料モ
ールド部の前記圧電セラミック素子に対する被覆厚さが
1mm以下である請求項1ないし6のいずれか1項に記
載のイオン発生装置用回路モジュール。8. A polymer material coating portion for coating a piezoelectric ceramic element included in the piezoelectric transformer on the substrate together with components of the high-voltage power supply circuit and the DC power supply circuit, wherein the polymer material mold portion is provided. The circuit module for an ion generator according to any one of claims 1 to 6, wherein the coating thickness of the piezoelectric ceramic element is 1 mm or less.
接続部と、 前記電極接続部に対しイオン発生用の高電圧を供給する
ためのものであって、昇圧用の圧電トランスと、その圧
電トランスの一次側駆動交流を、予め定められた電圧の
直流(以下、駆動源直流という)からの変換により生成
する駆動用直流−交流変換回路とを含んで構成された高
電圧電源回路と、 それら電極接続部と高電圧電源回路とが一体に取り付け
られる基板と、 前記基板上において、前記圧電トランスが有する圧電セ
ラミック素子を、前記高電圧電源回路の構成部品ととも
にモールドする高分子材料モールド部とを備え、 その高分子材料モールド部が、JIS:K−6253
(1997)に規定されたタイプAのデュロメータ硬さ
において80以下の硬度を有するゴム又はエラストマー
により構成されていることを特徴とするイオン発生装置
用回路モジュール。9. An electrode connecting portion for mounting an ion generating electrode, for supplying a high voltage for generating ions to the electrode connecting portion, and a step-up piezoelectric transformer; A high-voltage power supply circuit including a driving DC-AC conversion circuit that generates a primary-side driving AC from a DC of a predetermined voltage (hereinafter, referred to as a driving source DC); A high-voltage power supply circuit and a unit integrally mounted thereon, on the substrate, a high-voltage power supply circuit comprising a high-molecular material molded part, which molds a piezoelectric ceramic element of the piezoelectric transformer together with the components of the high-voltage power supply circuit, The polymer material mold part is JIS: K-6253
A circuit module for an ion generator, comprising a rubber or an elastomer having a hardness of 80 or less in a type A durometer hardness specified in (1997).
極接続部と、 前記電極接続部に対しイオン発生用の高電圧を供給する
ためのものであって、昇圧用の圧電トランスと、その圧
電トランスの一次側駆動交流を、予め定められた電圧の
直流(以下、駆動源直流という)からの変換により生成
する駆動用直流−交流変換回路とを含んで構成された高
電圧電源回路と、 それら電極接続部と高電圧電源回路とが一体に取り付け
られる基板と、 前記基板上において、前記圧電トランスが有する圧電セ
ラミック素子を、前記高電圧電源回路の構成部品ととも
にコーティングする高分子材料コーティング部とを備
え、 その高分子材料モールド部の前記圧電セラミック素子に
対する被覆厚さが1mm以下であることを特徴とするイ
オン発生装置用回路モジュール。10. An electrode connecting portion for attaching an ion generating electrode, for supplying a high voltage for generating ions to the electrode connecting portion, and a step-up piezoelectric transformer; A high-voltage power supply circuit including a driving DC-AC conversion circuit that generates a primary-side driving AC from a DC of a predetermined voltage (hereinafter, referred to as a driving source DC); A substrate on which the unit and the high-voltage power supply circuit are integrally mounted, and a polymer material coating unit for coating the piezoelectric ceramic element of the piezoelectric transformer together with the components of the high-voltage power supply circuit on the substrate, A circuit module for an ion generator, wherein a coating thickness of the polymer material molded portion on the piezoelectric ceramic element is 1 mm or less. Yuru.
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