JP2002358169A - Semiconductor disk device - Google Patents

Semiconductor disk device

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JP2002358169A
JP2002358169A JP2001163642A JP2001163642A JP2002358169A JP 2002358169 A JP2002358169 A JP 2002358169A JP 2001163642 A JP2001163642 A JP 2001163642A JP 2001163642 A JP2001163642 A JP 2001163642A JP 2002358169 A JP2002358169 A JP 2002358169A
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JP
Japan
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volatile memory
memory
data
power supply
host
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Pending
Application number
JP2001163642A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Suzuki
正浩 鈴木
Kunio Suzuki
邦夫 鈴木
Wataru Kawamata
亘 川又
Terumitsu Kohama
照光 小浜
Hiroaki Fukumaru
広昭 福丸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Information and Control Systems Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Information and Control Systems Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a high speed access to start from a higher rank host in the middle of a saving operation by ensuring the temporal continuity of non- volatile memory data. SOLUTION: This semiconductor disk device is provided with semiconductor memories, that is, first and second non-volatile memoirs 101 and 102, a third non-volatile memory 103 whose capacity is the same, a control circuit part 104 for integrally controlling them, a battery 107 for supplying power at power disconnection, a power source control part 106 for controlling power supply from a battery or an external power source device 110, and a control part 105 of interface with a higher rank host 109. In this case, the first memory and the second memory is constituted as a duplexed structure in a conductive state, and at power failure, the duplexed structure is released, and the contents of the second memory are data-saved to the third memory, and when the power source is restored during the saving operation, the data transfer to the higher rank host is operated by the first memory in response to a reading and writing command from the higher rank host, and all the contents of the second memory are saved to the third memory.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ディスク装
置に係り、特に、半導体メモリを使用した半導体ディス
ク装置のデータ退避の技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor disk device, and more particularly to a technique for saving data in a semiconductor disk device using a semiconductor memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】計算機の高速化に伴い、従来普及してい
る磁気ディスク装置よりも高速にアクセス可能な記憶装
置の要求に対し、磁気ディスク装置のような回転待ち時
間やヘッド移動時間などのオーバーヘッドが無く、高速
なアクセスが可能な半導体ディスク装置が提供されてい
る。しかし、高速アクセスを実現するために、揮発性メ
モリであるDRAMやSRAMが使用される場合が多
く、電源が遮断されると、記憶していたデータが消失し
てしまうことから、電源遮断時に記憶内容を保存するた
めの磁気ディスクやフラッシュROMおよびバッテリを
搭載し、電源遮断時にバッテリからの給電により揮発性
メモリの内容を磁気ディスクまたはフラッシュROMへ
データ退避が行われる。また、電源投入時には、フラッ
シュROMや磁気ディスクに退避されたデータを揮発性
メモリへ転送し、データの復元が行われ、上位ホストか
らの読み出し,書き込み命令は揮発性メモリに対して行
われる。前記のような半導体ディスク装置において、上
記のデータ退避動作中に電源が復電し、上位ホストから
書き込み命令が発行された場合、特開平5−14324
8号公報によれば、データリストア時間を短くするため
に、復電後は揮発性メモリのデータ退避動作を中止し、
揮発性メモリの内容を有効とし、上位ホストからの命令
に従い読み出し,書き込みを揮発性メモリだけに行う処
理がなされている。また、特開平7−36638号公報
によれば、電源断により開始された退避動作を行うこと
で減少したバッテリの蓄電量が回復するまでの間、上位
ホストからの読み出し,書き込み命令に対しては磁気デ
ィスクだけに行う処理がなされている。
2. Description of the Related Art With the increase in the speed of computers, the demand for storage devices that can be accessed at higher speeds than magnetic disk devices that have been widely used in the past has increased the overhead such as rotation waiting time and head movement time as in magnetic disk devices. There has been provided a semiconductor disk device which does not have a high speed and can be accessed at a high speed. However, in order to realize high-speed access, a volatile memory such as a DRAM or an SRAM is often used. When the power is turned off, stored data is lost. A magnetic disk, a flash ROM, and a battery for storing the contents are mounted, and when the power is turned off, the contents of the volatile memory are saved to the magnetic disk or the flash ROM by power supply from the battery. When the power is turned on, the data saved in the flash ROM or the magnetic disk is transferred to the volatile memory, the data is restored, and a read / write command from the host is issued to the volatile memory. In the above-described semiconductor disk device, when the power is restored during the above-described data evacuation operation and a write command is issued from an upper-level host, it is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-14324.
According to Japanese Patent Application Publication No. 8 (1999) -1995, in order to shorten the data restoration time, after the power is restored, the data evacuation operation of the volatile memory is stopped.
A process is performed in which the contents of the volatile memory are made valid, and reading and writing are performed only to the volatile memory in accordance with an instruction from an upper host. Further, according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-36638, a read / write command from a higher-order host is not received until the amount of stored battery power reduced by performing a retreat operation started by power-off is restored. The processing performed only on the magnetic disk is performed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平5−1
43248号公報においては、退避動作中の復電に対し
て復電後直ちに退避動作を中断するため、退避したデー
タに着目した場合、時間的に不連続なデータとなる。こ
のため、前記の退避データが揮発性メモリへ復元された
場合、バイナリデータとしては揮発性メモリに何の問題
もなくローディングできうるが、このデータをファイル
システムとして考えた場合、ファイルシステムとしての
整合性がとれず(一意性が保たれず)、ファイルとして
回復できないという問題がある。また、特開平7−36
638号公報においては、バッテリの蓄電量不足の時に
退避動作となり、満充電になるまでの間、データを退避
した磁気ディスク装置で動作するため、データ退避の完
全性は保たれているが、一意性は保たれていないため、
同様の問題がある。さらに、性能低下を引き起こす問題
もある。
SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application Laid-Open No.
In Japanese Patent No. 43248, since the evacuation operation is interrupted immediately after the power recovery during the evacuation operation, the data becomes discontinuous in time when attention is paid to the evacuation data. For this reason, when the save data is restored to the volatile memory, the data can be loaded into the volatile memory as binary data without any problem. There is a problem that the file cannot be recovered (uniqueness is not maintained) and cannot be recovered as a file. Also, JP-A-7-36
In Japanese Patent No. 638, the evacuation operation is performed when the amount of stored power of the battery is insufficient, and the operation is performed by the magnetic disk device in which the data has been saved until the battery is fully charged. Because the nature is not maintained,
There is a similar problem. Further, there is a problem that performance is deteriorated.

【0004】本発明の課題は、上述した事情に鑑み、不
揮発性メモリデータの時間的な連続性を確保し、退避動
作中の上位ホストからの起動に対する高速アクセスを実
現することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned circumstances, it is an object of the present invention to secure temporal continuity of non-volatile memory data and to realize high-speed access with respect to activation from a higher-order host during a save operation.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、半導体メモリを使用する半導体ディスク装置であっ
て、第一の揮発性メモリ及び第二の揮発性メモリと、こ
れと同容量の第三の不揮発性メモリを備え、外部電源の
通電状態では、第一の揮発性メモリと第二の揮発メモリ
を二重化構成とし、停電時には、二重化構成を解除し、
第二の揮発性メモリの内容を第三の不揮発メモリへデー
タ退避を行い、退避動作中に外部電源が復旧した場合、
上位ホストからの読み出し、書き込み命令に対して第一
の揮発性メモリによって上位ホストへデータ転送を行い
ながら、第二の揮発性メモリの全ての内容を前記第三の
不揮発性メモリに退避する。ここで、第一の揮発性メモ
リと第二の揮発メモリが二重化構成として動作している
通常状態時に、上位ホストから強制退避命令を受けたと
き、第二の揮発性メモリの全ての内容を第三の不揮発性
メモリに退避させる。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor disk device using a semiconductor memory, comprising: a first volatile memory and a second volatile memory; Three nonvolatile memories, the first volatile memory and the second volatile memory in a duplex configuration when the external power supply is energized, and in the event of a power failure, release the duplex configuration,
When the data in the second volatile memory is saved to the third nonvolatile memory and the external power supply is restored during the saving operation,
The entire contents of the second volatile memory are saved to the third nonvolatile memory while data is transferred to the upper host by the first volatile memory in response to a read / write command from the upper host. Here, in a normal state in which the first volatile memory and the second volatile memory are operating in a redundant configuration, when a forced evacuation command is received from an upper-level host, all contents of the second volatile memory are copied to the second volatile memory. It is saved to the third non-volatile memory.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図1は、本発明の半導体ディスク装置
の一実施形態を示す。図1において、半導体ディスク1
00は、接続バス111によって上位ホスト109と接
続される。半導体ディスク装置100内は、第一の揮発
性メモリ101と、これと同一容量の第二の揮発性メモ
リ102と、これと同一容量の第三の不揮発性メモリ1
03と、制御回路部104と、インタフェース制御部1
05と、電源制御部106と、バッテリ107からな
る。制御回路部104は、半導体ディスク装置100を
統括的に制御し、マイクロプロセッサ112、ファーム
ウエアが格納されたROM113、ワークメモリ114
を含む。第一の揮発性メモリ101、第二の揮発性メモ
リ102と第三の不揮発性メモリ103は内部バス11
8によって制御回路部104に接続され、第一,第二の
揮発性メモリ101,102及び第三の不揮発性メモリ
103を自由に読み書きできるようになっている。バッ
テリ107は、外部電源装置110のシステム停止など
による電源断により半導体ディスク100への電源給電
が途絶えた場合に、第一,第二の揮発性メモリ101,
102と第三の不揮発性メモリ103と制御回路部10
4及び電源制御部106へ電源を供給する。電源制御部
106は、外部電源装置110の給電状態を常時監視
し、電源給電を外部電源装置110またはバッテリ10
7のいずれから給電するかを制御し、外部電源装置11
0の電源断を検出した場合、即座に電源給電をバッテリ
107に切り替えると共に、停電検出信号108によっ
てこれを制御回路部104へ知らせ、また、制御回路部
104からのバッテリ給電停止信号116を受けること
によりバッテリ107からの給電を停止する機能を有す
る。インタフェース制御部105は、上位ホスト109
とのインタフェースプロトコルを制御するなどインタフ
ェースを制御する。ここで、本実施形態では、具体的に
第一及び第二の揮発性メモリ101,102にはDRA
Mを使用し、第三の不揮発性メモリ103にはフラッシ
ュROMを使用している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the semiconductor disk device of the present invention. In FIG. 1, a semiconductor disk 1
00 is connected to the host 109 via the connection bus 111. The semiconductor disk device 100 includes a first volatile memory 101, a second volatile memory 102 having the same capacity as the first volatile memory 101, and a third nonvolatile memory 1 having the same capacity as the first volatile memory 101.
03, the control circuit unit 104, and the interface control unit 1
05, a power control unit 106, and a battery 107. The control circuit unit 104 controls the semiconductor disk device 100 as a whole, and includes a microprocessor 112, a ROM 113 storing firmware, and a work memory 114.
including. The first volatile memory 101, the second volatile memory 102 and the third nonvolatile memory 103 are connected to the internal bus 11
8 connects to the control circuit unit 104 so that the first and second volatile memories 101 and 102 and the third nonvolatile memory 103 can be freely read and written. When the power supply to the semiconductor disk 100 is cut off due to a power cut due to a system stop of the external power supply device 110 or the like, the battery 107 stores the first and second volatile memories 101 and
102, third nonvolatile memory 103, and control circuit unit 10
4 and the power supply control unit 106. The power supply control unit 106 constantly monitors the power supply state of the external power supply 110 and supplies power to the external power supply 110 or the battery 10.
7 to control the power supply from the external power supply 11
When the power supply interruption of 0 is detected, the power supply is immediately switched to the battery 107, the power supply is notified to the control circuit unit 104 by the power failure detection signal 108, and the battery supply stop signal 116 from the control circuit unit 104 is received. Has the function of stopping the power supply from the battery 107. The interface control unit 105 includes a host
It controls the interface, such as controlling the interface protocol with the interface. Here, in the present embodiment, the DRA is stored in the first and second volatile memories 101 and 102 specifically.
M, and a flash ROM is used for the third nonvolatile memory 103.

【0007】本実施形態の動作は、上位ホスト109か
らの命令が接続バス111を経由してインタフェースの
プロトコルなどを制御するインタフェース制御部105
に伝えられる。インタフェース制御部105では、上位
ホスト109からの命令を制御回路部104に伝え、制
御回路部104内のファームウエアが格納されるROM
113及びワークメモリ114によりマイクロプロセッ
サ112が動作し、上位ホスト109からの命令を解読
し、認識する。この命令に従い上位ホスト109から送
られてきたデータを第一の揮発性メモリ101と第二の
揮発性メモリ102へ書き込む。また、前記命令に従い
第一の揮発性メモリ101からデータを読み出し、イン
タフェース制御部105を経由して上位ホスト109へ
転送する。外部電源装置110からの給電が停止した場
合、電源制御部106がこれを検出し、停電検出信号1
08を有効にし、これを認識した制御回路部104が第
二の揮発性メモリ102の内容を第三の不揮発性メモリ
103へ退避する。退避が正常に終了した場合には制御
回路部104がバッテリ給電停止信号116を有効に
し、これを検出した電源制御部106はバッテリ107
からの給電を停止する。
In the operation of the present embodiment, an instruction from an upper host 109 is transmitted via a connection bus 111 to an interface controller 105 for controlling an interface protocol and the like.
Conveyed to. The interface control unit 105 transmits a command from the host 109 to the control circuit unit 104, and stores a firmware in the control circuit unit 104 in the ROM.
The microprocessor 112 operates by the 113 and the work memory 114 to decode and recognize the instruction from the host 109. According to this command, the data sent from the host 109 is written to the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102. Further, data is read from the first volatile memory 101 in accordance with the command, and is transferred to the host 109 via the interface control unit 105. When the power supply from the external power supply 110 is stopped, the power supply control unit 106 detects this and supplies a power failure detection signal 1
08 is made valid, and the control circuit unit 104 that recognizes this saves the contents of the second volatile memory 102 to the third nonvolatile memory 103. When the evacuation is completed normally, the control circuit unit 104 enables the battery power supply stop signal 116, and the power supply control unit 106 that has detected the
Stop the power supply from.

【0008】図2に、本実施形態の詳細な制御手順を示
し、図1を踏まえ動作の説明を以下に示す。まず、本実
施形態では、外部電源装置110がOFF状態である初
期状態211,データローディングモード212,デー
タ一致化モード213,オンラインモード214,退避
モード215,オンライン&退避モード216の6つの
動作モードを有し、各モードにおいて上位ホスト109
とのデータ転送,第一の揮発性メモリ101,第二の揮
発性メモリ102,第三の揮発性メモリ103へのデー
タの読み書き及び制御を行う。まず、電源断の初期状態
211から外部電源装置110により電源給電が開始さ
れると、データローディングモード212となり、停電
検出信号108とバッテリ給電停止信号116を無効と
する。次に、第三の不揮発性メモリ103の内容を第一
の揮発性メモリ101へローディングを行い、第一の揮
発性メモリ101の内容を有効化する(ステップ20
1)。第一の揮発性メモリ101へのデータローディン
グが全てエリアについて完了した後は、データ一致化モ
ード213となり、第一の揮発性メモリ101の内容を
第二の揮発性メモリ102へバックグラウンドで複写
し、第一の揮発性メモリ101の内容と第二の揮発性メ
モリ102の内容を一致化を行う(ステップ202)。
一致化完了後は、マイクロプロセッサ112によってワ
ークメモリ114内の二重化フラグ115を設定する。
第一の揮発性メモリ101と第二の揮発性メモリ102
のデータ一致化動作開始後、上位ホスト109から発行
された読み出し命令は第一の揮発性メモリ101のデー
タを上位ホスト109へ転送し(ステップ204)、書
き込み命令の場合は、第一の揮発性メモリ101と第二
の揮発性メモリ102の両方に書き込む(ステップ20
3)。第一の揮発性メモリ101と第二の揮発性メモリ
102の一致化が全てのエリアについて完了し、二重化
フラグ115を設定を行った後は、通常の動作を行うオ
ンラインモード214とし、第一の揮発性メモリ101
と第二の揮発性メモリ102を二重化構成として扱う。
上位ホスト109から発行された書き込み命令は第一の
揮発性メモリ101と第二の揮発性メモリ102の両方
に書き込み(ステップ205)、読み出し命令は第一の
揮発性メモリ101のデータを上位ホスト109へ転送
する(ステップ206)。ここで、外部電源装置110
からの電源供給が途絶えた場合、電源制御部106が外
部電源装置110の電源断を検出し、電源給電をバッテ
リ107から行うように切り替え、第一の揮発性メモリ
101と第二の揮発性メモリ102と第三の不揮発性メ
モリ103と制御回路部104に対して継続して電源供
給を行うと共に、停電検出信号108を有効にすること
で制御回路部104へ伝え、退避モード215に移る。
退避モード215では、制御回路部104内のマイクロ
プロセッサ112が停電検出信号108が有効になった
ことを検出し、ワークメモリ114内の二重化フラグ1
15をクリアし、二重化されていた第一の揮発性メモリ
101と第二の揮発性メモリ102の二重化解除を行い
(ステップ207)、第一の揮発性メモリ101と第二
の揮発性メモリ102を独立して動作させる。まず、第
二の揮発性メモリ102は第三の不揮発性メモリ103
へのバックアップ用に使用し、第一の揮発性メモリ10
1は前記バックアップ動作中に復電した場合を考慮し、
バッテリ107からの給電により電源断時のデータをそ
のまま保持する。次に、第二の揮発性メモリ102の内
容を第三の不揮発メモリ103へ退避する(ステップ2
08)。第二の揮発性メモリ102の内容を全て第三の
不揮発性メモリ103への退避が終了すると、制御回路
部104内のマイクロプロセッサ112によりバッテリ
給電停止信号116を有効とし、これを検出した電源制
御部106はバッテリ107からの給電を止め、初期状
態211になる。もし、退避モード215における第二
の揮発性メモリ102の全ての内容を第三の不揮発性メ
モリ103への退避が終了する前に復電した場合、電源
制御部106がこの復電を検出し、停電検出信号108
を無効にすることで制御回路部104内のマイクロプロ
セッサ112がこれを検出し、復電したことを認識す
る。これによりオンライン&退避モード216となり、
第一の揮発性メモリ101と第二の揮発性メモリ102
の二重化解除状態を保持しつつ、第三の不揮発性メモリ
103へ第二の揮発性メモリ102の内容を退避する退
避動作を継続して行う(ステップ209)。オンライン
&退避モード216において上位ホスト109からの読
み出し,書き込み命令が発行された場合は、第二の揮発
性メモリ102との二重化が解除され、独立して読み書
きが行われる第一の揮発性メモリ101だけを使用して
データの読み出し,書き込みを行う(ステップ21
0)。これにより、第二の揮発性メモリ102の内容
は、外部電源装置110からの給電が停止した時点の内
容、つまり、システムが停止した際のデータの一意性が
確保された状態で第三の不揮発性メモリ103へデータ
の退避が行われることになる。オンライン&退避モード
216において、第二の揮発性メモリ102の全てのエ
リアのデータを第三の不揮発性メモリ103へ退避が終
了すると、データ一致化モード213へ遷移し、第一の
揮発性メモリ101の内容を第二の揮発性メモリ102
へバックグラウンドで複写を行い、第一の揮発性メモリ
101と第二の揮発性メモリ102を二重化構成とする
(ステップ202)と共に二重化フラグ115を有効に
設定する。本実施形態では、以上の制御を行うことによ
り、時間的に連続なデータが一意性を保った状態のま
ま、つまり、システム終了時のファイルシステムとして
の整合性がとれた状態で第三の不揮発性メモリ103へ
退避することができ、さらに、退避動作中でも上位ホス
ト109からの命令に対して第一の揮発性メモリ101
によって応答することで性能を落とすことなく、上位ホ
スト109からの命令を実行することができる。
FIG. 2 shows a detailed control procedure of the present embodiment, and the operation will be described below with reference to FIG. First, in the present embodiment, six operation modes of an initial state 211 in which the external power supply device 110 is OFF, a data loading mode 212, a data matching mode 213, an online mode 214, a save mode 215, and an online & save mode 216 are described. Host 109 in each mode
Transfer of data to and from the first volatile memory 101, the second volatile memory 102, and the third volatile memory 103. First, when power supply is started by the external power supply device 110 from the power-off initial state 211, the data loading mode 212 is set, and the power failure detection signal 108 and the battery power supply stop signal 116 are invalidated. Next, the contents of the third nonvolatile memory 103 are loaded into the first volatile memory 101, and the contents of the first volatile memory 101 are validated (step 20).
1). After all the data loading to the first volatile memory 101 is completed for the area, the mode is set to the data matching mode 213, and the contents of the first volatile memory 101 are copied to the second volatile memory 102 in the background. Then, the contents of the first volatile memory 101 and the contents of the second volatile memory 102 are matched (step 202).
After the matching is completed, the microprocessor 112 sets the duplex flag 115 in the work memory 114.
First volatile memory 101 and second volatile memory 102
After the start of the data matching operation, the read command issued from the upper host 109 transfers the data of the first volatile memory 101 to the upper host 109 (step 204). Writing to both the memory 101 and the second volatile memory 102 (step 20)
3). After the matching of the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 has been completed for all areas and the duplex flag 115 has been set, the online mode 214 for normal operation is set. Volatile memory 101
And the second volatile memory 102 are treated as a duplex configuration.
The write command issued from the upper host 109 writes both the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 (step 205), and the read command writes the data in the first volatile memory 101 to the upper host 109. (Step 206). Here, the external power supply 110
When the power supply from the power supply is interrupted, the power supply control unit 106 detects that the power supply of the external power supply device 110 is cut off, and switches the power supply from the battery 107 to the first volatile memory 101 and the second volatile memory. The power is continuously supplied to 102, the third non-volatile memory 103, and the control circuit unit 104, and the power failure detection signal 108 is made valid to inform the control circuit unit 104 and shift to the save mode 215.
In the save mode 215, the microprocessor 112 in the control circuit unit 104 detects that the power failure detection signal 108 has become valid,
15 is cleared, the duplication of the duplicated first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 is released (step 207), and the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 are deleted. Operate independently. First, the second volatile memory 102 is replaced with the third nonvolatile memory 103
Used for backup to the first volatile memory 10
1 considers the case where power is restored during the backup operation,
By power supply from the battery 107, data at the time of power interruption is held as it is. Next, the contents of the second volatile memory 102 are saved to the third nonvolatile memory 103 (step 2).
08). When all the contents of the second volatile memory 102 have been saved to the third nonvolatile memory 103, the microprocessor 112 in the control circuit unit 104 enables the battery power supply stop signal 116, and the power supply control that detects this The unit 106 stops supplying power from the battery 107 and enters the initial state 211. If the power of all the contents of the second volatile memory 102 in the save mode 215 is restored before the save to the third nonvolatile memory 103 is completed, the power supply control unit 106 detects this power restoration, Power failure detection signal 108
Is invalidated, the microprocessor 112 in the control circuit unit 104 detects this and recognizes that power has been restored. As a result, it becomes the online & evacuation mode 216,
First volatile memory 101 and second volatile memory 102
While the duplication release state is maintained, the save operation for saving the contents of the second volatile memory 102 to the third nonvolatile memory 103 is continuously performed (step 209). When a read / write command is issued from the upper host 109 in the online & save mode 216, the duplex with the second volatile memory 102 is released, and the first volatile memory 101 from which reading and writing are performed independently is performed. Data is read and written by using only
0). As a result, the contents of the second volatile memory 102 are the contents at the time when the power supply from the external power supply device 110 is stopped, that is, the contents of the third nonvolatile memory 102 while the uniqueness of the data when the system is stopped is secured. The data is saved to the memory 103. In the online & save mode 216, when the data of all the areas of the second volatile memory 102 has been saved to the third nonvolatile memory 103, the mode is shifted to the data matching mode 213, and the first volatile memory 101 is changed. Contents of the second volatile memory 102
In the background, the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 are duplicated (step 202), and the duplicate flag 115 is set to be valid. In the present embodiment, by performing the above control, the third non-volatile memory is maintained in a state where temporally continuous data maintains uniqueness, that is, in a state where consistency as a file system at the time of system termination is maintained. The first volatile memory 101 can be evacuated to the volatile memory 103 even during an evacuation operation.
, The command from the host 109 can be executed without deteriorating the performance.

【0009】図3に、本実施形態において、第一の揮発
性メモリ101と第二の揮発性メモリ102の内容が一
致化された通常状態時に、システムアプリケーションま
たはユーザーからコマンドまたはスイッチなどを用い、
任意のタイミングで発行される強制退避命令を受けた場
合の詳細な制御手順を示す。図3では、初期状態21
1,データローディングモード212,退避モード21
5は、図2と同一のため、簡略化してある。図3におい
て、第一の揮発性メモリ101と第二の揮発性メモリ1
02の内容が一致化された通常状態時に、ユーザーから
受けたコマンドが強制退避命令であるとき、オンライン
モード214で強制退避命令の判定を行い、二重化フラ
グ115をクリアし、第一の揮発性メモリ101と第二
の揮発性メモリ102の二重化を解除し(ステップ30
2)、強制的にオンライン&退避モード216へ遷移さ
せ、第二の揮発性メモリ102の全ての内容を第三の不
揮発性メモリ103に強制的に退避させる。本実施形態
では、強制退避命令を受けた場合の制御により、24時
間運転などの電源断の頻度が極めて低いシステムにおけ
るデータの無退避を回避することができる。
FIG. 3 shows that in the present embodiment, in a normal state in which the contents of the first volatile memory 101 and the second volatile memory 102 are matched, a command or a switch is used from a system application or a user.
A detailed control procedure when a forced save instruction issued at an arbitrary timing is received will be described. In FIG. 3, the initial state 21
1, data loading mode 212, save mode 21
5 is the same as FIG. 2 and is therefore simplified. In FIG. 3, a first volatile memory 101 and a second volatile memory 1
When the command received from the user is a forced save instruction in the normal state in which the contents of No. 02 are matched, the forced save instruction is determined in the online mode 214, the duplex flag 115 is cleared, and the first volatile memory is cleared. The duplication of 101 and the second volatile memory 102 is released (step 30).
2) Forcibly transit to the online & save mode 216, and forcibly save all the contents of the second volatile memory 102 to the third nonvolatile memory 103. In the present embodiment, the control when the forced evacuation instruction is received makes it possible to avoid the non-evacuation of data in a system in which the frequency of power interruption such as 24-hour operation is extremely low.

【0010】[0010]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
退避動作中に電源が復旧した場合でも、電源給電停止
時、つまり、システム停止時のデータがそのままの状態
で退避動作を継続するので、ファイルシステムとして整
合性が確保され、データの一意性を確保することがで
き、かつ、上記退避動作中の復電における上位ホストか
らのアクセスに対して揮発性メモリを使用することによ
り、高速に応答することができる。また、強制的に退避
する機能を備えることにより、24時間運転などの電源
断の頻度が極めて低いシステムにおけるデータの無退避
を回避することができる。
As described above, according to the present invention,
Even if the power is restored during the evacuation operation, the evacuation operation is continued when the power supply is stopped, that is, with the data at the time of system stop as it is, so the consistency as a file system is ensured and the uniqueness of data is ensured By using the volatile memory for access from the host in power recovery during the evacuation operation, a high-speed response can be achieved. In addition, by providing a function of forcibly saving data, it is possible to avoid a non-evacuation of data in a system in which the frequency of power interruption such as 24-hour operation is extremely low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体ディスク装置の一実施形態FIG. 1 shows an embodiment of a semiconductor disk device according to the present invention.

【図2】本発明の半導体ディスク装置の制御手順を示し
た図
FIG. 2 is a diagram showing a control procedure of the semiconductor disk device of the present invention.

【図3】本発明の半導体ディスク装置の強制退避命令に
よる制御手順を示した図
FIG. 3 is a diagram showing a control procedure by a forced evacuation instruction of the semiconductor disk device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101…第一の揮発性メモリ、102…第二の揮発性メ
モリ、103…第三の不揮発性メモリ、104…制御回
路部、105…インタフェース制御部、106…電源制
御部、107…バッテリ、108…停電検出信号、10
9…上位ホスト、110…外部電源装置、111…接続
バス、112…マイクロプロセッサ、113…ROM、
114…ワークメモリ、115…二重化フラグ、116
…バッテリ給電停止信号、118…内部バス、211…
初期状態、212…ローディングモード、213…デー
タ一致化モード、214…オンラインモード、215…
退避モード、216…オンライン&退避モード
101: first volatile memory, 102: second volatile memory, 103: third nonvolatile memory, 104: control circuit unit, 105: interface control unit, 106: power control unit, 107: battery, 108 ... power failure detection signal, 10
9 upper host, 110 external power supply, 111 connection bus, 112 microprocessor, 113 ROM
114: work memory, 115: duplex flag, 116
... Battery power supply stop signal, 118 ... Internal bus, 211 ...
Initial state, 212: Loading mode, 213: Data matching mode, 214: Online mode, 215 ...
Evacuation mode, 216 ... Online & Evacuation mode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 邦夫 茨城県日立市大みか町五丁目2番1号 株 式会社日立情報制御システム内 (72)発明者 川又 亘 茨城県日立市大みか町五丁目2番1号 株 式会社日立情報制御システム内 (72)発明者 小浜 照光 茨城県日立市大みか町五丁目2番1号 株 式会社日立情報制御システム内 (72)発明者 福丸 広昭 茨城県日立市大みか町五丁目2番1号 株 式会社日立製作所情報制御システム事業部 内 Fターム(参考) 5B018 GA04 HA04 KA03 MA22 NA01 NA06 QA05 5B065 BA05 EA23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Kunio Suzuki, Inventor 5-2-1 Omikacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Information & Control Systems Co., Ltd. (72) Wataru Kawamata 5-5-2 Omikacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture No. 1 Inside Hitachi Information & Control System Co., Ltd. (72) Inventor Terumitsu Obama 5-2-1 Omikacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Information & Control System Co., Ltd. (72) Inventor Hiroaki Fukumaru Omika, Hitachi City, Ibaraki Prefecture 5-2-1, Machi-cho, Ltd. Information Control Systems Division, Hitachi, Ltd. F-term (reference) 5B018 GA04 HA04 KA03 MA22 NA01 NA06 QA05 5B065 BA05 EA23

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体メモリを使用する半導体ディスク
装置であって、第一の揮発性メモリ及び第二の揮発性メ
モリと、これと同容量の第三の不揮発性メモリと、これ
らを統括的に制御する制御回路部と、外部電源の停電時
に電源を供給するバッテリと、上位ホストとのインタフ
ェースを制御するインタフェース制御部を具備し、外部
電源の通電状態では、前記第一の揮発性メモリと前記第
二の揮発メモリを二重化構成とし、停電時には、前記二
重化構成を解除し、前記第二の揮発性メモリの内容を前
記第三の不揮発メモリへデータ退避を行い、退避動作中
に外部電源が復旧した場合、前記上位ホストからの読み
出し、書き込み命令に対して前記第一の揮発性メモリに
よって前記上位ホストへデータ転送を行いながら、前記
第二の揮発性メモリの全ての内容を前記第三の不揮発性
メモリに退避することを特徴とする半導体ディスク装
置。
1. A semiconductor disk device using a semiconductor memory, comprising: a first volatile memory and a second volatile memory; a third nonvolatile memory having the same capacity as the first volatile memory and the second volatile memory; A control circuit unit for controlling, a battery for supplying power at the time of power failure of the external power supply, and an interface control unit for controlling an interface with an upper host, wherein the first volatile memory and the The second volatile memory has a dual configuration, and in the event of a power failure, the dual configuration is released, the data in the second volatile memory is saved to the third nonvolatile memory, and the external power supply is restored during the save operation In this case, the second volatile memory performs data transfer to the high-order host by the first volatile memory in response to a read / write command from the high-order host. Wherein the entire contents of the above are saved in the third nonvolatile memory.
【請求項2】 請求項1において、前記第一の揮発性メ
モリと前記第二の揮発メモリが二重化構成として動作し
ている通常状態時に、前記上位ホストから強制退避命令
を受けたとき、前記第二の揮発性メモリの全ての内容を
前記第三の不揮発性メモリに退避させることを特徴とす
る半導体ディスク装置。
2. The system according to claim 1, wherein, when the first volatile memory and the second volatile memory are operating in a duplex configuration in a normal state, when a forced evacuation command is received from the host, A semiconductor disk device wherein all contents of a second volatile memory are saved in the third nonvolatile memory.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012063884A (en) * 2010-09-14 2012-03-29 Toshiba Corp Storage device, electronics and control method of storage device
WO2013054374A1 (en) 2011-10-12 2013-04-18 Hitachi, Ltd. Storage system, and data backup method and system restarting method of storage system
US8706950B2 (en) 2008-03-01 2014-04-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
JP2017167801A (en) * 2016-03-16 2017-09-21 日本電気株式会社 Memory system, memory control method and program
CN112114741A (en) * 2019-06-20 2020-12-22 株式会社日立制作所 Storage system
JP2021039674A (en) * 2019-09-05 2021-03-11 Necプラットフォームズ株式会社 Data storage device, control device, stored data management method, and program

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8706950B2 (en) 2008-03-01 2014-04-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
US9201717B2 (en) 2008-03-01 2015-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system
US10901625B2 (en) 2008-03-01 2021-01-26 Toshiba Memory Corporation Memory system
US11409442B2 (en) 2008-03-01 2022-08-09 Kioxia Corporation Memory system
JP2012063884A (en) * 2010-09-14 2012-03-29 Toshiba Corp Storage device, electronics and control method of storage device
US8411526B2 (en) 2010-09-14 2013-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Storage device, electronic device, and storage device control method
WO2013054374A1 (en) 2011-10-12 2013-04-18 Hitachi, Ltd. Storage system, and data backup method and system restarting method of storage system
US8707096B2 (en) 2011-10-12 2014-04-22 Hitachi, Ltd. Storage system, data backup method, and system restarting method of a storage system incorporating volatile and nonvolatile memory devices
JP2017167801A (en) * 2016-03-16 2017-09-21 日本電気株式会社 Memory system, memory control method and program
CN112114741A (en) * 2019-06-20 2020-12-22 株式会社日立制作所 Storage system
JP2021039674A (en) * 2019-09-05 2021-03-11 Necプラットフォームズ株式会社 Data storage device, control device, stored data management method, and program

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