JP2002350512A - Rewritable nonvolatile memory inspecting method - Google Patents

Rewritable nonvolatile memory inspecting method

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JP2002350512A
JP2002350512A JP2001155829A JP2001155829A JP2002350512A JP 2002350512 A JP2002350512 A JP 2002350512A JP 2001155829 A JP2001155829 A JP 2001155829A JP 2001155829 A JP2001155829 A JP 2001155829A JP 2002350512 A JP2002350512 A JP 2002350512A
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Hisanori Ozawa
▲寿▼則 小澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for inspecting nonvolatile memories 1 capable of reducing the probability of mixture of the nonvolatile memories 1 to be actually used on the market and become defectives by adding an inspection process in which a manufacturing side and a receiving side are combined. SOLUTION: In addition to a normally performed high-temperature burn-in inspection (process S20), the nonvolatile memories 1 regarded as conforming items in the process S20 are transferred to a purchasing (purchasers') side which purchases the nonvolatile memories 1 from the manufacturing (manufacturers') side as with data indicating the state of the presence of electric charge while provided with a transfer period (C in Fig. 1). An inspection for verifying whether all the data of data storage areas 2 maintains the state of the presence of electric charge is added on the purchasing (purchasers') side (process S60). By this, the transfer period C is utilized as a normal-temperature storage period as normal-temperature burn-in, and it is possible to reduce the probability of defective mixture of the nonvolatile memories 1 in comparison with the case of only the high-temperature burn-in inspection.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、データの記憶保持
およびこのデータの書換えが行われる書換え可能な不揮
発性メモリの検査方法に関し、特に購入者側へ納入され
た不揮発性メモリの品質評価を追加し、結果として品質
を向上させることのできる検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a rewritable nonvolatile memory in which data is retained and rewritten, and more particularly to a quality evaluation of a nonvolatile memory delivered to a purchaser. And an inspection method capable of improving quality as a result.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、フラッシュメモリやEEPR
OMとして知られる書換え可能な不揮発性メモリには、
電気的に電荷を保持あるいは消去させることでデータの
記憶保持およびこのデータの書換えが行われるデータ格
納領域を有している。そして、このデータ格納領域を有
した不揮発性メモリが製造者側から製造されて購入者側
へ出荷される前に、高温バーイン検査を実施し不良品を
除去している。
2. Description of the Related Art Conventionally, flash memories and EEPROMs have been used.
Rewritable non-volatile memory known as OM includes:
It has a data storage area for storing and holding data and rewriting the data by electrically holding or erasing charges. Before the nonvolatile memory having the data storage area is manufactured by the manufacturer and shipped to the purchaser, a high-temperature burn-in inspection is performed to remove defective products.
【0003】図4に示す製造者側にて不揮発性メモリが
製造されて購入者側が完成製品として出荷するまでの概
略工程の説明を通じて、上述した高温バーイン検査工程
の位置付けを説明する。図4中Aは製造者側の工程であ
り、図4中Bは購入者側の工程である。先ず、100の
工程にて不揮発性メモリが製造され、101の工程にて
高温バーイン検査が実行される。この高温バーイン検査
は、データ格納領域の全領域(通常は絶縁膜で囲まれた
フローティングゲートで構成される領域)に電荷を与え
てデータ有り状態(データ格納)とし、この不揮発性メ
モリを、例えば120℃の高温雰囲気中に数時間の間滞
在させてデータ格納領域におけるデータ記憶保持機能を
確認するものである。詳細には、データ格納領域は、デ
ータ格納領域の全域が長期間の間安定したデータ記憶保
持機能を有することが必要である。そこで、高温バーイ
ン検査を行うことで、絶縁膜など構造的欠陥を生じ易い
部分がある場合にその欠陥発生を加速させ、それによ
り、データ格納領域のうちのいずれかの領域で電荷が抜
けてデータ無し状態となった部分がないか否かを確認し
ている。そして、データ無し状態となった部分が発見さ
れた不揮発性メモリは、不良品(データ記憶保持機能に
欠陥有り)として出荷停止させている。なお、高温雰囲
気中に不揮発性メモリを滞在させるのは、常温でデータ
記憶保持機能を確認すると多大な滞在時間を要すること
に対応した加速度試験手法である。
[0006] The positioning of the above-described high-temperature burn-in inspection process will be described through the description of the schematic process from the production of a nonvolatile memory by the manufacturer shown in FIG. 4 until the purchaser ships it as a finished product. A in FIG. 4 is a process on the manufacturer side, and B in FIG. 4 is a process on the purchaser side. First, a non-volatile memory is manufactured in step 100, and a high-temperature burn-in test is executed in step 101. In this high-temperature burn-in inspection, an electric charge is applied to the entire region of the data storage region (usually, a region constituted by a floating gate surrounded by an insulating film) to make a state with data (data storage). The data storage function in the data storage area is confirmed by staying in a high-temperature atmosphere of 120 ° C. for several hours. Specifically, the data storage area needs to have a stable data storage holding function over a long period of time in the entire data storage area. Therefore, by performing a high-temperature burn-in inspection, when there is a part where a structural defect such as an insulating film is likely to occur, the generation of the defect is accelerated. It is checked whether there is no part that has become empty. The non-volatile memory in which the data-less state is found is suspended as a defective product (defective data storage function). The non-volatile memory staying in a high-temperature atmosphere is an acceleration test method that requires a long staying time when the data storage function is checked at room temperature.
【0004】上述した高温バーイン検査に合格した不揮
発性メモリは、102の工程にてデータ格納領域の全領
域に格納した全データがクリア(電荷無し状態)にされ
たのち、103の工程にて購入者側へ製品出荷される。
そして、製造者側から購入者側へ出荷される搬送工程
(図4中Cに示す)を経て、購入者側の製品受入れ工程
104へ進む。この製品受入れ工程104では、製造者
側による高温バーイン検査工程に合格した不揮発性メモ
リであるので良品として受入れている。この104の工
程にて受入れた不揮発性メモリは、105の工程にて制
御プログラムや制御データなどの所望のデータの書込み
が実行され、106の工程にて完成製品として出荷もし
くはECU組立工程に搬送されている。
A nonvolatile memory that has passed the above-described high-temperature burn-in test is purchased in step 103 after all data stored in all the data storage areas in step 102 are cleared (no charge). The product is shipped to the customer.
Then, the process proceeds to a product receiving process 104 on the purchaser side through a transport process (shown by C in FIG. 4) that is shipped from the manufacturer side to the purchaser side. In the product receiving step 104, since the nonvolatile memory has passed the high-temperature burn-in inspection step by the manufacturer, it is accepted as a good product. In the nonvolatile memory received in the step 104, desired data such as a control program and control data is written in the step 105, and is shipped as a finished product or conveyed to the ECU assembling step in the step 106. ing.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の購入者
側へ出荷される前に行われるデータ格納領域の全域が安
定したデータ記憶保持機能を有するか否かの確認は、製
造者側の工程時間制約から高温バーイン検査のみが行わ
れている現状である。
However, the conventional method of confirming whether or not the entire data storage area has a stable data storage holding function before shipment to the purchaser side is performed by the manufacturer. At present, only high-temperature burn-in inspection is performed due to time constraints.
【0006】つまり、製造コストの観点から常温域で長
時間放置させてデータの安定(保存状態)を確認するこ
とができないので、加速度試験手法としての簡略させた
高温バーイン検査を行うことで出荷される不揮発性メモ
リの不良品含有率を低減させている。しかし、高温バー
イン検査は、加速度試験手法としての簡略させた検査で
あり、この高温バーイン検査のみでは依然として不良品
が混在している可能性があり問題である。
In other words, from the viewpoint of manufacturing cost, it is impossible to confirm the stability (preserved state) of data by leaving it in a normal temperature range for a long period of time. The defective content of nonvolatile memories is reduced. However, the high-temperature burn-in inspection is a simplified inspection as an acceleration test method, and there is a problem that defective products may still be present only in the high-temperature burn-in inspection.
【0007】本発明の目的は上記の点に鑑み、製造側と
受け入れ側とを組合わせた検査工程を追加して、市場で
実使用されて不良品となる不揮発性メモリの混在確率を
低減することができる不揮発性メモリの検査方法を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to add an inspection process in which a manufacturing side and a receiving side are combined to reduce the probability of non-volatile memories which are actually used in the market and become defective. To provide a method for testing a nonvolatile memory.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の請求項1記載の不揮発性メモリの検査
方法によると、製造出荷前に電荷有り状態のセルデータ
を設定されたデータ格納領域の全てのメモリセルは、こ
の不揮発性メモリが利用される前のデータ格納領域の全
てのメモリセルが電荷有り状態のセルデータであるか否
かを確認されるまでの間の期間を有している。この期間
を常温バーインとしての常温保管期間として利用する。
そして、受け入れ側(利用前)においてデータ格納領域
の全てのメモリセルが電荷有り状態のセルデータである
か否かを確認する。このように、あえてバーイン検査を
行うための設備および期間を設けることなく常温バーイ
ン検査が行われる。つまり、製造側と受け入れ側とを組
合わせた検査(常温バーイン検査)工程を追加するの
で、市場で実使用されて不良品となる不揮発性メモリの
混在確率を低減することができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a nonvolatile memory, comprising the steps of: setting a cell data in a charged state before manufacturing and shipping; All the memory cells in the storage area have a period until it is confirmed whether or not all the memory cells in the data storage area are charged cell data before the nonvolatile memory is used. are doing. This period is used as a room temperature storage period as a room temperature burn-in.
Then, on the receiving side (before use), it is confirmed whether or not all the memory cells in the data storage area are the cell data in the state with electric charge. As described above, the normal temperature burn-in inspection is performed without providing a facility and a period for performing the burn-in inspection. That is, since an inspection step (normal temperature burn-in inspection) in which the manufacturing side and the receiving side are combined is added, it is possible to reduce the probability that non-volatile memories that are actually used in the market and become defective will be mixed.
【0009】なお、上述した常温バーインとは、不揮発
性メモリの滞在させる雰囲気をあえて温度調整をせず、
この雰囲気温度を搬送手段に委ねる状態下での不揮発性
メモリの滞在を示す。
The above-mentioned ordinary temperature burn-in means that the temperature is not adjusted by intentionally adjusting the atmosphere in which the nonvolatile memory stays.
The non-volatile memory stays in a state where the ambient temperature is left to the transporting means.
【0010】本発明の請求項2の記載によると、製造出
荷時よりデータ格納領域の全てのメモリセルに電荷有り
状態のデータが格納されてから、この不揮発性メモリの
利用前にデータ格納領域の全てのメモリセルの電荷有り
状態が維持されているか否かを確認検査するまでの期間
は、最低限必要な所定期間が設定されることを特徴とす
る。
According to the second aspect of the present invention, after data in a charged state is stored in all memory cells in the data storage area from the time of manufacture and shipment, the data storage area is stored in the data storage area before use of the nonvolatile memory. A minimum required period is set as a period until a confirmation test is performed to determine whether or not all the memory cells are in the state with electric charge.
【0011】それにより、常温バーインが行われる事に
よる不揮発性メモリの不良品が発見される確率を安定さ
せることができる。
As a result, it is possible to stabilize the probability of finding a defective nonvolatile memory due to the normal temperature burn-in.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して詳細に説明する。なお、以下説明する不揮発
性メモリは、フラッシュメモリやEEPROMとして知
られる書換え可能な不揮発性メモリであり、通常は絶縁
膜で囲まれたフローティングゲートで構成される領域を
有し、この絶縁膜を通して電気的にフローティングゲー
トへ電荷を注入もしくは消去することにより、データの
書換えを行う構成である。つまり、不揮発性メモリは、
電気的に電荷を注入保持あるいは消去させることでデー
タの記憶保持およびこのデータの書換えが行われるフロ
ーティングゲートを含むデータ格納領域を有しており、
このデータ格納領域の全域において安定したデータ記憶
保持機能を有しているか否かの検査が行われる。この検
査を追加することにより、市場で実使用されて不良品と
なる不揮発性メモリの混在確率を低減させることができ
る技術に関する。
An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the non-volatile memory described below is a rewritable non-volatile memory known as a flash memory or an EEPROM, and usually has a region including a floating gate surrounded by an insulating film. In this configuration, data is rewritten by injecting or erasing charges into the floating gate. That is, the non-volatile memory is
It has a data storage area including a floating gate where data is stored and retained and data is rewritten by electrically injecting and retaining or erasing electric charges,
An inspection is performed as to whether or not the entire data storage area has a stable data storage holding function. The present invention relates to a technique capable of reducing the probability that non-volatile memories that are actually used in the market and become defective will be mixed by adding this inspection.
【0013】図1に示す製造(者)側から購入(者)も
しくは利用者側へ出荷される不揮発性メモリの概略工程
を用いて、不揮発性メモリの検査方法について説明す
る。図1は、本発明の製造(者)側から購入(者)側へ
出荷される不揮発性メモリ1の概略工程を示す工程フロ
ー図である。図2は、不揮発性メモリ1を示す説明図で
ある。図3は、8ビットの単位メモリ3を示す説明図で
ある。
A method of inspecting a nonvolatile memory will be described with reference to a schematic process of a nonvolatile memory shipped from a manufacturer (manufacturer) to a purchaser (user) or a user shown in FIG. FIG. 1 is a process flowchart showing a schematic process of a nonvolatile memory 1 to be shipped from a manufacturer (manufacturer) to a purchase (manufacturer) according to the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the nonvolatile memory 1. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the 8-bit unit memory 3.
【0014】図2に示すように、不揮発性メモリ1に
は、データ保存能力を有する複数個の単位メモリ3(二
重枠線部)の集合体からなるデータ格納領域2を有して
いる。そして図3に示すように、本図では単位メモリ3
は8個のメモリセル3aからなり、8つのオンとオフ
(つまり「0」と「1」の状態)を示すデータを格納さ
せることのできるメモリセル3aを有して構成される。
As shown in FIG. 2, the non-volatile memory 1 has a data storage area 2 composed of an aggregate of a plurality of unit memories 3 (double frame portions) having a data storage capability. Then, as shown in FIG.
Is composed of eight memory cells 3a and has a memory cell 3a capable of storing data indicating eight on and off states (ie, "0" and "1" states).
【0015】上記した不揮発性メモリ1は、製造(者)
側にて製造される(図1中の工程S10)。そして、製
造された不揮発性メモリ1の全品は、高温バーイン検査
が実施される(図1中の工程S20)。この高温バーイ
ン検査は、この検査実行前において図3に示した単位メ
モリ3を構成する全てのメモリセル3aに電荷が入って
いる状態にする。詳細には、電荷が入っているビット
(メモリセル3a)を例えば「1」(2進数表記)と表
記させ、全ビットを「1」と表記させる。つまり、8つ
の全ビットを電荷有り状態として「1」(2進数表記)
と表記させてFF(16進数表記)表記させる。このF
F表記を全てのメモリセル3aにおいて実行させる。換
言すれば、データ格納領域2の全てのデータを電荷有り
状態のデータとする。
The above-mentioned nonvolatile memory 1 is manufactured by
(Step S10 in FIG. 1). Then, a high-temperature burn-in inspection is performed on all the manufactured non-volatile memories 1 (step S20 in FIG. 1). In this high-temperature burn-in test, all the memory cells 3a constituting the unit memory 3 shown in FIG. 3 are charged before the test is performed. More specifically, a bit (memory cell 3a) containing a charge is expressed as, for example, "1" (binary notation), and all bits are expressed as "1". In other words, "1" (binary notation) with all eight bits in the charged state
FF (hexadecimal notation). This F
The notation F is executed in all the memory cells 3a. In other words, all data in the data storage area 2 is assumed to be charged data.
【0016】そして、データ格納領域2の全てのデータ
を電荷有り状態のデータとした不揮発性メモリ1を、例
えば120℃の高温雰囲気中に数時間の間滞在させデー
タ格納領域2のうちのいずれかの領域で電荷が抜けて電
荷無し状態となった部分がないか否かを確認する高温バ
ーイン検査が行われるのである。前記した製造後におけ
る高温バーイン検査は従来技術と同じ手法が行われる。
なお、従来ではこの高温バーイン検査後にデータ格納領
域2の全てのデータをクリア(電荷無し状態)として、
購入(者)側へ出荷されていた。
Then, the non-volatile memory 1 in which all data in the data storage area 2 is charged data is allowed to stay for several hours in a high-temperature atmosphere of, for example, 120 ° C., and any one of the data storage areas 2 A high-temperature burn-in test is performed to confirm whether or not there is a portion in which no charge has been discharged and no charge has occurred. The high-temperature burn-in inspection after the manufacturing described above is performed in the same manner as in the prior art.
Conventionally, after this high-temperature burn-in inspection, all data in the data storage area 2 is cleared (no charge),
Had been shipped to the purchaser.
【0017】本実施形態では、この高温バーイン検査に
加えて次に説明する工程を追加して行うことで、不揮発
性メモリ1の利用前(組付け前)直前での良品を確認
し、不良品の混在を無くす。また、市場で実使用されて
不良品となる不揮発性メモリの混在確率を低減するもの
である。この追加する工程は、先ず高温バーイン検査に
より電荷無し状態のメモリセル(ビット)3aを有する
不揮発性メモリ1を不良品として除去した後に、データ
格納領域2の全てのデータをクリア(電荷無し状態)す
ることなく、データ格納領域2の全てのデータをフル状
態のまま維持させる(図1中の工程S30)。そして、
良品とみなされた不揮発性メモリ1は、データをフル状
態(電荷有り状態)のまま維持させて製造(者)側から
購入(者)側へ出荷される(図1中の工程S40)。
In this embodiment, in addition to the high-temperature burn-in inspection, a process described below is additionally performed to confirm a non-defective product immediately before use (before assembling) of the nonvolatile memory 1. Eliminate the mixture of It is also intended to reduce the probability of non-volatile memories that are actually used in the market and become defective. In this additional step, first, the nonvolatile memory 1 having the memory cell (bit) 3a in the no-charge state is removed as a defective product by a high-temperature burn-in inspection, and then all data in the data storage area 2 is cleared (no-charge state). Without doing this, all data in the data storage area 2 is maintained in a full state (step S30 in FIG. 1). And
The non-volatile memory 1 regarded as a non-defective product is shipped from the manufacturer (manufacturer) to the purchaser (manufacturer) while maintaining the data in a full state (charged state) (step S40 in FIG. 1).
【0018】そして、製造(者)側から購入(者)側へ
出荷される搬送工程(図1中Cに示す)を経て、購入
(者)側の製品受入れ工程S50へ進む。この製品受入
れ工程S50では、不揮発性メモリ1の種別、受入れ数
量、および外観検査等が実施され、その後購入(者)側
にてデータ格納領域2の全てのデータがフル状態のまま
維持されているかが検査される(工程S60)。
Then, the process proceeds to a product receiving step S50 on the purchase (person) side through a transport step (shown by C in FIG. 1) for shipment from the manufacturer (person) side to the purchase (person) side. In the product receiving step S50, the type, the receiving quantity, the appearance inspection, and the like of the nonvolatile memory 1 are performed, and thereafter, whether or not all the data in the data storage area 2 is maintained in the full state on the purchase (person) side. Is inspected (step S60).
【0019】このように、データ格納領域2の全てのデ
ータを電荷有り状態のデータとしたままで不揮発性メモ
リ1を製造(者)側から購入(者)側へ搬送し、この購
入(者)側においてデータ格納領域2の全てのデータが
電荷有り状態を維持しているか否かを確認検査すれば、
上記した搬送期間が常温バーインとしての常温保管期間
として利用されることになる。この搬送期間は、図1中
のCに表わされ異なる製造者間で搬送される場合には、
通常において1週間程度要する。同じ製造者間で搬送さ
れる場合には、もう少し短い期間となる。
As described above, the nonvolatile memory 1 is transported from the manufacturer (manufacturer) to the purchaser (man) while all the data in the data storage area 2 remain charged. On the side, if all data in the data storage area 2 are checked to confirm whether or not the state with charge is maintained,
The above-described transport period is used as a room temperature storage period as a room temperature burn-in. This transport period is indicated by C in FIG. 1 and is transported between different manufacturers.
It usually takes about one week. When transported between the same manufacturers, the period is slightly shorter.
【0020】この1週間程の常温バーインは、従来の製
造者側で行われる高温バーイン検査のみの場合と比較し
て、製造(者)側から受入れた全ての不揮発性メモリに
おける不良品の混在確率を低減させる効果がある。な
お、購入(者)側を制約することとなるものの、搬送期
間Cとして最低限必要な所定期間を設定すれば、搬送期
間Cがばらついて常温バーインが行われる期間に変動を
与えることなく、この結果不揮発性メモリ1の不良品が
発見される確率を安定させることができる。なお、上記
した最低限必要な所定期間は、製造(者)側で購入
(者)側でのS60の工程実施タイミングを勘案して設
定される。
The normal temperature burn-in of about one week is more likely than the conventional high-temperature burn-in inspection performed only by the manufacturer to have a mixed probability of defective products in all the non-volatile memories received from the manufacturer. Has the effect of reducing Although the purchase (person) side is restricted, if a minimum required period is set as the transfer period C, the transfer period C varies and the period during which the normal temperature burn-in is performed is not changed. As a result, the probability that a defective product of the nonvolatile memory 1 is found can be stabilized. Note that the above-mentioned minimum required period is set in consideration of the process execution timing of S60 on the side of the manufacturer (manufacturer) and the side of the purchaser (manual).
【0021】この工程S60の確認検査が実行された後
の不揮発性メモリ1は、S70の工程にてデータ格納領
域2の全領域に格納した全データをクリア(電荷無し状
態)にしたのち、S80の工程にて制御プログラムや制
御データなどの所望のデータの書込みが実行され、S9
0の工程にて完成製品として出荷もしくはECU(電子
制御ユニット)の組立工程に搬送される。
After performing the check in step S60, the non-volatile memory 1 clears all data stored in the entire data storage area 2 in the step S70 (no charge), and then proceeds to step S80. In step S9, writing of desired data such as a control program and control data is executed.
In step 0, the product is shipped as a finished product or transported to an ECU (electronic control unit) assembly process.
【0022】なお、請求項1に記載の「利用前」とは、
以下に示す2通りのケースがある。第1のケースは、図
1に示したように不揮発性メモリ1単品状態でS80の
工程(制御プログラムや制御データなどの所望のデータ
の書込みの実行工程)の前タイミングを示す。また、第
2のケースは、図示しないが不揮発性メモリ1がECU
(電子制御ユニット)に組付けられた状態で制御プログ
ラムや制御データなどの所望のデータの書込みの工程が
行われる場合においては、このデータの書込みの工程の
前タイミングを示す。
The “before use” in the first aspect is
There are the following two cases. The first case shows the timing before the step S80 (the step of writing desired data such as a control program and control data) in the non-volatile memory 1 alone as shown in FIG. Further, in the second case, although not shown, the nonvolatile memory 1
When a step of writing desired data such as a control program or control data is performed in a state where the data is assembled in the (electronic control unit), the timing before the step of writing the data is shown.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の製造(者)側から購入(者)側へ出荷
される書換え可能な不揮発性メモリの概略工程を示す工
程フロー図である。
FIG. 1 is a process flowchart showing a schematic process of a rewritable nonvolatile memory to be shipped from a manufacturer (manufacturer) to a purchaser (manufacturer) according to the present invention.
【図2】不揮発性メモリの概略を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing a nonvolatile memory.
【図3】8ビットの単位メモリを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an 8-bit unit memory.
【図4】従来の製造(者)側から購入(者)側へ出荷さ
れる不揮発性メモリの概略工程を示す工程フロー図であ
る。
FIG. 4 is a process flowchart showing a schematic process of a conventional nonvolatile memory which is shipped from a manufacturer (manufacturer) side to a purchase (manufacturer) side.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
1 不揮発性メモリ 2 データ格納領域 3 単位メモリ 3a メモリセル(ビット) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-volatile memory 2 Data storage area 3 Unit memory 3a Memory cell (bit)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 複数のメモリセルによりデータ格納領域
    を構成し、前記メモリセルは前記メモリセル内に注入さ
    れる電荷の有無によりセルデータを設定する構造の書換
    え可能な不揮発性メモリの不良を判別する方法であっ
    て、 製造出荷前に、前記データ格納領域の全ての前記メモリ
    セルに対し、予め電荷有り状態のセルデータを設定して
    おき、 この不揮発性メモリの利用前に、前記データ格納領域の
    全ての前記メモリセルが電荷有り状態のセルデータであ
    るか否かを確認することにより不良有無を判別すること
    を特徴とする書換え可能な不揮発性メモリの不良を判別
    する方法。
    A data storage area is constituted by a plurality of memory cells, and the memory cells determine a defect of a rewritable nonvolatile memory having a structure in which cell data is set based on presence / absence of charges injected into the memory cells. Before manufacturing and shipping, cell data in a charged state is set in advance for all of the memory cells in the data storage area, and before using the nonvolatile memory, the data storage area is set. Determining whether or not there is a defect by confirming whether or not all the memory cells are cell data in a charged state.
  2. 【請求項2】 前記製造出荷時より前記データ格納領域
    の全ての前記メモリセルに電荷有り状態のデータが格納
    されてから、 この不揮発性メモリの利用前に前記データ格納領域の全
    ての前記メモリセルの電荷有り状態が維持されているか
    否かを確認検査するまでの期間は、最低限必要な所定期
    間が設定されることを特徴とする請求項1記載の書換え
    可能な不揮発性メモリの検査方法。
    2. After all the memory cells in the data storage area are stored with data in a charged state from the time of manufacture and shipment, all the memory cells in the data storage area are used before using the nonvolatile memory. 2. The inspection method for a rewritable nonvolatile memory according to claim 1, wherein a predetermined minimum period is set as a period until a confirmation inspection is performed to determine whether or not the charged state is maintained.
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