JP2002344036A - Manufacturing method of membrane - Google Patents

Manufacturing method of membrane

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JP2002344036A
JP2002344036A JP2001142143A JP2001142143A JP2002344036A JP 2002344036 A JP2002344036 A JP 2002344036A JP 2001142143 A JP2001142143 A JP 2001142143A JP 2001142143 A JP2001142143 A JP 2001142143A JP 2002344036 A JP2002344036 A JP 2002344036A
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JP
Japan
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membrane
layer
etching
substrate
thin film
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JP2001142143A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Tanaka
啓一 田中
Toshimitsu Morooka
利光 師岡
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a membrane for which there is no need for it to be subjected to a doubled-side patterning, capable of keeping a device to be free of contamination, and has high mechanical strength. SOLUTION: A membrane, which is formed on a board composed of an etching layer and a support board, is arranged separately from the support board by a space equal to the thickness of the etching layer, and the etching layer is etched from a membrane side.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は超伝導放射線検出
器に関し、熱伝導をコントロールするメンブレンの製造
方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a superconducting radiation detector and, more particularly, to a method for producing a membrane for controlling heat conduction.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在超伝導転移端を用いたカロリーメー
ターの開発が各研究機関で行われている。参考文献とし
て、例えばApplied Physics Letters 66,1988(1995)が
ある。カロリーメーターは、放射線を吸収し、放射線の
エネルギーを熱エネルギーに変換する吸収体と、この熱
エネルギーを電気信号に変換する吸収体に取り付けられ
た抵抗体と、熱を外部に放出するメンブレンから構成さ
れている。カロリーメーターは、抵抗体に流れる電流に
より発生するジュール熱と、メンブレンを通して外部に
放出される熱がバランスされることにより、定常状態を
保っている。メンブレンはマイクロマシン技術を応用し
た、薄さ1μm程度の薄い絶縁体を用いている。絶縁体
として窒化シリコン膜が用いられている。
2. Description of the Related Art At present, calorimeters using a superconducting transition edge are being developed by various research institutions. References include, for example, Applied Physics Letters 66, 1988 (1995). The calorie meter consists of an absorber that absorbs radiation and converts the energy of the radiation into heat energy, a resistor attached to the absorber that converts this heat energy into an electric signal, and a membrane that emits heat to the outside Have been. The calorie meter maintains a steady state by balancing the Joule heat generated by the current flowing through the resistor with the heat released to the outside through the membrane. The membrane uses a thin insulator with a thickness of about 1 μm to which micromachine technology is applied. A silicon nitride film is used as an insulator.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のメンブレンの作
成方法は、少なくとも片面窒化シリコンを成膜したシリ
コン基板を用い、窒化シリコンを成膜した面に吸収体と
抵抗体を作製した後、裏面からシリコンをエッチングす
る手段を用いていた(参考文献:IEEE Trans. Appl. Su
per. 5,2690(1995))。また、従来の手法では、裏面か
らシリコンをエッチングするため、両面パターニングを
行う必要があった。そのため、ウエハーの両面が露光機
ホルダーに接地するため、素子が汚染される心配があ
る。また、シリコンを裏面からエッチングすると、ウエ
ハーの厚み分を全部エッチングするため、機械的な強度
が弱くなることが予想される。特に、カロリーメーター
をアレイ化するときには、アレイの数だけ裏面からエッ
チングする必要があり、基板全体の機械的強度がさらに
弱くなることが予想される。
A conventional method of fabricating a membrane is to use a silicon substrate on which at least one-sided silicon nitride is formed, to form an absorber and a resistor on the surface on which the silicon nitride is formed, and then from the back side. A method of etching silicon was used (Reference: IEEE Trans. Appl. Su)
per. 5,2690 (1995)). Further, in the conventional method, since silicon is etched from the back surface, it is necessary to perform double-sided patterning. For this reason, since both surfaces of the wafer are grounded to the exposure device holder, there is a concern that the elements may be contaminated. Further, when silicon is etched from the back surface, the entire thickness of the wafer is etched, so that the mechanical strength is expected to be weak. In particular, when an array of calorimeters is used, it is necessary to etch the back surface by the number of arrays, and it is expected that the mechanical strength of the entire substrate will be further reduced.

【0004】[0004]

【発明を解決するため手段】このような目的を達成する
ために、超伝導転移端を利用し、ネガティブフィードバ
ックを用いることにより高エネルギー分解能、高速応答
を実現するマイクロカロリーメーターの構成部品であ
り、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方法におい
て、メンブレンがエッチング層と支持基板から構成され
る基板上に作製されており、メンブレンが支持基板とエ
ッチング層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブ
レン側からエッチング層をエッチングするメンブレンの
作製方法を用いた。その結果、メンブレンが支持基板と
エッチング層の厚み分だけ隔てられ配置されているた
め、エッチング層のみをエッチングすることにより、メ
ンブレンは支持基板と容易に隔てることができる。か
つ、メンブレン側からエッチングすることにより、支持
基板はエッチングされないため、基板の強度をエッチン
グ前より低下しない。以上より、従来のメンブレン作製
方法と比較し、片面からのプロセスでカロリーメーター
を作製でき、かつ素子全体の機械的強度を向上させるこ
とができるメンブレンの作製方法を得る事ができた。
In order to achieve the above object, a component of a microcalorimeter that realizes high energy resolution and high speed response by using a superconducting transition edge and using negative feedback, In a method for producing a membrane for determining thermal conductivity, the membrane is produced on a substrate composed of an etching layer and a support substrate, and the membrane is arranged at a distance of the thickness of the support substrate and the etching layer. A method for manufacturing a membrane in which an etching layer was etched from the side was used. As a result, since the membrane is arranged to be separated from the supporting substrate by the thickness of the etching layer, the membrane can be easily separated from the supporting substrate by etching only the etching layer. In addition, since the supporting substrate is not etched by etching from the membrane side, the strength of the substrate does not lower than before the etching. As described above, as compared with the conventional membrane manufacturing method, a membrane manufacturing method capable of manufacturing a calorie meter by a process from one side and improving the mechanical strength of the entire element was obtained.

【0005】また、超伝導転移端を利用し、ネガティブ
フィードバックを用いることにより高エネルギー分解
能、高速応答を実現するマイクロカロリーメーターの構
成部品であり、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方
法において、基板としてメンブレンを作製するための薄
膜層と、この薄膜層下部にある薄い絶縁層と、この絶縁
層下部にある支持基板の3層構造の基板を用い、薄膜層
をメンブレン状にパターニングした後、メンブレン側か
ら薄い絶縁層と支持基板をエッチングするメンブレンの
作製方法を用いた。本発明によると、薄膜層をメンブレ
ン状にパターニングした後、薄い絶縁膜をエッチング
し、支持基板をエッチングする作製方法を用いることに
より、上部にあるシリコンからなる薄膜層がエッチング
されずに、薄い絶縁層のみをエッチングすることができ
る。その結果、素子のパターニングはすべて表面から行
われるため、パターニング時に素子が汚染される心配が
なくなる。また、支持基板の結晶面が(100)である
場合、メンブレンの向きを支持基板の<100>方位と
平行に配置すると、効率よくメンブレン下部の薄い絶縁
層をエッチングすることができる。また、メンブレンが
単結晶の薄いシリコンである場合、特に機械的強度がア
モルファスより大きいため、支持基板をエッチングする
ときに発生する気泡により破壊されないメリットがあ
る。以上より、従来のメンブレン作製方法と比較し、片
面からのプロセスでカロリーメーターを作製することが
できるメンブレンの作製方法を得る事ができた。また、
支持基板上にエッチング停止層とエッチング層と絶縁層
と薄膜層が積層されている基板を用いることにより、支
持基板が十分厚ければ、メンブレンが作製された後も、
エッチング層のエッチング前とほとんど基板の厚みは変
わらない。その結果、素子の機械的強度はエッチング前
とエッチング後でほとんど変化しないため、マイクロカ
ロリーメーターを複数個同一基板内に作製する場合特
に、本発明の作製方法は最適である。
[0005] Further, the present invention is a component of a microcalorimeter which realizes high energy resolution and high-speed response by utilizing a superconducting transition edge and using negative feedback. A thin film layer for fabricating a membrane, a thin insulating layer below the thin film layer, and a substrate having a three-layer structure of a supporting substrate below the insulating layer are used, and the thin film layer is patterned into a membrane shape. A method for fabricating a membrane in which a thin insulating layer and a supporting substrate were etched from the side was used. According to the present invention, after the thin film layer is patterned into a membrane, the thin insulating film is etched, and the supporting substrate is etched. Only the layers can be etched. As a result, since the patterning of the device is all performed from the surface, there is no fear that the device is contaminated during the patterning. Further, when the crystal plane of the support substrate is (100), if the direction of the membrane is arranged in parallel with the <100> direction of the support substrate, the thin insulating layer below the membrane can be efficiently etched. In addition, when the membrane is single-crystal thin silicon, the mechanical strength is particularly higher than that of amorphous silicon, and therefore, there is an advantage that the membrane is not broken by bubbles generated when etching the support substrate. As described above, as compared with the conventional membrane production method, a membrane production method capable of producing a calorimeter by a process from one side was obtained. Also,
By using a substrate in which an etching stop layer, an etching layer, an insulating layer, and a thin film layer are stacked on a supporting substrate, if the supporting substrate is sufficiently thick, even after the membrane is manufactured,
The thickness of the substrate is almost the same as before the etching of the etching layer. As a result, the mechanical strength of the element hardly changes before and after etching, and therefore, the manufacturing method of the present invention is optimal particularly when a plurality of microcalorimeters are manufactured on the same substrate.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】[実施例1]図1〜3は、超伝導
転移端を利用し、ネガティブフィードバックを用いるこ
とにより高エネルギー分解能、高速応答を実現するマイ
クロカロリーメーターの構成部品であり、熱伝導率を決
定するメンブレンの作製方法において、メンブレンがエ
ッチング層と支持基板から構成される基板上に作製され
ており、メンブレンが支持基板とエッチング層の厚み分
だけ隔てて配置されており、メンブレン側からエッチン
グ層をエッチングするメンブレンの作製方法を表した模
式図である。図1(a)、図2(a)、図3(a)は、各工程を横
からみた図を表し、図1(b)、図2(b)、図3(b)は、表側
から見たときの図を表し、図1(a)〜図3(a)は、図1(b)
〜図3(b)に示されたA-A’線に沿った断面図を表す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Embodiment 1] FIGS. 1 to 3 show components of a microcalorimeter which realizes high energy resolution and high speed response by using a superconducting transition edge and using negative feedback. In a method for producing a membrane for determining thermal conductivity, the membrane is produced on a substrate composed of an etching layer and a support substrate, and the membrane is arranged at a distance of the thickness of the support substrate and the etching layer. It is the schematic diagram showing the manufacturing method of the membrane which etches an etching layer from the side. FIGS. 1 (a), 2 (a), and 3 (a) show views of each step as viewed from the side, and FIGS. 1 (b), 2 (b), and 3 (b) FIG. 1 (a) to FIG. 3 (a) show diagrams when viewed, and FIG. 1 (b)
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in FIG.

【0007】用いる基板は、支持基板1上にエッチング
層2とメンブレンを作製するための薄い薄膜層3が積層
されている。エッチング層2の材質は、エッチング層2
をエッチングする時に、そのエッチング液が支持基板1
と薄膜層3をエッチングしないものを選ぶ必要がある。
例えば支持基板1と薄膜層3をシリコンとしたときに、
エッチング層2の材質として2酸化ケイ素を選ぶことが
できる。エッチング層2の厚みは、ウェットエッチング
によりエッチングするために少なくとも2μm以上であ
ることが望ましい。また、薄膜層3の厚みは厚いほど機
械的強度を向上させることができるが、放射線をできる
だけ吸収しないためには薄くしなくてはならない。例え
ば薄膜層3としてシリコンを用いた場合、1μm〜10μm
程度にすることが望ましい。
As a substrate to be used, an etching layer 2 and a thin thin film layer 3 for forming a membrane are laminated on a supporting substrate 1. The material of the etching layer 2 is the etching layer 2
When etching the support substrate 1, the etchant is
It is necessary to select a material that does not etch the thin film layer 3.
For example, when the support substrate 1 and the thin film layer 3 are made of silicon,
Silicon dioxide can be selected as the material of the etching layer 2. The thickness of the etching layer 2 is desirably at least 2 μm or more for etching by wet etching. The mechanical strength can be improved as the thickness of the thin film layer 3 increases, but it must be reduced in order to absorb as little radiation as possible. For example, when silicon is used as the thin film layer 3, 1 μm to 10 μm
Desirably.

【0008】次に作製方法について説明する。図1は、
薄膜層3をメンブレン状にパターニングする工程を表
す。図1(b)は上面図、図1(a)は図1(b)のA
−A‘線に沿った断面図である。支持基板1上にエッチ
ング層2とメンブレンを作製するための薄い薄膜層3が
積層されている基板のうち、薄膜層3をメンブレンの形
状にパターニングする。薄膜層3がシリコン、エッチン
グ層2が2酸化ケイ素、支持基板1がシリコンの場合、
薄膜層3はドライエッチングでパターニングすることが
可能である。ドライエッチングとして、例えばReactive
Ion Etching(RIE)を用いることができ、反応ガスとし
てSF6を用いる事ができる。必要に応じて酸素を加えて
もかまわない。
Next, a manufacturing method will be described. FIG.
This shows a step of patterning the thin film layer 3 into a membrane. 1 (b) is a top view, and FIG. 1 (a) is A in FIG. 1 (b).
It is sectional drawing which followed the -A 'line. The thin film layer 3 of the substrate in which the etching layer 2 and the thin thin film layer 3 for forming the membrane are laminated on the supporting substrate 1 is patterned into a membrane shape. When the thin film layer 3 is silicon, the etching layer 2 is silicon dioxide, and the support substrate 1 is silicon,
The thin film layer 3 can be patterned by dry etching. As dry etching, for example, Reactive
Ion Etching (RIE) can be used, and SF6 can be used as a reaction gas. Oxygen may be added as needed.

【0009】図2は、放射線を吸収する吸収体5と、吸
収体5で発生した熱により抵抗値を変化させる抵抗体4
と、超伝導配線6を形成する工程を表す図である。図2
(b)は上面図、図2(a)は図2(b)のA−A‘線
に沿った断面図である。図1で示されたようにメンブレ
ン状にパターニングされた基板上に、抵抗体4となる金
属膜を成膜する。抵抗体4として用いる金属は超伝導体
の単層、または超伝導体亜と常伝導体の積層構造となっ
ている。積層構造を用いる事により、超伝導体単層の超
伝導転移温度を低下させることが可能であり(近接効
果)、目的に応じて超伝導層と常伝導層の膜厚比を変え
ることができる。抵抗体4の上に放射線を吸収するため
の吸収体5を作製する。吸収体5は、超伝導体、常伝導
体どちらでもかまわない。その後、超伝導配線6を作製
する。抵抗体の材料として、例えば金(常伝導体)、チ
タン(超伝導体)の2層構造を、吸収体として金を、超
伝導配線としてニオブを用いることができる。その結
果、超伝導転移温度を例えば0.5K近傍に設定することが
できる。
FIG. 2 shows an absorber 5 for absorbing radiation and a resistor 4 for changing the resistance value by the heat generated by the absorber 5.
4A and 4B are diagrams illustrating a process of forming a superconducting wiring 6. FIG.
2B is a top view, and FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2B. As shown in FIG. 1, a metal film to be a resistor 4 is formed on a substrate patterned in a membrane shape. The metal used as the resistor 4 has a single layer of a superconductor or a laminated structure of a superconductor and a normal conductor. By using the laminated structure, it is possible to lower the superconducting transition temperature of the superconductor single layer (proximity effect), and it is possible to change the thickness ratio between the superconducting layer and the normal conducting layer according to the purpose. . An absorber 5 for absorbing radiation is formed on the resistor 4. The absorber 5 may be a superconductor or a normal conductor. After that, the superconducting wiring 6 is manufactured. As the material of the resistor, for example, a two-layer structure of gold (normal conductor) and titanium (superconductor), gold as an absorber, and niobium as a superconducting wiring can be used. As a result, the superconducting transition temperature can be set to, for example, around 0.5K.

【0010】図3は、エッチング層2をウェットエッチ
ングによりエッチングする工程を表す模式図である。図
3(b)は上面図、図3(a)は図3(b)のA−A
‘線に沿った断面図である。エッチング層として、2酸
化ケイ素を用いた場合ウェットエッチング液としてフッ
化水素液をもちいることができる。フッ化水素液は薄膜
層3や支持基板1であるシリコンをほとんどエッチング
しないが、2酸化ケイ素を容易にエッチングすることが
できる。図2に示された超伝導配線6の作製後、素子前
面に保護膜を塗布し、エッチング層2をエッチングする
ための穴のみあけておく。保護膜として例えばレジスト
を用いる事が出来る。レジストを塗布した素子をフッ化
水素液に浸すと、2酸化ケイ素がエッチングされ始め
る。メンブレン7下部のエッチング層2がエッチングさ
れ、最後にはメンブレン7が支持基板1とエッチング層
2の厚み分だけ隔てられて配置される。支持基板1は、
フッ化水素液でほとんどエッチングされない。支持基板
1が十分厚ければ、エッチング層2をエッチングした後
も、エッチング前とほとんど基板の厚みは変わらない。
その結果、素子の機械的強度はエッチング前とエッチン
グ後でほとんど変化しないため、マイクロカロリーメー
ターを複数個同一基板内に作製する場合特に、本発明の
作製方法は最適である。
FIG. 3 is a schematic view showing a step of etching the etching layer 2 by wet etching. FIG. 3B is a top view, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view along the line. When silicon dioxide is used as the etching layer, a hydrogen fluoride solution can be used as a wet etching solution. The hydrogen fluoride solution hardly etches the thin film layer 3 and silicon which is the supporting substrate 1, but can easily etch silicon dioxide. After the production of the superconducting wiring 6 shown in FIG. 2, a protective film is applied on the front surface of the element, and only holes for etching the etching layer 2 are formed. For example, a resist can be used as the protective film. When the element coated with the resist is immersed in a hydrogen fluoride solution, silicon dioxide starts to be etched. The etching layer 2 below the membrane 7 is etched, and finally, the membrane 7 is disposed so as to be separated from the support substrate 1 by the thickness of the etching layer 2. The support substrate 1
Hardly etched by hydrogen fluoride solution. If the supporting substrate 1 is sufficiently thick, even after the etching layer 2 is etched, the thickness of the substrate is almost the same as before etching.
As a result, the mechanical strength of the element hardly changes before and after etching, and therefore, the manufacturing method of the present invention is optimal particularly when a plurality of microcalorimeters are manufactured on the same substrate.

【0011】超伝導転移端を利用し、ネガティブフィー
ドバックを用いることにより高エネルギー分解能、高速
応答を実現するマイクロカロリーメーターの構成部品で
あり、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方法におい
て、メンブレンがエッチング層と支持基板から構成され
る基板上に作製されており、メンブレンが支持基板とエ
ッチング層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブ
レン側からエッチング層をエッチングするメンブレンの
作製方法を用いることにより、メンブレンが支持基板
と、エッチング層の厚み分だけ隔てられ配置されている
ため、エッチング層のみをエッチングすることにより、
メンブレンは支持基板と容易に隔てることができる。か
つ、メンブレン側からエッチングすることにより、支持
基板はエッチングされないため、基板の強度をエッチン
グ前より低下しない。以上より、従来のメンブレン作製
方法と比較し、片面からのプロセスでカロリーメーター
を作製でき、かつ素子全体の機械的強度を向上させるこ
とができるメンブレンの作製方法を得る事ができた。 [実施例2]図4〜8は、超伝導転移端を利用し、ネガ
ティブフィードバックを用いることにより高エネルギー
分解能、高速応答を実現するマイクロカロリーメーター
の構成部品であり、熱伝導率を決定するメンブレンの作
製方法において、基板としてメンブレンを作製するため
の薄膜層とこのシリコンからなる薄膜層下部にある薄い
絶縁層と絶縁層下部にある支持基板の3層構造の基板を
用い、薄膜層をメンブレン状にパターニングした後、メ
ンブレン側から薄い絶縁層と支持基板をエッチングする
メンブレンの作製方法を表した模式図である。
A component of a microcalorimeter that realizes high energy resolution and high-speed response by utilizing a superconducting transition edge and using negative feedback. In a method of manufacturing a membrane for determining thermal conductivity, the membrane is etched. It is manufactured on a substrate composed of a layer and a support substrate, the membrane is arranged at a distance of the thickness of the support substrate and the etching layer, and by using a method of manufacturing a membrane in which the etching layer is etched from the membrane side. Since the membrane is disposed so as to be separated from the supporting substrate by the thickness of the etching layer, by etching only the etching layer,
The membrane can be easily separated from the supporting substrate. In addition, since the supporting substrate is not etched by etching from the membrane side, the strength of the substrate does not lower than before the etching. As described above, as compared with the conventional membrane manufacturing method, a membrane manufacturing method capable of manufacturing a calorie meter by a process from one side and improving the mechanical strength of the entire element was obtained. [Embodiment 2] FIGS. 4 to 8 show components of a microcalorimeter which realizes high energy resolution and high-speed response by using a negative feedback and utilizing a superconducting transition edge, and a membrane for determining thermal conductivity. In the manufacturing method, a thin film layer for manufacturing a membrane as a substrate, a thin insulating layer below the thin film layer made of silicon, and a substrate having a three-layer structure below the insulating layer are used, and the thin film layer is formed into a membrane shape. FIG. 4 is a schematic view showing a method for producing a membrane in which a thin insulating layer and a supporting substrate are etched from the membrane side after patterning.

【0012】図4(a)、図5(a)、図6(a)、図7(a)は、
各工程を横からみた図を表し、図4(b)、図5(b)、図6
(b)、図7(a)は、表側から見たときの図を表し、図4
(a)〜7(a)は、図4(b)〜図7(b)に示されたA-A’線に
沿った断面図を表す。
FIGS. 4 (a), 5 (a), 6 (a) and 7 (a)
FIGS. 4 (b), 5 (b), and 6 show views of the respective steps as viewed from the side.
7 (b) and FIG. 7 (a) show diagrams when viewed from the front side, and FIG.
7A to 7A are cross-sectional views taken along line AA ′ shown in FIGS. 4B to 7B.

【0013】用いる基板は、支持基板10上に絶縁層1
1とメンブレンを作製するための薄膜層12から構成さ
れている。絶縁層11の材質は、絶縁層11をエッチン
グした時支持基板10と薄膜層12をエッチングしない
ものを選ぶ必要がある。例えば支持基板10と薄膜層1
2をシリコンとしたときに、薄膜層11の材質として2
酸化ケイ素を選ぶことができる。絶縁層11の厚みは、
支持基板10をエッチングするときに薄膜層12がエッ
チングされないために用いられるため、少なくとも0.
1μm以上であることが望ましい。また、薄膜層12の
厚みは厚いほど機械的強度を向上させることができる
が、放射線をできるだけ吸収しないためには薄くしなく
てはならない。例えば薄膜層12としてシリコンを用い
た場合、1μm〜10μm程度にすることが望ましい。
The substrate used is an insulating layer 1 on a supporting substrate 10.
1 and a thin film layer 12 for producing a membrane. It is necessary to select a material for the insulating layer 11 that does not etch the support substrate 10 and the thin film layer 12 when the insulating layer 11 is etched. For example, the support substrate 10 and the thin film layer 1
When 2 is silicon, the material of the thin film layer 11 is 2
Silicon oxide can be chosen. The thickness of the insulating layer 11 is
When the support substrate 10 is etched, the thin film layer 12 is used because it is not etched.
It is desirable that the thickness be 1 μm or more. Although the mechanical strength can be improved as the thickness of the thin film layer 12 increases, it must be reduced in order to absorb as little radiation as possible. For example, when silicon is used for the thin film layer 12, the thickness is desirably about 1 μm to 10 μm.

【0014】次に作製方法について説明する。図4は、
薄膜層12をメンブレン状にパターニングする工程を表
す。支持基板10上に絶縁層11とメンブレンを作製す
るための薄膜層12が積層されている基板のうち、薄膜
層12をメンブレンの形状にパターニングする。薄膜層
12がシリコン、絶縁層11が2酸化ケイ素、支持基板
10がシリコンの場合、薄膜層12はドライエッチング
でパターニングすることが可能である。ドライエッチン
グとして、例えばReactive Ion Etching(RIE)を用いる
ことができ、反応ガスとしてSF6を用いる事ができる。
必要に応じて酸素を加えてもかまわない。
Next, a manufacturing method will be described. FIG.
This represents a step of patterning the thin film layer 12 into a membrane. The thin film layer 12 of the substrate in which the insulating layer 11 and the thin film layer 12 for forming the membrane are laminated on the support substrate 10 is patterned into a membrane shape. When the thin film layer 12 is silicon, the insulating layer 11 is silicon dioxide, and the support substrate 10 is silicon, the thin film layer 12 can be patterned by dry etching. For example, Reactive Ion Etching (RIE) can be used as dry etching, and SF6 can be used as a reaction gas.
Oxygen may be added as needed.

【0015】図5は、メンブレン状に薄膜層12をパタ
ーニングした後、薄膜層12表面上に保護膜13を形成
する工程を表す模式図である。保護膜13とは、次工程
で行われる支持基板10エッチング時に薄膜層12がエ
ッチングされないように保護するために設けられる。薄
膜層12と支持基板10がシリコンである場合、保護膜
13として例えば窒化シリコンや2酸化シリコンを用い
ることができる。窒化シリコンや2酸化シリコンは例え
ばプラズマChemical Vapor Deposition (CVD)を用いる
ことができる。また2酸化シリコンの場合、熱酸化を用
いることができる。
FIG. 5 is a schematic view showing a step of forming a protective film 13 on the surface of the thin film layer 12 after patterning the thin film layer 12 into a membrane shape. The protective film 13 is provided to protect the thin film layer 12 from being etched when the support substrate 10 is etched in the next step. When the thin film layer 12 and the support substrate 10 are made of silicon, the protective film 13 can be made of, for example, silicon nitride or silicon dioxide. As silicon nitride or silicon dioxide, for example, plasma Chemical Vapor Deposition (CVD) can be used. In the case of silicon dioxide, thermal oxidation can be used.

【0016】図6は、絶縁膜11の一部に支持基板10
をエッチング用の穴14を設け、放射線を吸収する吸収
体16と、吸収体16で発生した熱により抵抗値を変化
させる抵抗体15と、超伝導配線17を形成する工程を
表す図である。図5で示されたように保護膜13を作製
したメンブレン上に、抵抗体15となる金属膜を成膜す
る。抵抗体15として用いる金属は超伝導体の単層、ま
たは超伝導体と常伝導体の積層構造となっている。積層
構造を用いる事により、超伝導体単層の超伝導転移温度
を低下させることが可能であり(近接効果)、目的に応
じて超伝導層と常伝導層の膜厚比を変えることができ
る。抵抗体15の上に放射線を吸収するための吸収体1
6を作製する。吸収体16は、超伝導体、常伝導体どち
らでもかまわない。その後、超伝導配線17を作製す
る。抵抗体の材料として、例えば金(常伝導体)、チタ
ン(超伝導体)の2層構造を、吸収体として金を、超伝
導配線としてニオブを用いることができる。その結果、
超伝導転移温度を例えば0.5K近傍に設定することができ
る。
FIG. 6 shows that the supporting substrate 10
FIG. 4 is a diagram showing a process of forming an absorber 16 for providing a hole 14 for etching to absorb radiation, a resistor 15 for changing a resistance value by heat generated by the absorber 16, and a superconducting wiring 17. As shown in FIG. 5, a metal film to be the resistor 15 is formed on the membrane on which the protective film 13 has been formed. The metal used as the resistor 15 has a single layer of a superconductor or a laminated structure of a superconductor and a normal conductor. By using the laminated structure, it is possible to lower the superconducting transition temperature of the superconductor single layer (proximity effect), and it is possible to change the thickness ratio between the superconducting layer and the normal conducting layer according to the purpose. . Absorber 1 for absorbing radiation on resistor 15
6 is produced. The absorber 16 may be a superconductor or a normal conductor. After that, the superconducting wiring 17 is manufactured. As the material of the resistor, for example, a two-layer structure of gold (normal conductor) and titanium (superconductor), gold as an absorber, and niobium as a superconducting wiring can be used. as a result,
The superconducting transition temperature can be set, for example, to around 0.5K.

【0017】図7は、メンブレン18下部の支持基板1
0をウェットエッチングによりエッチングする工程を表
す模式図である。支持基板10がシリコンである場合、
ウェットエッチング液としてヒドラジン水和物、KOH、T
MAH等をもちいることができる。ヒドラジン水和物、KO
H、TMAHは窒化シリコンや2酸化シリコンで保護された
薄膜層12をほとんどエッチングしないが、シリコンを
容易にエッチングすることができる。図6に示された超
伝導配線17の作製後、必要に応じてヒドラジン水和
物、KOH、TMAH等の水溶液でエッチングされない保護膜
13をエッチング用の穴14以外前面に成膜する。保護
膜13として例えばチタンを用いることができる。保護
膜13を成膜した素子をヒドラジン水和物、KOH、TMAH
等の水溶液に浸すと、メンブレン18下部の支持基板1
0がエッチングされ始める。支持基板10の面方位が
(100)である場合、メンブレン18の方位を<10
0>にすると効率よく支持基板10をエッチングするこ
とが可能である。メンブレン18下部の支持基板10が
エッチングされ、最後にはメンブレン18が空中に浮く
ようにして配置される。
FIG. 7 shows the supporting substrate 1 below the membrane 18.
It is a schematic diagram showing the process of etching 0 by wet etching. When the support substrate 10 is silicon,
Hydrazine hydrate, KOH, T as wet etching solution
MAH can be used. Hydrazine hydrate, KO
H and TMAH hardly etch the thin film layer 12 protected by silicon nitride or silicon dioxide, but can easily etch silicon. After the production of the superconducting wiring 17 shown in FIG. 6, a protective film 13 which is not etched with an aqueous solution of hydrazine hydrate, KOH, TMAH or the like is formed on the front surface other than the etching hole 14 as necessary. For example, titanium can be used as the protective film 13. The element on which the protective film 13 was formed was replaced with hydrazine hydrate, KOH, TMAH
When immersed in an aqueous solution such as
0 starts to be etched. When the plane orientation of the support substrate 10 is (100), the orientation of the membrane 18 is set to <10
If 0>, the support substrate 10 can be efficiently etched. The support substrate 10 below the membrane 18 is etched, and finally, the membrane 18 is arranged so as to float in the air.

【0018】特に図8に示すように、厚い支持基板21
上にエッチング停止層22とエッチング層23と絶縁層
24と薄膜層25からなる基板を用いた場合、図4〜図
7の同じ工程を用いることにより、薄膜層25をメンブ
レン形状に加工し、メンブレン26下部のエッチング層
23をエッチングし、エッチング停止層によりエッチン
グを停止させることにより、厚い支持基板21を残し、
メンブレン26を作製することが可能である。エッチン
グ層23のエッチングは、ヒドラジン水和物などのウェ
ットエッチングにより可能である。支持基板21が十分
厚ければ、メンブレン26が作製された後も、エッチン
グ層23のエッチング前とほとんど基板の厚みは変わら
ない。その結果、素子の機械的強度はエッチング前とエ
ッチング後でほとんど変化しないため、マイクロカロリ
ーメーターを複数個同一基板内に作製する場合特に、本
発明の作製方法は最適である。なお、ウェットエッチン
グ前にあらかじめ、メンブレン26上に抵抗体27、吸
収体28、超伝導配線29を作製しておいたほうがよ
い。
In particular, as shown in FIG.
When a substrate including the etching stop layer 22, the etching layer 23, the insulating layer 24, and the thin film layer 25 is used thereon, the thin film layer 25 is processed into a membrane shape by using the same steps shown in FIGS. 26, the etching layer 23 below is etched, and the etching is stopped by the etching stop layer, thereby leaving the thick support substrate 21.
It is possible to produce the membrane 26. The etching of the etching layer 23 can be performed by wet etching such as hydrazine hydrate. If the supporting substrate 21 is sufficiently thick, the thickness of the substrate is almost the same as before the etching of the etching layer 23 even after the membrane 26 is formed. As a result, the mechanical strength of the element hardly changes before and after etching, and therefore, the manufacturing method of the present invention is optimal particularly when a plurality of microcalorimeters are manufactured on the same substrate. It is preferable that the resistor 27, the absorber 28, and the superconducting wiring 29 be formed on the membrane 26 in advance before wet etching.

【0019】超伝導転移端を利用し、ネガティブフィー
ドバックを用いることにより高エネルギー分解能、高速
応答を実現するマイクロカロリーメーターの構成部品で
あり、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方法におい
て、メンブレンがエッチング層と支持基板から構成され
る基板上に作製されており、メンブレンが支持基板とエ
ッチング層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブ
レン側からエッチング層をエッチングするメンブレンの
作製方法を用いることにより、メンブレンが支持基板と
エッチング層の厚み分だけ隔てられ配置されているた
め、エッチング層のみをエッチングすることにより、メ
ンブレンは支持基板と容易に隔てることができる。か
つ、メンブレン側からエッチングすることにより、支持
基板はエッチングされないため、基板の強度はエッチン
グ前より低下しない。以上より、従来のメンブレン作製
方法と比較し、片面からのプロセスでカロリーメーター
を作製でき、かつ素子全体の機械的強度を向上させるこ
とができるメンブレンの作製方法を得る事ができた。ま
た、支持基板上にエッチング停止層とエッチング層と絶
縁層と薄膜層が積層されている基板を用いることによ
り、支持基板が十分厚ければ、メンブレンが作製された
後も、エッチング層のエッチング前とほとんど基板の厚
みは変わらない。その結果、素子の機械的強度はエッチ
ング前とエッチング後でほとんど変化しないため、マイ
クロカロリーメーターを複数個同一基板内に作製する場
合特に、本発明の作製方法は最適である。
A component of a microcalorimeter that realizes high-energy resolution and high-speed response by utilizing a superconducting transition edge and using negative feedback. It is manufactured on a substrate composed of a layer and a support substrate, the membrane is arranged at a distance of the thickness of the support substrate and the etching layer, and by using a method of manufacturing a membrane in which the etching layer is etched from the membrane side. Since the membrane is arranged to be separated from the supporting substrate by the thickness of the etching layer, the membrane can be easily separated from the supporting substrate by etching only the etching layer. In addition, since the supporting substrate is not etched by etching from the membrane side, the strength of the substrate does not lower than before the etching. As described above, as compared with the conventional membrane manufacturing method, a membrane manufacturing method capable of manufacturing a calorie meter by a process from one side and improving the mechanical strength of the entire element was obtained. In addition, by using a substrate in which an etching stop layer, an etching layer, an insulating layer, and a thin film layer are stacked on a supporting substrate, if the supporting substrate is sufficiently thick, even after the membrane is formed, the etching layer is not etched. And the thickness of the substrate hardly changes. As a result, the mechanical strength of the element hardly changes before and after etching, and therefore, the manufacturing method of the present invention is optimal particularly when a plurality of microcalorimeters are manufactured on the same substrate.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上から、請求項1による発明によれ
ば、超伝導転移端を利用し、ネガティブフィードバック
を用いることにより高エネルギー分解能、高速応答を実
現するマイクロカロリーメーターの構成部品であり、熱
伝導率を決定するメンブレンの作製方法において、メン
ブレンがエッチング層と支持基板から構成される基板上
に作製されており、メンブレンが支持基板とエッチング
層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブレン側か
らエッチング層をエッチングするメンブレンの作製方法
を用いた。その結果、メンブレンが支持基板とエッチン
グ層の厚み分だけ隔てられ配置されているため、エッチ
ング層のみをエッチングすることにより、メンブレンは
支持基板と容易に隔てることができる。かつ、メンブレ
ン側からエッチングすることにより、支持基板はエッチ
ングされないため、基板の強度をエッチング前より低下
しない。以上より、従来のメンブレン作製方法と比較
し、片面からのプロセスでカロリーメーターを作製で
き、かつ素子全体の機械的強度を向上させることができ
るメンブレンの作製方法を得る事ができた。
As described above, according to the first aspect of the present invention, it is a component of a microcalorimeter which realizes high energy resolution and high speed response by utilizing a superconducting transition edge and using negative feedback. In the method for producing a membrane for determining the conductivity, the membrane is produced on a substrate composed of an etching layer and a support substrate, and the membrane is arranged at a distance corresponding to the thickness of the support substrate and the etching layer. The method of fabricating a membrane in which an etching layer is etched from the substrate was used. As a result, since the membrane is arranged to be separated from the supporting substrate by the thickness of the etching layer, the membrane can be easily separated from the supporting substrate by etching only the etching layer. In addition, since the supporting substrate is not etched by etching from the membrane side, the strength of the substrate does not lower than before the etching. As described above, as compared with the conventional membrane manufacturing method, a membrane manufacturing method capable of manufacturing a calorie meter by a process from one side and improving the mechanical strength of the entire element was obtained.

【0021】また、請求項2によれば、超伝導転移端を
利用し、ネガティブフィードバックを用いることにより
高エネルギー分解能、高速応答を実現するマイクロカロ
リーメーターの構成部品であり、熱伝導率を決定するメ
ンブレンの作製方法において、基板としてメンブレンを
作製するための薄膜層とこの薄膜層下部にある薄い絶縁
層と絶縁層下部にある支持基板の3層構造の基板を用
い、薄膜層をメンブレン状にパターニングした後、メン
ブレン側から薄い絶縁層と支持基板をエッチングするメ
ンブレンの作製方法を用いた。本発明によると、薄膜層
をメンブレン状にパターニングした後、薄い絶縁膜をエ
ッチングし、支持基板をエッチングする作製方法を用い
ることにより、上部薄いシリコン層がエッチングされず
に、支持基板のみをエッチングすることができる。その
結果、素子のパターニングはすべて表面から行われるた
め、パターニング時に素子が汚染される心配がなくな
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a micro-calorimeter component which realizes high energy resolution and high-speed response by using a superconducting transition edge and using negative feedback, and determines a thermal conductivity. In the method of fabricating a membrane, a thin film layer for fabricating the membrane is used as a substrate, a thin insulating layer below the thin film layer, and a substrate having a three-layer structure below the insulating layer, and the thin film layer is patterned into a membrane shape. After that, a method of manufacturing a membrane was used in which the thin insulating layer and the supporting substrate were etched from the membrane side. According to the present invention, after the thin film layer is patterned into a membrane, the thin insulating film is etched, and by using a manufacturing method of etching the support substrate, the upper thin silicon layer is not etched, and only the support substrate is etched. be able to. As a result, since the patterning of the device is all performed from the surface, there is no fear that the device is contaminated during the patterning.

【0022】また、請求項3による発明によれば、支持
基板の結晶面が(100)である場合、メンブレンの向
きを支持基板の<100>方位と平行に配置すると、効
率よくメンブレン下部の支持基板をエッチングすること
ができる。また、メンブレンが単結晶の薄いシリコンで
ある場合、特に機械的強度がアモルファスより大きいた
め、支持基板をエッチングするときに発生する気泡によ
り破壊されないメリットがある。以上より、従来のメン
ブレン作製方法と比較し、片面からのプロセスでカロリ
ーメーターを作製することができるメンブレンの作製方
法を得る事ができた。
According to the third aspect of the present invention, when the crystal plane of the support substrate is (100), if the direction of the membrane is arranged in parallel with the <100> direction of the support substrate, the lower part of the membrane can be efficiently supported. The substrate can be etched. In addition, when the membrane is single-crystal thin silicon, the mechanical strength is particularly higher than that of amorphous silicon, and therefore, there is an advantage that the membrane is not broken by bubbles generated when etching the support substrate. As described above, as compared with the conventional membrane production method, a membrane production method capable of producing a calorimeter by a process from one side was obtained.

【0023】また、請求項4による発明によれば、支持
基板上にエッチング停止層とエッチング層と絶縁層と薄
膜層が積層されている基板を用いることにより、支持基
板が十分厚ければ、メンブレンが作製された後も、エッ
チング層のエッチング前とほとんど基板の厚みは変わら
ない。その結果、素子の機械的強度はエッチング前とエ
ッチング後でほとんど変化しないため、マイクロカロリ
ーメーターを複数個同一基板内に作製する場合特に、本
発明の作製方法は最適である。
According to the fourth aspect of the present invention, by using a substrate in which an etching stop layer, an etching layer, an insulating layer, and a thin film layer are laminated on a supporting substrate, if the supporting substrate is sufficiently thick, the membrane can be used. Is formed, the thickness of the substrate is almost the same as before the etching of the etching layer. As a result, the mechanical strength of the element hardly changes before and after etching, and therefore, the manufacturing method of the present invention is optimal particularly when a plurality of microcalorimeters are manufactured on the same substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a method for producing a membrane according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic view illustrating a method for manufacturing a membrane according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態1に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic view illustrating a method for manufacturing a membrane according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態2に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 4 is a schematic view illustrating a method for manufacturing a membrane according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態2に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic view showing a method for producing a membrane according to Embodiment 2 of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態2に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic view showing a method for producing a membrane according to Embodiment 2 of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態2に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 7 is a schematic view showing a method for producing a membrane according to Embodiment 2 of the present invention.

【図8】本発明の実施の形態2に関わるメンブレンの作
製方法を示す概略図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a method for producing a membrane according to Embodiment 2 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 支持基板 2 エッチング層 3 薄膜層 4 抵抗体 5 吸収体 6 超伝導配線 7 メンブレン 10 支持基板 11 絶縁膜 12 薄膜層 13 保護膜 14 エッチング用の穴 15 吸収体 16 抵抗体 17 超伝導配線 18 メンブレン 20 保護膜 21 支持基板 22 エッチング停止層 23 エッチング層 24 絶縁層 25 薄膜層 26 メンブレン 27 抵抗体 28 吸収体 29 超伝導配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support substrate 2 Etching layer 3 Thin film layer 4 Resistor 5 Absorber 6 Superconducting wiring 7 Membrane 10 Support substrate 11 Insulating film 12 Thin film layer 13 Protective film 14 Hole for etching 15 Absorber 16 Resistor 17 Superconducting wiring 18 Membrane DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Protective film 21 Support substrate 22 Etch stop layer 23 Etching layer 24 Insulating layer 25 Thin film layer 26 Membrane 27 Resistor 28 Absorber 29 Superconducting wiring

フロントページの続き Fターム(参考) 2G088 EE30 FF03 FF15 GG22 GG25 JJ04 JJ05 JJ08 JJ09 JJ23 JJ37 4M113 AC24 AC33 AD36 BC04 BC05 CA31 Continued on the front page F-term (reference) 2G088 EE30 FF03 FF15 GG22 GG25 JJ04 JJ05 JJ08 JJ09 JJ23 JJ37 4M113 AC24 AC33 AD36 BC04 BC05 CA31

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 超伝導転移端を利用し、ネガティブフィ
ードバックを用いることにより高エネルギー分解能、高
速応答を実現するマイクロカロリーメーターの構成部品
であり、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方法にお
いて、 前記メンブレンが、エッチング層と支持基板から構成さ
れる基板上に作製されており、前記メンブレンが前記支
持基板と前記エッチング層の厚み分だけ隔てて配置され
ており、前記メンブレン側から前記エッチング層をエッ
チングすることを特徴とするメンブレンの作製方法。
1. A method for manufacturing a membrane, which is a component of a microcalorimeter that realizes high energy resolution and high-speed response by using a superconducting transition edge and using negative feedback, and that determines thermal conductivity, A membrane is formed on a substrate composed of an etching layer and a support substrate, the membrane is arranged at a distance corresponding to the thickness of the support substrate and the etching layer, and the etching layer is etched from the membrane side. A method for producing a membrane.
【請求項2】 超伝導転移端を利用し、ネガティブフィ
ードバックを用いることにより高エネルギー分解能、高
速応答を実現するマイクロカロリーメーターの構成部品
であり、熱伝導率を決定するメンブレンの作製方法にお
いて、 基板としてメンブレンを作製するための薄膜層と前記薄
膜層下部にある薄い絶縁層と前記絶縁層下部にある支持
基板の3層構造の基板を用い、前記薄膜層をメンブレン
状にパターニングした後、前記メンブレン側から前記薄
い絶縁層と前記支持基板をエッチングすることを特徴と
するメンブレンの作製方法。
2. A method for manufacturing a membrane which is a component of a microcalorimeter which realizes high energy resolution and high speed response by using a superconducting transition edge and using negative feedback, wherein the method comprises the steps of: A thin film layer for producing a membrane, a thin insulating layer below the thin film layer, and a substrate having a three-layer structure including a support substrate below the insulating layer are used, and the thin film layer is patterned into a membrane shape. Etching the thin insulating layer and the supporting substrate from the side.
【請求項3】 前記支持基板が面方位(100)のシリ
コンである場合、メンブレンの方位を<100>と平行
に配置することを特徴とする請求項2に記載のメンブレ
ンの製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein when the support substrate is silicon having a plane orientation of (100), the orientation of the membrane is arranged in parallel with <100>.
【請求項4】 前記基板が、支持基板上にエッチング停
止層とエッチング層と前記絶縁層と前記薄膜層が積層さ
れていることを特徴とする請求項2に記載のメンブレン
の製造方法。
4. The method according to claim 2, wherein the substrate has an etching stop layer, an etching layer, the insulating layer, and the thin film layer laminated on a supporting substrate.
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