JP2002343747A - Dicing sheet and dicing method - Google Patents

Dicing sheet and dicing method

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JP2002343747A JP2001148273A JP2001148273A JP2002343747A JP 2002343747 A JP2002343747 A JP 2002343747A JP 2001148273 A JP2001148273 A JP 2001148273A JP 2001148273 A JP2001148273 A JP 2001148273A JP 2002343747 A JP2002343747 A JP 2002343747A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing sheet that can be cut by laser dicing, and prevents chipping or the like in an object to be machined, and to provide a dicing method. SOLUTION: This dicing sheet is used for supporting and fixing an object to be machined when the object to be machined is cut by a laser beam. The dicing sheet includes a base 2 containing a support sheet 21 that cannot be cut by the laser beam, and an adhesive mass layer 3 that is placed on one surface of the support sheet and can be cut by a laser beam. In the dicing method for cutting the object to be machined by a laser beam to form a chip, the dicing sheet 10 is stuck to the object to be machined, the laser beam is irradiated, the object to be machined and adhesive mass layer are cut, and the support sheet is left uncut.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシングシート及びダイシング方法に関する。 The present invention relates to relates to a dicing sheet and a dicing method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体ウエハの切断にはダイシング加工が一般的に用いられている。 The cutting of a semiconductor wafer is diced is generally used. 半導体ウエハをダイシングする際には、ダイシングブレードが高速の回転を行ってダイシングラインを掘削する形で切断する。 When dicing the semiconductor wafer is cut in the form of a dicing blade to drill dicing line by performing a rotation of the high speed. 切断面には微細な欠け(チッピング)が発生し、これが半導体チップの信頼性を下げるという問題があった。 The cut surface generated fine chipping is that this is a problem of lowering the reliability of the semiconductor chip. これに対し、 On the other hand,
レーザー光線を用いるレーザー加工は、被加工物に物理的な負荷をかけることが無いため切断面がきれいに仕上がる。 Laser processing using a laser beam, the cut surface because there is possible to apply physical load on workpiece finished clean. また、レーザー加工は、光線の径を絞ることにより被加工物に微細な加工を行うことができ、更に光線の軌跡を変えることにより複雑な形状に加工を行うことができる。 Furthermore, laser processing can be performed fine processing to the workpiece by squeezing the diameter of the light beam, it is possible to perform processing into complex shapes by further changing the directions of the optical beams. このため、半導体ウエハの切断加工にレーザー光線を用いるレーザーダイシングが検討されている。 Therefore, laser dicing using a laser beam has been studied to cut the semiconductor wafer. ところで、被加工物として半導体ウエハを加工する場合には、切断された後の半導体チップが微小で脆質の物質であるため、その後の取り扱いにきわめて注意を要する。 Incidentally, in the case of processing a semiconductor wafer as a workpiece, since the semiconductor chips after being cut is a substance of very small and brittle, requires very careful to subsequent handling.
そこで、従来から、半導体ウエハを粘着テープに貼付し、その粘着テープを支持フレームに固定した状態で、 Therefore, conventionally, in a state where the semiconductor wafer is stuck to the adhesive tape was fixed to the adhesive tape on the support frame,
粘着テープ上の半導体ウエハを切断(すなわち、ダイシング)し、切断後の半導体チップを粘着テープに貼付したまま支持フレームの状態で搬送し、次の加工が行われている。 Cutting the semiconductor wafer on the adhesive tape (i.e., dicing), and the semiconductor chip after cutting and conveyed in a state supporting frame was attached to the adhesive tape, the following processing is performed. そのため、切断後の半導体チップがバラバラにならず、搬送の際の破損も少ない。 Therefore, the semiconductor chip after cutting does not fall apart, less breakage during transport. しかし、従来のレーザー加工では被加工物を支持体上に支持した状態で切断することは実施していない。 However, it is not performed to cut in the state of supporting the workpiece on a support in the conventional laser processing. 一方、通常の粘着テープを用いてレーザー加工を実施すると、粘着テープも完全に切断されてしまうため、上記の半導体ウエハからチップへ切断するような微小な加工には向いていなかった。 On the other hand, when carrying out the laser processing using conventional adhesive tape, since the adhesive tape will also be completely cut, the fine processing, such as cutting from the semiconductor wafer into chips was not suitable. また、粘着テープの材料として、レーザー光線では切断することのできない素材を用いたとしても、被加工物と粘着テープの境界は非常に高温となるため、粘着テープが局所的に変形し、精密な加工は不可能となる。 Further, as the material of the adhesive tape, even with the use of materials that can not be cut in the laser beam, since the boundary of the adhesive tape and the workpiece to be very hot, the adhesive tape is locally deformed, precise processing It becomes impossible.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、レーザー光線を用いて半導体ウエハなどの被加工物を切断する際に、切断面に切り欠きが発生しにくく、また、切断工程後の搬送や次工程の加工を簡単に行うことができるように、被加工物を固定することのできるレーザーダイシング用のダイシングシート、及びこのダイシングシートを用いて被加工物をレーザーダイシングする方法を提供することにある。 OF THE INVENTION Problems to be Solved] The present invention challenge, when cutting a workpiece such as a semiconductor wafer using a laser beam, hardly notch is generated on the cut surface, also Ya conveyance after the cutting step as it can be processed in the next step easily, to provide a method of laser dicing the workpiece using the dicing sheet for laser dicing capable of fixing a workpiece, and the dicing sheet is there.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザー光線を使用して、被加工物を切断する際に前記被加工物を支持固定するためのダイシングシートであって、支持シートを含む基材と、前記基材の片側表面に配置される粘着剤層とからなり、前記粘着剤層は前記レーザー光線により切断可能であり、前記支持シートは前記レーザー光線により切断不可能であることを特徴とする、ダイシングシートに関する。 Means for Solving the Problems The present invention uses a laser beam, a dicing sheet to the workpiece is supported and fixed at the time of cutting the workpiece, and a substrate comprising a support sheet , made from the adhesive layer and which is disposed on one surface of the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer is cleavable by said laser beam, wherein the support sheet is not possible cutting by the laser beam, dicing It relates to a sheet. 本発明によるダイシングシートの好ましい態様においては、前記基材が、前記支持シートと、 In a preferred embodiment of the dicing sheet according to the present invention, it said substrate, said support sheet,
前記レーザー光線により切断可能な中間層とを含む積層体であり、前記中間層が、前記粘着剤層と前記支持シートとの間に配置される。 Wherein a laminated body including a cleavable intermediate layer by laser radiation, the intermediate layer is disposed between the supporting sheet and the pressure-sensitive adhesive layer. 本発明によるダイシングシートの別の好ましい態様においては、前記支持シートは、破断伸度が100%以上であり、破断応力が50〜300 In another preferred embodiment of the dicing sheet according to the present invention, the support sheet, the elongation at break is 100% or more, breaking stress from 50 to 300
00N/m 2である。 It is an 00N / m 2. 本発明によるダイシングシートの更に別の好ましい態様においては、前記粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤層からなり、前記基材の紫外線透過率が10%以上である。 In yet another preferred embodiment of the dicing sheet according to the present invention, the adhesive layer is made of ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer, the ultraviolet transmittance of the substrate is 10% or more.

【0005】また、本発明は、レーザー光線を用いて被加工物を切断してチップを形成する方法において、レーザー光線により切断不可能である支持シートを含む基材と、前記基材の片側表面に配置され、前記レーザー光線により切断可能である粘着剤層とからなるダイシングシートを被加工物の一面に貼付して支持固定し、前記被加工物に対してレーザー光線を照射して、前記被加工物と前記粘着剤層を切断し、少なくとも前記支持シートを切り残すことを特徴とするダイシング方法にも関する。 Further, the present invention is to cut a workpiece with a laser beam in a method of forming a chip, and a substrate comprising a support sheet which is not cut by the laser beam, located on one side surface of the base material is, the dicing sheet comprising a pressure-sensitive adhesive layer can be cut by the laser beam supported and fixed by attaching to one surface of a workpiece, said applying a laser beam to the workpiece, the said workpiece the pressure-sensitive adhesive layer was cut, also relates to a dicing method characterized by leaving off at least the support sheet. 本発明によるダイシング方法の好ましい態様においては、 In a preferred embodiment of the dicing process according to the invention,
前記被加工物を切断してチップを切断した後、ダイシングシートを引き伸ばして各チップを相互に離間し、ピックアップする。 After cutting the chip by cutting the workpiece, spaced each chip to each other by stretching the dicing sheet to pick up. 本発明によるダイシング方法の別の好ましい態様においては、被加工物が半導体ウエハである。 In another preferred embodiment of the dicing process according to the invention, the workpiece is a semiconductor wafer.
本発明によるダイシング方法の更に別の好ましい態様においては、ウォータージェットレーザーによるレーザー光線を用いる。 In yet another preferred embodiment of the dicing method according to the present invention, a laser beam by a water jet laser.

【0006】 [0006]

【発明の実施の形態】本発明によるダイシングシートは、粘着剤層と基材との積層体よりなる。 Dicing sheet according an embodiment of the present invention is composed of the laminate of the adhesive layer and the substrate. 前記の基材は、例えば、(1)支持シートからなることも、(2) Wherein the substrate is, for example, also consist of (1) a support sheet, (2)
支持シート及び中間層(及びそれらの間の接着剤層)とからなることもできる。 It may be composed of the support sheet and the intermediate layer (and the adhesive layer between them). 以下、基材が支持シートからなる態様を「基材非切断型ダイシングシート」と称し、基材が支持シート及び中間層(及びそれらの間の接着剤層)とからなる態様を「基材半切断型ダイシングシート」と称して、本発明の特定の態様を説明する。 Hereinafter, it referred to embodiments the substrate is made of the supporting sheet and the "substrate uncleaved dicing sheet" substrate support sheet and the intermediate layer (and the adhesive layer between them) and a mode consisting of "base half It referred truncated dicing sheet ", describing particular embodiments of the present invention.

【0007】本発明による前記の基材非切断型ダイシングシートは、ダイシング工程において、粘着剤層についてはその上面から下面まで完全に切断し、基材(すなわち、支持シート)については切り残す態様で用いるのが好ましい。 [0007] The base material uncleaved dicing sheet according to the present invention, in the dicing step, the adhesive layer is completely cut from an upper surface to a lower surface of the substrate (i.e., the support sheet) in a manner that leaves cut for it is preferable to use. 一方、本発明による前記の基材半切断型ダイシングシートは、ダイシング工程において、粘着剤層及び中間層についてはその上面から下面まで完全に切断し、そして、前記基材の支持シートについては切り残す態様で用いるのが好ましい。 On the other hand, the base material semi truncated dicing sheet according to the present invention, in the dicing step, the adhesive layer and the intermediate layer is completely cut from an upper surface to a lower surface, and leave off for supporting said sheet of base material preferably used in a manner.

【0008】以下、添付図面に沿って、本発明による前記の基材非切断型ダイシングシート及び前記の基材半切断型ダイシングシートを順に説明する。 [0008] Hereinafter, along with the accompanying drawings, illustrating the base material of the according to the invention the non-truncated dicing sheet and the base material semi truncated dicing sheet in order. 図1は、本発明による基材非切断型ダイシングシート10の基本的態様を模式的に示す断面図である。 Figure 1 is a cross-sectional view schematically showing a basic embodiment of the substrate uncleaved dicing sheet 10 according to the present invention. 図1に示す基材非切断型ダイシングシート10は、支持シート21(すなわち、 Substrate uncleaved dicing sheet 10 shown in Figure 1, the support sheet 21 (i.e.,
基材2)と、その片側表面上に設けた粘着剤層3とを含む。 It includes a substrate 2), and an adhesive layer 3 provided on one side surface. 従って、ダイシングシート10は、全体として、2 Therefore, the dicing sheet 10, as a whole, 2
層構造からなる。 A layer structure. 基材非切断型ダイシングシート10においては、前記粘着剤層3がレーザー光線エネルギー吸収性(すなわち、被加工物を切断するレーザー光線によって切断可能)であり、前記支持シート21(すなわち、基材2)がレーザー光線エネルギー非吸収性(すなわち、被加工物を切断するレーザー光線によっては切断不可能)である。 In base uncleaved dicing sheet 10, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is laser energy absorbing (i.e., cleavable by laser beam cutting a workpiece), and the support sheet 21 (i.e., base 2) laser energy nonabsorbable (i.e., by laser beam cutting a workpiece cutting impossible) is.

【0009】図3は、本発明による基材半切断型ダイシングシート11の基本的態様を模式的に示す断面図である。 [0009] Figure 3 is a cross-sectional view schematically showing a basic embodiment of the base semi-truncated dicing sheet 11 according to the present invention. 図3に示す基材半切断型ダイシングシート11は、 Base half truncated dicing sheet 11 shown in FIG. 3,
基材2と、その片側表面上に設けた粘着剤層3とを含み、基材2は、中間層22と支持シート23とからなる。 The base member 2, and a pressure-sensitive adhesive layer 3 provided on one side surface, the substrate 2 is composed of an intermediate layer 22 support sheet 23. また、粘着剤層3は、中間層22と接触し、その上に配置する。 Further, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is in contact with the intermediate layer 22 is disposed thereon. 従って、ダイシングシート11は、全体として、3層構造からなる。 Therefore, the dicing sheet 11 as a whole, a three-layer structure. 基材半切断型ダイシングシート11においては、前記粘着剤層3がレーザー光線エネルギー吸収性(すなわち、半導体ウエハ4を切断するレーザー光線によって切断可能)であり、前記基材3の内、前記粘着剤層3と接触する中間層22がレーザー光線エネルギー吸収性(すなわち、半導体ウエハ4を切断するレーザー光線によって切断可能)であり、支持シート23がレーザー光線エネルギー非吸収性(すなわち、 In base half truncated dicing sheet 11, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is laser energy absorbing (i.e., cleavable by laser beam to cut the semiconductor wafer 4), and of the substrate 3, the pressure-sensitive adhesive layer 3 intermediate layer 22 is laser energy absorbing in contact with (i.e., cleavable by laser beam to cut the semiconductor wafer 4), and the support sheet 23 is laser energy nonabsorbable (i.e.,
半導体ウエハ4を切断するレーザー光線によって切断不可能)である。 Is a non-cleavable) by laser beam cutting the semiconductor wafer 4. なお、中間層22と支持シート23とを接着剤を介して接着している場合、この接着剤層は、レーザー光線エネルギー吸収性(すなわち、半導体ウエハ4を切断するレーザー光線によって切断可能)であることも、あるいはレーザー光線エネルギー非吸収性(すなわち、半導体ウエハ4を切断するレーザー光線によって切断不可能)であることもできる。 Incidentally, if the intermediate layer 22 and the support sheet 23 is adhered through an adhesive, the adhesive layer, laser energy absorbing also be a (i.e., a semiconductor wafer 4 cleavable by laser beam cutting the) , or laser energy nonabsorbable can also be a (i.e., non-cleavable by laser beam cutting the semiconductor wafer 4).

【0010】本発明のダイシングシートにおいては、被加工物を切断するレーザー光線により切断可能な粘着剤層を用いる。 [0010] In the dicing sheet of the present invention, a pressure-sensitive adhesive layer are cleavable by laser beam cutting a workpiece. このような粘着剤層用の粘着剤は、例えば、(イ)感圧接着剤成分にレーザー光線の波長を吸収する添加剤(以下、吸収性付与剤と称することがある) Such pressure-sensitive adhesive layer for pressure-sensitive adhesives, for example, (sometimes hereinafter referred to as an absorbent imparting agent) additive that absorbs wavelengths of the laser beam to the (i) pressure sensitive adhesive component
を含む粘着剤、又は(ロ)感圧接着剤成分を構成する化合物として、レーザー光線の波長を吸収する官能基を結合させた化合物を含む粘着剤等により構成することができる。 Adhesives comprising, or as a compound constituting the (b) pressure sensitive adhesive component may be composed of a pressure-sensitive adhesive or the like comprising a compound obtained by bonding the functional group absorbing wavelength of the laser beam. 感圧接着剤成分としては、汎用の感圧接着剤を構成する化合物より選択することができ、例えばゴム系、 The pressure-sensitive adhesive component can be selected from the compounds constituting the general-purpose pressure-sensitive adhesives include rubber,
アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ポリエステル系、又はポリビニルエーテル系接着剤等を挙げることができる。 Acrylic, silicone, urethane, and polyester-based, or polyvinyl ether based adhesive.

【0011】吸収性付与剤は、特定の波長領域のエネルギーを吸収する物質よりなる。 [0011] The absorbent imparting agent is comprised of a material to absorb energy of a specific wavelength region. このような物質としては、例えば、顔料や染料等の着色剤の他、使用するレーザー光線の波長と同じ波長領域のエネルギーを吸収することのできる物質を挙げることができる。 Such materials, for example, other colorants such as pigments and dyes, can include materials that can absorb energy of same wavelength region as the wavelength of the laser beam to be used. 例えば、YA For example, YA
G(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザーは、近赤外領域の1064nmで発振するので、レーザー光線としてYAGを使用する場合の吸収性付与剤としては、シアニン系化合物、スクワリリウム系化合物、 G (yttrium aluminum garnet) lasers, because oscillates at 1064nm in the near-infrared region, the absorbent imparting agent when using YAG as laser, cyanine compounds, squarylium compounds,
フタロシアニン系化合物、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫(ATO)、又は錫ドープ酸化インジウム(IT Phthalocyanine compounds, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO), or tin-doped indium oxide (IT
O)などの有機系又は無機系の赤外線吸収剤を挙げることができる。 O) can be mentioned organic or inorganic infrared absorbers such. また、被加工物を切断するレーザー光線の波長の近辺に吸収領域を持つ官能基を、感圧接着剤を構成するポリマー成分の側鎖に結合させてもよい。 Also, a functional group having an absorption area in the vicinity of the wavelength of the laser beam for cutting a workpiece, may be attached to the side chain of the polymer components constituting the pressure-sensitive adhesive. 更に、 In addition,
レーザー光線の吸収性付与剤として、黒色の顔料及び/ As an absorbent imparting agent of the laser beam, the black pigment and /
又は染料を用いれば紫外赤外領域を含む可視光の波長領域を吸収することができるようになるので、レーザー光線の波長の変更に伴って粘着剤の組成を変更する必要がない。 Or because it is possible to absorb the wavelength region of visible light, including ultraviolet infrared region by using the dye, it is not necessary to change the composition of the adhesive with the change of the wavelength of the laser beam. また、感圧接着剤成分そのもの、あるいは粘着付与剤樹脂のように感圧接着剤成分を構成する添加物が着色している場合は、レーザー光線の吸収率が充分である場合があるので特に吸収性付与剤は使用しなくてもよい。 Further, when the pressure-sensitive adhesive component itself or additives constituting the pressure-sensitive adhesive component as tackifier resins, is colored, in particular absorbent because it may absorptivity of the laser beam is sufficient imparting agent may not be used.

【0012】粘着剤層は、紫外線硬化型粘着剤から形成することもできる。 [0012] The pressure-sensitive adhesive layer may also be formed from an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive. 紫外線硬化型の粘着剤としては、上記の感圧接着剤成分に紫外線硬化性成分及び光開始剤、 As the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive, UV-curable component and a photoinitiator sensitive adhesive component described above,
更に前述のレーザー光線の吸収性付与剤を配合した組成物を挙げることができる。 It can further include a composition containing an absorbent imparting agent of the aforementioned laser beam. 紫外線硬化性成分としては、 As the ultraviolet curable component,
分子内に重合性の二重結合を有する低分子化合物を挙げることができ、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ポリエステル型又はポリオール型のウレタンアクリレートオリゴマー、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシ変性アクリレート等を用いることができる。 It can be mentioned low molecular weight compound having a polymerizable double bond in the molecule, such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxy penta acrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, polyester type or polyol type urethane acrylate oligomer, polyester acrylate, polyether acrylate, epoxy-modified acrylate it can be used.

【0013】また、感圧接着剤成分のポリマー成分として、その側鎖に重合性の二重結合を持った官能基を結合させたポリマー成分を用いて、紫外線硬化性成分とすることもできる。 Further, as the polymeric component of the pressure-sensitive adhesive component, it is also possible to use the side chain polymerizable double polymeric component bound is bound functional groups having, the ultraviolet curable component. このような光開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などを挙げることができ、具体的には、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどを例示することができる。 Such photoinitiators, benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, photoinitiators peroxide compounds, and the like photosensitizer amine or quinone or the like can, in particular, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, beta - and the like can be exemplified crawl anthraquinone.

【0014】感圧接着剤成分に吸収性付与剤を配合すれば、レーザー光線の波長の吸収率が増大する。 [0014] If formulated absorbent imparting agent to the pressure sensitive adhesive component, the absorption of the wavelength of the laser beam is increased. レーザー光線が照射された部分はエネルギーを吸収し、その瞬間に高熱を発生して熱分解を起こし、これによって切断が可能になる。 Part laser beam is irradiated absorbs energy, thermally decomposed by heat generated at that moment, thereby allowing cutting. 粘着剤層における吸収性付与剤の配合比は、粘着剤層がレーザー光線により切断可能であれば特に限定されない。 Proportion of the absorbent imparting agent in the adhesive layer, the adhesive layer is not particularly limited as long as cleavable by laser beam. すなわち、レーザー光線の出力が大きかったり、スポット照射時間が長ければレーザー光線の波長の吸収率が低くても切断が可能になる。 In other words, large or the output of the laser beam, the absorption of the wavelength of the laser beam the longer the spot irradiation time becomes possible by cutting low. 通常は、レーザー光線の波長における透過率が80%以下となるよう配合される。 Normally, is formulated to transmittance at a wavelength of the laser beam is 80% or less. 粘着剤層の厚みも特に限定されないが、 Is not particularly limited thickness of the adhesive layer,
通常1〜100μmであり、好ましくは5〜50μmである。 It is usually 1~100μm, preferably 5~50μm.

【0015】本発明のダイシングシートにおける支持シートは、被加工物を切断するレーザー光線によって切断不可能なシートであり、従来公知の樹脂から形成した自己支持性のシートから選択することができる。 The support sheet in the dicing sheet of the present invention is a sheet can not cut by the laser beam for cutting a workpiece, it can be selected from a self-supporting sheet formed from conventionally known resins. 具体的には、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、非延伸ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン− Specifically, low density polyethylene, linear low density polyethylene, high density polyethylene, oriented polypropylene, unoriented polypropylene, ethylene - propylene copolymer, ethylene -
酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリアミド、 Vinyl acetate copolymer, ethylene - (meth) acrylic acid copolymer, ethylene - (meth) acrylic acid ester copolymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyvinyl chloride, polyurethane, polyamide,
ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、アイオノマー、又はフッ素樹脂等からなるシートを挙げることができる。 It is polystyrene, polycarbonate, polyimide, a sheet made of an ionomer, or a fluorine resin. 支持シートは、単層であっても、あるいは全体として切断不可能である限り、複層であってもよい。 Support sheet, as long as even a single layer, or it is not cut as a whole, may have a multilayered.
また、膜状やメッシュ状など種々の形状のものを選択することができる。 Further, it is possible to select any of various shapes such as film-like or mesh-like. また、レーザーダイシングでは後述のように水を使用する場合があるので、支持シートは耐水性のものが好ましい。 Further, since the laser dicing may use water as described below, the support sheet preferably has water resistance.

【0016】支持シートは、被加工物を切断するレーザー光線に対し非吸収性となるよう選択される。 The support sheet is selected to be a non-absorbing to the laser beam for cutting a workpiece. レーザー光線に対し非吸収性とは、使用されるレーザー光線の波長に対し透過性である場合と、反射性である場合とを挙げることができる。 The non-absorbent to laser light, it may be mentioned the case is transparent to the wavelength of the laser beam used, and the case is reflective. 透過性である場合、その透過率はレーザー光線の出力やスポット照射時間により異なるが、 If it is permeable, but its permeability varies with the output and the spot irradiation time of the laser beam,
通常85%以上であればよい。 Usually as long as 85% or more. 反射性の支持シートは、 Reflective of the support sheet,
粘着剤形成面側に蒸着やスパッタリングにより金属薄膜を形成することによって調製することができる。 By vapor deposition or sputtering on the adhesive forming surface can be prepared by forming a metal thin film. 金属薄膜によりレーザー光線は全反射され、支持シートを通過しないので、支持シートは切断されない。 The laser beam is totally reflected by the metal thin film, since it does not pass through the support sheet, the support sheet is not cut.

【0017】本発明のダイシングシートに用いられる支持シートは、通常、破断伸度が100%以上であり、破断応力が50〜50000N/m 2である。 The support sheet for use in dicing sheet of the present invention is usually, elongation at break of 100% or more, breaking stress is 50~50000N / m 2. 破断伸度が100%以上であり、破断応力が50〜50000N/ Elongation at break is 100% or more, breaking stress is 50~50000N /
2の支持シートは、レーザーダイシングを行った後にダイシングシートを引き伸ばして、被加工物を切断して形成したチップを離間しやすくなるので、被加工物のチップを破損せずに回収することができるので好ましい。 support sheet of m 2 is stretched dicing sheet after the laser dicing, so easily separate the chips formed by cutting a workpiece, to be recovered without damaging the chips of the workpiece The preferred because it.
支持シートは押し出し製膜又はキャスト製膜によって形成することができる。 The support sheet may be formed by extrusion casting or cast film. また、その厚さは特に限定されるものではないが、通常30〜300μmであり、好ましくは50〜100μmである。 Further, the thickness thereof is not particularly limited, but is usually 30 to 300 [mu] m, preferably 50 to 100 [mu] m.

【0018】本発明のダイシングシートは、被加工物を切断するレーザー光線によって切断不可能な支持シート上に前記レーザー光線で切断可能な中間層を形成した複層の基材を用い、前記中間層上に前述の粘着剤層を形成する構造を有することもできる。 The dicing sheet of the present invention uses a substrate of the multi-layer to form an intermediate layer that is cleavable by the laser beam on the support sheet can not cut by the laser beam for cutting a workpiece, onto the intermediate layer It may have a structure for forming the aforementioned pressure-sensitive adhesive layer. このような構造を有していると、レーザー光線による切り込みの深さを大きくとりたい場合に、粘着剤層の厚さを変えずに切り込み深さを大きくすることができる。 When having such a structure, when it is desired to take a large depth of cut by laser, it is possible to increase the cutting depth without changing the thickness of the adhesive layer. 粘着剤層の厚みを厚くしすぎると再剥離性が劣ってしまい、被加工物から形成されるチップをダイシングシートから剥離する際に、糊のこりが発生する場合がある。 Will be removability is poor and too thick a thickness of the adhesive layer, upon the release of the chips formed from the workpiece from the dicing sheet, there is a case where adhesive residue is generated. 従って、本発明のダイシングシートに中間層を設けることにより、粘着剤層の厚さを適宜選択することができるようになる。 Thus, by providing the intermediate layer to the dicing sheet of the present invention, it is possible to choose the thickness of the adhesive layer appropriately.

【0019】中間層は、前述の支持シートに使用される樹脂に、前述の粘着剤層に用いられる吸収性付与剤として列挙した物質と同じ物質を添加することにより得られる。 The intermediate layer, the resin used in the aforementioned support sheet, obtained by adding the same material as recited material as an absorbent imparting agent for use in the pressure-sensitive adhesive layer described above. 中間層における透過率はレーザー光線の出力やスポット照射時間により異なるが、通常80%以下であればよい。 Transmittance in the intermediate layer may vary depending on the output and the spot irradiation time of the laser beam, it is sufficient usually 80% or less. 中間層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常は5〜200μm、好ましくは10〜100μ The thickness of the intermediate layer is not particularly limited, it is usually 5 to 200 [mu] m, preferably 10~100μ
mである。 A m. 本発明のダイシングシートの粘着剤層を紫外線硬化型とする場合は、基材の紫外線透過率が10%以上、好ましくは30%以上となるように構成する。 If the adhesive layer of the dicing sheet of the present invention with an ultraviolet-curable, ultraviolet transmittance of the substrate is 10% or more, preferably configured to be 30% or more. このようにすれば粘着剤層に充分な紫外線が到達し、粘着剤層が硬化可能であり、被加工物から形成されるチップを剥離する際の接着力を極めて小さくして、被加工物から形成されるチップに与える影響を少なくすることができる。 Thus sufficient ultraviolet rays reach the adhesive layer when the adhesive layer is curable, and extremely small adhesive force upon the release of the chips formed from the workpiece, the workpiece it is possible to reduce the influence on the chip to be formed.

【0020】基材の製膜方法としては、支持シート及び中間層をそれぞれ押し出し製膜やキャスト製膜した後、 [0020] As film forming method of the substrate, the support sheet and the intermediate layer after extruded casting and cast film, respectively,
接着剤で貼り合わせてもよいし、共押し出しで形成してもよい。 May be bonded with an adhesive, it may be formed by co-extrusion. また、一方を押し出し製膜又はキャスト製膜した後、もう一方を製膜した面上にキャスト製膜してもよい。 Further, after the film formation or cast film extrusion one may cast film on the surface was formed the other. 接着剤を用いて積層する場合は、接着剤自身はレーザー光線で切断可能であっても、切断不可能であってもよく、切断可能な厚さが前述の目的に合致するように設定すればよい。 When laminating using an adhesive, even cleavable adhesive itself laser may be impossible cut, thickness cleavable may be set to meet the purpose of the above .

【0021】本発明に適用可能な被加工物としては、レーザー光線によって切断処理を実施することができる限り、その素材に限定はなく、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、セラミック基板、FPC等の有機材料基板、 [0021] As the workpiece applicable to the present invention, as long as it can implement the cutting process by laser beam, there is no limitation on the material thereof, for example, a semiconductor wafer, a glass substrate, a ceramic substrate, an organic material such as the FPC substrate,
又は精密部品等の金属材料など種々の物品を挙げることができる。 Various articles such as or a metal material such as precision parts and the like. 切断前の形状が板状であり、切断後の寸法が小さく、バラバラでは取り扱いが困難となるような被加工物に対し、本発明のダイシングテープ及びダイシング方法はより効果的である。 Shape before cutting a plate-like, smaller dimensions after cutting, with respect to the workpiece such that the difficult to handle in loose, dicing tape and a dicing method of the present invention is more effective.

【0022】レーザーは、波長及び位相が揃った光を発生させる装置であり、YAG(波長=1064nm)、 The laser is a device generating a light whose wavelength and phase are ready, YAG (wavelength = 1064 nm),
もしくはルビー(波長=694nm)などの固体レーザー、又はアルゴンイオンレーザー(波長=1930n Or solid laser such as ruby ​​(wavelength = 694 nm), or argon-ion laser (wavelength = 1930N
m)などの気体レーザーなどが知られており、本発明では、それらの種々のレーザーを用いることができる。 m) such as a gas laser are known, such as, in the present invention, it is possible to use their various laser. 本発明で用いることのできるレーザーダイシング装置としては、例えば、図5に示すように、被加工物(例えば、 The laser dicing apparatus can be used in the present invention, for example, as shown in FIG. 5, the workpiece (e.g.,
半導体ウエハ4)の切断部位Cに対し焦点が合うようレーザー光線Lを照射し、被加工物を切断する装置がある。 The laser beam L is irradiated so that in focus to the cleavage site C of the semiconductor wafer 4), there is a device for cutting a workpiece. この装置は焦点からずれた深さではレーザー光線が広がりエネルギー密度が小さくなっているため、加工された後の切断面は精度が若干落ちる。 The device for energy density spread laser beam at a depth offset from the focal point is smaller, the cut surface after being processed falls accuracy slightly. すなわち、切断面(溝5の壁面)がわずかながら湾曲する(図5は、図1 That is curved while slightly cut surface (the wall surface of the groove 5) (FIG. 5, FIG. 1
に示す基材非切断型ダイシングシート10を用いた場合の溝部分の模式的拡大断面図であり、説明のために、湾曲状態を誇張して図示してある)。 In a schematic enlarged cross-sectional view of the groove of the case of using the substrate non-truncated dicing sheet 10 shown, for purposes of explanation, it is shown in an exaggerated manner the bending state). こうした装置を用いる場合には、被加工物が前記のような湾曲切断面に影響を受けないように、焦点位置の制御や、粘着剤層の厚さ調整などを行うのが好ましい。 When using such apparatus, as the workpiece is not affected by the curved cutting surface as described above, control of the focus position is preferably performed such thickness control of the adhesive layer.

【0023】これに対し、図6に示すように垂直方向に平行なレーザー光線を照射し、切断面(溝5の壁面)の加工精度を高めたレーザー加工装置(ウォータージェットレーザー:water jet guided la [0023] In contrast, irradiated with parallel laser beam in the vertical direction as shown in FIG. 6, the laser processing apparatus with improved machining accuracy of the cut surface (the wall surface of the groove 5) (water jet laser: water jet guided la
ser)が提案されている。 ser) have been proposed. この装置は細径のウォータージェットを被加工物(例えば、半導体ウエハ4)の切断ラインに流し、このウォータージェットの中をレーザー光線を通過させ、切断ラインに照射させている。 The device workpiece the diameter of the water jet (e.g., a semiconductor wafer 4) flowed to the cutting line, and the water was passed through the laser beam within the jet, it is irradiated to the cutting line. この装置は、例えば、特表平10−500903号公報に詳述され、SYNOVA社(スイス)より「Laser The device, for example, are described in detail in Japanese Patent Kohyo 10-500903, "Laser than SYNOVA Co. (Switzerland)
μ Jet」の商品名で販売されている。 It is sold under the trade name of μ Jet ". 本発明のレーザーダイシング方法は前記のいずれの装置にも適用可能である。 Laser dicing method of the present invention can be applied to any device of said.

【0024】次に、本発明のレーザーダイシング方法について説明する。 Next, a description will be given laser dicing method of the present invention. 本発明のレーザーダイシング方法は、 Laser dicing method of the present invention,
本発明のレーザーダイシングシートを用いて実施することができる。 It can be performed using the laser dicing sheet of the present invention. まず、前述の本発明によるダイシングシートの粘着剤層を被加工物の一面に貼付する。 First, sticking the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing sheet according to the present invention described above on a surface of the workpiece. この際、ダイシングシートは被加工物の貼付面よりも大きいものを使用し、ダイシングシートの外周部を搬送用のフレームに貼付する。 At this time, the dicing sheet using larger than attaching surface of the workpiece, sticking the outer circumferential portion of the dicing sheet to the frame for transport. 被加工物はフレームに支持され、この状態でレーザーダイシング装置に搭載される。 Workpiece is supported on the frame, it is mounted on the laser dicing device in this state. 被加工物上に設けられた切断ライン上の1点に対しレーザー光線を照射する。 To a point on the cutting line provided on the workpiece for applying a laser beam. 照射とともに被加工物とレーザー光線の相対位置を切断ラインに沿って徐々にずらしていく。 It is shifted progressively along the cutting line the relative position of the workpiece and the laser beam with radiation. これにより、被加工物は切断ラインに沿ってレーザー光線が照射され、切断される。 Accordingly, the workpiece is laser beam is irradiated along the cutting line is cut. この時、レーザー光線は被加工物、 At this time, laser beam the workpiece,
ダイシングシートの粘着剤層、(及び場合により、レーザー光線により切断可能な中間層を有する場合は、この中間層)を、瞬時に加熱分解して切断する。 Dicing sheet of the pressure-sensitive adhesive layer, (and optionally, when having an intermediate layer cleavable by laser radiation, the intermediate layer) to be cut by thermolysis instantaneously. 支持シートはレーザー光線を透過又は反射し、エネルギーを吸収しないため切断されない。 The support sheet passes through or reflects laser, not cut because it does not absorb energy.

【0025】図1に示すダイシングシート10を用いて半導体ウエハ4のダイシング処理を実施する場合には、 [0025] When carrying out the dicing process of the semiconductor wafer 4 by using a dicing sheet 10 shown in Figure 1,
図2に示すように、その粘着剤層3の上に、半導体ウエハ4を貼付する。 As shown in FIG. 2, on top of the adhesive layer 3, sticking a semiconductor wafer 4. 続いて、半導体ウエハ4の上方から(図2の矢印Bの方向から)レーザー光線を照射して半導体ウエハ4を個々のチップ4'に切断し、溝5を形成する。 Then, from above the semiconductor wafer 4 (in the direction of arrow B in FIG. 2) by applying a laser beam to cut the semiconductor wafer 4 into individual chips 4 ', to form a groove 5. この際、半導体ウエハ4には、ダイシングブレードを用いる場合のようなストレスが負荷されないので、 At this time, the semiconductor wafer 4, so the stress as in the case of using the dicing blade is not loaded,
切断面には切り欠きなどは発生せず、平滑な切断面が形成される。 Not occur, such as notches on the cutting surface, smooth cut surface is formed.

【0026】レーザー光線は、半導体ウエハ4を切断した後に、前記粘着剤層3を通過し、更に前記支持シート21(すなわち、基材2)を通過する。 The laser beam, after cutting the semiconductor wafer 4, through the pressure-sensitive adhesive layer 3, further passing through the support sheet 21 (i.e., base 2). 前記粘着剤層3 The pressure-sensitive adhesive layer 3
は、半導体ウエハ4を切断したレーザー光線に対してエネルギー吸収性であるので、発熱して切断される。 Are the energy absorptive to laser cutting the semiconductor wafer 4 is exothermed to cut. 一方、前記支持シート21(すなわち、基材2)は、半導体ウエハ4を切断したレーザー光線に対してエネルギー非吸収性であるので、発熱せず、従って切断されない。 Meanwhile, the support sheet 21 (i.e., base 2) are the non-energy-absorbing to laser cutting the semiconductor wafer 4, without heating, thus not cleaved.
このように、本発明によるダイシングシート10では、 Thus, the dicing sheet 10 according to the present invention,
前記粘着剤層3に溝5が形成されるのに対し、前記支持シート21(すなわち、基材2)が切り残されるので、 The contrast groove 5 is formed in the pressure-sensitive adhesive layer 3, the support sheet 21 (i.e., base 2) so is left off,
次のエキスパンド工程で、ダイシングシート10を引き伸ばし、隣接するチップを離間することができる。 In the next expanding step, stretching the dicing sheet 10, it is possible to separate the adjacent chips.

【0027】図3に示すダイシングシート11を用いる場合には、図4に示すように、その粘着剤層3の上に、 [0027] When using the dicing sheet 11 shown in FIG. 3, as shown in FIG. 4, on top of the adhesive layer 3,
半導体ウエハ4を貼付する。 Attaching a semiconductor wafer 4. 続いて、半導体ウエハ4の上方から(図4の矢印Bの方向から)レーザー光線を照射して半導体ウエハ4を個々のチップに切断し、溝5を形成する。 Then, from above the semiconductor wafer 4 (in the direction of arrow B in FIG. 4) by applying a laser beam to cut the semiconductor wafer 4 into individual chips, to form a groove 5. この際、半導体ウエハ4には、ダイシングブレードを用いる場合のようなストレスが負荷されないので、切断面には切り欠きなどは発生せず、平滑な切断面が形成される。 At this time, the semiconductor wafer 4, since stress is not loaded, such as when using a dicing blade, not generated such as notches on the cutting surface, smooth cut surface is formed.

【0028】レーザー光線は、半導体ウエハ4を切断した後に、前記粘着剤層3を通過し、更に前記基材2の中間層22及び続いて支持シート23を通過する。 The laser beam, after cutting the semiconductor wafer 4, through the pressure-sensitive adhesive layer 3, further passes through the intermediate layer 22 and subsequently the support sheet 23 of the substrate 2. 前記粘着剤層3は、半導体ウエハ4を切断したレーザー光線に対してエネルギー吸収性であるので、発熱して切断される。 The pressure-sensitive adhesive layer 3 are the energy absorptive to laser cutting the semiconductor wafer 4 is exothermed to cut. また、前記基材2の中間層22も半導体ウエハ4を切断したレーザー光線に対してエネルギー吸収性であるので、発熱して切断される。 Further, the since the intermediate layer 22 of the substrate 2 is also an energy absorptive to laser cutting the semiconductor wafer 4 is exothermed to cut. 一方、前記基材2の支持シート23は、半導体ウエハ4を切断したレーザー光線に対してエネルギー非吸収性であるので、発熱せず、従って切断されない。 On the other hand, the support sheet 23 of the substrate 2 are the non-energy-absorbing to laser cutting the semiconductor wafer 4, without heating, thus not cleaved. このように、本発明によるダイシングシート11でも、前記粘着剤層3及び前記基材2の中間層22に溝5が形成されるのに対し、前記基材2の支持シート23が切り残されるので、次のエキスパンド工程で、ダイシングシート11を引き伸ばし、隣接するチップどうしを離間することができる。 Thus, even the dicing sheet 11 according to the present invention, the contrast groove 5 is formed in the intermediate layer 22 of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the substrate 2, the supporting sheet 23 of the substrate 2 is left off in the next expanding step, stretching the dicing sheet 11, it is possible to separate the adjacent chips to each other.

【0029】本発明のダイシングシートの代わりに、基材と粘着剤層とが共にレーザー光線を透過するダイシングシートを使用した場合には、次のような不具合が発生する。 [0029] Instead of the dicing sheet of the present invention, when using a dicing sheet which is a base material and a pressure-sensitive adhesive layer together transmitted through the laser beam, the following problems occur. 例えば、レーザーダイシング装置として、図5に示すレーザー光線を発生するダイシング装置を使用する場合は、レーザー光線により切断された部分は高熱となっているので、被加工物の切断された部分に接する粘着剤層の側は熱により変形が起きやすい。 For example, a laser dicing apparatus, when using a dicing apparatus for generating a laser beam shown in FIG. 5, since cut portions has a high heat by laser beam, the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the cut portions of the workpiece easy to the side of the place is deformed by heat. このため、切断後のチップの支持が不十分になるおそれがある。 Therefore, support of the cut after the chip may be insufficient. しかし、本発明のダイシングシートを使用すれば、レーザー光線によって分解されずに、余分な熱が発生する場所は粘着剤層と支持シートとの界面又はその近傍となる。 However, using a dicing sheet of the present invention, without being degraded by a laser beam, where the excess heat is generated is the surface or its vicinity of the adhesive layer support sheet. この場合、被加工物と熱により変形してしまう部分とが相互に離れているので、被加工物の加工適性に影響を与えない。 In this case, since a portion deformed by the workpiece and heat are separated from each other, it does not affect the processability of the workpiece.

【0030】また、本発明のダイシングシートの代わりに、基材と粘着剤層とが共にレーザー光線を透過するダイシングシートを使用し、レーザーダイシング装置として、図6に示すウォータージェットレーザーを用いた場合は、ウォータージェットの水が冷却水として作用し、 Further, instead of the dicing sheet of the present invention, by using a dicing sheet which is a base material and a pressure-sensitive adhesive layer together transmitted through the laser beam, as the laser dicing apparatus, when using a water jet laser shown in FIG. 6 , water of water jet acts as a cooling water,
粘着剤層が熱変形することはないが、粘着剤層がレーザー光線で切断されずに、粘着剤層に面する被加工物の側で水の行き場が失われ乱流を起こし、乱流に沿った被加工物の部分がレーザー光線により加熱分解され、切断面の精度を下げる。 Although the pressure-sensitive adhesive layer is not thermally deformed, the adhesive layer is not cut by the laser beam, nowhere to go water is lost on the side of the workpiece facing the adhesive layer to cause a turbulent flow, along the turbulence portion of the workpiece is thermally decomposed by laser beam, reducing the accuracy of the cut surface. しかし、本発明のダイシングシートを使用すれば、乱流の部分はダイシングシートの内部51 However, using a dicing sheet of the present invention, part of the turbulence dicing sheet inside 51
(支持シートに面する粘着剤層又は中間層)で起こるため、被加工物の切断精度を落とすことはない。 Since that occur in (the support sheet facing the adhesive layer or intermediate layer), it is not compromising cutting accuracy of the workpiece. この時、 At this time,
支持シートとして水を透過することのできるメッシュ状の材料を用いた場合は、水の乱流は小さくなり、レーザー光線により切断可能な層(例えば、粘着剤層)の厚さを薄くすることができる。 When using a mesh-like material capable of transmitting water as the supporting sheet, turbulence of water is reduced, the layer can be cut by laser beam (e.g., pressure-sensitive adhesive layer) can reduce the thickness of the .

【0031】ダイシング工程が終了した後の被加工物は、支持シートが切断されていないためフレームに元の状態と同じように支持されており、切断された被加工物(チップ)をバラバラにすることなくフレームごと搬送することができる。 The workpiece after the dicing step is completed, the support sheet is supported in the same way as the original state in the frame because they are not cut, to cut the workpiece (the tip) apart it can be transported every frame without. 被加工物から切断されたチップは、 Chips cut from the workpiece,
任意の方法でダイシングシートから剥離し取り出すことができる。 It can be taken out by peeling from the dicing sheet in any way. ダイシング後のダイシングシートを引き伸ばし、被加工物を切断したチップを相互に離間させた後、 Stretching the dicing sheet after the dicing, after separating the chips obtained by cutting the workpiece to each other,
チップをピックアップすることによって取り出してもよい。 It may be taken out by picking up the chips. この場合、ダイシングシートは、支持シートとして破断伸度が100%以上であり、破断応力が50〜30 In this case, the dicing sheet, the elongation at break as a supporting sheet is 100% or more, breaking stress is 50-30
000N/m 2の支持シートを使用することにより、スムーズに引き伸ばしが可能となる。 By using the support sheet of 000N / m 2, it is possible to stretch smoothly.

【0032】 [0032]

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、これらは本発明の範囲を限定するものではない。 EXAMPLES Hereinafter, specific examples illustrate the present invention but are not intended to limit the scope of the present invention. 最初に、以下の実施例及び比較例に使用した「粘着剤」の構成、「基材」の構成、「光透過率」、「紫外線透過率」、「破断伸度」、「破断応力」及び「切断面の状態」の測定方法を示す。 First, the following examples and configuration of the "adhesive" as used in Comparative Examples, the structure of "substrate", "light transmittance", "UV transmittance", "elongation at break", "breaking stress" and illustrating a method of measuring the "state of the cut surface." (1)粘着剤1の調製 2−エチルヘキシルアクリレート80重量部とヒドロキシエチルアクリレート20重量部とを共重合して調製したアクリル共重合体(重量平均分子量=40万)に、その共重合体中の水酸基に対し80当量のイソシアナートエチルメタクリレートを反応させて、前記共重合体の側鎖にエネルギー線重合性の二重結合を有する感圧接着性のポリマーを得た。 (1) Preparation of the adhesive 1 of 2-ethylhexyl acrylate 80 parts by weight hydroxyethyl acrylate 20 parts by weight of copolymerized acrylic copolymer prepared by (weight average molecular weight = 400,000), the copolymer 80 equivalents of isocyanatoethyl methacrylate reacted to a hydroxyl group, to obtain a pressure-sensitive adhesive polymer having a double bond of an energy ray-polymerizable in the side chain of the copolymer. このポリマーの固形分100重量部に対し、光重合開始剤(1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)1重量部、架橋剤(トルイレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加物)1重量部、レーザー光線吸収付与剤として、黒色顔料(大日精化工業(株)社製、DYMIC SZ 7740ブラック)5重量部を添加して粘着剤1を配合した。 The solid content 100 parts by weight of the polymer, photopolymerization initiator (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone), 1 part by weight, 1 part by weight crosslinking agent (adduct of toluylene diisocyanate with trimethylolpropane), as the laser beam absorbing imparting agent , black pigment was blended adhesive 1 by adding (Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd., DYMIC SZ 7740 black) 5 parts by weight. (2)基材1の調製 支持シートとして、厚さ160μm、破断伸度(MD2 (2) Preparation support sheet of the substrate 1, the thickness of 160 .mu.m, elongation at break (MD2
75%、CD245%)、及び破断応力(MD3130 75%, CD245%), and breaking stress (MD3130
N/m 2 、CD2890N/m 2 )のポリウレタンフィルム(ウレタンアクリレート樹脂をキャスティングした後、紫外線硬化したフィルム)の単層を基材1とした。 After casting the polyurethane film (urethane acrylate resin of N / m 2, CD2890N / m 2), and monolayers were UV cured film) and the substrate 1. (3)基材2の調製 前記基材1のポリウレタンフィルムを支持シートとし、 (3) a polyurethane film prepared the substrate 1 of the substrate 2 and the support sheet,
その片面に厚さ5μmの透明な二液架橋型アクリル系感圧接着剤を介して、中間層として、レーザー光線吸収性付与剤としてカーボンブラックを含み、厚さが70μm Through the two-pack crosslinking type acrylic pressure-sensitive adhesive transparent thick 5μm on one surface thereof, as an intermediate layer, comprise carbon black as the laser beam absorbing property imparting agent, 70 [mu] m thick
の黒色のポリ塩化ビニルフィルムを積層し、基材2とした。 Polyvinyl chloride film of black was laminated, as a base material 2. (4)レーザー光線透過率の測定方法 紫外可視分光光度計を用いてダイシングシートの各層の1064nmの透過率を測定し、レーザー光線透過率とした。 (4) using the measuring method ultraviolet-visible spectrophotometer of the laser beam transmittance measuring the transmittance of 1064nm of the dicing sheet layers, and a laser beam transmittance. (5)紫外線透過率の測定方法 紫外可視分光光度計を用いてダイシングシートの基材の365nmの透過率を測定し、紫外線透過率とした。 (5) using the measuring method ultraviolet-visible spectrophotometer UV transmittance was measured 365nm transmittance of the dicing sheet base material, and the ultraviolet transmittance. (6)破断伸度の測定方法 万能引張試験機により引張速度200mm/minで、 (6) Measurement of elongation at break method universal tensile tester at a tensile rate of 200 mm / min,
JIS K−7127に基づき測定した。 It was measured according to JIS K-7127. (7)破断応力の測定方法 万能引張試験機により引張速度200mm/minで、 (7) by measuring the fracture stress method universal tensile testing machine at a tensile speed of 200mm / min,
JIS K−7127に基づき測定した。 It was measured according to JIS K-7127. (8)切断面の状態の測定方法 レーザーダイシングを行った後のチップを取り出し、チップの裏面に発生した欠けを顕微鏡を用いて観察した。 (8) takes out chips after the measurement method Laser dicing condition of the cut surface, the chipping generated on the back surface of the chip was observed using a microscope.
チップの最大の欠けの大きさを、ランダムに選択した2 The maximum size of chipping of the chip were randomly selected 2
0個について平均した値によって切断面の状態をあらわした。 0 expresses the condition of the cut surface by mean values ​​for. 切断面の状態の評価は、下記の基準とした。 Evaluation of the state of the cut surface was set to the following criteria. ◎・・・20μm未満のもの ○・・・20μm以上で40μm未満のもの ×・・・40μm以上のもの ◎ ··· of less than 20μm things ○ of less than 40μm in ··· 20μm or more × ··· 40μm more than that

【0033】 [0033]

【実施例1】剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ=38μm)の剥離処理面に、粘着剤1 EXAMPLE 1 a release-treated surface of a polyethylene terephthalate film release-treated (thickness = 38 [mu] m), the adhesive 1
の配合物を乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布乾燥して粘着剤層を形成した。 To form a pressure-sensitive adhesive layer of the formulation thickness after drying by coating and drying so that the 10 [mu] m. この粘着剤層を基材1の片面に転写し、レーザーダイシング用のダイシングシートを作成した。 Transferring the pressure-sensitive adhesive layer on one surface of the substrate 1 to prepare a dicing sheet for laser dicing. 各層のレーザー光線透過率、基材の紫外線透過率を表1に示す。 Laser transmittance of each layer, the ultraviolet transmittance of the base material shown in Table 1.

【0034】 [0034]

【実施例2】剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ=38μm)の剥離処理面に、粘着剤1 Example 2 to a release-treated surface of a polyethylene terephthalate film release-treated (thickness = 38 [mu] m), the adhesive 1
の配合物を乾燥後の厚さが10μmとなるように塗布乾燥して粘着剤層を形成した。 To form a pressure-sensitive adhesive layer of the formulation thickness after drying by coating and drying so that the 10 [mu] m. 基材2の中間層(黒色のポリ塩化ビニルフィルム)側に前記粘着剤層を転写し、レーザーダイシング用のダイシングシートを作成した。 Transferring the pressure-sensitive adhesive layer intermediate layer of the base material 2 side (polyvinyl chloride film black) to prepare a dicing sheet for laser dicing. 各層のレーザー光線透過率、及び基材の紫外線透過率を表1に示す。 Laser transmittance of each layer, and the ultraviolet transmittance of the base shown in Table 1.

【0035】 [0035]

【比較例】粘着剤1の配合に、レーザー光線吸収付与剤としての黒色顔料を添加しなかったことを除いて、実施例1と同様にしてダイシングシートを作成した。 In Comparative Example compounding of the adhesive 1, except for not adding a black pigment as a laser beam absorbing imparting agent to prepare a dicing sheet in the same manner as in Example 1. 各層のレーザー光線透過率、及び基材の紫外線透過率を表1に示す。 Laser transmittance of each layer, and the ultraviolet transmittance of the base shown in Table 1.

【0036】実施例1及び2並びに比較例で作成したダイシングシートを用いて、6インチ径、及び厚さ350 [0036] with a dicing sheet prepared in Examples 1 and 2 and Comparative Example 6 inches diameter, and thickness 350
μmのシリコンウエハを6インチウエハ用のリングフレームに固定し、レーザーダイシング装置に搭載し、以下の条件でレーザーダイシングを行った。 The silicon wafer μm was fixed to a ring frame of a 6-inch wafer, and mounted on a laser dicing apparatus, was laser dicing under the following conditions. レーザーダイシング装置 :シノバ社製、Laser μ jet レーザー発振子 :YAG レーザー光線波長 :1064nm レーザー光線(ノズル)径 :100μm 周波数 :700Hz パルス幅 :180μsec ステップ :30μm 加工速度 :1260mm/min ダイシングサイズ :10mm×10mm 実施例1及び2並びに比較例ともに、シリコンウエハはフルカットの状態にダイシングすることが可能であった。 Laser dicing apparatus: concealed Co., Laser mu jet laser oscillator: YAG laser Wavelength: 1064 nm laser light (nozzle) diameter: 100 [mu] m Frequency: 700 Hz Pulse width: 180Myusec step: 30 [mu] m processing speed: 1260 mm / min Dicing Size: 10 mm × 10 mm embodiment examples 1 and 2 and in both comparative examples, the silicon wafer was able to be diced into a state of full cut. また、支持シートが切断されなかったので、ダイシングに続きダイシングシートをエキスパンドして、チップをピックアップすることがすることができた。 Further, since the support sheet was not cleaved, by expanding the dicing sheet following the dicing, it was possible that is to pick up the chips. しかし、比較例のダイシングシートでは、ダイシングによって形成された溝の切断面に巨大な欠けがあらわれた。 However, the dicing sheet of the comparative example, huge lack appeared on the cut surface of a groove formed by dicing. 結果を表1に示す。 The results are shown in Table 1.

【0037】 [0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】 [0038]

【発明の効果】本発明のダイシングシートは、切断面に切り欠きを発生しにくいレーザーダイシングに適用可能であり、被加工物を切断して形成したチップをバラバラにすることなく、搬送して次工程を行うことができる。 Dicing sheet of the present invention according to the present invention is applicable to not easily generated laser dicing notches on the cut surface, without having to break up the chips formed by cutting a workpiece conveys the next the process can be carried out.
また、本発明のダイシング方法によれば、被加工物の切断を高い精度で実施することができる。 Further, according to the dicing method of the present invention can be carried out with high precision cutting of the workpiece.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の基材非切断型ダイシングシートを模式的に示す断面図である。 Substrate of the present invention; FIG uncut type dicing sheet is a sectional view schematically showing.

【図2】図1に示す本発明の基材非切断型ダイシングシートに半導体ウエハを貼付し、更に溝を形成した状態を模式的に示す断面図である。 [2] The semiconductor wafer is stuck to the substrate uncleaved dicing sheet of the present invention shown in FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state of forming a groove schematically.

【図3】本発明の基材半切断型ダイシングシートを模式的に示す断面図である。 Substrate of the present invention; FIG half truncated dicing sheet is a sectional view schematically showing.

【図4】図3に示す本発明の基材半切断型ダイシングシートに半導体ウエハを貼付し、更に溝を形成した状態を模式的に示す断面図である。 [4] The semiconductor wafer is stuck to the substrate half truncated dicing sheet of the present invention shown in FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state of forming a groove schematically.

【図5】図1に示す本発明の基材非切断型ダイシングシートを通常のレーザーで切断した場合に形成される溝部分を拡大して模式的に示す断面図である。 5 is a cross-sectional view of an enlarged groove portion that is formed when the base material of the present invention shown in FIG. 1 the uncleaved dicing sheet was cut in a conventional laser shown schematically.

【図6】図1に示す本発明の基材非切断型ダイシングシートをウオータージェットガイデッドレーザーで切断した場合に形成される溝部分を拡大して模式的に示す断面図である。 6 is a cross-sectional view of an enlarged groove portion schematically showing a substrate uncleaved dicing sheet is formed when cut with a water jet-guided laser of the present invention shown in FIG.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2・・・基材;3・・・粘着剤層;4・・・半導体ウエハ;5・・・溝;10,11・・・ダイジングシート; 2 ... substrate; 3 ... adhesive layer; 4 ... semiconductor wafer; 5 ... groove; 10,11 ... die Managing sheet;
21,23・・・支持シート;22・・・中間層;51 21, 23 ... support sheet; 22 ... intermediate layer; 51
・・・乱流に沿った部分。 ... portion along the turbulence.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E068 AE01 CA14 DA10 4J004 AA01 AA05 AA08 AA10 AA11 AA14 AA15 AB01 AB07 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 CC03 FA05 FA07 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 4E068 AE01 CA14 DA10 4J004 AA01 AA05 AA08 AA10 AA11 AA14 AA15 AB01 AB07 CA03 CA04 CA05 CA06 CC02 CC03 FA05 FA07

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 レーザー光線を使用して、被加工物を切断する際に前記被加工物を支持固定するためのダイシングシートであって、支持シートを含む基材と、前記基材の片側表面に配置される粘着剤層とからなり、前記粘着剤層は前記レーザー光線により切断可能であり、前記支持シートは前記レーザー光線により切断不可能であることを特徴とする、ダイシングシート。 [Claim 1] Using a laser beam, a dicing sheet for supporting and fixing the workpiece when cutting a workpiece, and a substrate comprising a support sheet, on one surface of said substrate consists of a positioned are pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive layer is cleavable by said laser beam, wherein the support sheet is not possible cutting by the laser beam, dicing sheet.
  2. 【請求項2】 前記基材が、前記支持シートと、前記レーザー光線により切断可能な中間層とを含む積層体であり、前記中間層が、前記粘着剤層と前記支持シートとの間に配置されることを特徴とする請求項1記載のダイシングシート。 Wherein said substrate, said a support sheet, a laminate comprising a cleavable intermediate layer by the laser beam, the intermediate layer is disposed between the support sheet and the pressure-sensitive adhesive layer dicing sheet according to claim 1, wherein Rukoto.
  3. 【請求項3】 前記支持シートは、破断伸度が100% Wherein said support sheet, breaking elongation 100%
    以上であり、破断応力が50〜30000N/m 2であることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイシングシート。 Above, and the dicing sheet according to claim 1 or 2 breaking stress is characterized by a 50~30000N / m 2.
  4. 【請求項4】 前記粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤層からなり、前記基材の紫外線透過率が10%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイシングシート。 Wherein said adhesive layer is made of ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer, according to any one of claims 1 to 3 UV transmittance of the substrate is equal to or less than 10% dicing sheet.
  5. 【請求項5】 レーザー光線を用いて被加工物を切断してチップを形成する方法において、レーザー光線により切断不可能である支持シートを含む基材と、前記基材の片側表面に配置され、前記レーザー光線により切断可能である粘着剤層とからなるダイシングシートを被加工物の一面に貼付して支持固定し、前記被加工物に対してレーザー光線を照射して、前記被加工物と前記粘着剤層を切断し、少なくとも前記支持シートを切り残すことを特徴とするダイシング方法。 5. Using a laser beam in a method of forming a chip by cutting the workpiece, and a substrate comprising a support sheet which is not cut by a laser beam, is arranged on one side surface of the base material, the laser beam the dicing sheet comprising a pressure-sensitive adhesive layer is cleavable supported and fixed by attaching to one surface of a workpiece by the by irradiating a laser beam to the workpiece, said the workpiece the pressure-sensitive adhesive layer cut, diced wherein the leaving off at least the support sheet.
  6. 【請求項6】 前記被加工物を切断してチップを切断した後、ダイシングシートを引き伸ばして各チップを相互に離間し、ピックアップすることを特徴とする請求項5 6. After cutting chips by cutting said workpiece, claim, characterized in that spaced each chip to each other by stretching the dicing sheet to the pickup 5
    に記載のダイシング方法。 Dicing method as claimed in.
  7. 【請求項7】 被加工物が半導体ウエハであることを特徴とする請求項5又は6に記載のダイシング方法。 7. The dicing method according to claim 5 or 6, wherein the workpiece is a semiconductor wafer.
  8. 【請求項8】 ウォータージェットレーザーによるレーザー光線を用いることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載のダイシング方法。 8. The dicing method according to any one of claims 5-7, characterized by using a laser beam by a water jet laser.
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