JP2002338333A - Sintering assistant - Google Patents

Sintering assistant

Info

Publication number
JP2002338333A
JP2002338333A JP2001148206A JP2001148206A JP2002338333A JP 2002338333 A JP2002338333 A JP 2002338333A JP 2001148206 A JP2001148206 A JP 2001148206A JP 2001148206 A JP2001148206 A JP 2001148206A JP 2002338333 A JP2002338333 A JP 2002338333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
compound
oxide
dielectric
sintering aid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001148206A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuka Chiba
郁華 千葉
Akira Sato
陽 佐藤
Takeshi Nomura
武史 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2001148206A priority Critical patent/JP2002338333A/en
Publication of JP2002338333A publication Critical patent/JP2002338333A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sintering assistant by which a densified dielectric porcelain composition can be obtained without injuring various kinds of electric characteristics even when sintered at low temperature. SOLUTION: The sintering assistant has a first component containing a M1 compound (M1 is at least one among alkaline metals, however), a second component containing a M2 compound (M2 is an element in Group V and Group VI, however), a third component containing a M3 compound (M3 is at least one selected from among Ba, Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al and Zn, however) and a fourth component containing oxide of Si or a compound becoming the oxide of Si by calcination. When the composition ratio from the first component to the fourth component: (the first component, the second component, the third component, the fourth component) is expressed by a tetrahedron composition diagram expressed by a point A: (100, 0, 0, 0), a point B: (0, 100, 0, 0), a point C: (0, 0, 100, 0) and a point D: (0, 0, 0, 100), the sintering assistant is characterized by that the composition ratio is satisfactorily located in a region except on an ACD face (composition when the second component = 0) surrounded by the point A, the point C and the point D.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば誘電体磁
器組成物を製造するのに適した焼結助剤に関する。
[0001] The present invention relates to a sintering aid suitable for producing, for example, a dielectric porcelain composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品の一例である積層型セラミック
コンデンサを構成する従来の誘電体磁器組成物は、強誘
電体であるチタン酸バリウム(BaTiO)や、常
誘電体であるチタン酸ストロンチウム(SrTi
)、チタン酸カルシウム(CaTiO)、ジ
ルコン酸ストロンチウムカルシウム(CaSrZrO
)、ジルコン酸カルシウム(CaZrO)、ジ
ルコン酸ストロンチウム(SrZrO)、酸化チタ
ン(TiO)、チタン酸ネオジム(NdTi
)などの各種誘電体酸化物を含む主成分を有す
る。
2. Description of the Related Art Conventional dielectric ceramic compositions constituting a multilayer ceramic capacitor as an example of an electronic component include barium titanate (BaTiO 3 ) as a ferroelectric and strontium titanate (paraelectric) as a dielectric. SrTi
O 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ), calcium strontium zirconate (CaSrZrO)
3 ), calcium zirconate (CaZrO 3 ), strontium zirconate (SrZrO 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), neodymium titanate (NdTi)
It has a main component containing various dielectric oxides such as O 3 ).

【0003】この種の誘電体磁器組成物は、そのままで
は焼結し難いことから、各種焼結助剤を加えて上で13
00℃を超える温度で焼成されていた。また、この種の
誘電体磁器組成物は、低酸素分圧である中性雰囲気また
は還元性雰囲気下で焼成すると、還元されて半導体化す
る性質を有していたことから、該誘電体磁器組成物を用
いて積層型セラミックコンデンサを製造するに際して
は、高酸素分圧である酸化性雰囲気下で焼成することを
余儀なくされていた。
[0003] Since this kind of dielectric porcelain composition is difficult to sinter as it is, it is added with various sintering aids to obtain a sintering material.
It was fired at a temperature exceeding 00 ° C. In addition, this type of dielectric ceramic composition has a property of being reduced to a semiconductor when fired in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere having a low oxygen partial pressure. When manufacturing a multilayer ceramic capacitor using such a material, it has been necessary to fire it in an oxidizing atmosphere having a high oxygen partial pressure.

【0004】このため、誘電体磁器組成物と同時に焼成
される内部電極材料としては、該誘電体磁器組成物が焼
結する温度で溶融しない程度の高い融点をもち、酸化性
雰囲気下で焼成しても酸化されない、などの特性を有す
る貴金属(たとえばパラジウムや白金など)を用いる必
要があった。
For this reason, the internal electrode material fired at the same time as the dielectric ceramic composition has a melting point as high as not melting at the temperature at which the dielectric ceramic composition is sintered, and is fired in an oxidizing atmosphere. It is necessary to use a noble metal (for example, palladium, platinum, or the like) having such characteristics as not being oxidized.

【0005】しかしながら、貴金属は一般に高価である
ことから、コンデンサ内に占める内部電極材料費が全体
の中でかなりの割合を占めることになり、製造される積
層型セラミックコンデンサの低価格化に支障をきたして
いた。
However, since noble metals are generally expensive, the cost of the internal electrode material occupying the capacitor accounts for a considerable proportion of the whole, which hinders the cost reduction of the manufactured multilayer ceramic capacitor. I was coming.

【0006】また、焼成温度が高いと、(1)焼成炉そ
のものの価格も高価な上に、用いる焼成炉の損傷も激し
くなり、焼成炉の保守や管理コストなどが使用時間の経
過につれて漸次増加するとともに、磁器化に要するエネ
ルギーコストも膨大になってしまう。(2)誘電体磁器
組成物と内部電極材料との間の熱膨張係数の差により応
力が溜まりやすく、クラックの発生や比誘電率の低下な
どの不都合を生じる要因ともなる。
[0006] When the firing temperature is high, (1) the cost of the firing furnace itself is high, and the firing furnace to be used is severely damaged, so that the maintenance and management costs of the firing furnace gradually increase with use time. At the same time, the energy cost required for porcelain becomes enormous. (2) Stress tends to accumulate due to the difference in thermal expansion coefficient between the dielectric ceramic composition and the internal electrode material, which causes inconveniences such as generation of cracks and lowering of the relative dielectric constant.

【0007】したがって、低温で焼成が可能であり、安
価な卑金属(たとえばニッケルや銅など)を内部電極の
材料に用いて中性雰囲気または還元性雰囲気下で焼成し
ても半導体化せず、すなわち耐還元性に優れ、焼成後に
は十分な比誘電率や優れた誘電特性を有する、誘電体磁
器組成物を開発することが必要である。この種の誘電体
磁器組成物としては、従来から種々の提案がなされてい
る。
Therefore, firing can be performed at a low temperature, and even if firing is performed in a neutral atmosphere or a reducing atmosphere using an inexpensive base metal (for example, nickel or copper) as a material for the internal electrode, it does not turn into a semiconductor. It is necessary to develop a dielectric ceramic composition having excellent reduction resistance and having a sufficient relative dielectric constant and excellent dielectric properties after firing. Various proposals have been made for this type of dielectric ceramic composition.

【0008】たとえば、特許第2997236号公報
(特開平10−335169号公報)では、次に示す誘
電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組成物
は、{(CaSr1−x )O}{(Ti
Zr1−y )O}で示される組成の誘電体酸化物
(ただし、0≦x≦1、0≦y≦0.10、0.75≦
m≦1.04)を主成分とし、この主成分に対して所定
量の副成分を含有する。副成分は、MnO換算で0.2
〜5モル%のMn酸化物と、Al換算で0.
1〜10モル%のAl酸化物と、0.5〜15モル%の
{(BaCa 1−z )O}SiO(ただ
し、0≦z≦1、0.5≦v≦4.0)とで構成され
る。すなわち、Mn酸化物と、Al酸化物と、ケイ酸バ
リウム/カルシウムとが焼結助剤として含有してある。
For example, Japanese Patent No. 2997236
(JP-A-10-335169) describes the following invitation.
An electric porcelain composition is disclosed. This dielectric porcelain composition
Is {(CaxSr1-x) O}m{(Tiy
Zr1-y) O2Dielectric oxide of composition shown by}
(However, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 0.10, 0.75 ≦
m ≦ 1.04) as a main component, and a predetermined
Contains minor amounts of subcomponents. The subcomponent is 0.2 in MnO conversion.
~ 5 mol% of Mn oxide and Al2O30 in conversion.
1 to 10 mol% of Al oxide and 0.5 to 15 mol% of Al oxide
{(BazCa 1-z) O}vSiO2(However
0 ≦ z ≦ 1, 0.5 ≦ v ≦ 4.0)
You. That is, Mn oxide, Al oxide, and silicate
Lithium / calcium is contained as a sintering aid.

【0009】特開平5−17222号公報では、次に示
す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組
成物は、{(CaSr1−x )O}{(Ti
Zr1−y )O}で示される組成の誘電体酸化
物(ただし、0.35≦x≦0.5、0.9≦y、1.
00≦m≦1.04)を主成分とし、この主成分に対し
て所定量の副成分を含有する。副成分は、0.01〜
0.05モル%のLi SiOと、0.01〜
0.05モル%のMF(ただし、MはCa、Sr、
BaおよびMgから選ばれる少なくとも1種の元素)と
で構成される。すなわち、ケイ酸リチウムと、アルカリ
土類金属のフッ化物とが焼結助剤として含有してある。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-17222 discloses the following.
A dielectric porcelain composition is disclosed. This dielectric porcelain set
The product is {(CaxSr1-x) O}m{(Ti
yZr1-y) O2Dielectric oxidation of the composition indicated by}
Object (however, 0.35 ≦ x ≦ 0.5, 0.9 ≦ y, 1.
00 ≦ m ≦ 1.04) as the main component.
To contain a predetermined amount of subcomponents. The subcomponent is 0.01 to
0.05 mol% Li 2SiO3And 0.01 ~
0.05 mol% MF2(However, M is Ca, Sr,
At least one element selected from Ba and Mg) and
It is composed of That is, lithium silicate and alkali
An earth metal fluoride is contained as a sintering aid.

【0010】特開平5−217426号公報では、次に
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、{(CaSr1−x )O}{(T
Zr1−y )O}で示される組成の誘電体酸
化物(ただし、0≦x≦1.0、0≦y≦0.2、0.
9≦m≦1.1)を含んで主成分とし、この主成分に対
して所定量の副成分を含有する。副成分は、LiO
1/2 換算でaモル%(ただし、aは0.01〜0.
8)のLi酸化物と、MO換算でaモル%(ただし、a
は0.01〜0.8)のM酸化物(ただし、MはCa、
SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種の元素)
と、BO3/2 換算で(1−a)モル%のB酸化物
と、SiO換算で(1−a)モル%のSi酸化物と
で構成される。すなわち、Li酸化物と、M酸化物と、
B酸化物と、Si酸化物とが焼結助剤として含有してあ
る。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-217426,
The illustrated dielectric porcelain composition is disclosed. This dielectric porcelain
The composition is {(CaxSr1-x) O}m{(T
iy Zr1-y) O2Dielectric acid with composition indicated by}
(Where 0 ≦ x ≦ 1.0, 0 ≦ y ≦ 0.2, 0.
9 ≦ m ≦ 1.1) as a main component.
And a predetermined amount of subcomponents. The secondary component is LiO
1/2A mol% in conversion (where a is 0.01 to 0.
8) and a mole% in terms of MO (where a
Is 0.01 to 0.8) M oxide (where M is Ca,
At least one element selected from Sr and Ba)
And BO3/2(1-a) mol% of B oxide in conversion
And SiO2(1-a) mol% of Si oxide in conversion
It is composed of That is, Li oxide, M oxide,
B oxide and Si oxide are contained as sintering aids.
You.

【0011】特開平4−206109号公報では、次に
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、{(CaSr1−x )O}{(T
Zr1−y )O}で示される組成の誘電体酸
化物(ただし、0.30≦x≦0.50、0.80≦y
≦1.00、0.95≦m≦1.08)を主成分とし、
この主成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分
は、B、SiOおよびLiOから選
ばれる少なくとも1種の化合物で構成される。すなわ
ち、B酸化物、Si酸化物およびLi酸化物から選ばれ
る少なくとも1種の化合物が焼結助剤として含有してあ
る。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-206109,
The illustrated dielectric porcelain composition is disclosed. This dielectric porcelain
The composition is {(CaxSr1-x) O}m{(T
iy Zr1-y) O2Dielectric acid with composition indicated by}
(However, 0.30 ≦ x ≦ 0.50, 0.80 ≦ y
≦ 1.00, 0.95 ≦ m ≦ 1.08) as main components,
The main component contains a predetermined amount of subcomponent. Minor component
Is B2O3, SiO2And Li2Select from O
At least one compound. Sand
Selected from B oxide, Si oxide and Li oxide
At least one compound contained as a sintering aid.
You.

【0012】特開昭63−131412号公報では、次
に示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁
器組成物は、{(CaSr1−x )O}
{(Ti Zr1−y )O}で示される組
成の誘電体酸化物(ただし、x=0、0.01≦y≦
0.25、0.8≦m≦1.3)を主成分とし、この主
成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分は、B
、SiOおよびMO(ただし、MはC
a、Sr、Ba、MgおよびZnから選ばれる少なくと
も1種の元素)が特定割合で含有される。すなわち、B
酸化物と、Si酸化物と、M酸化物とが焼結助剤として
含有してある。
JP-A-63-131412 discloses the following:
The following discloses a dielectric ceramic composition. This dielectric magnet
The container composition is {(CaxSr1-x) O}
m{(Ti yZr1-y) O2
Dielectric oxide (where x = 0, 0.01 ≦ y ≦
0.25, 0.8 ≦ m ≦ 1.3) as the main component.
Contains a predetermined amount of sub-components with respect to the components. The minor component is B
2O3, SiO2And MO (where M is C
a, Sr, Ba, Mg and Zn
Is also contained in a specific ratio. That is, B
Oxide, Si oxide and M oxide as sintering aid
It is contained.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】これらの公報記載の誘
電体磁器組成物では、1300℃以下で焼成が可能とさ
れているものであるが、CR積の低下や誘電損失の悪化
など、特性の低下を招いていた。また、焼成温度は比較
的コスト面に影響を与えることが多いことから、できる
限り低くすることが望ましい。
The dielectric porcelain compositions described in these publications can be fired at a temperature of 1300 ° C. or lower. Had led to a decline. In addition, since the sintering temperature often relatively affects the cost, it is desirable to set the sintering temperature as low as possible.

【0014】その一方で、焼成温度をあまりに低くしす
ぎると、磁器化を行うにあたり緻密化できず、十分な特
性を持つ誘電体磁器組成物が得られない。
On the other hand, if the firing temperature is too low, the ceramic cannot be densified for porcelain formation, and a dielectric ceramic composition having sufficient characteristics cannot be obtained.

【0015】したがって、誘電体磁器組成物の緻密化を
損なうことなく、より一層低温で焼成できる焼結助剤を
開発することが求められていた。
Therefore, there has been a need to develop a sintering aid which can be fired at a lower temperature without impairing the densification of the dielectric ceramic composition.

【0016】本発明の目的は、低温で焼成しても各種電
気特性を損なうことなく緻密化した誘電体磁器組成物を
得ることができる焼結助剤を提供することである。
An object of the present invention is to provide a sintering aid capable of obtaining a densified dielectric porcelain composition without impairing various electrical properties even when fired at a low temperature.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の観点に係る発明では、M2の化合物(ただ
し、M2はV族元素およびVI族元素)を含む第2成分
を有する焼結助剤が提供される。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, in the invention according to the first aspect, there is provided a firing method having a second component containing a compound of M2 (where M2 is a group V element and a group VI element). A binder is provided.

【0018】好ましくは、M1の化合物(ただし、M1
はアルカリ金属の少なくとも一つ)を含む第1成分をさ
らに有する。
Preferably, the compound of M1 (provided that M1
Has a first component containing at least one of alkali metals.

【0019】好ましくは、M3の化合物(ただし、M3
はBa、Ca、Sr、Mg、Mn、B、AlおよびZn
から選ばれる少なくとも1つ)を少なくとも含む第3成
分をさらに有する。
Preferably, a compound of M3 (provided that M3
Are Ba, Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al and Zn
And at least one component selected from the group consisting of:

【0020】好ましくは、Siの酸化物、または焼成に
よりSiの酸化物になる化合物を含む第4成分をさらに
有する。
Preferably, the semiconductor device further includes a fourth component containing an oxide of Si or a compound which becomes an oxide of Si by firing.

【0021】また、第2の観点に係る発明では、第2成
分と、第1成分、第3成分および第4成分の少なくとも
一つの成分とを有する焼結助剤であって、前記第1成分
が、M1の化合物(ただし、M1はアルカリ金属の少な
くとも一つ)を含み、前記第2成分が、M2の化合物
(ただし、M2はV族元素およびVI族元素)を含み、
前記第3成分が、M3の化合物(ただし、M3はBa、
Ca、Sr、Mg、Mn、B、AlおよびZnから選ば
れる少なくとも1つ)を含み、前記第4成分が、Siの
酸化物、または焼成によりSiの酸化物になる化合物を
含む焼結助剤が提供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a sintering aid having a second component and at least one of a first component, a third component and a fourth component, wherein the first component Contains a compound of M1 (where M1 is at least one of alkali metals), and the second component contains a compound of M2 (where M2 is a group V element and a group VI element),
The third component is a compound of M3 (where M3 is Ba,
A sintering aid containing at least one selected from Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al and Zn), wherein the fourth component contains an oxide of Si or a compound that becomes an oxide of Si by firing. Is provided.

【0022】さらに、第3の観点に係る発明では、M1
の化合物(ただし、M1はアルカリ金属の少なくとも一
つ)を含む第1成分と、M2の化合物(ただし、M2は
V族元素およびVI族元素)を含む第2成分と、M3の
化合物(ただし、M3はBa、Ca、Sr、Mg、M
n、B、AlおよびZnから選ばれる少なくとも1つ)
を含む第3成分と、Siの酸化物、または焼成によりS
iの酸化物になる化合物を含む第4成分とを有する焼結
助剤であって、これら第1成分〜第4成分の組成比:
(第1,第2,第3,第4)を、点A:(100,0,
0,0)、点B:(0,100,0,0)、点C:
(0,0,100,0)および点D:(0,0,0,1
00)で表される四面体組成図で表したとき、前記組成
比が、前記点A、点Cおよび点Dで囲まれるACD面
(第2成分=0の組成)上を除く領域を満たす焼結助剤
が提供される。
Further, in the invention according to the third aspect, M1
(Wherein M1 is at least one of alkali metals), a second component containing a compound of M2 (where M2 is a Group V element and a Group VI element), and a compound of M3 (where M3 is Ba, Ca, Sr, Mg, M
at least one selected from n, B, Al and Zn)
And a third component containing Si, an oxide of Si, or S
a sintering aid comprising a fourth component containing a compound that becomes an oxide of i, wherein the composition ratio of these first to fourth components is:
(1st, 2nd, 3rd, and 4th) points A: (100, 0,
0,0), point B: (0,100,0,0), point C:
(0,0,100,0) and point D: (0,0,0,1)
00), the composition ratio fills an area excluding the area on the ACD plane (the composition of the second component = 0) surrounded by the points A, C, and D. A binder is provided.

【0023】好ましくは、前記組成比が、前記ACD面
の他に、さらに前記点A、点Bおよび点Cで囲まれるA
BC面(第4成分=0の組成)上を除く領域を満たす。
Preferably, in addition to the ACD plane, the composition ratio is such that A is surrounded by points A, B and C.
The area except for the BC plane (the composition of the fourth component = 0) is satisfied.

【0024】好ましくは、前記M1の化合物が、いずれ
かのアルカリ金属の酸化物を含む。
Preferably, the compound of M1 contains any alkali metal oxide.

【0025】好ましくは、前記M1の化合物が、Liの
酸化物を含む。
Preferably, the compound of M1 contains an oxide of Li.

【0026】本発明における化合物には、酸化物のほ
か、焼成により酸化物になる化合物(たとえば、炭酸
塩、硝酸塩、シュウ酸塩など)も含まれる。勿論、酸化
物と、焼成により酸化物になる化合物との組み合わせで
あってもよい。
The compounds in the present invention include, in addition to oxides, compounds that become oxides upon firing (eg, carbonates, nitrates, oxalates, etc.). Of course, a combination of an oxide and a compound that becomes an oxide by firing may be used.

【0027】好ましくは、前記M2の化合物が、Vの酸
化物、Moの酸化物、およびWの酸化物から選ばれる少
なくとも1つを含む。
Preferably, the compound of M2 contains at least one selected from an oxide of V, an oxide of Mo, and an oxide of W.

【0028】好ましくは、前記M2の化合物が、Vの酸
化物、Moの酸化物、およびWの酸化物から選ばれる少
なくとも2つを含む。
Preferably, the compound of M2 contains at least two selected from oxides of V, oxides of Mo, and oxides of W.

【0029】好ましくは、本発明に係る焼結助剤は、融
点が1200℃以下である。
Preferably, the sintering aid according to the present invention has a melting point of 1200 ° C. or less.

【0030】本発明の焼結助剤は、電子部品の一例であ
る積層型セラミックコンデンサの誘電体層などに用いら
れる誘電体磁器組成物を製造する際して、好適に用いる
ことができる。
The sintering aid of the present invention can be suitably used when producing a dielectric ceramic composition used for a dielectric layer of a multilayer ceramic capacitor as an example of an electronic component.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments shown in the drawings.

【0032】図1は本発明の一実施形態に係る積層セラ
ミックコンデンサの断面図、図2は本発明の焼結助剤の
組成比を示す四面体組成図、図3は実施例1に係るLi
−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加量
と、比較例1に係るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)
−Si−Oの添加量と、比較例2に係る(Ba,Ca,
Mn,Al)−Si−Oの添加量とを変化させた場合に
おける焼成温度と密度との関係を示すグラフ、図4は実
施例1に係るLi−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−
Si−Oの添加量と、比較例1に係るLi−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例2に係
る(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加量とを
変化させた場合における焼成温度と比抵抗との関係を示
すグラフ、図5は実施例1に係るLi−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例1に係
るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例2に係る(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oの添加量とを変化させた場合における焼成温度と
誘電率との関係を示すグラフ、図6は実施例1に係るL
i−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例1に係るLi−(Ba,Ca,Mn,A
l)−Si−Oの添加量と、比較例2に係る(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量とを変化させた場
合における焼成温度とCR積との関係を示すグラフ、図
7は実施例1の試料42と、比較例2の試料31とにお
ける温度と誘電損失との関係を示すグラフ、図8は実施
例3の試料61と、比較例2の試料31とにおける温度
と誘電損失との関係を示すグラフ、図9は比較例1の試
料22と、比較例2の試料31とにおける温度と誘電損
失との関係を示すグラフである。
FIG. 1 is a sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a tetrahedral composition diagram showing the composition ratio of a sintering aid of the present invention, and FIG.
-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O and the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) according to Comparative Example 1
-Si-O and the amount of (Ba, Ca,
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the sintering temperature and the density when the amount of addition of (Mn, Al) —Si—O is changed. FIG. 4 shows Li—W— (Ba, Ca, Mn, Al) according to Example 1. −
The amount of added Si—O and the amount of Li— (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O and the sintering temperature and the specific resistance when the addition amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 2 were changed. FIG. 5 is a graph showing the relationship, and FIG. 5 is a graph showing Li—W— (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O, the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 1, and the amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -S
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the sintering temperature and the dielectric constant when the amount of i-O added is changed, and FIG.
The amount of i-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O and the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, A
l) The amount of -Si-O added and (Ba, C
a, Mn, Al) —a graph showing the relationship between the calcination temperature and the CR product when the amount of addition of (Si) —O was changed. FIG. 7 shows the relationship between the sample 42 of Example 1 and the sample 31 of Comparative Example 2. FIG. 8 is a graph showing the relationship between temperature and dielectric loss in Sample 61 of Example 3 and Sample 31 of Comparative Example 2, and FIG. 22 is a graph showing the relationship between temperature and dielectric loss in Sample No. 22 and Sample 31 of Comparative Example 2.

【0033】図1に示すように、本実施形態に係る電子
部品の一例としての積層セラミックコンデンサ1は、誘
電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコ
ンデンサ素子本体10を有する。コンデンサ素子本体1
0の両端部には、素子本体10の内部で交互に配置され
た内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成
してある。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限は
ないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも
特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい
が、通常、(0.6〜5.6mm)×(0.3〜5.0
mm)×(0.3〜1.9mm)程度である。内部電極
層3は、各端面がコンデンサ素子本体10の対向する2
端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対
の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形
成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接
続されて、コンデンサ回路を構成する。
As shown in FIG. 1, a multilayer ceramic capacitor 1 as an example of an electronic component according to the present embodiment includes a capacitor element body 10 having a structure in which dielectric layers 2 and internal electrode layers 3 are alternately laminated. Have. Capacitor element body 1
A pair of external electrodes 4 that are electrically connected to the internal electrode layers 3 alternately arranged inside the element body 10 are formed at both ends of the element main body 10. The shape of the capacitor element body 10 is not particularly limited, but is generally a rectangular parallelepiped. The size is not particularly limited, and may be an appropriate size according to the application. Usually, the size is (0.6 to 5.6 mm) × (0.3 to 5.0).
mm) × (0.3 to 1.9 mm). The internal electrode layer 3 has two end faces facing each other of the capacitor element body 10.
It is laminated so as to be exposed alternately on the surface of the end. The pair of external electrodes 4 are formed at both ends of the capacitor element body 10 and connected to the exposed end faces of the alternately arranged internal electrode layers 3 to form a capacitor circuit.

【0034】誘電体層2の組成は、本発明では特に限定
されないが、たとえば以下の誘電体磁器組成物で構成さ
れる。本実施形態の誘電体磁器組成物は、たとえば、組
成式{(Ba(1−x−y) Ca Sr)O}
(Ti(1−z) Zr で表され
る誘電体酸化物を含む主成分を有する。記号A、記号
B、記号x、記号yおよび記号zは、いずれも任意の範
囲であるが、たとえば0.990≦A/B≦1.01
0、0≦x≦0.80、0≦y≦0.5、0.01≦z
≦0.98であることが好ましい。
The composition of the dielectric layer 2 is not particularly limited in the present invention.
Not composed of, for example, the following dielectric porcelain composition:
It is. The dielectric ceramic composition of the present embodiment is, for example, a set
Formula {(Ba(1-xy)Cax Sry) O}
A(Ti(1-z)Zr z)BO2 Represented by
It has a main component containing a dielectric oxide. Symbol A, symbol
B, the symbol x, the symbol y, and the symbol z are arbitrary ranges.
, For example, 0.990 ≦ A / B ≦ 1.01
0, 0 ≦ x ≦ 0.80, 0 ≦ y ≦ 0.5, 0.01 ≦ z
It is preferred that ≦ 0.98.

【0035】本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分
として本発明の第1〜第3の観点に係る焼結助剤を含有
する。
The dielectric ceramic composition of the present embodiment contains the sintering aid according to the first to third aspects of the present invention as an auxiliary component.

【0036】本実施形態では、焼結助剤の含有量は、誘
電体磁器組成物の全体を100モル%として、好ましく
は0.1〜25モル%、より好ましくは1〜15モル%
である。焼結助剤の添加量をこの範囲にすることで比誘
電率を低下させることなく、より低い温度で焼成でき
る。
In this embodiment, the content of the sintering aid is preferably 0.1 to 25 mol%, more preferably 1 to 15 mol%, based on 100 mol% of the whole dielectric ceramic composition.
It is. By setting the amount of the sintering additive within this range, firing can be performed at a lower temperature without lowering the relative dielectric constant.

【0037】本発明の焼結助剤の融点は、好ましくは1
200℃以下、より好ましくは1000℃以下である。
融点が1200℃以下であることにより、低温での焼成
が容易になる。
The melting point of the sintering aid of the present invention is preferably 1
The temperature is 200 ° C or lower, more preferably 1000 ° C or lower.
When the melting point is 1200 ° C. or less, firing at a low temperature becomes easy.

【0038】第1の観点に係る焼結助剤では、M2の化
合物(ただし、M2はV族元素およびVI族元素)を含
む第2成分を有する。この第2成分は、焼結温度を低下
させるとともに、各種電気特性を向上させる物質として
作用する。M2(V族元素およびVI族元素)として
は、V、Nb、Ta、Cr、MoおよびWから選ばれる
少なくとも1つの元素であればよいが、これらの中で
も、V、MoおよびWから選ばれる少なくとも1つの元
素が好ましく、より好ましくはV、MoおよびWから選
ばれる少なくとも2つの元素の組み合わせである。すな
わち第2成分として、Vの酸化物(V)、M
oの酸化物(MoO)、およびWの酸化物(WO
)から選ばれる少なくとも1つの化合物を含むこと
が好ましい。
The sintering aid according to the first aspect has a second component containing a compound of M2 (where M2 is a group V element and a group VI element). The second component acts as a substance that lowers the sintering temperature and improves various electrical properties. M2 (Group V element and Group VI element) may be at least one element selected from V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, and among them, at least one selected from V, Mo and W One element is preferable, and a combination of at least two elements selected from V, Mo, and W is more preferable. That is, as the second component, an oxide of V (V 2 O 5 ), M
O (MoO 3 ) and W oxide (WO
It preferably contains at least one compound selected from 3 ).

【0039】第1の観点では、M1の化合物(ただし、
M1はアルカリ金属の少なくとも一つ)を含む第1成分
をさらに有することが好ましい。この第1成分は、第2
成分と組み合わされることにより、焼結温度を低下させ
る物質として作用する。M1(アルカリ金属)として
は、Li、Na、K、Rb、CsおよびFrが挙げられ
るが、これらの中でも、Liが好ましい。すなわち第1
成分として、Liの酸化物(LiO)を含むことが
好ましい。
In a first aspect, the compound of M1 (provided that
M1 preferably further includes a first component containing at least one of alkali metals). This first component is the second component
When combined with the components, it acts as a substance that lowers the sintering temperature. Examples of M1 (alkali metal) include Li, Na, K, Rb, Cs, and Fr. Of these, Li is preferable. That is, the first
It is preferable to include an oxide of Li (Li 2 O) as a component.

【0040】第1の観点では、M3の化合物(ただし、
M3はBa、Ca、Sr、Mg、Mn、B、Alおよび
Znから選ばれる少なくとも1つ)を含む第3成分をさ
らに有することが好ましい。この第3成分は、第2成分
と組み合わされることにより、母材との濡れ性を改善し
たり、焼結温度を低下させる物質として作用する。
In a first aspect, the compound of M3 (provided that
M3 preferably further includes a third component containing at least one selected from Ba, Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al, and Zn). The third component, when combined with the second component, acts as a substance that improves the wettability with the base material and lowers the sintering temperature.

【0041】第1の観点では、Siの酸化物、または焼
成によりSiの酸化物になる化合物を含む第4成分をさ
らに有することが好ましい。この第4成分は、焼結温度
を一層低下させる物質として作用する。
From the first viewpoint, it is preferable to further include a fourth component containing an oxide of Si or a compound that becomes an oxide of Si by firing. This fourth component acts as a substance that further lowers the sintering temperature.

【0042】第2の観点に係る焼結助剤は、上述した第
2成分を少なくとも含み、さらに上述した第1成分、第
3成分および第4成分の少なくとも一つの成分を有す
る。
The sintering aid according to the second aspect contains at least the above-mentioned second component and further has at least one of the above-mentioned first, third and fourth components.

【0043】第3の観点に係る焼結助剤は、上述した第
1成分、第2成分、第3成分および第4成分を、特定の
組成比で有する。
The sintering aid according to the third aspect has the above-mentioned first component, second component, third component and fourth component in a specific composition ratio.

【0044】本発明では、これら第1成分〜第4成分の
組成比:(第1,第2,第3,第4)を、点A:(10
0,0,0,0)、点B:(0,100,0,0)、点
C:(0,0,100,0)および点D:(0,0,
0,100)で表される四面体組成図で表したとき、前
記組成比が、前記点A、点Cおよび点Dで囲まれるAC
D面(第2成分=0の組成)上を除く領域を満たす(図
2参照)。
In the present invention, the composition ratio of the first to fourth components: (first, second, third, and fourth) is determined by the point A: (10
0, 0, 0, 0), point B: (0, 100, 0, 0), point C: (0, 0, 100, 0), and point D: (0, 0, 0).
0, 100), the composition ratio is represented by the AC enclosed by points A, C and D.
The region excluding on the D plane (the composition of the second component = 0) is filled (see FIG. 2).

【0045】好ましくは、前記組成比が、前記ACD面
の他に、さらに前記点A、点Bおよび点Cで囲まれるA
BC面(第4成分=0の組成)上を除く領域を満たす
(図2参照)。
Preferably, in addition to the ACD plane, the composition ratio is such that A is surrounded by the points A, B and C.
The area excluding on the BC plane (the composition of the fourth component = 0) is filled (see FIG. 2).

【0046】より好ましくは、第1成分〜第4成分の組
成比は、後述する点S、点T、点U、点V、点Wおよび
点Xで囲まれる八面体内の領域を満たす(ただし、点
T、点Uおよび点Xで囲まれるTUX面と点Aとの三角
錐部分;点S、点Uおよび点Vで囲まれるSUV面と点
Bとの三角錐部分;点T、点Sおよび点Wで囲まれるT
SW面と点Dとの三角錐部分;点T、点X、点Cおよび
点Wで囲まれるTXCW面;を除く)。
More preferably, the composition ratio of the first to fourth components satisfies an area within an octahedron surrounded by points S, T, U, V, W, and X (described below). , A point T, a triangular pyramid portion between a TUX plane surrounded by points U and X and point A; a point S, a triangular pyramid portion between an SUV surface surrounded by points U and V and point B; points T and S And T surrounded by point W
Excluding a triangular pyramid portion between the SW surface and the point D; a TXCW surface surrounded by points T, X, C, and W).

【0047】 点S:(0,50,0,50)、 点T:(50,0,0,50)、 点U:(50,50,0,0)、 点V:(0,50,50,0)、 点W:(0,0,50,50)、 点X:(50,0,50,0)。Point S: (0, 50, 0, 50), Point T: (50, 0, 0, 50), Point U: (50, 50, 0, 0), Point V: (0, 50, 50) 50, 0), point W: (0, 0, 50, 50), point X: (50, 0, 50, 0).

【0048】上述した第1〜第3の観点に係る焼結助剤
では、Y、Gd、Tb、Dy、SnおよびPの化合物か
ら選ばれる少なくとも1つを含むその他の成分が、さら
に含有してあってもよい。この場合において、焼結助剤
中のその他の成分の含有量は、好ましくは0.05〜5
モル%程度である。
In the sintering aid according to the first to third aspects, other components including at least one selected from compounds of Y, Gd, Tb, Dy, Sn and P are further contained. There may be. In this case, the content of the other components in the sintering aid is preferably 0.05 to 5
It is about mol%.

【0049】なお、図1に示す誘電体層2の積層数や厚
み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよい
が、本実施形態では、誘電体層2の厚みは、6μm以
下、好ましくは5μm以下、さらに好ましくは3μm未
満である。また、誘電体層2は、グレインと粒界相とで
構成され、誘電体層2のグレインの平均粒子径は、0.
1〜5μm程度あることが好ましい。この粒界相は、通
常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の
酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程
中に不純物として混入する材質の酸化物を成分とし、通
常ガラスないしガラス質で構成されている。
Various conditions such as the number of layers and the thickness of the dielectric layer 2 shown in FIG. 1 may be appropriately determined according to the purpose and application. In the present embodiment, the thickness of the dielectric layer 2 is 6 μm. Or less, preferably 5 μm or less, more preferably less than 3 μm. The dielectric layer 2 is composed of grains and a grain boundary phase, and the average grain size of the grains of the dielectric layer 2 is 0.1 mm.
It is preferably about 1 to 5 μm. The grain boundary phase is usually composed of an oxide of a material constituting the dielectric material or the internal electrode material, an oxide of a separately added material, and an oxide of a material mixed as an impurity during the process, and Usually made of glass or vitreous.

【0050】内部電極層3に含有される導電材は、特に
限定されないが、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有
するため、卑金属を用いることができる。導電材として
用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好まし
い。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlか
ら選択される1種以上の元素とNiとの合金が好まし
く、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが
好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P,F
e,Mg等の各種微量成分が0.1重量%程度以下含ま
れていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適
宜決定すればよいが、通常、0.5〜5μm、特に1〜
2.5μm程度であることが好ましい。
The conductive material contained in the internal electrode layer 3 is not particularly limited, but a base metal can be used since the constituent material of the dielectric layer 2 has reduction resistance. As the base metal used as the conductive material, Ni or a Ni alloy is preferable. As the Ni alloy, an alloy of one or more elements selected from Mn, Cr, Co, and Al and Ni is preferable, and the Ni content in the alloy is preferably 95% by weight or more. In addition, P or F is contained in Ni or Ni alloy.
Various minor components such as e and Mg may be contained in an amount of about 0.1% by weight or less. The thickness of the internal electrode layer may be appropriately determined according to the application and the like, but is usually 0.5 to 5 μm, particularly 1 to 5 μm.
It is preferably about 2.5 μm.

【0051】外部電極4に含有される導電材は、特に限
定されないが、通常、CuやCu合金あるいはNiやN
i合金等を用いる。なお、AgやAg−Pd合金等も、
もちろん使用可能である。なお、本実施形態では、安価
なNi,Cuや、これらの合金を用いる。外部電極の厚
さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、1
0〜50μm程度であることが好ましい。
The conductive material contained in the external electrode 4 is not particularly limited, but is usually Cu or Cu alloy, Ni or N
An i alloy or the like is used. In addition, Ag, Ag-Pd alloy, etc.
Of course, it can be used. In the present embodiment, inexpensive Ni, Cu, or an alloy thereof is used. The thickness of the external electrode may be appropriately determined according to the application or the like.
It is preferably about 0 to 50 μm.

【0052】本発明の焼結助剤を有する誘電体磁器組成
物を用いた積層セラミックコンデンサ1は、従来の積層
セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常
の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、こ
れを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成す
ることにより製造される。以下、製造方法について具体
的に説明する。
The multilayer ceramic capacitor 1 using the dielectric porcelain composition having the sintering aid of the present invention can be formed into a green chip by a usual printing method or a sheet method using a paste, similarly to a conventional multilayer ceramic capacitor. It is manufactured by manufacturing and firing this, and then printing or transferring the external electrode and firing. Hereinafter, the manufacturing method will be specifically described.

【0053】まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電
体磁器組成物粉末を準備し、これを塗料化して、誘電体
層用ペーストを調整する。
First, a dielectric ceramic composition powder contained in the dielectric layer paste is prepared and made into a paint to prepare a dielectric layer paste.

【0054】誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機
ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水
系の塗料であってもよい。
The dielectric layer paste may be an organic paint obtained by kneading a dielectric material and an organic vehicle, or may be an aqueous paint.

【0055】誘電体原料には、前述した本発明に係る誘
電体磁器組成物の組成に応じ、主成分を構成する原料
と、第1〜4成分およびその他の成分を構成する原料と
が用いられる。
As the dielectric raw material, a raw material constituting the main component and a raw material constituting the first to fourth components and other components are used according to the composition of the above-described dielectric ceramic composition according to the present invention. .

【0056】主成分原料としては、Ti、Ba、Sr、
CaまたはZrの酸化物、および焼成によりTi、B
a、Sr、CaまたはZrの酸化物になる化合物が用い
られる。
As the main component materials, Ti, Ba, Sr,
Oxides of Ca or Zr, and Ti, B
A compound that becomes an oxide of a, Sr, Ca or Zr is used.

【0057】焼結助剤の第1成分原料としては、Li、
Na、K、Rb、CsまたはFrの酸化物、および焼成
によりLi、Na、K、Rb、CsまたはFrの酸化物
になる化合物が挙げられるが、安全性への配慮などか
ら、好ましくはLi、Na、Kが用いられる。本発明で
は、この第1成分原料を第2成分原料とともに含有させ
ることにより、焼結性の向上が図られる。ただし、第2
成分を必須成分として含有する本発明では、第1成分と
して、いずれかのアルカリ金属(Li、Na、K、R
b、CsまたはFr)の化合物を含有させることが好ま
しく、より好ましくはLiの酸化物を含有させる。Li
の酸化物を含有させることにより、焼結性がさらに向上
する。
As the first component raw material of the sintering aid, Li,
Examples include oxides of Na, K, Rb, Cs or Fr, and compounds that become oxides of Li, Na, K, Rb, Cs or Fr upon firing. From the viewpoint of safety, etc., preferably Li, Na and K are used. In the present invention, the sinterability is improved by including the first component material together with the second component material. However, the second
In the present invention containing a component as an essential component, any of alkali metals (Li, Na, K, R
It is preferable to contain a compound of b, Cs or Fr), more preferably an oxide of Li. Li
The sinterability is further improved by containing an oxide of

【0058】焼結助剤の第2成分原料としては、V、N
b、Ta、Cr、MoまたはWの酸化物、および焼成に
よりV、Nb、Ta、Cr、MoまたはWの酸化物にな
る化合物が用いられる。
As the second component raw material of the sintering aid, V, N
An oxide of b, Ta, Cr, Mo, or W and a compound that becomes an oxide of V, Nb, Ta, Cr, Mo, or W by firing are used.

【0059】焼結助剤の第3成分原料としては、Ba、
Ca、Sr、Mg、Mn、B、AlまたはZnの酸化
物、および焼成によりBa、Ca、Sr、Mg、Mn、
B、AlまたはZnの酸化物になる化合物が用いられ
る。
As the third component raw material of the sintering aid, Ba,
Oxides of Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al or Zn, and Ba, Ca, Sr, Mg, Mn,
A compound which becomes an oxide of B, Al or Zn is used.

【0060】焼結助剤の第4成分原料としては、Siの
酸化物、または焼成によりSiの酸化物になる化合物が
用いられる。
As the fourth component raw material of the sintering aid, an oxide of Si or a compound which becomes an oxide of Si by firing is used.

【0061】焼結助剤のその他の成分原料としては、
Y、Gd、Tb、Dy、SnまたはPの酸化物、および
焼成によりY、Gd、Tb、Dy、SnまたはPの酸化
物になる化合物が用いられる。
The other components of the sintering aid include:
An oxide of Y, Gd, Tb, Dy, Sn or P and a compound which becomes an oxide of Y, Gd, Tb, Dy, Sn or P by firing are used.

【0062】焼結助剤を構成する各成分原料は、その添
加形態は特に限定されないが、あらかじめ焼結助剤を配
合しておき、これを熱処理して溶融して化合物ガラス成
分とし、その後に粉砕したものを主成分原料に添加して
混合してもよい。
The raw materials of each component constituting the sintering aid are not particularly limited in the form of addition, but a sintering aid is previously blended, and this is heat-treated and melted to form a compound glass component. The pulverized material may be added to the main component material and mixed.

【0063】なお、焼成により酸化物になる化合物とし
ては、たとえば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金
属化合物などが挙げられる。もちろん、酸化物と、焼成
により酸化物になる化合物とを併用してもよい。誘電体
原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体
磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
The compound which becomes an oxide upon firing includes, for example, carbonates, nitrates, oxalates, and organometallic compounds. Of course, an oxide and a compound which becomes an oxide by firing may be used in combination. The content of each compound in the dielectric raw material may be determined so that the composition of the dielectric ceramic composition described above after firing is obtained.

【0064】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
0.0005〜5μm程度のものが用いられる。
These raw material powders usually have an average particle size of about 0.0005 to 5 μm.

【0065】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニ
ルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すれ
ばよい。また、このとき用いられる有機溶剤も特に限定
されず、印刷法やシート法等利用する方法に応じてテル
ピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン
等の有機溶剤から適宜選択すればよい。
The organic vehicle is obtained by dissolving a binder in an organic solvent, and the binder used for the organic vehicle is not particularly limited, and may be appropriately selected from ordinary various binders such as ethyl cellulose and polyvinyl butyral. In addition, the organic solvent used at this time is not particularly limited, and may be appropriately selected from organic solvents such as terpineol, butyl carbitol, acetone, and toluene depending on a method such as a printing method or a sheet method.

【0066】また、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
In the case where the dielectric layer paste is an aqueous paint, an aqueous vehicle in which a water-soluble binder or dispersant is dissolved in water may be kneaded with a dielectric material. The water-soluble binder used for the aqueous vehicle is not particularly limited, and for example, polyvinyl alcohol, cellulose, a water-soluble acrylic resin, or the like may be used.

【0067】内部電極用ペーストは、上述した各種導電
性金属や合金からなる導電材料あるいは焼成後に上述し
た導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、上述した有機ビヒクルとを混練して調製され
る。また、外部電極用ペーストも、この内部電極用ペー
ストと同様にして調製される。
The paste for an internal electrode is obtained by kneading the above-mentioned organic vehicle with the above-mentioned conductive material comprising various conductive metals or alloys or various oxides, organometallic compounds, resinates, etc. which become the above-mentioned conductive material after firing. It is prepared by The external electrode paste is also prepared in the same manner as the internal electrode paste.

【0068】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は、特に限定されず、通常の含有量、たとえば、バイ
ンダは1〜5重量%程度、溶剤は10〜50重量%程度
とすればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されても良い。これらの総含有量は、10重
量%以下とすることが好ましい。
The content of the organic vehicle in each of the above-mentioned pastes is not particularly limited, and may be a usual content, for example, about 1 to 5% by weight of a binder and about 10 to 50% by weight of a solvent. Each paste may contain additives selected from various dispersants, plasticizers, dielectrics, insulators, and the like, as necessary. The total content of these is preferably 10% by weight or less.

【0069】印刷法を用いる場合は、誘電体ペーストお
よび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート
等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断したのち基板
から剥離することでグリーンチップとする。これに対し
て、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用いて
グリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを
印刷したのちこれらを積層してグリーンチップとする。
そして、グリーンチップを脱バインダ処理および焼成す
る。
When the printing method is used, a dielectric chip and an internal electrode paste are laminated and printed on a substrate such as polyethylene terephthalate, cut into a predetermined shape, and then separated from the substrate to obtain a green chip. On the other hand, when the sheet method is used, a green sheet is formed using a dielectric paste, an internal electrode paste is printed thereon, and these are laminated to form a green chip.
Then, the green chip is subjected to binder removal processing and firing.

【0070】脱バインダ処理は、内部電極層ペースト中
の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電
材としてNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、脱バ
インダ雰囲気中の酸素分圧を10−45 〜10
aとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であ
ると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記
範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
The binder removal treatment may be appropriately determined according to the type of the conductive material in the internal electrode layer paste. When a base metal such as Ni or a Ni alloy is used as the conductive material, the oxygen content in the binder removal atmosphere is reduced. the pressure 10 -45 ~10 5 P
a is preferred. When the oxygen partial pressure is less than the above range, the binder removal effect decreases. When the oxygen partial pressure exceeds the above range, the internal electrode layer tends to be oxidized.

【0071】また、それ以外の脱バインダ条件として
は、昇温速度を好ましくは5〜300℃/時間、より好
ましくは10〜100℃/時間、保持温度を好ましくは
180〜400℃、より好ましくは200〜350℃、
温度保持時間を好ましくは0.5〜24時間、より好ま
しくは2〜20時間とする。また、焼成雰囲気は、空気
もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰
囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばNとH
との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
As other conditions for removing the binder, the rate of temperature rise is preferably 5 to 300 ° C./hour, more preferably 10 to 100 ° C./hour, and the holding temperature is preferably 180 to 400 ° C., more preferably 200-350 ° C,
The temperature holding time is preferably 0.5 to 24 hours, more preferably 2 to 20 hours. The firing atmosphere is preferably air or a reducing atmosphere. As the atmosphere gas in the reducing atmosphere, for example, N 2 and H 2 are used.
It is preferable to use a mixed gas of No. 2 and humidified gas.

【0072】グリーンチップの焼成雰囲気は、内部電極
層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば
よい。ただし、内部電極層用ペースト中の導電材にNi
やNi合金等の卑金属を用いる場合には、酸素分圧が好
ましくは10−10 〜10 −3Paの雰囲気で焼成を
行う。内部電極層の導電材に卑金属を用いる場合におい
て、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲未満であると内部
電極層の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまうこ
とがあり、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲を超えると
内部電極層が酸化する傾向にある。
The firing atmosphere of the green chip is the internal electrode
If properly determined according to the type of conductive material in the layer paste
Good. However, the conductive material in the internal electrode layer paste is Ni
When a base metal such as Ni or Ni alloy is used, oxygen partial pressure is preferable.
Preferably 10-10-10 -3Firing in Pa atmosphere
Do. When using a base metal as the conductive material of the internal electrode layer
If the oxygen partial pressure of the firing atmosphere is less than the above range, the internal
The conductive material of the electrode layer may break due to abnormal sintering.
When the oxygen partial pressure of the firing atmosphere exceeds the above range
The internal electrode layers tend to oxidize.

【0073】グリーンチップの焼成温度は、グリーンチ
ップの緻密化を十分に行え、しかも内部電極層の異常焼
結による電極の途切れ、内部電極層構成材料の拡散によ
る容量温度特性の悪化、あるいは誘電体磁器組成物の還
元が生じない範囲で適宜決定される。なぜなら、焼成温
度があまりに低いとグリーンチップが緻密せず、焼成温
度があまりに高いと内部電極が途切れたり、導電材の拡
散により容量温度特性が悪化したり、誘電体の還元が生
じてしまうからである。
The firing temperature of the green chip is sufficient to make the green chip denser, and the electrodes are interrupted due to abnormal sintering of the internal electrode layer, the capacitance-temperature characteristic is deteriorated due to diffusion of the internal electrode layer constituent material, or the dielectric material is heated. It is appropriately determined within a range where reduction of the porcelain composition does not occur. This is because if the firing temperature is too low, the green chip will not be dense, and if the firing temperature is too high, the internal electrodes will be interrupted, the capacity-temperature characteristics will deteriorate due to the diffusion of the conductive material, and the reduction of the dielectric will occur. is there.

【0074】従来、グリーンチップを十分に緻密化させ
るためには1300℃を超える温度で焼成する必要があ
ったが、本実施形態では、上述した低温焼結可能な焼結
助剤を含有していることから、好ましくは1300℃未
満、より好ましくは1260℃以下、さらに好ましくは
1180℃以下の低温で行うことができる。これによ
り、焼成炉の損傷を防止でき、保守や管理コスト、ひい
てはエネルギーコストをも効果的に抑制でき、しかもク
ラックの発生や比誘電率の低下などの不都合も防止しう
る。なお、焼成温度の下限は、好ましくは600℃程度
である。
Conventionally, in order to sufficiently densify the green chip, it was necessary to fire at a temperature exceeding 1300 ° C. In the present embodiment, the sintering agent capable of sintering at a low temperature as described above is contained. Therefore, the heat treatment can be performed at a low temperature of preferably less than 1300 ° C., more preferably 1260 ° C. or less, and further preferably 1180 ° C. or less. Accordingly, damage to the firing furnace can be prevented, maintenance and management costs, and thus energy costs can be effectively suppressed, and inconveniences such as generation of cracks and a decrease in relative permittivity can also be prevented. The lower limit of the firing temperature is preferably about 600 ° C.

【0075】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
好ましくは50〜500℃/時間、より好ましくは20
0〜300℃/時間、温度保持時間を好ましくは0.5
〜8時間、より好ましくは1〜3時間、冷却速度を好ま
しくは50〜500℃/時間、より好ましくは200〜
300℃/時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲
気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえ
ば、NとHとの混合ガスを加湿して用いること
が好ましい。
As other firing conditions, the heating rate is preferably 50 to 500 ° C./hour, more preferably 20 to 500 ° C./hour.
0 to 300 ° C./hour, the temperature holding time is preferably 0.5
-8 hours, more preferably 1-3 hours, the cooling rate is preferably 50-500 ° C./hour, more preferably 200-500 ° C./hour.
300 ° C./hour. The firing atmosphere is preferably a reducing atmosphere. As the atmosphere gas, for example, a mixed gas of N 2 and H 2 is preferably used after being humidified.

【0076】還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデン
サチップの焼結体(コンデンサ素子本体)にはアニール
を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化
するための処理であり、これによりIR寿命を著しく長
くすることができるので、信頼性が向上する。
When firing in a reducing atmosphere, it is preferable to anneal the sintered body of the capacitor chip (capacitor element body). Annealing is a process for re-oxidizing the dielectric layer, which can significantly increase the IR life, thereby improving reliability.

【0077】アニール雰囲気中の酸素分圧は、1×10
−4Pa以上、特に1×10−4〜10−1Paとする
ことが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電
体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電
極層が酸化する傾向にある。
The oxygen partial pressure in the annealing atmosphere is 1 × 10
-4 Pa or more, particularly preferably 1 × 10 −4 to 10 −1 Pa. When the oxygen partial pressure is less than the above range, it is difficult to reoxidize the dielectric layer, and when the oxygen partial pressure exceeds the above range, the internal electrode layer tends to be oxidized.

【0078】アニールの際の保持温度は、1200℃以
下、特に500〜1200℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、IRが低く、また、IR寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、I
Rの低下、IR寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。
The holding temperature at the time of annealing is preferably 1200 ° C. or less, particularly preferably 500 to 1200 ° C. If the holding temperature is lower than the above range, the oxidation of the dielectric layer becomes insufficient, so that the IR is low and the IR life tends to be short. On the other hand, when the holding temperature exceeds the above-mentioned range, not only the internal electrode layer is oxidized and the capacity is reduced, but also the internal electrode layer reacts with the dielectric substrate, so that the capacity-temperature characteristic deteriorates and I
A reduction in R and a reduction in IR life are likely to occur. Note that the annealing may include only the temperature increasing process and the temperature decreasing process. That is, the temperature holding time may be set to zero. In this case, the holding temperature is synonymous with the maximum temperature.

【0079】これ以外のアニール条件としては、温度保
持時間を好ましくは0〜20時間、より好ましくは2〜
10時間、冷却速度を好ましくは50〜500℃/時
間、より好ましくは100〜300℃/時間とする。ま
た、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿し
たNガス等を用いることが好ましい。
As other annealing conditions, the temperature holding time is preferably 0 to 20 hours, more preferably 2 to 20 hours.
For 10 hours, the cooling rate is preferably 50 to 500 ° C./hour, more preferably 100 to 300 ° C./hour. It is preferable to use, for example, humidified N 2 gas or the like as an atmosphere gas for annealing.

【0080】上記した脱バインダ処理、焼成およびアニ
ールにおいて、Nガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は5〜75℃程度が好ましい。
In the above-mentioned binder removal treatment, firing and annealing, for example, a wetter or the like may be used to humidify the N 2 gas or the mixed gas. in this case,
The water temperature is preferably about 5 to 75C.

【0081】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までNガスあ
るいは加湿したNガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びNガスあ
るいは加湿したNガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、N
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したNガス雰
囲気としてもよい。
The binder removal processing, firing and annealing are performed as follows.
It may be performed continuously or independently. When these are continuously performed, after removing the binder, the atmosphere is changed without cooling, and then the temperature is raised to the holding temperature at the time of firing, firing is performed, and then cooling is performed, and the temperature reaches the holding temperature of annealing. It is preferable to perform the annealing while changing the atmosphere. On the other hand, when performing these independently, at the time of firing, after raising the temperature under N 2 gas atmosphere with N 2 gas or wet to the holding temperature of the binder removal processing, further continuing the heating to change the atmosphere After cooling to the holding temperature at the time of annealing, it is preferable to change to an N 2 gas or humidified N 2 gas atmosphere again and continue cooling. In annealing, N 2
After the temperature is raised to the holding temperature in the gas atmosphere, the atmosphere may be changed, or the entire annealing process may be performed in a humidified N 2 gas atmosphere.

【0082】以上のようにして得られたコンデンサ焼成
体に、たとえば、バレル研磨やサンドブラストにより端
面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写し
て焼成し、外部電極4を形成する。外部電極用ペースト
の焼成条件は、たとえば、加湿した窒素ガスと水素ガス
との混合ガス中で600〜800℃にて10分〜1時間
程度とすることが好ましい。そして、必要に応じて外部
電極4の表面にメッキ等により被覆層(パッド層)を形
成する。
The fired capacitor body obtained as described above is subjected to end surface polishing by, for example, barrel polishing or sandblasting, and the external electrode paste is printed or transferred and fired to form the external electrode 4. The firing conditions for the external electrode paste are preferably, for example, about 10 minutes to 1 hour at 600 to 800 ° C. in a humidified mixed gas of nitrogen gas and hydrogen gas. Then, if necessary, a coating layer (pad layer) is formed on the surface of the external electrode 4 by plating or the like.

【0083】このようにして製造された本実施形態のセ
ラミックコンデンサ1は、はんだ付け等によってプリン
ト基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。
The ceramic capacitor 1 of the present embodiment manufactured as described above is mounted on a printed circuit board by soldering or the like, and is used for various electronic devices.

【0084】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments at all, and can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. Of course.

【0085】たとえば、上述した実施形態では、本発明
に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示
したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミッ
クコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成
物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも
良い。
For example, in the above-described embodiment, a multilayer ceramic capacitor has been exemplified as the electronic component according to the present invention. However, the electronic component according to the present invention is not limited to the multilayer ceramic capacitor, but may be a dielectric ceramic composition having the above composition. Any material may be used as long as it has a dielectric layer made of a material.

【0086】[0086]

【実施例】次に、本発明の実施形態をより具体化した実
施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、本
発明は、これらの実施例のみに限定されるものではな
い。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples which embody the embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited to only these examples.

【0087】実施例1 まず、最終的に、組成式{(Ca0.70
0.30)O−(Zr0.97Ti0.03
}で示される誘電体酸化物が得られるように各酸
化物や炭酸塩(CaCO、SrCO、ZrO
、TiO)を調合して主成分原料母材を得た。
Example 1 First, the composition formula {(Ca 0.70 S
r 0.30 ) O- (Zr 0.97 Ti 0.03 )
Each oxide or carbonate (CaCO 3 , SrCO 3 , ZrO) is obtained so as to obtain a dielectric oxide represented by O 2 }.
2 , TiO 2 ) to obtain a main component raw material base material.

【0088】次いで、得られた主成分原料母材に対し
て、予め作製しておいた焼結助剤:Li−W−(Ba,
Ca,Mn,Al)−Si−Oを、次に示す割合で添加
し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥することによって
誘電体原料(誘電体磁器組成物)を得た。Li−W−
(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加量は、母
材100モル%に対して表1に示す割合(5.13〜
7.98モル%)とした。なお、Li−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oは、次に示すようにして作
製した。まず、所定組成が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩、あるいは水酸化物など(たとえば、Li
O、NaO、WOなど)を調合した。次
に、これをボールミルで16時間湿式混合して粉砕後、
蒸発乾燥させた。得られた粉末を1000℃、空気中で
2時間焼成した。その後、微粉砕し、平均粒径が約1〜
2μm程度の粉末を得た。
Next, the sintering aid: Li-W- (Ba,
Ca, Mn, Al) -Si-O was added in the following ratio, wet-mixed in a ball mill, and dried to obtain a dielectric material (dielectric ceramic composition). Li-W-
The amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O added is shown in Table 1 with respect to 100 mol% of the base material (from 5.13 to 5.13).
7.98 mol%). In addition, Li-W- (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O was prepared as follows. First, oxides, carbonates, hydroxides, etc. of each component (for example, Li
2 O, Na 2 O, WO 3 etc.). Next, this was wet-mixed for 16 hours with a ball mill and pulverized.
Evaporated to dryness. The obtained powder was calcined in air at 1000 ° C. for 2 hours. Then, finely pulverized, the average particle size is about 1
A powder of about 2 μm was obtained.

【0089】次いで、得られた誘電体原料に対して、バ
インダとしてのポリビニルアルコールを0.6重量%と
なるように添加して、顆粒状になるようにバインダと誘
電体原料とを混合した。そして、この顆粒状の誘電体原
料を約0.3g秤量して、1.3トン/cmの圧力
で加圧して、直径12mm、厚さ0.7mmの円盤状成
形体を得た。
Next, to the obtained dielectric material, polyvinyl alcohol as a binder was added so as to be 0.6% by weight, and the binder and the dielectric material were mixed so as to be granulated. Then, about 0.3 g of the granular dielectric material was weighed and pressed at a pressure of 1.3 ton / cm 2 to obtain a disc-shaped molded body having a diameter of 12 mm and a thickness of 0.7 mm.

【0090】次いで、得られた円盤状成形体に、脱バイ
ンダ処理、焼成およびアニールを施して、直径約10m
m、厚さ約0.5mmの円盤状焼成体を得た。
Next, the obtained disc-shaped molded body was subjected to binder removal processing, firing and annealing to obtain a diameter of about 10 m.
m, a disc-shaped fired body having a thickness of about 0.5 mm was obtained.

【0091】脱バインダ処理は、昇温速度:300℃/
時間、保持温度:500℃、保持時間:2時間、雰囲
気:大気中、の条件で行った。
In the binder removal treatment, the temperature was raised at a rate of 300 ° C. /
Time, holding temperature: 500 ° C., holding time: 2 hours, atmosphere: in air.

【0092】焼成は、昇温速度:200℃/時間、保持
温度:表1に示す温度、保持時間:2時間、冷却速度:
300℃/時間、雰囲気:加湿したN+H混合
ガス雰囲気(酸素分圧:10−11 〜10−6
a)、の条件で行った。
The firing was performed at a rate of temperature rise: 200 ° C./hour, holding temperature: the temperature shown in Table 1, holding time: 2 hours, cooling rate:
300 ° C./hour, atmosphere: humidified N 2 + H 2 mixed gas atmosphere (oxygen partial pressure: 10 −11 to 10 −6 P)
a) The conditions were as follows.

【0093】アニールは、保持温度:1050℃、保持
時間:2時間、冷却速度:300℃/時間、雰囲気:窒
素ガス雰囲気、の条件で行った。なお、脱バインダー処
理および焼成の際の雰囲気ガスの加湿には、水温を35
℃としたウェッターを用いた。
The annealing was performed under the following conditions: holding temperature: 1050 ° C., holding time: 2 hours, cooling rate: 300 ° C./hour, atmosphere: nitrogen gas atmosphere. The humidification of the atmosphere gas at the time of the binder removal treatment and the firing is performed by setting the water temperature to 35.
C. using a wetter.

【0094】次いで、得られた円盤状焼成体の両面に、
In−Ga合金を塗布することで、φ6mmの電極を形
成し、円盤状サンプルを作製した。
Next, on both sides of the obtained disc-shaped fired body,
An electrode having a diameter of 6 mm was formed by applying an In-Ga alloy to prepare a disk-shaped sample.

【0095】実施例2 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、V−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oを
用い、その添加量を母材100モル%に対して表1に示
す割合(4.40モル%、4.37モル%)とした以外
は、実施例1と同様にして誘電体原料を得た。得られた
誘電体原料を用いて、実施例1と同様にして円盤状サン
プルを作製した。
Example 2 Instead of Li-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O, V- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O was used, and the amount added was A dielectric material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the ratio shown in Table 1 (4.40 mol%, 4.37 mol%) was used with respect to 100 mol% of the material. Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0096】実施例3 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、Li−Mo−(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oを用い、その添加量を母材100モル%に対して
表1に示す割合(4.51モル%、4.77モル%)と
した以外は、実施例1と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例1と同様にして円
盤状サンプルを作製した。
Example 3 Instead of Li-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O, Li-Mo- (Ba, Ca, Mn, Al) -S
Dielectric material was prepared in the same manner as in Example 1 except that i-O was used and the addition amount was set to the ratio shown in Table 1 (4.51 mol%, 4.77 mol%) with respect to 100 mol% of the base material. Raw material was obtained.
Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0097】実施例4 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、Na−Mo−(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oを用い、その添加量を母材100モル%に対して
表1に示す割合(4.68モル%)とした以外は、実施
例1と同様にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原
料を用いて、実施例1と同様にして円盤状サンプルを作
製した。
Example 4 Instead of Li-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O, Na-Mo- (Ba, Ca, Mn, Al) -S
A dielectric material was obtained in the same manner as in Example 1 except that i-O was used and the amount of addition was set to the ratio shown in Table 1 (4.68 mol%) with respect to 100 mol% of the base material. Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0098】比較例1 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、Li−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−O
を用い、その添加量を母材100モル%に対して表1に
示す割合(8.20モル%、12.20モル%)とした
以外は、実施例1と同様にして誘電体原料を得た。得ら
れた誘電体原料を用いて、実施例1と同様にして円盤状
サンプルを作製した。
Comparative Example 1 Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O was used instead of Li-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O.
And a dielectric material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of addition was set to the ratio shown in Table 1 (8.20 mol%, 12.20 mol%) with respect to 100 mol% of the base material. Was. Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0099】比較例2 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oを用
い、その添加量を母材100モル%に対して表1に示す
割合(4.20モル%)とした以外は、実施例1と同様
にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原料を用い
て、実施例1と同様にして円盤状サンプルを作製した。
Comparative Example 2 Instead of Li-W- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O, (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O was used, A dielectric material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the ratio shown in Table 1 (4.20 mol%) was used relative to the mol%. Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0100】比較例3 Li−W−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの代
わりに、(Mn,Al)−Oを用い、その添加量を母材
100モル%に対して表1に示す割合(1.40モル
%)とした以外は、実施例1と同様にして誘電体原料を
得た。得られた誘電体原料を用いて、実施例1と同様に
して円盤状サンプルを作製した。
Comparative Example 3 (Mn, Al) —O was used in place of Li—W— (Ba, Ca, Mn, Al) —Si—O, and the amount of addition was calculated based on 100 mol% of the base material. A dielectric material was obtained in the same manner as in Example 1 except that the ratio was 1.40 mol%. Using the obtained dielectric material, a disk-shaped sample was produced in the same manner as in Example 1.

【0101】上記実施例1〜4および比較例1〜3で得
られた円盤状サンプルを用いて、磁器特性(収縮率、密
度)、電気特性(比誘電率ε、絶縁抵抗IR、CR積、
誘電損失(tanδ))の特性評価を行った。結果を表
1〜2に示す。
Using the disk-shaped samples obtained in the above Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the porcelain characteristics (shrinkage ratio, density), the electrical characteristics (relative permittivity ε, insulation resistance IR, CR product,
The characteristics of dielectric loss (tan δ) were evaluated. The results are shown in Tables 1 and 2.

【0102】磁器特性(収縮率、密度)は、次のように
して評価した。円盤状サンプルの寸法と質量とから、磁
器密度を算出した。そして、基準密度(真密度=4.7
98g/cm)に対する相対密度を求めた。
The porcelain characteristics (shrinkage ratio, density) were evaluated as follows. The porcelain density was calculated from the dimensions and mass of the disk-shaped sample. Then, the reference density (true density = 4.7)
The relative density with respect to 98 g / cm 3 ) was determined.

【0103】評価として、相対密度は、好ましくは96
%(密度:4.6g/cm)以上、より好ましくは
98%(密度:4.7g/cm)以上を良好とし
た。
As an evaluation, the relative density is preferably 96
% (Density: 4.6 g / cm 3 ) or more, more preferably 98% (density: 4.7 g / cm 3 ) or more.

【0104】電気特性(比誘電率ε、絶縁抵抗IR、C
R積、誘電損失)は、次のようにして評価した。円盤状
サンプルに対し、基準温度25℃でデジタルLCRメー
タ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入
力信号レベル(測定電圧)1Vrmsの条件下で、静電
容量を測定した。そして、得られた静電容量と、円盤状
サンプルの電極寸法および電極間距離とから、比誘電率
(単位なし)を算出した。その後、絶縁抵抗計(アドバ
ンテスト社製R8340A)を用いて、25℃において
DC50Vを、円盤状サンプルに60秒間印加した後の
絶縁抵抗IRを測定し、この測定値と、円盤状サンプル
の電極面積および厚みとから、比抵抗ρ(単位はΩc
m)を計算で求めた。
Electric characteristics (relative permittivity ε, insulation resistance IR, C
R product, dielectric loss) were evaluated as follows. The capacitance of the disc-shaped sample was measured at a reference temperature of 25 ° C. using a digital LCR meter (4274A manufactured by YHP) under the conditions of a frequency of 1 kHz and an input signal level (measurement voltage) of 1 Vrms. Then, a relative dielectric constant (no unit) was calculated from the obtained capacitance, the electrode dimensions of the disk-shaped sample, and the distance between the electrodes. Thereafter, using a resistance meter (R8340A manufactured by Advantest Corporation), the insulation resistance IR after applying DC50V to the disc-shaped sample at 25 ° C. for 60 seconds was measured, and the measured value, the electrode area of the disc-shaped sample and From the thickness, the specific resistance ρ (unit is Ωc
m) was calculated.

【0105】CR積は、静電容量(C,μF)と、絶縁
抵抗(R,MΩ)との積で表した。
The CR product was represented by the product of the capacitance (C, μF) and the insulation resistance (R, MΩ).

【0106】誘電損失(tanδ)は、125℃におい
て、デジタルLCRメータ(YHP社製4274A)に
て、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1V
rmsの条件下で測定した。
The dielectric loss (tan δ) was measured at 125 ° C. with a digital LCR meter (4274A manufactured by YHP) at a frequency of 1 kHz and an input signal level (measured voltage) of 1 V.
It was measured under rms conditions.

【0107】評価として、比誘電率εは、小型で高誘電
率のコンデンサを作成するために重要な特性であり、好
ましくは30以上を良好とした。絶縁抵抗IRは、好ま
しくは2×1014Ωcm以上を良好とした。CR積
は、好ましくは500MΩ・μF以上を良好、さらに好
ましくは2000MΩ・μF以上を良好とした。誘電損
失は、好ましくは1%未満を良好、さらに好ましくは
0.5%未満を良好とした。
As an evaluation, the relative dielectric constant ε is an important characteristic for producing a small-sized capacitor having a high dielectric constant. The insulation resistance IR is preferably 2 × 10 14 Ωcm or more. The CR product is preferably 500 MΩ · μF or more, more preferably 2000 MΩ · μF or more. The dielectric loss was preferably less than 1%, and more preferably less than 0.5%.

【0108】なお、これらの特性値は、円盤状サンプル
数n=10個を用いて測定した値の平均値から求めた。
These characteristic values were determined from the average of the values measured using n = 10 disk samples.

【0109】[0109]

【表1】 [Table 1]

【0110】[0110]

【表2】 [Table 2]

【0111】表1〜2中、絶縁抵抗IRの数値におい
て、「mE+n」は「m×10+n」を意味する。
In Tables 1 and 2, “mE + n” means “m × 10 + n ” in the numerical value of the insulation resistance IR.

【0112】表1〜2に示すように、まず、焼結助剤の
添加量に関し、実施例1〜4(試料35〜66)では、
比較例1(試料21〜28)と比較して、少量の添加量
で焼結できることが確認できた。また、焼成温度に関
し、実施例1〜4では、比較例2〜3(試料29〜3
4)と比較して、低い温度で焼成できることも確認でき
た。さらに、電気特性に関し、実施例1,4では、比較
例1と比較して誘電損失が向上し、CR積が向上するこ
とが確認できた。実施例2〜3では、比較例1と比較し
て誘電損失が向上し、CR積が同程度か、向上すること
が確認できた。
As shown in Tables 1 and 2, first, with respect to the addition amount of the sintering aid, in Examples 1 to 4 (Samples 35 to 66),
It was confirmed that sintering was possible with a small amount of addition as compared with Comparative Example 1 (samples 21 to 28). Regarding the firing temperature, in Examples 1-4, Comparative Examples 2-3 (Samples 29-3
It was also confirmed that firing could be performed at a lower temperature than in 4). Further, with respect to the electrical characteristics, it was confirmed that in Examples 1 and 4, the dielectric loss was improved and the CR product was improved as compared with Comparative Example 1. In Examples 2 and 3, it was confirmed that the dielectric loss was improved and the CR product was about the same or improved as compared with Comparative Example 1.

【0113】すなわち、実施例1〜4では、本発明の焼
結助剤を添加していることから、少ない添加量で、しか
も1300℃未満、好ましくは1260℃以下、より好
ましくは1180℃以下の低温で焼成しても、電気特性
を維持しながら、チップを十分に緻密化させることがで
きた。また、実施例1〜4では、誘電率を悪化させるこ
となく絶縁抵抗が改善できるため、CR積を向上でき、
さらには誘電損失も改善できた。特に実施例1では、C
R積の向上が顕著である。
That is, in Examples 1 to 4, since the sintering aid of the present invention was added, the amount of addition was small, and it was less than 1300 ° C., preferably 1260 ° C. or less, more preferably 1180 ° C. or less. Even when fired at a low temperature, the chips could be sufficiently densified while maintaining the electrical characteristics. Further, in Examples 1 to 4, since the insulation resistance can be improved without deteriorating the dielectric constant, the CR product can be improved,
Furthermore, the dielectric loss was also improved. In particular, in Example 1, C
The improvement of the R product is remarkable.

【0114】実施例5 実施例1、比較例1および比較例2の円盤状サンプルを
用いて、焼成温度と密度との関係(図3参照)と、焼成
温度と比抵抗との関係(図4参照)と、焼成温度と誘電
率との関係(図5参照)と、焼成温度とCR積との関係
(図6参照)とを評価した。また、実施例1の試料42
と、比較例2の試料31の円盤状サンプルを用いて、温
度と誘電損失との関係(図7参照)を評価した。
Example 5 Using the disc-shaped samples of Example 1, Comparative Examples 1 and 2, the relationship between the firing temperature and the density (see FIG. 3) and the relationship between the firing temperature and the specific resistance (FIG. 4) ), The relationship between the firing temperature and the dielectric constant (see FIG. 5), and the relationship between the firing temperature and the CR product (see FIG. 6). In addition, the sample 42 of Example 1
And the disk-shaped sample 31 of Comparative Example 2 was used to evaluate the relationship between temperature and dielectric loss (see FIG. 7).

【0115】実施例6 実施例3の試料61と、比較例2の試料31の円盤状サ
ンプルを用いて、温度と誘電損失との関係(図8参照)
を評価した。
Example 6 Using the sample 61 of Example 3 and the disc-shaped sample of Sample 31 of Comparative Example 2, the relationship between temperature and dielectric loss (see FIG. 8).
Was evaluated.

【0116】比較例4 比較例1の試料22と、比較例2の試料31の円盤状サ
ンプルを用いて、温度と誘電損失との関係(図9参照)
を評価した。
Comparative Example 4 Relationship between Temperature and Dielectric Loss Using Sample 22 of Comparative Example 1 and Disk Sample of Sample 31 of Comparative Example 2 (see FIG. 9)
Was evaluated.

【0117】密度については、図3に示すように、実施
例1のサンプルでは、本発明の焼結助剤を添加している
ので、1300℃未満の低温で焼成しても、相対密度の
変化が小さく、緻密化したチップを得ることができるこ
とが確認できた。
Regarding the density, as shown in FIG. 3, in the sample of Example 1, the sintering aid of the present invention was added. Was small, and it was confirmed that a dense chip could be obtained.

【0118】比抵抗、誘電率およびCR積については、
図4〜6に示すように、実施例1のサンプルでは、本発
明の焼結助剤を添加しているので、1300℃未満の低
温で焼成しても、十分な値が得られることが確認でき
た。
Regarding specific resistance, permittivity and CR product,
As shown in FIGS. 4 to 6, in the sample of Example 1, since the sintering aid of the present invention was added, it was confirmed that sufficient values could be obtained even when firing at a low temperature of less than 1300 ° C. did it.

【0119】誘電損失については、図7〜9に示すよう
に、実施例1,3のサンプルでは、本発明の焼結助剤を
添加しているので、1300℃未満の低温で焼成して
も、十分な値が得られることが確認できた。
Regarding the dielectric loss, as shown in FIGS. 7 to 9, in the samples of Examples 1 and 3, the sintering aid of the present invention was added. It was confirmed that sufficient values could be obtained.

【0120】[0120]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、低温で焼成しても各種電気特性(比誘電率、絶縁抵
抗、CR積、誘電損失など)を損なうことなく緻密化し
た誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤が提供
される。
As described above, according to the present invention, even when fired at a low temperature, the dielectric material is densified without impairing various electric characteristics (such as relative dielectric constant, insulation resistance, CR product, and dielectric loss). A sintering aid capable of obtaining a body porcelain composition is provided.

【0121】本発明の焼結助剤は、電子部品の一例であ
る積層型セラミックコンデンサの誘電体層などに用いら
れる誘電体磁器組成物を製造する際して、好適に用いる
ことができる。
The sintering aid of the present invention can be suitably used when producing a dielectric ceramic composition used for a dielectric layer of a multilayer ceramic capacitor as an example of an electronic component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図2は本発明の焼結助剤の組成比を示す三角
組成図である。
FIG. 2 is a triangular composition diagram showing a composition ratio of a sintering aid of the present invention.

【図3】 図3は実施例1に係るLi−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例1に係
るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例2に係る(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oの添加量とを変化させた場合における焼成温度と
密度との関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a diagram showing Li-W- (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O, the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 1, and the amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -S
It is a graph which shows the relationship between baking temperature and density at the time of changing the amount of addition of i-O.

【図4】 図4は実施例1に係るLi−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例1に係
るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例2に係る(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oの添加量とを変化させた場合における焼成温度と
比抵抗との関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a diagram showing Li-W- (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O, the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 1, and the amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -S
It is a graph which shows the relationship between the firing temperature and the specific resistance when the amount of i-O added is changed.

【図5】 図5は実施例1に係るLi−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例1に係
るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例2に係る(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oの添加量とを変化させた場合における焼成温度と
誘電率との関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a diagram showing Li-W- (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O, the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 1, and the amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -S
4 is a graph showing the relationship between the firing temperature and the dielectric constant when the amount of i-O added is changed.

【図6】 図6は実施例1に係るLi−W−(Ba,C
a,Mn,Al)−Si−Oの添加量と、比較例1に係
るLi−(Ba,Ca,Mn,Al)−Si−Oの添加
量と、比較例2に係る(Ba,Ca,Mn,Al)−S
i−Oの添加量とを変化させた場合における焼成温度と
CR積との関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a diagram showing Li-W- (Ba, C
a, Mn, Al) -Si-O, the amount of Li- (Ba, Ca, Mn, Al) -Si-O according to Comparative Example 1, and the amount of (Ba, Ca, Mn, Al) -S
It is a graph which shows the relationship between the calcination temperature and CR product when the addition amount of i-O is changed.

【図7】 図7は実施例1の試料42と、比較例2の試
料31とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラフ
である。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between temperature and dielectric loss in Sample 42 of Example 1 and Sample 31 of Comparative Example 2.

【図8】 図8は実施例3の試料61と、比較例2の試
料31とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラフ
である。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between temperature and dielectric loss in Sample 61 of Example 3 and Sample 31 of Comparative Example 2.

【図9】 図9は比較例1の試料22と、比較例2の試
料31とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラフ
である。
FIG. 9 is a graph showing the relationship between temperature and dielectric loss in Sample 22 of Comparative Example 1 and Sample 31 of Comparative Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1… 積層セラミックコンデンサ 10… コンデンサ素子本体 2… 誘電体層 3… 内部電極層 4… 外部電極 REFERENCE SIGNS LIST 1 multilayer ceramic capacitor 10 capacitor element body 2 dielectric layer 3 internal electrode layer 4 external electrode

フロントページの続き (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 Fターム(参考) 4G030 AA02 AA07 AA08 AA09 AA10 AA15 AA19 AA23 AA24 AA25 AA32 AA35 AA36 AA37 BA09 GA01 GA10 GA15 GA23 4G031 AA04 AA05 AA11 AA12 BA09 GA04 GA07 GA11 5E001 AE02 AE03 AH09 AJ02 5G303 AA01 AB15 BA12 CA01 CB01 CB02 CB04 CB06 CB10 CB11 CB14 CB16 CB17 CB18 CB20 CB21 CB24 CB30 CB31 CB33 CB34 CB35 CB36 CB37 CB38 CB39 CB41 CB42 CB43 CD01 CD04 DA05 Continuation of the front page (72) Inventor Takeshi Nomura 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo F-term in TDK Corporation (reference) 4G030 AA02 AA07 AA08 AA09 AA10 AA15 AA19 AA23 AA24 AA25 AA32 AA35 AA36 AA37 BA09 GA01 GA10 GA15 GA23 4G031 AA04 AA05 AA11 AA12 BA09 GA04 GA07 GA11 5E001 AE02 AE03 AH09 AJ02 5G303 AA01 AB15 BA12 CA01 CB01 CB02 CB04 CB06 CB10 CB11 CB14 CB16 CB17 CB18 CB31 CB30 CB31 CB30 CB31 CB30 CB21 CB24

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 M1の化合物(ただし、M1はアルカリ
金属の少なくとも一つ)を含む第1成分と、 M2の化合物(ただし、M2はV族元素およびVI族元
素)を含む第2成分と、 M3の化合物(ただし、M3はBa、Ca、Sr、M
g、Mn、B、AlおよびZnから選ばれる少なくとも
1つ)を含む第3成分と、 Siの酸化物、または焼成によりSiの酸化物になる化
合物を含む第4成分とを有する焼結助剤であって、 これら第1成分〜第4成分の組成比:(第1,第2,第
3,第4)を、点A:(100,0,0,0)、点B:
(0,100,0,0)、点C:(0,0,100,
0)および点D:(0,0,0,100)で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点A、点
Cおよび点Dで囲まれるACD面(第2成分=0の組
成)上を除く領域を満たすことを特徴とする焼結助剤。
1. A first component containing a compound of M1 (where M1 is at least one of alkali metals); a second component containing a compound of M2 (where M2 is a group V element and a group VI element); Compound of M3 (where M3 is Ba, Ca, Sr, M
g, Mn, B, at least one selected from Al and Zn), and a sintering aid having a fourth component containing an oxide of Si or a compound that becomes an oxide of Si by firing. The composition ratio of these first to fourth components: (first, second, third, and fourth) is calculated as follows: Point A: (100, 0, 0, 0), Point B:
(0,100,0,0), point C: (0,0,100,
0) and point D: When represented by a tetrahedral composition diagram represented by (0, 0, 0, 100), the composition ratio is determined by the ACD plane (second plane) surrounded by points A, C, and D. A sintering aid characterized by filling a region excluding the above (component = 0 composition).
【請求項2】 前記組成比が、前記ACD面の他に、さ
らに前記点A、点Bおよび点Cで囲まれるABC面(第
4成分=0の組成)上を除く領域を満たすことを特徴と
する請求項1に記載の焼結助剤。
2. The method according to claim 1, wherein the composition ratio satisfies, in addition to the ACD plane, a region excluding an ABC plane (composition of a fourth component = 0) surrounded by the points A, B, and C. The sintering aid according to claim 1, wherein
【請求項3】 前記M1の化合物が、いずれかのアルカ
リ金属の酸化物を含む請求項1または2に記載の焼結助
剤。
3. The sintering aid according to claim 1, wherein the compound of M1 contains an oxide of any one of alkali metals.
【請求項4】 前記M1の化合物が、Liの酸化物を含
む請求項3に記載の焼結助剤。
4. The sintering aid according to claim 3, wherein the compound of M1 contains an oxide of Li.
【請求項5】 第2成分と、 第1成分、第3成分および第4成分の少なくとも一つの
成分とを有する焼結助剤であって、 前記第1成分が、M1の化合物(ただし、M1はアルカ
リ金属の少なくとも一つ)を含み、 前記第2成分が、M2の化合物(ただし、M2はV族元
素およびVI族元素)を含み、 前記第3成分が、M3の化合物(ただし、M3はBa、
Ca、Sr、Mg、Mn、B、AlおよびZnから選ば
れる少なくとも1つ)を含み、 前記第4成分が、Siの酸化物、または焼成によりSi
の酸化物になる化合物を含む焼結助剤。
5. A sintering aid comprising a second component and at least one of a first component, a third component and a fourth component, wherein the first component is a compound of M1 (where M1 Contains at least one of alkali metals), the second component contains a compound of M2 (where M2 is a Group V element and a Group VI element), and the third component contains a compound of M3 (where M3 is Ba,
At least one selected from Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al and Zn), wherein the fourth component is an oxide of Si or Si by firing.
A sintering aid containing a compound that becomes an oxide of sintering.
【請求項6】 M2の化合物(ただし、M2はV族元素
およびVI族元素)を含む第2成分を有する焼結助剤。
6. A sintering aid having a second component containing a compound of M2 (where M2 is a Group V element and a Group VI element).
【請求項7】 前記M2の化合物が、Vの酸化物、Mo
の酸化物、およびWの酸化物から選ばれる少なくとも1
つを含む請求項1〜6のいずれかに記載の焼結助剤。
7. The compound of M2 is an oxide of V, Mo
At least one selected from oxides of
The sintering aid according to claim 1, comprising:
【請求項8】 前記M2の化合物が、Vの酸化物、Mo
の酸化物、およびWの酸化物から選ばれる少なくとも2
つを含む請求項7に記載の焼結助剤。
8. The compound of M2 is an oxide of V, Mo
At least 2 selected from oxides of
The sintering aid according to claim 7, comprising:
【請求項9】 M1の化合物(ただし、M1はアルカリ
金属の少なくとも一つ)を含む第1成分をさらに有する
請求項6〜8のいずれかに記載の焼結助剤。
9. The sintering aid according to claim 6, further comprising a first component containing a compound of M1 (where M1 is at least one of alkali metals).
【請求項10】 M3の化合物(ただし、M3はBa、
Ca、Sr、Mg、Mn、B、AlおよびZnから選ば
れる少なくとも1つ)を含む第3成分をさらに有する請
求項6〜9のいずれかに記載の焼結助剤。
10. A compound of M3 (where M3 is Ba,
The sintering aid according to any one of claims 6 to 9, further comprising a third component containing at least one selected from Ca, Sr, Mg, Mn, B, Al, and Zn).
【請求項11】 Siの酸化物、または焼成によりSi
の酸化物になる化合物を含む第4成分をさらに有する請
求項6〜10のいずれかに記載の焼結助剤。
11. An oxide of Si or, after firing, Si oxide
The sintering aid according to any one of claims 6 to 10, further comprising a fourth component containing a compound that becomes an oxide.
【請求項12】 融点が1200℃以下である請求項1
〜11のいずれかに記載の焼結助剤。
12. The method according to claim 1, wherein the melting point is 1200 ° C. or less.
12. The sintering aid according to any one of items 1 to 11.
JP2001148206A 2001-05-17 2001-05-17 Sintering assistant Pending JP2002338333A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001148206A JP2002338333A (en) 2001-05-17 2001-05-17 Sintering assistant

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001148206A JP2002338333A (en) 2001-05-17 2001-05-17 Sintering assistant

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002338333A true JP2002338333A (en) 2002-11-27

Family

ID=18993575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001148206A Pending JP2002338333A (en) 2001-05-17 2001-05-17 Sintering assistant

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002338333A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007001823A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Tdk Corp Sintering aid, method for production of dielectric ceramic composition, and method for production of electronic component

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0114682B2 (en) * 1982-03-17 1989-03-14 Mitsubishi Electric Corp
JPH08119734A (en) * 1994-10-28 1996-05-14 Taiyo Yuden Co Ltd Dielectric ceramic composition
JPH10335169A (en) * 1997-03-31 1998-12-18 Tdk Corp Unreducing dielectric porcelain material
JPH1112032A (en) * 1997-06-25 1999-01-19 Kyocera Corp Dielectric ceramic composition and laminate
JP2000264729A (en) * 1999-01-14 2000-09-26 Tdk Corp Dielectric composition and ceramic capacitor using same
JP2001097772A (en) * 1999-09-30 2001-04-10 Tdk Corp Dielectric porcelain composition, electronic part and method for producing the same
JP2001143341A (en) * 1999-11-17 2001-05-25 Aiwa Co Ltd Cartridge loading device, and recording and reproducing device
JP2002338332A (en) * 2001-05-17 2002-11-27 Tdk Corp Sintering assistant
JP3417930B2 (en) * 2000-03-30 2003-06-16 ティーディーケイ株式会社 Method for producing dielectric porcelain composition and method for producing electronic component
JP3568030B2 (en) * 1999-02-26 2004-09-22 Tdk株式会社 Method for producing dielectric ceramic composition and method for producing electronic component containing dielectric layer
JP3794562B2 (en) * 1999-11-01 2006-07-05 Tdk株式会社 Multilayer ceramic electronic components

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0114682B2 (en) * 1982-03-17 1989-03-14 Mitsubishi Electric Corp
JPH08119734A (en) * 1994-10-28 1996-05-14 Taiyo Yuden Co Ltd Dielectric ceramic composition
JPH10335169A (en) * 1997-03-31 1998-12-18 Tdk Corp Unreducing dielectric porcelain material
JPH1112032A (en) * 1997-06-25 1999-01-19 Kyocera Corp Dielectric ceramic composition and laminate
JP2000264729A (en) * 1999-01-14 2000-09-26 Tdk Corp Dielectric composition and ceramic capacitor using same
JP3568030B2 (en) * 1999-02-26 2004-09-22 Tdk株式会社 Method for producing dielectric ceramic composition and method for producing electronic component containing dielectric layer
JP2001097772A (en) * 1999-09-30 2001-04-10 Tdk Corp Dielectric porcelain composition, electronic part and method for producing the same
JP3794562B2 (en) * 1999-11-01 2006-07-05 Tdk株式会社 Multilayer ceramic electronic components
JP2001143341A (en) * 1999-11-17 2001-05-25 Aiwa Co Ltd Cartridge loading device, and recording and reproducing device
JP3417930B2 (en) * 2000-03-30 2003-06-16 ティーディーケイ株式会社 Method for producing dielectric porcelain composition and method for producing electronic component
JP2002338332A (en) * 2001-05-17 2002-11-27 Tdk Corp Sintering assistant

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007001823A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Tdk Corp Sintering aid, method for production of dielectric ceramic composition, and method for production of electronic component

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3568030B2 (en) Method for producing dielectric ceramic composition and method for producing electronic component containing dielectric layer
JP4821357B2 (en) Electronic component, dielectric ceramic composition and method for producing the same
JP4635928B2 (en) Multilayer electronic component and manufacturing method thereof
JP3878778B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP4967965B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP3326513B2 (en) Multilayer ceramic chip capacitors
JP6753221B2 (en) Dielectric composition and laminated electronic components
JP4396608B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP2006282483A (en) Electronic component, dielectric ceramic composition, and method for producing the same
JP4461679B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP6089770B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP4403705B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JPH0684692A (en) Multilayer ceramic chip capacitor
JP4576807B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP2007273684A (en) Manufacturing method of laminated electronic component
JP4951896B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component
JP2001097772A (en) Dielectric porcelain composition, electronic part and method for producing the same
JP3908458B2 (en) Method for producing dielectric ceramic composition
JP5167579B2 (en) Dielectric ceramic composition and electronic component
JP4098224B2 (en) DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THEM
JP4387990B2 (en) Dielectric ceramic composition and electronic component
JP3389220B2 (en) Dielectric porcelain composition, electronic component and method for producing electronic component
JP4547945B2 (en) Electronic component, dielectric ceramic composition and method for producing the same
JPH06342735A (en) Laminated type ceramic chip capacitor
JP4487476B2 (en) Dielectric porcelain composition and electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090630

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091020

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100316