JP2002303988A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

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JP2002303988A
JP2002303988A JP2001104208A JP2001104208A JP2002303988A JP 2002303988 A JP2002303988 A JP 2002303988A JP 2001104208 A JP2001104208 A JP 2001104208A JP 2001104208 A JP2001104208 A JP 2001104208A JP 2002303988 A JP2002303988 A JP 2002303988A
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light
light emitting
light source
exposure apparatus
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Application number
JP2001104208A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Kobayashi
Toshio Nishida
Hisao Saito
小林  直樹
久夫 斎藤
敏夫 西田
Original Assignee
Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt>
日本電信電話株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device capable of exposing a large-area surface by using ultraviolet rays having uniform illuminance.
SOLUTION: This exposure device is equipped with an exciting light source constituted by arraying a plurality of nitride semiconductor light emitting diodes 1 whose each light emission peak wavelength is 200 nm to 450 nm.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外光源を利用する露光装置に関する。 The present invention relates to relates to an exposure apparatus that uses ultraviolet light source.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、紫外光源を利用する露光装置においては、励起光源として金属ガスや希ガス等を用いた放電管や、ガスもしくは個体レーザが使用されてきた。 Conventionally, in an exposure apparatus using ultraviolet light source, a discharge tube and using a metal gas or a rare gas such as an excitation light source, gas or solid lasers have been used.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の紫外光源では、均一性の良い面光源とすることが困難であり、照度を均一にするために大面積の光学レンズが使用されてきた。 In conventional ultraviolet light source described above [0005] are difficult to uniformity good surface light source, an optical lens having a large area have been used in order to equalize the illumination intensity. しかし、収差の少ない大型レンズを作製することは困難であること、また、紫外光源の効率が低いために大出力化するための熱設計が困難になること等の理由から、露光面積は小さく、そのため、繰り返し(ステップ アンド リピート)の露光によって、大面積の露光を行なってきた。 However, it is difficult to produce a less large lens aberration, also for reasons such as that the thermal design for large output power due to the low efficiency of the ultraviolet light source is difficult, the exposure area is small, Therefore, the exposure of the repeating (step and repeat), have carried out exposure of a large area. この方法は、光学的な分解能を高く保ったまま、大きな基板を露光することができるという利点があるが、露光回数が多数回に及ぶ。 This method, while maintaining a high optical resolution, there is an advantage that it is possible to expose a large substrate, the exposure times spans multiple. そのため、その度毎に位置合わせを必要とし、スループットが低くなるという問題があった。 Therefore, require alignment for respective time, throughput is disadvantageously lowered. また、その間、光源を動作させておくためにエネルギー消費量が大きかった。 Further, while the energy consumption is large in order to keep operating the light source.

【0004】また、これらの放電を利用する光源では、 [0004] In the light source utilizing these discharge,
その電源として高い電圧と大電力を要する、寸法が大きい、重量が重い、安定化までの立ち上げ時間が長い、放電により長期的に劣化があるために光出力の較正を頻繁に行なう必要がある、集光するために大きな空間を必要とする等の問題があった。 It requires high voltage and high power as its power supply, large size, heavy weight, long start-up time to stabilize, long-term need to frequently perform the calibration of the light output due to the deterioration due to the discharge , there is a problem such that requires a large space for condensing.

【0005】さらに、所要の紫外光以外に熱エネルギーを有する波長の長い光が多く含まれているために、試料を加熱してしまう問題があった。 Furthermore, because it contains many long optical wavelengths having a heat energy in addition to the required ultraviolet light, there is a problem that heating the sample. このため、試料・マスク等を光源から分離して配置するために、光源だけでなく、露光装置自体が極めて大きくなるという問題があった。 Therefore, in order to place the sample mask or the like is separated from the light source, as well as a light source, there is a problem that the exposure apparatus itself becomes extremely large. このような熱設計を行なう際には、熱線フィルターを用いたり、冷却ファンを用いたりすることが多いが、 In performing such thermal designs, or using a hot wire filter, it is often or using a cooling fan,
このため、例え光学的な集光系をコンパクトに設計できる場合でも装置全体の大きさは、光源並びに光学系の熱制御に必要となる大きなサイズになるとともに、冷却ファンの動作によって生じる振動が微細パタンを作製する際の障害となる。 Therefore, the size of the entire device, even if that can be designed compact optical light collection systems for example, with a big size required to heat control of the light source and the optical system, vibration fine caused by operation of the cooling fan become an obstacle to making the pattern. また、特に熱線フィルターを用いる場合は、必要とする励起用の紫外光まで減衰してしまうことや、熱線フィルターの固定部からの熱の回り込みを防ぐことが困難であるという問題が避けがたかった。 Also, especially if using a hot wire filter, and it decays to ultraviolet light for excitation in need, a problem that it is difficult to prevent wraparound heat from the fixed portion of the heat ray filter was Gataka' avoided .

【0006】近年、大型ディスプレイをはじめとして、 [0006] In recent years, including the large display,
光・電子デバイスの大面積化が進み、その有用性が明らかになるにつれて、一層の大面積化が期待されている。 As advances have a large area of ​​the optoelectronic device, its utility will become apparent, it is expected further large area.
しかしながら、例えばメーターサイズの面の露光を行なうため、均一な照度の紫外線を従来技術によって得ることは困難であった。 However, for example, to perform the exposure of the surface of the meter size, ultraviolet radiation uniform illumination has been difficult to obtain by conventional techniques.

【0007】本発明の目的は、均一な照度の紫外線を用いて大面積の面の露光を行なうことができる露光装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of exposure of the surface of a large area by using the ultraviolet ray having a uniform illuminance.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、発光ピーク波長が200nm In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION The exposure apparatus of the present invention, the emission peak wavelength of 200nm
〜450nmの窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする。 Characterized by comprising a pumping light source configured by arranging a plurality nitride semiconductor light emitting diode of 450nm.

【0009】また、本発明の露光装置は、発光ピーク波長が350nm〜370nmの上記窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする。 Further, the exposure apparatus of the present invention is characterized in that emission peak wavelength with a pumping light source configured by arranging a plurality of the above nitride semiconductor light emitting diode 350Nm~370nm.

【0010】さらに、本発明の露光装置は、発光ピーク波長が420nm〜440nmのInGaNからなる活性層(発光層)を有する上記窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする。 Furthermore, the exposure apparatus of the present invention, comprising a pumping light source configured by arranging a plurality of the above nitride semiconductor light emitting diode having an active layer emission peak wavelength made of InGaN of 420Nm~440nm (light emitting layer) it is characterized in.

【0011】本発明では、上記の構成により、均一な照度の紫外線を用いて大面積の面の露光を行なうことができる露光装置を実現することができる。 In the present invention, by the above configuration, it is possible to realize an exposure apparatus capable of exposure of the surface of a large area by using the ultraviolet ray having a uniform illuminance.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施の形態について詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described in detail embodiments of the present invention with reference to the drawings. なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 In the drawings described below, components having the same functions are given same symbols and their repeated explanation is omitted.

【0013】実施の形態1 図1は本発明の実施の形態1の露光装置の概略構成を示す図である。 [0013] Embodiment 1 FIG. 1 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【0014】1は発光ピーク波長が約360nmの紫外発光ダイオードである。 [0014] 1 is a UV light emitting diode peak emission wavelength of about 360 nm. このような発光ダイオードの発光波長は本出願人、本発明者らによる特願2000−2 Emission wavelength the applicant of such a light-emitting diode, Japanese Patent Application by the present inventors 2000-2
4660号に記載されたような構造の窒化物半導体発光ダイオードにより実現できる。 It can be realized by a nitride semiconductor light emitting diode having a structure as described in JP 4660. 例えば、n型SiC基板上に、n型AlGaN層、AlGaN多重量子井戸発光層、p型AlGaN層、p型GaNコンタクト層を積層し、n型SiC基板に負電極を設け、p型GaNコンタクト層上に正電極を設けた発光ダイオード素子である。 For example, the n-type SiC substrate, n-type AlGaN layer, AlGaN multiple quantum well light emitting layer, p-type AlGaN layer, by laminating a p-type GaN contact layer, a negative electrode provided on the n-type SiC substrate, p-type GaN contact layer a light-emitting diode device having a positive electrode thereon.
発光部は、AlGaN多重量子井戸発光層からなり、例えばAl組成5%、In組成1%未満の量子井戸層と、 Emitting portion, and the AlGaN becomes a multiple quantum well emission layer, for example, the Al composition 5%, an In composition less than 1% of the quantum well layer,
Al組成15%、In組成1%未満の障壁層からなり、 Al composition of 15%, consists of a barrier layer having an In composition less than 1%,
ピーク発光波長は360nmである。 Peak emission wavelength is 360 nm. このように量子井戸層のAl組成を減少させたり、あるいは量子井戸層の厚さを厚くすることにより、原理的には概ね200nm Thus or reduce the Al composition of the quantum well layer, or by increasing the thickness of the quantum well layer, generally 200nm in principle
〜450nmの発光波長が実現可能である。 Emission wavelength of ~450nm is feasible. また、ホウ素(B)を発光部に添加することにより、発振波長の下限を220nm〜200nm程度まで落すことが可能である。 Furthermore, by adding boron (B) in the light emitting portion, it is possible to lower the lower limit of the oscillation wavelength up to about 220Nm~200nm. このような発光スペクトルの光は、従来、フォトリソグラフィーに使用されてきた水銀ランプのi線(波長365nm)露光用のレジストに適用可能であり、露光装置以外のレジスト塗布機等の施設を継続使用できるという利点がある。 Light of such a light-emitting spectrum is conventionally applicable to the resist i-line of a mercury lamp that has been used in photolithography (wavelength 365 nm) exposure, continue to use the facilities of the resist coating machine or the like other than the exposure apparatus there is an advantage that it can be. もちろん、さらに波長が短い紫外発光ダイオードを用い、その波長に感度を有するレジスト材料を用いれば、より分解能の高いパタン形成が可能になる。 Of course, using a further short wavelength ultraviolet light-emitting diode, by using the resist material having sensitivity to the wavelength allows higher resolution pattern formation.

【0015】2は発光ダイオード1を複数個配列して構成した発光ダイオードアレイ、3は発光ダイオードアレイマウント、4は発光ダイオード1の出射光開き角を示す線、5はマスク、6はレジスト膜、7は基板、8は基板ステージである。 [0015] 2 light emitting diodes array constructed by arranging a plurality light emitting diode 1, 3 light emitting diode array mount, the line indicating the opening angle light emitted from the light emitting diode 1 4, 5 masks, 6 resist film, 7 denotes a substrate, 8 is a substrate stage.

【0016】発光ダイオード1の出射光開き角をθ、マスク5のデザインルールをL 、マスク5とレジスト膜6付き基板7とのギャップをGとすると、 L ≒Gsinθ/10 …(1) という関係が成り立つ。 [0016] The opening angle light emitted from the light emitting diode 1 theta, when the design rule for mask 5 L D, the gap between the mask 5 and the resist film 6 with the substrate 7, G, L D ≒ Gsinθ / 10 ... (1) relationship that is established. このことから、デザインルールL に応じてギャップGと発光ダイオードの出射光開き角θとを設定することにより、所望の空間分解能を得ることが可能である。 Therefore, by setting the θ opening angle light emitted from the light emitting diode and the gap G according to the design rule L D, it is possible to obtain a desired spatial resolution.

【0017】また、マスク5上の同一点を照射する発光ダイオード1の数nは、発光ダイオード1のピッチをD Further, the number n of the light emitting diode 1 for irradiating the same point on the mask 5, the pitch of the light emitting diode 1 D
とすると、 n≒(Ltanθ/D) …(2) で与えられることから、発光ダイオードアレイ1の実装密度を上げること、あるいは発光ダイオードアレイ2とマスク5間の距離Lを大きくすることにより、照度を均一にすることが容易に実現できる。 When, because it is given by n ≒ (Ltanθ / D) 2 ... (2), it increases the packing density of the LED array 1, or by increasing the distance L between the light emitting diode array 2 and the mask 5, It can be easily realized that a uniform illuminance. これにより、発光ダイオード1の素子特性のばらつきを回避することが容易になる。 This makes it easy to avoid a variation in element characteristics of the light emitting diode 1. なお、発光ダイオード1の数としては、少なくとも25個以上が望ましい。 As the number of light emitting diodes 1, at least 25 or more.

【0018】実施の形態2 図2は本発明の実施の形態2の露光装置の概略構成を示す図である。 [0018] Embodiment 2 Figure 2 embodiment is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus of a second embodiment of the present invention.

【0019】9はアパーチャーアレイ、10はアパーチャーアレイ9の穴である。 [0019] 9 aperture array, 10 is a hole in the aperture array 9.

【0020】本実施の形態では、アパーチャーアレイ9 [0020] In this embodiment, the aperture array 9
を発光ダイオードアレイ2の近傍に設けることにより、 By providing in the vicinity of the light emitting diode array 2,
発光ダイオード1の出射光開き角θを小さくして、分解能を上げ、より小さいデザインルールを実現することができる。 By reducing the open angle θ light emitted from the light emitting diode 1, increasing the resolution, it is possible to realize a smaller design rule.

【0021】図2に示すように、アパーチャーアレイ9 As shown in FIG. 2, the aperture array 9
の各穴10が、それぞれの発光ダイオード1の直前に位置するようにアパーチャーアレイ9を配置すると、図中の矢印Aで示す垂直方向への直進性が良い光のみが穴1 Each hole 10 is, placing the aperture array 9 so as to be located just before the respective light-emitting diodes 1, holes only light straight is good in the vertical direction indicated by the arrow A in the figure 1
0によって選択される。 0 is selected by. このことは、実質的に出射光開き角θが小さくなったことを意味する。 This means that the opening angle substantially emit light θ becomes small. したがって、上記(1)式に従って、所望の分解能が得られることになる。 Therefore, according to the above (1), so that the desired resolution is obtained. なお、この場合、同一場所を照射する発光ダイオード1の数が減少し、照度の均一性の低減が問題となる場合には、上記(2)式に従い、発光ダイオードアレイ2とマスク5間の距離Lを大きくすればよい。 In this case, reduces the number of light-emitting diode 1 for irradiating the same location, if the reduction of the uniformity of illumination is a problem, according to the above (2), the distance between the light emitting diode array 2 and the mask 5 L can be greatly.

【0022】なお、上記実施の形態1、2において、発光ダイオードアレイマウント3に水冷管を設けることにより、露光強度の再現性に優れた露光が可能になる。 [0022] Incidentally, in the first and second embodiments, by providing the cooling water pipe to the light emitting diode array mount 3 allows excellent exposure repeatability of exposure intensity.

【0023】また、マスク5と基板7との重ね合わせ精度については、マスク5の上面の雰囲気ガスの温度を一定にして供給する機構や、基板7を載置する基板ステージ8に温度調節機構を付与することにより、微小な寸法のずれを抑制することが可能となる。 [0023] Also, the overlay accuracy between the mask 5 and the substrate 7, mechanism for supplying to the temperature of the atmosphere gas in the upper surface of the mask 5 to be constant, the temperature adjustment mechanism on the substrate stage 8 for placing the substrate 7 by applying, it is possible to suppress the deviation of the minute dimensions.

【0024】図3はレジスト材料の光学特性(光吸収強度)と光源の波長との関係について説明するための図である。 [0024] FIG. 3 is a diagram for explaining relationship between the optical properties of the resist material (light absorption intensity) and wavelength of the light source.

【0025】本図に示したのは、水銀ランプのg線(波長435nm)露光用に用いられている感光剤(ベンゾフェノン(benzophenone)含有)の骨格部分の紫外線吸収スペクトルの概形と水銀ランプのi線(波長365n [0025] Shown in the figure, a mercury lamp g line (wavelength 435 nm) a photosensitive agent which is used for exposure (benzophenone (benzophenone) containing) of the ultraviolet absorption spectrum of the skeletal portion of the envelope and a mercury lamp i-line (wavelength: 365n
m)露光用に用いられている感光剤(ベンゾフェノン(b m) a photosensitive agent used for exposure (benzophenone (b
enzophenone)非含有)の骨格部分の紫外線吸収スペクトルの概形を比較したものである。 Enzophenone) is obtained by comparing the envelope of the ultraviolet absorption spectrum of skeletal portion of the non-containing).

【0026】例えば、g線用のレジストに対してi線もしくはそれに近い350nm〜370nmの波長で露光すると、g線用レジストに含まれる感光剤の骨格部分の吸収が大きいために、レジスト膜の下層まで紫外光が到達しにくくなる。 [0026] For example, when exposed at a wavelength of 350nm~370nm close to i line or even a resist for g-line, for the absorption of the skeletal parts of the photosensitive agent contained in the resist g-line is large, the lower resist film ultraviolet light is difficult to reach. したがって、上層が感光する条件を使うと、下層が感光不足となり、現像したときに下層まで溝を形成することができない。 Thus, using the conditions upper is sensitive, lower layer becomes photosensitive insufficient, it is impossible to form a groove to the lower layer when developing. また、下層が感光する条件を使うと、上層が過剰に露光されて、現像したときにパタンが残らないという不都合が生じる。 Also, With a condition that the lower layer is sensitive, the upper layer is overexposed, disadvantageously pattern does not remain when the development occurs. このため、過剰露光によるパタン形成を敢えて行なうと、解像度が低下して微細なパタンを形成することが不可能になる。 Therefore, when performing dare pattern formation due to excessive exposure, the resolution becomes impossible to form a fine pattern decreases.

【0027】逆に、i線用のレジストに対してg線を用いて露光しても、g線の光子のエネルギー(2.85e [0027] Conversely, even if exposed using a g-line with respect to a resist for i-line, g-line photon energy (2.85E
V)が、i線用レジストを感光するのに必要なエネルギー(3.4eV)に対して不足するため、i線用レジストを感光することができなくなる。 V) is, for short of the energy (3.4 eV) required for the photosensitive resist for i-line, it is impossible to expose the resist for i-line. したがって、やはり過剰露光することが必要になり、解像度が低下するとともに、露光に費やす時間が増大してしまう。 Therefore, it is necessary to also overexposure, with the resolution is lowered, the time spent on the exposure increases. したがって、解像度を上げるためには、適正波長の光でレジストを露光することが必要である。 Therefore, in order to increase the resolution, it is necessary to expose the resist with light of appropriate wavelength. すなわち、水銀ランプの波長に近い光源を用いると(例えばg線に対しては概ね435nm、i線に対しては概ね365nm)、従来使用されてきたフォトレジストを継続して使用することが可能となる。 That is, when using a light source close to the wavelength of the mercury lamp (e.g., approximately 435nm for g line, generally 365nm for i-line), can continue to use the photoresist which has been conventionally used as Become.

【0028】実際のリソグラフィープロセスでは、レジストの塗布膜厚、現像時間、ドライエッチング条件等の多くの条件を実験的に求めることが必要であり、レジスト材料を変更することは経済的に多大な損失が生じることになる。 [0028] In the actual lithographic process, the resist coating thickness, development time, it is necessary to determine the number of conditions such as dry etching conditions experimentally, altering the resist material is economically significant losses so that may occur. したがって、従来のレジストの露光波長である水銀ランプのg線やi線に相当する波長、すなわち、 Thus, the wavelength corresponding to g-line or i-line of a mercury lamp as an exposure wavelength of a conventional resist, i.e.,
350nm〜370nm、420nm〜440nmの発光ダイオードを用いることは、水銀ランプを用いた露光装置以外の施設と動作条件をすべて継承できるという利点がある。 350Nm~370nm, using a light-emitting diode 420nm~440nm has the advantage that all property and operating conditions other than the exposure apparatus using a mercury lamp can be inherited.

【0029】発光ピーク波長が420nm〜440nm The emission peak wavelength is 420nm~440nm
のInGaN活性層を有する発光ダイオードを配列した光源を適用した場合、発光ピーク波長が370nmの発光ダイオードよりも分解能は20%ほど低下するものの、やはり大面積の露光が可能になる。 If the applied light source having an array of light emitting diodes having an InGaN active layer, although an emission peak wavelength resolution than the light emitting diodes of 370nm decreases as 20%, again allowing exposure of a large area.

【0030】また、感光剤等を選択して新たにプロセス設計を行ない、より微細なパタンを形成する場合には、 Further performs a new process design by selecting a photosensitive agent, in the case of forming a finer pattern, the
本発明では、i線(365nm)より短い紫外光を使用して解像度を向上することが可能であるため、370n In the present invention, using short ultraviolet light from i line (365 nm) it is possible to improve the resolution, 370N
mより短い波長の紫外発光ダイオードを用いて露光装置を構成する利点がある。 There is an advantage to configure the exposure apparatus using a shorter wavelength ultraviolet light-emitting diodes than m.

【0031】近年、大気圧非平衡プラズマによる処理が検討され、大面積のデバイスプロセスが可能になりつつあることから、本発明のような大面積の露光装置で作製した大面積のレジストパタンと組み合わせることにより、大面積デバイスの作製が可能になる。 [0031] In recent years, it has been investigated treatment with atmospheric pressure non-equilibrium plasma, since it is becoming possible to device process a large area, combined with the large area large-area resist pattern of manufactured in exposure apparatus such as the present invention by allows fabrication of large area devices.

【0032】上記のように実施の形態1、2の露光装置は、発光ピーク波長が200nm〜450nmの窒化物半導体発光ダイオード1を複数個配列して構成した励起光源を備えていることを特徴とする。 The exposure apparatus of the second embodiments as described above, and characterized in that the emission peak wavelength includes an excitation light source configured by arranging a plurality nitride semiconductor light-emitting diode 1 of 200nm~450nm to.

【0033】また、発光ピーク波長が350nm〜37 [0033] In addition, the emission peak wavelength is 350nm~37
0nmの窒化物半導体発光ダイオード1を複数個配列して構成した励起光源を備えていることを特徴とする。 Characterized in that the nitride semiconductor light-emitting diode 1 of 0nm and a pumping light source configured by arranging a plurality.

【0034】さらに、発光ピーク波長が420nm〜4 [0034] Furthermore, the light-emitting peak wavelength is 420nm~4
40nmのInGaNからなる活性層を有する窒化物半導体発光ダイオード1を複数個配列して構成した励起光源を備えていることを特徴とする。 Characterized in that the nitride semiconductor light-emitting diode 1 having an active layer made of 40nm of InGaN comprises a pumping light source configured by arranging a plurality. 例えば、このような発光ダイオード素子は、n型SiC基板上に、n型Al For example, such a light-emitting diode element, the n-type SiC substrate, n-type Al
GaN濡れ層、n型GaNバッファ層、InGaN多重量子井戸発光層、p型AlGaNブロッキング層、p型GaNコンタクト層を積層し、n型SiC基板に負電極を設け、p型GaNコンタクト層上に正電極を設けた構造である。 GaN wetting layer, n-type GaN buffer layer, InGaN multiple quantum well active layer, p-type AlGaN blocking layer, by laminating a p-type GaN contact layer, a negative electrode provided on the n-type SiC substrate, positively p-type GaN contact layer is a structure in which an electrode. なお、SiC基板上にn型AlGaN濡れ層を積層する理由は、SiC基板の表面に直接GaN層を積層しようとする場合、濡れ性が悪く、均一に膜を積層することが困難となるため、Alを含むAlGaN濡れ層を積層する。 The reason for laminating the n-type AlGaN wetting layer on a SiC substrate, when trying to directly laminated GaN layer on the surface of the SiC substrate, poor wettability, since it becomes difficult to uniformly laminate the film, stacking an AlGaN wetting layer containing al.

【0035】このような構成により、均一な照度の紫外線を用いて大面積の面の露光を行なうことができる露光装置を実現でき、水銀光源を不要とすることが可能である。 [0035] Such a configuration can achieve the exposure apparatus capable of exposure of the surface of a large area by using the ultraviolet ray having a uniform illuminance, it is possible to eliminate the mercury light source. すなわち、上記実施の形態1、2で示したように、 That is, as shown in the first and second embodiments,
紫外発光ダイオードアレイ2を用いた露光装置では、発光ダイオード1の数を増加させることにより、原理的にはいくらでも大きな面積を一括露光することが可能である。 In exposure apparatus using ultraviolet light-emitting diode array 2, by increasing the number of light-emitting diodes 1, in principle it is possible to collectively expose a large area without limit. さらに、発光ダイオード1の実装密度を増加したり、図2の実施の形態2のようにアパーチャーアレイ9 Additionally, or increasing the packing density of the light emitting diode 1, the aperture array 9 as in the second embodiment of FIG. 2
を用いることにより、解像度を上げることが可能である。 By using, it is possible to increase the resolution. メモリLSIやCPU−LSIのように集積度が機能を決定するデバイスには不向きであるが、ディスプレイのようにメーターサイズのような大面積にすることが重要なデバイスの生産においては、デバイス構造の設計によってデザインルールを大きくしたり、重ね合わせ精度の低下を補うことができ、スループットを向上させることが可能になる。 The device for determining the degree of integration as a memory LSI and CPU-LSI is a function which is not suitable, but in the production of important device to a large area, such as a meter size as the display, the device structure or by increasing the design rules by the design, it is possible to compensate for the reduction in the overlay accuracy, it is possible to improve the throughput. さらに、ディスプレイ以外にも、従来の露光装置が有する寸法の制約を無くして、これまでにない大面積のデバイスが実現できる利点がある。 Furthermore, in addition to the display also eliminates the limitations of dimensions conventional exposure apparatus has, unprecedented large area device can be advantageously realized.

【0036】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。 [0036] Although the present invention has been particularly described based on the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiments, of course it without departing from the scope and spirit thereof may be variously modified it is.

【0037】 [0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
均一な照度の紫外線を用いて大面積の面の露光を行なうことができる露光装置を実現することができる。 It is possible to realize an exposure apparatus capable of exposure of the surface of a large area by using the ultraviolet ray having a uniform illuminance.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態1の露光装置の概略構成を示す図である。 1 is a diagram showing a schematic arrangement of an exposure apparatus of the first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2の露光装置の概略構成を示す図である。 Is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus of the second embodiment of the invention; FIG.

【図3】レジスト材料の光学特性と光源の波長との関係について説明するための図である。 3 is a diagram for explaining a relationship between the wavelength of the optical properties and the light source of the resist material.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…発光ダイオード、2…発光ダイオードアレイ、3… 1 ... light-emitting diode, 2 ... light-emitting diode array, 3 ...
発光ダイオードアレイマウント、4…発光ダイオードの出射光開き角を示す線、5…マスク、6…レジスト膜、 Emitting diode array mount, 4 ... line indicating the opening angle light emitted from the light emitting diodes, 5 ... mask, 6 ... resist film,
7…基板、8…基板ステージ、9…アパーチャーアレイ、10…アパーチャーアレイの穴。 7 ... substrate, 8 ... substrate stage, 9 ... aperture array, 10 ... holes in the aperture array.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 久夫 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H097 CA11 CA12 CA14 5F041 AA05 CA34 CA40 DA82 DC83 FF16 5F046 BA01 CA03 CB22 5F073 AA72 BA09 CA07 EA24 FA30 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Hisao Saito Otemachi, Chiyoda-ku, tokyo chome third No. 1 Date this telegraph and telephone Corporation in the F-term (reference) 2H097 CA11 CA12 CA14 5F041 AA05 CA34 CA40 DA82 DC83 FF16 5F046 BA01 CA03 CB22 5F073 AA72 BA09 CA07 EA24 FA30

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】発光ピーク波長が200nm〜450nm 1. A light emitting peak wavelength 200nm~450nm
    の窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする露光装置。 Exposure apparatus characterized by comprising a pumping light source configured by arranging a plurality nitride semiconductor light emitting diode.
  2. 【請求項2】発光ピーク波長が350nm〜370nm Wherein an emission peak wavelength 350nm~370nm
    の上記窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 Of the nitride semiconductor light emitting diode exposure apparatus according to claim 1, further comprising a pumping light source configured by arranging a plurality.
  3. 【請求項3】発光ピーク波長が420nm〜440nm Wherein an emission peak wavelength 420nm~440nm
    のInGaNからなる活性層を有する上記窒化物半導体発光ダイオードを複数個配列して構成した励起光源を備えたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。 Exposure apparatus according to claim 1, further comprising a pumping light source configured by arranging a plurality of the above nitride semiconductor light emitting diode having an active layer made of InGaN of.
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