JP2002296296A - Contact probe and manufacturing method therefor - Google Patents

Contact probe and manufacturing method therefor

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JP2002296296A
JP2002296296A JP2001136192A JP2001136192A JP2002296296A JP 2002296296 A JP2002296296 A JP 2002296296A JP 2001136192 A JP2001136192 A JP 2001136192A JP 2001136192 A JP2001136192 A JP 2001136192A JP 2002296296 A JP2002296296 A JP 2002296296A
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Inventor
Takeshi Haga
Yoshihiro Hirata
嘉裕 平田
剛 羽賀
Original Assignee
Sumitomo Electric Ind Ltd
住友電気工業株式会社
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To sharpen the tip part of a contact probe to allow point contact. SOLUTION: This contact probe manufacturing method includes a plating process for conducting plating to fill up a clearance of a resist film 22, so as to form a metal layer 26, using the resist film 22 as a pattern frame having a shape corresponding to the contact probe, arranged on a substrate 21, a tip working process for removing diagonally a portion serving as the tip part of the contact probe to be sharpened, and a taking-out process for taking out only the metal layer 26 from the pattern frame.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶表示装置などの電気検査を行なうためのコンタクトプローブおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to relates to a contact probe and a manufacturing method thereof for electrical tests such as a semiconductor substrate or a liquid crystal display device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体基板や液晶表示装置などに形成された回路の検査は、一般に、多数のコンタクトプローブを備えた検査装置を用いて行われている。 Inspection of the Prior Art circuit formed on a semiconductor substrate or a liquid crystal display device are generally performed using a test device with multiple contact probe. このコンタクトプローブの1本1本の構造としては、従来は、特願2 The one single structure of the contact probe, conventionally, No. 2
000−164407号において、図24に示すような構造のものが提案されている。 In No. 000-164407, it has been proposed a structure as shown in FIG. 24. これは、図25に示すようなパターンのマスクを用いて、リソグラフィとメッキによって形成される。 It uses the mask pattern as shown in FIG. 25, is formed by lithography and plating.

【0003】同様に、リソグラフィとメッキを用いたプローブ針の製造方法は、特開平11−337575号公報などにも開示されている。 [0003] Similarly, the manufacturing method of the probe needle using a lithographic and plating are also disclosed such as in JP-A-11-337575 JP.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】検査において、確実に電気的接触を確保するためには、被検査回路の表面に形成された自然酸化膜などの絶縁膜を破る必要がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION In testing, in order to ensure a reliable electrical contact, it is necessary to break the insulating film such as a natural oxide film formed on the surface of the circuit under test. 絶縁膜を破るためにはコンタクト圧をある程度高めることが望ましい。 To break the insulating film is desirable to increase to some extent the contact pressure. そのため、コンタクトプローブの先端は、 Therefore, the tip of the contact probe,
たとえば、図26のように尖らせることが考えられる。 For example, it is conceivable to sharpened like Figure 26.

【0005】しかし、リソグラフィとメッキによって導電性のコンタクトプローブを形成する方法では、平面的なパターンを基に3次元形状を作るため、図26のようなパターンを使用しても、得られるコンタクトプローブの先端の突起は実際には、図27に示すように三角柱のようになり、線接触となる。 However, in the method of forming a conductive contact probe by lithography and plating, to produce a three-dimensional shape based on a planar pattern, even using the pattern as shown in FIG. 26, the resulting contact probe in practice, the tips of projections, is as triangular prism, as shown in FIG. 27, the line contact.

【0006】また、図28に示すようなマスクを用いて図29に示すようなコンタクトプローブを製作することも提案されているが、この場合もやはり、先端部は三角柱となり、線接触となる。 [0006] has also been proposed to manufacture a contact probe as shown in Figure 29 using a mask as shown in FIG. 28, Again in this case, the tip becomes triangular prism, a line contact.

【0007】すなわち、いずれも点接触とはならず、コンタクト圧を一定以上に上げることができない。 Namely, neither shall the point contact, it is impossible to increase the contact pressure or constant.

【0008】そこで、本発明では、先端部がより鋭利で、点接触が可能なコンタクトプローブとその製造方法を提供することを目的とする。 [0008] In the present invention, the tip portion is more sharp, and to provide a method of manufacturing a contact probe capable of point contact.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明に基づくコンタクトプローブは、一定のパターンに従って一方向に成長させたメッキ金属層により形成された、先端部を有するコンタクトプローブであって、上記先端部は、上記メッキの成長方向と斜めに交わる、機械加工によって形成された斜面を有することによって尖っている。 To achieve the above object, according to an aspect of the contact probe according to the invention, there in contact probe having been formed by plating a metal layer grown in one direction, the tip portion according to a certain pattern Te, the tip intersects the growth direction and oblique the plating, pointed by having a slope formed by machining. この構成を採用することにより、先端部が尖った形状であるので、測定対象に対して、線接触ではなく、点接触とすることができ、コンタクト圧を上げることができる。 By adopting this configuration, since a shape having a sharp tip, with respect to the measurement target, rather than a line contact can be a point contact, it is possible to increase the contact pressure.

【0010】上記目的を達成するため、本発明に基づくコンタクトプローブの製造方法は、基板上に配置した、 [0010] To achieve the above object, a manufacturing method of a contact probe according to the invention was placed on a substrate,
コンタクトプローブに対応する形状を有するパターン枠を用いて、上記パターン枠の隙間を埋めるようにメッキを行ない金属層を形成するメッキ工程と、上記金属層のうち、上記コンタクトプローブの先端部となる箇所を斜めに除去して尖らせる先端加工工程と、上記パターン枠から上記金属層のみを取出す取出し工程とを含む。 Using a pattern frame having a shape corresponding to the contact probe, a plating step of forming a metal layer subjected to plating so as to fill the interstices of the pattern frame, of the metal layer, portion which becomes the leading end portion of the contact probe the includes a tip processing step sharpening removed obliquely, and a takeout step of taking out only the metal layer from said pattern frame. この構成を採用することにより、先端の従来三角柱であった部分を四角錐にすることができ、従来より尖った先端部を形成することができる。 By adopting this configuration, a conventional triangular prism at a portion of the tip can be a quadrangular pyramid, it is possible to form a pointed tip prior art. その結果、測定対象に対して、線接触ではなく、点接触とすることができ、コンタクト圧を上げることができる。 As a result, the measurement target, rather than a line contact can be a point contact, it is possible to increase the contact pressure.

【0011】上記発明において好ましくは、上記先端加工工程は、刃の外縁断面がV字形状である回転刃で、上記パターン枠と上記金属層との境目を削ることで行なう。 [0011] In the present invention preferably the tip processing steps, a rotating blade outer edge section of the blade is V-shaped, carried out by cutting the boundary between the pattern frame and the metal layer. この構成を採用することにより、直線的に削るだけでもコンタクトプローブの先端部に斜面を形成することができる。 By adopting this configuration, it is possible to form the inclined surface on the tip of the contact probe just cut linearly.

【0012】上記発明において好ましくは、上記先端加工工程は、放電加工によって上記金属層の先端を削る。 [0012] In the invention, it is preferable that the tip processing step, cutting the tip of the metal layer by electrical discharge machining.
この方法を採用することにより、コンタクトプローブの先端部となるべき部分を、荷重によって変形させることなく、高精度に加工することができる。 By adopting this method, a portion to be a tip of the contact probe, without deforming due to the load can be processed with high accuracy.

【0013】上記発明において好ましくは、上記先端加工工程は、上記放電加工によって形成される加工面に放電加工痕を利用して突起を成長させる工程を含む。 [0013] In the invention, it is preferable that the tip processing step includes the step of growing a protrusion using the electrical discharge machining mark on the machined surface formed by said electrical discharge machining. この構成を採用することにより、コンタクトプローブの先端部に突起が形成され、コンタクト圧を高めることができる。 By adopting this configuration, protrusions are formed at the tip of the contact probe, it is possible to increase the contact pressure.

【0014】上記発明において好ましくは、上記加工面を、上記加工面の表面より硬度が高く、上記加工面の表面をなす材料より電気抵抗が小さい金属で覆う。 [0014] In the invention, it is preferable that the processed surface, high hardness than the surface of the processed surface, covered with metal electrical resistance than the material is small, which forms the surface of the machined surface. この構成を採用することにより、微小突起の機械的強度を上げ、コンタクト時の圧力で微小突起の接触箇所がつぶれることを防止することができ、同時に電気的接触性を向上することができる。 By adopting this configuration, increasing the mechanical strength of the minute projection, at a pressure of at contact it can be prevented that the contact points of the microprotrusions collapse, it is possible to simultaneously improve the electrical contact resistance.

【0015】上記発明において好ましくは、上記パターン枠は、上記基板の上に形成したレジスト膜に対してリソグラフィによってパターンを形成したものである。 [0015] In the present invention preferably the pattern frame is obtained by forming a pattern by lithography on the resist film formed on said substrate. この構成を採用することにより、高精度でパターン枠を形成することができる。 By adopting this configuration, it is possible to form the pattern frame with high accuracy.

【0016】上記発明において好ましくは、上記パターン枠は、金型を用いて成形した樹脂製のものである。 [0016] In the present invention preferably the pattern frame is made of resin which is molded by using a mold. この構成を採用することにより、簡単に多数のパターン枠を作成することができ、生産性が向上する。 By adopting this configuration, easily can create a large number of patterns frame, the productivity is improved.

【0017】 [0017]

【発明の実施の形態】(実施の形態1) (製造方法)図1〜図9を参照して、本発明に基づく実施の形態1のコンタクトプローブの製造方法について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) Referring to (production method) FIGS. 1-9, a method for manufacturing a first embodiment of a contact probe according to the present invention.

【0018】まず、導電性を有する基板21の上面にレジスト膜22を形成する。 [0018] First, a resist film 22 on the upper surface of the substrate 21 having conductivity. 基板21としては、SUS, As the substrate 21, SUS,
Cu,Alなどの金属基板、Si基板、ガラス基板などが使用可能である。 Cu, a metal substrate such as Al, Si substrate, a glass substrate can be used. ただし、Si基板、ガラス基板などの場合には、予め基板21の上面に、Ti,Al,Cu However, Si substrate, in the case of a glass substrate, the upper surface of the previously substrate 21, Ti, Al, Cu
またはこれらを組合せた金属をスパッタリングして下地導電層27を形成したものを用いる。 Or used after forming the electroconductive base layer 27 by sputtering a metal combinations thereof. 以下、下地導電層27のある場合を図示しながら説明する。 Will be described below illustrates a case where a ground conductive layer 27.

【0019】図1に示すように、マスク30を用いて、 As shown in FIG. 1, using a mask 30,
レジスト膜22の表面にシンクロトロン放射光装置からのX線23を照射する。 The surface of the resist film 22 is irradiated with X-rays 23 from the synchrotron radiation device. ここでは、X線リソグラフィを用いた方法を採用しているが、X線の代りにUV(紫外線)を照射するUVリソグラフィを用いてもよい。 Here, we adopt a method using the X-ray lithography may be used UV lithography for irradiating UV (ultraviolet) instead of X-rays. いずれにせよ、現像後、露光部分24のレジストを除去する。 In any case, after development, the resist is removed in the exposed portion 24. その結果、図2に示すように、凹部25を有するパターン枠が形成される。 As a result, as shown in FIG. 2, the pattern frame having a concave portion 25 is formed.

【0020】図3に示すように、電気メッキを行ない、 [0020] As shown in FIG. 3, subjected to electroplating,
凹部25を金属層26で埋める。 Fill recesses 25 in the metal layer 26. 金属層26の材質としては、ニッケル、コバルトや、Ni−Co、Ni−Mn As material of the metal layer 26 is nickel, cobalt and, Ni-Co, Ni-Mn
などの合金を用いることができる。 Or an alloy such as. その後、図4に示すように、上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃える。 Thereafter, as shown in FIG. 4, the upper surface grinding or polishing, aligned to the desired thickness.

【0021】図5に示すように、刃の外縁断面がV字形状である回転刃41を回転させて、コンタクトプローブの先端部となる箇所とレジスト膜22との境目を通過するように走らせ、断面がV字形の溝を形成するようにして、金属層26のうち先端部となる箇所を斜めに削り取る。 As shown in FIG. 5, the outer edge section of the blade by rotating the rotary blade 41 is V-shaped, run to pass the boundary between the portion and the resist film 22 serving as the tip of the contact probe, cross section so as to form a V-shaped groove, scraping portion which becomes the leading end portion of the metal layer 26 at an angle. こうして、図6に示す構造が得られる。 Thus, the structure shown in FIG. 6 is obtained. 回転刃41 Rotary blade 41
とは、たとえば、ダイサーが用いられる。 And, for example, a dicer is used.

【0022】図7に示すように、アッシングまたは再照射後の現像によって基板21上に残っていたレジスト膜22を除去する。 As shown in FIG. 7, to remove the resist film 22 remaining on the substrate 21 by development after ashing or re-radiation. 図8に示すように、エッチングなどで下地導電層27を除去する。 As shown in FIG. 8, to remove the underlying conductive layer 27 in such an etching. あるいは、下地導電層27 Alternatively, the electroconductive base layer 27
がなく、基板21が金属基板である場合には、エッチングなどで基板21を除去する。 Without, when the substrate 21 is a metal substrate, removing the substrate 21 by etching or the like. 下地導電層27または基板21を除去するためのエッチングとしては、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が使用可能である。 The etch to remove the underlying conductive layer 27 or the substrate 21, a wet etching, both dry etching can be used. 図9に示すように、金属層26だけを取出すことによってコンタクトプローブが得られる。 As shown in FIG. 9, a contact probe is obtained by taking out only metal layer 26.

【0023】(作用・効果)刃の外縁断面がV字形状である回転刃41によって、金属層26のうち先端部となる箇所を斜めに削っているため、先端部の形状が従来であれば図10(a)のような形状であるとすると、図1 [0023] by rotary blade 41 is (Function and Effect) blade outer edge cross section is V-shaped, since the shaved portion which becomes the leading end portion of the metal layer 26 at an angle, if the conventional shape of the tip portion When a shape such as in FIG. 10 (a), FIG. 1
0(b)のように形状にすることができる。 It may be shaped like a 0 (b). すなわち、 That is,
一方の側から角を斜めに削り取ることで、先端の三角柱であった部分を四角錐にすることができる。 By scraping from one side of the corner diagonally, a triangular prism and a portion of the tip can be a quadrangular pyramid. このように先端の尖った形状であれば、コンタクトプローブとして使用したときに測定対象に対して、線接触ではなく、点接触とすることができ、コンタクト圧を上げることができる。 If thus a sharp shape of the tip, with respect to the measurement target when used as a contact probe, rather than line contact, can be a point contact, it is possible to increase the contact pressure.

【0024】なお、この先端部を削り取る加工は、本実施の形態では、研削または研磨の後に行なっているが、 [0024] The processing scraping the tip, in this embodiment, is performed after grinding or polishing,
研削または研磨の前に行なってもよい。 Grinding or may be performed before the polishing. ここでは、回転刃41によってレジスト22と金属層26とを一緒に削っているが、金属層26のみを取出したあとに削ることとしてもよい。 Here, although the cut with a resist 22 and the metal layer 26 by the rotary blade 41, may be cut after it is taken out only the metal layer 26.

【0025】なお、先端部を斜めに削り取れる手段であれば、回転刃41以外の加工手段によってもよい。 [0025] Note that if a means Kezuritoreru the tip obliquely, may be by the processing means other than the rotary blade 41. たとえば、旋削加工、研削加工などが考えられる。 For example, turning, such as grinding can be considered.

【0026】パターン枠は、1つのコンタクトプローブの形状のものに限らず、図11に示すように複数のコンタクトプローブの形状を同時に含むパターンのものでもよい。 The pattern frame is not limited to the one contact probe geometry may be of the same time including the pattern shapes of a plurality of contact probes as shown in Figure 11. その場合、図11に示すように各コンタクトプローブの先端部が一直線上に並んだ配置であれば、回転刃41を一点鎖線で示すような軌跡上を移動させるだけで各コンタクトプローブの先端部の加工を一度に行なうことができ、望ましい。 In that case, if the arrangement aligned to the tip on a line of each contact probe, as shown in FIG. 11, the rotary blade 41 by simply moving the locus on as indicated by a chain line of the tip of each contact probe processing can be a carried out at a time, desirable.

【0027】なお、本発明は、先端部の加工に関するものであって、ばねの形状によらず適用することが可能である。 [0027] The present invention relates to a process of the tip, it can be applied regardless of the shape of the spring. たとえば、図11では、ばねの形状がS字形となっているが、ばねの形状は、S字形を1個のみならず複数個連続させて波形状にしたものであってもよい。 For example, in Figure 11, the shape of the spring is in the S-shape, the shape of the spring may be obtained by the waveform shape by plural continuous not only one of the S-shape. さらに、図11に示した例以外に、たとえば、図12に示すような形状のばねを有するコンタクトプローブにおいても、同様に、回転刃41を一点鎖線で示すような軌跡上を移動させるだけで加工可能である。 Furthermore, in addition to the example shown in FIG. 11, for example, even in a contact probe having a spring shape as shown in FIG. 12, similarly, processing simply moves the locus on shown the rotary blade 41 by a one-dot chain line possible it is.

【0028】(実施の形態2) (製造方法)図13〜図21、図8、図9を参照して、 [0028] (Embodiment 2) (manufacturing method) FIGS. 13 to 21, with reference to FIGS. 8 and 9,
本発明に基づく実施の形態2のコンタクトプローブの製造方法について説明する。 A method for manufacturing a second embodiment of a contact probe according to the present invention.

【0029】図13に示すように、コンタクトプローブの形状を凸形に有する金型32を用いて、射出成形などにより樹脂型33を形成する。 As shown in FIG. 13, by using a mold 32 having the shape of the contact probe in a convex shape to form the resin mold 33 by injection molding. この結果、図14に示すように、コンタクトプローブの形状を凹形に有する樹脂型33を得る。 As a result, as shown in FIG. 14, to obtain a resin mold 33 having the shape of the contact probe concave. この樹脂型33を研磨して凹部を貫通させ、図15に示すような樹脂パターン枠34を製作する。 The resin mold 33 polished to a to penetrate a recess, to fabricate a resin pattern frame 34 as shown in FIG. 15. 図16に示すように、実施の形態1で示したと同じ、下地導電層27を上面に形成した基板21を用意し、その上面に樹脂パターン枠34を貼り付ける。 As shown in FIG. 16, the same as shown in the first embodiment, the electroconductive base layer 27 providing a substrate 21 formed on the upper surface, paste resin pattern frame 34 on its upper surface. ただし、実施の形態1で説明したように、基板21が金属基板である場合には、下地導電層27はなくてもかまわない。 However, as described in the first embodiment, when the substrate 21 is a metal substrate, it may be not the underlying conductive layer 27. 図17に示すように、電気メッキを行ない、凹部2 As shown in FIG. 17 performs electroplating, the recess 2
5を金属層26で埋める。 5 filled with metal layer 26. 金属層26の材質の条件については、実施の形態1で述べたと同様である。 The material conditions of the metal layer 26 is the same as described in the first embodiment. その後、 after that,
図18に示すように、上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃える。 As shown in FIG. 18, the upper surface grinding or polishing, aligned to the desired thickness.

【0030】図19に示すように、刃の外縁断面がV字形状である回転刃41を回転させて、コンタクトプローブの先端部となる箇所と樹脂パターン枠34との境目を通過するように走らせ、断面がV字形の溝を形成するようにして、金属層26のうち先端部となる箇所を斜めに削り取る。 As shown in FIG. 19, the outer edge section of the blade by rotating the rotary blade 41 is V-shaped, run to pass the boundary between the portion and the resin pattern frame 34 as the tip of the contact probe , as cross section to form a V-shaped groove, scraping portion which becomes the leading end portion of the metal layer 26 at an angle. こうして、図20に示す構造が得られる。 Thus, the structure shown in FIG. 20 is obtained.

【0031】図21に示すように、アッシングまたは再照射後の現像によって基板21上に残っていた樹脂パターン枠34を除去する。 As shown in FIG. 21, to remove the resin pattern frame 34 that remained on the substrate 21 by development after ashing or re-radiation. 以下は、実施の形態1の製造方法と同じである。 The following is the same as the manufacturing method of the first embodiment. すなわち、図8に示すように、エッチングなどで下地導電層27を除去する。 That is, as shown in FIG. 8, to remove the underlying conductive layer 27 in such an etching. 実施の形態1で説明したと同様に、下地導電層27のない場合にはエッチングなどで基板21を除去する。 In the same manner as described in the first embodiment, in the absence of underlying conductive layer 27 removing the substrate 21 by etching or the like. 下地導電層27または基板21を除去するエッチングとしては、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が使用可能である。 As the etching for removing the ground conductive layer 27 or the substrate 21, a wet etching, both dry etching can be used.
図9に示すように、金属層26だけを取出すことによってコンタクトプローブが得られる。 As shown in FIG. 9, a contact probe is obtained by taking out only metal layer 26.

【0032】(作用・効果)このような製造方法であっても、実施の形態1と同様に、先端の尖った形状のコンタクトプローブを製造することができる。 [0032] (Function and Effect) Even in such a manufacturing method, as in the first embodiment, it is possible to manufacture a contact probe sharp shape of the tip. したがって、 Therefore,
コンタクトプローブとして使用したときに測定対象に対して、線接触ではなく、点接触とすることができ、コンタクト圧を上げることができる。 The measurement object when used as a contact probe, rather than line contact, can be a point contact, it is possible to increase the contact pressure.

【0033】(実施の形態3) (製造方法)図1〜4、図22、図23、図7〜図9を参照して、本発明に基づく実施の形態3のコンタクトプローブの製造方法について説明する。 [0033] (Embodiment 3) Manufacturing Method 1-4, 22, 23, with reference to FIGS manufacturing method of Embodiment 3 of the contact probe according to the present invention for a description to.

【0034】図1〜図4に示す工程については、実施の形態1で説明したものと同じである。 [0034] The steps shown in FIGS. 1 to 4 are the same as those described in the first embodiment. 図4に示すように、金属層26の上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃えた後に、本実施の形態では、図22に示すように、アッシングを行ない、レジスト膜22を除去する。 As shown in FIG. 4, the upper surface of the metal layer 26 grinding or polishing, after aligning the desired thickness, in this embodiment, as shown in FIG. 22 performs ashing to remove the resist film 22.
次に、図23に示すように、放電加工電極42によって放電加工を行なう。 Next, as shown in FIG. 23, performs electric discharge machining by the electric discharge machining electrode 42. 放電加工電極42は、先端を円錐状またはV字形に形成した電極である。 EDM electrode 42 is an electrode formed in a conical shape or V-shape the tip. この放電加工では、コンタクトプローブの先端部となる箇所に対して斜めに加工面が形成されるように加工する。 In this electrical discharge machining, processed to the processing surface at an angle with respect to location as the tip of the contact probe is formed.

【0035】図23に示した例では、金属層26が基板21についたままの状態で放電加工を行なっているが、 [0035] In the example shown in FIG. 23, the metal layer 26 is subjected to electric discharge machining while still attached to the substrate 21,
基板21から金属層26を取外してから放電加工を行なってもよい。 Remove the metal layer 26 may be subjected to electrical discharge machining from the substrate 21. また、図23に示した例では、コンタクトプローブの先端部は、図10(b)に示すように一方の側から斜めに切り落としたような形状となるが、コンタクトプローブとなる金属層26に対して、表裏両面からそれぞれ放電加工を行なって、先端部を四角推のような形状にしてもよい。 Further, in the example shown in FIG. 23, the distal end portion of the contact probe is a shape such as cut off obliquely from one side as shown in FIG. 10 (b), with respect to the metal layer 26 serving as a contact probe Te, by performing respective electrical discharge machining from both sides, it may be the tip shaped like a square estimation. なお、放電加工は、ここでは、放電加工電極42を用いた型彫り放電加工の例を示しているが、同じように先端部を加工できるのであれば、ワイヤ放電加工であってもよい。 The discharge machining, here, an example of a die-sinking electric discharge machining using electrical discharge machining electrode 42, as long as the same way as it can process the tip may be a wire electric discharge machining.

【0036】放電加工によって加工した場合、その加工面には一面に多数の放電加工痕が形成される。 In the case of working by electric discharge machining, a number of electrical discharge machining mark on one side on the processed surface is formed. 放電加工痕のひとつひとつは、工作物表面の金属が微小な範囲で溶融し、飛散してできたクレーター状の痕跡であり、この1つ1つのクレーターの周縁部は、飛散した際にできた微小な突起を有している。 Minute every single discharge machining mark, the metal of the workpiece surface is melted in a small range, a crater-like traces of Deki scattered, the peripheral portion of the one single crater, which can when splashed It has a Do projections. したがって、放電加工痕を利用して、加工面に微小突起を残すことができる。 Thus, by utilizing the electric discharge machining mark can be left microprojections on the processed surface.

【0037】放電加工によって先端部を加工した後には、実施の形態1において図7〜図9を参照して説明したのと同様の工程を行なう。 The electric discharge machining after processing the tip by performs the processes similar to those described with reference to FIGS in the first embodiment. その結果、図9に示すようなコンタクトプローブを得ることができる。 As a result, it is possible to obtain a contact probe as shown in FIG.

【0038】(作用・効果)上述のように、コンタクトプローブの先端部を放電加工によって形成した場合、実施の形態1と同様の効果を得られることに加え、以下のような効果も得られる。 [0038] (Function and Effect) As described above, when formed by electric discharge machining the leading end of the contact probe, in addition to achieving the same effect as in the first embodiment, it can be obtained the following effects. すなわち、放電加工痕によって加工面に生じた微小突起によって、コンタクトプローブとして使用したときのコンタクト圧を上げることが可能となる。 That is, the microprotrusions generated on the processed surface by electrical discharge machining mark, it becomes possible to increase the contact pressure when used as a contact probe. コンタクトプローブとして対象物に押し当てたときに、加工面そのものよりまず微小突起が当接することによって接触面積がより小さくなるからである。 When pressed against the object as a contact probe, first microprojection than machined surface itself it is because the contact area by abutment becomes smaller.

【0039】さらに、この微小突起を有するコンタクトプローブの先端部を、加工面の表面より硬度が高く、加工面の表面をなす材料より電気抵抗が小さい金属で覆うこととしてもよい。 [0039] Furthermore, the tip of the contact probe having this minute projection, high hardness than the surface of the working surface, may be covered with a metal electrical resistance than the material is small, which forms the surface of the work surface. このような金属としては、たとえば、Pd(パラジウム)やRh(ロジウム)が挙げられる。 Such metals, for example, Pd (palladium) and Rh (rhodium) and the like. このような金属でコンタクトプローブの先端部を覆うことで、微小突起の機械的強度を上げ、コンタクト時の圧力で微小突起の接触箇所がつぶれることを防止することができる。 Such by covering the tip of the contact probe with the metal, increase the mechanical strength of the minute projection, it is possible to prevent the contact points of the microprotrusions collapse at a pressure of at contact. そして、微小突起を覆う金属は、電気抵抗が小さいものであるので、電気的接触性を向上することもできる。 Then, the metal covering the minute projection, because those electric resistance is small, it is also possible to improve the electrical contact resistance. なお、先端部を金属で覆うための方法としては、たとえば、メッキ、スパッタリング、蒸着などが考えられる。 As a method for covering the tip of a metal, for example, plating, sputtering, vapor deposition and the like are contemplated.

【0040】ここでは、実施の形態1を基本として、放電加工を適用した例を示したが、実施の形態2においても、図19、図20に示した工程の代わりに、図22、 [0040] Here, as the base the first embodiment, an example of applying the EDM, in the second embodiment, FIG. 19, instead of the step shown in FIG. 20, FIG. 22,
図23に示した工程を採用して、放電加工によって先端部を形成してもよい。 Employs the steps shown in FIG. 23, it may be formed the distal end portion by electrical discharge machining. この場合も、同様の効果が得られる。 In this case, the same effect can be obtained.

【0041】なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。 It should be noted that the embodiments disclosed this time not restrictive manner in all respects as illustrative. 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。 The scope of the invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, it is intended to include any modifications within the meaning and range of equivalency of the claims.

【0042】 [0042]

【発明の効果】本発明によれば、コンタクトプローブの先端部に斜面を有することによって従来より尖った形状となるので、測定対象に対して、線接触ではなく、点接触とすることができ、コンタクト圧を上げることができる。 According to the present invention, since a sharp conventionally shaped by having a slope at the tip of the contact probe, the measurement target, rather than a line contact can be a point contact, it is possible to increase the contact pressure. その結果、より確実に電気的接触を確保することができる。 As a result, it is possible to ensure a more reliable electrical contact.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第1の工程の説明図である。 It is an explanatory view of a first step of the method of manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the invention, FIG.

【図2】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第2の工程の説明図である。 It is an explanatory view of a second step of the method of manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the present invention; FIG.

【図3】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第3の工程の説明図である。 It is an explanatory view of the third step of the method of manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the present invention; FIG.

【図4】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第4の工程の説明図である。 It is an explanatory view of a fourth step of the method for manufacturing a contact probe in the present invention; FIG first embodiment according to the.

【図5】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第5の工程の説明図である。 5 is an explanatory view of a fifth step of the method for manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the present invention.

【図6】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第6の工程の説明図である。 It is an explanatory view of a sixth step of the method for manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the present invention; FIG.

【図7】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第7の工程の説明図である。 7 is an explanatory view of a seventh step of the manufacturing method of the contact probe in the first embodiment according to the present invention.

【図8】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第8の工程の説明図である。 Is an explanatory view of an eighth step of the manufacturing method of the contact probe in Fig. 8 the first embodiment according to the present invention.

【図9】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の第9の工程の説明図である。 9 is an explanatory view of a ninth step of the manufacturing method of the contact probe in the first embodiment according to the present invention.

【図10】 (a)は、従来のコンタクトプローブの先端部の斜視図であり、(b)は、本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの先端部の斜視図である。 [Figure 10 (a) is a perspective view of the tip portion of the conventional contact probe, (b) are perspective view of the tip of the contact probe in the first embodiment according to the present invention.

【図11】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の回転刃の軌跡についての説明図である。 It is an explanatory view of the locus of the rotary blades of a method of manufacturing a contact probe in the first embodiment according to Figure 11 the present invention.

【図12】 本発明に基づく実施の形態1におけるコンタクトプローブの製造方法の回転刃の軌跡についての、 [12] for the locus of the rotary blade of a method of manufacturing a contact probe in the first embodiment according to the present invention,
他の形状の例の説明図である。 It is an explanatory view of an example of another shape.

【図13】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第1の工程の説明図である。 13 is an explanatory view of a first step of the method of manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図14】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第2の工程の説明図である。 14 is an explanatory view of a second step of the method of manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図15】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第3の工程の説明図である。 15 is an explanatory view of the third step of the method of manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図16】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第4の工程の説明図である。 16 is an explanatory view of a fourth step of the method for manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図17】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第5の工程の説明図である。 17 is an explanatory view of a fifth step of the method for manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図18】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第6の工程の説明図である。 18 is an explanatory view of a sixth step of the method for manufacturing a contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図19】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第7の工程の説明図である。 19 is an explanatory view of a seventh step of the manufacturing method of the contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図20】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第8の工程の説明図である。 Figure 20 is an explanatory view of an eighth step of the manufacturing method of the contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図21】 本発明に基づく実施の形態2におけるコンタクトプローブの製造方法の第9の工程の説明図である。 Figure 21 is an illustration of a ninth step of the manufacturing method of the contact probe in the second embodiment according to the present invention.

【図22】 本発明に基づく実施の形態3におけるコンタクトプローブの製造方法の第5の工程の説明図である。 Is an explanatory view of a fifth step of the method for manufacturing the contact probe in Fig. 22 the present invention the third embodiment according to.

【図23】 本発明に基づく実施の形態3におけるコンタクトプローブの製造方法の第6の工程の説明図である。 23 is an explanatory view of a sixth step of the manufacturing method of the contact probe according to the third embodiment of the present invention.

【図24】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第1の例の斜視図である。 24 is a perspective view of a first embodiment of a contact probe according to the prior art.

【図25】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第1の例に対応するマスクパターンの平面図である。 25 is a plan view of a mask pattern corresponding to a first example of a contact probe according to the prior art.

【図26】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第2の例に対応するマスクパターンの先端部の拡大平面図である。 Figure 26 is an enlarged plan view of the tip portion of the mask pattern corresponding to a second example of a contact probe according to the prior art.

【図27】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第2の例の先端部の拡大斜視図である。 27 is an enlarged perspective view of the distal end portion of a second example of a contact probe according to the prior art.

【図28】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第3の例に対応するマスクパターンの平面図である。 28 is a plan view of a mask pattern corresponding to a third example of a contact probe according to the prior art.

【図29】 従来技術に基づくコンタクトプローブの第3の例の斜視図である。 29 is a perspective view of a third embodiment of a contact probe according to the prior art.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,1a,1b 先端部、2,2b スプリング部、2 1, 1a, 1b tip, 2 and 2b the spring unit, 2
1 基板、22 レジスト膜、23 X線、24 露光部分、25 凹部、26 金属層、27 下地導電層、 1 substrate, 22 resist film, 23 X-ray, 24 exposure part, 25 recess, 26 metal layer 27 underlying conductive layer,
30 マスク、32 金型、33 樹脂型、34 樹脂パターン枠、41 回転刃、42 放電加工電極。 30 mask 32 mold 33 resin type, 34 resin pattern frame, 41 rotary blade, 42 discharge machining electrode.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G011 AA04 AA09 AB01 AC14 AE01 4M106 BA01 DD03 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of continued F-term (reference) 2G011 AA04 AA09 AB01 AC14 AE01 4M106 BA01 DD03

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 一定のパターンに従って一方向に成長させたメッキ金属層により形成された、先端部を有するコンタクトプローブであって、前記先端部は、前記メッキの成長方向と斜めに交わる、機械加工によって形成された斜面を有することによって尖っている、コンタクトプローブ。 1. A formed by plating a metal layer grown in one direction according to a certain pattern, a contact probe having a tip, said tip intersects the growth direction and obliquely of the plating, machining It pointed by having an inclined surface formed by the contact probe.
  2. 【請求項2】 基板上に配置した、コンタクトプローブに対応する形状を有するパターン枠を用いて、前記パターン枠の隙間を埋めるようにメッキを行ない金属層を形成するメッキ工程と、 前記金属層のうち、前記コンタクトプローブの先端部となる箇所を斜めに除去して尖らせる先端加工工程と、 前記パターン枠から前記金属層のみを取出す取出し工程とを含む、コンタクトプローブの製造方法。 Wherein arranged on a substrate, using a pattern frame having a shape corresponding to the contact probe, a plating step of forming a metal layer subjected to plating so as to fill a gap of said pattern frame, the metal layer among the includes a tip machining step of sharpened portion which becomes the leading end portion of the contact probe is removed obliquely, and a takeout step from said pattern frame extracting only the metal layer, the manufacturing method of the contact probe.
  3. 【請求項3】 前記先端加工工程は、刃の外縁断面がV Wherein the distal end processing step, the outer edge section of the blade is V
    字形状である回転刃で、前記パターン枠と前記金属層との境目を削ることで行なう、請求項2に記載のコンタクトプローブの製造方法。 A rotating blade is shaped, carried out by cutting the boundary between the pattern frame and the metal layer, the manufacturing method of a contact probe according to claim 2.
  4. 【請求項4】 前記先端加工工程は、放電加工によって前記金属層の先端を削る、請求項2に記載のコンタクトプローブの製造方法。 Wherein said tip processing step, electrical discharge machining by cutting the tip of the metal layer, the manufacturing method of a contact probe according to claim 2.
  5. 【請求項5】 前記先端加工工程は、前記放電加工によって形成される加工面に放電加工痕を利用して突起を成長させる工程を含む、請求項4に記載のコンタクトプローブの製造方法。 Wherein said tip processing step includes a step of growing the projection by using the electrical discharge machining mark on the machined surface formed by said electrical discharge machining method of manufacturing a contact probe according to claim 4.
  6. 【請求項6】 前記加工面を、前記加工面の表面より硬度が高く、前記加工面の表面をなす材料より電気抵抗が小さい金属で覆う、請求項5に記載のコンタクトプローブの製造方法。 The method according to claim 6, wherein the processing surface, the high hardness than the surface of the working surface, the covered electric resistance is small metal than the material of the surface of the work surface, a manufacturing method of a contact probe according to claim 5.
  7. 【請求項7】 前記パターン枠は、前記基板の上に形成したレジスト膜に対してリソグラフィによってパターンを形成したものである、請求項2から6のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法。 Wherein said pattern frame is obtained by forming a pattern by lithography on the resist film formed on the substrate, a manufacturing method of a contact probe according to any of claims 2 to 6.
  8. 【請求項8】 前記パターン枠は、金型を用いて成形した樹脂製のものである、請求項2から7のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法。 Wherein said pattern frame is made of resin molded in a mold, a manufacturing method of a contact probe according to claim 2 to 7.
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