JP2002293201A - On-vehicle electrical equipment unit - Google Patents
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- Connection Or Junction Boxes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、インテリジェン
トパワースイッチ(以下、IPSという。)などの半導
体リレーを用いる車載用電装ユニットに関し、さらに詳
しくは、放熱性を有するコンパクトな車載用電装ユニッ
トにする。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vehicular electrical unit using a semiconductor relay such as an intelligent power switch (hereinafter referred to as IPS), and more particularly to a compact vehicular electrical unit having heat dissipation.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、IPSなどの半導体リレーを使用
した車載用電装ユニットとしては、制御基板上に、接続
用コネクタと半導体リレーとが実装されたものがある。
接続用コネクタは、例えばヘッドランプ、フォグラン
プ、各種モータなどの負荷と制御基板側との接続を行っ
ている。また、半導体リレーは、負荷に対して供給され
る電力のを行っている。このような車載用電装ユニット
では、IPSなどの半導体リレーから発生する熱を逃が
すために、制御基板裏面に放熱板を備えている構造が一
般的である。2. Description of the Related Art Conventionally, as an on-vehicle electrical unit using a semiconductor relay such as IPS, there is one in which a connector for connection and a semiconductor relay are mounted on a control board.
The connection connector connects, for example, a load such as a headlamp, a fog lamp, and various motors to the control board. Further, the semiconductor relay performs power supply to a load. Such an in-vehicle electrical unit generally has a structure in which a heat radiating plate is provided on the back surface of the control board in order to release heat generated from a semiconductor relay such as an IPS.
【0003】このような車載用電装ユニットでは、標準
仕様、オプション仕様などに応じて負荷の制御回路数が
異なる。このような負荷制御数の増減によって、制御基
板における半導体リレー搭載スペース及び半導体リレー
の制御回路スペースが大きく異なる。そのため、従来の
車載用電装ユニットでは、各仕様毎に制御基板を作製し
ていた。[0003] In such a vehicle electrical unit, the number of load control circuits differs depending on standard specifications, optional specifications, and the like. Due to such an increase or decrease in the number of load controls, the semiconductor relay mounting space on the control board and the control circuit space of the semiconductor relay differ greatly. Therefore, in the conventional on-vehicle electrical unit, a control board is manufactured for each specification.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記したような車載用
電装ユニットでは、大電流が流れるパワー系の配線パタ
ーンが配索されている。そこで、配線パターンの配線抵
抗を抑えたり、配線パターン自体の発熱を抑えるため
に、配線パターンの幅を広くする必要があった。このた
め、制御基板が大型化するという問題点がある。また、
上記した車載用電装ユニットでは、制御基板上に、IP
Sなどの半導体リレーを負荷の数に応じて実装するた
め、半導体リレーの配置スペースと半導体リレーの端子
に接続される引き回し配線の配置スペースも必要であり
大型化する要因となっている。In the above-mentioned electrical equipment unit for a vehicle, a wiring pattern of a power system through which a large current flows is routed. Therefore, in order to suppress the wiring resistance of the wiring pattern and to suppress the heat generation of the wiring pattern itself, it is necessary to increase the width of the wiring pattern. Therefore, there is a problem that the size of the control board is increased. Also,
In the above-mentioned onboard electrical unit, the IP
Since semiconductor relays such as S are mounted in accordance with the number of loads, a space for arranging the semiconductor relays and a space for arranging the routing wiring connected to the terminals of the semiconductor relays are also required, which is a factor of increasing the size.
【0005】そこで、本発明の目的は、放熱性に優れた
コンパクトな車載用電装ユニットを提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a compact vehicle electrical unit having excellent heat dissipation.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
制御基板に実装された半導体リレーを介して負荷のオン
・オフ制御を行う車載用電装ユニットであって、前記半
導体リレーがマウントされ、該半導体リレーに接続され
るコネクタ用リード部と基板接続用リード部とを備え、
前記半導体リレーが樹脂モールド部で封止されてなる半
導体リレーモジュールを、前記制御基板に重ねて配置す
ると共に、少なくとも前記半導体リレーモジュールを覆
う放熱性を有するケーシングが、前記樹脂モールド部に
接触していることを特徴とする。According to the first aspect of the present invention,
An on-vehicle electrical unit for controlling on / off of a load via a semiconductor relay mounted on a control board, wherein the semiconductor relay is mounted, and a connector lead portion and a board connection lead connected to the semiconductor relay are provided. Department and
A semiconductor relay module in which the semiconductor relay is sealed with a resin mold portion, and arranged so as to overlap with the control board, and a casing having heat radiation covering at least the semiconductor relay module is in contact with the resin mold portion. It is characterized by being.
【0007】請求項1記載の発明では、ケーシングが樹
脂モールド部に接触しているため、半導体リレーから発
生する熱を効率的に放散させる作用がある。このため、
制御基板からパワー系の配線を無くすと共に、制御基板
と別体の半導体リレーモジュールの放熱性を高める作用
がある。According to the first aspect of the present invention, since the casing is in contact with the resin mold portion, the heat generated from the semiconductor relay is efficiently dissipated. For this reason,
In addition to eliminating power-related wiring from the control board, it has the effect of increasing the heat dissipation of the semiconductor relay module separate from the control board.
【0008】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の車載用電装ユニットであって、前記コネクタ用リー
ド部が放熱性を有することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the on-vehicle electrical unit according to the first aspect, wherein the connector lead has heat radiation.
【0009】したがって、請求項2記載の発明では、請
求項1に記載された発明の作用に加えて、コネクタ用リ
ード部から熱を逃がすことができる。このため、半導体
リレーモジュールの発熱を抑制することができる。Therefore, according to the second aspect of the invention, in addition to the effect of the first aspect, heat can be released from the connector lead portion. Therefore, heat generation of the semiconductor relay module can be suppressed.
【0010】さらに、請求項3記載の発明は、請求項1
又は請求項2に記載された車載用電装ユニットであっ
て、前記ケーシングは、金属で形成されていることを特
徴とする。[0010] Further, the invention according to claim 3 is based on claim 1.
Alternatively, the in-vehicle electrical unit according to claim 2, wherein the casing is formed of metal.
【0011】したがって、請求項3記載の発明では、請
求項1及び請求項2に記載された発明の作用に加えて、
半導体リレーで発生した熱をより効率的に伝導、放熱さ
せる作用がある。Therefore, according to the third aspect of the invention, in addition to the effects of the first and second aspects of the invention,
It has the effect of more efficiently conducting and radiating heat generated by the semiconductor relay.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る車載用電装ユ
ニットの詳細について実施形態に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of an on-vehicle electrical unit according to the present invention will be described below based on embodiments.
【0013】図1は本実施形態に係る車載用電装ユニッ
ト1を示す平面図であり、図2は図1のA−A断面図で
ある。なお、図1では、カバーを破線で示して車載用電
装ユニット1の内部が見える状態を示している。FIG. 1 is a plan view showing an on-vehicle electrical unit 1 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. In FIG. 1, the cover is indicated by a broken line to show a state in which the inside of the vehicle-mounted electrical unit 1 can be seen.
【0014】本実施形態の車載用電装ユニット1は、略
矩形のトレー形状のケース本体2内に、制御基板10と
半導体リレーモジュール20とが収納され、ケース本体
2にケーシングの一部であるカバー3が被せられて大略
構成されている。In the vehicle electrical unit 1 of the present embodiment, a control board 10 and a semiconductor relay module 20 are accommodated in a substantially rectangular tray-shaped case main body 2, and the case main body 2 has a cover, which is a part of a casing. 3 is roughly covered.
【0015】ケース本体2は、放熱性の高い絶縁性材料
で形成されることが好ましいが、制御基板10との絶縁
が確保できれば金属製であってもよい。また、カバー3
は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性及び放熱性の高
い金属材料で形成されている。そして、このカバー3
は、半導体リレーモジュール20の樹脂モールド部21
と密着するように、ケース本体2に被せられており、半
導体リレーモジュール20で発生した熱を放熱させるよ
うになっている。なお、ケース本体2とカバー3とは、
図2に示すように、組み付けた状態で、一方側に端子収
容空間4が形成されるような形状になっている。The case body 2 is preferably formed of an insulating material having a high heat dissipation property, but may be made of metal as long as insulation from the control board 10 can be ensured. Also, cover 3
Is formed of a metal material having high heat conductivity and heat dissipation such as aluminum. And this cover 3
Is the resin mold part 21 of the semiconductor relay module 20
The semiconductor relay module 20 is covered with the case main body 2 so as to be in close contact with the semiconductor relay module 20 so as to radiate heat. The case body 2 and the cover 3 are
As shown in FIG. 2, the terminal receiving space 4 is formed on one side in the assembled state.
【0016】制御基板10には、制御用マイコンをはじ
め周知の電子部品11A、11Bなどが実装されてい
る。また、制御基板10には、これら電子部品11A、
11Bなどに接続されて回路を構成する配線パターン
(図示省略する。)が形成されている。さらに、制御基
板10の一方の側縁には、この制御基板10への電力供
給や信号の出し入れを行う複数の基板側端子12が突設
された基板側コネクタ13が設けられている。On the control board 10, well-known electronic components 11A and 11B, as well as a control microcomputer, are mounted. The control board 10 includes these electronic components 11A,
A wiring pattern (not shown) which is connected to 11B or the like and forms a circuit is formed. Further, on one side edge of the control board 10, a board-side connector 13 is provided which is provided with a plurality of board-side terminals 12 for supplying power to the control board 10 and taking out / in signals.
【0017】半導体リレーモジュール20は、図3及び
図4に示すように、内部に複数の半導体リレー22A、
22B、22C、22D、22E、22Fがダイパッド
部23A、23Bに搭載されて直方体形状に樹脂封止さ
れた樹脂モールド部21と、この樹脂モールド部21の
一方の側面から延伸される複数のコネクタ用リード部2
4と、樹脂モールド部21の他方の側面から延伸される
複数の基板接続用リード部25とを備えてなる。なお、
複数のコネクタ用リード部24の側方には隣接するコネ
クタ用リード部24と平行をなすように、ダイパッド部
23A、23Bに接続された電源用リード部24A、2
4Bが設けられている。As shown in FIGS. 3 and 4, the semiconductor relay module 20 has a plurality of semiconductor relays 22A therein.
22B, 22C, 22D, 22E, and 22F are mounted on the die pad portions 23A and 23B, and are resin-molded in a rectangular parallelepiped shape, and a plurality of connectors extending from one side surface of the resin molded portion 21. Lead 2
4 and a plurality of substrate connection lead portions 25 extending from the other side surface of the resin mold portion 21. In addition,
The power supply leads 24A, 2B connected to the die pad parts 23A, 23B are arranged on the sides of the plurality of connector leads 24 so as to be parallel to the adjacent connector leads 24.
4B is provided.
【0018】なお、樹脂モールド部21の長手方向の両
側には、螺子穴26が上下方向に貫通するように形成さ
れている。この螺子穴26には、半導体リレーモジュー
ル20を、上記した制御基板10の一方側に設けられた
基板側コネクタ13の上に載せた状態で固定するための
螺子部材が挿通されるようになっている。A screw hole 26 is formed on both sides in the longitudinal direction of the resin mold portion 21 so as to penetrate in the vertical direction. A screw member for fixing the semiconductor relay module 20 on the board-side connector 13 provided on one side of the control board 10 is inserted into the screw hole 26. I have.
【0019】この半導体リレーモジュール20における
コネクタ用リード部24及び電源用リード部24A、2
4Bは、大電流が流れるためリード部の幅が広く設定さ
れている。そして、コネクタ用リード部24は、例えば
ヘッドランプ、ワイパーを駆動するモータなどの各種の
負荷にそれぞれ接続されるようになっている。そして、
各コネクタ用リード部24には、これらが対応して接続
される半導体リレー22A、22B、22C、22D、
22E、22Fのそれぞれのスイッチング動作により各
負荷へ電力を供給するようになっている。In this semiconductor relay module 20, a connector lead 24 and a power lead 24A,
In 4B, the width of the lead portion is set wide because a large current flows. The connector leads 24 are respectively connected to various loads such as a head lamp and a motor for driving a wiper. And
The semiconductor relays 22A, 22B, 22C, 22D,
Power is supplied to each load by the switching operation of each of 22E and 22F.
【0020】これら半導体リレー22A、22B、22
C、22D、22E、22Fは、裏面電極として形成さ
れているドレイン電極(図示省略する。)が、ダイパッ
ド部23A、23Bに電気的に接続している。そして、
半導体リレー22A、22B、22C、22D、22
E、22Fの表面電極(ボンディングパッド)として形
成されているソース電極(図示省略する。)は、それぞ
れに対応するスイッチング動作の対象となる負荷に接続
されるコネクタ用リード部24にワイヤーボンディング
されている。また、これら半導体リレー22A、22
B、22C、22D、22E、22Fの他の表面電極
(ボンディングパッド)として形成されているゲート電
極(図示省略する。)は、基板接続用リード部25にワ
イヤーボンディングされている。基板接続用リード部2
5からは、制御用マイコンなどの電子部品から出力され
るH/L信号(制御信号)や、半導体リレー側の電流検
知信号(ステイタス信号)などが伝達される。なお、半
導体リレー側のボンディングパッドとコネクタ用リード
部24、ボンディングパッドと基板接続用リード部25
とを互いに接続する導電体としてのボンディングワイヤ
は、アルミニウム(Al)線、金(Au)線、銅(C
u)線やこれらのリボンを用いればよい。These semiconductor relays 22A, 22B, 22
In C, 22D, 22E, and 22F, drain electrodes (not shown) formed as back electrodes are electrically connected to the die pad portions 23A and 23B. And
Semiconductor relays 22A, 22B, 22C, 22D, 22
Source electrodes (not shown) formed as surface electrodes (bonding pads) of E and 22F are wire-bonded to connector lead portions 24 connected to loads corresponding to the respective switching operations. I have. These semiconductor relays 22A, 22A
Gate electrodes (not shown) formed as other surface electrodes (bonding pads) of B, 22C, 22D, 22E, and 22F are wire-bonded to the substrate connection lead portions 25. Board connection lead 2
5 transmits an H / L signal (control signal) output from an electronic component such as a control microcomputer, a current detection signal (status signal) on the semiconductor relay side, and the like. The bonding pad and the connector lead 24 on the semiconductor relay side, and the bonding pad and the board connection lead 25
And aluminum (Al) wire, gold (Au) wire, copper (C)
u) wire or these ribbons may be used.
【0021】このような構成の半導体リレーモジュール
20では、半導体リレー22A、22B、22C、22
D、22E、22Fの裏面電極であるドレイン電極をダ
イパッド部23に電気的に接続しているため、半導体リ
レーの表面電極のそれぞれよりも相対的に電流容量を大
きくし、電源用リード部24A、24Bに大電流を流す
ことができる。特に、本実施形態では、図5に示す等価
回路図に示すように、それぞの半導体リレー22A、2
2B、22C、22D、22E、22Fに対応する負荷
L1、L2、L3、L4、L5、L6よりハイサイドに
配置した回路構成としている。In the semiconductor relay module 20 having such a configuration, the semiconductor relays 22A, 22B, 22C, 22
Since the drain electrodes, which are the back electrodes of D, 22E, and 22F, are electrically connected to the die pad portion 23, the current capacity is relatively larger than each of the surface electrodes of the semiconductor relay, and the power supply lead portions 24A, A large current can flow through 24B. In particular, in the present embodiment, as shown in the equivalent circuit diagram of FIG.
The circuit configuration is such that loads L1, L2, L3, L4, L5, and L6 corresponding to 2B, 22C, 22D, 22E, and 22F are arranged on the high side.
【0022】次に、上記した半導体リレーモジュール2
0に用いられるリードフレーム30について図6を用い
て説明する。なお、図6はリードフレーム30に半導体
リレー22A、22B、22C、22D、22E、22
Fをマウントした状態を示す平面図である。Next, the above-described semiconductor relay module 2
The lead frame 30 used for No. 0 will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows that the semiconductor relays 22A, 22B, 22C, 22D, 22E, 22
It is a top view showing the state where F was mounted.
【0023】このリードフレーム30は、多連長尺の帯
状体である。このリードフレーム30における1単位で
ある1つの半導体リレーモジュール20が形成される部
分は、図6に示すように、3つの半導体リレー22A、
22B、22Cがマウントされる略長方形状のダイパッ
ド部23Aと、他の3つの半導体リレー22D、22
E、22Fがマウントされる同じく略長方形状のダイパ
ッド部23Bと、がリードフレーム30の長手方向に沿
って所定間隔を隔てて配置されている。ダイパッド部2
3A、23Bの幅方向両側には、これらダイパッド部2
3A、23Bから離れた位置にリードフレーム30の長
手方向に沿ってタイバー31、32が形成されている。
このタイバー31、32の両端部は、これらタイバー3
1、32に直交する方向に形成された連結バー33、3
4に連結されている。タイバー31、32の外側には、
互いに平行をなすフレームバー35、36が形成されて
いる。これらフレームバー35、36には、連結バー3
3、34の両端部が連結されている。The lead frame 30 is a multiple continuous strip. As shown in FIG. 6, the portion where one semiconductor relay module 20 which is one unit in the lead frame 30 is formed includes three semiconductor relays 22A,
A substantially rectangular die pad portion 23A on which the semiconductor relays 22B and 22C are mounted, and three other semiconductor relays 22D and 22D
E and 22F are also mounted at predetermined intervals along the longitudinal direction of the lead frame 30 with the die pad 23B having a substantially rectangular shape. Die pad part 2
These die pad portions 2 are provided on both sides in the width direction of 3A and 23B.
Tie bars 31 and 32 are formed along the longitudinal direction of the lead frame 30 at positions away from 3A and 23B.
Both ends of the tie bars 31 and 32 are
Connecting bars 33, 3 formed in a direction orthogonal to 1, 32
4. Outside the tie bars 31, 32,
Frame bars 35 and 36 which are parallel to each other are formed. These frame bars 35 and 36 include a connecting bar 3
Both ends of 3, 34 are connected.
【0024】タイバー31には、ダイパッド部23A、
23Bに連続するように電源用リード部24A、24B
が一体に形成されている。また、それぞれダイパッド部
23A、23Bの側方のタイバー31には、ダイパッド
部23A、23Bと連続しない複数のコネクタ用リード
部24が同一ピッチ(比較的広い間隔)で互いに平行を
なすように一体に形成されている。The tie bar 31 has a die pad portion 23A,
Power supply leads 24A, 24B so as to be continuous with 23B.
Are formed integrally. A plurality of connector leads 24 that are not continuous with the die pads 23A, 23B are integrally formed on the tie bars 31 on the sides of the die pads 23A, 23B at the same pitch (relatively wide interval). Is formed.
【0025】また、タイバー32とフレームバー36に
は、それぞれのダイパッド部23A、23に連続しない
複数の基板接続用リード部25が比較的狭いピッチで互
いに平行をなすように一体に形成されている。なお、タ
イバー32には、ダイパッド部23A、23Bと連結す
るサポートバー37、37が形成されている。The tie bar 32 and the frame bar 36 are integrally formed with a plurality of substrate connection lead portions 25 which are not continuous with the respective die pad portions 23A and 23 so as to be parallel to each other at a relatively narrow pitch. . The tie bar 32 has support bars 37, 37 connected to the die pad portions 23A, 23B.
【0026】さらに、ダイパッド部23A、23Bは、
リードフレーム30における他の部分に比較して板厚が
厚く設定されている。Further, the die pad portions 23A and 23B
The plate thickness is set to be thicker than other portions of the lead frame 30.
【0027】本実施形態に係るリードフレーム30は、
いずれも打ち抜き成形やエッチングなどで所定形状にパ
ターニングされた金属板材、例えばアルミニウム(A
l)、銅(Cu)、Cu−Fe、Cu−Fe−P、Cu
−Cr、Cu−Ni−Si、Cu−Snなどの銅合金、
Ni−Fe、Fe−Ni−Co、などのニッケル・鉄合
金、あるいは銅とステンレスの複合材料などを用いるこ
とが可能である。さらに、これらの金属にニッケル(N
i)メッキ、銀(Ag)メッキや金(Au)メッキなど
を施したものなどを用いてもよい。The lead frame 30 according to the present embodiment
In any case, a metal plate material patterned into a predetermined shape by punching or etching, for example, aluminum (A
l), copper (Cu), Cu-Fe, Cu-Fe-P, Cu
-Copper alloys such as Cr, Cu-Ni-Si, Cu-Sn,
A nickel-iron alloy such as Ni-Fe or Fe-Ni-Co, or a composite material of copper and stainless steel can be used. In addition, nickel (N
i) Plated, silver (Ag) plated, gold (Au) plated or the like may be used.
【0028】このようなリードフレーム30を用いて半
導体リレーモジュール20を作製するには、図6に示す
ように、ダイパッド部23A、23Bに所定の半導体リ
レーを搭載し、ワイヤボンディングを行った後、図7に
示すようにトランスファーモールドを行い、リードフレ
ーム30をカッティングすることで図3に示すような半
導体リレーモジュール20が完成する。なお、基板接続
用リード部25は、図4に示すように、所定位置で折り
曲げればよい。なお、このように折り曲げた基板接続用
リード部25は、車載用電装ユニット1に組み付ける場
合、図2に示すように制御基板10に挿通し、制御基板
10の裏面側に形成された配線パターン(図示省略す
る。)と半田付けが行われる。In order to manufacture the semiconductor relay module 20 using such a lead frame 30, as shown in FIG. 6, a predetermined semiconductor relay is mounted on the die pad portions 23A and 23B, and wire bonding is performed. By performing transfer molding as shown in FIG. 7 and cutting the lead frame 30, the semiconductor relay module 20 as shown in FIG. 3 is completed. The board connection lead 25 may be bent at a predetermined position, as shown in FIG. When the board connecting lead portion 25 bent in this way is assembled to the vehicle-mounted electrical unit 1, the lead portion 25 is inserted into the control board 10 as shown in FIG. (Not shown)) and soldering is performed.
【0029】上記したリードフレーム30では、ダイパ
ッド部23A、23Bに、それぞれ3つずつの半導体リ
レーがマウント可能であるが、負荷の制御数に応じて標
準仕様、オプション仕様などに応じた半導体リレーのマ
ウント数の増減が可能である。本実施形態では、このよ
うなリードフレーム30を用いて作製した半導体リレー
モジュール20はトランスファーモールドされた薄型構
造であるため、図1及び図2に示すように制御基板10
の上に搭載されても、大型化を招くことはない。In the above-described lead frame 30, three semiconductor relays can be mounted on each of the die pad portions 23A and 23B. However, depending on the number of load controls, semiconductor relays according to the standard specifications and optional specifications can be mounted. The number of mounts can be increased or decreased. In the present embodiment, since the semiconductor relay module 20 manufactured using such a lead frame 30 has a transfer-molded thin structure, as shown in FIGS.
Even if it is mounted on a, there is no increase in size.
【0030】また、リードフレーム30自体に汎用性が
あるため、1種類のリードフレーム30にて標準仕様や
オプション仕様に対応することができる。このとき、制
御基板10も変更する必要がないため、制御基板10の
共通化が可能となり、大幅なコストダウンを図ることが
できる。Further, since the lead frame 30 itself has versatility, one type of lead frame 30 can support standard specifications and optional specifications. At this time, since there is no need to change the control board 10, the control board 10 can be shared, and the cost can be significantly reduced.
【0031】さらに、車載用電装ユニット1において比
較的発熱量の大きい半導体リレーをリードフレーム30
にマウントして半導体リレーモジュール20を別体とし
て作製するため、制御基板10側に発熱を考慮した配線
パターンを形成する必要がなく、制御基板10自体の大
型化を抑えることができる。特に、本実施形態では、電
源供給ライン及びソースラインが、半導体リレーモジュ
ール20から直接外部に出ていくため、制御基板10に
はこのようなパワー系のライン配索が不要となり、パワ
ー系ラインからの発熱、配索がなくなるという利点があ
る。Further, a semiconductor relay which generates a relatively large amount of heat in the on-vehicle electrical unit 1 is connected to the lead frame
And the semiconductor relay module 20 is manufactured as a separate body, so that it is not necessary to form a wiring pattern in consideration of heat generation on the control board 10 side, and it is possible to suppress an increase in the size of the control board 10 itself. In particular, in the present embodiment, the power supply line and the source line go directly to the outside from the semiconductor relay module 20, so that such a power system line is not required on the control board 10, and This has the advantage of eliminating heat generation and wiring.
【0032】また、本実施形態のリードフレーム30で
は、図3及び図6に示すように、個々の半導体リレーの
発熱量に応じて、半導体リレーの配置を設計すること
で、リードフレーム形状、寸法及び各半導体リレーのマ
ウント位置、マウント間隔を決定することができる。こ
のようなリードフレーム30を用いて半導体リレーモジ
ュール20を作製することで、複数の異なった負荷の制
御を容易に行うことができる。In the lead frame 30 of the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 6, the layout of the semiconductor relays is designed in accordance with the heat generation of each semiconductor relay, so that the shape and dimensions of the lead frame are reduced. In addition, the mounting position and the mounting interval of each semiconductor relay can be determined. By manufacturing the semiconductor relay module 20 using such a lead frame 30, a plurality of different loads can be easily controlled.
【0033】以上、本実施形態について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。例えば、上記した
実施形態では、2つのダイパッド部23A、23Bを有
するリードフレーム30、半導体リレーモジュール20
としたが、ダイパッド部の数は単数でも、3つ以上の数
であってもよい。また、それぞれのダイパッド部にマウ
ントする半導体リレーの数も適宜変更が可能である。Although the present embodiment has been described above, the present invention is not limited to this, and various design changes accompanying the gist of the configuration are possible. For example, in the above-described embodiment, the lead frame 30 having the two die pad portions 23A and 23B, the semiconductor relay module 20
However, the number of die pads may be singular or three or more. Further, the number of semiconductor relays mounted on each die pad portion can be changed as appropriate.
【0034】また、上記した実施形態では、半導体リレ
ーを負荷に対してハイサイドに配置した回路設計とした
が、ローサイド設計とすることも勿論可能である。In the above-described embodiment, the circuit is designed such that the semiconductor relay is arranged on the high side with respect to the load. However, it is of course possible to adopt the low side design.
【0035】さらに、上記した実施形態では、カバー3
をアルミニウムで形成したが、熱伝導性、放熱性が高い
材料であれば、これに限定されるものではない。Further, in the above embodiment, the cover 3
Is formed of aluminum, but the material is not limited to this as long as the material has high thermal conductivity and heat dissipation.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1記載の発明によれば、ケーシングが樹脂モールド部に
接触しているため、半導体リレーから発生する熱を効率
的に放散させる効果がある。このため、制御基板からパ
ワー系の配線を無くして、制御基板の大型化を抑制で
き、しかも制御基板と別体の半導体リレーモジュールの
放熱性も高める効果がある。As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, since the casing is in contact with the resin mold portion, the effect of efficiently dissipating the heat generated from the semiconductor relay is obtained. is there. For this reason, there is an effect that the wiring of the power system is eliminated from the control board, the enlargement of the control board can be suppressed, and the heat dissipation of the semiconductor relay module separate from the control board is also improved.
【0037】請求項2記載の発明によれば、請求項1に
記載された発明の効果に加えて、コネクタ用リード部か
ら熱を逃がすことができるため、半導体リレーモジュー
ルの発熱を抑制する効果がある。According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, since heat can be released from the connector lead portion, the effect of suppressing heat generation of the semiconductor relay module can be obtained. is there.
【0038】請求項3記載の発明によれば、請求項1及
び請求項2に記載された発明の効果に加えて、半導体リ
レーで発生した熱をより効率的に伝導、放熱させる効果
がある。According to the third aspect of the present invention, in addition to the effects of the first and second aspects of the present invention, there is an effect of more efficiently conducting and radiating heat generated in the semiconductor relay.
【図1】本発明に係る車載用電装ユニットの実施形態を
示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a vehicle electrical unit according to the present invention.
【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】本発明に係る半導体リレーモジュールの実施形
態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of a semiconductor relay module according to the present invention.
【図4】実施形態の半導体リレーモジュールの側面図で
ある。FIG. 4 is a side view of the semiconductor relay module of the embodiment.
【図5】実施形態の車載用電装ユニットの等価回路図で
ある。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the vehicle electrical unit according to the embodiment.
【図6】本発明に係るリードフレームの実施形態を示す
平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an embodiment of a lead frame according to the present invention.
【図7】実施形態のリードフレームにトランスファーモ
ールドを施した状態を示す側面説明図である。FIG. 7 is an explanatory side view showing a state in which transfer molding has been performed on the lead frame of the embodiment.
1 車載用電装ユニット 10 制御基板 20 半導体リレーモジュール 21 樹脂モールド部 22A、22B、22C、22D、22E、22F 半
導体リレー 23A、23B ダイパッド部 24、24A、24B コネクタ接続用リード部 25 基板接続用リード部 30 リードフレーム L1、L2、L3、L4、L5、L6 負荷DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 In-vehicle electrical unit 10 Control board 20 Semiconductor relay module 21 Resin molded part 22A, 22B, 22C, 22D, 22E, 22F Semiconductor relay 23A, 23B Die pad part 24, 24A, 24B Connector connection lead part 25 Board connection lead part 30 Lead frame L1, L2, L3, L4, L5, L6 Load
フロントページの続き Fターム(参考) 5F036 AA01 BA23 BB01 BC31 BD01 5G361 BA01 BB01 BC01 Continuation of the front page F term (reference) 5F036 AA01 BA23 BB01 BC31 BD01 5G361 BA01 BB01 BC01
Claims (3)
して負荷の制御を行う車載用電装ユニットであって、 前記半導体リレーがマウントされ、該半導体リレーに接
続されるコネクタ用リード部と基板接続用リード部とを
備え、前記半導体リレーが樹脂モールド部で封止されて
なる半導体リレーモジュールを、前記制御基板に重ねて
配置すると共に、少なくとも前記半導体リレーモジュー
ルを覆う放熱性を有するケーシングが、前記樹脂モール
ド部に接触していることを特徴とする車載用電装ユニッ
ト。1. An on-vehicle electrical unit for controlling a load via a semiconductor relay mounted on a control board, wherein the semiconductor relay is mounted and a connector lead connected to the semiconductor relay is connected to a board. And a semiconductor relay module comprising a semiconductor lead module, wherein the semiconductor relay module is formed by sealing the semiconductor relay with a resin mold part.The semiconductor relay module is disposed on the control board. An in-vehicle electrical unit characterized by being in contact with a resin mold part.
って、 前記コネクタ用リード部が放熱性を有することを特徴と
する車載用電装ユニット。2. The on-vehicle electrical unit according to claim 1, wherein the connector lead has heat radiation.
用電装ユニットであって、 前記ケーシングは、金属で形成されていることを特徴と
する車載用電装ユニット。3. The on-vehicle electrical unit according to claim 1, wherein the casing is formed of a metal.
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