JP2002280285A - Method of forming resist pattern - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、開口部を有する
レジストパターンの形成方法に関し、詳しくは、開口部
の底部となる基板表面や厚膜配線表面、あるいは低反射
率膜表面などにレジスト残渣が残らないように、所定の
パターンの開口部を有するレジストパターンを形成する
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a resist pattern having an opening, and more particularly, to a method of forming a resist residue on a substrate surface, a thick film wiring surface, or a low-reflectance film surface which is a bottom of the opening. The present invention relates to a method for forming a resist pattern having an opening of a predetermined pattern so as not to remain.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、基板などに配線を形成する方法と
しては、それほど高い精度を必要としない場合には、低
コストで配線を形成することが可能な厚膜配線技術、す
なわち、導電性ペーストを所定のパターンとなるように
塗布して、焼成することにより所望のパターンの配線
（厚膜配線）を形成する方法が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a wiring on a substrate or the like, a thick film wiring technique capable of forming a wiring at low cost when not so high precision is required, that is, a conductive paste Is applied so as to form a predetermined pattern, followed by baking to form a wiring of a desired pattern (thick film wiring).
【０００３】また、スルーホールとして、貫通孔に充填
電極が埋め込まれた構造を有する充填スルーホールを形
成する場合にも、導電性ペーストを貫通孔に充填して、
焼成する方法が用いられている。[0003] Also, when a filled through hole having a structure in which a filled electrode is embedded in a through hole is formed as the through hole, a conductive paste is filled in the through hole to form the filled through hole.
A firing method is used.
【０００４】一方、高精度の配線を形成する方法として
は、例えば、基板の表面に、所定形状の開口部を有する
レジストパターンを形成した後、該レジストパターン上
から配線材料を薄膜形成し、レジストパターン上に堆積
した不要な配線材料薄膜を、レジストパターンとともに
除去することにより基板の表面に薄膜配線を形成する、
いわゆるリフトオフ法が一般的に用いられており、この
リフトオフ法は、セミアディティブ法やウェットエッチ
ング法などよりも、微細化に有利であるという特徴を有
している。また、リフトオフ法は、ＲＩＥ法を用いた配
線形成方法と比較して、基板や下層に与えるダメージが
小さいという特徴を有している。On the other hand, as a method for forming a high-precision wiring, for example, a resist pattern having an opening of a predetermined shape is formed on the surface of a substrate, and a thin film of a wiring material is formed on the resist pattern to form a resist. Forming a thin film wiring on the surface of the substrate by removing unnecessary wiring material thin film deposited on the pattern together with the resist pattern,
A so-called lift-off method is generally used, and this lift-off method has a feature that it is more advantageous for miniaturization than a semi-additive method or a wet etching method. Further, the lift-off method has a feature that damage to a substrate and a lower layer is small as compared with a wiring forming method using an RIE method.
【０００５】そこで、例えば、 貫通孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホールと、
微細配線を組み合わせた回路構成を有する回路基板や、 導電性ペーストを所定のパターンに塗布して焼き付け
た厚膜配線と、微細配線を組み合わせた回路構成を有す
る回路基板などにおいて、厚膜配線（厚膜電極）と薄膜
配線が種々の態様で組み合わされて使用されている。Therefore, for example, a filling through hole in which a filling electrode is embedded in a through hole,
In a circuit board having a circuit configuration in which fine wiring is combined, a thick film wiring in which a conductive paste is applied in a predetermined pattern and baked, and a circuit board having a circuit configuration in which fine wiring is combined, a thick film wiring (thickness) is used. Membrane electrodes) and thin film wirings are used in various combinations.
【０００６】厚膜配線（厚膜電極）とリフトオフ法によ
る薄膜配線を組み合わせた従来の回路基板は、例えば、
以下のようなプロセスにより製造されている。なお、こ
の例では、貫通孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホ
ールと、微細な薄膜配線を組み合わせた回路構成を有す
る回路基板の製造方法について説明する。A conventional circuit board in which a thick film wiring (thick film electrode) and a thin film wiring by a lift-off method are combined, for example,
It is manufactured by the following process. In this example, a method for manufacturing a circuit board having a circuit configuration in which a filling through hole in which a filling electrode is embedded in a through hole and a fine thin film wiring is described.
【０００７】まず、図１０(ａ)に示すように、基板５
１に形成された貫通孔５２に導電性ペーストを塗布、充
填し、焼成することにより、貫通孔５２に充填電極（厚
膜電極）５３が配設された充填スルーホール５４を形成
する。 それから、図１０(ｂ)に示すように、充填スルーホー
ル５４を有する基板５１の所定の領域（充填電極５３の
露出面を含む領域）が開口部となるように、基板５１上
にレジスト（レジストパターン）５５を形成する。 次に、図１０(ｃ)に示すように、レジストパターン５
５の上から、蒸着法などの方法により配線材料薄膜（金
属薄膜）５６を成膜する。 それから、レジストパターン５５を有機溶剤などによ
り剥離・除去するとともに、配線材料薄膜（金属薄膜）
５６の不要部分を除去することにより、微細な薄膜配線
５７（図１０(ｄ)）を形成する。これにより、貫通孔５
２に充填電極５３が埋め込まれた充填スルーホール５４
と、微細な薄膜配線５７が組み合わされた構造を有する
回路基板が得られる。[0007] First, as shown in FIG.
A conductive paste is applied to and filled in the through-hole 52 formed in 1 and baked to form a filled through-hole 54 in which the filling electrode (thick film electrode) 53 is disposed in the through-hole 52. Then, as shown in FIG. 10B, a resist (resist) is formed on the substrate 51 so that a predetermined region (a region including an exposed surface of the filling electrode 53) of the substrate 51 having the filling through hole 54 becomes an opening. (Pattern) 55 is formed. Next, as shown in FIG.
5, a wiring material thin film (metal thin film) 56 is formed by a method such as an evaporation method. Then, the resist pattern 55 is peeled and removed with an organic solvent or the like, and a wiring material thin film (metal thin film) is formed.
By removing unnecessary portions 56, fine thin film wirings 57 (FIG. 10D) are formed. Thereby, the through hole 5
Filled through hole 54 with filling electrode 53 embedded in 2
Thus, a circuit board having a structure in which fine thin film wirings 57 are combined is obtained.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
方法で製造される、充填スルーホール５４と薄膜配線５
７が組み合わされた構造を有する回路基板においては、
厚膜電極（充填電極）５３の露出面は多孔質状で、フラ
ットな基板５１の表面とは異なり、表面が粗くなってい
るため、フォトリソグラフィーなどの方法によりレジス
トパターン５５を形成した後に、厚膜電極５３上にレジ
スト残渣が残留する。また、厚膜電極５３は多孔質で、
多数の孔が存在しているため、孔の内部にレジスト残渣
が入り込んで残留する。However, the filling through hole 54 and the thin film wiring 5 manufactured by the above-described method are used.
In a circuit board having a structure in which 7 is combined,
The exposed surface of the thick-film electrode (filled electrode) 53 is porous and has a rough surface unlike the flat surface of the substrate 51. Therefore, after the resist pattern 55 is formed by a method such as photolithography, A resist residue remains on the membrane electrode 53. The thick-film electrode 53 is porous,
Since a large number of holes are present, a resist residue enters and remains inside the holes.
【０００９】そして、このようなレジスト残渣の影響に
より、厚膜電極５３と、リフトオフ法によりその上に形
成される薄膜配線５７の間の接触抵抗が大きくなり、特
性の劣化を招くという問題点がある。なお、上記の例で
は、スルーホールの充填電極（厚膜電極）上に薄膜配線
を形成する場合について説明したが、導電性ペーストを
所望の配線パターンとなるように基板上に塗布、焼成す
ることにより形成される厚膜配線上にリフトオフ法によ
り薄膜電極を形成する場合にも同様の問題点が生じる。Due to the influence of the resist residue, the contact resistance between the thick-film electrode 53 and the thin-film wiring 57 formed thereon by the lift-off method becomes large, causing a problem that the characteristics are deteriorated. is there. In the above-described example, the case where the thin film wiring is formed on the through-hole filling electrode (thick film electrode) has been described. However, the conductive paste is applied and fired on the substrate so as to have a desired wiring pattern. A similar problem occurs when a thin-film electrode is formed by a lift-off method on a thick-film wiring formed by the above method.
【００１０】また、基板の表面には、基板のポアや下層
配線などによる段差が存在する場合があり、また、Ｔｉ
Ｎなどの反射率の低い膜（低反射率膜）が存在する場合
がある。このように、基板表面に段差や低反射率膜など
が存在している場合にも、その上にレジストパターンを
形成した場合、レジスト残渣が発生しやすいという問題
点がある。Also, there may be a step on the surface of the substrate due to the pores of the substrate, lower layer wiring, and the like.
There is a case where a film having a low reflectance such as N (a low reflectance film) exists. As described above, even when a step or a low reflectance film is present on the substrate surface, there is a problem that a resist residue is likely to be generated when a resist pattern is formed thereon.
【００１１】すなわち、基板のポアや下層配線などによ
る段差が存在する場合、レジスト膜厚が部分的に厚くな
り、露光不足のため、レジスト残渣が発生しやすくな
り、また、低反射率膜上にレジストを形成した場合、低
反射率膜上の部分が露光不足となってレジスト残渣が発
生しやすくなるという問題点がある。That is, when there is a step due to the pores of the substrate, the lower wiring, or the like, the thickness of the resist partially increases, and a resist residue is easily generated due to insufficient exposure. When a resist is formed, there is a problem that a portion on the low-reflectance film is underexposed and a resist residue is likely to be generated.
【００１２】このようなレジスト残渣の発生の問題を解
決する方法として、露光時に露光量を大きくする方法が
考えられる。すなわち、露光量が大きくなるとレジスト
の溶解速度が速くなるため、レジスト残渣の発生を抑制
することが可能になる。As a method of solving the problem of the generation of the resist residue, a method of increasing the exposure amount at the time of exposure can be considered. That is, as the exposure amount increases, the dissolution rate of the resist increases, so that the generation of the resist residue can be suppressed.
【００１３】しかしながら、露光量が大きすぎると露光
部の除去速度が速くなりすぎて、露光部との境界部分で
あるレジストの未露光部に現像液が接触する時間が長く
なり、境界部分の未露光部のレジストが溶解することに
なる。そして、未露光部のレジストは、露光部のレジス
トに比較して現像液に対する溶解度が低いため、現像終
了後に再結晶などによりレジスト残渣として残留しやす
く、結果として、レジスト残渣の残留を十分に阻止する
ことができなくなるという問題点がある。However, if the exposure amount is too large, the removal rate of the exposed portion becomes too fast, and the time for the developing solution to contact the unexposed portion of the resist, which is the boundary portion with the exposed portion, becomes longer, and the unexposed portion of the boundary portion becomes unclear. The resist in the exposed part will be dissolved. Since the unexposed resist has a lower solubility in the developing solution than the exposed resist, it tends to remain as a resist residue due to recrystallization after completion of development, and as a result, resist residue is sufficiently prevented. There is a problem that it becomes impossible to do.
【００１４】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、開口部の底部となる基板表面や厚膜配線表面、あ
るいは低反射率膜表面などにレジスト残渣が残らないよ
うなレジストパターンの形成方法を提供することを目的
とする。The present invention solves the above-mentioned problems, and forms a resist pattern such that no resist residue remains on a substrate surface, a thick-film wiring surface, or a low-reflectance film surface serving as a bottom of an opening. The aim is to provide a method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）のレジストパターンの形成方
法は、露光工程において露光した領域が、現像工程で現
像されることにより除去されるポジ型フォトレジストを
用いて、所定形状の開口部を有するレジストパターンを
形成するレジストパターンの形成方法であって、塗布さ
れたポジ型フォトレジストへの露光工程において、(ａ)
開口部を形成すべき領域（開口領域）には、実質的にレ
ジスト残渣が残らないような大きな露光量で露光を行う
とともに、(ｂ)前記開口領域の周辺部には、前記開口領
域よりも小さな露光量で露光を行うことを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, a method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 1) is characterized in that a region exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. A method of forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape by using a positive photoresist, wherein in the step of exposing the applied positive photoresist, (a)
A region where an opening is to be formed (opening region) is exposed with a large exposure amount such that substantially no resist residue remains, and (b) the periphery of the opening region is larger than the opening region. It is characterized by performing exposure with a small exposure amount.
【００１６】いわゆるポジ型フォトレジストを用いて、
所定形状の開口部を有するレジストパターンを形成する
にあたって、塗布されたポジ型フォトレジストへの露光
工程で、(ａ)開口領域には、大きな露光量で露光が行わ
れるため、開口領域のポジ型フォトレジスト（以下単に
「レジスト」ともいう）が確実に除去され、開口部の底
部となる基板表面などに残留するレジスト残渣が効率よ
く除去されるとともに、(ｂ)開口領域の周辺部には、開
口領域よりも小さな露光量で露光が行われるため、開口
領域と未露光部の間に、小露光部分が確保され、大露光
部分のレジストが早く除去されすぎた後に、未露光部分
のレジストが長時間現像液と接触することに起因するレ
ジスト残渣による開口部の形状精度の低下を防止するこ
とが可能になる。したがって、形状精度の高い開口部を
備えたレジストパターンを確実に形成することが可能に
なる。Using a so-called positive photoresist,
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape, in the step of exposing the applied positive photoresist, (a) the opening area is exposed with a large amount of exposure, so that the positive area of the opening area is exposed. The photoresist (hereinafter, also simply referred to as “resist”) is surely removed, and the resist residue remaining on the substrate surface or the like at the bottom of the opening is efficiently removed. Since the exposure is performed with a smaller exposure amount than the opening area, a small exposure part is secured between the opening area and the unexposed part, and after the resist of the large exposure part is removed too quickly, the resist of the unexposed part is removed. It is possible to prevent a reduction in the shape accuracy of the opening due to a resist residue caused by contact with the developer for a long time. Therefore, it is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy.
【００１７】また、本願発明（請求項２）のレジストパ
ターンの形成方法は、露光工程において露光した領域
が、現像工程で現像されることにより除去されるポジ型
フォトレジストを用いて、厚膜配線上に、所定形状の開
口部を有するレジストパターンを形成するレジストパタ
ーンの形成方法であって、厚膜配線上を含む領域に塗布
されたポジ型フォトレジストへの露光工程において、
(ａ)少なくとも厚膜配線上の開口部を形成すべき領域
（開口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らないよ
うな大きな露光量で露光を行うとともに、(ｂ)前記開口
領域の周辺部には、前記開口領域よりも小さな露光量で
露光を行うことを特徴としている。Further, according to the method for forming a resist pattern of the present invention (claim 2), a thick film wiring is formed by using a positive photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. A method of forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on the top, in a step of exposing a positive photoresist applied to a region including over a thick film wiring,
(a) At least a region (opening region) where an opening on the thick film wiring is to be formed is exposed with a large exposure amount such that substantially no resist residue remains, and (b) the periphery of the opening region The part is characterized in that exposure is performed with an exposure amount smaller than the opening area.
【００１８】いわゆるポジ型フォトレジストを用いて、
厚膜配線上に、所定形状の開口部を有するレジストパタ
ーンを形成するにあたって、厚膜配線上を含む領域に塗
布されたポジ型フォトレジストへの露光工程で、(ａ)厚
膜配線上の開口部を形成すべき領域（開口領域）には、
大きな露光量で露光が行われるため、開口領域のレジス
トが確実に除去され、開口部の底部となる厚膜配線上な
どに残留するレジスト残渣が効率よく除去されるととも
に、(ｂ)開口領域の周辺部には、開口領域よりも小さな
露光量で露光が行われるため、開口領域と未露光部の間
に、小露光部分が確保され、大露光部分のレジストが早
く除去されすぎた後に、未露光部分のレジストが長時間
現像液と接触することに起因するレジスト残渣による開
口部の形状精度の低下を防止することが可能になる。し
たがって、厚膜配線上に、形状精度の高い開口部を備え
たレジストパターンを確実に形成することが可能にな
る。Using a so-called positive photoresist,
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on the thick film wiring, in the step of exposing a positive type photoresist applied to a region including on the thick film wiring, (a) forming an opening on the thick film wiring In the area (opening area) where the part should be formed,
Since the exposure is performed with a large exposure amount, the resist in the opening region is reliably removed, and the resist residue remaining on the thick film wiring which is the bottom of the opening is efficiently removed, and (b) the resist in the opening region is removed. Since the peripheral portion is exposed with an exposure amount smaller than that of the opening region, a small exposure portion is secured between the opening region and the unexposed portion. It is possible to prevent a decrease in the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the resist in the exposed portion being in contact with the developing solution for a long time. Therefore, it is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy on the thick film wiring.
【００１９】また、本願発明（請求項３）のレジストパ
ターンの形成方法は、露光工程において露光した領域
が、現像工程で現像されることにより除去されるポジ型
フォトレジストを用いて、段差部のある領域上に、所定
形状の開口部を有するレジストパターンを形成するレジ
ストパターンの形成方法であって、段差部を含む領域に
塗布されたポジ型フォトレジストへの露光工程におい
て、(ａ)少なくとも段差部上の開口部を形成すべき領域
（開口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らないよ
うな大きな露光量で露光を行うとともに、(ｂ)前記開口
領域の周辺部には、前記開口領域よりも小さな露光量で
露光を行うことを特徴としている。Further, in the method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 3), a step of forming a stepped portion by using a positive type photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. A method of forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on a certain area, wherein the step of exposing a positive photoresist applied to an area including a step includes (a) at least a step In a region where the opening is to be formed (opening region), a large amount of exposure is performed so that substantially no resist residue remains. It is characterized in that exposure is performed with an exposure amount smaller than the area.
【００２０】いわゆるポジ型フォトレジストを用いて、
段差部のある領域上に、所定形状の開口部を有するレジ
ストパターンを形成するにあたって、段差部を含む領域
に塗布されたポジ型フォトレジストへの露光工程で、
(ａ)段差部上の開口部を形成すべき領域（開口領域）に
は、大きな露光量で露光が行われるため、開口領域のレ
ジストが確実に除去され、開口部の底部となる段差部の
ある領域上などに残留するレジスト残渣が効率よく除去
されるとともに、(ｂ)開口領域の周辺部には、開口領域
よりも小さな露光量で露光が行われるため、開口領域と
未露光部の間に、小露光部分が確保され、大露光部分の
レジストが早く除去されすぎた後に、未露光部分のレジ
ストが長時間現像液と接触することに起因するレジスト
残渣による開口部の形状精度の低下を防止することが可
能になる。したがって、基板のポアや下層配線などによ
る段差部のある領域に、形状精度の高い開口部を備えた
レジストパターンを確実に形成することが可能になる。Using a so-called positive photoresist,
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on a region having a step portion, in an exposure step on a positive photoresist applied to the region including the step portion,
(a) Since a large amount of exposure is performed on a region (opening region) where an opening is to be formed on the stepped portion, the resist in the opening region is reliably removed, and the stepped portion serving as the bottom of the opening is removed. The resist residue remaining on a certain region or the like is efficiently removed, and (b) the periphery of the opening region is exposed with a smaller exposure amount than the opening region. In addition, after the small exposed portion is secured and the large exposed portion of the resist is removed too quickly, the deterioration of the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the non-exposed portion of the resist being in contact with the developing solution for a long time. Can be prevented. Therefore, it is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy in a region having a step due to a pore, a lower layer wiring, or the like of the substrate.
【００２１】また、本願発明（請求項４）のレジストパ
ターンの形成方法は、露光工程において露光した領域
が、現像工程で現像されることにより除去されるポジ型
フォトレジストを用いて、低反射率膜上に、所定形状の
開口部を有するレジストパターンを形成するレジストパ
ターンの形成方法であって、低反射率膜上を含む領域に
塗布されたポジ型フォトレジストへの露光工程におい
て、(ａ)少なくとも低反射率膜上の開口部を形成すべき
領域（開口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らな
いような大きな露光量で露光を行うとともに、(ｂ)前記
開口領域の周辺部には、前記開口領域よりも小さな露光
量で露光を行うことを特徴としている。Further, in the method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 4), the area exposed in the exposure step is reduced by using a positive type photoresist which is removed by being developed in the development step. A method for forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on a film, the method comprising: exposing a positive photoresist applied to a region including on a low-reflectance film, wherein (a) At least a region (opening region) where an opening is to be formed on the low-reflectance film is exposed with a large exposure amount such that substantially no resist residue remains. Is characterized in that exposure is performed with an exposure amount smaller than the opening region.
【００２２】いわゆるポジ型フォトレジストを用いて、
低反射率膜上に、所定形状の開口部を有するレジストパ
ターンを形成するにあたって、低反射率膜上に塗布され
たポジ型フォトレジストへの露光工程で、(ａ)低反射率
膜上の開口部を形成すべき領域（開口領域）には、大き
な露光量で露光が行われるため、開口領域のレジストが
確実に除去され、開口部の底部となる低反射率膜上など
に残留するレジスト残渣が効率よく除去されるととも
に、(ｂ)開口領域の周辺部には、開口領域よりも小さな
露光量で露光が行われるため、開口領域と未露光部の間
に、小露光部分が確保され、大露光部分のレジストが早
く除去されすぎた後に、未露光部分のレジストが長時間
現像液と接触することに起因するレジスト残渣による開
口部の形状精度の低下を防止することが可能になる。し
たがって、低反射率膜上に、形状精度の高い開口部を備
えたレジストパターンを確実に形成することが可能にな
る。なお、本願発明においては、開口領域への大きな露
光量での露光と、開口領域の周辺部への開口領域よりも
小さな露光量での露光の順序に特別の制約はなく、いず
れの露光を先に行ってもよい。また、露光量に関し、開
口領域への露光量は、大露光量での露光と、小露光量で
の露光の二度の露光の合計量が、レジストを厚み方向の
全体に現像して除去することが可能な露光量となればよ
い。Using a so-called positive photoresist,
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on the low-reflectivity film, in the step of exposing a positive photoresist applied on the low-reflectivity film, (a) opening the resist on the low-reflectivity film In the region where the portion is to be formed (opening region), exposure is performed with a large amount of exposure, so that the resist in the opening region is reliably removed, and the resist residue remaining on the low-reflectivity film serving as the bottom of the opening Is efficiently removed, and (b) the periphery of the opening region is exposed with a smaller exposure amount than the opening region, so a small exposure portion is secured between the opening region and the unexposed portion, After the resist in the large-exposure portion is removed too quickly, it is possible to prevent a decrease in the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the non-exposed portion of the resist being in contact with the developing solution for a long time. Therefore, it is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy on the low reflectance film. Note that, in the present invention, there is no particular restriction on the order of exposure with a large exposure amount to the opening region and exposure with a smaller exposure amount than the opening region to the periphery of the opening region. You may go to. In addition, regarding the exposure amount, the exposure amount to the opening area is the total amount of two exposures of exposure at a large exposure amount and exposure at a small exposure amount, and removes the resist by developing the entire resist in the thickness direction. What is necessary is that the exposure amount is such that the exposure can be performed.
【００２３】また、請求項５のレジストパターンの形成
方法は、前記露光工程が、面積の大きい開口部を有する
フォトマスク（大開口フォトマスク）を用いて小さな露
光量で露光を行う工程と、前記大開口フォトマスクの開
口部より一回り小さい開口部を有するフォトマスクを用
いて大きい露光量で露光を行う工程とを具備しているこ
とを特徴としている。Further, in the method of forming a resist pattern according to claim 5, the exposing step includes a step of performing exposure with a small exposure amount using a photomask having a large-area opening (large-opening photomask); Performing a large-exposure exposure using a photomask having an opening one size smaller than the opening of the large-aperture photomask.
【００２４】露光工程において、面積の大きい開口部を
有するフォトマスク（大開口フォトマスク）を用いて小
露光量で露光を行う工程と、大開口フォトマスクの開口
部より一回り小さい開口部を有するフォトマスクを用い
て大露光量で露光を行う工程の両方の工程を実施するよ
うにした場合、フォトレジストの所定の領域を２段階の
露光量で露光することが可能になり、開口領域と未露光
部の間に、小露光部分が確保され、大露光部分のレジス
トが早く除去されすぎた後に、未露光部分のレジストが
長時間現像液と接触することに起因するレジスト残渣に
よる開口部の形状精度の低下を防止して、形状精度の高
い開口部を備えたレジストパターンを確実に形成するこ
とが可能になる。In the exposing step, there is a step of performing exposure with a small exposure amount using a photomask having a large-area opening (a large-aperture photomask) and an opening slightly smaller than the large-aperture photomask. In the case where both of the steps of exposing at a large exposure amount using a photomask are performed, it becomes possible to expose a predetermined region of the photoresist with a two-stage exposure amount. Between the exposed parts, the small exposed part is secured, and after the resist of the large exposed part is removed too quickly, the shape of the opening due to the resist residue caused by the unexposed part of the resist being in contact with the developer for a long time It is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy by preventing a decrease in accuracy.
【００２５】また、請求項６のレジストパターンの形成
方法は、前記露光工程において、開口部の周辺に、露光
用の光の一部を吸収する光吸収部を設けたフォトマスク
を用いて露光を行うことを特徴としている。In the method of forming a resist pattern according to a sixth aspect of the present invention, in the exposing step, the exposing is performed by using a photomask having a light absorbing portion which absorbs a part of light for exposing around the opening. It is characterized by performing.
【００２６】開口部の周辺に光吸収部を設けたフォトマ
スクを用いて露光を行うことにより、１度の露光で、開
口部（開口領域）においては大きな露光量での露光が行
われ、かつ、開口領域の周辺部においては、開口領域よ
りも小さな露光量で露光が行われることになるため、本
願発明を効率よく実施して、開口部の底部となる基板表
面や厚膜配線表面、あるいは低反射率膜表面などにレジ
スト残渣が残らないようにレジストパターンを形成する
ことができるようになる。すなわち、１種類のフォトマ
スクを用いて１度の露光を行うだけで、２段階の露光量
による露光を行うことが可能になり、レジストパターン
の形成工程を簡略化して、生産効率を向上させることが
可能になる。By performing exposure using a photomask provided with a light absorbing portion around the opening, a large amount of exposure is performed in the opening (opening region) in one exposure, and In the peripheral portion of the opening region, since the exposure is performed with a smaller exposure amount than the opening region, the present invention is efficiently performed, and the substrate surface or the thick film wiring surface serving as the bottom portion of the opening portion, or A resist pattern can be formed so that a resist residue does not remain on the surface of a low reflectance film or the like. That is, it is possible to perform exposure with two-step exposure amount by performing only one exposure using one type of photomask, thereby simplifying a resist pattern forming process and improving production efficiency. Becomes possible.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, and features thereof will be described in more detail.
【００２８】［実施形態１］この実施形態１では、貫通
孔に充填電極を埋め込んだ充填スルーホール（広義の厚
膜配線）上に、いわゆるリフトオフ法により薄膜配線を
形成するにあたって、充填スルーホールが形成された基
板上にレジストパターンを形成する場合を例にとって説
明する。[Embodiment 1] In the first embodiment, when a thin film wiring is formed by a so-called lift-off method on a filled through hole (thick film wiring in a broad sense) in which a filled electrode is embedded in a through hole, the filled through hole is formed. An example in which a resist pattern is formed on the formed substrate will be described.
【００２９】(1)まず、図１(ａ)に示すように、基板
（この実施形態１では、アルミナからなるセラミック基
板）１に形成された貫通孔２に、Ａｇ粉末などの金属粉
末を導電成分とする導電性ペーストを塗布、充填し、焼
成することにより、直径約１００μmの貫通孔２に、充
填電極（厚膜配線）３が埋め込まれた充填スルーホール
４を形成する。(1) First, as shown in FIG. 1 (a), a metal powder such as an Ag powder is electrically conductive in a through hole 2 formed in a substrate (a ceramic substrate made of alumina in the first embodiment). A conductive paste as a component is applied, filled, and fired to form a filled through hole 4 in which a filled electrode (thick film wiring) 3 is embedded in a through hole 2 having a diameter of about 100 μm.
【００３０】(2)それから、図１(ｂ)に示すように、基
板１上に、スピンコート法などの方法により、ポジ型フ
ォトレジスト５を塗布し、ホットプレートなどを用いて
ベークする。(2) Then, as shown in FIG. 1 (b), a positive photoresist 5 is applied on the substrate 1 by a method such as spin coating and baked using a hot plate or the like.
【００３１】(3)次に、ポジ型フォトレジスト５を、フ
ォトマスクを用いて露光する。なお、この露光工程にお
いては、２種類のフォトマスク６ａ（図３(ａ)），６ｂ
（図３(ｂ)）を用い、以下に説明するように２回に分け
て露光を行う。(3) Next, the positive photoresist 5 is exposed using a photomask. In this exposure step, two types of photomasks 6a (FIG. 3A) and 6b
Using (FIG. 3B), exposure is performed in two steps as described below.
【００３２】まず、図３(ａ)に示すように、一辺の長さ
Ｌ１が２００μmの正方形パターンの開口部７ａを備え
たフォトマスク６ａを用い、図１(ｃ)に示すように、厚
膜配線３上のポジ型フォトレジスト５の、開口部を形成
すべき領域（開口領域）５ａ（図２(ａ)，図４）よりも
一回り大きい領域（小露光量による露光領域）１５ａ
（図１(ｃ)，図４）を露光する。そして、このとき、Ｈ
ｇランプ光源（全帯域）を用いた密着露光装置により、
ｈ線（波長４０５nm）による露光（露光量４０mＪ／c
m2）を行う。なお、露光量４０mＪ／cm2は、ポジ型フォ
トレジスト５を厚み方向の全体に現像して除去すること
が可能な露光量より少ない露光量（小露光量）である。First, as shown in FIG. 3A, a photomask 6a having a square pattern opening 7a having a side length L1 of 200 μm was used, and as shown in FIG. A region (opening region with a small exposure amount) 15a of the positive photoresist 5 on the wiring 3 which is slightly larger than a region (opening region) 5a (FIG. 2A, FIG. 4) where an opening is to be formed.
(FIGS. 1C and 4) are exposed. And at this time, H
With a contact exposure device using a g lamp light source (entire band),
Exposure with h-ray (wavelength 405 nm) (exposure amount 40 mJ / c
m 2 ). Note that the exposure amount of 40 mJ / cm 2 is an exposure amount (small exposure amount) smaller than the exposure amount that can be removed by developing the entire positive photoresist 5 in the thickness direction.
【００３３】次に、フォトマスク６ａの開口部７ａより
も大きさが一回り小さい、すなわち、一辺の長さＬ２が
１２０μmの正方形パターンの開口部７ｂを備えたフォ
トマスク６ｂ（図３(ｂ)）を用い、図１(ｄ)に示すよう
に、厚膜配線３上のポジ型フォトレジスト５の、開口部
を形成すべき領域（開口領域）５ａ（図２(ａ)，図４）
を、５００mＪ／cm2の露光量で露光する。なお、このと
きの露光量５００mＪ／cm2は、ポジ型フォトレジスト５
を、その厚み方向の全体に現像して除去するのに足りる
露光量（大露光量）である。これにより、図４に示すよ
うに、開口領域５ａよりも一回り大きい領域（小露光量
による露光領域）１５ａが小さい露光量で露光され、開
口領域５ａが大きな露光量で露光される。Next, a photomask 6b provided with a square pattern opening 7b having a size slightly smaller than the opening 7a of the photomask 6a, that is, a side length L2 of 120 μm (FIG. 3B) As shown in FIG. 1 (d), as shown in FIG. 1 (d), a region (opening region) 5a of the positive photoresist 5 on the thick film wiring 3 where an opening is to be formed (FIGS. 2 (a) and 4).
At an exposure of 500 mJ / cm 2 . The exposure amount at this time was 500 mJ / cm 2 , and the positive photoresist 5
Is an exposure amount (large exposure amount) sufficient to develop and remove the entirety in the thickness direction. As a result, as shown in FIG. 4, a region 15a which is slightly larger than the opening region 5a (an exposure region with a small exposure amount) 15a is exposed with a small exposure amount, and the opening region 5a is exposed with a large exposure amount.
【００３４】(4)それから、ＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド）２．３８％の現像液を
用いて、静止パドル現像により９０secの現像を行うこ
とにより、図２(ａ)に示すように、厚膜配線３を有する
基板１上に、逆テーパ形状の開口部１０ａ（＝開口領域
５ａ）を有するレジストパターン１０を形成する。(4) Then, using a 2.38% developer solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide), developing is performed for 90 seconds by static paddle development to obtain a thick film as shown in FIG. On the substrate 1 having the film wiring 3, a resist pattern 10 having a reverse tapered opening 10a (= opening region 5a) is formed.
【００３５】(5)次に、図２(ｂ)に示すように、レジス
トパターン１０の上から、蒸着法により、例えば銅薄膜
などの配線材料薄膜（金属薄膜）１１を成膜する。(5) Next, as shown in FIG. 2B, a wiring material thin film (metal thin film) 11 such as a copper thin film is formed on the resist pattern 10 by an evaporation method.
【００３６】(6)それから、リフトオフ法により、アセ
トンなどの有機溶剤を用いて、レジストパターン１０を
金属薄膜１１の不要部分とともに除去することにより、
基板１上に微細な薄膜配線１２（図２(ｃ)）を形成す
る。これにより、貫通孔２に充填電極（厚膜配線）３が
埋め込まれた充填スルーホール４と、微細な薄膜配線１
２が組み合わされた構造を有する回路基板が得られる。(6) Then, the resist pattern 10 is removed together with an unnecessary portion of the metal thin film 11 by an lift-off method using an organic solvent such as acetone.
A fine thin film wiring 12 (FIG. 2C) is formed on the substrate 1. As a result, the filling through hole 4 in which the filling electrode (thick film wiring) 3 is embedded in the through hole 2 and the fine thin film wiring 1
Thus, a circuit board having a structure in which 2 are combined is obtained.
【００３７】この実施形態１においては、大きさの異な
る開口部７ａ，７ｂを備えた２種類のフォトマスク６ａ
及び６ｂを用いて、異なる露光量で２回の露光を行うこ
とにより、ポジ型フォトレジスト５が２段階の露光量で
露光されることになり、大露光量で露光される領域と未
露光領域との間に、小露光量領域が存在することにな
る。したがって、未露光領域からのレジストの溶解を抑
制、防止して、形状精度の高い開口部を備えたレジスト
パターン１０を確実に形成することができる。In the first embodiment, two types of photomasks 6a having openings 7a and 7b of different sizes are provided.
And 6b, exposure is performed twice at different exposure amounts, so that the positive photoresist 5 is exposed at two-stage exposure amounts, and a region exposed at a large exposure amount and an unexposed region , A small exposure amount area exists. Therefore, the dissolution of the resist from the unexposed area is suppressed or prevented, and the resist pattern 10 having the opening with high shape accuracy can be reliably formed.
【００３８】［実施形態２］この実施形態２において
も、上記実施形態１の場合と同様に、貫通孔に充填電極
を埋め込んだ充填スルーホール（広義の厚膜配線）上
に、いわゆるリフトオフ法により薄膜配線を形成するに
あたって、充填スルーホールが形成された基板上にレジ
ストパターンを形成する場合を例にとって説明する。[Embodiment 2] In this embodiment 2, similarly to the above-described embodiment 1, a so-called lift-off method is used to fill a filling through hole (broadly defined thick film wiring) in which a filling electrode is embedded in a through hole. In forming a thin film wiring, a case where a resist pattern is formed on a substrate on which a filled through hole is formed will be described as an example.
【００３９】但し、この実施形態２においては、露光工
程において、図５に示すように、一辺の長さＬ３が１２
０μmの正方形パターンの開口部（光透過部）７ｃと、
開口部７ｃの周辺に、幅Ｗが４０μmの光吸収部９を設
けたフォトマスク６ｃを用いた。なお、フォトマスク６
ｃの開口部７ｃは、ポジ型フォトレジスト５に形成すべ
き開口部（開口領域）の平面形状に対応する寸法、形状
を有している。また、このフォトマスク６ｃにおいて
は、開口部（光透過部）７ｃを透過する透過光量が５０
０mＪ／cm2である場合に、光吸収部９の透過光量が４０
mＪ／cm2になるように光吸収部９の吸収率が調整されて
いる。However, in the second embodiment, in the exposure step, as shown in FIG.
An opening (light transmitting portion) 7c having a square pattern of 0 μm;
A photomask 6c provided with a light absorbing portion 9 having a width W of 40 μm around the opening 7c was used. In addition, the photomask 6
The opening 7c of c has a size and shape corresponding to the planar shape of the opening (opening region) to be formed in the positive photoresist 5. In this photomask 6c, the amount of transmitted light that passes through the opening (light transmitting portion) 7c is 50%.
0 mJ / cm 2 , the transmitted light amount of the light absorbing portion 9 is 40
The absorptance of the light absorbing section 9 is adjusted so as to be mJ / cm 2 .
【００４０】次に、このように構成されたフォトマスク
６ｃを用いて露光を行う方法について説明する。Next, a method of performing exposure using the photomask 6c configured as described above will be described.
【００４１】図６に示すように、基板１上に塗布された
ポジ型フォトレジスト５への露光を行うにあたっては、
フォトマスク６ｃを基板１の上方の所定位置にセット
し、開口部（光透過部）７ｃを透過する透過光量が５０
０mＪ／cm2となるような露光量で露光する。なお、この
ときの露光量５００mＪ／cm2は、ポジ型フォトレジスト
５を、その厚み方向全体に現像して除去するのに足りる
露光量（大露光量）である。As shown in FIG. 6, when exposing the positive photoresist 5 applied on the substrate 1 to light,
The photomask 6c is set at a predetermined position above the substrate 1, and the amount of light transmitted through the opening (light transmitting portion) 7c is 50.
Exposure is performed at an exposure amount of 0 mJ / cm 2 . The exposure amount of 500 mJ / cm 2 at this time is an exposure amount (large exposure amount) sufficient to develop and remove the positive photoresist 5 in its entire thickness direction.
【００４２】このとき、Ｈｇランプ光源（全帯域）を用
いた密着露光装置により、ｈ線（波長４０５nm）による
露光（露光量４０mＪ／cm2）を行う。At this time, exposure (height: 40 mJ / cm 2 ) by h-rays (wavelength: 405 nm) is performed by a contact exposure apparatus using an Hg lamp light source (all bands).
【００４３】このときのフォトマスク６ｃの光吸収部９
を透過する透過光量は、４０mＪ／cm2となる。この４０
mＪ／cm2の露光量は、ポジ型フォトレジスト５を厚み方
向の全体に現像して除去するのには足りない露光量（小
露光量）である。At this time, the light absorbing portion 9 of the photomask 6c
Is 40 mJ / cm 2 . This 40
The exposure amount of mJ / cm 2 is an exposure amount (small exposure amount) that is not enough to develop and remove the positive photoresist 5 entirely in the thickness direction.
【００４４】この実施形態２では、上述のように、開口
部（光透過部）７ｃと、開口部７ｃの周辺に幅Ｗが４０
μmの光吸収部９を設けたフォトマスク６ｃを用いて、
２段階の露光量でポジ型フォトレジスト５を露光するよ
うにしているので、大露光量で露光される領域（開口領
域）と未露光領域の間に、小露光量領域（光吸収部９に
対応する領域）が存在するため、未露光領域からのレジ
ストの溶解を抑制、防止して、図２(ａ)に示すような、
形状精度の高い開口部１０ａ（＝開口領域５ａ）を備え
たレジストパターン１０を確実に形成することができ
る。In the second embodiment, as described above, the width W is 40 around the opening (light transmitting portion) 7c and the periphery of the opening 7c.
Using a photomask 6c provided with a light absorbing portion 9 of μm,
Since the positive-type photoresist 5 is exposed at two exposure levels, a small exposure area (light absorbing portion 9) is provided between an area (open area) exposed at a large exposure level and an unexposed area. (Corresponding region), the dissolution of the resist from the unexposed region is suppressed and prevented, and as shown in FIG.
The resist pattern 10 having the opening 10a (= opening area 5a) with high shape accuracy can be reliably formed.
【００４５】また、１種類のフォトマスク６ｃを用いて
１度の露光を行うだけで、２段階の露光量による露光を
行うことが可能になり、レジストパターンの形成工程を
簡略化して、生産効率を向上させることが可能になる。
なお、その他の工程については、上記実施形態１の場合
と同様であることから、重複を避けるため、ここではそ
の説明を省略する。Further, it is possible to perform exposure with two exposure levels by performing only one exposure using one type of photomask 6c, thereby simplifying the process of forming a resist pattern and improving production efficiency. Can be improved.
The other steps are the same as those in the first embodiment, and the description is omitted here to avoid duplication.
【００４６】なお、上記実施形態では、貫通孔に充填電
極を埋め込んだ充填スルーホール（広義の厚膜配線）上
に、リフトオフ法により薄膜配線を形成するにあたっ
て、充填スルーホールが形成された基板上にレジストパ
ターンを形成する場合を例にとって説明したが、図７
(ａ)に示すように、基板１の表面に配設されたＴｉＮ膜
などの低反射率膜２１の表面を含む領域に、上記実施形
態１の場合と同様に、ポジ型フォトレジスト５の塗布工
程（図７(ｂ)），露光工程（２度の露光工程（図７
(ｃ)，(ｄ)），現像工程などを経て、図８(ａ)に示すよ
うな、所定形状の開口部１０ａ（＝開口領域５ａ）を有
するレジストパターン１０を形成し、さらに、金属薄膜
１１の形成工程（図８(ｂ)），リフトオフ工程を経て、
図８(ｃ)に示すように、低反射率膜２１上に所望のパタ
ーンを有する薄膜配線１２を形成するような場合にも本
願発明を適用することが可能である。なお、図７及び図
８において、図１及び図２と同一符号を付した部分は、
同一又は相当部分を示している。In the above embodiment, when a thin-film wiring is formed by a lift-off method on a filled through hole (thick film wiring in a broad sense) in which a filled electrode is buried in a through hole, the substrate is formed with the filled through hole. Although the case where a resist pattern is formed on the substrate has been described as an example, FIG.
As shown in (a), the positive photoresist 5 is applied to a region including the surface of the low-reflectance film 21 such as a TiN film disposed on the surface of the substrate 1 in the same manner as in the first embodiment. Step (FIG. 7B), exposure step (two exposure steps (FIG.
(c), (d)), a developing step, etc., a resist pattern 10 having an opening 10a (= opening area 5a) having a predetermined shape as shown in FIG. 11 through a forming step (FIG. 8B) and a lift-off step,
As shown in FIG. 8C, the present invention can be applied to a case where the thin film wiring 12 having a desired pattern is formed on the low reflectance film 21. In FIGS. 7 and 8, the same reference numerals as those in FIGS.
The same or corresponding parts are shown.
【００４７】また、図９に示すように、基板１上の下層
配線２２による段差部２２ａを含む領域に、上記(1)の
場合と同様にして、所定形状の開口部を有するレジスト
パターンを形成し、リフトオフ法により、下層配線上に
所望のパターンを有する薄膜配線を形成するような場合
（図示は省略）にも本願発明を適用することが可能であ
り、上記実施形態１の場合と同様の作用効果を得ること
が可能である。As shown in FIG. 9, a resist pattern having an opening having a predetermined shape is formed in a region including the step 22a formed by the lower wiring 22 on the substrate 1 in the same manner as in the above (1). However, the present invention can also be applied to a case where a thin film wiring having a desired pattern is formed on a lower layer wiring by a lift-off method (not shown), and is similar to the case of the first embodiment. Operational effects can be obtained.
【００４８】また、これらの変形例にかかる場合におい
ても、上記実施形態２で用いたような、開口部（光透過
部）７ｃと、開口部７ｃの周辺に配設された光吸収部９
とを具備するフォトマスク６ｃを用いることが可能であ
り、その場合には、上記実施形態２の場合と同様に、１
度の露光を行うだけで、２段階の露光量による露光を行
うことが可能になり、レジストパターンの形成工程を簡
略化して、生産効率を向上させることが可能になる。Also in these modified examples, the opening (light transmitting portion) 7c and the light absorbing portion 9 provided around the opening 7c as used in the second embodiment are used.
It is possible to use a photomask 6c having the following. In this case, as in the second embodiment, 1
It is possible to perform exposure with a two-step exposure amount only by performing the first exposure, thereby simplifying the process of forming the resist pattern and improving the production efficiency.
【００４９】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、基板の構成材料や形状、フォトマス
クの具体的な構成、露光条件、レジストパターンの開口
部の具体的な形状、レジストパターンの形成方法、レジ
ストパターンを構成する材料や層数、薄膜を形成する場
合の具体的な成膜条件や構成材料、レジストパターンを
リフトオフ法により剥離する際の具体的な条件などに関
し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加える
ことが可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but includes the constituent material and shape of the substrate, the specific configuration of the photomask, the exposure conditions, the specific shape of the opening of the resist pattern, The invention relates to a method of forming a pattern, a material and the number of layers constituting a resist pattern, specific film forming conditions and constituent materials for forming a thin film, specific conditions for removing a resist pattern by a lift-off method, and the like. Various applications and modifications can be made within the scope.
【００５０】[0050]
【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
レジストパターンの形成方法は、ポジ型フォトレジスト
を用いて、所定形状の開口部を有するレジストパターン
を形成するにあたって、塗布されたポジ型フォトレジス
トへの露光工程で、開口領域には、大きな露光量で露光
が行われるようにしているので、開口領域のポジ型フォ
トレジストを確実に除去して、開口部の底部となる基板
表面などに残留するレジスト残渣を効率よく除去するこ
とが可能になるとともに、開口領域の周辺部には、開口
領域よりも小さな露光量で露光が行われるようにしてい
るので、開口領域と未露光部の間に、小露光部分が確保
され、大露光部分のレジストが早く除去されすぎた後
に、未露光部分のレジストが長時間現像液と接触するこ
とに起因するレジスト残渣による開口部の形状精度の低
下を防止することが可能になる。したがって、形状精度
の高い開口部を備えたレジストパターンを確実に形成す
ることができる。As described above, in the method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 1), when a resist pattern having an opening of a predetermined shape is formed using a positive photoresist, the resist pattern is formed. In the step of exposing the positive photoresist, the opening area is exposed to a large amount of light, so that the positive photoresist in the opening area is surely removed and the substrate serving as the bottom of the opening is formed. It is possible to efficiently remove the resist residue remaining on the surface and the like, and because the periphery of the opening area is exposed with a smaller exposure than the opening area, the opening area and the unexposed area are exposed. After the exposure of the small-exposure part is ensured and the resist of the large-exposure part is removed too quickly, the resist of the unexposed part comes into contact with the developing solution for a long time. The residue becomes possible to prevent deterioration of shape accuracy of the opening by. Therefore, it is possible to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy.
【００５１】また、本願発明（請求項２）のレジストパ
ターンの形成方法は、ポジ型フォトレジストを用いて、
厚膜配線上に、所定形状の開口部を有するレジストパタ
ーンを形成するにあたって、厚膜配線上を含む領域に塗
布されたポジ型フォトレジストへの露光工程で、厚膜配
線上の開口部を形成すべき領域（開口領域）には、大き
な露光量で露光が行われるようにしているので、開口領
域のレジストが確実に除去され、開口部の底部となる厚
膜配線上などに残留するレジスト残渣が効率よく除去さ
れるとともに、開口領域の周辺部には、開口領域を露光
する場合の露光量よりも小さな露光量で露光が行われる
ようにしているので、開口領域と未露光部の間に、小露
光部分が確保され、大露光部分のレジストが早く除去さ
れすぎた後に、未露光部分のレジストが長時間現像液と
接触することに起因するレジスト残渣による開口部の形
状精度の低下を防止して、厚膜配線上に、形状精度の高
い開口部を備えたレジストパターンを確実に形成するこ
とができる。Further, the method for forming a resist pattern according to the present invention (claim 2) uses a positive photoresist to
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on the thick-film wiring, an opening on the thick-film wiring is formed in an exposure step on a positive photoresist applied to a region including on the thick-film wiring. In the region to be exposed (opening region), exposure is performed with a large exposure amount, so that the resist in the opening region is surely removed, and the resist residue remaining on the thick film wiring which becomes the bottom of the opening or the like Is efficiently removed, and at the periphery of the opening area, the exposure is performed with a smaller exposure amount than when exposing the opening area. After the small-exposed portion is secured and the large-exposed portion of the resist is removed too quickly, the deterioration of the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the non-exposed portion of the resist being in contact with the developing solution for a long time is prevented. To, on the thick film wiring, a resist pattern having a high shape accuracy openings can be reliably formed.
【００５２】また、本願発明（請求項３）のレジストパ
ターンの形成方法は、ポジ型フォトレジストを用いて、
段差部のある領域上に、所定形状の開口部を有するレジ
ストパターンを形成するにあたって、段差部を含む領域
に塗布されたポジ型フォトレジストへの露光工程で、段
差部上の開口部を形成すべき領域（開口領域）には、大
きな露光量で露光が行われるようにしているので、開口
領域のレジストが確実に除去され、開口部の底部となる
段差部のある領域上などに残留するレジスト残渣が効率
よく除去されるとともに、開口領域の周辺部には、開口
領域を露光する場合の露光量よりも小さな露光量で露光
が行われるようにしているので、開口領域と未露光部の
間に、小露光部分が確保され、大露光部分のレジストが
早く除去されすぎた後に、未露光部分のレジストが長時
間現像液と接触することに起因するレジスト残渣による
開口部の形状精度の低下を防止することが可能になり、
基板のポアや下層配線などによる段差部のある領域に、
形状精度の高い開口部を備えたレジストパターンを確実
に形成することができる。In the method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 3), a positive photoresist is used.
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on a region having a step portion, an opening on the step portion is formed in a step of exposing a positive photoresist applied to the region including the step portion. In the region to be exposed (opening region), a large amount of exposure is performed so that the resist in the opening region is surely removed, and the resist remaining on the region having a stepped portion serving as the bottom of the opening is provided. Residues are efficiently removed, and the periphery of the opening area is exposed with a smaller exposure amount than the exposure amount when exposing the opening area. In addition, after the small exposed portion is secured and the large exposed portion of the resist is removed too quickly, the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the unexposed portion of the resist being in contact with the developer for a long time. It is possible to prevent a decrease,
In the area where there is a step due to the pores of the board and the lower layer wiring,
A resist pattern having an opening with high shape accuracy can be reliably formed.
【００５３】また、本願発明（請求項４）のレジストパ
ターンの形成方法は、ポジ型フォトレジストを用いて、
低反射率膜上に、所定形状の開口部を有するレジストパ
ターンを形成するにあたって、低反射率膜上に塗布され
たポジ型フォトレジストへの露光工程で、低反射率膜上
の開口部を形成すべき領域（開口領域）には、大きな露
光量で露光が行われるようにしているので、開口領域の
レジストが確実に除去され、開口部の底部となる低反射
率膜上などに残留するレジスト残渣が効率よく除去され
るとともに、開口領域の周辺部には、開口領域を露光す
る場合の露光量よりも小さな露光量で露光が行われるよ
うにしているので、開口領域と未露光部の間に、小露光
部分が確保され、大露光部分のレジストが早く除去され
すぎた後に、未露光部分のレジストが長時間現像液と接
触することに起因するレジスト残渣による開口部の形状
精度の低下を防止することが可能になり、低反射率膜上
に、形状精度の高い開口部を備えたレジストパターンを
確実に形成することができる。In the method of forming a resist pattern according to the present invention (claim 4), a positive photoresist is used.
In forming a resist pattern having an opening of a predetermined shape on the low-reflectivity film, an opening on the low-reflectivity film is formed in an exposure step on a positive photoresist applied on the low-reflectivity film. In the area to be exposed (opening area), exposure is performed with a large exposure amount, so that the resist in the opening area is surely removed, and the resist remaining on the low-reflectance film, which is the bottom of the opening, etc. Residues are efficiently removed, and the periphery of the opening area is exposed with a smaller exposure amount than the exposure amount when exposing the opening area. In addition, after the small exposed portion is secured and the large exposed portion of the resist is removed too quickly, the deterioration of the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by the non-exposed portion of the resist being in contact with the developing solution for a long time. Prevention Rukoto becomes possible, on the low reflectivity film, a resist pattern having a high shape accuracy openings can be reliably formed.
【００５４】また、請求項５のレジストパターンの形成
方法のように、露光工程において、面積の大きい開口部
を有するフォトマスク（大開口フォトマスク）を用いて
小露光量で露光を行う工程と、大開口フォトマスクの開
口部より一回り小さい開口部を有するフォトマスクを用
いて大露光量で露光を行う工程の両方の工程を実施する
ようにした場合、フォトレジストの所定の領域を２段階
の露光量で露光することが可能になり、開口領域と未露
光部の間に、小露光部分が確保され、大露光部分のレジ
ストが早く除去されすぎた後に、未露光部分のレジスト
が長時間現像液と接触することに起因するレジスト残渣
による開口部の形状精度の低下を防止して、形状精度の
高い開口部を備えたレジストパターンを確実に形成する
ことが可能になる。Further, as in the method for forming a resist pattern according to claim 5, in the exposing step, a step of exposing with a small exposure using a photomask having a large-area opening (large-opening photomask); In the case where both steps of performing a large-exposure exposure using a photomask having an opening slightly smaller than the opening of the large-aperture photomask are performed, a predetermined region of the photoresist is divided into two steps. Exposure can be performed at the exposure amount, a small exposure part is secured between the opening area and the unexposed part, and the resist in the unexposed part is developed for a long time after the resist in the large exposure part is removed too quickly. It is possible to prevent a decrease in the shape accuracy of the opening due to the resist residue caused by contact with the liquid, and to reliably form a resist pattern having an opening with high shape accuracy.
【００５５】また、請求項６のレジストパターンの形成
方法のように、開口部の周辺に光吸収部を設けたフォト
マスクを用いて露光を行うようにした場合、１度の露光
で、開口部（開口領域）においては大きな露光量での露
光が行われ、かつ、開口領域の周辺部においては、開口
領域よりも小さな露光量で露光が行われることになるた
め、本願発明を効率よく実施して、開口部の底部となる
基板表面や厚膜配線表面、あるいは低反射率膜表面など
にレジスト残渣が残らないようにレジストパターンを形
成することができるようになる。すなわち、１種類のフ
ォトマスクを用いて１度の露光を行うだけで、２段階の
露光量による露光を行うことが可能になり、レジストパ
ターンの形成工程を簡略化して、生産効率を向上させる
ことが可能になる。Further, when the exposure is performed using a photomask having a light absorbing portion provided around the opening as in the method of forming a resist pattern according to claim 6, the opening is formed by one exposure. In the (opening region), exposure with a large exposure amount is performed, and in the peripheral portion of the opening region, exposure is performed with a smaller exposure amount than in the opening region. As a result, a resist pattern can be formed such that no resist residue remains on the substrate surface, the thick film wiring surface, or the low-reflectance film surface serving as the bottom of the opening. That is, it is possible to perform exposure with two-step exposure amount by performing only one exposure using one type of photomask, thereby simplifying a resist pattern forming process and improving production efficiency. Becomes possible.
【図１】(ａ)〜(ｄ)は、本願発明の一実施形態（実施形
態１）にかかるレジストパターンの形成方法によりレジ
ストパターンを形成する工程を示す図である。FIGS. 1A to 1D are views showing steps of forming a resist pattern by a method for forming a resist pattern according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【図２】(ａ)〜(ｃ)は、本願発明の一実施形態（実施形
態１）にかかるレジストパターンの形成方法によりレジ
ストパターンを形成する工程を示す図である。FIGS. 2A to 2C are views showing steps of forming a resist pattern by a method for forming a resist pattern according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【図３】本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかる
レジストパターンの形成方法の露光工程において用いた
フォトマスクを示す図であり、(ａ)は面積の大きい開口
部を有するフォトマスクを示す図、(ｂ)は面積の小さい
開口部を有するフォトマスクを示す図である。FIG. 3 is a view showing a photomask used in an exposure step of a method for forming a resist pattern according to one embodiment (Embodiment 1) of the present invention, wherein (a) shows a photomask having an opening having a large area; FIG. 3B is a diagram showing a photomask having an opening having a small area.
【図４】本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかる
レジストパターンの形成方法の露光工程における露光の
状態を示す図である。FIG. 4 is a view showing an exposure state in an exposure step of a method for forming a resist pattern according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.
【図５】本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかか
るレジストパターンの形成方法の露光工程において用い
たフォトマスクを示す図である。FIG. 5 is a view showing a photomask used in an exposure step of a method for forming a resist pattern according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention.
【図６】図５に示すフォトマスクを用いて露光を行って
いる状態を示す図である。6 is a diagram illustrating a state where exposure is performed using the photomask illustrated in FIG. 5;
【図７】(ａ)〜(ｄ)は本願発明のさらに他の実施形態に
かかるレジストパターンの形成方法を示す図である。FIGS. 7A to 7D are views showing a method for forming a resist pattern according to still another embodiment of the present invention.
【図８】(ａ)〜(ｃ)は、本願発明のさらに他の実施形態
にかかるレジストパターンの形成方法を示す図である。FIGS. 8A to 8C are diagrams showing a method of forming a resist pattern according to still another embodiment of the present invention.
【図９】本願発明のレジストパターンの形成方法により
レジストパターンが形成される、段差部のある下地電極
を備えた基板を示す図である。FIG. 9 is a view showing a substrate provided with a base electrode having a step portion, on which a resist pattern is formed by the method for forming a resist pattern of the present invention.
【図１０】(ａ)〜(ｄ)は、従来の回路基板の製造方法の
主要な工程を示す図である。10 (a) to 10 (d) are views showing main steps of a conventional method for manufacturing a circuit board.
１ 基板 ２ 貫通孔 ３ 充填電極（厚膜配線） ４ 充填スルーホール ５ ポジ型フォトレジスト ５ａ 開口領域 ６ａ，６ｂ，６ｃ フォトマスク ７ａ，７ｂ，７ｃ フォトマスクの開口部 ９ 光吸収部 １０ レジストパターン １０ａ レジストパターンの開口部 １１ 配線材料薄膜（金属薄膜） １２ 薄膜配線 １５ａ 小露光量による露光領域 ２１ 低反射率膜 ２２ 下層配線 ２２ａ 段差部 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ 開口部の一辺の長さ Ｗ 光吸収部の幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Through-hole 3 Filling electrode (thick film wiring) 4 Filling through hole 5 Positive photoresist 5a Opening area 6a, 6b, 6c Photomask 7a, 7b, 7c Opening of photomask 9 Light absorbing part 10 Resist pattern 10a Opening of resist pattern 11 Wiring material thin film (metal thin film) 12 Thin film wiring 15a Exposure area with small exposure dose 21 Low reflectivity film 22 Lower wiring 22a Step L1, L2, L3 Length of one side of opening W Light absorbing part Width
Claims (6)
程で現像されることにより除去されるポジ型フォトレジ
ストを用いて、所定形状の開口部を有するレジストパタ
ーンを形成するレジストパターンの形成方法であって、 塗布されたポジ型フォトレジストへの露光工程におい
て、 (ａ)開口部を形成すべき領域（開口領域）には、実質的
にレジスト残渣が残らないような大きな露光量で露光を
行うとともに、 (ｂ)前記開口領域の周辺部には、前記開口領域よりも小
さな露光量で露光を行うことを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。1. A method for forming a resist pattern having an opening having a predetermined shape by using a positive photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. In the step of exposing the coated positive photoresist, (a) exposure is performed at a large exposure amount such that substantially no resist residue remains in an area where an opening is to be formed (opening area). And (b) a method of forming a resist pattern, wherein the periphery of the opening region is exposed with a smaller exposure amount than the opening region.
程で現像されることにより除去されるポジ型フォトレジ
ストを用いて、厚膜配線上に、所定形状の開口部を有す
るレジストパターンを形成するレジストパターンの形成
方法であって、厚膜配線上を含む領域に塗布されたポジ
型フォトレジストへの露光工程において、 (ａ)少なくとも厚膜配線上の開口部を形成すべき領域
（開口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らないよ
うな大きな露光量で露光を行うとともに、 (ｂ)前記開口領域の周辺部には、前記開口領域よりも小
さな露光量で露光を行うことを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。2. A resist pattern having an opening of a predetermined shape is formed on a thick film wiring by using a positive type photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. In a method of forming a resist pattern, in a step of exposing a positive photoresist applied to a region including on a thick film wiring, (a) at least a region where an opening on the thick film wiring is to be formed (opening region) In addition, while performing exposure with a large exposure amount such that substantially no resist residue remains, (b) in the peripheral portion of the opening region, performing exposure with a smaller exposure amount than the opening region A method of forming a resist pattern.
程で現像されることにより除去されるポジ型フォトレジ
ストを用いて、段差部のある領域上に、所定形状の開口
部を有するレジストパターンを形成するレジストパター
ンの形成方法であって、 段差部を含む領域に塗布されたポジ型フォトレジストへ
の露光工程において、 (ａ)少なくとも段差部上の開口部を形成すべき領域（開
口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らないような
大きな露光量で露光を行うとともに、 (ｂ)前記開口領域の周辺部には、前記開口領域よりも小
さな露光量で露光を行うことを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。3. A resist pattern having an opening of a predetermined shape is formed on an area having a step by using a positive photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a developing step. A method of forming a resist pattern to be formed, wherein in a step of exposing a positive photoresist applied to a region including a step portion, (a) at least a region (opening region) where an opening on the step portion is to be formed Is characterized by performing exposure with a large exposure amount such that substantially no resist residue remains, and (b) performing exposure at a peripheral portion of the opening region with a smaller exposure amount than the opening region. A method for forming a resist pattern.
程で現像されることにより除去されるポジ型フォトレジ
ストを用いて、低反射率膜上に、所定形状の開口部を有
するレジストパターンを形成するレジストパターンの形
成方法であって、低反射率膜上を含む領域に塗布された
ポジ型フォトレジストへの露光工程において、 (ａ)少なくとも低反射率膜上の開口部を形成すべき領域
（開口領域）には、実質的にレジスト残渣が残らないよ
うな大きな露光量で露光を行うとともに、 (ｂ)前記開口領域の周辺部には、前記開口領域よりも小
さな露光量で露光を行うことを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。4. A resist pattern having an opening of a predetermined shape is formed on a low-reflectance film using a positive photoresist in which an area exposed in an exposure step is removed by being developed in a development step. A resist pattern forming method, wherein in a step of exposing a positive photoresist applied to a region including on the low-reflectivity film, (a) at least a region where an opening on the low-reflectance film is to be formed ( And (b) exposing the periphery of the opening region with a smaller exposure amount than the opening region. A method for forming a resist pattern.
するフォトマスク（大開口フォトマスク）を用いて小さ
な露光量で露光を行う工程と、前記大開口フォトマスク
の開口部より一回り小さい開口部を有するフォトマスク
を用いて大きい露光量で露光を行う工程とを具備してい
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレ
ジストパターンの形成方法。5. The step of performing exposure with a small exposure amount using a photomask having a large-area opening (a large-aperture photomask), and one step smaller than the opening of the large-aperture photomask. 5. The method of forming a resist pattern according to claim 1, further comprising a step of performing exposure with a large exposure amount using a photomask having an opening.
露光用の光の一部を吸収する光吸収部を設けたフォトマ
スクを用いて露光を行うことを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。6. In the exposing step, around the opening,
The exposure is performed using a photomask provided with a light absorbing portion that absorbs a part of the exposure light.
The method for forming a resist pattern according to any one of the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076353A JP2002280285A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Method of forming resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076353A JP2002280285A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Method of forming resist pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280285A true JP2002280285A (en) | 2002-09-27 |
Family
ID=18933303
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001076353A Withdrawn JP2002280285A (en) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | Method of forming resist pattern |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280285A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046764A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2007335543A (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076353A patent/JP2002280285A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046764A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Fujifilm Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2007335543A (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | Exposure method |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |