JP2002278514A - Electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device

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JP2002278514A
JP2002278514A JP2001079600A JP2001079600A JP2002278514A JP 2002278514 A JP2002278514 A JP 2002278514A JP 2001079600 A JP2001079600 A JP 2001079600A JP 2001079600 A JP2001079600 A JP 2001079600A JP 2002278514 A JP2002278514 A JP 2002278514A
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Koji Numao
孝次 沼尾
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Sharp Corp
シャープ株式会社
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    • G09G2320/045Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correct luminance and hue by detecting secular changes in organic EL elements. SOLUTION: A prescribed voltage is applied to organic EL elements 54 by a current-measuring circuit 34 and the current flows are measured; and a temperature measurement circuit 35 estimates the temperature of the organic EL elements. Comparison is made for the voltage value applied to the elements 54, the flow of current values and the estimated temperature, the changes due to aging of the applied voltage-current characteristics beforehand, obtained for the elements having a same constitution of the elements 54, the changes due to aging in the current-luminance characteristics and the temperature at the time of the characteristics measurements for estimating the current- luminance characteristics of the elements. Then, the total sum of the amount of currents, being supplied to first electrooptical elements in the interval during which display data, are displayed is changed so as to obtain the luminance that is to be originally displayed, based on the estimated values of the current- luminance characteristics, the values of the current flowing in the elements and the display data.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自発光素子や液晶素子等の電気光学素子を用いた電気光学装置に関し、特に、有機EL素子やFED等の自発光素子を画素毎に配置した表示基板や表示装置として好適に用いられる電気光学装置に関する。 The present invention relates to relates to an electro-optical device using an electro-optical element such as a self-luminous elements and liquid crystal elements, in particular, display board arranged self-luminous element such as an organic EL element or FED for each pixel an electro-optical device, which is suitably used as the or a display device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、有機EL(Electro Lu In recent years, organic EL (Electro Lu
menescence)やFED(Field Emi menescence) and FED (Field Emi
ssion Devise)等、自発光素子を用いた薄型の表示装置の開発が活発に行われている。 ssion Devise), etc., the development of thin display device using a self-luminous element is being actively carried out.

【0003】これらの自発光素子を用いた装置では、素子の発光輝度が素子を流れる電流密度に比例することが知られている。 [0003] In the apparatus using these self-luminous elements, light emission luminance of the device is known to be proportional to the current density flowing through the device. また、素子特性、特に印加電圧−電流特性がばらつくことが知られており、これらの装置では定電流源を用いた駆動回路が好ましいとされている。 Also, device characteristics, in particular applied voltage - is known that the current characteristics vary, in these devices and the drive circuit using a constant current source is preferable.

【0004】しかし、実際に定電流源駆動回路を作製することは困難であるので、定電圧源を用いて定電流化駆動を行っている。 However, since it is actually manufactured the constant current source driving circuit is difficult, and with a constant current of driving with a constant voltage source. この場合には、素子を流れる電流を検出する手段を設けて、その検出手段で検出した電流が一定になるように制御する方法が提案されている。 In this case, by providing a means for detecting a current flowing through the element, the method detected current is controlled to be constant at the detection means have been proposed.

【0005】図1は、このような電流検出手段を用いて輝度補正を行う有機ELディスプレイの一例であり、特開2000−187467号公報に開示されている有機EL素子を用いたマトリックス型表示装置の構成を示す図である。 [0005] Figure 1 is an example of an organic EL display which performs luminance correction using such a current detecting means, a matrix type display device using the organic EL device disclosed in JP-A-2000-187467 it is a diagram showing a configuration. この表示装置において、有機ELパネル12 In this display device, an organic EL panel 12
1は、マトリックス状に形成された陰極(C 0 〜C n )と陽極(S 0 〜S m )およびその交点に配置された有機EL 1, cathode formed in a matrix (C 0 ~C n) an anode (S 0 ~S m) and placed organic EL in the intersection
素子から構成されており、陰極(C 0 〜C n )の各電極を駆動するための陰極駆動回路122、陽極(S Are composed of elements, the cathode driving circuit 122 for driving the respective electrodes of the cathode (C 0 ~C n), an anode (S 0 〜S m 0 ~S m)
の各電極を駆動するための陽極駆動回路(PG 1 、P The anode drive circuit for driving each electrode (PG 1, P
2 、・・・、PG G 2, ···, PG m )123およびその陽極駆動回路からの出力電流を検出するための電流検出回路(IS 1 m) 123 and the current detection circuit for detecting an output current from the anode driving circuit (IS 1,
IS 2 、・・・、IS m )124が接続されている。 IS 2, ···, IS m) 124 are connected. そして、電流検出回路IS xで検出した電流値を制御装置1 Then, the control device a current value detected by the current detection circuit IS x 1
25に入力し、検出した電流に応じて画素の点灯時間または点灯電流を調整する構成となっている。 Type 25, in accordance with the detected current has a configuration of adjusting the lighting time or lighting current pixel. なお、電流検出回路IS xは、図2に示すように、抵抗R1の両端の電圧差をA/D変換回路126により検出して出力する構成となっている。 The current detection circuit IS x, as shown in FIG. 2, it has a configuration which detects and outputs a voltage difference between both ends of the resistor R1 A / D conversion circuit 126.

【0006】また、有機EL素子においては、一定電圧条件で素子を駆動していても、流れる電流値が経時変化により変化することが指摘されている。 [0006] In the organic EL device, even if the device is driven at a constant voltage conditions, the value of the current flowing through it has been pointed out that the changes due to aging. そこで、このような経時変化に対して、電流測定を行って輝度補正を行う手段が提案されている。 Therefore, for such aging it has been proposed means for performing luminance correction by performing a current measurement.

【0007】図3は、このような電流検出手段を用いて輝度補正を行う有機ELディスプレイの一例であり、特開平10−254410号公報に開示されている表示装置の構成を示す図である。 [0007] Figure 3 is an example of an organic EL display which performs luminance correction using such a current detection means is a diagram showing a configuration of a display apparatus disclosed in JP-A-10-254410. この表示装置においては、表示パネル109の全有機EL素子を同一の定電圧で駆動し、各有機EL素子に流れる電流値を測定し、その計測した電流値を電流値メモリ108に記憶させ、その記憶データとA/D変換回路101を通して外部から入力された表示データを演算回路102により処理することにより、各画素を流れる電流量の総和を調整する。 In this display device, and drives all the organic EL elements of the display panel 109 at the same constant voltage, the current flowing through the organic EL element was measured, to store the current value thereof measured current value memory 108, the by processing by the arithmetic circuit 102 to display data inputted from the outside through the storage data and the a / D conversion circuit 101, adjusts the sum of the amount of current flowing through each pixel. 具体的には、全ての画素の電流値を測定し、発光輝度特性の劣化が最大となる有機EL素子を流れる電流を基準として選び、各有機EL素子の発光電流を基準電流で除して各有機EL素子の階調データを補正し、その補正された階調データに基づいて有機EL素子の発光時間を制御する。 Specifically, by measuring the current values ​​of all the pixels to select the current deterioration of the light emitting luminance characteristics flows through the organic EL element becomes maximum as a reference, each by dividing the light emission current of the organic EL elements in the reference current the gradation data of the organic EL element is corrected to control the light emission time of the organic EL element based on the corrected tone data. なお、表示パネル109の各画素を構成する有機E Note that the organic E constituting each pixel of the display panel 109
L素子の電流測定段は、図4に示すように、FET20 Current measurement stage L element, as shown in FIG. 4, FET 20
2と有機EL素子205との間に電流検出器204を配置し、電流検出器204の出力をA/D変換器206でデジタルデータ化して電流値メモリ207へ記憶させる構成となっている。 2 and place the current detector 204 between the organic EL element 205 has a configuration of storing the current value memory 207 to digital data output of the current detector 204 by the A / D converter 206.

【0008】さらに、これらの自発光素子では、印加電圧−発光電流特性が素子の温度で変化することが指摘されている。 Furthermore, in these self-emission element, the applied voltage - light emission current characteristic is pointed out that changes in temperature of the device. 図5に、自発光素子の一例として、有機EL 5, as an example of a self-luminous element, the organic EL
素子の温度特性の例を示す。 An example of the temperature characteristic of the element. この図5において、横軸は印加電圧を示し、縦軸は素子を流れる電流を示す。 In FIG. 5, the abscissa indicates the applied voltage and the ordinate represents the current through the element. この図から、温度変化により同じ電圧を印加しても発光電流が変化することが分かる。 From this figure, it can be seen that even if the same voltage is applied by a temperature change varies emission current. そこで、パネル温度を検出して素子へ印加する電圧を調整することにより、素子を流れる電流を調整する方法が提案されている。 Therefore, by adjusting the voltage applied to the element by detecting the panel temperature, there has been proposed a method of adjusting the current through the element.

【0009】図5は、このような温度検出手段を用いて輝度補正を行う有機電界発光素子の一例であり、特開平7−122361号公報に開示されている輝度補正手段のブロック構成を示す図である。 [0009] Figure 5 is an example of an organic electroluminescent device which performs luminance correction using such a temperature detecting means, a block diagram showing the configuration of a luminance correction unit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-122361 it is. この有機電界発光素子160の温度は、その近傍に配置された温度検出器16 Temperature of the organic electroluminescent device 160, the temperature detector 16 disposed in the vicinity thereof
2で検出される。 It is detected by the two. また、その温度検出器162から検出した温度に対応した電圧V tempがA/D変換器163を通してROM164へ入力される。 Further, the voltage V temp corresponding to the temperature detected from the temperature detector 162 is input to the ROM164 through A / D converter 163. ROM164からは、入力された温度に対応して予め記憶させたデータが、D/A変換機165および可変電圧増幅器166を通して駆動電源部161へ出力される。 From ROM 164, data stored beforehand corresponding to the input temperature is output to the drive power source unit 161 through the D / A converter 165 and the variable voltage amplifier 166. なお、温度検出器162は、図7に示すように、サーミスタ167と固定抵抗168からなり、サーミスタ167の温度特性に従って検出温度に対応した出力電圧V tempが得られる構成となっている。 The temperature detector 162, as shown in FIG. 7, becomes thermistor 167 from the fixed resistor 168, the output voltage V temp corresponding to the detected temperature has a configuration obtained according to the temperature characteristic of the thermistor 167.

【0010】 [0010]

【発明が解決しようとする課題】図8に、自発光素子の経時変化特性の一例として、有機EL素子の経時変化特性の例を示す。 Figure 8 [0006] As an example of the temporal change characteristics of the self-emission element, an example of a temporal change characteristics of the organic EL element. この図8において、横軸は経過時間を示し、破線(a)で示す印加電圧(右側縦軸)は、素子を流れる電流をある一定値とするために必要な印加電圧がどのように変化するかを示す。 In FIG. 8, the horizontal axis represents the elapsed time, the applied voltage shown by a broken line (a) (right vertical axis), the applied voltage necessary for a constant value in the current flowing through the element is how to change or show a. 実線(b)で示す標準化輝度(左側縦軸)は初期輝度を1としたときに電流をある一定値とした条件で輝度がどのように変化するかを示す。 Shown by the solid line (b) normalized luminance (left vertical axis) indicates whether change how the luminance under the conditions with a certain value of current when an initial luminance of 1. この図から、有機EL素子では、(b)に示すように素子を流れる電流を一定とするように印加電圧を調整しても、(a)に示すように素子特性の経時変化により発光輝度が落ちていくという問題がある。 From this figure, the organic EL element, emission luminance due to aging of the device characteristics as shown in be adjusted voltage applied to the constant current through the device as shown in (b), (a) there is a problem that will fall.

【0011】従って、特開平7−122361号公報のように、素子温度を検出して輝度を補正する手段では、 Accordingly, as in JP-7-122361 and JP-in means for correcting the brightness by detecting a device temperature,
図8に示すような自発光素子における電流−輝度特性の経時変化を補正する手段が無いため、上記問題に対して対応することができない。 Current in the self-luminous element such as shown in FIG. 8 - because there is no means for correcting the change in luminance with time characteristics, it is impossible to cope with the above problems.

【0012】また、特開2000−187467号公報や特開平10−254410号公報のように、特定電圧を印加した状態で素子を流れる電流を測定し、その電流値を用いて輝度を補正する方法においても、図8に示すような自発光素子における電流−輝度特性の経時変化を補正する手段は開示されていない。 Further, as in JP 2000-187467 and JP 10-254410, the measurement of the current flowing through the device in a state of applying a certain voltage, a method of correcting the brightness by using the current value in also the current in the self light emitting element as shown in FIG. 8 - means for correcting the change in luminance with time characteristics is not disclosed.

【0013】すなわち、特開2000−187467号公報の技術では、自発光素子を流れる電流値が一定となるように経時変化を補正する手段が開示されている。 [0013] That is, in the JP-A-2000-187467 technology, means the value of the current flowing through the self light emitting element is corrected aging to be constant has been disclosed. しかし、この従来技術では、図8に示すような自発光素子における電流−輝度特性の経時変化を補正することはできない。 However, this prior art, the current in the self-luminous element such as shown in FIG. 8 - can not be corrected change in luminance with time characteristics.

【0014】さらに、特開平10−254410号公報の技術では、発光輝度特性の劣化が最大である有機EL Furthermore, in JP-A 10-254410 discloses a technique, the organic EL deterioration of emission luminance characteristic is maximum
素子の発光電流を基準として、他の有機EL素子の駆動電流を補正する手段が開示されている。 Based on the light emission current of the device, there is disclosed means for correcting the driving current of the other organic EL element. しかし、この従来技術では、基準とする有機EL素子の駆動電流を補正していないので、各有機EL素子間の相対的な経時変化特性を補償することはできるが、各有機EL素子の絶対的な経時変化特性を補償することはできない。 However, this prior art, since not corrected driving current of the organic EL element as a reference, although it is possible to compensate for the relative aging characteristics between the organic EL elements, the absolute of each organic EL element It can not compensate for such aging properties.

【0015】例えば、パネル温度は一定であると予想することができるので、パネル内の各有機EL素子に一定電流を流すために必要な電圧を測定することにより、各有機EL素子の相対的な経時変化のばらつきを知ることができる。 [0015] For example, since the panel temperature can be expected to be constant, by measuring the voltage necessary to flow a constant current to each organic EL element in the panel, relative of the respective organic EL devices it is possible to know the variations in aging. しかし、一定電流を流すために必要な電圧が初期値よりも10%増大したとしても、その原因が図5 However, even if the voltage required for flowing a constant current is increased by 10% from the initial value, the cause 5
に示した温度変化によるものか、または図8の経時変化によるものかが分からなければ、各有機EL素子の絶対的な経時変化特性を補償することはできない。 Indicated either by a temperature change, or if know whether those due to aging of FIG. 8, it is impossible to compensate for the absolute aging characteristics of the respective organic EL elements.

【0016】すなわち、上記従来技術では、各有機EL [0016] That is, in the conventional art, the organic EL
素子間の経時変化特性のばらつきを補償することはできても、各有機EL素子の絶対的な輝度特性の補正をすることはできない。 Although it is possible to compensate for variations in the aging characteristics between elements, it is impossible to correct the absolute luminance characteristics of the organic EL elements. この場合、使用時間に応じて画面が暗くなる等の問題が生じる。 In this case, problems such as the screen becomes darker in accordance with the use time occurs.

【0017】特に、カラー表示を行う有機EL素子においては、RGB各色で発光に使われる発光材料が異なるので、RGB各色で温度特性および経時変化特性が異なる。 [0017] Particularly, in the organic EL device that performs color display, since light-emitting materials used in emitting in RGB colors are different, the temperature characteristics and aging characteristics are different in each of RGB colors. 従って、RGB各色の相対的電流を比較するだけでは、RGB各色間での経時変化による輝度特性を補正することはできない。 Thus, simply comparing the relative current of RGB colors can not be corrected luminance characteristics due to aging between the RGB colors. このため、RGB各色間の相対的な輝度特性が経時変化により変化し、表示画像の色味の変化となって現れる。 Therefore, the relative luminance characteristics between the RGB colors is changed due to aging, it appears as a change in color of the displayed image. このような色味変化が生じると、T When such a color change occurs, T
V映像等で人間の顔が映るときに、顔色が変化して見えるので深刻な問題である。 When the human face reflected in the V video, etc., is a serious problem because the complexion appears to change.

【0018】本発明は、このような従来技術の課題を解決するべくなされたものであり、有機EL素子等の自発光素子の経時変化を検出し、輝度や色味補正を行うことができる電気光学装置を提供することを目的とする。 [0018] The present invention solve such problems of the conventional art, to detect the time course of the self-light emitting elements such as organic EL devices, electricity can perform luminance and color correction and to provide an optical device.

【0019】 [0019]

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は、表示データを入力する手段と、マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、該第一の電気光学素子の周辺に配置した温度測定手段によって該第一の電気光学素子の温度を類推する手段と、該第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および該第一の電気光学素子の温度の類推値と、該第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め Electro-optical device of the present invention SUMMARY OF THE INVENTION includes means for inputting display data, means for displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix, said first said means for measuring the current flowing by applying a predetermined voltage to the active element, the temperature measuring means disposed on the periphery of said first electro-optical element for controlling the electro-optical element or said first electro-optical element means a voltage value applied to the active element to control it or said first electro-optical element, a current value and said first electrical flowing through said first electro-optical element to analogize the temperature of one electro-optical element and analogy value of the temperature of the optical element, the electro-optical device having the same structure as said first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - the temperature during aging and characteristic measurement of the luminance characteristics in advance めておいたものとを比較して、該第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する手段と、得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有し、そのことにより上記目的が達成される。 By comparing the ones had been fit, current of the first electro-optical elements - means for estimating an intensity characteristics, resulting current - analogy value of luminance characteristics, the current flowing in said first electro-optical element based on the value and the display data, as the luminance to be displayed originally obtained, and means for changing the sum of the amount of current supplied to the first electro-optical element to a period for displaying the display data, the objects can be achieved.

【0020】本発明の電気光学装置は、表示データを入力する手段と、マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、該第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の電気光学素子と、該第二の電気光学素子または該第二の電気光学素子を制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、該第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値および該第二の電気光学素子に流れる電流値と、該第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値および該第一の電気光学素子に流れる電流値とを比較して The electro-optical device of the present invention includes means for inputting display data, means and, said first electro-optical element or said displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix means for measuring the current flowing by applying a voltage to the active element for controlling one of the electro-optical element, a second electro-optical element arranged in the periphery of said first electro-optical element, said second electro-optical means for measuring the current flowing by applying a voltage to the active element to control the element or said second electro-optical element, a voltage value applied to the active element to control it or said second electro-optical element and said compares the current flowing through the second electro-optical element, the voltage and current values ​​flowing through said first electro-optical element is applied to the active element to control it or said first electro-optical element 該第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する手段と、得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有し、 Current of the first electro-optical elements - it means for estimating an intensity characteristics, resulting current - analogy value of luminance characteristics, based on the current value and display data flowing said first electro-optical element, to display the original should as luminance is obtained, and means for changing the total amount of current supplied to a period for displaying the display data to the electro-optical element of the first,
そのことにより上記目的が達成される。 The objects can be achieved.

【0021】前記第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度は、前記第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度よりも少ないことが望ましい。 The frequency of applying a voltage to the active element to control it or said second electro-optical element may be less than the frequency for applying voltage to the active element for controlling the first electro-optical element or desirable.

【0022】この場合、第二の電気光学素子は経時変化がほとんど無いと考える。 [0022] In this case, the second electro-optical element is considered to change with time is little. そこで、この第2の電気光学素子の印加電圧−電流特性を調べれば、経時変化に関係しない素子温度を知ることができる。 Therefore, the applied voltage of the second electro-optical element - by examining the current characteristics, it is possible to know the element temperature not related to aging. この素子温度と第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性を比べることにより、第一の電気光学素子の経時変化の様子を類推することが可能である。 Applied voltage of the device temperature and the first electro-optical element - by comparing the current characteristics, it is possible to analogize the state of aging of the first electro-optical element. なお、この第一の電気光学素子の経時変化は、一旦温度の類推を経なくても、直接第二の電気光学素子の印加電圧−電流特性から求めることも可能である。 Incidentally, time course of the first electro-optical element, without once through analogy temperature, applied voltage direct the second electro-optical element - can also be determined from the current characteristic. また、この第一の電気光学素子の経時変化の類推は、表示に先駆けて予め行うことが可能である。 The analogy of aging of the first electro-optical element may be performed in advance prior to display.

【0023】すなわち、前記第一の電気光学素子を流れる電流値または該電流値を処理して得られたデータを記憶する記憶手段を有し、該記憶手段から読み出したデータに基づいて、該第一の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更してもよい。 [0023] That is, a storage means for storing data obtained by processing the current value or the current value flowing through said first electro-optical element, based on the data read from said memory means, said it may be changed total amount of current supplied to an electro-optical elements.

【0024】前記第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を有していてもよい。 The electro-optical device having the same structure as the first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - store what the temperature during aging and characteristic measurement of luminance characteristic obtained in advance storage means for may have.

【0025】前記第二の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性および特性測定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を有していてもよい。 [0025] For the second electro-optical element having the same structure as the electro-optical element, the applied voltage - may have a storage means for storing those previously obtained the temperature at the time of current characteristics and properties measured.

【0026】前記第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および該第一の電気光学素子の温度の類推値を外部に送出する手段、または前記記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を有していてもよい。 The voltage value applied to the active element to control it or the first electro-optical element, the analogy value of the temperature of the current value and said first electro-optical element flowing to said first electro-optical element to the outside It means for sending or may have a means for rewriting receiving data to be stored from outside in the storage means. また、前記第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該第二の電気光学素子に流れる電流値および該第二の電気光学素子の温度の類推値を外部に送出する手段、または前記記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を有していてもよい。 Moreover, sending the second voltage value applied to the active element of the electro-optical element or control it, the analogy value of the temperature of the current value and said second electro-optical element flowing to said second electro-optical element to the outside data storage means or the storage means, for may have means for rewriting receives from outside. なお、出荷時に経時変化を充分把握していない場合に書き換えが有効であり、 In addition, it is effective rewriting If you do not have enough understanding of the changes over time at the time of shipment,
経時変化を把握して新谷出荷するものに適用する場合に送出が有効であるため、送信機能と受信機能の両方を有していない構成も可能である。 For delivery in the case of applying to that ship Araya know the temporal change is valid, it is also possible to adopt a composition which do not have both transmit and receive functions.

【0027】本発明の電気光学装置は、表示データを入力する手段と、マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、記憶手段と、該記憶手段から読み出したデータを基に、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有する電気光学装置であって、さらに、該記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を有し、そのことにより上記目的が達成される。 The electro-optical device of the present invention includes means for inputting display data, means for displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix, a storage means, read from the storage means data based on, an electro-optical device having a means for changing the sum of the supply current amount to the first electro-optical element to a period for displaying the display data, further data to be stored in the storage means and means for rewriting received from outside, the objects can be achieved. この場合、外部からデータを送って本来表示すべき輝度が得られるように記憶手段に書き換えることも可能であり、本来表示すべきでない輝度が得られるように記憶手段に書き換えることも可能である。 In this case, it is also possible to rewrite the storage means so that the luminance to be displayed originally sending data from the outside is obtained, it is also possible to rewrite the storage means so that the luminance that should not be originally displayed is obtained.

【0028】以下に、本発明の作用について説明する。 [0028] The following is a description of the operation of the present invention.

【0029】本発明にあっては、第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電流を測定して第一の電気光学素子の電流− [0029] In the present invention, the current of the first electro-optical element by measuring the current flowing by applying a predetermined voltage to the active element for controlling the first electro-optical element or it -
輝度特性を類推し、得られた電流−輝度特性の類推値、 Analogy luminance characteristics, resulting current - analogy value of luminance characteristics,
第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する。 Based on the current value and display data flowing to the first electro-optical element, so that the luminance to be displayed originally obtained, the sum of the amount of current supplied to the first electro-optical element to a period for displaying the display data change.

【0030】この構成では、第1の電気光学素子の電流を測定する手段自体が電源電圧の低下(ドロップ)をもたらすことが懸念されるので、第一の電気光学素子の通常表示時に電流を供給する第一の電流供給ラインと、電流測定時に電流を供給する第二の電流供給ラインを用意して、電流測定時には第一の電流供給ラインをオープン状態にする構成とするのが好ましい。 [0030] In this arrangement, since there is a concern that means itself for measuring the current of the first electro-optical element results in reduction of the power supply voltage (drop), it supplies a normal current during the display of the first electro-optical element a first current supply line which, by providing a second current supply line for supplying a current during current measurement, the time of current measurement preferably configured to the first current supply line in an open state.

【0031】第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する第一の手段においては、後述する実施形態1に示すように、第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電流を測定すると共に、第一の電気光学素子の周辺に配置した温度測定手段によって第一の電気光学素子の温度を類推する。 The current of the first electro-optical element - in a first means for estimating an intensity characteristics, as shown in the embodiment 1 to be described later, a predetermined active element for controlling the first electro-optical element or it with measuring the current flowing by applying a voltage, to analogize the temperature of the first electro-optical element by a temperature measuring means disposed on the periphery of the first electro-optical element. そして、第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、第一の電気光学素子に流れる電流値および第一の電気光学素子の温度の類推値と、第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め測定または予測しておいたデータとを比較して、第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する。 Then, the voltage value applied to the active element for controlling the first electro-optical element or it the analogy value of the temperature of the current value and the first electro-optical element through the first electro-optical element, a first electro-optical electro-optical device having the same structure as the element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - is compared with the data measured in advance or predict the temperature during aging and characteristic measurement of luminance characteristics, first current of the electro-optical element - to analogize the luminance characteristics.

【0032】この第一の電気光学素子の温度を類推する手段は、熱電対やサーミスタ等の温度測定手段を第一の電気光学素子に隣接して配置したり、一体化して配置するなど、素子の周辺に配置することにより実現することができる。 [0032] The means for estimating an temperature of the first electro-optical element, the temperature measuring means such as thermocouple or thermistor or placed adjacent to the first electro-optical element, for example, placing integrated, element it can be achieved by placing the periphery of the. また、これらの温度測定手段を電気光学素子と一体形成する場合、複数の温度測定手段を形成し、それら複数の温度測定手段のうちの正常動作するものを用いて温度測定を行うことにより、温度測定手段の製造歩留まりが悪くとも、電気光学装置の製造歩留まりへの影響を防ぐことができる。 When forming integrally with the electro-optical element of these temperature measuring means, to form a plurality of temperature measuring means, by performing temperature measurement using what is normal operation of a plurality of temperature measuring means, temperature even the production yield of the measuring unit is poor, it is possible to prevent the influence on the production yield of electro-optical devices.

【0033】このように、素子温度を知って予め測定または予測しておいた第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性と比較することにより、第一の電気光学素子の温度特性に影響されず、経時変化の絶対値を知ることが可能となる。 [0033] Thus, the applied voltage of the first electro-optical element that has been previously measured or predicted know device temperature - by comparing the current characteristic is affected by the temperature characteristics of the first electro-optical element not, it is possible to know the absolute value of the change over time. これにより、カラー表示を行う電気光学素子においても、RGB各色の絶対輝度のばらつきを補正できるので、人間の肌色をきれいに再現することが可能となる。 Thus, even in the electro-optical element for color display, it is possible to correct variations in the absolute brightness of the RGB colors, it is possible to reproduce clean human skin color.

【0034】第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する第二の手段においては、後述する実施形態2に示すように、第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定すると共に、第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する。 The current of the first electro-optical element - in the second means for estimating an intensity characteristics, as shown in the embodiment 2 described later, the voltage to the active element for controlling the first electro-optical element or with measuring the current flowing is applied to measure the current flowing by applying a voltage to the active element for controlling the second electro-optical element or it was placed on the periphery of the first electro-optical element. そして、第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値および第二の電気光学素子に流れる電流値と、第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、第一の電気光学素子に流れる電流値および第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化を予め求めておいたものとを比較して、第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する。 Then, a current flowing through the voltage value and the second electro-optical element is applied to an active element for controlling the second electro-optical element or the voltage applied to the active element for controlling the first electro-optical element or value, the electro-optical device having the same configuration as the current value and the first electro-optical element through the first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - obtained in advance a change in luminance with time characteristic by comparing the objects, the current of the first electro-optical element - to analogize the luminance characteristics.

【0035】上記第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子は、通常は電圧を印加されることなく保持されており、印加電圧−電流特性の劣化が無い状態で保持されていると考えられる。 [0035] The second electro-optical element or an active element for controlling it, usually are held without being applied voltage, the applied voltage - thought to be held in a state degradation is not the current characteristics It is. 従って、この特性を用いて上記第二の電気光学素子の温度を類推することが可能であり、ひいては第一の電気光学素子の温度を類推することが可能である。 Therefore, using this property it is possible to analogize the temperature of the second electro-optical element, it is possible to analogize the thus temperature of the first electro-optical element.

【0036】特に、後述する実施形態3に示すように、 [0036] In particular, as shown in the embodiment 3 described later,
同じプロセスで作製され、ほぼ同じ構成を有する電気光学素子の一部を上記第二の電気光学素子とし、残りを上記第一の電気光学素子とすることにより、余分なプロセスを必要とせず、好ましい。 Produced by the same process, almost part of the electro-optical device having the same structure as the second electro-optical element, by the rest and the first electro-optical element does not require an extra process, preferably .

【0037】なお、第一の電気光学素子と第二の電気光学素子を同一構成で作製する場合、第二の電気光学素子の印加電圧−電流特性が、第一の電気光学素子の劣化のない状態での印加電圧−電流特性と考えられる。 [0037] In the case of producing a first electro-optical element and the second electro-optical element in the same configuration, the applied voltage of the second electro-optical element - current characteristic, without deterioration of the first electro-optical element applied voltage in a state - considered current characteristics. この場合には、一旦素子温度を求めなくても、両者の印加電圧−電流特性の違いから直接第一の電気光学素子の電流− In this case, without once seeking device temperature, both the applied voltage - current of the first electro-optical element directly from the difference in current characteristics -
輝度特性を推測することが可能となる。 It is possible to infer the luminance characteristics.

【0038】この場合、第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性の経時変化、および電流−輝度特性の経時変化を予め求めておいた方が良いが、両者の間にある程度の相関関係があれば、予め測定しておかなくても、その相関関係を計算により求めることも可能である。 [0038] In this case, the applied voltage of the first electro-optical element - aging of the current characteristics, and a current - but it is best to previously obtained temporal change in luminance characteristics, a certain degree of correlation between them if, without first pre-determined, it is possible to determine by calculation the correlation.

【0039】なお、上記第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度が第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度よりも少なく、第二の電気光学素子が実質的に劣化の少ない状態で保持されていれば、上記第二の電気光学素子に対して印加電圧−電流特性測定時以外に電圧が印加されてもよい。 [0039] Incidentally, less than the frequency for applying voltage to the active element frequency for applying voltage to the active element for controlling the second electro-optical element or controls the first electro-optical element or, the if second electro-optical element is held with less of substantially degrade, the second applied voltage to the electro-optical element - current characteristic voltage may be applied at a time other than during the measurement. 例えば、表示画面の一部(4隅の各1画素)を第二の電気光学素子として用いることができ、印加する電圧はほとんど発光させないレベル(最大輝度の1/10000以下等)であればよい。 For example, a portion of the display screen can be used (four corners of each 1 pixel) as the second electro-optical element, the voltage to be applied may be a little emitted was not level (1/10000 of the maximum luminance or less, etc.) . 第二の電気光学素子が実質的に劣化の少ない状態であるか否かは、例えば図8の経時変化特性では、1H以内であれば劣化していないのと同等と考えられるので、 Whether the second electro-optical element is a small state with substantially degrade, over time the change characteristics shown in FIG. 8, for example, it is considered that equivalent to not deteriorated if it is within 1H,
1画素当たりの電圧−電流測定時間をその範囲で収めることが考えられる。 Voltage per pixel - is conceivable to fit the current measurement time that range. 1秒間に表示期間が60フレームあるとして、図16の構成により測定を行う場合、1画素当たりの電圧−電流測定時間を10μs以内とすれば、 As the display period in one second is 60 frames, when measuring the configuration of FIG. 16, 1 voltage per pixel - if the current measurement time within 10 [mu] s,
1日当たり24×60×60×10μs=51.84秒である。 Per day 24 × 60 × 60 × 10μs = 51.84 seconds. 1Hの劣化に達するためには、60×60/5 To reach 1H of degradation, 60 × 60/5
1.84≒69日必要になる。 1.84 ≒ 69 days is required. さらに、経時変化は数時間程度経っても大きく変化しないと考えられるので、1 Furthermore, since aging is considered not change significantly even after several hours, 1
日1回または1時間に1回、各画素当たりの電圧−電流測定を、各画素当たり1秒以内で測定すればよい。 Once a day at a time or one hour, voltage per pixel - the current measurement may be measured within 1 second per each pixel. 1時間に1回測定すると仮定した場合でも、1Hの劣化に達するまでにはその60×60×60倍の時間がかかることになる。 Even assuming that measured once per hour, to reach to the deterioration of the 1H it takes its 60 × 60 × 60 times longer.

【0040】このように、ほとんど劣化を起こさない第二の電気光学素子の印加電圧−電流特性を調べることにより、その第二の電気光学素子の素子温度を尻、第一の電気光学素子の素子温度を類推することが可能である。 [0040] Thus, the applied voltage of the second electro-optical element which hardly cause degradation - by examining the current characteristics, butt element temperature of the second electro-optical element, elements of the first electro-optical element it is possible to analogize the temperature.

【0041】さらに、上記第二の電気光学素子と第一の電気光学素子をほとんど同じ構成として、第二の電気光学素子へ電圧−電流特性測定時以外にはほとんど電圧を印加させないことにより、両者の電圧−電流測定を図れば、第一の電気光学素子の電圧−電流特性を、同じ温度で経時変化の無い電圧−電流特性と比較することができるので、一旦温度を求めなくても第一の電気光学素子の絶対的な経時変化を求めることが可能となる。 [0041] Further, as almost the same configuration the second electro-optical element and the first electro-optical element, the second voltage to the electro-optical element - by the addition during current characteristic measurement does not apply a little voltage, both voltage - if Hakare the current measurement, the voltage of the first electro-optical element - current characteristic, no voltage change with time at the same temperature - can be compared with the current characteristic, the first without once calculated temperature it is possible to determine the absolute time course of the electro-optical element.

【0042】この場合、第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化を予め求めておいた方が良いが、両者の間にある程度の相関関係があれば、予め測定しておかなくても、その相関関係を用いて計算により求めることも可能である。 [0042] In this case, the applied voltage of the first electro-optical element - aging and current of the current characteristics - it is better to previously obtained temporal change in luminance characteristics, a certain degree of correlation between them there if, without first pre-determined, it is possible to determine by calculation using the correlation.

【0043】ところで、本発明において、上記第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性を測定する際には、上記第一の電気光学素子による表示が行われる。 [0043] In the present invention, the applied voltage of the first electro-optical element - in measuring the current characteristic, the display by the first electro-optical element is performed. 従来技術である特開2000−187467号公報に示されているようなパッシブマトリックス型表示装置においては、 In a passive matrix type display device as shown in JP 2000-187467 Laid the conventional art,
表示を行いながら電流を測定することが可能であるので、上記電流測定値を記憶するための手段は必要ない。 Since it is possible to measure the current while the display, there is no means for storing the current measurements need.
しかし、従来技術である特開平10−254410号公報に示されているようなアクティブマトリックス型表示装置においては、表示を行いながら電流を測定することが困難であるので、上記電流測定値を記憶するための手段が必要である。 However, in an active matrix type display device as shown in JP-A-10-254410 discloses a conventional art, since it is difficult to measure the current while displaying, storing said current measurement It means for there is a need. そこで、第一の電気光学素子を流れる電流値または電流値を処理して得られたデータを記憶する記憶手段を設けて、その記憶手段から読み出したデータを用いるようにしてもよい。 Therefore, by providing a memory means for storing data obtained by processing the current value or the current value flowing through the first electro-optical element may be used the data read from the storage means. さらに、第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め測定または予測して求めておいたデータを記憶する記憶手段を設けて、その記憶手段から読み出したデータを用いるようにしてもよい。 Furthermore, the electro-optical device having the same configuration as the first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - had been obtained by previously measuring or predicting the temperature during aging and characteristic measurement of the luminance characteristics provided a storage means for storing data, it may be used the data read from the storage means. または、 Or,
第二の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性から特性測定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を設けて、その記憶手段から読み出したデータを用いて上記温度を類推するようにしてもよい。 The second electro-optical element having the same structure as the electro-optical element, the applied voltage - is provided storage means for storing those previously obtained temperature at the time of characteristic measurement from current characteristic, the data read from the storage means it may be analogized the temperature using.

【0044】なお、本発明において、「電気光学素子を流れる電流値に基づいて」という記載は、直接電流測定手段から得た電流値だけではなく、その電流値を処理して得られたデータや、上記電流値やその電流値を処理して得られたデータを一旦記憶手段に記憶させてから読み出したデータを用いることも含むということを意味する。 [0044] In the present invention, reference to "based on the current value flowing through the electro-optical element" is a direct current as well as current values ​​obtained from the measuring means, Ya data obtained by processing the current value means that also includes the use of data read from and stored in the temporarily storing means the data obtained by processing the current value and the current value.

【0045】このように、記憶手段を用いて予め測定した各画素の電圧−電流測定結果や、電流−輝度特性の類推値等を記憶させることにより、各フレーム毎に電圧− [0045] Thus, the voltage of each pixel measured in advance using a storage means - current measurement results and the current - by storing the analogy value or the like of the luminance characteristics, voltage for each frame -
電流測定を行う必要がなくなる。 Necessary to carry out the current measurement is eliminated. このことにより、電圧−電流測定による発光期間の減少や、第二の電気光学素子の経時変化を少なく抑えることが可能となる。 Thus, the voltage - loss and the light emission period due to the current measurement, it is possible to suppress decrease the time course of the second electro-optical element.

【0046】また、予め測定または予測しておいた第二の電気光学素子の印加電圧−電流特性を記憶手段に記憶させておくことにより、上記電圧−電流測定温度を特定し、温度変化による要因と経時変化による要因とを区別することが可能となる。 [0046] Further, the applied voltage of the second electro-optical element that has been previously measured or predicted - by storing the current characteristics in the storage means, the voltage - identifies the current measured temperature, factors due to a temperature change it is possible to distinguish between factors due to aging and.

【0047】さらに、予め測定または予測しておいた第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性と温度と経時変化の関係を記憶手段に記憶させておくことにより、上記温度と比較することにより、第一の電気光学素子の温度特性に影響されることなく、経時変化の絶対値を知ることが可能となる。 [0047] In addition, previously measured or the voltage applied to the first electro-optical element which has been predicted - by storing the current characteristics and relationship between the temperature and aging in the storage unit, by comparing with the temperature , without being affected by the temperature characteristics of the first electro-optical element, it is possible to know the absolute value of the change over time.

【0048】上記経時変化のデータは、電気光学装置の出荷時に分からなくても、後からインターネットや放送・通信手段等を通して順次最新のデータを受信して、更新するようにすることもできる。 [0048] Data of the time course, even without knowing at the time of shipment of the electro-optical device, receives sequential latest data through the Internet or broadcasting, communication means, etc. later, it can be so updated. また、上記温度データ、第一の電気光学素子や第二の電気光学素子の印加電圧−電流特性等、測定または類推データを装置外に発信する機能があれば、上記電流−輝度特性を類推する処理を電気光学装置内で行わなくても、他の装置により行うことが可能である。 Further, the temperature data, the voltage applied to the first electro-optical element and the second electro-optical element - current characteristic or the like, if the ability to transmit a measured or inferred data from the apparatus, the current - to analogize the luminance characteristics process not be performed in an electro-optical device, it can be carried out by another apparatus. この場合、上記測定データをインターネットや通信手段等を通して送出し、必要な電流−輝度特性等のデータをインターネットや放送・通信手段等を通して受信して、各記憶手段に記憶させることも可能である。 In this case, the measurement data sent through the Internet or a communication means, etc., the required current - data such as luminance characteristics and received through the Internet or broadcasting, communication means, etc. It is also possible to store in each storage unit.

【0049】経時変化の測定は時間がかかり、一方、携帯端末等のライフサイクルは短くなっている。 [0049] measurement of change over time is a time-consuming, on the other hand, life cycle, such as a mobile terminal is shorter. そこで、 there,
ディスプレイを販売する時点でその経時変化を測定するのが間に合わない場合も考えられる。 If to measure the temporal change at the time of selling the display is not in time is also conceivable. しかし、デジタル放送やインターネットの普及に伴って、ほとんどのディスプレイはこれらの用途に使用されている。 However, with the spread of digital broadcasting and the Internet, and most of the display are used for these applications. そこで、ディスプレイの販売時に上記特性を測定しておかなくても、後でデジタル放送やインターネットを通して、これらのデータをディスプレイに与えることも可能である。 Therefore, without first measuring the characteristics at the time of sale of the display, through the digital broadcasting and the Internet later, it is also possible to provide these data to the display.
また、経時変化の補正データを、ディスプレイ側で作成しなくても、第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性と測定温度を基地局へ送り、代りに各画素の電流補正特性を受信して、そのデータを記憶素子に直接記憶させることにより、電流補正を行うことも可能である。 Further, the correction data of aging, without creating the display side, the applied voltage of the first electro-optical element - current characteristic and sends the measured temperature to the base station, receives the current correction characteristic for each pixel instead Te, by storing directly the data in the storage element, it is also possible to perform the current correction. さらに、各端末装置の経時変化データを基地局に送信することにより、そのディスプレイの状態をメーカー側で把握することも可能である。 Furthermore, by sending the time course data of each terminal apparatus to the base station, it is possible to grasp the state of the display at the manufacturer.

【0050】なお、上記記憶データをインターネットや放送・通信手段を通して受信する考え方は、上記電気光学素子の経時変化処理に利用できるだけではなく、広く映像処理全般に適用可能である。 [0050] Incidentally, concept for receiving the stored data through the Internet or broadcasting and communication means, not only can be used for aging process of the electro-optic element, it can be widely applied to image processing in general. 特に、最新の映像処理技術(データやソフトウェア)が開発された場合に、その処理技術が新規製品に適用できるだけでは新規技術が利用される機会が少なくなる。 In particular, when the latest image processing technology (data and software) have been developed, the processing technology the opportunity novel techniques are used is reduced only applicable to new products. しかし、既存の製品にも適用可能であれば、広く新規技術を利用することができ、技術開発効果が浸透されやすい環境を構築することが可能である。 However, even if applicable to existing products, widely it is possible to use a new technology, technology development effect it is possible to build an easily penetrate environment.

【0051】 [0051]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 The following DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION] Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0052】以下の実施形態1〜実施形態4では、電気光学素子として図9に示す有機EL素子を用いる。 [0052] In 4 following embodiments 1 to embodiment, an organic EL element shown in FIG. 9 as an electro-optical element. この有機EL素子9は、ガラス基板1の上にAl等からなる陰極2、有機多層膜3およびITO(Indium T The organic EL device 9, the cathode 2 made of Al or the like on a glass substrate 1, an organic multilayer film 3 and ITO (Indium T
in Oxide)等の透明材料からなる陽極3がこの順に形成されている。 Anode 3 consisting in Oxide) transparent material such as are formed in this order. 有機多層膜4としては、いくつかの構造が考えられるが、ここでは陰極2の上に電子輸送層5としてAlq(tris−(8−hydroxyq The organic multilayer film 4, several structures are conceivable, wherein Alq as an electron transport layer 5 on the cathode 2 (tris- (8-hydroxyq
uinoline)aluminum)等を、発光層6 The uinoline) aluminum) or the like, the light-emitting layer 6
として図10(a)のDPVBi(1,4−bis DPVBi shown in FIG. 10 (a) as (l, 4-bis
(2,2−diphenylvinyl)biphen (2,2-diphenylvinyl) biphen
yl(青色発光層)や図10(b)のZn(oxz) 2 yl Zn (blue emission layer) and FIG. 10 (b) (OXZ) 2
(青色発光層)、図10(c)の Alq(赤色発光層)や図10(d)のDCMをドーパントとしたAlq (Blue emitting layer), Alq the DCM was used as a dopant in Alq in FIG 10 (c) (red emission layer) and FIG. 10 (d)
(緑色発光層)を、正孔輸送層7として図10(e)のTPDを、正孔注入層(または陽極バッファ層)8として図10(f)のCuPcを積層した構成とする。 (Green emission layer), the TPD of 10 (e) as a hole-transporting layer 7, and were laminated structure of CuPc hole injection layer (or anode buffer layer) 10 as 8 (f).

【0053】さらに、アクティブマトリックス型の表示装置において、このような有機EL素子を駆動するためのTFTとしては、電荷移動度の大きなシリコンを用いて作製したTFTを用いる。 [0053] Further, in the display device of the active matrix type, the TFT for driving such an organic EL device, using a TFT manufactured by using the large silicon charge mobility. そこで、以下に、実施形態1〜実施形態4で用いるTFTを作製するための製造プロセスについて説明する。 Therefore, hereinafter, a description will be given of a manufacturing process for manufacturing a TFT used in embodiment 1 to embodiment 4. なお、この作製プロセスについては、例えば特開平10−301536号公報等においても説明されている。 Note that this fabrication process, for example, have also been described in JP-A 10-301536 Patent Publication.

【0054】まず、図11(a)〜図11(c)に示すように、ガラス基板11上に非晶質シリコン薄膜12を堆積させ、この非晶質シリコン薄膜12にエキシマレーザを照射して多結晶シリコン薄膜13を形成する。 [0054] First, as shown in FIG. 11 (a) ~ FIG 11 (c), on the glass substrate 11 by depositing an amorphous silicon thin film 12 is irradiated with the excimer laser to the amorphous silicon thin film 12 forming a polycrystalline silicon thin film 13.

【0055】次に、図11(d)および図11(e)に示すように、上記多結晶シリコン薄膜13を所望の形状にパターニングしてアクティブ領域14を形成し、その上にゲート絶縁膜15を形成する。 Next, as shown in FIG. 11 (d) and FIG. 11 (e), the in the polycrystalline silicon thin film 13 is patterned into a desired shape to form an active region 14, a gate insulating film 15 is formed thereon to form. そして、図11 Then, as shown in FIG. 11
(f)に示すように、薄膜トランジスタのゲート電極1 (F), the gate electrode 1 of the thin film transistor
6をアルミニウム等で形成する。 6 formed by aluminum or the like.

【0056】続いて、図12(g)に示すように、一方の薄膜トランジスタのゲート電極16をレジスト材17 Subsequently, as shown in FIG. 12 (g), the resist material 17 of the gate electrode 16 of one of the thin film transistor
で覆った後、P+イオンドーピングを行う。 In after covering, perform the P + ion doping. これにより、上記レジスト材17で覆われていないゲート電極1 Thus, the gate electrode 1 which is not covered with the resist material 17
6側のアクティブ領域14のうち、ゲート電極16でマスクされた領域以外がn+領域18となる。 Of the six sides of the active region 14, other than the masked area is an n + region 18 in the gate electrode 16. そして、図12(h)に示すように、図12(g)で形成したレジスト材17を除去した後、他方の薄膜トランジスタのゲート電極16をレジスト材19で覆った後、B+イオンドーピングを行う。 Then, as shown in FIG. 12 (h), performed after removing the resist material 17 formed in FIG. 12 (g), after covering the gate electrode 16 of the other thin film transistor resist material 19, the B + ion doping. これにより、上記レジスト材19で覆われていないゲート電極16側のアクティブ領域14 Thus, the resist material of the gate electrode 16 side not covered with the 19 active area 14
のうち、ゲート電極16でマスクされた領域以外がp+ Among except masked region with the gate electrode 16 is p +
領域20となる。 A region 20. すなわち、図12(g)および図12 That is, FIG. 12 (g) and 12
(h)において、薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域に不純物(n型領域にはP(燐)、p型領域にはB In (h), impurities in the source and drain regions of the thin film transistor (n-type in the region P (phosphorus), the p-type region B
(硼素))が注入される。 (Boron)) are implanted.

【0057】その後、図12(i)に示すように、n+ [0057] Thereafter, as shown in FIG. 12 (i), n +
領域18およびp+領域20が形成された薄膜トランジスタ上に、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなる層間絶縁膜21を堆積する。 On the thin film transistor region 18 and p + region 20 is formed, an interlayer insulating film 21 made of silicon dioxide or silicon nitride. そして、図12(j)および図12(k)に示すように、層間絶縁膜21上にコンタクトホール22を形成した後、アルミニウム等の金属配線23を形成する。 Then, as shown in FIG. 12 (j) and Fig. 12 (k), after forming a contact hole 22 is formed on the interlayer insulating film 21, forming a metal wiring 23 of aluminum or the like.

【0058】以上の工程において、プロセスの最高温度はゲート絶縁膜形成時の600℃であるので、ガラス基板1としては、米国コーニング社製の1737ガラス等の高耐熱性ガラス等を仕様することができる。 [0058] In the above process, since the maximum temperature of the process is at 600 ° C. at the time of the gate insulating film formation, the glass substrate 1, be specifications high heat resistance glass of 1737 glass manufactured by US Corning it can.

【0059】なお、上記電気光学装置においては、この薄膜トランジスタの形成後に、さらに別の層間絶縁膜を介して図9に示す陰極2を形成し、その後、図9の各層を形成する。 [0059] In the above electro-optical device, after the formation of the thin film transistor, further via another interlayer insulating film to form a cathode 2 shown in FIG. 9, then forming each layer in FIG. さらに、これらの各層を形成後、外気と遮断するためにガラス蓋等を用いて封止する。 Furthermore, it sealed with a glass lid, etc. After formation of these layers, in order to block the outside air.

【0060】(実施形態1)図13は、本発明の一実施形態である電気光学装置の構成を説明するためのシステム構成図である。 [0060] (Embodiment 1) FIG. 13 is a system configuration diagram for explaining a configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the present invention. 本実施形態では、電気光学素子の電流輝度特性を類推する手段として、上記第一の手段を用いた例について説明する。 In the present embodiment, as means for estimating an electric current luminance characteristic of the electro-optical element, an example of using the first means.

【0061】この電気光学装置は、基板31上にゲート側配線Ciとデータ配線Sjが互いに交差(ここでは直交)するように配置され、その交点に画素Aijが配置されている。 [0061] The electro-optical device, the gate-side wiring Ci and the data lines Sj on a substrate 31 is disposed so as to (orthogonal in this example) mutually crossing, a pixel Aij are arranged in the intersection. また、ゲート側配線Ciに電圧を印加するための駆動回路として走査側駆動回路33が、データ配線Sjを駆動するための駆動回路としてデータ側駆動回路32が配置されている。 The scanning side driving circuit 33 as a drive circuit for applying a voltage to the gate-side wiring Ci is, the data-side driving circuit 32 is arranged as a drive circuit for driving the data lines Sj.

【0062】信号処理制御回路38へ入力されたデータは、記憶手段40に記憶された電気光学素子の電圧−電流特性の温度特性および経時変化特性と、記憶手段39 [0062] The signal processing data inputted to the control circuit 38, the voltage of the stored electro-optical device in the storage unit 40 - and the temperature characteristics and aging characteristics of the current characteristics, storage means 39
に記憶された各画素の電圧−電流測定値と、温度測定回路35に記憶された測定温度を用いて加工され、データ側駆動回路32へ出力され、データ側駆動回路32からデータ配線Sjへデータが供給される。 Voltage of each pixel stored in - a current measurement value, are processed using the measured temperature stored in the temperature measuring circuit 35, is output to the data line driver circuit 32, the data from the data-side driving circuit 32 to the data line Sj There is supplied.

【0063】図13に示す画素構成は、有機EL用画素TFT回路として一般的に用いられている構成である。 [0063] The pixel configuration shown in FIG. 13 is a configuration that is commonly used as the organic EL pixel TFT circuits.
各画素Aijは、図9にその積層構造を示した有機EL Each pixel Aij is organic EL illustrating the stacked structure in FIG. 9
素子53と、その有機EL素子53に直列に接続されたTFT54と、そのTFT54のゲート側に接続されたTFT55およびコンデンサ56から構成されている。 And element 53, that the TFT 54 connected in series to the organic EL element 53, and a TFT55 and a capacitor 56 connected to the gate side of the TFT 54.

【0064】これらTFT54、55やコンデンサ56 [0064] These TFT54,55 and capacitor 56
は、図11および図12を用いて説明したTFT作製プロセスにより形成される。 It is formed by the TFT manufacturing process described with reference to FIGS. 11 and 12. また、走査側駆動回路33やデータ側駆動回路32、その他の基板31上の素子や回路は、上記TFT作製プロセスにより形成する場合と、 Furthermore, elements and circuits on the scanning side driving circuit 33 and the data-side driving circuit 32, the other substrate 31, the case of forming by the TFT manufacturing process,
別に作製した素子や回路を後から基板31上に搭載する場合とがある。 And a case to be mounted on the substrate 31 at a later separately fabricated device or circuit.

【0065】上記第一の手段は、図13に示す電流測定回路34、温度測定回路35および信号処理制御回路3 [0065] The first means includes a current measuring circuit 34 shown in FIG. 13, the temperature measuring circuit 35 and the signal processing control circuit 3
8により実現される。 It is realized by 8.

【0066】本実施形態では、温度測定回路35として、表示画素に隣接して設けた抵抗37とサーミスタ3 [0066] In the present embodiment, as the temperature measuring circuit 35, the resistor 37 is provided adjacent to the display pixel and the thermistor 3
6の抵抗比がパネル温度により変化することを利用して、サーミスタの温度(すなわちパネルの温度)を測定する回路を用いている。 By utilizing the fact that the resistance ratio of 6 is changed by the panel temperature, and using the circuit for measuring the temperature (i.e. the temperature of the panel) of the thermistor. また、本実施形態では、温度測定回路35が表示部の周囲に4個配置されている。 Further, in the present embodiment, the temperature measuring circuit 35 are arranged four around the display unit. これらの温度測定回路35やサーミスタ36、抵抗37が図11および図12を用いて説明したTFT作製プロセスにより形成される場合には、これらの素子や回路を多数形成しても大きなコストアップ要因とはならない。 These temperature measuring circuit 35 and a thermistor 36, when the resistor 37 is formed by a TFT manufacturing process described with reference to FIGS. 11 and 12, a large cost factor even if a large number of these elements and circuits It should not be. そこで、これらの温度測定回路やサーミスタ、抵抗等の温度測定手段の歩留まりを考慮して、表示部の周囲に必要とされるよりも多くの温度測定手段を配置し、正常に動作するものを選んで用いることができる。 Accordingly, these temperature measuring circuit and a thermistor, in consideration of the yield of the temperature measuring means such as a resistor, is arranged a number of temperature measuring means than required around the display unit, select the one that works properly it can be used in. これにより、温度測定手段を作製することによる製造歩留まり低下を防ぐことができるので、好ましい。 Thus, it is possible to prevent the production yield decreases due to fabricating the temperature measuring means, preferably.

【0067】また、本実施形態では、電流測定回路34 [0067] Further, in this embodiment, the current measuring circuit 34
として、図14に示すように、流れる電流により抵抗5 As, as shown in FIG. 14, the resistance by the current flowing 5
1の両端に電位差が発生することを利用し、その電位差をA/D変換回路50により検出して、信号処理制御回路38へ転送する回路を用いている。 Potential difference is utilized to generate a 1 at both ends, the potential difference detected by the A / D conversion circuit 50 uses a circuit to be transferred to the signal processing control circuit 38.

【0068】この電流測定回路34は、電源配線毎に図14の抵抗51を有するので、電流測定時にはこの抵抗51を共有する複数の画素Aij(図13では1本のデータ配線Shに繋がる複数の画素Aihが1つの抵抗5 [0068] The current measuring circuit 34, because it has a resistance 51 in FIG. 14 for each power supply wiring, a plurality of sharing this resistor 51 at the time of current measurement pixel Aij (multiple connected to one data line Sh in Fig. 13 one resistor pixels Aih 5
1を共有している)のうち、1つの画素Akhのコンデンサ56のみに特定の電圧Vsを蓄え、その他の画素A 1 shared with me) out of a stored specific voltage Vs only to the capacitor 56 of one pixel AKH, other pixel A
gh(g≠k)のコンデンサ56にはOFF電圧を貯える。 Store the OFF voltage to the capacitor 56 of gh (g ≠ k).

【0069】このことにより、データ配線Shに対応する抵抗51を流れる電流は、画素Akhの有機EL素子53を流れる電流だけになるので、その画素Akhの有機EL素子53の印加電圧−電流特性を測定することができる。 [0069] Thus, the current flowing through the resistor 51 corresponding to the data lines Sh is, since only the current flowing through the organic EL element 53 of the pixel AKH, the applied voltage of the organic EL element 53 of the pixel AKH - current characteristics it can be measured.

【0070】なお、経時変化を知るためには、印加電圧−電流特性は1つの電圧についてのみ調べれば充分である。 [0070] In order to know the change with time, the applied voltage - current characteristic is sufficient by examining only one voltage. そこで、この特定の電圧Vsを完全なON電圧とすることにより、TFT54のON抵抗を無視して、有機EL素子53の印加電圧−電流特性を測定することができる。 Therefore, by this particular voltage Vs a complete ON voltage, ignoring the ON resistance of the TFT 54, the applied voltage of the organic EL element 53 - it is possible to measure current characteristics. また、特定の電圧VsをON電圧とOFF電圧の中間電位とすることにより、TFT54のON抵抗を含めた有機EL素子53の印加電圧−電流特性を測定することができる。 Further, with the intermediate potential of the ON voltage and the OFF voltage certain voltage Vs, applied voltage of the organic EL elements 53 including the ON resistance of the TFT 54 - it is possible to measure current characteristics.

【0071】なお、上記測定を終了し、図13の各画素を表示状態としているときに、図14の抵抗51を通して各画素に電流を供給する場合、抵抗51による電圧低下(ドロップ)が生じ、この電圧ドロップによる消費電力も問題となる。 [0071] Incidentally, ends the measurement, when you are the display state of each pixel in FIG. 13, when supplying current to each pixel through a resistor 51 in FIG. 14, the voltage drop due to the resistance 51 (drop) is generated, power consumption due to the voltage drop is also a problem. そこで、図14に示すように抵抗51 Therefore, the resistance as shown in FIG. 14 51
と並列にFET52を挿入しておき、各画素を表示状態としているときにはこのFET52を導通状態として抵抗51に流れる電流を減らし、各画素の電流を測定しているときにはこのFET52を非導通状態としてFET Parallel to the advance insert the FET 52, FET as the non-conductive state this FET 52 when the the FET 52 reduces current flowing through the resistor 51 is made conductive, measures the current of each pixel when you are display state of each pixel
52に流れる電流を減らす。 Reducing the current flowing to 52. これにより、抵抗51での電圧ドロップと発熱を抑えることができるので好ましい。 Thus, it preferred since it is possible to suppress the voltage drop and heat generation in the resistor 51.

【0072】なお、上記温度測定手段は、有機EL素子自体の温度を測定していないため、上記温度測定結果を基に、有機EL素子の温度を類推する必要がある。 [0072] Incidentally, the temperature measuring means, because it does not measure the temperature of the organic EL element itself, based on the temperature measurement result, it is necessary to analogize the temperature of the organic EL element. 通常、有機EL素子のような自発光素子においては、表示時に電流が流れ、その電流による発熱によって素子自体の温度が上昇するので、各素子の表示履歴を記録しておいても、この温度上昇分を推測することは困難である。 Normally, in a self-luminous element such as an organic EL element, a current flows at the time of display, the temperature of the element itself is increased by heat generation due to the current, be recorded display history of each element, the temperature rise it is difficult to guess the minute.
しかし、どのような表示装置においても、必ず非表示状態(例えば携帯電話では待ち受け状態)となる時間帯がある。 However, what even in a display device, there is a time zone is (waiting state, for example, a cellular phone) always non-display state. そのときに、自発光素子の温度がパネル温度と等しくなったと推測できるまで待ってから、各画素を上記のように順番に表示状態とすることにより、上記測定温度における各画素の有機EL素子の印加電圧−電流特性を測定することができる。 At that time, wait until presumed temperature of the self-luminous element is equal to the panel temperature, by each pixel as the display state in the order as described above, the organic EL elements of the pixels in the measured temperature applied voltage - current characteristic can be measured. また、このように表示から時間をおいて電流を測定することにより、表示直後に存在する各素子の温度ばらつきを無視することができるので好ましい。 Also, by measuring the current at a time from such display, it is possible to ignore the temperature variations of the elements present in immediately display preferred.

【0073】民生機器では、使用時間が1万時間以上等に設定されるので、経時変化特性は10時間程度の違いでは大きく変化しない。 [0073] In consumer products, since operating time is set to 10,000 hours or more such as, aging properties are not changed greatly by the difference of about 10 hours. また、表示装置が連続して12 Further, the display device is continuously 12
時間使用されることは希である。 Used time it is rare. そこで、表示装置の電源を入れた直後や、電源を切ってから数時間経った後などに各画素の有機EL素子の特性を測定することにより経時変化を求めれば、充分対応することが可能である。 Therefore, and immediately after turning on the display device, by obtaining the time course by measuring the characteristics of the organic EL element of each pixel to turn off the power, etc. after after a few hours, it can sufficiently corresponding is there.
特に、携帯機器では、電源自体が機器に組み込まれているため、特別な電源を用意しなくてもこのような対応が可能となり、好ましい。 In particular, in portable devices, because the power supply itself is incorporated in the device, without providing a special power source enables such a correspondence, preferred. また、携帯電話では、待ち受け時間があるため、その待ち受け時間を利用して定期的に測定することも好ましい。 Further, in the mobile phone, since there is a waiting time, it is also preferable to periodically measured by utilizing the waiting time.

【0074】一方で、上記有機EL素子53と同じ構成の有機EL素子について、幾つかの測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化を一定電圧印加状態で測定しておき、また、そのときの電流−輝度特性も予め測定しておく。 [0074] On the other hand, the organic EL device having the same structure as the organic EL element 53, the applied voltage in some measured temperature - measured beforehand the time course of the current characteristic with a constant voltage applied state, also, at that time current - luminance characteristics measured in advance. そして、上記各画素Aijを構成するコンデンサ56へ印加した電圧と、その画素Aijを構成する有機EL素子53に流れる電流値および有機EL素子5 Then, a voltage applied to the capacitor 56 constituting the respective pixels Aij, current value and the organic EL element 5 flowing through the organic EL element 53 constituting the pixel Aij
3の温度の類推値と、上記予め測定しておいた結果とを比較することにより、各画素の電流−輝度特性の劣化の度合いが分かる。 3 and analogy value of the temperature of, by comparing the results which had been the previously measured current of each pixel - is seen degree of deterioration of the brightness characteristic.

【0075】例えば、図8は、測定温度25℃で電流1 [0075] For example, FIG. 8, the current 1 at a measurement temperature of 25 ° C.
0mA/cm 2として定電流駆動を行ったときの印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化を示している。 Applied voltage when a 0 mA / cm 2 was driven with a constant current - current characteristics of aging and current - shows a change in luminance with time characteristics. この図8は、一定電流条件でも輝度変化があることを示す図である。 FIG 8 is a diagram showing that there is a luminance change in a constant current condition. 実際の測定は一定電圧条件で電流を測定することにより行う。 The actual measurement is performed by measuring the current at a constant voltage conditions. ここで、一定電圧とは、電源電圧を一定とすると共に、各画素Aijのコンデンサ56へ与える測定電圧Vsも一定とすることを意味する。 Here, the constant voltage, with the power supply voltage is constant, meaning that even measurement voltage Vs to be supplied to the capacitor 56 of each pixel Aij is constant. 例えば、一定輝度条件や一定電流条件で有機EL素子を通電試験し、10時間毎に測定温度を−10 For example, the organic EL device was energized tested at a constant luminance conditions or constant current conditions, the measured temperature every 10 hours -10
℃〜60℃程度まで5℃刻みで変えて、一定電源電圧と一定測定電圧Vsでの電流値を求めておくことができる。 ° C. Change in 5 ° C. increments up to approximately to 60 ° C., it can be determined in a current value of a constant power supply voltage and a constant measuring voltage Vs.

【0076】そして、この電流−輝度特性の劣化の度合いに従って、所定の表示データを入力したときに本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に各有機EL素子53に供給する電流量の総和を調整することが可能となる。 [0076] Then, this current - in accordance with the degree of degradation of luminance characteristics, so that the luminance to be displayed originally obtained when inputting the predetermined display data, to each of the organic EL element 53 to a period for displaying the display data it is possible to adjust the sum of the supply current amount.

【0077】上記温度測定手段に必要なデータ(例えば一定電圧印加条件でのサーミスタ36の電流値と温度の関係を表すデータ等)や、予め測定した温度における有機EL素子の印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化は、図13に示した記憶回路40 [0077] The temperature data required for the measurement unit (for example, data such as representative of the current value and the temperature of the relationship between thermistor 36 at a constant voltage application condition) and the applied voltage of the organic EL element at the temperature measured in advance - of the current characteristics aging and current - change in luminance with time characteristics, storage circuit 40 shown in FIG. 13
に記憶させることができる。 It can be stored in the.

【0078】この記憶されたデータと、上記温度測定回路により類推した有機EL素子の温度の類推値と、電流測定回路により測定した印加電圧−電流特性を用いて、 Using current characteristics, - [0078] and the stored data, the analogy of the temperature of the organic EL element by analogy by the temperature measuring circuit, applied voltage measured by the current measuring circuit
各画素の有機EL素子の経時変化を補正するのに必要な電流補正特性(倍率)を求めることができる。 It can be determined current correction characteristics (magnification) necessary to correct the temporal change of the organic EL element of each pixel. なお、上記温度測定や印加電圧−電流特性の測定を表示期間以外で行う場合には、この電流補正特性を図13に示す記憶回路39に保持しておくことができる。 Incidentally, the temperature measurement and the applied voltage - in case of other than the display period of the measurement of the current characteristics, can be held to this current correction characteristic in the memory circuit 39 shown in FIG. 13.

【0079】なお、上記記憶回路39には、電流補正特性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。 [0079] Incidentally, in the storage circuit 39, may be stored current measurement value instead of the current correction characteristic. この場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を求める処理もリアルタイムで信号処理制御回路38により行う。 In this case, it carried out from the measured temperature and the current measurement value, even the process of obtaining the current correction characteristic in real time by the signal processing control circuit 38.

【0080】このような電流測定回路や温度測定回路の制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路が、図13に示す信号処理制御回路38(入力された表示データを処理する手段)である。 [0080] Control functions of such a current measuring circuit and temperature measuring circuit, and a circuit having a function of adjusting the sum of the current, the signal processing control circuit 38 shown in FIG. 13 (it means for processing the input display data) is there. この信号処理制御回路38では、測定された電流値(またはその電流値から求めた電流補正値)と、入力された表示データ(信号) In the signal processing control circuit 38, the measured current value (or the current correction value obtained from the current value thereof), the inputted display data (signal)
から必要な電流量の総和を与える信号データを作成する。 Creating a signal data to provide a sum of the required amount of current from. なお、画面全体の平均輝度を調整する場合には、このような信号データの変換を行うよりも、電源電圧を変化させることが好ましい。 In the case of adjusting an average luminance of the entire screen, than for converting such signal data, it is preferable to change the power supply voltage.

【0081】このように各画素の有機EL素子53に供給する電流値の総和を調整するために、図13に示すような各画素をTFT駆動する回路構成では、2つの方法を用いることができる。 [0081] In order to adjust in this way the sum of current supplied to the organic EL element 53 of each pixel, each pixel shown in FIG. 13 in the circuit arrangement of TFT driving, it is possible to use two methods . 第一の方法は、データ配線Sj The first method, data line Sj
を通してコンデンサ56に蓄えられた電圧(コンデンサ56の電位を変化させるアナログ階調表示に対応する、 Corresponding to the analog gradation display for changing the potential of the voltage stored in the capacitor 56 (capacitor 56 through,
その電圧はデータ配線Sjから供給される)により、T By that voltage is supplied from the data line Sj), T
FT54の導通状態を制御して、有機EL素子53を流れる電流量の総和を制御する方法である。 By controlling the conduction state of FT54, a method for controlling the sum of the amount of current flowing through the organic EL element 53. 第二の方法は、データ配線Sjを通してTFT54をON状態とする電圧(ON電圧)とOFF状態とする電圧(OFF電圧)をコンデンサ56に蓄え(時間分割階調で階調表示する)、そのON電圧を印加する時間とOFF電圧を印加する時間の比を制御することにより、有機EL素子5 The second method (gradation display in a time division gradation) voltage to ON state (ON voltage) to the OFF state (OFF voltage) stored in the capacitor 56 to TFT54 via data line Sj, the ON by controlling the ratio of the time for applying the time and OFF voltage applied voltage, the organic EL element 5
3を流れる電流量の総和を制御する方法である。 3 is a method for controlling the sum of the amount of current flowing.

【0082】電流値の総和を調整する手段を実現するためには、いずれの方法を用いても支障はない。 [0082] In order to realize the means for adjusting the sum of the current value, there is no problem using any method. しかし、 But,
有機EL素子を駆動するTFT54における閾値電圧のばらつきやON抵抗のばらつきを考慮すると、後者のO Considering the variation of the variation and the ON resistance of the threshold voltage in TFT54 that drives the organic EL element, the latter O
N電圧印加時間とOFF電圧印加時間の比を制御する方法の方が階調表示特性が揃うため、好ましい。 Since the direction of a method of controlling the ratio of the N voltage application time and the OFF voltage application time is aligned gradation display characteristics, preferred.

【0083】以上のようにして、有機EL素子の電流− [0083] As described above, the current of the organic EL element -
輝度特性の経時劣化を補正することが可能となる。 It is possible to correct the luminance decay with time characteristics. さらに、RGB各色で発光材料等が異なるので、その印加電圧−電流特性、電流−輝度特性およびその経時変化特性も異なる。 Furthermore, since the RGB colors in the light-emitting material or the like are different, the applied voltage - current characteristics, current - the luminance characteristics and aging characteristics differ. よって、予め測定するデータもRGB各色毎に用意しておき、上記補正をRGB各色に対して行うことにより、RGB各色で異なる劣化特性によらず、色味変化の少ない表示装置を得ることが可能となる。 Therefore, by preparing data in each of the RGB colors in advance determined, by performing the correction on the RGB colors, irrespective of the different degradation characteristics RGB colors, can be obtained display device with little color shift to become.

【0084】なお、上記実施形態では表示輝度を出荷時と同様に保つようにしているが、実際の表示装置においては、絶対輝度よりも色味の問題の方が重要である。 [0084] In the above embodiment, it is to keep in the same manner as in the factory display brightness, but in the actual display device, the direction of color problems than the absolute brightness is important. そこで、本実施形態の手段によれば、RGB各色の劣化特性が分かるため、経時変化に伴って絶対輝度を変化させる場合に、その色味を保ようにRGB各色間で輝度調整を行うことも可能である。 Therefore, according to the means of the present embodiment, since the RGB color degradation characteristics is known, when changing the absolute brightness along with aging, also adjust the brightness among the RGB The color-retaining color possible it is.

【0085】さらに、図13の構成では、温度測定回路35を設けているので、経時変化特性の補正だけではなく、温度特性の補正を行うこともできる。 [0085] Further, in the configuration of FIG. 13, since there is provided a temperature measuring circuit 35, not only the correction of the aging characteristics, it is also possible to correct the temperature characteristics. 特に、図5に示したように、有機EL素子では素子温度による印加電圧−電流特性の変化が大きい。 In particular, as shown in FIG. 5, the voltage applied by the device temperature in the organic EL element - a large change in current characteristics. よって、上記説明のように、パネルが非表示状態か待ち受け画面状態のときに電流測定回路34により電流測定を実施する場合も、通常表示状態での電圧−電流特性の補正の際に、上記温度測定手段によるリアルタイムのパネル温度測定結果を用いることが効果的である。 Therefore, as described above, panels when performing current measurement by the current measuring circuit 34 when the non-display state or standby screen, the voltage in the normal display state - when the correction of the current characteristics, the temperature it is effective to use a panel temperature measurement result of the real-time by the measuring means.

【0086】なお、後述する図16に示すように表示期間中に電流測定を行う方法もあり、パネル全体の温度を測定して全ての画素に均一に電流補正を行う方法もある。 [0086] Incidentally, there is also a method of performing a current measured during the display period as shown in FIG. 16 to be described later, there is a method of performing uniform current correction to all pixels by measuring the temperature of the entire panel. これに対して、本実施形態では、パネル全体の温度を測定して全ての画素に均一に電流補正を行う。 In contrast, in the present embodiment, a uniform current correction to all pixels by measuring the temperature of the entire panel. さらに、パネルの4隅に設けた温度測定手段を用いて温度補正も可能である。 Furthermore, temperature compensation is possible by using a temperature measuring means provided in the four corners of the panel.

【0087】(実施形態2)図15は、実施形態2の電気光学装置の構成を説明するためのシステム構成図である。 [0087] (Embodiment 2) FIG. 15 is a system configuration diagram for explaining a configuration of an electro-optical device of the second embodiment. 本実施形態では、電気光学素子の電流輝度特性を類推する手段として、上記第二の手段を用いた例について説明する。 In the present embodiment, as means for estimating an electric current luminance characteristic of the electro-optical element, an example of using the second means.

【0088】この電気光学装置においては、実施形態1 [0088] In this electro-optical device, Embodiment 1
において図13に示した温度測定回路35、サーミスタ36および抵抗37からなる温度測定手段の代りに、電圧印加電流測定回路41、有機EL素子45およびTF Temperature measuring circuit shown in FIG. 13 at 35, instead of the temperature measuring means consisting of a thermistor 36 and a resistor 37, a voltage source current measurement circuit 41, the organic EL element 45 and TF
T46が配置されている。 T46 is located. この電圧印加電流測定回路4 This voltage source current measurement circuit 4
1は、有機EL素子45へ電源電圧を印加し、TFT4 1, the power supply voltage is applied to the organic EL element 45, TFT 4
6のゲート端子へ電圧を印加して有機EL素子45を流れる電流を測定する回路である。 By applying a voltage to the sixth gate terminal of a circuit for measuring the current flowing through the organic EL element 45. この電源電圧とゲート端子電圧における電流値を、予め各温度で測定した電源電圧とゲート端子電圧と電流値の関係と比較して、温度を求めることができる。 The current value in the power supply voltage and the gate terminal voltage, as compared to the relationship between the pre-supply voltage and the gate terminal voltage and current values ​​measured at each temperature, it is possible to determine the temperature.

【0089】図5に示したように、有機EL素子の印加電圧−電流特性は温度により変化しやすい。 [0089] As shown in FIG. 5, the applied voltage of the organic EL element - current characteristics are easily changed by temperature. そこで、図15に示すように、表示部の周囲に配置した有機EL素子45の印加電圧−電流特性から、パネル温度を類推することが可能となる。 Therefore, as shown in FIG. 15, the applied voltage of the organic EL elements 45 arranged around the display unit - it is possible from the current characteristic, for estimating an panel temperature.

【0090】なお、図8に示したように、有機EL素子の印加電圧−電流特性は経時変化するため、図15において通常表示時には画素周辺部に配置した有機EL素子45には電流を流さない状態で保持しておくのが好ましい。 [0090] Incidentally, as shown in FIG. 8, the applied voltage of the organic EL device - to current characteristics change over time, no current flows through the organic EL element 45 is in the normal display is arranged in the pixel peripheral portion 15 preferably holds state. これは、図15において、有機EL素子45と接続されたTFT46を、電流測定や温度測定時以外には非導通状態とすることや、有機EL素子45へ逆極性の電圧を印加することで実現することができる。 This is 15, the TFT46 connected to the organic EL element 45, the addition time of the current measurement and temperature measurement and to a non-conducting state, achieved by applying a reverse polarity voltage to the organic EL element 45 can do. これにより、有機EL素子45の電圧印加履歴による特性劣化の影響を排除して、有機EL素子45の印加電圧−電流特性からパネル温度を類推することが可能となる。 Thus, by eliminating the influence of characteristic degradation caused by the voltage application history of the organic EL element 45, the applied voltage of the organic EL element 45 - it is possible to analogize the panel temperature from a current characteristic.

【0091】上記表示部の周囲に配置した有機EL素子45の予め測定した測定温度における印加電圧−電流特性や、 表示部に配置した有機EL素子53の予め測定した測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化は、図15に示した記憶回路44に記憶させることができる。 [0091] applied voltage in premeasured measured temperature of the organic EL elements 45 arranged around the display unit - current characteristic and the applied voltage in premeasured measured temperature of the organic EL elements 53 arranged in the display unit - current characteristic aging and of current - time course of the luminance characteristics can be stored in the memory circuit 44 shown in FIG. 15.

【0092】この記憶されたデータと、上記表示部の周囲に配置した有機EL素子45の印加電圧−電流特性によりパネル温度を類推し、その温度の類推値とこの記憶されたデータと電流測定回路34により測定した印加電圧−電流特性を用いて、各画素の有機EL素子の経時変化を補正するのに必要な電流補正特性(倍率)を求めることができる。 [0092] and the stored data, the applied voltage of the organic EL elements 45 arranged around the display unit - current characteristic by analogy the panel temperature, analogy value this stored data and the current measurement circuit of the temperature measured applied voltage by 34 - using current characteristics can be obtained current correction characteristics (magnification) necessary to correct the temporal change of the organic EL element of each pixel. なお、上記温度測定や印加電圧−電流特性の測定を表示期間以外で行う場合には、この電流補正特性を図15に示す記憶回路43に保持しておくことができる。 Incidentally, the temperature measurement and the applied voltage - in case of other than the display period of the measurement of the current characteristics, can be held to this current correction characteristic in the memory circuit 43 shown in FIG. 15.

【0093】なお、上記記憶回路43には、電流補正特性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。 [0093] Incidentally, in the storage circuit 43, may be stored current measurement value instead of the current correction characteristic. この場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を求める作業もリアルタイムで信号処理制御回路38により行う。 In this case, it carried out from the measured temperature and current measurements, the signal processing control circuit 38 work in real time to determine the current correction characteristic.

【0094】このような電流測定回路や温度測定手段の制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路が、図15に示す信号処理制御回路42である。 [0094] Control functions of such a current measuring circuit and temperature measuring means, and the circuit having the function of adjusting the sum of the current, a signal processing control circuit 42 shown in FIG. 15. この信号処理制御回路42では、測定された電流値(またはその電流値から求めた電流補正値)と、入力された表示データ(信号)から必要な電流量の総和を与える信号データを作成する。 In the signal processing control circuit 42, the measured current value (or the current correction value obtained from the current value thereof), to create the signal data to provide a sum of the required amount of current from the input display data (signal).

【0095】なお、図15において、表示部の周囲に配置した有機EL素子45の印加電圧−電流特性は、パネル温度と一対一に対応している。 [0095] In FIG. 15, the applied voltage of the organic EL elements 45 arranged around the display unit - current characteristic is a one-to-one correspondence with the panel temperature. このため、パネル温度を求めなくても、有機EL素子45の印加電圧−電流特性と上記表示部の有機EL素子53の印加電圧−電流特性と比較することにより、直接各画素の電流−輝度特性を予測することも可能である。 Therefore, without seeking panel temperature, applied voltage of the organic EL element 45 - by comparing the current characteristics, current in each pixel directly - - applied voltage-current characteristic and the display unit of the organic EL element 53 luminance characteristics it is also possible to predict. データ補正は、各画素毎の電流補正特性(倍率)を求めれば行うことができ、経時変化の無い状態で印加電圧と有機EL素子に流れる電流値が分かれば温度を類推することができる。 Data correction may be performed by obtaining current correction characteristic for each pixel (magnification), it is the current value flowing to the applied voltage and the organic EL element in the absence of aging is inferred temperature knowing. しかし、 But,
印加電圧は決まった値を使用するので、測定電流と温度とは一対一に対応する。 Since the applied voltage is to use a fixed value, one-to-one correspondence to the measured current and temperature. この場合、温度を求めるという作業を行わなくても、測定電流からその測定電流を(経時変化の無い状態で)与える温度での経時変化特性を(いくつかの温度での経時変化特性測定結果から)求めることができる。 In this case, even without the work of determining the temperature, the measured current from the measured current (in the absence of aging) the aging properties at temperatures giving (from aging characteristics measurements at several temperatures ) can be determined. このような場合には、パネル温度を求める必要がなくなる。 In such a case, it is not necessary to obtain the panel temperature.

【0096】(実施形態3)図16は、実施形態3の電気光学装置の構成を説明するためのシステム構成図である。 [0096] (Embodiment 3) FIG. 16 is a system configuration diagram for explaining a configuration of an electro-optical device of the third embodiment. 本実施形態では、電気光学素子の電流輝度特性を類推する手段として、上記第二の手段を用いた別の例について説明する。 In the present embodiment, as means for estimating an electric current luminance characteristic of the electro-optical element, a description will be given of another example using the second means.

【0097】この電気光学装置においては、特別な温度測定回路は設けず、表示部における周辺部の画素を通常非表示状態に保っておく。 [0097] In this electro-optical device, without providing a special temperature measuring circuit, previously kept pixel of the peripheral portion of the display unit in the normal non-display state. すなわち、有機EL素子の輝度がOFFとなるデータ電圧を与えて有機EL素子を非発光状態とする。 That is, an organic EL device by applying a data voltage luminance of the organic EL element is turned OFF and the non-emission state. 多くの表示装置においては、対角上の4隅の1画素ずつが非表示状態でも、表示に支障は生じない。 In many display, one pixel of the four corners on the diagonal in the non-display state, no trouble in the display.

【0098】このように、非表示状態で保っておいた画素の有機EL素子を、第二の手段で用いる比較用の有機EL素子(第二の電気光学素子)として用いることにより、特別な温度測定回路や追加の製造プロセスを必要とせず、本発明の課題である有機EL素子等の自発光素子における経時変化を検出して、輝度や色味の補正を行うことが可能となる。 [0098] Thus, the organic EL elements of the pixels that had been kept in a non-display state, by using as the organic EL device for comparison to be used in the second means (second electro-optical element), a special temperature without requiring measuring circuit and additional manufacturing process, by detecting the change over time in the self-emitting elements of organic EL element or the like is an object of the present invention, it is possible to correct the luminance and color.

【0099】なお、図16において、比較用の有機EL [0099] In FIG. 16, the organic EL for comparison
素子として、RGB各色の有機EL素子を配置することも容易に行うことができる。 As an element, placing the RGB colors of the organic EL device can be easily performed. また、電流測定手段も、他の表示に用いられる有機EL素子と共通で用いることができるので、電流測定手段のばらつきによる影響が無い状態で印加電圧−電流特性の比較が可能となるため、好ましい。 The current measurement means may, therefore can be used in common with the organic EL elements used in other display, the applied voltage in a state there is no influence of variations in the current measuring means - for comparison of the current characteristic is possible, preferably .

【0100】上記有機EL素子の予め測定した測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化は、図16に示した記憶回路49に記憶させることができる。 [0100] applied voltage in premeasured measured temperature of the organic EL element - current characteristics of aging and current - change in luminance with time characteristics, it can be stored in the memory circuit 49 shown in FIG. 16.

【0101】この記憶されたデータと比較用の有機EL [0102] Organic EL for comparison with the stored data
素子の印加電圧−電流特性によりパネル温度を類推し、 The applied voltage of the device - by analogy with the panel temperature by the current characteristics,
その温度の類推値とこの記憶されたデータと電流測定回路34により測定した印加電圧−電流特性を用いて、各画素の有機EL素子の経時変化を補正するのに必要な電流補正特性(倍率)を求めることができる。 And analogy value of the temperature applied voltage was measured by the stored data and the current measurement circuit 34 - by using the current characteristics, current correction characteristics necessary to correct the temporal change of the organic EL element of each pixel (magnification) it can be obtained. なお、上記温度測定や印加電圧−電流特性の測定を表示期間以外で行う場合には、この電流補正特性を図16に示す記憶回路48に保持しておくことができる。 Incidentally, the temperature measurement and the applied voltage - in case of other than the display period of the measurement of the current characteristics, can be held to this current correction characteristic in the memory circuit 48 shown in FIG. 16.

【0102】なお、上記記憶回路48には、電流補正特性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。 [0102] Incidentally, in the storage circuit 48, may be stored current measurement value instead of the current correction characteristic. この場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を求める作業もリアルタイムで信号処理制御回路38により行う。 In this case, it carried out from the measured temperature and current measurements, the signal processing control circuit 38 work in real time to determine the current correction characteristic.

【0103】このような電流測定回路や温度測定手段の制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路が、図16に示す信号処理制御回路47である。 [0103] Control functions of such a current measuring circuit and temperature measuring means, and the circuit having the function of adjusting the sum of the current, a signal processing control circuit 47 shown in FIG. 16. この信号処理制御回路47では、測定された電流値(またはその電流値から求めた電流補正値)と、入力された表示データ(信号)から必要な電流量の総和を与える信号データを作成する。 In the signal processing control circuit 47, the measured current value (or the current correction value obtained from the current value thereof), to create the signal data to provide a sum of the required amount of current from the input display data (signal).

【0104】ここで、表示装置において表示を行いながら各有機EL素子の印加電圧−電流特性の測定を行う方法の一例について、説明する。 [0104] Here, the applied voltage of each organic EL element while the display on the display device - an example of a method for measuring the current characteristic will be described. なお、ここでは実施形態3の構成について説明を行うが、実施形態1および実施形態2の構成にも適用可能である。 Although explanation of the structure of Embodiment 3 here, is also applicable to the configuration in the embodiment 1 and embodiment 2.

【0105】まず、図16の表示装置において、ゲート側配線Ciの数をm本とする。 [0105] First, in the display device of FIG. 16, the number of gate-side wiring Ci and the m. このとき、1フレーム期間TFを表示期間T1と電流側的期間T0とに分ける。 At this time, divide the one frame period TF in the display period T1 and the current side manner period T0.
そして、例えば、図16に示すように、1フレーム期間TFの最初のT0期間を電流測定期間とする。 Then, for example, as shown in FIG. 16, the first T0 period of one frame period TF and the current measurement period. この期間に色画素A1j〜Amjの印加電圧−電流特性を測定する。 Voltage applied color pixels A1j~Amj in this period - measuring a current characteristic.

【0106】例えば、図16は、表示装置の階調数を1 [0106] For example, FIG. 16, the number of gradations of the display device 1
6階調、m=16とした例を示した例であるが、ゲート側配線Ciを用いて画素A1jから画素A16jまで順番に各画素のTFT55を導通状態とする。 6 gradations, is an example showing an example in which the m = 16, and conductive state TFT55 of each pixel in order from the pixels A1j to pixel A16j using the gate side wiring Ci. そして、T Then, T
FT55を導通状態としてデータ配線Sjに供給する電圧によって各画素のTFT54を導通状態として、各画素の印加電圧−電流特性を測定する。 The TFT54 of each pixel is made conductive by the voltage supplied to the data line Sj to FT55 as conducting state, the voltage applied in each pixel - measuring a current characteristic. なお、この電流測定期間T0において、1階調分の表示を行っているので、表示期間T1では各表示階調レベルが1階調分だけ小さくなる。 It should be noted that in this current measurement period T0, since performs display of one gradation, the display gray level in the display period T1 only one gradation smaller.

【0107】例えば、図16においてDataと示した欄の下にある数値が表示すべき階調レベルであるとき、 [0107] For example, when the gradation level numeric to be displayed under the column labeled as Data 16,
表示期間の階調レベルは表示期間T1に示したように1 As the gradation level of the display period shown in the display period T1 1
階調分だけ小さくなる。 Smaller by gradations. また、図16の例では、0階調表示を行う画素では電流測定は行っていない。 In the example of FIG. 16, current measurement in pixels to be 0 gradation display is not performed. しかし、 But,
実際には64階調表示等が行われ、外光反射等も存在するので、最低レベルの発光を行って印加電圧−電流測定を行ってもあまり問題は生じない。 In practice, 64 gradation display or the like is performed, since there are also external light reflection or the like, the applied voltage by performing the light emission of the lowest level - no too much problem even if the current measurement.

【0108】このように、表示を行いながら各有機EL [0108] In this way, each of the organic EL while the display
素子の印加電圧−電流特性を測定することにより、パネル温度変化や素子温度変化があっても、迅速に電流調整を行うことが可能となる。 Applied voltage of the device - by measuring the current characteristics, even when the panel temperature changes and the element temperature change, it is possible to perform rapid current adjustment.

【0109】なお、素子温度変化によって各有機EL素子で印加電圧−電流特性が変化したとしても、電流−輝度特性は大きく変化していないと予測できるので、先の非表示期間に求めた各有機EL素子の電流−輝度特性を用いて電流の総和を調整すればよい。 [0109] Incidentally, the applied voltage in each of the organic EL element by element temperature changes - even as the current characteristics change, the current - the luminance characteristics can be expected not to change significantly, each calculated on the non-display period of the previous organic current of the EL elements - may be adjusted sum of the currents using the luminance characteristics. この表示期間(1 The display period (1
フレーム期間)に電流測定する目的は、画素毎の温度変化による輝度(電流)調整であって、電流−輝度特性を調整するためではない。 The purpose of the current measurement to the frame period), a luminance (current) adjusted by a temperature change in each pixel, current - but not to adjust the brightness characteristics. 上述した図8からも分かるように、通電時間が1H時間程度では電流−輝度特性の変化はほとんど生じていないからである。 As can be seen from FIG. 8 described above, in the order of energization time 1H-time current - change in luminance characteristics is because hardly occur.

【0110】(実施形態4)上記実施形態1〜実施形態3では、表示部に配置した有機EL素子の測定温度における 印加電圧−電流特性の経時変化や電流−輝度特性の経時変化を予め記憶回路40等に記憶させておくと説明したが、1万時間に及ぶ経時変化特性を製品発売までに予め測定しておくことは困難である。 [0110] (Embodiment 4) In Embodiments 1 to Embodiment 3, the applied voltage at the measurement temperature of the organic EL elements arranged on the display unit - change over time or current of the current characteristics - prestored circuit changes with time of luminance characteristics It described idea and stored in 40, etc., but it is difficult to advance measure aging properties spanning 10,000 hours until product launch.

【0111】このため、通常は、加速度試験等を行って、経時変化特性を予め予測する。 [0111] Therefore, usually, by performing an acceleration test, etc., to predict the aging characteristics. これは、表示装置の耐用時間を知る上では重要なことであるが、この測定で所定の測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化や電流−輝度特性の経時変化を知ることは困難である。 This is in terms of knowing the service life of the display device is important, applied voltage in a predetermined measuring temperature in this measurement - it is difficult to know the change in luminance with time characteristics - change over time or current of the current characteristics .
そこで、通信機能を有する携帯機器や放送受信機能を有する表示装置においては、このような経時変化特性を予め予測しておかないようにすることも可能である。 Therefore, in the display device having a portable device and broadcast receiving function having a communication function, it is also possible to Failure to predict such aging properties.

【0112】すなわち、表示装置を出荷するのと並行して、通常使用条件で所定の測定温度における有機EL素子の印加電圧−電流特性や電流−輝度特性を開始する。 [0112] That is, in parallel with shipping the display device, the applied voltage of the organic EL element in a predetermined measuring temperature under normal operating conditions - current characteristics and current - Start luminance characteristics.
そして、最新の測定データを放送や通信を通して図13 Then, Fig through broadcasting and communication the latest measurement data 13
の記憶回路40等に転送するようなシステムを作っておく。 Here is a system that transfers the storage circuit 40 or the like. これにより、出荷時に予め経時変化特性を測定しておかなくても、必要時に輝度補正や色味補正を行うことが可能となり、迅速な製品出荷を行うことができるため、好ましい。 Accordingly, since without first measuring beforehand aging properties at the time of shipment, it is possible to perform the brightness correction and color correction when necessary, it is possible to perform rapid product shipment, preferred.

【0113】さらに、通信機能を有する機器を用いた場合には、上記経時変化特性データを電気光学装置自体が有してる必要はない。 [0113] Further, when using a device having a communication function, need not have the aging characteristic data electrooptic device itself. すなわち、有機EL素子の温度や印加電圧−電流特性を測定し、そのデータを通信機能を用いて外部に送信して、そのデータを受信した機器側で画素毎に適切な電流−輝度特性を求めて送り返すようにすればよい。 That is, the temperature and the applied voltage of the organic EL device - to measure the current characteristic, and transmitted to the outside using the communication function of the data, appropriate current to the pixel each in equipment which has received the data - calculated luminance characteristics it is sufficient to send back Te. これは、各画素毎の電流補正特性(倍率) This current correction characteristic for each pixel (magnification)
を求めて図13の記憶回路39に記憶させることも含む。 The seeking also includes in the storage circuit 39 in FIG. 13. この場合、図13の記憶回路40等は通信手段に置き換えることができる。 In this case, the memory circuit 40, etc. in FIG. 13 can be replaced by the communication means.

【0114】このような通信システムを含むことにより、膨大な測定温度と印加電圧−電流特性および電流− [0114] By including such a communication system, extensive measurement temperature and applied voltage - current characteristics and current -
輝度特性との対応データを電気光学装置側で有する必要がなくなり、メモリの節約になるので好ましい。 It is not necessary to have a corresponding data with the luminance characteristics in the electro-optical apparatus, since less memory preferred. また、 Also,
これらのデータの対応関係を各電気光学装置で計算する必要もなくなり、各装置の低消費電力化に寄与することが可能となるので好ましい。 It eliminates the need to calculate the corresponding relationship between these data at each electro-optical device, since it is possible to contribute to reduction in power consumption of each device preferred.

【0115】なお、上記放送や通信を通して表示装置の表示品位を制御する手法は、上述したような経時特性の劣化の問題を解決するためだけではなく、表示装置の表示品位を制御するための一般的な手段としても有効に利用することができる。 [0115] Incidentally, a method of controlling the display quality of the display device through the broadcast and communication is not only to solve the problem of deterioration of aging characteristics as described above, generally for controlling the display quality of the display device it can also be effectively utilized as a means.

【0116】なお、上記実施形態では本発明をアクティブマトリックス構成に適用した場合について説明を行ってきたが、本発明における各画素を構成する有機EL素子の絶対的な電流−輝度の経時変化特性を知って、その画素へ供給する電流値の総和を調整するという考え方は、単純マトリックス構成に対しても有効である。 [0116] In the above embodiment has been shown and described for the case of applying the present invention to an active matrix configuration, absolute current of the organic EL element constituting each pixel in the present invention - the aging characteristics of the luminance know, the idea of ​​adjusting the sum of the current supplied to the pixel is also effective for a simple matrix arrangement.

【0117】この場合、単純マトリックス構成において電流値を測定し、その電流値を一定とする構成が従来技術の特開2000−187467号公報の図1において開示されている。 [0117] In this case, the measurement of the current value in the simple matrix configuration, configuration that a constant current value is disclosed in FIG. 1 of JP 2000-187467 JP prior art. 本発明では電流値を一定にするのではなく、上記実施形態に示したように、電流補正特性を求めて、各画素の電流値を補正するようにすればよいので、その詳細についてはここでは説明を省略する。 Instead of a constant current thereto in the present invention, as shown in the above embodiments, seek current correction characteristics, it is sufficient to correct the current value of each pixel, wherein details thereof are description thereof will be omitted.

【0118】さらに、上記経時変化や温度依存性の問題は、有機EL素子だけではなく、FED等の他の自発光素子でも見られる。 [0118] In addition, the aging and temperature dependence of problems, not only the organic EL element, is also seen in other self-luminous device of the FED or the like. ここでは、FEDのような他の自発光素子へ適用する例については説明を省略するが、上記実施形態に示したように、電流補正特性を求めて、各画素の電流値を補正することは、他の自発光素子に対しても適用可能であることは明らかである。 Here is omitted the description of an example of applying to other self-luminous element such as FED, as shown in the above embodiment, the seek current correction characteristic corrects the current value of each pixel , it is clear that it is also applicable to other self-luminous device.

【0119】 [0119]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、 As described above in detail, according to the present invention,
上記実施形態1〜実施形態3に示したように、電気光学素子の輝度特性の経時変化を補正することが可能となる。 As shown in the above embodiments 1 to embodiment 3, it is possible to correct the change with time of the luminance characteristics of the electro-optical element. また、電流−輝度特性を類推する第一の手段によれば、上記実施形態1に示したように、電気光学素子の素子温度を確実に把握して、電気光学素子の輝度特性の経時変化を確実に補正することができる。 The current - According to the first means for estimating an intensity characteristics, as shown in the above embodiment 1, the element temperature of the electro-optical element to securely grasp the temporal change in luminance characteristics of the electro-optical element it can be corrected surely. また、電流−輝度特性を類推する第二の手段によれば、上記実施形態2 The current - According to the second means for estimating an intensity characteristics, Embodiment 2
および実施形態3に示したように、電気光学素子の素子温度を確実に把握して、電気光学素子の輝度特性の経時変化を確実に補正することができる。 And as shown in the embodiment 3, and surely grasp the element temperature of the electro-optical element, it is possible to reliably correct the change with time of the luminance characteristics of the electro-optical element.

【0120】特に、実施形態2や実施形態3では、温度測定手段として表示部で使用されている電気光学素子(有機EL素子)を用いることができる。 [0120] In particular, in Embodiment 2 and Embodiment 3, it is possible to use an electro-optical element (the organic EL device) used in the display unit as a temperature measuring means. この温度測定手段としての電気光学素子は、経時変化の無い状態と考えることができるので、改めて基板温度を類推しなくても、この温度測定手段としての電気光学素子の電流値と表示部で使用されている電気光学素子の電流値を比較することにより、電気光学素子の経時変化の量を把握して、輝度補正を行うことができる。 Electro-optical element as the temperature measuring means, since it can be considered that the absence of change with time, even without newly analogy substrate temperature, used in a display unit the current value of the electro-optical element as the temperature measuring means by comparing the current value of the electro-optical element that is, to know the amount of change with time of the electro-optical element, it is possible to perform brightness correction.

【0121】また、上記実施形態1〜実施形態3に示したように、非表示期間に電流測定を行うことにより、電流測定に伴う表示品位の劣化を防ぐことができる。 [0121] Further, as shown in the above embodiments 1 to embodiment 3, by performing current measurements in the non-display period, it is possible to prevent the deterioration of display quality due to the current measurement. 一方、表示期間に電流測定を行うことにより、温度補正を行い、迅速に電流調整が可能となる。 On the other hand, by performing current measurements in the display period, it provides temperature compensation, it is possible to quickly current adjustment.

【0122】また、上記実施形態1〜実施形態3に示したように、記憶手段にデータを記憶させておくことにより、輝度補正に必要な経時劣化特性を記憶手段から読み出すことができる。 [0122] Further, as shown in the above embodiments 1 to embodiment 3, by storing the data in the storage means, it is possible to read the time-dependent deterioration characteristic required brightness correction from the storage means.

【0123】さらに、上記実施形態4に示したように、 [0123] As further shown in the above embodiment 4,
通信や放送手段を通してデータを送信・受信することにより、経時変化を類推するための測定を製品出荷後に行ったり、必要な表示品位の調整を製品出荷後に行うこともでき、商品化のために必要な開発時間を短縮することができる。 By transmitting and receiving data over a communication or broadcast means, can also be measured for estimating an aging or performed after product shipment, the adjustment of the required display quality after the product shipment, required for commercialization it is possible to shorten the Do development time. また、インターネットや放送を通して、記憶手段のデータを書き換える考え方は、経時変化の補正だけではなく、画質の補正にも利用することができるので、液晶等、非発光素子にも適用可能である。 Further, through the Internet or broadcasting, concept of rewriting data storage means, not only correction of aging, so can be utilized for correction of image quality, such as liquid crystal, it is also applicable to non-light emitting element.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】従来の電流検出手段を有する表示装置の回路構成を示す図である。 1 is a diagram showing a circuit configuration of a display device having a conventional current detecting means.

【図2】図1の表示装置における電流検出回路の構成を示す図である。 Is a diagram showing a configuration of a current detection circuit in the display device of FIG. 1. FIG.

【図3】従来の電流検出手段を有する他の表示装置の回路構成を示す図である。 3 is a diagram showing a circuit configuration of another display device having a conventional current detecting means.

【図4】図3の表示装置における画素の回路構成を示す図である。 Is a diagram showing a circuit configuration of a pixel in the display device of FIG. 3. FIG.

【図5】有機EL素子の電圧−電流特性の温度依存性を示す図である。 [5] voltage of the organic EL element - is a graph showing the temperature dependence of the current characteristic.

【図6】従来の温度検出手段を有する表示装置の回路構成を示す図である。 6 is a diagram showing a circuit configuration of a display device having a conventional temperature detection means.

【図7】図6の表示装置における温度検出手段の回路構成を示す図である。 7 is a diagram showing a circuit configuration of a temperature detecting means in the display device of FIG.

【図8】有機EL素子を一定電流で駆動するために必要な電圧と、そのときに得られる輝度の経時変化を示す図である。 8 is a diagram showing the voltage necessary to drive the organic EL element with a constant current, the change in luminance with time obtained at that time.

【図9】本発明の実施形態において用いた有機EL素子の積層構造を示す図である。 Is a diagram showing a laminated structure of the organic EL device used in the embodiment of the present invention; FIG.

【図10】(a)〜(f)は本発明の実施形態において用いた有機EL素子に用いられる材料の例を示す図である。 [10] (a) ~ (f) are diagrams showing examples of a material used in an organic EL device used in the embodiment of the present invention.

【図11】(a)〜(f)は本発明の実施形態において用いたTFTを作製プロセスを説明するための図である。 11 (a) ~ (f) are views for illustrating a manufacturing process a TFT used in embodiments of the present invention.

【図12】(g)〜(k)は本発明の実施形態において用いたTFTを作製プロセスを説明するための図である。 [12] (g) ~ (k) is a diagram for illustrating a manufacturing process a TFT used in embodiments of the present invention.

【図13】実施形態1の電気光学装置のシステム構成を示す図である。 13 is a diagram showing the system configuration of an electro-optical device of the first embodiment.

【図14】本発明の実施形態で用いた電流測定回路の回路構成を示す図である。 14 is a diagram showing a circuit configuration of a current measuring circuit used in the embodiment of the present invention.

【図15】実施形態2の電気光学装置のシステム構成を示す図である。 15 is a diagram showing the system configuration of an electro-optical device according to the second embodiment.

【図16】実施形態3の電気光学装置のシステム構成を示す図である。 16 is a diagram showing the system configuration of an electro-optical device of the third embodiment.

【図17】本発明の実施形態で用いた電流測定方法を説明するための図である。 17 is a diagram for a current measuring method will be described as used in an embodiment of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ガラス基板 2 陰極 3 陽極 4 有機多層膜 5 電子輸送層 6 発光層 7 正孔輸送層 8 正孔注入層(または陽極バッファ層) 9 有機EL素子 11 ガラス基板 12 非晶質シリコン薄膜 13 多結晶シリコン薄膜 14 アクティブ領域 15 ゲート絶縁膜 16 ゲート電極 17 レジスト材 18 n+領域 19 レジスト材 20 p+領域 21 層間絶縁膜 22 コンタクトホール 23 金属配線 31 表示基板 32 データ側駆動回路 33 走査側駆動回路 34 電流測定回路 35 温度測定回路 36 サーミスタ 37 抵抗 38 信号処理制御回路 39、40 記憶回路 41 電圧印加電流測定回路 42 信号処理制御回路 43、44 記憶回路 45 有機EL素子 46 TFT 47 信号処理制御回路 48、49記憶回路 50 A/D変換回路 51 抵 1 glass substrate 2 cathode 3 anode 4 organic multilayer film 5 electron-transporting layer 6-emitting layer 7 hole transport layer 8 a hole injection layer (or anode buffer layer) 9 organic EL element 11 glass substrate 12 amorphous silicon thin film 13 of polycrystalline silicon film 14 active area 15 gate insulating film 16 gate electrode 17 resist material 18 n + region 19 resist material 20 p + region 21 interlayer insulating film 22 contact holes 23 metal wiring 31 display substrate 32 data-side driving circuit 33 scanning side drive circuit 34 current measurement circuit 35 temperature measuring circuit 36 ​​thermistor 37 resistance 38 signal processing control circuit 39 and 40 storage circuit 41 a voltage source current measurement circuit 42 the signal processing control circuit 43, 44 a memory circuit 45 an organic EL device 46 TFT 47 signal processing control circuit 48, 49 storage circuit 50 A / D converter circuit 51 resistance 52 FET 53 有機EL素子 54 TFT 55 TFT 56 コンデンサ 101 A/D変換回路 102 演算回路 103 フレームメモリ 104 コントローラ 105 走査回路 106 書き込み回路 107 電源回路 108 電流値メモリ 109 表示パネル 121 有機ELパネル 122 陰極駆動回路 123 陽極駆動回路 124 電流検出回路 125 制御装置 126 A/D変換回路 160 有機電界発光素子 161 駆動電源部 162 温度検出器 163 A/D変換器 164 ROM 165 D/A変換機 166 可変電圧増幅器 167 サーミスタ 168 固定抵抗 201 FET 202 FET 203 コンデンサ 204 電流検出器 205 有機EL素子 206 A/D変換回路 207 電流値メモリ 52 FET 53 organic EL device 54 TFT 55 TFT 56 capacitors 101 A / D converter circuit 102 ALU 103 frame memory 104 controller 105 scanning circuit 106 write circuit 107 power source circuit 108 a current value memory 109 display panel 121 organic EL panel 122 cathode driving circuit 123 anode driving circuit 124 a current detection circuit 125 controller 126 A / D converter circuit 160 the organic electroluminescent device 161 driving power source unit 162 temperature detectors 163 A / D converter 164 ROM 165 D / A converter 166 a variable voltage amplifier 167 thermistor 168 fixed resistor 201 FET 202 FET 203 capacitor 204 current detector 205 organic EL device 206 A / D converter circuit 207 a current value memory

Claims (9)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、 該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、 該第一の電気光学素子の周辺に配置した温度測定手段によって該第一の電気光学素子の温度を類推する手段と、 該第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および該第一の電気光学素子の温度の類推値と、 And 1. A means for inputting the display data, and means for displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix, said first electro-optical element or said first electro-optical element means for measuring the current flowing by applying a predetermined voltage to the active element to control, and means for estimating an temperature of said first electro-optical element by a temperature measuring means disposed on the periphery of said first electro-optical element , the voltage value applied to the active element to control it or said first electro-optical element, the analogy value of the temperature of the current value and said first electro-optical element flowing to said first electro-optical element,
    該第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め求めておいたものとを比較して、該第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する手段と、 得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有することを特徴とする電気光学装置。 Electro-optical device having the same structure as said first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics, current - is compared with the one of the temperature during aging and characteristic measurement of luminance characteristic obtained in advance , the current of the first electro-optical elements - means for estimating an intensity characteristics, resulting current - analogy value of luminance characteristics, based on the current value and display data flowing said first electro-optical element, originally displayed as should do luminance is obtained, the electro-optical device characterized in that it comprises a means for changing the sum of the supply current amount to the first electro-optical element to a period for displaying the display data.
  2. 【請求項2】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、 該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、 該第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の電気光学素子と、 該第二の電気光学素子または該第二の電気光学素子を制御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する手段と、 該第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値および該第二の電気光学素子に流れる電流値と、該第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値および該第一の電気光学素子に流れる電流値とを比較して、該第一の電気光学素 2. A means for inputting the display data, and means for displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix, said first electro-optical element or said first electro-optical element means for measuring the current flowing by applying a voltage to the active element to control, a second electro-optical element which is disposed around the said first electro-optical element, said second electro-optical element or said second It means for measuring the current flowing by applying a voltage to the active element for controlling the electro-optical element, the voltage value and said second electro-optical element is applied to the active element to control it or said second electro-optical element current value and, by comparing the voltage and current values ​​flowing through said first electro-optical element is applied to the active element to control it or said first electro-optical element, said first electro-optical element flowing の電流−輝度特性を類推する手段と、 得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有することを特徴とする電気光学装置。 Current - it means for estimating an intensity characteristics, resulting current - analogy value of luminance characteristics, based on the current value and display data flowing said first electro-optical element, so that the luminance to be displayed originally obtained the electro-optical device characterized in that it comprises a means for changing the sum of the supply current amount to the first electro-optical element to a period for displaying the display data.
  3. 【請求項3】 前記第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度が、前記第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度よりも少ないことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 Wherein the frequency of applying a voltage to the active element to control it or said second electro-optical element is less than the frequency for applying voltage to the active element for controlling the first electro-optical element or the electro-optical device according to claim 2, characterized in that.
  4. 【請求項4】 前記第一の電気光学素子を流れる電流値または該電流値を処理して得られたデータを記憶する記憶手段を有し、 該記憶手段から読み出したデータに基づいて、該第一の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電気光学装置。 4. A has a storage means for storing data obtained by processing the current value or the current value first through one of the electro-optical element, based on the data read from said memory means, said the electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that to change the total amount of current supplied to an electro-optical elements.
  5. 【請求項5】 前記第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、 5. An electro-optical device having the same structure as the first electro-optical element, the applied voltage - time course of current characteristics,
    電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を有する請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の電気光学装置。 Current - electro-optical device according to any one of claims 1 to 5 comprising a storage means for storing those of the temperature during aging and characteristic measurement of luminance characteristic obtained in advance.
  6. 【請求項6】 前記第二の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流特性および特性測定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を有する請求項2乃至請求項5のいずれかに記載の電気光学装置。 6. The electro-optical device having the same structure as the second electro-optical element, the applied voltage - 2 to claims having a storage means for storing those previously obtained the temperature at the time current characteristic and characteristic measurement the electro-optical device according to claim 5.
  7. 【請求項7】 前記電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該電気光学素子に流れる電流値および該電気光学素子の温度の類推値を外部に送出する手段を有する請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の電気光学装置。 7. A claim having means for sending the electro-optical element or a voltage value applied to the active element to control it, the analogy value of the temperature of the current value and the electro-optical element flowing through the electro-optical element to the outside 4 to electro-optical device according to claim 6.
  8. 【請求項8】 前記記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を有する請求項4乃至請求項6のいずれかに記載の電気光学装置。 8. An electro-optical device according to any one of claims 4 to 6 having a means for rewriting receiving data to be stored in the storage means from outside.
  9. 【請求項9】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によって表示データを表示する手段と、 記憶手段と、 該記憶手段から読み出したデータを基に、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有する電気光学装置であって、 さらに、該記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を有する電気光学装置。 9. A means for inputting the display data, and means for displaying the display data by the first electro-optical elements arranged in a matrix, based on the storage means, the data read from the storage means, the an electro-optical device having a means for changing the sum of the supply current amount to the first electro-optical element to a period for displaying display data, further, receives the data to be stored in the storage means from outside an electro-optical device having a means for rewriting.
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