JP2002251160A - Display device - Google Patents

Display device

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JP2002251160A
JP2002251160A JP2001331442A JP2001331442A JP2002251160A JP 2002251160 A JP2002251160 A JP 2002251160A JP 2001331442 A JP2001331442 A JP 2001331442A JP 2001331442 A JP2001331442 A JP 2001331442A JP 2002251160 A JP2002251160 A JP 2002251160A
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signal
pixel
display device
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Yutaka Minamino
裕 南野
Koji Senda
耕司 千田
Nobuitsu Takehashi
信逸 竹橋
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which the reliability in connection among a power source circuit and driving circuits is enhanced and whose power consumption is reduced remarkably. SOLUTION: This display device 11 is provided with a liquid crystal display part 20 in which a unit pixel 45 having a pixel switching element Tr and a pixel electrode M is arranged in a matrix shape, a scanning-side driving circuit 21, a signal-side driving circuit 22, a driving circuit 23 for applying a compensation voltage and a power source circuit 24. The pixel switching elements Trs are thin film transistors winch are constituted of poly crystalline silicon semiconductors which are formed on a substrate 28 and the power source circuit 24 is the power source circuit of a charge pump system and moreover is constituted of the poly crystalline silicon semiconductors and is a built-in circuit which is integrally formed on the substrate 28.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機の表示
部等に好適に実施することができる表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device which can be suitably applied to a display section of a portable telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型・軽量で低消費電
力であるという特徴を有している。そのため、近年、ラ
ップトップパソコンやノートパソコン用の液晶ディスプ
レイ、更に携帯電話機等の携帯情報端末の情報表示部に
広く使用されている。このような従来の液晶表示装置
は、外部の電源回路から液晶表示パネル内の駆動回路に
必要な電源電圧を供給するように構成されていた。具体
的に説明すると、従来の電源回路は、図21示すよう
に、基準電圧をトランスを含む昇圧回路140により高
電圧とし、この高電圧を直列接続された複数の抵抗(分
圧抵抗)を備える分圧回路141により分圧し、各分圧
点からそれぞれボルテージホロワー142を介して液晶
表示素子を駆動するための複数の駆動電圧V1〜V3
(例えばV3=15、V2=5、V=−3)を生成して
いる。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is characterized in that it is thin, lightweight and consumes low power. Therefore, in recent years, it has been widely used for liquid crystal displays for laptop personal computers and notebook personal computers, and also for information display sections of portable information terminals such as mobile phones. Such a conventional liquid crystal display device is configured such that an external power supply circuit supplies a necessary power supply voltage to a drive circuit in the liquid crystal display panel. More specifically, as shown in FIG. 21, the conventional power supply circuit sets a reference voltage to a high voltage by a booster circuit 140 including a transformer, and includes a plurality of resistors (voltage dividing resistors) connected in series with the high voltage. A plurality of driving voltages V1 to V3 for driving the liquid crystal display element through the voltage follower 142 from each of the voltage dividing points by the voltage dividing circuit 141.
(For example, V3 = 15, V2 = 5, V = −3).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従って、上記従来例で
は、以下の問題があった。 トランスを含む昇圧回路の変換効率が悪いために、こ
の部分での消費電力が増加するという問題があった。 また、昇圧した高電圧を直列接続された複数の分圧抵
抗により分圧して希望する複数の駆動電圧を得るため、
分圧抵抗での無駄な電力消費を本質的に伴なうものであ
った。 また、電源回路が外部回路であるため、液晶表示パネ
ルの駆動回路との接続での信頼性が劣っていた。
Therefore, the above-mentioned prior art has the following problems. Since the conversion efficiency of the booster circuit including the transformer is poor, there is a problem that power consumption in this portion increases. Further, in order to obtain a plurality of desired driving voltages by dividing the boosted high voltage by a plurality of voltage dividing resistors connected in series,
This was essentially accompanied by wasteful power consumption by the voltage dividing resistor. Further, since the power supply circuit is an external circuit, the reliability in connection with the drive circuit of the liquid crystal display panel is poor.

【0004】本発明の目的は、上記課題を解決し、電源
回路と駆動回路との接続の信頼性を向上するとともに、
消費電力を格段に低減するようにした表示装置を提供す
ることである。
[0004] An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, improve the reliability of connection between a power supply circuit and a drive circuit, and
An object of the present invention is to provide a display device in which power consumption is significantly reduced.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のうち請求項1記載の発明は、画素スイッチ
ング素子と画素電極とを有する単位画素がマトリクス状
に配列された表示部と、走査線に走査信号を供給する走
査側駆動回路と、信号線に画像信号を供給する信号側駆
動回路と、基準電源電圧を入力し、基準電源電圧から前
記走査側駆動回路および前記信号側駆動回路の駆動用電
源電圧を生成し、この駆動用電源電圧を前記走査側駆動
回路および前記信号側駆動回路に供給する電源回路と、
を備え、前記画素スイッチング素子は、絶縁性基板上に
形成された多結晶シリコン半導体で構成される薄膜トラ
ンジスタであり、前記電源回路は、チャージポンプ方式
の電源回路であり、更に、この電源回路は、多結晶シリ
コン半導体で構成され、前記絶縁性基板上に一体的に形
成された内蔵回路であることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present invention provides a display unit in which unit pixels each having a pixel switching element and a pixel electrode are arranged in a matrix. A scanning-side driving circuit for supplying a scanning signal to a scanning line; a signal-side driving circuit for supplying an image signal to a signal line; a reference power supply voltage input; A power supply circuit for generating a drive power supply voltage for supplying the drive power supply voltage to the scan-side drive circuit and the signal-side drive circuit;
Wherein the pixel switching element is a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on an insulating substrate, the power supply circuit is a power supply circuit of a charge pump system, further, this power supply circuit, It is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor and integrally formed on the insulating substrate.

【0006】上記の如くチャージポンプ方式の電源回路
を用いることにより、従来例のような分圧回路が不要と
なり、分圧回路等での電力ロスを低減できるとともに、
電圧変換効率の優れた電源回路を備えた低消費電力の液
晶表示装置を実現することが可能となる。また、電源回
路を、絶縁性基板上に一体的に形成することにより、外
付けの電源回路において生じる接続不良がなくなり、信
頼性が向上する。また、製造コストの低減を図ることが
できる。
As described above, the use of the charge pump type power supply circuit eliminates the need for a voltage dividing circuit as in the conventional example, thereby reducing power loss in the voltage dividing circuit and the like.
A low power consumption liquid crystal display device including a power supply circuit with excellent voltage conversion efficiency can be realized. In addition, since the power supply circuit is formed integrally on the insulating substrate, connection failure that occurs in the external power supply circuit is eliminated, and the reliability is improved. Further, the manufacturing cost can be reduced.

【0007】請求項2記載の発明は、請求項1記載の表
示装置であって、前記表示部が液晶表示部であることを
特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the display unit is a liquid crystal display unit.

【0008】請求項3記載の発明は、請求項1記載の表
示装置であって、前記表示部は、EL素子の発光により
表示を行うEL表示部であり、このEL表示部の単位画
素は、前記画素スイッチング素子および前記画素電極に
加えて、EL素子への電流量を制御する電流制御素子を
有し、この電流制御素子は、前記絶縁性基板上に形成さ
れた多結晶シリコン半導体で構成される薄膜トランジス
タであることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the display unit is an EL display unit that performs display by emitting light from an EL element. In addition to the pixel switching element and the pixel electrode, the pixel switching element has a current control element for controlling the amount of current to the EL element, the current control element is formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on the insulating substrate A thin film transistor.

【0009】請求項4記載の発明は、請求項2記載の表
示装置であって、前記各単位画素は、一方の電極が前記
画素電極に接続される電圧制御容量と、この電圧制御容
量の他方の電極に接続され補償電圧信号を供給する電圧
制御容量配線とを有し、前記電圧制御容量配線は、それ
ぞれ前記画素への書き込み終了後に前記補償電圧信号の
電位を変化させて画素電極の電位を変調させる補償電圧
印加用駆動回路に接続され、前記電源回路は、前記走査
側駆動回路および前記信号側駆動回路の駆動用電源電圧
に加えて、前記補償電圧印加用駆動回路に供給する駆動
用電源電圧をも生成することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the display device according to the second aspect, each of the unit pixels includes a voltage control capacitor having one electrode connected to the pixel electrode and the other of the voltage control capacitor. And a voltage control capacitor line connected to the electrode of the pixel for supplying a compensation voltage signal, wherein the voltage control capacitor line changes the potential of the compensation voltage signal after completion of writing to the pixel to change the potential of the pixel electrode. The power supply circuit is connected to a compensation voltage application drive circuit to be modulated, and the power supply circuit supplies a drive power supply to the compensation voltage application drive circuit in addition to a drive power supply voltage of the scan side drive circuit and the signal side drive circuit. It is characterized in that a voltage is also generated.

【0010】上記構成により、デジタル画像信号に基づ
いて、独立容量結合駆動方式で表示を行う液晶表示装置
が実現される。そして、駆動方式として、独立容量結合
駆動方式を用いることにより、消費電力の低減を図るこ
とが可能となる。
According to the above configuration, a liquid crystal display device which performs display by an independent capacitive coupling driving method based on a digital image signal is realized. By using the independent capacitive coupling drive method as the drive method, it is possible to reduce power consumption.

【0011】請求項5記載の発明は、請求項4記載の表
示装置であって、前記電圧制御容量の容量値をCsとす
ると、Csが以下の第1式を満たすことを特徴とする。 Cs=(Vbias/Vepp)・Ctot …(1) 但し、Vbiasは補償電圧の変化による画素電圧の変化、
Veppは補償電圧信号の電圧振幅、Ctotは電圧制御容量
と寄生容量と液晶容量の総和である。
According to a fifth aspect of the present invention, in the display device according to the fourth aspect, when the capacitance value of the voltage control capacitance is Cs, Cs satisfies the following first formula. Cs = (Vbias / Vepp) · Ctot (1) where Vbias is a change in pixel voltage due to a change in compensation voltage,
Vepp is the voltage amplitude of the compensation voltage signal, and Ctot is the sum of the voltage control capacitance, the parasitic capacitance, and the liquid crystal capacitance.

【0012】上記第1式を満たすように、Csを設定す
れば、最小の電圧振幅で液晶を最適に駆動することが可
能となる。従って、消費電力を一層低減することが可能
となる。
If Cs is set so as to satisfy the above-described first equation, it is possible to optimally drive the liquid crystal with the minimum voltage amplitude. Therefore, power consumption can be further reduced.

【0013】請求項6記載の発明は、請求項5記載の表
示装置であって、前記補償電圧信号の電圧振幅Vepp
が、前記電源回路に入力された基準電源電圧のn倍(n
は自然数とする)で表され、このときnは、1≦n≦4
の範囲に設定されていることを特徴とする。
The invention according to claim 6 is the display device according to claim 5, wherein the voltage amplitude Vepp of the compensation voltage signal is provided.
Is n times the reference power supply voltage input to the power supply circuit (n times
Is a natural number), where n is 1 ≦ n ≦ 4
Is set in the range.

【0014】上記構成により、リーク電流の増大を抑
え、且つ高開口率の液晶表示装置を実現できる。
With the above configuration, it is possible to realize a liquid crystal display device having a high aperture ratio while suppressing an increase in leakage current.

【0015】請求項7記載の発明は、請求項6記載の表
示装置であって、前記走査信号の電圧振幅は前記基準電
源電圧のm倍(mは自然数とする)とされ、このときの
mは、走査信号の電圧振幅が、前記単位画素に画像信号
を書き込むことが可能な電圧範囲内で最小の電圧値にな
るような値に設定されていることを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the display device according to the sixth aspect, the voltage amplitude of the scanning signal is set to m times (m is a natural number) of the reference power supply voltage. Is characterized in that the voltage amplitude of the scanning signal is set to a value that becomes the minimum voltage value within a voltage range in which an image signal can be written to the unit pixel.

【0016】上記構成により、画素スイッチング素子を
ONさせ、画像信号を書き込むことができ、しかも、走
査信号を最小電圧振幅に設定することができる。これに
より、液晶を十分に駆動でき、且つ消費電力の低減が図
れることになる。
According to the above configuration, the pixel switching element can be turned on, an image signal can be written, and the scanning signal can be set to the minimum voltage amplitude. As a result, the liquid crystal can be driven sufficiently and the power consumption can be reduced.

【0017】請求項8記載の発明は、単位画素がマトリ
クス状に配列された表示部と、走査線に走査信号を供給
する走査側駆動回路と、信号線にデジタル画像信号を供
給する信号側駆動回路と、基準電源電圧を入力し、基準
電源電圧から前記走査側駆動回路および前記信号側駆動
回路の駆動用電源電圧を生成し、この駆動用電源電圧を
前記走査側駆動回路および前記信号側駆動回路に供給す
る電源回路と、を備え、前記単位画素は複数の副画素に
分割され、各副画素は、それぞれ個別に、副画素電極
と、絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン半導体で
構成される薄膜トランジスタからなる副画素スイッチン
グ素子とを有し、前記電源回路は、チャージポンプ方式
の電源回路であり、更に、この電源回路は、多結晶シリ
コン半導体で構成され、前記絶縁性基板上に一体的に形
成された内蔵回路であることを特徴とする。
The invention according to claim 8 is a display unit in which unit pixels are arranged in a matrix, a scanning drive circuit for supplying a scan signal to a scan line, and a signal drive for supplying a digital image signal to a signal line. Circuit and a reference power supply voltage, and generates a drive power supply voltage for the scanning side drive circuit and the signal side drive circuit from the reference power supply voltage. The drive power supply voltage is used for the scan side drive circuit and the signal side drive circuit. A power supply circuit for supplying power to a circuit, wherein the unit pixel is divided into a plurality of sub-pixels, and each sub-pixel is individually formed of a sub-pixel electrode and a polycrystalline silicon semiconductor formed on an insulating substrate. And a sub-pixel switching element composed of a thin film transistor, wherein the power supply circuit is a charge pump type power supply circuit, and the power supply circuit is formed of a polycrystalline silicon semiconductor. Characterized in that it is a built-in circuit that is integrally formed on said insulating substrate.

【0018】上記構成によって、デジタル画像信号に基
づいて階調表示を行う表示装置が実現される。
With the above configuration, a display device that performs gradation display based on a digital image signal is realized.

【0019】請求項9記載の発明は、請求項8記載の表
示装置であって、前記表示部が液晶表示部であることを
特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the display device of the eighth aspect, the display unit is a liquid crystal display unit.

【0020】請求項10記載の発明は、請求項8記載の
表示装置であって、前記表示部は、EL素子の発光によ
り表示を行うEL表示部であり、このEL表示部の副画
素は、前記副画素スイッチング素子および前記副画素電
極に加えて、EL素子への電流量を制御する電流制御素
子を有し、この電流制御素子は、前記絶縁性基板上に形
成された多結晶シリコン半導体で構成される薄膜トラン
ジスタであることを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the display unit is an EL display unit that performs display by emitting light from an EL element. In addition to the sub-pixel switching element and the sub-pixel electrode, the semiconductor device includes a current control element for controlling an amount of current to the EL element, and the current control element is a polycrystalline silicon semiconductor formed on the insulating substrate. It is a thin film transistor configured.

【0021】請求項11記載の発明は、請求項8記載の
表示装置であって、前記単位画素内における副画素電極
の面積が、それぞれ前記デジタル画像信号の重み付けに
対応した大きさに形成されていることを特徴とする。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the display device of the eighth aspect, the area of the sub-pixel electrode in the unit pixel is formed to have a size corresponding to the weight of the digital image signal. It is characterized by being.

【0022】上記構成により、表示品位の向上した階調
表示が可能となる。
According to the above configuration, it is possible to perform gradation display with improved display quality.

【0023】請求項12記載の発明は、請求項8記載の
表示装置であって、前記走査線が副画素毎に配線され、
前記信号線が副画素全てに共通に配線された配線構造を
有することを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the scanning line is wired for each sub-pixel,
The signal line has a wiring structure commonly wired to all the sub-pixels.

【0024】副画素の配線構造としては、信号線を副画
素毎に配線し、かつ、走査線を副画素全てに共通に配線
する配線構造も考えられる。しかし、このような配線構
造を、フルカラー表示の表示装置におけるR、G、Bの
副画素の配線構造に適用した場合に、配線の接続本数が
増大し、接続ピン数の飛躍的な増大に起因した接続不良
の増大、更には表示欠陥等の画質の低下の発生を招くお
それがある。この点に関して、本発明の配線構造であれ
ば、フルカラー表示の表示装置におけるR、G、Bの副
画素に適用しても、配線の接続本数がそれ程増大しない
ため、上記問題を解消することが可能となる。
As a wiring structure of the sub-pixel, a wiring structure in which a signal line is wired for each sub-pixel and a scanning line is commonly wired to all the sub-pixels can be considered. However, when such a wiring structure is applied to the wiring structure of the R, G, and B sub-pixels in a full-color display device, the number of connection lines increases, and the number of connection pins increases. This may lead to an increase in the number of connection failures, and further to a decrease in image quality such as display defects. In this regard, with the wiring structure of the present invention, even if the present invention is applied to the R, G, and B sub-pixels in the display device for full-color display, the number of connected wirings does not increase so much, and thus the above problem can be solved. It becomes possible.

【0025】請求項13記載の発明は、請求項9記載の
表示装置であって、前記各副画素は、一方の電極が前記
副画素電極に接続される電圧制御容量と、この電圧制御
容量の他方の電極に接続され補償電圧信号を供給する電
圧制御容量配線とを有し、前記電圧制御容量配線は、前
記副画素への書き込み終了後に前記補償電圧信号の電位
を変化させて副画素電極の電位を変調させる補償電圧印
加用駆動回路に接続され、前記電源回路は、前記走査側
駆動回路および前記信号側駆動回路の駆動用電源電圧に
加えて、前記補償電圧印加用駆動回路に供給する駆動用
電源電圧をも生成することを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the display device of the ninth aspect, each of the sub-pixels includes a voltage control capacitor having one electrode connected to the sub-pixel electrode, A voltage control capacitor line connected to the other electrode to supply a compensation voltage signal, wherein the voltage control capacitor line changes the potential of the compensation voltage signal after the end of writing to the sub-pixel to change the potential of the sub-pixel electrode. The power supply circuit is connected to a compensation voltage application drive circuit for modulating a potential, and the power supply circuit supplies a drive voltage to the compensation voltage application drive circuit in addition to a drive power supply voltage for the scan side drive circuit and the signal side drive circuit. It is also characterized by generating a power supply voltage for use.

【0026】上記構成により、デジタル画像信号に基づ
いて、独立容量結合駆動方式で階調表示を行う液晶表示
装置が実現される。そして、駆動方式として、独立容量
結合駆動方式を用いることにより、消費電力の低減を図
ることが可能となる。
With the above configuration, a liquid crystal display device that performs gradation display by an independent capacitive coupling drive method based on a digital image signal is realized. By using the independent capacitive coupling drive method as the drive method, it is possible to reduce power consumption.

【0027】請求項14記載の発明は、請求項13記載
の表示装置であって、前記単位画素内における副画素電
極の面積が、それぞれ前記デジタル画像信号の重み付け
に対応した大きさに形成されていることを特徴とする。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the display device according to the thirteenth aspect, the area of the sub-pixel electrode in the unit pixel is formed to have a size corresponding to the weight of the digital image signal. It is characterized by being.

【0028】上記構成により、表示品位の向上した階調
表示が可能となる。
According to the above configuration, it is possible to perform gradation display with improved display quality.

【0029】請求項15記載の発明は、請求項13記載
の表示装置であって、前記単位画素内における副画素ス
イッチング素子は、それぞれON電流の能力が前記デジ
タル画像信号の重み付けに対応した大きさとされている
ことを特徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the display device according to the thirteenth aspect, each of the sub-pixel switching elements in the unit pixel has an ON current capability of a size corresponding to the weight of the digital image signal. It is characterized by having been done.

【0030】上記構成により、画素トランジスタは、副
画素の電極の大きさに対応したON電流能力が得られる
ことになり、画像信号を十分な書き込むことが可能とな
る。なお、画素トランジスタのON電流能力の設定は、
チャネル幅を変化させてもよく、またチャネル長を変化
させてもよく、また、チャネル幅とチャネル長の両者を
変化させるようにしてもよい。
According to the above configuration, the pixel transistor can obtain an ON current capability corresponding to the size of the electrode of the sub-pixel, and can sufficiently write an image signal. The ON current capability of the pixel transistor is set as follows.
The channel width may be changed, the channel length may be changed, or both the channel width and the channel length may be changed.

【0031】請求項16記載の発明は、請求項13記載
の表示装置であって、前記単位画素内における各電圧制
御容量は、それぞれ容量値が前記デジタル画像信号の重
み付けに対応した大きさとなるように形成されているこ
とを特徴とする。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the display device of the thirteenth aspect, each of the voltage control capacitors in the unit pixel has a capacitance value corresponding to a weight of the digital image signal. It is characterized by being formed in.

【0032】上記構成により、各副画素の電極電位の変
動を可及的に低減することができ、表示品位の向上を図
ることができる。
According to the above configuration, the fluctuation of the electrode potential of each sub-pixel can be reduced as much as possible, and the display quality can be improved.

【0033】請求項17記載の発明は、請求項13記載
の表示装置であって、前記走査線のうちの前段走査線と
前記画素電極との間に、蓄積容量が形成されていること
を特徴とする。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the display device of the thirteenth aspect, a storage capacitor is formed between a preceding scanning line among the scanning lines and the pixel electrode. And

【0034】上記構成により、複数の副画素それぞれに
において、必要な負荷容量が得られることになる。その
ため、各副画素の保持特性が向上し、画質の低下を防止
できる。
With the above configuration, a required load capacitance can be obtained for each of the plurality of sub-pixels. Therefore, the holding characteristics of each sub-pixel are improved, and a decrease in image quality can be prevented.

【0035】請求項18記載の発明は、請求項1記載の
表示装置であって、前記走査側駆動回路および前記信号
側駆動回路は、多結晶シリコン半導体で構成され、前記
絶縁性基板上に一体的に形成された内蔵回路であること
を特徴とする。
According to an eighteenth aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the scanning side driving circuit and the signal side driving circuit are made of a polycrystalline silicon semiconductor, and are integrated on the insulating substrate. It is characterized in that it is a built-in circuit that is formed in an integrated manner.

【0036】このように周辺駆動回路をすべて内蔵駆動
回路とすることにより、消費電力を大幅に削減すること
ができ、また、表示装置全体の軽量・薄型化を図ること
ができる。
By using all of the peripheral driving circuits as built-in driving circuits, power consumption can be significantly reduced, and the entire display device can be reduced in weight and thickness.

【0037】請求項19記載の発明は、請求項1記載の
表示装置であって、前記信号側駆動回路は単結晶シリコ
ン半導体で形成され、前記走査側駆動回路は多結晶シリ
コン半導体で形成され、前記絶縁性基板上に一体的に形
成された内蔵回路であることを特徴とする。
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the display device according to the first aspect, the signal side driving circuit is formed of a single crystal silicon semiconductor, and the scanning side driving circuit is formed of a polycrystalline silicon semiconductor, It is a built-in circuit integrally formed on the insulating substrate.

【0038】上記構成により、信号側駆動回路を多結晶
シリコン半導体で形成された内蔵回路とするよりも、ト
ランジスタの膜圧が大きくなって容量を小さくでき、信
号側駆動回路での消費電力を低減することができる。
According to the above configuration, the film thickness of the transistor can be increased and the capacitance can be reduced, and the power consumption of the signal side drive circuit can be reduced, as compared with the case where the signal side drive circuit is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor. can do.

【0039】請求項20記載の発明は、請求項4記載の
表示装置であって、前記走査側駆動回路、前記信号側駆
動回路および補償電圧印加用駆動回路は、多結晶シリコ
ン半導体で構成され、前記絶縁性基板上に一体的に形成
された内蔵回路であることを特徴とする。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the display device according to the fourth aspect, the scan side drive circuit, the signal side drive circuit, and the drive circuit for applying a compensation voltage are made of a polycrystalline silicon semiconductor, It is a built-in circuit integrally formed on the insulating substrate.

【0040】このように周辺駆動回路をすべて内蔵駆動
回路とすることにより、消費電力を大幅に削減すること
ができ、また、表示装置全体の軽量・薄型化を図ること
ができる。
By using all of the peripheral driving circuits as built-in driving circuits, power consumption can be significantly reduced, and the entire display device can be reduced in weight and thickness.

【0041】請求項21記載の発明は、請求項1記載の
表示装置であって、前記走査側駆動回路および前記信号
側駆動回路に制御信号を供給するレベルシフタ回路を有
し、このレベルシフタ回路は、多結晶シリコン半導体で
形成され、前記絶縁性基板上に一体的に形成された内蔵
回路であることを特徴とする。
According to a twenty-first aspect of the present invention, there is provided the display device according to the first aspect, further comprising a level shifter circuit for supplying a control signal to the scanning side driving circuit and the signal side driving circuit. It is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor and integrally formed on the insulating substrate.

【0042】上記構成により、更に、表示装置全体の軽
量・薄型化を図ることができる。
With the above configuration, the weight and thickness of the entire display device can be further reduced.

【0043】[0043]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1は本発明に
係る液晶表示装置を備えた携帯電話機1の電気的構成を
示すブロック図である。図1において、2は電話機能プ
ログラムを実行することにより、携帯電話機各部の動作
を制御するCPU(中央処理装置)である。3は通信部
であり、この通信部3はアンテナ4に接続され、送信信
号の変調および受信信号の復調機能を有する。5はラン
ダムアクセスメモリ(RAM)であり、このRAMは、
例えばユーザ設定データなどの記憶用メモリである。6
はリードオンリメモリ(ROM)であり、このROM6
にはCPU2が実行する送信や受信の各種電話機能プロ
グラムなどが予め格納されている。7は音声処理部であ
り、この音声処理部7は通信部3で復調された受信信号
を復号し、スピーカ8を介して音声出力させ、一方、マ
イク9から入力された送話用の音声信号を圧縮符号化
し、CPU2の制御下で、通信部3を通じて送信可能に
している。10はテンキーやファンクションキー等を備
えた操作部である。11は液晶表示装置であり、この液
晶表示装置11では電話機能のメニュや、テンキーやフ
ァンクションキーなどの操作に応じた表示がなされる。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram showing an electric configuration of a mobile phone 1 provided with a liquid crystal display device according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a CPU (Central Processing Unit) that controls the operation of each section of the mobile phone by executing a telephone function program. A communication unit 3 is connected to the antenna 4 and has a function of modulating a transmission signal and a function of demodulating a reception signal. 5 is a random access memory (RAM), which is
For example, it is a memory for storing user setting data. 6
Is a read only memory (ROM).
In advance, various transmission and reception telephone function programs executed by the CPU 2 are stored in advance. Reference numeral 7 denotes an audio processing unit. The audio processing unit 7 decodes the received signal demodulated by the communication unit 3 and outputs audio through a speaker 8. Is compression-encoded and can be transmitted through the communication unit 3 under the control of the CPU 2. Reference numeral 10 denotes an operation unit including numeric keys and function keys. Reference numeral 11 denotes a liquid crystal display device, which displays menus for telephone functions and displays according to operations of ten keys and function keys.

【0044】12はバッテリであり、このバッテリ12
からの直流電源は電源回路13に与えられ、携帯電話機
各部(液晶表示装置11を除く)に必要な駆動電圧を生
成して、携帯電話機各部に供給している。
Reference numeral 12 denotes a battery.
Is supplied to a power supply circuit 13 to generate a driving voltage required for each part of the mobile phone (excluding the liquid crystal display device 11) and supply it to each part of the mobile phone.

【0045】なお、液晶表示装置11は、後述するよう
に、バッテリ12が直接接続されており、液晶表示装置
11内の電源回路により液晶表示装置11内の駆動回路
に必要な駆動電圧を生成して供給するように構成されて
いる。
As will be described later, the liquid crystal display device 11 has a battery 12 directly connected thereto and generates a drive voltage required for a drive circuit in the liquid crystal display device 11 by a power supply circuit in the liquid crystal display device 11. It is configured to supply.

【0046】図2は液晶表示装置11の回路図である。
この液晶表示装置11は、容量結合駆動方式を採用した
アクティブマトリクス型液晶表示装置である。液晶表示
装置11は、液晶表示部20と、走査線SLに走査信号
を供給する走査側駆動回路21と、信号線GLに画像信
号を供給する信号側駆動回路22と、補償電圧印加用信
号配線26に補償電圧を供給する補償電圧印加用駆動回
路23と、各駆動回路21,22,23に駆動用電源電
圧を供給する電源回路24と、外部から供給される低振
幅の制御信号を各駆動回路21,22,23で使用可能
な高振幅の制御信号に変換して各駆動回路21,22,
23に供給するレベルシフタ25回路とを有する。液晶
表示部20は、マトリクス状に配置された複数の走査線
GLと複数の信号線Sと、マトリクス状に配置された単
位画素45を有する。単位画素45は、画素電極Mと、
画素電極Mに接続された画素スイッチング素子Trと、
容量結合駆動を行うための電圧制御容量Csとを有す
る。電圧制御容量Csの一方の電極は、画素電極Mに接
続され、他方の電極は補償電圧印加用信号配線26に接
続されている。前記画素スイッチング素子Trは、多結
晶シリコン半導体で構成された薄膜トランジスタ(TF
T)である。
FIG. 2 is a circuit diagram of the liquid crystal display device 11.
The liquid crystal display device 11 is an active matrix type liquid crystal display device employing a capacitive coupling drive system. The liquid crystal display device 11 includes a liquid crystal display unit 20, a scanning side driving circuit 21 for supplying a scanning signal to the scanning line SL, a signal side driving circuit 22 for supplying an image signal to the signal line GL, and a signal wiring for applying a compensation voltage. 26, a compensating voltage application driving circuit 23 for supplying a compensating voltage, a power supply circuit 24 for supplying a driving power supply voltage to each of the driving circuits 21, 22, 23, and a low-amplitude control signal supplied from the outside. Each of the driving circuits 21, 22 and 23 is converted into a high-amplitude control signal usable by the circuits 21, 22 and 23.
And a level shifter 25 circuit for supplying the level shifter 23 to the circuit. The liquid crystal display unit 20 includes a plurality of scanning lines GL and a plurality of signal lines S arranged in a matrix, and unit pixels 45 arranged in a matrix. The unit pixel 45 includes a pixel electrode M,
A pixel switching element Tr connected to the pixel electrode M;
A voltage control capacitor Cs for performing capacitive coupling driving. One electrode of the voltage control capacitor Cs is connected to the pixel electrode M, and the other electrode is connected to the compensation voltage application signal line 26. The pixel switching element Tr is a thin film transistor (TF) made of a polycrystalline silicon semiconductor.
T).

【0047】走査側駆動回路21において、21aは転
送クロック入力端子、21bはスタートパルス入力端
子、21cはシフトレジスタである。また、補償電圧印
加用駆動回路23において、23aは転送クロック入力
端子、23bはスタートパルス入力端子、23cはシフ
トレジスタである。また、信号側駆動回路22におい
て、22aは転送クロック入力端子、22bはスタート
パルス入力端子、22cはシフトレジスタ、22dは画
像信号入力端子、22eはトランスファーゲート素子で
ある。
In the scanning side drive circuit 21, reference numeral 21a denotes a transfer clock input terminal, 21b denotes a start pulse input terminal, and 21c denotes a shift register. Further, in the compensation voltage applying drive circuit 23, 23a is a transfer clock input terminal, 23b is a start pulse input terminal, and 23c is a shift register. In the signal side driving circuit 22, reference numeral 22a denotes a transfer clock input terminal, 22b denotes a start pulse input terminal, 22c denotes a shift register, 22d denotes an image signal input terminal, and 22e denotes a transfer gate element.

【0048】また、Vcは対向基板上に形成された対向
電極電位、28はガラスから成るアクティブ基板、27
はアクティブ基板28と対向基板との間に保持された液
晶層である。
Vc is the potential of the counter electrode formed on the counter substrate, 28 is the active substrate made of glass, 27
Is a liquid crystal layer held between the active substrate 28 and the counter substrate.

【0049】なお、本実施の形態1では、電源回路2
4、走査側駆動回路21、補償電圧印加用駆動回路2
3、信号側駆動回路22およびレベルシフタ回路25
は、いずれも多結晶シリコン半導体で構成されており、
前記画素スイッチング素子Trの製造プロセス時に同時
にアクティブ基板28に一体的に作り込まれた内蔵回路
である。
In the first embodiment, the power supply circuit 2
4. Scanning side drive circuit 21, Compensation voltage application drive circuit 2
3. Signal side drive circuit 22 and level shifter circuit 25
Are all composed of polycrystalline silicon semiconductors,
This is a built-in circuit integrally formed on the active substrate 28 at the same time as the manufacturing process of the pixel switching element Tr.

【0050】図3にこの液晶表示装置の駆動方法におけ
る駆動波形図を示す。図3において、Vg1,Vg2は
第1および第2の走査信号、Vsは画像信号、Vdは画
素電極電位、Vcは対向電極電位である。走査信号Vg
1はスイッチング素子4をオンにする電位(Vgt)と
オフにする電位(Vgb)からなる。また、補償電圧信
号Vg2は2値のバイアス電位(Ve(+),Ve
(−))からなる。この容量結合駆動方法では、対向電
極は一定とされ、ソース電極にオフセットを加えること
により、突き抜け電圧による電位ΔVを補償している。
また、容量結合駆動方法を用いることにより、画像信号
電圧を低くすることができ、信号側駆動回路22での消
費電力を低減することができる。
FIG. 3 shows a driving waveform diagram in the method of driving the liquid crystal display device. In FIG. 3, Vg1 and Vg2 are first and second scanning signals, Vs is an image signal, Vd is a pixel electrode potential, and Vc is a counter electrode potential. Scan signal Vg
1 includes a potential (Vgt) for turning on the switching element 4 and a potential (Vgb) for turning off. Further, the compensation voltage signal Vg2 is a binary bias potential (Ve (+), Ve (+)
(-)). In this capacitive coupling driving method, the counter electrode is fixed, and the potential ΔV due to the penetration voltage is compensated by adding an offset to the source electrode.
Further, by using the capacitive coupling driving method, the image signal voltage can be reduced, and the power consumption of the signal side driving circuit 22 can be reduced.

【0051】液晶表示部20の画素スイッチング素子T
rは、走査側駆動回路21から走査線GLに印加される
走査信号Vg1がオン電位(Vgt)である期間だけオ
ン状態となる。このとき信号側駆動回路22から信号線
SLに伝達された画像信号Vsが、オン状態のスイッチ
ング素子Trを介して画素電極Mに印加される。走査信
号Vg1がオフ電位(Vgb)に変化してスイッチング
素子Trがオフ状態になると、画素電極電位Vdは液晶
容量および電圧制御容量Csによって保持されるが、電
圧制御容量Csおよび補償電圧印加用信号配線26を介
して補償電圧印加用駆動回路23から与えられる補償電
圧信号Vg2の電位に応じてシフトする。一画面の描画
が終わり次のフレームになると、画像信号Vsはその中
心電位Vscに対して極性が反転し、同様の動作が繰り
返される。このようにして、容量結合駆動方式による表
示が行われる。
The pixel switching element T of the liquid crystal display unit 20
r turns on only during a period when the scanning signal Vg1 applied to the scanning line GL from the scanning side drive circuit 21 is at the on-potential (Vgt). At this time, the image signal Vs transmitted from the signal side driving circuit 22 to the signal line SL is applied to the pixel electrode M via the on-state switching element Tr. When the scanning signal Vg1 changes to the off potential (Vgb) and the switching element Tr is turned off, the pixel electrode potential Vd is held by the liquid crystal capacitor and the voltage control capacitor Cs, but the voltage control capacitor Cs and the compensation voltage application signal are applied. The shift is performed in accordance with the potential of the compensation voltage signal Vg2 supplied from the compensation voltage applying drive circuit 23 via the wiring 26. When the drawing of one screen is completed and the next frame is formed, the polarity of the image signal Vs is inverted with respect to the center potential Vsc, and the same operation is repeated. In this manner, display by the capacitive coupling driving method is performed.

【0052】ここで、注目すべきは、本実施の形態にお
ける各駆動回路21,22,23は、その駆動電圧が基
準電源電圧VDDの整数倍とされていることである。即
ち、電源回路24は、チャージポンプ方式の電源回路で
構成され、基準基準電源電圧VDDに基づいてVDDの整数
倍の駆動用電源電圧に変換して各駆動回路21,22,
23に駆動用電源電源を供給するように構成されてい
る。
It should be noted here that each of the drive circuits 21, 22, and 23 in the present embodiment has a drive voltage that is an integral multiple of the reference power supply voltage VDD. That is, the power supply circuit 24 is constituted by a charge pump type power supply circuit, converts the reference power supply voltage VDD into a drive power supply voltage that is an integral multiple of VDD and drives each of the drive circuits 21, 22.
The power supply 23 is configured to supply a drive power supply.

【0053】図4はチャージポンプ方式の電源回路24
の具体的な回路図であり、図5は電源回路のチャージポ
ンプ動作原理を説明するための図である。本実施の形態
1では、電源回路24は、基準電源電圧VDDから3種類
の駆動電圧V1,V2,V3を生成している。この電源
回路24は、図4に示すように、3つのチャージポンプ
回路CP1,CP2,CP3を有している。チャージポ
ンプ回路CP1は基準電圧Vinを2倍昇圧する回路であ
り、チャージポンプ回路CP2は基準電圧Vinを6倍昇
圧する回路であり、チャージポンプ回路CP3は基準電
圧Vinを−2倍昇圧する回路である。そして、チャージ
ポンプ回路CP1により2倍昇圧された駆動電圧V1
は、信号側駆動回路22に供給される。チャージポンプ
回路CP2により6倍昇圧された駆動電圧V2は、走査
側駆動回路21および補償電圧印加用駆動回路23に供
給される。また、チャージポンプ回路CP3により−2
倍昇圧された駆動電圧V3は、走査側駆動回路21およ
び補償電圧印加用駆動回路23に供給される。
FIG. 4 shows a charge pump type power supply circuit 24.
FIG. 5 is a diagram for explaining the principle of the charge pump operation of the power supply circuit. In the first embodiment, the power supply circuit 24 generates three types of drive voltages V1, V2, and V3 from the reference power supply voltage VDD. The power supply circuit 24 has three charge pump circuits CP1, CP2 and CP3 as shown in FIG. The charge pump circuit CP1 is a circuit that boosts the reference voltage Vin by a factor of two, the charge pump circuit CP2 is a circuit that boosts the reference voltage Vin by a factor of six, and the charge pump circuit CP3 is a circuit that boosts the reference voltage Vin by a factor of -2. is there. Then, the drive voltage V1 doubled by the charge pump circuit CP1
Is supplied to the signal side drive circuit 22. The drive voltage V2 boosted six times by the charge pump circuit CP2 is supplied to the scan side drive circuit 21 and the compensation voltage application drive circuit 23. The charge pump circuit CP3 provides -2
The doubled drive voltage V3 is supplied to the scan side drive circuit 21 and the compensation voltage application drive circuit 23.

【0054】ここで、図5を参照して、チャージポンプ
回路の昇圧原理について簡単に説明する。なお、3倍昇
圧を例に挙げて説明する。先ず、スイッチSW1,SW
3がONで、スイッチSW2がOFFされると、基準電
圧VinがコンデンサC1に印加され、コンデンサC1は
その端子間電圧がVDDになるまで充電される。次いで、
スイッチSW2,SW4,SW6がONで、スイッチS
W1,SW3,SW5がOFFされると、コンデンサC
2にはコンデンサC1の充電電圧VDDと基準電圧VDDの
和2VDDが印加され、コンデンサC2はその端子間電圧
が2VDDになるまで充電される。次いで、スイッチSW
1,SW5,SW7がONで、スイッチSW2,SW
3,SW4,SW6がOFFされると、コンデンサC3
にはコンデンサC2の充電電圧2VDDと基準電圧VDDの
和3VDDが印加され、コンデンサC3はその端子間電圧
が3VDDになるまで充電される。従って、コンデンサC
3の端子間電圧を出力電圧とすれば、基準電圧の3倍昇
圧された電圧を出力することができることになる。この
ような原理に基づき、チャージポンプ回路CP1は、基
準電圧VDDを2倍昇圧し、チャージポンプ回路CP2は
基準電圧VDDを6倍昇圧する。
Here, the boosting principle of the charge pump circuit will be briefly described with reference to FIG. Note that a description will be given taking triple boosting as an example. First, the switches SW1 and SW
When the switch 3 is ON and the switch SW2 is turned OFF, the reference voltage Vin is applied to the capacitor C1, and the capacitor C1 is charged until the voltage between its terminals becomes VDD. Then
When the switches SW2, SW4 and SW6 are ON, the switch S
When W1, SW3 and SW5 are turned off, the capacitor C
2, the sum 2VDD of the charging voltage VDD of the capacitor C1 and the reference voltage VDD is applied, and the capacitor C2 is charged until the voltage between its terminals becomes 2VDD. Then, switch SW
1, SW5 and SW7 are ON and switches SW2 and SW
3, SW4 and SW6 are turned off, the capacitor C3
Is applied to the capacitor C2, the sum of 3VDD of the charging voltage 2VDD and the reference voltage VDD, and the capacitor C3 is charged until the voltage between its terminals becomes 3VDD. Therefore, the capacitor C
If the voltage between the three terminals is used as the output voltage, a voltage three times as high as the reference voltage can be output. Based on such a principle, the charge pump circuit CP1 boosts the reference voltage VDD twice, and the charge pump circuit CP2 boosts the reference voltage VDD six times.

【0055】なお、本実施の形態では、基準電圧VDD=
1.8Vとし、V1=3.6V、V2=10.8V、V
3=−3.6Vとされている。
In this embodiment, the reference voltage VDD =
1.8V, V1 = 3.6V, V2 = 10.8V, V
3 = −3.6V.

【0056】このようなチャージポンプ方式の電源回路
24を用いることにより、従来例のような分圧回路が不
要となり、分圧回路等での電力ロスを低減できるととも
に、電圧変換効率の優れた電源回路を備えた低消費電力
の液晶表示装置を実現することが可能となる。また、上
記したように電源回路24を基板28に一体的に形成す
ることにより、外付けの電源回路において生じる接続不
良がなくなり、信頼性が向上するとともに、製造コスト
の低減を図ることができる。また、このような電源回路
24を使用することにより、容量結合駆動方式を採用す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、電圧
制御容量の値を最適値とし、且つ走査信号の電圧振幅を
液晶の駆動できる範囲内で最小の電圧振幅として、消費
電力を一層低減することが可能となる。
The use of such a charge pump type power supply circuit 24 eliminates the need for a voltage divider circuit as in the prior art, thereby reducing power loss in the voltage divider circuit and the like and providing a power supply with excellent voltage conversion efficiency. It is possible to realize a low power consumption liquid crystal display device including a circuit. In addition, by forming the power supply circuit 24 integrally with the substrate 28 as described above, a connection failure that occurs in an external power supply circuit is eliminated, reliability is improved, and manufacturing costs can be reduced. Further, by using such a power supply circuit 24, in an active matrix type liquid crystal display device employing a capacitive coupling driving method, the value of the voltage control capacitance can be optimized and the voltage amplitude of the scanning signal can be used to drive the liquid crystal. With the minimum voltage amplitude within the range, power consumption can be further reduced.

【0057】以下、具体的に説明する。 (1)電圧制御容量の最適化 本実施の形態に係る液晶表示装置においては、電圧制御
容量Csは以下の第1式によって決定されている。 Cs=(Vbias/Vepp)・(Ctot) …(1) ここで、Veppは補償電圧の電圧振幅、Vbiasは補償電
圧の変化による画素電圧の変化、Ctotは液晶容量Clc
とトランジスタの寄生容量Cgdと電圧制御容量Csの総
和である。
Hereinafter, a specific description will be given. (1) Optimization of voltage control capacitance In the liquid crystal display device according to the present embodiment, the voltage control capacitance Cs is determined by the following first equation. Cs = (Vbias / Vepp) · (Ctot) (1) where Vepp is the voltage amplitude of the compensation voltage, Vbias is the change in the pixel voltage due to the change in the compensation voltage, and Ctot is the liquid crystal capacitance Clc.
And the parasitic capacitance Cgd of the transistor and the voltage control capacitance Cs.

【0058】ここで、補償電圧印加用回路23の電源
は、基準電源電圧VDDの整数倍とされているため、補償
電圧の電圧振幅Vepp(図6参照)は基準電源電圧VDD
のn倍、即ち、Vepp=n・VDD (但し、nは自然数
である)となる。従って、上記第1式は以下の式で表せ
る。 Cs=(Vbias/VDD)・(Ctot)・(1/n) …(2) ここで、本実施の形態ではnが1≦n≦4の範囲に設定
されている。これにより、開口率を大きくとり、且つリ
ーク電流の増大を抑え、表示特性の向上した液晶表示装
置を構成することができる。以下にその理由について詳
述する。
Since the power supply of the compensation voltage applying circuit 23 is an integral multiple of the reference power supply voltage VDD, the voltage amplitude Vepp of the compensation voltage (see FIG. 6) is equal to the reference power supply voltage VDD.
N, that is, Vepp = n.VDD (where n is a natural number). Therefore, the first equation can be expressed by the following equation. Cs = (Vbias / VDD) · (Ctot) · (1 / n) (2) Here, in the present embodiment, n is set in the range of 1 ≦ n ≦ 4. As a result, a liquid crystal display device having a high aperture ratio, suppressing an increase in leak current, and improving display characteristics can be configured. Hereinafter, the reason will be described in detail.

【0059】先ず、上記第1式の導入について説明す
る。液晶を駆動するに際して、Vbiasは液晶の最小電圧
振幅Vsppを考慮すると、図6に示す範囲となる。そし
て、本発明のような容量結合駆動方式では、補償電圧V
eppを電圧制御容量の一方の電極から印加することによ
り、信号線に必要な振幅を液晶の振幅電圧(Vspp)と
同じに設定できるものである。従って、VbiasはVbias
=(Cs/Ctot)・Veppとなる。この式を変形し、上
記第1式が導かれる。そして、上記第1式から導かれる
第2式を満たすようにCsを設定すれば、液晶を最適に
駆動できる。
First, the introduction of the first formula will be described. When driving the liquid crystal, Vbias is in the range shown in FIG. 6 in consideration of the minimum voltage amplitude Vspp of the liquid crystal. And, in the capacitive coupling driving method as in the present invention, the compensation voltage V
By applying epp from one electrode of the voltage control capacitor, the amplitude required for the signal line can be set to be the same as the amplitude voltage (Vspp) of the liquid crystal. Therefore, Vbias is equal to Vbias
= (Cs / Ctot) · Vepp. By transforming this equation, the first equation is derived. If Cs is set so as to satisfy the second expression derived from the first expression, the liquid crystal can be optimally driven.

【0060】しかしながら、第2式の条件下でnを任意
の値とする、即ち、Csを任意の値とすると、以下のよ
うな問題が生じる。即ち、Csを任意の値とする(nを
任意の値とすることに相当する)と、Vbiasが左右にシ
フトし、例えば右側にシフトすると図7のようにA,B
間で振幅することになり、白が表示されないことにな
る。逆に、左側にシフトすれば、黒が十分に沈まない。
即ち、最適なコントラストが得られない。勿論、図7は
ノーマリホワイトモードの場合であり、ノーマリブラッ
クモードの場合は、Vbiasの左右のシフトに応じて上記
とは逆の現象が発生する。一方、振幅を大きくすれば、
かかる問題は解消することができるが、消費電力が大き
くなる。そこで、本発明は、最も少ない消費電力で、且
つ小さい振幅で、十分なコントラストを得るため、上記
第2式を充足し、且つnが1≦n≦4の範囲に設定する
ようにしたものである。
However, if n is an arbitrary value under the condition of the second equation, that is, if Cs is an arbitrary value, the following problem occurs. That is, when Cs is set to an arbitrary value (corresponding to setting n to an arbitrary value), Vbias shifts to the left and right.
Therefore, white is not displayed. Conversely, if you shift to the left, black will not sink sufficiently.
That is, an optimum contrast cannot be obtained. Of course, FIG. 7 shows the case of the normally white mode. In the case of the normally black mode, a phenomenon opposite to the above occurs according to the left and right shift of Vbias. On the other hand, if the amplitude is increased,
Although such a problem can be solved, power consumption increases. Therefore, the present invention satisfies the above-described second formula and obtains n in a range of 1 ≦ n ≦ 4 in order to obtain sufficient contrast with the minimum power consumption and the small amplitude. is there.

【0061】そして、このようなnの規制により、以下
の効果も奏することになる。即ち、nが大きいと、Cs
は小となり、従って、リーク電流が増大する。一方、n
が小さいと、Csは大となり、従って、電圧制御容量用
の電極面積の増大により開口率が小さくなる。従って、
上記1≦n≦4の範囲に設定することにより、リーク電
流の増大を抑え、且つ高開口率の液晶表示装置を実現で
きる。
The following effects are also exerted by the regulation of n. That is, when n is large, Cs
Is small, and thus the leakage current increases. On the other hand, n
Is smaller, Cs becomes larger, and therefore the aperture ratio becomes smaller due to an increase in the area of the electrode for the voltage control capacitor. Therefore,
By setting the range of 1 ≦ n ≦ 4, it is possible to suppress an increase in leakage current and to realize a liquid crystal display device having a high aperture ratio.

【0062】(2)走査信号の電圧振幅Vgppの最適化 走査側駆動回路21の電源は、基準電源電圧VDDの整数
倍とされているため、走査信号の電圧振幅Vgppは基準
電源電圧VDDのm倍、即ち、Vgpp=m・VDD(但し、
mは自然数である)となる。そして、mは、電圧振幅V
gppが、単位画素に画像信号を書き込むことが可能な電
圧範囲内で最小の電圧値になるような値に設定する。こ
れにより電圧振幅Vgppを小さくでき、消費電力を低減
することができる。例えば、VDD=1.8(V)の場
合、Vepp=n・VDD=2×1.8とされ、Vgpp=m・
VDD=7×1.8とされる。
(2) Optimization of Scanning Signal Voltage Amplitude Vgpp Since the power supply of the scanning side driving circuit 21 is an integral multiple of the reference power supply voltage VDD, the voltage amplitude Vgpp of the scanning signal is m of the reference power supply voltage VDD. Times, ie, Vgpp = m · VDD (however,
m is a natural number). And m is the voltage amplitude V
gpp is set to a value such that it becomes the minimum voltage value within a voltage range in which an image signal can be written to a unit pixel. As a result, the voltage amplitude Vgpp can be reduced, and power consumption can be reduced. For example, when VDD = 1.8 (V), Vepp = n · VDD = 2 × 1.8, and Vgpp = m ·
VDD = 7 × 1.8.

【0063】以下に図8を参照して説明する。なお、図
8において、Vonはオンマージン、Voffはオフマ
ージン、VthはTFTのしきい値電圧、Vsppは液
晶の最小振幅、Vlcは液晶のON電圧、Voffse
tはオフセット電圧(映像信号センターと対向電圧の
差)、Vscは信号センター、Vgppは走査信号振幅
を示す。例えば、m=6の場合は、しきい値電圧Vth以
下となり、液晶表示をON状態にできない。一方、m=
8の場合は、液晶表示ををON状態にすることはできる
が、消費電力の観点からは適切でない。最小の電圧振幅
で液晶を駆動するためには、m=7であることが必要で
あることが理解される。このようにして、走査信号の電
圧振幅Vgppを最小振幅で駆動することができるため、
消費電力の低減を図ることができる。
The operation will be described below with reference to FIG. In FIG. 8, Von is an on-margin, Voff is an off-margin, Vth is a threshold voltage of a TFT, Vspp is a minimum amplitude of the liquid crystal, Vlc is an ON voltage of the liquid crystal, and Voffse.
t indicates an offset voltage (difference between a video signal center and a counter voltage), Vsc indicates a signal center, and Vgpp indicates a scanning signal amplitude. For example, when m = 6, the voltage becomes equal to or lower than the threshold voltage Vth, and the liquid crystal display cannot be turned on. On the other hand, m =
In the case of 8, the liquid crystal display can be turned on, but this is not appropriate from the viewpoint of power consumption. It is understood that m = 7 is required to drive the liquid crystal with the minimum voltage amplitude. In this manner, since the voltage amplitude Vgpp of the scanning signal can be driven with the minimum amplitude,
Power consumption can be reduced.

【0064】こうして、本発明においては、容量結合駆
動方式の液晶表示装置において、電圧制御容量を最適
化、補償電圧の電圧振幅Vepp及び走査信号の電圧振幅
Vgppの最適化を図ることにより、液晶の表示品位を保
持しつつ、最小の電圧振幅で液晶を駆動することが可能
となり、大幅な消費電力の低減を図ることができる。
As described above, in the present invention, in the liquid crystal display device of the capacitive coupling drive system, the voltage control capacitance is optimized, and the voltage amplitude Vepp of the compensation voltage and the voltage amplitude Vgpp of the scanning signal are optimized. The liquid crystal can be driven with the minimum voltage amplitude while maintaining the display quality, and the power consumption can be significantly reduced.

【0065】なお、液晶表示装置に入力される画像デー
タは、アナログ信号であってもデジタル信号であっても
よい。入力画像データがデジタル信号の場合は、デジタ
ル/アナログ変換回路を備えた信号側駆動回路22を用
いればよい。
The image data input to the liquid crystal display device may be an analog signal or a digital signal. When the input image data is a digital signal, a signal side drive circuit 22 having a digital / analog conversion circuit may be used.

【0066】また、デジタル/アナログ変換回路を用い
ない場合は、1フレームを書き込み期間と保持期間から
なる複数のサブフレームで構成し前記保持期間の累積効
果で階調表示を行うPWM(Pulse Width Modulation)
駆動方式(例えば特開平5−107561号公報参照)
を用いれば、デジタル信号をそのまま信号線SLに供給
してデジタル駆動が可能となる。
When a digital / analog conversion circuit is not used, one frame is composed of a plurality of sub-frames consisting of a writing period and a holding period, and a PWM (Pulse Width Modulation) for performing gradation display by the cumulative effect of the holding period. )
Driving method (for example, refer to JP-A-5-107561)
Is used, a digital signal can be supplied to the signal line SL as it is to perform digital driving.

【0067】(実施の形態2)図9は実施の形態2に係
る液晶表示装置の回路図であり、図10は単位画素の構
成を示す回路図である。この実施の形態2の液晶表示装
置は、上記の実施の形態1に類似し、対応する部分には
同一の参照符号を付す。この実施の形態2は、面積階調
表示方式を用いることを特徴とする。なお、実施の形態
2に用いられるデジタル画像信号は4ビットデータ構成
とされ、16階調を表示することができるアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置を示している。
(Embodiment 2) FIG. 9 is a circuit diagram of a liquid crystal display device according to Embodiment 2, and FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a unit pixel. The liquid crystal display device according to the second embodiment is similar to the above-described first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals. The second embodiment is characterized in that an area gradation display method is used. Note that the digital image signal used in the second embodiment has a 4-bit data configuration, and shows an active matrix liquid crystal display device capable of displaying 16 gradations.

【0068】本実施の形態2における液晶表示装置は、
面積階調表示方式を採用するため、単位画素45は複数
個(本実施の形態1では4個)の副画素P1,P2,P
3,P4から構成されている。副画素P1は、副画素電
極M1と、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Tran
sistor)で構成される副画素トランジスタTr1と、容
量結合駆動を行うための電圧制御容量C1を有してい
る。その他の副画素P2〜P4も、副画素P1と同様
に、副画素電極M2〜M4と副画素トランジスタTr2
〜Tr4と電圧制御容量C2〜C4から構成されてい
る。
The liquid crystal display device according to the second embodiment has
In order to adopt the area gradation display method, the unit pixel 45 includes a plurality of (four in the first embodiment) sub-pixels P1, P2, P
3, P4. The sub-pixel P1 includes a sub-pixel electrode M1 and a thin film transistor (TFT).
The sub-pixel transistor Tr1 includes a voltage control capacitor C1 for performing capacitive coupling driving. Similarly to the sub-pixel P1, the other sub-pixels P2 to P4 also have the sub-pixel electrodes M2 to M4 and the sub-pixel transistor Tr2.
To Tr4 and voltage control capacitors C2 to C4.

【0069】本実施の形態2では、前記副画素M1〜M
4の電極面積比が、デジタル画像データの重み付けに対
応した大きさに形成されている。即ち、副画素電極M1
の面積:副画素電極M2の面積:副画素電極M3の面
積:副画素電極M4の面積=1:2:4:8となってい
る。そして、4ビット画像データの第1番目のビットデ
ータが副画素P1に対応し、第2番目のビットデータが
副画素P2に対応し、第3番目のビットデータが副画素
P3に対応し、第4番目のビットデータが副画素P4に
対応する。このような副画素電極がデジタル信号の重み
付けに対応した大きさとされているため、デジタル画像
データに応じて、16階調の表示が可能となる。なお、
副画素電極の電極面積とは、実効的に光の変調に寄与す
る部分の面積であり、例えば透過型の場合では、電極面
積から遮光体で覆われた部分の面積を除いた実効面積を
意味する。
In the second embodiment, the sub-pixels M1 to M
The electrode area ratio of No. 4 is formed in a size corresponding to the weight of the digital image data. That is, the sub-pixel electrode M1
Area: area of sub-pixel electrode M2: area of sub-pixel electrode M3: area of sub-pixel electrode M4 = 1: 2: 4: 8. Then, the first bit data of the 4-bit image data corresponds to the sub-pixel P1, the second bit data corresponds to the sub-pixel P2, the third bit data corresponds to the sub-pixel P3, The fourth bit data corresponds to the sub-pixel P4. Since such a sub-pixel electrode has a size corresponding to the weighting of the digital signal, it is possible to display 16 gradations according to the digital image data. In addition,
The electrode area of the sub-pixel electrode is the area of a portion that effectively contributes to the modulation of light. For example, in the case of a transmission type, it means the effective area of the electrode area excluding the area of the portion covered with the light shield. I do.

【0070】また、各単位画素45は、走査線GLが副
画素毎に個別に配線されると共に、信号線SLが副画素
全てに共通に配線された配線構造となっている。なお、
副画素の配線構造としては、上記配線構造に限らず、信
号線SLを副画素毎に配線し、かつ、走査線GLを副画
素全てに共通に配線する配線構造としてもよい。但し、
そのような配線構造を、フルカラー表示の液晶表示装置
におけるR、G、Bの副画素の配線構造に適用した場合
に、配線の接続本数が増大し、接続ピン数の飛躍的な増
大に起因した接続不良の増大、更には表示欠陥等の画質
の低下の発生を招くおそれがある。この点に関して、本
実施の形態の配線構造であれば、フルカラー表示の液晶
表示装置におけるR、G、Bの副画素の配線構造に適用
しても、配線の接続本数がそれ程増大しないため、上記
問題を解消することが可能となる。
Each unit pixel 45 has a wiring structure in which the scanning line GL is individually wired for each sub-pixel, and the signal line SL is commonly wired to all the sub-pixels. In addition,
The wiring structure of the sub-pixel is not limited to the above-described wiring structure, but may be a wiring structure in which the signal line SL is wired for each sub-pixel and the scanning line GL is commonly wired to all the sub-pixels. However,
When such a wiring structure is applied to a wiring structure of R, G, and B sub-pixels in a full-color display liquid crystal display device, the number of connection lines increases, resulting in a dramatic increase in the number of connection pins. There is a possibility that an increase in connection failure and further a decrease in image quality such as a display defect may occur. In this regard, in the case of the wiring structure according to the present embodiment, even when applied to the wiring structure of the R, G, and B sub-pixels in the liquid crystal display device for full-color display, the number of connected wires does not increase so much. The problem can be solved.

【0071】また、本実施の形態2における液晶表示装
置は、実施の形態1と同様に容量結合駆動方式(対向電
極電位一定)が用いられる。具体的な構成について説明
すると、電圧制御容量配線26は単位画素45毎に配線
されており、この電圧制御容量配線26に接続される共
通接続線30を介して、前記各電圧制御容量C1〜C4
の一方の電極がそれぞれ電圧制御容量配線26に接続さ
れた構造となっている。これにより、突き抜け電圧に起
因した表示品位の低下を防止することができる。また、
このような独立した電圧制御容量配線26を設けること
により、走査線に走査信号と補償電圧を重畳する構成
(例えば特開平2−157815号公報)に比べて、走
査側駆動回路21の低電圧化が可能となる。
In the liquid crystal display device according to the second embodiment, the capacitive coupling driving method (constant counter electrode potential) is used as in the first embodiment. Explaining a specific configuration, the voltage control capacitance wiring 26 is wired for each unit pixel 45, and the respective voltage control capacitances C1 to C4 are connected via a common connection line 30 connected to the voltage control capacitance wiring 26.
Are connected to the voltage control capacitor wiring 26, respectively. Thus, it is possible to prevent a decrease in display quality due to the penetration voltage. Also,
By providing such an independent voltage control capacitor wiring 26, the voltage of the scanning side drive circuit 21 can be reduced as compared with a configuration in which a scanning signal and a compensation voltage are superimposed on a scanning line (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-157815). Becomes possible.

【0072】なお、後述するように、補償電圧印加用駆
動回路23は、図14に示すように、単位画素を構成す
る全ての副画素の書き込み終了後に補償電圧信号を変化
させて、各副画素の画素電極電位を一括して変調させる
ように構成されている。これにより、例えば、副画素毎
に電圧制御容量配線26を配線し、且つ電圧制御容量C
1〜C4をそれぞれ電圧制御容量配線26に個別に接続
した構造に比べて、電圧制御容量配線26の配線数が少
なくて済み、このため、開口率の向上及び駆動制御の簡
素化を図ることができる。また、1水平走査周波数(こ
こで、1水平走査とは、本実施の形態のような容量結合
駆動方式においては、副画素の書き込み終了後に補償電
圧を変化させて副画素電極の電位を変調させることを意
味する。)が小さくなり、消費電力の低減を図ることが
できる。更に、本実施の形態のような容量結合方式を用
いる駆動方法にあっては、各副画素毎に反転駆動する
(1つの副画素を通常の1つの画素と見なせば、1H反
転駆動に相当する)と、容量結合に起因して階調特性
(γ特性)が直線的にならず、凹凸状の非線形なものと
なる。従って、表示品位の劣化を招く。この点に関し
て、本実施の形態のように、単位画素毎に反転駆動(1
つの副画素を通常の1つの画素と見なせば、4H反転駆
動に相当する)することにより、γ特性の直線性を高め
ることができ、表示品位の向上を図ることができる。
As will be described later, as shown in FIG. 14, the compensation voltage applying drive circuit 23 changes the compensation voltage signal after the completion of the writing of all the sub-pixels constituting the unit pixel, as shown in FIG. The pixel electrode potential is modulated at a time. Thereby, for example, the voltage control capacitor wiring 26 is wired for each sub-pixel and the voltage control capacitor C
Compared with a structure in which 1 to C4 are individually connected to the voltage control capacitance wiring 26, the number of wirings of the voltage control capacitance wiring 26 can be reduced, so that an aperture ratio can be improved and drive control can be simplified. it can. In addition, one horizontal scanning frequency (here, one horizontal scanning means that in the capacitive coupling driving method of this embodiment, the compensation voltage is changed after the writing of the subpixel is completed to modulate the potential of the subpixel electrode. ) Is reduced, and power consumption can be reduced. Further, in the driving method using the capacitive coupling method as in the present embodiment, inversion driving is performed for each sub-pixel (equivalent to 1H inversion driving when one sub-pixel is regarded as one ordinary pixel). ), The gradation characteristic (γ characteristic) is not linear due to the capacitive coupling, and becomes uneven and non-linear. Therefore, display quality is deteriorated. In this regard, as in the present embodiment, the inversion drive (1
If one sub-pixel is regarded as one normal pixel, it corresponds to 4H inversion driving), so that the linearity of the γ characteristic can be improved and the display quality can be improved.

【0073】なお、補償電圧印加用駆動回路23に代え
て、走査側駆動回路21に補償電圧印加機能を持たせる
と共に、走査側駆動回路21に電圧制御容量配線26を
接続するようにしてもよく、このようにすれば補償電圧
印加用駆動回路23の分だけ回路面積を小さくすること
ができる。
Instead of the compensation voltage applying drive circuit 23, the scan side drive circuit 21 may be provided with a compensation voltage applying function, and the scanning side drive circuit 21 may be connected to the voltage control capacitor wiring 26. By doing so, the circuit area can be reduced by the compensation voltage application drive circuit 23.

【0074】ここで、副画素電極の面積比が1:2:
4:8とされていることから、電圧制御容量もそれに応
じた容量値となるように構成されている。即ち、電圧制
御容量C1の値:電圧制御容量C2の値:電圧制御容量
C3の値:電圧制御容量C4の値=1:2:4:8とさ
れている。これにより、画素電極電位の変動を小さく抑
えることができ、良好な画質を得ることが可能となる。
Here, the area ratio of the sub-pixel electrodes is 1: 2:
Since the ratio is set to 4: 8, the voltage control capacitance is also configured to have a capacitance value corresponding thereto. That is, the value of the voltage control capacitor C1: the value of the voltage control capacitor C2: the value of the voltage control capacitor C3: the value of the voltage control capacitor C4 = 1: 2: 4: 8. As a result, fluctuations in the pixel electrode potential can be suppressed to a small level, and good image quality can be obtained.

【0075】更に、各副画素トランジスタTr1〜Tr
4は、ON電流の能力がデジタル画像信号の重み付けに
対応した大きさに設定されている。具体的には、本実施
の形態では、各副画素トランジスタTr1〜Tr4のチ
ャネル幅が副画素の電極の大きさに対応する大きさ、即
ち、1:2:4:8のチャネル幅比となっている。この
ような構成により、適切に書き込むことが可能となる。
なお、各副画素トランジスタTr1〜Tr4のチャネル
幅を異ならせるのに代えて、チャネル長をデジタル画像
信号の重み付けに対応した大きさとなるように設定して
もよい。また、チャネル幅とチャネル長さの両者を異な
らせ、ON電流の能力をデジタル画像信号の重み付けに
対応した大きさになるように設定してもよい。
Further, each of the sub-pixel transistors Tr1 to Tr
In No. 4, the ON current capability is set to a magnitude corresponding to the weighting of the digital image signal. Specifically, in the present embodiment, the channel width of each of the sub-pixel transistors Tr1 to Tr4 has a size corresponding to the size of the electrode of the sub-pixel, that is, a channel width ratio of 1: 2: 4: 8. ing. With such a configuration, writing can be appropriately performed.
Instead of making the channel widths of the sub-pixel transistors Tr1 to Tr4 different, the channel length may be set to have a size corresponding to the weight of the digital image signal. Alternatively, both the channel width and the channel length may be different so that the capability of the ON current is set to a value corresponding to the weight of the digital image signal.

【0076】図11は信号側駆動回路の具体的な構成を
示すブロック回路図である。本実施の形態2に係る信号
側駆動回路22Aは、シフトレジスタ40と、デジタル
画像信号をラッチする第1ラッチ回路41と、第1ラッ
チ回路の出力をラッチする第2ラッチ回路42と、例え
ばEX−ORによって実現される極性反転回路43とか
ら構成されている。この信号側駆動回路22Aは、上記
実施の形態1の信号側駆動回路22と同様に、多結晶シ
リコン半導体で構成されて、副画素トランジスタTr1
〜Tr4の製造プロセス時に同時にアクティブ基板28
に一体的に作り込まれた内蔵回路である。
FIG. 11 is a block circuit diagram showing a specific configuration of the signal side drive circuit. The signal-side drive circuit 22A according to the second embodiment includes a shift register 40, a first latch circuit 41 that latches a digital image signal, a second latch circuit 42 that latches an output of the first latch circuit, and, for example, EX. And a polarity inversion circuit 43 implemented by an OR. The signal-side drive circuit 22A is made of a polycrystalline silicon semiconductor, similarly to the signal-side drive circuit 22 of the first embodiment, and includes a sub-pixel transistor Tr1.
Active substrate 28 at the same time as the manufacturing process of Tr4.
This is a built-in circuit integrated into the

【0077】図12は画像データのデータ列を示す図で
あり、図13は副画素の配置状態を模式的に示す図であ
り、図14は画素電極電位の変位のタイミングチャート
である。図5において、(i,j)はi番目の信号線S
Liとj番目の走査線GLjに関する副画素を示してい
る。なお、一例としてVGA対応(640×480画
素)の液晶パネル構成を示する。勿論、副画素はその面
積がデジタル信号の重み付けに対応した大きさとなって
おり、副画素が同一の大きさであるとして描かれた図1
3の配置状態は実際の配置状態とは異なる。しかし、表
示動作の説明としては、全体の副画素のうちのどの副画
素かを信号線SLと走査線GLとにより特定できれば十
分であるため、図13の模式図を用いることにする。ま
た、図14(a)は第n番目の画素に関するタイミン
グ、図14(b)は第n+1番目の画素に関するタイミ
ングを示している。
FIG. 12 is a diagram showing a data string of image data, FIG. 13 is a diagram schematically showing an arrangement state of sub-pixels, and FIG. 14 is a timing chart of displacement of pixel electrode potential. In FIG. 5, (i, j) indicates the ith signal line S
The sub-pixels for Li and the j-th scanning line GLj are shown. As an example, a liquid crystal panel configuration compatible with VGA (640 × 480 pixels) is shown. Of course, the area of the sub-pixel has a size corresponding to the weight of the digital signal, and FIG. 1 in which the sub-pixel is drawn as the same size.
The arrangement state of No. 3 is different from the actual arrangement state. However, for the description of the display operation, it is sufficient to specify which sub-pixel of the whole sub-pixels by the signal line SL and the scanning line GL, and therefore, the schematic diagram of FIG. 13 will be used. FIG. 14A shows the timing for the n-th pixel, and FIG. 14B shows the timing for the (n + 1) -th pixel.

【0078】先ず、画像信号は、外部のデータ変換回路
(図示せず)により、予め図12(1)に示す本来の画
像データが図12(2)に示す画像データ列に変換され
ている。即ち、第1ラッチ回路41の入力データ線に
は、図12(2)に示す画像データが供給される。図1
2(2)において、ビットデータd(i,j)は、i番
目の信号線SLiとj番目の走査線GLjに関する副画
素に関するデータを示す。図12(1),(2)より明
らかなように、1画素は4ビットデータで、この4ビッ
トデータが連続する4行毎の1ラインデータに振り分け
られている。例えば、副画素(1,1),副画素(1,
2),副画素(1,3),副画素(1,4)で構成され
る画素[1,1]を例にして説明すると、副画素(1,
1)に関するビットデータd(1,1)は第1ラインデ
ータ列に、副画素(1,2)に関するビットデータd
(1,2)は第2ラインデータ列に、副画素(1,3)
に関するビットデータd(1,3)は第3ラインデータ
列に、副画素(1,4)に関するビットデータd(1,
4)は第4ラインデータ列に振り分けられ、且つ、各第
1〜第4ラインデータ列の第1番目のビットデータとさ
れている。このような単位画素に関する4ビット画像デ
ータの振り分けは、他の単位画素に関しても行われてい
る。
First, in the image signal, the original image data shown in FIG. 12A is previously converted into an image data sequence shown in FIG. 12B by an external data conversion circuit (not shown). That is, the image data shown in FIG. 12B is supplied to the input data line of the first latch circuit 41. Figure 1
In 2 (2), the bit data d (i, j) indicates data relating to sub-pixels relating to the i-th signal line SLi and the j-th scanning line GLj. As is clear from FIGS. 12A and 12B, one pixel is 4-bit data, and the 4-bit data is distributed to one line data for every four consecutive rows. For example, the sub-pixel (1, 1), the sub-pixel (1,
2), the pixel [1,1] composed of the sub-pixel (1,3) and the sub-pixel (1,4) will be described as an example.
The bit data d (1,1) for the sub-pixel (1,2) is stored in the first line data column.
(1, 2) is a sub-pixel (1, 3) in the second line data string.
The bit data d (1,3) related to the sub-pixel (1,4) is stored in the third line data column.
4) is assigned to the fourth line data string and is the first bit data of each of the first to fourth line data strings. Such distribution of the 4-bit image data for the unit pixel is also performed for other unit pixels.

【0079】先ず、入力データ線に図12(2)に示す
画像データが供給されると、これと同期してラッチパル
スがシフトレジスタ40から順次出力される。これによ
り、第1ラインデータの各ビットデータが順次第1ラッ
チ回路41にラッチされる。こうして、1ラインデータ
の各ビットデータが第1ラッチ回路41にラッチされた
後、ラッチパルスが全ての第2ラッチ回路42に共通に
供給される。これにより、第1ラッチ回路41からライ
ンデータが第2ラッチ回路42にラッチされるととも
に、信号線SL…を介して液晶表示部20に出力され
る。これと同期して、第1走査線GL1が選択される。
これにより、第1ラインデータが、第1走査線GL1に
接続される各副画素電極に書き込まれる。次いで、同様
の動作により、第2ラインデータ、第3ラインデータ、
第4ラインデータが書き込まれていく。そして、第4ラ
インデータの書き込み完了後(即ち、第1行に属する単
位画素の書き込み完了後)、図14(a)に示すよう
に、電圧制御容量配線26を介して補償電圧が高電位側
にシフトする。これにより、第1行に属する単位画素の
画素電極電位が所定電位に変調される。この結果、第1
行に属する単位画素は、対向電極電位Vcに対して正極
性で印加されることになる。
First, when the image data shown in FIG. 12B is supplied to the input data line, a latch pulse is sequentially output from the shift register 40 in synchronization with the image data. Thus, each bit data of the first line data is sequentially latched by the first latch circuit 41. After each bit data of one line data is thus latched by the first latch circuit 41, a latch pulse is supplied to all the second latch circuits 42 in common. As a result, the line data is latched by the second latch circuit 42 from the first latch circuit 41 and output to the liquid crystal display unit 20 via the signal lines SL. In synchronization with this, the first scanning line GL1 is selected.
Thereby, the first line data is written to each sub-pixel electrode connected to the first scanning line GL1. Next, by the same operation, the second line data, the third line data,
The fourth line data is written. Then, after the writing of the fourth line data is completed (that is, after the writing of the unit pixels belonging to the first row is completed), as shown in FIG. Shift to Thereby, the pixel electrode potential of the unit pixel belonging to the first row is modulated to a predetermined potential. As a result, the first
The unit pixels belonging to the row are applied with a positive polarity with respect to the counter electrode potential Vc.

【0080】また、このとき、画素[1,1]に着目す
れば、第1ラインの書き込みにより、副画素(1,1)
にビットデータd(1,1)が書き込まれる。同様にし
て、第2ライン〜第4ラインの書き込みにより、副画素
(1,2)にビットデータd(1,2)が書き込まれ、
副画素(1,3)にビットデータd(1,3)が書き込
まれ、副画素(1,4)にビットデータd(1,4)が
書き込まれる。次いで、補償電圧の高電位側のシフトに
より、ビットデータd(1,1)〜ビットデータd
(1,4)に対応した副画素電極電位に変調されて表示
され、画素[1,1]は所定の階調で表示されることに
なる。
At this time, if attention is paid to the pixel [1, 1], the sub-pixel (1, 1) is written by writing the first line.
Is written with bit data d (1, 1). Similarly, by writing the second to fourth lines, bit data d (1, 2) is written to the sub-pixel (1, 2),
Bit data d (1,3) is written to the sub-pixel (1,3), and bit data d (1,4) is written to the sub-pixel (1,4). Next, the bit data d (1, 1) to bit data d are shifted by shifting the compensation voltage on the high potential side.
The image is modulated and displayed on the sub-pixel electrode potential corresponding to (1, 4), and the pixel [1, 1] is displayed with a predetermined gradation.

【0081】例えば、ビットデータd(1,1)=
「1」、ビットデータd(1,2)=「0」、ビットデ
ータd(1,3)=「0」、ビットデータd(1,4)
=「0」の場合は、副画素(1,1)のみがONで、副
画素(1,2)、副画素(1,3)、及び副画素(1,
4)は、OFFとなる。従って、画素[1,1]は16
階調のうちレベル1の明るさで表示されることになる。
また、例えば、ビットデータd(1,1)=「1」、ビ
ットデータd(1,2)=「1」、ビットデータd
(1,3)=「0」、ビットデータd(1,4)=
「0」の場合は、副画素(1,1)及び副画素(1,
2)がONで、副画素(1,3)及び副画素(1,4)
はOFFとなる。従って、画素[1,1]は16階調の
うちレベル3の明るさで表示されることになる。上記の
例は画素[1,1]について説明したけれども、他の画
素についても同様な表示動作が行われ、所定の階調レベ
ルの明るさで表示される。こうして、映像信号に応じた
階調表示が行われる。
For example, if bit data d (1, 1) =
“1”, bit data d (1, 2) = “0”, bit data d (1, 3) = “0”, bit data d (1, 4)
= “0”, only the sub-pixel (1, 1) is ON, and the sub-pixels (1, 2), (1, 3), and (1, 1)
4) is OFF. Therefore, pixel [1, 1] is 16
The image is displayed at the brightness of level 1 among the gradations.
Further, for example, bit data d (1, 1) = “1”, bit data d (1, 2) = “1”, bit data d
(1,3) = “0”, bit data d (1,4) =
In the case of “0”, the sub-pixel (1, 1) and the sub-pixel (1,
2) is ON, sub-pixel (1, 3) and sub-pixel (1, 4)
Becomes OFF. Therefore, the pixel [1, 1] is displayed with the brightness of level 3 out of 16 gradations. Although the above example describes the pixel [1, 1], the same display operation is performed for the other pixels, and the display is performed with the brightness of the predetermined gradation level. Thus, gradation display according to the video signal is performed.

【0082】次いで、第5〜第8ラインデータの書き込
み、即ち、第2行に属する単位画素の書き込みが行われ
る。この第5〜第8ラインデータの書き込みは、基本的
には上記第1〜第4ラインデータの書き込み動作と同様
である。但し、第5〜第8ラインデータの書き込み完了
後(即ち、第2行に属する単位画素の書き込み完了
後)、図14(b)に示すように、電圧制御容量配線2
6を介して補償電圧が低電位側にシフトする。これによ
り、第2行に属する単位画素の画素電極電位が所定電位
に変調される。この結果、第2行に属する単位画素は、
対向電極電位Vcに対して負極性で印加されることにな
る。
Next, writing of the fifth to eighth line data, that is, writing of the unit pixels belonging to the second row is performed. The writing of the fifth to eighth line data is basically the same as the writing operation of the first to fourth line data. However, after the completion of the writing of the fifth to eighth line data (that is, after the completion of the writing of the unit pixels belonging to the second row), as shown in FIG.
6, the compensation voltage shifts to the lower potential side. Thereby, the pixel electrode potential of the unit pixel belonging to the second row is modulated to a predetermined potential. As a result, the unit pixels belonging to the second row are:
This is applied with a negative polarity with respect to the counter electrode potential Vc.

【0083】以下、同様な動作が行われ、4ライン毎に
極性が変化する4H反転駆動が行われる(単位画素につ
いて見れば、単位画素毎に極性反転駆動することにな
る)。従って、フリッカーの発生を防止することができ
る。
Thereafter, the same operation is performed, and 4H inversion driving in which the polarity changes every four lines is performed (in terms of unit pixels, the polarity inversion driving is performed for each unit pixel). Therefore, generation of flicker can be prevented.

【0084】なお、上記の例では、4ビット(16階
調)の例について説明したけれども、本発明はこれに限
定されるものではなく、単位画素を5個、6個あるいは
それ以上の個数の副画素から構成し、5ビット(32階
調)、6ビット(64階調)あるいはその他の多階調表
示を行うようにしてもよい。
In the above example, an example of 4 bits (16 gradations) has been described. However, the present invention is not limited to this, and the number of unit pixels is 5, 6, or more. It may be constituted by sub-pixels, and may perform 5-bit (32 gradation), 6-bit (64 gradation) or other multi-gradation display.

【0085】また、上記の例では、白黒表示の液晶表示
装置について説明したけれども、R(赤色)G(緑色)
B(青色)の副画素を有するフルカラー表示の液晶表示
装置についても本発明は適用することができる。フルカ
ラー表示の液晶表示装置に適用する場合は、単位画素4
5・45・45をRGBの副画素とし、単位画素45・
45・45の3つにより1画素を構成するようにして、
水平方向(液晶表示パネルの横方向)に並ぶ単位画素を
それぞれRGBの副画素に振り分けるように構成すれば
よい。
In the above example, the liquid crystal display device for displaying black and white has been described, but R (red) G (green)
The present invention is also applicable to a full-color display liquid crystal display device having B (blue) sub-pixels. When applied to a full-color display liquid crystal display device, the unit pixel 4
5.45.45 are RGB sub-pixels, and the unit pixel 45.45
One pixel is constituted by three of 45 and 45,
It is sufficient that the unit pixels arranged in the horizontal direction (the horizontal direction of the liquid crystal display panel) are respectively allocated to RGB sub-pixels.

【0086】(実施の形態3)本実施の形態3では、各
副画素毎に、電圧制御容量に加えて蓄積容量が形成され
ていることを特徴とするものである。このような構成に
より、負荷容量を大きくとることができ、画素電極電位
の良好な保持特性を向上することができる。また、これ
により、画質の向上を図ることが可能となる。以下、図
15及び図16を参照して、本実施の形態の形態を具体
的に説明する。図15は実施の形態3の液晶表示装置に
おける単位画素の構成を示す図であり、図16は1つの
副画素の等価回路図である。なお、実施の形態2に対応
する部分には、同一の参照符号を付して詳細な説明は省
略する。本実施の形態に係る液晶表示装置における副画
素P1には、電圧制御容量C1の他に、副画素電極と前
段走査線GLとの間に蓄積容量60が形成されている。
その他の副画素P2〜P4も、副画素P1と同様な構成
を有している。なお、蓄積容量60の容量値をCs1で示
すことにする。また、液晶容量27の容量値をClcと
し、電圧制御容量C1〜C4の容量値をCcとする。
(Embodiment 3) Embodiment 3 is characterized in that a storage capacitor is formed for each sub-pixel in addition to a voltage control capacitor. With such a configuration, it is possible to increase the load capacitance, and it is possible to improve the good holding characteristics of the pixel electrode potential. This also makes it possible to improve image quality. Hereinafter, an embodiment of the present embodiment will be specifically described with reference to FIGS. FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a unit pixel in the liquid crystal display device according to the third embodiment, and FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of one sub-pixel. Note that the same reference numerals are given to portions corresponding to the second embodiment, and detailed description is omitted. In the sub-pixel P1 in the liquid crystal display device according to the present embodiment, in addition to the voltage control capacitor C1, a storage capacitor 60 is formed between the sub-pixel electrode and the preceding scanning line GL.
Other sub-pixels P2 to P4 have the same configuration as sub-pixel P1. Note that the capacitance value of the storage capacitor 60 is indicated by Cs1. Further, the capacitance value of the liquid crystal capacitance 27 is represented by Clc, and the capacitance values of the voltage control capacitances C1 to C4 are represented by Cc.

【0087】従来の付加容量の構成は、電圧制御容量配
線に設ける(図17(a))か、あるいは前段の走査線
間に設ける(図17(b))かであった。これに対し本
実施の形態は、付加容量を電圧制御容量配線及び前段走
査線の両方に設ける(図17(c))構成となってい
る。これにより、液晶に付加される容量の値を大きくす
ることができ、良好な保持特性を得ることが可能とな
る。
The conventional structure of the additional capacitor is provided on the voltage control capacitor wiring (FIG. 17A) or between the scanning lines in the preceding stage (FIG. 17B). On the other hand, in the present embodiment, the additional capacitance is provided on both the voltage control capacitance wiring and the preceding scanning line (FIG. 17C). As a result, the value of the capacitance added to the liquid crystal can be increased, and good holding characteristics can be obtained.

【0088】特に、単位画素を分割して複数の副画素を
有する構成とする本実施の形態に係る液晶表示装置で
は、各副画素内に形成された電圧制御容量のみでは十分
な容量値を確保することが困難であり、従って、このよ
うな電圧制御容量に加えて蓄積容量を別途形成するよう
な構成により、必要十分な容量値を確保することが可能
となる。
In particular, in the liquid crystal display device according to the present embodiment in which a unit pixel is divided to have a plurality of sub-pixels, a sufficient capacitance value is secured only by the voltage control capacitance formed in each sub-pixel. Therefore, it is possible to secure a necessary and sufficient capacitance value by a configuration in which a storage capacitor is separately formed in addition to such a voltage control capacitor.

【0089】次に本実施の形態において最適な駆動条件
を求める。表1は、本実施の形態における最適駆動条件
の求め方を表したものである。
Next, in this embodiment, an optimum driving condition is obtained. Table 1 shows how to determine the optimum driving conditions in the present embodiment.

【表1】 [Table 1]

【0090】まず液晶パネルを駆動するために望ましい
条件を決める。本実施の形態においては電圧制御容量配
線に与える補償信号の振幅Veppを3.6Vとした。こ
れは液晶パネルのコントローラが1.8Vの電圧で駆動
される場合が多く、これより、他の信号電圧は1.8V
の整数倍で設計したほうが、電源の設計効率が有利にな
るためである。つまり、Veppが、コントローラ制御用
電圧に代表される外部より与えられる基準電圧の整数培
とすることにより、電源回路としてチャージポンプに代
表される高効率のDC/DCコンバータが使用できる。
従って、システムとしての消費電力を下げることが可能
となる。
First, desirable conditions for driving the liquid crystal panel are determined. In the present embodiment, the amplitude Vepp of the compensation signal given to the voltage control capacitor wiring is set to 3.6V. This is because the controller of the liquid crystal panel is often driven by a voltage of 1.8 V, and the other signal voltage is 1.8 V.
This is because the power supply design efficiency is more advantageous when the power supply is designed with an integral multiple of. That is, by setting Vepp to be an integer multiplication of an externally applied reference voltage represented by a controller control voltage, a highly efficient DC / DC converter represented by a charge pump can be used as a power supply circuit.
Therefore, it is possible to reduce the power consumption of the system.

【0091】次に補償電圧Veppにより液晶に印加され
るバイアス電圧の値を決める。これは液晶の電圧・透過
率特性により決定され、その値は図18に示すように、
ちょうど透過率が変化する中心点に設定すると、必要な
信号電圧の振幅値が最小となる。本実施の形態ではこの
値を1.5Vに設定した。
Next, the value of the bias voltage applied to the liquid crystal is determined by the compensation voltage Vepp. This is determined by the voltage / transmittance characteristics of the liquid crystal, and the value is, as shown in FIG.
If it is set at the center point where the transmittance changes, the amplitude value of the required signal voltage becomes minimum. In this embodiment, this value is set to 1.5V.

【0092】次に前段の走査線間に形成する蓄積容量の
値を決める。この値は走査電極の信号線幅より決定され
る。本実施の形態では走査電極の幅を6μmに設定した
ため、蓄積容量の値は0.13pFに設計した。
Next, the value of the storage capacitor formed between the preceding scanning lines is determined. This value is determined from the signal line width of the scanning electrode. In this embodiment, since the width of the scanning electrode is set to 6 μm, the value of the storage capacitance is designed to be 0.13 pF.

【0093】次に制御容量Ccの値を以下の式3に従って
決める。 Ccc={(Vbias/Vepp−Vbias)}・(Clc+Cs1) …(3) 但し、Vbiasは補償電圧の変化による画素電圧の変化
量、Veppは補償電圧信号の電圧振幅、Clcは液晶容
量、Cs1は蓄積容量である。この式3に前記値と画素電
極の大きさにより決定される液晶容量Clcを代入するこ
とにより求める。最終的にClc、Cs1及びCcの総和を求
めて、これが液晶の保持特性を満足する容量を満たすよ
うに設計を行った。本実施の形態では、TFTのオフ抵
抗を考慮して、総和が0.25pF以上となるように設
計した。
Next, the value of the control capacity Cc is determined according to the following equation (3). Ccc = {(Vbias / Vepp−Vbias)} · (Clc + Cs1) (3) where Vbias is the amount of change in the pixel voltage due to the change in the compensation voltage, Vepp is the voltage amplitude of the compensation voltage signal, Clc is the liquid crystal capacitance, and Cs1 is The storage capacity. The value is obtained by substituting the value and the liquid crystal capacitance Clc determined by the size of the pixel electrode into the equation (3). Finally, the sum of Clc, Cs1, and Cc was determined, and the design was performed so that the sum of the capacitances satisfied the liquid crystal holding characteristics. In this embodiment, the total sum is designed to be 0.25 pF or more in consideration of the off-resistance of the TFT.

【0094】この組み合わせを表2に示す。Table 2 shows this combination.

【表2】 [Table 2]

【0095】本実施の形態における液晶容量Clc、蓄積
容量Cs1、電圧制御容量Cc、全容量の総和Ctotを表2
に示された組み合わせとなるように液晶表示装置を作製
した。これにより、すべての副画素で同一のバイアス電
圧で駆動することが可能となると共に、すべての副画素
内での必要十分な保持特性を確保することが可能とな
る。なお、アクティブ基板の走査側駆動回路および信号
側駆動回路の回路素子、および、画素スイッチング素子
は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いることが好
ましい。これによって、副画素内のトランジスタの小型
化が可能となり、設計が容易となる。あわせてアクティ
ブ基板上に駆動回路を内蔵することが容易になり、コス
ト低減および小形化に寄与することができる。
Table 2 shows the liquid crystal capacitance Clc, the storage capacitance Cs1, the voltage control capacitance Cc, and the total sum Ctot of all the capacitances in the present embodiment.
The liquid crystal display device was manufactured so as to obtain the combination shown in FIG. As a result, all the sub-pixels can be driven with the same bias voltage, and the necessary and sufficient holding characteristics in all the sub-pixels can be secured. Note that a polycrystalline silicon thin film transistor is preferably used for a circuit element of the scanning driver circuit and the signal driver circuit of the active substrate and a pixel switching element. This makes it possible to reduce the size of the transistor in the sub-pixel and facilitate the design. In addition, it becomes easy to incorporate a drive circuit on the active substrate, which can contribute to cost reduction and miniaturization.

【0096】なお、上記の例では、1画素を複数の副画
素に分割しそれぞれの副画素が上記表2に示す条件を満
たすように構成したけれども、上記の電圧制御容量の値
の最適化の方法は、副画素構成でない通常の単位画素に
ついても適用することができる。
In the above example, although one pixel is divided into a plurality of sub-pixels and each sub-pixel satisfies the condition shown in Table 2, the above-described optimization of the value of the voltage control capacitance is performed. The method can be applied to a normal unit pixel which is not a sub-pixel configuration.

【0097】(実施の形態4)図19は実施の形態4の
液晶表示装置の一部構成を示すブロック図である。70
は電圧検出回路70であり、71は電源回路24からの
駆動用電源電圧の補償回路である。バッテリ12の電源
電圧レベルは電圧検出回路70によって検出され、検出
された信号は補償回路71に与えられる。これにより、
補償回路71は検出信号に応じて駆動用電源電圧のレベ
ルを補償する。このため、バッテリ12の電源電圧が変
動しても、常に所定の駆動用電源電圧が得られることに
なる。この結果、駆動回路21,22,23は、誤動作
がなく最適な状態で駆動されることになり、希望する液
晶表示が達成される。
(Embodiment 4) FIG. 19 is a block diagram showing a partial configuration of a liquid crystal display device of Embodiment 4. 70
Is a voltage detection circuit 70, and 71 is a circuit for compensating the drive power supply voltage from the power supply circuit 24. The power supply voltage level of the battery 12 is detected by the voltage detection circuit 70, and the detected signal is provided to the compensation circuit 71. This allows
The compensation circuit 71 compensates the level of the driving power supply voltage according to the detection signal. Therefore, even if the power supply voltage of the battery 12 fluctuates, a predetermined drive power supply voltage is always obtained. As a result, the drive circuits 21, 22, and 23 are driven in an optimal state without malfunction, and a desired liquid crystal display is achieved.

【0098】(実施の形態5)図20は実施の形態5に
係る表示装置の全体構成図である。この実施の形態5
は、実施の形態1に類似し、対応する部分には同一の参
照符号を付す。実施の形態5に係る表示装置は、アクテ
ィブマトリクス型EL(エレクトロルミネッセンス)表
示装置である。図20において、80はEL素子であ
り、81はEL素子80に駆動電流を供給する電流供給
線である。また、Traは画素スイッチング素子として
のスイッチングトランジスタであり、TrbはEL素子
への電流量を制御する電流制御素子として機能する駆動
用トランジスタである。本実施の形態5では、スイッチ
ングトランジスタTraおよび駆動用トランジスタTr
bのいずれもが、基板28上に形成された多結晶シリコ
ン半導体で構成される薄膜トランジスタである。なお、
電流供給線81は定電流源(図示せず)に接続されてい
る。この定電流源の駆動用電源は、電源回路24から供
給するように構成されていてもよく、また、外部の電源
回路から供給するように構成されていてもよい。
(Embodiment 5) FIG. 20 is an overall configuration diagram of a display device according to Embodiment 5. Embodiment 5
Are similar to the first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals. The display device according to the fifth embodiment is an active matrix EL (electroluminescence) display device. 20, reference numeral 80 denotes an EL element, and 81 denotes a current supply line for supplying a drive current to the EL element 80. Tra is a switching transistor as a pixel switching element, and Trb is a driving transistor that functions as a current control element for controlling the amount of current to the EL element. In the fifth embodiment, the switching transistor Tra and the driving transistor Tr
Each of b is a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on the substrate 28. In addition,
The current supply line 81 is connected to a constant current source (not shown). The power supply for driving the constant current source may be configured to be supplied from the power supply circuit 24 or may be configured to be supplied from an external power supply circuit.

【0099】このように、本発明は、液晶表示装置に限
らず、EL表示装置にも適用することができる。但し、
EL表示装置は容量結合駆動を適用できないため、上記
実施の形態の液晶表示装置における電圧制御容量、電圧
制御容量配線、補償電圧印加用駆動回路等の容量結合駆
動に関係する構成は省略される。従って、その他の副画
素構成の液晶表示装置に関する本発明は、EL表示装置
にも適用することができる。
As described above, the present invention can be applied not only to a liquid crystal display device but also to an EL display device. However,
Since the EL display device cannot apply the capacitive coupling drive, the configuration related to the capacitive coupling drive such as the voltage control capacitor, the voltage control capacitor wiring, and the compensation voltage application drive circuit in the liquid crystal display device of the above embodiment is omitted. Therefore, the present invention relating to a liquid crystal display device having another sub-pixel configuration can be applied to an EL display device.

【0100】(その他の事項)上記実施の形態では、レ
ベルシフタ回路25は、多結晶シリコン半導体で形成さ
れた内蔵回路であったけれども、単結晶シリコン半導体
で形成されたICチップでレベルシフタ回路を構成し、
基板に実装するようにしてもよい。また、上記実施の形
態では、信号側駆動回路22は、多結晶シリコン半導体
で形成された内蔵回路であったけれども、単結晶シリコ
ン半導体で形成されたICチップで信号側駆動回路を構
成し、基板に実装するようにしてもよい。このようにす
れば、内蔵回路とするよりもトランジスタの膜圧が大き
くなって容量を小さくでき、信号側駆動回路での消費電
力を低減することができる。更に、内蔵回路の場合、欠
陥不良が存在すると、リペアが不可能であるが、ICチ
ップの場合は不良のICチップのみを交換すればよく、
歩留まりが向上する。
(Other Matters) In the above embodiment, although the level shifter circuit 25 is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor, the level shifter circuit is formed of an IC chip formed of a single crystal silicon semiconductor. ,
It may be mounted on a substrate. Further, in the above embodiment, the signal-side drive circuit 22 is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor. May be implemented. This makes it possible to increase the film thickness of the transistor and reduce the capacitance as compared with the built-in circuit, thereby reducing the power consumption of the signal side driving circuit. Further, in the case of a built-in circuit, if a defect is present, repair is impossible. In the case of an IC chip, only the defective IC chip needs to be replaced.
The yield is improved.

【0101】[0101]

【発明の効果】以上のように本発明の構成によれば、以
下の効果を奏する。 (1)チャージポンプ方式の電源回路を用いることによ
り、従来例のような分圧回路が不要となり、分圧回路等
での電力ロスを低減できるとともに、電圧変換効率の優
れた電源回路を備えた低消費電力の液晶表示装置を実現
することが可能となる。 (2)電源回路を、絶縁性基板上に一体的に形成するこ
とにより、外付けの電源回路において生じる接続不良が
なくなり、信頼性が向上する。また、製造コストの低減
を図ることができる。 (3)容量結合駆動方式の液晶表示装置において、補償
電圧の電圧振幅や走査信号の電圧振幅の最適化を図るこ
とにより、消費電力を可及的に低減すると共に、表示品
位を保持し、且つ開口率を向上することが可能となる。
According to the configuration of the present invention as described above, the following effects can be obtained. (1) The use of a charge pump type power supply circuit eliminates the need for a voltage divider circuit as in the conventional example, thereby reducing power loss in the voltage divider circuit and the like and providing a power supply circuit with excellent voltage conversion efficiency. It is possible to realize a liquid crystal display device with low power consumption. (2) By integrally forming the power supply circuit on the insulating substrate, the connection failure that occurs in the external power supply circuit is eliminated, and the reliability is improved. Further, the manufacturing cost can be reduced. (3) In the liquid crystal display device of the capacitive coupling drive system, by optimizing the voltage amplitude of the compensation voltage and the voltage amplitude of the scanning signal, the power consumption is reduced as much as possible, and the display quality is maintained. The aperture ratio can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯
電話機1の電気的構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a mobile phone 1 including a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】図2は実施の形態1に係る液晶表示装置の全体
構成図である。
FIG. 2 is an overall configuration diagram of the liquid crystal display device according to the first embodiment.

【図3】図3は実施の形態1に係る液晶表示装置の駆動
波形図である。
FIG. 3 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device according to the first embodiment.

【図4】図4はチャージポンプ方式の電源回路の具体的
な回路図である。
FIG. 4 is a specific circuit diagram of a charge pump type power supply circuit.

【図5】図5は電源回路のチャージポンプ動作原理を説
明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the principle of charge pump operation of the power supply circuit.

【図6】図6はVbiasの範囲を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a range of Vbias.

【図7】図7はVbiasが右側にシフトした状態を示すグ
ラフである。
FIG. 7 is a graph showing a state where Vbias has shifted to the right.

【図8】図8は走査信号の電圧振幅Vgppの範囲を示す
図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a range of a voltage amplitude Vgpp of a scanning signal.

【図9】図9は実施の形態2に係る液晶表示装置の全体
構成図である。
FIG. 9 is an overall configuration diagram of a liquid crystal display device according to a second embodiment.

【図10】図10は実施の形態2に係る液晶表示装置の
単位画素の構成を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a unit pixel of a liquid crystal display device according to a second embodiment.

【図11】図11は実施の形態2に係る液晶表示装置の
信号側駆動回路の具体的な構成を示すプロック回路図で
ある。
FIG. 11 is a block circuit diagram showing a specific configuration of a signal-side drive circuit of the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図12】図12は実施の形態2に係る液晶表示装置に
おける画像データのデータ列を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a data string of image data in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図13】図13は実施の形態2に係る液晶表示装置の
副画素の配置状態を模式的に示す図であり、
FIG. 13 is a diagram schematically showing an arrangement state of sub-pixels of the liquid crystal display device according to the second embodiment;

【図14】図14は実施の形態2に係る液晶表示装置に
おける画素電極電位の変位のタイミングチャートであ
る。
FIG. 14 is a timing chart of displacement of a pixel electrode potential in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図15】図15は実施の形態3に係る液晶表示装置に
おける単位画素の構成を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration of a unit pixel in a liquid crystal display device according to a third embodiment.

【図16】図16は実施の形態3に係る液晶表示装置に
おける1つの副画素の等価回路図である。
FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of one sub-pixel in the liquid crystal display device according to the third embodiment.

【図17】図17は実施の形態3と従来例におけるそれ
ぞれの容量構成図であり、図17(a)、(b)は従来
例の容量構成図であり、図17(c)は本発明の容量構
成図である。
FIGS. 17A and 17B are capacitance configuration diagrams of Embodiment 3 and a conventional example, respectively. FIGS. 17A and 17B are capacitance configuration diagrams of a conventional example, and FIG. FIG.

【図18】図18は実施の形態3に係る液晶表示装置の
駆動波形図である。
FIG. 18 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device according to the third embodiment.

【図19】図19は実施の形態4に係る液晶表示装置の
一部構成を示すブロック図である。
FIG. 19 is a block diagram showing a partial configuration of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.

【図20】図20は実施の形態5に係る液晶表示装置の
構成図である。
FIG. 20 is a configuration diagram of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.

【図21】図21は従来例の電源回路の構成を示す回路
図である。
FIG. 21 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional power supply circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 :液晶表示装置 12 :バッテリ 20 :液晶表示部 21 :走査側駆動回路 22,22A :信号側駆動回路 23 :補償電圧印加用駆動回路 24 :電源回路 25 :レベルシフタ回路 26 :補償電圧印加用信号配線 28 :アクティブ基板 45 :単位画素 80 :EL素子 CP1〜CP3 :チャージポンプ回路 VDD :基準基準電源電圧 Tr,Tra :画素スイッチング素子 Trb :駆動用トランジスタ(電流制御素子) Tr1〜Tr4 :副画素トランジスタ Cs,C1〜C4 :電圧制御容量 M :副画素電極 M1〜M4 :副画素電極 P1〜P4 :副画素 SL :信号線 GL :走査線 Reference Signs List 11: liquid crystal display device 12: battery 20: liquid crystal display unit 21: scanning side drive circuit 22, 22A: signal side drive circuit 23: drive circuit for applying a compensation voltage 24: power supply circuit 25: level shifter circuit 26: signal for applying a compensation voltage Wiring 28: Active substrate 45: Unit pixel 80: EL element CP1 to CP3: Charge pump circuit VDD: Reference reference power supply voltage Tr, Tra: Pixel switching element Trb: Driving transistor (current control element) Tr1 to Tr4: Sub-pixel transistor Cs, C1 to C4: voltage control capacitance M: subpixel electrode M1 to M4: subpixel electrode P1 to P4: subpixel SL: signal line GL: scanning line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/133 520 G02F 1/133 520 1/1368 1/1368 G09G 3/30 G09G 3/30 Z 3/36 3/36 H04N 5/66 102 H04N 5/66 102Z (72)発明者 竹橋 信逸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H092 GA40 JA24 JB61 KA04 NA26 2H093 NA16 NA31 NA51 NC01 NC11 NC21 NC22 NC26 NC28 NC34 NC50 NC58 ND39 5C006 AA12 AF46 AF84 BB16 BC20 BF42 BF46 FA18 FA41 FA47 5C058 AA06 AB00 BA01 BA26 BB25 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 DD26 EE28 FF03 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 KK07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/133 520 G02F 1/133 520 1/1368 1/1368 G09G 3/30 G09G 3/30 Z 3 / 36 3/36 H04N 5/66 102 H04N 5/66 102Z (72) Inventor Shinbashi Takehashi 1006 Odakadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F term (reference) 2H092 GA40 JA24 JB61 KA04 NA26 2H093 NA16 NA31 NA51 NC01 NC11 NC21 NC22 NC26 NC28 NC34 NC50 NC58 ND39 5C006 AA12 AF46 AF84 BB16 BC20 BF42 BF46 FA18 FA41 FA47 5C058 AA06 AB00 BA01 BA26 BB25 5C080 AA06 AA10 BB05 DD03 DD26 EE28 FF03 FF11 JJ02 JJ03 JJ03 JJ03 JJ03 JJ03 JJ02 JJ03 JJ02 JJ03

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素スイッチング素子と画素電極とを有
する単位画素がマトリクス状に配列された表示部と、 走査線に走査信号を供給する走査側駆動回路と、 信号線に画像信号を供給する信号側駆動回路と、 基準電源電圧を入力し、基準電源電圧から前記走査側駆
動回路および前記信号側駆動回路の駆動用電源電圧を生
成し、この駆動用電源電圧を前記走査側駆動回路および
前記信号側駆動回路に供給する電源回路と、を備え、 前記画素スイッチング素子は、絶縁性基板上に形成され
た多結晶シリコン半導体で構成される薄膜トランジスタ
であり、 前記電源回路は、チャージポンプ方式の電源回路であ
り、 更に、この電源回路は、多結晶シリコン半導体で構成さ
れ、前記絶縁性基板上に一体的に形成された内蔵回路で
あることを特徴とする表示装置。
1. A display unit in which unit pixels each having a pixel switching element and a pixel electrode are arranged in a matrix, a scanning driver circuit for supplying a scanning signal to a scanning line, and a signal for supplying an image signal to a signal line. A side drive circuit, a reference power supply voltage, and a drive power supply voltage for the scan side drive circuit and the signal side drive circuit is generated from the reference power supply voltage. The drive power supply voltage is used for the scan side drive circuit and the signal. And a power supply circuit for supplying a power supply circuit to the side drive circuit, wherein the pixel switching element is a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on an insulating substrate; and the power supply circuit is a charge pump power supply circuit. Further, the power supply circuit is a built-in circuit formed of a polycrystalline silicon semiconductor and integrally formed on the insulating substrate. Display device.
【請求項2】 前記表示部が液晶表示部である請求項1
記載の表示装置。
2. The liquid crystal display according to claim 1, wherein the display is a liquid crystal display.
The display device according to the above.
【請求項3】 前記表示部は、EL素子の発光により表
示を行うEL表示部であり、このEL表示部の単位画素
は、前記画素スイッチング素子および前記画素電極に加
えて、EL素子への電流量を制御する電流制御素子を有
し、 この電流制御素子は、前記絶縁性基板上に形成された多
結晶シリコン半導体で構成される薄膜トランジスタであ
る請求項1記載の表示装置。
3. The display section is an EL display section that performs display by emitting light from an EL element, and a unit pixel of the EL display section includes a current supplied to the EL element in addition to the pixel switching element and the pixel electrode. The display device according to claim 1, further comprising a current control element for controlling an amount, wherein the current control element is a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on the insulating substrate.
【請求項4】 前記各単位画素は、一方の電極が前記画
素電極に接続される電圧制御容量と、この電圧制御容量
の他方の電極に接続され補償電圧信号を供給する電圧制
御容量配線とを有し、 前記電圧制御容量配線は、それぞれ前記画素への書き込
み終了後に前記補償電圧信号の電位を変化させて画素電
極の電位を変調させる補償電圧印加用駆動回路に接続さ
れ、 前記電源回路は、前記走査側駆動回路および前記信号側
駆動回路の駆動用電源電圧に加えて、前記補償電圧印加
用駆動回路に供給する駆動用電源電圧をも生成する請求
項2記載の表示装置。
4. Each of the unit pixels includes a voltage control capacitor having one electrode connected to the pixel electrode, and a voltage control capacitor line connected to the other electrode of the voltage control capacitor and supplying a compensation voltage signal. The voltage control capacitance wiring is connected to a compensation voltage application drive circuit that modulates the potential of the pixel electrode by changing the potential of the compensation voltage signal after the completion of writing to the pixel. 3. The display device according to claim 2, wherein a driving power supply voltage to be supplied to the compensation voltage applying driving circuit is also generated in addition to a driving power supply voltage of the scanning side driving circuit and the signal side driving circuit.
【請求項5】 前記電圧制御容量の容量値をCsとする
と、Csが以下の第1式を満たす請求項4記載の表示装
置。 Cs=(Vbias/Vepp)・Ctot …(1) 但し、Vbiasは補償電圧の変化による画素電圧の変化、
Veppは補償電圧信号の電圧振幅、Ctotは電圧制御容量
と寄生容量と液晶容量の総和である。
5. The display device according to claim 4, wherein Cs satisfies the following first expression, where Cs is a capacitance value of the voltage control capacitor. Cs = (Vbias / Vepp) · Ctot (1) where Vbias is a change in pixel voltage due to a change in compensation voltage,
Vepp is the voltage amplitude of the compensation voltage signal, and Ctot is the sum of the voltage control capacitance, the parasitic capacitance, and the liquid crystal capacitance.
【請求項6】 前記補償電圧信号の電圧振幅Veppが、
前記電源回路に入力された基準電源電圧のn倍(nは自
然数とする)で表され、このときnは、1≦n≦4の範
囲に設定されている請求項5記載の表示装置。
6. The voltage amplitude Vepp of the compensation voltage signal is
6. The display device according to claim 5, wherein the display device is represented by n times (n is a natural number) of a reference power supply voltage input to the power supply circuit, wherein n is set in a range of 1 ≦ n ≦ 4.
【請求項7】 前記走査信号の電圧振幅は前記基準電源
電圧のm倍(mは自然数とする)とされ、このときのm
は、走査信号の電圧振幅が、前記単位画素に画像信号を
書き込むことが可能な電圧範囲内で最小の電圧値になる
ような値に設定されている請求項6記載の表示装置。
7. The voltage amplitude of the scanning signal is set to m times the reference power supply voltage (m is a natural number).
7. The display device according to claim 6, wherein a voltage amplitude of the scanning signal is set to a value that is a minimum voltage value within a voltage range in which an image signal can be written to the unit pixel.
【請求項8】 単位画素がマトリクス状に配列された表
示部と、 走査線に走査信号を供給する走査側駆動回路と、 信号線にデジタル画像信号を供給する信号側駆動回路
と、 基準電源電圧を入力し、基準電源電圧から前記走査側駆
動回路および前記信号側駆動回路の駆動用電源電圧を生
成し、この駆動用電源電圧を前記走査側駆動回路および
前記信号側駆動回路に供給する電源回路と、を備え、 前記単位画素は複数の副画素に分割され、 各副画素は、それぞれ個別に、副画素電極と、絶縁性基
板上に形成された多結晶シリコン半導体で構成される薄
膜トランジスタからなる副画素スイッチング素子とを有
し、 前記電源回路は、チャージポンプ方式の電源回路であ
り、 更に、この電源回路は、多結晶シリコン半導体で構成さ
れ、前記絶縁性基板上に一体的に形成された内蔵回路で
あることを特徴とする表示装置。
8. A display unit in which unit pixels are arranged in a matrix, a scanning drive circuit for supplying a scan signal to a scan line, a signal drive circuit for supplying a digital image signal to a signal line, and a reference power supply voltage. Power supply circuit for generating a drive power supply voltage for the scanning side drive circuit and the signal side drive circuit from a reference power supply voltage, and supplying the drive power supply voltage to the scan side drive circuit and the signal side drive circuit Wherein the unit pixel is divided into a plurality of sub-pixels, and each sub-pixel is individually formed of a sub-pixel electrode and a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on an insulating substrate. A sub-pixel switching element; the power supply circuit is a charge pump type power supply circuit; and the power supply circuit is made of a polycrystalline silicon semiconductor; Display device, characterized in that the internal circuit integrally formed thereon.
【請求項9】 前記表示部が液晶表示部である請求項8
記載の表示装置。
9. The liquid crystal display according to claim 8, wherein the display is a liquid crystal display.
The display device according to the above.
【請求項10】 前記表示部は、EL素子の発光により
表示を行うEL表示部であり、このEL表示部の副画素
は、前記副画素スイッチング素子および前記副画素電極
に加えて、EL素子への電流量を制御する電流制御素子
を有し、 この電流制御素子は、前記絶縁性基板上に形成された多
結晶シリコン半導体で構成される薄膜トランジスタであ
る請求項8記載の表示装置。
10. The display unit is an EL display unit that performs display by emitting light from an EL element. A sub-pixel of the EL display unit is connected to an EL element in addition to the sub-pixel switching element and the sub-pixel electrode. 9. The display device according to claim 8, further comprising a current control element for controlling the amount of current, wherein the current control element is a thin film transistor formed of a polycrystalline silicon semiconductor formed on the insulating substrate.
【請求項11】 前記単位画素内における副画素電極の
面積が、それぞれ前記デジタル画像信号の重み付けに対
応した大きさに形成されている請求項8記載の表示装
置。
11. The display device according to claim 8, wherein the area of the sub-pixel electrode in the unit pixel is formed to have a size corresponding to the weight of the digital image signal.
【請求項12】 前記走査線が副画素毎に配線され、前
記信号線が副画素全てに共通に配線された配線構造を有
する請求項8記載の表示装置。
12. The display device according to claim 8, wherein the scanning line is wired for each sub-pixel, and the signal line has a wiring structure commonly wired to all the sub-pixels.
【請求項13】 前記各副画素は、一方の電極が前記副
画素電極に接続される電圧制御容量と、この電圧制御容
量の他方の電極に接続され補償電圧信号を供給する電圧
制御容量配線とを有し、 前記電圧制御容量配線は、前記副画素への書き込み終了
後に前記補償電圧信号の電位を変化させて副画素電極の
電位を変調させる補償電圧印加用駆動回路に接続され、 前記電源回路は、前記走査側駆動回路および前記信号側
駆動回路の駆動用電源電圧に加えて、前記補償電圧印加
用駆動回路に供給する駆動用電源電圧をも生成する請求
項9記載の表示装置。
13. Each of the sub-pixels includes a voltage control capacitor having one electrode connected to the sub-pixel electrode, a voltage control capacitor line connected to the other electrode of the voltage control capacitor and supplying a compensation voltage signal. The voltage control capacitance line is connected to a compensation voltage application drive circuit that modulates the potential of the sub-pixel electrode by changing the potential of the compensation voltage signal after completion of writing to the sub-pixel, and the power supply circuit 10. The display device according to claim 9, further comprising: generating a drive power supply voltage to be supplied to the compensation voltage application drive circuit, in addition to the drive power supply voltage of the scan side drive circuit and the signal side drive circuit.
【請求項14】 前記単位画素内における副画素電極の
面積が、それぞれ前記デジタル画像信号の重み付けに対
応した大きさに形成されている請求項13記載の表示装
置。
14. The display device according to claim 13, wherein the area of the sub-pixel electrode in the unit pixel is formed to have a size corresponding to the weight of the digital image signal.
【請求項15】 前記単位画素内における副画素スイッ
チング素子は、それぞれON電流の能力が前記デジタル
画像信号の重み付けに対応した大きさとされている請求
項13記載の表示装置。
15. The display device according to claim 13, wherein each of the sub-pixel switching elements in the unit pixel has an ON current capability corresponding to a weight of the digital image signal.
【請求項16】 前記単位画素内における各電圧制御容
量は、それぞれ容量値が前記デジタル画像信号の重み付
けに対応した大きさとなるように形成されている請求項
13記載の表示装置。
16. The display device according to claim 13, wherein each of the voltage control capacitors in the unit pixel is formed such that the capacitance value has a size corresponding to the weight of the digital image signal.
【請求項17】 前記走査線のうちの前段走査線と前記
画素電極との間に、蓄積容量が形成されている請求項1
3記載の表示装置。
17. A storage capacitor is formed between a preceding scanning line among the scanning lines and the pixel electrode.
3. The display device according to 3.
【請求項18】 前記走査側駆動回路および前記信号側
駆動回路は、多結晶シリコン半導体で構成され、前記絶
縁性基板上に一体的に形成された内蔵回路である請求項
1記載の表示装置。
18. The display device according to claim 1, wherein the scan-side drive circuit and the signal-side drive circuit are built-in circuits formed of a polycrystalline silicon semiconductor and integrally formed on the insulating substrate.
【請求項19】 前記信号側駆動回路は単結晶シリコン
半導体で形成され、前記走査側駆動回路は多結晶シリコ
ン半導体で形成され、前記絶縁性基板上に一体的に形成
された内蔵回路である請求項1記載の表示装置。
19. The signal-side drive circuit is formed of a single-crystal silicon semiconductor, and the scan-side drive circuit is formed of a polycrystalline silicon semiconductor, and is a built-in circuit integrally formed on the insulating substrate. Item 2. The display device according to Item 1.
【請求項20】 前記走査側駆動回路、前記信号側駆動
回路および補償電圧印加用駆動回路は、多結晶シリコン
半導体で構成され、前記絶縁性基板上に一体的に形成さ
れた内蔵回路である請求項4記載の表示装置。
20. The scan-side drive circuit, the signal-side drive circuit, and the compensation voltage application drive circuit are built-in circuits formed of a polycrystalline silicon semiconductor and integrally formed on the insulating substrate. Item 5. The display device according to Item 4.
【請求項21】 前記走査側駆動回路および前記信号側
駆動回路に制御信号を供給するレベルシフタ回路を有
し、 このレベルシフタ回路は、多結晶シリコン半導体で形成
され、前記絶縁性基板上に一体的に形成された内蔵回路
である請求項1記載の表示装置。
21. A level shifter circuit for supplying a control signal to the scan side drive circuit and the signal side drive circuit, wherein the level shifter circuit is formed of a polycrystalline silicon semiconductor, and is integrally formed on the insulating substrate. The display device according to claim 1, wherein the display device is a built-in circuit.
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