JP2002246529A - Resin molding semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

Resin molding semiconductor device and its manufacturing method

Info

Publication number
JP2002246529A
JP2002246529A JP2001037496A JP2001037496A JP2002246529A JP 2002246529 A JP2002246529 A JP 2002246529A JP 2001037496 A JP2001037496 A JP 2001037496A JP 2001037496 A JP2001037496 A JP 2001037496A JP 2002246529 A JP2002246529 A JP 2002246529A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
lead
protruding
inner
part
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001037496A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3500362B2 (en )
Inventor
Masanori Furuichi
Fumihiko Kawai
Masanori Nano
Masahiko Ohiro
Yoshinori Sato
圭則 佐藤
匡紀 南尾
正徳 古市
雅彦 大広
文彦 川合
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a resin molding semiconductor device having a lead frame provided with a land of multi-row constitution, in particular, a land of at least three rows, from a single layer metal plate.
SOLUTION: A sealing resin 44 in the resin molding semiconductor device 40 seals a semiconductor element 42, a die pad 13, an inside inner lead 14A and an outside inner lead 14B, in such a manner that top surfaces of each protruding part 14a of the inside inner lead 14A and each protruding part 14a of the outside inner lead 14B, and a bottom surface of a recessed part 13a of the die pad 13 are exposed. A burr 14c by a punch for cutting is formed in the peripheral part of each of the insulated protruding parts 14a, when the respective protruding parts 14a are subjected to insulation work. A tip of the burr 14c is restrained so as not to exceed the top surface of the protruding parts 14a.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージの底面に行列状に配置されて露出する外部端子である複数のランドを有するランドグリッドアレイ(land grid array: The present invention relates to the land grid array having a plurality of lands is an external terminal exposed are arranged in a matrix on the bottom surface of the package (land grid array:
LGA)用のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。 Resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame for LGA) and a manufacturing method thereof.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び高機能化に対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く要求されるようになってきている。 In recent years, in order to respond to downsizing and high performance of electronic devices, high-density mounting of semiconductor components has come to be required increasingly strong. これに伴って、半導体チップとリードとをモールド樹脂材により一体に封止してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及び薄型化が急速に進展しており、小型化及び薄型化を図りながら、さらなる多ピン化が要望されている。 Accordingly, the semiconductor chip and the size and thickness of the lead and the resin-encapsulated semiconductor device obtained by encapsulating together by a mold resin material a has progressed rapidly, while reducing the size and thickness , further the number of pins has been demanded.

【0003】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームについて図面を参照しながら説明する。 [0003] Hereinafter, will be described with reference to the drawings a lead frame used in the conventional resin-sealed semiconductor device.

【0004】図12は従来のリードフレームの平面構成を示している。 [0004] Figure 12 shows a plan structure of a conventional lead frame. 図12に示すリードフレーム100は、 Lead frame 100 shown in FIG. 12,
方形のパッケーッジの四方の側面から外部ピンが外側に延びる構成を採るQFP(quad flat package)用のリードフレームである。 External pin from the four sides of the side surface of the rectangular Pakkejji is lead frame for QFP (quad flat package) to adopt a structure extending outwardly. 図12に示すように、リードフレーム100は、フレーム枠部101と、該フレーム枠部1 As shown in FIG. 12, the lead frame 100 includes a framework 101, the frame frame portion 1
01の中央部に配置された方形状のダイパッド部102 Die pad of rectangular shape disposed in a central portion of 01 102
と、一端がダイパッド部102の一辺と間隔をおいて対向するインナリード部103と、一端がインナリード部103の他端と接続され、他端がフレーム枠部101と接続されたアウタリード部104とを有している。 When an inner lead portion 103 having one end opposed spaced side and spacing of the die pad portion 102, one end is connected to the other end of the inner lead portions 103, the other end and the outer lead portions 104 connected to the framework portion 101 have. アウタリード部104は、封止用樹脂の樹脂止めとなるタイバー部105により互いに連結されており、ダイパッド部102は、その4隅が吊りピン106によってタイバー部105に支持されている。 Outer lead portions 104 are connected to one another by a tie bar portion 105 which is a resin stopper of the sealing resin, the die pad 102 is supported by the tie bars 105 by the pin 106 four corners hanging.

【0005】また、破線109は、封止用樹脂材により封止される封止領域を示している。 [0005] The broken line 109 indicates the sealing region sealed by the sealing resin material.

【0006】ここでは、リードフレーム100の1つの装置分のみを示したが、通常は図12に示すパターンが複数個配列されて構成される。 [0006] Here, although the only one device component of the lead frame 100, as generally composed pattern shown in FIG. 12 are a plurality sequences.

【0007】図13はリードフレーム100を用いた樹脂封止型半導体装置の断面構成を示している。 [0007] Figure 13 shows a cross-sectional structure of a resin sealed semiconductor device using the lead frame 100. 図13において、図12に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付している。 13 are denoted by the same reference numerals of the same components shown in FIG. 12.

【0008】図13に示すように、ダイパッド102の上には半導体素子107が接着材又は半田材等により固着され、半導体素子107とインナリード部103とは金属細線108により電気的に接続されている。 [0008] As shown in FIG. 13, on the die pad 102 is a semiconductor element 107 is fixed by an adhesive or solder material or the like, the semiconductor element 107 and the inner leads 103 are electrically connected by metal thin wires 108 there. また、 Also,
ダイパッド部102、その上に固着された半導体素子1 Die pad 102, the semiconductor element 1 is fixed thereon
07、金属細線108及びインナリード部103は封止用樹脂材109Aにより、ダイパッド部102の底面側を含めて一体に封止されている。 07, the metal thin wires 108 and the inner lead 103 with the sealing resin material 109A, are sealed together, including the bottom side of the die pad portion 102. 封止用樹脂材109A Sealing resin material 109A
の側面から素子保持面と平行な方向に延びるアウタリード部104は、素子保持面と反対側の方向に屈曲(ベンディング)されて表面実装を可能としている。 Outer lead portions 104 extending in a direction parallel to the element holding surface from the side of, which enables surface mounting is bent in a direction opposite to the element holding surface (bending).

【0009】ところで、前記従来のリードフレームは、 [0009] By the way, the conventional lead frame,
半導体素子107が高集積化され、外部電極の数が増えて、さらに多ピン構成となった場合に、インナリード部102及びアウタリード部103の幅寸法に限界があり、今以上の多ピン構成に対応するには、リードの本数が増えるため、リードフレーム100自体の外形寸法が大きくなってしまい、小型化及び薄型化に逆行してしまう。 Semiconductor device 107 is highly integrated, a growing number of external electrodes, when a further multi-pin configuration, there is a limit to the width of the inner lead portions 102 and outer lead portions 103, now or more multi-pin configuration corresponding to, since the number of leads increases, external dimensions of the lead frame 100 itself becomes large, resulting in going against smaller and thinner. また、リードの幅を小さくすると、今度はリードフレームの加工が困難となる。 Further, reducing the width of the lead, in turn it becomes difficult to process the lead frame.

【0010】そこで、最近、面実装型の半導体装置として、底面にボール電極やランド電極を設けた配線基板(キャリア)における底面と反対側の面上に半導体素子を保持し、半導体素子とこれら電極とが電気的に接続されたボールグリッドアレイ(BGA)型又はランドグリッドアレイ(LGA)型の半導体装置が開発されている。 [0010] Therefore, recently, as a surface mount type semiconductor device, holding the semiconductor element on the bottom surface opposite of the surface of the wiring substrate provided with a ball electrode and the land electrodes on the bottom (carrier), the semiconductor element and the electrodes DOO is electrically connected to a ball grid array (BGA) type or land grid array (LGA) type semiconductor device has been developed.

【0011】BGA型及びLGA型の半導体装置は、その底面をマザー基板と対向させて実装し、底面から露出したボール又はランドの外部電極を直接にマザー基板の電極と接続する。 [0011] BGA type and LGA type semiconductor device, implemented its bottom mother board and is opposed to, connected directly to the mother substrate electrode external electrodes of the exposed ball or lands from the bottom.

【0012】 [0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、BGA The object of the invention is to, however, BGA
型又はLGA型の半導体装置は、セラミック材や樹脂材からなる積層された多層の配線基板を用いるため、製造工程も複雑となり、極めて高価となるという問題がある。 Type or LGA type semiconductor device, for using the wiring board of the stacked multilayer made of a ceramic material or a resin material, the manufacturing process becomes complicated, there is a problem that the extremely expensive.

【0013】また、図12及び図13に示した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を、BGA型又はLGA Further, the conventional method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device shown in FIGS. 12 and 13, BGA type or LGA
型の半導体装置の製造方法に流用しようとしても、外部端子となる複数のランドを加工前にフレーム枠と接続しておく連結支持部を設ける必要から、3列以上のランドを設けようとすると、小型化は不可能であるという問題がある。 If you try to divert the production method of the type semiconductor device, the need to provide a connection support portion to be connected with the framework a plurality of lands which become external terminals prior to processing, when it is intended to create three or more rows of lands, there is a problem that miniaturization is impossible.

【0014】その上、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、BGA型又はLGA型等の面実装型の半導体装置と比べて基板への実装時の精度が低くなる。 [0014] Moreover, the conventional method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, the accuracy in mounting of the substrate is lower in comparison with BGA type or LGA type such surface mount type semiconductor device of the. 例えば、図12に示すビーム形状のアウタリード部104 For example, the outer lead portions 104 of the beam shape shown in FIG. 12
は、封止用樹脂材109Aの側面から外側に直線状に延びるため、アウタリード部104の先端部の底面の位置が少なくとも封止用樹脂材109Aの底面の位置にまでベンディングする必要があり、このときのベンディング工程において、アウタリード部104のベンディングの程度にばらつきが生じるからである。 Since linearly extending from the side surface of the sealing resin material 109A on the outside, it is necessary to position the bottom surface of the tip portion of the outer lead portions 104 are bent to a position of the bottom surface of at least sealing resin 109A, the in bending process when, because variations in the degree of bending of the outer lead portions 104.

【0015】本発明は、前記従来の問題を解決し、単層の金属板から多列構成のランド、特に3列以上のランドを有するリードフレームを持つ樹脂封止型半導体装置を実現できるようにすることを目的とする。 [0015] present invention is to solve the conventional problems, the land of the multi-row structure of a metal plate of a single layer, so that it can realize a resin-sealed semiconductor device having a lead frame having a particularly 3 or more rows of lands an object of the present invention is to.

【0016】 [0016]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するため、本発明は、樹脂封止型半導体装置に用いる金属板からなるリードフレームを、フレーム枠部とダイパッド部との間に複数のランドを行列状に配置し、配置した複数のランドとフレーム枠部とをリード保持材によってフレーム枠部の少なくとも一方の面側から保持する構成とする。 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, the present invention has a plurality of lands between the lead frame made of a metal plate used for the resin-sealed semiconductor device, the framework part and the die pad portion were arranged in a matrix, a structure for holding the at least one surface side of the frame frame portion and a plurality of lands and framework section arranged by a lead holding member.

【0017】具体的には、本発明に係る第1の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部と、該ダイパッド部の上に保持された半導体素子と、ダイパッド部の周辺部で且つダイパッド部と一側部との間に3列以上の行列状に配置され、少なくともその一部が孤立した複数のインナリード部と、半導体素子、ダイパッド部及び複数のインナリード部を、該インナリード部におけるダイパッド部の素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止する封止樹脂部とを備え、ダイパッド部及び複数のインナリード部は同一の金属板から形成されている。 [0017] Specifically, the first resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a die pad, a semiconductor element held on the said die pad portion, and and the die pad at the peripheral portion of the die pad portion arranged in three or more rows of a matrix between the one side, at least a plurality of inner lead portions partially isolated the semiconductor device, the die pad portion and a plurality of inner lead portions, the die pad in said inner lead portions comprising an element holding surface parts and the sealing resin portion for sealing together so as to expose the opposite face, the die pad portion and a plurality of inner lead portions are formed of the same metal plate.

【0018】第1の樹脂封止型半導体装置によると、同一の金属板から形成されたダイパッド部及び複数のインナリード部のうち少なくともその一部が孤立したインナリード部を備え、該複数のインナリード部は、ダイパッド部の周辺部で且つダイパッド部と一側部との間に3列以上の行列状に配置されているため、単層の金属板から多列構成のランド、特に3列以上のランドを有するリードフレームを持つ樹脂封止型半導体装置を実現できる。 [0018] According to a first resin-encapsulated semiconductor device, comprising the inner lead portion at least partially isolated out of the die pad portion formed of the same metal plate and a plurality of inner lead portions, the plurality of inner lead portion, since it is arranged in three rows or more matrix between and the die pad portion and the one side in the peripheral portion of the die pad portion, the land of the multi-row structure of a metal plate of a single layer, in particular three or more rows the resin-sealed semiconductor device can be realized with a lead frame having a land.

【0019】第1の樹脂封止型半導体装置において、複数のインナリード部が、ダイパッド部の下面側にその頂面が封止樹脂部から露出する凸部を有し、該凸部の周辺部には、その先端部が頂面を超えない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成されていることが好ましい。 [0019] In the first resin-encapsulated semiconductor device, a plurality of inner lead portions has a convex portion whose top surface to the lower surface side of the die pad portion is exposed from the sealing resin portion, the peripheral portion of the convex portion the, it is preferable that protrusions its distal end extends to a lower surface and a direction perpendicular to the extent that does not exceed the top surface is formed. このように、リードフレームの製造工程の前工程において、例えば、インナリード部がフレーム枠部から延びる連結支持部により支持されており、該連結支持部を後工程においてスタンパ(金型パンチ)等によりせん断加工する際に生じるかえり(burr)の先端部が凸部の頂面を超えない程度に形成されているため、封止用樹脂材により樹脂封止する際に凸部の頂面のみを確実に露出することができる。 Thus, in the previous step of the manufacturing process of the lead frame, for example, it is supported by the connection support portion which inner lead portions extend from the frame frame portion, by a stamper (mold punch) or the like in a subsequent step the connection support portion since the tip portion of the back that occurs when shearing (burr) is formed so as not to exceed the top surface of the projection, ensures only the top surfaces of the convex portion when the resin sealing by the sealing resin material it can be exposed to.

【0020】第1の樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部がその下面に凹部を有していることが好ましい。 [0020] In the first resin-encapsulated semiconductor device, it is preferable that the die pad portion has a recess in its lower surface. このようにすると、封止樹脂部の底面から半導体素子までの距離が長くなるため、封止樹脂部の内部に水分等が侵入しにくくなる。 In this way, since the distance from the bottom surface of the sealing resin portion to the semiconductor element is increased, moisture or the like hardly enters the inside of the sealing resin portion. また、半導体素子の底面側にも樹脂材がより厚く充填されるので、半導体素子が樹脂材の上方から受ける応力が低減される。 Further, since the resin material in the bottom side of the semiconductor element is filled thicker, the stress which the semiconductor device receives from above the resin material is reduced.

【0021】第1の樹脂封止型半導体装置において、複数のインナリード部は封止樹脂部の側面から露出していないことが好ましい。 [0021] In the first resin-encapsulated semiconductor device, it is preferable that a plurality of inner lead portions are not exposed from the side surface of the sealing resin portion. このようにすると、本発明の樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装した際に生じる側面からのリーク電流を防止することができる。 In this way, it is possible to prevent the leakage current from the side that occurs when mounting the resin-sealed semiconductor device of the present invention on a mounting substrate.

【0022】本発明に係る第2の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部と、ダイパッド部の上に保持された半導体素子と、ダイパッド部の周辺部に配置され、少なくともその一部が孤立した複数のランド部と、ダイパッド部の周辺部に配置され、複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するインナリード部と、半導体素子、ダイパッド部、複数のランド部及びインナリード部を、該ランド部におけるダイパッド部の素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止する封止樹脂部とを備え、 [0022] The second resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a die pad, a semiconductor element held on a die pad portion is disposed on the periphery of the die pad portion, at least partially isolated a plurality of land portions, is disposed on the periphery of the die pad portion, and the inner lead portions for electrically connecting a portion of the plurality of land portions, a semiconductor device, the die pad, a plurality of land portions and the inner lead portions , and a sealing resin section which seals together so as to expose a surface on the other side of the element holding surface of the die pad portion of the land portion,
インナリード部は、互いに隣接する一のランド部同士の間に他のランド部同士を接続すると共に上面が一のランド部の頂面の高さと同等で且つ下面が一のランド部同士の下面よりも高くなるように設けられ、ランド部におけるインナリード部が延びる方向に対して垂直な方向の断面形状は、インナリード部の側面と対向する上部が小さい断面凸字状である。 Inner lead portions, the lower surface of the land portions and the lower surface in the one upper surface equivalent to the height of the top surface of one land portion with connecting other land portions between the first land portion adjacent to each other provided such is also high, the direction of the cross section perpendicular to the direction in which the inner lead portions extends in the land portion is a top facing the side surface of the inner lead portions is smaller convex sectional shape.

【0023】第2の樹脂封止型半導体装置によると、一のランド部同士の間に他のランド部同士を接続するインナリード部を設ける場合であっても、該ランド部が上面側に凸部を有するため、インナリード部がランド部の側面同士の間隔が下部よりも大きい上部の側方領域に位置するので、ランド部を小さくしたり、インナリード部の径を小さくすることなく、ランド部間に確実にインナリード部を設けることができる。 [0023] According to a second resin sealed semiconductor device, even when providing the inner lead portion for connecting the other of the land portions between the adjacent first land portion, the land portion is convex on the upper side because having a part, since the distance between the side surfaces of the inner lead portion land portion is positioned a large upper portion of the side regions than the lower, or small land portion, without reducing the diameter of the inner lead portions, the land reliably it can be provided inner lead portions between parts.

【0024】本発明に係る第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、 The manufacturing method of the first resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a plate-like metal member, and a framework portion,
該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部によりそれぞれ支持される複数のダイパッド部と、各ダイパッド部の周縁部と接続された複数の内側インナリード部と、フレーム枠部と接続された複数の外側インナリード部とを一体に形成する第1の工程と、複数の内側インナリード部の各ダイパッド部からそれぞれ間隔をおいた部分、及び複数の外側インナリード部のフレーム枠部からそれぞれ間隔をおいた部分で且つダイパッド部の素子保持面側と反対側の面に凸部を形成する第2の工程と、少なくとも複数の内側インナリード部及びフレーム枠部における素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、複数の内側インナリード部及びフレーム枠部をリード保持材により保持する第3の工程と、複数の内側 A plurality of die pads that are respectively supported by the connection support portion extending from the inside of the frame frame portion, and a plurality of inner inner lead portions connected to the periphery of the die pad, a plurality of outer connected to the framework portion a first step of forming a inner lead portions together, placed a plurality of portions spaced respectively apart from the die pad portion of the inner inner lead portion, and a plurality of the respective spacing from the framework portion of the outer inner lead portions opposite and the element holding surface of the die pad portion in portion and a second step of forming a projecting portion on the opposite side, with at least a plurality of inner the inner lead part and the element holding surface side or the element holding surface of the framework portion by the surface side provided the lead holding member, and a third step of holding a plurality of the inner inner lead portions and the framework part by the lead holding member, a plurality of inner ンナリード部の少なくとも一部における凸部と各ダイパッド部との間の領域を除去して、複数の内側インナリード部と各ダイパッド部とを選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第4の工程と、リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第5の工程と、金属細線により、各半導体素子と、絶縁された複数の内側インナリード部及び複数の外側インナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第6の工程と、リード保持材がリードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第7の工程と、内側インナリード部の各凸部及び外側インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体素子、複数のダイ By removing the region between the convex portion and the die pad at least a portion of the N'narido part, by selectively insulate the plurality of inner the inner lead portions and the die pad, a lead frame with leads holding material a fourth step of forming a fifth step of holding each of the plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame, a metal thin wire, and the semiconductor elements, a plurality of inner inner lead portions insulated and a sixth step of connecting a plurality of the outer inner lead portions, respectively electrically, when the read holding member is provided on the element holding surface of the lead frame, the lead holding provided element holding surface a seventh step of removing the timber, so as to expose the top surface of each convex portion of the convex portion and the outer inner lead portions of the inner inner lead portion, a plurality of semiconductor elements, a plurality of dies ッド部、複数の内側インナリード部及び複数の外側インナリード部を封止用樹脂材により封止する第8の工程と、リード保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第9の工程と、リードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるようにチップ状に分割する第10の工程とを備えている。 Head portion, a plurality of inner inner lead portions and a plurality of outer inner lead portion and an eighth step of sealing by the sealing resin material, on the side opposite to the lead holding material and the element holding surface of the lead frame If being, a ninth step of removing the lead retaining member provided on the side opposite to the retaining elements surface, the chip-shaped to include at least one of the plurality of semiconductor devices lead frame and a tenth step of dividing the.

【0025】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレーム枠部に支持されるダイパッド部と、該ダイパッド部の周縁部に支持される複数の内側インナリード部と、フレーム枠部に支持される複数の外側インナリード部とを一体に形成しておき、その後、複数の内側インナリード部及び外側インナリード部におけるダイパッド部の素子保持面と反対側の面にそれぞれ凸部を形成し、少なくとも複数の内側インナリード部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けるため、この後、複数の内側インナリード部の少なくとも一部の凸部とダイパッド部との間の領域を除去することにより、複数の内側インナリード部とダイパッド部とを、せん断加 [0025] According to the manufacturing method of the first resin sealed semiconductor device, supporting a plate-like metal member, and a framework portion, a die pad portion which is supported by the framework portion, a peripheral portion of the die pad portion a plurality of inner inner lead portions being, previously formed integrally a plurality of outer inner lead portion is supported by the framework part, then, a plurality of inner the inner lead part and the element of the die pad portion in the outer inner lead portions since the holding surface each on the opposite side to form a convex portion, provided at least a plurality of inner the inner lead part and the element holding surface side of the frame frame portion or the element holding surface opposite the lead holding material on the side of the after, by removing the region between the at least a portion of the convex portion and the die pad portion of the plurality of inner the inner lead portions, and a plurality of inner inner lead and the die pad portion, shear pressure やエッチング加工等により選択的に絶縁したとしても、内側インナリード部がフレーム枠部から脱離する虞がない。 And selectively even insulated by etching or the like, there is no possibility that the inner inner lead portion is released from the framework portion. 従って、内側インナリード部に、フレーム枠部により支持される連結支持部(サポート部)を設けなくても済むため、例えば3列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げることがないので、単層の金属板から多列構成のランドを有するリード保持材付きのリードフレームを容易に且つ確実に得ることができる。 Accordingly, the inside inner lead portion, since it is not necessary provided connection support portion which is supported by the framework portion (support portion), for example, 3 or more rows of the land as provided between the framework portion and the die pad portion also, since there is no interfere with the miniaturization of the framework portion, a lead frame with leads holding material having a land of a multi-column structure of a metal plate of a single layer can be easily obtained and reliably. 続いて、内側インナリード部の各凸部及び外側インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体素子、ダイパッド部、内側インナリード部及び外側インナリード部を封止用樹脂材により封止し、リード保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合には、リード保持材を除去した後、リードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも1 Subsequently, to expose the top surface of each convex portion of the convex portion and the outer inner lead portions of the inner inner lead portion, a plurality of semiconductor devices, the die pad, for sealing the inner inner lead portion and an outer inner lead portions sealed with a resin material, when the read holding member is provided on the side opposite to the element holding surface of the lead frame, after removing the lead retaining member, at least of the lead frame of the plurality of semiconductor elements 1
つが含まれるようにチップ状に分割するので、本発明の第1の樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。 One therefore has to split into chips to include can be reliably realize the first resin-encapsulated semiconductor device of the present invention.

【0026】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程が、複数の内側インナリード部の凸部形成領域と各ダイパッド部との間の領域、及び複数の外側インナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との間の領域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチングを行なうことにより、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。 [0026] In the first method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, a second step, a region between the convex portion formation region and the die pad of the plurality of inner the inner lead portions, and a plurality of outer inner leads by etching the opposite surface to the element holding surface side of the region between the projection forming region and the framework of the part preferably includes a step of forming a convex portion. このようにすると、このようにすると、ランドとなる凸部を確実に且つ微細に形成することができる。 In this way, In this way, it is possible to reliably and finely formed a convex portion serving as a land.

【0027】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程が、複数の内側インナリード部の凸部形成領域と各ダイパッド部との間の領域、及び複数の外側インナリード部の凸部形成領域とフレーム枠部との間の領域における素子保持面側と反対側の面を押圧することにより、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。 [0027] In the first method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, the second step, a region between the convex portion formation region and the die pad of the plurality of inner the inner lead portions, and a plurality of outer inner leads by pressing the opposite side of the element holding face in the region between the convex portion forming region and a framework portion of the part preferably includes a step of forming a convex portion. このようにすると、このようにすると、ランドとなる凸部を確実に且つ容易に形成することができる。 In this way, In this way, it is possible to reliably and easily form the convex portion to be a land.

【0028】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第4の工程が、凸部とダイパッド部との間の領域を切断手段を用いて切断することにより、凸部とダイパッド部とを絶縁する工程を含むことが好ましい。 [0028] In the first method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, a fourth step, by cutting with a cutting means to the region between the convex portion and the die pad portion, and the convex portion and the die pad portion preferably includes the step of insulating the. このようにすると、凸部とダイパッド部との間の領域を容易に且つ確実に絶縁することができるので、互いに絶縁された凸部からなるランドを確実に形成することができる。 In this way, since the area between the convex portion and the die pad portion can be easily and reliably insulated, it is possible to reliably form a land comprising a convex portion that are insulated from each other.

【0029】この場合に、切断手段が凸部及びダイパッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していることが好ましい。 [0029] In this case, it is preferable that the cutting means comprise a substantially parallel cut with the upper surface of the convex portion and the die pad portion. このようにすると、凸部等の周辺部にかえりが生じなくる。 In this way, Nakuru cause burrs on the periphery of such protrusions. さらに、このような打ち抜きにより切断すると切断くずが生じるが、生じた切断くずをリード保持材に保持させることにより、切断くずの製造工程に対する影響を及ぼさないようにすることができる。 Further, such is cut chips and cutting by punching occurs, by holding the resulting cut chips to lead holding member, it is possible not adversely influence on the manufacturing process of cutting waste.

【0030】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第7の工程又は第9の工程が、リード保持材を化学的に溶解して除去することが好ましい。 [0030] In the first method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, the seventh step or the ninth step, it is preferable to remove chemically dissolving the lead holding member. このようにすると、リード保持材を機械的方法に依らずに除去することができるので、製造工程を簡単化することができる。 In this way, it is possible to remove regardless the lead holding material to mechanical methods, it is possible to simplify the manufacturing process.

【0031】第1の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第10の工程が、リードフレームをダイシングブレードを用いて切断することが好ましい。 [0031] In the first method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, tenth step, it is preferable to cut with a dicing blade lead frame. このようにすると、リードフレームに複数のダイパッド部を有していても、個々の樹脂封止型半導体装置に確実に分割することができる。 In this way, it has a plurality of die pad portion in the lead frame can be reliably divided into individual resin sealing type semiconductor device.

【0032】本発明に係る第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、 The second method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a plate-like metal member, and a framework portion,
該フレーム枠部の内側から延びる第1の連結支持部によりそれぞれ支持されると共に第2の連結支持部により互いに連結された複数のインナリード部及び複数のダイパッド部とを一体に形成する第1の工程と、複数のインナリード部における各ダイパッド部の素子保持面側と反対側の面にそれぞれ間隔をおくように凸部を形成する第2 First forming integrally a first plurality of inner lead portions and a plurality of die pad portion connected to each other by a second connection support portion while being supported respectively by the connection support portion that extends from the inside of the framework unit step a, a second for forming the convex portion to place each interval on a surface opposite to the element holding surface of the die pad in the plurality of inner lead portions
の工程と、複数のインナリード部及びフレーム枠部における素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、インナリード部及びフレーム枠部をリード保持材により保持する第3の工程と、 A step holding, by providing the lead holding material on the side opposite to the plurality of inner lead portions and the element holding surface side of the framework portion or the element holding surface, the lead holding member and the inner lead portions and the frame edge portion a third step of,
複数のインナリード部における第2の連結支持部の少なくとも一部における、互いに隣接する凸部同士の間又は互いに隣接する凸部とダイパッド部との間の領域を除去して複数のインナリード部を選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第4 The second at least part of the coupling supporting portion of the plurality of inner lead portions, a plurality of inner lead portions by removing the region between the convex portion and the die pad portion adjacent or between each other between the adjacent convex portions of the mutually by selectively isolating, fourth to form a lead frame with leads holding material
の工程と、リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第5の工程と、金属細線により、各半導体素子と、絶縁された複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第6の工程と、 And steps, a fifth step of holding each of the plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame, a metal thin wire, and the semiconductor elements, and electrically each of the plurality of inner lead portions which are insulated a sixth step of connecting,
リード保持材がリードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第7の工程と、インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数のインナリード部を封止用樹脂材により封止する第8の工程と、リード保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、 When the lead holding member is provided on the element holding surface of the lead frame, and a seventh step of removing the lead retaining member provided on the element holding face, the top surface of each convex portion of the inner lead portions to expose, an eighth step of sealing the plurality of semiconductor elements, a plurality of die pad and a plurality of inner lead portions by the sealing resin material, the surface opposite the lead holding material and the element holding surface of the lead frame if provided on the side,
該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第9の工程と、リードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるようにチップ状に分割する第10の工程とを備えている。 A ninth step of removing the lead retaining member provided on the side opposite to the retaining elements surface, the first 10 for dividing into chips to include at least one of the plurality of semiconductor devices lead frame and a step.

【0033】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレーム枠部の内側から延びる第1の連結支持部により支持されると共に第2の連結支持部により互いに連結された複数のインナリード部及びダイパッド部とを一体に形成しておき、その後、複数のインナリード部におけるダイパッド部の素子保持面と反対側の面にそれぞれ間隔をおくように凸部を形成し、複数のインナリード部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けるため、この後、複数のインナリード部における第2の連結支持部の少なくとも一部の、 [0033] According to the manufacturing method of the second resin-encapsulated semiconductor device, first with a plate-like metal member, is supported and the frame frame portion, the first connection support portion extending from the inside of the framework unit a plurality of the inner lead portions and the die pad portion which are connected to each other by the connection support portion of the 2 previously formed integrally, then each interval on a surface opposite to the element holding surface of the die pad portion in a plurality of inner lead portions a convex portion is formed to place, to provide a lead holding member on the side opposite to the plurality of inner lead portions and the frame edge portion element holding surface or the element holding surface of, after this, in a plurality of inner lead portions at least a portion of the second connection support portion,
互いに隣接する凸部同士の間又は互いに隣接する凸部とダイパッド部との間の領域を除去することにより、複数のインナリード部とダイパッド部とを、せん断加工やエッチング加工等により選択的に絶縁したとしても、インナリード部及びダイパッド部がフレーム枠部から脱離する虞がない。 By removing the region between the convex portion and the die pad portion adjacent or between each other between the adjacent convex portions to each other, and a plurality of inner lead portions and the die pad portion, selectively isolated by shearing or etching, etc. even the, there is no possibility that the inner lead portions and the die pad portion is detached from the framework portion. 従って、インナリード部及びダイパッド部とフレーム枠部とを連結して支持する連結支持部(サポート部)を設けなくても済むため、例えば3列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げることがないので、 Thus, between the inner lead portions and the die pad portion and the connection support portion which supports and connects the frame frame portion you can avoid provided (supported portion), for example, the framework part of three or more rows of lands and die pad even provided, since there is no interfere with the miniaturization of the framework portion,
単層の金属板から多列構成のランドを有するリード保持材付きのリードフレームを容易に且つ確実に得ることができる。 The lead frame with the lead holding member having a land of a multi-column structure of a metal plate of a single layer can be easily obtained and reliably. 続いて、外側インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体素子、ダイパッド部、外側インナリード部を封止用樹脂材により封止し、リード保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合には、リード保持材を除去した後、リードフレームを複数の半導体素子のうちの少なくとも1 Subsequently, to expose the outer inner lead portions the top surface of each convex section, the plurality of semiconductor devices, the die pad portion, sealed by the outer inner lead portions of the sealing resin material, the lead holding material of the lead frame if provided on the side opposite to the element holding surface, after removing the lead retaining member, at least one of the lead frames of a plurality of semiconductor elements
つが含まれるようにチップ状に分割するので、本発明の第2樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。 One therefore has to split into chips to include, can be reliably achieved a second resin sealed semiconductor device of the present invention.

【0034】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程が、第2の連結支持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチングを行なうことにより、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。 The area between the first in a second method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, a second step, during or convex portion formation region and the die pad portion of the projection forming region between the second connection support portion by etching the opposite surface to the element holding surface side of, preferably includes a step of forming a convex portion.

【0035】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程が、第2の連結支持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域とダイパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側の面を押圧することにより、凸部を形成する工程を含むことが好ましい。 [0035] In the second method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, the second step, the region or between the convex portion formation region and the die pad portion of the projection forming region between the second connection support portion by pressing the opposite side of the element holding face side of, preferably includes a step of forming a convex portion.

【0036】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第4の工程が、第2の連結支持部の凸部同士の間又は凸部とダイパッド部との間の領域を切断手段を用いて切断することにより、凸部同士又は凸部とダイパッド部とを絶縁する工程を含むことが好ましい。 [0036] In the second method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, a fourth step, the cutting means a region or between the convex portion and the die pad portion of the projecting portions of the second connection support portion cut by using preferably includes a step of insulating the convex portions or the convex portions and the die pad portion.

【0037】この場合に、切断手段が凸部及びダイパッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していることが好ましい。 [0037] In this case, it is preferable that the cutting means comprise a substantially parallel cut with the upper surface of the convex portion and the die pad portion.

【0038】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第7の工程又は第9の工程が、リード保持材を化学的に溶解して除去することが好ましい。 [0038] In the second method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, the seventh step or the ninth step, it is preferable to remove chemically dissolving the lead holding member.

【0039】第2の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第10の工程が、リードフレームをダイシングブレードを用いて切断することが好ましい。 [0039] In the second method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, the tenth step, it is preferable to cut with a dicing blade lead frame.

【0040】本発明に係る第3の樹脂封止型半導体装置は、板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持されると共に互いに間隔をおいて連結された複数のランド部及び該複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するインナリード部と、素子保持面を有するダイパッド部とを一体に形成する第1の工程と、複数のランド部及びフレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、ランド部及びフレーム枠部をリード保持材により保持する第2の工程と、連結支持部における互いに隣接するランド部同士間の領域の少なくとも一部を除去して、複数のランド部を選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第3 The third resin-sealed semiconductor device according to the present invention, contact a plate-like metal member, and a framework portion, a mutually spacing while being supported by the connection support portion extending from the inside of the framework unit and inner lead portions that connect a portion of the plurality of land portions and the plurality of land portion connected to have electrically, a first step of forming integrally a die pad portion having a device holding surface, a plurality land portion and the element holding surface side or the element holding surface of the framework portion of the by providing the lead holding member on the opposite side of, and a second step of holding the land portion and the framework portion by a lead holding member, removing at least a portion of the region between the adjacent land portions mutually in joint supports, by selectively isolate the plurality of land portions, a third of forming a lead frame with leads holding material 工程と、リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第4の工程と、金属細線により、各半導体素子と、絶縁された複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第5の工程と、リード保持材がリードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第6の工程と、インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数のインナリード部を封止用樹脂材により封止する第7の工程と、リード保持材がリードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第8の工程と、リードフレームを複数の半導体素子のうちの少な A step, a fourth step of holding each of the plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame, a metal thin wire, and the semiconductor elements, connected insulated more and inner lead portions, respectively electrically a fifth step of, when a read holding member is provided on the element holding surface of the lead frame, and a sixth step of removing the lead retaining member provided on the element holding face side, of the inner lead portions so as to expose the top surface of each convex section, a plurality of semiconductor elements, and a seventh step in which a plurality of die pad and a plurality of inner lead portions sealed with the sealing resin material, the lead holding material of the lead frame if provided on the side opposite to the element holding surface, a eighth step of removing the lead retaining member provided on the side opposite to the retaining elements surface, among the lead frame of the plurality of semiconductor elements small of とも1つが含まれるようにチップ状に分割する第9の工程とを備えている。 Both one but and a ninth step of dividing into chips to be included.

【0041】第3の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ランド部及びフレーム枠部の上面又は下面をリード保持材により保持しているため、複数のランド部だけでなく、複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するインナリード部を有するリードフレームであっても、ランド部及びインナリード部がフレーム枠部から脱離する虞がないので、単層の金属板から多列構成のランドを有するリードフレームを小型に且つ容易に得ることができる。 [0041] According to the third method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, because it holds a lead holding member to the upper surface or lower surface of the land portion and the framework portion, not only the plurality of land portions, a plurality of lands also some of the parts a lead frame having a inner lead portions for electrically connecting, because there is no possibility that the land portions and the inner lead portion is released from the frame frame unit, multi-metal plate of a single layer a lead frame having a land of column structure can be obtained and readily reduced in size.

【0042】第3の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第1の工程が、互いに隣接するランド部同士及びその間に位置する連結支持部における素子保持面側であって、ランド部同士における連結支持部と並行する中央部部分及びその間の連結支持部をマスクして、ランド部の素子保持面側に対してその厚さのほぼ2分の1をエッチングすることにより、ランド部同士の間に連結支持部からインナリード部を形成する工程と、複数のランド部の素子保持面側と反対側の面をマスクして、ランド部の素子保持面側と反対側の面に対して、ランド部同士及びインナリード部がそれぞれ分離するようにエッチングする工程とを含むことが好ましい。 [0042] In the third method for fabricating a resin-encapsulated semiconductor device, the first step, an element holding surface side of the connection support portion is located in the land portions and therebetween adjacent, the land portions masks the connection support portion of the central portion and between which parallel to the connection support portion, by etching the approximately one half of the thickness of the element holding surface side of the land portion, between the adjacent land portion forming a inner lead portion from the connection support portion, by masking the surface opposite to the element holding surface side of the plurality of land portions, with respect to a surface opposite to the element holding surface side of the land portion, the land it is preferable that parts other and the inner lead portions and a step of etching to separate respectively.

【0043】このようにすると、各ランド部の断面形状が、ダイパッド部の素子保持面側に凸字状となり、互いに隣接するランド部同士の間には、上面がランドの上面の高さと同等で且つ底面がランド部の底面よりも高くなるインナリード部が形成されるため、本発明の第2の樹脂封止型半導体装置を確実に形成することができる。 [0043] Thus, the cross-sectional shape of each land portion becomes a convex shape in the element holding surface of the die pad portion, between the land portion adjacent to each other, the upper surface is equivalent to the height of the upper surface of the land and bottom surface for the inner lead portions are formed to be higher than the bottom surface of the land portion, it is possible to reliably form a second resin sealed semiconductor device of the present invention.

【0044】 [0044]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)本発明の第1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (First Embodiment) The first of the present invention
の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Will be described with reference to the drawings of embodiments.

【0045】図1は本発明の第1の実施形態に係るリードフレームであって、内側インナリード部の絶縁加工前の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1 [0045] Figure 1 is a lead frame according to the first embodiment of the present invention, the lead frame having a plurality of die pad before insulating treatment of the inner inner lead portions are provided
つ分のダイパッド部を含む部分の底面構成を示している。 It shows a bottom structure of a portion including a die pad portion of Tsu minute.

【0046】図1に示すように、リードフレーム10 [0046] As shown in FIG. 1, the lead frame 10
は、フレーム枠部11と、該フレーム枠部11の内側に連結支持部としてのサポートリード部12により四隅が支持され、その上面(図1の裏面側)に半導体素子を保持するダイパッド部13と、それぞれがダイパッド部1 Includes a framework 11, the four corners by support lead portions 12 of the connecting support part to the inside of the framework unit 11 is supported, the die pad portion 13 for holding the semiconductor element on the upper surface (back surface side in FIG. 1) , each of the die pad 1
3の周辺部に支持され、ダイパッド部13の底面に凸部14aを有する複数の内側インナリード部14Aと、フレーム枠部11と内側インナリード部14Aとの間に配置され、フレーム枠部11から内側に延びると共に、底面側に凸部14aを有する複数の外側インナリード部1 It is supported on the periphery of 3, and a plurality of inner inner lead portions 14A having a projection 14a in the bottom surface of the die pad portion 13 is disposed between the frame frame portion 11 and the inner inner lead portions 14A, the framework unit 11 extends inwardly, a plurality of outer inner lead portions 1 having a convex portion 14a on the bottom side
4Bとを備えている。 And a 4B. ここで、ダイパッド部13の底面の中央部分には凹部13aが形成されている。 Here, the concave portion 13a is formed in the central portion of the bottom surface of the die pad portion 13.

【0047】本実施形態に係るリードフレーム10は、 The lead frame 10 according to this embodiment,
フレーム枠部11と複数の内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bとがそれらの底面をリード保持材としての粘着性テープ材20により保持されていることを特徴とする。 A framework 11 and a plurality of inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B is characterized in that it is held by the adhesive tape material 20 of their bottom as the lead holding member.

【0048】図2は図1に示すリードフレーム10における絶縁加工後の底面構成を示している。 [0048] Figure 2 shows a bottom configuration after insulating treatment in the lead frame 10 shown in FIG. 図2に示すように、ダイパッド部13と内側インナリード部14Aとの支持部分は切断されて除去されることにより、内側インナリード部14Aとダイパッド部13とが絶縁されている。 As shown in FIG. 2, the support portion of the die pad portion 13 and the inner inner lead portions 14A by being removed by cutting, and an inner inner lead portions 14A and the die pad portion 13 it is insulated.

【0049】内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bにおける各凸部14aは、それらの頂面のみが封止用樹脂材からそれぞれ露出するように半導体素子(図示せず)と一体に封止されることにより、外部端子であるランドとなる。 [0049] Each convex portion 14a in the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B are sealed together with the semiconductor element so that only their top surfaces are exposed respectively from the sealing resin member (not shown) by being, a land which is an external terminal.

【0050】このように、第1の実施形態によると、フレーム枠部11と内側インナリード部14Aとが各底面を粘着性テープ材20により保持されているため、内側インナリード部14Aとダイパッド部13とを絶縁(孤立化)する加工を施したとしても、内側インナリード部14Aがフレーム枠部11から脱離する虞がない。 [0050] Thus, according to the first embodiment, since the framework portion 11 and the inner inner lead portions 14A are retained each bottom by adhesive tape material 20, the inner inner lead portions 14A and the die pad portion insulates the 13 even giving the process (isolation) is, there is no possibility that the inner inner lead portions 14A detached from the framework unit 11. 従って、内側インナリード部14Aに、フレーム枠部11によって支持される連結支持部を設けなくても済むため、 Accordingly, the inside inner lead portions 14A, since it is not necessary provided the connection support portion which is supported by the framework 11,
例えば3列以上のランドをフレーム枠部11とダイパッド部13との間に設けたとしても、フレーム枠部11の小型化を妨げることがなくなる。 For example, even three or more rows of the land as provided between the framework 11 and the die pad portion 13, it is unnecessary to interfere with the miniaturization of the framework 11. その結果、従来のようにセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することにより実現された、外側部からダイパッド部までのランドの列数が3列以上のLGA型の半導体装置を、単層の金属板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確実に実現することができるようになる。 As a result, has been achieved by laminating ceramic material or a resin film material as in the prior art, a semiconductor device columns of the land to the die pad portion is 3 or more rows of LGA type from the outside portion, of the single-layer metal plate only by the lead frame made, it is possible to easily and reliably realized.

【0051】なお、第1の実施形態においては、粘着性テープ材20をリードフレーム10の底面側に全面にわたって貼付したが、これに限られない。 [0051] In the first embodiment, has been affixed over the entire surface of the adhesive tape material 20 on the bottom side of the lead frame 10 is not limited thereto. すなわち、絶縁(孤立化)された複数の内側リードフレーム14Aがダイパッド部13又はフレーム枠部11に保持されればよく、上面であっても底面であってよい。 That is, the insulating plurality of inner lead frame 14A which is (isolate) is only to be held to the die pad portion 13 or the framework 11 may be a bottom even top surface. 但し、上面に貼付する場合は、半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程において妨げにならない領域に貼付する必要がある。 However, when attached to the upper surface needs to be attached to a region not to interfere in the die bonding process and wire bonding step of the semiconductor device.

【0052】また、絶縁された内側リードフレーム14 [0052] In addition, the inner lead frame 14 which is insulated
Aを保持するリード保持材に粘着性テープ材20を用いたが、代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜を用いてもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。 Was used adhesive tape material 20 to the lead holding member for holding the A, instead, for example, be a metal thin film made of aluminum, the insulating and conductive does not matter.

【0053】以下、前記のように構成されたリードフレームの製造方法の概略を図面に基づいて説明する。 [0053] Hereinafter, will be explained on the basis of the outline of the manufacturing method of the lead frame having the configuration described in the drawings.

【0054】図3(a)〜図3(d)は本発明の第1の実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断面構成を示している。 [0054] FIG. 3 (a) ~ FIG. 3 (d) are cross-sectional views sequentially illustrating steps in a method for manufacturing a lead frame according to the first embodiment of the present invention.

【0055】まず、図3(a)に示すように、銅(C [0055] First, as shown in FIG. 3 (a), copper (C
u)を主成分とする合金又は鉄(Fe)及びニッケル(Ni)の合金からなるリードフレーム形成用の板状の金属部材から、フレーム枠部(図示せず)と、該フレーム枠部内に位置するダイパッド部13と、該ダイパッド部13の周縁部と接続された内側インナリード部14A A plate-like metal member for lead frame formed of an alloy of an alloy or iron as a main component u) (Fe) and nickel (Ni), framework unit (not shown), located in the framework portion a die pad portion 13, the inner inner lead portions 14A connected to the periphery of the die pad portion 13
と、フレーム枠部と接続された外側インナリード部14 If, outer inner lead portion 14 connected to the framework portion
Bとを、例えば、スタンピング又はエッチングにより一体成形してリードフレーム10を形成する。 The and B, for example, to form the lead frame 10 are integrally molded by stamping or etching.

【0056】続いて、内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bの底面における凸部形成領域以外の領域に対して凹部14bを形成することにより、ランドとなる凸部14aを形成する。 [0056] Subsequently, by forming a concave portion 14b to an area other than the projection forming region in the bottom of the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B, to form the convex portion 14a to be a land. 具体的には、リードフレーム10の底面側であって、ダイパッド部13と内側インナリード部14Aとの間の領域、及び内側インナリード部14Aと外側インナリード部14Bとの間の領域に対して、金型によるプレス又はハーフエッチングを行なって凹部14bを形成することにより、内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bに凸部1 Specifically, a bottom side of the lead frame 10, the region between the die pad portion 13 and the inner inner lead portions 14A, and the region between the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B , by forming a concave portion 14b performs a pressing or half-etching using a mold, the convex portion 1 inside the inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B
4aをそれぞれ形成する。 4a to form, respectively.

【0057】次に、図3(b)に示すように、例えば、 Next, as shown in FIG. 3 (b), for example,
内側インナリード部14A、外側インナリード部14B Inside the inner lead portions 14A, outside the inner lead portion 14B
及びフレーム枠部の底面側に粘着性テープ材20を貼付する。 And sticking the adhesive tape material 20 on the bottom side of the frame frame portion.

【0058】次に、図3(c)に示すように、切断手段しての切断用ポンチ21を用いて、リードフレーム10 Next, as shown in FIG. 3 (c), by using a cutting punch 21 and the cutting means, the lead frame 10
における各凹部14bの上方、すなわち、ダイパッド部13と内側インナリード部14Aとの間の領域、及び内側インナリード部14Aと外側インナリード部14Bとの間の領域を打ち抜いて、ダイパッド部13と凸部14 Above each recess 14b in, i.e., punched area between the die pad portion 13 and the inner inner lead portions 14A, and the region between the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B, the die pad portion 13 and the convex part 14
aとの間の領域、及び内側インナリード部14Aと外側インナリード部14Bとの間の領域を除去することにより、図3(d)に示すように、ダイパッド部13と内側インナリード部14Aとを絶縁(孤立化)する。 Region between a, and by removing the region between the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B, as shown in FIG. 3 (d), and an inner inner lead portions 14A the die pad portion 13 the insulation (isolation). ここで、必ずしもすべての凸部14aを絶縁する必要はなく、所望の凸部14aを孤立化すればよい。 Here, there is no need to insulate not every protrusion 14a, may be isolated the desired protrusions 14a.

【0059】本実施形態のように、凸部14aの絶縁工程において、切断用ポンチ21を用いると、図3(d) [0059] As in the present embodiment, the insulating process of the convex portion 14a, the use of cutting punch 21, FIG. 3 (d)
に示すように、絶縁された各凸部14aの周辺部に、かえり(突起部)14cが形成されてしまうが、かえり1 As shown in, the peripheral portion of each convex section 14a, which is insulated, return (projections) but 14c will be formed, back 1
4cの先端部が凸部14aの頂面を超えない程度に、かえり14cの発生を抑えることが好ましい。 To the extent that the distal end portion of 4c does not exceed the top surface of the projection 14a, it is preferable to suppress the occurrence of burrs 14c. このようにすると、封止用樹脂材により樹脂封止する際に、凸部1 In this way, when the resin sealing by the sealing resin material, a convex portion 1
4aの頂面のみを確実に露出させることができるので、 Since only 4a top surface of the can be reliably exposed,
実装時のリーク電流を防止することができる。 The leakage current at the time of mounting can be prevented.

【0060】なお、凸部14aの絶縁化処理、すなわち孤立化処理は、スタンピングではなく、エッチングにより行なってもよい。 [0060] The insulating treatment of the convex portion 14a, i.e. isolation process, rather than stamping, may be performed by etching.

【0061】(第1の実施形態に係る製造方法の一変形例)以下、第1の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一変形例を説明する。 [0061] (first modification of the manufacturing method according to the embodiment) will be described a modification of the method of manufacturing a lead frame according to the first embodiment.

【0062】図4(a)〜図4(d)は本発明の第1の実施形態に係るリードフレームの製造方法の工程順の断面構成を示している。 [0062] FIG. 4 (a) ~ FIG. 4 (d) are cross-sectional views sequentially illustrating steps in a method for manufacturing a lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図4(a)〜図4(d)において、図3(a)〜図3(d)に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。 In FIG. 4 (a) ~ FIG 4 (d), will be omitted by retaining the same reference numerals to the same components as shown in FIG. 3 (a) ~ FIG 3 (d).

【0063】図4(c)に示すように、本変形例においては、リードフレーム10の上面に対してほぼ平行な切断面を持つ切断用ポンチ22を用いることを特徴とする。 [0063] As shown in FIG. 4 (c), in this modification, which comprises using the cutting punch 22 having a substantially parallel cut with the upper surface of the lead frame 10.

【0064】切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持つ切断用ポンチ22を用いると、図4(d)に示すように、ダイパッド部13、内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bの各切断面にかえり(突起部)を生じないように切断することができる。 [0064] With the cutting punch 22 having a substantially parallel cut surfaces with respect to the cutting target surface, as shown in FIG. 4 (d), the die pad portion 13, the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B burr on each cutting surface can be cut so as not to cause (projections).

【0065】代わりに、リードフレーム10から分離した切断くず14dが発生するが、該切断くず14dは粘着性テープ材20上に落下するため、粘着性テープ材2 [0065] Alternatively, the cutting chips 14d separated from the lead frame 10 is produced, because the cutting chips 14d falls on the adhesive tape material 20, adhesive tape material 2
0を剥がす前に、粘着性テープ材20の粘着力が生じる程度に加熱すると、切断くず14dを粘着性テープ材2 Before peeling off the 0, when heated to such an extent that the adhesive strength of the adhesive tape material 20 occurs, the cutting chips 14d adhesive tape material 2
0に粘着させることができる。 0 can be adhered to. このため、切断くず14 For this reason, it is cutting waste 14
dの散乱を防止できるので、切断くず14dが製造プロセスに悪影響を与えないようにすることができる。 Since the scattering of d can be prevented, it is possible to cut debris 14d is not adversely affect the manufacturing process.

【0066】なお、切断面にかえりが生じない切断手段として、切断対象面に対してほぼ平行な切断面を持つ切断用ポンチ22以外にも、切断対象面に対して凹面を持つ形状のポンチであっても良い。 [0066] As cutting means burrs on the cut surface does not occur, in addition to the cutting punch 22 having a substantially parallel cut surfaces with respect to the cutting target surface, with the punch of the shape with a concave surface to the cutting surface to it may be.

【0067】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。 [0067] (Second Embodiment) Hereinafter, with reference to the drawings, a second embodiment of the present invention.

【0068】図5(a)及び図5(b)は本発明の第2 [0068] FIGS. 5 (a) and 5 (b) second invention
の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、 A resin-sealed semiconductor device according to the embodiment,
(a)は平面構成を示し、(b)は(a)のVb−Vb (A) shows a planar structure, Vb-Vb of (b) is (a)
線における断面構成を拡大して示している。 It illustrates an enlarged cross-sectional configuration of the line. 図5(a) FIGS. 5 (a)
及び図5(b)において、図2及び図3に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。 And those in FIG. 5 (b), the description by the same reference numerals are assigned to the same components as shown in FIGS.

【0069】図5(a)及び図5(b)に示す第2の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置40は、図2に示す第1の実施形態に係るリードフレーム10と同様の構成のリードフレームを用いており、さらに、内側インナリード部14Aと外側インナリード部14Bを共に2列とする4列構成としている。 [0069] FIGS. 5 (a) and 5 resin-sealed semiconductor device 40 according to the second embodiment shown in (b), the same configuration as the lead frame 10 according to the first embodiment shown in FIG. 2 uses a lead frame, further the four columns configured to the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B are both two columns.

【0070】図5(b)に示すように、樹脂封止型半導体装置40は、リードフレーム10のダイパッド部13 [0070] As shown in FIG. 5 (b), the resin-sealed semiconductor device 40, the die pad portion 13 of the lead frame 10
上に銀ペースト材41により固着され保持された半導体素子(半導体チップ)42と、該半導体素子42の外部端子(図示せず)と内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bとを電気的に接続する金(Au) A semiconductor element (semiconductor chip) 42 which is secured being held by a silver paste material 41 above, (not shown) external terminals of the semiconductor element 42 and the electrically inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B gold to be connected (Au)
からなるワイヤ(金属細線)43と、封止樹脂部44とから構成されている。 A wire (thin metal wire) 43 made of, and a sealing resin portion 44.

【0071】封止樹脂部44は、例えば熱硬化性樹脂材からなり、内側インナリード部14Aの各凸部14a及び外側インナリード部14Bの各凸部14aの頂面並びにダイパッド部13の底面をそれぞれ露出するように、 [0071] The sealing resin portion 44, for example, a thermosetting resin material, the top surface and the bottom surface of the die pad portion 13 of each convex section 14a of each convex section 14a and the outer inner lead portions 14B of the inner inner lead portions 14A so as to expose each,
半導体素子42、ダイパッド部13、内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bを封止している。 Semiconductor device 42, the die pad portion 13 seals the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B.

【0072】また、絶縁された各凸部14aの周辺部には、各凸部14aの絶縁(孤立化)加工時に切断用ポンチによるかえり(突起部)14cが形成されており、このかえり14cの先端部は、凸部14aの頂面を超えない程度に抑えられている。 [0072] Further, the peripheral portion of each convex section 14a, which is insulated, are formed back (protrusions) 14c by cutting punch during insulation (isolation) process of each convex section 14a, the back 14c tip is suppressed to a degree that does not exceed the top surface of the projection 14a.

【0073】以下、前記のように構成された樹脂封止型半導体装置40の製造方法について説明する。 [0073] Hereinafter, a method for manufacturing of the constructed resin-sealed semiconductor device as 40.

【0074】まず、第1の実施形態に示したような、孤立したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きのリードフレーム10を用意する。 [0074] First, as shown in the first embodiment, to prepare a lead frame 10 with adhesive tape material to prevent the elimination of isolated leads. 1つのリードフレーム1 One of the lead frame 1
0に複数のダイパッド部13が形成されているとする。 A plurality of die pad portion 13 is formed to zero.

【0075】次に、ダイボンディング工程において、リードフレーム10の各ダイパッド部13の上面に複数の半導体素子42をそれぞれ銀ペースト材41により固着する。 Next, in the die bonding step, fixed by silver paste material 41 each of the plurality of semiconductor elements 42 on the upper surface of the die pad portion 13 of the lead frame 10.

【0076】次に、ワイヤボンディング工程において、 Next, in the wire bonding step,
ワイヤ43により、各半導体素子42の外部端子と内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bとをそれぞれ電気的に接続する。 The wires 43, the semiconductor elements 42 of the external terminal and an inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B are electrically connected respectively.

【0077】次に、封止工程において、粘着性テープ材がリードフレーム10の素子保持面(上面)側に貼付されている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、各凸部14aの頂面及び各ダイパッド部13の底面を露出するように、複数の半導体素子42、複数のダイパッド部13、複数の内側インナリード部14A及び複数の外側インナリード部14Bを封止用樹脂材により一括に封止して、封止樹脂部44を形成する。 [0077] Next, in the sealing step, or adhesive tape material when affixed to the element holding surface of the lead frame 10 (upper surface) side, peeling off the adhesive tape material provided on the upper surface or removed chemically dissolved, then to expose the top surface and bottom surface of each die pad portion 13 of each convex section 14a, a plurality of semiconductor elements 42, a plurality of die pad portion 13, a plurality of inner inner lead portions 14A and a plurality of outer inner lead portions 14B are sealed collectively by the sealing resin material, forming the sealing resin portion 44.

【0078】ここで、粘着性テープ材の溶解には、一例として、粘着性テープ材にポリイミドを用いる場合には、溶剤として、105℃〜110℃程度に加熱した濃度が約50%の水酸化ナトリウム水溶液又はヒドラジンとエチレンジアミンとの混合液等を用いるとよい。 [0078] Here, the dissolution of the adhesive tape material, as an example, in the case of using the polyimide tacky tape material, as a solvent, hydroxide concentrations heated to about 105 ° C. to 110 ° C. for about 50% a mixed solution of aqueous sodium or hydrazine and ethylenediamine preferably used.

【0079】次に、分割工程において、粘着性テープ材がリードフレーム10の素子保持面と反対側の面(底面)に設けられている場合には、該底面側に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去する。 [0079] Then, in the dividing step, when the adhesive tape material is provided on the opposite surface to the element holding surface of the lead frame 10 (bottom) is adhesive tape material provided bottom surface It is removed by either or chemically dissolve peeling. 続いて、複数の半導体素子42が固着され、一括に封止されたリードフレーム10及び封止樹脂部44 Subsequently, a plurality of semiconductor elements 42 is fixed, the lead frame 10 and the sealing resin portion 44 which is sealed in bulk
を、複数の半導体素子42のうちの少なくとも1つが含まれるように、例えばダイシングブレードを用いて切断することにより、チップ状に分割する。 And so at least one of the plurality of semiconductor elements 42 include, for example, by cutting using a dicing blade to divide into chips.

【0080】以上の工程により、図5(a)及び図5 [0080] Through the above steps, FIG. 5 (a) and 5
(b)に示す樹脂封止型半導体装置を得る。 Obtaining a resin-sealed semiconductor device shown in (b).

【0081】本発明に係るリードフレーム10は、底面に凹部13aが設けられているため、封止樹脂部44における半導体素子42の下側部分の厚さが大きくなるので、半導体素子42が封止樹脂部44の上方から受ける応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、その結果、半導体素子42が受ける応力が低減する。 [0081] a lead frame 10 according to the present invention, since the recess 13a to the bottom surface is provided, the thickness of the lower portion of the semiconductor element 42 in the sealing resin portion 44 is increased, the semiconductor element 42 is sealed the difference between the stress received from the stress and the lower receiving from above the resin portion 44 is reduced, as a result, the semiconductor element 42 is stress reduction to receive. さらに、 further,
ダイパッド部13における封止樹脂部44の底面からの露出部分の面積が小さくなるため、該底面から侵入する水分の侵入経路が長くなるので、耐湿性にも優れるようになり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。 Since the area of ​​the exposed portion of the bottom surface of the sealing resin portion 44 of the die pad portion 13 is reduced, since the penetration of moisture path entering from the bottom surface is longer, become also excellent in moisture resistance, long term of the semiconductor device reliability is improved.

【0082】なお、内側インナリード部14A及び外側インナリード部14Bの上面を銀(Ag)によりめっきし、該インナリード部14A、14B及びダイバッド部13の底面を、スズ(Sn)及び鉛(Pb)又はスズ(Sn)及びビスマス(Bi)含む合金(はんだ)によりめっきすると、ワイヤボンディング工程及び実装基板への実装工程において電気的な接続が確実となる。 [0082] Incidentally, the upper surface of the inner inner lead portions 14A and the outer inner lead portions 14B and plated with silver (Ag), said inner lead portions 14A, the bottom surface of 14B and Daibaddo portion 13, tin (Sn) and lead (Pb ) or when plating with tin (Sn) and bismuth (Bi) including alloys (solder), electrical connection is ensured in the mounting process of the wire bonding step and the mounting substrate.

【0083】また、リードフレーム10が銅合金からなる場合には、めっき材として、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)及び金(Au)を含む合金を用いると、 [0083] Further, when the lead frame 10 is made of copper alloy, a plating material, nickel (Ni), the use of an alloy containing palladium (Pd) and gold (Au),
インナリード部14A、14Bの上面及び底面、並びにダイバッド部13の底面に対して1種類の合金によりめっきすることができる。 It may be plated with one of the alloy with respect to the inner lead portions 14A, 14B of the top and bottom, and the bottom surface of Daibaddo portion 13.

【0084】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。 [0084] (Third Embodiment) Hereinafter, with reference to the drawings, a third embodiment of the present invention.

【0085】図6(a)及び図6(b)は本発明の第3 [0085] FIGS. 6 (a) and 6 (b) the third of the present invention
の実施形態に係るリードフレームであって、(a)はランドの絶縁(孤立化)加工前の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分の平面構成を示し、(b)は(a)のVIb−VIb線における断面構成を示している。 A lead frame according to the embodiment, (a) shows a plan configuration of a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame in which a plurality of die pad portion before the insulation (isolation) process lands provided , (b) shows a sectional structure along line VIb-VIb of (a).

【0086】図6(a)及び図6(b)に示すように、 [0086] As shown in FIG. 6 (a) and 6 (b),
リードフレーム30は、フレーム枠部31と、該フレーム枠部31の内側に配置され、その上面に半導体素子を保持するダイパッド部33と、該ダイパッド部33の周辺部にそれぞれ3列に配置され、素子保持面と反対側の面(底面)にランドとなる凸部を有する複数のインナリード部34とを備えている。 Lead frame 30 includes a framework 31 is disposed inside of the framework 31, a die pad 33 for holding the semiconductor element on the upper surface thereof, respectively to the peripheral portion of the die pad portion 33 is disposed in three rows, and a plurality of inner lead portions 34 having a convex portion as a land on the opposite side of the surface as the element holding surface (bottom surface).

【0087】複数のインナリード部34のうち、一部はフレーム枠部31から延びる第1の連結支持部としての枠部連結支持部32Aにより支持されている。 [0087] Among the plurality of inner leads 34, some of which are supported by the frame portion connecting the support portion 32A of the first connection support portion extending from the framework 31. 残部のインナリード部34同士及びダイパッド部33と隣接するインナリード部34は、第2の連結支持部としてのランド連結支持部32Bにより支持されている。 Inner lead portions 34 adjacent to the inner lead portions 34 to each other and the die pad portion 33 of the remaining portion is supported by the land connection support portion 32B of the second connection support portion.

【0088】各凸部は、ランド連結支持部32Bの凸部同士の間又は該凸部とダイパッド部33との間の領域の底面に対してハーフエッチング処理又はプレス処理を行なうことにより形成される。 [0088] Each convex portion is formed by performing half etching process or pressing process with respect to the bottom surface of the region between the convex portion or between the convex portion and the die pad portion 33 between the land connection support portion 32B .

【0089】ダイパッド部33の底面の中央部分には凹部33aが形成されている。 [0089] recess 33a is formed in the central portion of the bottom surface of the die pad portion 33. また、インナリード部34 In addition, the inner lead portions 34
の周辺部に、封止用樹脂材により封止される領域である封止領域44Aを破線で表わしている本実施形態に係るリードフレーム30は、フレーム枠部31と複数のインナリード部34とがそれらの底面をリード保持材としての粘着性テープ材20により保持されていることを特徴とする。 Of the peripheral portion, a lead frame 30 according to the present embodiment represents a sealing region 44A is a region sealed by the sealing resin material by a broken line, a framework 31 and a plurality of inner lead portions 34 There, characterized in that it is held by the adhesive tape material 20 of their bottom as the lead holding member.

【0090】図7(a)及び図7(b)は図6(a)及び図6(b)に示すリードフレーム30におけるランドの絶縁(孤立化)加工後の底面構成を示している。 [0090] FIGS. 7 (a) and 7 (b) Land insulation (isolation) in the lead frame 30 shown in FIG. 6 (a) and 6 (b) shows a bottom structure after processing. 図7 Figure 7
(a)及び図7(b)に示すように、各ランド連結支持部32Bが切断又はエッチングにより除去されることにより、インナリード部34同士又は該インナリード部3 (A) and 7 (b), the by the lands connecting the supporting portion 32B is removed by cutting or etching, the inner lead portions 34 each other or the inner lead portions 3
4とダイパッド部33とが絶縁されている。 4 and the die pad portion 33 are insulated.

【0091】このように、第3の実施形態によると、フレーム枠部31とインナリード部34とが各底面を粘着性テープ材20により保持されているため、インナリード部34同士及びダイパッド部33を電気的に絶縁する、すなわち孤立化する加工を施したとしても、インナリード部34及びダイパッド部33がフレーム枠部31 [0091] Thus, according to the third embodiment, since the framework portion 31 and the inner lead portions 34 are held each bottom by adhesive tape material 20, the inner lead portions 34 to each other and the die pad portion 33 electrically insulates, i.e. even when subjected to processing to isolate, inner lead portions 34 and the die pad portion 33 is a frame frame portion 31
から脱離する虞がない。 There is no possibility that the desorbed from. 従って、すべてのインナリード部34A及びダイパッド部33に、フレーム枠部31によって支持される連結支持部を設けなくても済むため、 Therefore, all of the inner lead portions 34A and the die pad portion 33, since it is not necessary provided the connection support portion which is supported by the framework 31,
例えば3列以上のランドをフレーム枠部31とダイパッド部33との間に設けたとしても、フレーム枠部31の小型化を妨げることがなくなる。 For example, even three or more rows of the land as provided between the framework 31 and the die pad portion 33, it is unnecessary to interfere with the miniaturization of the framework 31. その結果、従来のようにセラミック材又は樹脂フィルム材を積層することにより実現された、外側部からダイパッド部までのランドの列数が3列以上のLGA型の半導体装置を、単層の金属板からなるリードフレームのみによって、簡便に且つ確実に実現することができるようになる。 As a result, has been achieved by laminating ceramic material or a resin film material as in the prior art, a semiconductor device columns of the land to the die pad portion is 3 or more rows of LGA type from the outside portion, of the single-layer metal plate only by the lead frame made, it is possible to easily and reliably realized.

【0092】なお、第3の実施形態においては、粘着性テープ材20をリードフレーム30の底面側に貼付したが、これに限られない。 [0092] In the third embodiment has attached the adhesive tape material 20 on the bottom side of the lead frame 30 is not limited thereto. 具体的には、絶縁された、すなわち孤立化された複数のリードフレーム34及びダイパッド部33がフレーム枠部31に保持されればよく、上面であっても底面であってよい。 Specifically, insulated, i.e. it is sufficient plurality of lead frames 34 and the die pad portion 33 which is isolate is held in the framework unit 31 may be a bottom even top surface. 但し、上面に貼付する場合は、半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程時に妨げにならない領域に貼付する必要がある。 However, when attached to the upper surface needs to be attached to a region not to interfere during the die bonding process and wire bonding step of the semiconductor device.

【0093】また、絶縁されたリードフレーム34を保持するリード保持材に粘着性テープ材20を用いたが、 [0093] Furthermore, although using the adhesive tape material 20 to the lead holding member for holding the lead frame 34 are insulated,
代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜を用いてもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。 Alternatively, for example, it is a metal thin film made of aluminum, the insulating and conductive does not matter.

【0094】第3の実施形態においても、ランドの絶縁(孤立化)処理には切断用ポンチによる打ち抜き加工を行なってもよく、エッチングを行なってもよい。 [0094] In the third embodiment, insulation land (isolation) process may be performed punching machining by cutting punch to be etched. 例えば、打ち抜き加工を行なった場合には、第1の実施形態と同様に、絶縁された各インナリード部34の周辺部に、かえり(突起部)が形成されてしまうが、かえりの先端部が凸部の頂面を超えない程度に、かえりの発生を抑える必要がある。 For example, in the case of performing the punching, as in the first embodiment, the peripheral portion of the inner lead portions 34 that are insulated, return it (projections) are formed, the distal end portion of the return is by not more than the top surface of the convex portion, it is necessary to suppress the occurrence of burrs.

【0095】また、必ずしもすべてのインナリード部3 [0095] In addition, not all of the inner lead portions 3
4を絶縁する必要はない。 4 there is no need to insulate. 例えば、ダイパッド部33上に保持する半導体素子(チップ)の寸法がダイパッド部33よりも大きく、ダイパッド部33の周辺部にはみ出すような場合には、該半導体素子の周縁部により覆われるインナリード部34をダイパッド部33と接続したままにしておくことが好ましい。 For example, greater than dimension die pad 33 of the semiconductor element (chip) for holding onto the die pad portion 33, the case that protrude to the periphery of the die pad portion 33, the inner lead part covered by the periphery of the semiconductor element it is preferable that the 34 remain connected with the die pad portion 33. このようにすると、ダイパッド部34の放熱面積及び熱容量が大きくなるので、 In this manner, since the heat dissipation area and heat capacity of the die pad portion 34 is increased,
樹脂封止型半導体装置の放熱性が向上する。 Heat-radiating property of the resin encapsulated semiconductor device is improved.

【0096】(第3の実施形態の一変形例)以下、本発明の第3の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説明する。 [0096] (Third modification of the embodiment) will be described below with reference to the drawings of a modification of the third embodiment of the present invention.

【0097】図8(a)及び図8(b)は第3の実施形態の一変形例に係るリードフレームであって、(a)はランドの絶縁(孤立化)加工後の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分の平面構成を示し、(b)は(a)のVIIIb−VI [0097] FIGS. 8 (a) and FIG. 8 (b) a lead frame according to a modification of the third embodiment, (a) the insulation land (isolation) a plurality of die pad after processing shows a plan structure of a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame is provided, VIIIb-VI of (b) is (a)
IIb線における断面構成を示している。 It shows a cross-sectional structure of IIb line. 図8(a)及び図8(b)において、図7(a)及び(b)に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。 In FIG. 8 (a) and FIG. 8 (b), the description thereof is omitted by retaining the same reference numerals to the same components as shown in FIGS. 7 (a) and (b).

【0098】本変形例は、図8(a)及び図8(b)に示すように、各ランド連結支持部32Bのみならず、フレーム枠部31とリードフレーム部34との間の枠部連結支持部32Aも切断又はエッチングにより除去されている。 [0098] This modification, as shown in FIG. 8 (a) and 8 (b), not only the land connection support portion 32B only, the frame portion connecting between the framework 31 and the lead frame 34 supporting portion 32A are also cut or removed by etching.

【0099】このように枠部連結支持部32Aをも除去すると、図8(b)に示すように、封止領域44Aの側面からリードフレーム30が露出しなくなるため、半導体装置における実装時の側面からのリーク電流を防止することができる。 [0099] In this manner also removes the frame portion connecting the supporting portion 32A, as shown in FIG. 8 (b), since the lead frame 30 is not exposed from the side surface of the sealing region 44A, the side surface at the time of mounting the semiconductor device it is possible to prevent the leakage current from.

【0100】(第4の実施形態)以下、本発明の第4の実施形態について図面を参照しながら説明する。 [0100] (Fourth Embodiment) Hereinafter, with reference to the drawings, a fourth embodiment of the present invention.

【0101】図9(a)〜図9(d)は本発明の第4の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、(a) [0102] Figure 9 (a) ~ FIG 9 (d) is a resin-sealed semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention, (a)
は平面構成を示し、(b)は正面構成を示し、(c)は右側面の構成を示し、(d)は底面構成を示している。 Shows a plan structure, (b) shows a front configuration, (c) shows the structure of the right side shows the (d) are bottom configuration.
図9(a)〜図9(d)において、図7に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。 In FIG. 9 (a) ~ FIG 9 (d), will be omitted by retaining the same reference numerals to the same components as shown in FIG.

【0102】図9(a)〜図9(d)に示す第4の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置60は、図7に示す第3の実施形態に係るリードフレーム30と同様の構成のリードフレームを用いており、さらにインナリード部3 [0102] Figure 9 (a) ~ 9 resin-encapsulated semiconductor device 60 according to the fourth embodiment shown in (d) is the same configuration as the lead frame 30 according to the third embodiment shown in FIG. 7 It uses a lead frame, further inner lead part 3
4を4列構成としている。 4 is a four-column configuration.

【0103】樹脂封止型半導体装置60は、リードフレームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保持された半導体素子(半導体チップ)と、該半導体素子の外部端子とインナリード部34とを電気的に接続する金(Au)からなるワイヤ(金属細線)と、封止樹脂部44とから構成されている。 [0103] resin-sealed semiconductor device 60, the electrical and semiconductor element is fixed by silver paste material on the die pad of the lead frame is held (the semiconductor chip) and an external terminal of the semiconductor element and the inner lead portions 34 a wire made of gold (Au) that connects (thin metal wire), and a sealing resin portion 44.

【0104】封止樹脂部44は、例えば熱硬化性樹脂材からなり、インナリード部31の各凸部の頂面並びにダイパッド部33の底面をそれぞれ露出するように、半導体素子、ダイパッド部33及びインナリード部34を封止している。 [0104] The sealing resin portion 44, for example, a thermosetting resin material, the top surface and the bottom surface of the die pad portion 33 of the convex portion of the inner lead portions 31 so as to expose each of the semiconductor elements, the die pad portion 33 and the sealing the inner lead portions 34.

【0105】以下、前記のように構成された樹脂封止型半導体装置60の製造方法について説明する。 [0105] Hereinafter, a method for manufacturing of the resin encapsulated semiconductor device configured as 60.

【0106】まず、第2の実施形態に示したような、孤立化したリードの脱離を防止する粘着性テープ材付きのリードフレーム30を用意する。 [0106] First, as shown in the second embodiment, providing a lead frame 30 with adhesive tape material to prevent the elimination of isolation and lead. ここでも、1つのリードフレーム30に複数のダイパッド部33が形成されているとする。 Again, a plurality of die pad 33 to one lead frame 30 is formed.

【0107】次に、ダイボンディング工程において、リードフレーム30の各ダイパッド部33の上面に複数の半導体素子をそれぞれ銀ペースト材により固着する。 [0107] Next, in the die bonding step, fixed by the respective silver paste material a plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad 33 of the lead frame 30.

【0108】次に、ワイヤボンディング工程において、 [0108] Next, in the wire bonding step,
ワイヤにより、各半導体素子の外部端子とインナリード部34とをそれぞれ電気的に接続する。 Wire by, respectively electrically connected to the external terminal and a inner lead portions 34 of the semiconductor elements.

【0109】次に、封止工程において、粘着性テープ材がリードフレーム30の素子保持面(上面)側に貼付されている場合には、上面側に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去し、その後、リードフレーム部34の各凸部の頂面及び各ダイパッド部33の底面を露出するように、複数の半導体素子、複数のダイパッド部33、複数のインナリード部34を封止用樹脂材により一括に封止して、封止樹脂部44を形成する。 [0109] Next, in the sealing step, or adhesive tape material when affixed to the element holding surface of the lead frame 30 (upper surface) side, peeling off the adhesive tape material provided on the upper surface or removed chemically dissolved, then to expose the top surface and bottom surface of each die pad 33 of the respective convex portions of the lead frame 34, a plurality of semiconductor elements, a plurality of die pads 33, a plurality of inner sealing the lead portion 34 collectively by the sealing resin material, forming the sealing resin portion 44.

【0110】次に、分割工程において、粘着性テープ材がリードフレーム30の底面側に設けられている場合には、該底面に設けられた粘着性テープ材を剥離するか又は化学的に溶解して除去する。 [0110] Then, in the dividing step, when the adhesive tape material is provided on the bottom surface side of the lead frame 30 is dissolved or chemically peeling the adhesive tape material provided bottom surface to remove Te. 続いて、複数の半導体素子が固着され、一括に封止されたリードフレーム30及び封止樹脂部44を、複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるように、例えばダイシングブレードを用いて切断することにより、チップ状に分割する。 Subsequently, a plurality of semiconductor elements is fixed, the lead frame 30 and the sealing resin portion 44 which is sealed in bulk, to include at least one of the plurality of semiconductor elements, for example cutting using a dicing blade by, dividing into chips.

【0111】以上の工程により、図9(a)〜図9 [0111] Through the above steps, as shown in FIG. 9 (a) ~ 9
(d)に示す樹脂封止型半導体装置を得る。 Obtaining a resin-sealed semiconductor device shown in (d).

【0112】本発明に係るリードフレーム30においても、底面に凹部33aが設けられているため、封止樹脂部44における半導体素子の下側部分の厚さが大きくなるので、半導体素子が封止樹脂部44の上方から受ける応力と下方から受ける応力との差が小さくなり、その結果、半導体素子が受ける応力が低減する。 [0112] In the lead frame 30 according to the present invention, since the recess 33a is provided on the bottom surface, the thickness of the lower portion of the semiconductor device in the sealing resin portion 44 is increased, the semiconductor element encapsulation resin the difference between the stress received from the stress and the lower receiving from the upper parts 44 is reduced, as a result, stress is reduced to the semiconductor element is subjected. さらに、ダイパッド部33における封止樹脂部44の底面からの露出部分の面積が小さくなると共に該底面から侵入する水分の侵入経路が長くなるので、耐湿性に優れるようになり、該半導体装置の長期信頼性が向上する。 Further, since moisture penetration path that penetrates from the bottom surface with the area of ​​the exposed portion of the bottom surface of the sealing resin portion 44 of the die pad portion 33 is reduced is increased, it becomes superior moisture resistance, long term of the semiconductor device reliability is improved.

【0113】(第4の実施形態の一変形例)以下、本発明の第4の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説明する。 [0113] (First Modification of Fourth Embodiment) Hereinafter, with reference to the drawings of a modification of the fourth embodiment of the present invention.

【0114】図10(a)〜図10(d)は本発明の第4の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置であって、 [0114] FIG. 10 (a) ~ FIG 10 (d) is a resin-sealed semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention,
(a)平面構成を示し、(b)は正面構成を示し、 (A) shows a plan structure, (b) shows a front configuration,
(c)は右側面の構成を示し、(d)は底面構成を示している。 (C) shows the structure of the right side shows the (d) are bottom configuration. 図10(a)〜図10(d)において、図9 In FIG. 10 (a) ~ FIG 10 (d), 9
(a)〜図9(d)に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。 (A) The same components as shown in to FIG. 9 (d) will be omitted by retaining the same reference numerals.

【0115】図10(a)〜図10(d)に示す変形例に係る樹脂封止型半導体装置61は、図8に示す第3の実施形態の一変形例に係るリードフレーム30と同様の構成のリードフレームを用いており、さらにインナリード部34を4列構成としている。 [0115] resin-sealed semiconductor device 61 according to the modification shown in FIG. 10 (a) ~ FIG 10 (d) is similar to the lead frame 30 according to a modification of the third embodiment shown in FIG. 8 It employs a lead frame structure, and further the inner lead portions 34 and four columns configured.

【0116】樹脂封止型半導体装置61は、リードフレームのダイパッド部上に銀ペースト材により固着され保持された半導体素子(半導体チップ)と、該半導体素子の外部端子とインナリード部34とを電気的に接続する金(Au)からなるワイヤ(金属細線)と、封止樹脂部44とから構成されている。 [0116] resin-sealed semiconductor device 61, an electric semiconductor element is fixed by silver paste material on the die pad of the lead frame is held (the semiconductor chip) and an external terminal and an inner lead portion 34 of the semiconductor element a wire made of gold (Au) that connects (thin metal wire), and a sealing resin portion 44.

【0117】封止樹脂部44は、インナリード部31の各凸部の頂面並びにダイパッド部33の底面をそれぞれ露出するように、半導体素子、ダイパッド部33及びインナリード部34を封止している。 [0117] The sealing resin portion 44, the top surface and the bottom surface of the die pad portion 33 of the convex portion of the inner lead portions 31 so as to expose each of the semiconductor elements, sealing the die pad portion 33 and the inner lead portions 34 there.

【0118】本変形例に係る樹脂封止型半導体装置61 [0118] According to this modification the resin-encapsulated semiconductor device 61
は、図10(b)の正面図及び図10(c)の右側面図に示すように、側面封止樹脂部44の各側面からリードフレーム30が露出しない。 As shown in the front view and right side view shown in FIG. 10 (c) of FIG. 10 (b), the lead frame 30 is not exposed from the side surfaces of the sealing resin portion 44. この構成により、該半導体装置における実装時の側面からのリーク電流を防止することができる。 With this configuration, it is possible to prevent the leakage current from the side at the time of mounting in the semiconductor device.

【0119】(第5の実施形態)以下、本発明の第5の実施形態について図面を参照しながら説明する。 [0119] (Fifth Embodiment) will now be described with reference to the drawings, a fifth embodiment of the present invention.

【0120】図11(a)は本発明の第5の実施形態に係るリードフレームであって、ランド部と該ランド部同士を接続するインナリード部を有し、ランド部同士の絶縁加工後のリードフレームの4分の1を含む部分の平面構成を示している。 [0120] 11 (a) is a lead frame according to the fifth embodiment of the present invention, has a inner lead portion connecting the land portion and the land portions, after insulating treatment between the land portion It shows a plan structure of a portion including a quarter of the lead frame.

【0121】図1に示すように、第5の実施形態に係るリードフレーム70は、フレーム枠部71と、該フレーム枠部71の内側に連結支持部としてのサポートリード部72により隅部が支持され、その上面に半導体素子を保持するダイパッド部73と、フレーム枠部71とダイパッド部73との間に配置された複数のランド部75とを備えている。 [0121] As shown in FIG. 1, the lead frame 70 according to the fifth embodiment, the framework unit 71, the support lead portions 72 of the connecting support part to the inside of the framework unit 71 corner support It is provided with a die pad portion 73 for holding the semiconductor element on the upper surface thereof, and a plurality of land portions 75 disposed between the frame frame portion 71 and the die pad portion 73. ここで、ダイパッド部73の上面の中央部分には凸部73aが形成されている。 Here, the projection 73a is formed in the central portion of the upper surface of the die pad portion 73.

【0122】複数ランド部75のうちの一部はフレーム枠部71から延びる連結支持部74Aに支持されており、残部はスタンピング等により絶縁(孤立)されている。 [0122] Some of the plurality land portion 75 is supported by the connection support portion 74A extending from the framework unit 71, the remainder is isolated (isolated) by stamping or the like.

【0123】また、複数のランド部75のうちの一部は、連結支持部74Aから形成されたインナリード部7 [0123] Furthermore, some of the plurality of land portions 75, the inner lead portions 7 formed from the connecting support part 74A
4Bにより電気的に接続されている。 It is electrically connected by 4B.

【0124】第5の実施形態に係るリードフレーム70 [0124] a lead frame 70 according to the fifth embodiment
は、これまでの実施形態と同様に、フレーム枠部71と複数のランド部75とがそれらの底面(図11の裏面側)をリード保持材としての粘着性テープ材20により保持され、絶縁されたランド部75がリードフレーム7 , Like the previous embodiments, the framework 71 and a plurality of land portions 75 is held by the adhesive tape material 20 of their bottom (back side in FIG. 11) as the lead holding member, insulated the land portion 75 is a lead frame 7
0から脱離しないことを第1の特徴とする。 That from 0 not eliminated the first feature.

【0125】また、ランド部75と該ランド部75の間に位置するインナリード部74Bとの断面形状を第2の特徴とする。 [0125] Further, the sectional shape of the inner lead portion 74B located between the land portion 75 and the land portion 75 and the second feature.

【0126】通常、ランド部75同士は電気的に孤立させて用いるが、半導体素子の仕様によっては、一のランド部75と他のランド部75とを同電位にするために、 [0126] Usually, for the land portion 75 to each other is used electrically to isolate it, depending on the specification of the semiconductor device, which the one land portion 75 and the other land portion 75 at the same potential,
インナリード部74Bを設けたい場合がある。 There is if you want to provide a inner lead portion 74B. しかしながら、ランド部75間の間隔が小さい場合には、インナリード部74Bを配置するスペースを確保することが困難となる。 However, when the spacing between the land portions 75 is small, it is difficult to secure a space for arranging the inner lead portions 74B. その場合には、例えば、各ランド部75の径を小さくしたり、インナリード部74Bの径を小さくしたりする必要が生じるが、このようにすると、ランド部75は実装基板との電気的な接触面積が減り、また、インナリード部74Bは電気抵抗が増大する。 In that case, for example, to reduce the diameter of the land portion 75, but need or reduce the diameter of the inner lead portions 74B occurs, In this way, the land portion 75 is electrical the mounting board reduces the contact area, also, the inner lead portions 74B are electrical resistance increases.

【0127】そこで、第5の実施形態においては、図1 [0127] Therefore, in the fifth embodiment, FIG. 1
1(b)の断面図に示すように、インナリード部74B As shown in the sectional view of 1 (b), inner lead portions 74B
は、互いに隣接するランド部75同士の間に上面がランド部75の頂面の高さと同等で且つ下面がランド部75 The land portion 75 and the lower surface is a land portion upper surface equivalent to the height of the top surface of the land portion 75 between the adjacent 75 adjacent to each other
の下面よりも高くなるように設けている。 It is provided so as to be higher than the lower surface of the.

【0128】一方、ランド部75におけるインナリード部74Bが延びる方向に対して垂直な方向の断面形状は、インナリード部74Bの側面と対向する上部が小さい断面凸字状である。 [0128] On the other hand, the direction of the cross section perpendicular to the direction of extension is inner lead portions 74B of the land portion 75, a top facing the side surface of the inner lead portions 74B is smaller convex sectional shape.

【0129】これにより、ランド間距離d1を小さくしながら、ランド部75の頂部とインナリード部74Bとの間の距離であるリード間距離d2を、インナリード部74Bの両側に確実に確保することができる。 [0129] Thus, while reducing the distance between lands d1, the lead distance d2 is the distance between the top and the inner lead portions 74B of the land portion 75, be reliably ensured on both sides of the inner lead portions 74B can. なお、ランド間距離d1とリード間距離d2とは同等であってもよい。 It should be noted, may be equivalent to the distance between lands d1 and the lead distance d2.

【0130】以上説明したように、インナリード部74 [0130] As described above, the inner lead portions 74
Bは、ランド部75の側面同士の間隔が下部よりも大きい上部の側方領域に位置するため、ランド部75の径を小さくしたり、インナリード部74B自体の径を小さくすることなく、ランド部75の間にインナリード部74 B, since the distance between the side surfaces of the land portion 75 is positioned in the large upper portion of the side regions than the lower, or reduce the diameter of the land portion 75, without reducing the diameter of the inner lead portion 74B itself, the land the inner lead portions 74 between the part 75
Bを設けることができるようになる。 B it is possible to provide a.

【0131】次に、第5の実施形態に係るリードフレームの製造方法を説明する。 [0131] Next, a method for manufacturing a lead frame according to the fifth embodiment.

【0132】まず、銅を主成分とする合金又は鉄及びニッケルの合金からなるリードフレーム形成用の板状の金属部材から、フレーム枠部71と、該フレーム枠部71 [0132] First, copper from a plate-like metal member for lead frame formed of an alloy or iron and nickel alloy as the main component, the framework unit 71, the framework 71
の内側に位置するダイパッド部73と、該ダイパッド部73の周縁部又はフレーム枠部71と接続された連結支持部74Aとを、例えば、スタンピング又はエッチングにより一体成形してリードフレーム70を形成する。 A die pad portion 73 located in the inside, and a connection support portion 74A connected to the peripheral edge or frame frame portion 71 of the die pad portion 73, for example, to form a lead frame 70 are integrally molded by stamping or etching.

【0133】次に、連結支持部74Aから、ランド部7 [0133] Next, from the joint supports 74A, the land portion 7
5とインナリード部74Bとをリードフレーム70の両面からのハーフエッチングにより形成する。 5 and the inner lead portions 74B are formed by half etching from both sides of the lead frame 70.

【0134】すなわち、互いに隣接するランド部75同士及びその間に位置する連結支持部74Aにおける素子保持面(上面)側であって、ランド部75同士における連結支持部74Aと並行する中央部部分及びその間の連結支持部74Aをマスクして、ランド部75の素子保持面側に対してリードフレーム70の厚さのほぼ2分の1 [0134] That is, an element holding surface (upper surface) side of the connection support portion 74A located on the land portion 75 to each other and between adjacent, central portion and between which parallel to the connection support portion 74A of the land portion 75 together masks the connection support portion 74A of, approximately one half of the thickness of the lead frame 70 with respect to the element holding surface side of the land portion 75
をエッチングすることにより、ランド部75同士の間に連結支持部74Aからなるインナリード部74Bを形成する。 The by etching, to form the inner lead portion 74B consisting of joint supports 74A between the land portions 75 to each other.

【0135】次に、ランド部75における素子保持面側と反対側の面(底面側)をマスクして、ランド部75の素子保持面側と反対側の面に対して、ランド部75同士及びインナリード部74Bがそれぞれ分離し、ランド部75の周囲における上面側及び底面側が貫通するまでエッチングする。 [0135] Then, the opposite surface to the element holding surface side of the land portion 75 (the bottom side) is masked, with respect to a surface opposite to the element holding surface side of the land portion 75, the land portion 75 to each other and inner lead portions 74B are separated respectively, top side and bottom side of the periphery of the land portion 75 is etched to penetrate. これにより、互いに隣接するランド部7 The land portion 7 Thus, the adjacent
5同士の側面とインナリード部74Bの側面及び底面とに囲まれた断面Y字状の空隙が形成される。 5 side and the inner lead part side and cross-sectional Y-shaped gaps surrounded by the bottom surface of 74B of each other are formed. なお、ここでの上面側と底面側とのハーフエッチングの順序は問われない。 The order of half etching the top side and the bottom side of this case does not matter.

【0136】次に、複数のランド部75及びフレーム枠部71の底面側に粘着性テープ材20を貼付して、複数のランド部75及びフレーム枠部71をテープ粘着性テープ材により保持する。 [0136] Next, by attaching the adhesive tape material 20 on the bottom side of the plurality of land portions 75 and the framework 71, a plurality of land portions 75 and the framework 71 is held by the tape adhesive tape material.

【0137】次に、連結支持部74Aの少なくとも一部の、連結支持部74Aが延びる方向に隣接するランド部75同士の間及びランド部75とダイパッド部73との間の領域を、図3(c)又は、図4(c)に示したような切断用ポンチにより機械的に切断するか、又はエッチングにより化学的に除去することにより、複数のランド部75又はインナリード部74Bを選択的に絶縁する。 [0137] Next, at least a portion of the connecting support part 74A, the area between the between the land portions 75 adjacent in the direction in which the connection support portion 74A extends and land portion 75 and the die pad portion 73, FIG. 3 ( c) or, and FIG. 4 (c) to the above by the cutting punch or mechanically cut shown, or by chemically etched away, selectively a plurality of land portions 75 or the inner lead portions 74B insulation to.

【0138】なお、第5の実施形態においては、粘着性テープ材20をリードフレーム70の底面側に全面にわたって貼付したが、これに限られない。 [0138] In the fifth embodiment has affixed over the entire surface of the adhesive tape material 20 on the bottom side of the lead frame 70 is not limited thereto. すなわち、絶縁(孤立化)された複数のランド75がダイパッド部73 That is, a plurality of lands 75 which is insulated (isolation) of the die pad 73
又はフレーム枠部71に保持されればよく、上面であっても底面であってよい。 Or only to be held in the framework unit 71 may be a bottom even top surface. 但し、上面に貼付する場合は、 However, when attached to the upper surface,
半導体素子のダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程において妨げにならない領域に貼付する必要がある。 It must be affixed to the region not to interfere in the die bonding process and wire bonding step of the semiconductor device.

【0139】また、リード保持材として粘着性テープ材20を用いたが、これの代わりに、例えばアルミニウムからなる金属薄膜を用いてもよく、その絶縁性及び導電性は問われない。 [0139] Furthermore, although using the adhesive tape material 20 as the lead holding member, instead of this, for example, be a metal thin film made of aluminum, the insulating and conductive does not matter.

【0140】さらに、第5の実施形態に係るリードフレーム70を用いた樹脂封止型半導体装置を得るには、第2の実施形態に係る製造方法と同様に、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、封止工程及び分割工程を順次行なえばよい。 [0140] Further, in order to obtain a resin-sealed semiconductor device using the lead frame 70 according to the fifth embodiment, similarly to the manufacturing method according to the second embodiment, a die bonding process, a wire bonding step, sequentially may be carried out sealing step and the dividing step.

【0141】 [0141]

【発明の効果】本発明に係る樹脂封止型半導体装置によると、3列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間に確実に配置することができる。 According to the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, it can be reliably arranged between the frame frame portion and the die pad 3 or more rows of land.

【0142】また、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、互いに絶縁され且つ行列上に配置された複数のインナリード部を有し、フレーム枠部とその上面又は下面をリード保持材により保持されたリードフレームを用いているため、インナリード部とフレーム枠部とを連結する連結支持部を設けなくても済む。 [0142] According to the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a plurality of inner lead portions arranged on the insulated and matrix to each other, the frame frame portion and its upper surface or leading lower surface due to the use of a lead frame held by the holding member, it is not necessary provided the connection support portion which connects the inner lead and the framework part. このため、例えば3列以上のランドをフレーム枠部とダイパッド部との間に設けたとしても、フレーム枠部の小型化を妨げることがなく、その結果、単層の金属板から多列構成のランドを有する樹脂封止型半導体装置を得ることができる。 Thus, for example, it is three or more rows of the land as provided between the framework portion and the die pad portion, without interfering with the downsizing of the framework portion, resulting in a multi-column structure of a metal plate of a single layer it is possible to obtain a resin-sealed semiconductor device having a land.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の第1の実施形態に係るリードフレームを示し、内側インナリード部の絶縁加工前の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分を示す底面図である。 [1] shows a first embodiment the lead frame according to the embodiment of the present invention, showing a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame in which a plurality of die pad before insulating treatment of the inner inner lead portions are provided it is a bottom view.

【図2】本発明の第1の実施形態に係るリードフレームを示し、内側インナリード部の絶縁加工後の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分を示す底面図である。 Figure 2 shows a first embodiment the lead frame according to the embodiment of the present invention, showing a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame in which a plurality of die pad after insulating treatment of the inner inner lead portions are provided it is a bottom view.

【図3】本発明の第1の実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す工程順の部分的な構成断面図である。 3 is a partial cross-sectional structure diagram of process sequence illustrating a method for fabricating a lead frame according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施形態の一変形例に係るリードフレームの製造方法を示す工程順の部分的な構成断面図である。 4 is a partial cross-sectional structure diagram of process sequence illustrating a method for fabricating a lead frame according to a modification of the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示し、(a)は平面図であり、(b)は(a) Figure 5 shows a resin-encapsulated semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, (a) is a plan view, (b) (a)
のVb−Vb線における構成断面図である。 A structural cross-sectional view of the line Vb-Vb.

【図6】本発明の第3の実施形態に係るリードフレームを示し、(a)はランドの絶縁加工前の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分を示す平面図であり、(b)は(a)のVI 6 shows a lead frame according to a third embodiment of the present invention, (a) shows a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame in which a plurality of die pad before insulating treatment of the land is provided is a plan view showing, VI (b), is (a)
b−VIb線における構成断面図である。 A structural cross-sectional view of b-VIb line.

【図7】本発明の第3の実施形態に係るリードフレームを示し、(a)はランドの絶縁加工後の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分を示す平面図であり、(b)は(a)のVI 7 shows a lead frame according to a third embodiment of the present invention, (a) shows a portion including a die pad portion of the one portion of the lead frame in which a plurality of die pad after insulating treatment of the land is provided is a plan view showing, VI (b), is (a)
Ib−VIIb線における構成断面図である。 A structural cross-sectional view of ib-VIIb line.

【図8】本発明の第3の実施形態の一変形例に係るリードフレームを示し、(a)はランドの絶縁加工後の複数のダイパッド部が設けられたリードフレームの1つ分のダイパッド部を含む部分を示す平面図であり、(b)は(a)のVIIIb−VIIIb線における構成断面図である。 8 shows a lead frame according to a modification of the third embodiment of the present invention, (a) represents one portion of the die pad portion of a lead frame in which a plurality of die pad after insulating treatment of the land is provided is a plan view showing a portion including the a configuration sectional view of VIIIb-VIIIb line of (b) is (a).

【図9】本発明の第4の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示し、(a)は平面図であり、(b)は正面図であり、(c)は右側面図であり、(d)は底面図である。 9 shows a resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention, (a) is a plan view, (b) a front view, (c) is the right side view , (d) is a bottom view.

【図10】本発明の第4の実施形態の一変形例に係る樹脂封止型半導体装置を示し、(a)は平面図であり、 [Figure 10] shows the resin-sealed semiconductor device according to a modified example of the fourth embodiment of the present invention, (a) is a plan view,
(b)は正面図であり、(c)は右側面図であり、 (B) is a front view, (c) is a right side view,
(d)は底面図である。 (D) is a bottom view.

【図11】本発明の第5の実施形態に係るリードフレームを示し、(a)はランド部同士の絶縁加工後のリードフレームの部分平面図であり、(b)は(a)のXI−XI 11 shows a lead frame according to a fifth embodiment of the present invention, (a) is a partial plan view of the lead frame after the insulation processing between the land portion, of (b) is (a) XI- XI
線における構成断面図である。 A structural cross-sectional view through line.

【図12】従来のリードフレームを示す平面図である。 12 is a plan view showing a conventional lead frame.

【図13】従来の樹脂封止型半導体装置を示す構成断面図である。 13 is a structural cross-sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 リードフレーム 11 フレーム枠部 12 サポートリード部(連結支持部) 13 ダイパッド部 13a 凹部 14A 内側インナリード部 14B 外側インナリード部 14a 凸部(外部端子、ランド) 14b 凹部 14c かえり(突起部) 14d 切断くず 20 粘着性テープ材(リード保持材) 21 切断用ポンチ(切断手段) 30 リードフレーム 31 フレーム枠部 32A 枠部連結支持部(第1の連結支持部) 35B ランド連結支持部(第2の連結支持部) 33 ダイパッド部 33a 凹部 34 インナリード部 40 樹脂封止型半導体装置 41 銀ペースト材 42 半導体素子(半導体チップ) 43 ワイヤ(金属細線) 44A 封止領域 44 封止樹脂部 60 樹脂封止型半導体装置 61 樹脂封止型半導体装置 70 リードフレーム 7 10 lead frame 11 frame frame section 12 supports lead portion (joint supports) 13 die pad portion 13a recess 14A inside the inner lead portions 14B outside the inner lead portion 14a projecting portion (external terminal, lands) 14b recess 14c back (projections) 14d cut waste 20 adhesive tape material (lead holding member) 21 for cutting punch (cutting means) 30 lead frame 31 frame frame portion 32A frame portion connecting the supporting portion (first connection support portion) 35B land connection support portion (second connection supporting portion) 33 die pad portion 33a recess 34 the inner lead portions 40 a resin-sealed semiconductor device 41 of silver paste material 42 semiconductor element (semiconductor chip) 43 wire (thin metal wire) 44A sealing area 44 the sealing resin portion 60 resin-sealed The semiconductor device 61 resin-sealed semiconductor device 70 lead frame 7 1 フレーム枠部 72 サポートリード部 73 ダイパッド部 73a 凸部 74A 連結支持部 74B インナリード部 1 frame frame part 72 supporting the lead portion 73 die pad portion 73a projecting portion 74A joint supports 74B inner lead portions

フロントページの続き (72)発明者 大広 雅彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 古市 正徳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 圭則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA01 CA21 DB15 FA02 FA03 FA04 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DD12 DD13 5F067 AA01 AA10 AB04 BA03 BB01 BB08 BC12 BD05 BE02 CC02 CC05 CC08 DA11 DA16 DF03 DF16 Of the front page Continued (72) inventor Daiko Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. in the Masahiko (72) inventor Masanori Furuichi Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. in the (72) invention person Sato Measurement Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric industrial Co., Ltd. in the F-term (reference) 4M109 AA01 BA01 CA21 DB15 FA02 FA03 FA04 5F061 AA01 BA01 CA21 CB13 DD12 DD13 5F067 AA01 AA10 AB04 BA03 BB01 BB08 BC12 BD05 BE02 CC02 CC05 CC08 DA11 DA16 DF03 DF16

Claims (21)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ダイパッド部と、 前記ダイパッド部の上に保持された半導体素子と、 前記ダイパッド部の周辺部で且つ前記ダイパッド部と一側部との間に3列以上の行列状に配置され、少なくともその一部が孤立した複数のインナリード部と、 前記半導体素子、ダイパッド部及び複数のインナリード部を、該インナリード部における前記ダイパッド部の素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止する封止樹脂部とを備え、 前記ダイパッド部及び複数のインナリード部は同一の金属板から形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 And 1. A die pad, a semiconductor element held on the die pad portion, arranged in three or more rows of a matrix between and the die pad portion and the one side in the peripheral portion of the die pad portion a plurality of inner lead portions at least partially isolated, the semiconductor device, the die pad portion and a plurality of inner lead portions, so as to expose a surface on the other side of the element holding surface of the die pad portion in said inner lead portions and a sealing resin portion for sealing integrally with the die pad and a plurality of inner lead portions of the resin-sealed semiconductor device characterized by being formed from the same metal plate.
  2. 【請求項2】 前記複数のインナリード部は、前記ダイパッド部の下面側にその頂面が前記封止樹脂部から露出する凸部を有し、該凸部の周辺部には、その先端部が前記頂面を超えない程度に下面と垂直な方向に延びる突起部が形成されていることを特徴とする請求項1に樹脂封止型半導体装置。 Wherein said plurality of inner lead portions has a convex portion whose top surface to the lower surface side of the die pad is exposed from the encapsulation resin portion, the peripheral portion of the convex portion, the distal end There resin-sealed semiconductor device according to claim 1, wherein a protrusion extending in a lower surface and a direction perpendicular to the extent that does not exceed the top surface is formed.
  3. 【請求項3】 前記ダイパッド部は、その下面に凹部を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装置。 Wherein the die pad portion, the resin sealed semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that it has a recess in its lower surface.
  4. 【請求項4】 前記複数のインナリード部は前記封止樹脂部の側面から露出していないことを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1項に記載に樹脂封止型半導体装置。 4. A resin-sealed semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the plurality of inner lead portions is characterized in that it is not exposed from the side surface of the sealing resin portion .
  5. 【請求項5】 ダイパッド部と、 前記ダイパッド部の上に保持された半導体素子と、 前記ダイパッド部の周辺部に配置され、少なくともその一部が孤立した複数のランド部と、 前記ダイパッド部の周辺部に配置され、前記複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するインナリード部と、 前記半導体素子、ダイパッド部、複数のランド部及びインナリード部を、該ランド部における前記ダイパッド部の素子保持面と反対側の面を露出するように一体に封止する封止樹脂部とを備え、 前記インナリード部は、互いに隣接する一のランド部同士の間に他のランド部同士を接続すると共に上面が前記一のランド部の頂面の高さと同等で且つ下面が前記一のランド部同士の下面よりも高くなるように設けられ、 前記ランド部における前記インナリ 5. A die pad, a semiconductor element held on the die pad portion is disposed on the periphery of the die pad portion, and a plurality of land portions at least partially isolated, the periphery of the die pad portion disposed parts, the inner lead portions for electrically connecting a portion of the plurality of land portions, said semiconductor element, the die pad, a plurality of land portions and the inner lead portions, the die pad portion of the land portion comprising an element holding surface of the sealing resin section which seals together so as to expose the opposite face, the inner lead portion, the other land portions between the first land portion adjacent to each other top is provided so that the height equal to and on the lower surface of the top surface of the one land portion is higher than the lower surface of the land portions of the one as well as connecting the in the land portion In'nari ード部が延びる方向に対して垂直な方向の断面形状は、前記インナリード部の側面と対向する上部が小さい断面凸字状であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 Direction of the cross-sectional shape perpendicular to the direction in which over de portion extends, the resin sealed semiconductor device, wherein the upper facing the side surface of the inner lead portions is smaller cross-sectional convex shape.
  6. 【請求項6】 板状の金属部材から、フレーム枠部と、 From wherein plate-shaped metal member, and a framework portion,
    該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部によりそれぞれ支持される複数のダイパッド部と、前記各ダイパッド部の周縁部と接続された複数の内側インナリード部と、前記フレーム枠部と接続された複数の外側インナリード部とを一体に形成する第1の工程と、 前記複数の内側インナリード部の前記各ダイパッド部からそれぞれ間隔をおいた部分、及び前記複数の外側インナリード部の前記フレーム枠部からそれぞれ間隔をおいた部分で且つ前記ダイパッド部の素子保持面側と反対側の面に凸部を形成する第2の工程と、 少なくとも前記複数の内側インナリード部及び前記フレーム枠部における素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、前記複数の内側インナリード部及びフレーム枠部を前記リー More connected and a plurality of die pad portion supported respectively, the plurality of inner inner lead portions connected to the periphery of the die pad, and the framework part by connection support portion extending from the inside of the framework unit first step and said portion spaced respectively apart from the die pad portion of the plurality of inner the inner lead part, and the framework portion of the plurality of outer inner lead portion of the form and the outer inner lead portions together element holding in the second step and at least the plurality of inner the inner lead portions and said frame frame portion forming a convex portion on a surface opposite to the element holding surface side of and the die pad portion at a portion spaced respectively apart from by providing the lead holding material on the side opposite to the side or the element holding surface, said Lee said plurality of inner the inner lead portions and the frame edge portion 保持材により保持する第3の工程と、 前記複数の内側インナリード部の少なくとも一部における前記凸部と前記各ダイパッド部との間の領域を除去して、前記複数の内側インナリード部と前記各ダイパッド部とを選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第4の工程と、 前記リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第5の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記複数の内側インナリード部及び前記複数の外側インナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第6の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第7の工程と、 前記内側インナリ A third step of holding by the holding member, wherein by removing the region between the protrusions and the respective die pad at least a portion of said plurality of inner the inner lead portions, the said plurality of inner inner lead portions by selectively insulating the respective die pad, and a fourth step of forming a lead frame with leads holding material, the fifth holding each a plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame a step, by the metal thin wires, wherein the semiconductor elements, a sixth step of insulated said plurality of inner the inner lead portions and the plurality of the outer inner lead portions for electrically connecting each of said lead holding material If it provided in the element holding surface side of the lead frame, and a seventh step of removing the lead retaining member provided on the element holding face, the inner In'nari ド部の各凸部及び外側インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、前記複数の半導体素子、複数のダイパッド部、複数の内側インナリード部及び複数の外側インナリード部を封止用樹脂材により封止する第8の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第9の工程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるようにチップ状に分割する第1 So as to expose the top surface of each convex portion of the convex portion and the outer inner lead portions of de unit, the plurality of semiconductor elements, a plurality of die pad, a plurality of inner inner lead portions and a plurality of outer inner lead portions sealed an eighth step of sealing the sealing resin material, if the lead retaining member is provided on the side opposite to the element holding surface of the lead frame, provided on the side opposite to the retaining elements face a ninth step of removing the resulting lead holding member, a first dividing the leadframe into chips such that at least one but are of the plurality of semiconductor elements
    0の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device characterized by and a 0 process.
  7. 【請求項7】 前記第2の工程は、前記複数の内側インナリード部の凸部形成領域と前記各ダイパッド部との間の領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成領域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチングを行なうことにより、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Wherein said second step, the said plurality of regions between the projection forming region and the respective die pads of the inner inner lead portions, and said plurality of outer inner lead portions protruding portion formation region of the by etching the opposite surface to the element holding surface side of the region between the frame frame portion, the resin sealing according to claim 6, characterized in that it comprises a step of forming the convex portion manufacturing method of the type semiconductor device.
  8. 【請求項8】 前記第2の工程は、前記複数の内側インナリード部の凸部形成領域と前記各ダイパッド部との間の領域、及び前記複数の外側インナリード部の凸部形成領域と前記フレーム枠部との間の領域における素子保持面側と反対側の面を押圧することにより、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Wherein said second step, the said plurality of regions between the projection forming region and the respective die pads of the inner inner lead portions, and said plurality of outer inner lead portions protruding portion formation region of the by pressing the opposite side of the element holding face in the region between the frame frame portion, the resin sealed semiconductor device according to claim 6, characterized in that it comprises a step of forming the convex portion the method of production.
  9. 【請求項9】 前記第4の工程は、前記凸部と前記ダイパッド部との間の領域を切断手段を用いて切断することにより、前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁する工程を含むことを特徴とする請求項6〜8のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Wherein said fourth step, by cutting with a cutting means a region between the die pad portion and the convex portion, further comprising the step of insulating the said die pad portion and the convex portion method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 6-8, wherein.
  10. 【請求項10】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していることを特徴とする請求項9に記載の樹脂封止型半導体装置。 Wherein said cutting means is a resin sealed semiconductor device according to claim 9, characterized in that it has a substantially parallel cut with the upper surface of the convex portion and the die pad portion.
  11. 【請求項11】 前記第7の工程又は前記第9の工程は、前記リード保持材を化学的に溶解して除去することを特徴とする請求項6〜10のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Wherein said seventh step or the ninth step, according to any one of claims 6-10, characterized in that the removal by chemically dissolving said lead holding member method for producing a resin-encapsulated semiconductor device.
  12. 【請求項12】 前記第10の工程は、前記リードフレームをダイシングブレードを用いて切断することを特徴とする請求項6〜10のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 12. the tenth step, the resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 6-10, characterized in that cut using the dicing blade of the lead frame Production method.
  13. 【請求項13】 板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレーム枠部の内側から延びる第1の連結支持部によりそれぞれ支持されると共に第2の連結支持部により互いに連結された複数のインナリード部及び複数のダイパッド部とを一体に形成する第1の工程と、 前記複数のインナリード部における前記各ダイパッド部の素子保持面側と反対側の面にそれぞれ間隔をおくように凸部を形成する第2の工程と、 前記複数のインナリード部及び前記フレーム枠部における素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、前記インナリード部及びフレーム枠部を前記リード保持材により保持する第3の工程と、 前記複数のインナリード部における前記第2の連結支持部の少なくとも一部における、互いに隣接す From 13. plate-shaped metal member, and a framework portion, a plurality of which are connected to each other by a second connection support portion while being supported respectively by a first connection support portion extending from the inside of the framework unit first step and said plurality of inner lead portions the element holding surface opposite to the surface on the convex portion so as spaced each of the die pad portion of which forms the inner lead portions and a plurality of die pad portion integrally a second step of forming a by providing the lead holding material on the side opposite to the element holding face side or the element holding surface in the plurality of inner lead portions and said frame frame portion, the inner lead portions and the frame a third step of holding the frame portion by the lead holding member, at least a portion of the second connection support portion in the plurality of inner lead portions, to adjacent る前記凸部同士の間又は互いに隣接する前記凸部とダイパッド部との間の領域を除去して、前記複数のインナリード部を選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第4の工程と、 前記リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第5の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第6の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第7の工程と、 前記インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、 That region was removed between the convex portion and the die pad portion adjacent or between each other between the convex portion, by selectively isolating said plurality of inner lead portions, a lead frame with leads holding material a fourth step of forming a fifth step of holding each of the plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame, a metal thin wire, the each semiconductor element, insulated said plurality of inner leads a sixth step of connecting the parts to each electrically, if the lead retaining member is provided on the element holding surface side of the lead frame, removes the lead holding member provided on the element holding face to expose the seventh step, the top surface of each convex section of said inner lead portions,
    前記複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数のインナリード部を封止用樹脂材により封止する第8の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第9の工程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるようにチップ状に分割する第1 Wherein the plurality of semiconductor elements, a plurality of die pad and a plurality of the inner lead and the eighth step of sealing by the sealing resin material, the lead holding material on the side opposite to the element holding surface of said lead frame if provided, a ninth step of removing the lead retaining member provided on the side opposite to the retaining elements surface, such that at least one but are of the lead frame of the plurality of semiconductor elements the dividing into chips 1
    0の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device characterized by and a 0 process.
  14. 【請求項14】 前記第2の工程は、前記第2の連結支持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダイパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側の面に対してエッチングを行なうことにより、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 14. The second step is opposite to the element holding face in the region between the second or between the convex portion forming region of the projection forming region between the joint supports and the die pad portion by etching the surface, method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 13, characterized in that it comprises a step of forming the protrusions.
  15. 【請求項15】 前記第2の工程は、前記第2の連結支持部の凸部形成領域同士の間又は凸部形成領域と前記ダイパッド部との間の領域における素子保持面側と反対側の面を押圧することにより、前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 15. The second step is opposite to the element holding face in the region between the second or between the convex portion forming region of the projection forming region between the joint supports and the die pad portion by pressing the surface, method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 13, characterized in that it comprises a step of forming the protrusions.
  16. 【請求項16】 前記第4の工程は、前記第2の連結支持部の凸部同士の間又は前記凸部と前記ダイパッド部との間の領域を切断手段を用いて切断することにより、前記凸部同士又は前記凸部と前記ダイパッド部とを絶縁する工程を含むことを特徴とする請求項13〜15のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 16. The fourth step is cut by using a cutting means a region or between the convex portion and the die pad portion of the convex portions of the second connection support portion, the method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 13 to 15 and the convex portions or the convex portion and the die pad portion, characterized in that it comprises a step of insulating.
  17. 【請求項17】 前記切断手段は、前記凸部及びダイパッド部の上面に対してほぼ平行な切断面を有していることを特徴とする請求項16に記載の樹脂封止型半導体装置。 17. The cutting means, the resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16, characterized in that it has a substantially parallel cut with the upper surface of the convex portion and the die pad portion.
  18. 【請求項18】 前記第7の工程又は前記第9の工程は、前記リード保持材を化学的に溶解して除去することを特徴とする請求項13〜17のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 18. The seventh step or the ninth step, according to any one of claims 13 to 17, characterized in that the removal by chemically dissolving said lead holding member method for producing a resin-encapsulated semiconductor device.
  19. 【請求項19】 前記第10の工程は、前記リードフレームをダイシングブレードを用いて切断することを特徴とする請求項13〜18のうちのいずれか1項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 19. the tenth step, the resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 13 to 18, characterized in that cutting using the lead frame of a dicing blade Production method.
  20. 【請求項20】 板状の金属部材から、フレーム枠部と、該フレーム枠部の内側から延びる連結支持部により支持されると共に互いに間隔をおいて連結された複数のランド部及び該複数のランド部のうちの一部を電気的に接続するインナリード部と、素子保持面を有するダイパッド部とを一体に形成する第1の工程と、 前記複数のランド部及び前記フレーム枠部の素子保持面側又は該素子保持面と反対の面側にリード保持材を設けることにより、前記ランド部及びフレーム枠部を前記リード保持材により保持する第2の工程と、 前記連結支持部における互いに隣接するランド部同士間の領域の少なくとも一部を除去して、前記複数のランド部を選択的に絶縁することにより、リード保持材付きのリードフレームを形成する第3の工程と、 前記 From 20. plate-shaped metal member, and a framework portion, a plurality of land portions and the plurality of lands connected at a distance from each other while being supported by the connection support portion extending from the inside of the framework unit and inner lead portions for electrically connecting a part of the section, the first step and the plurality of land portions and the element holding surface of the framework portion formed integrally with the die pad portion having an element holding surface by providing the lead holding material on the side opposite to the side or the element holding surface, a second step of holding the land portion and the framework portion by the lead holding member, a land adjacent to each other in the joint supports at least part of the region between the parts to each other by removing, by selectively isolating said plurality of land portions, a third step of forming a lead frame with leads holding material, the リードフレームの各ダイパッド部の上面に複数の半導体素子をそれぞれ保持する第4の工程と、 金属細線により、前記各半導体素子と、絶縁された前記複数のインナリード部とをそれぞれ電気的に接続する第5の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面側に設けられている場合に、素子保持面側に設けられたリード保持材を除去する第6の工程と、 前記インナリード部の各凸部の頂面を露出するように、 A fourth step of holding each of the plurality of semiconductor elements on the top surface of the die pad of the lead frame, a metal thin wire, the each semiconductor element, to connect insulated the plurality of the inner lead portions, respectively electrically a fifth step of, when said lead holding member is provided on the element holding surface side of the lead frame, and a sixth step of removing the lead retaining member provided on the element holding face, said inner leads so as to expose the top surface of each convex section parts,
    前記複数の半導体素子、複数のダイパッド部及び複数のインナリード部を封止用樹脂材により封止する第7の工程と、 前記リード保持材が前記リードフレームの素子保持面と反対の面側に設けられている場合に、該素子保持面と反対の面側に設けられたリード保持材を除去する第8の工程と、 前記リードフレームを前記複数の半導体素子のうちの少なくとも1つが含まれるようにチップ状に分割する第9 Wherein the plurality of semiconductor elements, a plurality of die pad and a plurality of the inner lead and the seventh step of sealing by the sealing resin material, the lead holding material on the side opposite to the element holding surface of said lead frame if provided, an eighth step of removing the lead retaining member provided on the side opposite to the retaining elements surface, such that at least one but are of the lead frame of the plurality of semiconductor elements 9 for dividing into chips in
    の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device characterized by and a process.
  21. 【請求項21】 前記第1の工程は、 互いに隣接するランド部同士及びその間に位置する連結支持部における素子保持面側であって、前記ランド部同士における前記連結支持部と並行する中央部部分及びその間の前記連結支持部をマスクして、前記ランド部の素子保持面側に対してその厚さのほぼ2分の1をエッチングすることにより、前記ランド部同士の間に前記連結支持部からインナリード部を形成する工程と、 前記複数のランド部の素子保持面側と反対側の面をマスクして、前記ランド部の素子保持面側と反対側の面に対して、前記ランド部同士及び前記インナリード部がそれぞれ分離するようにエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項20に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 21. The first step is an element holding surface side of the connection support portion is located in the land portions and therebetween adjacent a central portion running parallel to the connection support portion in the land portions and to mask the connection support portion therebetween, by etching the approximately one half of the thickness of the element holding surface side of the land portion, from the connecting support part between the adjacent said land portion forming a inner lead portion, by masking the surface opposite to the element holding surface side of the plurality of land portions, with respect to a surface opposite to the element holding surface side of the land portion, the land portions and method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, characterized in that it comprises a step of the inner lead portion is etched to separate each.
JP2001037496A 2001-02-14 2001-02-14 Resin-sealed semiconductor device and a manufacturing method thereof Active JP3500362B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001037496A JP3500362B2 (en) 2001-02-14 2001-02-14 Resin-sealed semiconductor device and a manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001037496A JP3500362B2 (en) 2001-02-14 2001-02-14 Resin-sealed semiconductor device and a manufacturing method thereof
US09971731 US6720207B2 (en) 2001-02-14 2001-10-09 Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device
CN 01134915 CN1260814C (en) 2001-02-14 2001-11-14 Wire frame, semiconductor device using such frame and its mfg. method
EP20020000961 EP1235272B1 (en) 2001-02-14 2002-01-16 Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device
KR20020007824A KR100557028B1 (en) 2001-02-14 2002-02-14 Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device
US10702603 US6984880B2 (en) 2001-02-14 2003-11-07 Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002246529A true true JP2002246529A (en) 2002-08-30
JP3500362B2 JP3500362B2 (en) 2004-02-23

Family

ID=18900613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001037496A Active JP3500362B2 (en) 2001-02-14 2001-02-14 Resin-sealed semiconductor device and a manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3500362B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042071B2 (en) * 2002-10-24 2006-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
JP2009076658A (en) * 2007-09-20 2009-04-09 Renesas Technology Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013080957A (en) * 2009-03-06 2013-05-02 Kaixin Inc Leadless integrated circuit package having high density contact

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042071B2 (en) * 2002-10-24 2006-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
US7132315B2 (en) 2002-10-24 2006-11-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
KR101019369B1 (en) * 2002-10-24 2011-03-07 파나소닉 주식회사 Lead frame, resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009076658A (en) * 2007-09-20 2009-04-09 Renesas Technology Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8558362B2 (en) 2007-09-20 2013-10-15 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2013080957A (en) * 2009-03-06 2013-05-02 Kaixin Inc Leadless integrated circuit package having high density contact

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP3500362B2 (en) 2004-02-23 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6339252B1 (en) Electronic device package and leadframe
KR100265563B1 (en) Ball grid array package and fabricating method thereof
US6841414B1 (en) Saw and etch singulation method for a chip package
US6271060B1 (en) Process of fabricating a chip scale surface mount package for semiconductor device
US6521987B1 (en) Plastic integrated circuit device package and method for making the package
US4835120A (en) Method of making a multilayer molded plastic IC package
US6917097B2 (en) Dual gauge leadframe
US7060535B1 (en) Flat no-lead semiconductor die package including stud terminals
US6355502B1 (en) Semiconductor package and method for making the same
US20020125556A1 (en) Stacking structure of semiconductor chips and semiconductor package using it
US6849949B1 (en) Thin stacked package
US4891687A (en) Multi-layer molded plastic IC package
US5953589A (en) Ball grid array semiconductor package with solder balls fused on printed circuit board and method for fabricating the same
US6525406B1 (en) Semiconductor device having increased moisture path and increased solder joint strength
US20090057822A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
US6784525B2 (en) Semiconductor component having multi layered leadframe
US6627977B1 (en) Semiconductor package including isolated ring structure
US6410363B1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing same
US6781243B1 (en) Leadless leadframe package substitute and stack package
US7709935B2 (en) Reversible leadless package and methods of making and using same
US6710430B2 (en) Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
US6798046B1 (en) Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US8063470B1 (en) Method and apparatus for no lead semiconductor package
US6674154B2 (en) Lead frame with multiple rows of external terminals
US20050218499A1 (en) Method for manufacturing leadless semiconductor packages

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250