JP2002237477A - Method of polishing work and polishing device - Google Patents

Method of polishing work and polishing device

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JP2002237477A
JP2002237477A JP2001034090A JP2001034090A JP2002237477A JP 2002237477 A JP2002237477 A JP 2002237477A JP 2001034090 A JP2001034090 A JP 2001034090A JP 2001034090 A JP2001034090 A JP 2001034090A JP 2002237477 A JP2002237477 A JP 2002237477A
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polishing
workpiece
dress
polishing pad
wafer
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Application number
JP2001034090A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetaka Tsutsumi
英貴 堤
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure the favorable polished surface of a work and to raise the yield of the manufacture of the work without leaving particles on the work. SOLUTION: A method of polishing the work (wafer) 5 brings the work 5 held by a work holder 6 into contact with a polishing pad 7 translating for an orbital motion while the work 5 is rotated to polish the work 5. The method is provided with a process for dyeing a slurry from the pad 7, a process for polishing the work 5 under the interposition of the slurry, a process for dyeing pure water from the pad 7 to substitute the pure water for the slurry, and a process for polishing the work 5 under the interposition of the pure water.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等のワークの研磨方法および研磨装置に関する。 The present invention relates to relates to a polishing method and a polishing device of a work such as a semiconductor wafer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図7は、従来の半導体ウェハの研磨装置を示す。 BACKGROUND ART Figure 7 illustrates a polishing apparatus of a conventional semiconductor wafer. この研磨装置によるウェハの研磨方法は、大略次の通りである。 The polishing method of the wafer by the polishing apparatus is generally as follows. まず、ウェハカセット101に収納されているウェハ101aをドライロボット102により受渡し部103に移載する。 First, to transfer the wafer 101a housed in the wafer cassette 101 to the transfer unit 103 by the dry robot 102. 次に、ドライロボット10 Then, dry robot 10
2によりウェハ101aをウェハホルダ104に移載する。 2 by transferring the wafer 101a to the wafer holder 104. ウェハ101aを保持したウェハホルダ104を回転させる一方、研磨パッド105が取り付けられたパッドホルダ106を回転させながら下降させ、ウェハ10 While rotating the wafer holder 104 which holds the wafer 101a, a pad holder 106 which polishing pad 105 is attached is lowered while rotating the wafer 10
1aに接触させる。 It is contacted with 1a. この状態でパッドホルダ106をX The pad holder 106 X in this state
軸方向に往復移動させるとともに、スラリー供給ノズル107からスラリーを供給しつつ、研磨パッド105によりウェハの研磨を行なう。 With reciprocating axially, while supplying slurry from a slurry supply nozzle 107 performs polishing of the wafer by the polishing pad 105.

【0003】研磨終了後、パッドホルダ106を上昇させ、ウェットロボット108によりウェハをウェハホルダ104から洗浄部109に移載する。 [0003] After the polishing, raises the pad holder 106 is transferred to the cleaning unit 109 the wafer from the wafer holder 104 by wet robot 108. そして、洗浄部109でウェハの洗浄および乾燥を行ない、ドライロボット102によりウェハをウェハカセット101に収納する。 Then, it performs washing and drying of the wafer in the cleaning unit 109, for accommodating the wafer to the wafer cassette 101 by the dry robot 102.

【0004】一方、パッドホルダ106をドレス部11 On the other hand, the pad holder 106 Dress 11
0に移動し、このドレス部110で、ドレス111を回転させ、パッドホルダ106を回転させながら下降させて、ドレス111に接触させる。 Go to 0, the dress portion 110 to rotate the dress 111, the pad holder 106 is lowered while being rotated, it is brought into contact with the dress 111. この状態でパッドホルダ106をX軸方向に往復移動させて、ドレス111により研磨パッド105のドレッシングを行なう。 The pad holder 106 in this state is reciprocated in the X-axis direction, performing dressing of the polishing pad 105 by the address 111. ドレッシング終了後、パッドホルダ106を上昇させてウェハホルダ106の上に戻し、次の研磨に備える。 After dressing finished, return to the top of the wafer holder 106 raises the pad holder 106 in preparation for the next polishing.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従来の研磨方法では、研磨後に研磨液による化学反応によりウェハ表面が腐蝕し、あるいは研磨、洗浄後にもワークに研磨液のパーティクルが残るという問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the conventional polishing method, the wafer surface is corroded by a chemical reaction with the polishing liquid after the polishing, or polishing, there is a problem that particles of the polishing liquid to the workpiece after washing remains It was.

【0006】本発明は前記従来の問題点に鑑みてなされたもので、良好な研磨面を確保することができ、ワークにパーティクルが残らず、歩留まりを向上させることができる研磨方法および研磨装置を提供することを課題とする。 [0006] The present invention has been made in view of the above conventional problems, it is possible to ensure good polished surface, particles do not remain on the work, the polishing method and the polishing apparatus can be improved yield it is an object of the present invention to provide.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するための手段として、本発明にかかる研磨方法は、ワークホルダに保持されたワークを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワークの研磨を行なう研磨方法において、研磨パッドよりスラリーを染出する工程と、ワークをスラリー介在下で研磨する工程と、研磨パッドより純水を染出してスラリーと置換する工程と、ワークを純水介在下で研磨する工程とを有するものである。 As means for achieving the object, according to an aspect of the polishing method according to the present invention, polishing is brought into contact with the polishing pad to translate revolve while rotating the workpiece held by the workpiece holder of the workpiece in the polishing method of performing the steps that Somedasu slurry from the polishing pad, and polishing the workpiece under slurry interposed, a step of substituting a slurry Somedashi pure water from the polishing pad, under pure water interposed workpieces in and a step of polishing.

【0008】この発明によると、スラリー研磨の後、スラリーを純水で置換して、水研磨を行なうので、研磨後にスラリーによる化学反応によりウェハ表面が腐蝕することはなく、スラリーのパーティクルが残存することもない。 [0008] According to the invention, after the slurry polishing, to replace the slurry with pure water, because the water polishing is not that the wafer surface is corroded by a chemical reaction with the slurry after the polishing, the slurry particles remain nor.

【0009】本発明では、研磨されたワークが所定時間以上大気にさらされないように、研磨されたワークを洗浄するワーク洗浄部にワークを移載する間に、ワークに純水を供給する工程をさらに有することが好ましい。 [0009] In the present invention, as polished workpiece is not exposed to the atmosphere for a predetermined time or more, while transferring the workpiece to the workpiece cleaning unit for cleaning the polished workpiece, the step of supplying pure water to the workpiece further it is preferable to have.

【0010】また、本発明では、研磨されたワークをワークホルダから取り外した後、ドレスプレートをワークホルダに移載して保持する工程と、ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドのドレスを行なう工程とをさらに有することが好ましい。 [0010] In the present invention, after removal of the polished workpiece from the work holder, translation revolve while rotating the step of holding by transferring the dress plate to the work holder, the dress plate held by the work holder It may further include the step of contacting the polishing pad to perform dress the polishing pad. これにより、研磨パッドのドレスをワークの研磨と同様に行なうことができる。 Thus, it is possible to perform the dress the polishing pad similar to the polishing of the workpiece. この場合、ドレスプレートの洗浄を効率よく行なうために、ドレスプレートをワークホルダから取り外してドレスプレート洗浄部に移載する工程と、ドレスプレート洗浄部でドレスプレートを洗浄する工程とをさらに有することが好ましい。 In this case, in order to efficiently wash dress plate, it may further comprise the step of transferring the dress plate washing section to remove the dress plate from the work holder, and a step of washing the dress plate dress plate washer portion preferable. また、ドレスプレートによる研磨パッドのドレス後に研磨パッドに高圧液体を噴出する工程をさらに有することが好ましい。 Further, preferably further comprising the step of jetting a high pressure liquid to the polishing pad after the polishing pad by dress plate dress. これにより、ドレス後に研磨パッド上に浮遊または定着した脱落砥粒や屑が残留し、次の研磨プロセスにおいてワークにスクラッチ等の欠陥が発生するのを防止することができる。 Thus, it is possible to prevent the falling abrasive and debris floating or fixed on the polishing pad remaining after dress, defects such as scratches are generated in the work in the next polishing process.

【0011】前記目的を達成するための手段として、本発明にかかる研磨装置は、ワークホルダに保持されたワークを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワークの研磨を行なう研磨装置において、研磨パッドよりスラリーを染出する手段と、研磨パッドより純水を染出する手段とを設け、ワークをスラリー介在下で研磨した後、スラリーを純水と置換し、ワークを純水介在下で研磨するようにしたものである。 [0011] As means for achieving the above object, a polishing apparatus according to the present invention, the polishing apparatus is brought into contact with a polishing pad to translate revolve while rotating the workpiece held by the workpiece holder is polished of the workpiece, means that Somedasu the slurry from the polishing pad, and means that Somedasu pure water from the polishing pad is provided, after polishing the workpiece under slurry intervention, the slurry was replaced with pure water, the workpiece under pure intervening it is obtained as polished.

【0012】この発明では、研磨されたワークを洗浄するせワーク洗浄部にワークを移載する間にワークに純水を供給する純水供給手段をさらに有することが好ましい。 [0012] In the present invention, it may further include a pure water supply means for supplying pure water to the workpiece during the transfer of the workpiece to the workpiece cleaning unit not cleaning the polished workpiece.

【0013】また、この発明では、ワークと同一形状のドレスプレートを載置するドレスプレート載置部と、該ドレスプレート載置部と前記ワークホルダの間でドレスプレートを移載するドレスプレート移載手段とをさらに設け、ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドのドレスを行なうようにすることが好ましい。 Further, in this invention, dress plate transfer for transferring the dress plate mounting portion for mounting the dress plate workpiece having the same shape, with the dress plate mounting portion dresses plate between said workpiece holder further provided a means, it is preferable to perform the dress the polishing pad in contact with a polishing pad to translate revolve while rotating the dress plate held by the work holder. この場合、前記ドレスプレート移載手段の移動範囲に、ドレスプレートを洗浄するドレスプレート洗浄部をさらに設けることが好ましい。 In this case, the movement range of the dress plate transfer means, further it is preferable to provide a dress plate cleaning unit for cleaning the dress plate. また、研磨パッドに対して高圧液体を噴射する高圧ノズルを設けることが好ましい。 Further, it is preferable to provide a high pressure nozzle for injecting high pressure liquid onto the polishing pad.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付図面に従って説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は、本発明にかかる研磨装置を示す。 [0015] Figure 1 shows a polishing apparatus according to the present invention.
この研磨装置は、大略、研磨モジュール1と、ドライ搬送モジュール2と、ウェット搬送モジュール3と、洗浄・乾燥モジュール4とからなっている。 The polishing apparatus, generally, a polishing module 1, dry transfer module 2, a wet transfer module 3 consists of washing and drying module 4.

【0016】研磨モジュール1は、図3に示すように、 The polishing module 1, as shown in FIG. 3,
ワークとしてのウェハ5を吸着保持するワークホルダ6 Work holder 6 for attracting and holding the wafer 5 as the workpiece
と、該ワークホルダ6と対向するように研磨パッド7が設けられた並進公転プレート8とからなっている。 If, it consists translational revolution plate 8 which polishing pad 7 so as to face the said work holder 6 is provided. ワークホルダ6は、マシンベース9のコラム部10から水平に延びる昇降ブロック11の先端に回転駆動可能に設けられたスピンドル12の下端に取り付けられている。 Work holder 6 is attached to the lower end of the spindle 12 which is provided rotatably driven to the tip of the lifting block 11 which extends horizontally from the column portion 10 of the machine base 9. 並進公転プレート8は、ベース9にスラスト流体軸受け1 Translation revolving plate 8, the thrust fluid bearing 1 to the base 9
3を介して載置されるとともに、ベース9に垂直方向にベアリング14を介して回転自在に支持された2本のクランク軸15に両端がベアリング16を介して支持されている。 3 through while being placed, at both ends to the two crank shaft 15 is rotatably supported through a bearing 14 in the vertical direction to the base 9 is supported via a bearing 16. 一方のクランク軸15にはモータ17が連結され、これにより並進公転プレート8は、水平面内で並進公転運動を行なうようになっている。 On one of the crank shaft 15 is connected the motor 17, thereby translating the revolution plate 8 is adapted to perform a translational orbital motion in a horizontal plane.

【0017】並進公転プレート8の上面には、研磨パッド7が設置されている。 [0017] upper surface of the translational revolution plate 8, the polishing pad 7 is installed. 研磨パッド7の下方には、研磨パッド7の表面からスラリーを染み出すためのスラリー供給管18と、研磨パッド7の表面から純水を染み出すための純水供給管19が配設されている。 Below the polishing pad 7, a slurry feed pipe 18 for exuding the slurry from the surface of the polishing pad 7, the pure water supply pipe 19 for exuding pure water from the surface of the polishing pad 7 is arranged . 研磨パッド7 Polishing pad 7
の周縁とスラスト軸受け13の間には、可撓性を有する波形リング20が設けられ、研磨パッド7から染み出たスラリーや純水が内部に侵入しないようになっている。 Between the rim and the thrust bearing 13, wavy ring 20 having flexibility is provided, slurry or pure water exuded from the polishing pad 7 is prevented from entering the interior.

【0018】研磨モジュール1の周囲には、図1に示すように、ウェハ仮置部21と、ウェハ反転部22と、該ウェハ仮置部21と前記ワークホルダ6の間でウェハ5 [0018] Around the polishing module 1, as shown in FIG. 1, the wafer 5 and the wafer temporary portion 21, the wafer inverting unit 22, between the with the wafer temporary portion 21 work holder 6
の移載を行なうウェハ移載アーム23とが配置されている。 A wafer transfer arm 23 for performing the transfer is disposed. また、ウェハ5と同一形状のドレスプレート24を載置するとともに当該ドレスプレート24を洗浄するドレスプレート載置・洗浄部25と、該ドレスプレート載置・洗浄部25と前記ワークホルダ6の間でドレスプレート24の移載を行なうドレスプレート移載アーム26 Also, the dress plate placed and cleaning unit 25 for cleaning the dress plate 24 while mounting the wafer 5 and the same shape of the dress plate 24, between the with the dress plate placed and washing unit 25 the work holder 6 dress plate transfer arm 26 performs the transfer of the dress plate 24
とが配置されている。 Door is located. さらに、研磨パッド7の上方の供給位置と研磨パッド7から退避した退避位置との間を移動可能で、研磨パッド7に高圧ジェットを供給する高圧ジェットノズル27aを有する高圧ジェット供給パイプ27が配置されている。 Furthermore, movable between a retracted position retracted from the polishing pad 7 and above the feed position of the polishing pad 7, pressure jet supply pipe 27 having a high-pressure jet nozzle 27a for supplying high-pressure jets are arranged in the polishing pad 7 ing.

【0019】ドライ搬送モジュール2は、ウェハ5をカセットから供給するウェハ供給部28と、ウェハ位置規制部29と、ドライロボット30と、ウェハ5をカセットに受け入れるウェハ受入れ部31とからなっている。 [0019] Dry conveying module 2 includes a wafer supply section 28 supplies the wafer 5 from the cassette, the wafer position regulating portion 29, and the dry robot 30 consists of a wafer-receiving portion 31 for receiving the wafer 5 to the cassette.
ドライロボット30は、前記ウェハ供給部28と前記ウェハ位置規制部29の間、および後述する洗浄・乾燥モジュール4の洗浄移載部39と前記ウェハ受入部31の間で移動可能であり、ウェハ供給部28からウェハ5をウェハ位置規制部29に移載するとともに、洗浄・乾燥モジュール4の洗浄移載部39からウェハ5をウェハ受入部31に移載するようになっている。 Dry robot 30 is movable between the wafer supply part 28 and the wafer between the position regulating portion 29 the wafer receiving portion 31 and the cleaning transfer portion 39 of the cleaning and drying module 4 and described below, the wafer supply as well as transferred from the section 28 of the wafer 5 on the wafer position regulating portion 29, has a wafer 5 to be transferred to the wafer receiving portion 31 from the cleaning transfer unit 39 of the washing and drying module 4.

【0020】ウェット搬送モジュール3は、前記ウェハ位置規制部29に近接した第1位置と、前記ウェハ仮置部21に近接した第2位置と、後述する洗浄・乾燥モジュール4の位置決め部34に近接した第3位置との間を往復移動可能なウェットロボット32を有している。 The wet transfer module 3 has a first position close to the wafer position regulating portion 29, and a second position close to the wafer temporary portion 21, proximate to the positioning portion 34 of the cleaning and drying module 4 described below and a reciprocally movable wet robot 32 between a third position. ウェットロボット32は、第1位置においてウェット位置規制部29のウェハ5を把持し、該ウェハ5を第2位置においてウェハ仮置部21に移載するとともに、ワークホルダ6からウェハ仮置部21に移載されたウェハ5を把持し、該ウェハ5を第3位置において洗浄・乾燥モジュール4の搬送機構33に移載するようになっている。 Wet robot 32 grips the wafer 5 wet position regulating portion 29 at the first position, as well as transferred to the wafer temporary portion 21 in the wafer 5 second position, the work holder 6 on the wafer temporary portion 21 holding the wafer 5 which has been transferred, so as to transfer to the transport mechanism 33 of the cleaning and drying module 4 in a third position the wafer 5.

【0021】洗浄・乾燥モジュール4は、ウェハ5を把持して矢印方向に移動する搬送機構33を有し、該搬送機構33によるウェハ5の搬送方向に沿って、位置決め部34、アンモニア洗浄部35、フッ酸洗浄部36、純水メガソニック洗浄部37、乾燥部38および洗浄移載部39とが複数個配置されている。 The cleaning and drying module 4 has a transport mechanism 33 which moves in the arrow direction by gripping the wafer 5, in the transport direction of the wafer 5 by the conveying mechanism 33, the positioning unit 34, the ammonia cleaning unit 35 , hydrofluoric acid cleaning section 36, pure water megasonic cleaning unit 37, a drying section 38 and cleaning the transfer portion 39 are a plurality arranged.

【0022】前記研磨モジュール1のウェハ移載アーム23の移動範囲と、前記洗浄・乾燥モジュール4のウェットロボット32の移動範囲には、移動中のウェハ5に純水をかける純水供給能ノズル40が適宜位置に配置されている。 [0022] The a moving range of the polishing module 1 of the wafer transfer arm 23, the movement range of the wet robot 32 of the washing and drying module 4, pure water supply ability nozzle 40 for applying pure water to the wafer 5 in the mobile There are disposed at appropriate positions.

【0023】次に、前記構成からなる研磨装置を用いてウェハ5を研磨する方法を図4から図6のフローチャートに従って説明する。 Next, it will be described with reference to the flowchart of FIGS. 4-6 a method of polishing a wafer 5 with a polishing apparatus comprising the above construction.

【0024】ウェハ供給部28のカセットに収納されたウェハ5をドライロボット30により取り出し(ステップ101)、ウェハ位置規制部29に移載する(ステップ102)。 [0024] The wafer is removed 5 contained in the cassette of the wafer supply portion 28 by dry robot 30 (step 101), and transfers the wafer position regulating portion 29 (step 102). このウェハ位置規制部29のウェハ5は、 Wafer 5 of the wafer position regulating portion 29,
第1位置にあるウェットロボット32により把持し、第2位置にてウェハ仮置部21に移載し(ステップ10 Gripped by wet robot 32 in a first position, and transferred to the wafer temporary portion 21 at the second position (Step 10
3)、ここでウェハ反転部22により反転し(ステップ104)た後、ウェハ移載アーム23によりワークホルダ6に移載し(ステップ105)て吸着させる。 3), wherein after was inverted by the wafer inverting unit 22 (step 104), is adsorbed Te by the wafer transfer arm 23 and transferred to the work holder 6 (step 105).

【0025】そして、昇降ブロック11を下降させ(ステップ106)、ウェハ5を研磨パッド7に接触させて、研磨を開始する(ステップ107)。 [0025] Then, lowers the lifting block 11 (step 106), contacting the wafer 5 to the polishing pad 7, to start polishing (step 107). 研磨工程では、スラリー供給管18により研磨パッド7からスラリーを染み出させ(ステップ201)、ウェハ5と研磨パッド7の間にスラリーが十分に行きわたると、スピンドル12を駆動してワークホルダ6を回転させながら、並進公転プレート8を並進公転運動させる(ステップ20 The polishing process, the slurry supply pipe 18 so ooze slurry from the polishing pad 7 (step 201), the slurry over to go sufficiently between the wafer 5 and the polishing pad 7, the workpiece holder 6 by driving the spindle 12 while rotating, translating revolve translational revolution plate 8 (step 20
2)。 2). これにより、ウェハ5はスラリー介在下で研磨パッド7により研磨される。 Thus, the wafer 5 is polished by the polishing pad 7 under slurry intervention. 研磨中、スラリー流量、研磨パッド7に対するウェハ5の押圧力、ウェハ5の回転数、および並進公転プレート8の並進公転周期を調整することにより研磨温度を一定に保つ。 During polishing, the slurry flow rate, the pressing force of the wafer 5 against the polishing pad 7, keeping the grinding temperature by adjusting the rotational speed, and translational orbital period of translational revolution plate 8 of the wafer 5 to be constant. 化学反応によりウェハ5の表面に結合するスラリーのパーティクルは研磨パッド7により機械的に除去される。 Slurry of particles bound to the surface of the wafer 5 by a chemical reaction is mechanically removed by the polishing pad 7.

【0026】スラリー研磨が終了すると、スラリーの供給を停止し、純水供給官19により研磨パッド7から純水を染み出させてスラリーと置換し(ステップ20 [0026] slurry polishing is completed, the supply of slurry was stopped, by ooze pure water from the polishing pad 7 is replaced with a slurry with pure water supply officer 19 (Step 20
3)、約6秒程度で、スラリー濃度を所定の濃度まで低下させる。 3), on the order of about 6 seconds, reduce the slurry concentration to a predetermined concentration. そして、再度ワークホルダ6を回転させながら、並進公転プレート8を並進公転運動させ、ウェハ5 Then, while rotating the work holder 6 again, the translational revolution plate 8 is translated revolution, the wafer 5
を純水介在下で研磨パッド7により研磨する(ステップ204)。 The polished by the polishing pad 7 under pure intervening (step 204). この水研磨により、ウェハ表面に残存したスラリーのパーティクルが機械的に除去される。 The water polishing slurry particles remaining on the wafer surface is mechanically removed.

【0027】水研磨が終了すると、昇降ブロック11を上昇させ(ステップ108)、ウェハ移載アーム23によりウェハ5をウェハ仮置部21に移載し(ステップ1 [0027] water polishing is completed, the lifting block 11 is raised (step 108), the wafer 5 was transferred onto the wafer temporary portion 21 by the wafer transfer arm 23 (Step 1
09)、ここでウェハ反転部22によりウェハ5を反転させる(ステップ110)。 09), wherein reversing the wafer 5 by the wafer inverting unit 22 (step 110). そして、ウェットロボット30によりウェハ5を把持し、第2位置から第3位置に移動させ、洗浄・乾燥モジュール4の搬送機構33部に移載して(ステップ111)、洗浄を開始する(ステップ112)。 Then, gripping the wafer 5 by wet robot 30 is moved from the second position to the third position, and transferred to the transport mechanism 33 parts of the washing and drying module 4 (Step 111) and starts the cleaning (Step 112 ). なお、研磨後、搬送機構33に移載されるまでの間、ウェハ5が3秒以上大気にさらされて残存したスラリーがウェハ表面に固着するることを防止するために、純水供給ノズル40より純水を供給して移動中のウェハ5にかける。 Note that after polishing, until it is transferred to the transport mechanism 33, in order to slurry that remained exposed to the atmosphere wafer 5 is more than 3 seconds prevents Ruru be affixed to the wafer surface, the pure water supply nozzle 40 It applied to the wafer 5 in moving more supply of pure water.

【0028】洗浄工程では、まず、搬送機構33のアームで把持したウェハ5を位置決め部34にて位置決めした後、各洗浄部35,36,37に順次搬送する。 [0028] In the washing step, first, after positioning the wafer 5 which is gripped by the arm of the transport mechanism 33 by the positioning unit 34, sequentially conveyed to the cleaning section 35, 36, and 37. アンモニア洗浄部35では、アルカリ性のアンモニア水を用いてアンモニア洗浄を行ない(ステップ301)、ウェハ表面のゼータ電位を下げ、ウェハ表面に定着したパーティクルを浮遊しやすくするとともに、アンモニア水の流れとブラシによりパーティクルをウェハ5の表面から除去する。 The ammonia washes unit 35 performs the ammonia washing with an alkaline aqueous ammonia (step 301), lowers the zeta potential of the wafer surface, as well as easier to float particles have settled on the wafer surface, the aqueous ammonia stream and the brush particles are removed from the surface of the wafer 5. 続いて、フッ酸洗浄部36にて、フッ酸水を用いてフッ酸洗浄を行ない(ステップ302)、ウェハ表面をエッチングすることにより、ウェハ5の表面に固着したスラリーや金属イオンを遊離させるとともに、フッ酸水の流れとブラシによりパーティクルをウェハ5の表面から除去する。 Subsequently, in hydrofluoric acid cleaning section 36, it performs a hydrofluoric acid cleaning using hydrofluoric acid solution (step 302), by etching the wafer surface, with liberating the slurry and metal ions fixed to the surface of the wafer 5 , to remove particles from the surface of the wafer 5 by the aqueous hydrofluoric acid flow and brush. さらに、純水メガソニック洗浄部3 In addition, pure water megasonic cleaning unit 3
7にて、純水とメガソニックを用いて純水メガソニック洗浄を行ない(ステップ303)、ウェハ5の表面を加振洗浄することにより、ウェハ5の表面に付着したパーティクルを除去する。 At 7 performs pure water megasonic cleaning with pure water and megasonic (step 303), by the surface of the wafer 5 to vibration washed to remove particles adhering to the surface of the wafer 5. そして、最後に乾燥部38にて、 Then, in the last drying section 38,
ウェハ5に窒素ガスを吹き付け、ウェハ5を高速回転させることで、純水をウェハ5の表面から除去し、乾燥させる(ステップ304)。 Blowing nitrogen gas into the wafer 5, by high speed rotation of the wafer 5, the pure water is removed from the surface of the wafer 5, and dried (step 304). 乾燥したウェハ5は、搬送機構33により乾燥部38から洗浄移載部39に移載し、 The dried wafer 5 is to transfer to the wash transfer unit 39 from the drying unit 38 by the transport mechanism 33,
ドライロボット30によりウェハ受入れ部31に収納する(ステップ113)。 Housed in the wafer receiving portion 31 by the dry robot 30 (step 113).

【0029】一方、研磨モジュール1では、研磨中にワークホルダ6に付着したスラリーが乾燥固着しないように、純水供給管19によりワークホルダ6に純水を供給する(ステップ114)。 On the other hand, in the polishing module 1, as slurry adhering to the workpiece holder 6 during polishing does not dry fixed, for supplying pure water to the workpiece holder 6 with pure water supply pipe 19 (step 114). 次に、ドレスプレート移載アーム26によりドレスプレート載置・洗浄部25のドレスプレート24をワークホルダ6に移載して(ステップ115)、ここで吸着保持する。 Then transfers the address plate 24 dress plate placed and washing unit 25 in the workpiece holder 6 by dress plate transfer arm 26 (step 115), where holds adsorption. そして、昇降ブロック11を降下して(ステップ116)、ドレスプレート2 Then, lowering the lifting block 11 (step 116), dresses plate 2
4を研磨パッド7に接触させ、研磨時と同様に、ワークホルダ6を回転させながら、並進公転プレート8を並進公転運動させることで、研磨パッド7をドレスプレートによりドレスする(ステップ117)。 4 is brought into contact with the polishing pad 7, as in the case of polishing, while rotating the work holder 6, the translational revolution plate 8 by translating revolve, the polishing pad 7 to dress the dress plate (step 117). これにより、研磨中の温度、圧力、化学反応により物性の変化した研磨パッド7の表層を除去するとともに、研磨パッド7の表層のポーラスが研磨パッド7の表面に露出して活性化するように、研磨パッド7の表面の平滑化を行ない、研磨パッド7を初期状態に復活させる。 Accordingly, the temperature during polishing, a pressure, a chemical reaction to remove the surface layer of the polishing pad 7 and the change in physical properties, as surface layer of the porous polishing pad 7 is activated by exposing the surface of the polishing pad 7, performs smoothing of the surface of the polishing pad 7, revive polishing pad 7 to the initial state.

【0030】ドレス終了後、ドレスプレート移載アーム26によりワークホルダ6のドレスプレート24をドレスプレート載置・洗浄部25に移載して(ステップ11 [0030] In transferring after dress finished, the dress plate transfer arm 26 dresses plate 24 of the workpiece holder 6 to dress the plate mounting and cleaning unit 25 (Step 11
8)、ドレスプレート24を洗浄し、次のドレスに備える。 8) washing the dress plate 24, ready for the next dress. また、ドレスされた研磨パッド7の上に、高圧ジェット供給パイプ27を移動させ、その高圧ジェットノズル27aから高圧ジェットを噴射して(ステップ11 Further, on the polishing pad 7 is dress, to move the high-pressure jet supply pipe 27, by spraying high-pressure jets from the high-pressure jet nozzle 27a (Step 11
9)、ドレス後に研磨パッド7に浮遊し又は固着した脱落砥粒や屑を除去し、次の研磨においてウェハ5の表面にスクラッチ欠陥が発生するのを防止する。 9), a floating or falling abrasive and debris which is fixed to the polishing pad 7 is removed after the dress, to prevent the scratching defects are generated on the surface of the wafer 5 in the next polishing. この高圧ジェット洗浄後、高圧ジェット供給パイプ27を研磨パッド7から退避させ、次の研磨を開始する。 After the high-pressure jet cleaning, it retracts the pressure jet supply pipe 27 from the polishing pad 7, to start the next polishing.

【0031】 [0031]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明によれば、スラリー研磨の後、スラリーを純水で置換して、水研磨を行なうので、研磨後にスラリーによる化学反応によりウェハ表面が腐蝕することはなく、スラリーのパーティクルが残存することもない。 As is clear from the description above, according to the present invention, according to the present invention, after the slurry polishing, to replace the slurry with pure water, because the water polishing, a wafer surface by chemical reaction with the slurry after grinding corrosion not be, the slurry of particles nor remains. この結果、製品の歩留まりが向上する。 As a result, to improve the yield of the product.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明にかかる研磨装置の平面図。 Plan view of a polishing apparatus in the present invention; FIG.

【図2】 図1の研磨装置の斜視図。 2 is a perspective view of the polishing apparatus of FIG.

【図3】 研磨モジュールの部分破断正面図。 FIG. 3 is a partially cutaway front view of the polishing module.

【図4】 研磨全工程を示すフローチャート。 FIG. 4 is a flowchart showing a polishing throughout.

【図5】 研磨サブルーチンのフローチャート。 FIG. 5 is a flowchart of the polishing subroutine.

【図6】 洗浄サブルーチンのフローチャート。 FIG. 6 is a flowchart of the cleaning subroutine.

【図7】 従来の研磨装置の平面図。 Figure 7 is a plan view of a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 研磨モジュール 2 ドライ搬送モジュール 3 ウェット搬送モジュール 4 洗浄乾燥モジュール 5 ウェハ 6 ワークホルダ 7 研磨パッド 18 スラリー供給管 19 純水供給管 25 ドレスプレート移載アーム 27 高圧ジェット供給パイプ 40 純水供給ノズル 1 polishing module 2 dry transfer module 3 wet transfer module 4 washing drying module 5 wafer 6 work holder 7 polishing pad 18 slurry supply pipe 19 purified water supply pipe 25 dress plate transfer arm 27 pressure jet supply pipe 40 purified water supply nozzle

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ワークホルダに保持されたワークを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワークの研磨を行なう研磨方法において、 研磨パッドよりスラリーを染出する工程と、 ワークをスラリー介在下で研磨する工程と、 研磨パッドより純水を染出してスラリーと置換する工程と、 ワークを純水介在下で研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。 1. A polishing method of contacting the polishing pad to translate revolve while rotating the workpiece held by the workpiece holder is polished workpiece, the steps that Somedasu slurry from the polishing pad, under slurry interposed workpieces polishing method of the process of polishing, the step of substituting with Somedashi pure water and slurry from the polishing pad, characterized by a step of polishing a workpiece under pure water interposed in.
  2. 【請求項2】 研磨されたワークを洗浄するワーク洗浄部にワークを移載する間に、ワークに純水を供給する工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。 While transferring the workpiece 2. A workpiece cleaning unit for cleaning the polished workpiece, the polishing method according to claim 1, characterized by further comprising a step of supplying pure water to the workpiece.
  3. 【請求項3】 研磨されたワークをワークホルダから取り外した後、ドレスプレートをワークホルダに移載して保持する工程と、 ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドのドレスを行なう工程とをさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。 The 3. A polished work after removal from the work holder, the dress plate and a step of holding the transfer to the work holder, a polishing pad to translate revolve while rotating the dress plate held by the work holder the polishing method according to claim 1 or 2, characterized by further comprising a step of performing a dress the polishing pad in contact.
  4. 【請求項4】 ドレスプレートをワークホルダから取り外してドレスプレート洗浄部に移載する工程と、 ドレスプレート洗浄部でドレスプレートを洗浄する工程とをさらに有することを特徴とする請求項3に記載の研磨方法。 A step of transferring the dress plate washer portion 4. Dress plate removed from the work holder, according to claim 3, characterized by further comprising the step of washing the dress plate dress plate washer portion polishing method.
  5. 【請求項5】 ドレスプレートによる研磨パッドのドレス後に研磨パッドに高圧液体を噴出する工程をさらに有することを特徴とする3または4に記載の研磨方法。 5. The polishing method according to 3 or 4, characterized by further comprising the step of jetting a high pressure liquid to the polishing pad after the polishing pad by dress plate dress.
  6. 【請求項6】 ワークホルダに保持されたワークを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワークの研磨を行なう研磨装置において、 研磨パッドよりスラリーを染出する手段と、研磨パッドより純水を染出する手段とを設け、ワークをスラリー介在下で研磨した後、スラリーを純水と置換し、ワークを純水介在下で研磨するようにしたことを特徴とする研磨装置。 6. A into contact with a polishing pad to translate revolve while rotating the workpiece held by the workpiece holder polishing apparatus which performs polishing of the workpiece, and means that Somedasu the slurry from the polishing pad, deionized water from the polishing pad the a means is provided that Somedasu, after polishing the workpiece under slurry intervention, the slurry was replaced with pure water, a polishing apparatus is characterized in that so as to polish the work under pure intervention.
  7. 【請求項7】 研磨されたワークを洗浄するワーク洗浄部にワークを移載する間にワークに純水を供給する純水供給手段をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。 7. A polishing apparatus according to claim 6, further comprising a pure water supply means for supplying pure water to the workpiece during the transfer of the workpiece to the workpiece cleaning unit for cleaning the polished workpiece .
  8. 【請求項8】 ワークと同一形状のドレスプレートを載置するドレスプレート載置部と、 該ドレスプレート載置部と前記ワークホルダの間でドレスプレートを移載するドレスプレート移載手段とをさらに設け、 ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドのドレスを行なうようにしたことを特徴とする請求項6または7に記載の研磨装置。 And dress plate mounting unit 8. mounting a dress plate workpiece the same shape, and a dress plate transfer means for transferring the dress plate between the workpiece holder and the dress plate mounting unit further It provided a polishing apparatus according to claim 6 or 7, characterized in that to carry out the dress the polishing pad in contact with a polishing pad to translate revolve while rotating the dress plate held by the work holder.
  9. 【請求項9】 前記ドレスプレート移載手段の移動範囲に、ドレスプレートを洗浄するドレスプレート洗浄部をさらに設けたことを特徴とする請求項8に記載の研磨装置。 9. The moving range of the dress plate transfer means, the polishing apparatus according to claim 8, characterized in that further provided dress plate cleaning unit for cleaning the dress plate.
  10. 【請求項10】 研磨パッドに対して高圧液体を噴射する高圧ノズルを設けたことを特徴とする請求項8または9に記載の研磨装置。 10. A polishing apparatus according to claim 8 or 9, characterized in that a high pressure nozzle for injecting high pressure liquid onto the polishing pad.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010056327A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd Work holding mechanism
DE102004023425B4 (en) * 2003-05-12 2017-08-24 Sumco Corp. Procedure for determining the Cu concentration of a silicon substrate

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