JP2002237477A - Method of polishing work and polishing device - Google Patents

Method of polishing work and polishing device

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JP2002237477A
JP2002237477A JP2001034090A JP2001034090A JP2002237477A JP 2002237477 A JP2002237477 A JP 2002237477A JP 2001034090 A JP2001034090 A JP 2001034090A JP 2001034090 A JP2001034090 A JP 2001034090A JP 2002237477 A JP2002237477 A JP 2002237477A
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JP
Japan
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polishing
work
dress plate
polishing pad
wafer
Prior art date
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Application number
JP2001034090A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetaka Tsutsumi
英貴 堤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure the favorable polished surface of a work and to raise the yield of the manufacture of the work without leaving particles on the work. SOLUTION: A method of polishing the work (wafer) 5 brings the work 5 held by a work holder 6 into contact with a polishing pad 7 translating for an orbital motion while the work 5 is rotated to polish the work 5. The method is provided with a process for dyeing a slurry from the pad 7, a process for polishing the work 5 under the interposition of the slurry, a process for dyeing pure water from the pad 7 to substitute the pure water for the slurry, and a process for polishing the work 5 under the interposition of the pure water.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
ワークの研磨方法および研磨装置に関する。
The present invention relates to a method and an apparatus for polishing a work such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は、従来の半導体ウェハの研磨装置
を示す。この研磨装置によるウェハの研磨方法は、大略
次の通りである。まず、ウェハカセット101に収納さ
れているウェハ101aをドライロボット102により
受渡し部103に移載する。次に、ドライロボット10
2によりウェハ101aをウェハホルダ104に移載す
る。ウェハ101aを保持したウェハホルダ104を回
転させる一方、研磨パッド105が取り付けられたパッ
ドホルダ106を回転させながら下降させ、ウェハ10
1aに接触させる。この状態でパッドホルダ106をX
軸方向に往復移動させるとともに、スラリー供給ノズル
107からスラリーを供給しつつ、研磨パッド105に
よりウェハの研磨を行なう。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a conventional semiconductor wafer polishing apparatus. The method of polishing a wafer by this polishing apparatus is roughly as follows. First, the wafer 101 a stored in the wafer cassette 101 is transferred to the transfer unit 103 by the dry robot 102. Next, the dry robot 10
2, the wafer 101a is transferred to the wafer holder 104. While rotating the wafer holder 104 holding the wafer 101a, the pad holder 106 on which the polishing pad 105 is mounted is lowered while rotating, and the wafer 10
1a. In this state, the pad holder 106 is
The wafer is polished by the polishing pad 105 while the slurry is supplied from the slurry supply nozzle 107 while being reciprocated in the axial direction.

【0003】研磨終了後、パッドホルダ106を上昇さ
せ、ウェットロボット108によりウェハをウェハホル
ダ104から洗浄部109に移載する。そして、洗浄部
109でウェハの洗浄および乾燥を行ない、ドライロボ
ット102によりウェハをウェハカセット101に収納
する。
After polishing, the pad holder 106 is raised, and the wafer is transferred from the wafer holder 104 to the cleaning section 109 by the wet robot 108. Then, the wafer is cleaned and dried by the cleaning unit 109, and the wafer is stored in the wafer cassette 101 by the dry robot 102.

【0004】一方、パッドホルダ106をドレス部11
0に移動し、このドレス部110で、ドレス111を回
転させ、パッドホルダ106を回転させながら下降させ
て、ドレス111に接触させる。この状態でパッドホル
ダ106をX軸方向に往復移動させて、ドレス111に
より研磨パッド105のドレッシングを行なう。ドレッ
シング終了後、パッドホルダ106を上昇させてウェハ
ホルダ106の上に戻し、次の研磨に備える。
On the other hand, the pad holder 106 is
In this dress section 110, the dress 111 is rotated, and the pad holder 106 is lowered while rotating so as to contact the dress 111. In this state, the pad holder 106 is reciprocated in the X-axis direction to dress the polishing pad 105 with the dress 111. After the dressing is completed, the pad holder 106 is raised and returned on the wafer holder 106 to prepare for the next polishing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の研磨方法では、研磨後に研磨液による化学反応によ
りウェハ表面が腐蝕し、あるいは研磨、洗浄後にもワー
クに研磨液のパーティクルが残るという問題があった。
However, in the above-mentioned conventional polishing method, there is a problem that the wafer surface is corroded by a chemical reaction with the polishing liquid after polishing, or particles of the polishing liquid remain on the work after polishing and cleaning. Was.

【0006】本発明は前記従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、良好な研磨面を確保することができ、ワーク
にパーティクルが残らず、歩留まりを向上させることが
できる研磨方法および研磨装置を提供することを課題と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and provides a polishing method and a polishing apparatus capable of securing a good polished surface, leaving no particles on a work, and improving the yield. The task is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の手段として、本発明にかかる研磨方法は、ワークホル
ダに保持されたワークを回転させながら並進公転する研
磨パッドに接触させてワークの研磨を行なう研磨方法に
おいて、研磨パッドよりスラリーを染出する工程と、ワ
ークをスラリー介在下で研磨する工程と、研磨パッドよ
り純水を染出してスラリーと置換する工程と、ワークを
純水介在下で研磨する工程とを有するものである。
As a means for achieving the above object, a polishing method according to the present invention is a polishing method for polishing a work by rotating a work held by a work holder and bringing the work into contact with a polishing pad which translates and revolves. In the polishing method, the step of extruding the slurry from the polishing pad, the step of polishing the work with the intervention of the slurry, the step of extruding pure water from the polishing pad and replacing the slurry with the slurry, Polishing step.

【0008】この発明によると、スラリー研磨の後、ス
ラリーを純水で置換して、水研磨を行なうので、研磨後
にスラリーによる化学反応によりウェハ表面が腐蝕する
ことはなく、スラリーのパーティクルが残存することも
ない。
According to the present invention, after the slurry is polished, the slurry is replaced with pure water and the water is polished, so that the wafer surface does not corrode due to the chemical reaction by the slurry after the polishing, and the particles of the slurry remain. Not even.

【0009】本発明では、研磨されたワークが所定時間
以上大気にさらされないように、研磨されたワークを洗
浄するワーク洗浄部にワークを移載する間に、ワークに
純水を供給する工程をさらに有することが好ましい。
In the present invention, a step of supplying pure water to the work while transferring the work to a work cleaning section for cleaning the polished work so that the polished work is not exposed to the atmosphere for a predetermined time or more. More preferably, it has.

【0010】また、本発明では、研磨されたワークをワ
ークホルダから取り外した後、ドレスプレートをワーク
ホルダに移載して保持する工程と、ワークホルダに保持
されたドレスプレートを回転させながら並進公転する研
磨パッドに接触させて研磨パッドのドレスを行なう工程
とをさらに有することが好ましい。これにより、研磨パ
ッドのドレスをワークの研磨と同様に行なうことができ
る。この場合、ドレスプレートの洗浄を効率よく行なう
ために、ドレスプレートをワークホルダから取り外して
ドレスプレート洗浄部に移載する工程と、ドレスプレー
ト洗浄部でドレスプレートを洗浄する工程とをさらに有
することが好ましい。また、ドレスプレートによる研磨
パッドのドレス後に研磨パッドに高圧液体を噴出する工
程をさらに有することが好ましい。これにより、ドレス
後に研磨パッド上に浮遊または定着した脱落砥粒や屑が
残留し、次の研磨プロセスにおいてワークにスクラッチ
等の欠陥が発生するのを防止することができる。
In the present invention, the step of removing the polished work from the work holder and then transferring and holding the dress plate on the work holder, and the step of translating and revolving while rotating the dress plate held by the work holder. And dressing the polishing pad by bringing the polishing pad into contact with the polishing pad. Thereby, the dressing of the polishing pad can be performed in the same manner as the polishing of the work. In this case, in order to efficiently clean the dress plate, the method may further include a step of removing the dress plate from the work holder and transferring the dress plate to the dress plate cleaning unit, and a step of cleaning the dress plate by the dress plate cleaning unit. preferable. It is preferable that the method further includes a step of ejecting the high-pressure liquid to the polishing pad after dressing the polishing pad with the dress plate. Thereby, it is possible to prevent the falling off abrasive grains or debris floating or fixed on the polishing pad after the dressing from remaining, thereby preventing a defect such as a scratch from occurring in the work in the next polishing process.

【0011】前記目的を達成するための手段として、本
発明にかかる研磨装置は、ワークホルダに保持されたワ
ークを回転させながら並進公転する研磨パッドに接触さ
せてワークの研磨を行なう研磨装置において、研磨パッ
ドよりスラリーを染出する手段と、研磨パッドより純水
を染出する手段とを設け、ワークをスラリー介在下で研
磨した後、スラリーを純水と置換し、ワークを純水介在
下で研磨するようにしたものである。
As a means for achieving the above object, a polishing apparatus according to the present invention is a polishing apparatus for polishing a work held in contact with a polishing pad which translates and revolves while rotating a work held by a work holder. A means for discharging the slurry from the polishing pad and a means for discharging the pure water from the polishing pad are provided.After polishing the work with the slurry interposed, the slurry is replaced with pure water, and the work is formed with the pure water interposed. It is intended to be polished.

【0012】この発明では、研磨されたワークを洗浄す
るせワーク洗浄部にワークを移載する間にワークに純水
を供給する純水供給手段をさらに有することが好まし
い。
In the present invention, it is preferable that the apparatus further includes a pure water supply means for cleaning the polished work and supplying pure water to the work while transferring the work to the work cleaning section.

【0013】また、この発明では、ワークと同一形状の
ドレスプレートを載置するドレスプレート載置部と、該
ドレスプレート載置部と前記ワークホルダの間でドレス
プレートを移載するドレスプレート移載手段とをさらに
設け、ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転
させながら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パ
ッドのドレスを行なうようにすることが好ましい。この
場合、前記ドレスプレート移載手段の移動範囲に、ドレ
スプレートを洗浄するドレスプレート洗浄部をさらに設
けることが好ましい。また、研磨パッドに対して高圧液
体を噴射する高圧ノズルを設けることが好ましい。
Further, in the present invention, a dress plate mounting portion for mounting a dress plate having the same shape as a workpiece, and a dress plate transferring device for transferring a dress plate between the dress plate mounting portion and the work holder. It is preferable that a polishing pad be dressed by rotating the dress plate held by the work holder and bringing the polishing pad into contact with the revolving polishing pad while rotating. In this case, it is preferable that a dress plate cleaning unit for cleaning the dress plate is further provided in a moving range of the dress plate transfer unit. Further, it is preferable to provide a high-pressure nozzle for ejecting a high-pressure liquid to the polishing pad.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に従って説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0015】図1は、本発明にかかる研磨装置を示す。
この研磨装置は、大略、研磨モジュール1と、ドライ搬
送モジュール2と、ウェット搬送モジュール3と、洗浄
・乾燥モジュール4とからなっている。
FIG. 1 shows a polishing apparatus according to the present invention.
This polishing apparatus generally includes a polishing module 1, a dry transfer module 2, a wet transfer module 3, and a cleaning / drying module 4.

【0016】研磨モジュール1は、図3に示すように、
ワークとしてのウェハ5を吸着保持するワークホルダ6
と、該ワークホルダ6と対向するように研磨パッド7が
設けられた並進公転プレート8とからなっている。ワー
クホルダ6は、マシンベース9のコラム部10から水平
に延びる昇降ブロック11の先端に回転駆動可能に設け
られたスピンドル12の下端に取り付けられている。並
進公転プレート8は、ベース9にスラスト流体軸受け1
3を介して載置されるとともに、ベース9に垂直方向に
ベアリング14を介して回転自在に支持された2本のク
ランク軸15に両端がベアリング16を介して支持され
ている。一方のクランク軸15にはモータ17が連結さ
れ、これにより並進公転プレート8は、水平面内で並進
公転運動を行なうようになっている。
The polishing module 1 is, as shown in FIG.
Work holder 6 for sucking and holding wafer 5 as a work
And a translation revolving plate 8 provided with a polishing pad 7 so as to face the work holder 6. The work holder 6 is attached to the lower end of a spindle 12 rotatably provided at the tip of a lifting block 11 extending horizontally from a column section 10 of a machine base 9. The translation revolving plate 8 has a thrust fluid bearing 1 on a base 9.
3, and both ends are supported via bearings 16 on two crankshafts 15 that are rotatably supported on the base 9 in the vertical direction via bearings 14. A motor 17 is connected to one of the crankshafts 15, so that the translation revolving plate 8 performs a translation revolving motion in a horizontal plane.

【0017】並進公転プレート8の上面には、研磨パッ
ド7が設置されている。研磨パッド7の下方には、研磨
パッド7の表面からスラリーを染み出すためのスラリー
供給管18と、研磨パッド7の表面から純水を染み出す
ための純水供給管19が配設されている。研磨パッド7
の周縁とスラスト軸受け13の間には、可撓性を有する
波形リング20が設けられ、研磨パッド7から染み出た
スラリーや純水が内部に侵入しないようになっている。
A polishing pad 7 is provided on the upper surface of the translation revolution plate 8. Below the polishing pad 7, a slurry supply pipe 18 for exuding slurry from the surface of the polishing pad 7 and a pure water supply pipe 19 for exuding pure water from the surface of the polishing pad 7 are provided. . Polishing pad 7
A flexible corrugated ring 20 is provided between the peripheral edge of the thrust bearing 13 and the thrust bearing 13 so that slurry or pure water oozing from the polishing pad 7 does not enter the inside.

【0018】研磨モジュール1の周囲には、図1に示す
ように、ウェハ仮置部21と、ウェハ反転部22と、該
ウェハ仮置部21と前記ワークホルダ6の間でウェハ5
の移載を行なうウェハ移載アーム23とが配置されてい
る。また、ウェハ5と同一形状のドレスプレート24を
載置するとともに当該ドレスプレート24を洗浄するド
レスプレート載置・洗浄部25と、該ドレスプレート載
置・洗浄部25と前記ワークホルダ6の間でドレスプレ
ート24の移載を行なうドレスプレート移載アーム26
とが配置されている。さらに、研磨パッド7の上方の供
給位置と研磨パッド7から退避した退避位置との間を移
動可能で、研磨パッド7に高圧ジェットを供給する高圧
ジェットノズル27aを有する高圧ジェット供給パイプ
27が配置されている。
As shown in FIG. 1, around the polishing module 1, a temporary wafer placement section 21, a wafer reversing section 22, and a wafer 5 between the temporary wafer placement section 21 and the work holder 6.
And a wafer transfer arm 23 for performing the transfer. Further, a dress plate 24 having the same shape as that of the wafer 5 is placed and a dress plate placing / cleaning unit 25 for cleaning the dress plate 24 is provided between the dress plate placing / cleaning unit 25 and the work holder 6. Dress plate transfer arm 26 for transferring dress plate 24
And are arranged. Further, a high-pressure jet supply pipe 27 having a high-pressure jet nozzle 27a for supplying a high-pressure jet to the polishing pad 7 and being movable between a supply position above the polishing pad 7 and a retracted position retracted from the polishing pad 7 is arranged. ing.

【0019】ドライ搬送モジュール2は、ウェハ5をカ
セットから供給するウェハ供給部28と、ウェハ位置規
制部29と、ドライロボット30と、ウェハ5をカセッ
トに受け入れるウェハ受入れ部31とからなっている。
ドライロボット30は、前記ウェハ供給部28と前記ウ
ェハ位置規制部29の間、および後述する洗浄・乾燥モ
ジュール4の洗浄移載部39と前記ウェハ受入部31の
間で移動可能であり、ウェハ供給部28からウェハ5を
ウェハ位置規制部29に移載するとともに、洗浄・乾燥
モジュール4の洗浄移載部39からウェハ5をウェハ受
入部31に移載するようになっている。
The dry transfer module 2 comprises a wafer supply unit 28 for supplying the wafers 5 from the cassette, a wafer position regulating unit 29, a dry robot 30, and a wafer receiving unit 31 for receiving the wafers 5 in the cassette.
The dry robot 30 is movable between the wafer supply unit 28 and the wafer position regulating unit 29 and between a cleaning transfer unit 39 of the cleaning / drying module 4 described later and the wafer receiving unit 31. The wafer 5 is transferred from the section 28 to the wafer position regulating section 29, and the wafer 5 is transferred from the cleaning transfer section 39 of the cleaning / drying module 4 to the wafer receiving section 31.

【0020】ウェット搬送モジュール3は、前記ウェハ
位置規制部29に近接した第1位置と、前記ウェハ仮置
部21に近接した第2位置と、後述する洗浄・乾燥モジ
ュール4の位置決め部34に近接した第3位置との間を
往復移動可能なウェットロボット32を有している。ウ
ェットロボット32は、第1位置においてウェット位置
規制部29のウェハ5を把持し、該ウェハ5を第2位置
においてウェハ仮置部21に移載するとともに、ワーク
ホルダ6からウェハ仮置部21に移載されたウェハ5を
把持し、該ウェハ5を第3位置において洗浄・乾燥モジ
ュール4の搬送機構33に移載するようになっている。
The wet transfer module 3 has a first position close to the wafer position regulating unit 29, a second position close to the temporary wafer placement unit 21, and a positioning unit 34 of the cleaning / drying module 4 described later. And a wet robot 32 that can reciprocate between the third position. The wet robot 32 grasps the wafer 5 of the wet position regulating unit 29 at the first position, transfers the wafer 5 to the wafer temporary storage unit 21 at the second position, and transfers the wafer 5 from the work holder 6 to the wafer temporary storage unit 21. The transferred wafer 5 is gripped, and the wafer 5 is transferred to the transfer mechanism 33 of the cleaning / drying module 4 at the third position.

【0021】洗浄・乾燥モジュール4は、ウェハ5を把
持して矢印方向に移動する搬送機構33を有し、該搬送
機構33によるウェハ5の搬送方向に沿って、位置決め
部34、アンモニア洗浄部35、フッ酸洗浄部36、純
水メガソニック洗浄部37、乾燥部38および洗浄移載
部39とが複数個配置されている。
The cleaning / drying module 4 has a transfer mechanism 33 that grips the wafer 5 and moves in the direction of the arrow, and the positioning unit 34 and the ammonia cleaning unit 35 along the transfer direction of the wafer 5 by the transfer mechanism 33. , A plurality of hydrofluoric acid cleaning units 36, a pure water megasonic cleaning unit 37, a drying unit 38, and a cleaning transfer unit 39.

【0022】前記研磨モジュール1のウェハ移載アーム
23の移動範囲と、前記洗浄・乾燥モジュール4のウェ
ットロボット32の移動範囲には、移動中のウェハ5に
純水をかける純水供給能ノズル40が適宜位置に配置さ
れている。
The range of movement of the wafer transfer arm 23 of the polishing module 1 and the range of movement of the wet robot 32 of the cleaning / drying module 4 include a pure water supply nozzle 40 for applying pure water to the moving wafer 5. Are arranged at appropriate positions.

【0023】次に、前記構成からなる研磨装置を用いて
ウェハ5を研磨する方法を図4から図6のフローチャー
トに従って説明する。
Next, a method of polishing the wafer 5 using the polishing apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

【0024】ウェハ供給部28のカセットに収納された
ウェハ5をドライロボット30により取り出し(ステッ
プ101)、ウェハ位置規制部29に移載する(ステッ
プ102)。このウェハ位置規制部29のウェハ5は、
第1位置にあるウェットロボット32により把持し、第
2位置にてウェハ仮置部21に移載し(ステップ10
3)、ここでウェハ反転部22により反転し(ステップ
104)た後、ウェハ移載アーム23によりワークホル
ダ6に移載し(ステップ105)て吸着させる。
The wafer 5 stored in the cassette of the wafer supply unit 28 is taken out by the dry robot 30 (step 101) and transferred to the wafer position regulating unit 29 (step 102). The wafer 5 of the wafer position regulating unit 29 is
It is gripped by the wet robot 32 at the first position, and is transferred to the temporary wafer placement unit 21 at the second position (step 10).
3) Here, after being inverted by the wafer inverting unit 22 (Step 104), the wafer is transferred to the work holder 6 by the wafer transfer arm 23 (Step 105) and sucked.

【0025】そして、昇降ブロック11を下降させ(ス
テップ106)、ウェハ5を研磨パッド7に接触させ
て、研磨を開始する(ステップ107)。研磨工程で
は、スラリー供給管18により研磨パッド7からスラリ
ーを染み出させ(ステップ201)、ウェハ5と研磨パ
ッド7の間にスラリーが十分に行きわたると、スピンド
ル12を駆動してワークホルダ6を回転させながら、並
進公転プレート8を並進公転運動させる(ステップ20
2)。これにより、ウェハ5はスラリー介在下で研磨パ
ッド7により研磨される。研磨中、スラリー流量、研磨
パッド7に対するウェハ5の押圧力、ウェハ5の回転
数、および並進公転プレート8の並進公転周期を調整す
ることにより研磨温度を一定に保つ。化学反応によりウ
ェハ5の表面に結合するスラリーのパーティクルは研磨
パッド7により機械的に除去される。
Then, the lifting block 11 is lowered (Step 106), and the wafer 5 is brought into contact with the polishing pad 7 to start polishing (Step 107). In the polishing step, the slurry is exuded from the polishing pad 7 by the slurry supply pipe 18 (Step 201). When the slurry has sufficiently spread between the wafer 5 and the polishing pad 7, the spindle 12 is driven to move the work holder 6 to the work holder 6. The translation orbiting plate 8 is caused to translate and revolve while rotating (step 20).
2). Thus, the wafer 5 is polished by the polishing pad 7 with the slurry interposed. During polishing, the polishing temperature is kept constant by adjusting the slurry flow rate, the pressing force of the wafer 5 against the polishing pad 7, the number of rotations of the wafer 5, and the translation revolution period of the translation revolution plate 8. The particles of the slurry that bind to the surface of the wafer 5 due to the chemical reaction are mechanically removed by the polishing pad 7.

【0026】スラリー研磨が終了すると、スラリーの供
給を停止し、純水供給官19により研磨パッド7から純
水を染み出させてスラリーと置換し(ステップ20
3)、約6秒程度で、スラリー濃度を所定の濃度まで低
下させる。そして、再度ワークホルダ6を回転させなが
ら、並進公転プレート8を並進公転運動させ、ウェハ5
を純水介在下で研磨パッド7により研磨する(ステップ
204)。この水研磨により、ウェハ表面に残存したス
ラリーのパーティクルが機械的に除去される。
When the polishing of the slurry is completed, the supply of the slurry is stopped, and pure water is exuded from the polishing pad 7 by the pure water supplier 19 to replace the slurry (step 20).
3) The slurry concentration is reduced to a predetermined concentration in about 6 seconds. Then, while rotating the work holder 6 again, the translation revolving plate 8 is caused to translate and revolve, and the wafer 5
Is polished by the polishing pad 7 with pure water interposed (step 204). By this water polishing, particles of the slurry remaining on the wafer surface are mechanically removed.

【0027】水研磨が終了すると、昇降ブロック11を
上昇させ(ステップ108)、ウェハ移載アーム23に
よりウェハ5をウェハ仮置部21に移載し(ステップ1
09)、ここでウェハ反転部22によりウェハ5を反転
させる(ステップ110)。そして、ウェットロボット
30によりウェハ5を把持し、第2位置から第3位置に
移動させ、洗浄・乾燥モジュール4の搬送機構33部に
移載して(ステップ111)、洗浄を開始する(ステッ
プ112)。なお、研磨後、搬送機構33に移載される
までの間、ウェハ5が3秒以上大気にさらされて残存し
たスラリーがウェハ表面に固着するることを防止するた
めに、純水供給ノズル40より純水を供給して移動中の
ウェハ5にかける。
When the water polishing is completed, the lifting block 11 is raised (Step 108), and the wafer 5 is transferred to the temporary wafer placement section 21 by the wafer transfer arm 23 (Step 1).
09) Here, the wafer 5 is inverted by the wafer inverting unit 22 (Step 110). Then, the wafer 5 is gripped by the wet robot 30, moved from the second position to the third position, transferred to the transport mechanism 33 of the cleaning / drying module 4 (Step 111), and cleaning is started (Step 112). ). After the polishing, until the wafer 5 is transferred to the transport mechanism 33, the pure water supply nozzle 40 is used to prevent the remaining slurry from being exposed to the atmosphere for 3 seconds or more and sticking to the wafer surface. More pure water is supplied to the moving wafer 5.

【0028】洗浄工程では、まず、搬送機構33のアー
ムで把持したウェハ5を位置決め部34にて位置決めし
た後、各洗浄部35,36,37に順次搬送する。アン
モニア洗浄部35では、アルカリ性のアンモニア水を用
いてアンモニア洗浄を行ない(ステップ301)、ウェ
ハ表面のゼータ電位を下げ、ウェハ表面に定着したパー
ティクルを浮遊しやすくするとともに、アンモニア水の
流れとブラシによりパーティクルをウェハ5の表面から
除去する。続いて、フッ酸洗浄部36にて、フッ酸水を
用いてフッ酸洗浄を行ない(ステップ302)、ウェハ
表面をエッチングすることにより、ウェハ5の表面に固
着したスラリーや金属イオンを遊離させるとともに、フ
ッ酸水の流れとブラシによりパーティクルをウェハ5の
表面から除去する。さらに、純水メガソニック洗浄部3
7にて、純水とメガソニックを用いて純水メガソニック
洗浄を行ない(ステップ303)、ウェハ5の表面を加
振洗浄することにより、ウェハ5の表面に付着したパー
ティクルを除去する。そして、最後に乾燥部38にて、
ウェハ5に窒素ガスを吹き付け、ウェハ5を高速回転さ
せることで、純水をウェハ5の表面から除去し、乾燥さ
せる(ステップ304)。乾燥したウェハ5は、搬送機
構33により乾燥部38から洗浄移載部39に移載し、
ドライロボット30によりウェハ受入れ部31に収納す
る(ステップ113)。
In the cleaning step, first, the wafer 5 gripped by the arm of the transport mechanism 33 is positioned by the positioning section 34, and then transported to the cleaning sections 35, 36, 37 sequentially. In the ammonia cleaning section 35, ammonia cleaning is performed using alkaline ammonia water (step 301), the zeta potential on the wafer surface is lowered, particles floating on the wafer surface are easily floated, and the ammonia water flow and brush are used. Particles are removed from the surface of the wafer 5. Subsequently, in the hydrofluoric acid cleaning section 36, hydrofluoric acid cleaning is performed using hydrofluoric acid water (step 302), and the slurry and metal ions fixed on the surface of the wafer 5 are released by etching the wafer surface. The particles are removed from the surface of the wafer 5 by a flow of hydrofluoric acid and a brush. Furthermore, pure water megasonic cleaning section 3
At 7, pure water megasonic cleaning is performed using pure water and megasonic (step 303), and the surface of the wafer 5 is vibrated and cleaned to remove particles attached to the surface of the wafer 5. And finally, in the drying unit 38,
By blowing nitrogen gas onto the wafer 5 and rotating the wafer 5 at high speed, pure water is removed from the surface of the wafer 5 and dried (step 304). The dried wafer 5 is transferred from the drying unit 38 to the cleaning transfer unit 39 by the transfer mechanism 33,
The wafer is stored in the wafer receiving unit 31 by the dry robot 30 (step 113).

【0029】一方、研磨モジュール1では、研磨中にワ
ークホルダ6に付着したスラリーが乾燥固着しないよう
に、純水供給管19によりワークホルダ6に純水を供給
する(ステップ114)。次に、ドレスプレート移載ア
ーム26によりドレスプレート載置・洗浄部25のドレ
スプレート24をワークホルダ6に移載して(ステップ
115)、ここで吸着保持する。そして、昇降ブロック
11を降下して(ステップ116)、ドレスプレート2
4を研磨パッド7に接触させ、研磨時と同様に、ワーク
ホルダ6を回転させながら、並進公転プレート8を並進
公転運動させることで、研磨パッド7をドレスプレート
によりドレスする(ステップ117)。これにより、研
磨中の温度、圧力、化学反応により物性の変化した研磨
パッド7の表層を除去するとともに、研磨パッド7の表
層のポーラスが研磨パッド7の表面に露出して活性化す
るように、研磨パッド7の表面の平滑化を行ない、研磨
パッド7を初期状態に復活させる。
On the other hand, in the polishing module 1, pure water is supplied to the work holder 6 through the pure water supply pipe 19 so that the slurry attached to the work holder 6 during polishing is not dried and fixed (step 114). Next, the dress plate 24 of the dress plate mounting / washing unit 25 is transferred to the work holder 6 by the dress plate transfer arm 26 (step 115), and is held here by suction. Then, the elevating block 11 is lowered (step 116), and the dress plate 2
The polishing pad 7 is dressed by a dress plate by bringing the translation contact plate 4 into contact with the polishing pad 7 and rotating the translation revolving plate 8 while rotating the work holder 6 in the same manner as during polishing (step 117). Thereby, while removing the surface layer of the polishing pad 7 whose physical properties have changed due to the temperature, pressure, and chemical reaction during polishing, the porous surface of the polishing pad 7 is exposed to the surface of the polishing pad 7 and activated. The surface of the polishing pad 7 is smoothed, and the polishing pad 7 is restored to the initial state.

【0030】ドレス終了後、ドレスプレート移載アーム
26によりワークホルダ6のドレスプレート24をドレ
スプレート載置・洗浄部25に移載して(ステップ11
8)、ドレスプレート24を洗浄し、次のドレスに備え
る。また、ドレスされた研磨パッド7の上に、高圧ジェ
ット供給パイプ27を移動させ、その高圧ジェットノズ
ル27aから高圧ジェットを噴射して(ステップ11
9)、ドレス後に研磨パッド7に浮遊し又は固着した脱
落砥粒や屑を除去し、次の研磨においてウェハ5の表面
にスクラッチ欠陥が発生するのを防止する。この高圧ジ
ェット洗浄後、高圧ジェット供給パイプ27を研磨パッ
ド7から退避させ、次の研磨を開始する。
After the dressing, the dress plate 24 of the work holder 6 is transferred to the dress plate mounting / washing section 25 by the dress plate transfer arm 26 (step 11).
8) Wash the dress plate 24 to prepare for the next dress. Further, the high-pressure jet supply pipe 27 is moved onto the dressed polishing pad 7, and a high-pressure jet is jetted from the high-pressure jet nozzle 27a (step 11).
9) Removed abrasive grains and debris floating or fixed on the polishing pad 7 after dressing to prevent scratches from occurring on the surface of the wafer 5 in the next polishing. After the high-pressure jet cleaning, the high-pressure jet supply pipe 27 is retracted from the polishing pad 7, and the next polishing is started.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、スラリー研磨の後、スラリーを純水で置換し
て、水研磨を行なうので、研磨後にスラリーによる化学
反応によりウェハ表面が腐蝕することはなく、スラリー
のパーティクルが残存することもない。この結果、製品
の歩留まりが向上する。
As is clear from the above description, according to the present invention, after polishing the slurry, the slurry is replaced with pure water and water polishing is performed. There is no corrosion and no slurry particles remain. As a result, the product yield is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかる研磨装置の平面図。FIG. 1 is a plan view of a polishing apparatus according to the present invention.

【図2】 図1の研磨装置の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the polishing apparatus of FIG.

【図3】 研磨モジュールの部分破断正面図。FIG. 3 is a partially broken front view of the polishing module.

【図4】 研磨全工程を示すフローチャート。FIG. 4 is a flowchart showing all polishing steps.

【図5】 研磨サブルーチンのフローチャート。FIG. 5 is a flowchart of a polishing subroutine.

【図6】 洗浄サブルーチンのフローチャート。FIG. 6 is a flowchart of a cleaning subroutine.

【図7】 従来の研磨装置の平面図。FIG. 7 is a plan view of a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 研磨モジュール 2 ドライ搬送モジュール 3 ウェット搬送モジュール 4 洗浄乾燥モジュール 5 ウェハ 6 ワークホルダ 7 研磨パッド 18 スラリー供給管 19 純水供給管 25 ドレスプレート移載アーム 27 高圧ジェット供給パイプ 40 純水供給ノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing module 2 Dry transfer module 3 Wet transfer module 4 Washing and drying module 5 Wafer 6 Work holder 7 Polishing pad 18 Slurry supply pipe 19 Pure water supply pipe 25 Dress plate transfer arm 27 High pressure jet supply pipe 40 Pure water supply nozzle

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワークホルダに保持されたワークを回転
させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワーク
の研磨を行なう研磨方法において、 研磨パッドよりスラリーを染出する工程と、 ワークをスラリー介在下で研磨する工程と、 研磨パッドより純水を染出してスラリーと置換する工程
と、 ワークを純水介在下で研磨する工程とを有することを特
徴とする研磨方法。
1. A polishing method for polishing a work by rotating a work held by a work holder and bringing the work into contact with a polishing pad revolving and revolving, wherein a step of discharging a slurry from the polishing pad; A polishing method comprising: a step of polishing with a polishing pad; a step of exuding pure water from a polishing pad to replace the slurry; and a step of polishing a workpiece with pure water.
【請求項2】 研磨されたワークを洗浄するワーク洗浄
部にワークを移載する間に、ワークに純水を供給する工
程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の研
磨方法。
2. The polishing method according to claim 1, further comprising a step of supplying pure water to the workpiece while transferring the workpiece to a workpiece cleaning section for cleaning the polished workpiece.
【請求項3】 研磨されたワークをワークホルダから取
り外した後、ドレスプレートをワークホルダに移載して
保持する工程と、 ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させな
がら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドの
ドレスを行なう工程とをさらに有することを特徴とする
請求項1または2に記載の研磨方法。
3. A step of removing a polished work from a work holder, transferring a dress plate to the work holder and holding the dress plate, and a step of rotating the dress plate held by the work holder and revolving the polishing pad. 3. The polishing method according to claim 1, further comprising a step of dressing the polishing pad by contacting the polishing pad.
【請求項4】 ドレスプレートをワークホルダから取り
外してドレスプレート洗浄部に移載する工程と、 ドレスプレート洗浄部でドレスプレートを洗浄する工程
とをさらに有することを特徴とする請求項3に記載の研
磨方法。
4. The method according to claim 3, further comprising: removing the dress plate from the work holder and transferring the dress plate to the dress plate cleaning unit; and cleaning the dress plate by the dress plate cleaning unit. Polishing method.
【請求項5】 ドレスプレートによる研磨パッドのドレ
ス後に研磨パッドに高圧液体を噴出する工程をさらに有
することを特徴とする3または4に記載の研磨方法。
5. The polishing method according to claim 3, further comprising a step of ejecting a high-pressure liquid to the polishing pad after dressing the polishing pad with the dress plate.
【請求項6】 ワークホルダに保持されたワークを回転
させながら並進公転する研磨パッドに接触させてワーク
の研磨を行なう研磨装置において、 研磨パッドよりスラリーを染出する手段と、研磨パッド
より純水を染出する手段とを設け、ワークをスラリー介
在下で研磨した後、スラリーを純水と置換し、ワークを
純水介在下で研磨するようにしたことを特徴とする研磨
装置。
6. A polishing apparatus for polishing a work by rotating a work held by a work holder and bringing the work into contact with a polishing pad which is revolved and revolved, comprising: means for discharging slurry from the polishing pad; and pure water from the polishing pad. A polishing apparatus comprising: a means for exuding water; polishing the work with the intervention of slurry; replacing the slurry with pure water; and polishing the work with the intervention of pure water.
【請求項7】 研磨されたワークを洗浄するワーク洗浄
部にワークを移載する間にワークに純水を供給する純水
供給手段をさらに有することを特徴とする請求項6に記
載の研磨装置。
7. The polishing apparatus according to claim 6, further comprising pure water supply means for supplying pure water to the workpiece while transferring the workpiece to a workpiece cleaning section for cleaning the polished workpiece. .
【請求項8】 ワークと同一形状のドレスプレートを載
置するドレスプレート載置部と、 該ドレスプレート載置部と前記ワークホルダの間でドレ
スプレートを移載するドレスプレート移載手段とをさら
に設け、 ワークホルダに保持されたドレスプレートを回転させな
がら並進公転する研磨パッドに接触させて研磨パッドの
ドレスを行なうようにしたことを特徴とする請求項6ま
たは7に記載の研磨装置。
8. A dress plate mounting portion for mounting a dress plate having the same shape as a workpiece, and a dress plate transferring means for transferring a dress plate between the dress plate mounting portion and the work holder. The polishing apparatus according to claim 6, wherein the polishing pad is dressed by rotating the dress plate held by the work holder and bringing the polishing pad into contact with a translationally revolving polishing pad.
【請求項9】 前記ドレスプレート移載手段の移動範囲
に、ドレスプレートを洗浄するドレスプレート洗浄部を
さらに設けたことを特徴とする請求項8に記載の研磨装
置。
9. The polishing apparatus according to claim 8, further comprising a dress plate cleaning unit for cleaning a dress plate, in a moving range of the dress plate transfer unit.
【請求項10】 研磨パッドに対して高圧液体を噴射す
る高圧ノズルを設けたことを特徴とする請求項8または
9に記載の研磨装置。
10. The polishing apparatus according to claim 8, further comprising a high-pressure nozzle for jetting a high-pressure liquid to the polishing pad.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700860B1 (en) 2005-12-28 2007-03-29 동부일렉트로닉스 주식회사 Cleaning method in CMP process for semiconductor manufacturing
JP2010056327A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd Work holding mechanism
DE102004023425B4 (en) * 2003-05-12 2017-08-24 Sumco Corp. Method for detecting the Cu concentration of a silicon substrate
CN107685288A (en) * 2017-09-05 2018-02-13 南京航空航天大学 A kind of free abrasive track-detecting method
JP2019081241A (en) * 2017-10-31 2019-05-30 株式会社荏原製作所 Heat exchanger for adjusting temperature of abrasive surface of abrasive pad, polishing apparatus comprising the same, base plate polishing method using the same, and computer-readable recording medium with recorded program for adjusting temperature of abrasive surface of abrasive pad

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004023425B4 (en) * 2003-05-12 2017-08-24 Sumco Corp. Method for detecting the Cu concentration of a silicon substrate
KR100700860B1 (en) 2005-12-28 2007-03-29 동부일렉트로닉스 주식회사 Cleaning method in CMP process for semiconductor manufacturing
JP2010056327A (en) * 2008-08-28 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd Work holding mechanism
CN107685288A (en) * 2017-09-05 2018-02-13 南京航空航天大学 A kind of free abrasive track-detecting method
JP2019081241A (en) * 2017-10-31 2019-05-30 株式会社荏原製作所 Heat exchanger for adjusting temperature of abrasive surface of abrasive pad, polishing apparatus comprising the same, base plate polishing method using the same, and computer-readable recording medium with recorded program for adjusting temperature of abrasive surface of abrasive pad
JP7059117B2 (en) 2017-10-31 2022-04-25 株式会社荏原製作所 To adjust the temperature of the polished surface of the polishing pad, the heat exchanger for adjusting the temperature of the polished surface of the polishing pad, the polishing device equipped with the heat exchanger, the method of polishing the substrate using the heat exchanger, and the temperature of the polished surface of the polishing pad. Computer-readable recording medium on which the program is recorded
TWI783069B (en) * 2017-10-31 2022-11-11 日商荏原製作所股份有限公司 Heat exchanger for regulating temperature of polishing surface of polishing pad,polishing apparatus having such heat exchanger,polishing method for substrate using such heat exchanger,and computer-readable storage medium storing a program for regulating temperature of polishing surface of polishing pad

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