JP2002228800A

JP2002228800A - 電子線照射装置

Info

Publication number: JP2002228800A
Application number: JP2001027640A
Authority: JP
Inventors: Eiji Iwamoto; 英司岩本; Tsukasa Hayashi; 司林; Toshiro Nishikimi; 敏朗錦見
Original assignee: Nissin High Voltage Co Ltd
Current assignee: Nissin High Voltage Co Ltd
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2001-02-05
Publication date: 2002-08-14

Abstract

(57)【要約】【課題】フィラメントの発熱に起因する課題、各フィ
ラメントから放出される電子が集中することに起因する
課題およびフィラメント加熱時に窓箔が破れたときの課
題を解決することのできる電子線照射装置を提供する。【解決手段】この電子線照射装置は、電子源として、
フィラメントではなく、多数のナノチューブを有してい
て電界放出によって電子２２を放出する複数個の電子放
出チップ２０を備えており、これを真空容器４内にＹ方
向に長く配列している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子線を被照射
物に照射して、被照射物の架橋、改質、硬化、殺菌、そ
の他の表面処理に用いられる電子線照射装置に関し、よ
り具体的には、多数のナノチューブを有する電子放出チ
ップを電子源として備えている電子線照射装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子線照射装置の一例を図５に示
す。なお、これと同様の装置は、例えば特開２０００−
１７１５９９号公報に記載されている。電源回路の詳細
例は、例えば特開平１１−２１１９００号公報に記載さ
れている。

【０００３】この電子線照射装置は、電子を走査するこ
となく、Ｘ方向に相対的に短く、当該Ｘ方向と直交する
Ｙ方向に相対的に長い平面形状（例えば帯状または矩形
状）の電子（電子線）１２を発生させる装置であり、非
走査型またはエリア型と呼ばれる。

【０００４】この電子線照射装置は、Ｙ方向に長い筒状
の真空容器４内に、Ｙ方向に長い筒状のシールド電極６
を設け、このシールド電極６内に、Ｘ方向に沿う直線状
のフィラメント８を複数本（例えば３８本程度）Ｙ方向
に並設した構造をしている。このＹ方向は、電子１２の
照射幅方向とも呼ばれ、フィラメント８を並設する数
は、必要とする照射幅に応じて選ばれる。

【０００５】シールド電極６の開口部には、各フィラメ
ント８から放出された電子１２を引き出す引出し電極１
０が設けられている。

【０００６】引出し電極１０に対向する真空容器４の開
口部には、真空容器４内の雰囲気（真空）と真空容器外
の雰囲気（例えば大気）とを分離すると共に、引出し電
極１０を通して引き出されかつ加速された電子１２を透
過させる窓箔１４が設けられている。

【０００７】各フィラメント８は、互いに並列接続され
ていて、フィラメント電源（図示省略）によって高温に
加熱されて電子１２を放出する。

【０００８】各フィラメント８と引出し電極１０との間
には、電子１２を引き出すための引出し電圧（例えば数
ｋＶ程度）が引出し電源（図示省略）から印加される。

【０００９】引出し電極１０とシールド電極６は互いに
同電位であり、窓箔１４と真空容器４も互いに同電位で
あり、前者と後者間には、電子１２を加速するための加
速電圧（例えば数百ｋＶ程度）が加速電源（図示省略）
から印加される。

【００１０】窓箔１４を透過させて外に取り出された電
子１２は、被照射物（図５では図示省略。図１の被照射
物１６参照）に照射される。これによって、当該被照射
物に、架橋、改質、硬化、殺菌等の処理を施すことがで
きる。被照射物は、例えば、Ｘ方向に沿って搬送され
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来の電子線照射装置
は、電子源として、高温に加熱されて熱電子を放出する
複数本のフィラメント８を用いており、これに起因し
て、次に示す課題を有していた。

【００１２】（１）フィラメント８の発熱に起因する課
題フィラメント８の高温加熱に伴って、フィラメント８お
よびその近傍の構造物（例えばシールド電極６、引出し
電極１０、絶縁物等）が高温に（例えば数百℃程度に）
加熱され、それらからアウトガスが発生する。前述した
ように、引出し電極１０等と窓箔１４等との間には例え
ば数百ｋＶという高圧の加速電圧が印加されるので、こ
のアウトガス発生に伴って、加速電圧が印加される部分
間で空間放電あるいは沿面放電が起こりやすくなり、加
速電圧の印加、ひいては電子１２の加速および取り出し
が不安定になる。

【００１３】この対策として、従来は、電子１２を正規
に取り出す前に、コンディショニング工程と呼ばれる、
電子１２の取り出しを安定させる慣らし運転を行う必要
があった。しかもこのコンディショニング工程には、長
時間を要していた。

【００１４】（２）各フィラメント８から放出される電
子１２が集中することに起因する課題線状の各フィラメント８から放出される電子１２の量
は、その長さ方向（Ｘ方向）に均一ではなく、中央付近
に集中する傾向にある。即ち、山形の電流密度分布にな
る（例えば、前記特開２０００−１７１５９９号公報の
図５参照）。窓箔１４は、電子１２の透過損失によって
加熱されるので、電子１２の上記のような集中に対応し
て、窓箔１４も局所的に集中加熱され、これが窓箔１４
の寿命を短くすると共に、窓箔１４が破れる一因にもな
っていた。また、窓箔１４を通して取り出す電子１２の
電流密度の平均値を上げようとすると、上述した局所的
な電流密度が上がり、窓箔１４が局所的に集中加熱され
て破れる原因になり、これが、窓箔１４を通して取り出
す電子１２の平均電流密度を上げられない制限の一つに
なっていた。

【００１５】（３）フィラメント８の加熱時に窓箔１４
が破れたときの課題フィラメント８の加熱時に、不幸にして窓箔１４が破れ
て真空容器４内に空気が入って真空容器４内が大気圧に
戻った場合、窓箔１４の交換は仕方ないとしても、それ
だけでは済まない。真空容器４内に空気が入ると、高温
に加熱されているフィラメント８が全て焼け切れてしま
う。しかも、それに伴って発生する不純物が、フィラメ
ント８の周りのみならず、真空容器４内の殆どの箇所に
付着する。従って、フィラメント８を全て交換すると共
に、真空容器４内全体を清掃しなければならず、大変な
手間がかかる。しかも、窓箔１４と違って、フィラメン
ト８は真空容器４内の奥まった所にあるので、交換およ
び清掃作業は容易ではない。

【００１６】そこでこの発明は、上述したフィラメント
の発熱に起因する課題、各フィラメントから放出される
電子が集中することに起因する課題およびフィラメント
加熱時に窓箔が破れたときの課題を解決することのでき
る電子線照射装置を提供することを主たる目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明の電子線照射装
置は、真空容器と、この真空容器内に配列されていて、
多数のナノチューブおよびそれに対向するグリッドを有
していて電界放出によって電子を放出する複数個の電子
放出チップと、この各電子放出チップに電子を放出させ
る電圧を印加するグリッド電源と、前記各電子放出チッ
プから放出された電子を加速する加速電源と、前記真空
容器の内外の雰囲気を分離すると共に、前記各電子放出
チップから放出されかつ加速された電子を透過させる窓
箔とを備えることを特徴としている。

【００１８】この電子線照射装置によれば、複数の電子
放出チップから電子を放出させ、それを加速して窓箔を
通して取り出すことができる。

【００１９】各電子放出チップは、多数のナノチューブ
を有していて電界放出によって電子を放出するものであ
り、電子線照射装置の電子源として、フィラメントを用
いずに、この電子放出チップを用いることによって、フ
ィラメントに起因する上記課題を一挙に解決することが
できる。

【００２０】即ち、各電子放出チップは、強電界によっ
てナノチューブの表面から電子がトンネル効果によって
真空中に放出される現象、即ち電界放出（field emissi
on)によって電子を放出するものであり、原理的に発熱
は起こらない。即ち常温の電子源である。

【００２１】従って、フィラメントの場合と違って、温
度上昇によるアウトガス発生を惹き起こさないので、加
速電圧を安定して印加することが可能になり、ひいては
電子の加速および取り出しが安定になる。コンディショ
ニング工程も不要になるか、極めて短くすることができ
る。

【００２２】各電子放出チップからは、従来の線状のフ
ィラメントの場合と違って、電子を面状に均一な分布で
放出させることができる。このような電子放出チップを
複数個配列することにより、電子発生の分散および均一
化を図ることができるので、電子の局所的な集中を防い
で、窓箔の長寿命化および破損防止を図ることができ
る。また、取り出した電子の平均電流密度を上げること
も容易になる。

【００２３】仮に窓箔が破れて真空容器内に空気が入っ
て大気圧になっても、電子放出チップは常に常温状態に
あるので、従来の高温に加熱したフィラメントの場合と
違って、ナノチューブに物性的および機械的な変化は起
こらない。起こったとしても、無視できる程度である。
即ち、電子放出チップは、物性的および機械的な変化を
起こさず、元のままである。従って、窓箔の交換のみで
簡単にかつ速やかに装置を復帰させることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る電子線照
射装置の一例を示す概略断面図である。図５に示した従
来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以
下においては当該従来例との相違点を主に説明する。

【００２５】この電子線照射装置は、前述したようなＹ
方向に長い筒状（例えば円筒状）の真空容器４内に、複
数個の電子放出チップ２０をＹ方向に並べた構造をして
いる。この各電子放出チップ２０は、通常はこの例のよ
うに、電界緩和用のＹ方向に長い筒状（例えば円筒状）
のシールド電極６内に設けられる。

【００２６】各電子放出チップ２０は、図２に示すよう
に、金属等の導体製の支持体２６上に面状に配置された
多数のナノチューブ２４と、このナノチューブ２４に対
向するグリッド２８とを有していて、電界放出によって
電子２２を放出するものである。各ナノチューブ２４
は、微視的に言えば、その先端がグリッド２８側に向く
ように支持体２６上に形成されている。支持体２６とグ
リッド２８との間は、セラミックス等の絶縁物３０によ
って電気的に絶縁されている。グリッド２８は、多孔
状、網状または格子状等の電極である。

【００２７】各ナノチューブ２４は、極細線であり、例
えば、その各々の直径は１〜５０ｎｍ程度であり、長さ
は１０μｍ程度以上である。各ナノチューブ２４は、例
えば炭素から成り、その場合はカーボンナノチューブと
呼ばれる。各ナノチューブ２４の材質は、炭素、グラフ
ァイト、ダイヤモンド状炭素等の炭素系のものが、化学
的安定性、機械的強靱性等に優れている観点から好まし
いけれども、それ以外のものでも良い。なお、カーボン
ナノチューブからの電界放出とディスプレイデバイスへ
の応用については、例えば、応用物理第６９巻第３号
（２０００）３１４−３１７頁にも報告されている。

【００２８】各電子放出チップ２０には、より具体的に
はそのナノチューブ２４（この例ではそれを支える支持
体２６）とグリッド２８との間には、前者を負極側にし
て、直流のグリッド電源３２から、電子２２を電界放出
させるためのグリッド電圧Ｖ _Gが印加される。このグリ
ッド電圧Ｖ_Gの大きさは、例えば、１５０Ｖ〜１５００
Ｖ程度であり、これを高くするほど放出する電子２２の
量は増える。即ち、このグリッド電圧Ｖ_Gによって、各
電子放出チップ２０から放出する電子２２の量を制御す
ることができる。

【００２９】各電子放出チップ２０と真空容器４および
窓箔１４との間には、より具体的には各電子放出チップ
２０のナノチューブ２４（この例ではそれを支える支持
体２６）と窓箔１４等との間には、前者を負極側にし
て、直流の加速電源３４から、各電子放出チップ２０か
ら放出された電子２２を加速するための加速電圧Ｖ_Aが
印加される。この加速電圧Ｖ_Aの大きさは、電子２２の
必要とするエネルギーに応じて選ばれる。例えば、数十
ｋＶ〜数百ｋＶ程度である。

【００３０】各電子放出チップ２０から放出されかつ加
速された電子２２は、真空容器４の内外の雰囲気を分離
する前述したような窓箔１４を透過させて真空容器４外
に取り出され、被照射物１６に照射される。これによっ
て、被照射物１６に、架橋、改質、硬化、殺菌等の処理
を施すことができる。被照射物１６は、例えば、前述し
たように、Ｘ方向に沿って（図１では紙面の表方向また
は裏方向に）搬送される。

【００３１】各電子放出チップ２０の（より具体的には
その電子放出面の）平面の大きさ、平面形状、各電子放
出チップ２０から放出する電子２２の電流値、電子放出
チップ２０の個数、複数の電子放出チップ２０の配列の
仕方等は、取り出したい電子２２の電流密度、全体の電
流値、電子２２の必要とする照射野の形状等に応じて決
めれば良い。

【００３２】例えば、１個の電子放出チップ２０の電子
放出面を一辺が１４ｍｍの正方形（面積２ｃｍ²）と
し、１個の電子放出チップ２０から放出する電子２２の
電流値を２０ｍＡとする。この電子放出チップ２０の電
流密度は１０ｍＡ／ｃｍ²であり、上記文献からも分か
るように、十分に実現可能な値である。

【００３３】そして例えば、１０００ｍＡの電子２２を
取り出したいときは、上記のような電子放出チップ２０
を５０個、Ｙ方向に１列に並べれば良い。このとき、照
射幅を２ｍとする場合は、４０ｍｍピッチで並べれば良
い。各電子放出チップ２０間に間をあけたくなければ、
電子放出チップ２０の平面形状を、正方形とせずにＹ方
向に長い長方形にしても良い。

【００３４】電子放出チップ２０は単位チップ化してい
るので、あたかも床にタイル（チップ）を貼るように、
電子線源全体の形状を自由に決めることができる。即
ち、電子放出チップ２０の並べ方次第で、電子２２の照
射野を自由に決めることができる。例えば、照射幅を大
きくしたい場合は、複数個の電子放出チップ２０をＹ方
向に１列に必要な幅に並べれば良い。被照射物１６のＸ
方向の搬送速度を上げてその処理速度（スループット）
を上げる等のために、電子２２のＸ方向の幅を大きくし
たい場合は、電子放出チップ２０をＹ方向だけでなくＸ
方向にも複数列並べれば良い。

【００３５】この電子線照射装置は、次のような特長を
有している。

【００３６】（１）各電子放出チップ２０は、電界放出
によって電子２２を放出するものであり、原理的に発熱
はなく、常温の電子源である。従って、従来のフィラメ
ント８の場合と違って、電子放出チップ２０およびそれ
に面する場所（例えばシールド電極６等）の温度上昇が
なく、アウトガス発生を惹き起こさない。その結果、上
記加速電圧Ｖ_Aが印加される箇所間でのアウトガス発生
に伴う空間放電あるいは沿面放電がなくなるので、加速
電圧Ｖ_Aを安定して印加することが可能になり、ひいて
は電子２２の加速および取り出しが安定になる。あるい
は逆に、余裕のできた分だけ電界強度を上げることがで
き、真空容器４を小さく作ることができる。また、正規
に電子２２を取り出す前の前述したコンディショニング
工程も不要になるか、行うとしても極めて短くすること
ができる。

【００３７】（２）各電子放出チップ２０からは、従来
の線状のフィラメント８の場合と違って、電子２２を面
状に均一な分布で放出させることができる。このような
電子放出チップ２０を複数個配列することにより、電子
発生の分散および均一化を図ることができるので、電子
２２の局所的な集中を防いで、窓箔１４の局所的な温度
上昇を防ぐことができ、それによって窓箔１４の長寿命
化および破損防止を図ることができる。また、取り出し
た電子２２の平均電流密度を上げることも容易になる。

【００３８】（３）仮に何らかの原因で窓箔１４が破れ
て真空容器４内に空気が入って大気圧になっても、各電
子放出チップ２０は常に常温状態にあるので、従来の高
温に加熱したフィラメント８の場合と違って、ナノチュ
ーブ２４に物性的および機械的な変化は起こらない。起
こったとしても、無視できる程度である。即ち、電子放
出チップ２０は、物性的および機械的な変化を起こさ
ず、元のままである。従って、窓箔１４の交換のみで簡
単にかつ速やかに装置を復帰させることができる。従来
のフィラメント８が焼損し、かつ真空容器４内を汚す現
象とは大きな違いである。

【００３９】（４）各電子放出チップ２０からの電子２
２の発生のオン、オフを、グリッド電源３２からグリッ
ド２８に印加するグリッド電圧Ｖ_Gによって極めて高速
で（例えばμ秒オーダーで）制御することができるの
で、外部に取り出す電子２２のオン、オフを極めて高速
で行うことができる。従来のフィラメント８を用いた装
置では、フィラメント８の加熱をオン、オフしても熱慣
性によって電子１２の発生を高速でオン、オフすること
は不可能であり、しかもフィラメント８の寿命も短くな
る。引出し電極１０に印加する引出し電圧を制御して
も、フィラメント８から電子１２が発生し続けているの
で、電子１２を完全にかつ高速でオン、オフするのは難
しい。

【００４０】（５）従来のフィラメント８を並設した装
置では、２本の線状のフィラメント８間で電子１２の量
が大きく低下するので、照射幅方向（Ｙ方向）における
電子量分布（即ち電流密度分布）の均一性を高めるのが
難しかった。従来は例えば、照射幅が１ｍの場合、この
均一性は±７．５％程度が限度であった。これに対して
この電子線照射装置では、前述したように、従来の線状
のフィラメント８の場合と違って、各電子放出チップ２
０から電子２２を面状にしかも均一な分布で放出させる
ことができるので、照射幅方向における電子量分布の均
一性が良くなる。従来の±７．５％よりも均一性を良く
することも可能になる。勿論、Ｘ方向の電子量分布の均
一性も良くなる。

【００４１】（６）各電子放出チップ２０ごとに、放出
させる電子２２の電流値を制御することも容易であるの
で、これによって電子量分布の均一性をより良くするこ
とも可能である。その具体例を以下に説明する。

【００４２】図３は、各電子放出チップ２０から放出す
る電子２２の量を一定に制御する制御回路を各電子放出
チップ２０ごとに設けている例である。そのようにする
と、個々の電子放出チップ２０ごとに制御することがで
き、きめ細かな制御が可能になるので、電子量分布の均
一性をより一層高めることができる。

【００４３】この図３の例では、各電子放出チップ２０
ごとに、より具体的には加速電源３４と各電子放出チッ
プ２０のナノチューブ２４とを接続する回路に、そこを
流れるカソード電流Ｉ_Kを一定に制御する定電流制御回
路３６を挿入している。

【００４４】各電子放出チップ２０において、それから
放出する電子２２の電流（電子電流）Ｉ_Eと、ナノチュ
ーブ２４に流れる上記カソード電流Ｉ_Kと、グリッド電
源３２からグリッド２８に流れるグリッド電流Ｉ_Gとの
間には、次の関係が成立する。

【００４５】

【数１】Ｉ_K＝Ｉ_E＋Ｉ_G

【００４６】電子電流Ｉ_Eとグリッド電流Ｉ_Gとの比
（例えばＩ_E／Ｉ_G）は、電子放出チップ２０の構造に
よって一義的に決まる定数と考えても差し支えないの
で、グリッド電圧Ｖ_Gが一定の場合、カソード電流Ｉ_K
を一定に制御することによって、電子電流Ｉ_Eを一定に
制御することができる。

【００４７】各定電流制御回路３６は、能動素子やフィ
ードバック回路を有する自動制御回路でも良いし、単な
る抵抗器でも良い。各定電流制御回路３６を自動制御回
路とする場合は、外部からの制御信号に基づいてカソー
ド電流Ｉ_Kひいては電子電流Ｉ_Eを制御するようにして
も良い。外部からのフィードバック信号に基づいてリア
ルタイムで制御するようにしても良い。各定電流制御回
路３６を抵抗器とした場合、その抵抗値をＲとすると、
そこでの電圧降下Ｖ_Dは次式で表される。

【００４８】

【数２】Ｖ_D＝Ｒ・Ｉ_K

【００４９】電子電流Ｉ_Eが増えると上記のようにそれ
に応じてカソード電流Ｉ_Kも増え、電圧降下Ｖ_Dが大き
くなり、電子電流Ｉ_Eは減少する。逆もしかりである。
これによって、定電流制御回路３６が単なる抵抗器であ
っても、各電子放出チップ２０から放出する電子２２の
量（即ち電子電流Ｉ_E）を一定に制御することができ
る。

【００５０】なお、厳密に見れば、電子２２の加速エネ
ルギーは、上記電圧降下Ｖ_Dの変動分だけ変動するけれ
ども、通常は加速電圧Ｖ_Aは例えば１００ｋＶ前後もあ
り、電圧降下Ｖ_Dはせいぜい１ｋＶ程度でありその変動
分は更に小さいので、電子２２の加速エネルギーの変動
は実用上は無視することができる。

【００５１】図４は、前記複数個の電子放出チップ２０
を複数のグループに分け、この各グループから放出する
電子２２の量を一定に制御する制御回路を設けている例
である。そのようにすると、制御回路の数を減らすこと
ができるので、構成の簡素化および低コスト化を図るこ
とができる。

【００５２】この図４の例では、各グループのナノチュ
ーブ２４を互いに電気的に並列接続してその接続部と加
速電源３４とを接続する回路に、前述したような定電流
制御回路３６を挿入している。この定電流制御回路３６
による動作は、グループごとに制御する以外は、図３の
例の場合と同様であるので、ここではその説明を省略す
る。

【００５３】（７）従来の複数本のフィラメント８を用
いた装置では、それの加熱用の大きな電力（例えば数ｋ
Ｗ程度）を大地電位部から、前述した加速電圧を絶縁す
る絶縁変圧器を経由して供給しなければならず、またフ
ィラメント８用に低電圧化するフィラメント変圧器が高
電圧部に必要であり、構成が複雑かつ大がかりになる。
各フィラメント８からの熱に対処する部品も必要であ
る。これに対してこの電子線照射装置では、各電子放出
チップはフィラメントとは全く異なるので、フィラメン
トに関する上記のような絶縁変圧器、フィラメント変圧
器は不要である。熱対策部品も不要である。従って、機
器構成の簡素化および装置の小型化を図ることができ
る。

【００５４】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００５５】請求項１記載の発明によれば、電子源とし
て、フィラメントではなく、多数のナノチューブを有し
ていて電界放出によって電子を放出する電子放出チップ
を備えているので、フィラメントに起因する従来技術の
課題を一挙に解決することができる。即ち、次の効果を
奏する。

【００５６】（１）各電子放出チップは、電界放出によ
って電子を放出するものであり、原理的に発熱はなく、
常温の電子源である。従って、フィラメントの場合と違
って、温度上昇によるアウトガス発生を惹き起こさない
ので、加速電圧を安定して印加することが可能になり、
ひいては電子の加速および取り出しが安定になる。コン
ディショニング工程も不要になるか、極めて短くするこ
とができる。

【００５７】（２）各電子放出チップからは、従来の線
状のフィラメントの場合と違って、電子を面状に均一な
分布で放出させることができる。このような電子放出チ
ップを複数個配列することにより、電子発生の分散およ
び均一化を図ることができるので、電子の局所的な集中
を防いで、窓箔の長寿命化および破損防止を図ることが
できる。また、取り出した電子の平均電流密度を上げる
ことも容易になる。

【００５８】（３）仮に窓箔が破れて真空容器内に空気
が入って大気圧になっても、電子放出チップは常に常温
状態にあるので、従来の高温に加熱したフィラメントの
場合と違って、ナノチューブは、ひいては電子放出チッ
プは、物性的および機械的な変化を起こさない。従っ
て、窓箔の交換のみで簡単にかつ速やかに装置を復帰さ
せることができる。

【００５９】（４）各電子放出チップからの電子の発生
のオン、オフを、グリッド電源からグリッドに印加する
電圧によって極めて高速で制御することができるので、
外部に取り出す電子のオン、オフを極めて高速で行うこ
とができる。

【００６０】（５）従来の線状のフィラメントの場合と
違って、各電子放出チップから電子を面状にしかも均一
な分布で放出させることができるので、取り出す電子量
分布の均一性を良くすることができる。

【００６１】（６）各電子放出チップはフィラメントと
は全く異なるので、フィラメントに関する従来のような
絶縁変圧器、フィラメント変圧器は不要であり、熱対策
部品も不要である。従って、機器構成の簡素化および装
置の小型化を図ることができる。

【００６２】請求項２記載の発明によれば、取り出す電
子量分布の均一性をより良くすることができる、という
更なる効果を奏する。しかも、個々の電子放出チップご
とに制御することができ、きめ細かな制御が可能になる
ので、電子量分布の均一性をより一層高めることができ
る。

【００６３】請求項３記載の発明によれば、取り出す電
子量分布の均一性をより良くすることができる、という
更なる効果を奏する。しかも、グループ化することによ
って制御回路の数を減らすことができるので、構成の簡
素化および低コスト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る電子線照射装置の一例を示す概
略断面図である。

【図２】図１中の電子放出チップの１個を拡大して電源
と共に示す図である。

【図３】制御回路を各電子放出チップごとに設けた例を
示す回路図である。

【図４】制御回路を電子放出チップのグループごとに設
けた例を示す回路図である。

【図５】従来の電子線照射装置の一例を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

４真空容器１４窓箔１６被照射物２０電子放出チップ２２電子２４ナノチューブ２８グリッド３２グリッド電源３４加速電源３６定電流制御回路

フロントページの続き (72)発明者錦見敏朗京都府京都市右京区梅津高畝町47番地日新ハイボルテージ株式会社内Ｆターム(参考） 4C058 BB06 KK01 KK21 KK32 4G075 AA30 BA05 BB10 CA24 CA65 DA02 EA02 EB21 EC21 ED13 FA20 FB02 FB03 FB04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器と、この真空容器内に配列され
ていて、多数のナノチューブおよびそれに対向するグリ
ッドを有していて電界放出によって電子を放出する複数
個の電子放出チップと、この各電子放出チップに電子を
放出させる電圧を印加するグリッド電源と、前記各電子
放出チップから放出された電子を加速する加速電源と、
前記真空容器の内外の雰囲気を分離すると共に、前記各
電子放出チップから放出されかつ加速された電子を透過
させる窓箔とを備えることを特徴とする電子線照射装
置。
【請求項２】前記各電子放出チップから放出する電子
の量を一定に制御する制御回路を各電子放出チップごと
に設けている請求項１記載の電子線照射装置。
【請求項３】前記複数個の電子放出チップを複数のグ
ループに分け、この各グループから放出する電子の量を
一定に制御する制御回路を各グループごとに設けている
請求項１記載の電子線照射装置。