JP2002222792A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

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JP2002222792A
JP2002222792A JP2001017383A JP2001017383A JP2002222792A JP 2002222792 A JP2002222792 A JP 2002222792A JP 2001017383 A JP2001017383 A JP 2001017383A JP 2001017383 A JP2001017383 A JP 2001017383A JP 2002222792 A JP2002222792 A JP 2002222792A
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JP
Japan
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substrate
wafer
seal
sliding
sliding contact
Prior art date
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Abandoned
Application number
JP2001017383A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Koyama
芳弘 小山
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent dust and heat from being generated from the sliding section between a rotary member such as V seal mounted to a rotary shaft and a member where the rotary member slides. SOLUTION: An annular plate member 80 for sliding is mounted onto the lower surface of a mounting block 50. Also, the V seal 81 made of rubber is mounted to the upper end of an outer cylinder 211 so that the V seal 81 slides on the member 80 for sliding, and the upper section of the inner space of a holder section 24 for accommodating a bearing 23 and an arm 40 is sealed by the member 80 for sliding and the V seal 81. The member 80 for sliding is formed by an SiC(silicon carbide) material being impregnated with oil.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板などの各
種基板に対して、処理液を用いた処理を施すための基板
処理装置に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing using a processing liquid on various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, and a substrate for a magnetic / optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程で
は、基板に処理液(薬液または純水)を供給して基板の
表面処理を行うための基板処理装置が用いられる。基板
を1枚ずつ処理する枚葉型の基板洗浄装置は、たとえ
ば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック
と、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供
給する処理液供給ノズルとを備えている。そして、スピ
ンチャックに保持された基板が水平面内で回転され、そ
の一方で、処理液供給ノズルから基板に処理液が供給さ
れることにより、基板に処理液による洗浄処理が施され
る。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid (chemical solution or pure water) to a substrate to perform a surface treatment of the substrate is used. A single wafer type substrate cleaning apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates the substrate, a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to the substrate held by the spin chuck, and It has. Then, the substrate held by the spin chuck is rotated in a horizontal plane, and on the other hand, the processing liquid is supplied to the substrate from the processing liquid supply nozzle, whereby the substrate is subjected to a cleaning process using the processing liquid.

【0003】基板の上面に供給された処理液が基板の上
面で跳ね返って外部に飛散するのを防止するために、ス
ピンチャックに保持された基板の上面に近接した位置
に、その基板の上面に対向して遮断板が配置される場合
がある。この遮断板は、鉛直軸まわりに回転可能な回転
軸の下端に取り付けられており、基板に対する洗浄処理
を行っている間、スピンチャックによって回転される基
板とほぼ同じ速さで同じ方向に回転させられる。
In order to prevent the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate from splashing on the upper surface of the substrate and scattering to the outside, the processing liquid is placed at a position close to the upper surface of the substrate held by the spin chuck. There may be a case where a blocking plate is arranged to face. This blocking plate is attached to the lower end of a rotating shaft rotatable around a vertical axis, and rotates in the same direction at substantially the same speed as the substrate rotated by the spin chuck during the cleaning process on the substrate. Can be

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】遮断板の回転軸は、ス
ピンチャックの上方に設けられた昇降アームの先端に挿
通され、その昇降アームの内部に設けられた軸受に回転
自在に保持されている。そのため、遮断板の回転時に軸
受からパーティクルが発生し、このパーティクルが基板
上に落下して、基板を汚染するおそれがあった。この軸
受から発生するパーティクルによる問題を解決するた
め、たとえば、昇降アームに形成された回転軸挿通孔の
周囲にSiC(炭化珪素)からなるリング状の被摺接部
材を設けるとともに、遮断板の回転軸にゴム製のVシー
ルを被摺接部材に摺接するように取り付けることによ
り、昇降アームと回転軸との隙間をシールすることが考
えられる。
The rotating shaft of the blocking plate is inserted into the tip of a lifting arm provided above the spin chuck, and is rotatably held by a bearing provided inside the lifting arm. . Therefore, particles may be generated from the bearings when the blocking plate rotates, and the particles may fall on the substrate and contaminate the substrate. In order to solve the problem caused by particles generated from the bearing, for example, a ring-shaped sliding contact member made of SiC (silicon carbide) is provided around a rotary shaft insertion hole formed in a lifting arm, and a rotation of a blocking plate is provided. By attaching a rubber V-seal to the shaft so as to slide on the member to be slid, it is conceivable to seal the gap between the lifting arm and the rotating shaft.

【0005】しかし、このような構成では、軸受から発
生するパーティクルが基板上に落下することは防止でき
ても、被摺接部材とVシールとの摩擦抵抗が大きいため
に、Vシールの摩耗によるパーティクルが発生し、この
パーティクルが基板を汚染するという新たな問題が生じ
る。また、Vシールと被摺接部材との摺接部分で発熱
し、この発熱が基板の処理に悪影響を及ぼすおそれもあ
る。そこで、この発明の目的は、回転軸に取り付けられ
たVシールなどの回転部材とこの回転部材が摺接する被
摺接部材との摺接部分からの発塵および発熱を防止する
ことにより、基板に良好な処理を施すことができる基板
処理装置を提供することである。
However, in such a configuration, even though particles generated from the bearing can be prevented from falling onto the substrate, the frictional resistance between the member to be slid and the V-seal is large, so that the V-seal is worn. A new problem arises in that particles are generated and the particles contaminate the substrate. Further, heat is generated at a sliding contact portion between the V seal and the sliding member, and this heat may adversely affect the processing of the substrate. Therefore, an object of the present invention is to prevent dust and heat generation from a sliding contact portion between a rotating member such as a V-seal attached to a rotating shaft and a member to be slid on which the rotating member comes into sliding contact. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing good processing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板
(W)に処理を施すための基板処理空間内で回転する回
転部材(81,26)と、この回転部材が摺接する被摺
接部材(80,25)とを備え、上記回転部材の上記被
摺接部材に摺接する部分および上記被摺接部材の上記回
転部材が摺接する部分のうちの少なくともいずれか一方
が、油が含浸された炭化珪素材料で形成されていること
を特徴とする基板処理装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a rotating member (81) rotating in a substrate processing space for processing a substrate (W). , 26) and a slidable contact member (80, 25) with which the rotating member slidably contacts, and a portion of the rotating member that slidably contacts the slidable contact member and the rotating member of the slidable contact member that slidably contact with each other. At least one of the parts is formed of a silicon carbide material impregnated with oil.

【0007】ただし、括弧内の英数字は、後述の実施形
態における対応構成要素等を表す。以下、この項におい
て同じである。この発明によれば、回転部材の被摺接部
材に摺接する部分および被摺接部材の回転部材が摺接す
る部分の少なくとも一方が油が含浸された炭化珪素材料
で形成されていることにより、回転部材と被摺接部材と
の摺接部分に油が自動的に供給されるので、回転部材と
被摺接部材との間の摩擦抵抗が小さく、回転部材および
被摺接部材の摩耗によるパーティクルの発生を抑えるこ
とができる。また、回転部材と被摺接部材との摺接部分
における発熱を抑えることができ、処理中における基板
の温度変化を防止することができる。
[0007] However, the alphanumeric characters in parentheses indicate the corresponding components in the embodiment described later. Hereinafter, the same applies in this section. According to the present invention, at least one of a portion of the rotating member that is in sliding contact with the sliding member and a portion of the rotating member that is in sliding contact with the rotating member are formed of the silicon carbide material impregnated with oil, thereby enabling rotation. The oil is automatically supplied to the sliding contact portion between the member and the sliding contact member, so that the frictional resistance between the rotating member and the sliding contact member is small, and particles of the rotating member and the sliding contact member are worn. Occurrence can be suppressed. Further, heat generation at a sliding contact portion between the rotating member and the sliding contact member can be suppressed, and a change in the temperature of the substrate during processing can be prevented.

【0008】ゆえに、基板に対して良好な処理を施すこ
とができ、パーティクルによる汚染のない高品質な基板
を得ることができる。また、回転部材および被摺接部材
の寿命が長く、基板処理装置のメンテナンスにかかる費
用を抑えることができる。なお、請求項2に記載のよう
に、上記回転部材の上記被摺接部材に摺接する部分およ
び上記被摺接部材の上記回転部材が摺接する部分のうち
の一方が油が含浸された炭化珪素材料で形成され、他方
がゴム材料で形成されていてもよい。
Therefore, it is possible to perform a good treatment on the substrate and to obtain a high-quality substrate free from particles. In addition, the life of the rotating member and the member to be slid is long, and the cost for maintenance of the substrate processing apparatus can be suppressed. According to a second aspect of the present invention, one of a portion of the rotating member slidingly contacting the sliding member and a portion of the sliding member slidingly contacting the rotating member is oil-impregnated silicon carbide. It may be formed of a material, and the other may be formed of a rubber material.

【0009】請求項3記載の発明は、上記回転部材と上
記被摺接部材との摺接部の周囲の雰囲気を吸引する吸引
手段(72,73,74,75)をさらに含むことを特
徴とする請求項1または2記載の基板処理装置である。
この発明によれば、たとえ回転部材と被摺接部材との摺
接部分でパーティクルが発生したとしても、そのパーテ
ィクルは、吸引手段によって吸引されて除去される。ゆ
えに、回転部材と被摺接部材との摺接部分で発生したパ
ーティクルによる基板の汚染を確実に防止することがで
きる。
According to a third aspect of the present invention, the apparatus further comprises suction means (72, 73, 74, 75) for sucking an atmosphere around a sliding contact portion between the rotating member and the member to be slid. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
According to the present invention, even if particles are generated at the sliding contact portion between the rotating member and the sliding contact member, the particles are sucked and removed by the suction means. Therefore, it is possible to reliably prevent the contamination of the substrate by the particles generated at the sliding contact portion between the rotating member and the sliding contact member.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体の構成を説
明するための図解的な断面図である。この基板処理装置
は、基板の一例である半導体ウエハ(以下、単に「ウエ
ハ」という。)Wをほぼ水平に保持し、この保持したウ
エハWのほぼ中心を通る鉛直軸線まわりに回転するスピ
ンチャック11を処理カップ(図示せず)の中に備えて
いる。このスピンチャック11に保持されたウエハWに
対して、処理液による処理(たとえば、エッチング液に
よる洗浄処理や純水による水洗処理)、およびウエハW
の表面の液滴を振り切ってウエハWを乾燥させる乾燥処
理が行われる。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an illustrative sectional view for explaining the overall configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus holds a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “wafer”) W, which is an example of a substrate, substantially horizontally, and rotates around a vertical axis passing substantially the center of the held wafer W. In a processing cup (not shown). The wafer W held by the spin chuck 11 is treated with a processing solution (for example, a cleaning process with an etching solution or a water washing process with pure water), and the wafer W
A drying process is performed in which the droplets on the surface are shaken off to dry the wafer W.

【0011】スピンチャック11は、モータ12の駆動
軸に結合されて回転されるようになっている。モータ1
2の駆動軸は、中空軸とされていて、その内部には、処
理液を供給することができる裏面リンスノズル13が挿
通されている。この裏面リンスノズル13は、スピンチ
ャック11に保持されたウエハWの裏面(下面)中央に
近接した位置に吐出口を有しており、この吐出口からウ
エハWの裏面中央に向けて処理液を供給する中心軸ノズ
ルの形態を有している。裏面リンスノズル13には、図
外の処理液供給源から処理液供給バルブ14を介して処
理液が供給されるようになっている。
The spin chuck 11 is connected to a drive shaft of a motor 12 and is rotated. Motor 1
The second drive shaft is a hollow shaft, into which a back rinse nozzle 13 capable of supplying a processing liquid is inserted. The back surface rinsing nozzle 13 has a discharge port at a position close to the center of the back surface (lower surface) of the wafer W held by the spin chuck 11, and discharges the processing liquid from the discharge port toward the center of the back surface of the wafer W. It has the form of a central shaft nozzle to supply. The processing liquid is supplied to the backside rinse nozzle 13 from a processing liquid supply source (not shown) via a processing liquid supply valve 14.

【0012】スピンチャック11の上方には、スピンチ
ャック11に保持されたウエハWの中央に処理液および
窒素ガスを導くための開口を下面中央付近に有する円板
状の遮断板20が水平に設けられている。この遮断板2
0は、昇降駆動機構30に結合されたアーム40の先端
付近に、鉛直軸まわりの回転が可能であるように取り付
けられている。昇降駆動機構30は、支持筒31と、こ
の支持筒31に昇降自在に保持された中空の昇降軸32
と、この昇降軸32を昇降させるためのボールねじ機構
33とを備えている。昇降軸32の下端は、ブラケット
34に固定されており、このブラケット34は、ボール
ねじ機構33のナット部33aに固定されている。ボー
ルねじ機構33のねじ軸33bは、モータ33cによっ
て回転駆動されるようになっている。したがって、モー
タ33cを正転/逆転させることにより、昇降軸32が
昇降し、この昇降軸32の先端部に取り付けられたアー
ム40が昇降する。35は、処理液の侵入を防ぐための
ベローズである。
Above the spin chuck 11, a disk-shaped blocking plate 20 having an opening near the center of the lower surface near the center of the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 11 is provided horizontally. Have been. This blocking plate 2
Numeral 0 is attached near the tip of the arm 40 coupled to the lifting drive mechanism 30 so as to be rotatable around a vertical axis. The lifting drive mechanism 30 includes a support cylinder 31 and a hollow lifting shaft 32 held by the support cylinder 31 so as to be able to move up and down.
And a ball screw mechanism 33 for moving the elevating shaft 32 up and down. The lower end of the lifting shaft 32 is fixed to a bracket 34, which is fixed to a nut 33 a of a ball screw mechanism 33. The screw shaft 33b of the ball screw mechanism 33 is driven to rotate by a motor 33c. Therefore, by vertically / reversely rotating the motor 33c, the elevating shaft 32 moves up and down, and the arm 40 attached to the tip of the elevating shaft 32 moves up and down. Reference numeral 35 denotes a bellows for preventing the treatment liquid from entering.

【0013】昇降軸32には、回転軸41が挿通されて
いる。この回転軸41は、昇降軸32の上端および下端
にそれぞれ配置された軸受42,43によって回転自在
に保持されている。回転軸41の下端は、カップリング
44を介して、ブラケット34に取り付けられたモータ
45の回転軸に結合されている。また、回転軸41の上
端には、プーリ46が固定されていて、このプーリ46
には、アーム40の内部空間に配置されたタイミングベ
ルト47が巻き掛けられている。このタイミングベルト
47は、遮断板20の回転軸21に固定されたプーリ2
2にも巻き掛けられている。したがって、モータ45を
回転駆動すれば、この回転は、回転軸41およびタイミ
ングベルト47などを介して遮断板20に伝達され、こ
の遮断板20が鉛直軸まわりに回転することになる。こ
のようにして、遮断板20のための回転駆動機構が構成
されている。
A rotating shaft 41 is inserted through the elevating shaft 32. The rotating shaft 41 is rotatably held by bearings 42 and 43 disposed at the upper and lower ends of the elevating shaft 32, respectively. The lower end of the rotating shaft 41 is connected via a coupling 44 to a rotating shaft of a motor 45 attached to the bracket 34. A pulley 46 is fixed to the upper end of the rotating shaft 41.
Is wound around a timing belt 47 disposed in the internal space of the arm 40. The timing belt 47 includes a pulley 2 fixed to the rotation shaft 21 of the blocking plate 20.
It is also wrapped around 2. Therefore, if the motor 45 is driven to rotate, this rotation is transmitted to the blocking plate 20 via the rotating shaft 41 and the timing belt 47, and the blocking plate 20 rotates around the vertical axis. Thus, a rotation drive mechanism for the blocking plate 20 is configured.

【0014】スピンチャック11に対するウエハWの搬
入時には、遮断板20は、スピンチャック11の上方に
大きく退避している。ウエハWがスピンチャック11に
保持されると、スピンチャック11に保持されたウエハ
Wの回転が開始される。また、昇降駆動機構30がアー
ム40を下降させることによって、遮断板20が、スピ
ンチャック11に保持されたウエハWの上面に近づけら
れる。そして、モータ45が付勢されて、遮断板20
は、ウエハWの近傍において、スピンチャック11によ
って回転される基板とほぼ同じ速さで同じ方向に回転さ
せられる。このウエハWおよび遮断板20が回転してい
る状態で、遮断板20の中央付近および裏面リンスノズ
ル13からウエハWの上下面に処理液が供給され、ウエ
ハWの上下面に処理液による処理が施される。このと
き、ウエハWの上面に対向して遮断板20が配置されて
いることにより、ウエハWの上面に供給された処理液が
跳ね返って外部に飛散することが防止される。
When the wafer W is loaded into the spin chuck 11, the blocking plate 20 is largely retracted above the spin chuck 11. When the wafer W is held by the spin chuck 11, the rotation of the wafer W held by the spin chuck 11 is started. In addition, as the lifting drive mechanism 30 lowers the arm 40, the blocking plate 20 is brought closer to the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 11. Then, the motor 45 is biased and the shut-off plate 20 is turned on.
Is rotated in the same direction in the vicinity of the wafer W at substantially the same speed as the substrate rotated by the spin chuck 11. In a state where the wafer W and the blocking plate 20 are rotating, the processing liquid is supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W from the vicinity of the center of the blocking plate 20 and the backside rinsing nozzle 13, and the upper and lower surfaces of the wafer W are processed by the processing liquid. Will be applied. At this time, since the blocking plate 20 is disposed so as to face the upper surface of the wafer W, the processing liquid supplied to the upper surface of the wafer W is prevented from rebounding and scattering outside.

【0015】処理液による処理後には、昇降駆動機構3
0がアーム40をさらに下降させることによって、遮断
板20がウエハWの表面にさらに近づけられる。これと
ともに、ウエハWおよび遮断板20がともに高速回転さ
せられ、この状態で、遮断板20の中央付近から窒素ガ
スがウエハWと遮断板20との間の空間に供給される。
これにより、ウエハWの表面に処理液の跡などを残すこ
となく、ウエハWを良好に乾燥させることができる。
After the treatment with the treatment liquid, the lifting drive mechanism 3
As the arm 0 further lowers the arm 40, the blocking plate 20 is brought closer to the surface of the wafer W. At the same time, the wafer W and the blocking plate 20 are both rotated at a high speed, and in this state, nitrogen gas is supplied from near the center of the blocking plate 20 to the space between the wafer W and the blocking plate 20.
Thereby, the wafer W can be dried well without leaving traces of the processing liquid on the surface of the wafer W.

【0016】図2は、遮断板20の近傍の構成を示す断
面図である。遮断板20の回転軸21は、一対の軸受2
3などを介してホルダ部24に回転自在に保持された外
筒211と、この外筒211に内嵌された内筒212と
からなる。ホルダ部24は、アーム40に固定され、そ
の下面から垂下している。アーム40の上面には、内筒
212の薄肉にされた上端部を全周に渡って非接触状態
で覆うとともに、中央に貫通孔51が形成された取付ブ
ロック50が固定されている。この取付ブロック50の
上面には、貫通孔51との間に段部53が形成されてい
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration near the blocking plate 20. The rotating shaft 21 of the blocking plate 20 is provided with a pair of bearings 2.
An outer cylinder 211 is rotatably held by the holder 24 via a third member 3 and the like, and an inner cylinder 212 is fitted inside the outer cylinder 211. The holder part 24 is fixed to the arm 40 and hangs from the lower surface thereof. On the upper surface of the arm 40, a mounting block 50 which covers the thinned upper end portion of the inner cylinder 212 over the entire circumference in a non-contact state and has a through hole 51 formed in the center is fixed. A step 53 is formed on the upper surface of the mounting block 50 between the mounting block 50 and the through hole 51.

【0017】内筒212には、処理液供給ノズル60
が、内筒212とは非接触状態で挿通している。より具
体的には、処理液供給ノズル60は、内筒212を挿通
する管部材61と、管部材61の上端部に形成されたフ
ランジ部62と、このフランジ部62の下面に形成され
た段部63とを有している。そして、段部63を取付ブ
ロック50の段部53に嵌合させて内筒212に対する
位置合わせが行われた状態で、ボルト64によってフラ
ンジ部62を取付ブロック50の上面に固定することに
よって、処理液供給ノズル60の取付ブロック50への
取付けが達成されるようになっている。
The inner cylinder 212 has a processing liquid supply nozzle 60
However, it is inserted into the inner cylinder 212 in a non-contact state. More specifically, the processing liquid supply nozzle 60 includes a pipe member 61 through which the inner cylinder 212 is inserted, a flange 62 formed at the upper end of the pipe member 61, and a step formed at the lower surface of the flange 62. And a portion 63. Then, the flange portion 62 is fixed to the upper surface of the mounting block 50 by the bolts 64 in a state where the stepped portion 63 is fitted to the stepped portion 53 of the mounting block 50 and the positioning with respect to the inner cylinder 212 is performed. The attachment of the liquid supply nozzle 60 to the attachment block 50 is achieved.

【0018】処理液供給ノズル60(管部材61)の先
端は、遮断板20の中央の貫通孔201に達している。
処理液供給ノズル60には、図外の処理液供給源から、
処理液供給バルブ65を介して、所要のタイミングで処
理液が供給されるようになっている。処理液供給ノズル
60に供給された処理液は、処理液供給ノズル60の先
端から、遮断板20の貫通孔201を介して噴射され
る。取付ブロック50には、その側面から貫通孔51ま
で貫通するガス通路52が形成されている。ガス通路5
2には、管継手54により、ウエハ乾燥用窒素ガス供給
管55が接続されている。この窒素ガス供給管55に
は、図外の窒素ガス供給源から、窒素ガス供給バルブ5
6を介して、所要のタイミングで窒素ガスが供給される
ようになっている。窒素ガス供給管55に供給された窒
素ガスは、取付ブロック50のガス通路52を通って、
内筒212の内壁面と管部材61との間に形成されたガ
ス通路57に導かれ、さらにガス通路57を通って、遮
断板20の中央の貫通孔201からウエハWの上面に向
かって吹き出される。
The distal end of the processing liquid supply nozzle 60 (tube member 61) reaches a through hole 201 at the center of the blocking plate 20.
The processing liquid supply nozzle 60 is provided with a processing liquid supply source (not shown)
The processing liquid is supplied at a required timing through the processing liquid supply valve 65. The processing liquid supplied to the processing liquid supply nozzle 60 is ejected from the tip of the processing liquid supply nozzle 60 through the through hole 201 of the blocking plate 20. A gas passage 52 penetrating from the side surface to the through hole 51 is formed in the mounting block 50. Gas passage 5
2 is connected to a wafer drying nitrogen gas supply pipe 55 by a pipe joint 54. A nitrogen gas supply valve 55 is connected to the nitrogen gas supply pipe 55 from a nitrogen gas supply source (not shown).
6, nitrogen gas is supplied at a required timing. The nitrogen gas supplied to the nitrogen gas supply pipe 55 passes through the gas passage 52 of the mounting block 50,
The gas is guided to a gas passage 57 formed between the inner wall surface of the inner cylinder 212 and the pipe member 61, and further blows out from the central through hole 201 of the blocking plate 20 toward the upper surface of the wafer W through the gas passage 57. Is done.

【0019】また、取付ブロック50の下面には、貫通
孔51の開口部を取り囲むように円環板状の被摺接部材
80が取り付けられている。一方、外筒211の上端に
は、ゴム製のVシール81が被摺接部材80に摺接する
ように取り付けられている。これにより、軸受23を収
容するホルダ部24およびアーム40の内部空間(軸受
け収容空間)の上部がシールされていて、軸受23から
発生したパーティクルが、内筒212の薄肉の上端部と
取付ブロック50との間の間隙72およびガス通路57
を通って、ウエハWに処理を施すための空間(ウエハ処
理空間)に飛散されることが防止されている。また、ウ
エハ処理空間内の処理液を含む気体が軸受収容空間に入
り込むことが防止されている。
On the lower surface of the mounting block 50, an annular plate-like sliding contact member 80 is attached so as to surround the opening of the through hole 51. On the other hand, a rubber V-seal 81 is attached to the upper end of the outer cylinder 211 so as to slidably contact the slidable member 80. Thereby, the upper part of the internal space (bearing accommodating space) of the holder portion 24 and the arm 40 accommodating the bearing 23 is sealed, and particles generated from the bearing 23 are separated from the thin upper end of the inner cylinder 212 and the mounting block 50. Gap 72 and gas passage 57 between
Through the wafer W to prevent the wafer W from being scattered into a space for processing the wafer W (wafer processing space). Further, the gas containing the processing liquid in the wafer processing space is prevented from entering the bearing housing space.

【0020】被摺接部材80は、油が含浸されたSiC
(炭化珪素)材料で形成されている。これにより、被摺
接部材80とVシール81との摺接部分に油が自動的に
供給されるので、被摺接部材80とVシール81との間
の摩擦抵抗が小さく、被摺接部材80およびVシール8
1の摩耗によるパーティクルの発生を抑えることができ
る。また、被摺接部材80とVシール81との摺接部分
における発熱を抑えることができる。ゆえに、ウエハW
に対して良好な処理を施すことができ、高品質なウエハ
Wを得ることができる。
The sliding member 80 is made of SiC impregnated with oil.
(Silicon carbide) material. As a result, the oil is automatically supplied to the sliding contact portion between the sliding member 80 and the V-seal 81, so that the frictional resistance between the sliding member 80 and the V-seal 81 is small, and 80 and V seal 8
1 can suppress generation of particles due to abrasion. Further, heat generation at a sliding contact portion between the sliding contact member 80 and the V seal 81 can be suppressed. Therefore, the wafer W
And a high-quality wafer W can be obtained.

【0021】さらに、被摺接部材80とVシール81と
の間に潤滑油を供給しなくてよいから、メンテナンスに
かかる費用を抑えることができる。この実施形態ではま
た、内筒212と取付ブロック50との間の間隙72に
吸気管71が接続されており、この吸気管71を介し
て、間隙72内の気体を吸引できるようになっている。
より具体的に説明すると、取付ブロック50には、間隙
72を取り囲むように環状空間73が形成されている。
また、取付ブロック50には、側面から環状空間73ま
で貫通する吸気路74が形成されており、この吸気路7
4には、吸気管接続部材75を介して、図外の吸気源か
ら延びた吸気管71が接続されている。環状空間73は
間隙72と連通していて、これにより、間隙72内の気
体を、環状空間73、吸気路74および吸気管71を介
して吸引することができるようになっている。したがっ
て、たとえ被摺接部材80とVシール81との摺接部分
で摩耗によるパーティクルが発生しても、その発生した
パーティクルを、環状空間73、吸気路74および吸気
管71を介して間隙72内から除去することができる。
ゆえに、パーティクルによるウエハWの汚染をより良好
に防止することができる。
Further, since it is not necessary to supply the lubricating oil between the sliding member 80 and the V-seal 81, the cost for maintenance can be reduced. In this embodiment, an intake pipe 71 is connected to a gap 72 between the inner cylinder 212 and the mounting block 50, and the gas in the gap 72 can be sucked through the intake pipe 71. .
More specifically, an annular space 73 is formed in the mounting block 50 so as to surround the gap 72.
The mounting block 50 has an intake passage 74 penetrating from the side surface to the annular space 73.
4, an intake pipe 71 extending from an intake source (not shown) is connected via an intake pipe connecting member 75. The annular space 73 communicates with the gap 72, so that gas in the gap 72 can be sucked through the annular space 73, the intake passage 74, and the intake pipe 71. Therefore, even if particles due to abrasion are generated at the sliding contact portion between the sliding contact member 80 and the V seal 81, the generated particles are transferred to the gap 72 through the annular space 73, the intake passage 74 and the intake pipe 71. Can be removed from
Therefore, the contamination of the wafer W by the particles can be better prevented.

【0022】一方、ホルダ部24およびアーム40の内
部空間の下部は、ホルダ部24の内周面下端に取り付け
られたリング状部材25と、このリング状部材25に摺
接するように外筒211の下端に取り付けられたVシー
ル26とによってシールされている。なお、このリング
状部材25も、被摺接部材80と同様に、油が含浸され
たSiC(炭化珪素)材料で形成されている。これによ
り、リング状部材25とVシール26との摺接部分に油
が自動的に供給されるので、リング状部材25とVシー
ル26との摺接部分における発熱やパーティクルの発生
を抑えることができる。よってウエハWに対して良好な
処理を施すことができ、高品質なウエハWを得ることが
できる。
On the other hand, a lower portion of the inner space of the holder portion 24 and the arm 40 is provided with a ring-shaped member 25 attached to the lower end of the inner peripheral surface of the holder portion 24 and an outer cylinder 211 so as to slide on the ring-shaped member 25. It is sealed by a V-seal 26 attached to the lower end. The ring-shaped member 25 is also made of an oil-impregnated SiC (silicon carbide) material, similarly to the sliding member 80. As a result, oil is automatically supplied to the sliding contact portion between the ring-shaped member 25 and the V-seal 26, so that heat generation and generation of particles in the sliding contact portion between the ring-shaped member 25 and the V-seal 26 are suppressed. it can. Therefore, good processing can be performed on the wafer W, and a high-quality wafer W can be obtained.

【0023】ホルダ部24の下面には、複数(この実施
形態では2つ)の環状溝が形成されている。そして、ホ
ルダ部24には、側面から複数の環状溝のうちの1つの
環状溝91まで貫通する貫通路92が形成されており、
この貫通路92には、接続部材93を介して、図外の窒
素ガス供給源から延びた窒素ガス供給管94が接続され
ている。ホルダ部24にはさらに、側面から複数の環状
溝のうちの上記環状溝91よりも内側に形成されている
環状溝95まで貫通する吸気路96が形成されており、
この吸気路96には、接続部材97を介して、図外の吸
気源から延びた吸気管98が接続されている。
A plurality of (two in this embodiment) annular grooves are formed on the lower surface of the holder portion 24. A through passage 92 is formed in the holder portion 24 to penetrate from the side surface to one of the plurality of annular grooves 91.
A nitrogen gas supply pipe 94 extending from a nitrogen gas supply source (not shown) is connected to the through passage 92 via a connection member 93. The holder portion 24 is further provided with an intake passage 96 penetrating from the side surface to an annular groove 95 formed inside the annular groove 91 among the plurality of annular grooves,
An intake pipe 98 extending from an intake source (not shown) is connected to the intake path 96 via a connection member 97.

【0024】これにより、リング状部材25とVシール
26との摺接によって、たとえ、リング状部材25また
はVシール26が摩耗してパーティクルが発生しても、
その発生したパーティクルは、環状溝95、吸気路96
および吸気管98を介して吸引除去される。ゆえに、リ
ング状部材25またはVシール26から発生したパーテ
ィクルが、ウエハ処理空間に飛散してウエハWを汚染す
るおそれはない。また、窒素ガス供給管94および貫通
路92を介して環状溝91に窒素ガスが供給されること
により、Vシール26の周囲が窒素ガスで満たされるか
ら、ウエハ収容空間内の処理液を含む気体がVシール2
6に到達することを防止でき、処理液によるVシール2
6などの腐食を防止することができる。
Accordingly, even if the ring-shaped member 25 or the V-seal 26 is worn due to the sliding contact between the ring-shaped member 25 and the V-seal 26 and particles are generated,
The generated particles are transferred to the annular groove 95 and the intake path 96.
Then, it is sucked and removed through the suction pipe 98. Therefore, there is no possibility that particles generated from the ring-shaped member 25 or the V-seal 26 scatter in the wafer processing space and contaminate the wafer W. Further, when the nitrogen gas is supplied to the annular groove 91 through the nitrogen gas supply pipe 94 and the through passage 92, the periphery of the V seal 26 is filled with the nitrogen gas. Is V seal 2
6 can be prevented, and the V-seal 2
6 can be prevented.

【0025】また、環状溝91に窒素ガスを供給すると
したが、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスやアルゴンガ
スなどの他の不活性ガスを供給するようにしてもよい。
さらに、この不活性ガスの供給は、被摺接部材80の周
辺に対しても行われることが好ましい。以上、この発明
の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形
態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態
では、遮断板20の回転軸21に設けられたシール部材
81と被摺接部材80との摺接、およびVシール26と
リング状部材25との摺接による発塵および発熱を防止
するために本発明が適用された場合を例にとったが、ス
ピンチャック11の回転軸に取り付けられたシール部材
とこのシール部材が摺接する被摺接部材との摺接による
発塵および発熱を防止するために本発明が適用されても
よい。また、スクラブ洗浄用のブラシを回転させるため
の回転軸に取り付けられたシール部材とこのシール部材
が摺接する被摺接部材との摺接による発塵および発熱を
防止するために本発明が適用されてもよい。さらには、
ウエハWに処理液を供給するためのノズルを保持するノ
ズルアームの回転軸に取り付けられたシール部材とこの
シール部材が摺接する被摺接部材との摺接による発塵お
よび発熱を防止するために本発明が適用されてもよい。
もちろん、これら以外にも、ウエハWに処理を施すため
の処理空間内で回転する回転部材とこの回転部材が摺接
する被摺接部材との摺接による発塵および発熱を防止す
るために本発明を広く適用することが可能である。
Although the nitrogen gas is supplied to the annular groove 91, the gas is not limited to the nitrogen gas, but another inert gas such as a helium gas or an argon gas may be supplied.
Further, it is preferable that the supply of the inert gas is also performed to the periphery of the slidable contact member 80. As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can be implemented in another form. For example, in the above-described embodiment, the generation of dust due to the sliding contact between the sealing member 81 provided on the rotating shaft 21 of the blocking plate 20 and the sliding member 80 and the sliding contact between the V seal 26 and the ring-shaped member 25 are described. Although the case where the present invention is applied to prevent heat generation is taken as an example, dust generation due to sliding contact between a seal member attached to the rotating shaft of the spin chuck 11 and a sliding member to which the seal member slides is described. The present invention may be applied to prevent heat generation. Further, the present invention is applied to prevent dust generation and heat generation due to sliding contact between a seal member attached to a rotating shaft for rotating a scrub cleaning brush and a member to be slid in contact with the seal member. You may. Moreover,
In order to prevent dust generation and heat generation due to sliding contact between a seal member attached to a rotation shaft of a nozzle arm holding a nozzle for supplying a processing liquid to the wafer W and a member to be slid in contact with the seal member The present invention may be applied.
Of course, in addition to the above, the present invention is intended to prevent dust generation and heat generation due to sliding contact between a rotating member that rotates in a processing space for performing processing on the wafer W and a member to be slid in contact with the rotating member. Is widely applicable.

【0026】また、処理対象の基板は、ウエハWに限ら
ず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ
パネル用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板など
の他の種類の基板であってもよい。その他、特許請求の
範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すこ
とが可能である。
The substrate to be processed is not limited to the wafer W, but may be another type of substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display panel, and a substrate for a magnetic / optical disk. In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全
体の構成を説明するための図解的な断面図である。
FIG. 1 is an illustrative sectional view for explaining the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記基板処理装置に備えられた遮断板の近傍の
構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration near a blocking plate provided in the substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 回転軸 211 外筒 212 内筒 71 間隙 72 吸気管 73 環状空間 74 吸気路 75 吸気管接続部材 80 被摺接部材 81 Vシール W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Rotation shaft 211 Outer cylinder 212 Inner cylinder 71 Gap 72 Intake pipe 73 Annular space 74 Intake path 75 Intake pipe connection member 80 Sliding contact member 81 V seal W Wafer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に処理を施すための基板処理空間内で
回転する回転部材と、この回転部材が摺接する被摺接部
材とを備え、 上記回転部材の上記被摺接部材に摺接する部分および上
記被摺接部材の上記回転部材が摺接する部分のうちの少
なくともいずれか一方が、油が含浸された炭化珪素材料
で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
A rotating member that rotates in a substrate processing space for performing processing on a substrate; and a slidable contact member that slidably contacts the rotating member, and a portion of the rotating member that slidably contacts the slidable contact member. And at least one of the portions of the member to be slid in contact with the rotating member is formed of a silicon carbide material impregnated with oil.
【請求項2】上記回転部材の上記被摺接部材に摺接する
部分および上記被摺接部材の上記回転部材が摺接する部
分のうちの一方が油が含浸された炭化珪素材料で形成さ
れ、他方がゴム材料で形成されていることを特徴とする
請求項1記載の基板処理装置。
2. One of a portion of the rotating member slidingly contacting the sliding member and a portion of the sliding member slidingly contacting the rotating member are formed of an oil-impregnated silicon carbide material. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is formed of a rubber material.
【請求項3】上記回転部材と上記被摺接部材との摺接部
の周囲の雰囲気を吸引する吸引手段をさらに含むことを
特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising suction means for sucking an atmosphere around a sliding contact portion between said rotating member and said member to be slid.
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