JP2002216975A - Organic electric field light-emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を構成
要素に含む有機電界発光素子に係り、特に極薄型の有機
ＥＬ（Electroluminescence ）ディスプレイ装置に用い
て好適な有機電界発光素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device containing an organic compound as a component, and more particularly to an organic electroluminescent device suitable for use in an ultra-thin organic EL (Electroluminescence) display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、表示装置（ディスプレイ）として
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイがある。ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いために現在多用されている
が、占有容量が大きい、重い、消費電力が大きい等の問
題点が指摘されている。一方、フラットパネルディスプ
レイは、軽量であり、ブラウン管よりも発光効率に優れ
ており、コンピュータやテレビジョンの画面表示用とし
て期待されている。現在、フラットパネルディスプレイ
では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレ
イ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が商品化されて
いる。このＬＣＤは、自ら発光せずに外部よりの光（バ
ックライト）を受けて表示するタイプのディスプレイで
あり、視野角が狭い、自発光型ではないために周囲が暗
い環境下ではバックライトの消費電力が大きい、今後実
用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信号に対
して十分な応答性能を備えていない等の問題点が指摘さ
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a display device (display), a stationary cathode ray tube, that is, a CRT (Cathode
Ray Tube) devices and flat panel displays to meet the demand for portable and thinner devices. CRTs are currently used frequently because of their high luminance and good color reproducibility. However, problems such as large occupied capacity, heavy weight, and large power consumption have been pointed out. On the other hand, flat panel displays are lightweight and have higher luminous efficiency than cathode-ray tubes, and are expected to be used for screen display of computers and televisions. At present, as a flat panel display, a liquid crystal display (LCD; Liquid Crystal Display) of an active matrix drive system is commercialized. This LCD is a type of display that receives external light (backlight) without emitting light and displays the image. The LCD has a narrow viewing angle and is not a self-luminous type. Problems have been pointed out, such as high power and insufficient response performance to high-definition, high-speed video signals expected to be put to practical use in the future.
【０００３】このような種々の問題点を解決する可能性
のあるディスプレイとして、近年、電流が注入されるこ
とにより発光する有機発光材料を用いた有機ＥＬディス
プレイが注目されている。この有機ＥＬディスプレイ
は、バックライトが不要である自発光型であり、自発光
型に特有の視野角の広いディスプレイが実現できるとい
う利点を有する。また、必要な画素のみを点灯させれば
よいために更なる消費電力の低減を図ることが可能であ
ると共に、上述の高精細度の高速のビデオ信号に対して
十分な応答性能を備えていると考えられている。In recent years, an organic EL display using an organic light emitting material that emits light when a current is injected has attracted attention as a display that can solve such various problems. This organic EL display is a self-luminous type that does not require a backlight, and has an advantage that a display with a wide viewing angle unique to the self-luminous type can be realized. Further, since only the necessary pixels need to be turned on, it is possible to further reduce the power consumption and to provide sufficient response performance to the high-definition high-speed video signal described above. It is believed that.
【０００４】有機ＥＬディスプレイは以上のような利点
を有することから、従来は液晶ディスプレイが主流であ
ったフラットパネルディスプレイ用途への開発が進めら
れてきている。近年では、発光材料などの進歩により、
有機ＥＬ素子は高効率化、長寿命化が達成されつつあ
り、ディスプレイとしての実用化が目されている。[0004] Since the organic EL display has the above-mentioned advantages, development for a flat panel display, which has conventionally been dominated by a liquid crystal display, has been promoted. In recent years, due to advances in luminescent materials,
Organic EL elements are achieving higher efficiency and longer life, and are expected to be put to practical use as displays.
【０００５】有機ＥＬディスプレイを構成する素子とし
ては、透明基板上に透明導電膜よりなる短冊状の電極層
（陽極）が形成されており、この透明電極層と交差する
ように有機電界発光層および金属薄膜よりなる短冊状の
電極層（陰極）が形成され、透明電極層と金属電極層と
で有機電界発光層を挟んだ構造を有する有機電界発光素
子が知られている。この有機電界発光素子では、透明電
極層と金属電極層とがマトリクス構造を形成しており、
選択された透明電極層と金属電極層との間に電圧を印加
して有機電界発光層に電流を流すことによって、画素を
発光させる。発生した光は、透明電極層側から外部に取
り出される。[0005] As an element constituting an organic EL display, a strip-shaped electrode layer (anode) made of a transparent conductive film is formed on a transparent substrate. 2. Description of the Related Art An organic electroluminescent element having a structure in which a strip-shaped electrode layer (cathode) made of a metal thin film is formed and an organic electroluminescent layer is sandwiched between a transparent electrode layer and a metal electrode layer is known. In this organic electroluminescent device, the transparent electrode layer and the metal electrode layer form a matrix structure,
A pixel is caused to emit light by applying a voltage between the selected transparent electrode layer and the metal electrode layer to cause a current to flow through the organic electroluminescent layer. The generated light is extracted to the outside from the transparent electrode layer side.
【０００６】さらに、このマトリクス構造において、赤
色光を発生可能な有機電界発光層を有する赤色（Ｒ）発
光素子部，緑色光を発生可能な有機電界発光層を有する
緑色（Ｇ）発光素子部および青色光を発生可能な有機電
界発光層を有する青色（Ｂ）発光素子部を順に繰り返し
設けることにより、フルカラー表示またはマルチカラー
表示可能な有機電界発光素子も開発されている（例えば
特開平１１−２０４２５８号公報）。Further, in this matrix structure, a red (R) light emitting element portion having an organic electroluminescent layer capable of generating red light, a green (G) light emitting element portion having an organic electroluminescent layer capable of generating green light, and An organic electroluminescent element capable of full-color display or multi-color display has been developed by sequentially providing a blue (B) light-emitting element section having an organic electroluminescent layer capable of generating blue light (for example, JP-A-11-204258). No.).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子は電
流駆動型の素子であるので、高輝度を得るためには電流
密度を大きくしなければならない。しかし、電流密度が
大きくなるほど消費電力が大きくなり、輝度の低下速度
が著しくなるという問題があった。この原因としては、
電界発光の量子効率が小さいことの他に、（１）有機電
界発光層内で発生・放射される光を有効に外部に取り出
していないこと、すなわち光の取り出し効率が低いこ
と、および（２）消費電力が大きくなることによって、
有機電界発光層内の温度が上昇し、酸素との化学反応が
促進されるので、有機電界発光層を構成している薄膜が
分解・劣化すること、が考えられる。Since the organic electroluminescent device is a current-driven device, the current density must be increased in order to obtain high luminance. However, there is a problem in that the power consumption increases as the current density increases, and the rate of decrease in luminance becomes significant. This can be caused by
In addition to low quantum efficiency of electroluminescence, (1) light generated and emitted in the organic electroluminescent layer is not effectively extracted to the outside, that is, light extraction efficiency is low, and (2) By increasing power consumption,
Since the temperature in the organic electroluminescent layer rises and the chemical reaction with oxygen is accelerated, it is conceivable that the thin film constituting the organic electroluminescent layer is decomposed and deteriorated.
【０００８】特に、光の取り出し効率が低いことの原因
としては、金属電極層としてアルミニウム（Ａｌ）等の
金属を用いた場合、有機電界発光層で発生した光のうち
１０％程度が金属電極層によって吸収され、その分反射
率が減ってしまうことが挙げられる。図５から分かるよ
うに、従来のアルミニウムからなる厚さ１５０ｎｍの金
属電極層を用いた有機電界発光素子においては、赤色
（６２０ｎｍ）、緑色（５２０ｎｍ）および青色（４６
０ｎｍ）の各波長領域における金属電極層の反射率は約
８７〜８８％、吸収率は約１１〜１３％である。In particular, the reason why the light extraction efficiency is low is that when a metal such as aluminum (Al) is used as the metal electrode layer, about 10% of the light generated in the organic electroluminescent layer is the metal electrode layer. And the reflectance decreases accordingly. As can be seen from FIG. 5, in a conventional organic electroluminescent device using a metal electrode layer made of aluminum and having a thickness of 150 nm, red (620 nm), green (520 nm) and blue (46 nm) are used.
0 nm), the metal electrode layer has a reflectivity of about 87 to 88% and an absorptivity of about 11 to 13%.
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、光の取り出し効率が高く、低消費電
力で高輝度を得ることが可能な有機電界発光素子を提供
することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having high light extraction efficiency, low power consumption and high luminance. .
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明による有機電界発
光素子は、透明基板と、この透明基板上に形成された透
明の第１の電極層と、この第１の電極層の透明基板と反
対側の面に形成された有機電界発光層と、この有機電界
発光層の第１の電極層と反対側の面に形成されるととも
に、有機電界発光層において発生した可視光域の光を９
０％以上の反射率で透明基板側に反射させるように構成
された第２の電極層とを備えたものである。An organic electroluminescent device according to the present invention comprises a transparent substrate, a first transparent electrode layer formed on the transparent substrate, and a transparent substrate opposite to the first electrode layer. An organic electroluminescent layer formed on the side of the organic electroluminescent layer and a surface of the organic electroluminescent layer opposite to the first electrode layer.
A second electrode layer configured to reflect toward the transparent substrate with a reflectance of 0% or more.
【００１１】第２の電極層は、具体的には、可視光を透
過する導電性材料からなり有機電界発光層に隣接する位
置に設けられた導電層と、低屈折率層と高屈折率層との
組み合わせからなり導電層の上に設けられた少なくとも
一層の積層膜とを含むものである。また、導電層は、可
視光域で透過率が７０％以上、かつ比抵抗が１×１０ -3
Ωｃｍ以下であることが好ましく、具体的には、酸化イ
ンジウムスズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide），酸化亜鉛
（ＺｎＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ），および亜鉛がドー
プされたインジウム酸化物（ＩｎＺｎＯ）からなる群か
ら選ばれた材料からなる薄膜である。また、低屈折率層
は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）およびフッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ2 ）からなる群から選ばれた材料からなる
薄膜、高屈折率層は、酸化ニオブ（Ｖ）（Ｎｂ
2 Ｏ5 ），酸化チタン（ＩＩ）（ＴｉＯ2）および酸化
タンタル（Ｖ）（Ｔａ2 Ｏ5 ）からなる群から選ばれた
材料からなる薄膜であることが望ましい。Specifically, the second electrode layer transmits visible light.
Adjacent to the organic electroluminescent layer made of conductive material
Of the conductive layer, the low refractive index layer and the high refractive index layer
Composed of at least provided on the conductive layer
And a one-layer film. In addition, the conductive layer
The transmissivity is 70% or more and the specific resistance is 1 × 10 in the visible light range. -3
Ωcm or less, and specifically,
Indium Tin Oxide (ITO), zinc oxide
(ZnO), tin oxide (SnO)Two) And zinc dough
Group consisting of doped indium oxide (InZnO)
It is a thin film made of a material selected from the following. Also, a low refractive index layer
Is silicon dioxide (SiOTwo) And magnesifluoride
Um (MgFTwoConsisting of materials selected from the group consisting of
The thin film and the high refractive index layer are made of niobium oxide (V) (Nb
TwoOFive), Titanium oxide (TiO2)Two) And oxidation
Tantalum (V) (TaTwoOFiveSelected from the group consisting of
It is desirable that the thin film is made of a material.
【００１２】本発明による有機電界発光素子では、第２
の電極層が９０％以上と反射率が高く（吸収率が低く）
なるように構成されているので、有機電界発光層内で発
生・放射される光を基板側から外部に有効に取り出すこ
とができ、光の取り出し効率が高くなり、高輝度を得る
ことが可能となる。In the organic electroluminescent device according to the present invention, the second
90% or more of the electrode layer has high reflectance (low absorption)
The light generated and emitted in the organic electroluminescent layer can be effectively extracted from the substrate side to the outside, so that the light extraction efficiency is increased and high brightness can be obtained. Become.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施の
形態に係る有機電界発光素子の断面構造を表すものであ
る。なお、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った
断面構造を示している。この有機電界発光素子１０は、
赤色光を発生することができる赤色発光素子部１０Ｒ、
緑色光を発生することができる緑色発光素子部１０Ｇお
よび青色光を発生することができる青色発光素子部１０
Ｂを備えており、フルカラー表示可能となっている。赤
色発光素子部１０Ｒ、緑色発光素子部１０Ｇおよび青色
発光素子部１０Ｂは、共通の透明な基板、例えば本実施
の形態においてはガラス基板１上に、順に繰り返し配列
されている。FIGS. 1A and 1B show a cross-sectional structure of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. Note that FIG. 1B illustrates a cross-sectional structure along line BB in FIG. 1A. This organic electroluminescent device 10
A red light emitting element portion 10R that can generate red light,
Green light emitting element portion 10G capable of generating green light and blue light emitting element portion 10 capable of generating blue light
B, so that full-color display is possible. The red light emitting element unit 10R, the green light emitting element unit 10G, and the blue light emitting element unit 10B are repeatedly arranged in order on a common transparent substrate, for example, the glass substrate 1 in the present embodiment.
【００１５】赤色発光素子部１０Ｒは、ガラス基板１上
に、透明電極層（陽極）２、絶縁層３、正孔輸送層４
１、正孔輸送性発光層４２、電子輸送性の赤色発光層４
４、電子輸送層４３、バッファ層５および高反射電極層
（陰極）６を順に積層して構成されている。The red light emitting element portion 10R includes a transparent electrode layer (anode) 2, an insulating layer 3, and a hole transport layer 4 on a glass substrate 1.
1, hole transporting light emitting layer 42, electron transporting red light emitting layer 4
4, an electron transport layer 43, a buffer layer 5, and a highly reflective electrode layer (cathode) 6 are sequentially laminated.
【００１６】透明電極層２は、光をガラス基板１側から
取り出すことができるように透明な材料から構成されて
おり、本実施の形態においては例えば酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）を用いている。絶縁層
３は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）から構成されて
いる。The transparent electrode layer 2 is made of a transparent material so that light can be extracted from the glass substrate 1 side. In the present embodiment, for example, indium tin oxide (ITO) is used. ing. The insulating layer 3 is made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ).
【００１７】正孔輸送層４１は、例えば4,4',4"-tris(3
-methylphenylphenylamino)triphenylamine （ｍ−ＭＴ
ＤＡＴＡ）から構成されている。正孔輸送性発光層４２
は、例えば、4,4'-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenylamino]b
iphenyl)（α−ＮＰＤ）を用いている。電子輸送性赤色
発光層４４は、例えばＢＳＢ−ＢＣＮから構成されてい
る。電子輸送層４３は、例えば、tris(8-hydroxyquinol
ine)aluminum（Ａｌｑ 3 ）から構成されている。The hole transport layer 41 is made of, for example, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3
-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MT
DATA). Hole transporting light emitting layer 42
Is, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphtyl) -N-phenylamino] b
iphenyl) (α-NPD). Electron transporting red
The light emitting layer 44 is made of, for example, BSB-BCN.
You. The electron transport layer 43 is formed of, for example, tris (8-hydroxyquinol
ine) aluminum (Alq Three).
【００１８】緑色発光素子部１０Ｇは、ガラス基板１上
に、透明電極層（陽極）２、絶縁層３、正孔輸送層４
１、正孔輸送性発光層４２、緑色発光用の電子輸送層４
３、バッファ層５および高反射電極層（陰極）６を順に
積層して構成されている。The green light-emitting element portion 10G comprises a transparent electrode layer (anode) 2, an insulating layer 3, and a hole transport layer 4 on a glass substrate 1.
1, hole transporting light emitting layer 42, electron transporting layer 4 for green light emission
3, a buffer layer 5 and a highly reflective electrode layer (cathode) 6 are sequentially laminated.
【００１９】青色発光素子部１０Ｂは、ガラス基板１上
に、透明電極層（陽極）２、絶縁層３、青色発光用の正
孔輸送層４１、正孔輸送性発光層４２、正孔ブロック層
４５、電子輸送層４３、バッファ層５および高反射電極
層（陰極）６を順に積層して構成されたものである。正
孔ブロック層４５は、透明電極層２から注入された正孔
が電子輸送層４３へ移動するのを抑制して、青色発光用
の正孔輸送層４１および正孔輸送性発光層４２内におけ
る発光を促進するためのものである。正孔ブロック層４
５は、例えば2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenant
hroline （バソクプロイン）から構成されている。The blue light-emitting element portion 10B comprises a transparent electrode layer (anode) 2, an insulating layer 3, a hole transport layer 41 for blue light emission, a hole transport light-emitting layer 42, and a hole block layer on a glass substrate 1. 45, an electron transport layer 43, a buffer layer 5, and a highly reflective electrode layer (cathode) 6 are sequentially laminated. The hole blocking layer 45 suppresses the movement of the holes injected from the transparent electrode layer 2 to the electron transporting layer 43, so that the holes in the hole transporting layer 41 for blue light emission and the hole transporting light emitting layer 42 are formed. It is for promoting light emission. Hole blocking layer 4
5 is, for example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenant
It is composed of hroline (basocuproin).
【００２０】本実施の形態においては、電子輸送層４３
の上に、バッファ層５を間にして、陰極としての高反射
電極層６が形成されている。なお、バッファ層５は、素
子の駆動電圧の低下と発光の量子効率との改善のための
ものであり、本実施の形態においては、例えば酸化リチ
ウム（Ｌｉ2 Ｏ）から構成されている。In the present embodiment, the electron transport layer 43
A high-reflection electrode layer 6 as a cathode is formed with a buffer layer 5 therebetween. The buffer layer 5 is for lowering the driving voltage of the element and improving the quantum efficiency of light emission. In the present embodiment, the buffer layer 5 is made of, for example, lithium oxide (Li 2 O).
【００２１】高反射電極層６は、図２に示したように、
複数の（例えば２１層の）薄膜を積層した構造となって
いる。すなわち、例えばＩＴＯからなる高導電層６０１
の上に、低屈折率層６０２、高屈折率層６０３、低屈折
率層６０４、高屈折率層６０５、低屈折率層６０６、高
屈折率層６０７、低屈折率層６０８、高屈折率層６０
９、低屈折率層６１０、高屈折率層６１１、低屈折率層
６１２、高屈折率層６１３、低屈折率層６１４、高屈折
率層６１５、低屈折率層６１６、高屈折率層６１７、低
屈折率層６１８、高屈折率層６１９、低屈折率層６２
０、高屈折率層６２１が順に積層されている。低屈折率
層６０２，６０４，６０８，６１０，６１２，６１４，
６１６，６１８，６２０は、屈折率の低い材料から構成
されており、本実施の形態においては例えば二酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）を用いている。高屈折率層６０３，６
０５，６０７，６０９，６１１，６１３，６１５，６１
７，６１９，６２１は、屈折率の高い材料からなり、本
実施の形態においては例えば酸化ニオブ（Ｖ）（Ｎｂ2
Ｏ5 ）を用いている。As shown in FIG. 2, the high reflection electrode layer 6
It has a structure in which a plurality of (for example, 21 layers) thin films are stacked. That is, the highly conductive layer 601 made of, for example, ITO
, A low refractive index layer 603, a low refractive index layer 604, a high refractive index layer 605, a low refractive index layer 606, a high refractive index layer 607, a low refractive index layer 608, and a high refractive index layer. 60
9, low refractive index layer 610, high refractive index layer 611, low refractive index layer 612, high refractive index layer 613, low refractive index layer 614, high refractive index layer 615, low refractive index layer 616, high refractive index layer 617, Low refractive index layer 618, high refractive index layer 619, low refractive index layer 62
0 and a high refractive index layer 621 are sequentially stacked. Low refractive index layers 602, 604, 608, 610, 612, 614,
Reference numerals 616, 618, and 620 are made of a material having a low refractive index. In the present embodiment, for example, silicon dioxide (SiO 2 ) is used. High refractive index layers 603, 6
05,607,609,611,613,615,61
7, 619 and 621 are made of a material having a high refractive index. In the present embodiment, for example, niobium oxide (V) (Nb 2
O 5 ).
【００２２】なお、低屈折率層６０２，６０４，６０
８，６１０，６１２，６１４，６１６，６１８，６２０
は、二酸化シリコン以外に、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2 ）のような屈折率の低い材料から構成されていても
よい。さらに、高屈折率層６０３，６０５，６０７，６
０９，６１１，６１３，６１５，６１７，６１９，６２
１は、酸化ニオブ（Ｖ）の代わりに、酸化チタン（Ｉ
Ｉ）（ＴｉＯ2 ）または酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ2 Ｏ
5 ）のような屈折率の高い材料を用いることができる。The low refractive index layers 602, 604, and 60
8,610,612,614,616,618,620
Means magnesium fluoride (Mg)
It may be made of a material having a low refractive index such as F 2 ). Further, the high refractive index layers 603, 605, 607, 6
09, 611, 613, 615, 617, 619, 62
1 is a titanium oxide (I) instead of niobium (V) oxide.
I) (TiO 2 ) or tantalum oxide (V) (Ta 2 O)
A material having a high refractive index such as 5 ) can be used.
【００２３】高導電層６０１の材料としては、ＩＴＯの
他、酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）または
亜鉛をドープしたインジウム酸化物（ＩｎＺｎＯ）等を
用いることができる。この場合、高導電層６０１の材料
は、可視光域で透過率７０％以上、比抵抗１×１０-3Ω
ｃｍ以下であることが望ましい。As the material of the high conductive layer 601, in addition to ITO, zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), zinc-doped indium oxide (InZnO), or the like can be used. In this case, the material of the highly conductive layer 601 has a transmittance of 70% or more in the visible light region and a specific resistance of 1 × 10 −3 Ω.
cm or less.
【００２４】高反射電極層６は、上記のような薄膜の積
層構造によって、可視光域の光の反射率が高く、吸収率
が低くなるように構成されている。具体的には、後述の
特性図（図４）の説明からも明らかなように、反射率は
９６％以上であり、また吸収率は１％以下である。The high-reflection electrode layer 6 is configured such that the reflectance of light in the visible light region is high and the absorptance is low by the laminated structure of the thin films as described above. Specifically, as is clear from the description of the characteristic diagram (FIG. 4) described later, the reflectance is 96% or more, and the absorptance is 1% or less.
【００２５】特に、この高反射電極層６では、その反射
率が、赤色発光層４４、正孔輸送性発光層４２および青
色発光用の正孔輸送層４１がそれぞれ発生する赤色光
（６２０ｎｍ）、緑色光（５２０ｎｍ）および青色光
（４６０ｎｍ）の波長において高くなる。一方、この高
反射電極層６の吸収率は、これら赤色光、緑色光および
青色光の各波長において低くなっている。このため、赤
色発光層４４、正孔輸送性発光層４２および青色発光用
の正孔輸送層４１がそれぞれ発生する赤色光、緑色光お
よび青色光を効率的に取り出すことができ、光の取り出
し効率が向上する。したがって、低消費電力で高輝度を
得ることができる有機電界発光素子１０を作製すること
が可能となる。In particular, in the highly reflective electrode layer 6, the reflectance is red light (620 nm) generated by the red light emitting layer 44, the hole transporting light emitting layer 42, and the hole transporting layer 41 for blue light emission, respectively. It is higher at the wavelengths of green light (520 nm) and blue light (460 nm). On the other hand, the absorptance of the high reflection electrode layer 6 is low at each wavelength of these red light, green light and blue light. For this reason, red light, green light, and blue light generated by the red light emitting layer 44, the hole transporting light emitting layer 42, and the hole transporting layer 41 for blue light emission, respectively, can be efficiently extracted, and the light extraction efficiency can be improved. Is improved. Therefore, it is possible to manufacture the organic electroluminescent device 10 that can obtain high luminance with low power consumption.
【００２６】また、高反射電極層６は、高いガスバリア
性を有するので、正孔輸送層４１、正孔輸送性発光層４
２、電子輸送層４３、赤色発光層４４、正孔ブロック層
４５などの有機薄膜の酸化・分解を抑制することができ
る。Since the high reflection electrode layer 6 has a high gas barrier property, the hole transport layer 41 and the hole transport light emitting layer 4
2. Oxidation and decomposition of organic thin films such as the electron transport layer 43, the red light emitting layer 44, and the hole blocking layer 45 can be suppressed.
【００２７】本実施の形態において、ガラス基板１は本
発明における「基板」の一具体例に対応している。透明
電極層２および高反射電極層６は、それぞれ、本発明に
おける「第１の電極層」，「第２の電極層」の一具体例
に対応している。また、正孔輸送層４１、発光層４２、
電子輸送層４３，４４、正孔ブロック層４５は、本発明
における「有機電界発光層」の一具体例に対応してい
る。In the present embodiment, the glass substrate 1 corresponds to a specific example of “substrate” in the present invention. The transparent electrode layer 2 and the highly reflective electrode layer 6 correspond to specific examples of “first electrode layer” and “second electrode layer” in the present invention, respectively. Further, a hole transport layer 41, a light emitting layer 42,
The electron transport layers 43 and 44 and the hole blocking layer 45 correspond to a specific example of “organic electroluminescent layer” in the present invention.
【００２８】このような構成を有する有機電界発光素子
１０は、以下のようにして製造することができる。The organic electroluminescent device 10 having such a configuration can be manufactured as follows.
【００２９】まず、ガラス基板１上に、ＩＴＯからなる
透明電極層２を例えばスパッタリング法または真空蒸着
法により形成する。次いで、例えば真空蒸着法により、
赤色発光素子部１０Ｒにおいては、正孔輸送層４１、正
孔輸送性発光層４２、電子輸送性の赤色発光層４４およ
び電子輸送層４３を、また、緑色発光素子部１０Ｇにお
いては正孔輸送層４１、正孔輸送性発光層４２および電
子輸送層４３を、さらに、青色発光素子部１０Ｂにおい
ては、正孔輸送層４１、正孔輸送性発光層４２、正孔ブ
ロック層４５および電子輸送層４３を積層させる。First, a transparent electrode layer 2 made of ITO is formed on a glass substrate 1 by, for example, a sputtering method or a vacuum evaporation method. Then, for example, by a vacuum deposition method,
The red light emitting element 10R includes a hole transport layer 41, a hole transporting light emitting layer 42, an electron transporting red light emitting layer 44 and an electron transporting layer 43, and the green light emitting element 10G includes a hole transporting layer. 41, the hole-transporting light-emitting layer 42 and the electron-transporting layer 43, and in the blue light-emitting element portion 10B, the hole-transporting layer 41, the hole-transporting light-emitting layer 42, the hole-blocking layer 45, and the electron-transporting layer 43. Are laminated.
【００３０】さらに、各色発光素子部１０Ｒ，１０Ｇ，
１０Ｂの上に、真空蒸着法により、バッファ層５を形成
する。引き続き、例えば真空蒸着法により高反射電極層
６の高導電層６０１から高屈折率層６２１までの計２１
層の薄膜を順次積層させることによって、図１に示した
有機電界発光素子１０が完成する。Further, each color light emitting element portion 10R, 10G,
The buffer layer 5 is formed on 10B by a vacuum deposition method. Subsequently, a total of 21 from the high conductive layer 601 to the high refractive index layer 621 of the high reflection electrode layer 6 is formed by, for example, a vacuum evaporation method.
The organic electroluminescent device 10 shown in FIG. 1 is completed by sequentially laminating the layer thin films.
【００３１】この有機電界発光素子１０では、透明電極
層２と高反射電極層６との間に所定の電圧が印加される
ことにより、透明電極層３および高反射電極層６からそ
れぞれ正孔および電子が注入される。In the organic electroluminescent device 10, a predetermined voltage is applied between the transparent electrode layer 2 and the highly reflective electrode layer 6, so that holes and holes are respectively generated from the transparent electrode layer 3 and the highly reflective electrode layer 6. Electrons are injected.
【００３２】これら正孔および電子は、赤色発光素子部
１０Ｒにおいては、正孔輸送層４１および正孔輸送性発
光層４２、ならびに電子輸送層４３を介して電子輸送性
の赤色発光層４４に輸送され、これらが再結合すること
により赤色発光が起こり、緑色発光素子部１０Ｇにおい
ては、正孔輸送層４１および電子輸送層４３を介して正
孔輸送性発光層４２に輸送され、これらが再結合するこ
とにより緑色発光が起こり、また、青色発光素子部１０
Ｂにおいては、正孔輸送性発光層４２と電子輸送層４３
との間に正孔ブロック層４５が設けられているので、青
色発光用の正孔輸送層４１および正孔輸送性発光層４２
内において再結合し、これにより青色発光が起こる。こ
のようにして、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色
（Ｂ）の三原色の光が、ガラス基板１の主面に対して垂
直な方向に取り出され、カラー表示が行われる。In the red light emitting element portion 10R, these holes and electrons are transported to the electron transporting red light emitting layer 44 via the hole transporting layer 41 and the hole transporting light emitting layer 42, and the electron transporting layer 43. Red light emission is caused by these recombination, and in the green light emitting element portion 10G, the red light is transported to the hole transporting light emitting layer 42 via the hole transport layer 41 and the electron transport layer 43, and these are recombined. This causes green light emission and the blue light emitting element portion 10
In B, the hole transporting light emitting layer 42 and the electron transporting layer 43
Is provided between the hole transport layer 41 and the hole transporting light emitting layer 42 for blue light emission.
Recombination within which results in blue emission. In this manner, light of the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) is extracted in a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate 1, and color display is performed.
【００３３】このように、本実施の形態においては、従
来のアルミニウム等からなる金属電極層の代わりに、電
極として、高導電層６０１、低屈折率層６０２、…、高
屈折率層６２１を順に積層した構造の高反射電極層６を
設け、電極の反射率が高く吸収率が低くなるようにした
ので、赤色発光層４４、正孔輸送性発光層４２および青
色発光用の正孔輸送層４１がそれぞれ発生する赤色光、
緑色光および青色光を効率的に取り出すことができ、光
の取り出し効率が向上する。したがって、低消費電力で
高輝度を得ることができる有機電界発光素子１０を作製
することが可能となる。As described above, in this embodiment, instead of the conventional metal electrode layer made of aluminum or the like, a high conductive layer 601, a low refractive index layer 602,... Since the high-reflection electrode layer 6 having a laminated structure is provided so that the reflectance of the electrode is high and the absorption is low, the red light-emitting layer 44, the hole-transporting light-emitting layer 42, and the hole-transport layer 41 for blue light emission are provided. Red light,
Green light and blue light can be efficiently extracted, and the light extraction efficiency is improved. Therefore, it is possible to manufacture the organic electroluminescent device 10 that can obtain high luminance with low power consumption.
【００３４】また、高反射電極層６は、高いガスバリア
性を有するので、正孔輸送層４１、正孔輸送性発光層４
２、電子輸送層４３、赤色発光層４４、正孔ブロック層
４５などの有機薄膜の酸化・分解を抑制することができ
る。Since the high reflection electrode layer 6 has a high gas barrier property, the hole transport layer 41 and the hole transport light emitting layer 4
2. Oxidation and decomposition of organic thin films such as the electron transport layer 43, the red light emitting layer 44, and the hole blocking layer 45 can be suppressed.
【００３５】以下、本発明の具体的な実施例について説
明する。Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described.
【００３６】図１に示した構成の有機電界発光素子１０
を作製し、発生した赤色光、緑色光および青色光の波長
および強度を測定した。その結果を図３に示す。赤色
光、緑色光および青色光の波長はそれぞれ、６２０ｎ
ｍ，５２０ｎｍ，および４６０ｎｍを中心に分布してい
る。The organic electroluminescent device 10 having the structure shown in FIG.
Was prepared, and the wavelengths and intensities of the generated red light, green light and blue light were measured. The result is shown in FIG. The wavelengths of red light, green light and blue light are each 620 n
m, 520 nm, and 460 nm.
【００３７】図４は、表１に示した材料および膜厚で高
反射電極層６を作製し、その可視光域における反射率お
よび吸収率を測定した結果を表すものである。この図か
ら、高反射電極層６の反射率は約９５％、吸収率はほぼ
０となっていることが分かる。特に、この高反射電極層
６は、６２０ｎｍ，５２０ｎｍ，および４６０ｎｍの各
波長域において反射率が高く吸収率が低くなっているこ
とも明らかである。すなわち、高反射電極層６の反射率
が高く吸収率が低くなる波長が、有機電界発光素子１０
が発生する光の波長と一致している。FIG. 4 shows the results of measuring the reflectance and absorptance in the visible light region of the high reflective electrode layer 6 made of the materials and film thicknesses shown in Table 1. From this figure, it can be seen that the reflectivity of the highly reflective electrode layer 6 is about 95% and the absorptivity is almost 0. In particular, it is apparent that the high reflection electrode layer 6 has a high reflectance and a low absorption in each of the wavelength ranges of 620 nm, 520 nm, and 460 nm. That is, the wavelength at which the reflectivity of the high reflection electrode layer 6 is high and the absorption rate is low is determined by the
Coincides with the wavelength of the light that is generated.
【００３８】[0038]
【表１】 [Table 1]
【００３９】このように、高反射電極層６は反射率が高
く吸収率がほぼ０と低いので、有機電界発光素子１０か
ら発生した光をガラス基板１側から効率的に取り出すこ
とができ、光の取り出し効率が向上する。As described above, since the high reflective electrode layer 6 has a high reflectivity and a low absorptivity of almost 0, light generated from the organic electroluminescent element 10 can be efficiently extracted from the glass substrate 1 side. Extraction efficiency is improved.
【００４０】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態で
は、高反射電極層６が高導電層６０１から高屈折率層６
２１までの計２１層を含むようにしたが、高反射電極層
６の構成をより簡略化するようにしてもよい。具体的に
は、低屈折率層および高屈折率層の組の数を減らすこと
により膜厚を薄くすることができる。これにより、吸収
率は上がるが、構造が単純になるので、高反射電極層６
の作製時間を短縮することが可能になる。一方、高反射
電極層６の層数を多くすることにより、更に反射率を向
上させることも可能である。As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the high-reflection electrode layer 6 is
Although a total of 21 layers up to 21 are included, the configuration of the highly reflective electrode layer 6 may be further simplified. Specifically, the film thickness can be reduced by reducing the number of pairs of the low refractive index layer and the high refractive index layer. This increases the absorptance but simplifies the structure, so the high reflection electrode layer 6
Can be shortened. On the other hand, it is possible to further improve the reflectance by increasing the number of the high reflection electrode layers 6.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明したように本発明の有機電界発
光素子によれば、第２の電極層を、反射率が高くなるよ
うに構成したので、有機電界発光層で発生した光を効率
的に取り出すことができ、光の取り出し効率が向上す
る。したがって、低消費電力で高輝度の表示装置を実現
することができる。また、第２の電極層を高いガスバリ
ア性を有するものとすることにより、有機電界発光層の
酸化・分解を防止し、有機電界発光素子の性能の劣化を
抑制することができる。As described above, according to the organic electroluminescent device of the present invention, since the second electrode layer is configured to have a high reflectance, the light generated in the organic electroluminescent layer can be efficiently emitted. And the light extraction efficiency is improved. Therefore, a display device with low power consumption and high luminance can be realized. In addition, when the second electrode layer has a high gas barrier property, oxidation and decomposition of the organic electroluminescent layer can be prevented, and deterioration of the performance of the organic electroluminescent element can be suppressed.
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機電界発光素子
の概略構成を表す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した高反射電極層の概略構成を表す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a high reflection electrode layer illustrated in FIG.
【図３】本発明の実施例に係る有機電界発光素子から発
生する光の波長および強度を表す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating wavelength and intensity of light generated from an organic electroluminescent device according to an example of the present invention.
【図４】本発明の実施例に係る高反射電極層の反射率お
よび吸収率を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a reflectance and an absorptance of a highly reflective electrode layer according to an example of the present invention.
【図５】従来の有機電界発光素子の金属電極層の反射率
および吸収率を表す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a reflectance and an absorptance of a metal electrode layer of a conventional organic electroluminescent element.
１０…有機電界発光素子、１０Ｒ…赤色発光素子部、１
０Ｇ…緑色発光素子部、１０Ｂ…青色発光素子部、１…
ガラス基板、２…透明電極層、３…絶縁層、５…バッフ
ァ層、６…高反射電極層、４１…正孔輸送層、４２…正
孔輸送性発光層、４３…電子輸送層、４４…赤色発光
層、４５…正孔ブロック層、６０１…高導電層、６０
２，〜，６２１…高屈折率層10 ... organic electroluminescent element, 10R ... red light emitting element part, 1
0G: green light emitting element section, 10B: blue light emitting element section, 1 ...
Glass substrate, 2 transparent electrode layer, 3 insulating layer, 5 buffer layer, 6 high reflection electrode layer, 41 hole transport layer, 42 hole transporting light emitting layer, 43 electron transport layer, 44 Red light emitting layer, 45: hole blocking layer, 601: high conductive layer, 60
2, to 621 high refractive index layer
Claims (5)
れた有機電界発光層と、 この有機電界発光層の前記第１の電極層と反対側の面に
形成されるとともに、前記有機電界発光層において発生
した可視光域の光を９０％以上の反射率で前記透明基板
側に反射させるように構成された第２の電極層とを備え
たことを特徴とする有機電界発光素子。A transparent substrate, a transparent first electrode layer formed on the transparent substrate, and an organic electroluminescent layer formed on a surface of the first electrode layer opposite to the transparent substrate. The organic electroluminescent layer is formed on a surface of the organic electroluminescent layer opposite to the first electrode layer, and emits visible light generated in the organic electroluminescent layer at a reflectance of 90% or more to the transparent substrate side. An organic electroluminescent device comprising: a second electrode layer configured to reflect light.
層に隣接する位置に設けられた導電層と、低屈折率層と
高屈折率層との組み合わせからなり前記導電層の上に設
けられた少なくとも一層の積層膜とを含むことを特徴と
する請求項１記載の有機電界発光素子。2. The low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer, wherein the second electrode layer is made of a conductive material that transmits visible light and is provided at a position adjacent to the organic electroluminescent layer. 2. The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising at least one layered film provided on the conductive layer and comprising a combination of the following.
％以上、かつ比抵抗が１×１０-3Ωｃｍ以下であること
を特徴とする請求項２記載の有機電界発光素子。3. The conductive layer has a transmittance of 70 in a visible light region.
3. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the specific resistance is 1% or more and 1 × 10 −3 Ωcm or less.
ＴＯ；Indium Tin Oxide），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化
スズ（ＳｎＯ2 ），および亜鉛がドープされたインジウ
ム酸化物（ＩｎＺｎＯ）からなる群から選ばれた材料か
らなる薄膜であり、かつ、 前記低屈折率層は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）および
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）からなる群から選ばれ
た材料からなる薄膜、また、前記高屈折率層は、酸化ニ
オブ（Ｖ）（Ｎｂ2 Ｏ5 ），酸化チタン（ＩＩ）（Ｔｉ
Ｏ2 ）および酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ2 Ｏ5 ）からな
る群から選ばれた材料からなる薄膜であることを特徴と
する請求項２記載の有機電界発光素子。4. The conductive layer is made of indium tin oxide (I
TO: a thin film made of a material selected from the group consisting of Indium Tin Oxide, zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc-doped indium oxide (InZnO); The refractive index layer is a thin film made of a material selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO 2 ) and magnesium fluoride (MgF 2 ), and the high refractive index layer is made of niobium oxide (V) (Nb 2 O 5 ). ), Titanium oxide (II) (Ti
3. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the thin film is a thin film made of a material selected from the group consisting of O 2 ) and tantalum (V) oxide (Ta 2 O 5 ).
界発光層を有し、かつ、前記第２の電極層の反射率は、
前記有機電界発光層が発生する赤、緑および青の光の各
波長に対応してピーク値を有することを特徴とする請求
項１記載の有機電界発光素子。5. An organic electroluminescent layer corresponding to three colors of red, green and blue, and the reflectance of the second electrode layer is:
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic electroluminescent layer has a peak value corresponding to each wavelength of red, green and blue light generated by the organic electroluminescent layer.
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1641054A2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL device |
| JP2006173089A (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | El device and electronic equipment |
| EP1727222A2 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-29 | Novaled AG | Transparent light emitting element |
| JP2007012370A (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | Organic luminescent element and organic luminescent device |
| EP1903610A2 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-26 | OPTREX EUROPE GmbH | OLED display |
| JP2008539554A (en) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | イーストマン コダック カンパニー | Multi-color OLED display |
| US7521130B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-04-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having superior characteristics at high temperature |
| US7915815B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-03-29 | Novaled Ag | Transparent light-emitting component |
| JP2011233289A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic light-emitting element |
| JP2012226365A (en) * | 2003-01-24 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Electronic book |
| JP2013012456A (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Samsung Display Co Ltd | Light-emitting structure, display device including light-emitting structure, and method for manufacturing display device |
| JP2014232720A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN111384266A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Top-emitting electroluminescent device and manufacturing method thereof |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088064A (en) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nippondenso Co Ltd | Electroluminescent element and multicolor-emission electroluminescent element |
| JPH11224783A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
| JPH11510948A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-21 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | Electroluminescence lamp using multilayer optical film |
| WO2000078102A1 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006261A patent/JP4644938B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088064A (en) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nippondenso Co Ltd | Electroluminescent element and multicolor-emission electroluminescent element |
| JPH11510948A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-21 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | Electroluminescence lamp using multilayer optical film |
| JPH11224783A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
| WO2000078102A1 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8860011B2 (en) | 2003-01-24 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel |
| US9324773B2 (en) | 2003-01-24 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel including a plurality of lighting emitting elements |
| JP2012226365A (en) * | 2003-01-24 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Electronic book |
| US7521130B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-04-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device having superior characteristics at high temperature |
| EP1641054A3 (en) * | 2004-09-24 | 2007-11-28 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL device |
| EP1641054A2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Organic EL device |
| JP4525536B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | EL device and electronic apparatus |
| JP2006173089A (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | El device and electronic equipment |
| US7605535B2 (en) | 2004-11-22 | 2009-10-20 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent device and electronic apparatus |
| US7915815B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-03-29 | Novaled Ag | Transparent light-emitting component |
| JP2008539554A (en) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | イーストマン コダック カンパニー | Multi-color OLED display |
| EP1727222A3 (en) * | 2005-05-27 | 2008-11-19 | Novaled AG | Transparent light emitting element |
| EP1727222A2 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-29 | Novaled AG | Transparent light emitting element |
| JP2007012370A (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sony Corp | Organic luminescent element and organic luminescent device |
| EP1903610A2 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-26 | OPTREX EUROPE GmbH | OLED display |
| EP1903610A3 (en) * | 2006-09-21 | 2012-03-28 | OPTREX EUROPE GmbH | OLED display |
| JP2011233289A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic light-emitting element |
| JP2013012456A (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Samsung Display Co Ltd | Light-emitting structure, display device including light-emitting structure, and method for manufacturing display device |
| JP2014232720A (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN111384266A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | Top-emitting electroluminescent device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4644938B2 (en) | 2011-03-09 |
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