JP2002207306A

JP2002207306A - 感光体の製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置

Info

Publication number: JP2002207306A
Application number: JP2001001789A
Authority: JP
Inventors: Manabu Takimoto; 学滝本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-01-09
Filing date: 2001-01-09
Publication date: 2002-07-26

Abstract

(57)【要約】【課題】膜剥がれを防止する。【解決手段】導電性基板２上に光導電層４を形成し、こ
の光導電層４上にグロー放電法によりシリコンカーバイ
ド（ＳｉＣ）もしくはカーボン（Ｃ）からなるアモルフ
ァス層を成膜形成し、ついでこのアモルファス層に対し
フッ素を含むガスをプラズマ化してエッチング処理する
と同時に、膜内にフッ素を１２〜３５原子％含有させ、
その後にボンバード処理をおこなう工程を複数回繰り返
すことで表面保護層５を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアモルファスシリコ
ンカーバイドもしくはアモルファスカーボンからなるフ
ッ素含有の表面保護層を備えた感光体の製法ならびにこ
の感光体を搭載した画像形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン（以下、アモルフ
ァスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）を光導電層とした
感光体が、すでに製品化されているが、このａ−Ｓｉ感
光体は導電性基板上にグロー放電分解法により水素化ア
モルファスシリコン（以下、水素化アモルファスシリコ
ンをａ−Ｓｉ：Ｈと略記する）からなる電荷注入阻止層
と、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電層と、水素化アモルフ
ァスシリコンカーバイド（以下、水素化アモルファスシ
リコンカーバイドをａ−ＳｉＣ：Ｈと略記する）からな
る表面保護層とを順次積層した層構成である。

【０００３】しかしながら、このような層構成の感光体
においては、とくに高湿環境下で耐刷をおこなうと、画
像流れと呼ばれる画像不良が発生していた。

【０００４】この画像流れの発生を防止するために、ヒ
ーターを用いて感光体を加熱して、その原因となる水分
を飛散させる技術が提示されているが、これによって画
像流れが改善されたが、その反面、感光体の帯電能が低
下したり、感光体表面にトナーが固着したり、画像形成
装置の消費電力が増大していた。

【０００５】かかる課題を解消するために、ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ表面保護層の元素比率と自由表面の動的押し込み
硬さとを規定することで、ヒーターを用いないでもクリ
ーニング手段などにより表面を適度に研磨して、表面層
に吸着した放電生成物などを除去し、これによって画像
流れを解消する技術が提示されている（特開平９−２０
４０５６号参照）。

【０００６】一方、ａ−Ｓｉを主成分とする感光体層の
上に水素化アモルファスカーボン（以下、水素化アモル
ファスカーボンをａ−Ｃ：Ｈと略記する）からなる表面
保護層を積層し、ついでフッ素を含むガスでプラズマ放
電処理をおこない、表面近傍中にＣＦ、ＣＦ₂等の官能
基を形成し、これによって疎水性を高め、オゾンの照射
による疎水性の劣化を抑制して耐環境性が高める技術が
提示されている（特公平７−３５９７号参照）。

【０００７】上記のようなプラズマ放電処理をおこなう
と、膜の表面がエッチングされるが、加えて成膜とエッ
チングを交互に複数回繰り返すことで表面保護層を形成
する技術も提案されている（特開平１０−１７７２６５
号参照）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−２０４０５６号によれば、ヒーターを用いた加熱を
おこなわないにしても、この感光体を搭載した画像形成
装置に、ブレードなどの研磨手段を設けなければなら
ず、設計上および構成上煩雑になり、製造歩留りを低下
させたり、耐久性および信頼性が劣る原因になってい
た。

【０００９】他方、特公平７−３５９７号においては、
ａ−Ｃ：Ｈからなる表面保護層を設けて、フッ素を含む
ガスでプラズマ放電処理し、疎水性を高めることができ
るが、画像形成装置に感光体用ヒーターを設けないでも
よい程度の高い疎水性能は達成されていない。

【００１０】また、特開平１０−１７７２６５号におい
ては、表面保護層をＢＮ膜で形成し、１回のエッチング
によってエッチングされる膜厚を２０Å以上にすること
が記載されるが、エッチングレートについては、一切記
載されていない。しかしながら、このような方法にてＢ
Ｎ膜を形成すると成膜速度が低くなり、製造コストが高
くなる。

【００１１】さらに表面保護層をＢＮ膜で形成しても、
硬度が低く、耐久性に劣ったり、原子レベルにおける結
合状態が不安定であるために、電位特性にバラツキが生
じるという問題点もある。

【００１２】この問題点を解消するために、本願出願人
は、グロー放電法によりシリコンカーバイドもしくはカ
ーボンからなるアモルファス層を成膜形成し、ついでこ
のアモルファス層に対しフッ素を含むガスによりエッチ
ング処理するフッ素化工程を複数回繰り返すことで、フ
ッ素を１２〜３５％含有する表面保護層を形成すること
で、疎水性が著しく高くなり、これによって画像形成装
置に感光体用のヒーターを設けなくてもよくなる技術を
提案した。

【００１３】しかしながら、このようなフッ素を含む表
面保護層においては、表面自由エネルギーを下げ、画像
流れを解消することができたが、アモルファス層に対し
フッ素を含むガスによりエッチング処理するフッ素化工
程を複数回繰り返した場合、さきのフッ素化工程により
表出した膜面は、表面自由エネルギーが下がったこと
で、つぎに成膜するアモルファス層との間にて接着性が
低下し、これによって得られた感光体を画像形成装置に
装着し、耐久試験をおこなうと、そのアモルファス層や
表面保護層が剥がれるという問題点があることが判明し
た。

【００１４】したがって本発明は叙上に鑑みて完成され
たものであり、その目的は画像流れとともに、膜剥がれ
を解消した感光体の製法を提供することにある。

【００１５】本発明の他の目的は感光体加熱用のヒータ
ーを設けない程度にまで表面の疎水性を高めた感光体の
製法を提供することにある。

【００１６】本発明のさらに他の目的は表面保護層の硬
度を高めて優れた耐久性を達成するとともに、電位特性
のバラツキをなくした高信頼性かつ低コストの感光体の
製法を提供することにある。

【００１７】本発明のさらに他の目的は、感光体用のヒ
ーターを設けないことで、構造上簡単となり、製造歩留
りが向上し、さらに部品点数が少なくなることで優れた
耐久性が得られ、その結果、低コストかつ高信頼性の画
像形成装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基板上
に光導電層を形成し、この光導電層上にフッ素含有のア
モルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）もしくは
アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）からなる表面保護層を
積層した感光体の製法であって、導電性基板上に光導電
層を形成し、この光導電層上にグロー放電法によりシリ
コンカーバイド（ＳｉＣ）もしくはカーボン（Ｃ）から
なるアモルファス層を成膜形成し、ついでこのアモルフ
ァス層に対しフッ素を含むガスをプラズマ化してエッチ
ング処理すると同時に、フッ素を１２〜３５原子％含有
させ、その後にボンバード処理をおこなう工程を複数回
繰り返すことで表面保護層を形成したことを特徴とす
る。

【００１９】本発明の画像形成装置は、本発明の製法に
より得られた感光体と、この感光体の表面に電荷を付与
する帯電手段と、感光体の帯電領域に対して光照射する
露光手段と、これら帯電手段と露光手段とにより感光体
表面に形成された静電潜像に対してトナー像を感光体の
表面に形成する現像手段と、上記トナー像を被転写材に
転写する転写手段と、転写後に感光体表面の残留トナー
を除去するクリーニング手段と、転写後に残余静電潜像
を除去する除電手段とを配設したことを特徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】感光体の構成本発明に係る感光体は導電性基板の上に少なくとも光導
電層と表面保護層との積層構造を基本とするものであっ
て、さらに性能を上げるために、たとえば図１に示すよ
うな積層構造にする。

【００２１】同図は本発明の実施形態に係る感光体１の
層構成であり、グロー放電分解法などによりａ−Ｓｉ：
Ｈなどからなる電荷注入阻止層３およびａ−Ｓｉ：Ｈな
どからなる光導電層４とを順次積層し、この光導電層４
上に表面保護層５を積層する。

【００２２】導電性基板２は銅、黄銅、ＳＵＳ、Ａｌ、
Ｎｉなどの金属導電体、あるいはガラス、セラミックな
どの絶縁体の表面に導電性薄膜を被覆したものなどがあ
る。この導電性基板２はシート状、ベルト状もしくはウ
ェブ状可とう性導電シートでもよく、このようなシート
にはＳＵＳ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属シート、あるいはポ
リエステル、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹脂フ
ィルムの上にＡｌ、Ｎｉなどの金属もしくは酸化スズ、
インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導
電性材料や有機導電性材料を蒸着などにより被覆して導
電処理したものを用いる。

【００２３】また、電荷注入阻止層３をａ−Ｓｉ：Ｈな
どで構成した場合には、酸素や窒素を含有させて、禁制
帯幅を大きくし、これによって電荷注入阻止という機能
上、障壁を高くしてもよい。しかも、酸素を含有させる
ことで基板との密着性が高められる。ただし、酸素のみ
ではシランガスとの反応して爆発を引き起こし易いので
不活性な窒素も併存させるとよく、実際には一酸化窒素
（ＮＯ）ガスなどを使用する。

【００２４】光導電層４はａ−Ｓｉ以外に、Ｓｅ、Ｓｅ
−Ｔｅ、Ａｓ₂Ｓｅ₃などのＳｅ合金、ＺｎＯ、ＣｄＳ、
ＣｄＳｅなどのII−VI族化合物の粒子を樹脂に分散した
もの、ポリビニルカルバゾール等の有機半導体材料など
があり、これでもって単層型とする。あるいは光導電層
４を電荷発生層と電荷輸送層に分けた機能分離型にして
もよい。

【００２５】そして、上記表面保護層５については、シ
リコンカーバイド（ＳｉＣ）もしくはカーボン（Ｃ）か
らなるフッ素含有のアモルファス層により構成して、動
的押し込み硬さを９０ｋｇｆ／ｍｍ² 以上、好適には１
５０ｋｇｆ／ｍｍ² 以上にするとよく、さらにフッ素含
有量を１２〜３５原子％に規定している。

【００２６】すなわち、フッ素含有量は表面保護層５を
構成する各種原子の全量に対し１２〜３５原子％、好適
には１８〜２６原子％にするとよく、１２原子％未満の
場合には画像流れが発生し、３５原子％を超えると結合
状態において終端部が増え、原子間のネットワークが少
なくなり、Ｃ−Ｃ、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃというような
原子間結合が減少し、これによって膜強度が弱くなり、
その結果、膜削れおよびキズが発生する。

【００２７】しかも、本発明においては、フッ素含有量
を規定するとともに、硬度を高めるとよい。すなわち、
上述のようにフッ素を１２〜３５原子％にまで多く含有
させる処理（フッ素を含むガスのプラズマ化）をおこな
って、表面をエッチングすると、その表面の硬度にバラ
ツキが生じやすくなり、低い硬度になる場合もあり、そ
こで、原料ガスを希釈ガスでもって希釈させたり、高周
波電力を高くする、というような製造条件でもって動的
押し込み硬さを９０ｋｇｆ／ｍｍ² 以上にまで高めてい
る。さらに一回のエッチング量を少なくすることで、膜
強度のバラツキを小さくするとともに、硬度を高めると
よい。

【００２８】本発明にて規定する動的押し込み硬さは島
津製作所製の超微小硬度計DYNAMICULTRA MICRO HARDNES
S TESTER （ＤＵＨ−２０１・２０２）を使用してダイ
ナミック硬さでもって表す。この測定方法によれば、電
磁石により圧子（三角すい圧子）を試料に押しつけ、こ
の押圧力を０．１ｇの荷重まで一定の割合で増加させ、
圧子が試料に侵入していく過程で、圧子の試料への侵入
深さを自動計測するものであって、その際に生じるくぼ
みの大きさを顕微鏡にて測定し、塑性変形分から硬さの
値を得る。

【００２９】かくして上記構成のように表面保護層５の
動的押し込み硬さを９０ｋｇｆ／ｍｍ² 以上であり、フ
ッ素含有量を１２〜３５原子％にしたことで、優れた耐
刷性が得られ、紙などでもって擦れる度合いが著しく低
減し、これによって優れた耐久性が得られ、画像流れが
発生しない高性能な感光体となった。

【００３０】さらに本発明においては、上記のような表
面保護層５に対し、ボンバード処理をおこない、これに
よって膜の剥がれが発生しないようにしている。この点
を、つぎの表面保護層の形成方法にて述べる。

【００３１】表面保護層５の形成方法つぎに上記構成の表面保護層５の形成方法を図３および
図４により述べる。

【００３２】図３（イ）〜（ニ）は表面保護層５の形成
方法Ａを示す各工程図であって、図４（イ）〜（ホ）は
表面保護層５の他の形成方法Ｂを示す各工程図である。

【００３３】〔表面保護層５の形成方法Ａについて〕以
下、図３の各工程（イ）〜（ニ）を述べる。

【００３４】（イ）工程：光導電層４の上にグロー放電
法によりシリコンカーバイド（ＳｉＣ）もしくはカーボ
ン（Ｃ）からなるアモルファス層６ａを成膜形成する。

【００３５】（ロ）工程：フッ素を含むガスによりエッ
チング処理する。このエッチング処理はＣＦ₄ガス、Ｎ
Ｆ₃ガス、ＳＦ₆ガス、Ｃ₂Ｆ₆ガス、Ｆ₂ガス、ＣｌＦ₃
ガス、ＣＨＦ₃ガス、ＣＨ₂Ｆ₂ガス、ＣＨ₃Ｆガスなどの
ガスを用いて、たとえばＣＦ₄ガスを使用した場合であ
れば、真空度０．３５トール（torr）、基板温度２７０
℃、高周波電力２００Ｗという条件でもってプラズマ化
し、これによってアモルファス層６ａの表面から内部に
漸次フッ素を侵入させると同時に、表面がエッチングさ
れる。６ｂはアモルファス層６ａのうちフッ素が侵入し
ていない領域（フッ素未侵入領域）、６ｃはフッ素化領
域、６ｄはアモルファス層６ａのうち上層領域のエッチ
ング処理された領域（エッチング領域）である。

【００３６】なお、上記の真空度を０．３５トール（to
rr）と表記したが、これは４６０００Ｐａに相当する
（１Ｔｏｒｒ＝１３３３２０Ｐａ）。以下、このような
ガス圧はTorr単位で表記するが、これをＰａに換算する
ことができる。

【００３７】また、エッチングレートが膜質に影響する
こともわかり、エッチングレートを５０〜５００Å／
分、好適には１００〜２５０Å／分に規定することで、
膜表面に対するダメージが小さくなり、膜剥がれや画像
欠陥等が発生しなくなるとともに、十分にフッ素化処理
される。

【００３８】フッ素化領域６ｃにおいては、エッチング
処理されたことで、水素原子がフッ素原子に置換された
り、終端部にフッ素原子が結合し、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｆ₂、
Ｃ−Ｆ₃などの官能基が生成され、とくにＣ−Ｆ₂が多く
生成される。そして、これらの生成物は疎水性を高める
のに顕著な効果がある。これら各官能基の量はフーリエ
変換赤外分光光度計により測定する。

【００３９】（ハ）工程：（ロ）工程のエッチング処理
によりフッ素化領域６ｃが形成されるが、そのエッチン
グ処理をさらに進行させると同時にエッチング領域６ｄ
もさらに大きくすることで、実質上フッ素未侵入領域６
ｂがない程度にまでエッチング処理を進める。これによ
ってアモルファス層６ａの全体がフッ素化されるまでエ
ッチング処理してフッ素化アモルファス層６ｅとなす。

【００４０】（ニ）工程：フッ素化アモルファス層６ｅ
に対し、水素ガスを用いてボンバード処理をおこなう。

【００４１】（イ）工程〜（ニ）工程を一サイクルとし
て、このサイクルを繰り返すことで複数のフッ素化アモ
ルファス層６ｅを積層する。たとえば、（イ）工程にて
アモルファス層６ａを２０００Åの厚みで成膜形成し、
（ロ）工程〜（ニ）工程によって１０００〜１５００Å
にする。そして、このようなサイクルを５回繰り返すこ
とで、すなわちフッ素化アモルファス層６ｅを５層積層
することで、表面保護層５を形成する。

【００４２】かくして表面保護層５の形成方法Ａによれ
ば、結合エネルギの大きなＣ−Ｆ系の官能基が形成され
ることで、表面自由エネルギが大幅に小さくなり、耐酸
化性に優れ、これにより、放電生成物が付着されにくく
なり、現像剤に働く力がほとんど静電引力となって転写
性が改善され、その結果、画像流れが発生しなくなっ
た。そして、放電生成物がわずかに付着されても、表面
硬度が高くなったことで、クリーニング手段や紙などで
もって容易にクリーニングができ、トナーの付着を抑制
したり、防止することができる。

【００４３】加えて本発明においては、フッ素化アモル
ファス層６ｅを形成した際に（ニ）の工程にて水素ガス
を用いてボンバード処理をおこなうことで、その上につ
ぎのフッ素化アモルファス層６ｅを積層しても、その間
での接着力が高くなり、これによって積層構造の表面保
護層５において膜剥がれが生じなくなった。

【００４４】本発明者はボンバード処理によりフッ素化
アモルファス層６ｅの表面自由エネルギーが変化する
が、その変化により膜の密着性が向上すると考える。

【００４５】この点をさらに述べると、２種類の異なる
物質が接着（付着）するためには、その両者に接着を促
す力が必要になるが、その力が分子間力（van del waal
s力）と呼ばれる。分子間力には分散力、双極子力、誘
起双極子力、水素結合等の力があり、つまり接着力を高
めるということは、接着面との分子間力を高く必要があ
る。

【００４６】一方、液体や固体表面付近は内側と比較し
て内部エネルギーが高い状態にあるが、一般にエネルギ
ーというものは、できるだけ低エネルギーになることで
安定状態が得られ、実際目に見えている現実というもの
は、安定な状態つまりその物質の系がとり得る最低エネ
ルギーの状態で存在する。そのため、この場合、表面に
ついては、できるだけエネルギーを低くしようとするた
めに表面張力が発生するが、表面張力は液体表面を等温
的に単位面積だけ増加する時の仕事に等しく、したがっ
て表面積毎に蓄えられるギブスの自由エネルギー、すな
わち表面自由エネルギーを表している。

【００４７】表面張力の起源は分子間力にあり、表面自
由エネルギーの大きさを知ることで、表面の分子間力の
大小を知ることができ、接着力を増すということは分子
間力を増大させることであり、分子間力を増大させると
いうことは、表面自由エネルギーの値を増やすことにな
る。

【００４８】以上の理論により、ボンバード処理により
フッ素化アモルファス層６ｅの表面自由エネルギーを大
きくすることで、つぎのフッ素化アモルファス層６ｅを
積層しても、その間での接着力が高くなり、積層構造の
表面保護層５において膜剥がれが生じなくなる。

【００４９】また、本発明においては、望ましくは２層
〜１５層〔サイクル数：２〜１５〕、最適には３層〜１
０層〔サイクル数：３〜１０〕のフッ素化アモルファス
層６ｅを積層することで、膜の密着性を高め、電子写真
特性を向上させた表面保護層５となる。

【００５０】さらに望ましくは、上記工程により得られ
た表面保護層５の最表面に対し、水素ガスを用いてボン
バード処理をおこなってもよく、これによって最表面の
マイナスの極性を水素により電気的に中性化し、その結
果、プラスのトナーの付着性を弱め、画像のかぶり現象
が防止されるという点でよい。

【００５１】〔表面保護層５の形成方法Ｂについて〕つ
ぎに図４に示すような表面保護層５の他の形成方法Ｂを
述べる。この形成方法Ｂにおいては、上述した形成方法
Ａに比べて（ハ）工程を除いている。すなわち、（ロ）
工程のエッチング処理によりフッ素化領域６ｃが形成さ
れるが、フッ素未侵入領域６ｂが残存する程度にエッチ
ング処理を進める。そして、つぎのフッ素化アモルファ
ス層６ｅに対し、水素ガスを用いてボンバード処理をお
こなう（ニ）の工程をおこなうことで、一サイクルとし
て、このサイクルを繰り返すことでフッ素化領域６ｃと
フッ素未侵入領域６ｂとを交互に積層させ、表面保護層
５をなす。

【００５２】このようにフッ素未侵入領域６ｂが表面保
護層５内に存在してもよいが、前述の形成方法Ａのよう
にフッ素未侵入領域６ｂが存在しない方が成膜の信頼性
が向上し、安定した電子写真特性が得られ、さらに生産
歩留りも高められる。

【００５３】表面保護層５の形成方法Ａおよび形成方法
Ｂのいずれにおいても、アモルファス層６ａの膜厚を
０．０１〜１μｍ、好適には０．０５〜０．５μｍにす
るとよく、この範囲内であれば、適度な量でもってエッ
チングされ、膜全体に対しフッ素化が容易になるという
点でよい。

【００５４】フッ素化領域６ｃについても、膜厚を０．
００５〜０．５μｍ、好適には０．０３〜０．３μｍに
するとよく、この範囲内であれば、耐久性および電位特
性の双方を高めるという点でよい。

【００５５】そして、このように成膜した表面保護層５
の膜厚を０．１〜１．５μｍ、好適には０．２〜１．０
μｍにするとよく、この範囲内であれば、耐久性および
電位特性の双方を高めるという点でよい。

【００５６】さらに形成方法Ｂについては、フッ素未侵
入領域６ｂの膜厚を０．００１〜０．０５μｍ、好適に
は０．００１〜０．０１μｍにするとよく、この範囲内
であれば、適度な量でもってエッチングされて均等な膜
厚が得られ、安定した膜厚となり、しかも、画像流れが
発生しなくなるという点でよい。

【００５７】この形成方法Ｂにおいても、望ましくは２
積層〜１５積層〔サイクル数：２〜１５〕、最適には３
積層〜１０積層〔サイクル数：３〜１０〕の範囲にて表
面保護層５を構成するとよい。

【００５８】〔アモルファス層６ａの材質について〕
（イ）工程にて成膜形成するアモルファス層６ａはシリ
コンカーバイド（ＳｉＣ）またはカーボン（Ｃ）からな
るが、ａ−Ｃ膜はａ−ＳｉＣ膜に比べて硬度が小さいこ
とから、ａ−ＳｉＣ膜にて形成するのがよい。そのため
に原子組成比率Ｓｉ_XＣ_1-XのＸ値を０．５以下、好適に
は０．３以下、最適には０．１以下にするとよい。そし
て、このようにＳｉを減少させたままで含有させること
で耐コロナ性が向上する。ただし、ａ−Ｃ膜について
は、ガス希釈することで硬度を大きくすることができる
が、ａ−ＳｉＣ膜にて得られる程度の硬度が得られない
場合がある。

【００５９】画像形成装置の構成図２は本発明の感光体を搭載したプリンター構成の画像
形成装置７であり、８は感光体であり、この感光体８の
周面にコロナ帯電器９と、その帯電後に光照射する露光
器１０（ＬＥＤヘッド）と、トナー像を感光体８の表面
に形成するためのトナー１１を備えた現像機１２と、そ
のトナー像を被転写材１３に転写する転写器１４と、そ
の転写後に感光体表面の残留トナーを除去するクリーニ
ング手段１５と、その転写後に残余静電潜像を除去する
除電手段１６とを配設した構成である。また、１７は被
転写材１３に転写されたトナー像を熱もしくは圧力によ
り固着するための定着器である。

【００６０】このカールソン法は次の（１）〜（６）の
各プロセスを繰り返し経る。（１）感光体８の周面をコロナ帯電器９により帯電す
る。（２）露光器１０により画像を露光することにより、感
光体８の表面上に電位コントラストとしての静電潜像を
形成する。（３）この静電潜像を現像機１２により現像する。この
現像により黒色のトナーが静電潜像との静電引力により
感光体表面に付着し、可視化する。（４）感光体表面のトナー像を紙などの被転写材１３の
裏面よりトナーと逆極性の電界を加えて、静電転写し、
これにより、画像を被転写材１３の上に得る。（５）感光体表面の残留トナーをクリーニング手段１５
により機械的に除去する。（６）感光体表面を強い光で全面露光し、除電手段１６
により残余の静電潜像を除去する。

【００６１】なお、画像形成装置７はプリンターの構成
であるが、露光器１０に代えて原稿からの反射光を通す
レンズやミラーなどの光学系を用いれば、複写機の構成
の画像形成装置となる。

【００６２】また、この画像形成装置７には通常の乾式
現像を用いているが、その他、湿式現像に使用される液
体現像剤にも適用される。

【００６３】

【実施例】（例１）純度９９．９％のＡｌからなる円筒
状の基板の上に表１に示すような成膜条件（この条件は
一チェンバ内での値である）でもってグロー放電分解法
により電荷注入阻止層３および光導電層４を積層した。

【００６４】

【表１】

【００６５】ついで表面保護層５を形成方法Ａにより設
ける。まず、表２に示す（イ）工程の成膜条件によりカ
ーボン（Ｃ）からなるアモルファス層６ａを２０００Å
の厚みで成膜形成する。

【００６６】

【表２】

【００６７】つぎに表３に示す（ロ）工程の条件により
エッチング処理する。

【００６８】

【表３】

【００６９】表３のエッチング処理を続けることで、
（ハ）工程を経て、実質上フッ素未侵入領域６ｂがない
程度にまでエッチング処理を進め、これによって膜厚１
０００Åのフッ素化アモルファス層６ｅとなす。

【００７０】しかる後に表４に示すような条件でもって
（ニ）工程の水素ガスを用いたボンバード処理をおこな
う。

【００７１】

【表４】

【００７２】この条件によれば、高周波電力を５０〜５
００Ｗの範囲内にて、そして、処理時間を１〜５分間の
範囲内にて変えている。

【００７３】そして、高周波電力を１５０Ｗに定め、処
理時間を１〜５分間の範囲内にて変え、そして、フッ素
化アモルファス層６ｅの表面自由エネルギーを測定した
ところ、図５に示すような結果が得られた。

【００７４】同図から明らかなとおり、ボンバード処理
の時間を長くすると表面自由エネルギーが大きくなる傾
向にあり、３分経過することで４１ｍＮ／ｍ程度にまで
大きくなっている。

【００７５】つぎに（イ）工程〜（ニ）工程を一サイク
ルとして、このサイクルを５回繰り返すことでフッ素化
アモルファス層６ｅを５層積層し、動的押し込み硬さが
２５０ｋｇｆ／ｍｍ² であり、フッ素含有量が２４原子
％の表面保護層５を形成した。

【００７６】かくして得られた本発明の感光体におい
て、その表面保護層５の密着性を測定したところ、表５
に示すような結果が得られた。

【００７７】

【表５】

【００７８】膜の密着性はつぎのようにして測定した。
感光体を前記画像形成装置７に搭載し、そして、感光体
を５０ｒｐｍにて回転させるとともに、ラッピングフィ
ルム（アルミナ粒子（３μｍ径）を分散して、その表面
を荒している。このフィルムは２ｃｍ×９ｃｍの帯状を
なし、面積は１８ｃｍ²である）を２００ｇ〜２０００
ｇの荷重を加圧しながら接触させることで表面保護層の
状態を目視により確認することで、良否の判定をおこな
った。

【００７９】この判定には、その試験をおこなった後、
５分後の表面状態を光学式顕微鏡により１２５０倍にて
観察し、図６はまったく剥がれがなかった場合を、図７
は微小な剥がれが発生した場合を示す。

【００８０】本例では、同一条件にて３回繰り返しラッ
ピングテストをおこない、そして、良否判定の結果を３
とおりに区分し、○印は図６に示すようにまったく剥が
れなかった場合であり、△印は３回のテストのうち１回
のテストだけ、あるいは２回のテストについてだけ微小
な剥がれが発生した場合であり、×印は３回のテストと
も図７に示すような剥がれが発生した場合である。

【００８１】表５に示す結果から明らかなとおり、ボン
バード処理時間を長くして表面自由エネルギーを大きく
したことで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しなく
なったことがわかる。

【００８２】（例２）（例１）に示すように（イ）工程
〜（ニ）工程でもってボンバード処理したフッ素化アモ
ルファス層６ｅを成膜するに際し、その処理時間を３分
間に定め、高周波電力を５０〜５００Ｗの範囲内にて変
え、そして、フッ素化アモルファス層６ｅの表面自由エ
ネルギーを測定したところ、図８に示すような結果が得
られた。

【００８３】同図から明らかなとおり、高周波電力を大
きくすると表面自由エネルギーが大きくなる傾向にあ
り、２００Ｗになると４１ｍＮ／ｍ程度にまで大きくな
っている。

【００８４】つぎに（イ）工程〜（ニ）工程を一サイク
ルとして、このサイクルを５回繰り返すことでフッ素化
アモルファス層６ｅを５層積層し、動的押し込み硬さが
２５０ｋｇｆ／ｍｍ² であり、フッ素含有量が２４原子
％の表面保護層５を形成した。

【００８５】かくして得られた本発明の感光体におい
て、その表面保護層５の密着性を測定したところ、表６
に示すような結果が得られた。

【００８６】

【表６】

【００８７】同表に示す結果から明らかなとおり、高周
波電力を大きくして表面自由エネルギーを大きくしたこ
とで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しなくなった
ことがわかる。

【００８８】（例３）（例１）と（例２）にて膜剥がれ
がない良好な本発明の感光体について、前記画像形成装
置７（京セラ株式会社製エコシスＬＳ−３５５０、乾式
現像：トナー平均粒径８μｍ）に搭載し、この装置７に
設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時
ＯＦＦにして、感光体加熱をおこなわなかった。そし
て、カールソン法で画像形成して、３０万枚のランニン
グテストをおこない、画像流れと画質を測定したとこ
ろ、表７に示すような結果（ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなる表
面保護層）が得られた。

【００８９】

【表７】

【００９０】画像流れは３３℃、８５％湿度の環境下で
８時間放置し、その画質を３段階にて評価し、○印は画
像変化がまったくない場合であり、△印は一部画像が流
れた場合であり、×印は全面にわたって画像が流れた場
合である。

【００９１】画質は３段階にて評価し、黒ベタ、白ベタ
およびハーフトーン画像にて評価し、○印は黒ベタ濃度
・白ベタにおいてかぶりにまったく問題なく、また、ハ
ーフトーン画像にスジがまったく発生していない場合で
あり、△印はハーフトーン画像の一部にスジが発生して
いる場合であり、×印はハーフトーン画像の全面にわた
ってスジが発生している場合である。

【００９２】比較例として、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなる表
面保護層やａ−Ｃ：Ｈからなる表面保護層を表８および
表９に示すような成膜条件にて形成し、その他の層構成
を表１の通りにして、それぞれの感光体を作製し、同様
に評価したところ、表７に示すような結果が得られた。
なお、表９に示すＳｉＨ₄ガス量は８．３ＳＣＣＭから
２．５ＳＣＣＭに漸次減少させている。

【００９３】このようなａ−ＳｉＣ：Ｈからなる表面保
護層の動的押し込み硬さは３５０ｋｇｆ／ｍｍ² であ
り、ａ−Ｃ：Ｈからなる表面保護層の動的押し込み硬さ
は２００ｋｇｆ／ｍｍ² であった。

【００９４】

【表８】

【００９５】

【表９】

【００９６】表７に示す結果から明らかなとおり、本発
明のようなａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層を形成し
たことで、画像流れおよび画質の双方が向上しているこ
とがわかる。

【００９７】（例４）（例１）と（例２）にて膜剥がれ
がない良好な本発明の感光体について、表１０に示すよ
うにＲＦ電力を変えることで、表面保護層５のフッ素量
を規定した各種感光体Ａ〜Ｇを作製した。

【００９８】

【表１０】

【００９９】これらの感光体を画像形成装置７に搭載
し、画像流れと画質を評価測定したところ、表１１と表
１２に示すような結果が得られた。

【０１００】

【表１１】

【０１０１】

【表１２】

【０１０２】これらの表から明らかなとおり、本発明の
試料である感光体Ｃ〜Ｆは画像流れと画質の双方とも優
れている。しかし、感光体Ｇはフッ素含有量が多くなる
ことで結合状態において終端部が増え、原子間のネット
ワークが少なく、膜強度が弱くなったため、膜削れおよ
びキズが発生した。

【０１０３】（例５）（例１）と（例２）にて膜剥がれ
がない良好な本発明の感光体について、ａ−Ｃの表面保
護層を表１３に示すようなエッチング条件でもって、表
１４に示すようにＣＦ₄ガス流量をさまざまに変えるこ
とでエッチングも変え、これによって試料ａ〜ｈ（感光
体ａ〜ｈ）を作製した。

【０１０４】

【表１３】

【０１０５】

【表１４】

【０１０６】そして、各感光体ａ〜ｈに対し同様に画像
流れと画質を評価測定したところ、表１５と表１６に示
すような結果が得られた。

【０１０７】

【表１５】

【０１０８】

【表１６】

【０１０９】以上のとおり、本発明の試料ｃ〜ｆによう
にエッチングレートを５０〜５００Å／分にしたこと
で、画像変化がまったくなく、さらに黒ベタ濃度・白ベ
タにおいてかぶりにまったくなくなった。

【０１１０】（例６）（例１）〜（例５）はａ−Ｃ：
Ｈ：Ｆからなる表面保護層を形成した場合であるが、以
下、これに代えてａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆからなる表面保護
層を形成した場合を説明する。

【０１１１】表１に示すような成膜条件でもって電荷注
入阻止層３および光導電層４を積層し、その上にａ−Ｓ
ｉＣ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層５を形成方法Ａにより
設ける。その場合、表１７に示す（イ）工程の成膜条件
によりａ−ＳｉＣ：Ｈからなるアモルファス層６ａを２
０００Åの厚みで成膜形成する。

【０１１２】

【表１７】

【０１１３】つぎに表１８に示す（ロ）工程の条件によ
りエッチング処理する。

【０１１４】

【表１８】

【０１１５】表１８のエッチング処理を続けることで、
（ハ）工程を経ることで、実質上フッ素未侵入領域６ｂ
がない程度にまでエッチング処理を進め、これによって
膜厚１０００Åのフッ素化アモルファス層６ｅとなす。

【０１１６】しかる後に表４に示すような条件でもって
（ニ）工程の水素ガスを用いたボンバード処理をおこな
う。

【０１１７】本例においても、高周波電力を５０〜５０
０Ｗの範囲内にて、そして、処理時間を１〜５分間の範
囲内にて変えている。

【０１１８】そして、高周波電力を１５０Ｗに定め、処
理時間を１〜５分間の範囲内にて変え、そして、フッ素
化アモルファス層６ｅの表面自由エネルギーを測定する
と、前述しようにボンバード処理の時間を長くすると表
面自由エネルギーが大きくなる傾向にある。

【０１１９】つぎに（イ）工程〜（ニ）工程を一サイク
ルとして、このサイクルを５回繰り返すことでフッ素化
アモルファス層６ｅを５層積層し、動的押し込み硬さが
３００ｋｇｆ／ｍｍ² であり、フッ素含有量が２１原子
％の表面保護層５を形成した。

【０１２０】かくして得られた本発明の感光体におい
て、その表面保護層５の密着性を測定したところ、表１
９に示すような結果が得られた。

【０１２１】

【表１９】

【０１２２】表１９に示す結果から明らかなとおり、ボ
ンバード処理時間を長くして表面自由エネルギーを大き
くしたことで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しな
くなったことがわかる。

【０１２３】（例７）（例６）に示すように（イ）工程
〜（ニ）工程でもってボンバード処理したフッ素化アモ
ルファス層６ｅを成膜するに際し、その処理時間を３分
間に定め、高周波電力を５０〜５００Ｗの範囲内にて変
え、そして、フッ素化アモルファス層６ｅの表面自由エ
ネルギーを測定したところ、前述のとおり、高周波電力
を大きくすると表面自由エネルギーが大きくなる傾向に
ある。

【０１２４】つぎに（イ）工程〜（ニ）工程を一サイク
ルとして、このサイクルを５回繰り返すことでフッ素化
アモルファス層６ｅを５層積層し、動的押し込み硬さが
３００ｋｇｆ／ｍｍ² であり、フッ素含有量が２１原子
％の表面保護層５を形成した。

【０１２５】かくして得られた本発明の感光体におい
て、その表面保護層５の密着性を測定したところ、表２
０に示すような結果が得られた。

【０１２６】

【表２０】

【０１２７】同表に示す結果から明らかなとおり、高周
波電力を大きくして表面自由エネルギーを大きくしたこ
とで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しなくなった
ことがわかる。

【０１２８】（例８）（例６）と（例７）にて膜剥がれ
がない良好な本発明の感光体について、前記画像形成装
置７（京セラ株式会社製エコシスＬＳ−３５５０、乾式
現像：トナー平均粒径８μｍ）に搭載し、この装置７に
設けられた感光体加熱用ヒーターのスイッチングを常時
ＯＦＦにして、感光体加熱をおこなわなかった。そし
て、カールソン法で画像形成して、３０万枚のランニン
グテストをおこない、画像流れと画質を測定したとこ
ろ、表２１に示すような結果（ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆから
なる表面保護層）が得られた。

【０１２９】

【表２１】

【０１３０】比較例として、（例１）に示すａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈからなる表面保護層やａ−Ｃ：Ｈからなる表面保
護層を記す。

【０１３１】表２１に示す結果から明らかなとおり、本
発明のようなａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層を
形成したことで、画像流れおよび画質の双方の点が著し
く向上していることがわかる。

【０１３２】（例９）（例６）と（例７）にて膜剥がれ
がない良好な本発明の感光体について、表２２に示すよ
うにＲＦ電力を変えることで、表面保護層５のフッ素量
を規定した各種感光体Ａ〜Ｇを作製した。

【０１３３】

【表２２】

【０１３４】これらの感光体を画像形成装置７に搭載
し、画像流れと画質を評価測定したところ、表２３と表
２４に示すような結果が得られた。

【０１３５】

【表２３】

【０１３６】

【表２４】

【０１３７】これらの表から明らかなとおり、本発明の
試料である感光体Ｃ〜Ｆは画像流れと画質の双方とも優
れている。しかし、感光体Ｇはフッ素含有量が多くなる
ことで結合状態において終端部が増え、原子間のネット
ワークが少なく、膜強度が弱くなったため、膜削れおよ
びキズが発生した。

【０１３８】（例１０）（例６）と（例７）にて膜剥が
れがない良好な本発明の感光体について、表２５に示す
ようなエッチング条件でもって、表２６に示すようにＣ
Ｆ₄ガス流量をさまざまに変えることでエッチングも変
え、これによって試料ａ〜ｈ（感光体ａ〜ｈ）を作製し
た。

【０１３９】

【表２５】

【０１４０】

【表２６】

【０１４１】そして、各感光体ａ〜ｈに対し同様に画像
流れと画質を評価測定したところ、表２７と表２８に示
すような結果が得られた。

【０１４２】

【表２７】

【０１４３】

【表２８】

【０１４４】以上のとおり、本発明の試料ｃ〜ｆによう
にエッチングレートを５０〜５００Å／分にしたこと
で、画像流れと画質の双方とも優れている。

【０１４５】（例１１）（例１）〜（例５）はａ−Ｃ：
Ｈ：Ｆからなる表面保護層を形成した場合であり、（例
６）〜（例１０）はａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆからなる表面保
護層を形成した場合であるが、以下、これに代えて（例
１）に示すように（ニ）工程の水素ガスを用いたボンバ
ード処理をおこなったａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなるフッ素化
アモルファス層６ｅと、（例６）に示すように（ニ）工
程の水素ガスを用いたボンバード処理をおこなったａ−
ＳｉＣ：Ｈ：Ｆからなるフッ素化アモルファス層６ｅと
を、それぞれ交互に積層し、全層を６層にした表面保護
層５を成膜した。

【０１４６】そして、（イ）工程〜（ニ）工程を一サイ
クルとして、上述のようにサイクルを６回繰り返すこと
でフッ素化アモルファス層６ｅを６層積層し、動的押し
込み硬さが３００ｋｇｆ／ｍｍ²の表面保護層５を形成
した。

【０１４７】かくして得られた本発明の感光体におい
て、その表面保護層５の密着性を測定したところ、表２
９に示すような結果が得られた。

【０１４８】

【表２９】

【０１４９】表２９に示す結果から明らかなとおり、ボ
ンバード処理時間を長くして表面自由エネルギーを大き
くしたことで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しな
くなったことがわかる。

【０１５０】（例１２）（例１１）に示すように（イ）
工程〜（ニ）工程でもってボンバード処理したフッ素化
アモルファス層６ｅを成膜するに際し、その処理時間を
３分間に定め、高周波電力を５０〜５００Ｗの範囲内に
て変え、そして、その表面保護層５の密着性を測定した
ところ、表３０に示すような結果が得られた。

【０１５１】

【表３０】

【０１５２】同表に示す結果から明らかなとおり、高周
波電力を大きくして表面自由エネルギーを大きくしたこ
とで、膜の密着性が向上し、剥がれが発生しなくなった
ことがわかる。

【０１５３】（例１３）つぎの本例では、上述した
（ニ）工程の水素ガスを用いてボンバード処理をおこな
った各フッ素化アモルファス層６ｅにおける好適な表面
自由エネルギーを前述した各例にしたがって求めたとこ
ろ、表３１に示すような結果が得られた。

【０１５４】

【表３１】

【０１５５】同表の「ａ−Ｃ膜―ａ−Ｃ膜の積層」は
（例１）〜（例５）にて述べたａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなる
表面保護層の場合であり、「ａ−ＳｉＣ膜―ａ−ＳｉＣ
膜の積層」は（例６）〜（例１０）にて述べたａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層の場合である。さらに
「ａ−Ｃ膜―ａ−ＳｉＣ膜の積層」は（例１１）と（例
１２）にて述べたａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなるフッ素化アモ
ルファス層６ｅとａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｆからなるフッ素化
アモルファス層６ｅとを、それぞれ交互に積層した表面
保護層５の場合である。

【０１５６】（例１４）つぎに（例１）〜（例５）にて
説明したａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層において、
本例においては、さらに最表面に対しボンバード処理に
関する作用効果を説明する。

【０１５７】表３２に示されるように、従来の単一の組
成のａ−Ｃ：Ｈ：Ｆからなる表面保護層を３種類作成
し、それらを感光体１、感光体２および感光体３とす
る。

【０１５８】

【表３２】

【０１５９】また、（例１）にて述べているような表面
保護層５の形成方法Ａにしたがって、表３３に示す成膜
条件により感光体４、感光体５および感光体６を作製し
た。

【０１６０】

【表３３】

【０１６１】そして、これら感光体において、コロナ暴
露時の表面自由エネルギおよび５時間後の表面自由エネ
ルギを測定したところ、表３４に示すような結果が得ら
れた。

【０１６２】

【表３４】

【０１６３】つぎに各感光体について、画像流れの評価
をおこなった。京セラ製ＬＳ−３５５０（ＥＣＯＳＹ
Ｓ）を使用し、ドラムヒータは常時、OFFとした。そし
て、２５℃、５０％の環境にて１０００枚耐刷した後、
３３℃、８５％の環境に移し、８時間放置した後の画像
を確認した。また、画像流れ以外には、画質およびトナ
ー付着性も評価したところ、表３５に示すような結果が
得られた。

【０１６４】

【表３５】

【０１６５】各評価を５段階に分け、◎、〇、△、×、
××という順序にて劣化するものとした。

【０１６６】表３５に示す結果から明らかなとおり、従
来の感光体３においてもトナー付着がないが、本発明の
ようにフッ素を含む表面保護層を形成すると、いずれも
トナー付着が生じていた。

【０１６７】さらに感光体４〜６について、ボンバード
ガスをアルゴン、窒素、水素の３種類を用いて、表３６
に示す条件にてボンバード処理をおこなって、同様に画
像流れ、トナー付着性およびかぶりを測定したところ、
表３７に示すような結果が得られた。

【０１６８】

【表３６】

【０１６９】

【表３７】

【０１７０】同表から明らかなとおり水素ガスを用いる
ことで、トナー付着およびかぶりが改善されていること
がわかる。

【０１７１】さらにまた、感光体６について高周波電力
を変化させ、同様に画像流れ、トナー付着性およびかぶ
りを測定したところ、表３８に示すような結果が得られ
た。

【０１７２】

【表３８】

【０１７３】高周波電力が１００Ｗ〜５００Ｗの範囲に
おいては、良好な結果が得られ、一方、電力が低いとボ
ンバードによる効果が小さくなり、トナー付着性および
かぶりが改善されていないことがわかる。

【０１７４】

【発明の効果】以上のとおり、本発明の感光体の製法に
よれば、フッ素含有のアモルファスシリコンカーバイド
（ａ−ＳｉＣ）もしくはアモルファスカーボン（ａ−
Ｃ）からなる表面保護層を作製するに当り、光導電層上
にグロー放電法によりシリコンカーバイド（ＳｉＣ）も
しくはカーボン（Ｃ）からなるアモルファス層を成膜形
成し、ついでこのアモルファス層に対しフッ素を含むガ
スをプラズマ化してエッチング処理すると同時に、フッ
素を１２〜３５原子％含有させ、その後にボンバード処
理をおこなう工程を複数回繰り返すことで表面保護層を
形成したことで、膜剥がれが発生しなくなり、高寿命か
つ高耐久性の感光体が得られた。

【０１７５】また、本発明の製法においては、優れた耐
刷性が得られ、紙などでもって擦れる度合いが著しく低
減し、しかも、感光体加熱用のヒーターを設けない程度
にまで表面の疎水性を高めて、画像流れが発生しなくな
り、さらに電位特性のバラツキがなくなり、その結果、
高耐久性、高性能、高信頼性、かつ低コストの感光体が
提供できた。

【０１７６】しかも、かかる表面保護層に対し、さらに
水素ガスを用いてボンバード処理をおこなうことで、最
表面のマイナスの極性を水素により電気的に中性化し、
これによってプラスのトナーの付着性を弱め、その結
果、画像のかぶり現象が防止された。

【０１７７】また、本発明の画像形成装置は、上記本発
明の感光体を装着することで、感光体用のヒーターを設
けなくてもよく、これにより、構造上簡単となり、製造
歩留りが向上し、さらに部品点数が少なくなることで優
れた耐久性が得られ、その結果、低コストかつ高信頼性
の画像形成装置が提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施形態に係る感光体の層構成を示す断
面図である。

【図２】本発明の画像形成装置の概略図である。

【図３】（イ）、（ロ）、（ハ）および（ニ）は本発明
に係る表面保護層の形成方法を示す工程図である。

【図４】（イ）、（ロ）および（ホ）は本発明に係る表
面保護層の他の形成方法を示す工程図である。

【図５】フッ素を含むガスにてエッチング処理したアモ
ルファス層における処理時間と表面自由エネルギーとの
関係を示す線図である。

【図６】光学式顕微鏡により膜剥がれがない状態を示す
写真図である。

【図７】光学式顕微鏡により微小な膜剥がれが発生した
状態を示す写真図である。

【図８】フッ素を含むガスにてエッチング処理したアモ
ルファス層における高周波電力のパワー（Ｗ）と表面自
由エネルギーとの関係を示す線図である。

【符号の説明】

１、８感光体２導電性基板３電荷注入阻止層４光導電層５表面保護層６ａアモルファス層６ｂフッ素未侵入領域６ｃフッ素化領域６ｄエッチング領域６ｅフッ素化アモルファス層７画像形成装置９コロナ帯電器１０露光器１２現像機１４転写器１５クリーニング手段１６除電手段１７定着器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に光導電層を形成し、該光導
電層上にグロー放電法によりシリコンカーバイドもしく
はカーボンからなるアモルファス層を成膜形成し、つい
でこのアモルファス層に対しフッ素を含むガスをプラズ
マ化してエッチング処理すると同時に、膜内にフッ素を
１２〜３５原子％含有させ、その後にボンバード処理を
おこなう工程を複数回繰り返すことで表面保護層を形成
したことを特徴とする感光体の製法。
【請求項２】請求項１の製法により得られた感光体と、
該感光体の表面に電荷を付与する帯電手段と、感光体の
帯電領域に対して光照射する露光手段と、これら帯電手
段と露光手段とにより感光体表面に形成された静電潜像
に対してトナー像を感光体の表面に形成する現像手段
と、上記トナー像を被転写材に転写する転写手段と、該
転写後に感光体表面の残留トナーを除去するクリーニン
グ手段と、転写後に残余静電潜像を除去する除電手段と
を配設した画像形成装置。