JP2002176066A - Semiconductor memory medium and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor memory medium and manufacturing method thereof

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JP2002176066A
JP2002176066A JP2000374964A JP2000374964A JP2002176066A JP 2002176066 A JP2002176066 A JP 2002176066A JP 2000374964 A JP2000374964 A JP 2000374964A JP 2000374964 A JP2000374964 A JP 2000374964A JP 2002176066 A JP2002176066 A JP 2002176066A
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transfer molding
clearance
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JP2000374964A
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Masashi Toda
真史 遠田
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Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor memory medium which realizes thinning and miniaturization and a semiconductor memory medium manufactured by this method. SOLUTION: A terminal surface 11 is provided on at least one surface of a substrate 10. Electronic components (20, 21,...) are mounted on at least one or the other surface of the substrate 10. Stud components (30a, 30b) are fixed to specified positions on the substrate. The thickness of the stud components or the substrate is adjusted to equalize the clearance between one surface of the substrate and a cavity C wall surface to the clearance between the other surface of the substrate and the wall surface (about 1:1), the substrate is set in a transfer molding cavity, the entire substrate surface is sealed with a thermosetting resin and the substrate is transfer-molded so as to integrate with the stud components with at least terminal parts exposed, while suppressing the position variation of the substrate in the transfer mold process.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶媒体およびその製造方法に関し、特にメモリカードなどの複数の電子機器間でのデータの授受を取り扱うことが可能な半導体記憶媒体およびその製造方法に関する。 The present invention relates to relates to a semiconductor storage medium and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor storage medium capable of handling data exchange between a plurality of electronic devices such as a memory card and a manufacturing method thereof.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、メモリカードなどの半導体記憶媒体はその普及の速度を一段と速めてきており、ポータブルビデオカメラ、ノートパソコン、デジタルスチルカメラ、携帯型音楽プレーヤなど、その搭載機器は幅を広げている。 In recent years, a semiconductor storage medium such as a memory card has been accelerated further the speed of its spread, portable video camera, a laptop, a digital still camera, a portable music player, will broaden its onboard equipment ing. 上記の電子機器の小型化、薄型化、軽量化に対する要求は強くなる一方であり、これに応えるために近年のVLSIなどの半導体装置においては3年で7割の縮小化を実現してきた一方、メモリカードなどの半導体記憶媒体についても、小型化および薄型化が要求されている。 Miniaturization of the electronic devices, thinner, demands for weight reduction is in one made stronger, whereas has been realized 70% of reduction in 3 years in the semiconductor device such as a recent VLSI To meet this, a semiconductor memory medium such as a memory card also smaller and thinner is required. 特に、インターネットに接続できる携帯電話機にメモリカードなどの半導体記憶媒体を搭載することが検討されており、携帯電話機の実装密度は情報家電機器および携帯型電子機器のなかでも最も高いことから、搭載されるメモリカードなどの半導体記憶媒体への小型化および薄型化の要求がさらに強まっている。 In particular, it has been considered to mount a semiconductor storage medium such as a memory card in a mobile phone with Internet access, the packing density of the cellular phone because the highest Among the information home appliance and a portable electronic device, is mounted demand for downsizing and thinning of the semiconductor storage medium such as a memory card is further strengthened that.

【0003】図8(a1)は、従来のメモリカードに用いられる電子部品を実装した回路基板の平面図であり、 [0003] FIG. 8 (a1) is a plan view of a circuit board mounted with electronic components used in conventional memory card,
図8(a2)は(a1)中のA−A'における断面図である。 Figure 8 (a2) is a sectional view taken along A-A 'in (a1). 回路基板110には、端子部111が設けられており、端子部111に接続するように不図示の印刷回路が設けられている。 The circuit board 110, the terminal portion 111 is provided, the printed circuit as not shown is connected to the terminal portion 111 is provided. 上記の回路基板111上に、メモリチップ120、スイッチ部121、コントロールICチップ122、リセットICチップ123、および、水晶振動子124などの電子部品が実装されている。 Above on the circuit board 111, a memory chip 120, the switch unit 121, a control IC chip 122, the reset IC chip 123 and, electronic components such as a crystal oscillator 124 are mounted.

【0004】図8(b)は上記のメモリカードの製造方法を示す模式的断面図であり、図8(a1)および(a [0004] FIG. 8 (b) is a schematic cross-sectional views showing a manufacturing method of the memory card, FIG. 8 (a1) and (a
2)に示した電子部品を実装した回路基板を上側筐体1 The circuit board mounted with electronic components shown in 2) the upper housing 1
30aおよび下側筐体130bにより挟み込み、超音波溶着などの方法により、両筐体間および各筐体と実装基板間を固着する。 Sandwiched by 30a and a lower housing 130b, by a method such as ultrasonic welding, fixed between the mounting substrate and both bodies and between the housings. 上記において、端子部111および場合によってはスイッチ部121の操作部を筐体外に露出させるように、上側筐体130aおよび下側筐体130 In the above, as is the terminal portion 111 and the case to expose the operation portion of the switch unit 121 to the outside of the housing, the upper housing 130a and a lower housing 130
bからなる筐体部分の設計がなされている。 Design of the housing part consisting of b have been made.

【0005】上記のようなメモリカードは、1チップI [0005] The memory card, such as described above, 1 chip I
C化に成功しているいわゆるICカードに比べて大容量のデータを扱う記憶媒体であるため、さらに大容量のメモリチップの需給がひっ迫しているために、カスタム仕様のメモリチップを得ることが困難となっているため、 Because in comparison with the so-called IC card which has successfully C of a storage medium with large volumes of data, because of further supply and demand of large-capacity memory chips tight, to obtain a memory chip custom because it has become difficult,
通常、記憶領域となるメモリチップ120の他にコントロールICチップ122が搭載される。 Usually, in addition to the control IC chip 122 of the memory chip 120 is mounted as a storage area.

【0006】上記のメモリカードにおいては、メモリ媒体ということで、データの消去防止用のスイッチ部12 [0006] In the memory card, that the memory medium, the switch 12 for erasing preventing data
1が設けられている。 1 is provided. また、電源投入時にコントロールICチップが誤作動してメモリチップ内のメモリ内容を消去しないように、リセットICチップ123が搭載されている。 Moreover, so as not to erase the memory contents in the memory chip control IC chip is malfunctioning when the power is turned on, the reset IC chip 123 is mounted. さらに、信号の同期を独立してとるために水晶振動子124が搭載されている。 Furthermore, crystal oscillator 124 is mounted to take independent synchronization signals. この他、上記の水晶振動子124の動作安定化のために抵抗部品が搭載され、カードの静電気対策のためにダイオードが搭載され、誤作動防止の観点から電源のインピーダンスを下げるためにコンデンサが搭載されることが多く、このように、上記のメモリカードを構成する電子部品は20点以上にも及ぶ。 In addition, the resistive component is mounted for operation stabilization of the crystal resonator 124 is mounted diode for ESD protection of the card, the capacitor is mounted in order to reduce the power of the impedance from the viewpoint of preventing malfunction it is often the thus, the electronic components constituting the memory card extends to more than 20 points.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記のようなメモリカードはその薄型化および小型化が困難となっている。 The object of the invention is to, however, the memory card, such as described above its thinner and smaller is difficult. 即ち、上記のようなメモリカードにおいて、一般的に用いられる基板はガラスエポキシ基板で、 That is, in the memory card as described above, the substrate commonly used is a glass epoxy substrate,
その厚さは例えば0.4mm程度であり、また、実装される電子部品の高さは0.7〜1.0mm程度であり、 Its thickness is, for example, 0.4mm or so, also, the height of the electronic component to be mounted is about 0.7 to 1.0 mm,
さらに各筐体の厚さはそれぞれ0.5mm程度であり筐体と基板、電子部品と筐体のクリアランスを考慮すると、組み立て後のメモリカードの厚さは2〜3mm程度となってしまうためである。 Further the thickness of each housing are each approximately 0.5mm housing and the substrate, in consideration of the clearance of the electronic component and the housing, with the thickness of the memory card after the assembly becomes about 2~3mm is there. このような厚いメモリカードを携帯電話機に搭載する場合、メモリカード用スロットなどの付加される機構部品まで考慮すると、携帯電話機本体がかなり厚くなってしまう。 When mounting such a thick memory card to the mobile phone, when considering to mechanical components to be added such as for a memory card slot, the mobile phone body becomes quite thick.

【0008】本発明は上記の状況に鑑みてなされたものであり、従って本発明の目的は、メモリカードなどの半導体記憶媒体のさらなる薄型化および小型化を実現できる半導体記憶媒体の製造方法と、この方法により製造された半導体記憶媒体を提供することである。 [0008] The present invention has been made in view of the above circumstances, an object of the present invention is therefore a method for manufacturing a semiconductor storage medium capable of realizing a further reduction in thickness and size of the semiconductor storage medium such as a memory card, to provide a semiconductor storage medium manufactured by this method.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、少なくとも一方の面に端子面が設けられた基板の少なくとも該一方の面あるいは他方の面上に電子部品を実装する工程と、 To achieve the above object, according to an aspect of manufacturing method of the semiconductor memory medium of the present invention, at least the one surface or the other surface of the substrate terminal surface on at least one surface is provided a step of mounting an electronic component on top,
上記基板の所定の位置にコマ部品を固着する工程と、上記基板をトランスファーモールド用キャビティ内にセットする工程と、少なくとも上記端子部を露出させながら、上記コマ部品と一体となるように、上記基板を全面に熱硬化性樹脂で封止するトランスファーモールド工程とを有する。 A step of fixing the frame components to a predetermined position of the substrate, a step of setting the substrate to a transfer mold for the cavity while exposing at least the terminal part, so that the frame component and integrally, the substrate the and a transfer molding step of sealing with a thermosetting resin on the entire surface.

【0010】上記本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、好適には、上記コマ部品を固着する工程においては、上記キャビティ内で上記基板を支持し、上記トランスファーモールド工程における上記基板の位置の変動を抑制するように上記コマ部品を配置して固着する。 [0010] The method of manufacturing a semiconductor memory medium of the present invention is preferably, in the step of fixing the frame parts, supporting the substrate within the cavity, the variation of the position of the substrate in the transfer molding process so as to suppress the sticking by placing the frame parts. さらに好適には、上記トランスファーモールド工程における上記基板の位置の変動を抑制するように、少なくとも上記基板の厚さあるいは上記コマ部品の厚さを調整し、またさらに好適には、上記キャビティ壁面に対する上記基板の上記一方の面側のクリアランスと上記他方の面側のクリアランスが均等となるように、少なくとも上記基板の厚さあるいは上記コマ部品の厚さを調整する。 More preferably, the to suppress variations of the position of the substrate in the transfer molding process, by adjusting the thickness or the thickness of the frame part of at least the substrate, also more preferably, the relative to the cavity wall as in the above one side of the substrate clearance and the other surface side of the clearance is equal, adjusting the thickness or the thickness of the frame part of at least the substrate.

【0011】上記本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、好適には、上記コマ部品として、上記トランスファーモールド工程で用いる熱硬化性樹脂と実質的に同じ樹脂を固化した部品を用いる。 [0011] The method of manufacturing a semiconductor memory medium of the present invention is preferably as the frame parts, used parts solidified thermosetting resin substantially the same resin used in the transfer molding process.

【0012】上記本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、好適には、上記電子部品を実装する工程において、 A method of manufacturing a semiconductor memory medium of the present invention is preferably in the step of mounting the electronic component,
さらにスイッチ部品を実装し、上記トランスファーモールド工程において、上記端子部および上記スイッチ部品を露出させながら上記基板を全面に封止する。 Further implement switch component, in the transfer molding step, sealing the substrate on the entire surface while exposing the terminal portion and the switch component.

【0013】上記本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、まず、少なくとも一方の面に端子面が設けられた基板の少なくとも該一方の面あるいは他方の面上に電子部品を実装する。 [0013] The method of manufacturing a semiconductor memory medium of the present invention, first, an electronic component is mounted on at least the one surface or the other surface of the substrate terminal surface on at least one surface is provided. 次に、基板の所定の位置にコマ部品を固着する。 Then, to secure the frame part in a predetermined position of the substrate. 次に、基板をトランスファーモールド用キャビティ内にセットし、少なくとも上記端子部を露出させながら、コマ部品と一体となるように、基板を全面に熱硬化性樹脂で封止してトランスファーモールドを行う。 Then, the substrate was set into the transfer mold cavity, while exposing at least the terminal part, so that the frame component and integrally performing transfer molding of the substrate by sealing the entire surface in a thermosetting resin. 上記のコマ部品とは、トランスファーモールド工程で用いる熱硬化性樹脂と実質的に同じ樹脂などを固化したものであり、トランスファーモールド工程で形成される封止樹脂層と一体化される。 The above-mentioned frame parts, which has solidified and thermosetting resin is substantially the same as the resin used in the transfer molding process is integrated with a sealing resin layer formed by transfer molding process. トランスファーモールド工程において、コマ部品はキャビティ内で基板を支持することができる。 In transfer molding process, the frame part can support the substrate within the cavity. さらに、このコマ部品の厚さや基板の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等(1:1程度)となるようにすると、両クリアランスへの樹脂の流入速度が均等となるため、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における基板の位置の変動を抑制することができる。 Further, by adjusting the thickness and the thickness of the substrate of the frame parts, the one surface side of the substrate relative to the cavity wall clearance and the other surface side of the clearance is equal: if made to be (about one 1) since the inflow rate of the resin to both the clearance is equal, stay shift, i.e., it is possible to suppress the variation in the position of the substrate in the transfer molding process.

【0014】上記本発明の半導体記憶媒体の製造方法によれば、コマ部品の採用により、トランスファーモールド工程においてキャビティ内で基板を支持することができ、さらに基板の厚さやコマ部品の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるようにして、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における基板の位置の変動を抑制しながら、トランスファーモールド成形によるカード成形が可能となる。 According to the manufacturing method of the semiconductor memory medium of the present invention, the adoption of the frame parts, in the transfer molding step it can support the substrate in the cavity, further adjusting the thickness and coma component thickness of the substrate doing, the clearance of the clearance and the other surface side of the one surface side of the substrate relative to the cavity wall is made to be uniform, stay shift, i.e., while suppressing variation in the position of the substrate in the transfer molding process, transfer card molding by molding becomes possible. トランスファーモールドにより、基板とパッケージ用の封止樹脂層を一体に成形するので、メモリカードなどの半導体記憶媒体の薄型化および小型化を実現できる。 By a transfer molding, because molded integrally encapsulating resin layer of the substrate and the package can be realized thinner and smaller semiconductor storage medium such as a memory card.

【0015】さらに、例えば、特開平4−278513 [0015] In addition, for example, JP-A-4-278513
号公報においてコンデンサは成形圧力により漏れ電流が劣化することが報告されており、また、水晶振動子は、 No. capacitor has been reported that leak current is deteriorated by the molding pressure in the publication, also, crystal oscillators,
その構造上内部に空隙を有しているので、外圧がかかる環境では発振しなくなってしまう、あるいは、振動子そのものが破壊されてしまう恐れがあるという問題があり、さらに、メモリチップやコントロールICチップなども影響が危惧されており、記録内容の一部書き換えあるいは一部消去などの問題が挙げられており、このように、実装される電子部品の中には圧力により損傷を受けやすいことが知られているものが多数存在する。 Because it has a void in its structure on the internal, in an environment where external pressure is applied no longer oscillates, or there is a problem that there is a risk that the transducer itself is destroyed, further, the memory chip and control IC chip etc. it is also feared effects, and some rewritten or cited problems such as partial erasure of the recorded contents, thus, knowledge that susceptible to damage by pressure within the electronic component to be mounted is there are a number of things are. しかし、このような電子部品が含まれている場合でも、トランスファーモールド成形は低圧で成形でき、さらにコマ部品の採用により、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスを均等にし、ステイシフトを抑制するので、圧力印加による電子部品の損傷を低減することができる。 However, even if it contains such electronic components, transfer molding can be molded at low pressure, by further adoption of the frame parts, the clearance of one side of the clearance and the other surface side of the substrate relative to the cavity wall and evenly, so to suppress the stay shift, it is possible to reduce damage to electronic components due to the pressure applied.

【0016】上記の目的を達成するため、本発明の半導体記憶媒体は、少なくとも一方の面に端子面が設けられた基板と、上記基板の少なくとも該一方の面あるいは他方の面上に実装された電子部品と、上記基板の所定の位置に固着されたコマ部品と、少なくとも上記端子部を除く部分における上記基板を全面に被覆するように、上記コマ部品と一体に成形された熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層とを有する。 [0016] To achieve the above object, a semiconductor memory medium of the present invention, the terminal surface on at least one surface of the substrate provided, which is mounted on at least the one surface or the other surface of the substrate an electronic component, the frame part which is secured to a predetermined position of the substrate, at least from the substrate at a portion excluding the terminal portion so as to cover the entire surface, a thermosetting resin which is molded to the frame component and integrally and a sealing resin layer formed.

【0017】上記本発明の半導体記憶媒体は、好適には、上記基板の上記一方の面側の上記封止樹脂層の厚さと上記他方の面側の上記封止樹脂層の厚さが均等となっている。 The semiconductor storage medium of the present invention, preferably, the thickness and the thickness of the sealing resin layer of the other surface of the sealing resin layer of the one surface side of the substrate and uniformly going on.

【0018】上記本発明の半導体記憶媒体は、好適には、上記コマ部品が、上記熱硬化性樹脂と実質的に同じ樹脂を固化した部品である。 The semiconductor storage medium of the present invention is preferably the frame component is a component obtained by solidifying the thermosetting resin substantially the same resin.

【0019】上記本発明の半導体記憶媒体は、好適には、上記基板上に上記電子部品としてさらにスイッチ部品が実装されており、上記封止樹脂層が、上記端子部および上記スイッチ部品を除く部分における上記基板を全面に被覆するよう形成されている。 The semiconductor storage medium of the present invention, the portion preferably has, on the substrate are further switch component is an implementation as the electronic component, the sealing resin layer, except for the terminal portion and the switch component It is formed so as to cover the entire surface of the substrate in the.

【0020】上記本発明の半導体記憶媒体は、その製造工程の封止樹脂層を形成するトランスファーモールド工程において、コマ部品を用いてキャビティ内における基板支持を行っており、封止樹脂層を当該コマ部品と一体化するように形成されたものであり、このコマ部品の厚さや基板の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるようにして、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における基板の位置の変動を抑制して、封止樹脂層を形成することができる。 [0020] The semiconductor storage medium of the present invention, in the transfer molding step of forming a sealing resin layer of the production process, and performing a substrate support within the cavity with the frame part, the frame of the sealing resin layer It has been formed so as to integrate the components, by adjusting the thickness and the thickness of the substrate of the frame parts, the one surface side of the substrate relative to the cavity wall clearance and the other surface side of the clearance evenly as a, stay shift, i.e., to suppress the fluctuation of the position of the substrate in the transfer molding step, it is possible to form the sealing resin layer.
トランスファーモールドにより、基板とパッケージ用の封止樹脂層を一体に成形するので、薄型化および小型化を実現したメモリカードなどの半導体記憶媒体である。 By a transfer molding, because molded integrally encapsulating resin layer of the substrate and the package is a semiconductor storage medium such as a memory card that realizes thinner and smaller.

【0021】 [0021]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体記憶媒体およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して下記に説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a semiconductor storage medium and a manufacturing method thereof of the present invention, with reference to the drawings described below.

【0022】図1(a)は、本実施形態に係る半導体記憶媒体(メモリカード)の概略斜視図であり、図1 FIG. 1 (a) is a schematic perspective view of a semiconductor device according to this embodiment (a memory card), 1
(b)は(a)中のA−A'における断面図である。 (B) is a cross-sectional view taken along A-A 'in (a). 回路基板10に、端子部11が設けられており、端子部1 The circuit board 10, the terminal unit 11 is provided, the terminal unit 1
1に接続するように不図示の印刷回路が設けられており、この印刷回路に接続するように、回路基板11上に、メモリチップ20、スイッチ部21およびコントロールICチップ22などの電子部品が実装されている。 1 and printed circuit (not shown) is provided to connect to, to connect to the printed circuit, on the circuit board 11, the memory chip 20, electronic components mounted such switch unit 21 and the control IC chip 22 It is.
この他、図示していないが、リセットICチップおよび水晶振動子などの電子部品も実装されている。 In addition, although not shown, it is also mounted electronic components such as reset IC chip and crystal oscillator. 上記の端子部11およびスイッチ部21を露出させながら、上記の回路基板および電子部品を全面に被覆するように、熱硬化性樹脂などからなる封止樹脂層30が設けられ、カード形状に成形されている。 While exposing the terminal portions 11 and the switch unit 21, so as to cover the entire surface of the circuit board and the electronic component described above, the sealing resin layer 30 made of a thermosetting resin is provided, it is formed into a card shape ing.

【0023】ここで、上記の封止樹脂層30の一部は、 [0023] Here, the part of the sealing resin layer 30,
封止樹脂層30で封止する前に、予め同等の樹脂を固化して得られたコマ部品(30a,30b)となっており、封止樹脂層30と一体に成形されている。 Before sealing with the sealing resin layer 30 is molded in advance equivalent resin frame component obtained by solidifying (30a, 30b) has a, integral with the sealing resin layer 30.

【0024】上記のメモリカードにおいて、カスタム化されたメモリチップを得ることが困難であるという実情に従い、メモリチップ20は通常汎用のチップとなっており、コントロールICチップ22により個々のアプリケーションに適用した形に制御されて用いられる。 [0024] In the memory card, in accordance with actual circumstances that it is difficult to obtain a memory chip that is customized, the memory chip 20 typically has a general-purpose chip, it was applied by the control IC chip 22 to the individual applications used are controlled to form. また、スイッチ部21は、データの誤消去を防止するために設けられている。 The switch unit 21 is provided for preventing erroneous erasure of data. さらに、電源投入時にコントロールICチップ22が誤作動してメモリチップ内のメモリ内容を消去しないように、リセットICチップ(不図示) Furthermore, so as not to erase the memory contents in the memory chip control IC chip 22 is malfunctioning when the power is turned on, the reset IC chip (not shown)
が搭載されている。 There are mounted. 場合によっては、メモリチップ20 In some cases, the memory chip 20
とコントロールICチップ22などの他のICチップを1チップ化することも可能である。 It is also possible for one chip to another IC chip such as a control IC chip 22 and. また、信号の同期を独立してとるために水晶振動子(不図示)が搭載されている。 Furthermore, crystal oscillator to take independent synchronization signals (not shown) is mounted. この他、上記の水晶振動子の動作安定化のために抵抗部品や、カードの静電気対策のためのダイオード、 In addition, the above and the resistance component due to the stable operation of the crystal oscillator, a diode for the ESD protection of the card,
誤作動防止の観点から電源のインピーダンスを下げるためにコンデンサなどの不図示の種々の電子部品が搭載されている。 Various electronic components (not shown) such as a capacitor in order to reduce the power of the impedance from the viewpoint of preventing malfunction is mounted.

【0025】上記のメモリカードの製造方法について図面を参照して説明する。 [0025] will be described with reference to the drawings a method for manufacturing the memory card. まず、図2(a)の概略斜視図に示すように、回路基板10に、端子部11と、端子部11に接続するように不図示の印刷回路を形成し、打ち抜き法などにより所定形状にパターン形成する。 First, as shown in the schematic perspective view of FIG. 2 (a), the circuit board 10, the terminal portion 11, to form a printed circuit as not shown is connected to the terminal unit 11, into a predetermined shape by such stamping the pattern formation. ここで、スイッチ部が配置される部分は、例えば貫通開口部21aとして形成する。 Here, the portion where the switch unit is arranged, for example, is formed as a through opening 21a.

【0026】次に、図2(b)に概略斜視図に示すように、不図示の印刷回路に接続して、メモリチップ20、 Next, as shown in schematic perspective view in FIG. 2 (b), and connected to the printed circuit (not shown), the memory chip 20,
スイッチ部21およびコントロールICチップ22を実装する。 Implementing the switch unit 21 and the control IC chip 22. 接合は、例えばハンダなどにより行い、ハンダの場合、予めプロファイルが取られたリフロー炉を通すことでハンダ接続を完成させる。 Bonding, for example, carried out by solder, when the solder to complete the soldering connections by passing a reflow furnace pre profile was taken. この他、リセットIC In addition, the reset IC
チップ、水晶振動子、抵抗部品、ダイオードおよびコンデンサなどの種々の電子部品も実装する。 Chips, crystal oscillator, various electronic components such as resistive component, a diode and a capacitor are also mounted.

【0027】図3(a1)は上記の回路基板10上に電子部品を実装した状態をさらに詳細に示す平面図であり、図3(a2)は(a1)のA−A'における断面図である。 FIG. 3 (a1) is a plan view showing further detail a state in which an electronic component is mounted on the circuit board 10 described above, FIG. 3 (a2) is a sectional view along A-A 'of (a1) is there. 即ち、端子部11および印刷回路が設けられた回路基板10上に、メモリチップ20、スイッチ部2 That is, on the circuit board 10 to the terminal unit 11 and the printed circuit is provided, the memory chip 20, the switch section 2
1、コントロールICチップ22、リセットICチップ23、および、水晶振動子24などの電子部品を実装する。 1, the control IC chip 22, a reset IC chip 23, and mounting an electronic component such as a crystal oscillator 24.

【0028】上記メモリチップ20は、ハンダバンプあるいは金スタッドバンプなどのバンプを有する形態として、フリップチップで実装してもよく、また、フェースアップで実装してワイヤボンディングにより接続する形態でもよい。 [0028] The memory chip 20 is, as a form having a bump, such as solder bumps or gold stud bumps, may be implemented by a flip-chip, or may be in the form connected by wire bonding and mounted face up. また、メモリチップ20などの半導体チップは、ベアチップ状態でも、樹脂封止された状態でもよいが、この後の工程で樹脂封止によりパッケージ化するので、製造コストを抑制できるベアチップ状態で実装する方が好ましい。 Further, semiconductor chips such as the memory chips 20, even bare chips, may be in a state of being sealed with a resin, since the packaging by resin sealing in the subsequent steps, it is implemented in a bare chip state in which the manufacturing cost can be suppressed It is preferred.

【0029】また、回路基板11の裏面側の所定の位置に、この後の工程で樹脂封止するのに用いる熱硬化性樹脂を予め固化して成形したコマ部品(30a,30b) Further, at a predetermined position on the back surface side of the circuit board 11, the frame parts molded in advance solidified by thermosetting resin used for the resin sealing in the subsequent steps (30a, 30b)
を固着する。 To fix the. コマ部品(30a,30b)は、トランスファーモールド工程における溶融状態の樹脂の流れを妨げない位置に配置される。 Frame parts (30a, 30b) is disposed in a position that does not impede the flow of molten resin in the transfer molding process.

【0030】次に、図3(b)に示すように、第1金型M1および第2金型M2から構成されるトランスファーモールド用キャビティC内に、上記の回路基板10をセットする。 Next, as shown in FIG. 3 (b), the transfer mold cavity C formed with first mold M1 and the second mold M2, sets the circuit board 10 described above. このとき、図3(a1)に示すような回路基板10に設けられた突出部12を第1金型M1および第2金型M2の合わせ部分に挟み込むことで、回路基板1 At this time, by sandwiching the mating portion of Figure 3 the protruding portion 12 provided on the circuit board 10 as shown in (a1) a first mold M1 and the second mold M2, the circuit board 1
0をキャビティC内に吊るす状態とし、第1金型M1と第2金型M2を押しつける圧力は20〜30トン程度とする。 0 was the state suspended in the cavity C, the pressure for pressing the first mold M1 a second mold M2 is set to about 20 to 30 tons. また、第1金型M1と第2金型M2は、トランスファーモールドに用いる樹脂の種類により異なるが、例えば175±5℃程度に予め加熱しておく。 Further, a first mold M1 second mold M2 varies depending on the type of the resin used for transfer molding, for example in advance heated to approximately 175 ± 5 ° C..

【0031】このとき、コマ部品(30a,30b)により、キャビティC内で回路基板10が支持される状態となる。 [0031] At this time, the frame parts (30a, 30b), a state where the circuit board 10 in the cavity C is supported. このとき、回路基板10の厚さと、コマ部品(30a,30b)の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスを調整することができる。 At this time, the thickness of the circuit board 10, the frame parts (30a, 30b) by adjusting the thickness of, to adjust the one side of the clearance and the clearance of the other surface side of the circuit board relative to the cavity wall it can. 好ましくは両クリアランスが均等となるようにする。 Preferably so that both the clearance becomes equal. 上記のようにキャビティC内に回路基板10をセットした状態で、キャビティCに連通して設けられた樹脂導入口S At setting the circuit board 10 in the cavity C, as described above, the resin inlet port S which is provided in communication with the cavity C
から溶融状態の熱硬化性樹脂Rを60〜80kg/cm The thermosetting resin R in the molten state from 60~80kg / cm
2 (好ましくは80kg/cm 2 )の成形圧力、射出時間10秒程度で導入し、端子部11およびスイッチ部2 2 (preferably 80 kg / cm 2) was introduced at a molding pressure, the injection time of about 10 seconds, the terminal portions 11 and the switch unit 2
1を露出させながら、コマ部品(30a,30b)と一体となるように、回路基板10を全面に熱硬化性樹脂R While exposing the 1, so that the frame parts (30a, 30b) and the integral, the entire surface in the thermosetting resin of the circuit board 10 R
で封止してトランスファーモールドを行い、封止樹脂層30とする。 In perform transfer molding sealing, and the sealing resin layer 30. この後は、一定時間保持した後、離型して、図1に示す形態のメモリカードを取り出す。 Thereafter, after holding a predetermined time, and release, take out the memory card in the form shown in Figure 1.

【0032】上記のトランスファーモールド工程において、コマ部品(30a,30b)の厚さや回路基板10 [0032] In the above transfer molding process, the frame part (30a, 30b) the thickness of and the circuit board 10
の厚さを、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるように調整することで、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における回路基板10の位置の変動を抑制することができる。 The thickness of that of the one surface side of the substrate relative to the cavity wall clearance and the other surface side clearance is adjusted to be equal, stay shift, i.e., variations in the position of the circuit board 10 in the transfer molding process it is possible to suppress.

【0033】本実施形態のメモリカードの製造方法によれば、コマ部品の採用により、トランスファーモールド工程においてキャビティ内で回路基板を支持することができ、さらに回路基板の厚さやコマ部品の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるようにして、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における回路基板の位置の変動を抑制しながら、トランスファーモールド成形によるカード成形が可能となる。 According to the manufacturing method of the memory card of the present embodiment, by adopting the frame parts, in the transfer molding step can support the circuit board in the cavity, the further thickness and coma component thickness of the circuit board by adjusting, clearance and the other surface side of the one surface side of the substrate relative to the cavity wall clearance is set to be equal, stay shift, i.e., while suppressing variation in the position of the circuit board in the transfer molding process , it is possible to card molded by transfer molding. トランスファーモールドにより、回路基板とパッケージ用の封止樹脂層を一体に成形するので、メモリカードの薄型化および小型化を実現できる。 By a transfer molding, because molded integrally encapsulating resin layer of the circuit board and the package can be realized thinner and smaller memory card.

【0034】また、本実施形態のメモリカードの製造方法によれば、圧力により損傷を受けやすい電子部品を実装している場合でも、トランスファーモールド成形は低圧で成形でき、さらにコマ部品の採用により、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスを均等にし、ステイシフトを抑制するので、圧力印加による電子部品の損傷を低減することができる。 Further, according to the manufacturing method of the memory card of the present embodiment, even when implementing the sensitive electronic components to damage by pressure, transfer molding can be molded at low pressure, by further adoption of the frame parts, and equalizing the clearance on one surface side of the clearance and the other surface side of the substrate relative to the cavity walls, so to suppress the stay shift, it is possible to reduce damage to electronic components due to the pressure applied. また、製造工程を従来よりも簡略化できるので、製造コストを抑制することが可能である。 Further, since the manufacturing process can be simplified than the prior art, it is possible to suppress the manufacturing cost.

【0035】例えば、回路基板の厚さを0.2mm程度とし、実装する電子部品の高さを0.35〜0.65m [0035] For example, the thickness of the circuit board is about 0.2 mm, a height of the electronic components to be mounted 0.35~0.65m
m程度である場合に、封止樹脂層の厚さを0.3〜0. If it is about m, the thickness of the sealing resin layer from 0.3 to 0.
5mm程度として、メモリカードの総厚さを1.6mm As about 5mm, 1.6mm total thickness of the memory card
程度に抑えることが可能となり、例えば携帯電話機などの小型化された電子機器への搭載が可能となる。 It is possible to suppress the extent, for example, mounted on the miniaturized electronic devices such as mobile phones becomes possible.

【0036】(実施例1)図4(a)のトランスファーモールド工程を示す断面図の例においては、回路基板1 [0036] In the example of cross-sectional view showing a transfer molding process (Example 1) FIG. 4 (a), the circuit board 1
0の厚さが0.3mm、メモリチップ20などの高さが0.35mm程度である場合、トランスファーモールド工程におけるキャビティC内でのキャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスがそれぞれ0.35mm:0.5mmとなっており、クリアランスの比は1:1から遠い値となっており、コマ部品(30a,30b)を用いていてもステイシフトを抑制することが難しい。 0 thickness 0.3mm, the case height, such as a memory chip 20 is approximately 0.35 mm, the clearance and the other surface of the one surface side of the circuit board relative to the cavity wall in the cavity C in the transfer molding process side clearance respectively 0.35 mm: has a 0.5 mm, the ratio of the clearance 1: possible to suppress the stay shift optionally with 1 has a value furthest from the frame part (30a, 30b) It is difficult. 図中の数字はmm The numbers in the figure mm
単位での寸法を示す。 It shows the dimensions of the unit. ここで、ラベル貼付用の凹部H Here, the recess H for labeling
(深さ0.1mm程度)が設けられている例を示している。 (A depth of about 0.1 mm) shows an example in which is provided. しかしながら、図4(b)のトランスファーモールド工程を示す断面図のように、コマ部品(30a,30 However, as the cross-sectional view showing a transfer molding process of FIG. 4 (b), the frame components (30a, 30
b)の厚さを厚く調整し、さらに回路基板10を0.2 The thickness of the b) thick was adjusted further to the circuit board 10 0.2
mm程度と薄く調整することで、キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスをそれぞれ0.45mm:0.5mmとして、クリアランスの比を1:1に近づけ、トランスファーモールド工程におけるステイシフトを抑制することができる。 By thinning adjusted to about mm, the clearance of the clearance and the other surface side of the one surface side of the circuit board for cavity wall respectively 0.45 mm: as 0.5 mm, the ratio of the clearance 1: close to 1, transfer it is possible to suppress the stay shift in the molding process.

【0037】(実施例2)図5(a)のトランスファーモールド工程を示す断面図の例においては、回路基板1 [0037] In the example of cross-sectional view showing a transfer molding process (Example 2) FIG. 5 (a), the circuit board 1
0の厚さが0.3mmであり、回路基板10の両面に高さが0.35mm程度のメモリチップ(20,20') 0 of a thickness of 0.3 mm, a height on both surfaces of the circuit board 10 is about 0.35mm memory chips (20, 20 ')
が実装されている場合であり、トランスファーモールド工程におけるキャビティC内でのキャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスがそれぞれ0.45mm:0.15mmとなっており、クリアランスの比は1:1から遠い値となっており、コマ部品(30a,30b)を用いていてもステイシフトを抑制することが難しい。 A when is mounted, one side of the clearance and the other surface side of the clearance of the circuit board relative to the cavity wall in the cavity C in the transfer molding process, respectively 0.45 mm: has a 0.15mm the ratio of the clearance 1: 1 has a value furthest from, it is difficult to be formed using the frame parts (30a, 30b) to suppress the stay shift. 図中の数字はm The numbers in the figure m
m単位での寸法を示す。 It shows the dimensions in m unit. しかしながら、図5(b)のトランスファーモールド工程を示す断面図のように、コマ部品(30a,30b)の厚さを薄く調整し、さらに回路基板10を0.42mmに厚く調整することで、キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスをそれぞれ0.23m However, Figure 5 as a cross-sectional view showing a transfer molding step (b), the frame components (30a, 30b) thin adjusting the thickness of, by further increasing adjusting the circuit board 10 to 0.42 mm, the cavity of one side of the circuit board against the wall clearance and other surface-side clearance respectively 0.23m
m:0.15mmとして、クリアランスの比を1:1に近づけることができる。 m: a 0.15 mm, the ratio of the clearance 1: can be approximated to 1. さらに、図5(c)のトランスファーモールド工程を示す断面図のように、コマ部品(30a,30b)の厚さを図5(b)よりも厚く調整し、さらに回路基板10を0.2mm程度に薄く調整し、さらに、端子部面部分に第3のコマ部品30cを設けることで、キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスをそれぞれ0.3mm:0.3mmとして、クリアランスの比を1:1に近づけ、トランスファーモールド工程におけるステイシフトを抑制することができる。 Further, as the cross-sectional view showing a transfer molding process in FIG. 5 (c), the frame components (30a, 30b) the thickness of the thicker adjustment than FIG. 5 (b), the further 0.2mm about the circuit board 10 thinly adjusted, further by providing the third frame part 30c to the terminal unit surface portions, the clearance of the clearance and the other surface side of the one surface side of the circuit board for cavity wall respectively 0.3 mm: 0. as 3 mm, the ratio of the clearance 1: close to 1, it is possible to suppress the stay shift in the transfer molding process.

【0038】(実施例3)図6(a)のトランスファーモールド工程を示す断面図の例においては、回路基板1 [0038] In the example of cross-sectional view showing a transfer molding process (Example 3) FIG. 6 (a), the circuit board 1
0の厚さが0.3mm、ワイヤボンディング法により実装されたメモリチップ20などの高さが0.3mm程度である場合、トランスファーモールド工程におけるキャビティC内でのキャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスがそれぞれ0.4mm:0.5mmとなっており、クリアランスの比は1:1から遠い値となっており、コマ部品(30a,30b)を用いていてもステイシフトを抑制することが難しい。 The thickness of 0 is 0.3 mm, if the height of such a memory chip 20 mounted by a wire bonding method is about 0.3 mm, one surface of the circuit board relative to the cavity wall in the cavity C in the transfer molding process side clearance and the other surface side of the clearance respectively 0.4 mm: has a 0.5 mm, the ratio of the clearance 1: 1 has a value furthest from optionally using frame parts of (30a, 30b) also it is difficult to suppress the stay shift. 図中の数字はmm単位での寸法を示す。 The numbers in the figure indicate the size in mm. しかしながら、図6(b)のトランスファーモールド工程を示す断面図のように、コマ部品(30a,30 However, as the cross-sectional view showing a transfer molding process in FIG. 6 (b), the frame components (30a, 30
b)の厚さを厚く調整し、さらに回路基板10を0.2 The thickness of the b) thick was adjusted further to the circuit board 10 0.2
mm程度と薄く調整することで、キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスをそれぞれ0.5mm:0.5mmとして、クリアランスの比を1:1に近づけ、トランスファーモールド工程におけるステイシフトを抑制することができる。 By thinning adjusted to about mm, respectively 0.5mm clearance of one side of the clearance and the other surface side of the circuit board relative to the cavity walls: as 0.5mm, the ratio of the clearance 1: close to 1, transfer it is possible to suppress the stay shift in the molding process.

【0039】(実施例4)図7(a)のトランスファーモールド工程を示す断面図の例においては、回路基板1 [0039] In the example of cross-sectional view showing a transfer molding process (Example 4) FIG. 7 (a), the circuit board 1
0の厚さが0.3mmであり、厚さ0.44mmの端子基板25が設けられている。 The thickness of 0 is 0.3 mm, the terminal substrate 25 with a thickness of 0.44mm is provided. この回路基板10の端子基板形成面に高さが0.65mm程度のメモリチップ20 Height terminal board forming surface of the circuit board 10 is about 0.65mm memory chip 20
が実装されている。 There has been implemented. トランスファーモールド工程におけるキャビティC内でのキャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスがそれぞれ0.26mm:0.29mmとなっており、クリアランスの比は1:1に近い値ではあるが、図7(b)に示すように回路基板10を0.2mmに薄く調整し、さらに図7(c)に示すように端子基板25とコマ部品(30a,30b)の厚さを調整することで、 Transfer molding of one side of the circuit board relative to the cavity wall in the cavity C in the step clearance and the other surface side of the clearance respectively 0.26 mm: has a 0.29 mm, the ratio of the clearance 1: 1 albeit at a value close, the thickness shown in FIG. 7 (b) the circuit board 10 as shown in thin adjusted to 0.2 mm, further terminal board 25 and the frame part, as shown in FIG. 7 (c) (30a, 30b) by adjusting the of,
キャビティ壁面に対する回路基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスをそれぞれ0.32 Of one side of the circuit board relative to the cavity wall clearance and other surface-side clearance respectively 0.32
5mm:0.325mmとして、クリアランスの比を1:1とすることができ、さらにステイシフトを抑制することができる。 5 mm: as 0.325 mm, the ratio of the clearance 1: can be 1, it is possible to further suppress the stay shift. 図中の数字はmm単位での寸法を示す。 The numbers in the figure indicate the size in mm.

【0040】本発明は、上記の実施の形態に限定されない。 The present invention is not limited to the above embodiments. 例えば、メモリカードの形状などは、上記実施形態に示された形状に限定されず、様々な形状に適用可能である。 For example, the shapes of the memory card is not limited to the shape shown in the above embodiment is applicable to various shapes. 実装するメモリチップの種類などは、フラッシュメモリなどのEEPROMや、一回のみ書き込み可能なOTP(One Time Programmable )方式のPROMなど、種々のメモリチップを採用できる。 Including the type of memory chips to implement, EEPROM or a flash memory, a writable OTP (One Time Programmable) only once, such as type of PROM, it can employ various memory chips. その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 Other, without departing from the scope of the present invention, various modifications are possible.

【0041】 [0041]

【発明の効果】本発明の半導体記憶媒体の製造方法によれば、コマ部品の採用により、トランスファーモールド工程においてキャビティ内で基板を支持することができ、さらに基板の厚さやコマ部品の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるようにして、ステイシフト、即ち、トランスファーモールド工程における基板の位置の変動を抑制しながら、トランスファーモールド成形によるカード成形が可能となる。 According to the manufacturing method of the semiconductor memory medium of the present invention, the adoption of the frame parts, in the transfer molding step can support the substrate in the cavity, the further thickness and coma component thickness of the substrate by adjusting the clearance clearance and the other surface side of the one surface side of the substrate relative to the cavity wall is made to be uniform, stay shift, i.e., while suppressing variation in the position of the substrate in the transfer molding process, thereby enabling the card molding by transfer molding. トランスファーモールドにより、基板とパッケージ用の封止樹脂層を一体に成形するので、メモリカードなどの半導体記憶媒体の薄型化および小型化を実現できる。 By a transfer molding, because molded integrally encapsulating resin layer of the substrate and the package can be realized thinner and smaller semiconductor storage medium such as a memory card.

【0042】また、本発明の半導体記憶媒体は、その製造工程の封止樹脂層を形成するトランスファーモールド工程において、コマ部品を用いてキャビティ内における基板支持を行っており、封止樹脂層を当該コマ部品と一体化するように形成されたものであり、このコマ部品の厚さや基板の厚さを調整することで、キャビティ壁面に対する基板の一方の面側のクリアランスと他方の面側のクリアランスが均等となるようにして、ステイシフト、 Further, the semiconductor storage medium of the present invention, the in transfer molding process for forming the encapsulating resin layer in the manufacturing process, and performing a substrate support within the cavity with the frame component, a sealing resin layer has been formed to be integrated with the frame part, by adjusting the thickness and the thickness of the substrate of the frame parts, the one surface side of the substrate relative to the cavity wall clearance and the other surface side of the clearance is set to be equal, stay shift,
即ち、トランスファーモールド工程における基板の位置の変動を抑制して、封止樹脂層を形成することができる。 That is, by suppressing the variation in the position of the substrate in the transfer molding step, it is possible to form the sealing resin layer. トランスファーモールドにより、基板とパッケージ用の封止樹脂層を一体に成形するので、薄型化および小型化を実現したメモリカードなどの半導体記憶媒体となっている。 By a transfer molding, because molded integrally encapsulating resin layer of the substrate and package, and has a semiconductor storage medium such as a memory card that realizes thinner and smaller.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】図1(a)は、本発明に係る半導体記憶媒体の概略斜視図であり、図1(b)は、(a)中のA−A' [1] Figure 1 (a) is a schematic perspective view of a semiconductor device according to this invention, FIG. 1 (b), (a) in the A-A '
における断面図である。 Is a cross-sectional view taken along.

【図2】図2は、図1に示す半導体記憶媒体の製造方法の製造工程を示す概略斜視図であり、(a)は回路基板の形成工程まで、(b)は電子部品の実装工程までを示す。 Figure 2 is a schematic perspective view showing a manufacturing step of the manufacturing method of the semiconductor memory medium shown in FIG. 1, (a) until step of forming the circuit board, (b) up to the mounting process of the electronic component It is shown.

【図3】図3(a1)は、図2(b)の工程までの状態を詳細に示す平面図であり、図3(a2)は、(a1) [3] FIG. 3 (a1) is a plan view showing in detail the state of up to the step of FIG. 2 (b), FIG. 3 (a2) is (a1)
中のA−A'における断面図である。 It is a sectional view along A-A 'in. 図3(b)は、続きの工程であるトランスファーモールド工程を示す断面図である。 3 (b) is a sectional view showing a transfer molding process is a continuation of the process.

【図4】図4は、実施例1に係るトランスファーモールド工程を示す断面図である。 Figure 4 is a sectional view showing a transfer molding process according to the first embodiment.

【図5】図5は、実施例2に係るトランスファーモールド工程を示す断面図である。 Figure 5 is a sectional view showing a transfer molding process according to the second embodiment.

【図6】図6は、実施例3に係るトランスファーモールド工程を示す断面図である。 Figure 6 is a sectional view showing a transfer molding process according to the third embodiment.

【図7】図7は、実施例4に係るトランスファーモールド工程を示す断面図である。 Figure 7 is a sectional view showing a transfer molding process according to the fourth embodiment.

【図8】図8(a1)は、従来のメモリカードに用いられる電子部品を実装した回路基板の平面図であり、図8 [8] FIG. 8 (a1) is a plan view of circuit board mounted with electronic components used in the conventional memory card, Figure 8
(a2)は(a1)中のA−A'における断面図であり、図8(b)は上記のメモリカードの製造方法を示す模式的断面図である。 (A2) is a sectional view along A-A 'in (a1), 8 (b) is a schematic cross-sectional views showing a manufacturing method of the memory card.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…メモリカード、10,110…回路基板、11,1 1 ... memory card, 10, 110 ... circuit board, 11,1
11…端子部、12…突出部、20,120…メモリチップ、21,121…スイッチ部、21a…貫通開口部、22,122…コントロールIチップ、23,12 11 ... terminal part, 12 ... projecting portion, 20,120 ... memory chip, 21, 121 ... switching unit, 21a ... through opening, 22, 122 ... control I chip, 23,12
3…リセットICチップ、24,124…水晶振動子、 3 ... reset IC chip, 24, 124 ... crystal oscillator,
25…端子基板、30…封止樹脂層、30a,30b, 25 ... terminal board, 30 ... sealing resin layer, 30a, 30b,
30c…コマ部品、130a…上側筐体、130b…下側筐体、C…キャビティ、H…ラベル貼付用凹部、M1 30c ... frame parts, 130a ... upper housing, 130b ... lower case, C ... cavity, H ... labeling recess, M1
…第1金型、M2…第2金型、R…熱硬化性樹脂、S… ... first mold, M2 ... second mold, R ... thermosetting resin, S ...
樹脂導入口。 Resin inlet.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) B29L 9:00 B29L 9:00 31:34 31:34 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) B29L 9:00 B29L 9:00 31:34 31:34

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】少なくとも一方の面に端子面が設けられた基板の少なくとも該一方の面あるいは他方の面上に電子部品を実装する工程と、 上記基板の所定の位置にコマ部品を固着する工程と、 上記基板をトランスファーモールド用キャビティ内にセットする工程と、 少なくとも上記端子部を露出させながら、上記コマ部品と一体となるように、上記基板を全面に熱硬化性樹脂で封止するトランスファーモールド工程とを有する半導体記憶媒体の製造方法。 1. A a process for mounting electronic components on at least one of the substrate terminal surface is provided on a surface of at least said one side or on the other surface, the step of fixing the frame components to a predetermined position of the substrate When the step of setting the substrate to a transfer mold for the cavity while exposing at least the terminal part, so that the frame component and integrally, transfer molding for sealing the substrate on the entire surface with a thermosetting resin the method of manufacturing a semiconductor storage medium and a step.
  2. 【請求項2】上記コマ部品を固着する工程においては、 In 2. A process for fixing the frame parts,
    上記キャビティ内で上記基板を支持し、上記トランスファーモールド工程における上記基板の位置の変動を抑制するように上記コマ部品を配置して固着する請求項1に記載の半導体記憶媒体の製造方法。 Supporting the substrate within the cavity, a method of manufacturing a semiconductor memory medium according to claim 1 for fixing by disposing the frame components so as to suppress the fluctuation of the position of the substrate in the transfer molding process.
  3. 【請求項3】上記トランスファーモールド工程における上記基板の位置の変動を抑制するように、少なくとも上記基板の厚さあるいは上記コマ部品の厚さを調整する請求項2に記載の半導体記憶媒体の製造方法。 3. so as to suppress the fluctuation of the position of the substrate in the transfer molding step, a method of manufacturing a semiconductor memory medium according to claim 2 for adjusting the thickness or the thickness of the frame part of at least the substrate .
  4. 【請求項4】上記キャビティ壁面に対する上記基板の上記一方の面側のクリアランスと上記他方の面側のクリアランスが均等となるように、少なくとも上記基板の厚さあるいは上記コマ部品の厚さを調整する請求項3に記載の半導体記憶媒体の製造方法。 4. As described above with respect to the cavity wall surface of the one surface side of the substrate clearance and the other surface side of the clearance is equal, adjusting the thickness or the thickness of the frame part of at least the substrate the method of manufacturing a semiconductor memory medium according to claim 3.
  5. 【請求項5】上記コマ部品として、上記トランスファーモールド工程で用いる熱硬化性樹脂と実質的に同じ樹脂を固化して部品を用いる請求項1に記載の半導体記憶媒体の製造方法。 As claimed in claim 5, wherein said frame component, a method of manufacturing a semiconductor memory medium according to claim 1 using components and solidify the thermosetting resin is substantially the same resin used in the transfer molding process.
  6. 【請求項6】上記電子部品を実装する工程において、さらにスイッチ部品を実装し、 上記トランスファーモールド工程において、上記端子部および上記スイッチ部品を露出させながら上記基板を全面に封止する請求項1に記載の半導体記憶媒体の製造方法。 In the step of implementing the method according to claim 6 wherein the electronic part further implement switch component, in the transfer molding process, to claim 1 for sealing the substrate on the entire surface while exposing the terminal portion and the switch component the method of manufacturing a semiconductor memory medium according.
  7. 【請求項7】少なくとも一方の面に端子面が設けられた基板と、 上記基板の少なくとも該一方の面あるいは他方の面上に実装された電子部品と、 上記基板の所定の位置に固着されたコマ部品と、 少なくとも上記端子部を除く部分における上記基板を全面に被覆するように、上記コマ部品と一体に成形された熱硬化性樹脂からなる封止樹脂層とを有する半導体記憶媒体。 7. A substrate terminal surface is provided on at least one surface, an electronic component mounted on at least said one side or on the other surface of the substrate, which is fixed to a predetermined position of the substrate the coma component, at least so as to cover the substrate in the portion excluding the terminal portion on the entire surface, the semiconductor storage medium and a sealing resin layer formed of the frame parts and integrally molded thermosetting resin.
  8. 【請求項8】上記基板の上記一方の面側の上記封止樹脂層の厚さと上記他方の面側の上記封止樹脂層の厚さが均等となっている請求項7に記載の半導体記憶媒体。 8. The semiconductor memory according to claim 7, the thickness of the sealing resin layer of the thickness of the sealing resin layer of the one surface side of the substrate and the other surface side is a uniform media.
  9. 【請求項9】上記コマ部品が、上記熱硬化性樹脂と実質的に同じ樹脂を固化した部品である請求項7に記載の半導体記憶媒体。 9. The frame parts, semiconductor storage medium according to claim 7, which is a component obtained by solidifying the thermosetting resin substantially the same resin.
  10. 【請求項10】上記基板上に上記電子部品としてさらにスイッチ部品が実装されており、 上記封止樹脂層が、上記端子部および上記スイッチ部品を除く部分における上記基板を全面に被覆するよう形成されている請求項7に記載の半導体記憶媒体。 10. A are further switched components mounted as the electronic part on the substrate, the sealing resin layer is formed so as to cover the substrate in the portion excluding the terminal portion and the switch component on the entire surface a semiconductor storage medium of claim 7 are.
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