JP2002175026A - Active matrix type display device and portable terminal using the same - Google Patents

Active matrix type display device and portable terminal using the same

Info

Publication number
JP2002175026A
JP2002175026A JP2000372350A JP2000372350A JP2002175026A JP 2002175026 A JP2002175026 A JP 2002175026A JP 2000372350 A JP2000372350 A JP 2000372350A JP 2000372350 A JP2000372350 A JP 2000372350A JP 2002175026 A JP2002175026 A JP 2002175026A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
display device
voltage
display area
active matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000372350A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002175026A5 (en
Inventor
Yoshiharu Nakajima
義晴 仲島
Yasuto Maki
康人 真城
Toshiichi Maekawa
敏一 前川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000372350A priority Critical patent/JP2002175026A/en
Priority to TW90130092A priority patent/TW535136B/en
Priority to PCT/JP2001/010687 priority patent/WO2002047061A1/en
Priority to US10/182,600 priority patent/US6894674B2/en
Priority to CN 200810096964 priority patent/CN101329848B/en
Priority to KR1020027010025A priority patent/KR100865542B1/en
Priority to EP01999936A priority patent/EP1343134A4/en
Priority to CNB018077471A priority patent/CN100433100C/en
Publication of JP2002175026A publication Critical patent/JP2002175026A/en
Priority to US11/086,433 priority patent/US7432906B2/en
Publication of JP2002175026A5 publication Critical patent/JP2002175026A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Telephone Function (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix type display device enabling size reduction of the set and cost reduction, and to provide a portable terminal, using the same as a display part. SOLUTION: In the active matrix type display device provided with a display area part 12 where pixels are arranged in a matrix form, H-drivers 13U, 13D, a V-driver 14, a reference voltage generating circuit 15, a counter electrode voltage generating circuit 16, a power supply voltage conversion circuit 17, and a timing generating circuit 8 are constructed on the same glass substrate 11 as the display area part 12 using the same process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型表示装置およびこれを表示部として用いた携帯端
末に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an active matrix type display device and a portable terminal using the same as a display unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話機やPDA(Personal Di
gital Assistants)などの携帯端末の普及がめざまし
い。これら携帯端末の急速な普及の要因の一つとして、
その出力表示部として搭載されている液晶表示装置が挙
げられる。その理由は、液晶表示装置が原理的に駆動す
るための電力を要しない特性を持ち、低消費電力の表示
デバイスであるためである。
2. Description of the Related Art In recent years, portable telephones and PDAs (Personal Digital
gital Assistants) and other mobile terminals are remarkable. One of the factors behind the rapid spread of these mobile devices is that
There is a liquid crystal display device mounted as the output display unit. The reason is that the liquid crystal display device has a characteristic that does not require power for driving in principle, and is a display device with low power consumption.

【0003】この液晶表示装置など、画素がマトリクス
状に配置され、これら画素の各々を駆動する構成のアク
ティブマトリクス型表示装置には、各画素を行単位で選
択する垂直駆動回路と、この垂直駆動回路によって選択
された行の各画素に情報を書き込む水平駆動回路とが設
けられている。そして、これら駆動回路を表示エリア部
と同一基板上に一体的に形成する傾向にある。
In an active matrix type display device in which pixels are arranged in a matrix, such as a liquid crystal display device, and each of these pixels is driven, a vertical drive circuit for selecting each pixel in a row unit and a vertical drive circuit And a horizontal drive circuit for writing information to each pixel in a row selected by the circuit. These drive circuits tend to be formed integrally with the display area on the same substrate.

【0004】また、アクティブマトリクス型表示装置で
は、垂直駆動回路や水平駆動回路以外にも、これら駆動
回路のタイミング制御のための各種のタイミング信号を
発生するタイミング発生回路や、各回路部ごとに異なる
電圧値の直流電圧を電源電圧として用いる場合が多いこ
とから、単一の直流電源電圧を電圧値の異なる複数種類
の直流電圧に変換して各回路部に与える電源電圧変換回
路なども用いられる。これらの回路は、従来、表示エリ
ア部を含む基板とは別に単結晶シリコンICによって別
チップ上もしくはディスクリート部品によってプリント
基板上に形成されていた。
In an active matrix type display device, in addition to a vertical drive circuit and a horizontal drive circuit, a timing generation circuit for generating various timing signals for controlling the timing of these drive circuits and a different circuit unit are provided. Since a DC voltage having a voltage value is often used as a power supply voltage, a power supply voltage conversion circuit or the like that converts a single DC power supply voltage into a plurality of types of DC voltages having different voltage values and provides the DC voltage to each circuit unit is also used. Conventionally, these circuits have been formed on a separate chip by a single crystal silicon IC or on a printed circuit board by discrete components separately from the substrate including the display area.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、アク
ティブマトリクス型表示装置において、タイミング発生
回路や電源電圧変換回路などを、表示エリア部を含む基
板とは別に単結晶シリコンICによって別チップ上もし
くはディスクリート部品によってプリント基板上に形成
したのでは、セットを構成する部品点数が増えるととも
に、それぞれ別々のプロセスで作成しなければならない
ため、セットの小型化、低コスト化の妨げになるという
問題があった。
As described above, in an active matrix display device, a timing generation circuit, a power supply voltage conversion circuit, and the like are provided on a separate chip or by a single-crystal silicon IC separately from a substrate including a display area. Forming on a printed circuit board with discrete components increases the number of components that make up the set and requires separate processes to create each set, which hinders the miniaturization and cost reduction of the set. Was.

【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、セットの小型化、低
コスト化を可能としたアクティブマトリクス型表示装置
およびこれを表示部として用いた携帯端末を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an active matrix type display device capable of reducing the size and cost of a set and using the same as a display unit. To provide a mobile terminal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、電気光学素子を有する画素がマトリク
ス状に配置されてなる表示エリア部と、この表示エリア
部の各画素を行単位で選択する垂直駆動回路と、複数の
基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、これら複数の
基準電圧の中からディジタル画像データに対応した基準
電圧を選択する基準電圧選択型DA変換回路を有し、こ
のDA変換回路で選択された基準電圧を画像信号として
垂直駆動回路によって選択された行の各画素に対して供
給する水平駆動回路と、各種のタイミング信号を発生し
て各回路部に与えるタイミング発生回路と、単一の直流
電圧を電圧値の異なる複数種類の直流電圧に変換して各
回路部に与える電源電圧変換回路とを具備するアクティ
ブマトリクス型表示装置において、垂直駆動回路、基準
電圧発生回路、水平駆動回路、タイミング発生回路およ
び電源電圧変換回路を、表示エリア部と共に同一基板上
に同一プロセスを用いて作成した構成を採っている。そ
して、このアクティブマトリクス型表示装置は、携帯端
末の表示部として用いられる。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a display area in which pixels having electro-optical elements are arranged in a matrix, and each pixel in the display area is divided into rows. And a reference voltage generation circuit for generating a plurality of reference voltages, and a reference voltage selection type DA conversion circuit for selecting a reference voltage corresponding to digital image data from the plurality of reference voltages. A horizontal drive circuit for supplying the reference voltage selected by the DA conversion circuit as an image signal to each pixel in a row selected by the vertical drive circuit, and a timing for generating various timing signals and supplying the timing signals to each circuit unit An active matrix table including a generating circuit and a power supply voltage conversion circuit for converting a single DC voltage into a plurality of types of DC voltages having different voltage values and applying the converted voltage to each circuit unit In the device, the vertical drive circuit, a reference voltage generating circuit, a horizontal drive circuit, a timing generation circuit and the power supply voltage converting circuit, adopts a configuration that was created using the same process on the same substrate together with the display area unit. This active matrix display device is used as a display unit of a portable terminal.

【0008】上記構成のアクティブマトリクス型表示装
置あるいはこれを用いた携帯端末において、表示エリア
部での表示駆動に必要な周辺回路を全て表示エリア部と
共に同一基板上に同一プロセスを用いて作成すること
で、セットを構成する部品点数を少なく抑えることがで
きる。したがって、セットの低コスト化、さらには薄型
化、コンパクト化が可能になる。
In the active matrix type display device having the above configuration or a portable terminal using the same, all peripheral circuits necessary for display driving in the display area are formed together with the display area on the same substrate using the same process. Thus, the number of parts constituting the set can be reduced. Therefore, the cost of the set can be reduced, and the set can be made thinner and more compact.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成
例を示す概略構成図である。ここでは、例えば、各画素
の電気光学素子として液晶セルを用いたアクティブマト
リクス型液晶表示装置に適用した場合を例に採って説明
するものとする。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration example of an active matrix display device according to an embodiment of the present invention. Here, for example, a case where the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device using a liquid crystal cell as an electro-optical element of each pixel will be described.

【0010】図1において、透明絶縁基板、例えばガラ
ス基板11上には、液晶セルを含む画素がマトリクス状
に多数配置されてなる表示エリア部12が形成されてい
る。ガラス基板11は、能動素子(例えば、トランジス
タ)を含む多数の画素回路がマトリクス状(行列状)に
配置形成される第1の基板と、この第1の基板と所定の
間隙をもって対向して配置される第2の基板とによって
構成される。そして、これら第1,第2の基板間に液晶
が封入される。
In FIG. 1, on a transparent insulating substrate, for example, a glass substrate 11, a display area 12 in which a large number of pixels including liquid crystal cells are arranged in a matrix is formed. The glass substrate 11 has a first substrate on which a large number of pixel circuits including active elements (for example, transistors) are arranged in a matrix (in a matrix), and is opposed to the first substrate with a predetermined gap. And a second substrate to be formed. Then, a liquid crystal is sealed between the first and second substrates.

【0011】図2に、表示エリア部12の具体的な構成
の一例を示す。ここでは、図面の簡略化のために、3行
(n−1行〜n+1行)4列(m−2列〜m+1列)の
画素配列の場合を例に採って示している。図2におい
て、表示エリア部12には、垂直走査ライン…,21n
−1,21n,21n+1,…と、データライン…,2
2m−2,22m−1,22m,22m+1,…とがマ
トリクス状に配線され、それらの交点部分に単位画素2
3が配置されている。
FIG. 2 shows an example of a specific configuration of the display area section 12. Here, for simplification of the drawing, a case of a pixel array of 3 rows (n-1 row to n + 1 row) and 4 columns (m-2 column to m + 1 column) is taken as an example. In FIG. 2, vertical scanning lines...
−1, 21n, 21n + 1,..., And data lines.
, 2m-2, 22m-1, 22m, 22m + 1,... Are wired in a matrix, and the intersection of the unit pixels 2
3 are arranged.

【0012】単位画素23は、画素トランジスタである
薄膜トランジスタTFT、液晶セルLCおよび保持容量
Csを有する構成となっている。ここで、液晶セルLC
は、薄膜トランジスタTFTで形成される画素電極とこ
れに対向して形成される対向電極との間で発生する容量
を意味する。薄膜トランジスタTFTは、ゲート電極が
垂直走査ライン…,21n−1,21n,21n+1,
…に接続され、ソース電極がデータライン…,22m−
2,22m−1,22m,22m+1,…に接続されて
いる。
The unit pixel 23 has a configuration including a thin film transistor TFT as a pixel transistor, a liquid crystal cell LC, and a storage capacitor Cs. Here, the liquid crystal cell LC
Means a capacitance generated between a pixel electrode formed by the thin film transistor TFT and a counter electrode formed to face the pixel electrode. In the thin film transistor TFT, the gate electrode has a vertical scanning line..., 21n−1, 21n, 21n + 1,
, And the source electrode is connected to the data line.
2, 22m-1, 22m, 22m + 1,...

【0013】液晶セルLCは、画素電極が薄膜トランジ
スタTFTのドレイン電極に接続され、対向電極が共通
ライン24に接続されている。保持容量Csは、薄膜ト
ランジスタTFTのドレイン電極と共通ライン24との
間に接続されている。共通ライン24には、対向電極電
圧(コモン電圧)Vcomが与えられ、これにより、こ
のコモン電圧Vcomは液晶セルLCの対向電極に対し
て各画素共通に印加されることになる。
The liquid crystal cell LC has a pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor TFT, and a counter electrode connected to the common line 24. The storage capacitor Cs is connected between the drain electrode of the thin film transistor TFT and the common line 24. The common line 24 is supplied with a common electrode voltage (common voltage) Vcom, and this common voltage Vcom is applied to the common electrode of the liquid crystal cell LC in common for each pixel.

【0014】ガラス基板11上には、上下一対のHドラ
イバ(水平駆動回路)13U,13DおよびVドライバ
(垂直駆動回路)が表示エリア部12と共に一体形成さ
れている。そして、表示エリア部12の垂直走査ライン
…,21n−1,21n,21n+1,…の各一端は、
Vドライバ14の対応する行の各出力端にそれぞれ接続
される。Vドライバ14は、例えばシフトレジスタによ
って構成され、垂直転送クロックVCK(図示せず)に
同期して順次垂直選択パルスを発生し、垂直走査ライン
…,21n−1,21n,21n+1,…に与えること
によって垂直走査を行う。
On the glass substrate 11, a pair of upper and lower H drivers (horizontal drive circuits) 13U and 13D and a V driver (vertical drive circuit) are formed integrally with the display area section 12. Each end of the vertical scanning lines..., 21n-1, 21, n, 21n + 1,.
It is connected to each output terminal of the corresponding row of the V driver 14. The V driver 14 is formed of, for example, a shift register, and sequentially generates vertical selection pulses in synchronization with a vertical transfer clock VCK (not shown) and supplies the vertical selection pulses to vertical scanning lines..., 21n-1, 21, n, 21n + 1,. Performs vertical scanning.

【0015】一方、表示エリア部12において、例えば
奇数番目のデータライン…,22m−1,22m+1,
…の各一端がHドライバ13Uの対応する列の各出力端
に、偶数番目のデータライン…,22m−2,22m,
…の各他端がHドライバ13Dの対応する列の各出力端
にそれぞれ接続される。Hドライバ13U,13Dの具
体的な構成の一例を図3に示す。
On the other hand, in the display area section 12, for example, odd-numbered data lines..., 22m-1, 22m + 1,
Are connected to the respective output terminals of the corresponding columns of the H driver 13U, even-numbered data lines..., 22m-2, 22m,.
Are connected to the respective output terminals of the corresponding column of the H driver 13D. FIG. 3 shows an example of a specific configuration of the H drivers 13U and 13D.

【0016】図3に示すように、Hドライバ13Uは、
シフトレジスタ25U、サンプリングラッチ回路(デー
タ信号入力回路)26U、線順次化ラッチ回路27Uお
よびDA変換回路28Uを有する構成となっている。シ
フトレジスタ25Uは、水平転送クロックHCK(図示
せず)に同期して各転送段から順次シフトパルスを出力
することによって水平走査を行う。サンプリングラッチ
回路26Uは、シフトレジスタ25Uから与えられるシ
フトパルスに応答して、入力される所定ビットのディジ
タル画像データを点順次にてサンプリングしてラッチす
る。
As shown in FIG. 3, the H driver 13U includes:
The configuration includes a shift register 25U, a sampling latch circuit (data signal input circuit) 26U, a line sequential latch circuit 27U, and a DA conversion circuit 28U. The shift register 25U performs horizontal scanning by sequentially outputting a shift pulse from each transfer stage in synchronization with a horizontal transfer clock HCK (not shown). The sampling latch circuit 26U responds to a shift pulse given from the shift register 25U, and samples and latches input digital image data of predetermined bits in a dot-sequential manner.

【0017】線順次化ラッチ回路27Uは、サンプリン
グラッチ回路26Uで点順次にてラッチされたディジタ
ル画像データを1ライン単位で再度ラッチすることによ
って線順次化し、この1ライン分のディジタル画像デー
タを一斉に出力する。DA変換回路28Uは例えば基準
電圧選択型の回路構成をとり、線順次化ラッチ回路27
Uから出力される1ライン分のディジタル画像データを
アナログ画像信号に変換して先述した画素エリア部12
のデータライン…,22m−2,22m−1,22m,
22m+1,…に与える。
The line-sequentializing latch circuit 27U re-latches the digital image data latched in the dot-sequential manner by the sampling latch circuit 26U line by line, thereby line-sequentially converting the digital image data for one line. Output to The DA conversion circuit 28U has, for example, a circuit configuration of a reference voltage selection type, and has a line-sequential latch circuit 27.
The digital image data for one line output from U is converted into an analog image signal to convert the digital image data into an analog image signal.
, 22m-2, 22m-1, 22m,
22m + 1, ....

【0018】図4に、基準電圧選択型DA変換回路28
Uの単位回路の構成例を示す。ここでは、入力されるデ
ィジタル画像データが例えば3ビット(b2,b1,b
0)の場合を例に採って示しており、この3ビットのデ
ータに対して8(=23 )個の基準電圧V0〜V7が用
意されることになる。この単位回路が、画素エリア部1
2のデータライン…,22m−2,22m−1,22
m,22m+1,…ごとに1個ずつ配置されることにな
る。
FIG. 4 shows a reference voltage selection type DA conversion circuit 28.
4 shows a configuration example of a unit circuit of U. Here, the input digital image data is, for example, 3 bits (b2, b1, b).
0) is taken as an example, and eight (= 2 3 ) reference voltages V0 to V7 are prepared for the 3-bit data. This unit circuit is the pixel area unit 1
2 data lines ..., 22m-2, 22m-1, 22
m, 22m + 1,... are arranged one by one.

【0019】下側のHドライバ13Dについても、上側
のHドライバ13Uと全く同様に、シフトレジスタ25
D、サンプリングラッチ回路26D、線順次化ラッチ回
路27Dおよび基準電圧選択型のDA変換回路28Dを
有する構成となっている。なお、本例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置では、表示エリア部12の上
下にHドライバ13U,13Dを配する構成を採った
が、これに限定されるものではなく、上下のいずれか一
方のみに配する構成を採ることも可能である。
The lower H driver 13D also has a shift register 25 just like the upper H driver 13U.
D, a sampling latch circuit 26D, a line sequential latch circuit 27D, and a reference voltage selection type DA conversion circuit 28D. In the active matrix type liquid crystal display device according to this embodiment, the H drivers 13U and 13D are arranged above and below the display area 12, but the present invention is not limited to this. It is also possible to adopt a configuration of distributing the information.

【0020】ガラス基板11上にはさらに、基準電圧発
生回路15、対向電極電圧発生回路16、電源電圧変換
回路17およびタイミング発生回路18も、Hドライバ
13U,13DおよびVドライバ14と同様に、表示エ
リア部12と共に一体形成されている。ここで、例えば
表示エリア部12の上下にHドライバ13U,13Dを
配する構成を採る液晶表示装置の場合には、Hドライバ
13U,13Dが搭載されていない辺の額縁エリア(表
示エリア部12の周辺エリア)に基準電圧発生回路1
5、対向電極電圧発生回路16、電源電圧変換回路17
およびタイミング発生回路18を搭載するのが好まし
い。
On the glass substrate 11, a reference voltage generation circuit 15, a common electrode voltage generation circuit 16, a power supply voltage conversion circuit 17, and a timing generation circuit 18 are also displayed in the same manner as the H drivers 13U, 13D and V driver 14. It is formed integrally with the area 12. Here, for example, in the case of a liquid crystal display device adopting a configuration in which H drivers 13U and 13D are arranged above and below the display area section 12, a frame area of a side where the H drivers 13U and 13D are not mounted (the display area section 12). Reference voltage generation circuit 1 in the peripheral area)
5, counter electrode voltage generation circuit 16, power supply voltage conversion circuit 17
And a timing generation circuit 18.

【0021】何故ならば、Hドライバ13U,13D
は、上述した如くVドライバ14に比べて構成要素が多
く、その回路面積が非常に大きくなる場合が多いことか
ら、Hドライバ13U,13Dが搭載されていない辺の
額縁エリアに搭載することで、有効画面率(ガラス基板
11に対する有効エリア部12の面積率)を低下させる
ことなく、基準電圧発生回路15、対向電極電圧発生回
路16、電源電圧変換回路17およびタイミング発生回
路18を表示エリア部12と同一のガラス基板11上に
実装することができるからである。
The reason is that the H drivers 13U, 13D
As described above, since the number of components is larger than that of the V driver 14 and the circuit area is often very large as described above, the H driver 13U, 13D is mounted in the frame area on the side where the H driver 13U, 13D is not mounted. The reference voltage generation circuit 15, the counter electrode voltage generation circuit 16, the power supply voltage conversion circuit 17, and the timing generation circuit 18 are connected to the display area section 12 without reducing the effective screen ratio (the area ratio of the effective area section 12 to the glass substrate 11). This is because it can be mounted on the same glass substrate 11 as.

【0022】なお、本例に係るアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、Hドライバ13U,13Dが
搭載されていない辺の額縁エリアの一方側にはVドライ
バ14が実装されていることから、その反対側の辺の額
縁エリアに基準電圧発生回路15、対向電極電圧発生回
路16、電源電圧変換回路17およびタイミング発生回
路18を実装する構成を採っている。
In the active matrix type liquid crystal display device according to the present embodiment, the V driver 14 is mounted on one side of the frame area on the side where the H drivers 13U and 13D are not mounted. A configuration is adopted in which a reference voltage generation circuit 15, a common electrode voltage generation circuit 16, a power supply voltage conversion circuit 17, and a timing generation circuit 18 are mounted in a frame area on the side.

【0023】図5は、基準電圧発生回路15の具体的な
構成の一例を示す回路図である。本例に係る基準電圧発
生回路15は、正電源電圧VCCと負電源電圧VSSと
を一定の周期で互いに逆相でスイッチングする2つのス
イッチ回路31,32と、これらスイッチ回路31,3
2の各出力端間に直列に接続された7個の分割抵抗R1
〜R7とからなる構成となっている。ここで、正電源電
圧VCCと負電源電圧VSSとを一定の周期、例えば1
H周期で互いに逆相でスイッチングするのは、液晶の劣
化防止を目的として、液晶を交流駆動(本例では、1H
反転駆動)するためである。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of the reference voltage generating circuit 15. The reference voltage generation circuit 15 according to the present example includes two switch circuits 31 and 32 that switch the positive power supply voltage VCC and the negative power supply voltage VSS in a fixed cycle in opposite phases to each other, and these switch circuits 31 and 3
7 divided resistors R1 connected in series between respective output terminals
To R7. Here, the positive power supply voltage VCC and the negative power supply voltage VSS are set to a fixed cycle,
Switching in the opposite phase in the H cycle is performed by driving the liquid crystal by alternating current (1H in this example) in order to prevent deterioration of the liquid crystal.
This is for performing inversion driving.

【0024】上記構成の基準電圧発生回路15におい
て、スイッチ回路31の出力電圧VAがそのままノーマ
リホワイトでの白信号用の基準電圧V7として、スイッ
チ回路32の出力電圧VBがそのままノーマリホワイト
での黒信号用の基準電圧V0として用いられる。また、
黒信号用の基準電圧V0と白信号用基準電圧V7との差
電圧を分割抵抗R0〜R6によって抵抗分割することに
より、中間調用の基準電圧V1〜V6が作成される。ノ
ーマリブラックの場合には、出力電圧VAが黒信号用の
基準電圧V7として、出力電圧VBが白信号用の基準電
圧V0として用いられることになる。
In the reference voltage generation circuit 15 having the above configuration, the output voltage VA of the switch circuit 31 is used as it is as the reference voltage V7 for a white signal in normally white, and the output voltage VB of the switch circuit 32 is used as it is in normally white. Used as a reference voltage V0 for a black signal. Also,
By dividing the difference voltage between the reference voltage V0 for the black signal and the reference voltage V7 for the white signal by the division resistors R0 to R6, the reference voltages V1 to V6 for the halftone are created. In the case of normally black, the output voltage VA is used as the reference voltage V7 for the black signal, and the output voltage VB is used as the reference voltage V0 for the white signal.

【0025】図6は、対向電極電圧発生回路16の具体
的な構成の一例を示すブロック図である。本例に係る対
向電極電圧発生回路16は、正側電源電圧VCCと負側
電源電圧VSSとを一定の周期でスイッチングして出力
するスイッチ回路33と、このスイッチ回路33の出力
電圧VAのDCレベルを変換して対向電極電圧Vcom
として出力するDCレベル変換回路34とからなる構成
となっている。
FIG. 6 is a block diagram showing an example of a specific configuration of the common electrode voltage generation circuit 16. As shown in FIG. The counter electrode voltage generation circuit 16 according to the present example includes a switch circuit 33 that switches and outputs a positive power supply voltage VCC and a negative power supply voltage VSS at a constant cycle, and a DC level of the output voltage VA of the switch circuit 33. Is converted to the common electrode voltage Vcom.
And a DC level conversion circuit 34 for outputting

【0026】スイッチ回路33は、正側電源電圧VCC
を入力とするスイッチSW1と、負側電源電圧VSSを
入力とするスイッチSW2とからなり、これらスイッチ
SW1,SW2が互いに逆相の制御パルスφ1,φ2に
よってスイッチングされることにより、正側電源電圧V
CCと負側電源電圧VSSとを一定の周期で交互に出力
する構成となっている。これにより、スイッチ回路33
からは振幅VSS〜VCCの電圧VAが出力される。
The switch circuit 33 has a positive power supply voltage VCC.
, And a switch SW2 that receives the negative power supply voltage VSS. The switches SW1 and SW2 are switched by control pulses φ1 and φ2 having opposite phases to each other, so that the positive power supply voltage V
The configuration is such that CC and the negative power supply voltage VSS are alternately output at a constant cycle. Thereby, the switch circuit 33
Output a voltage VA having an amplitude of VSS to VCC.

【0027】DCレベル変換回路34は、スイッチ回路
33の振幅VSS〜VCCの出力電圧VAを、例えば振
幅VSS−ΔV〜VCC−ΔVの直流電圧にレベル変換
して対向電極電圧Vcomとして出力する。このDCレ
ベル変換回路34としては、種々の回路構成のものが考
えられるが、図7に示すように、コンデンサ341およ
びDC電圧発生回路342からなる回路構成がシンプル
なものとして一般的に用いられる。
The DC level conversion circuit 34 converts the level of the output voltage VA having an amplitude of VSS to VCC of the switch circuit 33 into a DC voltage having an amplitude of VSS-ΔV to VCC-ΔV, for example, and outputs it as a common electrode voltage Vcom. As the DC level conversion circuit 34, various circuit configurations can be considered. As shown in FIG. 7, a circuit configuration including a capacitor 341 and a DC voltage generation circuit 342 is generally used as a simple circuit configuration.

【0028】次に、電源電圧変換回路17について説明
する。電源電圧変換回路17としては、近年の携帯端末
の低消費電力化、小型化に伴ってチャージポンプ型のも
のが多く使用されるようになってきている。図8は、チ
ャージポンプ型電源電圧変換回路(DC−DCコンバー
タ)の構成の一例を示す回路図であり、(A)は負電圧
発生タイプを、(B)は昇圧タイプをそれぞれ示してい
る。
Next, the power supply voltage conversion circuit 17 will be described. As the power supply voltage conversion circuit 17, a charge pump type circuit has been increasingly used in recent years as power consumption and size of portable terminals have been reduced. FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a charge pump type power supply voltage conversion circuit (DC-DC converter), where (A) shows a negative voltage generation type and (B) shows a boost type.

【0029】図8において、単一の直流電源電圧VCC
を与える電源とグランド(GND)との間には、PchM
OSトランジスタQp11とNchMOSトランジスタQ
n11とが直列に接続され、かつ各ゲートが共通に接続
されてCMOSインバータ41を構成している。このC
MOSインバータ41のゲート共通接続点には、パルス
発生源42から所定の周波数のスイッチングパルスが印
加される。
In FIG. 8, a single DC power supply voltage VCC
Between the power supply and ground (GND).
OS transistor Qp11 and NchMOS transistor Q
n11 are connected in series, and the gates are connected in common to form a CMOS inverter 41. This C
A switching pulse having a predetermined frequency is applied from a pulse generation source 42 to the gate common connection point of the MOS inverter 41.

【0030】CMOSインバータ41のドレイン共通接
続点(ノードB)には、コンデンサC11の一端が接続
されている。コンデンサC11の他端には、スイッチ素
子、例えばNchMOSトランジスタQn12のドレイン
およびPMOSトランジスタQp12のソースがそれぞ
れ接続されている。NchMOSトランジスタQn12の
ソースとグランドとの間には、負荷コンデンサC12が
接続されている。
One end of a capacitor C11 is connected to a common drain connection point (node B) of the CMOS inverter 41. The other end of the capacitor C11 is connected to a switch element, for example, a drain of an NchMOS transistor Qn12 and a source of a PMOS transistor Qp12. A load capacitor C12 is connected between the source of the NchMOS transistor Qn12 and the ground.

【0031】CMOSインバータ41のゲート共通接続
点には、コンデンサC13の一端が接続されている。コ
ンデンサC13の他端には、ダイオードD11のアノー
ドが接続されている。ダイオードD11は、そのカソー
ドが接地されて第1のクランプ回路43を構成してい
る。コンデンサC13の他端にはさらに、NchMOSト
ランジスタQn12およびPchMOSトランジスタQp
12の各ゲートがそれぞれ接続されている。PchMOS
トランジスタQp12のドレインは接地されている。
One end of a capacitor C13 is connected to a common connection point of the gates of the CMOS inverter 41. The other end of the capacitor C13 is connected to the anode of the diode D11. The cathode of the diode D11 is grounded to form a first clamp circuit 43. The other end of the capacitor C13 further includes an NchMOS transistor Qn12 and a PchMOS transistor Qp
Twelve gates are connected to each other. PchMOS
The drain of the transistor Qp12 is grounded.

【0032】コンデンサC13の他端とグランドとの間
には、PchMOSトランジスタQp13が接続されてい
る。このPchMOSトランジスタQp13のゲートに
は、パルス発生源44で発生されるクランプ用パルスが
レベルシフト回路45でレベルシフトされて与えられ
る。これらPchMOSトランジスタQp13、パルス発
生源44およびレベルシフト回路45は、スイッチング
トランジスタ(NchMOSトランジスタQn12および
PchMOSトランジスタQp12)のスイッチングパル
ス電圧をクランプする第2のクランプ回路46を構成し
ている。
A PchMOS transistor Qp13 is connected between the other end of the capacitor C13 and the ground. A clamp pulse generated by a pulse generation source 44 is level-shifted by a level shift circuit 45 and applied to the gate of the PchMOS transistor Qp13. The PchMOS transistor Qp13, the pulse generation source 44, and the level shift circuit 45 constitute a second clamp circuit 46 for clamping the switching pulse voltage of the switching transistor (NchMOS transistor Qn12 and PchMOS transistor Qp12).

【0033】この第2のクランプ回路46において、レ
ベルシフト回路45は、本電源電圧変換回路に入力され
る電源電圧VCCを正側回路電源、負荷コンデンサC1
2の両端から導出される本回路の出力電圧Voutを負
側回路電源とし、パルス発生源44で発生される第1の
振幅(VCC−0[V])のクランプ用パルスを、第2
の振幅(VCC−Vout[V])のクランプ用パルス
にレベルシフトしてPchMOSトランジスタQp13の
ゲートに与える。これにより、PchMOSトランジスタ
Qp13のスイッチング動作がより確実に行われること
になる。
In the second clamp circuit 46, the level shift circuit 45 converts the power supply voltage VCC input to the present power supply voltage conversion circuit into a positive circuit power supply and a load capacitor C1.
The output voltage Vout of this circuit derived from both ends of the second circuit 2 is used as a negative circuit power supply, and the clamp pulse of the first amplitude (VCC-0 [V]) generated by the pulse generator 44 is supplied to the second circuit.
Of the amplitude (VCC-Vout [V]), and gives it to the gate of the PchMOS transistor Qp13. Thereby, the switching operation of the PchMOS transistor Qp13 is performed more reliably.

【0034】次に、上記構成の負電圧発生タイプのチャ
ージポンプ型電源電圧変換回路における回路動作につい
て、図9(A)のタイミングチャートを用いて説明す
る。なお、図9(A)のタイミングチャートには、図8
(A)の回路におけるノードA〜Gの各信号波形A〜G
を示している。
Next, the circuit operation of the negative voltage generation type charge pump type power supply voltage conversion circuit having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG. Note that the timing chart of FIG.
Signal waveforms A to G at nodes A to G in the circuit of FIG.
Is shown.

【0035】電源投入時(起動時)には、パルス発生源
42で発生されるスイッチングパルスに基づくコンデン
サC13の出力電位、即ちノードDの電位は、先ずダイ
オードD11によって、負側の回路電源電位であるグラ
ンド(GND)レベルからダイオードD11のしきい値
電圧Vth分だけレベルシフトした電位に“H”レベル
クランプされる。
When the power is turned on (start-up), the output potential of the capacitor C13 based on the switching pulse generated by the pulse generation source 42, that is, the potential of the node D is first set to the negative circuit power supply potential by the diode D11. The signal is clamped at the “H” level to a potential level shifted from a certain ground (GND) level by the threshold voltage Vth of the diode D11.

【0036】そして、スイッチングパルスが“L”レベ
ル(0V)のときは、PchMOSトランジスタQp1
1,Qp12がオン状態となるため、コンデンサC11
が充電される。このとき、NchMOSトランジスタQn
11がオフ状態にあるため、ノードBの電位がVCCレ
ベルとなる。次いで、スイッチングパルスが“H”レベ
ル(VCC)になると、NchMOSトランジスタQn1
1,Qn12がオン状態となり、ノードBの電位がグラ
ンドレベル(0V)になるため、ノードCの電位が−V
CCレベルとなる。このノードCの電位がそのままNch
MOSトランジスタQn12を通して出力電圧Vout
(=−VCC)となる。
When the switching pulse is at the "L" level (0 V), the PchMOS transistor Qp1
1 and Qp12 are turned on, so that the capacitor C11
Is charged. At this time, the NchMOS transistor Qn
Since 11 is in the off state, the potential of the node B becomes the VCC level. Next, when the switching pulse becomes “H” level (VCC), the NchMOS transistor Qn1
1 and Qn12 are turned on, and the potential of the node B becomes the ground level (0 V).
It becomes CC level. The potential of this node C remains unchanged for Nch
Output voltage Vout through MOS transistor Qn12
(= −VCC).

【0037】次に、出力電圧Voutがある程度立ち上
がると(起動プロセス終了時)、クランプパルス用のレ
ベルシフト回路45が動作を始める。このレベルシフト
回路45が動作し始めると、パルス発生源44で発生さ
れた振幅VCC−0[V]のクランプ用パルスは、当該
レベルシフト回路45において、振幅VCC−Vout
[V]のクランプ用パルスにレベルシフトされ、しかる
後PchMOSトランジスタQp13のゲートに印加され
る。
Next, when the output voltage Vout rises to some extent (at the end of the start-up process), the level shift circuit 45 for the clamp pulse starts operating. When the level shift circuit 45 starts operating, the clamp pulse having the amplitude VCC-0 [V] generated by the pulse generation source 44 is supplied to the level shift circuit 45 by the amplitude VCC-Vout.
The level is shifted to the clamp pulse of [V], and then applied to the gate of the PchMOS transistor Qp13.

【0038】このとき、クランプ用パルスの“L”レベ
ルが出力電圧Vout、即ち−VCCであるため、Pch
MOSトランジスタQp13が確実にオン状態となる。
これにより、ノードDの電位は、グランドレベルからダ
イオードD11のしきい値電圧Vth分だけレベルシフ
トした電位ではなく、グランドレベル(負側の回路電源
電位)にクランプされる。これにより、以降のポンピン
グ動作において、特にPchMOSトランジスタQp12
に対して十分な駆動電圧が得られる。
At this time, since the "L" level of the clamping pulse is the output voltage Vout, ie, -VCC, the Pch
MOS transistor Qp13 is reliably turned on.
As a result, the potential of the node D is clamped to the ground level (negative circuit power supply potential) instead of the potential level shifted from the ground level by the threshold voltage Vth of the diode D11. Thereby, in the subsequent pumping operation, in particular, the PchMOS transistor Qp12
, A sufficient driving voltage can be obtained.

【0039】上述したように、チャージポンプを用いた
電源電圧変換回路において、その出力部に設けられたス
イッチ素子(NchMOSトランジスタQn12およびP
chMOSトランジスタQp12)に対する制御パルス
(スイッチングパルス)の電圧を、本回路の起動時には
先ず第1のクランプ回路43のダイオードD11による
クランプ、起動プロセス終了後は第2のクランプ回路4
6によるクランプ、というように2段階に分けてクラン
プすることにより、特にPchMOSトランジスタQp1
2に対して十分な駆動電圧をとることができる。
As described above, in the power supply voltage conversion circuit using the charge pump, the switching elements (Nch MOS transistors Qn12 and Pn12)
The voltage of the control pulse (switching pulse) for the chMOS transistor Qp12) is first clamped by the diode D11 of the first clamp circuit 43 when the circuit is activated, and the second clamp circuit 4 is activated after the activation process is completed.
6, the clamping is performed in two stages, such as the PchMOS transistor Qp1.
2, a sufficient driving voltage can be obtained.

【0040】これにより、PchMOSトランジスタQp
12において十分なスイッチング電流が得られるように
なるため、安定したDC−DC変換動作が行えるように
なるとともに、変換効率を向上させることができる。特
に、PchMOSトランジスタQp12のトランジスタサ
イズを大きくしなくても、十分なスイッチング電流が得
られるため、小面積の回路規模にて電流容量の大きな電
源電圧変換回路を実現できる。
As a result, the Pch MOS transistor Qp
12, a sufficient switching current can be obtained, so that a stable DC-DC conversion operation can be performed and the conversion efficiency can be improved. In particular, since a sufficient switching current can be obtained without increasing the transistor size of the PchMOS transistor Qp12, a power supply voltage conversion circuit having a large current capacity and a small circuit scale can be realized.

【0041】図8(B)に示す昇圧タイプのDDコンバ
ータにおいても、基本的な回路構成および回路動作は同
じである。
The booster DD converter shown in FIG. 8B has the same basic circuit configuration and circuit operation.

【0042】すなわち、図8(B)において、スイッチ
ングトランジスタおよびクランプ用トランジスタ(MO
SトランジスタQp14,Qn14,Qn13)が、図
8(A)の回路のMOSトランジスタQn12,Qp1
2,Qp13と逆導電型となるとともに、ダイオードD
11がコンデンサC11の他端と電源(VCC)との間
に接続され、かつレベルシフト回路45が本回路の出力
電圧Voutを正側回路電源とし、グランドレベルを負
側回路電源とした構成となっており、この点が図8
(A)の回路と構成上相違するのみである。
That is, in FIG. 8B, the switching transistor and the clamping transistor (MO)
The S transistors Qp14, Qn14, Qn13) are the MOS transistors Qn12, Qp1 of the circuit of FIG.
2, Qp13 and the diode D
11 is connected between the other end of the capacitor C11 and the power supply (VCC), and the level shift circuit 45 uses the output voltage Vout of this circuit as a positive circuit power supply and the ground level as a negative circuit power supply. Figure 8
The only difference from the circuit of FIG.

【0043】回路動作上においても、基本的には、図8
(A)の回路と全く同じである。異なるのは、スイッチ
ングパルス電圧(制御パルス電圧)が起動時に先ずダイ
オードクランプされ、起動プロセス終了時にVCCレベ
ル(正側の回路電源電位)にクランプされ、また出力電
圧Voutとして電源電圧VCCの2倍の電圧値2×V
CCが導出される点だけである。図9(B)に、図8
(B)の回路におけるノードA〜Gの各信号波形A〜G
のタイミングチャートを示す。
In terms of circuit operation, basically, FIG.
This is exactly the same as the circuit of FIG. The difference is that the switching pulse voltage (control pulse voltage) is first diode-clamped at startup, clamped to the VCC level (positive circuit power supply potential) at the end of the startup process, and output voltage Vout is twice the power supply voltage VCC. Voltage value 2 × V
Only the point from which the CC is derived. FIG. 9 (B) shows FIG.
Signal waveforms A to G at nodes A to G in the circuit of FIG.
3 shows a timing chart.

【0044】なお、ここでは、電源電圧変換回路17と
して、チャージポンプ型のものを例にとって説明した
が、これは一例に過ぎず、これに限定されるものではな
い。
Here, the power supply voltage conversion circuit 17 has been described by taking a charge pump type as an example, but this is merely an example and the present invention is not limited to this.

【0045】続いて、タイミング発生回路18について
説明する。タイミング発生回路18は、図10に模式的
に示すように、外部から与えられる水平同期信号HD、
垂直同期信号VDおよびマスタークロックMCKを入力
とし、これらを基準にして先ず、Hドライバ13Uのシ
フトレジスタ25Uに与える水平スタートパルスHST
および水平転送パルスHCK、並びにVドライバ14の
シフトレジスタ141に与える垂直スタートパルスVS
Tおよび垂直転送パルスVCKを発生する。
Next, the timing generation circuit 18 will be described. As schematically shown in FIG. 10, the timing generation circuit 18 includes a horizontal synchronization signal HD,
The vertical synchronization signal VD and the master clock MCK are input, and the horizontal start pulse HST applied to the shift register 25U of the H driver 13U is first set based on these inputs.
And a horizontal transfer pulse HCK, and a vertical start pulse VS given to the shift register 141 of the V driver 14.
T and a vertical transfer pulse VCK are generated.

【0046】ここで、水平スタートパルスHSTは平同
期信号HDの発生後所定時間経過後に発生するパルス信
号であり、水平転送パルスHCKはマスタークロックM
CKを例えば分周することによって得られるパルス信号
である。また、垂直スタートパルスVSTは垂直同期信
号VDの発生後所定時間経過後に発生するパルス信号で
あり、垂直転送パルスVCKは水平転送パルスHCKを
例えば分周することによって得られるパルス信号であ
る。
Here, the horizontal start pulse HST is a pulse signal generated after a lapse of a predetermined time after the generation of the flat synchronization signal HD, and the horizontal transfer pulse HCK is the master clock M
This is a pulse signal obtained by dividing CK, for example. The vertical start pulse VST is a pulse signal generated after a predetermined time has elapsed after the generation of the vertical synchronization signal VD, and the vertical transfer pulse VCK is a pulse signal obtained by, for example, dividing the frequency of the horizontal transfer pulse HCK.

【0047】したがって、タイミング発生回路18にお
いて、水平同期信号HD、垂直同期信号VDおよびマス
タークロックMCKを基準にして、水平スタートパルス
HST、水平転送パルスHCK、垂直スタートパルスV
STおよび垂直転送パルスVCKを生成するための回路
としては、数段の簡単なカウンタ回路で実現できること
になる。
Therefore, in the timing generation circuit 18, the horizontal start pulse HST, the horizontal transfer pulse HCK, and the vertical start pulse VCK are set on the basis of the horizontal synchronizing signal HD, the vertical synchronizing signal VD and the master clock MCK.
A circuit for generating the ST and the vertical transfer pulse VCK can be realized by a simple counter circuit having several stages.

【0048】タイミング発生回路18はさらに、Hドラ
イバ13Uのシフトレジスタ25Uの適当な転送段から
得られるタイミングデータおよびVドライバ14のシフ
トレジスタ141の適当な転送段から得られるタイミン
グデータ(タイミング情報)をも入力とし、これらタイ
ミングデータを基にして、Hドライバ13Uで用いるタ
イミングパルスや、Vドライバ14で用いるタイミング
パルスをも発生する構成となっている。
The timing generation circuit 18 further outputs timing data obtained from an appropriate transfer stage of the shift register 25U of the H driver 13U and timing data (timing information) obtained from an appropriate transfer stage of the shift register 141 of the V driver 14. Also, a timing pulse used by the H driver 13U and a timing pulse used by the V driver 14 are generated based on these timing data.

【0049】ここで、Hドライバ13Uで用いるタイミ
ングパルスとしては、一例として、図3に示す線順次化
ラッチ回路27U(27D)で用いるラッチ制御パルス
が挙げられる。ただし、これに限られるものではない。
一方、Vドライバ14で用いるタイミングパルスとして
は、一例として、表示エリア部12の垂直方向のある期
間だけ表示を行う部分表示モードのときにその表示期間
を特定するための表示期間制御パルスが挙げられる。た
だし、これに限られるものではない。
The timing pulse used in the H driver 13U is, for example, a latch control pulse used in the line sequential latch circuit 27U (27D) shown in FIG. However, it is not limited to this.
On the other hand, the timing pulse used in the V driver 14 is, for example, a display period control pulse for specifying the display period in the partial display mode in which display is performed only during a certain period in the vertical direction of the display area unit 12. . However, it is not limited to this.

【0050】図11は、タイミング発生回路18の具体
的な構成の一例を示すブロック図である。ここでは、タ
イミング発生回路18がHドライバ13Uのシフトレジ
スタ25Uから与えられるタイミングデータに基づい
て、線順次化ラッチ回路27Uで用いるラッチ制御パル
スを発生する場合を例に採って説明するものとする。
FIG. 11 is a block diagram showing an example of a specific configuration of the timing generation circuit 18. As shown in FIG. Here, the case where the timing generation circuit 18 generates a latch control pulse used in the line-sequentialization latch circuit 27U based on the timing data given from the shift register 25U of the H driver 13U will be described as an example.

【0051】図11において、先ず、Hドライバ13U
のシフトレジスタ25Uは、表示エリア部12における
水平画素数以上のM段のD型フリップフロップ(以下、
DFFと記す)51−1〜51−Mによって構成されて
いる。かかる構成のシフトレジスタ25Uは、水平スタ
ートパルスHSTが与えられると、水平転送パルスHC
Kに同期してシフト動作を行う。その結果、DFF51
−1〜51−Mの各Q出力端からは、水平転送パルスH
CKに同期して順次パルス(タイミング情報)が出力さ
れる。
In FIG. 11, first, an H driver 13U
Shift register 25U has M stages of D-type flip-flops (hereinafter, referred to as the number of horizontal pixels in the display area unit 12).
DFF) 51-1 to 51-M. When the horizontal start pulse HST is given, the shift register 25U having such a configuration transfers the horizontal transfer pulse HC.
The shift operation is performed in synchronization with K. As a result, the DFF 51
−1 to 51-M, the horizontal transfer pulse H
Pulses (timing information) are sequentially output in synchronization with CK.

【0052】これらDFF51−1〜51−Mの各Q出
力パルスは、サンプリングパルスとしてサンプリングラ
ッチ回路26Uに順次与えられる。また、DFF51−
1〜51−Mの各Q出力パルスのうち、適当な転送段の
Q出力パルス、ここでは一例として、1段目のDFF5
1−1のQ出力パルスAと、M−1段目のDFF51−
M−1のQ出力パルスBとがタイミング発生回路18に
供給される。
Each of the Q output pulses of the DFFs 51-1 to 51-M is sequentially supplied to the sampling latch circuit 26U as a sampling pulse. Also, DFF51-
Among the Q output pulses 1 to 51-M, the Q output pulse of an appropriate transfer stage, here, as an example, the first stage DFF5
1-1, the Q output pulse A and the M-1 stage DFF 51-
The M-1 Q output pulse B is supplied to the timing generation circuit 18.

【0053】タイミング発生回路18において、ラッチ
制御パルスを発生するためのラッチ制御パルス発生回路
52は、例えばDFF53およびバッファ54からなる
構成となっている。DFF53は、シフトレジスタ25
Uから供給される1段目のDFF51−1のQ出力パル
スAをクロック(CK)入力、M−1段目のDFF51
−M−1のQ出力パルスBをクリア(CLR)入力と
し、自身の反転Q出力をデータ(D)入力としている。
In the timing generation circuit 18, a latch control pulse generation circuit 52 for generating a latch control pulse has, for example, a configuration including a DFF 53 and a buffer 54. The DFF 53 is a shift register 25
The clock (CK) is input to the Q output pulse A of the first stage DFF 51-1 supplied from U, and the M-1 stage DFF 51-1
The -M-1 Q output pulse B is used as a clear (CLR) input, and its own inverted Q output is used as a data (D) input.

【0054】これにより、DFF51−1のQ出力パル
スAの立ち上がりタイミングからDFF51−M−1の
Q出力パルスBの立ち上がりタイミングまでの期間にお
いて“H”レベル(高レベル)となるパルスが、DFF
53のQ出力端からバッファ54を介してラッチ制御パ
ルスCとして得られる。
As a result, the pulse which becomes "H" level (high level) in the period from the rising timing of the Q output pulse A of the DFF 51-1 to the rising timing of the Q output pulse B of the DFF 51-M-1 is changed to the DFF
A latch control pulse C is obtained from the Q output terminal 53 via the buffer 54.

【0055】上述したように、タイミング発生回路18
において、Hドライバ13U,13DやVドライバ14
で用いるタイミングパルスの生成に、Hドライバ13
U,13Dのシフトレジスタ25U,25DやVドライ
バ14のシフトレジスタ141を兼用し、これらシフト
レジスタから得られるタイミングデータを基にタイミン
グパルスを生成することにより、カウンタ回路などの専
用の回路が不要になり、回路構成を簡略化できるため、
セットの小型化、低コスト化、さらには低消費電力化が
可能になる。
As described above, the timing generation circuit 18
, The H drivers 13U and 13D and the V driver 14
Driver 13 for generating timing pulses used in
U and 13D shift registers 25U and 25D and V driver 14 shift register 141 are also used, and timing pulses are generated based on the timing data obtained from these shift registers, so that a dedicated circuit such as a counter circuit is not required. And the circuit configuration can be simplified,
This makes it possible to reduce the size, cost, and power consumption of the set.

【0056】なお、ここでは、タイミング発生回路18
が、水平スタートパルスHST、水平転送パルスHC
K、垂直スタートパルスVSTおよび垂直転送パルスV
CKを発生する場合を例にとって説明したが、これは一
例に過ぎず、これらのタイミングパルスに限定されるも
のではない。
Here, the timing generation circuit 18
Are the horizontal start pulse HST and the horizontal transfer pulse HC
K, vertical start pulse VST and vertical transfer pulse V
The case where CK is generated has been described as an example, but this is merely an example and the present invention is not limited to these timing pulses.

【0057】他のタイミングパルスとしては、例えば先
述したチャージポンプ型電源電圧変換回路17で用いる
スイッチングパルスやクランプ用パルスが挙げられる。
このように、スイッチングパルスやクランプ用パルスに
ついてもタイミング発生回路18で発生するようにする
ことで、図8に示したチャージポンプ型電源電圧変換回
路17において、これらのパルスを発生するパルス発生
源42,43を省略できるため、その分だけ電源電圧変
換回路17の回路構成を簡略化でき、したがってガラス
基板11上に一体形成する回路規模の縮小化を図ること
ができる。
Other timing pulses include, for example, the switching pulse and the clamping pulse used in the charge pump type power supply voltage conversion circuit 17 described above.
As described above, the switching pulse and the clamping pulse are also generated by the timing generation circuit 18, so that the charge pump type power supply voltage conversion circuit 17 shown in FIG. , 43 can be omitted, so that the circuit configuration of the power supply voltage conversion circuit 17 can be simplified by that much, so that the scale of the circuit integrally formed on the glass substrate 11 can be reduced.

【0058】上述した各構成例に係る基準電圧発生回路
15、対向電極電圧発生回路16、電源電圧変換回路1
7およびタイミング発生回路18を表示エリア部12と
共に同一のガラス基板11上に一体形成するに当たって
は、それらの回路を構成する回路素子の全て、もしくは
少なくとも能動素子(あるいは能動/受動素子)をガラス
基板11上に作成するようにする。これにより、ガラス
基板11外には能動素子(あるいは能動/受動素子)が一
つも存在しないことになるため、基板周辺部の構成を簡
略化でき、装置の小型化、低コスト化が可能になる。
The reference voltage generation circuit 15, the common electrode voltage generation circuit 16, and the power supply voltage conversion circuit 1 according to each of the above-described configuration examples.
When the circuit 7 and the timing generation circuit 18 are integrally formed on the same glass substrate 11 together with the display area section 12, all the circuit elements constituting those circuits, or at least the active elements (or active / passive elements) are replaced with a glass substrate. 11 is created. As a result, since no active element (or active / passive element) exists outside the glass substrate 11, the configuration of the peripheral portion of the substrate can be simplified, and the size and cost of the device can be reduced. .

【0059】また、表示エリア部12と共に同一のガラ
ス基板11上に一体形成する各回路としては、基準電圧
発生回路15、対向電極電圧発生回路16、電源電圧変
換回路17およびタイミング発生回路18以外にも、例
えば図12に示すように、CPUインターフェース回路
61、画像メモリ回路62、光センサ回路63および光
源駆動回路64などが挙げられる。
The circuits integrally formed on the same glass substrate 11 together with the display area section 12 include, in addition to the reference voltage generation circuit 15, the common electrode voltage generation circuit 16, the power supply voltage conversion circuit 17, and the timing generation circuit 18, For example, as shown in FIG. 12, a CPU interface circuit 61, an image memory circuit 62, an optical sensor circuit 63, a light source driving circuit 64, and the like are included.

【0060】ここで、CPUインターフェース回路61
は、外部のCPUとの間でデータの入出力を行うための
回路である。画像メモリ回路62は、外部からCPUイ
ンターフェース回路61を通じて入力される画像デー
タ、例えば静止画データを格納するためのメモリであ
る。光センサ回路63は、例えば本液晶表示装置を用い
る環境の明るさ等、外部光の強度を検知するセンサであ
り、その検知情報を光源駆動回路64に与える。光源駆
動回路64は、表示エリア部12を照明するバックライ
トあるいはフロントライトを駆動する回路であり、光セ
ンサ回路63から与えられる外部光の強度情報に基づい
てそれら光源の明るさを調整する。
Here, the CPU interface circuit 61
Is a circuit for inputting and outputting data to and from an external CPU. The image memory circuit 62 is a memory for storing image data input from the outside through the CPU interface circuit 61, for example, still image data. The optical sensor circuit 63 is a sensor that detects the intensity of external light, such as the brightness of the environment in which the present liquid crystal display device is used, and provides the detection information to the light source drive circuit 64. The light source drive circuit 64 is a circuit that drives a backlight or a front light that illuminates the display area unit 12, and adjusts the brightness of the light sources based on intensity information of external light provided from the optical sensor circuit 63.

【0061】これらの回路61〜64を表示エリア部1
2と共に同一のガラス基板11上に一体形成するに当た
っても、それらの回路を構成する回路素子の全て、もし
くは少なくとも能動素子(あるいは能動/受動素子)をガ
ラス基板11上に作成するようにすることで、装置の小
型化、低コスト化が可能になる。
The circuits 61 to 64 are connected to the display area 1
In the case where the circuit elements are integrally formed on the same glass substrate 11 together with the circuit board 2, all the circuit elements constituting those circuits, or at least the active elements (or active / passive elements) are formed on the glass substrate 11. In addition, the size and cost of the device can be reduced.

【0062】なお、上記実施形態では、アクティブマト
リクス型液晶表示装置に適用した場合を例に採って説明
したが、これに限定されるものではなく、エレクトロル
ミネッセンス(EL)素子を各画素の電気光学素子とし
て用いたEL表示装置などの他のアクティブマトリクス
型表示装置にも同様に適用可能である。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and an electroluminescent (EL) element may be used for each pixel. The present invention can be similarly applied to other active matrix display devices such as an EL display device used as an element.

【0063】また、上記実施形態に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置に代表されるアクティブマトリク
ス型表示装置は、パーソナルコンピュータ、ワードプロ
セッサ等のOA機器やテレビジョン受像機などのディス
プレイとして用いられる外、特に装置本体の小型化、コ
ンパクト化が進められている携帯電話機やPDAなどの
携帯端末の表示部として用いて好適なものである。
The active matrix type display device represented by the active matrix type liquid crystal display device according to the above embodiment is used not only as a display for OA equipment such as a personal computer and a word processor, but also for a display such as a television receiver. It is suitable for use as a display unit of a portable terminal such as a cellular phone or a PDA whose main body has been reduced in size and size.

【0064】図13は、本発明が適用される携帯端末、
例えば携帯電話機の構成の概略を示す外観図である。
FIG. 13 shows a portable terminal to which the present invention is applied.
FIG. 1 is an external view schematically illustrating a configuration of a mobile phone, for example.

【0065】本例に係る携帯電話機は、装置筐体71の
前面側に、スピーカ部72、表示部73、操作部74お
よびマイク部75が上部側から順に配置された構成とな
っている。かかる構成の携帯電話機において、表示部7
3には例えば液晶表示装置が用いられ、この液晶表示装
置として、先述した実施形態に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置が用いられる。
The mobile phone according to this embodiment has a configuration in which a speaker 72, a display 73, an operation unit 74, and a microphone 75 are arranged in this order from the upper side on the front side of an apparatus housing 71. In the mobile phone having such a configuration, the display unit 7
For example, a liquid crystal display device 3 is used as the liquid crystal display device 3, and the active matrix liquid crystal display device according to the above-described embodiment is used as the liquid crystal display device.

【0066】このように、携帯電話機などの携帯端末に
おいて、先述した実施形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置を表示部73として用いることにより、
当該液晶表示装置が低コストにて実現できるとともに、
小型であるため、端末本体の低コスト化、小型化が可能
となる。
As described above, in a portable terminal such as a portable telephone, by using the active matrix type liquid crystal display device according to the above-described embodiment as the display section 73,
The liquid crystal display device can be realized at low cost,
Since the terminal is small, the cost and size of the terminal body can be reduced.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アクティブマトリクス型表示装置あるいはこれを表示部
として用いた携帯端末において、垂直駆動回路および水
平駆動回路を含む駆動回路の他、周辺回路を表示エリア
部と共に同一基板上に同一プロセスを用いて作成するよ
うにしたことにより、セットを構成する部品点数を少な
く抑えることができるため、セットの低コスト化、さら
には薄型化、コンパクト化が可能になる。
As described above, according to the present invention,
In an active matrix type display device or a portable terminal using the same as a display unit, in addition to a drive circuit including a vertical drive circuit and a horizontal drive circuit, peripheral circuits are formed together with a display area unit on the same substrate using the same process. By doing so, the number of parts constituting the set can be reduced, so that the cost of the set can be reduced, and the set can be made thinner and more compact.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の構成例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration example of an active matrix liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】液晶表示装置の表示エリア部の構成例を示す回
路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a display area of a liquid crystal display device.

【図3】Hドライバの具体的な構成の一例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a specific configuration of an H driver.

【図4】基準電圧選択型DA変換回路の具体的な構成の
一例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of a reference voltage selection type DA converter.

【図5】基準電圧発生回路の具体的な構成の一例を示す
回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of a reference voltage generation circuit.

【図6】対向電極電圧発生回路の具体的な構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram illustrating an example of a specific configuration of a common electrode voltage generation circuit.

【図7】DCレベル変換回路の構成の一例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a DC level conversion circuit.

【図8】チャージポンプ型電源電圧変換回路の構成の一
例を示す回路図であり、(A)は負電圧発生タイプを、
(B)は昇圧タイプをそれぞれ示している。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a charge pump type power supply voltage conversion circuit.
(B) shows the boost type.

【図9】チャージポンプ型電源電圧変換回路の回路動作
を説明するためのタイミングチャートであり、(A)は
負電圧発生タイプを、(B)は昇圧タイプをそれぞれ示
している。
FIGS. 9A and 9B are timing charts for explaining the circuit operation of the charge pump type power supply voltage conversion circuit, wherein FIG. 9A shows a negative voltage generation type and FIG. 9B shows a step-up type.

【図10】タイミング発生回路の構成を説明するための
模式図である。
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a configuration of a timing generation circuit.

【図11】タイミング発生回路の具体的な構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram illustrating an example of a specific configuration of a timing generation circuit.

【図12】本実施形態に係るアクティブマトリクス型液
晶表示装置の変形例を示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing a modification of the active matrix liquid crystal display device according to the embodiment.

【図13】本発明に係る携帯端末である携帯電話機の構
成の概略を示す外観図である。
FIG. 13 is an external view schematically showing a configuration of a mobile phone which is a mobile terminal according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…ガラス基板、12…表示エリア部、13U,13
D…Hドライバ(水平駆動回路)、14…Vドライバ
(垂直駆動回路)、15…基準電圧発生回路、16…対
向電極電圧発生回路、17…電源電圧変換回路、18…
タイミング発生回路、23…単位画素、25U,25D
…シフトレジスタ、26U,26D…サンプリングラッ
チ回路、28U,28D…基準電圧選択型DA変換回
路、61…CPUインターフェース回路、62…画像メ
モリ回路、63…光センサ回路、64…光源駆動回路
11: glass substrate, 12: display area, 13U, 13
D: H driver (horizontal drive circuit), 14: V driver (vertical drive circuit), 15: reference voltage generation circuit, 16: counter electrode voltage generation circuit, 17: power supply voltage conversion circuit, 18:
Timing generation circuit, 23 ... unit pixel, 25U, 25D
... Shift register, 26U, 26D ... Sampling latch circuit, 28U, 28D ... Reference voltage selection type DA conversion circuit, 61 ... CPU interface circuit, 62 ... Image memory circuit, 63 ... Optical sensor circuit, 64 ... Light source drive circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 680 G09G 3/20 680S 5K027 3/30 3/30 J H 3/36 3/36 H04M 1/00 H04M 1/00 W (72)発明者 前川 敏一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 2H093 NA16 NC03 NC09 NC11 NC29 NC41 NC55 ND49 ND54 5C006 AA16 AF83 BB16 BC12 BC20 BF03 BF04 BF43 EB00 FA41 FA51 5C080 AA06 AA10 BB05 DD22 DD27 EE29 FF11 GG12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 KK07 KK47 5C094 AA15 AA43 AA44 BA03 BA27 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB04 EA04 EA10 EB02 FA01 FB12 FB14 FB15 GA10 GB10 5G435 AA18 BB05 BB12 EE30 EE37 LL07 5K027 AA11 BB14 FF22 MM17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 680 G09G 3/20 680S 5K027 3/30 3/30 J H 3/36 3/36 H04M 1 / 00 H04M 1/00 W (72) Inventor Shunichi Maekawa 6-35, Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation F-term (reference) 2H093 NA16 NC03 NC09 NC11 NC29 NC41 NC55 ND49 ND54 5C006 AA16 AF83 BB16 BC12 BC20 BF03 BF04 BF43 EB00 FA41 FA51 5C080 AA06 AA10 BB05 DD22 DD27 EE29 FF11 GG12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 KK07 KK47 5C094 AA15 AA43 AA44 BA03 BA27 BA43 CA19 DA09 DA13 FA01 EB01 FB01 EE37 LL07 5K027 AA11 BB14 FF22 MM17

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気光学素子を有する画素がマトリクス
状に配置されてなる表示エリア部と、 前記表示エリア部の各画素を行単位で選択する垂直駆動
回路と、 複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、 前記複数の基準電圧の中からディジタル画像データに対
応した基準電圧を選択する基準電圧選択型DA変換回路
を有し、このDA変換回路で選択された基準電圧を画像
信号として前記垂直駆動回路によって選択された行の各
画素に対して供給する水平駆動回路と、 各種のタイミング信号を発生して各回路部に与えるタイ
ミング発生回路と、 単一の直流電圧を電圧値の異なる複数種類の直流電圧に
変換して各回路部に与える電源電圧変換回路とを備え、 前記垂直駆動回路、前記基準電圧発生回路、前記水平駆
動回路、前記タイミング発生回路および前記電源電圧変
換回路が、前記表示エリア部と共に同一基板上に同一プ
ロセスを用いて作成されてなることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型表示装置。
1. A display area in which pixels having an electro-optical element are arranged in a matrix, a vertical drive circuit for selecting each pixel in the display area on a row-by-row basis, and a reference for generating a plurality of reference voltages A voltage generation circuit, and a reference voltage selection type DA conversion circuit for selecting a reference voltage corresponding to digital image data from the plurality of reference voltages, wherein the reference voltage selected by the DA conversion circuit is used as an image signal. A horizontal drive circuit that supplies each pixel in the row selected by the vertical drive circuit, a timing generation circuit that generates various timing signals and supplies each circuit unit, and a plurality of single DC voltages having different voltage values. A power supply voltage conversion circuit that converts the voltage into a DC voltage of a specific type and supplies the DC voltage to each circuit unit, the vertical drive circuit, the reference voltage generation circuit, the horizontal drive circuit, and the timing generation circuit. An active matrix display device wherein the raw circuit and the power supply voltage conversion circuit are formed on the same substrate together with the display area using the same process.
【請求項2】 画像データを格納する画像メモリ回路を
さらに備え、この画像メモリが前記表示エリア部と共に
同一基板上に同一プロセスを用いて作成されていること
を特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型表
示装置。
2. The active device according to claim 1, further comprising an image memory circuit for storing image data, wherein the image memory is created together with the display area on the same substrate by using the same process. Matrix display device.
【請求項3】 データの入出力を行うインターフェース
回路をさらに備え、このインターフェース回路が前記表
示エリア部と共に同一基板上に同一プロセスを用いて作
成されていることを特徴とする請求項1記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置。
3. The active device according to claim 1, further comprising an interface circuit for inputting / outputting data, wherein the interface circuit is formed on the same substrate together with the display area using the same process. Matrix display device.
【請求項4】 外部光の強度を検知する光センサ回路を
さらに備え、この光センサ回路が前記表示エリア部と共
に同一基板上に同一プロセスを用いて作成されているこ
とを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型
表示装置。
4. The optical sensor circuit according to claim 1, further comprising an optical sensor circuit for detecting the intensity of the external light, wherein the optical sensor circuit is formed on the same substrate together with the display area using the same process. The active matrix type display device according to the above.
【請求項5】 前記電気光学素子が液晶セルであること
を特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型表
示装置。
5. The active matrix type display device according to claim 1, wherein said electro-optical element is a liquid crystal cell.
【請求項6】 前記液晶セルの対向電極に印加する電圧
を発生する対向電極電圧発生回路をさらに備え、この対
向電極電圧発生回路が前記表示エリア部と共に同一基板
上に同一プロセスを用いて作成されていることを特徴と
する請求項5記載のアクティブマトリクス型表示装置。
6. A counter electrode voltage generation circuit for generating a voltage applied to a counter electrode of the liquid crystal cell, wherein the counter electrode voltage generation circuit is formed on the same substrate together with the display area using the same process. The active matrix display device according to claim 5, wherein:
【請求項7】 前記電気光学素子がエレクトロルミネッ
センス素子であることを特徴とする請求項1記載のアク
ティブマトリクス型表示装置。
7. The active matrix display device according to claim 1, wherein said electro-optical element is an electroluminescence element.
【請求項8】 表示部として、 電気光学素子を有する画素がマトリクス状に配置されて
なる表示エリア部と、 前記表示エリア部の各画素を行単位で選択する垂直駆動
回路と、 複数の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、 前記複数の基準電圧の中からディジタル画像データに対
応した基準電圧を選択する基準電圧選択型DA変換回路
を有し、このDA変換回路で選択された基準電圧を画像
信号として前記垂直駆動回路によって選択された行の各
画素に対して供給する水平駆動回路と、 各種のタイミング信号を発生して各回路部に与えるタイ
ミング発生回路と、 単一の直流電圧を電圧値の異なる複数種類の直流電圧に
変換して各回路部に与える電源電圧変換回路とを備え、 前記垂直駆動回路、前記基準電圧発生回路、前記水平駆
動回路、前記タイミング発生回路および前記電源電圧変
換回路が、前記表示エリア部と共に同一基板上に同一プ
ロセスを用いて作成されてなるアクティブマトリクス型
表示装置を用いたことを特徴とする携帯端末。
8. A display area as a display section, in which pixels having electro-optical elements are arranged in a matrix, a vertical drive circuit for selecting each pixel of the display area on a row-by-row basis, and a plurality of reference voltages. And a reference voltage selection type D / A conversion circuit for selecting a reference voltage corresponding to digital image data from the plurality of reference voltages, and the reference voltage selected by the D / A conversion circuit A horizontal drive circuit that supplies an image signal to each pixel of a row selected by the vertical drive circuit, a timing generation circuit that generates various timing signals and supplies the timing signals to each circuit unit, A power supply voltage conversion circuit that converts the voltage into a plurality of types of DC voltages having different values and provides the voltage to each circuit unit, wherein the vertical drive circuit, the reference voltage generation circuit, the horizontal drive circuit, Mobile terminal whose serial timing generating circuit and said power supply voltage converting circuit, characterized in that it uses an active matrix display device comprising been created using the same process on the same substrate together with the display area unit.
【請求項9】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、画像データを格納する画像メモリ回路をさらに備
え、この画像メモリが前記表示エリア部と共に同一基板
上に同一プロセスを用いて作成されていることを特徴と
する請求項8記載の携帯端末。
9. The active matrix display device further includes an image memory circuit for storing image data, wherein the image memory is formed on the same substrate together with the display area using the same process. The mobile terminal according to claim 8, wherein
【請求項10】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、データの入出力を行うインターフェース回路をさら
に備え、このインターフェース回路が前記表示エリア部
と共に同一基板上に同一プロセスを用いて作成されてい
ることを特徴とする請求項8記載の携帯端末。
10. The active matrix display device further includes an interface circuit for inputting and outputting data, and the interface circuit is formed on the same substrate together with the display area using the same process. The mobile terminal according to claim 8, wherein
【請求項11】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、外部光の強度を検知する光センサ回路をさらに備
え、この光センサ回路が前記表示エリア部と共に同一基
板上に同一プロセスを用いて作成されていることを特徴
とする請求項8記載の携帯端末。
11. The active matrix display device further includes an optical sensor circuit for detecting the intensity of external light, and the optical sensor circuit is formed on the same substrate together with the display area using the same process. The mobile terminal according to claim 8, wherein:
【請求項12】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、前記電気光学素子として液晶セルを用いた液晶表示
装置であることを特徴とする請求項8記載の携帯端末。
12. The mobile terminal according to claim 8, wherein the active matrix display device is a liquid crystal display device using a liquid crystal cell as the electro-optical element.
【請求項13】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、前記液晶セルの対向電極に印加する電圧を発生する
対向電極電圧発生回路をさらに備え、この対向電極電圧
発生回路が前記表示エリア部と共に同一基板上に同一プ
ロセスを用いて作成されていることを特徴とする請求項
12記載の携帯端末。
13. The active matrix display device further includes a common electrode voltage generation circuit for generating a voltage applied to a common electrode of the liquid crystal cell, and the common electrode voltage generation circuit is provided on the same substrate together with the display area. 13. The portable terminal according to claim 12, wherein the portable terminal is created using the same process.
【請求項14】 前記アクティブマトリクス型表示装置
は、前記電気光学素子としてエレクトロルミネッセンス
素子を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置である
ことを特徴とする請求項8記載の携帯端末。
14. The portable terminal according to claim 8, wherein the active matrix type display device is an electroluminescent display device using an electroluminescent element as the electro-optical element.
JP2000372350A 2000-12-06 2000-12-07 Active matrix type display device and portable terminal using the same Pending JP2002175026A (en)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000372350A JP2002175026A (en) 2000-12-07 2000-12-07 Active matrix type display device and portable terminal using the same
TW90130092A TW535136B (en) 2000-12-06 2001-12-05 Clock generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same
KR1020027010025A KR100865542B1 (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generating circuit for display and display having the same
US10/182,600 US6894674B2 (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same
CN 200810096964 CN101329848B (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same
PCT/JP2001/010687 WO2002047061A1 (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generating circuit for display and display having the same
EP01999936A EP1343134A4 (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generating circuit for display and display having the same
CNB018077471A CN100433100C (en) 2000-12-06 2001-12-06 Timing generating circuit for display and display having the same
US11/086,433 US7432906B2 (en) 2000-12-06 2005-03-23 Timing generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000372350A JP2002175026A (en) 2000-12-07 2000-12-07 Active matrix type display device and portable terminal using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002175026A true JP2002175026A (en) 2002-06-21
JP2002175026A5 JP2002175026A5 (en) 2007-08-16

Family

ID=18841907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000372350A Pending JP2002175026A (en) 2000-12-06 2000-12-07 Active matrix type display device and portable terminal using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002175026A (en)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207441A (en) * 2001-01-11 2002-07-26 Toshiba Corp Planar display device
JP2004037791A (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Olympus Corp Electrostatic drive type mirror arrangement
JP2004258190A (en) * 2003-02-25 2004-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display device for portable terminal and portable terminal apparatus
JP2005122187A (en) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Electronics Co Ltd Electronic display device having optical sensor
JP2005300625A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Sony Corp Display device and driving method for the same
JP2006030392A (en) * 2004-07-13 2006-02-02 Nec Corp Display device and electronic equipment using the same
US7034276B2 (en) 2002-11-21 2006-04-25 Seiko Epson Corporation Driver circuit, electro-optical device, and drive method
US7084862B2 (en) 2001-11-14 2006-08-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix semiconductor device
JP2006308959A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Sharp Corp Inspection device and display device equipped with the same
JP2006337997A (en) * 2005-05-02 2006-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2007510936A (en) * 2003-10-02 2007-04-26 イーストマン コダック カンパニー Color display with white light emitting elements
JP2007108754A (en) * 2005-10-12 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd Display device and testing method for the same
JP2008152018A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Seiko Epson Corp Electro-optical device and its manufacturing method
JP2009134321A (en) * 2009-03-23 2009-06-18 Nec Corp Voltage generating circuit and display device using the same
US7898619B2 (en) 2005-04-28 2011-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US7903214B2 (en) 2005-04-28 2011-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising an optical sensor for detecting the intensity of ambient light
US8085256B2 (en) 2005-04-28 2011-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic device
US8194304B2 (en) 2005-06-03 2012-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and electric apparatus using the same

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002207441A (en) * 2001-01-11 2002-07-26 Toshiba Corp Planar display device
JP4690554B2 (en) * 2001-01-11 2011-06-01 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Flat panel display
US7084862B2 (en) 2001-11-14 2006-08-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix semiconductor device
JP2004037791A (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Olympus Corp Electrostatic drive type mirror arrangement
US7034276B2 (en) 2002-11-21 2006-04-25 Seiko Epson Corporation Driver circuit, electro-optical device, and drive method
JP2004258190A (en) * 2003-02-25 2004-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Display device for portable terminal and portable terminal apparatus
JP2007510936A (en) * 2003-10-02 2007-04-26 イーストマン コダック カンパニー Color display with white light emitting elements
JP2005122187A (en) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Electronics Co Ltd Electronic display device having optical sensor
JP4632742B2 (en) * 2003-10-15 2011-02-16 三星電子株式会社 Electronic display device having light sensing unit
JP2005300625A (en) * 2004-04-07 2005-10-27 Sony Corp Display device and driving method for the same
JP2006030392A (en) * 2004-07-13 2006-02-02 Nec Corp Display device and electronic equipment using the same
US8072444B2 (en) 2004-07-13 2011-12-06 Nec Corporation Display device and electronic apparatus using the same
US7898619B2 (en) 2005-04-28 2011-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US7903214B2 (en) 2005-04-28 2011-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising an optical sensor for detecting the intensity of ambient light
JP2006308959A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Sharp Corp Inspection device and display device equipped with the same
US8085256B2 (en) 2005-04-28 2011-12-27 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic device
JP2006337997A (en) * 2005-05-02 2006-12-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
US8194304B2 (en) 2005-06-03 2012-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and electric apparatus using the same
JP2007108754A (en) * 2005-10-12 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd Display device and testing method for the same
JP2008152018A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Seiko Epson Corp Electro-optical device and its manufacturing method
JP2009134321A (en) * 2009-03-23 2009-06-18 Nec Corp Voltage generating circuit and display device using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100865542B1 (en) Timing generating circuit for display and display having the same
KR100877734B1 (en) Source voltage conversion circuit and its control method, display, and portable terminal
KR100906879B1 (en) Display apparatus and cellular terminal apparatus with power generation circuit
KR100858682B1 (en) Display, method for driving the same, and portable terminal
JP4172472B2 (en) Driving circuit, electro-optical device, electronic apparatus, and driving method
JP2002175026A (en) Active matrix type display device and portable terminal using the same
TWI386897B (en) Source driver, electro-optical device, and electronic instrument
JP2002175033A (en) Active matrix type display device and portable terminal using the same
JP2002175053A (en) Active matrix display and mobile terminal which uses the same
US7932901B2 (en) Timing generating circuit, display apparatus, and portable terminal
JP2002175049A (en) Active matrix display and portable terminal using the same
JP4106865B2 (en) Active matrix display device and portable terminal
KR101053249B1 (en) Power supply voltage conversion circuit, its control method, display device and portable terminal
JP4696353B2 (en) Active matrix display device and portable terminal using the same
JP2002175027A (en) Active matrix type display device and portable terminal using the same
JP4654509B2 (en) Power supply voltage conversion circuit, control method therefor, display device and portable terminal
JP3912090B2 (en) Display device and portable terminal device using the same
JP2002174823A (en) Active matrix type liquid crystal display device and portable terminal using the device
JP2004226435A (en) Display device and mobile terminal
JP2002175021A (en) Active matrix type display device and portable terminal using the same
JP2004229440A (en) Charge pump type dc-dc converter
JPH10293560A (en) Liquid crystal display device and driving method therefor
JP2002175050A (en) Active matrix display and portable terminal using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070629

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080311

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080507

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080829

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080908

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090306

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20091016

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091016

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091028