JP2002158142A - Manufacturing method of chip capacitor and manufacturing apparatus thereof - Google Patents

Manufacturing method of chip capacitor and manufacturing apparatus thereof

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JP2002158142A JP2000356020A JP2000356020A JP2002158142A JP 2002158142 A JP2002158142 A JP 2002158142A JP 2000356020 A JP2000356020 A JP 2000356020A JP 2000356020 A JP2000356020 A JP 2000356020A JP 2002158142 A JP2002158142 A JP 2002158142A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a chip capacitor and a manufacturing apparatus thereof that can achieve a chip capacitor of high quality. SOLUTION: In this method, an anode lead 17 protruding from an element body 18 of a capacitor 14 is placed into a connecting tongue 21 of an anode terminal 12, and the connecting tongue 21 and the anode lead 17 are welded by laser light B. Welding is performed by the laser light B in a state in which the anode lead 17 is pressed to the connecting tongue 21 between a welded part to be welded by laser light and the element body. Or welding is performed by the laser light B in a state in which a reflecting plate 53 having a concave groove 54 formed therein is placed between a welded part 23a to be welded by the laser light B and the element body while the anode lead 17 is placed into the concave groove 54.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置に関する。 The present invention relates to a method and to a manufacturing apparatus manufacturing the chip capacitor.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来のチップ型コンデンサの製造方法に関するものとして特許第3084895号公報に開示されたものがある。 Background of the Invention is disclosed in Japanese Patent No. 3084895 as a method for manufacturing a conventional chip-type capacitor. このチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するものである。 Method of manufacturing a chip-type capacitor, the connecting tongue piece partially the anode terminal which is a connecting tongue piece is bent, the anode of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body to placing the lead wire is a these connecting tongues and the anode lead wire intended for welding by laser beam.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来のチップ型コンデンサの製造方法は、接続舌片に陽極リード線を、圧力を加えることのない状態でレーザ光によって溶接するものであるため、溶接時に陽極リード線が接続舌片に対し十分に接触できない状態が生じることがあり、このような状態で溶接を行うと、十分な接合強度を得ることができず、その結果、品質が低下してしまうという問題が生じた。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, since the manufacturing method of the conventional chip-type capacitors, the anode lead wire connecting tongue piece is for welding by laser beam in the absence of the application of pressure, welding it may sometimes state that the anode lead can not be sufficiently contacted to the connecting tongue piece occurs, when welding in such a state, it is impossible to obtain a sufficient bonding strength, resulting in quality is reduced a problem that put away has occurred.

【0004】また、上記従来のチップ型コンデンサの製造方法では、レーザ光によって溶接する際に、レーザ光が溶接部位から反射して無関係の部分にまで照射されることがあり、特に、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されると、該素子本体の品質、ひいてはチップ型コンデンサの品質を低下させてしまうという問題も生じた。 [0004] In the manufacturing method of the conventional chip-type capacitors, in welding by the laser beam, there is a laser beam is irradiated to irrelevant portions reflected from the weld site, in particular, of the capacitor element When the reflected light of the laser beam to the element body is irradiated, the quality of the element body, also caused a problem that reduces the quality of the thus chip capacitor.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、高品質のチップ型コンデンサを得ることができるチップ型コンデンサの製造方法およびその製造装置の提供を目的としている。 [0005] The present invention is intended to provide such has been made in view of the circumstances, a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a chip type capacitor which can obtain a high-quality chip capacitor.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の請求項1記載のチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し該陽極リード線を前記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴としている。 To achieve the above object, according to an aspect of manufacturing method of a chip type capacitor according to claim 1 of the present invention, the connecting tongue portion is a connecting tongue piece is bent anode terminal at one, it is placed on the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body, a and these connecting tongue piece and the anode lead a method of welding by a laser beam, in pressed against the connecting tongue piece pressed anode lead the anode lead at between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam, characterized in that the welding by the laser beam It is set to.

【0007】このように、陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うため、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 [0007] Thus, in a state of pressing the anode lead to the connecting tongue piece, in order to perform welding by laser beam, it is possible to always perform welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire connecting tongue piece As a result, it eliminates the bonding strength is lowered stably.

【0008】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 Accordingly, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0009】しかも、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、 [0009] Moreover, for pressing the anode lead at between the welding unit and the device body to be welded by the laser beam,
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。 Possible to increase the degree of freedom of the irradiation direction of the laser beam. この場合、 in this case,
陽極リード線の曲がり及び反りを矯正できる程度の押圧力とすれば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 If the pressing force enough to correct the bending and warping of the anode lead, when the plurality of capacitor elements are metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode It leads not aligned on the same horizontal line in a state in which vibration or bent, warped from the junction of the aluminum holder, the contact state is unstable when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができることになる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which the shake or warped, so that welding can be performed in a state of being sufficiently in contact constantly anode lead connection tongue.

【0010】本発明の請求項2記載のチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴としている。 [0010] manufacturing method of a chip type capacitor according to claim 2 of the present invention, the connecting tongue piece part of which is a connecting tongue piece is bent anode terminal, the anode projecting from the device body and the element body to placing the anode lead of the capacitor element and a lead wire, comprising a these connecting tongue piece and the anode lead a method of welding by the laser beam, the device body and welds to be welded by the laser beam between a state where a reflection plate for reflecting the reflected light of the concave groove laser light formed was disposed while fitting the anode lead to the concave groove, and wherein the welding is performed by the laser beam .

【0011】このように、レーザ光で溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接を行うため、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0011] Thus, between the welded portion and the element body are welded by a laser beam, while fitting the anode lead a reflector for reflecting the reflected light of the concave groove laser light formed on the concave groove in the placed state, the welding is performed by laser light, the reflection plate, thereby preventing the laser light of the reflected light is irradiated on the element body of the capacitor element, as a result, reduce the quality of the element body put away, it is no longer.

【0012】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 Accordingly, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0013】本発明の請求項3記載のチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で前記陽極リード線を前記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴としている。 The method of manufacturing the chip capacitor according to claim 3 of the present invention, the connecting tongue piece part of which is a connecting tongue piece is bent anode terminal, the anode projecting from the device body and the element body to placing the anode lead of the capacitor element and a lead wire, comprising a these connecting tongue piece and the anode lead a method of welding by the laser beam, the device body and welds to be welded by the laser beam between, the connecting tongue piece said anode lead in the reflector with a reflector for reflecting the reflected light of the concave groove laser light formed is disposed while fitting the anode lead to the concave groove in pressing state, it is characterized by performing welding by the laser beam.

【0014】このように、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うため、陽極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 [0014] Thus, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam, while fitting the anode lead a reflector for reflecting the reflected light of the concave groove laser light formed on the concave groove in a state pressed against the connecting tongue piece anode lead at the reflecting plate with placing, for performing welding by laser beam, since pressing the anode lead to the connecting tongue piece, a metal plate such as a plurality of capacitor elements aluminum (hereinafter referred to as aluminum holder) when in a state of being bonded to gone through each manufacturing step, the anode lead wire is equipped on the same horizontal line in a state in which the shake or warped, bend from the junction of the aluminum holder without contact state is unstable when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which to warped shake, it is possible to always perform welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire to the connection tongue, as a result, the bonding strength is stable it is no longer to deteriorate. また、 Also,
反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止することから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 Reflector, since to prevent the reflected light of the laser beam on the element body of the capacitor element is irradiated, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0015】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0015] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0016】本発明の請求項4記載のチップ型コンデンサの製造方法は、請求項1乃至3のいずれか一項記載のものに関し、前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴としている。 The manufacturing method of a chip type capacitor according to claim 4 of the present invention, the welding recess relates those of any one of claims 1 to 3, wherein the connecting tongues of said anode lead wire is placed and has a weld projection portion adjacent to the welding recess, is characterized by irradiating a laser beam only to the welding protrusion.

【0017】このように、接続舌片の溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0017] Thus, for irradiating a laser beam only to the welding protrusion of the connecting tongues, it will weld state welding projections were wrap therearound so as to surround the anode lead melts the connecting tongue piece welded the strength is increased practical value stable, it is possible to suppress the temperature rise of the anode lead wire to a minimum, as a result, minimize the temperature rise of the element body of the capacitor element through the anode lead keep it can, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0018】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0018] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0019】本発明の請求項5記載のチップ型コンデンサの製造方法は、請求項1乃至3のいずれか一項記載のものに関し、前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを特徴としている。 The manufacturing method of a chip type capacitor according to claim 5 of the present invention relates to those of any one of claims 1 to 3, wherein irradiates a laser beam of low energy density to said connecting tongue piece It is characterized by irradiating a laser beam of high energy density to the anode lead.

【0020】このように、接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合させることができる。 [0020] Thus, for irradiating a laser beam of high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density, the melting point of members of the connecting tongues and the anode lead different connecting tongue piece it can be joined by dissolving them well.

【0021】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0021] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0022】本発明の請求項6記載のチップ型コンデンサの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するものであって、前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し該陽極リード線を前記接続舌片に押し付ける押圧手段を具備することを特徴としている。 The apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 6 of the present invention, the connecting tongue piece part of which is a connecting tongue piece is bent anode terminal, the anode projecting from the device body and the element body to placing the anode lead of the capacitor element and a lead wire, be one of these connecting tongues and the anode lead wire and a laser welding means for welding by laser beam irradiation, it is welded by the laser beam It is characterized by comprising pressing means for pressing the pressed anode lead the anode lead to the connection tongue at between the element body and the welding portion.

【0023】これにより、押圧手段により陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができるため、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 [0023] Thus, in a state pressed against the connecting tongue piece anode lead by pressing means, it is possible to perform the welding by laser beam, thus, always in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire connecting tongue piece it is possible to perform the welding, thereby preventing the bonding strength is lowered stably.

【0024】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0024] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0025】しかも、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、 [0025] Moreover, for pressing the anode lead at between the welding unit and the device body to be welded by the laser beam,
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。 Possible to increase the degree of freedom of the irradiation direction of the laser beam. この場合、 in this case,
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とすれば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 If the pressing force enough to correct such bending of the anode lead wire, when the plurality of capacitor elements are metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead lines not equipped on the same horizontal line in a state in which the shake or warped or bent from the joint part of the aluminum holder, is unstable contact state when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができることになる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which the shake or warped, so that welding can be performed in a state of being sufficiently in contact constantly anode lead connection tongue.

【0026】本発明の請求項7記載のチップ型コンデンサの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置手段を具備することを特徴としている。 The apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 7 of the present invention, the connecting tongue piece part of which is a connecting tongue piece is bent anode terminal, the anode projecting from the device body and the element body to placing the anode lead of the capacitor element and a lead wire, the laser welding unit and these connecting tongues and the anode lead wire be those welded by the laser beam to be irradiated, said laser welding means irradiates reflector arrangement means for arranging while fitting the anode lead to the concave groove portion of the reflection plate for reflecting the reflected light of the laser beam concave groove is formed between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam It is characterized by having a.

【0027】これにより、反射板配置手段が、レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よって、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0027] Thus, reflector arrangement means, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam laser welding means for irradiating the anode lead a reflector concave groove is formed in the concave groove while disposed while fitting a, it is possible to perform the welding by laser welding means, therefore, the reflection plate, prevents the reflected light of the laser beam is irradiated on the element body of the capacitor element, as a result, the it is eliminated thus lowering the quality of the element body.

【0028】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0028] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0029】本発明の請求項8記載のチップ型コンデンサの製造装置は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するものであって、前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置手段を設け、該反射板配置手段は、前記陽極リード線を前記反射板で前記接続舌片に押し付けることを特徴としている。 The apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 8 of the present invention, the connecting tongue piece part of which is a connecting tongue piece is bent anode terminal, the anode projecting from the device body and the element body to placing the anode lead of the capacitor element and a lead wire, the laser welding unit and these connecting tongues and the anode lead wire be those welded by the laser beam to be irradiated, said laser welding means irradiates reflector arrangement means for arranging while fitting the anode lead to the concave groove portion of the reflection plate for reflecting the reflected light of the laser beam concave groove is formed between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam the provided, the reflecting plate positioning means is characterized by pressing said anode lead to said connecting tongue piece by the reflection plate.

【0030】これにより、反射板配置手段が、レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるため、この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 [0030] Thus, reflector arrangement means, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam laser welding means for irradiating the anode lead a reflector concave groove is formed in the concave groove for pressing the connecting tongue piece anode lead at the reflecting plate as well as disposed while fitting the, when the welding by laser welding means in this state, since pressing the anode lead to the connecting tongue piece, a plurality of capacitor elements metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) identical in the state when has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead wire that shake or bent, warped from the junction of the aluminum holder not aligned on a horizontal line, the contact state is unstable when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which to warped shake, it is possible to always perform welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire to the connection tongue, as a result, the bonding strength is stable it is no longer to deteriorate. また、反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止することから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 The reflection plate, since it prevents the reflected light of the laser beam on the element body of the capacitor element is irradiated, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0031】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0031] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0032】本発明の請求項9記載のチップ型コンデンサの製造装置は、請求項6乃至8のいずれか一項記載のものに関して、前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記レーザ溶接手段は、前記溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴としている。 The apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 9 of the present invention, the welding recess with respect to what any one of claims 6-8, wherein the connecting tongues of said anode lead wire is placed and has a weld projection portion adjacent to the welding recess, said laser welding means is characterized by irradiating a laser beam only to the welding protrusion.

【0033】このように、レーザ溶接手段が接続舌片の溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0033] Since the laser welding unit for irradiating a laser beam only to the welding protrusion of the connecting tongue piece, weld projections of the connecting tongue piece was wrap therearound so as to surround the anode lead melt welding with weld strength ready stable practical value is increased by, it is possible to suppress the temperature rise of the anode lead wire to a minimum, as a result, the temperature rise of the element body of the capacitor element through the anode lead can be suppressed to a minimum, it is no longer would reduce the quality of the device body.

【0034】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0034] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0035】本発明の請求項10記載のチップ型コンデンサの製造装置は、請求項6乃至8のいずれか一項記載のものに関して、前記レーザ溶接手段は、前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを特徴としている。 The apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 10 of the present invention, with respect to those of any one of claims 6-8, wherein the laser welding means, the laser of low energy density to said connecting tongue piece is characterized by irradiating a laser beam of high energy density to the anode lead irradiates the light.

【0036】このように、レーザ溶接手段は、接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合させることができる。 [0036] Thus, the laser welding means, for irradiating a laser beam of high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density connecting tongue piece, the connection between the tongue and the anode lead wire can be the melting point of the member causes different joining them satisfactorily dissolve.

【0037】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0037] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0038】 [0038]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図面を参照して以下に説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention with reference to the drawings hereinafter. 図1は、本実施形態で製造されるチップ型固体電解コンデンサ(チップ型コンデンサ)1 Figure 1 is a chip type solid electrolytic capacitor produced in the present embodiment (chip capacitor) 1
1を示す断面図である。 1 is a sectional view showing a. このチップ型固体電解コンデンサ11は、陽極端子12および陰極端子13の両方にコンデンサ素子14を接続させ、これら陽極端子12、陰極端子13およびコンデンサ素子14を樹脂外装15で覆ってなるものである。 The chip type solid electrolytic capacitor 11, both of the anode terminal 12 and cathode terminal 13 to be connected to the capacitor element 14, is these anode terminal 12, the cathode terminal 13 and the capacitor element 14 made of covered with a resin sheath 15.

【0039】コンデンサ素子14は、タンタルワイヤからなる丸棒状の陽極リード線17と、該陽極リード線1 The capacitor element 14 includes a rod-shaped anode lead 17 made of tantalum wire, the anode lead wire 1
7を中央から一方側に突出させるように埋設させた直方体形状の素子本体18とを有するものである。 7 are those having an element body 18 having a rectangular parallelepiped shape which is embedded so as to protrude from the center to one side.

【0040】樹脂外装15は、略直方体形状をなしており、図1における下面である実装面15aにおいて図示せぬ印刷回路基板に載置され実装される。 The resin-coated 15 has a substantially rectangular parallelepiped shape, is mounted on the printed circuit board (not shown) in the mounting surface 15a is a lower surface in FIG. 1 implementation.

【0041】陽極端子12は、ニッケルと鉄の合金(ニッケル42%)にハンダメッキを施してなる均一厚さの平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装15の実装面15a側かつコンデンサ長さ方向(図1における左右方向)における一方の外端面15b側に、これら実装面15aおよび外端面15bのそれぞれに対し同一平面をなして露出する底板部22と、コンデンサ幅方向(図1における紙面直交方向)における該底板部22の中間の一部を切り起こすように屈曲させることにより形成されてコンデンサ素子14の陽極リード線17に接続される接続舌片21と、該接続舌片21が切り起こされることにより底板部22のコンデンサ幅方向における接続舌片21の両外側位置から、接続舌片21よりも底板部2 The anode terminal 12, in which a flat plate of uniform thickness formed by applying solder plating on the nickel and iron alloy (42% nickel) is formed by press working, the mounting surface 15a side and the capacitor length of resin sheathing 15 on one of the outer end surface 15b side in the direction (horizontal direction in FIG. 1), a bottom plate portion 22 exposed flush with respect to each of these mounting surface 15a and the outer end face 15b, the sheet of capacitor width direction (Fig. 1 a connecting tongue piece 21 connected to the anode lead 17 of the capacitor element 14 is formed by bending so as cutting and raising a portion of the intermediate bottom plate portion 22 in the orthogonal direction), it is cut the connecting tongue piece 21 from both outside positions of the connecting tongue piece 21 in the capacitor width direction of the bottom plate portion 22 by being caused, the bottom than the connecting tongue piece 21 plate 2
2に対し反対方向に延出される一対の側片部20とを有している。 2 to have a pair of side piece portions 20 extend in opposite directions.

【0042】この陽極端子12において、接続舌片21 [0042] In the anode terminal 12, the connecting tongue piece 21
の底板部22および側片部20に対し反対側となる上部には、溶接前において、図2に示すように、コンデンサ幅方向(図2における左右方向)における両端に、上方に突出するように、一対の溶接凸部(溶接部)23aが形成されており、その結果、これら溶接凸部23aの間に溶接凹部23bが形成されている。 Of the upper on the side opposite to the bottom plate portion 22 and the Gawahen unit 20, before welding, as shown in FIG. 2, at both ends in the capacitor width direction (lateral direction in FIG. 2), so as to protrude upward , a pair of weld protrusions are (welded portion) 23a is formed, as a result, the welding recess 23b between which the welding protrusion 23a is formed.

【0043】そして、コンデンサ素子14の陽極リード線17は、該溶接凹部23b内に載置された状態で接続舌片21にレーザ溶接で接合される。 [0043] Then, the anode lead 17 of the capacitor element 14 is joined by laser welding to the connecting tongue piece 21 in a state of being placed on the welding recess 23b. なお、接続舌片2 The connection tongue 2
1の形状は上記のような凹形状ではなく、溶接凸部23 1 shape is not a concave shape, as described above, the welding protrusions 23
aを一つのみ有するL字形状としてもよい。 May be L-shaped to have a a single only.

【0044】陰極端子13は、ニッケルと鉄の合金にハンダメッキが施された均一厚さの平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装15の実装面15a側かつコンデンサ長さ方向(図1における左右方向)における他方の外端面15c側に、これら実装面15aおよび外端面15cのそれぞれに対し同一平面をなして露出する底板部30と、該底板部30よりも上側にこれと平行をなして延在する載置板部31とを有しており、該載置板部3 The cathode terminal 13, in which a flat plate of uniform thickness that the solder-plated alloy of nickel and iron, which are press working, the mounting surface 15a side and the capacitor length direction of the resin sheathing 15 (FIG. 1 at the other outer end surface 15c side in the lateral direction), a bottom plate portion 30 which is exposed flush with respect to each of these mounting surface 15a and the outer end surface 15c, forms a parallel thereto above the bottom plate portion 30 has a plate portion 31 mounting extending Te, the placing plate section 3
1においてコンデンサ素子14の素子本体18の外周面を載置させる。 It is placed on the outer circumferential surface of the element body 18 of the capacitor element 14 in 1. なお、底板部30および載置板部31上には銀ペースト等の図示せぬ導電性接着剤が塗布されており、該導電性接着剤を介してコンデンサ素子14の素子本体18は陰極端子13に接着される。 Incidentally, the bottom plate portion 30 and mounting on top plate portion 31 are not shown conductive adhesive such as silver paste is applied, the element body 18 is the cathode terminal 13 of the capacitor element 14 through the conductive adhesive It is adhered to.

【0045】次に、上記したチップ型固体電解コンデンサ11を製造する本実施形態の製造方法およびその製造装置について説明する。 Next, description will be given of a manufacturing method and manufacturing apparatus of the present embodiment for manufacturing a chip type solid electrolytic capacitor 11 described above.

【0046】まず、プレス成形によって、ハンダメッキが施された平板状のリードフレーム41に、図3に示すように、互いに対向するように一対の陽極リード端子4 Firstly, by press molding, the plate-shaped lead frame 41 which solder plated, as shown in FIG. 3, a pair of anode lead terminal 4 so as to face each other
2および陰極リード端子43を形成する。 To form a 2 and cathode lead terminal 43. その際に、打ち抜きおよび屈曲で陽極リード端子42の陰極リード端子43側に、溶接凸部23aおよび溶接凹部23bを有する接続舌片21を切り起こすとともに底板部22および側片部20を形成する一方、陰極リード端子43の陽極リード端子42側に、陰極端子13の底板部30および載置板部31を形成する。 In this case, the cathode lead terminal 43 side of the anode lead terminal 42 by punching and bending, while forming the bottom plate portion 22 and the Gawahen portion 20 together with cutting and raising connecting tongue piece 21 having a weld projection portion 23a and the welding recess 23b , the anode lead terminal 42 side of the cathode lead terminal 43, forming the bottom plate portion 30 and the mounting plate portion 31 of the cathode terminal 13. なお、陽極端子13の底板部22および陰極端子13の底板部30は、後に切断されることで最終形状となる(切断線を図4等において二点鎖線で示す)。 Incidentally, the bottom plate portion 30 of the bottom plate portion 22 and the cathode terminal 13 of the anode terminal 13 (shown cut lines by a two-dot chain line in FIG. 4, etc.) after a final shape by being cut into.

【0047】なお、リードフレーム41の互いに対向する一対の陽極リード端子42および陰極リード端子43 [0047] The pair of the anode lead terminal 42 and the cathode lead terminal 43, which face each other, of the lead frame 41
は、一つのチップ型固体電解コンデンサ11の陽極端子12および陰極端子13を形成するためのものであり、 Is intended to form the anode terminal 12 and cathode terminal 13 of a chip type solid electrolytic capacitor 11,
リードフレーム41には、図示は略すが、このような一対の陽極リード端子42および陰極リード端子43が複数対コンデンサ幅方向(図3におけるY方向)に並列配置されている。 The lead frame 41 is shown abbreviated, such pair of anode lead terminal 42 and the cathode lead terminal 43 is arranged in parallel pairs capacitors width direction (Y direction in FIG. 3).

【0048】そして、図4に示すように、上記状態のリードフレーム41の陽極リード端子42および陰極リード端子43の対にコンデンサ素子14を接続させる。 [0048] Then, as shown in FIG. 4, to connect the capacitor element 14 to a pair of anode lead terminal 42 and the cathode lead terminal 43 of the lead frame 41 of the above conditions. すなわち、陰極リード端子43の底板部30および載置板部31の上面に銀ペースト等の導電性接着剤を塗布し、 That is, a conductive adhesive such as silver paste is applied to the upper surface of the bottom plate portion 30 and the mounting plate portion 31 of the cathode lead terminal 43,
該導電性接着剤を介してコンデンサ素子14の素子本体18を陰極リード端子43に接着させる。 Via the conductive adhesive to bond the element body 18 of the capacitor element 14 to the cathode lead terminal 43.

【0049】また、このとき、陽極リード端子42の接続舌片21の溶接凹部23b内にコンデンサ素子14の陽極リード線17を載置させ、これら接続舌片21と陽極リード線17とをレーザ光によって溶接する。 [0049] At this time, the welding recess 23b of the connecting tongue piece 21 of the anode lead terminal 42 is placed on anode lead 17 of the capacitor element 14, the laser beam and these connecting tongue piece 21 and the anode lead 17 welded by.

【0050】ここで、この溶接工程において使用される本実施形態の製造装置およびこれを用いた製造方法について説明する。 [0050] Here, description will be given of a manufacturing method using the manufacturing apparatus and the same of the present embodiment used in this welding process.

【0051】製造装置は、図5に示すように、一側が開口した略箱形状をなす反射体51と、該反射体51をコンデンサ素子14の素子本体18を覆うようにその開口側から被せたり、該反射体51をコンデンサ素子14から離間させたりする図示せぬ昇降移動機構とを有する反射体配置機(押圧手段、反射板配置手段)52を備えている。 The manufacturing apparatus, as shown in FIG. 5, and the reflector 51 having a substantially box shape in which one side is open, or covered with the reflector 51 from the opening side so as to cover the element body 18 of the capacitor element 14 includes reflector placement machine (pressing means, reflector positioning means) and a not shown vertical moving mechanism or by separating the reflector 51 from the capacitor element 14 and 52.

【0052】上記反射体51は、コンデンサ素子14の素子本体18を覆うように被せられる際に、レーザ溶接される陽極リード端子42の接続舌片21の溶接凸部2 [0052] The reflector 51, when being put so as to cover the element body 18 of the capacitor element 14, the weld protrusions 2 of the connecting tongue piece 21 of the anode lead terminal 42 to be laser welded
3aとコンデンサ素子14の素子本体18との間に配置されてレーザ光の反射光を反射させる反射板53を有している。 3a and is disposed between the element body 18 of the capacitor element 14 has a reflecting plate 53 for reflecting the reflected light of the laser beam. 該反射体51は、反射板53のみの構成であっても差し支えない。 The reflector 51 is no problem even if a configuration of only the reflection plate 53.

【0053】この反射板53は、溶接凸部23aと素子本体18との隙間に入り込んだ際にこれらにストレスを与えない程度に薄くされており、該反射板53には、溶接凸部23aと素子本体18との間に配置される際に、 [0053] The reflecting plate 53, these when having entered the gap between the welding protrusion 23a and the element body 18 are thin enough not to give stress to the reflecting plate 53, a welding protrusion 23a when disposed between the element body 18,
これらにわたって延在配置される陽極リード線17をはめ込むための凹状溝部54が形成されている。 Recessed groove 54 for fitting the anode lead 17 is extending arranged over these are formed.

【0054】そして、反射体配置機52は、反射体51 [0054] Then, the reflector placement machine 52, the reflector 51
をその反射板53の凹状溝部54に陽極リード線17をはめ込みつつ配置する際に、反射板53の凹状溝部54 When placing while fitting the anode lead 17 to the recessed groove 54 of the reflector 53, a concave groove portion of the reflector 53 54
の溝底部55で陽極リード線17を下方に押圧し、その結果、該陽極リード線17を接続舌片21に押し付ける。 At the groove bottom 55 to press the anode lead 17 downward, as a result, presses the anode lead wire 17 to the connecting tongue piece 21. なお、このとき、反射板53による陽極リード線1 At this time, the anode lead by the reflection plate 53 1
7への押圧力は、例えば、タンタル材からなる陽極リード線17の直径が0.15〔mm〕で、ニッケルと鉄の合金(ニッケル42%)からなる接続舌片21を含む陽極リード端子42の板厚が0.08〔mm〕のとき、陽極リード線17の曲がりおよび反り等を矯正する5〜5 Pressing force to 7, for example, the diameter of the anode lead 17 made of tantalum material is 0.15 mm and the anode lead terminal 42 including the connecting tongue piece 21 made of nickel and iron alloy (42% nickel) when the plate thickness is 0.08 mm and corrects the bending and warpage of the anode lead 17 5-5
0〔MPa〕とする。 0 and [MPa].

【0055】ここで、反射体51は、熱伝導率が高くかつ反射率が高い銅板等から形成されている。 [0055] Here, the reflector 51, has high thermal conductivity and reflectance is formed from a high copper plate. なお、反射板53の外側、すなわち配設時に溶接凸部23aに対向する側は、反射率を上げるために鏡面仕上げ処理を施すのが好ましい。 Incidentally, the outer reflector 53, i.e. the side facing the welding protrusion 23a in SEQ 設時 is preferably subjected to a mirror finishing process in order to increase the reflectivity.

【0056】製造装置は、図6に示すように、接続舌片21と陽極リード線17とを溶接するレーザ溶接機(レーザ溶接手段)57を有している。 [0056] manufacturing apparatus, as shown in FIG. 6, has a connecting tongue piece 21 and the anode lead 17 and the laser welding machine for welding (laser welding means) 57. このレーザ溶接機5 The laser welding machine 5
7は、図7に示すように、レーザ光Bを発生させるレーザ発振器58と該レーザ発振器58で発生させたレーザ光を集光する集光レンズ59とを有するレーザ光照射部60を備えている。 7, as shown in FIG. 7, a laser beam irradiation unit 60 and a condenser lens 59 to the laser light generated by the laser oscillator 58 and the laser oscillator 58 for generating a laser beam B is condensed . そして、このようなレーザ光照射部60を、図6に示すように、所定の位置に位置決めされたリードフレーム41の上側に二つ、コンデンサ幅方向に並列に配置している。 Then, such a laser beam irradiation unit 60, as shown in FIG. 6 are arranged in parallel two, the capacitor width direction on the upper side of the lead frame 41 which is positioned at a predetermined position. そして、レーザ溶接機57は、 The laser welding machine 57,
リードフレーム41の接続舌片21における溶接凹部2 Welding in the connecting tongue piece 21 of the lead frame 41 recesses 2
3bの両外側の溶接凸部23aにそれぞれレーザ光を照射することにより、これら溶接凸部23aを溶かして陽極リード線17を包むようにその周囲に回り込ませる状態で接合させる。 Each by irradiating a laser beam on both outer sides of the welding protrusions 23a of 3b, are joined by dissolving these welding protrusion 23a in a state where Wrapping around it so as to surround the anode lead 17. なお、上記反射体51の反射板53 The reflection plate 53 of the reflector 51
は、このレーザ光の溶接凸部23aにおける反射光の素子本体18への照射を遮蔽する。 Shields the irradiation of the element body 18 of the reflected light at the welding protrusion 23a of the laser beam.

【0057】ここで、本実施形態において、レーザ溶接機57は、接続舌片21の溶接凸部23aのみにレーザ光Bを照射するようになっており、両側の溶接凸部23 [0057] Here, in the present embodiment, a laser welder 57, only the welding protrusion 23a of the connecting tongue piece 21 is adapted to irradiate the laser beam B on both sides of the welding protrusions 23
aにレーザ光Bを照射するために、上記のように二つのレーザ光照射部60を有している。 In order to irradiate the laser beam B to a, it has two laser beam irradiation unit 60, as described above. なお、レーザ溶接機57は、スポット径0.15mmの照射部分において0.2〜0.5(J)の出力エネルギが得られるようにレーザ光Bを発生させるのが好ましい。 The laser welder 57, to generate a laser beam B so that the output energy of 0.2 to 0.5 (J) in the irradiated portion of the spot diameter 0.15mm is obtained is preferred.

【0058】溶接工程では、図4に示すように、陽極リード端子42の接続舌片21の溶接凹部23b内に陽極リード線17を載置させ、かつ陰極リード端子43の導電性接着剤が塗布された底板部30および載置板部31 [0058] In the welding step, as shown in FIG. 4, the welding recess 23b of the connecting tongue piece 21 of the anode lead terminal 42 is placed on anode lead 17, and the conductive adhesive of the cathode lead terminal 43 is applied by bottom plate part 30 and the mounting plate portion 31
に素子本体18を接着させるようにしてコンデンサ素子14をリードフレーム41上に載置させた状態から、図5〜図6に示すように、反射体配置機52が、その反射体51を反射板53がその凹状溝部54に陽極リード線17をはめ込みつつ溶接凸部23aと素子本体18との間に位置するように素子本体18に被せる。 The capacitor element 14 so as to bond the element body 18 from the state of being mounted on the lead frame 41, as shown in FIGS. 5-6, the reflector placement machine 52, the reflector 51 reflector 53 placed over the element body 18 so as to be positioned between the welding protrusion 23a and the device body 18 while fitting the anode lead 17 to the concave groove 54. このとき、 At this time,
反射体配置機52は、反射板53の溝底部55を介して陽極リード線17を接続舌片21に押し付けた状態とする。 Reflector arrangement unit 52, and pressed against the anode lead 17 via the groove bottom portion 55 of the reflector 53 to the connecting tongue piece 21.

【0059】そして、この状態で、図6に示すように、 [0059] Then, in this state, as shown in FIG. 6,
上方に配置されたレーザ溶接機57が、両レーザ光照射部60から接続舌片21の両溶接凸部23aにレーザ光Bを照射することにより、これら溶接凸部23aを溶融させて、溶接凹部23bに配置された陽極リード線17 Laser welder 57 disposed upward, by irradiating a laser beam B in both the weld protrusion 23a of the connecting tongue piece 21 from both the laser beam irradiation unit 60, by melting these welding protrusion 23a, the welding recess disposed 23b the anode lead 17
を包むようにその周囲に回り込ませる。 The Wrapping around to wrap the. そして、レーザ光Bの照射を停止させることで、溶融した部分が固まって陽極リード線17と一体化する。 Then, by stopping the irradiation of the laser beam B, and integrated with the anode lead 17 hardens the melted portion. これにより、接続舌片21と陽極リード線17とが溶接された状態となる。 Accordingly, the connecting tongue piece 21 and the anode lead 17 is brought into a state of being welded.

【0060】その後、図示は略すが、陽極リード端子4 [0060] Thereafter, although not shown in abbreviated, anode lead terminal 4
2および陰極リード端子43の相互対向側、すなわち陽極リード端子42の接続舌片21、側片部20および底板部22を含む部分と、陰極リード端子43の底板部3 Face each other side of the 2 and the cathode lead terminal 43, i.e. the connecting tongue piece 21 of the anode lead terminal 42, a portion including the side piece portions 20 and the bottom plate portion 22, bottom plate 3 of the cathode lead terminal 43
0および載置板部31を含む部分と、これら陰極リード端子43および陽極リード端子42に接続されたコンデンサ素子14とを樹脂外装15で一体化し、その後、切断を行うことで、上記した構造のチップ型固体電解コンデンサ11を得ることになる。 0 and a portion including the mounting plate portion 31, and a capacitor element 14 connected to these cathode lead terminal 43 and the anode lead terminal 42 is integrated with the resin sheathing 15, then, by performing cutting, the above-described structure thereby obtaining a chip-type solid electrolytic capacitor 11.

【0061】以上に述べた本実施形態によれば、反射体配置機52が、レーザ溶接機57によって溶接される溶接凸部23aと素子本体18との間に、凹状溝部54が形成された反射板53を前記凹状溝部54に陽極リード線17をはめ込みつつ配置するとともに、該反射板53 According to the embodiment described [0061] above, reflected the reflector placement machine 52, between the welding protrusion 23a and the element body 18 are welded by the laser welder 57, the concave groove 54 is formed with placing while fitting the anode lead 17 to the concave groove 54 of the plate 53, the reflecting plate 53
で陽極リード線17を接続舌片21に押し付けるため、 In order to press the anode lead 17 to the connecting tongue piece 21,
この状態でレーザ溶接機57による溶接を行うと、陽極リード線17を接続舌片21に押し付けることから、常に陽極リード線17を接続舌片21に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が低下してしまうことがなくなる。 Doing welding by laser welding machine 57 in this state, since pressing the anode lead 17 to the connecting tongue piece 21, is possible to perform welding in a state that always was sufficiently contact the anode lead 17 to the connecting tongue piece 21 can, as a result, thereby preventing the bonding strength is lowered. また、反射板53を含む反射体51が、コンデンサ素子14の素子本体18にレーザ光Bの反射光が照射されることを防止することから、該素子本体18の品質を低下させてしまうことがなくなる。 Further, the reflective member 51 comprising a reflector 53, since to prevent the reflected light of the laser beam B is irradiated to the element body 18 of the capacitor element 14, it may be lowered quality of the element body 18 no. さらに、陽極リード線17に接触する反射板5 Further, the reflecting plate 5 in contact with the anode lead 17
3を含む反射体51が溶接時に該陽極リード線17を介して伝わる熱を吸収するヒートシンク構造となっているため、該素子本体18の品質を低下させてしまうことをさらに確実に防止できる。 Since the reflector 51 comprising 3 has a heat sink structure to absorb the heat transferred through the anode lead wire 17 at the time of welding can be more reliably prevented that reduce the quality of the element body 18.

【0062】したがって、高品質のチップ型固体電解コンデンサ11を得ることができることになる。 [0062] Therefore, it is possible to obtain a chip type solid electrolytic capacitor 11 of high quality.

【0063】しかも、レーザ光によって溶接される溶接凸部23aと素子本体18との間にて陽極リード線17 [0063] Moreover, the anode lead at between the welding protrusion 23a and the element body 18 are welded by the laser beam 17
を反射板53で押圧するため、レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。 The order to press by the reflector 53, can be more freely irradiation direction of the laser beam.

【0064】加えて、反射板53の押圧力を陽極リード線17の曲がり等を矯正できる程度の押圧力としているため、複数のコンデンサ素子14がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線17は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子42の接続舌片21に載置したとき接触状態が不安定である。 [0064] In addition, since the pressing force of the reflective plate 53 and the pressing force to the extent that the bending or the like can be corrected in the anode lead 17, a plurality of capacitor elements 14 are metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) when has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead wire 17 is bent or the junction of the aluminum holder, in a state in which vibration and warped not aligned on the same horizontal line, the anode lead terminal 42 contact state is unstable when placed on the connecting tongue piece 21. この陽極リード線17の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線17を接続舌片21に十分に接触させた状態で溶接を行うことができることになる。 Bent or of the anode lead wire 17, can correct the state in which the vibration was warped, so that welding can be performed in a state of being sufficiently in contact constantly anode lead 17 to the connecting tongue piece 21.

【0065】なお、具体的に、反射板53を用いる場合と用いない場合とで、LC不良の発生状況を調べたところ、反射板53を用いない場合は、個体数15個中、L [0065] Note that specifically, in the case of not using the case of using a reflecting plate 53, was examined the occurrence of LC defect, in the case of not using a reflecting plate 53, while the number 15 individuals, L
C不良の発生数は7個で、ほぼ47%の不良率であったのに対し、反射板53を用いた場合は、個体数12個中、LC不良は1個で、ほぼ8%の不良率に低減されていることがわかった。 Incidence of C defects is seven, while was almost 47% of the failure rate, in the case of using the reflection plate 53, in number of 12 or individuals, the LC failure in one, approximately 8% of the defect it was found that has been reduced to the rate.

【0066】加えて、レーザ溶接機57は、接続舌片2 [0066] In addition, the laser welder 57, the connecting tongue piece 2
1の溶接凸部23aのみにレーザ光を照射することになるため、接続舌片21の溶接凸部23aが溶けて陽極リード線17を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるとともに、陽極リード線17の温度上昇を必要最小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線17を介してのコンデンサ素子14の素子本体18の温度上昇を最小限に抑えることができ、該素子本体18の品質を低下させてしまうことがなくなる。 To become irradiating a laser beam in only one welding protrusion 23a, the welding strength becomes welded state welding protrusion 23a is brought wrap therearound so as to surround the anode lead 17 melts the connecting tongue piece 21 minimum with stable practical value is increased by, it is possible to suppress the temperature rise of the anode lead 17 to a minimum, as a result, the temperature rise of the element body 18 of the capacitor element 14 through the anode lead 17 can be suppressed to limit, it is no longer results in lowering the quality of the element body 18.

【0067】したがって、より高品質のチップ型固体電解コンデンサ11を得ることができることになる。 [0067] Therefore, it is possible to obtain a higher quality of the chip type solid electrolytic capacitor 11.

【0068】なお、以上の実施形態は、以下のような変更が可能である。 [0068] The above embodiment can be modified as follows.

【0069】すなわち、二つのレーザ光照射部60を上側に配置して二カ所の溶接凸部23aに上側からレーザ光Bを照射するのではなく、図8に示すように、二つのレーザ光照射部60を、コンデンサ幅方向における両溶接凸部23aの両外側(溶接凹部23bに対し反対側) [0069] That is, instead of a laser beam B from above two places of the welding protrusion 23a by placing the two laser beam irradiation unit 60 on the upper side, as shown in FIG. 8, two laser beam irradiation the parts 60, both outer surfaces of the weld protrusions 23a in the capacitor width direction (the side opposite to the welding recess 23b)
に対向配置して、両溶接凸部23aにそれぞれ側方からレーザ光Bを溶接凹部23bの方向に照射して溶接を行うのである。 The opposite arrangement is for performing welding by irradiating from each side at both the weld protrusion 23a of the laser beam B in the direction of the welding recess 23b. ここでも、接続舌片21の溶接凸部23a Again, the welding protrusion 23a of the connecting tongue piece 21
のみにレーザ光を照射する。 Only to be irradiated with a laser beam. このように構成しても、上記と同様の効果を奏することができる。 Also according to this structure, it is possible to achieve the same effect as described above. しかも、溶接凸部23aに側方からレーザ光Bを溶接凹部23bの方向に照射して溶接を行うため、溶融した溶接凸部23a Moreover, since welding is performed by irradiating a laser beam B from the side to the welding protrusion 23a in the direction of the welding recess 23b, the welding protrusion 23a melted
を、良好に溶接凹部23bの陽極リード線17の周囲に回り込ませることができる。 The can Wrapping around the anode lead 17 good welding recess 23b. なお、この場合、図9に示すようにレーザ光Bの光軸の水平に対する角度αが30 In this case, the angle α relative to the horizontal optical axis of the laser beam B as shown in FIG 30
度となるようにレーザ光Bを照射するのが好ましく、このように両溶接凸部23aに側方からレーザ光Bを照射して溶接を行うようにしたところ、LC不良数を0にすることができた。 It is preferable to irradiate the laser beam B such that the degree, thus was to perform welding by irradiating a laser beam B from the side both welding protrusion 23a, to the LC number defective 0 It could be.

【0070】また、二つのレーザ光照射部60を上側に配置して二カ所の溶接凸部23aに上側からレーザ光B [0070] The laser beam B from above two places of the welding protrusion 23a by placing the two laser beam irradiation unit 60 on the upper side
を照射するのではなく、図10に示すように、コンデンサ長さ方向における溶接凸部23aの同じ外側(素子本体18に対し反対側)に二つのレーザ光照射部60を並列に配置して、両溶接凸部23aにそれぞれ正面からレーザ光Bを照射して溶接を行うようにしてもよい。 Instead of irradiating, as shown in FIG. 10, arranged in parallel to two laser light irradiating unit 60 (the opposite side with respect to the device body 18) the same outer weld protrusion 23a of the capacitor length direction, it may be performed welding from each front to both welding protrusion 23a is irradiated with a laser beam B. ここでも、接続舌片21の溶接凸部23aのみにレーザ光B Again, the laser beam B only the welding protrusion 23a of the connecting tongue piece 21
を照射する。 Irradiated with. このように構成しても、上記と同様の効果を奏することができる。 Also according to this structure, it is possible to achieve the same effect as described above.

【0071】加えて、図11に示すように、上側に配置された一つのレーザ光照射部60から、レーザ光Bを所定の範囲で照射するようにすることで、一つのレーザ光照射部60で、両側の溶接凸部23aにレーザ光Bを照射しこれら溶接凸部23aを一度に溶融させて溶接することも可能である。 [0071] Additionally, as shown in FIG. 11, from one of the laser beam irradiation unit 60 disposed on the upper side, by so as to irradiate the laser beam B within a predetermined range, one of the laser beam irradiation section 60 in, it is also possible by irradiating a laser beam B on both sides of the welding protrusions 23a welded by melting these welding protrusion 23a at a time. この場合、陽極リード線17にもレーザ光Bが照射されるため、接続舌片21の溶接凸部2 In this case, since the laser beam B to the anode lead 17 is illuminated, the welding protrusions 2 of the connecting tongue piece 21
3aのみにレーザ光Bを照射する上記場合に対し、陽極リード線17に多少の温度上昇が生じるものの、レーザ溶接機57のコストを低減できるという効果を奏することができる。 3a only if the irradiating a laser beam B with respect to, although slight temperature rise in the anode lead wire 17 occurs, it is possible to obtain the effect of reducing the cost of the laser welder 57. これは、図10に示すようにしたものについても適用可能である。 This is also applicable to those as shown in FIG. 10.

【0072】さらに、図12に示すように、レーザ溶接機57が、一つのレーザ光照射部60によって接続舌片21の溶接凸部23aに斜め上方から低エネルギ密度のレーザ光Bを照射するとともに、他の一つのレーザ光照射部60によって陽極リード線17に鉛直上方から高エネルギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。 [0072] Further, as shown in FIG. 12, the laser welder 57, to irradiate the laser beam B of the low energy density obliquely from above to the weld protrusions 23a of the connecting tongue piece 21 by a single laser beam irradiation section 60 may be from vertically above the anode lead 17 by another one of the laser beam irradiation unit 60 to irradiate a laser beam of high energy density. また、二つのレーザ光照射部60によって接続舌片21の両溶接凸部23aに斜め上方から低エネルギ密度のレーザ光Bを照射するとともに、他の一つのレーザ光照射部60によって陽極リード線17に鉛直上方から高エネルギ密度のレーザ光を照射するようにしてもよい。 Further, irradiates a laser beam B of the low energy density obliquely from above to both welding protrusion 23a of the connecting tongue piece 21 by two laser beam irradiation unit 60, the anode lead by one other laser beam irradiation unit 60 17 it may be irradiated with laser light of high energy density from vertically above the.

【0073】このように、レーザ溶接機57が、接続舌片21の溶接凸部23aに低エネルギ密度(具体的には、1670〜2500〔J/cm 2 〕)のレーザ光B [0073] Thus, the laser welder 57, a low energy density (specifically, 1670 to 2500 [J / cm 2]) to the welding protrusion 23a of the connecting tongue piece 21 laser light B
を照射するとともに陽極リード線17に高エネルギ密度(具体的には、1700〜2800〔J/cm 2 〕)のレーザ光Bを照射すれば、高融点(約3000℃)の材料であるタンタルワイヤからなる陽極リード線17と、 (Specifically, 1700-2800 [J / cm 2]) high energy density to the anode lead 17 irradiates a is irradiated with the laser light B, tantalum wire is a material of high melting point (about 3000 ° C.) and the anode lead 17 made of,
低融点(約1500℃)の材料であるニッケル鉄合金からなる溶接凸部23aとを良好に溶かして接合させることができる。 And a weld projection portion 23a made of nickel-iron alloy which is a material of low melting point (about 1500 ° C.) can be well melted and joined. したがって、より高品質のチップ型固体電解コンデンサ11を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain a higher quality of the chip type solid electrolytic capacitor 11.

【0074】また、図13に示すように、反射体51の反射板53について、凹状溝部54の内周面に、該内周面を覆うように工業用ダイヤモンドやシリコンカーバイドの層部62を蒸着やスパッタ等でつければ、レーザ溶接時に陽極リード線17および反射体51の温度が上昇しても、これらが融着してしまうことを、介在する層部62によって防止できることになる。 [0074] Further, as shown in FIG. 13, the reflection plate 53 of the reflector 51, deposited on the inner peripheral surface of the concave groove 54, a layer 62 of industrial diamond or silicon carbide so as to cover the inner circumferential surface I mean at or sputtering, even when laser welding temperature of the anode lead 17 and the reflector 51 is increased, that they become fused, it becomes possible to prevent the layer 62 interposed.

【0075】 [0075]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項1 As described above in detail, according to claim 1 of the present invention
記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うため、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が低下してしまうことがなくなる。 According to the manufacturing method of the chip capacitor according a state pressed against the anode lead to the connecting tongue piece, in order to perform welding by laser beam, always welded in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire connecting tongue piece It can be performed, so that it eliminates the bonding strength is lowered.

【0076】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0076] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0077】しかも、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、 [0077] Moreover, for pressing the anode lead at between the welding unit and the device body to be welded by the laser beam,
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。 Possible to increase the degree of freedom of the irradiation direction of the laser beam. この場合、 in this case,
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とすれば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 If the pressing force enough to correct such bending of the anode lead wire, when the plurality of capacitor elements are metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead lines not equipped on the same horizontal line in a state in which the shake or warped or bent from the joint part of the aluminum holder, is unstable contact state when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができることになる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which the shake or warped, so that welding can be performed in a state of being sufficiently in contact constantly anode lead connection tongue.

【0078】本発明の請求項2記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、レーザ光で溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、レーザ光による溶接を行うため、該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 According to the manufacturing method of the chip capacitor according to claim 2, wherein the [0078] present invention, between the welded portion and the element body are welded by a laser beam, a reflector concave groove is formed in the concave groove while disposed while fitting the anode lead, in order to perform the welding by laser beam, the reflective plate, prevents the reflected light of the laser beam is irradiated on the element body of the capacitor element, as a result, the element body it is no longer would reduce the quality of.

【0079】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0079] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0080】本発明の請求項3記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うため、陽極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、 [0080] According to the manufacturing method of the chip capacitor according to claim 3 of the present invention, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam, a reflector concave groove is formed in the concave groove in a state of pressing the anode lead wire to connect the tongue piece at the reflecting plate as well as disposed while fitting the anode lead, in order to perform the welding by laser beam, since pressing the anode lead to the connecting tongue piece, a plurality of capacitor elements There metal plate such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) when has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead is bent or from the junction of the aluminum holder,
反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 Not aligned on the same horizontal line in a state in which the shake or warped, the contact state is unstable when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which to warped shake, it is possible to always perform welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire to the connection tongue, as a result, the bonding strength is stable it is no longer to deteriorate. また、反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止することから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 The reflection plate, since it prevents the reflected light of the laser beam on the element body of the capacitor element is irradiated, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0081】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0081] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0082】本発明の請求項4記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、接続舌片の溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0082] According to the manufacturing method of the chip capacitor according to claim 4 of the present invention, for irradiating a laser beam only to the welding protrusion of the connecting tongue piece, anode lead melted welding protrusion of the connecting tongue with weld strength becomes welded state where the wrap around its periphery to surround it enhances the practical value to stabilize, it is possible to suppress the temperature rise of the anode lead wire to a minimum, as a result, through the anode lead temperature rise of the element body of the capacitor element of Te can be minimized, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0083】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0083] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0084】本発明の請求項5記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合させることができる。 According to the manufacturing method of the chip capacitor according to claim 5, wherein the [0084] present invention, for irradiating a laser beam of high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density connecting tongue piece, the melting point of the member of the connecting tongues and the anode lead can be different joining them satisfactorily dissolve.

【0085】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0085] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0086】本発明の請求項6記載のチップ型コンデンサの製造装置によれば、押圧手段により陽極リード線を接続舌片に押し付けた状態で、レーザ光による溶接を行うことができ、よって、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができるため、 According to the apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 6, wherein the [0086] present invention, in a state pressed against the connecting tongue piece anode lead by pressing means, it is possible to perform the welding by laser beam, thus, always it is possible to carry out welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire connecting tongue piece,
接合強度が低下してしまうことがなくなる。 Thereby preventing the bonding strength is lowered.

【0087】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0087] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0088】しかも、レーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間にて陽極リード線を押圧するため、 [0088] Moreover, for pressing the anode lead at between the welding unit and the device body to be welded by the laser beam,
レーザ光の照射方向の自由度を高くできる。 Possible to increase the degree of freedom of the irradiation direction of the laser beam. この場合、 in this case,
陽極リード線の曲がり等を矯正できる程度の押圧力とすれば、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 If the pressing force enough to correct such bending of the anode lead wire, when the plurality of capacitor elements are metal plates such as aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) has gone through the manufacturing process in a state joined to the anode lead lines not equipped on the same horizontal line in a state in which the shake or warped or bent from the joint part of the aluminum holder, is unstable contact state when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができることになる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which the shake or warped, so that welding can be performed in a state of being sufficiently in contact constantly anode lead connection tongue.

【0089】本発明の請求項7記載のチップ型コンデンサの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、 [0089] According to the apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 7 of the present invention, the reflecting plate arrangement means, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam laser welding means for irradiating, concave in a state in which a reflector is formed groove arranged while fitting the anode lead to the concave groove,
レーザ溶接手段による溶接を行うことができ、よって、 It can perform welding by laser welding means, therefore,
該反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止し、その結果、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 The reflection plate, prevents the reflected light of the laser beam on the element body of the capacitor element is irradiated, as a result, eliminates may be lowered quality of the element body.

【0090】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0090] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0091】本発明の請求項8記載のチップ型コンデンサの製造装置によれば、反射板配置手段が、レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と素子本体との間に、凹状溝部が形成された反射板を前記凹状溝部に陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で陽極リード線を接続舌片に押し付けるため、 [0091] According to the apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 8 of the present invention, the reflecting plate arrangement means, between the welded portion and the element body are welded by the laser beam laser welding means for irradiating, concave for pressing the reflecting plate is formed groove on the connecting tongue piece anode lead at the reflecting plate as well as disposed while fitting the anode lead to the concave groove,
この状態でレーザ溶接手段による溶接を行うと、陽極リード線を接続舌片に押し付けることから、複数のコンデンサ素子がアルミニウム等の金属板(以下、アルミホルダと称す)に接合した状態で各製造工程を経てきたとき、陽極リード線は該アルミホルダの接合部から曲がったり、反ったりして振れている状態で同一水平線上に揃っていなく、陽極リード端子の接続舌片に載置したとき接触状態が不安定である。 Doing welding by laser welding means in this state, since pressing the anode lead to the connecting tongue piece, a metal plate such as a plurality of capacitor elements aluminum (hereinafter, referred to as aluminum holder) each manufacturing step in a state joined to when has gone through, the anode lead is bent or from the junction of the aluminum holder, in a state in which vibration and warped not aligned on the same horizontal line, contact state when placed on the connecting tongue piece of the anode lead terminal it is unstable. この陽極リード線の曲がったり、反ったりして振れている状態を矯正でき、常に陽極リード線を接続舌片に十分に接触させた状態で溶接を行うことができ、その結果、接合強度が安定し低下してしまうことがなくなる。 Bend of this anode lead, can correct a state in which to warped shake, it is possible to always perform welding in a state of being sufficiently in contact with the anode lead wire to the connection tongue, as a result, the bonding strength is stable it is no longer to deteriorate. また、反射板が、コンデンサ素子の素子本体にレーザ光の反射光が照射されることを防止することから、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 The reflection plate, since it prevents the reflected light of the laser beam on the element body of the capacitor element is irradiated, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0092】したがって、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0092] Thus, it is possible to obtain a high quality chip capacitor.

【0093】本発明の請求項9記載のチップ型コンデンサの製造装置によれば、レーザ溶接手段が接続舌片の溶接凸部のみにレーザ光を照射するため、接続舌片の溶接凸部が溶けて陽極リード線を包むようにその周囲に回り込ませた溶接状態になり溶接強度が安定して実用的価値が高まるとともに、陽極リード線の温度上昇を必要最小限に抑えることができ、その結果、陽極リード線を介してのコンデンサ素子の素子本体の温度上昇を最小限に抑えることができ、該素子本体の品質を低下させてしまうことがなくなる。 [0093] According to the apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 9 of the present invention, since the laser welding unit for irradiating a laser beam only to the welding protrusion of the connecting tongue piece, weld projections of the connecting tongue piece melts weld strength becomes welded state where the wrap around its periphery so as to surround the anode lead Te along with stable practical value is increased by, it is possible to suppress the temperature rise of the anode lead wire to a minimum, as a result, the anode minimizes the temperature rise of the element body of the capacitor element through the lead wire, it is no longer results in lowering the quality of the element body.

【0094】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0094] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【0095】本発明の請求項10記載のチップ型コンデンサの製造装置によれば、レーザ溶接手段は、接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射するため、接続舌片と陽極リード線との部材の融点が異なるこれらを良好に溶かして接合させることができる。 According to the apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to claim 10, wherein the [0095] present invention, laser welding means, a laser beam of high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density connecting tongue piece for irradiating may melting member of the connecting tongues and the anode lead wire to different bonding them satisfactorily dissolve.

【0096】したがって、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。 [0096] Thus, it is possible to obtain a higher quality of the chip type capacitor.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の一実施形態により製造されるチップ型コンデンサを示す正断面図である。 1 is a front sectional view showing a chip-type capacitor produced in accordance with an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の一実施形態により製造されるチップ型コンデンサの陽極端子およびコンデンサ素子を示す正面図である。 2 is a front view of an anode terminal and a capacitor element of the chip-type capacitor produced in accordance with an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の一実施形態により製造されるチップ型コンデンサのリードフレームを示す斜視図である。 3 is a perspective view showing a lead frame of the chip type capacitor produced in accordance with an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の一実施形態により製造されるチップ型コンデンサのリードフレームにコンデンサ素子を配置した状態を示す斜視図である。 Is a perspective view showing a state of arranging the capacitor element to the lead frame of the chip type capacitor produced in accordance with an embodiment of the present invention; FIG.

【図5】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体配置機、リードフレームおよびコンデンサ素子を示す斜視図である。 [5] reflector arrangement machine manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention, is a perspective view showing a lead frame and the capacitor element.

【図6】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体配置機、レーザ溶接機、リードフレームおよびコンデンサ素子を示す斜視図である。 [6] reflector arrangement machine manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention, a laser welding machine, which is a perspective view showing a lead frame and the capacitor element.

【図7】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機を概略的に示す正断面図である。 7 is a front sectional view schematically showing a laser welding machine of the manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機の別の例を示す斜視図である。 8 is a perspective view showing another example of a laser welding machine of the manufacturing apparatus of an embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機の別の例を示す正面図である。 9 is a front view showing another example of a laser welding machine of the manufacturing apparatus of an embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機のさらに別の例を示す斜視図である。 Is a perspective view showing still another example of a laser welding machine of the manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention; FIG.

【図11】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機のさらに別の例を示す斜視図である。 11 is a perspective view showing still another example of a laser welding machine of the manufacturing apparatus of an embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の一実施形態の製造装置のレーザ溶接機のさらに別の例を示す正面図である。 Is a front view showing still another example of a laser welding machine of the manufacturing apparatus of one embodiment of the present invention; FIG.

【図13】 本発明の一実施形態の製造装置の反射体の別の例を示す正面図である。 13 is a front view showing another example of a reflector of the manufacturing apparatus of an embodiment of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 チップ型固体電解コンデンサ(チップ型コンデンサ) 12 陽極端子 14 コンデンサ素子 17 陽極リード線 18 素子本体 21 接続舌片 23a 溶接凸部(溶接部) 52 反射体配置機(押圧手段、反射板配置手段) 53 反射板 54 凹状溝部 57 レーザ溶接機(レーザ溶接手段) B レーザ光 11 chip type solid electrolytic capacitor (chip capacitor) 12 anode terminal 14 capacitor element 17 anode lead 18 element body 21 connecting tongue piece 23a welded protrusions (welded portion) 52 reflector placement machine (pressing means, reflector positioning means) 53 reflector 54 concave surface 57 laser welder (laser welding means) B laser light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 和憲 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 5E082 AA01 AB09 EE02 EE13 EE15 EE23 EE45 FF05 FG03 FG27 FG44 FG56 GG03 GG21 JJ01 JJ15 JJ25 LL29 MM05 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Kazunori Watanabe Tokyo, Minato-ku, Shiba 5-chome No. 7 No. 1 NEC Co., Ltd. in the F-term (reference) 5E082 AA01 AB09 EE02 EE13 EE15 EE23 EE45 FF05 FG03 FG27 FG44 FG56 GG03 GG21 JJ01 JJ15 JJ25 LL29 MM05

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造方法において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し該陽極リード線を前記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。 To claim 1, wherein the connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, in the manufacturing method of the chip capacitor for welding and these connecting tongues and the anode lead wire with a laser beam, pressing the anode lead at between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam and in a state where the anode lead wire was pressed against the connecting tongue piece, a manufacturing method of a chip type capacitor which is characterized in that the welding by the laser beam.
  2. 【請求項2】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造方法において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置した状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。 To wherein said connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, in the manufacturing method of the chip capacitor for welding and these connecting tongue piece and the anode lead by the laser beam, between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam, recessed grooves are formed in a state where a reflection plate for reflecting the reflected light of the laser beam was disposed while fitting the anode lead to the concave groove, a manufacturing method of a chip type capacitor which is characterized in that the welding by the laser beam.
  3. 【請求項3】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造方法において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に、凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置するとともに該反射板で前記陽極リード線を前記接続舌片に押し付けた状態で、前記レーザ光による溶接を行うことを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。 The wherein the connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, in the manufacturing method of the chip capacitor for welding and these connecting tongue piece and the anode lead by the laser beam, between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam, recessed grooves are formed in a state that the anode lead was pressed against the connecting tongue piece at the reflector with a reflector for reflecting the reflected light of the laser beam to place while fitting the anode lead to the concave groove, the welding by the laser beam method of manufacturing a chip type capacitor, which comprises carrying out.
  4. 【請求項4】 前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のチップ型コンデンサの製造方法。 Wherein said connecting tongue piece has a weld projection portion adjacent to the welding recess and the weld recess the anode lead is placed, by irradiating a laser beam only in the welding protrusion method of manufacturing a chip type capacitor according to any one of claims 1 to 3, wherein.
  5. 【請求項5】 前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のチップ型コンデンサの製造方法。 5. according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the irradiation of the laser light of the high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density to said connecting tongue piece the method of manufacturing a chip-type capacitor.
  6. 【請求項6】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間にて前記陽極リード線を押圧し該陽極リード線を前記接続舌片に押し付ける押圧手段を具備することを特徴とするチップ型コンデンサの製造装置。 To wherein said connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, the apparatus for manufacturing a chip-type capacitor and these connecting tongues and the anode lead wire laser welding means for welding by laser beam irradiation, in between the element body and the welding portion to be welded by the laser beam apparatus for producing a chip capacitor which is characterized by comprising pressing means for pressing the pressed anode lead the anode lead to the connection tongue.
  7. 【請求項7】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置手段を具備することを特徴とするチップ型コンデンサの製造装置。 To wherein said connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, the apparatus for manufacturing a chip capacitor for welding by laser beam and these connecting tongues and the anode lead wire laser welding unit for irradiating, the welding portion to which the laser welding means are welded by a laser beam to be irradiated element chip capacitor, characterized by comprising a reflector arrangement means for arranging while fitting the anode lead to the concave groove portion of the reflector concave surface for reflecting the reflected light forming the laser light between the body of manufacturing equipment.
  8. 【請求項8】 一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、素子本体と該素子本体から突出する陽極リード線とを有するコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造装置において、 前記レーザ溶接手段が照射するレーザ光によって溶接される溶接部と前記素子本体との間に凹状溝部が形成されたレーザ光の反射光を反射させる反射板を前記凹状溝部に前記陽極リード線をはめ込みつつ配置する反射板配置手段を設け、 該反射板配置手段は、前記陽極リード線を前記反射板で前記接続舌片に押し付けることを特徴とするチップ型コンデンサの製造装置。 To wherein said connecting tongue piece part bent has been connected tongues and anodes terminal, placing the anode lead of the capacitor element having an anode lead projecting from the element body and the element body is location, the apparatus for manufacturing a chip capacitor for welding by laser beam and these connecting tongues and the anode lead wire laser welding unit for irradiating, the welding portion to which the laser welding means are welded by a laser beam to be irradiated element concave groove provided a reflector arrangement means for arranging while fitting the anode lead to the concave groove portion of the reflection plate to reflect the reflected light forming laser light, the reflecting plate disposed means between the body, the apparatus for producing a chip capacitor, characterized in that pressing the anode lead to the connecting tongue by the reflection plate.
  9. 【請求項9】 前記接続舌片は前記陽極リード線が載置される溶接凹部と該溶接凹部に隣り合う溶接凸部とを有しており、前記レーザ溶接手段は、前記溶接凸部のみにレーザ光を照射することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項記載のチップ型コンデンサの製造装置。 Wherein said connecting tongue piece has a weld projection portion adjacent to the welding recess and the weld recess the anode lead is placed, the laser welding means are only the welding protrusion apparatus for manufacturing a chip type capacitor according to any one of claims 6 to 8, wherein the irradiating laser beam.
  10. 【請求項10】 前記レーザ溶接手段は、前記接続舌片に低エネルギ密度のレーザ光を照射するとともに前記陽極リード線に高エネルギ密度のレーザ光を照射することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項記載のチップ型コンデンサの製造装置。 Wherein said laser welding means, according to claim 6 to 8, wherein applying the laser beam of high energy density to the anode lead irradiates a laser beam having a low energy density to said connecting tongue piece apparatus for producing a chip capacitor according to one of.
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