JP2002116428A - Liquid crystal display device provided with position detecting function - Google Patents

Liquid crystal display device provided with position detecting function

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JP2002116428A
JP2002116428A JP2000307974A JP2000307974A JP2002116428A JP 2002116428 A JP2002116428 A JP 2002116428A JP 2000307974 A JP2000307974 A JP 2000307974A JP 2000307974 A JP2000307974 A JP 2000307974A JP 2002116428 A JP2002116428 A JP 2002116428A
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Mitsuo Inoue
Takao Sakamoto
満夫 井上
孝雄 坂本
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Mitsubishi Electric Corp
三菱電機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device being inexpensive, simple and excellent in durability and also which is provided with a high precision position detecting function without lowering visibility.
SOLUTION: In a liquid crystal display device which is constituted by sealing liquid crystal between a thin film transistor array substrate 2 and a counter substrate 1, light receiving elements and light emitting elements are provided respectively on the thin film transistor array substrate 2 and the back of the substrate 2 and, moreover, reflecting mirrors for leading rays of light from the light emitting elements to the light receiving elements are provided on the surface side of the counter substrate 1.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は位置検出機能つき液晶表示装置に関するものであり、特にアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に、安価にかつ簡易に、高精度の位置検出機能を付加することを目的とする。 The present invention relates is related to the position detecting function with a liquid crystal display device, the purpose particularly an active matrix liquid crystal display device, the low cost and simple, the adding position detection precision to.

【0002】 [0002]

【従来の技術】指先やペン先で液晶表示装置やCRTなどの表示画面に触れることにより、入力やメニューの選択を行なう装置が、銀行のATMや駅の切符自動販売機などに広く使用されている。 By touching in the Background of the Invention fingertip or pen tip on the display screen such as a liquid crystal display device, a CRT, or a device that performs the selection of input and menu, it is widely used in such as ticket vending machines of Bank of ATM and the train station there. また、近年では、パーソナルコンピュータや携帯情報端末なども、このような指やペンによる入力やメニュー選択機能を備え、よりユーザフレンドリーなインターフェイスを提供するようになってきている。 In addition, in recent years, even such as a personal computer or a portable information terminal, an input and menu selection function by such a finger or a pen, it has been adapted to provide a more user-friendly interface.

【0003】ペン先や指先の接触位置を検出するためには、いくつかの方法がある。 [0003] In order to detect the contact position of the pen point or fingertip has a number of ways.

【0004】例えば、月刊ディスプレイ'99年1月号の49〜52頁には、図13に示したような、赤外線L [0004] For example, on pp. 49-52 of Monthly Display '99 January issue, as shown in FIG. 13, infrared L
EDからなる発光部13とフォトトランジスタからなる受光部14とを設け、発光部13からの光(赤外線)をペン先や指先などの遮光物305がさえぎることにより、遮光物305の位置を検出する方法が示されている(従来の方法1)。 Provided a light receiving portion 14 comprising a light emitting unit 13 and a phototransistor composed of ED, the optical (infrared) emitted from the light emitting portion 13 shader 305 such as a pen point or fingertip by interrupting detects the position of the light shielding material 305 the method has been shown (conventional method 1).

【0005】この従来の方法1では、赤外線LEDからなる発光部13とフォトトランジスタからなる受光部1 [0005] receiving part 1 this in the conventional method 1, consisting of the light emitting unit 13 and a phototransistor composed of an infrared LED
4とを、表示装置の表示領域の外周に、表示装置とは別個に設けるため、素子間隔を密にすることができず、精密な位置検出は不可能である。 And 4, the outer periphery of the display area of ​​the display device, for providing separately from the display device, can not be in close element spacing, precise position detection is not possible. また、発光部13および受光部14を外付けすることにより、コストが上昇した。 Further, the light emitting portion 13 and the light receiving unit 14 by external, cost rises. また、図13には示されていないが、対向する一対の発光部13、受光部14が順次動作するように、各発光部13および受光部14の動作時間を制御する機構がさらに必要である。 Further, although not shown in FIG. 13, a pair of light emitting portion 13 opposed, as the light receiving unit 14 is sequentially operated, it is further necessary mechanism for controlling the operation time of the light emitting portion 13 and the light receiving unit 14 .

【0006】また、月刊ディスプレイ'99年1月号の44〜48頁には、図14に示したような、2枚の透明導電膜21、22を微少間隔をもって表示画面の表面に貼り付け、指先やペン505による画面上への圧力により2枚の透明導電膜21、22が接触、短絡し、その短絡箇所を2枚の透明導電膜21、22間の抵抗値の変化から導出し指先やペン505の位置を検出する、いわゆる抵抗膜方式の位置検出方法が示されている(従来の方法2)。 [0006] In addition, the pages 44 to 48 of the Monthly Display '99 January issue, as shown in FIG. 14, attached to the surface of the display screen with a very small interval of two sheets of transparent conductive film 21, 22, the pressure on the screen by the finger or pen 505 contacts the two transparent conductive films 21 and 22, short-Ya fingertip derive the short-circuit portion from the change in the resistance value between the two transparent conductive films 21 and 22 detecting the position of the pen 505, the position detecting method of the so-called resistance film type is illustrated (conventional method 2).

【0007】この従来の方法2では、透明導電膜21、 [0007] In the conventional method 2, a transparent conductive film 21,
22の光透過率が100%でないこと、また、透明導電膜21、22により表示画面の表面に鏡面反射成分が発生することから、画面の視認性を悪化させていた。 Light transmittance of 22 is not 100%, and, since the specular reflection component are generated on the surface of the display screen by the transparent conductive film 21 and 22, had worsened the visibility of the screen.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従来の方法1では、位置検出機能を付加するために、表示装置の外部に付加する形で発光素子と受光素子を設置する必要があり、コストの上昇を招いていた。 As described above [0008] In the conventional method 1, in order to add a position detection function, it is necessary to provide a light emitting element and a light receiving element in the form to be added to the external display device , it had led to a rise in the cost. また、素子の間隔を密にすることが困難なため、位置検出精度が上がらず、文字入力用ではなく、主にタッチセンサーとして使用されていた。 Further, since it is difficult to closely spacing element, it does not increase the position detection accuracy, rather than the character input, has been mainly used as a touch sensor.

【0009】また、従来の方法2では、画面表面にフィルムを貼り付けるため、画面の視認性を著しく低下させていた。 Further, in the conventional method 2, to affix the film to the screen surface, it has significantly reduced the visibility of the screen. さらに、この方法ではフィルムを押しつぶして位置を検出するため、耐久性の面で従来の方法1に劣っていた。 Furthermore, in this method for detecting the position crush the film, it was inferior to the conventional method 1 in terms of durability.

【0010】本発明は、以上の問題点を解決するものであり、安価かつ簡易に、視認性を低下させることなく、 [0010] The present invention has been made to solve the above problems, inexpensive and easily, without reducing the visibility,
耐久性にすぐれ、かつ高精度の位置検出機能を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。 Excellent durability, and an object to provide a liquid crystal display apparatus having a position detection function of high accuracy.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との間に液晶が封入されてなる液晶表示装置において、薄膜トランジスタアレイ基板上に受光素子を、薄膜トランジスタアレイ基板の背面に発光素子をそれぞれ設け、対向基板の表側に発光素子からの光を受光素子へと導くための反射鏡を設けたことを特徴とする。 Means for Solving the Problems The present invention provides a liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between the TFT array substrate and the counter substrate, the light receiving element to the thin film transistor array substrate, the light emitting the back of the thin film transistor array substrate providing an element respectively, characterized in that a reflector for directing light from the light emitting element on the front side of the counter substrate to the light receiving element.

【0012】受光素子は、薄膜トランジスタアレイ基板の製造時に同時に形成される。 [0012] the light-receiving element is formed simultaneously with the manufacture of the thin film transistor array substrate.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図を用いて説明する。 The embodiment of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0014】実施の形態1 本発明の一実施の形態を、図1および図2を用いて説明する。 [0014] An embodiment of the embodiment 1 invention embodiment will be described with reference to FIGS. 図1は本実施の形態の反射型液晶表示装置の全体構成を示し、図2(a)はその断面を、図2(b)は上面から見た図を表わす。 Figure 1 shows the overall configuration of a reflective liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 2 (a) and the cross-section, FIG. 2 (b) represents a view from the top surface.

【0015】薄膜トランジスタアレイ基板(TFTアレイ基板)2と対向基板1との間に液晶が封入され、液晶表示装置が構成されている。 The liquid crystal is sealed between the TFT array substrate (TFT array substrate) 2 and the counter substrate 1, a liquid crystal display device is configured. 画像や文字などの情報は、 Information such as images and characters,
図中の破線で囲まれた表示機能部分8に表示される。 It is displayed on the display function portion 8 surrounded by a broken line in FIG.

【0016】薄膜トランジスタアレイ基板2上には、表示機能部分8の外周の互いに接する二辺に沿って、多数の受光素子が配置され、受光素子アレイ4を形成している。 [0016] On the TFT array substrate 2 along the two sides in contact with each other of the outer periphery of the display function portion 8, a large number of light receiving elements are arranged to form a light-receiving element array 4. 一方、薄膜トランジスタアレイ基板2の背面側(図2(a)の下側)には、表示機能部分8の外周のうち受光素子(受光素子アレイ4)が配置されていない二辺に沿って、多数の発光素子3が配置されている。 On the other hand, on the rear side of the thin film transistor array substrate 2 (the lower side in FIG. 2 (a)) along the two sides receiving element of the periphery of the display function portion 8 (the light-receiving element array 4) is not arranged, a number emitting element 3 is arranged. さらに、 further,
対向基板1の上面(図2(a)の上側)かつ受光素子(受光素子アレイ4)および発光素子3の直上には反射鏡5が設けられている。 The upper surface of the counter substrate 1 reflecting mirror 5 is directly above (Fig. 2 (upper a)) and a light receiving element (light receiving element array 4) and the light-emitting element 3 is provided. 発光素子3から発した光7は、 Light 7 emitted from the light-emitting element 3,
反射鏡5によって反射され、表示機能部分8をはさんで対向する受光素子に入射する。 Is reflected by the reflecting mirror 5, is incident on the light receiving element facing across the display function portion 8.

【0017】薄膜トランジスタアレイ基板2には、各受光素子の出力を光の入射の有無に対応して2値化し、位置検出のための回路へと出力する機構も備えられている。 [0017] thin film transistor array substrate 2 binarizes corresponding output of the respective light receiving elements to the presence or absence of incident light, which mechanism also provided for outputting to the circuit for the position detection.

【0018】本実施の形態においては、受光素子は非晶質シリコン膜から形成され、発光素子3としては発光ダイオードが使用される。 In the present embodiment, the light receiving element is formed of amorphous silicon film, as the light-emitting element 3 emitting diode is used.

【0019】X方向(図2(b)における左右方向)に設置した発光素子3を端から順に点灯し、同時に、表示機能部分8をはさんで対向する位置にある受光素子をオンにすることにより、X方向のスキャンを行なう。 [0019] illuminates the X-direction light-emitting element 3 installed in (the left-right direction in FIG. 2 (b)) from the end in order, simultaneously, to turn on the light receiving element in a position opposite across the display function portion 8 Accordingly, performing X-direction scan. また、Y方向(図2(b)における上下方向)に設置した発光素子3を端から順に点灯し、同時に、表示機能部分8をはさんで対向する位置にある受光素子をオンすることにより、Y方向のスキャンを行なう。 Further, the light-emitting element 3 placed in the Y direction (vertical direction in FIG. 2 (b)) lights from the end in order, at the same time, by turning on the light receiving element in a position opposite across the display function portion 8, It performs Y direction scan. X方向とY方向のスキャンは同時に行なう。 X and Y directions of the scan is performed at the same time.

【0020】対向基板1の上面に指先やペン先などの遮光体が存在する場合、発光素子3からの光はさえぎられ受光素子に入射しない。 [0020] If the light shielding member on the upper surface of the counter substrate 1 such as a fingertip or pen exists, the light from the light emitting element 3 is interrupted not incident to the light receiving element. X方向とY方向のそれぞれについて、光が入射しなかった受光素子を特定することにより、遮光体の位置を計算することができる。 For each X-direction and Y-direction, by specifying a light receiving element which light is not incident, it is possible to calculate the position of the light shield.

【0021】光が入射しなかった受光素子の特定は、図3に示す構成の回路により行なうことができる。 The specific receiving element which light is not incident can be carried out by the circuit arrangement shown in FIG.

【0022】電源208にパルスを入力すると、TFT [0022] When the power source 208 to enter the pulse, TFT
スイッチ206がオンとなり、容量210の電位は電源207から供給されるリセット電位へとリセットされる。 Switch 206 is turned on, the potential of the capacitor 210 is reset to a reset potential supplied from the power source 207. 電源201から供給されるパルスが受光素子203 Pulse supplied from the power source 201 is a light receiving element 203
の抵抗低下によってTFTスイッチ204へと伝われば、電源202から与えられる電位が容量210に書き込まれる。 If Tsutaware by decreased resistance to TFT switch 204, potential given from power source 202 is written in the capacitor 210. 受光素子203の抵抗低下は、光を受光することにより生じる。 Resistance decrease of the light receiving element 203 is caused by receiving light. 受光素子203に光が入射しない場合には、容量210の電位は電源207から供給されたリセット電位のままである。 If the light is not incident to the light receiving element 203, the potential of the capacitor 210 remains reset potential supplied from the power source 207.

【0023】シフトレジスタ200とTFTスイッチ2 [0023] The shift register 200 and the TFT switch 2
09を使用して、容量210の電位を端子205から順次読み出す。 09 was used to sequentially read out the potential of the capacitor 210 from the terminal 205. 容量210の電位から、各受光素子203 From the potential of the capacitor 210, the light receiving element 203
への光入射の有無を検出することができる。 It is possible to detect the presence or absence of light incident to. X方向およびY方向のそれぞれに配置された各受光素子203について、光入射の有無を検出し、その結果から遮光体の位置を計算する。 For X and Y directions of the light receiving elements 203 disposed respectively, to detect the presence or absence of light incident to calculate the position of the light shield from the result.

【0024】図4を使用して、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板2の製造方法を説明する。 [0024] Using FIG 4, a method for manufacturing a thin film transistor array substrate 2 in this embodiment.

【0025】図4は薄膜トランジスタアレイ基板2の断面をあらわしており、二つの多結晶薄膜トランジスタ1 [0025] Figure 4 represents a cross section of the thin film transistor array substrate 2, two polycrystalline thin-film transistor 1
14、115および受光素子113が示されている。 14,115 and the light receiving element 113 is shown. 受光素子113および薄膜トランジスタ114は、図3における受光素子203およびTFTスイッチ204にそれぞれ対応し、薄膜トランジスタ115は液晶に電圧を印加し駆動するためものである。 Light-receiving element 113 and the thin film transistor 114 correspond to the light receiving element 203 and the TFT switch 204 in FIG. 3, the thin film transistor 115 is intended to drive voltage is applied to the liquid crystal.

【0026】薄膜トランジスタアレイ基板2は、ガラス基板100上に絶縁層101を形成し、さらに、たとえばレーザー結晶化された多結晶シリコン膜102、Si The thin film transistor array substrate 2, an insulating layer 101 on a glass substrate 100, and further, for example, laser crystallized polycrystalline silicon film 102, Si
2膜からなるゲート絶縁膜103、金属膜からなるゲート電極104、前記多結晶シリコン膜102にリンイオンを注入したソース/ドレイン領域105からなる多結晶薄膜トランジスタ114、115を形成してなる。 O 2 consisting film gate insulating film 103, a gate electrode 104 made of a metal film, by forming a polycrystalline thin film transistor 114 and 115 consisting of the polycrystalline silicon film source / drain regions 105 and phosphorus ions are implanted at 102.
さらに、薄膜トランジスタ114、115を覆うようにSiO 2膜などからなる層間絶縁膜107を形成する。 Further, an interlayer insulating film 107 made of SiO 2 film so as to cover the thin film transistors 114 and 115.

【0027】前記層間絶縁膜107上であって、かつ、 [0027] A on the interlayer insulating film 107, and,
その下部に薄膜トランジスタが形成されていない箇所に、非晶質シリコン膜108を形成する。 At a location thin film transistor is not formed on the lower portion, an amorphous silicon film 108. 非晶質シリコン膜108の直下かつ前記ゲート絶縁膜103上に金属膜106を、あらかじめ前記薄膜トランジスタ114、 The metal film 106 immediately below and on the gate insulating layer 103 of the amorphous silicon film 108, advance the thin film transistor 114,
115のゲート電極104を形成するときに、同時に形成しておく。 When forming the gate electrode 104 of the 115, previously formed simultaneously. 前記非晶質シリコン膜108の電極形成部112にイオンを注入する。 Implanting ions in the electrode forming portion 112 of the amorphous silicon film 108.

【0028】薄膜トランジスタ114のゲート電極10 The gate electrode 10 of the thin film transistor 114
4上に、その上層の層間絶縁膜107を貫通するコンタクトホールを、薄膜トランジスタ115ソース/ドレイン領域105上に、その上層の層間絶縁膜107およびゲート絶縁膜103とを貫通するコンタクトホールを形成する。 On the 4, a contact hole penetrating the interlayer insulating film 107 of the upper layer, over the thin film transistors 115 source / drain regions 105, forming a contact hole passing through the interlayer insulating film 107 and the gate insulating film 103 of the upper layer.

【0029】薄膜トランジスタ114と非晶質シリコン膜108を接続するために、前記コンタクトホールと前記非晶質シリコン膜108の電極形成部112とをつなぐ金属膜109を形成する。 [0029] In order to connect the thin film transistor 114 and the amorphous silicon film 108, a metal film 109 connecting the electrode forming portion 112 of the contact hole and the amorphous silicon film 108. 上記構造の上層にSiNからなる絶縁膜110を形成する。 Forming an insulating film 110 made of SiN on the upper layer of the structure. さらに、最上層に反射電極となる金属膜111を形成する。 Further, a metal film 111 serving as the reflective electrode on the top layer. 反射電極と薄膜トランジスタ115は、絶縁膜110に設けた貫通穴によって接続されている。 Reflective electrode and the thin film transistor 115 are connected by a through hole formed in the insulating film 110.

【0030】本実施の形態によれば、受光素子を薄膜トランジスタアレイ基板上に設けているため、外部に受光素子を設ける必要がなく、安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 In accordance with the present embodiment, since the provided light receiving element to the thin film transistor array substrate, it is not necessary to provide a light-receiving element to the outside, to obtain an inexpensive and high-performance position detecting function with a liquid crystal display device it can.

【0031】また、発光素子を薄膜トランジスタアレイ基板の背面側に設置することにより、液晶表示装置(対向基板)の表面に電気的接続を要する部品を設置する必要がなくなり、耐久性が向上する。 Further, by providing the light-emitting element on the back side of the TFT array substrate, it is not necessary to install the parts on the surface of the liquid crystal display device (a counter substrate) necessary electrical connections, and durability is improved.

【0032】また、受光素子を薄膜トランジスタアレイ基板の製造時に同時に、かつ同様の半導体製造プロセス技術を用いて形成するため、製造工程の増加を抑制することができ、安価かつ信頼性の高い位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができるとともに、受光素子の密度を高める(配置間隔を小さくする)ことができるため、高精度の位置検出を行なうことが可能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 Further, in order to form a light-receiving element at the same time during manufacture of the thin film transistor array substrate, and by using the same semiconductor manufacturing process technology, it is possible to suppress an increase in manufacturing steps, inexpensive and reliable position detection function it is possible to obtain a liquid crystal display device attached, (to reduce the arrangement intervals) increase the density of light receiving elements it is possible, to obtain a position detecting function with a liquid crystal display device which can perform position detection with high accuracy can.

【0033】さらに、受光素子を多結晶シリコン薄膜トランジスタからなるTFTスイッチに直接接続しているため、受光素子への光の入射の有無を短時間で判別することができる。 Furthermore, since the directly connected to the TFT switch comprising a light receiving element of a polycrystalline silicon thin film transistor, it is possible to determine the presence or absence of light incident on the light receiving elements in a short time.

【0034】なお、図2(a)に示すように、発光素子3の光の出口に光ガイド6を設け、表示画面(対向基板1)に平行な成分のみが光ガイドから出力されるようにして、より正確な位置検出を行なえるように構成してもよい。 [0034] Incidentally, as shown in FIG. 2 (a), the light guide 6 provided at the outlet of the light emitting element 3, so that only the component parallel to the display screen (the counter substrate 1) is outputted from the light guide Te may be configured for enable a more accurate position detection.

【0035】また、受光素子(受光素子アレイ4)の上部に光ガイド6を設け、特定の方向からの光のみが受光素子に入射されるように構成することによって、誤検出を防止し正確な位置検出を行なうことが可能である。 Further, the light guide 6 provided above the light-receiving element (photodetector array 4), by only the light from a particular direction is configured to be incident on the light-receiving element, an accurate preventing erroneous detection it is possible to perform position detection.

【0036】さらに、表示機能部分8の領域外でありかつ反射鏡が設置されていない個所に反射防止の処理を施すことにより、不要な反射を防止し視認性の向上をはかることができる。 Furthermore, by performing the processing of the anti-reflection at a location where the area outside a is and reflecting mirror display function portion 8 is not installed, can be achieved by preventing unwanted reflections improvement in visibility.

【0037】実施の形態2 本発明の別の実施の形態を、図5および図6を用いて説明する。 [0037] Another embodiment of the second embodiment present invention will be described with reference to FIGS. 図5は本実施の形態の反射型液晶表示装置の全体構成を示し、図6(a)はその断面を、図6(b)は上面から見た図を表わす。 Figure 5 shows the overall configuration of a reflective liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 6 (a) and the cross-section, FIG. 6 (b) represents a view from the top surface.

【0038】薄膜トランジスタアレイ基板(TFTアレイ基板)2と対向基板1との間に液晶が封入され、液晶表示装置が構成されている。 The liquid crystal is sealed between the TFT array substrate (TFT array substrate) 2 and the counter substrate 1, a liquid crystal display device is configured. 画像や文字などの情報は、 Information such as images and characters,
図中の破線で囲まれた表示機能部分8に表示される。 It is displayed on the display function portion 8 surrounded by a broken line in FIG.

【0039】薄膜トランジスタアレイ基板2には、表示機能部分8の外周の互いに接する二辺に沿って、多数の受光素子が配置され受光素子アレイ4を形成しているとともに、発光素子3として面発光EL素子が配置されている。 The thin film transistor array substrate 2 along the two sides in contact with each other of the outer periphery of the display function portion 8, with a number of light receiving elements forms a arranged photodetector array 4, a surface-emitting EL as the light-emitting element 3 element is disposed.

【0040】受光素子(受光素子アレイ4)は、薄膜トランジスタアレイ基板2の上面側(図6(a)の上側) The light-receiving element (photodetector array 4) is a top side of the thin film transistor array substrate 2 (upper side in FIG. 6 (a))
に設けられ、発光素子3は、薄膜トランジスタアレイ基板2の背面側(図6(a)の下側)に設けられている。 Provided, the light-emitting element 3 is provided on the back side of the TFT array substrate 2 (the lower side in FIG. 6 (a)).

【0041】また、対向基板1の上面(図6(a)の上側)かつ受光素子および発光素子3の直上には反射鏡5 Further, the upper surface of the counter substrate 1 (upper side in FIG. 6 (a)) and reflection directly above the light-receiving element and the light-emitting element 3 mirror 5
が設けられている。 It is provided. 同じく対向基板1の上面で、表示機能部分8の外周の四辺のうち、受光素子および発光素子3の配置されていない二辺には、正反射鏡9が設けられている。 Also the upper surface of the counter substrate 1, of the four sides of the periphery of the display function portion 8, the two sides have not been arranged in the light receiving element and the light-emitting element 3, and specular reflection mirror 9 is provided. 発光素子3から発した光7は、反射鏡5および正反射鏡9によって反射され、受光素子に入射する。 Light 7 emitted from the light-emitting element 3 is reflected by the reflection mirror 5 and the positive reflector 9, enters the light receiving element.

【0042】薄膜トランジスタアレイ基板2には、各受光素子の出力を光の入射の有無に対応して2値化し、位置検出のための回路へと出力する機構も備えられている。 The thin film transistor array substrate 2, the output of each light receiving element corresponding to the presence or absence of incident light binarized, and mechanisms are provided for outputting to the circuit for the position detection.

【0043】本実施の形態においては、発光素子3および受光素子は常時オンの状態とし、発光素子3および受光素子の上方に位置する液晶をシャッターとして利用して、光の透過/遮断を制御することにより、発光素子3 [0043] In this embodiment, the light-emitting element 3 and the light receiving element is set to the always-on state, using a liquid crystal disposed above the light emitting element 3 and the light receiving element as a shutter, to control the transmission / blocking of light by light-emitting element 3
および受光素子のオンオフの代わりとする。 And the place of the on-off of the light-receiving element. 液晶シャッターのオンオフは、各受光素子および発光素子3に対応する位置の液晶に印加する電圧を変化させることにより行なう。 Off of the liquid crystal shutter is performed by changing the voltage applied to the liquid crystal of the positions corresponding to the light receiving element and the light-emitting element 3. ここでは、液晶シャッターのオンとは光が通過できる状態を意味し、オフとは光を遮断する状態を意味することとする。 Here, it means a state in which light can pass and on the liquid crystal shutter, and it means a state of blocking light is off.

【0044】X方向(図6(b)における左右方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、X方向のスキャンを行なう。 [0044] From the end of the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element is installed in the (horizontal direction in FIG. 6 (b)) X-direction in this order, by sequentially turning on, is performed in the X direction scan. また、Y方向(図26b)における上下方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、 Further, the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element was installed in the vertical direction) in the order from the end in the Y direction (FIG. 26b), by sequentially turning on,
Y方向のスキャンを行なう。 It performs Y direction scan. X方向とY方向のスキャンは同時に行なう。 X and Y directions of the scan is performed at the same time.

【0045】対向基板1の上面に指先やペン先などの遮光体が存在する場合、発光素子3からの光はさえぎられ受光素子に入射しない。 [0045] If the light shielding member on the upper surface of the counter substrate 1 such as a fingertip or pen exists, the light from the light emitting element 3 is interrupted not incident to the light receiving element. X方向とY方向のそれぞれについて、光が入射しなかった受光素子を特定することにより、遮光体の位置を計算することができる。 For each X-direction and Y-direction, by specifying a light receiving element which light is not incident, it is possible to calculate the position of the light shield.

【0046】光が入射しなかった受光素子の特定は、図3に示す構成の回路により行なうことができる。 The specific receiving element which light is not incident can be carried out by the circuit arrangement shown in FIG.

【0047】電源208にパルスを入力すると、TFT [0047] When the power source 208 to enter the pulse, TFT
スイッチ206がオンとなり、容量210の電位は電源207から供給されるリセット電位へとリセットされる。 Switch 206 is turned on, the potential of the capacitor 210 is reset to a reset potential supplied from the power source 207. 電源201から供給されるパルスが受光素子203 Pulse supplied from the power source 201 is a light receiving element 203
の抵抗低下によってTFTスイッチ204へと伝われば、電源202から与えられる電位が容量210に書き込まれる。 If Tsutaware by decreased resistance to TFT switch 204, potential given from power source 202 is written in the capacitor 210. 受光素子203の抵抗低下は、光を受光することにより生じる。 Resistance decrease of the light receiving element 203 is caused by receiving light. 受光素子203に光が入射しない場合には、容量210の電位は電源207から供給されたリセット電位のままである。 If the light is not incident to the light receiving element 203, the potential of the capacitor 210 remains reset potential supplied from the power source 207. シフトレジスタ200とT Shift register 200 and the T
FTスイッチ209を使用して、容量210の電位を端子205から順次読み出す。 Use FT switch 209 sequentially reads the potential of the capacitor 210 from the terminal 205. 容量210の電位から、各受光素子203への光入射の有無を検出することができる。 Can be from the potential of the capacitor 210, detects the presence or absence of light incident to the light receiving elements 203. X方向およびY方向のそれぞれに配置された各受光素子203について、光入射の有無を検出し、その結果から遮光体の位置を計算する。 For X and Y directions of the light receiving elements 203 disposed respectively, to detect the presence or absence of light incident to calculate the position of the light shield from the result.

【0048】図7を使用して、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板2の製造方法を説明する。 [0048] Using FIG. 7, a method for manufacturing a thin film transistor array substrate 2 in this embodiment.

【0049】図7は薄膜トランジスタアレイ基板2の断面をあらわしており、二つの非晶質薄膜トランジスタ1 [0049] Figure 7 represents a cross section of the thin film transistor array substrate 2, two amorphous thin film transistor 1
14、115および受光素子113が示されている。 14,115 and the light receiving element 113 is shown. 受光素子113および薄膜トランジスタ114は、図3における受光素子203およびTFTスイッチ204にそれぞれ対応し、薄膜トランジスタ115は液晶に電圧を印加し駆動するためものである。 Light-receiving element 113 and the thin film transistor 114 correspond to the light receiving element 203 and the TFT switch 204 in FIG. 3, the thin film transistor 115 is intended to drive voltage is applied to the liquid crystal.

【0050】薄膜トランジスタアレイ基板2は、ガラス基板100上に絶縁層101を形成し、さらに、金属膜からなるゲート電極104、SiO 2膜からなるゲート絶縁膜103、非晶質シリコン膜108、非晶質シリコン膜108にイオンを注入した電極形成部112、金属膜109から形成されたソース/ドレイン電極からなる非晶質薄膜トランジスタ114、115を形成してなる。 The thin film transistor array substrate 2, an insulating layer 101 on a glass substrate 100, further, the gate insulating film 103 made of the gate electrode 104, SiO 2 film made of a metal film, an amorphous silicon film 108, amorphous electrode formation portion 112 on the quality silicon film 108 was injected ions, obtained by forming an amorphous thin film transistor 114 and 115 made of the source / drain electrode formed of a metal film 109. さらに、薄膜トランジスタ114、115を覆うように層間絶縁膜107を形成する。 Further, an interlayer insulating film 107 to cover the thin film transistors 114 and 115. そして、最上層に反射電極となる金属膜111を形成する。 Then, a metal film 111 serving as the reflective electrode on the top layer. 反射電極と薄膜トランジスタ115は、層間絶縁膜107に設けた貫通穴によって接続されている。 Reflective electrode and the thin film transistor 115 are connected by a through hole formed in the interlayer insulating film 107.

【0051】受光素子113の構成は、非晶質シリコン膜108が金属膜111で遮光されていない点を除き、 The structure of the light receiving element 113, except that the amorphous silicon film 108 is not shielded by the metal film 111,
非晶質薄膜トランジスタ114、115とまったく同一である。 It is exactly the same as the amorphous thin film transistor 114 and 115. したがって、薄膜トランジスタ114、115 Therefore, the thin film transistors 114 and 115
の形成と同時に、まったく同一の工程で受光素子113 Forming at the same time, the light receiving element 113 in exactly the same process
も形成される。 It is also formed.

【0052】本実施の形態によれば、受光素子を薄膜トランジスタアレイ基板上に設けているため、外部に受光素子を設ける必要がなく、安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 In accordance with the present embodiment, since the provided light receiving element to the thin film transistor array substrate, it is not necessary to provide a light-receiving element to the outside, to obtain an inexpensive and high-performance position detecting function with a liquid crystal display device it can.

【0053】また、発光素子を薄膜トランジスタアレイ基板の背面側に設置することにより、液晶表示装置(対向基板)の表面に電気的接続を要する部品を設置する必要がなくなり、耐久性が向上する。 [0053] Further, by providing the light-emitting element on the back side of the TFT array substrate, it is not necessary to install the parts on the surface of the liquid crystal display device (a counter substrate) necessary electrical connections, and durability is improved.

【0054】また、受光素子を、液晶を駆動するための薄膜トランジスタと同時に、同一の工程で作成することが可能であるため、従来の位置検出機能なしの液晶表示装置とくらべ製造工程が増加することはなく、安価かつ信頼性の高い位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができるとともに、受光素子の密度を高める(配置間隔を小さくする)ことができるため、高精度の位置検出を行なうことが可能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 [0054] Further, the light receiving element, simultaneously with the thin film transistor for driving the liquid crystal, because it is possible to create in the same step, the liquid crystal display device as compared production process without conventional position detecting function is increased it is possible not, to obtain an inexpensive and reliable position detection function with a liquid crystal display device, it is possible to increase the density of the light-receiving element (to reduce the arrangement intervals), is possible to perform position detection of high accuracy it can be obtained which can position detecting function with a liquid crystal display device.

【0055】さらに、各受光素子および発光素子は常時オンとしておき、液晶をシャッターとして利用してX方向、Y方向のスキャンを行なうため、各受光素子および発光素子を順次オンオフするための機構が不要となり、 [0055] Further, each of the light receiving elements and the light-emitting element is left as an always-on, X direction using the liquid crystal as a shutter, to perform a Y-direction scan, unnecessary light-receiving elements and sequential off a mechanism for the light emitting element next,
安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 It can be obtained at a low cost and high performance position detecting function with a liquid crystal display device.

【0056】また、発光素子として面発光EL素子を使用するため、発光効率がよく、安価かつ消費電力の少ない位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 [0056] In order to use a surface-emitting EL element as a light-emitting element, light emission efficiency is, it is possible to obtain a position detecting function with a liquid crystal display device less expensive and power consumption.

【0057】なお、図6(a)に示すように光ガイド6 [0057] The optical as shown in FIG. 6 (a) guide 6
を設け、誤検出を防止しより正確な位置検出を行なうように構成してもよく、また、表示機能部分8の領域外でありかつ反射鏡が設置されていない個所に反射防止の処理を施し、視認性の向上をはかってもよい。 The provided may be configured to perform erroneously detected to prevent more accurate position detection, also, the process of the anti-reflection at a location where the area outside a is and reflecting mirror display function portion 8 is not installed subjected , it may be working to improve the visibility.

【0058】実施の形態3 本発明のさらに別の実施の形態を、図8および図9を用いて説明する。 [0058] Yet another embodiment of Embodiment 3 the present invention will be described with reference to FIGS. 図8は本実施の形態の反射型液晶表示装置の全体構成を示し、図9(a)はその断面を、図9 Figure 8 shows the overall configuration of a reflective liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 9 (a) its cross-section, FIG. 9
(b)は上面から見た図を表わす。 (B) represents a view from the top surface.

【0059】薄膜トランジスタアレイ基板(TFTアレイ基板)2と対向基板1との間に液晶が封入され、液晶表示装置が構成されている。 [0059] The liquid crystal is sealed between the TFT array substrate (TFT array substrate) 2 and the counter substrate 1, a liquid crystal display device is configured. 画像や文字などの情報は、 Information such as images and characters,
図中の破線で囲まれた表示機能部分8に表示される。 It is displayed on the display function portion 8 surrounded by a broken line in FIG.

【0060】薄膜トランジスタアレイ基板2には、表示機能部分8の外周の互いに接する二辺に沿って、多数の受光素子が配置され受光素子アレイ4を形成している。 [0060] The thin film transistor array substrate 2 along the two sides in contact with each other of the outer periphery of the display function portion 8 to form a light-receiving element array 4 a number of light receiving elements are arranged.
一方、薄膜トランジスタアレイ基板2の背面側(図9 On the other hand, the back side of the TFT array substrate 2 (FIG. 9
(a)の下側)には、表示機能部分8の外周のうち受光素子(受光素子アレイ4)が配置されていない二辺に沿って、発光素子3として導光路を備えた発光ダイオードが配置されている。 To (a) lower) along the two sides receiving element of the periphery of the display function portion 8 (the light-receiving element array 4) is not arranged, the light emitting diode is arranged with a light path as the light emitting elements 3 It is.

【0061】さらに、対向基板1の上面(図9(a)の上側)かつ受光素子(受光素子アレイ4)および発光素子3の直上には反射鏡5が設けられている。 [0061] Further, the reflector 5 is provided directly on the and the light receiving element (light receiving element array 4) and the light-emitting element 3 the upper surface of the counter substrate 1 (upper side in FIG. 9 (a)). 発光素子3 The light-emitting element 3
から発した光7は、反射鏡5によって反射され、表示機能部分8をはさんで対向する受光素子に入射する。 Light 7 emitted from the is reflected by the reflection mirror 5 is incident on the light receiving element facing across the display function portion 8.

【0062】薄膜トランジスタアレイ基板2には、各受光素子の出力を光の入射の有無に対応して2値化し、位置検出のための回路へと出力する機構も備えられている。 [0062] The thin film transistor array substrate 2, the output of each light receiving element corresponding to the presence or absence of incident light binarized, and mechanisms are provided for outputting to the circuit for the position detection.

【0063】発光素子3および受光素子は常時オンの状態とし、発光素子3および受光素子の上方に位置する液晶をシャッターとして利用して、光の透過/遮断を制御することにより、発光素子3および受光素子のオンオフの代わりとする。 [0063] The light-emitting element 3 and the light receiving element is set to the always-on state, using a liquid crystal disposed above the light emitting element 3 and the light receiving element as a shutter, by controlling the transmission / blocking of light, the light-emitting element 3 and and instead of the on-off of the light-receiving element. 液晶シャッターのオンオフは、各受光素子および発光素子3に対応する位置の液晶に印加する電圧を変化させることにより行なう。 Off of the liquid crystal shutter is performed by changing the voltage applied to the liquid crystal of the positions corresponding to the light receiving element and the light-emitting element 3. ここでは、液晶シャッターのオンとは光が通過できる状態を意味し、オフとは光を遮断する状態を意味することとする。 Here, it means a state in which light can pass and on the liquid crystal shutter, and it means a state of blocking light is off.

【0064】X方向(図6(b)における左右方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、X方向のスキャンを行なう。 [0064] From the end of the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element is installed in the (horizontal direction in FIG. 6 (b)) X-direction in this order, by sequentially turning on, is performed in the X direction scan. また、Y方向(図26b)における上下方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、 Further, the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element was installed in the vertical direction) in the order from the end in the Y direction (FIG. 26b), by sequentially turning on,
Y方向のスキャンを行なう。 It performs Y direction scan. X方向とY方向のスキャンは同時に行なう。 X and Y directions of the scan is performed at the same time.

【0065】対向基板1の上面に指先やペン先などの遮光体が存在する場合、発光素子3からの光はさえぎられ受光素子に入射しない。 [0065] If the light shielding member on the upper surface of the counter substrate 1 such as a fingertip or pen exists, the light from the light emitting element 3 is interrupted not incident to the light receiving element. X方向とY方向のそれぞれについて、光が入射しなかった受光素子を特定することにより、遮光体の位置を計算することができる。 For each X-direction and Y-direction, by specifying a light receiving element which light is not incident, it is possible to calculate the position of the light shield.

【0066】光が入射しなかった受光素子の特定は、図3に示す構成の回路により行なうことができる。 [0066] Certain of the light receiving element which light is not incident can be carried out by the circuit arrangement shown in FIG.

【0067】電源208にパルスを入力すると、TFT [0067] When the power source 208 to enter the pulse, TFT
スイッチ206がオンとなり、容量210の電位は電源207から供給されるリセット電位へとリセットされる。 Switch 206 is turned on, the potential of the capacitor 210 is reset to a reset potential supplied from the power source 207. 電源201から供給されるパルスが受光素子203 Pulse supplied from the power source 201 is a light receiving element 203
の抵抗低下によってTFTスイッチ204へと伝われば、電源202から与えられる電位が容量210に書き込まれる。 If Tsutaware by decreased resistance to TFT switch 204, potential given from power source 202 is written in the capacitor 210. 受光素子203の抵抗低下は、光を受光することにより生じる。 Resistance decrease of the light receiving element 203 is caused by receiving light. 受光素子203に光が入射しない場合には、容量210の電位は電源207から供給されたリセット電位のままである。 If the light is not incident to the light receiving element 203, the potential of the capacitor 210 remains reset potential supplied from the power source 207. シフトレジスタ200とT Shift register 200 and the T
FTスイッチ209を使用して、容量210の電位を端子205から順次読み出す。 Use FT switch 209 sequentially reads the potential of the capacitor 210 from the terminal 205. 容量210の電位から、各受光素子203への光入射の有無を検出することができる。 Can be from the potential of the capacitor 210, detects the presence or absence of light incident to the light receiving elements 203. X方向およびY方向のそれぞれに配置された各受光素子203について、光入射の有無を検出し、その結果から遮光体の位置を計算する。 For X and Y directions of the light receiving elements 203 disposed respectively, to detect the presence or absence of light incident to calculate the position of the light shield from the result.

【0068】図7を使用して、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板2の製造方法を説明する。 [0068] Using FIG. 7, a method for manufacturing a thin film transistor array substrate 2 in this embodiment.

【0069】図7は薄膜トランジスタアレイ基板2の断面をあらわしており、二つの非晶質薄膜トランジスタ1 [0069] Figure 7 represents a cross section of the thin film transistor array substrate 2, two amorphous thin film transistor 1
14、115および受光素子113が示されている。 14,115 and the light receiving element 113 is shown. 受光素子113および薄膜トランジスタ114は、図3における受光素子203およびTFTスイッチ204にそれぞれ対応し、薄膜トランジスタ115は液晶に電圧を印加し駆動するためものである。 Light-receiving element 113 and the thin film transistor 114 correspond to the light receiving element 203 and the TFT switch 204 in FIG. 3, the thin film transistor 115 is intended to drive voltage is applied to the liquid crystal.

【0070】薄膜トランジスタアレイ基板2は、ガラス基板100上に絶縁層101を形成し、さらに、金属膜からなるゲート電極104、SiO 2膜からなるゲート絶縁膜103、非晶質シリコン膜108、非晶質シリコン膜108にイオンを注入した電極形成部112、金属膜109から形成されたソース/ドレイン電極からなる非晶質薄膜トランジスタ114、115を形成してなる。 [0070] thin film transistor array substrate 2, an insulating layer 101 on a glass substrate 100, further, the gate insulating film 103 made of the gate electrode 104, SiO 2 film made of a metal film, an amorphous silicon film 108, amorphous electrode formation portion 112 on the quality silicon film 108 was injected ions, obtained by forming an amorphous thin film transistor 114 and 115 made of the source / drain electrode formed of a metal film 109. さらに、薄膜トランジスタ114、115を覆うように層間絶縁膜107を形成する。 Further, an interlayer insulating film 107 to cover the thin film transistors 114 and 115. そして、最上層に反射電極となる金属膜111を形成する。 Then, a metal film 111 serving as the reflective electrode on the top layer. 反射電極と薄膜トランジスタ115は、層間絶縁膜107に設けた貫通穴によって接続されている。 Reflective electrode and the thin film transistor 115 are connected by a through hole formed in the interlayer insulating film 107.

【0071】受光素子113の構成は、非晶質シリコン膜108が金属膜111で遮光されていない点を除き、 [0071] The configuration of the light receiving element 113, except that the amorphous silicon film 108 is not shielded by the metal film 111,
非晶質薄膜トランジスタ114、115とまったく同一である。 It is exactly the same as the amorphous thin film transistor 114 and 115. したがって、薄膜トランジスタ114、115 Therefore, the thin film transistors 114 and 115
の形成と同時に、まったく同一の工程で受光素子113 Forming at the same time, the light receiving element 113 in exactly the same process
も形成される。 It is also formed.

【0072】本実施の形態によれば、受光素子を薄膜トランジスタアレイ基板上に設けているため、外部に受光素子を設ける必要がなく、安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to [0072] this embodiment, since the provided light receiving element to the thin film transistor array substrate, it is not necessary to provide a light-receiving element to the outside, to obtain an inexpensive and high-performance position detecting function with a liquid crystal display device it can.

【0073】また、発光素子を薄膜トランジスタアレイ基板の背面側に設置することにより、液晶表示装置(対向基板)の表面に電気的接続を要する部品を設置する必要がなくなり、耐久性が向上する。 [0073] Further, by providing the light-emitting element on the back side of the TFT array substrate, it is not necessary to install the parts on the surface of the liquid crystal display device (a counter substrate) necessary electrical connections, and durability is improved.

【0074】また、受光素子を、液晶を駆動するための薄膜トランジスタと同時に、同一の工程で作成することが可能であるため、従来の位置検出機能なしの液晶表示装置とくらべ製造工程が増加することはなく、安価かつ信頼性の高い位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができるとともに、受光素子の密度を高める(配置間隔を小さくする)ことができるため、高精度の位置検出を行なうことが可能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 [0074] Further, the light receiving element, simultaneously with the thin film transistor for driving the liquid crystal, because it is possible to create in the same step, the liquid crystal display device as compared production process without conventional position detecting function is increased it is possible not, to obtain an inexpensive and reliable position detection function with a liquid crystal display device, it is possible to increase the density of the light-receiving element (to reduce the arrangement intervals), is possible to perform position detection of high accuracy it can be obtained which can position detecting function with a liquid crystal display device.

【0075】さらに、各受光素子および発光素子は常時オンとしておき、液晶をシャッターとして利用してX方向、Y方向のスキャンを行なうため、各受光素子および発光素子を順次オンオフするための機構が不要となり、 [0075] Further, each of the light receiving elements and the light-emitting element is left as an always-on, X direction using the liquid crystal as a shutter, to perform a Y-direction scan, unnecessary light-receiving elements and sequential off a mechanism for the light emitting element next,
安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 It can be obtained at a low cost and high performance position detecting function with a liquid crystal display device.

【0076】また、発光素子として発光ダイオードと導光路を使用するため、発光効率がよく、安価かつ消費電力の少ない位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 [0076] In order to use a light emitting diode and the light path as the light-emitting element, a light-emitting efficiency is, it is possible to obtain a position detecting function with a liquid crystal display device less expensive and power consumption.

【0077】なお、図9(a)に示すように光ガイド6 [0077] The light guide 6 as shown in FIG. 9 (a)
を設け、誤検出を防止しより正確な位置検出を行なうように構成してもよく、また、表示機能部分8の領域外でありかつ反射鏡が設置されていない個所に反射防止の処理を施し、視認性の向上をはかってもよい。 The provided may be configured to perform erroneously detected to prevent more accurate position detection, also, the process of the anti-reflection at a location where the area outside a is and reflecting mirror display function portion 8 is not installed subjected , it may be working to improve the visibility.

【0078】実施の形態4 本発明のさらにまた別の実施の形態を、図10および図11を用いて説明する。 [0078] The yet another embodiment of the fourth invention embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11. 図10は本実施の形態の反射型液晶表示装置の全体構成を示し、図11(a)はその断面を、図11(b)は上面から見た図を表わす。 Figure 10 shows the overall configuration of a reflective liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 11 (a) and the cross-section, FIG. 11 (b) represents a view from the top surface.

【0079】薄膜トランジスタアレイ基板(TFTアレイ基板)2と対向基板1との間に液晶が封入され、液晶表示装置が構成されている。 [0079] The liquid crystal is sealed between the TFT array substrate (TFT array substrate) 2 and the counter substrate 1, a liquid crystal display device is configured. 画像や文字などの情報は、 Information such as images and characters,
図中の破線で囲まれた表示機能部分8に表示される。 It is displayed on the display function portion 8 surrounded by a broken line in FIG.

【0080】薄膜トランジスタアレイ基板2上には、表示機能部分8の外周の互いに接する二辺に沿って、多数の受光素子が配置され、受光素子アレイ4を形成している。 [0080] On the TFT array substrate 2 along the two sides in contact with each other of the outer periphery of the display function portion 8, a large number of light receiving elements are arranged to form a light-receiving element array 4. 一方、薄膜トランジスタアレイ基板2の背面側(図11(a)の下側)には、表示機能部分8の外周のうち受光素子(受光素子アレイ4)が配置されていない二辺に沿って、発光素子3として面発光半導体レーザ素子が配置されている。 On the other hand, on the rear side of the thin film transistor array substrate 2 (the lower side in FIG. 11 (a)) along the two sides receiving element (photodetector array 4) is not disposed among the periphery of the display function portion 8, the light emitting VCSEL elements are arranged as elements 3.

【0081】さらに、対向基板1の上面(図9(a)の上側)かつ受光素子(受光素子アレイ4)および発光素子3の直上には反射鏡5が設けられている。 [0081] Further, the reflector 5 is provided directly on the and the light receiving element (light receiving element array 4) and the light-emitting element 3 the upper surface of the counter substrate 1 (upper side in FIG. 9 (a)). 発光素子3 The light-emitting element 3
から発した光7は、反射鏡5によって反射され、表示機能部分8をはさんで対向する受光素子に入射する。 Light 7 emitted from the is reflected by the reflection mirror 5 is incident on the light receiving element facing across the display function portion 8.

【0082】薄膜トランジスタアレイ基板2には、各受光素子の出力を光の入射の有無に対応して2値化し、位置検出のための回路へと出力する機構も備えられている。 [0082] The thin film transistor array substrate 2, the output of each light receiving element corresponding to the presence or absence of incident light binarized, and mechanisms are provided for outputting to the circuit for the position detection.

【0083】発光素子3および受光素子は常時オンの状態とし、発光素子3および受光素子の上方に位置する液晶をシャッターとして利用して、光の透過/遮断を制御することにより、発光素子3および受光素子のオンオフの代わりとする。 [0083] The light-emitting element 3 and the light receiving element is set to the always-on state, using a liquid crystal disposed above the light emitting element 3 and the light receiving element as a shutter, by controlling the transmission / blocking of light, the light-emitting element 3 and and instead of the on-off of the light-receiving element. 液晶シャッターのオンオフは、各受光素子および発光素子3に対応する位置の液晶に印加する電圧を変化させることにより行なう。 Off of the liquid crystal shutter is performed by changing the voltage applied to the liquid crystal of the positions corresponding to the light receiving element and the light-emitting element 3. ここでは、液晶シャッターのオンとは光が通過できる状態を意味し、オフとは光を遮断する状態を意味することとする。 Here, it means a state in which light can pass and on the liquid crystal shutter, and it means a state of blocking light is off.

【0084】X方向(図6(b)における左右方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、X方向のスキャンを行なう。 [0084] From the end of the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element is installed in the (horizontal direction in FIG. 6 (b)) X-direction in this order, by sequentially turning on, is performed in the X direction scan. また、Y方向(図26b)における上下方向)に設置した発光素子3および受光素子上の液晶シャッターを端から順に、順次オンにすることにより、 Further, the liquid crystal shutter on the light-emitting element 3 and the light receiving element was installed in the vertical direction) in the order from the end in the Y direction (FIG. 26b), by sequentially turning on,
Y方向のスキャンを行なう。 It performs Y direction scan. X方向とY方向のスキャンは同時に行なう。 X and Y directions of the scan is performed at the same time.

【0085】対向基板1の上面に指先やペン先などの遮光体が存在する場合、発光素子3からの光はさえぎられ受光素子に入射しない。 [0085] If the light shielding member on the upper surface of the counter substrate 1 such as a fingertip or pen exists, the light from the light emitting element 3 is interrupted not incident to the light receiving element. X方向とY方向のそれぞれについて、光が入射しなかった受光素子を特定することにより、遮光体の位置を計算することができる。 For each X-direction and Y-direction, by specifying a light receiving element which light is not incident, it is possible to calculate the position of the light shield.

【0086】光が入射しなかった受光素子の特定は、図3に示す構成の回路により行なうことができる。 [0086] Certain of the light receiving element which light is not incident can be carried out by the circuit arrangement shown in FIG.

【0087】電源208にパルスを入力すると、TFT [0087] When the power source 208 to enter the pulse, TFT
スイッチ206がオンとなり、容量210の電位は電源207から供給されるリセット電位へとリセットされる。 Switch 206 is turned on, the potential of the capacitor 210 is reset to a reset potential supplied from the power source 207. 電源201から供給されるパルスが受光素子203 Pulse supplied from the power source 201 is a light receiving element 203
の抵抗低下によってTFTスイッチ204へと伝われば、電源202から与えられる電位が容量210に書き込まれる。 If Tsutaware by decreased resistance to TFT switch 204, potential given from power source 202 is written in the capacitor 210. 受光素子203の抵抗低下は、光を受光することにより生じる。 Resistance decrease of the light receiving element 203 is caused by receiving light. 受光素子203に光が入射しない場合には、容量210の電位は電源207から供給されたリセット電位のままである。 If the light is not incident to the light receiving element 203, the potential of the capacitor 210 remains reset potential supplied from the power source 207.

【0088】シフトレジスタ200とTFTスイッチ2 [0088] The shift register 200 and the TFT switch 2
09を使用して、容量210の電位を端子205から順次読み出す。 09 was used to sequentially read out the potential of the capacitor 210 from the terminal 205. 容量210の電位から、各受光素子203 From the potential of the capacitor 210, the light receiving element 203
への光入射の有無を検出することができる。 It is possible to detect the presence or absence of light incident to. X方向およびY方向のそれぞれに配置された各受光素子203について、光入射の有無を検出し、その結果から遮光体の位置を計算する。 For X and Y directions of the light receiving elements 203 disposed respectively, to detect the presence or absence of light incident to calculate the position of the light shield from the result.

【0089】図4を使用して、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板2の製造方法を説明する。 [0089] Using FIG 4, a method for manufacturing a thin film transistor array substrate 2 in this embodiment.

【0090】図4は薄膜トランジスタアレイ基板2の断面をあらわしており、二つの多結晶薄膜トランジスタ1 [0090] Figure 4 represents a cross section of the thin film transistor array substrate 2, two polycrystalline thin-film transistor 1
14、115および受光素子113が示されている。 14,115 and the light receiving element 113 is shown. 受光素子113および薄膜トランジスタ114は、図3における受光素子203およびTFTスイッチ204にそれぞれ対応し、薄膜トランジスタ115は液晶に電圧を印加し駆動するためものである。 Light-receiving element 113 and the thin film transistor 114 correspond to the light receiving element 203 and the TFT switch 204 in FIG. 3, the thin film transistor 115 is intended to drive voltage is applied to the liquid crystal.

【0091】薄膜トランジスタアレイ基板2は、ガラス基板100上に絶縁層101を形成し、さらに、たとえばレーザー結晶化された多結晶シリコン膜102、Si [0091] thin film transistor array substrate 2, an insulating layer 101 on a glass substrate 100, and further, for example, laser crystallized polycrystalline silicon film 102, Si
2膜からなるゲート絶縁膜103、金属膜からなるゲート電極104、前記多結晶シリコン膜102にリンイオンを注入したソース/ドレイン領域105からなる多結晶薄膜トランジスタ114、115を形成してなる。 O 2 consisting film gate insulating film 103, a gate electrode 104 made of a metal film, by forming a polycrystalline thin film transistor 114 and 115 consisting of the polycrystalline silicon film source / drain regions 105 and phosphorus ions are implanted at 102.
さらに、薄膜トランジスタ114、115を覆うようにSiO 2膜などからなる層間絶縁膜107を形成する。 Further, an interlayer insulating film 107 made of SiO 2 film so as to cover the thin film transistors 114 and 115.

【0092】前記層間絶縁膜107上であって、かつ、 [0092] A on the interlayer insulating film 107, and,
その下部に薄膜トランジスタが形成されていない箇所に、非晶質シリコン膜108を形成する。 At a location thin film transistor is not formed on the lower portion, an amorphous silicon film 108. 非晶質シリコン膜108の直下かつ前記ゲート絶縁膜103上に金属膜106を、あらかじめ前記薄膜トランジスタ114、 The metal film 106 immediately below and on the gate insulating layer 103 of the amorphous silicon film 108, advance the thin film transistor 114,
115のゲート電極104を形成するときに、同時に形成しておく。 When forming the gate electrode 104 of the 115, previously formed simultaneously. 前記非晶質シリコン膜108の電極形成部112にイオンを注入する。 Implanting ions in the electrode forming portion 112 of the amorphous silicon film 108.

【0093】薄膜トランジスタ114のゲート電極10 [0093] The gate electrode 10 of the thin film transistor 114
4上に、その上層の層間絶縁膜107を貫通するコンタクトホールを、薄膜トランジスタ115ソース/ドレイン領域105上に、その上層の層間絶縁膜107およびゲート絶縁膜103とを貫通するコンタクトホールを形成する。 On the 4, a contact hole penetrating the interlayer insulating film 107 of the upper layer, over the thin film transistors 115 source / drain regions 105, forming a contact hole passing through the interlayer insulating film 107 and the gate insulating film 103 of the upper layer.

【0094】薄膜トランジスタ114と非晶質シリコン膜108を接続するために、前記コンタクトホールと前記非晶質シリコン膜108の電極形成部112とをつなぐ金属膜109を形成する。 [0094] In order to connect the thin film transistor 114 and the amorphous silicon film 108, a metal film 109 connecting the electrode forming portion 112 of the contact hole and the amorphous silicon film 108. 上記構造の上層にSiNからなる絶縁膜110を形成する。 Forming an insulating film 110 made of SiN on the upper layer of the structure. さらに、最上層に反射電極となる金属膜111を形成する。 Further, a metal film 111 serving as the reflective electrode on the top layer. 反射電極と薄膜トランジスタ115は、絶縁膜110に設けた貫通穴によって接続されている。 Reflective electrode and the thin film transistor 115 are connected by a through hole formed in the insulating film 110.

【0095】本実施の形態によれば、受光素子を薄膜トランジスタアレイ基板上に設けているため、外部に受光素子を設ける必要がなく、安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to [0095] this embodiment, since the provided light receiving element to the thin film transistor array substrate, it is not necessary to provide a light-receiving element to the outside, to obtain an inexpensive and high-performance position detecting function with a liquid crystal display device it can.

【0096】また、発光素子を薄膜トランジスタアレイ基板の背面側に設置することにより、液晶表示装置(対向基板)の表面に電気的接続を要する部品を設置する必要がなくなり、耐久性が向上する。 [0096] Further, by providing the light-emitting element on the back side of the TFT array substrate, it is not necessary to install the parts on the surface of the liquid crystal display device (a counter substrate) necessary electrical connections, and durability is improved.

【0097】また、受光素子を液晶表示装置の製造と同時に、かつ同様の半導体製造プロセス技術を用いて形成するため、製造工程の増加を抑制して安価かつ信頼性の高い位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができるとともに、受光素子の密度を高める(配置間隔を小さくする)ことができるため、高精度の位置検出を行なうことが可能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 [0097] At the same time the light receiving element and manufacture of the liquid crystal display device, and similar for forming by using a semiconductor manufacturing process technology, suppressed to a low cost and reliable position detection function with a liquid crystal display to increase the manufacturing process it is possible to obtain a device (reducing the arrangement interval) increase the density of light receiving elements for can, it is possible to obtain a position detecting function with a liquid crystal display device which can perform position detection with high accuracy.

【0098】さらに、受光素子を多結晶シリコン薄膜トランジスタからなるTFTスイッチに直接接続しているため、受光素子への光の入射の有無を短時間で判別することができる。 [0098] Further, since the directly connected to the TFT switch comprising a light receiving element of a polycrystalline silicon thin film transistor, it is possible to determine the presence or absence of light incident on the light receiving elements in a short time.

【0099】さらに、各受光素子および発光素子は常時オンとしておき、液晶をシャッターとして利用してX方向、Y方向のスキャンを行なうため、各受光素子および発光素子を順次オンオフするための機構が不要となり、 [0099] Further, each of the light receiving elements and the light-emitting element is left as an always-on, X direction using the liquid crystal as a shutter, to perform a Y-direction scan, unnecessary light-receiving elements and sequential off a mechanism for the light emitting element next,
安価かつ高性能な位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 It can be obtained at a low cost and high performance position detecting function with a liquid crystal display device.

【0100】なお、図11(a)に示すように光ガイド6を設け、誤検出を防止しより正確な位置検出を行なうように構成してもよく、また、表示機能部分8の領域外でありかつ反射鏡が設置されていない個所に反射防止の処理を施し、視認性の向上をはかってもよい [0100] Incidentally, the light guide 6 as shown in FIG. 11 (a) is provided may be configured to perform accurate position detection than preventing erroneous detection, also in the region outside the display function portion 8 subjected to a treatment of anti-reflection point where enabled with reflector is not installed, it may thereby improving the visibility

【0101】実施の形態5 本発明の各実施の形態による位置検出機能つき液晶表示装置を、携帯機器に適用した例を図12に示す。 [0102] The position detecting function with a liquid crystal display device according to each embodiment of the fifth embodiment the present invention, showing an example of application to a portable device in FIG. 図12 Figure 12
は携帯電話機を表わしており、筐体404に番号ボタン402、操作ボタン403、および本発明による位置検出機能つき液晶表示装置401が備えられ、ペン405 Denotes a mobile telephone, number buttons 402 on the housing 404, operation buttons 403, and a position detecting function with a liquid crystal display device 401 is provided according to the present invention, the pen 405
により入力やメニュー選択を行なうことができる。 It is possible to input or menu selection by.

【0102】実施の形態6 以上、前記各実施の形態では反射型の液晶表示装置を例にあげて説明してきたが、透過型あるいは半透過型など、他の形式の液晶表示装置に本発明を適用することも、もちろん可能である。 [0102] Embodiment 6 above, the has been described as an example a reflective liquid crystal display device in each of the embodiments, such as transmissive or semi-transmissive, the present invention in a liquid crystal display device of other types it is of course also possible to apply.

【0103】また、発光素子の種類や薄膜トランジスタの種類についても、前記各実施の形態で説明した組み合わせのみならず、その他の組み合わせももちろん可能である。 [0103] As for the type and the kind of the thin film transistor of the light-emitting element, wherein not only the combination described in the respective embodiments, other combinations are of course possible.

【0104】 [0104]

【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置の外部に受光素子を設けることなく、安価に高性能の位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to the present invention, without providing the external to the light-receiving element of the liquid crystal display device, it is possible to obtain a low cost high performance position detecting function with a liquid crystal display device.

【0105】本発明によれば、受光素子の密度を高め、 According to [0105] the present invention to increase the density of light receiving elements,
高精度な位置検出を行なうことが可能である。 It is possible to perform highly accurate position detection.

【0106】本発明によれば、外部に受光素子および発光素子をオンオフするための機構を設ける必要がなく、 According to [0106] the present invention, it is not necessary to provide a mechanism for turning on and off the light-receiving element and the light emitting element to the outside,
安価に高性能の位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 Low cost high performance can be obtained position detection function with a liquid crystal display device.

【0107】本発明によれば、発光効率の良い発光素子を用いて安価に高性能の位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to [0107] the present invention, low cost high performance can be obtained position detection function with a liquid crystal display device using the light-emitting efficient light-emitting element.

【0108】本発明によれば、誤検出を防止し正確な位置検出を行なうことが可能である。 In accordance with the invention, it is possible to prevent erroneous detection perform accurate position detection.

【0109】本発明によれば、簡易な光学系の構成で、 [0109] According to the present invention, in the configuration of a simple optical system,
高性能の位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 High performance can be obtained position detection function with a liquid crystal display device.

【0110】本発明によれば、受光素子を、液晶を駆動するための薄膜トランジスタと同時に、同一の工程で作成することが可能であるため、従来の位置検出機能なしの液晶表示装置とくらべ製造工程が増加することはなく、安価かつ信頼性の高い位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to [0110] the present invention, the light-receiving element, at the same time as the thin film transistor for driving the liquid crystal, because it is possible to create the same process, the manufacturing process compared with the liquid crystal display device without the conventional position detecting function There is not increasing, it is possible to obtain an inexpensive and reliable position detection function with a liquid crystal display device.

【0111】本発明によれば、受光素子への光の入射の有無を短時間で検出することができ、高速な位置検出が可能である。 According to [0111] the present invention, it is possible to detect the presence or absence of light incident on the light receiving elements in a short time, which enables high-speed position detection.

【0112】本発明によれば、表示機能部分の外周での不要な反射を減少させることができ、視認性のすぐれた位置検出機能つき液晶表示装置を得ることができる。 According to [0112] the present invention, it can be able to reduce the unwanted reflection at the outer periphery of the display function portion, obtain the visibility of the superior position detecting function with a liquid crystal display device.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の一実施の形態による液晶表示装置の全体構成を表わす図である。 Is a diagram showing the overall structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図2】 図1の液晶表示装置の断面および上面を示す図である。 2 is a diagram showing a cross-section and the upper surface of the liquid crystal display device of FIG.

【図3】 本発明による受光素子の駆動回路の構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of a driving circuit of a light-receiving element according to the present invention; FIG.

【図4】 本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。 [4] The present invention a configuration of a thin film transistor array substrate of a liquid crystal display device according to a cross-sectional view schematically showing.

【図5】 本発明の別の実施の形態による液晶表示装置の全体構成を表わす図である。 Is a diagram showing the overall structure of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention; FIG.

【図6】 図5の液晶表示装置の断面および上面を示す図である。 6 is a diagram showing a cross-sectional and top of the liquid crystal display device of FIG.

【図7】 本発明による液晶表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。 [7] The present invention a configuration of a thin film transistor array substrate of a liquid crystal display device according to a cross-sectional view schematically showing.

【図8】 本発明のさらに別の実施の形態による液晶表示装置の全体構成を表わす図である。 Is a diagram showing the overall structure of a liquid crystal display device according to still another embodiment of the invention; FIG.

【図9】 図8の液晶表示装置の断面および上面を示す図である。 9 is a diagram showing a cross-sectional and top of the liquid crystal display device of FIG.

【図10】 本発明のさらにまた別の実施の形態による液晶表示装置の全体構成を表わす図である。 Is a diagram showing the overall structure of a liquid crystal display device according to still another embodiment of the invention; FIG.

【図11】 図10の液晶表示装置の断面および上面を示す図である。 11 is a diagram showing a cross-section and the upper surface of the liquid crystal display device in FIG 10.

【図12】 本発明による位置検出機能つき液晶表示装置を、携帯機器に適用した例を示す図である。 [12] The position detection function with a liquid crystal display device according to the present invention, showing an example of application to a portable device.

【図13】 従来の位置検出方法(従来の方法1)を説明するための図である。 13 is a diagram for explaining a conventional position detecting method (conventional method 1).

【図14】 従来の位置検出方法(従来の方法2)を説明するための図である。 14 is a diagram for explaining a conventional position detecting method (conventional method 2).

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 対向基板、2 薄膜トランジスタアレイ基板、3 1 counter substrate, 2 a thin film transistor array substrate, 3
発光素子、4 受光素子アレイ、5 反射鏡、6 光ガイド、7 光、8 表示機能部分、9 正反射鏡、13 Emitting element, 4 a light receiving element array, 5 reflector 6 light guide, 7 light, 8 display function portion, 9 specular reflection mirror, 13
発光部、14 受光部、18 表示領域、21 透明導電膜、22透明導電膜、100 ガラス基板、101 Emitting portion, 14 light receiving unit, 18 display area, 21 a transparent conductive film, 22 transparent conductive film, 100 a glass substrate, 101
絶縁層、102 多結晶シリコン膜、103 ゲート絶縁膜、104ゲート電極、105 ソース/ドレイン領域、107 層間絶縁膜、108 非晶質シリコン膜、109 金属膜、110 絶縁膜、111 反射電極、112 電極形成部、113 受光素子、114 Insulating layer, 102 a polycrystalline silicon film, 103 a gate insulating film, 104 a gate electrode, 105 a source / drain region, 107 an interlayer insulating film, 108 an amorphous silicon film, 109 a metal layer, 110 an insulating layer, 111 the reflective electrodes, 112 electrodes forming unit, 113 light receiving elements, 114
薄膜トランジスタ、115 薄膜トランジスタ、200 Thin film transistor, 115 thin film transistor, 200
シフトレジスタ、201電源、202 電源、203 Shift register, 201 a power supply, 202 power supply, 203
受光素子、204 TFTスイッチ、205電源、2 Light-receiving element, 204 TFT switch, 205 a power supply, 2
06 TFTスイッチ、207 電源、208 電源、 06 TFT switch, 207 power, 208 power supply,
209 TFTスイッチ、305 遮光物、401 位置検出機能つき液晶表示装置、402番号ボタン、40 209 TFT switch, 305 shaders, 401 position detection function with a liquid crystal display device, 402 number buttons, 40
3 操作ボタン、404 筐体、405 ペン、505 3 operation buttons, 404 housing, 405 pen, 505
ペン。 pen.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) G06F 3/033 360 G06F 3/033 360E Fターム(参考) 2H089 HA15 HA18 HA40 JA10 QA16 TA07 TA09 TA10 TA17 TA18 2H092 GA59 GA62 JA24 LA02 LA06 NA25 PA12 PA13 RA10 2H093 NA16 NC34 NC53 NC72 NC73 NC90 ND60 NE05 NE06 NG15 5B068 AA04 AA22 AA32 BB19 BC04 5B087 AA02 AB04 CC02 CC11 CC34 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) G06F 3/033 360 G06F 3/033 360E F-term (reference) 2H089 HA15 HA18 HA40 JA10 QA16 TA07 TA09 TA10 TA17 TA18 2H092 GA59 GA62 JA24 LA02 LA06 NA25 PA12 PA13 RA10 2H093 NA16 NC34 NC53 NC72 NC73 NC90 ND60 NE05 NE06 NG15 5B068 AA04 AA22 AA32 BB19 BC04 5B087 AA02 AB04 CC02 CC11 CC34

Claims (11)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との間に液晶が封入されてなる液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタアレイ基板に、表示機能部分の外周の隣接する二辺に沿って受光素子が設けられ、該受光素子の直上かつ前記対向基板の表側に反射鏡が設けられ、 薄膜トランジスタアレイ基板の背面に、表示機能部分の外周の受光素子が設けられていない二辺に沿って発光素子が設けられ、該発光素子の直上かつ前記対向基板の表側に反射鏡が設けられたことを特徴とする位置検出機能つき液晶表示装置。 1. A liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between the TFT array substrate and the counter substrate, the TFT array substrate, the light receiving elements are provided along the two adjacent sides of the periphery of the display function portion , just above and the reflector is provided on the front side of the opposing substrate of the light receiving element, the back of the thin film transistor array substrate, the light emitting elements are provided along the two sides receiving element of the periphery of the display function portion is not provided, position detecting function with a liquid crystal display device comprising a reflection mirror is provided on the front side directly above and the opposing substrate of the light emitting element.
  2. 【請求項2】 薄膜トランジスタアレイ基板と対向基板との間に液晶が封入されてなる液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタアレイ基板に、表示機能部分の外周の隣接する二辺に沿って受光素子および発光素子が設けられ、該受光素子および発光素子の直上かつ前記対向基板の表側に反射鏡が設けられ、 さらに、前記対向基板の表側かつ表示機能部分の外周の前記受光素子および発光素子が設けられていない二辺に沿って、正反射鏡が設けられていることを特徴とする位置検出機能つき液晶表示装置。 In the liquid crystal display device formed by a liquid crystal is sealed between the 2. A thin film transistor array substrate and the counter substrate, the TFT array substrate, the light receiving element along the outer periphery of two adjacent sides of the display function portion and the light emitting element is provided, the reflector is provided directly and the front side of the counter substrate of the light receiving element and the light-emitting element, furthermore, the light receiving element and the light emitting element of the periphery of the front side and the display function portion of the counter substrate is not provided along the two sides, the position detecting function with a liquid crystal display device characterized by specular reflection mirror is provided.
  3. 【請求項3】 前記発光素子および/または前記受光素子のオンオフを液晶シャッターで行なうことを特徴とする請求項1または2記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 3. A position detecting function with a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the performing off of the light emitting element and / or said light receiving element in a liquid crystal shutter.
  4. 【請求項4】 前記発光素子が発光ダイオードと導光路を組み合わせたものであることを特徴とする請求項1、 4. The method of claim 1, wherein the light emitting element is a combination of light emitting diode and light guide path,
    2または3記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 Position detecting function with a liquid crystal display device 2 or 3 wherein.
  5. 【請求項5】 前記発光素子が面状のEL発光素子であることを特徴とする請求項1、2または3記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 Wherein said light emitting element position detecting function with a liquid crystal display device according to claim 1, 2 or 3, wherein it is a planar EL light emitting element.
  6. 【請求項6】 前記発光素子の光出口に光が画面と平行な成分のみ出力される構造の光ガイドが設けられたことを特徴とする請求項1、2、3、4または5記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 6. The position according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, wherein the light guide structure in which light is output only components parallel and screens are provided on the light outlet of the light emitting element detection function with a liquid crystal display device.
  7. 【請求項7】 前記受光素子の上部に、光が特定の方向の成分のみ入射される構造の光ガイドが設けられたことを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 The top of wherein said light receiving element, according to claim 2, 3, 4, 5 or 6, wherein the light guide structure in which light is incident only a component in a specific direction is provided position detection function with a liquid crystal display device.
  8. 【請求項8】 前記反射鏡が画面に対して45°の角度を有することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、 8. claim 1, 2, 3, 4, wherein the reflector has an angle of 45 ° with respect to the screen,
    6または7記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 Position detecting function with a liquid crystal display device of 6, wherein.
  9. 【請求項9】 前記受光素子として非晶質シリコン膜を使用することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、 9. The method of claim 1, 2, 3, 4, characterized by using amorphous silicon film as the light receiving element,
    6、7または8記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 Position detecting function with a liquid crystal display device of 6, 7 or 8, wherein.
  10. 【請求項10】 前記受光素子を多結晶シリコン薄膜トランジスタに直接接続した構造であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8または9記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 10. A position detection function with claim 5, 6, 7, 8 or 9, wherein said a structure in which light receiving elements are connected directly to the polycrystalline silicon thin film transistor The liquid crystal display device.
  11. 【請求項11】 前記表示機能部分の領域外でありかつ前記反射鏡が設置されていない箇所に反射防止処理を施したことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、 11. The method of claim 1,2,3,4,5,6, characterized in that an antireflection treatment in places where the a region outside the display function portion and the reflecting mirror is not installed,
    7、8、9または10記載の位置検出機能つき液晶表示装置。 7, 8, 9, or 10 position detection function with a liquid crystal display device according.
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