JP2002110571A - Film forming apparatus and film forming method - Google Patents

Film forming apparatus and film forming method

Info

Publication number
JP2002110571A
JP2002110571A JP2000305484A JP2000305484A JP2002110571A JP 2002110571 A JP2002110571 A JP 2002110571A JP 2000305484 A JP2000305484 A JP 2000305484A JP 2000305484 A JP2000305484 A JP 2000305484A JP 2002110571 A JP2002110571 A JP 2002110571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
holding
surface
heating means
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000305484A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisaaki Kurihara
久明 栗原
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, ソニー株式会社 filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000305484A priority Critical patent/JP2002110571A/en
Publication of JP2002110571A publication Critical patent/JP2002110571A/en
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus and a film forming method whereby the in-surface uniformity of the film thickness does not deteriorate, if the number of films increases. SOLUTION: A wafer stage 21 as a holding means having a hold surface 22a for holding a semiconductor wafer W, a resistance heater 24 as a heating means for heating the wafer W from the holding surface 22a side, and a shower head 11 as a gas feeder having a plurality of holes 11b facing the hold surface 22a for discharging a material gas G for forming a film on the surface of the wafer W. For forming a film, the heater 24 is moved to a specified position, relative to the shower head 11. While no film is formed, the heater 24 is moved to a specified remote position distant from that specified position, relative to the shower head 11.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、半導体ウェーハ等の被処理体の表面に、チタン膜等の薄膜を形成する成膜装置に関する。 The present invention relates to, for example, on the surface of the object to be processed such as a semiconductor wafer, to a film forming apparatus for forming a thin film such as a titanium film.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化、高密度化に伴い、半導体基板に形成された拡散層や電極配線層と上層の金属配線との接続を行うコンタクトホールや、金属配線層間を接続するスルーホールのアスペクト比が増大している。 In recent years, high integration of semiconductor devices increases in density, and a contact hole for connecting the diffusion layer and the electrode wiring layer and an upper metal wiring formed in the semiconductor substrate, a metal interconnect layers the aspect ratio of the through-hole to be connected is increasing. たとえば、半導体基板に形成された拡散層と金属配線との電気的接続のためのコンタクトホール部の金属埋め込みプロセスでは、まず、半導体基板にトランジスタを形成したのち、この半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の所定の位置にコンタクトホールを開口する。 For example, the contact hole portions of the metal embedding process for electrical connection between the diffusion layer and the metal wiring formed in the semiconductor substrate, first, after forming the transistor on the semiconductor substrate, an interlayer insulating film on the semiconductor substrate formed, contact holes at predetermined positions of the interlayer insulating film. 次いで、半導体基板に形成された拡散層を活性化したのち、コンタクトホールの底部に、埋め込み電極としてのタングステン(W)との密着性を向上させるために、たとえば、チタンからなる金属膜を形成する。 Then, after activating the diffusion layer formed on a semiconductor substrate, the bottom of the contact hole, in order to improve the adhesion between the tungsten (W) as an implanted electrode, for example, a metal film made of titanium . その後に、CVD(Chemical Vapor Depositio After that, CVD (Chemical Vapor Depositio
n) 法によって層間絶縁膜上にタングステン(W)を堆積し、コンタクトホール内を埋め込み、このタングステン(W)をエッチバックしてタングステン(W)からなる埋め込み電極を形成する。 Depositing a tungsten (W) on the interlayer insulating film by n) method, embedded in the contact hole, forming a buried electrode made of tungsten (W) and etched back to tungsten (W).

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の高アスペクト比のコンタクトホールの底部に形成される密着層としてのチタン膜は、たとえば、四塩化チタン(Ti [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, a titanium film as an adhesion layer formed on the bottom of the contact hole having a high aspect ratio described above, for example, titanium tetrachloride (Ti
Cl 4 )と水素ガス(H Cl 4) and hydrogen gas (H 2 )系のガスとの反応によるC C by reaction with 2) based gas
VD法を用いて形成される。 It is formed using the VD method. このチタン膜の成膜には、 The formation of the titanium film,
たとえば、平行平板型プラズマCVD装置が用いられる。 For example, parallel plate type plasma CVD apparatus used. 平行平板型プラズマCVD装置は、反応室内に2枚の平行電極を対向させ、ヒータを内蔵した一方の電極板上に半導体ウェーハを設置し、対向する電極との間に高周波電力を印加し、低圧反応ガスのプラズマを発生させて、ウェーハ上に薄膜を形成する容量結合型プラズマC Parallel plate type plasma CVD apparatus, the parallel electrodes of the two into the reaction chamber are opposed, the semiconductor wafer is placed on one electrode plate with a built-in heater, a high-frequency power is applied between the opposing electrodes, low-pressure by generating a plasma of the reaction gas, capacitively coupled plasma C to form a thin film on the wafer
VD装置である。 It is a VD apparatus. しかしながら、上記の平行平板型プラズマCVD装置によってチタン膜を形成した場合に、たとえば、図5に示すように、半導体ウェーハの処理枚数の増加に伴ってチタン膜の面内均一性が徐々に悪化し、 However, in the case of forming a titanium film by the parallel plate type plasma CVD apparatus, for example, as shown in FIG. 5, gradually deteriorate surface uniformity of the titanium layer with an increase in the number of processed semiconductor wafers ,
図6に示すように、4探針法によって測定したチタン膜のシート抵抗の面内均一性がばらつくという問題が存在した。 As shown in FIG. 6, the in-plane uniformity of the sheet resistance of the titanium film measured is a problem that variation existed by four probe method. 図5および図6からわかるように、半導体ウェーハの処理数が増加するにつれて、膜厚およびシート抵抗の面内均一性が徐々に低下する。 As can be seen from FIGS. 5 and 6, as the processing speed of the semiconductor wafer is increased, in-plane uniformity of film thickness and sheet resistance gradually decreases. 上記のように、チタン膜の膜厚がばらつき、抵抗がばらつくと、半導体装置の電気的特性が影響を受けるため、この膜厚を安定化させる必要があった。 As described above, variation thickness of the titanium film, the resistance varies, the electrical characteristics of the semiconductor device is affected, it is necessary to stabilize the film thickness.

【0004】本発明は、上述の問題に鑑みて成されたものであって、処理枚数が増加しても膜厚の面内均一性が低下しない成膜装置を提供することを目的とする。 [0004] The present invention, which was made in view of the above problems, the in-plane uniformity of the processed sheets film thickness be increased to an object to provide a film forming apparatus does not decrease.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を保持する保持面を備えた保持手段と、前記被処理体を前記保持面側から加熱する加熱手段と、前記保持手段の保持面に対向し、前記被処理体の表面に薄膜を形成するための原料ガスを吐出する複数の吐出孔をもつガス供給部材と、を有し、前記加熱手段は、前記被処理体に成膜処理を施す際には、前記ガス供給部材に対して所定位置に相対移動され、非成膜処理時には、前記ガス供給部材に対して前記所定位置よりも離隔した所定の離隔位置に相対移動されることを特徴とする。 Film forming apparatus of the present invention In order to achieve the above object, according to a film forming apparatus for forming a thin film on the surface of the object, and holding means having a holding surface for holding the workpiece, having a plurality of discharge holes and heating means, and opposed to the holding surface of the holding means, for discharging the material gas for forming a thin film on a surface of the workpiece to heat the workpiece from the holding surface a gas supply member, the said heating means, said when performing a film forming process on the workpiece is relatively moved to a predetermined position relative to the gas supply member, at the time of non-film process, the gas characterized in that it is relatively moved in a predetermined spaced position spaced than the predetermined position relative to the supply member.

【0006】前記加熱手段は、前記保持手段に内蔵されており、当該加熱手段は、前記保持手段の移動によって移動する。 [0006] The heating means is incorporated in said holding means, said heating means is moved by the movement of the holding means.

【0007】前記離隔位置は、前記加熱手段からの熱によって前記ガス供給部材の対向面に温度分布のばらつきを実質的に発生させない距離にある。 [0007] The separation position is a variation in the temperature distribution on the facing surface of the gas supply member by heat from said heating means to substantially not generate distance.

【0008】前記原料ガスは、四塩化チタンおよび水素ガスを含み、前記薄膜は、チタン膜である。 [0008] The feed gas comprises titanium tetrachloride and hydrogen gas, the thin film is a titanium film.

【0009】本発明の成膜方法は、被処理体を保持する保持面を備えた保持手段と、当該被処理体を前記保持面側から加熱する加熱手段と、前記保持手段の保持面に対向し、前記被処理体の表面に薄膜を形成するための原料ガスを吐出する複数の吐出孔をもつガス供給部材と、を有する成膜装置によって前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法であって、前記被処理体に成膜処理を施す際には、前記加熱手段を前記ガス供給部材に対して所定位置に相対移動させ、非成膜処理時には、前記加熱手段を前記ガス供給部材に対して前記所定位置よりも離隔した所定の離隔位置に相対移動させることを特徴とする。 [0009] deposition method of the present invention, a holding unit having a holding surface for holding the workpiece, a heating means for heating the object to be processed from the holding side, opposite to the holding surface of the holding means and, deposited to form a thin film on the surface of the object to be processed the gas supply member having a plurality of discharge holes for discharging the material gas for forming a thin film on the surface of the object, by a film forming apparatus having the method, wherein when performing a film forming process on the workpiece is moved relative to a predetermined position of the heating means relative to said gas supply member, at the time of non-film process, the gas supply to the heating means and wherein the relatively moving in a predetermined spaced position spaced than the predetermined position relative to the member.

【0010】前記加熱手段は、前記保持手段に内蔵されており、前記保持手段の移動によって前記加熱手段を移動させる。 [0010] The heating means is incorporated in said holding means, moving said heating means by the movement of the holding means.

【0011】前記離隔位置は、前記加熱手段からの熱によって前記ガス供給部材の対向面に温度分布のばらつきを実質的に発生させない距離にある。 [0011] The separation position is a distance that generates substantially no variation in the temperature distribution on the facing surface of the gas supply member by heat from said heating means.

【0012】四塩化チタンおよび水素ガスを含む原料ガスを用い、前記薄膜としてチタン膜を形成する。 [0012] Using a raw material gas containing titanium tetrachloride and hydrogen gas to form a titanium film as the thin film.

【0013】本発明者は、上記目的を達成するべく鋭意検討を重ねる過程において、成膜装置において被処理体の処理枚数が増加するに伴って膜厚の面内不均一性が低下する原因として、加熱手段によりガス供給部材に発生する温度上昇および温度分布のばらつきが生じることが主原因であることを見出した。 [0013] The present inventors, in the course of superimposing the intensive studies to achieve the above object, as a cause of in-plane non-uniformity of the film thickness in accordance with the number of processed workpiece is increased is decreased in the film-forming apparatus found that variation in the temperature rise and temperature distribution generated in the gas supply member that occurs a major cause by the heating means. すなわち、ガス供給部材に温度分布のばらつきが生じると、各ガス吐出孔に原料ガスが付着することによって形成される膜の厚さにもばらつきが生じ、被処理体の処理枚数が増加すると、このばらつきも大きくなる。 That is, when the variation in the temperature distribution in the gas supply member occurs, when variation in the thickness of the film formed by the respective gas discharge holes material gas adheres occurs, the number of processed workpiece is increased, the variation is also increased. このため、各ガス吐出孔から被処理体に向けて供給される原料ガスの供給状態にもばらつきが発生し、この原料ガスの供給状態にもばらつきが膜厚の面内均一性を低下させる主原因と考えられる。 Therefore, variation in the supply state of raw material gas to be supplied toward the object to be processed is generated from the gas discharge holes, the main variations in the supply state of the raw material gas lowers the in-plane uniformity of the film thickness cause is considered. 本発明では、加熱手段をガス供給部材に対して所定位置に移動させて成膜処理を行い、非成膜時には、加熱手段を所定位置から離隔させて所定の離隔位置に移動する。 In the present invention, the heating means is moved to a predetermined position with respect to the gas supply member performs a film deposition process, at the time of non-deposition, to move the heating means so spaced from a predetermined position at a predetermined separation position. このため、ガス供給部材は加熱手段からの熱の影響が少なくなり、ガス供給部材の温度上昇が少なくなり、また、 Therefore, the gas supply member is less affected by heat from the heating means, the less the temperature rise of the gas supply member, also,
温度分布のばらつきが発生しにくくなる。 Variation in the temperature distribution is less likely to occur. ガス供給部材に温度分布のばらつきがなくなると、原料ガスが付着してガス吐出孔に形成される薄膜の膜厚も均一になり、各ガス供給孔から被処理体の表面に向けて供給される原料ガスの供給量も被処理体の表面内で均一化される。 When variation in the temperature distribution is eliminated in the gas supply member, the thickness of the thin film of the material gas is formed in the gas discharge holes adhered also becomes uniform, it is supplied toward the surface of the object from the gas supply holes the supply amount of the raw material gas is also uniform in the surface of the object.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the drawings, embodiments of the present invention. 図1は、本発明の一実施形態に係る成膜装置としての平行平板型プラズマCVD装置の概略構成を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a parallel-plate type plasma CVD apparatus as a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. なお、本実施形態では、薄膜としてチタン膜を成膜する場合について説明する。 In the present embodiment, the case of forming a titanium film as a thin film. 図1に示す平行平板型プラズマCVD装置1は、たとえば、アルミニウム合金から筒状に成形された処理容器2を有している。 Parallel plate type plasma CVD apparatus 1 illustrated in FIG. 1, for example, includes a processing vessel 2 from the aluminum alloy is molded into a cylindrical shape. この処理容器2の底部2aの中心部には、貫通孔4が形成されているとともに、周辺部には、排気口5が設けられている。 At the center of the bottom portion 2a of the processing container 2, a through-hole 4 is formed, in the peripheral portion, an exhaust port 5 are provided. この排気口5には、図示しない真空引きポンプ、たとえば、ターボ分子ポンプおよびドライポンプを備えた真空排気系が接続されており、処理容器2の内部を減圧可能となっている。 The exhaust port 5, vacuum pump (not shown), for example, are vacuum exhaust system connected with a turbo molecular pump and a dry pump, the interior of the processing container 2 to reduce the pressure. この排気口5は、容器底部2aに、たとえば、同一円周上に等間隔に複数設けられており、上記の真空排気系に共通に接続されている。 The exhaust port 5, the container bottom 2a, for example, are equally spaced provided more on the same circumference, are connected in common to the vacuum exhaust system.

【0015】処理容器2内には、本発明の保持手段としてのウェーハステージ21が設けられている。 [0015] In the processing container 2, the wafer stage 21 is provided as the holding means of the present invention. このウェーハステージ21は、たとえば、アルミナ製の円盤状の部材から構成され、このウェーハステージ21の下面中央部には、鉛直方向下方に伸びる支持柱25が固定されている。 The wafer stage 21, for example, is composed of alumina of a disc-shaped member, the central portion of the lower surface of the wafer stage 21, support posts 25 extending vertically downward is fixed. この支持柱25は、容器底部2aに形成された貫通孔4を通じて処理容器2の外部に突出しており、支持柱25の下端部は図示しない昇降機構により鉛直方向の矢印A1およびA2方向に移動可能に支持されている。 The support pillar 25 projects to the outside of the processing chamber 2 through the through-hole 4 formed in the container bottom portion 2a, the lower end portion of the supporting column 25 is movable in the arrow A1 and A2 directions in the vertical direction by an unillustrated lifting mechanism and it is supported by the. また、支持柱25と貫通孔4との間は、シール部材6によって支持柱25と摺動可能にシーリングされている。 Further, between the support posts 25 and the through hole 4 is sealed slidably and support posts 25 by the sealing member 6.

【0016】ウェーハステージ21には、本発明の加熱手段としての、たとえば、SiCによりコーティングされたカーボン製の抵抗発熱体24が埋め込まれている。 [0016] wafer stage 21, as a heating unit of the present invention, for example, resistance heating element 24 made of carbon coated with SiC is embedded.
この抵抗発熱体24は、上面側に載置される被処理体としての半導体ウェーハWを所望の温度に加熱可能となっている。 The resistance heating element 24 is a semiconductor wafer W as an object to be processed which is placed on the upper surface side and can heated to a desired temperature. ウェーハステージ21は、その上部に、内部に銅等の導電板から形成されたチャック用電極27を埋め込んだ薄いセラミックス製の静電チャック22を備えており、この静電チャック22の保持面22aで半導体ウェーハWを保持する。 Wafer stage 21 has, in its upper part, provided with a thin ceramic electrostatic chuck 22 embedded with chuck electrode 27 formed of a conductive plate such as copper in the interior, with the holding surface 22a of the electrostatic chuck 22 to hold the semiconductor wafer W. 静電チャック22は、自ら発生するクーロン力により半導体ウェーハWの裏面を保持面2 The electrostatic chuck 22, the holding surface 2 a back surface of the semiconductor wafer W by Coulomb force themselves generated
2aに吸着保持する。 Adsorption held in 2a. なお、本実施形態では、ウェーハステージ21が静電チャック22を備えている場合について説明したが、静電チャックを備えず、抵抗発熱体2 In the present embodiment, the case has been described where the wafer stage 21 is provided with an electrostatic chuck 22, not provided with the electrostatic chuck, the resistance heating element 2
4が露出した構成とすることも可能である。 4 it is also possible to adopt a configuration in which the exposed. この場合には、抵抗発熱体24の表面が半導体ウェーハWを保持する保持面となる。 In this case, the surface of the resistance heating element 24 is holding surface for holding the semiconductor wafer W.

【0017】ウェーハステージ21の周辺部の所定の位置には、複数のリフタ孔28が上限方向に貫通するように設けられており、このリフタ孔28内に昇降可能にリフタピン29が設けられている。 [0017] in a predetermined position of the peripheral portion of the wafer stage 21, a plurality of lifter holes 28 are provided so as to penetrate the upper limit direction, vertically movable lifter pins 29 are provided in the lifter hole 28 . このリフタピン29 The lifter pins 29
は、半導体ウェーハWの搬入、搬出時に半導体ウェーハWを保持面22aに対して昇降させる。 The loading of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W to lift with respect to the holding surface 22a during unloading.

【0018】処理容器2の天井部には、本発明のガス供給部材としてのシャワーヘッド11が設けられた天井板3がシール部材9を介して気密に取り付けられている。 The ceiling portion of the processing chamber 2, the ceiling plate 3 showerhead 11 is provided as a gas supply member of the present invention is attached to the hermetically through a sealing member 9.
シャワーヘッド11は、ウェーハステージ21の保持面22aの略全面を覆うように、ウェーハステージ21に対向させて設けられている。 Shower head 11 so as to cover substantially the whole surface of the holding surface 22a of the wafer stage 21, is provided to face the wafer stage 21. また、シャワーヘッド11 In addition, the shower head 11
とウェーハステージ21の保持面22aとの間には、処理空間が形成されている。 And between the retaining surface 22a of the wafer stage 21, the processing space is formed.

【0019】このシャワーヘッド11は、処理容器2内に成膜用の原料ガスやパージガス等の各種ガスをシャワー状に供給する供給するものであり、シャワーヘッド1 [0019] The shower head 11 is intended to supply for supplying various gases of the raw material gas and a purge gas such as for film formation into the processing chamber 2 like a shower, the shower head 1
1のウェーハステージ21の保持面22aに対向する側のガス吐出面11aには、ガスを吐出するための多数のガス吐出孔11bが開口している。 The opposite side gas ejection surface 11a in the holding surface 22a of the first wafer stage 21, a plurality of gas discharge holes 11b for discharging the gas is opened.

【0020】シャワーヘッド11内は、原料ガス用空間11aを備えており、この原料ガス用空間11aに連通するガス導入ポート60は、原料供給通路61に接続されており、この原料供給通路61を通じて供給される気化状態の原料ガスGが供給される。 [0020] in the shower head 11 is provided with a raw material gas space 11a, the gas introduction port 60 communicating with the raw material gas space 11a is connected to the material supply passage 61, through the material supply passage 61 the raw material gas G vaporized state to be supplied is supplied. シャワーヘッド11 Shower head 11
の側壁には、シャワーヘッドの温度を一定に保つために冷却用媒体、たとえば、温水が流される冷却用ジャケット50が設けられている。 On the side wall of a cooling medium in order to maintain the temperature of the showerhead at a constant, for example, the cooling jacket 50 is provided with the hot water is flowed.

【0021】処理容器2の側壁には、壁面を冷却するために冷却用媒体を流すための冷却ジャケット55が設けられている。 [0021] The sidewall of the processing chamber 2, the cooling jacket 55 for flowing a cooling medium to cool the wall surface is provided. また、処理容器2の側壁の一部には、ウェーハ搬出入口70が設けられ、この搬出入口70とロードロック室72との間にゲートバルブ71が設けられている。 In addition, some of the side wall of the processing container 2, the wafer transfer port 70 is provided, the gate valve 71 is provided between the transfer port 70 and the load lock chamber 72. ゲートバルブ71は、ロードロック室72と処理容器2内とを連通、遮断する。 Gate valve 71 communicates the load lock chamber 72 and the processing vessel 2, is cut off.

【0022】なお、上記構成の平行平板型プラズマCV [0022] Incidentally, the parallel plate type plasma CV of the structure
D装置1では、処理容器内2に設けられたシャワーヘッド11とウェーハステージ21とが2枚の対向する平行電極を構成しており、一方の電極であるシャワーヘッド11と他方の電極であるウェーハステージ21との間に図示しない高周波電源によって高周波電力が印加され、 The D device 1, a shower head 11 and the wafer stage 21 provided in the processing container 2 constitutes a two opposing parallel electrodes to a shower head 11 and the other electrode is one electrode wafer RF power is applied by the high-frequency power source (not shown) between the stage 21,
原料ガスのプラズマを発生させて、半導体ウェーハW上に薄膜を形成する。 By generating a plasma of the source gas to form a thin film on a semiconductor wafer W. また、CVD法により半導体ウェーハWに薄膜を成膜する成膜処理時には、図1に示したように、ウェーハステージ21の保持面22aは、シャワーヘッド11のガス吐出面11aに所定の距離L 0離れた位置に配置され、この位置で処理が行われる。 Further, during the film forming process for forming a thin film on a semiconductor wafer W by the CVD method, as shown in FIG. 1, the holding surface 22a of the wafer stage 21, the distance L 0 given to the gas discharge surface 11a of the shower head 11 is remotely located, the process is performed in this position. 所定の距離L 0は、特に、限定されないが、たとえば、8mm Predetermined distance L 0 is particularly, but not limited to, for example, 8 mm
程度に設定される。 It is set to such an extent.

【0023】次に、上記構成の平行平板型プラズマCV Next, a parallel plate plasma CV of the structure
D装置1を用いた本発明の成膜方法について説明する。 Film forming method of the present invention will be described using the D device 1.
まず、図2に示すように、ウェーハステージ21をシャワーヘッド11のガス吐出面11aに対して上記の所定の距離L 0よりも離隔した距離L 1の位置に下降させておく。 First, as shown in FIG. 2, left is lowered to the position of the distance L 1 spaced than the predetermined distance L 0 of the relative wafer stage 21 the gas discharge surface 11a of the shower head 11. この距離L 1は、特に限定されないが、たとえば、38mm程度であり、所定の距離L 0よりも十分に大きい値とする。 The distance L 1 is not particularly limited, for example, about 38mm, and sufficiently greater than the predetermined distance L 0.

【0024】上記の状態において、処理容器2内を真空状態に維持し、ウェーハステージ21に内蔵された抵抗発熱体24を発熱させ、所定温度、たとえば、650℃ [0024] In the above state, the inside of the processing vessel 2 is maintained in a vacuum state, heat is generated resistance heating elements 24 embedded in the wafer stage 21, a predetermined temperature, for example, 650 ° C.
程度にウェーハステージ21の保持面22aに制御する。 The extent to control the holding surface 22a of the wafer stage 21. また、冷却ジャケット50、55に冷却用媒体を流して、シャワーヘッド11や処理容器2の壁面を所定の温度に制御する。 Further, by flowing a cooling medium to the cooling jacket 50 and 55, controls the wall surface of the shower head 11 and the processing vessel 2 to a predetermined temperature. シャワーヘッド11は、たとえば、3 Shower head 11 is, for example, 3
00℃程度に制御される。 It is controlled to about 00 ℃. この状態では、シャワーヘッド11は、ウェーハステージ21に内蔵された抵抗発熱体24から十分に離れており、抵抗発熱体24を発熱させても、シャワーヘッド11の温度は殆ど上昇せず、また、シャワーヘッド11のガス吐出面11a内には温度分布のばらつきはほとんど発生しない。 In this state, the shower head 11 is sufficiently away from the resistance heating element 24 incorporated in the wafer stage 21, even when the resistance heating element 24 to generate heat, the temperature of the shower head 11 is hardly increased, also, variations in the temperature distribution in the gas discharge plane 11a of the shower head 11 hardly occurs.

【0025】さらに、図1に示したように、ウェーハステージ21をシャワーヘッド11から所定の距離L 0の位置まで上昇させ、ロードロック室72側からウェーハ搬出入口70を通じて未処理の半導体ウェーハWを搬入し、これをウェーハステージ21の保持面22aに載置する。 Furthermore, as shown in FIG. 1, the wafer stage 21 is raised from the shower head 11 to the position of a predetermined distance L 0, the semiconductor wafer W unprocessed through the wafer transfer port 70 from the load lock chamber 72 side loading, and which is placed on the holding surface 22a of the wafer stage 21. 半導体ウェーハWは、静電チャックのクーロン力によって吸着保持される。 The semiconductor wafer W is attracted to and held by the Coulomb force of the electrostatic chuck.

【0026】次いで、シャワーヘッド11とウェーハステージ21との間に高周波電力を印加しながら、原料供給通路61を通じて、四塩化チタン(TiCl 4 )および水素ガス(H 2 )からなる原料ガスGをシャワーヘッド11に供給する。 [0026] Then, while applying a high frequency power between the showerhead 11 and the wafer stage 21 through the material supply passage 61, a shower a raw material gas G consisting of titanium tetrachloride (TiCl 4) and hydrogen gas (H 2) supplied to the head 11. シャワーヘッド11のガス吐出孔1 Gas showerhead 11 discharge hole 1
1bから半導体ウェーハWに向けて供給された原料ガスGは、プラズマ化され、半導体ウェーハWの表面にチタン膜が形成される。 The raw material gas G supplied toward the semiconductor wafer W from 1b is plasma, the titanium film is formed on the surface of the semiconductor wafer W. このとき、シャワーヘッド11のガス吐出孔11b内には、原料ガスGが付着し、ガス吐出孔11b内の内面にも薄膜が形成される。 At this time, in the gas discharge holes 11b of the shower head 11, the raw material gas G is attached, a thin film is formed also on the inner surface of the gas discharge holes 11b. この薄膜の形成量は、各ガス吐出孔11b内の温度に依存する。 Formation of the thin film depends on the temperature in the gas discharge holes 11b.

【0027】半導体ウェーハWの表面に所定膜厚のチタン膜が成膜されたら、成膜処理を停止し、半導体ウェーハWをロードロック室72側を搬出する。 [0027] When a titanium film having a predetermined thickness on the surface of the semiconductor wafer W is deposited to stop the film forming process, unloading the load lock chamber 72 side of the semiconductor wafer W. これにより、 As a result,
半導体ウェーハWの成膜処理が完了する。 The film-forming process of the semiconductor wafer W is completed.

【0028】ここで、ウェーハステージ21をシャワーヘッド11から距離L 1の位置まで下降させる。 [0028] Here, to lower the wafer stage 21 to the position of the distance L 1 from the showerhead 11. ウェーハステージ21を下降させて、シャワーヘッド11からウェーハステージ21を離隔させる。 The wafer stage 21 is lowered, thereby separating the wafer stage 21 from the shower head 11. これにより、抵抗発熱体24とシャワーヘッド11との距離も離隔する。 Thus, also the separation distance between the resistance heating element 24 and the shower head 11.
シャワーヘッド11とウェーハステージ21とを離隔させるのは、次の半導体ウェーハWを処理するまでの待機時間中に、抵抗発熱体24からの熱によって、シャワーヘッド11の温度が上昇し、ガス吐出面11aの温度分布にばらつきが発生するのを抑制するためである。 Cause separating the shower head 11 and the wafer stage 21, during a wait before processing the next semiconductor wafer W, by the heat from the resistance heating element 24, the temperature of the shower head 11 is raised, the gas discharge surface variations in the temperature distribution of 11a is to suppress the occurrence. したがって、距離L 1はシャワーヘッド11の温度が上昇せず、かつ、ガス吐出面11aの温度分布にばらつきが発生しない程度とするのが好ましい。 Accordingly, the distance L 1 does not increase the temperature of the shower head 11, and preferably set to a degree that no variation occurs in the temperature distribution of the gas discharge surface 11a.

【0029】シャワーヘッド11とウェーハステージ2 [0029] The shower head 11 and the wafer stage 2
1との間を距離L 0のままにしておくと、シャワーヘッド11の温度が上昇するとともに、ガス吐出面11aに温度分布のばらつきが発生する可能性がある。 If you leave between 1 to leave a distance L 0, the temperature of the shower head 11 is raised, there is a possibility that variation in the temperature distribution is generated in the gas discharge surface 11a. シャワーヘッド11は、冷却ジャケット50によって温度制御されているが、ガス吐出面11aの温度の精密な制御は不可能であり、シャワーヘッド11とウェーハステージ2 Shower head 11 has been temperature controlled by the cooling jacket 50, precise control of the temperature of the gas discharge surface 11a is not possible, the shower head 11 and the wafer stage 2
1との距離が近いと、ガス吐出面11aの中心部の温度が周辺部に比べて上昇してしまう。 The distance between the 1 is short, the temperature of the central portion of the gas discharge surface 11a rises as compared with the periphery. ガス吐出面11aの中心部の温度が周辺部に比べて上昇すると、この中心部に設けられたガス吐出孔11bでは、ガス吐出孔11b When the temperature of the central portion of the gas discharge surface 11a is increased as compared with the peripheral portion, the gas discharge holes 11b provided in the central portion, the gas discharge holes 11b
へのTiの付着量が増大する。 Adhesion amount of Ti to increases. このため、ガス吐出面1 Therefore, the gas discharge surface 1
1aの中心部にガス吐出孔11bから半導体ウェーハW Semiconductor wafer W from the gas discharge hole 11b in the center of 1a
に向けて供給される原料ガスGの量が周辺部に比べて少なくなる。 Less than the peripheral portion the amount of the raw material gas G to be supplied toward the. このため、半導体ウェーハWに形成されるチタン膜の面内均一性が低下する。 Therefore, in-plane uniformity of the titanium film formed on the semiconductor wafer W is decreased. 本実施形態では、シャワーヘッド11とウェーハステージ21とを離隔させるため、上記のチタン膜の面内均一性の低下を抑制することができる。 In the present embodiment, in order to separate the shower head 11 and the wafer stage 21, it is possible to suppress the reduction of in-plane uniformity of the titanium layer.

【0030】シャワーヘッド11とウェーハステージ2 The shower head 11 and the wafer stage 2
1との距離をL 1に離隔させたのち、ガス吐出孔11b Mixture was allowed to separate the distance between 1 to L 1, the gas discharge holes 11b
や処理容器2内に付着した原料ガスGや、反応生成物を除去するために、たとえば、塩素ガスCl 2をシャワーヘッド11に供給する。 And the processing container 2 raw material gas G and attached, in order to remove the reaction products, for example, supplying the chlorine gas Cl 2 to the shower head 11. この塩素ガスCl 2の供給によって、原料ガスGや、反応生成物を除去したのち、いわゆるサイクルパージを行う。 By the supply of the chlorine gas Cl 2, the raw material gas G and, after removing the reaction products, perform a so-called cycle purge. サイクルパージは、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、窒素(N 2 )等のガスを処理容器2内に供給したのち、処理容器2内を真空引きする操作を繰り返し行う。 Cycle purge, argon (Ar), helium (the He), then supplied to the nitrogen (N 2) gas process vessel 2 such as to repeat the operation for evacuating the processing chamber 2. このサイクルパージにより、処理容器2内に残存した塩素ガスや原料ガス等を外部に排出することができる。 This cycle purge can be discharged chlorine gas and the material gas or the like remaining in the processing chamber 2 to the outside. このサイクルパージを行うことにより、処理容器2内に残存した塩素ガスや原料ガス等を外部に排出するだけでなく、シャワーヘッド11 This by performing cycle purge, not only exhaust chlorine gas and the raw material gas remaining in the processing chamber 2 or the like to the outside, the shower head 11
の温度上昇を防ぐことができる。 It is possible to prevent the temperature rise of the.

【0031】上記の待機状態から、再度半導体ウェーハWにチタン膜を成膜するには、上記と同様の処理を行う。 [0031] From the above standby state, to form titanium film again semiconductor wafer W, it performs the same processing as described above. このとき、シャワーヘッド11には温度上昇が殆どなく、また、ガス吐出面11a内に温度分布の不均一が殆ど発生していないので、ガス吐出面11aからは、略均一に原料ガスGが供給される。 At this time, almost no temperature rise in the shower head 11, and because non-uniform temperature distribution in the gas discharge plane 11a is hardly generated, from the gas discharge surface 11a, substantially uniformly material gas G is supplied It is.

【0032】さらに、ガス吐出面11aから略均一に原料ガスGが供給されるため、各ガス吐出孔11b内には、略均一な膜厚で薄膜が形成される。 Furthermore, since the substantially uniform material gas G from the gas discharge surface 11a is supplied, inside the gas discharge holes 11b, a thin film is formed substantially in a uniform thickness. したがって、その後の処理において、塩素ガス等によってこのガス吐出孔11b内に形成された薄膜を除去する際には、各ガス吐出孔11bにおいて均等に除去される。 Accordingly, in the subsequent process, in removing the thin film formed in the gas discharge hole 11b by chlorine gas or the like is uniformly removed in the gas discharge holes 11b. このため、ガス吐出孔11b内に薄膜が残存することがなく、結果的に、各ガス吐出孔11bからの原料ガスGの供給量のばらつきを抑制することができる。 Therefore, without a thin film remains in the gas discharge holes 11b, as a result, the variation in the supply amount of the raw material gas G from the gas discharge holes 11b can be suppressed.

【0033】ここで、図3は本実施形態に係るプラズマCVD装置1によってチタン膜を成膜した場合の、膜厚の面内均一性と処理枚数との関係を示すグラフである。 [0033] Here, FIG. 3 is a graph showing the case where the plasma CVD apparatus 1 according to the present embodiment is a titanium film, the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed film thickness.
図3からわかるように、チタン膜の面内均一性は、処理数が増加しても、処理数に依存して悪化することがないのがわかる。 As can be seen from FIG. 3, the in-plane uniformity of the titanium film, even if the processing speed is increased, it can be seen that never deteriorate depending on the process speed. また、従来の方法では、面内均一性が10 Further, in the conventional method, the in-plane uniformity 10
%以上であったものを、本実施形態では5%以下に抑制することができた。 Those in which was more than%, in the present embodiment was able to be suppressed to 5% or less. また、図4は本実施形態に係るプラズマCVD装置1によってチタン膜を成膜した場合の、 Further, in the case of a titanium film by a plasma CVD device 1 4 according to the present embodiment,
シート抵抗の面内均一性と処理枚数との関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed sheet resistance. なお、シート抵抗はチタン膜の電気抵抗を4 The sheet resistance of the electrical resistance of the titanium film 4
探針法によって測定した結果であり、縦軸は標準偏差値(1シグマ)を表している。 A result of measuring by probe method, and the vertical axis represents the standard deviation value (1 sigma). 図4からわかるように、チタン膜のシート抵抗の面内均一性は、処理数が増加しても、処理数に依存して悪化することがないのがわかる。 As it can be seen from Figure 4, the sheet resistance plane uniformity of the titanium film, even if the processing speed is increased, it can be seen that never deteriorate depending on the process speed.
また、従来の方法では、面内均一性が10%以上であったものを、本実施形態では6%以下に抑制することができた。 Further, in the conventional method, those in-plane uniformity was 10% or more, in the present embodiment was suppressed to less than 6%.

【0034】以上のように、本実施形態によれば、半導体ウェーハWに成膜処理をしない待機時間中(非処理時)に、シャワーヘッド11とウェーハステージ21との距離を離隔させて、抵抗発熱体24からの熱がシャワーヘッド11に影響することを抑制することにより、成膜時の半導体ウェーハWに成膜されるチタン膜の膜厚の面内均一性を向上させ、シート抵抗の面内均一性を向上させることができる。 [0034] As described above, according to this embodiment, during the waiting time without the film forming process on a semiconductor wafer W (when untreated), by separating the distance between the shower head 11 and the wafer stage 21, the resistance by the heat from the heating element 24 is prevented from being affected to the shower head 11, to improve the film thickness in-plane uniformity of the titanium film formed on the semiconductor wafer W during film formation, the sheet resistance surface it is possible to improve the internal uniformity.

【0035】なお、上述した実施形態では、成膜装置として平行平板型プラズマCVD装置1の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるわけではなく、他の常圧CVD装置や減圧CVD装置にも適用可能である。 [0035] In the embodiment described above, the description has been given of the parallel plate type plasma CVD apparatus 1 as a film forming apparatus, the present invention is not limited thereto, other atmospheric pressure CVD apparatus or a low pressure CVD device is also to be applied. また、上述した実施形態では、加熱手段としての抵抗発熱体24が保持手段としてのウェーハステージ21 Further, in the above embodiment, the wafer stage 21 as a resistance heating element 24 is the holding means as a heating unit
に内蔵されている場合について説明したが、加熱手段と保持手段とが分離されている場合には、加熱手段とシャワーヘッド11との距離を成膜処理時と非成膜処理時とで制御する構成とすることができる。 It has been described which is built in, in a case where the heating means and the holding means is separated, controlling the distance between the heating means and the shower head 11 between the film forming process and the non-film processing time it can be configured.

【0036】 [0036]

【発明の効果】本発明によれば、処理枚数が増加しても膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる。 According to the present invention, it can be processed number to suppress the reduction of in-plane uniformity of the film thickness also increases.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施形態に係るプラズマCVD装置の概略構成を示す断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のプラズマCVD装置のウェーハステージを離隔位置に移動した状態を示す断面図である。 2 is a sectional view showing a moving state to a remote location the wafer stage of the plasma CVD apparatus shown in FIG.

【図3】本実施形態に係るプラズマCVD装置によってチタン膜を成膜した場合の、膜厚の面内均一性と処理枚数との関係を示すグラフである。 By a plasma CVD apparatus according to FIG. 3 embodiment of the case of forming a titanium film is a graph showing the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed film thickness.

【図4】本実施形態に係るプラズマCVD装置によってチタン膜を成膜した場合の、シート抵抗の面内均一性と処理枚数との関係を示すグラフである。 By a plasma CVD apparatus according to Figure 4 the embodiment of the case of forming a titanium film is a graph showing the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed sheet resistance.

【図5】従来のプラズマCVD装置によってチタン膜を成膜した場合の、膜厚の面内均一性と処理枚数との関係の一例を示すグラフである。 [Figure 5] in the case of forming a titanium film by a conventional plasma CVD apparatus is a graph showing an example of the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed film thickness.

【図6】従来のプラズマCVD装置によってチタン膜を成膜した場合の、シート抵抗の面内均一性と処理枚数との関係の一例を示すグラフである。 [6] obtained by depositing a titanium film by a conventional plasma CVD apparatus is a graph showing an example of the relationship between the in-plane uniformity and the number of processed sheet resistance.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…プラズマCVD装置、2…処理容器、5…排出口、 1 ... plasma CVD apparatus, 2 ... processing vessel, 5 ... discharge port,
11…シャワーヘッド、11a…ガス吐出面、11b… 11 ... showerhead, 11a ... gas ejection face, 11b ...
ガス吐出孔、21…ウェーハステージ、22a…保持面、24…抵抗発熱体、25…支持柱、W…ウェーハ。 Gas discharge hole, 21 ... wafer stage, 22a ... holding surface, 24 ... resistance heating element 25 ... support column, W ... wafer.

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置であって、 前記被処理体を保持する保持面を備えた保持手段と、 前記被処理体を前記保持面側から加熱する加熱手段と、 前記保持手段の保持面に対向し、前記被処理体の表面に薄膜を形成するための原料ガスを吐出する複数の吐出孔をもつガス供給部材と、を有し、 前記加熱手段は、前記被処理体に成膜処理を施す際には、前記ガス供給部材に対して所定位置に相対移動され、非成膜処理時には、前記ガス供給部材に対して前記所定位置よりも離隔した所定の離隔位置に相対移動されることを特徴とする成膜装置。 1. A film forming apparatus for forming a thin film on the surface of the object, and holding means having a holding surface for holding the workpiece, to heat the object to be processed from the holding surface heating means, opposed to the holding surface of the holding means, anda gas supply member having a plurality of discharge holes for discharging the material gas for forming a thin film on the surface of the object to be processed, the heating means , said when performing a film forming process on the workpiece is relatively moved to a predetermined position relative to the gas supply member, at the time of non-film process, spaced apart than the predetermined position with respect to the gas supply member film forming apparatus characterized in that it is relatively moved to a predetermined separation position.
  2. 【請求項2】前記加熱手段は、前記保持手段に内蔵されており、当該加熱手段は、前記保持手段の移動によって移動する請求項1に記載の成膜装置。 Wherein said heating means is incorporated in said holding means, said heating means, film-forming apparatus according to claim 1 which is moved by the movement of the holding means.
  3. 【請求項3】前記離隔位置は、前記加熱手段からの熱によって前記ガス供給部材の対向面に温度分布のばらつきを実質的に発生させない距離にある請求項1に記載の成膜装置。 Wherein the separation position, the film forming apparatus according to claim 1 which is a variation in the temperature distribution on the facing surface of the gas supply member by heat from said heating means to substantially not generate distance.
  4. 【請求項4】前記原料ガスは、四塩化チタンおよび水素ガスを含み、 前記薄膜は、チタン膜である請求項1に記載の成膜装置。 Wherein said source gas comprises titanium tetrachloride and hydrogen gas, the thin film is film-forming apparatus according to claim 1, wherein the titanium film.
  5. 【請求項5】被処理体を保持する保持面を備えた保持手段と、当該被処理体を前記保持面側から加熱する加熱手段と、前記保持手段の保持面に対向し、前記被処理体の表面に薄膜を形成するための原料ガスを吐出する複数の吐出孔をもつガス供給部材と、を有する成膜装置によって前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法であって、 前記被処理体に成膜処理を施す際には、前記加熱手段を前記ガス供給部材に対して所定位置に相対移動させ、 非成膜処理時には、前記加熱手段を前記ガス供給部材に対して前記所定位置よりも離隔した所定の離隔位置に相対移動させることを特徴とする成膜方法。 5. A holding means having a holding surface for holding the workpiece, a heating means for heating the object to be processed from the holding surface, opposed to the holding surface of the holding means, the object to be processed a film forming method of a gas supply member having a plurality of discharge holes for discharging the material gas for forming a thin film on the surface of the film formation apparatus having a thin film on a surface of the object to be processed, wherein when forming a film process on a target body is relatively moved to a predetermined position of the heating means relative to said gas supply member, at the time of non-film process, the predetermined said heating means to said gas supply member film-forming method which comprises causing relative movement at a predetermined spaced position spaced from the position.
  6. 【請求項6】前記加熱手段は、前記保持手段に内蔵されており、前記保持手段の移動によって前記加熱手段を移動させる請求項5に記載の成膜方法。 Wherein said heating means is incorporated in said retaining means, the film forming method according to claim 5 for moving the heating means by the movement of the holding means.
  7. 【請求項7】前記離隔位置は、前記加熱手段からの熱によって前記ガス供給部材の対向面に温度分布のばらつきを実質的に発生させない距離にある請求項5に記載の成膜方法。 Wherein said separation position, the film forming method according to claim 5 at a distance which does not substantially generate a variation in the temperature distribution on the facing surface of the gas supply member by heat from said heating means.
  8. 【請求項8】四塩化チタンおよび水素ガスを含む原料ガスを用い、 前記薄膜としてチタン膜を形成する請求項5に記載の成膜方法。 8. Using a raw material gas containing titanium tetrachloride and hydrogen gases, the film forming method according to claim 5 for forming a titanium film as the thin film.
JP2000305484A 2000-10-04 2000-10-04 Film forming apparatus and film forming method Pending JP2002110571A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000305484A JP2002110571A (en) 2000-10-04 2000-10-04 Film forming apparatus and film forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000305484A JP2002110571A (en) 2000-10-04 2000-10-04 Film forming apparatus and film forming method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002110571A true JP2002110571A (en) 2002-04-12

Family

ID=18786332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000305484A Pending JP2002110571A (en) 2000-10-04 2000-10-04 Film forming apparatus and film forming method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002110571A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217183A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd Equipment and method of heat treatment
JP2006521017A (en) * 2003-03-17 2006-09-14 東京エレクトロン株式会社 Processing system and method for chemical treatment of the substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217183A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd Equipment and method of heat treatment
JP2006521017A (en) * 2003-03-17 2006-09-14 東京エレクトロン株式会社 Processing system and method for chemical treatment of the substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5888907A (en) Plasma processing method
JP4371442B2 (en) Face plate for supplying gas into the reaction chamber, and a reaction chamber
JP3242166B2 (en) Etching apparatus
US7265048B2 (en) Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
JP3208044B2 (en) The plasma processing apparatus and plasma processing method
CN100350574C (en) Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate
US7842617B2 (en) Etching method and etching apparatus
US9039912B2 (en) Batch-type remote plasma processing apparatus
US5581874A (en) Method of forming a bonding portion
US5997962A (en) Plasma process utilizing an electrostatic chuck
US5895530A (en) Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber
EP0179665A2 (en) Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
JP3468859B2 (en) Vapor processing apparatus and gas-phase treatment method
US8197636B2 (en) Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
JP4421305B2 (en) The plasma processing apparatus and plasma processing method
US6059985A (en) Method of processing a substrate and apparatus for the method
US20030209324A1 (en) Plasma reactor with reduced reaction chamber
US6333269B2 (en) Plasma treatment system and method
JP4306403B2 (en) Shower head structure and the film forming apparatus using the same
US20050221000A1 (en) Method of forming a metal layer
JP4547182B2 (en) The plasma processing apparatus
JP3953247B2 (en) The plasma processing apparatus
JP3192370B2 (en) The plasma processing apparatus
US5942282A (en) Method for depositing a titanium film
US6916401B2 (en) Adjustable segmented electrode apparatus and method