JP2002100472A - Film-forming apparatus, light-emitting device and its method of manufacturing the device - Google Patents

Film-forming apparatus, light-emitting device and its method of manufacturing the device

Info

Publication number
JP2002100472A
JP2002100472A JP2001208605A JP2001208605A JP2002100472A JP 2002100472 A JP2002100472 A JP 2002100472A JP 2001208605 A JP2001208605 A JP 2001208605A JP 2001208605 A JP2001208605 A JP 2001208605A JP 2002100472 A JP2002100472 A JP 2002100472A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
chamber
processing chamber
film
formed
el
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001208605A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4889883B2 (en )
JP2002100472A5 (en )
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem which is caused when the solvent of a printing material volatilizes, when using printing method. SOLUTION: Pressure of a processing chamber for forming an EL layer by using the printing method (or called a printing chamber) in a pixel part of a light-emitting device is put in a pressurizing state of atmospheric pressure (normal pressure) or the atmospheric pressure or more, and the inside of the printing chamber is filled with an inert gas or put in a solvent atmosphere. Thus, since changing by volatilizing the solvent of the printing material can be prevented, difficulties of forming a film can be solved.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、陽極、陰極及びそれらの間にEL(Electro Luminescence)が得られる発光性材料、特に自発光性の材料(以下、EL材料という)を挟んだ構造からなるEL素子の作製に用いる成膜装置及びEL素子を有する発光装置、及びその作製方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention comprises an anode, luminescent materials cathode and EL therebetween (Electro Luminescence) is obtained, in particular self-luminescent material (hereinafter, referred to as an EL material) consisting sandwiched by light-emitting device including a film forming apparatus and the EL element used in the manufacturing of the EL element, and a manufacturing method thereof. なお、本明細書中においてEL材料とは電界を加えることで蛍光又は燐光が得られる材料のことをいう。 Incidentally, it refers to a material that fluorescence or phosphorescence is obtained by applying an electric field to the EL material herein.

【0002】尚、本発明において発光装置とは、EL素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。 [0002] Note that the light-emitting device in the present invention refers to an image display device or a light-emitting device using an EL element. また、EL素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム(FPC: Flexible Printed Circuit)もしくはT Also, the connector to the EL element, such as an anisotropic conductive film (FPC: Flexible Printed Circuit) or T
AB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(T AB (Tape Automated Bonding) tape, or a TCP (T
ape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、 ape Carrier Package) is attached to the module,
TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glas TAB tape or a TCP module with a printed wiring board is provided on or in the light-emitting element, COG (Chip On Glas
s)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。 s) even module IC (integrated circuit) is directly mounted by scheme shall include all the light-emitting device.

【0003】 [0003]

【従来の技術】近年、基板上に半導体素子を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置(発光装置)への応用開発が進められている。 In recent years, technology for forming a semiconductor element on a substrate progressed significantly, application development of an active matrix display device (light emitting device) has been advanced. なお、半導体素子とは、半導体物質を用いたスイッチング機能を有し、かつ単独または複数で構成される素子のことをいい、トランジスタ、特に電界効果型トランジスタ、代表的にはMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタや薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TF Note that the semiconductor device has a switching function using a semiconductor material, and refers to a device composed of a single or multiple, transistors, in particular field effect transistors, typically MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors and thin film transistor (Thin Film transistor: TF
T)などが挙げられる。 T) and the like. 特に、ポリシリコン膜を用いたTFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたTF In particular, TFT using a polysilicon film, using a conventional amorphous silicon film TF
Tよりも電界効果移動度(モビリティともいう)が高いので、高速動作が可能である。 Since the field effect mobility than T (also referred to as mobility) higher-speed operation is possible. そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。 Therefore, conventionally, the control of the pixel which has been performed by the drive circuit outside the substrate, it is possible to perform a driver circuit formed on the same substrate as the pixel.

【0004】このようなアクティブマトリクス型の表示装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られる。 [0004] Such an active matrix display device, a reduction in manufacturing costs by fabricate various circuits and elements on the same substrate, miniaturization of the electro-optical device, increase of yield, such as reduced throughput, various the advantage can be obtained such.

【0005】さらに、自発光型の素子としてEL素子を有したアクティブマトリクス型の発光装置(または、E Furthermore, self-luminous active matrix light-emitting device having an EL element as an element (or, E
Lディスプレイという)の研究が活発化している。 A study of L-the display) has been activated.

【0006】なお、本明細書では、発光装置が有するE [0006] In this specification, E light emitting device having
L素子について、一対の電極(陽極と陰極)間にEL層が挟まれた構造を示しているが、EL層は通常、積層構造となっている。 For L elements, but EL layer indicates a sandwiched structure between a pair of electrodes (anode and cathode), EL layer generally has a layered structure. 代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」という積層構造が挙げられる。 Typically, the laminated structure that was proposed by Tang et al of Eastman Kodak Company "hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer" and the like. この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。 This structure has high very luminous efficiency, currently employs a light emitting device most this structure study has been developed.

【0007】また他にも、陽極上に正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造でも良い。 Further also other, on the anode of the hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer, or a hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer it may be a structure which are stacked in this order. 発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。 A fluorescent pigment or the like may be doped into the light emitting layer.

【0008】本明細書において陰極と陽極の間に設けられる全ての層を総称してEL層と呼ぶ。 [0008] In the present specification are generically all layers provided between the cathode and the anode is referred to as EL layer. よって上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てEL層に含まれる。 Therefore the hole injection layer, the hole transport layer, light emitting layer, electron transporting layer, an electron injection layer are all included in the EL layer.

【0009】そして、上記構造でなるEL層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こって発光する。 [0009] Then, applying a predetermined voltage from the pair of electrodes to the EL layer made of the above structure, thereby emitting in which recombination of a carrier occurs in the light emitting layer. なお本明細書中では、陽極、EL層及び陰極で形成される発光素子をEL Note herein, an anode, a light emitting element formed in EL layers and cathode EL
素子と呼ぶ。 Referred to as an element.

【0010】EL素子が有するEL層は熱、光、水分、 [0010] EL layer EL element has heat, light, moisture,
酸素等によって劣化が促進されることから、一般的にアクティブマトリクス型の発光装置の作製において、画素部に配線やTFTを形成した後にEL素子が形成される。 Since the deterioration by oxygen or the like is promoted, in general, preparation of an active matrix light emitting devices, EL elements are formed after the formation of the wiring and TFT in a pixel portion.

【0011】なお、上記EL層の形成(成膜)方法としては様々な方法が提案されている。 [0011] Incidentally, there have been proposed various methods for forming (depositing) the method of the EL layer. 例えば、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、LB法、イオンプレーティング法、ディッピング法、インクジェット法、印刷法などが挙げられる。 For example, vacuum deposition, sputtering, spin coating, roll coating, casting, LB method, ion plating method, dipping method, inkjet method, a printing method and the like.
中でも印刷法は、選択的にEL層を形成することができるため有効な手法である。 Of these printing methods, an effective method since it is possible to selectively form the EL layer.

【0012】そしてEL素子が形成された後、EL素子が設けられた基板(ELパネル)とカバー材とを、EL [0012] Then, after the EL element is formed, and a cover member substrate EL element is provided (EL panels), EL
素子が外気に曝されないように貼り合わせてシール材等により封止(パッケージング)する。 Element seals (packaging) by a sealing member or the like adhered to so as not to be exposed to the outside air.

【0013】パッケージング等の処理により気密性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター(FPC、TAB等)を取り付けて、アクティブマトリクス型の発光装置が完成する。 [0013] After the airtightness is increased by the packaging process, by attaching a connector for connecting terminals led from elements or circuits formed on the substrate and external signal terminals (FPC, TAB, etc.) , active-matrix light-emitting device is completed.

【0014】 [0014]

【発明が解決しようとする課題】EL層の形成に印刷法を用いた場合、EL材料を溶解させる溶媒の揮発性が高いと印刷材料が経時変化してしまい、多数の基板を処理するには、困難が生じる。 When using a printing method for the formation of the EL layer [0005], and the print material is highly volatile solvent for dissolving EL material ends up aging, to process a large number of substrates , difficulties arise. そこで、本発明では、このような問題点を解決する手段を提供することを目的とする。 Therefore, in the present invention, an object to provide a means for solving such a problem.

【0015】 [0015]

【発明を解決するための手段】上記課題を達成するために、本発明では印刷法を用いてEL層を形成する処理を行うための処理室(または、印刷室と呼ぶ)の圧力を大気圧(常圧)又は大気圧以上の加圧状態にし、印刷法によりEL層を形成することを特徴とする。 To achieve the above object INVENTION To achieve the ## pressure atmospheric pressure of the processing chamber for performing the process of forming the EL layer by using a printing method in the present invention (or, referred to as printing room) (atmospheric pressure) or to atmospheric pressure or under pressure, and forming an EL layer by a printing method. なお、処理室は、圧力調節機構と接続されており、本発明における圧力調節機構とは、処理室内における圧力を大気圧もしくは大気圧に近い状態(典型的には1〜2気圧、好ましくは1.1〜1.5気圧)に保持するための機能を有するもののことをいう。 The processing chamber is connected to the pressure adjusting mechanism, and the pressure regulating mechanism in the present invention, the process 1-2 atm state (typically close to the atmospheric pressure or ambient pressure in the room, preferably 1 It refers to those having a function for holding .1~1.5 atm).

【0016】具体的には、気体を圧縮して処理室に導入するための圧縮機と、処理室内部の圧力を測定した後、 [0016] Specifically, after measuring the compressor for introduction into the processing chamber by compressing the gas, the pressure inside the process chamber,
圧力に応じて排気用バルブを開閉するセンサーからなる。 Consisting sensor for opening and closing the exhaust valve in response to pressure. なお、本明細書中では、処理室内の気体を排気するためのバルブのことを排気用バルブと呼ぶことにする。 In this specification, it will be referred to a valve for exhausting the gas in the processing chamber and the exhaust valve.
また、本明細書中において、センサーとは、処理室内の圧力を測定し、その値に応じて制御信号を入力する装置のことをいう。 Further, in this specification, the sensor and the pressure in the treatment chamber is measured refers to a device for inputting a control signal according to the value. なお、ここでは、センサーからの制御信号が排気用バルブに入力されの開閉が制御される。 Here, the opening and closing of the control signal from the sensor is inputted to the exhaust valve is controlled.

【0017】その他にも圧力調節機構としては、ヒーター等により処理室内を加熱することにより処理室内を所望の圧力に加圧することも可能である。 [0017] as a pressure adjusting mechanism in others, it is also possible to pressurize the process chamber to a desired pressure by heating the chamber by a heater or the like. この場合には、 In this case,
センサーからの信号は電源からヒーターに加えられる電力を制御するための可変抵抗器に入力される。 Signal from the sensor is input to the variable resistor to control the power applied from the power supply to the heater.

【0018】また、本発明においては、処理室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気にしてEL層を形成することを特徴とする。 [0018] In the present invention, or filling the treatment chamber with an inert gas, in the solvent atmosphere and forming an EL layer.

【0019】なお、不活性気体とは、反応性に乏しい気体のことをいい、具体的には、アルゴンやヘリウムといった希ガスや窒素などのことをいう。 [0019] Note that the inert gas refers to a poor gas reactive, specifically refers to such as a rare gas or nitrogen such as argon or helium. また、溶媒雰囲気とは、溶媒が気体状態で空間もしくは処理室内に充填されている状態のことをいう。 Also, the solvent atmosphere refers to a state in which the solvent is filled in the space or processing chamber in a gaseous state.

【0020】又、EL層を形成するための処理室(印刷室)だけではなく、印刷法により形成されたEL層を乾燥させるための処理室(乾燥室)やEL素子の陰極または、陽極を形成させるための処理室(蒸着室)及び形成したEL素子を封止するための処理室(封止室)を備え、全てが同一装置内で処理できるような成膜装置を提供することを特徴とする。 [0020] Also, rather than EL layer processing chamber for forming only (pressroom), cathodic treatment chamber (dry chamber) and EL elements for drying the EL layer formed by a printing method or the anode with the processing chamber for forming (deposition chamber) and the formed treatment chamber for sealing the EL element (the sealing chamber), characterized in that to provide a film forming apparatus such that all can be processed in the same apparatus to.

【0021】なお、本明細書中でいう印刷法とは、凸版印刷、凹版印刷又はスクリーン印刷などの印刷手段を用いて電極上にEL層を形成する方法のことをいうが、特に凸版印刷を用いてEL層を形成する方法が好ましい。 [0021] Note that the printing method referred to herein, letterpress, but refers to a method for forming an EL layer on using a printing means such as intaglio printing or screen printed electrode, in particular a letterpress a method of forming an EL layer with are preferred.
ここで本発明において凸版印刷を用いた印刷法(凸版印刷法)について図1で説明する。 Here the printing method using a relief printing in the present invention for (a relief printing method) will be described in FIG.

【0022】図1に示したのは、本発明において凸版印刷法によりEL層の形成を行うための処理室を示す。 [0022] Shown in FIG. 1 shows a processing chamber for performing formation of the EL layer by a relief printing method in the present invention. なお、本明細書中では、EL層を印刷法により形成するための印刷用装置が設置された処理室を印刷室118という。 In this specification, a processing chamber for printing apparatus for forming an EL layer by a printing method has been established that the printing chamber 118.

【0023】図1において、110はアニロックスロール、111はドクターバー(ドクターブレードともいう)であり、ドクターバー111によりEL材料と溶媒との混合物(以下、EL形成物という)112がアニロックスロール110の表面付近に溜められている。 [0023] In FIG. 1, 110 anilox roll, 111 is a doctor bar (also referred to as a doctor blade), a mixture of an EL material and a solvent by a doctor bar 111 (hereinafter, referred to as an EL forming material) 112 of the anilox roll 110 It has been collected in the vicinity of the surface. なお、ここでいうEL材料とは蛍光性有機化合物であり、 Incidentally, a fluorescent organic compound and the EL material here,
一般的に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層もしくは電子注入層と呼ばれている有機化合物を指す。 Generally the hole injection layer refers hole transport layer, light emitting layer, an organic compound which is referred to as an electron transporting layer or an electron injection layer.

【0024】アニロックスロール110の表面には図1 [0024] The surface of the anilox roll 110 Figure 1
(B)に示すようにメッシュ状の溝(以下、メッシュという)110aが設けられており、矢印Aの方向に回転することでメッシュ110aがEL形成物112を表面に保持していく。 (B) as shown in the mesh-like grooves (hereinafter, mesh referred) 110a is provided with the mesh 110a is gradually hold the EL forming substance 112 on the surface by rotating in the direction of arrow A. なお、アニロックスロール110の表面に図示された点線はEL形成物が保持されていることを意味している。 A dotted line depicted in the surface of the anilox roll 110 means that the EL forming substance is held.

【0025】そして、113は印刷ロール、114は凸版であり、凸版114はエッチング等により表面に凹凸が形成されている。 [0025] Then, the printing roll 113, 114 is letterpress, letterpress 114 uneven surface is formed by etching or the like. この様子を図1(C)に示す。 This is shown in FIG. 1 (C). 図1 Figure 1
(C)の場合、1枚の基板上に複数枚の発光装置を作製するために凸版114には画素部用パターン114aが複数箇所に形成されている。 For (C), the pixel portion pattern 114a are formed at a plurality of locations in the relief printing plate 114 to produce a plurality of light emitting devices on the one substrate. さらに、画素部用パターン114aを拡大すると、複数の画素に対応する位置に凸部114bが形成されている。 Further, when enlarging the pixel portion pattern 114a, a convex portion 114b is formed at a position corresponding to a plurality of pixels.

【0026】前述のアニロックスロール110は回転しながらメッシュ110aにEL形成物112を保持し続ける。 [0026] The foregoing anilox roll 110 continues to hold the EL forming substance 112 on the mesh 110a while rotating. 一方、印刷ロール113は矢印Bの方向に回転し、凸版114の凸部114bのみがメッシュ110aと接触する。 On the other hand, the printing roll 113 rotates in the direction of the arrow B, only the convex portion 114b of the relief plate 114 is in contact with the mesh 110a. この時、凸部114bの表面にEL形成物1 At this time, EL forming substance on the surface of the convex portion 114b 1
12が塗布される。 12 is applied.

【0027】そして、印刷ロール113と同じ速度で水平移動(矢印Cの方向)する基板115と凸部114b [0027] Then, the horizontal movement (in the direction of arrow C) at the same speed as the printing roll 113 substrate 115 to the convex portion 114b
が接した箇所にEL形成物112が印刷される。 EL forming substance 112 is printed at a location is in contact. これにより基板115上にはEL形成物112がマトリクス状に配列された状態で印刷されることになる。 This makes that the EL forming material 112 on the substrate 115 is printed in a state of being arranged in a matrix.

【0028】その後、別の処理室(本明細書中では、乾燥室という)において大気圧の窒素雰囲気下で加熱処理を行うことによりEL形成物112に含まれる溶媒を気化させてEL材料を残す。 [0028] Then, another processing chamber (herein, referred to dry chamber) leave the EL material to vaporize the solvent contained in the EL forming material 112 by heat treatment in a nitrogen atmosphere at atmospheric pressure in . このため、溶媒はEL材料のガラス転移温度(Tg)よりも低い温度で気化するものを用いる必要がある。 Thus, the solvent must be used which vaporizes at a temperature lower than the glass transition temperature of the EL material (Tg). また、EL形成物の粘度により最終的に形成されるEL層の膜厚が決まる。 Further, the film thickness of the EL layer finally formed by the viscosity of the EL forming material is determined. この場合、溶媒の選定により粘度を調節することができるが、粘度は1×10 -3 〜5×10 -2 Pa・s(好ましくは1×10 In this case, although the viscosity can be adjusted by the selection of the solvent, the viscosity is 1 × 10 -3 ~5 × 10 -2 Pa · s ( preferably 1 × 10
-3 〜2×10 -2 Pa・s)とするのが好ましい。 Preferably between -3 ~2 × 10 -2 Pa · s ).

【0029】なお、EL材料を溶解させる代表的な溶媒としてはトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロフォルム、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、THF(テトラヒドロフラン)が挙げられる。 [0029] As a typical solvent for dissolving the EL material toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, anisole, chloroform, dichloromethane, gamma butyl lactone, butyl cellosolve, cyclohexane, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone ), cyclohexanone, dioxane or the like THF (tetrahydrofuran) is.

【0030】さらに、EL形成物112中に結晶核となりうる不純物が多いと、溶媒を気化させる際にEL材料が結晶化してしまう可能性が高くなる。 Furthermore, the impurity which can be a crystal nucleus in the EL forming material 112 is large, EL materials becomes higher possibility that crystallized when vaporizing the solvent. 結晶化してしまうと発光効率が落ちるため好ましくなく、できるだけE Is not preferable since the light emission efficiency and being crystallized falling, possible E
L形成物112の中には不純物が含まれないようにすることが望ましい。 It is desirable not contain impurities in the L formation 112.

【0031】不純物を低減するには、溶媒の精製時、E [0031] To reduce the impurities, during purification of the solvent, E
L材料の精製時、又は溶媒とEL材料を混合する時の環境を可能な限り清浄化しておくことも重要であるが、本発明においては、EL形成物を印刷する際の印刷用装置の雰囲気にも注意することが好ましい。 During purification of L material, or it is also important to clean as much as possible environment when mixing the solvent and the EL material in the present invention, the atmosphere of the printing apparatus for printing an EL forming substance it is preferred that attention to.

【0032】すなわち、上記EL形成物を印刷する際には、印刷用装置が設置された室内(代表的にはクリーンブース内)を窒素、ヘリウム、アルゴンといった不活性気体を充填したり、EL材料を溶解させる溶媒雰囲気にしたりすることが必要である。 [0032] That is, when printing the EL forming material is or room in which the printing apparatus is installed (typically in a clean booth) filled nitrogen, helium, an inert gas such as argon, EL material it is necessary to or in a solvent atmosphere to dissolve the.

【0033】また、印刷室118内を溶媒雰囲気にする場合には、印刷室118内に備えられている溶媒トレー117に溶媒を備えることで、室内を溶媒雰囲気にすることができる。 Further, in the case of the printing chamber 118 in a solvent atmosphere, that the solvent tray 117 provided in the printing chamber 118 includes a solvent, it can be a room in a solvent atmosphere.

【0034】なお、本発明において不活性気体を充填したり、溶媒雰囲気とした印刷室118内は印刷室118 [0034] Incidentally, or filled with an inert gas in the present invention, the printing chamber 118 as a solvent atmosphere pressroom 118
に設けられた圧力調節機構116により、大気圧状態もしくは大気圧に近い状態(典型的には1〜2気圧、好ましくは1.1〜1.5気圧)に保持される。 The pressure regulating mechanism 116 provided on, (1-2 atm, typically, preferably 1.1 to 1.5 atm) a state close to the atmospheric pressure or the atmospheric pressure is maintained in the.

【0035】本発明を実施した場合、EL材料を成膜するにあたって真空蒸着装置のような真空排気設備を必要とする装置を必要としないため、設備が簡易になるとともにメンテナンスも容易なものとなる利点がある。 [0035] When the present invention is implemented, since it does not require devices requiring evacuation equipment such as a vacuum depositing apparatus when forming the EL material becomes maintenance easy with equipment is simplified there is an advantage.

【0036】なお、本発明はアクティブマトリクス型発光装置にもパッシブマトリクス型(単純マトリクス型) [0036] The present invention is a passive matrix type to the active matrix light emitting device (passive matrix type)
発光装置にも実施することができる。 It can be carried to a light-emitting device.

【0037】 [0037]

【発明の実施の形態】次に、印刷によるEL層の形成から電極形成及び封止構造までの一連の処理を行う本発明の装置について図2により説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Next, the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 2 for a series of processes from the formation of the EL layer to the electrode formation and sealing structure according to printing. なお、図2に示したのはマルチチャンバー方式の成膜装置の上面図である。 Incidentally, as shown in FIG. 2 is a top view of a deposition apparatus of a multi-chamber system.

【0038】図2において、201は搬送室であり、搬送室201には搬送機構202が備えられ、基板203 [0038] In FIG. 2, 201 is a transfer chamber, the transport mechanism 202 provided in the transfer chamber 201, the substrate 203
の搬送が行われる。 Transport of is carried out. 搬送室201は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。 Transfer chamber 201 is in a reduced pressure atmosphere, and is connected by a gate to the respective processing chambers. 各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構202によって行われる。 Transferring the substrate to each processing chamber is performed by the conveyor mechanism 202 when opening the gate. また、搬送室201を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。 Further, the depressurizing the transfer chamber 201, an oil rotary pump, mechanical booster pump, it is possible to use an exhaust pump such as a turbo molecular pump or a cryopump, effective cryopump in removing moisture is preferable.

【0039】以下に、各処理室についての説明を行う。 [0039] In the following, description will be made of each processing chamber.
なお、搬送室201は大気雰囲気となるので、搬送室2 Since the transfer chamber 201 becomes air atmosphere transfer chamber 2
01に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。 All directly linked processing chamber 01 exhaust pump (not shown) is provided. 排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。 Above oil rotary pump as an exhaust pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump or cryopump is used.

【0040】まず、204は基板のセッティング(設置)を行うロード室であり、アンロード室も兼ねている。 [0040] First, 204 is a load chamber for performing the setting of the board (installed), also serves as an unload chamber. ロード室204はゲート200aにより搬送室20 Load chamber 204 transfer chamber by a gate 200a 20
1と連結され、ここに基板203をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。 Coupled 1, wherein the (not shown) a carrier equipped with a substrate 203 is disposed. なお、ロード室204は基板搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。 It should be noted that the load chamber 204 may have the room is distinguished by the use and the substrate carrying-out the substrate loading. また、ロード室204は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。 Further, the load chamber 204 is provided with a purge line for introducing the aforementioned exhaust pump and a high purity nitrogen gas or noble gas.

【0041】次に、205は印刷法によりEL材料を成膜するための印刷室である。 Next, 205 is a printing chamber for depositing an EL material by printing. 印刷室205はゲート20 Printing room 205 gate 20
0bを介して搬送室201に連結される。 It is connected to the transfer chamber 201 through a 0b. なお、印刷室205内の印刷部206において、正孔注入層、赤色に発色する発光層、緑色に発色する発光層、青色に発色する発光層を成膜することができる。 Incidentally, in the printing unit 206 in the printing chamber 205, hole injection layer, light emitting layer coloring in red, the light emitting layer of green color, can be formed a light emitting layer for blue color. なお、正孔注入層、 Note that the hole injection layer,
赤色に発色する発光層、緑色に発色する発光層及び青色に発色する発光層としては如何なる材料を用いても良い。 Emitting layer coloring in red, it may be used any material as a light emitting layer that develops color in the light-emitting layer and the blue coloring in green.

【0042】本発明ではEL層の形成方法として印刷法を用いるため、EL材料としてはポリマー系材料を用いるとよい。 [0042] For using the printing method as a method of forming the EL layer in the present invention, may as the EL material using polymer materials. 代表的なポリマー系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)系、ポリビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオレン(PF)系などの高分子材料が挙げられる。 As typical polymer materials, polyparaphenylene vinylene (PPV) system, polyvinylcarbazole (PVK) system, a polymeric material such as polyfluorene (PF) systems.

【0043】ポリマー系材料でなる正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を印刷法で形成するには、ポリマー前駆体の状態で印刷し、それを加熱することによりポリマー系材料でなるEL材料に転化する。 The hole injection layer made of a polymeric material, to form a printing method a hole transporting layer or the light emitting layer, EL that printed in the form of polymer precursor, comprising a polymer-based material by heating it It converted into material. そして、その上に蒸着法等で必要なEL材料を積層して積層型のEL層を形成する。 Then, by laminating the necessary EL material by a vapor deposition method or the like thereon to form the EL layer of the multilayer.

【0044】具体的には、正孔輸送層としては、ポリマー前駆体であるポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンを用い、加熱によりポリフェニレンビニレンとすることが好ましい。 [0044] Specifically, as the hole transporting layer, using poly tetrahydrothiophenyl phenylene is polymer precursor, it is preferable that the polyphenylene vinylene by heating. 膜厚は30〜100nm(好ましくは4 The film thickness 30~100nm (preferably 4
0〜80nm)とすれば良い。 0~80nm) and it should be. また、発光層としては、 As the light-emitting layer,
赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層にはポリフェニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンが好ましい。 Cyanopolyphenylenevinylene the red light emitting layer, polyphenylene vinylene is green light emitting layer, polyphenylene vinylene or polyalkyl phenylene is preferred for the blue light-emitting layer. 膜厚は30〜150nm(好ましくは40〜 The film thickness 30~150nm (preferably 40
100nm)とすれば良い。 100nm) and it should be.

【0045】また、電極とその上に形成されるEL材料との間に銅フタロシアニンをバッファ層として設けることも有効である。 Further, it is effective to provide a buffer layer of copper phthalocyanine between the EL material formed electrodes and thereon.

【0046】但し、以上の例は本発明のEL材料として用いることのできる材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。 [0046] However, the above example is one example of material which can be used as an EL material of the present invention, it is not necessarily limited to this. 本発明ではEL材料と溶媒との混合物を印刷して、溶媒を気化させて除去することによりEL層を形成する。 In the present invention by printing a mixture of an EL material and a solvent to form an EL layer by removing vaporize the solvent. 従って、溶媒を気化させる際にE Therefore, E when vaporizing the solvent
L層のガラス転移温度を超えない組み合わせであれば如何なるEL材料を用いても良い。 If the combination does not exceed the glass transition temperature of the L layers may be used whether Naru EL material.

【0047】また、EL形成物の粘度を上げるための添加剤を加えることも有効である。 Further, it is also effective to add an additive for increasing the viscosity of the EL forming material. さらに、EL材料としては、溶媒に可溶なものであれば、低分子材料を用いることも可能である。 Further, as the EL material, as long as it is soluble in the solvent, it is also possible to use a low-molecular material.

【0048】また、EL層を印刷により形成する際、E [0048] Further, when forming a printed EL layer, E
L層は水分や酸素の存在によって容易に劣化してしまうため、形成する際は極力このような要因を排除しておく必要がある。 L layer for easily become degraded by the presence of moisture or oxygen, when forming it is necessary to eliminate such factors as much as possible. そのためには、印刷用装置を窒素、アルゴン、ヘリウムといった不活性気体を充填した室内(本実施例では印刷室内)に設置し、その雰囲気中で印刷を行うことが望ましい。 For this purpose, nitrogen printing apparatus, argon, room filled with inert gas such as helium (in this example the printing room) is installed, it is desirable to perform printing in the atmosphere.

【0049】なお、このとき用いる不活性気体の露点は、−20度以下であることが好ましいが、さらに好ましくは−50度以下であるとよい。 [0049] Incidentally, the dew point of the inert gas used at this time is preferably equal to or less than -20 degrees, and more preferably is not more than -50 degrees.

【0050】また、EL形成物を均一に成膜する上では、印刷室内をEL形成物を形成する溶媒雰囲気にしておくことも有効である。 [0050] Further, in order to uniformly deposited EL forming material, it is also effective to the printing chamber in the solvent atmosphere to form the EL forming material. なお、溶媒雰囲気は、溶媒トレー216に溶媒を備えておくことで形成することができる。 Incidentally, the solvent atmosphere can be formed by previously provided with a solvent in a solvent tray 216.

【0051】この際、不活性気体もしくは、溶媒を充填した室内は大気圧状態もしくは加圧状態(典型的には1 [0051] At this time, an inert gas or, the room filled with solvent at atmospheric pressure or under pressure (typically 1
〜2気圧、好ましくは1.1〜1.5気圧)に保持しておけば良い。 To 2 atm, preferably it is held in the 1.1 to 1.5 atm). なお、圧力の調節は、圧力調節機構215 Incidentally, regulation of the pressure, the pressure regulating mechanism 215
により行う。 Carried out by. 本発明を実施した場合、EL材料を成膜するにあたって真空蒸着装置のような真空排気設備を必要とする装置を必要としないため、設備が簡易になるとともにメンテナンスも容易なものとなる利点がある。 When the present invention requires no devices requiring evacuation equipment such as a vacuum depositing apparatus when forming the EL material, there is an advantage that becomes maintenance easy with equipment is simplified .

【0052】つぎに、乾燥室207で、印刷室205で成膜したEL材料を乾燥させる。 Next, in the drying chamber 207 to dry the film-formed EL material in the printing chamber 205. なお、乾燥室207 The drying chamber 207
は、ゲート200cを介して搬送室201に連結される。 It is connected to the transfer chamber 201 through a gate 200c. 乾燥室207に設けられたホットプレート部208 Provided to the drying chamber 207 hot plate 208
上に基板を載せることで基板上のEL材料を乾燥させることができる。 It can be dried EL material on the substrate by placing the substrate above.

【0053】次に、209は蒸着法によりEL素子の陽極もしくは陰極となる導電膜を成膜するための蒸着室である。 Next, 209 is a deposition chamber for forming a conductive film to be an anode or a cathode of the EL element by evaporation.

【0054】蒸着室209はゲート200dを介して搬送室201に連結される。 [0054] deposition chamber 209 is connected to a transportation chamber 201 through a gate 200d. なお、具体的には蒸着室20 Incidentally, the vapor deposition chamber in particular 20
9内の成膜部210において、EL素子の陰極となる導電膜としてMgAgやAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)といった膜を成膜することができる。 In the deposition unit 210 in the 9, such as MgAg and Al-Li alloy film as a conductive film to be the cathode of the EL element (an alloy film of aluminum and lithium) film can be deposited.

【0055】なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。 [0055] It is also possible to co-deposited aluminum and an element belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table.
共蒸着とは、同時に蒸着セルを加熱し、成膜段階で異なる物質を混合する蒸着法をいう。 The co-evaporation, heating the evaporation cell simultaneously, refers to a vapor deposition method for mixing the different substances with film-forming step.

【0056】次に、211は封止室(封入室またはグローブボックスともいう)であり、ゲート200eを介してロード室204に連結されている。 Next, 211 is a sealing chamber (also referred to as a filled chamber or a glove box), which is connected to the load chamber 204 through a gate 200e. 封止室211では、最終的にEL素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。 In the sealing chamber 211, and finally processing for encapsulating EL element into a closed space is performed. この処理は形成されたEL素子を酸素や水分から保護するための処理であり、シーリング材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。 This process is a process for protecting an EL element formed from oxygen and moisture, mechanically sealed with sealing material, or using a means such as encapsulating with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

【0057】シーリング材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、シーリング材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。 [0057] As the sealing material, glass, ceramics, can be used plastic or metal, it must be light-transmitting when light is emitted to the sealing member side. また、シーリング材と上記EL素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。 Further, the substrate sealing member and the EL element is formed are bonded with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, a sealed space is formed and the resin is cured by heat treatment or ultraviolet light irradiation treatment. この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。 It is also effective to provide an absorbent material typified by barium oxide in the sealed space.

【0058】また、シーリング材とEL素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。 [0058] It is also possible to fill the space between substrates formed of the sealing material and the EL element with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin. この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。 In this case, it is effective to add a moisture absorbing material typified by barium oxide in the thermosetting resin or the ultraviolet curable resin is effective.

【0059】図2に示した成膜装置では、封止室211 [0059] In the film forming apparatus shown in FIG. 2, the sealing chamber 211
の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)212が設けられており、この紫外光照射機構212から発した紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。 Is the internal mechanism for irradiating ultraviolet light (hereinafter, referred to as an ultraviolet light irradiation mechanism) and 212 are provided, configured to cure the ultraviolet curable resin by ultraviolet light emitted from this ultraviolet light irradiation mechanism 212 ing. また、封止室211 In addition, the sealing chamber 211
の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧とすることも可能である。 Inside it is possible to vacuum by installing an exhaust pump. 上記封入工程をロボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことができる。 When the mechanically performing the above sealing step the robot operation can prevent contamination of oxygen and moisture by carried out under reduced pressure. また、逆に封止室211の内部を与圧とすることも可能である。 It is also possible to pressurized the interior of the sealing chamber 211 to reverse. この場合、高純度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。 In this case, the pressurized while purging with high purity nitrogen gas or noble gas prevents oxygen or the like from the outside air from entering.

【0060】次に、封止室211には受渡室(パスボックス)213が連結される。 Next, delivery chamber (pass box) 213 is connected to the sealing chamber 211. 受渡室213には搬送機構(B)214が設けられ、封止室211でEL素子の封入が完了した基板を受渡室213へと搬送する。 The transport mechanism (B) 214 provided in the delivery chamber 213 transfers the substrate to the encapsulation of the EL element is completed in the sealing chamber 211 to the delivery chamber 213. 受渡室213も排気ポンプを取り付けることで減圧とすることが可能である。 Passing chamber 213 also may be a reduced pressure by attaching an exhaust pump. この受渡室213は封止室211を直接外気に晒さないようにするための設備であり、ここから基板を取り出す。 The delivery chamber 213 is equipment for preventing exposure to outside air sealing chamber 211 directly takes out the substrate from here.

【0061】以上のような成膜装置を用いることでEL [0061] EL by using a film-forming device, such as a more
素子を密閉空間に封入するまでの一連の処理を外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。 Because it requires a series of processing up to the enclosing element in a closed space without being exposed to the outside air, it is possible to manufacture a highly reliable light-emitting device. しかし、ここで示した成膜装置は、本発明における実施の形態の一つであり、本発明を限定するものではない。 However, the film forming apparatus shown here is one of the embodiments of the present invention and are not intended to limit the present invention.

【0062】 [0062]

【実施例】〔実施例1〕ここでは、本発明を実施して同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT) EXAMPLES Example 1 In this example, a pixel portion over one substrate by implementing the present invention, TFT of a driver circuit provided around the pixel portion (n-channel type TFT and p-channel type TFT)
を同時に作製する方法について詳細に図3〜図5を用いて説明する。 Simultaneously it will be described with reference to FIGS. 3 to 5 in detail how to prepare.

【0063】まず、本実施例ではコーニング社の#70 [0063] First, # 70 in the present embodiment of Corning
59ガラスや#1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板300を用いる。 59 a substrate 300 made of glass such as glass or # like barium borosilicate glass represented 1737 glass or alumino borosilicate glass. なお、基板300としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。 As the substrate 300 is not limited as long as a light-transmitting substrate, a quartz substrate may be used. また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。 It is also possible to use a plastic substrate having heat resistance against the treatment temperature of this embodiment.

【0064】次いで、基板300上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜301を形成する。 [0064] Then, a silicon oxide film on the substrate 300, a base film 301 made from an insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxynitride film. 本実施例では下地膜301として2層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。 In this embodiment, a two-layer structure as the base film 301, but may be used single layer or two or more layers stacked so a structure of the insulating film. 下地膜301の一層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH 4 、N As a first layer of the base film 301 by a plasma CVD method, SiH 4, N
3 、及びN 2 Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301aを10〜200nm(好ましくは50〜10 H 3, and N 2 O to 10~200nm silicon oxynitride film 301a which is formed as a reaction gas (preferably 50 to 10
0nm)形成する。 0nm) form. 本実施例では、膜厚50nmの酸化窒化珪素膜301a(組成比Si=32%、O=27%、 In this embodiment, a silicon oxynitride film 301a with a thickness of 50 nm (composition ratio Si = 32%, O = 27%,
N=24%、H=17%)を形成した。 N = 24%, H = 17%) was formed. 次いで、下地膜301のニ層目としては、プラズマCVD法を用い、S Then, as the second layer of the base film 301 by a plasma CVD method, S
iH 4 、及びN 2 Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜301bを50〜200nm(好ましくは100 iH 4, and N 2 O to 50~200nm silicon oxynitride film 301b which is formed as a reaction gas (preferably 100
〜150nm)の厚さに積層形成する。 Laminating a thickness of ~150nm). 本実施例では、膜厚100nmの酸化窒化珪素膜301b(組成比Si= In this embodiment, a silicon oxynitride film 301b with a thickness of 100 nm (composition ratio Si =
32%、O=59%、N=7%、H=2%)を形成した。 32%, O = 59%, N = 7%, H = 2%) was formed.

【0065】次いで、下地膜上に半導体層302〜30 [0065] Then, the semiconductor layer on the base film 302-30
5を形成する。 5 to form. 半導体層302〜305は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段(スパッタ法、LPCV The semiconductor layer 302 to 305, known means a semiconductor film having an amorphous structure (sputtering, LPCV
D法、またはプラズマCVD法等)により成膜した後、 After forming the D method, a plasma CVD method or the like),
公知の結晶化処理(レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等)を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。 Known crystallization process is formed by patterning the crystalline semiconductor film obtained (laser crystallization method, a thermal crystallization method, or catalytic thermal crystallization method or the like using such as nickel) carried out into a desired shape . この半導体層302〜305の厚さは2 The thickness of the semiconductor layer 302 to 305 2
5〜80nm(好ましくは30〜60nm)の厚さで形成する。 5 to 80 nm (preferably 30 to 60 nm) is formed to a thickness of. 結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素(シリコン)またはシリコンゲルマニウム(S Without limitation on the material of the crystalline semiconductor film, preferably silicon (silicon) or silicon germanium (S
X Ge 1-X (X=0.0001〜0.02))合金などで形成すると良い。 i X Ge 1-X (X = 0.0001~0.02)) may be formed such as an alloy. 本実施例では、プラズマCVD法を用い、55nmの非晶質珪素膜を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させた。 In this embodiment, by a plasma CVD method, after forming a 55nm amorphous silicon film, it is coated with a solution containing nickel on the amorphous silicon film. この非晶質珪素膜に脱水素化(500℃、1時間)を行った後、熱結晶化(550℃、4時間)を行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行って結晶質珪素膜を形成した。 Performing Le processing - dehydrogenation process of the amorphous silicon film (500 ° C., 1 hour), and thereafter a thermal crystallization (550 ° C., 4 hours) is performed, further laser annealing to improve the crystallization to form a crystalline silicon film Te. そして、この結晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、半導体層302〜305を形成した。 The crystalline silicon film is patterned by using a photolithography method to form a semiconductor layer 302 to 305.

【0066】また、半導体層302〜305を形成した後、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素(ボロンまたはリン)のドーピングを行ってもよい。 [0066] Further, after forming the semiconductor layer 302 to 305 may be doped with a minute amount of impurity element (boron or phosphorus) to control a threshold value of the TFT.

【0067】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやYAGレーザー、YVO 4レーザーを用いることができる。 [0067] In the case of manufacturing the crystalline semiconductor film by laser crystallization, a pulse oscillation type or an excimer laser or YAG laser of a continuous emission type, it is possible to use a YVO 4 laser. これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。 In the case of using these lasers, it is preferable to use a method of irradiating a laser beam emitted from a laser oscillator is condensed by the semiconductor film into a linear shape by an optical system. 結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を100〜4 The crystallization conditions are those be properly selected by an operator, the case where the excimer laser is used, the pulse oscillation frequency 300 Hz, and the laser energy density 100-4
00mJ/cm 2 (代表的には200〜300mJ/cm 2 )とする。 (Typically 200~300mJ / cm 2) 00mJ / cm 2 to.
また、YAGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数30〜300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm 2 (代表的には350〜500mJ/cm 2 )とすると良い。 In the case of using the YAG laser, the pulse oscillation frequency 30~300Hz using the second harmonic, or when the laser energy density 300~600mJ / cm 2 (typically 350~500mJ / cm 2). そして幅100 And width 100
〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率(オーバーラップ率)を50〜9 ~1000Myuemu, for example, laser light condensed into a linear shape with a 400μm and irradiated to the whole surface of the substrate, overlapping ratio of the linear laser light at this time the overlap ratio 50-9
0%として行えばよい。 It may be carried out as 0%.

【0068】次いで、半導体層302〜305を覆うゲート絶縁膜306を形成する。 [0068] Next, a gate insulating film 306 covering the semiconductor layer 302 to 305. ゲート絶縁膜306はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜 The gate insulating film 306 by plasma CVD or sputtering, 40 thickness
150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。 Formed of an insulating film containing silicon as 150 nm. 本実施例では、プラズマCVD法により110nmの厚さで酸化窒化珪素膜(組成比Si=32%、O=59%、N= In this embodiment, a silicon oxynitride film with a thickness of 110nm by plasma CVD (composition ratio Si = 32%, O = 59%, N =
7%、H=2%)で形成した。 7%, was formed by H = 2%). 勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 Of course, the gate insulating film is not limited to the silicon oxynitride film but may be an insulating film containing silicon as a single layer or a laminate structure.

【0069】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Orthosilicate) [0069] In the case of using a silicon oxide film, TEOS by a plasma CVD method (Tetraethyl Orthosilicate)
とO 2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜 Mixing the O 2 and the reaction pressure 40 Pa, the substrate temperature 300
400℃とし、高周波(13.56MHz)電力密度0. And 400 ° C., a high frequency (13.56 MHz) power density 0.
5〜0.8W/cm 2で放電させて形成することができる。 Discharged at 5~0.8W / cm 2 can be formed.
このようにして作製される酸化珪素膜は、その後400 The silicon oxide film thus manufactured, then 400
〜500℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。 It is possible to obtain good characteristics as a gate insulating film by thermal annealing to 500 ° C..

【0070】次いで、図3(A)に示すように、ゲート絶縁膜306上に膜厚20〜100nmの第1の導電膜307と、膜厚100〜400nmの第2の導電膜30 [0070] Then, as shown in FIG. 3 (A), a first conductive film 307 having a thickness of 20~100nm on the gate insulating film 306, the second conductive film with a thickness of 100 to 400 nm 30
8とを積層形成する。 And 8 are stacked formation. 本実施例では、膜厚30nmのT In this embodiment, a thickness of 30 nm T
aN膜からなる第1の導電膜307と、膜厚370nm A first conductive film 307 made of aN film thickness 370nm
のW膜からなる第2の導電膜308を積層形成した。 The second conductive film 308 made of a W film is laminated. T
aN膜はスパッタ法で形成し、Taのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。 aN film is formed by sputtering with a Ta target was sputtered in an atmosphere containing nitrogen. また、W膜は、Wのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。 Further, W film is formed by sputtering using a W target. その他に6フッ化タングステン(WF 6 )を用いる熱CV Heat CV to use other to tungsten hexafluoride (WF 6)
D法で形成することもできる。 It can be formed by D method. いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、 In order to use it as the gate electrode in any need to reduce the resistance,
W膜の抵抗率は20μΩcm以下にすることが望ましい。 The resistivity of the W film is desirably below 20 .mu..OMEGA.cm. W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、W膜中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。 W film can be lowered in resistivity by increasing the grain but, if the W film impurity elements such as oxygen is large in the high resistance, crystallization is inhibited. 従って、本実施例では、高純度のW(純度99.9999%)のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成することにより、抵抗率9〜20μΩcmを実現することができた。 Thus, in this embodiment, by sputtering using a target of high purity W (purity of 99.9999%), a full consideration to W film so that no impurities from the gas phase at the time of film formation by forming, it was possible to realize the resistivity 9~20Myuomegacm.

【0071】なお、本実施例では、第1の導電膜307 [0071] In the present embodiment, the first conductive film 307
をTaN、第2の導電膜308をWとしたが、特に限定されず、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、 The TaN, the second conductive film 308 and is W, not particularly limited, either Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu,
Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。 Cr, an element selected from Nd or the element may be formed of an alloy material or a compound material mainly containing.
また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。 It is also possible to use a semiconductor film typified by a polycrystalline silicon film doped with an impurity element such as phosphorus. また、Ag、 In addition, Ag,
Pd、Cuからなる合金を用いてもよい。 Pd, an alloy may be used consisting of Cu. また、第1の導電膜をタンタル(Ta)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化チタン(T Also, the first conductive film is formed of tantalum (Ta) film and combining it with the second conductive film and a W film, a titanium nitride first conductive film (T
iN)膜で形成し、第2の導電膜をW膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をAl膜とする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)膜で形成し、第2の導電膜をCu膜とする組み合わせとしてもよい。 Formed with iN) film and combining it with the second conductive film and a W film, the first conductive film is formed by tantalum nitride (TaN) film and combining it with the second conductive film and the Al film, the first conductive film is formed of tantalum nitride (TaN) film, the second conductive film by a Cu film.

【0072】次に、図3(B)に示すようにフォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク309〜3 Next, mask 309-3 made from resist using a photolithography method, as shown in FIG. 3 (B)
13を形成し、電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。 13 is formed, and a first etching treatment for forming electrodes and wirings. 第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。 The first etching processing is performed under first and second etching conditions. 本実施例では第1のエッチング条件として、ICP(Inductively CoupledPla In the present embodiment as a first etching condition, ICP (Inductively CoupledPla
sma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング用ガスにCF 4とCl 2とO 2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、1 sma: using an inductively coupled plasma) etching method, using CF 4, Cl 2 and O 2 as etching gas, the gas flow rate is set to 25/25/10 (sccm), 1
Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MH RF of 500W to a coiled electrode at a pressure of Pa (13.56MH
z)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。 z) and power of 150 to generate plasma. ここでは、松下電器産業(株)製のICPを用いたドライエッチング装置(Model E645−□IC Here, Matsushita Electric Industrial dry etching apparatus using a Co., Ltd. ICP (Model E645- □ IC
P)を用いた。 P) was used. 基板側(試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。 Also supplied RF (13.56 MHz) power of 150W to the substrate side (sample stage) to substantially apply a negative self-bias voltage. この第1のエッチング条件によりW膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。 The end portion of the first conductive layer by etching the W film under the first etching condition is tapered. 第1のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は200.39nm/min、TaNに対するエッチング速度は80.32nm/minであり、Ta Etching rate to W in the first etching conditions etching rate of 200.39 nm / min, TaN is 80.32 nm / min, Ta
Nに対するWの選択比は約2.5である。 Selective ratio of W to N is about 2.5. また、この第1のエッチング条件によって、Wのテーパー角は、約2 Furthermore, under the first etching conditions, a taper angle of W is about 2
6°となる。 The 6 °.

【0073】この後、図3(B)に示すようにレジストからなるマスク309〜313を除去せずに第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF 4とCl 2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(scc [0073] Thereafter, changed to the second etching conditions without removing the masks 309 to 313 made of resist as shown in FIG. 3 (B), using CF 4 and Cl 2 as etching gas, respectively the gas flow rate ratio of 30/30 (scc
m)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのR m) and then, the 500W to a coiled electrode at a pressure of 1 Pa R
F(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約3 F (13.56 MHz) of about 3 to generate plasma power of 150
0秒程度のエッチングを行った。 The etching of about 0 seconds were carried out. 基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。 Also supplied RF (13.56 MHz) power of 20W to the substrate side (sample stage) to substantially apply a negative self-bias voltage. CF 4とCl CF 4 and Cl 2を混合した第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチングされる。 Under the second etching conditions 2 were mixed are etched to the same extent, the W film and the TaN film. 第2のエッチング条件でのWに対するエッチング速度は58.97nm/mi The etching rate for W in the second etching conditions 58.97 nm / mi
n、TaNに対するエッチング速度は66.43nm/ n, the etching rate to TaN 66.43 nm /
minである。 It is a min. なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。 In order to perform etching without any residue on the gate insulating film, the etching time is prolonged by a rate of about 10 to 20%.

【0074】上記第1のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、 [0074] In the first etching process, by it is suitable the shape of a resist mask,
基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の端部がテーパー形状となる。 End of the first conductive layer and the second conductive layer are tapered due to the effect of the bias voltage applied to the substrate side. このテーパー部の角度は15〜45°とすればよい。 The angle of the tapered portion may be set to 15 to 45 °. こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層から成る第1の形状の導電層314〜318(第1の導電層314a〜318aと第2の導電層314b Thus, the first conductive layer and the second first shape made of a conductive layer of the conductive layers 314-318 (first conductive layer 314a~318a and the second conductive layer 314b by the first etching treatment
〜318b)を形成する。 ~318b) to form. ここでのチャネル長方向の第1の導電層の幅は、上記実施の形態に示したW1に相当する。 The width of the first conductive layer in the channel length direction here corresponds to W1 described in the above embodiment. 319はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層314〜318で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。 319 denotes a gate insulating film, and regions which are not covered with the conductive layers 314 - 318 of the first shape are made thinner by etching of about 20~50nm is formed.

【0075】そして、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行い、半導体層にn型を付与する不純物元素を添加する。 [0075] Then, a first doping process is performed without removing the masks made of resist to add an impurity element imparting n-type semiconductor layer. (図3(B))ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。 (FIG. 3 (B)) doping treatment employs ion doping or ion implantation. イオンドープ法の条件はドーズ量を1×10 13 The condition of the ion doping method is 1 × a dose 10 13
〜5×10 15 atoms/cm 2とし、加速電圧を60〜100 And ~5 × 10 15 atoms / cm 2 , the accelerating voltage from 60 to 100
keVとして行う。 Do as keV. 本実施例ではドーズ量を1.5×1 The dose in the present embodiment 1.5 × 1
15 atoms/cm 2とし、加速電圧を80keVとして行った。 0 and 15 atoms / cm 2, the acceleration voltage is set to 80 keV. n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いた。 Elements belonging to Group 15 as an impurity element imparting n-type, typically uses a phosphorus (P) or arsenic (As), phosphorus (P) is used here. この場合、導電層3 In this case, the conductive layer 3
14〜318がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に高濃度不純物領域320〜32 14-318 become masks to the impurity element imparting n-type, self-aligning manner a high concentration impurity regions 320 to 32
3が形成される。 3 is formed. 高濃度不純物領域320〜323には1×10 20 〜1×10 21 atoms/cm 1 × 10 are connected to the high-concentration impurity regions 320~323 20 ~1 × 10 21 atoms / cm 3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。 3 concentrations ranging adding an impurity element imparting n-type.

【0076】次いで、図3(C)に示すようにレジストからなるマスクを除去せずに第2のエッチング処理を行う。 [0076] Next, a second etching process is performed without removing the masks made of resist as shown in Figure 3 (C). ここでは、エッチング用ガスにCF 4とCl 2とO 2 Here, CF 4 and Cl 2 as etching gas O 2
とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10 Using the door, the gas flow rate ratio 25/25/10
(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に50 And (sccm), 50 to a coiled electrode at a pressure of 1Pa
0WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。 The RF (13.56 MHz) power of 0W was charged to generate plasma. 基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。 Also supplied RF (13.56 MHz) power of 20W to the substrate side (sample stage) to substantially apply a negative self-bias voltage. 第2のエッチング処理でのWに対するエッチング速度は124.62nm/mi The etching rate for W in the second etching process 124.62 nm / mi
n、TaNに対するエッチング速度は20.67nm/ n, the etching rate to TaN 20.67 nm /
minであり、TaNに対するWの選択比は6.05である。 Min, and the selection ratio of W to TaN is 6.05. 従って、W膜が選択的にエッチングされる。 Therefore, W film is selectively etched. この第2のエッチングによりWのテーパー角は70°となった。 Taper angle of W by the second etching became 70 °. この第2のエッチング処理により第2の導電層32 Through the second etching treatment the second conductive layer 32
4b〜327bを形成する。 To form a 4b~327b. 一方、第1の導電層314 On the other hand, the first conductive layer 314
a〜318aは、ほとんどエッチングされず、第1の導電層324a〜327aを形成する。 a~318a is hardly etched, to form the first conductive layer 324A~327a.

【0077】次いで、第2のドーピング処理を行う。 [0077] Then, a second doping process is performed. ドーピングは第2の導電層324b〜328bを不純物元素に対するマスクとして用い、第1の導電層のテーパー部下方に形成されている半導体層に不純物元素が添加されるようにドーピングする。 Doping is doped to the impurity element is added to the semiconductor layer formed on the tapered portion below the second reference to conductive layer 324b~328b as masks against the impurity element, the first conductive layer. 本実施例では、不純物元素としてP(リン)を用い、ドーズ量3.5×10 12 atom In this embodiment, using P (phosphorus) as an impurity element, a dose of 3.5 × 10 12 atom
s/cm 3 、加速電圧90keVにてプラズマドーピングを行った。 s / cm 3, plasma doping is performed at an acceleration voltage of 90keV. こうして、第1の導電層と重なる低濃度不純物領域329〜332を自己整合的に形成する。 Thus, low concentration impurity regions 329 to 332 overlapping with the first conductive layer in a self-aligning manner. この低濃度不純物領域329〜332へ添加されたリン(P)の濃度は、1×10 17 〜1×10 18 atoms/cm 3であり、且つ、第1の導電層のテーパー部における膜厚に従って緩やかな濃度勾配を有している。 The concentration of the low concentration phosphorus is added to impurity regions 329~332 (P) is 1 × 10 17 ~1 × 10 18 atoms / cm 3, and, according to the thickness of the tapered portions of the first conductive layer It has a gentle concentration gradient. なお、第1の導電層のテーパー部と重なる半導体層において、第1の導電層のテーパー部の端部から内側に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、ほぼ同程度の濃度である。 In the semiconductor layers that overlap the tapered portions of the first conductive layer, slightly inward from the end portion of the tapered portion of the first conductive layer, although the impurity concentration is low, it is the concentration of approximately the same . また、高濃度不純物領域333〜336にも不純物元素が添加され、高濃度不純物領域333〜336を形成する。 Also, the high concentration impurity regions 333 to 336 are added impurity element, to form a high-concentration impurity regions 333 to 336.

【0078】次いで、図4(A)に示すようにレジストからなるマスクを除去せずに第3のエッチング処理を行う。 [0078] Next, a third etching process is performed without removing the masks made of resist as shown in FIG. 4 (A). この第3のエッチング処理では第1の導電層のテーパー部を部分的にエッチングして、半導体層と重なる領域を縮小するために行われる。 This is a third etching process by partially etching the tapered portions of the first conductive layer is performed in order to reduce the region overlapping with the semiconductor layer. 第3のエッチング処理は、エッチングガスにCHF 3を用い、反応性イオンエッチング法(RIE法)を用いて行う。 The third etching treatment, the CHF 3 as an etching gas is carried out using reactive ion etching (RIE). 本実施例では、 In this embodiment,
チャンバー圧力6.7Pa、RF電力800W、CHF Chamber pressure 6.7 Pa, RF power 800 W, CHF
3ガス流量35sccmで第3のエッチング処理を行った。 3 Gas flow rate 35sccm was third etching process. 第3のエッチングにより、第1の導電層341〜3 By the third etching, the first conductive layer 341-3
44が形成される。 44 is formed.

【0079】この第3のエッチング処理時、同時に絶縁膜319もエッチングされて、高濃度不純物領域333 [0079] During this third etching process, is also etched insulating film 319 at the same time, the high concentration impurity regions 333
〜336の一部は露呈し、絶縁膜346a〜346dが形成される。 Some of ~336 is exposed, the insulating film 346a~346d is formed. なお、本実施例では、高濃度不純物領域3 In the present embodiment, the high concentration impurity region 3
33〜336の一部が露呈するエッチング条件を用いたが、絶縁膜の膜厚やエッチング条件を変更すれば、高濃度不純物領域に薄く絶縁膜が残るようにすることもできる。 While some 33-336 is using an etching condition which is exposed, can be so by changing the thickness and the etching conditions for the insulating film, a thin insulating film remains at a high concentration impurity region.

【0080】上記第3のエッチングによって、第1の導電層341〜344と重ならない不純物領域(LDD領域)337a〜340aが形成される。 [0080] By the third etching, impurity regions which do not overlap with the first conductive layer 341 to 344 (LDD region) 337A~340a is formed. なお、不純物領域(GOLD領域)337b〜340bは、第1の導電層341〜344と重なったままである。 The impurity region (GOLD region) 337B~340b remains overlapped with the first conductive layer 341 to 344.

【0081】また、第1の導電層341と第2の導電層324bとで形成された電極は、後の工程で形成される駆動回路のnチャネル型TFTのゲート電極となり、第1の導電層342と第2の導電層325bとで形成された電極は、後の工程で形成される駆動回路のpチャネル型TFTのゲート電極となる。 [0081] The first conductive layer 341 and the electrode formed by the second conductive layer 324b becomes a gate electrode of the n-channel TFT of the driver circuit to be formed in a later step, the first conductive layer 342 and electrodes formed by the second conductive layer 325b serves as a gate electrode of the p-channel TFT of the driver circuit to be formed in a later step. 同様に、第1の導電層3 Similarly, the first conductive layer 3
43と第2の導電層326bとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部のnチャネル型TFTのゲート電極となり、第1の導電層344と第2の導電層32 43 and the second electrode formed by the conductive layer 326b, after becomes the gate electrode of the n-channel type TFT of the pixel portion to be formed in step, the first conductive layer 344 a second conductive layer 32
7bとで形成された電極は、後の工程で形成される画素部のnチャネル型TFTのゲート電極となる。 7b and is formed at the electrodes, the gate electrode of the n-channel type TFT of the pixel portion to be formed in the later process.

【0082】このようにして、本実施例は、第1の導電層341〜344と重なる不純物領域(GOLD領域) [0082] In this manner, the present embodiment, the impurity region overlapping with the first conductive layer 341 to 344 (GOLD region)
337b〜340bにおける不純物濃度と、第1の導電層341〜344と重ならない不純物領域(LDD領域)337a〜340aにおける不純物濃度との差を小さくすることができ、TFT特性を向上させることができる。 And the impurity concentration in 337B~340b, it is possible to reduce the difference between the impurity concentration in the first conductive layer 341 to 344 not overlapping impurity region (LDD region) 337a~340a, it is possible to improve the TFT characteristics.

【0083】次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスク348、349を形成して第3のドーピング処理を行う。 [0083] Next, after removing the masks made of resist, and a third doping process is performed to form a mask 348 and 349 made of a new resist. この第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層に前記一導電型(n型)とは逆の導電型(p By the third doping processing, the active layer to become the semiconductor layer to the one conductivity type of the p-channel type TFT (n-type) opposite the conductivity type electrically the (p
型)を付与する不純物元素が添加された不純物領域35 Impurity region 35 to which an impurity element is added that imparts the mold)
0〜355を形成する。 To form a 0-355. (図4(B))第1の導電層3 (FIG. 4 (B)) the first conductive layer 3
42、344を不純物元素に対するマスクとして用い、 Using 42,344 as masks against the impurity element,
p型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。 By adding an impurity element imparting p-type are formed in a self-alignment manner impurity regions. 本実施例では、不純物領域350〜 In this embodiment, the impurity regions 350
355はジボラン(B 26 )を用いたイオンドープ法で形成する。 355 are formed by ion doping using diborane (B 2 H 6). なお、この第3のドーピング処理の際には、 At the time of the third doping process,
nチャネル型TFTを形成する半導体層はレジストからなるマスク348、349で覆われている。 The semiconductor layer for forming the n-channel type TFT are covered with the masks 348 and 349 made of resist. 第1のドーピング処理及び第2のドーピング処理によって、不純物領域348、349にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもp型を付与する不純物元素の濃度が2×10 20 〜2×10 21 atom By the first doping treatment and the second doping treatment, the impurity regions 348 and 349 are doped with phosphorus in different concentrations, respectively, the concentration of 2 × the impurity element imparting p-type well in that any region 10 20 ~2 × 10 21 atom
s/cm 3となるようにドーピング処理することにより、p By doping process so that s / cm 3, p
チャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。 No problems develop in making the regions function as source regions and drain regions of the channel TFT. 本実施例では、 In this embodiment,
第3のエッチング処置によって、pチャネル型TFTの活性層となる半導体層の一部が露呈されたため、不純物元素(ボロン)を添加しやすい利点を有している。 By the third etching treatment, a part of the semiconductor layer to be the active layer of the p-channel type TFT is exposed, and has the added easily advantage impurity element (boron).

【0084】以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。 [0084] impurity regions in the respective semiconductor layers in the steps up is formed.

【0085】次いで、レジストからなるマスク348、 [0085] Then, the mask 348 composed of a resist,
349を除去して第1の層間絶縁膜356を形成する。 349 is removed to form a first interlayer insulating film 356.
この第1の層間絶縁膜356としては、プラズマCVD The first interlayer insulating film 356, plasma CVD
法またはスパッタ法を用い、厚さを100〜200nm With legal or sputtering, 100 to 200 nm thick
として珪素を含む絶縁膜で形成する。 Formed of an insulating film containing silicon as. 本実施例では、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成した。 In this embodiment, a silicon oxynitride film with a thickness of 150nm by plasma CVD. 勿論、第1の層間絶縁膜356は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。 Of course, the first interlayer insulating film 356 is not limited to the silicon oxynitride film but may be an insulating film containing silicon as a single layer or a laminate structure.

【0086】次いで、図4(C)に示すように、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。 [0086] Then, as shown in FIG. 4 (C), a step of activating the impurity elements added in the respective semiconductor layers. この活性化工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。 The activation step is carried out by thermal annealing using an annealing furnace. 熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜 The thermal annealing method, the oxygen concentration is 1ppm or less, preferably 400 to 700 ° C. in a nitrogen atmosphere 0.1 ppm, 500 to typically
550℃で行えばよく、本実施例では550℃、4時間の熱処理で活性化処理を行った。 It may be carried out at 550 ° C., 550 ° C. In this embodiment, an activation treatment at a heat treatment for 4 hours was performed. なお、熱アニール法の他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法(RTA法)を適用することができる。 In addition to the thermal annealing method, it is possible to apply laser annealing or rapid thermal annealing (RTA).

【0087】なお、本実施例では、上記活性化処理と同時に、結晶化の際に触媒として使用したニッケルが高濃度のリンを含む不純物領域(333、335、350、 [0087] In the present embodiment, simultaneously with the activation process, nickel used as a catalyst during crystallization is an impurity region containing a high concentration of phosphorus (333,335,350,
353)にゲッタリングされ、主にチャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。 353) to be gettered, nickel concentration in the semiconductor layer is reduced to be primarily a channel forming region. このようにして作製したチャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。 Thus TFT falls off current value having a channel forming region thus formed, high electric field effect mobility because of good crystallinity can be obtained, it is possible to achieve good properties.

【0088】また、第1の層間絶縁膜を形成する前に活性化処理を行っても良い。 [0088] Further, the activation process may be performed before forming the first interlayer insulating film. ただし、用いた配線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜(シリコンを主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜)を形成した後で活性化処理を行うことが好ましい。 However, in the case where a wiring material used is weak to heat, the activity after the formation of the interlayer insulating film (an insulating film mainly containing silicon, for example, silicon nitride film) for protecting the wirings and the like, as in this embodiment it is preferable to perform the process.

【0089】さらに、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜550℃で1〜12時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。 [0089] Further, in an atmosphere containing 3 to 100% hydrogen, performing heat treatment for 1 to 12 hours at 300 to 550 ° C., a step of hydrogenating the semiconductor layers. 本実施例では水素を約3%の含む窒素雰囲気中で410℃、1時間の熱処理を行った。 410 ° C. in a nitrogen atmosphere containing hydrogen of about 3% in this embodiment, a heat treatment was performed for one hour. この工程は層間絶縁膜に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。 This step is to terminate dangling bonds in the semiconductor layers by hydrogen contained in the interlayer insulating film. 水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。 As another means for hydrogenation may be performed Plasma hydrogenation (using hydrogen excited by plasma).

【0090】また、活性化処理としてレーザーアニール法を用いる場合には、上記水素化を行った後、エキシマレーザーやYAGレーザー等のレーザー光を照射することが望ましい。 [0090] In the case of using a laser annealing method as the activation process, after the above hydrogenation, it is preferable to irradiate laser light such as excimer laser or YAG laser.

【0091】次いで、図5(A)に示すように第1の層間絶縁膜356上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜357を形成する。 [0091] Next, a second interlayer insulating film 357 made of an organic insulating material is formed on the first interlayer insulating film 356 as shown in FIG. 5 (A). 本実施例では膜厚1.6μm Thickness 1.6μm in this embodiment
のアクリル樹脂膜を形成した。 Of the formation of the acrylic resin film. 次いで、各不純物領域3 Then, the impurity regions 3
33、335、350、353に達するコンタクトホールを形成するためのパターニングを行う。 It is patterned to form contact holes reaching the 33,335,350,353.

【0092】第2の層間絶縁膜357としては、珪素を含む絶縁材料や有機樹脂からなる膜を用いる。 [0092] As the second interlayer insulating film 357, using a film made of an insulating material or an organic resin containing silicon. 珪素を含む絶縁材料としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素を用いることができ、また有機樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン)などを用いることができる。 As the insulating material containing silicon, silicon oxide, silicon nitride, can be used silicon oxynitride, and as the organic resin, polyimide, polyamide, acrylic, and BCB (benzocyclobutene).

【0093】本実施例では、プラズマCVD法により形成された酸化窒化珪素膜を形成した。 [0093] In this embodiment, a silicon oxynitride film formed by a plasma CVD method. なお、酸化窒化珪素膜の膜厚として好ましくは1〜5μm(さらに好ましくは2〜4μm)とすればよい。 Incidentally, preferably if 1 to 5 [mu] m (more preferably 2-4 [mu] m) thickness of the silicon oxynitride film. 酸化窒化珪素膜は、膜自身に含まれる水分が少ないためにEL素子の劣化を抑える上で有効である。 Silicon oxynitride film is effective in suppressing the deterioration of the EL element to the moisture contained in the film itself is small. また、コンタクトホールの形成には、ドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができるが、エッチング時における静電破壊の問題を考えると、ウエットエッチング法を用いるのが望ましい。 Further, the formation of the contact hole, it is possible to use dry etching or wet etching, given the problem of electrostatic breakdown at the time of etching, it is desirable to use wet etching.

【0094】さらに、ここでのコンタクトホールの形成において、第1層間絶縁膜356及び第2層間絶縁膜3 [0094] Further, in the formation of contact holes in this case, the first interlayer insulating film 356 and the second interlayer insulating film 3
57を同時にエッチングするため、コンタクトホールの形状を考えると第2層間絶縁膜357を形成する材料は、第1層間絶縁膜356を形成する材料よりもエッチング速度の速いものを用いるのが好ましい。 To simultaneously etch 57, given the shape of the contact hole material forming the second interlayer insulating film 357, it is preferred to use a high etching rate than the material forming the first interlayer insulating film 356.

【0095】そして、各不純物領域333、335、3 [0095] Then, each of the impurity regions 333,335,3
50、353とそれぞれ電気的に接続する配線358〜 50,353 respectively wirings electrically connected 358~
365を形成する。 365 to form. そして、膜厚50nmのTi膜と、 Then, a Ti film having a thickness of 50 nm,
膜厚500nmの合金膜(AlとTiとの合金膜)との積層膜をパターニングして形成するが、他の導電膜を用いても良い。 Patterning the laminated film of an alloy film with a thickness of 500 nm (alloy film of Al and Ti) is formed, but may use other conductive films.

【0096】次いで、その上に透明導電膜を80〜12 [0096] Then, a transparent conductive film thereon 80-12
0nmの厚さで形成し、パターニングすることによって陽極367を形成する。 It is formed with a thickness of 0 nm, to form the anode 367 by patterning. (図5(A))なお、本実施例では、陽極として酸化インジウム・スズ(ITO)膜や酸化インジウムに2〜20[%]の酸化亜鉛(ZnO)を混合した透明導電膜を用いる。 (FIG. 5 (A)) In the present embodiment, the transparent conductive film obtained by mixing zinc oxide (ZnO) of indium tin oxide 2 to 20 [%] to (ITO) film or an indium oxide is used as an anode.

【0097】また、陽極367は、ドレイン配線365 [0097] In addition, the anode 367, the drain line 365
と接して重ねて形成することによって電流制御用TFT TFT for current control by forming superimposed in contact with
404のドレイン領域と電気的な接続が形成される。 Electrical connection with the drain region 404 are formed.

【0098】次に、図5(B)に示すように、珪素を含む絶縁膜(本実施例では酸化珪素膜)を500[nm]の厚さに形成し、陽極367に対応する位置に開口部を形成して、バンクとして機能する第3の層間絶縁膜368を形成する。 [0098] Next, as shown in FIG. 5 (B), (in this example a silicon oxide film) an insulating film containing silicon is formed to a thickness of 500 [nm], an opening at a position corresponding to the anode 367 parts to form, a third interlayer insulating film 368 which functions as a bank. 開口部を形成する際、ウエットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。 When forming the opening may be a side wall of the easily tapered by using the wet etching method. 開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するEL層の劣化が顕著な問題となってしまうため、注意が必要である。 The deterioration of the sidewall of the opening is not sufficiently gentle EL layer by a step becomes a conspicuous problem, care must be taken.

【0099】なお、本実施例においては、第3の層間絶縁膜368として酸化珪素でなる膜を用いているが、場合によっては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、B [0099] In the present embodiment uses a film made of silicon oxide as the third interlayer insulating film 368, as the case, polyimide, polyamide, acrylic, B
CB(ベンゾシクロブテン)といった有機樹脂膜を用いることもできる。 CB (benzocyclobutene) such organic resin film may also be used.

【0100】次に、図2で説明したマルチチャンバー方式の成膜装置を用いて、図5(B)で示すようにEL層369を凸版印刷法により形成し、更に蒸着法により陰極(MgAg電極)370および保護電極を形成する。 Next, using the deposition apparatus of multi-chamber system described in FIG. 2, the EL layer 369 as shown in FIG. 5 (B) is formed by a relief printing method, further cathode by vapor deposition (MgAg electrode ) to form a 370 and a protective electrode.
このときEL層369及び陰極370を形成するに先立って陽極367に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。 Subjected to heat treatment with respect to the anode 367 before forming the EL layer 369 and the cathode 370 at this time, it is desirable to completely remove moisture. なお、本実施例ではEL素子の陰極としてMgAg電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。 In the present embodiment uses a MgAg electrode as the cathode of the EL element may be other materials known.

【0101】なお、EL層369として [0101] It should be noted that, as the EL layer 369

【発明の実施の形態】の欄で説明した材料を用いることができる。 In the column of PREFERRED EMBODIMENTS it can be used materials described. 本実施例では正孔輸送層(Hole transportin The hole-transporting layer in the present embodiment (Hole transportin
g layer)及び発光層(Emitting layer)でなる2層構造をEL層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。 g layer) and a light emitting layer (a two-layer structure EL layer formed by Emitting layer), but the hole injection layer, there is also a case where one of the electron injection layer or electron transport layer. このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。 Such combinations have already been reported various examples, it may be used any of its configurations.

【0102】本実施例では正孔輸送層としてポリマー前駆体であるポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンを印刷法により形成し、加熱によりポリフェニレンビニレンとする。 [0102] In the present embodiment form a poly tetrahydrothiophenyl phenylene which is a polymer precursor as a hole transport layer by a printing method, and polyphenylene vinylene by heating. また、発光層としては、ポリビニルカルバゾールに1,3,4−オキサジアゾール誘導体のPBDを30〜40%分子分散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心としてクマリン6を約1%添加している。 Further, as the light-emitting layer, the PBD of 1,3,4-oxadiazole derivatives of polyvinyl carbazole is formed by vapor deposition that is 30-40% molecular dispersion, coumarin 6 of about 1% as a green emission center It is added.

【0103】また、保護電極371でもEL層369を水分や酸素から保護することは可能であるが、さらに好ましくはパッシベーション膜372を設けると良い。 [0103] Further, although the EL layer 369 even protective electrode 371 it is possible to protect from moisture and oxygen, more preferably it may provide a passivation film 372. 本実施例ではパッシベーション膜372として300nm 300nm as the passivation film 372 in this embodiment
厚の窒化珪素膜を設ける。 Providing a thick silicon nitride film. このパッシベーション膜も保護電極371の後に大気解放しないで連続的に形成しても構わない。 The passivation film may be also formed continuously without exposure to the atmosphere after the protective electrode 371.

【0104】また、保護電極371は陰極370の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とする金属膜が代表的である。 [0104] The protective electrode 371 is provided to prevent the deterioration of the cathode 370, a metal film mainly containing aluminum are typical. 勿論、他の材料でも良い。 Of course, it may also be other material. また、 Also,
EL層369、陰極370は非常に水分に弱いので、保護電極371までを大気解放しないで連続的に形成し、 EL layer 369, since the cathode 370 are very weak to moisture, up to the protective electrode 371 successively formed without exposure to the atmosphere,
外気からEL層を保護することが望ましい。 It is desirable to protect the EL layer from external air.

【0105】なお、EL層369の膜厚は10〜400 [0105] It should be noted that the thickness of the EL layer 369 10 to 400
[nm](典型的には60〜150[nm])、陰極370の厚さは80〜200[nm](典型的には100〜150[n [Nm] (typically 60~150 [nm]), the thickness of the cathode 370 is 80 to 200 [nm] (typically 100 to 150 [n
m])とすれば良い。 m]) and it should be.

【0106】こうして図5(B)に示すような構造のE [0106] Thus E having a structure as shown in FIG. 5 (B)
Lモジュールが完成する。 L module is completed. なお、本実施例におけるEL Incidentally, EL of this embodiment
モジュールの作成工程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート電極を形成している材料であるT In module creating step, a material forming a relationship on, the gate electrode of the structure and process of the circuit T
a、Wによってソース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料であるAlによってゲート信号線を形成しているが、異なる材料を用いても良い。 a, and a source signal line by W, a source, and forms the gate signal line by Al as a wiring material forming a drain electrode, may use different materials.

【0107】また、nチャネル型TFT401及びpチャネル型TFT402を有する駆動回路406と、スイッチング用TFT403、電流制御用TFT404及び保持容量405とを有する画素部407を同一基板上に形成することができる。 [0107] Further, a driver circuit 406 having an n-channel type TFT401 and p-channel type TFT 402, the switching TFT 403, a pixel portion 407 and a current control TFT404 and a storage capacitor 405 can be formed on the same substrate.

【0108】駆動回路406のnチャネル型TFT40 [0108] n-channel type driving circuit 406 TFT 40
1はチャネル形成領域372、ゲート電極の一部を構成する第1の導電層341と重なる低濃度不純物領域33 1 a channel forming region 372, overlapping the first conductive layer 341 constituting a part of the gate electrode low concentration impurity regions 33
7b(GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される低濃度不純物領域337a(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域3 7b (GOLD region), the high concentration impurity regions serving low concentration impurity regions 337a formed outside the gate electrode and the (LDD region) as a source region or a drain region 3
33を有している。 It has a 33. pチャネル型TFT402にはチャネル形成領域373、ゲート電極の一部を構成する第1 The channel forming region 373 in the p-channel type TFT 402, the first constituting a part of the gate electrode
の導電層342と重なる不純物領域338b、ゲート電極の外側に形成される不純物領域338a、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域334を有している。 Has conductive layer 342 and overlaps the impurity region 338b, the impurity regions 338a formed outside the gate electrode, the impurity regions 334 functioning as a source region or a drain region.

【0109】画素部407のスイッチング用TFT40 [0109] for the switching of the pixel portion 407 TFT40
3にはチャネル形成領域374、ゲート電極を形成する第1の導電層343と重なる低濃度不純物領域339b The channel forming region 374 in 3, it overlaps with the first conductive layer 343 forming the gate electrode low concentration impurity regions 339b
(GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される低濃度不純物領域339a(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域335 (GOLD region), the high concentration impurity regions 335 which function low concentration impurity regions 339a formed outside the gate electrode and the (LDD region) as a source region or a drain region
を有している。 have. 電流制御用TFT404にはチャネル形成領域375、ゲート電極を形成する第1の導電層34 The channel forming region 375 in the current control TFT 404, the first conductive layer 34 forming a gate electrode
4と重なる低濃度不純物領域355(GOLD領域)、 4 and overlaps the low concentration impurity region 355 (GOLD region),
ゲート電極の外側に形成される低濃度不純物領域354 Low concentration impurity regions 354 formed outside the gate electrode
(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域353を有している。 A high concentration impurity region 353 which functions as a (LDD region) and a source region or a drain region. また、 Also,
保持容量405は、第一の導電層376aと第二の導電層376bを一方の電極として機能するように形成されている。 Storage capacitor 405, a first conductive layer 376a and the second conductive layer 376b is formed so as to function as one electrode.

【0110】次に、図5(B)まで作成したELモジュールを発光装置として完成させる方法について図6を用いて説明する。 Next, will be described with reference to FIG method to complete the EL module created to FIG 5 (B) as a light-emitting device.

【0111】図6(A)は、EL素子の封止までを行った状態を示す上面図、図6(B)は図6(A)をA− [0111] FIG. 6 (A) is a top view showing a state of performing up to sealing of the EL element and FIG. 6 (B) FIG. 6 (A) A-
A'で切断した断面図である。 It is a cross-sectional view taken along A '. 点線で示された601はソース側駆動回路、602は画素部、603はゲート側駆動回路である。 The source side driver circuit 601 shown by a dotted line, 602 pixel portion, 603 denotes a gate side driver circuit. また、604はカバー材、605は第1シール材、606は第2シール材であり、第1シール材605で囲まれた内側には封止材607が設けられる。 Further, 604 denotes a cover member, 605 first sealing member, 606 denotes a second sealing member, the inside surrounded by the first sealing material 605 sealing member 607 is provided.

【0112】なお、608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)609からビデオ信号やクロック信号を受け取る。 [0112] Incidentally, 608 is a wiring for transmitting signals inputted to the source side driver circuit 601 and the gate side driver circuit 603, a video signal or a clock signal from FPC (flexible printed circuit) 609 serving as an external input terminal the receive. なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(P Here, not only FPC is shown, a printed wiring board in this FPC (P
WB)が取り付けられていても良い。 WB) may have are attached. 本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPC The light-emitting device in this specification includes not only a light-emitting device main body, it FPC
もしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。 Or to but also a state in which a PWB.

【0113】次に、断面構造について図6(B)を用いて説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 6 (B) cross-sectional structure. 基板610の上方には画素部602、ゲート側駆動回路603が形成されており、画素部602は電流制御用TFT611とそのドレインに電気的に接続された陽極612を含む複数の画素により形成される。 Pixel portion 602 over the substrate 610 are a gate side driver circuit 603 is formed, the pixel portion 602 is formed of a plurality of pixels including electrically connected to anode 612 to a drain of the current control TFT611 .
また、ゲート側駆動回路603はnチャネル型TFT6 Further, the gate side driver circuit 603 is an n-channel type TFT6
13とpチャネル型TFT614とを組み合わせたCM CM of a combination of a 13 and a p-channel type TFT614
OS回路(図5参照)を用いて形成される。 It is formed by using an OS circuit (see FIG. 5).

【0114】612は陽極である。 [0114] 612 is an anode. また、陽極612の両端にはバンク615が形成され、陽極612上にはE Banks 615 are formed at opposite ends of the anode 612, on the anode 612 E
L層616およびEL素子の陰極617が形成される。 L layer 616 and the cathode 617 of the EL element is formed.

【0115】陰極617は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線608を経由してFPC609に電気的に接続されている。 [0115] cathode 617 also functions as a common wiring to all pixels, and is electrically connected to FPC609 via the connection wiring 608. さらに、画素部602及びゲート側駆動回路603に含まれる素子は全て陰極617およびパッシベーション膜618で覆われている。 Furthermore, covered with all the elements included in the pixel portion 602 and the gate side driver circuit 603 is the cathode 617 and the passivation film 618.

【0116】また、第1シール材605によりカバー材604が貼り合わされている。 [0116] The cover member 604 is bonded by the first sealing material 605. なお、カバー材604とEL素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。 It is also possible to provide a spacer made of a resin film in order to secure a gap between the cover member 604 and the EL element. そして、第1シール材605の内側には封止材607が充填されている。 Then, the inside of the first sealing material 605 sealing material 607 is filled. なお、第1シール材605、封止材607としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。 The first sealing material 605, an epoxy resin is preferably used as a sealing material 607. また、第1シール材605はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。 Further, it is desirable that the first sealing material 605 is a material that does not transmit moisture or oxygen as much as possible. さらに、封止材607の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化を防止する効果をもつ物質を含有させても良い。 Furthermore, it may contain a material having an effect of preventing the substance or oxide having a hygroscopic effect inside the sealing material 607.

【0117】EL素子を覆うようにして設けられた封止材607はカバー材604を接着するための接着剤としても機能する。 [0117] sealing member 607 provided so as to cover the EL element also functions as an adhesive for bonding the cover member 604. また、本実施例ではカバー材604を構成するプラスチック基板の材料としてFRP(Fibergla Further, FRP (Fibergla as the material of the plastic substrate constituting the cover member 604 in this embodiment
ss-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。 ss-Reinforced Plastics), PVF (polyvinyl fluoride), Mylar, a polyester or acrylic.

【0118】また、封止材607を用いてカバー材60 [0118] In addition, the cover material by using a sealing material 607 60
4を接着した後、封止材607の側面(露呈面)を覆うように第2シール材606を設ける。 4 after bonding and providing a second sealing member 606 so as to cover the side surface of the sealing material 607 (exposed surface). 第2シール材60 The second sealing member 60
6は第1シール材605と同じ材料を用いることができる。 6 can be made of the same material as the first sealing member 605.

【0119】以上のような構造でEL素子を封止材60 [0119] The EL element in the structure, such as the above sealing material 60
7に封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。 By encapsulating the 7, can be completely shut off the EL element from the outside, it can be material to promote oxidative degradation, such as moisture and oxygen, the EL layer from the outside prevented from entering. 従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。 Therefore, it is possible to obtain a highly reliable light-emitting device.

【0120】〔実施例2〕実施例1においては、マルチチャンバー方式の成膜装置を用いてEL層の形成からE [0120] In Example 2 Example 1, E from the formation of the EL layer using the deposition apparatus of multi-chamber system
L素子の封止まで行う方法を示したが、本実施例では、 Although the method carried out until sealing of L elements, in this embodiment,
インライン方式の装置を用いて、EL層の形成からEL Using the apparatus of line type, EL from the formation of the EL layer
素子の封止までの一連の処理を行う方法について図7を用いて説明する。 How to perform a series of processes up to the sealing of the device will be described with reference to FIG.

【0121】図7(A)は、インライン方式の成膜装置の上面図であり、図7(B)は、その側面図である。 [0121] FIG. 7 (A) is a top view of a deposition apparatus of an inline type, FIG. 7 (B) is a side view thereof. 7
01は、処理基板のローダー部(搬送部)である。 01 is a loader portion of the substrate (conveyance section). 実施例1で示したように、EL素子の陽極(又は陰極)まで形成した後、ローダー部701に処理基板をセットする。 As shown in Example 1, after forming up to the anode of the EL element (or cathode), and sets the processing substrate on the loader portion 701.

【0122】基板は、凸版印刷装置が備えられている印刷室702において、EL層の印刷がなされる。 [0122] substrate, in the printing chamber 702 relief printing device is provided, the printing of the EL layer is made. 印刷室702は、図7(B)に示すように、インクタンク70 Printing chamber 702, as shown in FIG. 7 (B), the ink tank 70
3、ドクターバー704、アニロックスロール705、 3, doctor bar 704, the anilox roll 705,
印刷ロール706で構成されており、インクタンク70 It consists of a printing roll 706, the ink tank 70
3からEL形成物が注入されると、アニロックスロール705にEL形成物が備えられ、さらに印刷ロール70 When EL forming material from 3 is injected, EL forming substance is provided in the anilox roll 705, further printing roll 70
6の凸部に塗布される。 It is applied to the convex portion 6. なお、この時ドクターバー70 It should be noted that, this time, the doctor bar 70
4により、インクタンク703から注入されたEL形成物がアニロックスロール表面に均一に備えられるように調節される。 By 4, EL forming material injected from the ink tank 703 is adjusted to provide uniform provided to the anilox roll surface.

【0123】そして、印刷ロール706と同じ速度で水平移動(矢印lの方向)する基板と印刷ロール706の凸部が接した箇所(成膜部709)にEL形成物が印刷される。 [0123] Then, EL forming substance is printed horizontally moving at the same speed as the printing roll 706 places in contact convex portion of the substrate and the print roll 706 (the direction of arrow l) (film forming unit 709).

【0124】なお、この時基板はアライメント用に設けられているモニター(図示せず)により位置あわせが行われている。 [0124] Incidentally, the alignment is performed by the time the substrate (not shown) monitor is provided for alignment.

【0125】また、印刷室702は、不活性気体もしくは、EL形成物に含まれる溶媒雰囲気下にし、さらに印刷室内は、大気圧状態もしくは、それに近い状態(典型的には、1〜2気圧、好ましくは、1.1〜1.5気圧)に保持しておけばよい。 [0125] The printing chamber 702, an inert gas or, in the solvent under an atmosphere contained in the EL forming substance, further printing chamber or atmospheric pressure, the close to it state (typically, 1-2 atm, preferably, it may be held in the 1.1 to 1.5 atm). なお、圧力調節は、圧力調節機構707により行う。 The pressure adjustment is performed by the pressure adjustment mechanism 707. このとき、溶媒トレー708 At this time, the solvent tray 708
に溶媒を備えておくことで印刷室内を溶媒雰囲気にすることができる。 Print room by previously provided the solvent can be a solvent atmosphere.

【0126】本実施例では、ポリマー系材料でなる正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を印刷法で形成する。 [0126] In this embodiment, to form a hole injection layer made of a polymer material, a hole transport layer or the light emitting layer by the printing method. はじめに正孔注入層及び正孔輸送層を印刷する。 Beginning to print the hole injection layer and a hole transport layer. ここでは、ポリチオフェン誘導体であるPEDOT(poly(3,4 Here, a polythiophene derivative PEDOT (poly (3,4
‐ethylene dioxythiophene))とアクセプター材料となるポリスチレンスルホン酸(PSS)を水に溶かして水溶液にしたものを用いる。 -ethylene dioxythiophene)) and an acceptor material to become polystyrene sulfonic acid (PSS) used after the aqueous solution dissolved in water. そして、乾燥室710において水分を蒸発させることで正孔注入層及び正孔輸送層を形成する。 Then, a hole injection layer and the hole transport layer by evaporating the moisture in the drying chamber 710. なお、この時基板はホットプレート部711 At this time the substrate is a hot plate unit 711
において、80度〜150度で加熱される。 In, is heated at 80 ° to 150 °.

【0127】次に、発光層として、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層にはポリフェニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンをそれぞれ含むEL形成物を印刷室において印刷する。 [0127] Next, as a light emitting layer, the red light emitting layer printing cyanopolyphenylenevinylene, polyphenylene vinylene may be green light emitting layer, in the printing chamber EL forming material comprising polyphenylene vinylene or polyalkyl phenylene for each of the blue light-emitting layer . なお、この時の発光層の膜厚は30〜150nm(好ましくは40〜100n It is noted that the thickness of the case of the light-emitting layer 30 to 150 nm (preferably 40~100n
m)とすれば良い。 m) and it should be.

【0128】そして、EL形成物が印刷された基板を再び乾燥室710にいれ、EL形成物中の溶媒を気化させて、EL材料を残す。 [0128] Then, put again drying chamber 710 a substrate EL formations is printed, to vaporize the solvent of the EL forming substance in leaving the EL material. なお、乾燥室710には、ホットプレート部711が備えられており、ホットプレート部711上に処理基板を載せて、加熱することにより処理する。 Incidentally, the drying chamber 710 is provided with a hot plate unit 711, by placing the substrate on the hot plate unit 711, for processing by heating. また、このときの処理温度は、20〜150℃であることが好ましいが、溶媒の揮発性に合わせて適宜調節すると良い。 The processing temperature at this time may, but is preferably 20 to 150 ° C., appropriately adjusted in accordance with the volatility of the solvent.

【0129】以上のように正孔注入層、正孔輸送層及び発光層でなるEL層を形成した後、蒸着室712においては、EL素子の陰極(もしくは陽極)となる導電膜を蒸着法により形成することができる。 [0129] or a hole injection layer as described above, after forming the hole transport layer and EL layer formed in the light emitting layer, the deposition chamber 712 by a conductive film to be the cathode of the EL element (or anode) evaporation it can be formed. 具体的には、蒸着室712の成膜部713においてEL素子の陰極となる導電膜としてMgAgやAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムからなる合金膜)といった膜を成膜することができる。 Specifically, it is possible to form a film, such as MgAg and Al-Li alloy film as a conductive film to be the cathode of the EL element (an alloy film of aluminum and lithium) in the film forming portion 713 of the deposition chamber 712. また、蒸着に用いる材料は、蒸着源714 The material used for the deposition, the deposition source 714
に備えられている。 It is provided to.

【0130】なお、蒸着室712は、電極を形成させるためだけに用いるのではなく、EL層の一部を形成させるときに用いることもできる。 [0130] Incidentally, the deposition chamber 712, rather than using only to form the electrodes, can also be used when forming a part of the EL layer.

【0131】以上のように、EL素子を形成した後で、 [0131] As described above, after forming the EL element,
封止室715において、最終的にEL素子を密閉空間に封入する処理が行われる。 In the sealing chamber 715, and finally the process of encapsulating the EL element into a closed space is performed. この処理は形成されたEL素子を酸素や水分から保護するための処理であり、シーリング材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。 This process is a process for protecting an EL element formed from oxygen and moisture, mechanically sealed with sealing material, or using a means such as encapsulating with a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

【0132】図7に示した成膜装置では、封止室715 [0132] In the film-forming apparatus shown in FIG. 7, the sealing chamber 715
の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)716が設けられており、この紫外光照射機構716から発した紫外光によって成膜部717に備えられた基板上の紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。 Internal mechanism for irradiating ultraviolet light (hereinafter, UV light called irradiation mechanism) 716 is provided, on a substrate provided in the film forming unit 717 by the ultraviolet light emitted from this ultraviolet light irradiation mechanism 716 and it has a configuration to cure the ultraviolet curable resin. また、封止室715の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧とすることも可能である。 Further, the interior of the sealing chamber 715 is also possible to vacuum by installing an exhaust pump. 上記封入工程をロボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことができる。 When the mechanically performing the above sealing step the robot operation can prevent contamination of oxygen and moisture by carried out under reduced pressure.
また、逆に封止室715の内部を与圧とすることも可能である。 It is also possible to pressurized the interior of the sealing chamber 715 to reverse. この場合、高純度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。 In this case, the pressurized while purging with high purity nitrogen gas or noble gas prevents oxygen or the like from the outside air from entering.

【0133】封止室715において処理された後、基板はアンローダー718へと搬送される。 [0133] After being processed in the sealing chamber 715, the substrate is transported to the unloader 718. 以上により、インライン方式の成膜装置により処理が完了する。 Thus, processing by a film forming apparatus of in-line type is completed. なお、 It should be noted that,
本成膜装置は、各処理室ごとに隔離され、各処理に応じた環境にすることができる。 This deposition apparatus is isolated for each processing chamber, it can be the environment in accordance with each process. また、成膜装置内をEL素子に影響を与えないような水分を含まない不活性気体雰囲気下にしておくと良い。 Further, it is preferable to the film forming apparatus keep the inert gas atmosphere containing no moisture such as not to affect the EL element.

【0134】以上のように、図7に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。 [0134] As described above, since it is not necessary to exposure to outside air until sealed in by using the film formation apparatus completely seal the EL element space shown in FIG. 7, it is possible to manufacture a highly reliable light-emitting device It can become. また、インライン方式により高いスループットで発光装置を作製することができる。 Further, it is possible to fabricate a light emitting device with a high throughput in-line system.

【0135】なお、本実施例の構成は、実施例1の構成とも自由に組み合わせることが可能である。 [0135] The constitution of this embodiment can be freely combined with the configuration of the first embodiment.

【0136】〔実施例3〕本実施例では、実施例1で示した凸版印刷法により多色のEL層を形成する方法について説明する。 [0136] In Example 3 this embodiment, by relief printing method shown in Example 1 describes a method of forming a multi-color EL layer. 図8(A)の801には、印刷室に備えられている印刷ロールを示している。 In 801 of FIG. 8 (A) shows a printing roll provided in the pressroom. なお、印刷ロール801の表面には、エッチング等により凸版が形成されている。 Note that the surface of the printing roll 801, letterpress is formed by etching or the like. そして、一枚の基板上に複数枚の発光装置を形成させるために凸版には、画素部用パターン802が複数箇所に形成されている。 Then, the relief plate to form a plurality of light emitting devices on a single substrate, the pixel portion pattern 802 is formed at a plurality of locations.

【0137】さらに画素部用パターン802を拡大すると複数の画素に対応する位置に凸部803が形成されている。 [0137] protrusion 803 at a position further corresponding to a plurality of pixels when enlarging the pixel portion pattern 802 is formed. しかし、本実施例においては、複数色を凸版印刷により形成することから、さらに色ごとに異なる形状の凸部803を形成する。 However, in the present embodiment, since the formation of a plurality of colors by letterpress printing, forming further a convex portion 803 of a different shape for each color.

【0138】例えば、図8(B)に示す凸部803aを用いてEL形成物を印刷すると、1色目の画素部が図8 [0138] For example, when printing an EL forming material using a projection portion 803a shown in FIG. 8 (B), a pixel portion of the first color 8
(B)実線領域に示すように形成される。 (B) is formed as shown in solid line area. さらに、図8 In addition, as shown in FIG. 8
(C)に示す凸部803bを用いて1色目と異なるEL First color differs EL with a convex portion 803b shown in (C)
形成物を印刷すると、1色目と異なる画素部に2色目が図8(C)に示すように形成される。 When printing a formation, the second color in a pixel portion different from the first color is formed as shown in FIG. 8 (C).

【0139】そして、さらに図8(D)に示す凸部80 [0139] Then, the convex portion 80 further shown in FIG. 8 (D)
3cを用いて1、2色目とは異なるEL形成物を印刷すると、1、2色目と異なる画素部に3色目が図8(D) When printing different EL forming material is a 1,2 color with 3c, three color in a pixel portion different from the 1,2 color Fig 8 (D)
に示すように形成される。 It is formed as shown in.

【0140】以上により、画素部に3色のEL形成物を印刷することが可能となる。 The [0140] above, it is possible to print the EL forming of 3-color pixel portion. ただし、ここで示したEL However, EL shown here
形成物の種類は、3色に限られる必要はなく、2色であっても、3色以上であっても良い。 Types of formations need not be limited to three colors, even two colors may be three or more colors.

【0141】また、ここで多色印刷を行う上では、複数の凸部が必要となるが、これは、印刷室を複数設けてもよいし、一つの印刷室で各色ごとに全ての基板を処理した後で、凸部を交換して多色印刷を行っても良い。 [0141] Also, where in performing multi-color printing, it is necessary that the plurality of protrusions, which, to a printing chamber may be plurality, all of the substrate for each color a single print chamber after processing, it may be performed multi-color printing by replacing the convex portion.

【0142】ここで、図9に複数の印刷室を設けたマルチチャンバー方式の成膜装置を示す。 [0142] Here, a film formation apparatus of multi-chamber system in which a plurality of print chambers in FIG. 図9において、9 9, 9
01は搬送室であり、搬送室901には搬送機構(A) 01 is a transfer chamber, transfer mechanism in the transfer chamber 901 (A)
902が備えられ、基板903の搬送が行われる。 902 is provided, the transport of the substrate 903 is performed. 搬送室901は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。 Transfer chamber 901 is in a reduced pressure atmosphere, and is connected by a gate to the respective processing chambers. 各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構(A)902によって行われる。 Transferring the substrate to each processing chamber is performed by the conveyor mechanism (A) 902 when opening the gate.

【0143】また、搬送室901を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。 [0143] Further, the depressurizing the transfer chamber 901, an oil rotary pump, mechanical booster pump, it is possible to use an exhaust pump such as a turbo molecular pump or a cryopump, effective cryopump for removal of moisture It is preferred.

【0144】以下に、各処理室についての説明を行う。 [0144] In the following, description will be made of each processing chamber.
なお、搬送室901は減圧雰囲気となるので、搬送室9 Since the transfer chamber 901 is a reduced-pressure atmosphere, the transport chamber 9
01に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。 All directly linked processing chamber 01 exhaust pump (not shown) is provided. 排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。 Above oil rotary pump as an exhaust pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump or cryopump is used.

【0145】まず、904は基板のセッティング(設置)を行うロード室であり、ロードロック室とも呼ばれる。 [0145] First, 904 is a load chamber for performing the setting of the board (installed), is also called a load lock chamber. ロード室904はゲート900aにより搬送室90 Load chamber 904 transfer chamber by a gate 900a 90
1と連結され、ここに基板903をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。 Coupled 1, wherein the (not shown) a carrier equipped with a substrate 903 is disposed. なお、ロード室904は基板搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。 It should be noted that the load chamber 904 may have the room is distinguished by the use and the substrate carrying-out the substrate loading. また、ロード室904は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。 Further, the load chamber 904 is provided with a purge line for introducing the aforementioned exhaust pump and a high purity nitrogen gas or noble gas.

【0146】次に、905、907及び909は凸版印刷法によりEL材料を成膜するための印刷室であり、印刷室(A)、印刷室(B)及び印刷室(C)と呼ぶ。 [0146] Next, 905 and 907 and 909 are printed chamber for depositing an EL material by a relief printing method, a printing chamber (A), called press room (B) and the printing chamber (C).

【0147】本実施例では、印刷室(A)905内の成膜部906において、正孔注入層及び1色目として赤色に発色する発光層を成膜する。 [0147] In this embodiment, the film forming unit 906 of the printing chamber (A) in 905, forming a light emitting layer that develops color red as the hole injection layer and the first color. なお、正孔注入層及び赤色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。 Note that prior known materials may be used as a light-emitting layer that develops color in the hole injection layer and red. なお、印刷室(A)905はゲート900bを介して搬送室901に連結される。 The printing chamber (A) 905 is connected with the transfer chamber 901 through a gate 900b. また、印刷室(A)90 In addition, printing room (A) 90
5は、窒素や不活性気体もしくは、EL形成物に含まれる溶媒雰囲気にし、さらに印刷室内は、大気圧状態もしくは、それに近い状態(典型的には、1〜2気圧、好ましくは、1.1〜1.5気圧)に保持しておけばよい。 5, nitrogen or inert gas or to a solvent atmosphere contained in the EL forming substance, further printing chamber or atmospheric pressure, the close to it state (typically, 1-2 atm, preferably, 1.1 it may be held in the 1.5 atm).
なお、圧力調節は、圧力調節機構919aにより行う。 The pressure adjustment is performed by the pressure adjusting mechanism 919a.
また、印刷室(A)内を溶媒雰囲気にする場合には、溶媒トレー920aに溶媒を備えておく。 Further, in the case of the printing chamber (A) in the solvent atmosphere is provided beforehand with the solvent in the solvent tray 920a.

【0148】次に、印刷室(B)907内の成膜部90 [0148] Next, the film forming portion of the printing chamber (B) 907 90
8において、2色目のEL材料を成膜する。 In 8, forming the second color EL material. 印刷室(B)907はゲート900cを介して搬送室901に連結される。 Printing chamber (B) 907 is connected with the transfer chamber 901 through a gate 900c. 本実施例では、印刷室(B)907内の成膜部908において、正孔注入層及び緑色に発色する発光層を成膜する。 In this embodiment, the film forming unit 908 of the printing chamber (B) 907, forming a light emitting layer that develops color in the hole injection layer and the green. なお、正孔注入層及び緑色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。 Note that prior known materials may be used as a light-emitting layer that develops color in the hole injection layer and the green.

【0149】また、印刷室(B)907は、窒素や不活性気体もしくは、EL形成物に含まれる溶媒雰囲気にし、さらに印刷室(B)907内は、大気圧状態もしくは、それに近い状態(典型的には、1〜2気圧、好ましくは、1.1〜1.5気圧)に保持しておけばよい。 [0149] The printing chamber (B) 907, the nitrogen or inert gas or to a solvent atmosphere contained in the EL forming material, is further press room (B) 907, atmospheric pressure or close to it state (typically specifically, the 1-2 atm, preferably, may be held in the 1.1 to 1.5 atm). なお、圧力調節は、圧力調節機構919bにより行う。 The pressure adjustment is performed by the pressure adjusting mechanism 919b. また、印刷室(B)907内を溶媒雰囲気にする場合には、溶媒トレー920bに溶媒を備えておく。 Further, in the case of the printing chamber (B) 907 to a solvent atmosphere, should comprise a solvent in a solvent tray 920b.

【0150】次に、印刷室(C)909内の成膜部91 [0150] Next, film forming section 91 of the printing chamber (C) 909
0において、3色目のEL材料を成膜する。 At 0, forming the third color of the EL material. 印刷室(C)909はゲート900dを介して搬送室901に連結される。 Printing chamber (C) 909 is connected with the transfer chamber 901 through a gate 900d. 本実施例では、印刷室(C)909内の成膜部910において、正孔注入層及び青色に発色する発光層を成膜する。 In this embodiment, the film forming unit 910 of the printing chamber (C) 909, forming a light emitting layer that develops color hole injection layer and blue. なお、正孔注入層及び青色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。 Note that prior known materials may be used as a light-emitting layer that develops color hole injection layer and blue.

【0151】また、印刷室(C)909は、窒素や不活性気体もしくは、EL形成物に含まれる溶媒雰囲気にし、さらに印刷室(C)909内は、大気圧状態もしくは、それに近い状態(典型的には、1〜2気圧、好ましくは、1.1〜1.5気圧)に保持しておけばよい。 [0151] The printing chamber (C) 909, the nitrogen or inert gas or to a solvent atmosphere contained in the EL forming material, is further press room (C) 909, atmospheric pressure or close to it state (typically specifically, the 1-2 atm, preferably, may be held in the 1.1 to 1.5 atm). なお、圧力調節は、圧力調節機構919cにより行う。 The pressure adjustment is performed by the pressure adjustment mechanism 919C. また、印刷室(C)909内を溶媒雰囲気にする場合には、溶媒トレー920cに溶媒を備えておく。 Further, in the case of the printing chamber (C) 909 in the solvent atmosphere is previously provided with a solvent in a solvent tray 920c.

【0152】次に、911は蒸着法によりEL素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室と呼ぶ。 [0152] Next, 911 is a deposition chamber for forming a (metal film to be a cathode in this embodiment) conductive film to be an anode or a cathode of the EL element by a deposition method and named as a deposition chamber. 蒸着室911はゲート900eを介して搬送室90 Conveying the deposition chamber 911 through a gate 900e chamber 90
1に連結される。 It is connected to the 1. 本実施例では蒸着室911として図2 As an evaporation chamber 911 in this embodiment FIG. 2
に示した構造の蒸着室を設けている。 It is provided a deposition chamber of the structure shown in. 本実施例では、蒸着室911内の成膜部912において、EL素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)を成膜する。 In this embodiment, the film forming unit 912 of the deposition chamber 911, forming an Al-Li alloy film (an alloy film of aluminum and lithium) as the conductive film serving as the cathode of the EL element. なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。 It is also possible to co-deposited aluminum and an element belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table.

【0153】次に、913で示されるのはEL層を印刷室で印刷した後に、EL形成物に含まれる溶媒を気化させるための乾燥室であり、乾燥室913はゲート900 [0153] Then, after printing in the printing chamber EL layer is shown by 913, a drying chamber for vaporizing the solvent contained in the EL forming material, drying chamber 913 gate 900
fにより搬送室901と連結される。 It is connected to the transfer chamber 901 by the f. 乾燥室には、ホットプレート部914が設けられており、20〜120℃ The drying chamber, the hot plate 914 is provided, 20 to 120 ° C.
で加熱できるようにする。 In to be able to heating.

【0154】次に、915は封止室であり、ゲート90 [0154] Next, 915 is a sealed chamber, gate 90
0gを介してロード室904に連結されている。 It is connected to the load chamber 904 through a 0 g. 封止室915の説明は実施例1を参照すれば良い。 Description of the sealing chamber 915 may be referred to Example 1. また、実施例1と同様に封止室915の内部には紫外光照射機構9 Further, in the same manner as in Example 1 inside the ultraviolet light irradiation mechanism of the sealing chamber 915 9
16が設けられている。 16 is provided. さらに、封止室915には受渡室917が連結される。 Furthermore, the delivery chamber 917 is connected to the sealing chamber 915. 受渡室917には搬送機構(B)918が設けられ、封止室915でEL素子の封入が完了した基板を受渡室917へと搬送する。 The transport mechanism (B) 918 provided in the delivery chamber 917 transfers the substrate to the encapsulation of the EL element is completed in the sealing chamber 915 to the delivery chamber 917. 受渡室917の説明も実施例1を参照すれば良い。 Description of the delivery chamber 917 also may be referred to Example 1.

【0155】以上のように、図9に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。 [0155] As described above, since it is not necessary to exposure to outside air until sealed in a completely closed space an EL device using the film deposition apparatus shown in FIG. 9, it is possible to manufacture a highly reliable light-emitting device It can become.

【0156】なお、本実施例の構成は、実施例1および実施例2のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。 [0156] The constitution of this embodiment can be freely combined with any structure of the embodiments 1 and 2.

【0157】〔実施例4〕実施例1ではトップゲート型TFTの場合について説明したが、本発明はTFT構造に限定されるものではないので、ボトムゲート型TFT [0157] Example 4 is described the case of a top gate type TFT in the first embodiment, since the present invention is not limited to the TFT structure, a bottom gate type TFT
(代表的には逆スタガ型TFT)を用いて実施しても構わない。 (Typically reverse stagger TFT) may be carried out using. また、逆スタガ型TFTは如何なる手段で形成されたものでも良い。 Further, inverted stagger type TFT may be one formed by any means.

【0158】逆スタガ型TFTは工程数がトップゲート型TFTよりも少なくし易い構造であるため、本発明の課題である製造コストの低減には非常に有利である。 [0158] inverted stagger type TFT is because the number of steps is liable structure less than the top gate type TFT, and the reduction of the problem in which the manufacturing cost of the present invention is very advantageous. なお、本実施例の構成は、実施例1〜実施例3のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。 The constitution of this embodiment can be freely combined with any structure of Embodiments 1 to 3.

【0159】〔実施例5〕本発明の発光装置を駆動するにあたって、画像信号としてアナログ信号を用いたアナログ駆動を行うこともできるし、デジタル信号を用いたデジタル駆動を行うこともできる。 [0159] When driving the light-emitting device of Example 5 present invention, can either be performed analog driving using an analog signal as an image signal, can be performed digital driving using a digital signal.

【0160】アナログ駆動を行う場合、スイッチング用TFTのソース配線にはアナログ信号が送られ、その階調情報を含んだアナログ信号が電流制御用TFTのゲート電圧となる。 [0160] When performing analog driving, an analog signal is sent to a source wiring of a switching TFT, and the analog signal containing the gradation information becomes a gate voltage of the current controlling TFT. そして、電流制御用TFTでEL素子に流れる電流を制御し、EL素子の発光強度を制御して階調表示を行う。 Then, by controlling the current flowing in the current controlling TFT to the EL element performs gradation display by controlling the luminous intensity of the EL element. なお、アナログ駆動を行う場合は電流制御用TFTを飽和領域で動作させると良い。 Incidentally, it is preferable to operate the current control TFT in a saturation region when performing analog driving.

【0161】一方、デジタル駆動を行う場合、アナログ的な階調表示とは異なり、時分割駆動と呼ばれる階調表示を行う。 [0161] On the other hand, when performing digital drive, unlike analog gradation display performs gradation display referred to as time-division driving. 即ち、発光時間の長さを調節することで、視覚的に色階調が変化しているように見せる。 That is, by adjusting the length of the emission time, appear as visually color gradation is changed. なお、デジタル駆動を行う場合は電流制御用TFTを線形領域で動作させると良い。 Incidentally, it is preferable to operate the current control TFT in the linear region when performing digital drive.

【0162】EL素子は液晶素子に比べて非常に応答速度が速いため、高速で駆動することが可能である。 [0162] EL elements for very high speed response in comparison to a liquid crystal element, it is possible to drive at a high speed. そのため、1フレームを複数のサブフレームに分割して階調表示を行う時分割駆動に適した素子であると言える。 Therefore, it can be said that by dividing one frame into a plurality of sub-frames is a device suitable for time division driving of performing gradation display.

【0163】このように、本発明は素子構造に関する技術であるので、駆動方法は如何なるものであっても構わない。 [0163] Thus, since the present invention is a technique related to the element structure, a driving method may be any one.

【0164】〔実施例6〕実施例1では有機EL材料を用いてEL層を形成する場合について示したが、本発明はこれに限られることはなく無機EL材料を用いても実施することができる。 [0164] While shown for case of [Example 6] In Example 1 using an organic EL material forming the EL layer, that the present invention is implemented using an inorganic EL material it is not limited to this it can. 但し、現在の無機EL材料は非常に駆動電圧が高いため、アナログ駆動を行う場合には、 However, since current inorganic EL materials high very driving voltage, in the case of performing analog driving,
そのような駆動電圧に耐えうる耐圧特性を有するTFT TFT having withstand voltage characteristics that can withstand such a driving voltage
を用いなければならない。 It must be used.

【0165】さらに、将来的にさらに駆動電圧の低い無機EL材料が開発されれば、本発明に適用することは可能である。 [0165] In addition, if future lower inorganic EL materials driving voltage is developed, it is possible to apply the present invention.

【0166】また、本実施例の構成は、実施例1〜5のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。 [0166] The configuration of this embodiment can be freely combined with any structure described in Embodiments 1-5.

【0167】〔実施例7〕本発明の発光装置は、自発光型であるため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。 [0167] Example 7 The light emitting device of the present invention is excellent in visibility in bright places than liquid crystal displays because it is a self-luminous type, moreover viewing angle is wide. 従って、様々な電気器具の表示部として用いることができる。 Accordingly, it can be used as a display portion of various electric appliances. 例えば、T For example, T
V放送等を大画面で鑑賞するには対角30インチ以上(典型的には40インチ以上)の表示装置の表示部において本発明の発光装置を用いると良い。 The V broadcasting diagonal 30 inches or more to watch a large screen may be used a light-emitting device of the present invention in the display portion of the display device (typically 40 inches or more in).

【0168】なお、表示装置には、パソコン用表示装置、TV放送受信用表示装置、広告表示用表示装置等の全ての情報表示用表示装置が含まれる。 [0168] It should be noted that, on the display device, a personal computer for display, TV broadcast reception for a display device includes all display devices for displaying information such as advertising display for a display device. また、その他にも様々な電気器具の表示部に本発明の発光装置を用いることができる。 Further, Besides it is possible to use a light-emitting device of the present invention to the display portion of various electric appliances.

【0169】その様な本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型表示装置(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、 [0169] The appliance of such present invention, a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system,
音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、 (A car audio equipment, an audio component, or the like), notebook personal computers, game machines,
携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(DV Portable information terminals (mobile computers, cellular phones, portable game machines, and electronic books), image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a digital video disc (DV
D)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。 Reproduce a recording medium D), etc., device provided with a display for displaying the image), and the like. 特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、その表示部に発光装置を用いることが望ましい。 In particular, a portable information terminal often be seen from an oblique direction is required to have a wide viewing angle is important, it is preferable to use a light-emitting device for the display unit. それら電気器具の具体例を図10および図11に示す。 Specific examples of these electric appliances are shown in FIGS. 10 and 11.

【0170】図10(A)は表示装置であり、筐体13 [0170] FIG. 10 (A) is a display device, the housing 13
01、支持台1302、表示部1303等を含む。 01, a supporting base 1302, a display portion 1303 and the like. 本発明の発光装置は表示部1303にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1303. なお、本発明の発光装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。 The light emitting device of the present invention is a is because no backlight is required self-luminous type, so that it can make a thinner display unit than liquid crystal display.

【0171】図10(B)はビデオカメラであり、本体1311、表示部1312、音声入力部1313、操作スイッチ1314、バッテリー1315、受像部131 [0171] FIG. 10 (B) a video camera which includes a main body 1311, a display portion 1312, an audio input portion 1313, operation switches 1314, a battery 1315, an image receiving portion 131
6等を含む。 Including the 6, and the like. 本発明の発光装置は表示部1312にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1312.

【0172】図10(C)はヘッドマウントディスプレイの一部(右片側)であり、本体1321、信号ケーブル1322、頭部固定バンド1323、表示部132 [0172] FIG. 10 (C) is part of a head mounted display (right side), the main body 1321, signal cables 1322, a head fixing band 1323, a display unit 132
4、光学系1325、表示装置1326等を含む。 4, including an optical system 1325, a display device 1326, and the like. 本発明の発光装置は表示装置1326にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display device 1326.

【0173】図10(D)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体133 [0173] FIG. 10 (D) is an image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a DVD reproduction apparatus), the main body 133
1、記録媒体(DVD等)1332、操作スイッチ13 1, a recording medium (DVD or the like) 1332, operation switches 13
33、表示部(a)1334、表示部(b)1335等を含む。 33, a display portion (a) 1334, a display portion (b) 1335, or the like. 表示部(a)1334は主として画像情報を表示し、表示部(b)1335は主として文字情報を表示するが、本発明の発光装置はこれら表示部(a)133 Display unit (a) 1334 mainly displays image information, display unit (b) 1335 mainly displays character information, they display light-emitting device of the present invention (a) 133
4、表示部(b)1335にて用いることができる。 4, can be used as the display portion (b) 1335. なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine.

【0174】図10(E)はゴーグル型表示装置(ヘッドマウントディスプレイ)であり、本体1341、表示部1342、アーム部1343を含む。 [0174] FIG. 10 (E) is a goggle type display (head mounted display) which includes a main body 1341, a display portion 1342, arm portion 1343. 本発明の発光装置は表示部1342にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1342.

【0175】図10(F)はパーソナルコンピュータであり、本体1351、筐体1352、表示部1353、 [0175] FIG. 10 (F) is a personal computer which includes a main body 1351, a housing 1352, a display portion 1353,
キーボード1354等を含む。 Including a keyboard 1354 and the like. 本発明の発光装置は表示部1353にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1353.

【0176】なお、将来的にEL材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型あるいはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。 [0176] Incidentally, the higher the light emission luminance in the future EL material, it can be used for a front type or a rear type projector light including output image information is enlarged projected by a lens or the like.

【0177】また、上記電気器具はインターネットやC [0177] In addition, the electrical equipment is the Internet or a C
ATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。 Would be more likely to display the information that has been distributed via electronic communication lines such as the ATV (cable TV), it has increased the opportunity to especially display the video information. EL材料の応答速度は非常に高いため、本発明の発光装置は動画表示に好ましい。 The response speed of EL materials is extremely high, the light emitting device of the present invention is suitable for displaying moving pictures.

【0178】図11(A)は携帯電話であり、本体14 [0178] FIG. 11 (A) is a mobile phone, which includes a main body 14
01、音声出力部1402、音声入力部1403、表示部1404、操作スイッチ1405、アンテナ1406 01, an audio output portion 1402, an audio input portion 1403, a display portion 1404, operation switches 1405, an antenna 1406
を含む。 including. 本発明の発光装置は表示部1404にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1404. なお、表示部1404は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。 The display unit 1404 can reduce power consumption of the portable telephone by displaying white characters on a black background.

【0179】図11(B)は音響再生装置、具体的には車載用オーディオであり、本体1411、表示部141 [0179] FIG. 11 (B) is an audio reproducing device, specifically a car audio, body 1411, a display portion 141
2、操作スイッチ1413、1414を含む。 2, and operation switches 1413 and 1414. 本発明の発光装置は表示部1412にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used as the display portion 1412. また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。 Further, in this embodiment an in-car audio, may be used for a portable or a sound reproduction device for home use. なお、表示部1 The display unit 1
414は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。 414, the power consumption can be reduced by displaying white characters on a black background. これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。 This is particularly effective in a mobile type audio reproducing device.

【0180】図11(C)はデジタルカメラであり、本体1421、表示部(A)1422、接眼部1423、 [0180] FIG. 11 (C) is a digital camera which includes a main body 1421, a display portion (A) 1422, an eyepiece portion 1423,
操作スイッチ1424、表示部(B)1425、バッテリー1426を含む。 Operation switch 1424, a display unit (B) 1425, including the battery 1426. 本発明の発光装置は、表示部(A)1422、表示部(B)1425にて用いることができる。 The light emitting device of the present invention can be used in the display portion (A) 1422, a display portion (B) 1425. また、表示部(B)1425を、主に操作用パネルとして用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えることができる。 Further, the display portion (B) 1425, primarily when used as an operation panel, it is possible to suppress power consumption by displaying white characters on a black background.

【0181】また、本実施例にて示した携帯型電気器具においては、消費電力を低減するための方法としては、 [0181] In the portable electric appliances shown in this embodiment, as a method for reducing power consumption,
外部の明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加するなどといった方法が挙げられる。 The sensor unit for sensing the external brightness is provided, when used in a dark place, a method such as an additional function, such as dropping the luminance of the display unit.

【0182】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能である。 [0182] As described above, the applicable range of the present invention can be used in extremely wide, appliances in all fields. また、本実施例の電気器具は実施例1〜実施例6に示したいずれの構成を適用しても良い。 Further, electric appliance of this embodiment may be applied the configuration of any shown in Examples 1 to 6.

【0183】〔実施例8〕本実施例では、本発明における圧力調節機構について説明する。 [0183] In Example 8 This example describes a pressure regulating mechanism in the present invention. 図12には、印刷室1201に接続された圧力調節機構1202を示す。 FIG. 12 shows a pressure regulating mechanism 1202 is connected to the printing chamber 1201. なお、本実施例では、印刷法によりEL層を形成するための処理室のことを印刷室と呼ぶことにする。 In the present embodiment, it will be referred to as a printing chamber to the process chamber for forming the EL layer by a printing method.

【0184】印刷室1201には、基板1203にEL [0184] in the printing room 1201, EL to the substrate 1203
層を形成するための印刷装置1204が備えられており、その構成は、図1で説明したものと同様であるため省略する。 And the printing apparatus 1204 is provided for forming a layer, the structure will be omitted because it is similar to that described in Figure 1. また、印刷室1201には、溶媒トレー12 Furthermore, the pressroom 1201, the solvent tray 12
05が備えられていており、溶媒トレー1205には、 05 has been provided, in a solvent tray 1205,
トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、アニソール、クロロフォルム、ジクロロメタン、γ Toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, anisole, chloroform, dichloromethane, gamma
ブチルラクトン、ブチルセルソルブ、シクロヘキサン、 Butyl lactone, butyl cellosolve, cyclohexane,
NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、シクロヘキサノン、ジオキサンまたは、THF(テトラヒドロフラン)といった溶媒が備えられている。 NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), cyclohexanone, dioxane, or have a solvent is provided such THF (tetrahydrofuran).

【0185】圧力調節機構1202により印刷室120 [0185] Printing chamber by a pressure regulating mechanism 1202 120
1内が加圧された際に溶媒トレー1205に備えられている溶媒が揮発するため、印刷室1201内を溶媒雰囲気とすることができる。 Since the solvent 1 is provided in a solvent tray 1205 when pressurized is volatilized, the printing chamber 1201 can be a solvent atmosphere. しかし、溶媒トレー1205を必ずしも備える必要はなく、必要に応じて備えればよい。 However, it is not always necessary to provide the solvent tray 1205, it Sonaere if necessary.

【0186】次に本実施例における圧力調節機構120 [0186] Then the pressure adjusting mechanism in this embodiment 120
2について説明する。 2 will be described. 圧力調節機構1202には、窒素や、ヘリウムやアルゴンなどの気体が備えられたボンベ1206と、気体を圧縮するための圧縮機1207と、 The pressure regulating mechanism 1202, nitrogen or a cylinder 1206 gas provided such as helium or argon, a compressor 1207 for compressing a gas,
印刷室1201内部の圧力を測定するためのセンサー1 Sensor 1 for measuring the pressure inside the printing chamber 1201
208と、印刷室1201内部の気体を排気するための配管に備えられている排気用バルブ1209とから構成されている。 And 208, and a exhaust valve 1209 Metropolitan provided in the pipe for evacuating the pressroom 1201 gas inside.

【0187】圧縮機1207により圧縮された気体は、 [0187] gas which has been compressed by the compressor 1207,
印刷室1201へ(矢印aの方向)導入される。 To the printing chamber 1201 (direction of arrow a) is introduced. また、 Also,
センサー1208は、排気用バルブ1209と接続されており、印刷室1201内部の圧力に応じて、排気用バルブ1209の開閉を制御する。 Sensor 1208 is connected to the exhaust valve 1209, in accordance with the printing chamber 1201 inside of the pressure to control the opening and closing of the exhaust valve 1209. なお、センサー120 In addition, the sensor 120
8は、圧力計を有しており、仕様は0〜1.3MPaとする。 8, has a pressure gauge, specifications and 0~1.3MPa. 具体的には、印刷室1201内部の圧力が所望の圧力よりも低いときは、排気用バルブ1209を閉じ、 Specifically, when the pressure inside the printing chamber 1201 is lower than the desired pressure, closing the exhaust valve 1209,
所望の圧力よりも高いときは、排気用バルブ1209を開けることにより、印刷室1201内の気体を矢印bの方向に排気して、印刷室1201内の圧力を調節する。 When higher than the desired pressure, by opening the exhaust valve 1209, exhaust the gas in the pressroom 1201 in the direction of arrow b, to adjust the pressure in the printing chamber 1201.

【0188】なお、印刷室1201はSUS製であり、 [0188] In addition, the printing room 1201 is made of SUS,
0.8MPa/cm 2 (設計圧力は、1.5MPa/c 0.8 MPa / cm 2 (design pressure, 1.5 MPa / c
2 )の耐圧性を有している。 It has pressure resistance m 2). また、安全性を確保するためには安全弁、破壊弁などを備えておくことが望ましい。 Further, in order to ensure the safety relief valve, it is desirable to comprise a destruction valve. また、排気バルブ1209は、耐圧が0.9MPa In addition, the exhaust valve 1209, the breakdown voltage is 0.9MPa
/cm 2のものを用いる。 / Cm 2 of the used ones.

【0189】以上により、印刷室1201内の圧力を調節することができる。 [0189] Thus, it is possible to adjust the pressure in the printing chamber 1201. 本発明の構成は、実施例1〜実施例7における全ての圧力調節機構として実施することが可能である。 Configuration of the present invention may be implemented as any pressure adjusting mechanism in Examples 1 to 7.

【0190】〔実施例9〕本実施例では、本発明における圧力調節機構について、実施例8で示したのとは異なる構成を有する場合について説明する。 [0190] In Example 9 In the present Example, the pressure regulating mechanism in the present invention, will be described with a different configuration than the one described in Example 8. なお、本実施例では、印刷法によりEL層を形成するための処理室のことを印刷室と呼ぶことにする。 In the present embodiment, it will be referred to as a printing chamber to the process chamber for forming the EL layer by a printing method.

【0191】本実施例における圧力調節機構は、図13 [0191] The pressure adjusting mechanism of this embodiment, FIG. 13
(A)に示すように印刷室1301の外部に設けられた複数のヒーター1302により印刷室1301を加熱して、印刷室内を加圧するというものである。 And heating the print chamber 1301 by a plurality of heaters 1302 which are provided outside the printing chamber 1301 (A), a is that pressurizing the printing room. なお、ヒーター1302は電源1303に接続されており、ヒーター1302と電源1303の間には、可変抵抗器130 Incidentally, the heater 1302 is connected to a power source 1303, between the heater 1302 and the power supply 1303, a variable resistor 130
4が設けられている。 4 is provided. なお、可変抵抗器1304により、電源からヒーター1302に加えられる電力を制御することができる。 Incidentally, the variable resistor 1304, it is possible to control the power applied from the power supply to the heater 1302.

【0192】また、可変抵抗器1304には、印刷室1 [0192] Further, the variable resistor 1304, pressroom 1
301内の圧力を測定し、測定された圧力に応じて可変抵抗器を制御する第一のセンサー1305が設けられており、電源1303からヒーター1302に加えられる電力を制御している。 The pressure in 301 is measured, and the first sensor 1305 is provided to control the variable resistor in accordance with the measured pressure and controls the power applied from the power source 1303 to the heater 1302. なお、第一のセンサー1305に設けられている圧力計の仕様は0〜1.3MPaとする。 Incidentally, the specifications of the pressure gauge is provided in the first sensor 1305 and 0~1.3MPa.

【0193】以上にようにして、加えられる電力を制御することにより、ヒーター1302が印刷室1301を加熱する温度を制御することができるため、結果的に印刷室内の圧力を制御することができる。 [0193] As above, by controlling the power applied, it is possible to control the temperature of the heater 1302 for heating the printing chamber 1301, it is possible to control the pressure of the resulting printing room.

【0194】さらに、印刷室1301の内部に実施例8 [0194] Further, examples inside the printing chamber 1301 8
と同様に溶媒を備えた溶媒トレーを設けておくことで印刷室1301内が溶媒の気化する温度以上に加熱されたときに、印刷室1301内を気化した溶媒で充填することができる。 The print chamber 1301 when heated to above the temperature of vaporization of the solvent, can be filled with solvent vaporized printing chamber 1301 by preferably provided a solvent tray with solvent in the same manner as. なお、溶媒トレーに備える溶媒としては、 As the solvent comprises a solvent tray,
EL形成物に含まれる溶媒と同一のものを用いてもよい。 May be used as the solvent the same as that contained in the EL forming material.

【0195】また、ヒーター1302を設ける形状としては、図に示す形状に限られることはなく印刷室130 [0195] The shape of providing a heater 1302, limited to the shape shown in the figure without pressroom 130
1内部が加熱され、加圧されるように設ければよい。 1 inside is heated, may be provided as pressurized.

【0196】さらに本実施例における印刷室1301には、印刷室1301内の圧力を測定し、印刷室1301 [0196] Further to the printing chamber 1301 of this embodiment measures the pressure in the printing chamber 1301, pressroom 1301
内部の圧力に応じて、排気用バルブ1306の開閉を制御する第二のセンサー1307が設けられている。 Depending on the pressure, it is provided a second sensor 1307 for controlling the opening and closing of the exhaust valve 1306.

【0197】第二のセンサー1307は、印刷室130 [0197] The second sensor 1307, printing chamber 130
1および排気用バルブ1306と接続されており、第二のセンサー1307が有する圧力計により印刷室130 Is connected to the first and the exhaust valve 1306, pressroom by pressure gauge second sensor 1307 has 130
1の圧力を測定する。 A pressure of 1 to measure. なお、ここでの圧力計の仕様は0 In addition, the specifications of the pressure gauge of where 0
〜1.3MPaとする。 And ~1.3MPa. そして、印刷室1301内部の圧力が所望の圧力よりも低いときは、排気用バルブ13 Then, when the internal pressure pressroom 1301 is lower than the desired pressure, the exhaust valve 13
06を閉じ、所望の圧力よりも高いときは、排気用バルブ1306を開けることにより、印刷室1301内の気体を排気して、印刷室1301内の圧力を調節する。 06 closed, it is higher than the desired pressure, by opening the exhaust valve 1306, exhaust the gas in the printing chamber 1301, to adjust the pressure in the printing chamber 1301.

【0198】なお、印刷室1301はSUS製であり、 [0198] In addition, the printing room 1301 is made of SUS,
0.8MPa/cm 2 (設計圧力は、1.5MPa/c 0.8 MPa / cm 2 (design pressure, 1.5 MPa / c
2 )の耐圧性を有している。 It has pressure resistance m 2). また、安全性を確保するためには安全弁、破壊弁などを備えておくことが望ましい。 Further, in order to ensure the safety relief valve, it is desirable to comprise a destruction valve. また、排気バルブ1306は、耐圧が0.9MPa In addition, the exhaust valve 1306, the breakdown voltage is 0.9MPa
/cm 2のものを用いる。 / Cm 2 of the used ones.

【0199】以上により、処理室1301内の圧力を加圧することができる。 [0199] Thus, it is possible to pressurize the pressure in the processing chamber 1301. なお、本発明の構成は、実施例1 The constitution of this invention, Example 1
〜実施例8における全ての圧力調節機構として実施することが可能である。 It can be implemented as any pressure adjusting mechanism in to Example 8.

【0200】 [0200]

【発明の効果】本発明により、印刷法でEL層を形成する際に生じる溶媒の揮発性を問題にすることなくEL層を形成することができる。 According to the present invention, it is possible to form the EL layer without the volatile solvent that occurs in forming the EL layer problem by printing. これにより、発光装置の作製における製造コストを低減することができる。 Thus, it is possible to reduce the manufacturing cost in manufacturing a light emitting device. また、安価に製造しうる発光装置を表示ディスプレイとして用いることで電気器具の製造コストの低減も可能となる。 Further, it is possible at low cost reduction in the manufacturing cost of the appliance by using the manufactured capable emitting device as a display display.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 凸版印刷法の原理を説明するための図。 Diagram for explaining the principle of FIG. 1 is a relief printing method.

【図2】 マルチチャンバー方式の成膜装置を示す図。 FIG. 2 is a diagram showing a film forming apparatus of multi-chamber system.

【図3】 アクティブマトリクス型発光装置の作製工程を示す図。 FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of an active matrix type light emitting device.

【図4】 アクティブマトリクス型発光装置の作製工程を示す図。 FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of an active matrix type light emitting device.

【図5】 アクティブマトリクス型発光装置の作製工程を示す図。 5 is a diagram showing a manufacturing process of an active matrix type light emitting device.

【図6】 発光装置の封止構造を示す図。 6 shows a sealing structure of a light emitting device.

【図7】 インライン方式の成膜装置を示す図。 FIG. 7 is a diagram showing a film forming apparatus of the in-line system.

【図8】 多色印刷法を説明する図。 FIG. 8 is a diagram illustrating a multi-color printing method.

【図9】 マルチチャンバー方式の成膜装置を示す図。 9 is a diagram showing a film forming apparatus of multi-chamber system.

【図10】 電気器具の具体例を示す図。 10 is a view showing a specific example of the appliance.

【図11】 電気器具の具体例を示す図。 11 is a diagram showing a specific example of the appliance.

【図12】 圧力調節機構について説明する図。 Diagram explaining [12] The pressure adjusting mechanism.

【図13】 圧力調節機構について説明する図。 FIG. 13 illustrates the pressure regulating mechanism.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/12 H05B 33/12 B 33/14 33/14 A ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05B 33/12 H05B 33/12 B 33/14 33/14 a

Claims (21)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】EL層が形成される処理室を有する成膜装置であって、 前記処理室は圧力調節機構と接続され、 前記圧力調節機構により前記処理室内が大気圧以上に加圧されることを特徴とする成膜装置。 1. A film forming apparatus having a process chamber in which an EL layer is formed, the processing chamber is connected to the pressure adjusting mechanism, wherein the processing chamber is pressurized to above atmospheric pressure by the pressure adjusting mechanism film forming apparatus characterized in that.
  2. 【請求項2】EL層が形成される処理室を有する成膜装置であって、 前記処理室は圧縮機と接続され、 前記圧縮機から気体が導入されることにより前記処理室内が大気圧以上に加圧されることを特徴とする成膜装置。 2. A film forming apparatus having a process chamber in which an EL layer is formed, the processing chamber is connected to the compressor, wherein the processing chamber is higher than the atmospheric pressure by the gas is introduced from the compressor film forming apparatus characterized in that it is pressurized.
  3. 【請求項3】EL層が形成される処理室を有する成膜装置であって、 前記処理室は圧縮機と接続され、 前記圧縮機から気体が導入されることにより前記処理室内が大気圧以上に加圧され、 前記処理室は溶媒雰囲気を有することを特徴とする成膜装置。 3. A film forming apparatus having a process chamber in which an EL layer is formed, the processing chamber is connected to the compressor, wherein the processing chamber is higher than the atmospheric pressure by the gas is introduced from the compressor the pressurized, the processing chamber deposition apparatus characterized by having a solvent atmosphere.
  4. 【請求項4】EL層が形成される処理室を有する成膜装置であって、 前記処理室は圧縮機と、センサーと、排気用バルブとを有し、 前記圧縮機とは、前記処理室に気体を導入するものであり、 前記センサーとは、前記処理室内の圧力を測定し、前記排気用バルブの開閉を制御する信号を入力するものであることを特徴とする成膜装置。 4. A film forming apparatus having a process chamber in which an EL layer is formed, and the processing chamber compressor includes a sensor, and an exhaust valve, and the compressor, the processing chamber in is intended to introduce the gas, the sensor and the film forming apparatus, characterized in that the pressure in the processing chamber is measured and is used to input signals for controlling the opening and closing of the exhaust valve.
  5. 【請求項5】請求項2乃至請求項4のいずれか一において、 前記気体とは、露点が−20度以下の不活性気体であることを特徴とする成膜装置。 5. A any one of claims 2 to 4, wherein A gas, film formation apparatus, wherein the dew point is -20 degrees or less inert gas.
  6. 【請求項6】請求項5において、前記不活性気体が窒素、アルゴンまたはヘリウムからなることを特徴とする成膜装置。 6. The method of claim 5, the film forming apparatus, characterized in that the inert gas consisting of nitrogen, argon or helium.
  7. 【請求項7】請求項1乃至請求項6のいずれか一において、 前記処理室が二つ以上設けられていることを特徴とする成膜装置。 7. In any one of claims 1 to 6, a film forming apparatus wherein the process chamber, characterized in that it is provided more than one.
  8. 【請求項8】請求項1乃至請求項7のいずれか一において、 前記処理室内は、1.1〜1.5気圧であることを特徴とする成膜装置。 8. Any one of claims 1 to 7, wherein the treatment chamber, the film forming apparatus, characterized in that 1.1 to 1.5 atm.
  9. 【請求項9】絶縁表面上に形成された第一の電極上にE 9. E on the first electrode formed on an insulating surface
    L層及び第二の電極を形成する成膜装置であって、 前記EL層が形成される第一の処理室と、 前記EL層を乾燥させる第二の処理室と、 前記第二の電極が形成される第三の処理室とを有し、 前記第一の処理室は、圧縮機と接続され、 前記圧縮機から気体が導入されることにより前記第一の処理室内が大気圧以上に加圧されることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming an L layer and a second electrode, a first process chamber in which the EL layer is formed, a second processing chamber for drying the EL layer, the second electrode and a third processing chamber formed, the first process chamber is connected to the compressor, wherein by which the gas is introduced from the compressor first processing chamber pressurized above atmospheric pressure film forming apparatus characterized in that it is pressurized.
  10. 【請求項10】絶縁表面上に形成された第一の電極上にEL層及び第二の電極を形成する成膜装置であって、 前記EL層が形成される第一の処理室と、 前記EL層を乾燥させる第二の処理室と、 前記第二の電極が形成される第三の処理室とを有し、 前記第一の処理室は、圧縮機と接続され、 前記圧縮機から気体が導入されることにより前記第一の処理室内が大気圧以上に加圧され、 前記第一の処理室は、溶媒雰囲気を有することを特徴とする成膜装置。 10. A film forming apparatus for forming an EL layer and a second electrode on the first electrode formed over an insulating surface, a first process chamber in which the EL layer is formed, the has a second processing chamber for drying the EL layer, and a third processing chamber of the second electrode is formed, the first process chamber is connected to the compressor, the gas from the compressor There the first processing chamber by being introduced is pressurized above atmospheric pressure, said first processing chamber, film deposition apparatus characterized by having a solvent atmosphere.
  11. 【請求項11】絶縁表面上に形成された第一の電極上にEL層及び第二の電極を形成する成膜装置であって、 前記EL層が形成される第一の処理室と、 前記EL層を乾燥させる第二の処理室と、 前記第二の電極が形成される第三の処理室とを有し、 前記第一の処理室は、圧縮機と、センサーと、排気用バルブとを有し、 前記圧縮機とは、前記処理室に気体を導入するものであり、 前記センサーとは、前記処理室内の圧力を測定し、前記排気用バルブの開閉を制御する信号を入力するものであることを特徴とする成膜装置。 11. A film forming apparatus for forming an EL layer and a second electrode on the first electrode formed over an insulating surface, a first process chamber in which the EL layer is formed, the a second processing chamber for drying the EL layer, and a third processing chamber of the second electrode is formed, the first process chamber, a compressor, a sensor, an exhaust valve It has the compressor is for introducing a gas into the processing chamber, the sensor and is, that the pressure in the processing chamber is measured, and inputs a signal for controlling the opening and closing of the exhaust valve film forming apparatus characterized in that it.
  12. 【請求項12】請求項9乃至請求項11のいずれか一において、 前記気体とは、露点が−20度以下の不活性気体であることを特徴とする成膜装置。 12. Any one of the claims 9 to 11, wherein A gas, film formation apparatus, wherein the dew point is -20 degrees or less inert gas.
  13. 【請求項13】請求項12において、前記不活性気体が窒素、アルゴンまたはヘリウムからなることを特徴とする成膜装置。 13. The method of claim 12, the film forming apparatus, characterized in that the inert gas consisting of nitrogen, argon or helium.
  14. 【請求項14】請求項9乃至請求項13のいずれか一において、 前記第一の処理室が二つ以上設けられていることを特徴とする成膜装置。 14. In any one of claims 9 to 13, a film forming apparatus wherein the first processing chamber and being provided more than one.
  15. 【請求項15】請求項9乃至請求項14のいずれか一において、 前記第一の処理室内は、1.1〜1.5気圧であることを特徴とする成膜装置。 15. Any one of the claims 9 to 14, wherein the first treatment chamber, film deposition apparatus, characterized in that 1.1 to 1.5 atm.
  16. 【請求項16】絶縁表面上に電極を形成し、 前記電極に接してEL層を形成する発光装置の作製方法であって、 処理室内に圧縮機から気体を導入し、 前記処理室を大気圧以上に加圧し、 前記処理室で前記EL層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 16. forming an electrode over an insulating surface, a method for manufacturing a light emitting device for forming an EL layer in contact with the electrode, and introducing a gas from the compressor into the processing chamber, the processing chamber atmospheric pressure the method for manufacturing a light emitting device and forming over pressurized, the EL layer in the processing chamber.
  17. 【請求項17】半導体素子と接続された電極を形成し、 前記電極に接してEL層を形成する発光装置の作製方法であって、 処理室内に圧縮機から気体を導入し、 前記処理室を大気圧以上に加圧し、 前記処理室内で前記EL層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 17. forming an electrode connected to the semiconductor element, a method for manufacturing a light emitting device for forming an EL layer in contact with the electrode, and introducing a gas from the compressor into the processing chamber, the processing chamber the method for manufacturing a light emitting device and forming the EL layer higher than the atmospheric pressure pressurized in the processing chamber.
  18. 【請求項18】請求項16または請求項17のいずれか一において、 前記処理室内の圧力を1.1〜1.5気圧にすることを特徴とする発光装置の作製方法。 In any one of 18. The method of claim 16 or claim 17, a method for manufacturing a light emitting device which is characterized in that the pressure in the processing chamber to 1.1 to 1.5 atm.
  19. 【請求項19】請求項16乃至請求項18のいずれか一において、 前記EL層が印刷法により形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。 19. any one of claims 16 to 18, a method for manufacturing a light emitting device in which the EL layer is characterized by being formed by a printing method.
  20. 【請求項20】請求項16乃至請求項19のいずれか一に記載の作製方法で作製されたことを特徴とする発光装置。 20. A light emitting apparatus characterized by being manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 16 to 19.
  21. 【請求項21】請求項20において、前記発光装置は、 21. The method of claim 20, wherein the light emitting device,
    表示装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型表示装置、ビデオカメラ、携帯電話から選ばれた一種であることを特徴とする発光装置。 Display device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile computer, a portable image reproducing device provided with a recording medium, a goggle type display device, a video camera, the light emitting device, characterized in that the one selected from the mobile phone .
JP2001208605A 2000-07-10 2001-07-09 Film forming method and a film forming apparatus Active JP4889883B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000209130 2000-07-10
JP2000-209130 2000-07-10
JP2000209130 2000-07-10
JP2001208605A JP4889883B2 (en) 2000-07-10 2001-07-09 Film forming method and a film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001208605A JP4889883B2 (en) 2000-07-10 2001-07-09 Film forming method and a film forming apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002100472A true true JP2002100472A (en) 2002-04-05
JP2002100472A5 true JP2002100472A5 (en) 2008-08-21
JP4889883B2 JP4889883B2 (en) 2012-03-07

Family

ID=26595753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001208605A Active JP4889883B2 (en) 2000-07-10 2001-07-09 Film forming method and a film forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4889883B2 (en)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005071837A (en) * 2003-08-26 2005-03-17 Konica Minolta Holdings Inc Manufacturing method of transparent conductive film laminate, transparent conductive film laminate, and article using it
JP2006248065A (en) * 2005-03-11 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd Ink supply base material for letterpress printing, and apparatus and method for printing using the same
JP2007024925A (en) * 2005-07-12 2007-02-01 Casio Comput Co Ltd Display panel, method of manufacturing display panel and manufacture equipment of display panel
JP2007042311A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of organic el element
JP2007047286A (en) * 2005-08-08 2007-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device and method for sticking anisotropic conductive film
KR100726518B1 (en) * 2003-12-04 2007-06-11 간토 가가꾸 가부시키가이샤 Washing liquid composition and washing method for mask used in vacuum vapor deposition step in production of low molecular weight organic EL device
JP2007200841A (en) * 2006-01-24 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display and its manufacturing method
JP2007273229A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Tottori Institute Of Industrial Technology Deposition method of organic thin membrane layer of organic electroluminescent (el) element, deposition device of organic thin-film layer of organic el element and organic el element
US7485023B2 (en) 2005-03-31 2009-02-03 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device having partition wall and a manufacturing method of the same by relief printing method
US7546803B2 (en) 2006-01-30 2009-06-16 Toppan Printing Co., Ltd. Letterpress printing machine
JP2009245644A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Casio Comput Co Ltd Manufacturing device and manufacturing method of light emitting device
US7687390B2 (en) 2006-03-28 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method
US7686665B2 (en) 2005-09-22 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a printed matter and a printed matter
US7696683B2 (en) 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7719183B2 (en) 2005-07-01 2010-05-18 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device
US7791275B2 (en) 2006-03-30 2010-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
US7819716B2 (en) 2006-02-15 2010-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7880382B2 (en) 2006-03-08 2011-02-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence panel and manufacturing method of the same
JP2012033506A (en) * 2000-07-10 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing light-emitting device
US8125146B2 (en) 2006-01-27 2012-02-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion
JP2013201047A (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Toppan Printing Co Ltd Organic el element manufacturing method, display device, luminaire, and organic el element manufacturing apparatus
US9004972B2 (en) 2006-01-20 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
JP2016076503A (en) * 2012-11-30 2016-05-12 カティーバ, インコーポレイテッド Gas enclosure assemblies and systems

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150028A (en) * 1996-11-15 1998-06-02 Mitsubishi Electric Corp Sog coater and method for forming sog film
JP2001223077A (en) * 1999-11-29 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Film forming equipment and manufacturing method of light emitting equipment using it

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10150028A (en) * 1996-11-15 1998-06-02 Mitsubishi Electric Corp Sog coater and method for forming sog film
JP2001223077A (en) * 1999-11-29 2001-08-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Film forming equipment and manufacturing method of light emitting equipment using it

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8647706B2 (en) 2000-07-10 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
JP2012033506A (en) * 2000-07-10 2012-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing light-emitting device
JP2012094550A (en) * 2000-07-10 2012-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacturing method for light-emitting device
JP4539059B2 (en) * 2003-08-26 2010-09-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 The method for producing a transparent conductive film laminate
JP2005071837A (en) * 2003-08-26 2005-03-17 Konica Minolta Holdings Inc Manufacturing method of transparent conductive film laminate, transparent conductive film laminate, and article using it
KR100726518B1 (en) * 2003-12-04 2007-06-11 간토 가가꾸 가부시키가이샤 Washing liquid composition and washing method for mask used in vacuum vapor deposition step in production of low molecular weight organic EL device
JP2006248065A (en) * 2005-03-11 2006-09-21 Toppan Printing Co Ltd Ink supply base material for letterpress printing, and apparatus and method for printing using the same
US7485023B2 (en) 2005-03-31 2009-02-03 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device having partition wall and a manufacturing method of the same by relief printing method
US7719183B2 (en) 2005-07-01 2010-05-18 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device
JP2007024925A (en) * 2005-07-12 2007-02-01 Casio Comput Co Ltd Display panel, method of manufacturing display panel and manufacture equipment of display panel
JP2007042311A (en) * 2005-08-01 2007-02-15 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of organic el element
JP2007047286A (en) * 2005-08-08 2007-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device and method for sticking anisotropic conductive film
US7686665B2 (en) 2005-09-22 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a printed matter and a printed matter
US7696683B2 (en) 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US9004972B2 (en) 2006-01-20 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
JP2007200841A (en) * 2006-01-24 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display and its manufacturing method
JP4624309B2 (en) * 2006-01-24 2011-02-02 三星モバイルディスプレイ株式會社 The organic light emitting display device and a manufacturing method thereof
US8125146B2 (en) 2006-01-27 2012-02-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion
US7546803B2 (en) 2006-01-30 2009-06-16 Toppan Printing Co., Ltd. Letterpress printing machine
US7819716B2 (en) 2006-02-15 2010-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7880382B2 (en) 2006-03-08 2011-02-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence panel and manufacturing method of the same
US7687390B2 (en) 2006-03-28 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method
US7791275B2 (en) 2006-03-30 2010-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
JP2007273229A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Tottori Institute Of Industrial Technology Deposition method of organic thin membrane layer of organic electroluminescent (el) element, deposition device of organic thin-film layer of organic el element and organic el element
JP2009245644A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Casio Comput Co Ltd Manufacturing device and manufacturing method of light emitting device
JP2013201047A (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Toppan Printing Co Ltd Organic el element manufacturing method, display device, luminaire, and organic el element manufacturing apparatus
JP2016076503A (en) * 2012-11-30 2016-05-12 カティーバ, インコーポレイテッド Gas enclosure assemblies and systems

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP4889883B2 (en) 2012-03-07 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7635889B2 (en) Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US6809343B2 (en) Electro luminescence display device
US6781152B2 (en) Semiconductor device with light emitting elements and an adhesive layer holding color filters
US20020011597A1 (en) Light emitting device
US20040147113A1 (en) Method for manufacturing conductive layer and semiconductor device
US6830994B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film
US20030010283A1 (en) Printing device and method of manufacturing a light emitting device
US20060115983A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US7141817B2 (en) Light emitting device
US7129102B2 (en) Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US20060292726A1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US7745991B2 (en) Electro-optical device having an EL layer over a plurality of pixels
US20050005848A1 (en) Apparatus for forming a film and an electroluminescence device
US20020187567A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing thereof
US20060220544A1 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US20030042849A1 (en) Light emitting device and method for manufacuturing same
US20020180372A1 (en) Luminescent device and process of manufacturing the same
US20020119585A1 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
US7112374B2 (en) EL display device utilizing light-emitting organic compounds and method for forming the same
US6882102B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US20020009538A1 (en) Method of manufacturing a light-emitting device
US20090134399A1 (en) Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same
US20070085475A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7420208B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US7402945B2 (en) Light emitting apparatus and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080704

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110705

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110830

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111114

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111213

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250