JP2002071575A - Defect inspecting and analyzing method and system therefor - Google Patents

Defect inspecting and analyzing method and system therefor

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JP2002071575A
JP2002071575A JP2000266371A JP2000266371A JP2002071575A JP 2002071575 A JP2002071575 A JP 2002071575A JP 2000266371 A JP2000266371 A JP 2000266371A JP 2000266371 A JP2000266371 A JP 2000266371A JP 2002071575 A JP2002071575 A JP 2002071575A
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JP2000266371A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Takami
斉 高見
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make usable inspection data inspected in a plurality of processes for superposition analysis without wasting the inspection data, in a defect inspecting and analyzing method for analyzing the workmanship of products by the effects of defects detected, by performing visual intermediate inspection on the defects which have occurred in each process when a plurality of the same type of products are manufactured in a plurality and series of processes, performing evaluation inspection on the workmanship of the completed products, and superposing both inspection results on each other. SOLUTION: Visual inspection data are taken in during manufacturing in #1. The taken-in data are rearranged in the order of the processes in #2. The defect coordinates of the defect detected in each process are obtained, and the number of coordinates matching within an allowable range previously set by comparing the defect coordinate information in each process with one another in #3-#6. Products during manufacturing with the maximum matching number of coordinates are regarded as the same product, and defect data are collected for every same product and rewritten as the defect data of a specified wafer ID.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造プロセス等の複雑かつ長大な製造プロセスの検査結果を精度良く解析する欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システムに関する。 The present invention relates to relates to complex and lengthy fabrication process accurately defect inspection analysis method and a defect inspection analysis system for analyzing the test results, such as a semiconductor device manufacturing process.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体装置製造プロセスなど、複数の装置を用いた多数の工程を必要とする製造プロセスでは、 2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process, the manufacturing processes requiring multiple steps using a plurality of devices,
歩留まりを管理・改善するために、工程処理中あるいは進行中に発生した異物や欠陥を検出する中間検査と、製品の出来映えを評価および検査する出来映え評価検査とを実施し、両検査の結果を重ね合わせることにより、中間検査で検出した異物や欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析している。 To manage and improve yield, we conducted an intermediate inspection for detecting foreign matter and defects that occur during the process processing or progress and a workmanship evaluation test for evaluating and inspecting the workmanship of the product, superimposing the results of both test by combining, foreign matter and defects detected in the intermediate test is to analyze the effect on the workmanship of the product.

【0003】図4は半導体製造プロセスにおける欠陥検査解析を行う欠陥検査解析システムを示す。 [0003] Figure 4 illustrates a defect inspection analysis system which performs defect inspection analysis in semiconductor manufacturing processes. 外観検査装置1は、製造ラインAA,製造ラインBBからなる半導体製造ラインの中で使用されている中間検査装置であり、専用線2を通じて外観検査データ収集用計算機3 Appearance inspection apparatus 1, the production line AA, an intermediate inspection devices used in the semiconductor manufacturing line consisting of the manufacturing line BB, appearance inspection data collection computer 3 via the dedicated line 2
に、次いでネットワーク4を通じて検査データ解析用計算機5に接続されている。 In, then connected to the test data analysis computer 5 via the network 4. プローブ検査装置6は、プローブ検査工程Cで半導体製造ラインの出来映えを検査する出来映え検査装置であり、ネットワーク7を通じて検査データ収集用計算機8に、次いでネットワーク9を通じて検査データ解析用計算機5に接続されている。 Probe testing apparatus 6 is a workmanship inspection apparatus for inspecting the workmanship of the semiconductor manufacturing line probe test step C, and the inspection data acquisition computer 8 through the network 7 and is then connected to the test data analysis computer 5 via the network 9 there.

【0004】以上のような欠陥検査解析システムにおいて、製造ラインAAおよび製造ラインBBの工程処理中あるいは進行中に発生した欠陥や異物を外観検査装置1 [0004] In the above defect inspection analysis system, such as, appearance inspection device defects and foreign matter occurred or in progress during the operation process of the manufacturing line AA and production line BB 1
によって検出し、検出した欠陥や異物のデータを、製品のロット番号と測定したウエハのウエハ情報、工程名称または工程番号とともに外観検査データ収集用計算機3 Detected by the data of the detected defects and foreign matter, the wafer information of the wafer was measured with the lot number of the product, the appearance inspection data collection computer with process name or process ID 3
に取り込む。 Take in to. また、プローブ検査工程Cにおいてプローブ検査装置6によって製品の出来映えを検査し、検査データを、製品のロット番号と測定したウエハ番号とともに検査データ収集用計算機8に取り込む。 Also, check the workmanship of the product by a probe inspection device 6 in the probe test step C, and test data, taking along with the wafer number and the measured lot number of the product to test data collection computer 8.

【0005】そして、外観検査データ収集用計算機3に取り込まれた欠陥や異物の位置座標と、検査データ収集用計算機8に取り込まれた検査データ、それに相応するチップ位置座標とを検査データ解析用計算機5において照らし合わせ、外観検査装置1で検出された欠陥や異物がプローブ検査装置6で検出された不良の要因になっていないかを解析している。 [0005] The appearance and position coordinates of the defect or foreign matter incorporated in the inspection data collection computer 3, test data taken into the inspection data collection computer 8, the test data analysis computer and chip position coordinates corresponding thereto against the 5, the detected defects or foreign matter in the appearance inspection apparatus 1 is analyzes or not a factor of defects detected by the probe test device 6.

【0006】ところで、上記した外観検査装置1による外観検査と、プローブ検査装置6による出来映え検査とのような、複数の検査工程で得られた検査データの重ね合わせ解析を精度良く実施するには、ウエハの表面に刻印されたウエハIDを外観検査毎に正確に読み取る必要があることは言うまでもない。 [0006] appearance inspection by the appearance inspection apparatus 1 described above, such as the workmanship inspection by probe testing apparatus 6, to accurately implement the analysis overlay inspection data obtained by a plurality of inspection process, the wafer ID imprinted on the surface of the wafer is required to accurately read each visual inspection course.

【0007】しかし、ウエハIDを目視にて確認する場合は、前工程で外観検査したウエハをウエハピンセット等にてウエハカセットから抜き取りID位置を探す作業が必要となるが、ウエハIDを探すのに少なからぬ時間を要するだけでなく、ウエハの抜き取り時に隣接したウエハを損傷してしまうこともあり、生産性や歩留まりを落としてしまう問題が発生する。 [0007] However, if you want to check the wafer ID with the naked eye is, before work to find a sampling ID position from the wafer cassette a wafer having a visual inspection at the wafer tweezers or the like in the process, but it is necessary, in order to look for the wafer ID not only it takes a considerable time, sometimes resulting in damage to the wafer adjacent to the time of withdrawal of the wafer, problem that dropped the productivity and yield occurs. ウエハID読み取り装置を導入した場合も、ウエハIDが刻印されている領域に回路パターンが造り込まれていたり、その領域が汚れていたりして、ウエハIDを正確に読み取れないことがある。 Even in the case of introducing the wafer ID reader, or have been incorporated making a circuit pattern in a region where the wafer ID is stamped, and is dirty or the region may not accurately read the wafer ID. このため、外観検査時には、検査対象のウエハをウエハIDで管理するのでなく、そのウエハが挿入されているウエハカセットのスロット位置番号(以下スロットIDと記す)で管理していることが多い。 Therefore, at the time of visual inspection, the wafer to be inspected, not to manage wafer ID, often managed by the slot position number of the wafer cassette whose wafer is inserted (hereinafter referred to as the slot ID).

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の欠陥検査解析方法において、ウエハIDで管理する場合には、 In the conventional defect inspection analysis method described above [0005], when managing a wafer ID is
ウエハIDが読み取れないと、そのウエハIDに対応する検査データは帰属不明となって意味のないものとなり、重ねあわせ解析が不可能となってしまう。 When the wafer ID can not be read, inspection data corresponding to the wafer ID becomes meaningless become the property of unknown, superposition analysis becomes impossible.

【0009】スロットIDで管理する場合には、ロットサイズがウエハカセットの収納容量を満たさない時、あるいは1つのウエハカセット内に多品種を収納、移載する製造形態において、スロットIDと、そこに収納されているウエハのロット、シリアル番号などとを工程毎に確認する必要がある。 [0009] In the case of managing the slot ID when the lot size does not meet the storage capacity of the wafer cassette, or housing a large variety in one wafer cassette, in the production form for transferring, a slot ID, there housed in which wafers of the lot, there is a need to check the serial number for each process. これを怠ると、ウエハの検査データが、そのウエハに帰属しないウエハIDに関係づけられて検査装置に取り込まれるため、取り込まれた検査データはウエハIDを読み取れない場合と同様に無意味なものとなり、重ねあわせ解析が不可能となってしまう。 Failure to do this, the inspection data of the wafer, therefore the wafer is related to wafer ID not belonging incorporated in the inspection apparatus, the inspection data captured becomes as well as meaningless and if not read the wafer ID , superposition analysis becomes impossible.

【0010】本発明は上記問題を解決するもので、複数の工程にて検査された検査データを無駄にすること無く重ね合わせ解析に使用できる欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システムを提供することを目的とする。 [0010] The present invention is intended to solve the above problems, to provide a no overlay defect inspection analysis method and a defect inspection analysis system that can be used in the analysis to waste inspection data were examined in a plurality of steps for the purpose.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために請求項1記載の本発明は、複数かつ一連の工程によって同一種類の製品を複数個製造する際に、各工程で発生した欠陥を外観により中間検査し、完成した製品の出来映えを評価検査し、両検査結果を重ね合わせることにより、検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析する欠陥検査解析方法であって、前記中間検査で得られた欠陥情報より予め設定した許容範囲内で欠陥座標が一致する欠陥数を求め、一致した欠陥数が最も大きい別工程の半製品どうしを同一物とみなし、各半製品ごとに欠陥情報を集積することを特徴とする。 Means for Solving the Problems The present invention according to claim 1, wherein in order to solve the above problems, when the plurality producing the same type of product by a plurality and a series of steps, the defects generated in each process appearance by an intermediate inspection, and evaluated inspected workmanship of the finished product, by superimposing the two test results, the detected defect is a defect inspection analyzing method for analyzing the effect on the workmanship of the product, the intermediate inspection acceptable calculated number of defects defect coordinates match within, regarded as the same product semi-finished products with each other for matching the number of defects is the largest another step, the defect information for each semi-finished product that has been set in advance from the obtained defect information characterized by integrated.

【0012】上記構成によれば、中間検査を行う少なくとも1つの工程で検査対象の半製品を特定することで、 According to the above configuration, by identifying the semi-finished product to be inspected at least one step performed intermediate inspection,
特定した半製品に対応する全ての欠陥情報を帰属させることができ、欠陥情報を無駄無く使用して精度よく、かつ効率よく重ね合わせ解析を実施できる。 Can be attributed to all of the defect information corresponding to the semi-finished product specified, it can be carried out accurately, and efficiently overlay analyzed using without waste defect information.

【0013】請求項2記載の本発明は、複数かつ一連の工程によって同一種類の製品を複数個製造する際に、各工程で発生した欠陥を外観により中間検査し、完成した製品の出来映えを評価検査し、両検査結果を重ね合わせることにより、検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析する欠陥検査解析方法であって、前記中間検査で得られた欠陥情報より予め設定した許容範囲内で欠陥座標が一致する欠陥数を求め、一致した欠陥数が最も大きい別工程の半製品どうしを同一物とみなし、各半製品ごとに欠陥情報を集積し、前記各半製品の集積欠陥情報と出来映え評価検査で得られた出来映え情報とを比較して、欠陥数と不良数との一致が最も大きい半製品、 [0013] According to a second aspect of the invention, when the plurality producing the same type of product by a plurality and a series of steps, an intermediate inspection by the appearance of defects generated in each process, evaluate the workmanship of the finished product examined, by superimposing two test results, the detected defect is a defect inspection analyzing method for analyzing the effect on the workmanship of the product, within the allowable range set in advance from the obtained defect information by the intermediate inspection in determined number of defects defect coordinates match, regarded as the same product semi-finished products with each other for matching the number of defects is the largest another step, integrated defect information for each semi-finished product, and the integrated defect information of each semi-finished product by comparing the workmanship information obtained in the workmanship evaluation test, the largest semi-finished product matches with the number of defects and the number of failure,
製品どうしを同一物とみなし、同一の半製品、製品ごとに前記両検査結果を重ね合わせることを特徴とする。 Products each other regarded as the same object, the same semi-finished product, characterized in that superimposing the two test results for each product.

【0014】上記構成によれば、中間検査を行う少なくとも1つの工程で検査対象の半製品を特定するか、あるいは出来映え評価検査の際に検査対象の製品を特定することで、検査を行った製品に対応する全ての欠陥情報および不良情報を帰属させることができ、従来のように欠陥情報を無駄にすることなく、精度よく、かつ効率よく重ね合わせ解析を実施できる。 With the above arrangement, or to identify the semi-finished product to be inspected at least one step performed intermediate inspection, or by specifying a product to be inspected during the workmanship rated test, products were examined all defect information and defect information corresponding can be attributed, without wasting defect information as in the prior art, can be performed accurately and efficiently overlay analysis.

【0015】ここで、欠陥なる語句は、接着不良、異物付着、パターン形成不良等を包含して意味するものとする。 [0015] Here, the defect The phrase, adhesion failure, adhesion of foreign matter, shall mean and include a pattern formation failure or the like. 製品の特定は、ウエハIDなどの製品IDの認識によってもよいし、スロットIDなどの製品収納位置ID Products identified, may be by the recognition of a product ID, such as a wafer ID, product storage location ID, such as the slot ID
の認識によってもよい。 Of it may be by the recognition.

【0016】請求項3記載の本発明は、上記した請求項1または請求項2のいずれかに記載の欠陥検査解析方法を実施する欠陥検査解析システムであって、製造ラインの途中で欠陥を外観検査する外観検査装置と、前記外観検査装置による検査データを収集解析する外観検査データ収集用計算機と、前記外観検査データ収集用計算機により収集解析された検査データに対応する座標を算出する座標演算用計算機と、完成した製品の出来映えを評価検査する出来映え検査装置と、前記出来映え検査装置による検査データを収集解析する検査データ収集用計算機と、前記座標演算用計算機と検査データ収集用計算機とに接続して設けられ、両計算機による計算結果を重ね合わせ前記外観検査装置で検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を [0016] According to a third aspect of the invention, a defect inspection analysis system embodying the defect inspection analyzing method according to claim 1 or claim 2 described above, the appearance defects in the course of the production line a visual inspection apparatus for inspecting a visual inspection data acquisition computer for collecting and analyzing the test data by the inspection system, for coordinate calculation for calculating the coordinates corresponding to the inspection data collected analyzed by the appearance inspection data collection computer and computer connects the workmanship inspection apparatus for evaluating inspecting the workmanship of the finished product, and the inspection data acquisition computer for collecting and analyzing the test data by the workmanship inspection device, the inspection data acquisition computer and the coordinate calculation computer provided Te, detected defects by the inspection system overlay calculation results of both computer the effect on the workmanship of the product 析する検査データ解析用計算機とを備えたことを特徴とする。 Characterized by comprising an inspection data analysis computer for analysis.

【0017】 [0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 図1に示した本発明の欠陥検査解析システムは、先に図4を用いて説明した従来の欠陥検査解析システムとほぼ同様に構成されている。 Defect inspection analysis system of the present invention shown in FIG. 1 has substantially the same structure as the previously conventional defect inspection analysis system described with reference to FIG.

【0018】外観検査装置1は、製造ラインAA,製造ラインBBからなる半導体製造ラインの途中で異物や欠陥を外観により中間検査するものであり、専用線2を通じて外観検査データ収集用計算機3に接続されている。 The appearance inspection apparatus 1, the production line AA, the appearance foreign matter and defects in the course of semiconductor manufacturing line consisting of the production line BB is intended to intermediate inspection, connected to a visual inspection data collection computer 3 via the dedicated line 2 It is.
プローブ検査装置6は、プローブ検査工程Cで半導体製造ラインの出来映えを検査する出来映え検査装置であり、ネットワーク7を通じて検査データ収集用計算機8 Probe testing apparatus 6 is a workmanship inspection apparatus for inspecting the workmanship of the semiconductor manufacturing line probe test step C, the inspection via a network 7 for data acquisition computer 8
に、次いでネットワーク9を通じて検査データ解析用計算機5に接続されている。 In, then connected to the test data analysis computer 5 via the network 9. ただし、外観検査データ収集用計算機3にネットワーク11を介して接続する座標演算用計算機10が設けられ、この座標演算用計算機10 However, the coordinate calculating computer 10 connected to the visual inspection data collection computer 3 via the network 11 is provided, the coordinate calculating computer 10
がネットワーク12を通じて検査データ解析用計算機5 Computer 5 for but inspection data analysis through the network 12
に接続されている。 It is connected to the.

【0019】以上のように構成された欠陥検査解析システムによる欠陥検査解析方法を図2のフローチャートに基づいて説明する。 [0019] be described with reference to the defect inspection analyzing method having the above structure defect inspection analysis system as in the flowchart of FIG. ここでは説明を容易にするために、 Here, for ease of explanation,
1ロットのウエハ50枚を、ウエハ25枚を格納可能な2つのウエハカセット、すなわちスロットID1〜25 1 50 wafers of the lot, 25 wafers can store two wafer cassettes, or slot ID1~25
を有するウエハカセット1と、スロットID26〜50 A wafer cassette 1 which has a slot ID26~50
を有するウエハカセット2とに収容するものとし、それぞれのウエハカセット中央位置であるスロットID13 It shall be housed in the wafer cassette 2 having a respective wafer cassettes center slot ID13
とスロットID38に収容されたウエハについて、図1 The wafer housed in the slot ID38 and, FIG. 1
に示した製造工程A,製造工程Bで順次に外観検査を実施するものとする。 Production process A shown in sequentially shall be carried out visual inspection in the manufacturing process B. ただし、工程AではウエハID(ウエハID13,ウエハID38)を特定することができ、工程BではウエハIDを特定できないものとする。 However, in the step A wafer ID (wafer ID 13, the wafer ID 38) can identify, and can not be identified the wafer ID in step B.

【0020】したがって、座標演算用計算機9が、#1 [0020] Thus, the coordinate calculating computer 9, # 1
において、外観検査データ収集用計算機2より2工程・ In appearance inspection data collection computer 2 from 2 processes and
2ウエハの検査データを取り込み、#2で、取り込んだデータを製造ラインを流れる工程順に並び替える。 It captures the inspection data of the second wafer, and # 2, sorted in the order of steps flowing through the production line imported data.

【0021】たとえば、スロットID13のウエハについて、工程Aにおける欠陥データの欠陥座標A13− [0021] For example, the wafer of the slot ID 13, defect coordinates of defect data in Step A A13
1,A13−2と、工程Bにおける欠陥データの欠陥座標B13−1,B13−2,B13−3とを取り込み、 1, and A13-2, defect coordinates B13-1 defect data in step B, B13-2, and B13-3 uptake,
スロットID38のウエハについて、工程Aにおける欠陥データの欠陥座標A38−1,A38−2と、工程B The wafer slot ID 38, defect coordinates of defect data in Step A A38-1, and A38-2, Step B
における欠陥データの欠陥座標B38−1,B38− Defect coordinate of a defect data in B38-1, B38-
2,B38−3とを取り込み、このように工程順に並び替える。 2, captures and B38-3, rearranged in this way in the order of steps. ここで、座標を表わすのに用いたA,Bは検査された工程を示し、その次の数字はスロットIDを示し、ハイフンで区切られた数字は個々のデータ特有のものである。 Here, A, B, which was used to represent the coordinates indicates the tested process, the following figures show the slot ID, numbers separated by a hyphen are those of the individual data specific.

【0022】次に#3において、工程AにおけるスロットID13のウエハの欠陥データの欠陥座標(A13− [0022] Next, at # 3, the defect coordinates of the defect data of the wafer slots ID13 in Step A (A13
1,A13−2)と、工程BにおけるスロットID13 1, and A13-2), slot in step B ID 13
及び38のウエハの欠陥データの欠陥座標(B13− And 38 of the defect coordinates of defect data of the wafer (B13-
1,B13−2,B13−3,B38−1,B38− 1, B13-2, B13-3, B38-1, B38-
2,B38−3)とを比較し、#4において、予め設定した許容範囲内で一致した座標数(たとえば、A13− 2, B38-3) and compares, in step # 4, the number of coordinates match within the allowable range set in advance (for example, A13
1とB13−1,B13−2とが一致し、A13−2とB38−3とが一致した場合、A13とB13との一致数2、A13とB38との一致数1)を出力する。 1 and B13-1, match and B13-2, if the A13-2 and B38-3 match, outputs the coincidence number 1) the match number 2, A13 and B38 and A13 and B13.

【0023】同様に#5において、工程AにおけるスロットID38のウエハの欠陥データの欠陥座標(A38 [0023] Similarly, in # 5, the defect coordinates of the defect data of the wafer slots ID38 in Step A (A38
−1,A38−2)と、工程BにおけるスロットID1 -1, and A38-2), slot in step B ID1
3及び38のウエハの欠陥データの欠陥座標(B13− 3 and 38 of the defect coordinate of the defect data of the wafer (B13-
1,B13−2,B13−3,B38−1,B38− 1, B13-2, B13-3, B38-1, B38-
2,B38−3)とを比較し、#6において、予め設定した許容範囲内で一致した座標数(たとえば、A38− 2, B38-3) and compares, in step # 6, the number of coordinates match within the allowable range set in advance (for example, A38-
1とB38−1とが一致し,A38−2とB38−2, 1 and B38-1 match, A38-2 and B38-2,
B38−3とが一致した場合、A38とB38との一致数3)を出力する。 If the B38-3 match, outputs the coincidence number 3) of the A38 and B38.

【0024】#7では、検査データ解析用計算機において、座標演算用計算機9の出力値に基づき、工程BにおけるスロットID13及び38のそれぞれのウエハを、 [0024] In # 7, the test data analysis computer, based on the output values ​​of the coordinate calculation computer 9, each wafer slot ID13 and 38 in step B,
一致した数が最も大きい工程AのスロットIDのウエハと同一ウエハとみなし、工程BのスロットIDのウエハのデータを、対応する工程AのスロットIDのウエハI Deemed matched numbers between the wafer and the same wafer slot ID of the largest step A, the data of the wafer slot ID of step B, the slot ID of the corresponding steps A wafer I
Dのデータとして書き替える。 Rewritten as D of the data.

【0025】ここでは、B13についてはA13との一致数2が最大なので、工程BでスロットID13として認識されたウエハと工程AでスロットID13として認識されたウエハとを同一ウエハとみなし、工程BにおいてスロットID13で検出された座標B13−1,B1 [0025] Here, since the match number 2 with A13 is maximum for B13, a recognized wafer recognized wafer Steps A in Step B as a slot ID13 as a slot ID13 regarded as the same wafer, in the step B coordinates detected by the slot ID13 B13-1, B1
3−2,B13−3に係る欠陥データを、工程AにおいてスロットID13で特定されたウエハID13のデータとして書き換える。 3-2, defect data relating to B13-3, rewritten as data for a wafer ID13 identified in slot ID13 in Step A.

【0026】同様に、B38についてはA38との一致数3が最大なので、工程BでスロットID38として認識されたウエハと工程AでスロットID38として認識されたウエハとを同一ウエハとみなし、工程BにおいてスロットID38で検出された座標B38−1,B38 [0026] Similarly, since the match number 3 of the A38 maximum for B38, regarded the wafer recognized as a slot ID38 in step B a recognized wafer Step A as a slot ID38 and the same wafer, in the step B coordinates detected by the slot ID38 B38-1, B38
−2,B38−3に係る欠陥データを、工程AにおいてスロットID38で特定されたウエハID38のデータとして書き換える。 -2, defect data relating to B38-3, rewritten as data for a wafer ID38 identified in slot ID38 in Step A.

【0027】以上のようにして、ウエハIDを特定できない工程Bでの検査データをウエハIDに帰属させることができるので、高精度な欠陥解析を実現できる。 [0027] As described above, since the test data in the step B can not determine the wafer ID can be assigned to the wafer ID, you can realize highly accurate defect analysis. 図1 Figure 1
の構成を有した欠陥検査解析システムによる別途の欠陥検査解析方法を図3のフローチャートに基づいて説明する。 It will be described with reference to separate defect inspection analyzing method according to the defect inspection analysis system having the configuration of the flow chart of FIG.

【0028】説明を容易にするために、図2を用いて説明した欠陥検査解析方法におけるのと同様に、1ロット50枚のウエハを、スロットID1〜25を有するウエハカセット1と、スロットID26〜50を有するウエハカセット2とに収容するものとし、それぞれのウエハカセット中央位置であるスロットID13とスロットI [0028] For ease of explanation, in the same manner as in the defect inspection analysis method described with reference to FIG. 2, one lot of 50 sheets of wafers, the wafer cassette 1 having a slot ID1~25, slot ID26~ shall be housed in the wafer cassette 2 with 50, are the respective wafer cassettes center slot ID13 and slot I
D38に収容されたウエハについて、工程A,工程Bで順次に外観検査を実施するものとする。 The wafer housed in D38, Step A, sequentially shall be carried out visual inspection in Step B. ただし、工程A However, Step A
・工程BともウエハIDを特定できないものとする。 Both · Step B shall not determine the wafer ID.

【0029】#11〜#16において、図2を用いて説明した欠陥検査解析方法の#1〜#6と同様にして、座標演算用計算機9より、データの比較、許容範囲内で一致した座標数の出力を行う。 [0029] In # 11 to # 16, in the same manner as # 1 to # 6 of the defect inspection analysis method described with reference to FIG. 2, from the coordinate calculating computer 9, the comparison of data, coordinates match within a tolerance perform the output of the number.

【0030】#17において、検査データ解析用計算機において、座標演算用計算機9の出力値に基づき、工程BにおけるスロットID13,38のそれぞれのウエハを、一致した数が最も大きい工程AのスロットIDのウエハと同一ウエハとみなし、工程BのスロットID1 [0030] In # 17, the test data analysis computer, based on the output values ​​of the coordinate calculation computer 9, each wafer slot ID13,38 in step B, matching the number of slots ID largest Step A regarded as the wafer and the same wafer, step B slot ID1
3,38のウエハのデータを、対応する工程AのスロットID13,38のデータとして書き替える。 The data of the wafer 3,38 rewrites as data slot ID13,38 the corresponding steps A.

【0031】そして#18において、#17で同一ウエハとみなしたウエハの欠陥座標をチップ座標に変換する。 [0031] Then, in # 18, converts the defect coordinates of the wafer was considered the same wafer at # 17 on the chip coordinates. つまり、工程AのスロットID13,38のデータとされた欠陥座標をチップ座標に変換する。 In other words, it converts the data and defect coordinates slot ID13,38 steps A to the chip coordinates.

【0032】また#19において、上述したようにして外観検査されたスロットID13,38のウエハに対する出来映え検査データをチップ座標として検査データ収集用計算機9に取り込む。 [0032] In # 19, taking the workmanship inspection data to an inspection data collection computer 9 as a chip coordinates for wafer slot ID13,38 that are appearance inspection in the manner described above.

【0033】#20で、検査データ解析用計算機により、#19で取り込んだスロットID13,38の不良チップ座標と#18で変換したチップ座標とを比較し、 [0033] In # 20, the test data analysis computer, compares the chip coordinates converted by the defective chip coordinates and # 18 slot ID13,38 taken in # 19,
#21において、先の#17と同様にして、一致した座標数の最も大きいスロットID(工程A)のウエハID In # 21, in the same manner as previous # 17, wafer ID largest slot ID number matching the coordinates (Step A)
のデータに、#19で取り込んだ出来栄え検査データを書き込む。 To the data, and writes the workmanship inspection data captured by # 19.

【0034】以上のようにして、ウエハIDを特定できない検査工程での検査データをウエハIDに帰属させることができるので、高精度な欠陥解析を実現できる。 [0034] As described above, since the inspection data in the inspection process can not determine the wafer ID can be assigned to the wafer ID, you can realize highly accurate defect analysis.

【0035】 [0035]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数の工程のそれぞれ検出された情報どうしを比較し、一致する情報数が多い半製品や製品を同一物と特定するようにしたため、半製品あるいは製品のIDを認識できない場合も重ね合わせ解析を精度よく、かつ効率よく実施できる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, since as compared with information each other respectively detected in a plurality of steps, to identify a matching information number of many semi-products or products of the same product, the semi accuracy even superposition not recognize the ID of the product or product analysis well, and can be efficiently implemented.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態における欠陥検査解析システムを示す構成図。 Diagram showing a defect inspection analysis system according to an embodiment of the present invention; FIG.

【図2】図1に示した欠陥検査解析システムによる欠陥検査解析方法を示すフローチャート。 2 is a flowchart showing a defect inspection analyzing method according to the defect inspection analysis system shown in Figure 1.

【図3】図1に示した欠陥検査解析システムによる別の欠陥検査解析方法を示すフローチャート。 FIG. 3 is a flowchart illustrating another defect inspection analyzing method according to the defect inspection analysis system shown in Figure 1.

【図4】従来の欠陥検査解析システムを示す構成図。 Figure 4 is a configuration diagram showing a conventional defect inspection analysis system.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 外観検査装置 3 外観検査データ収集用計算機 5 検査データ解析用計算機 6 プローブ検査装置 8 検査データ収集用計算機 10 座標演算用計算機 A 製造工程 B 製造工程 1 appearance inspection device 3 appearance inspection data collection computer 5 test data analysis computer 6 probe test apparatus 8 test data collection computer 10 coordinates calculating computer A fabrication process B manufacturing process

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 複数かつ一連の工程によって同一種類の製品を複数個製造する際に、各工程で発生した欠陥を外観により中間検査し、完成した製品の出来映えを評価検査し、両検査結果を重ね合わせることにより、検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析する欠陥検査解析方法であって、 前記中間検査で得られた欠陥情報より予め設定した許容範囲内で欠陥座標が一致する欠陥数を求め、一致した欠陥数が最も大きい別工程の半製品どうしを同一物とみなし、各半製品ごとに欠陥情報を集積することを特徴とする欠陥検査解析方法。 When multiple manufacturing the same type of product by 1. A plurality and a series of steps, the defects generated in the process and intermediate examined by appearance, to evaluate inspected workmanship of the finished product, both test results defects by superposing the detected defect is a defect inspection analyzing method for analyzing the effect on the workmanship of the product, where the defect coordinates within the allowable range set in advance from the obtained defect information in the intermediate test matches calculated by determining the number, matched regarded as identical product semi-finished products with each other in the number of defects is the largest another step, the defect inspection analysis method characterized by integrating the defect information for each semi-finished product.
  2. 【請求項2】 複数かつ一連の工程によって同一種類の製品を複数個製造する際に、各工程で発生した欠陥を外観により中間検査し、完成した製品の出来映えを評価検査し、両検査結果を重ね合わせることにより、検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析する欠陥検査解析方法であって、 前記中間検査で得られた欠陥情報より予め設定した許容範囲内で欠陥座標が一致する欠陥数を求め、一致した欠陥数が最も大きい別工程の半製品どうしを同一物とみなし、各半製品ごとに欠陥情報を集積し、 前記各半製品の集積欠陥情報と出来映え評価検査で得られた出来映え情報とを比較して、欠陥数と不良数との一致が最も大きい半製品、製品どうしを同一物とみなし、 When multiple manufacturing the same type of product by 2. A plurality and a series of steps, the defects generated in the process and intermediate examined by appearance, to evaluate inspected workmanship of the finished product, both test results defects by superposing the detected defect is a defect inspection analyzing method for analyzing the effect on the workmanship of the product, where the defect coordinates within the allowable range set in advance from the obtained defect information in the intermediate test matches determined number, regarded as the same product semi-finished products with each other for matching the number of defects is the largest another step, integrated defect information for each semi-finished product, the obtained in the integrated defect information and workmanship evaluation test of each semi-finished product by comparing the workmanship information, it regards the largest semi-finished product is consistent with the number of defects and the number of poor products to each other and the same product,
    同一の半製品、製品ごとに前記両検査結果を重ね合わせることを特徴とする欠陥検査解析方法。 Same semi-finished products, defect inspection analysis method characterized by superimposing the two test results for each product.
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2のいずれかに記載の欠陥検査解析方法を実施する欠陥検査解析システムであって、 製造ラインの途中で欠陥を外観検査する外観検査装置と、 前記外観検査装置による検査データを収集解析する外観検査データ収集用計算機と、 前記外観検査データ収集用計算機により収集解析された検査データに対応する座標を算出する座標演算用計算機と、 完成した製品の出来映えを評価検査する出来映え検査装置と、 前記出来映え検査装置による検査データを収集解析する検査データ収集用計算機と、 前記座標演算用計算機と検査データ収集用計算機とに接続して設けられ、両計算機による計算結果を重ね合わせ前記外観検査装置で検出された欠陥が製品の出来映えに及ぼす影響を解析する検査データ解析用計算 3. A defect inspection analysis system embodying the defect inspection analyzing method according to claim 1 or claim 2, and appearance inspection apparatus of the defect to visual inspection in the middle of the production line, the appearance and visual inspection data acquisition computer for collecting and analyzing the test data by the test device, the coordinate calculation computer to calculate the coordinates corresponding to the inspection data collected analyzed by the appearance inspection data collection computer, the workmanship of the finished product and workmanship inspection device for evaluating test, the inspection data acquisition computer for collecting and analyzing the test data by the workmanship inspection apparatus arranged in connection to the test data acquisition computer and the coordinate calculation computer calculation results by both computer defects detected the appearance inspection device overlay the calculation inspection data analysis for analyzing the effect on the workmanship of the product 機とを備えたことを特徴とする欠陥検査解析システム。 Defect inspection analysis system is characterized in that a machine.
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