JP2002050565A - Stencil mask and its manufacturing method - Google Patents

Stencil mask and its manufacturing method

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JP2002050565A JP2000236092A JP2000236092A JP2002050565A JP 2002050565 A JP2002050565 A JP 2002050565A JP 2000236092 A JP2000236092 A JP 2000236092A JP 2000236092 A JP2000236092 A JP 2000236092A JP 2002050565 A JP2002050565 A JP 2002050565A
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Yoshinori Kojima
義則 小島
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株式会社半導体先端テクノロジーズ
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a mask, in which an isolated pattern is surrounded by an opening pattern in a stencil mask.
SOLUTION: A method for manufacturing the stencil mark comprises the steps of selectively retaining an insulating film part of an SOI wafer of a material of the mask, to incorporate a role of a beam for holding a shielding pattern surrounded in the opening pattern, and forming a pattern on the stencil mask such that a shape of the pattern is floating in the air.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明が属する技術分野】本発明は半導体素子を製造する際に用いられる電子ビーム描画技術に関するものである。 The present invention relates] is related to the electron beam drawing technique used in fabricating semiconductor devices. さらに詳しくは、電子ビーム描画装置で用いられるステンシルマスクとその製造方法に関するものである。 More particularly, it relates to a stencil mask and a manufacturing method thereof for use in the electron beam drawing apparatus.

【0002】 [0002]

【従来の技術】図2は、電子ビーム露光(EB露光)の概略を説明するための斜視図で、特に一括転写マスクの構成を説明するための図である。 BACKGROUND OF THE INVENTION FIG 2 is a perspective view for explaining the outline of the electron beam exposure (EB exposure) are diagrams for specifically described the structure of the collective transfer mask. 図2において、電子銃(図示せず)から発生した電子ビームは、第一成形アパーチャ7により一括転写領域10をカバーするビームに成形され、ステンシルマスク9上の一括転写領域10に照射される。 2, the electron beam generated from an electron gun (not shown), is shaped into a beam that covers the bulk transfer region 10 by a first shaping aperture 7, it is applied to the bulk transfer region 10 on the stencil mask 9. ステンシルマスク9を抜けた電子ビーム8 Electron beam 8 which passes through the stencil mask 9
はステンシルマスク9のパターンデータをウェーハ11 Wafer 11 the pattern data of the stencil mask 9
上に転写する。 It is transferred to the above. このように、EB投影露光方法や部分一括EB露光方法において、そのマスクとして用いられるステンシルマスクは、図2に示すように、電子ビームを透過させる部分はマスクの材料が無く完全な開口部となっているもので、この開口部分を通り抜けた電子ビームがウェーハ上に縮小転写されることになる。 Thus, in EB projection exposure method and partial batch EB exposure method, a stencil mask used as a mask, as shown in FIG. 2, a portion which transmits the electron beam a material of the mask is not full opening and those are, so that the electron beam passed through the aperture is reduced and transferred onto the wafer.

【0003】通常、このステンシルマスクの材料としては、電子ビームの遮光性とマスクとしての加工性等を考慮して、SOI(Si on Insulator)ウェーハが使用されている。 [0003] Normally, as the material of the stencil mask, in consideration of workability or the like as a light-shielding mask of the electron beam, SOI (Si on Insulator) wafers are used. 図3は一般的なステンシルマスクの製造フローを示すもので、SOIウェーハを用いてステンシルマスクを作成するフローの概略を示している。 Figure 3 shows a production flow of a general stencil mask, a schematic of flow to create a stencil mask using the SOI wafer. 図3では、 In Figure 3,
ステンシルマスクのうち、ある任意の一括転写領域に着目し、その部分の断面図と、SOI層側から見た上面図を示している。 Of stencil mask, focusing on an arbitrary collective transfer region, it shows a cross-sectional view of the part, a top view seen from the SOI layer side. この断面図は、上面図におけるA−B線の断面を断面観察位置15としたものである。 The cross section is obtained by a cross section observation position 15 the cross section of the A-B line in the top view.

【0004】製造工程について説明すると、先ず図3 [0004] Referring to the manufacturing process, first, FIG. 3
(A)に示すように、SOI層12、絶縁膜層13およびベースウェーハ層14を積層したウェーハを用意する。 As shown in (A), SOI layer 12, is prepared laminated wafer insulating film layer 13 and the base wafer layer 14. 一般的には、ベースウェーハ層14はシリコンウェーハ、絶縁膜層13はシリコン酸化膜である。 In general, the base wafer layer 14 is a silicon wafer, an insulating film layer 13 is a silicon oxide film. 次に、図3(B)に示すように、ベースウェーハ層14をエッチングし大きな開口14aを開ける。 Next, as shown in FIG. 3 (B), a base wafer layer 14 is etched opening the large opening 14a. EB投影露光法においても部分一括EB露光法においても、通常この開口領域14aが一回のショットにおいて一括転写される領域となる。 Even partial batch EB exposure method even in EB projection exposure method, a normal region where the opening area 14a is collectively transferred in one shot.

【0005】次に、図3(C)に示すように、SOI層12に電子ビームのマスクとなるパターンを形成する。 [0005] Next, as shown in FIG. 3 (C), to form a pattern on the SOI layer 12 as a mask of the electron beam.
絶縁膜層13はこれらSiエッチのストッパ膜として使用される。 Insulating film layer 13 is used as a stopper film thereof Si etch. 次に、図3(D)に示すように、パターニング後、絶縁膜層13を除去する。 Next, as shown in FIG. 3 (D), after patterning, to remove the insulating film layer 13.

【0006】一般的にこれらのステンシルマスクにおいては、その構造上、電子ビームを遮光する為の遮光パターン部分が、電子ビームを透過させる開口パターン部分に囲まれて遮光部分が宙に浮く形となる様なドーナツ構造のパターンは作製不可能である。 [0006] In general, these stencil masks, its structure, the light shielding pattern portion for shielding the electron beam, becomes the light shielding portion is surrounded by the opening pattern part transmitting the electron beam and forms float in the air the pattern of such donut structure is impossible prepared.

【0007】図4はドーナツ状のパターンに対する従来の対処法を示す。 [0007] Figure 4 shows a conventional remedy for donut-shaped pattern. 図4(A)において、ドーナツ状の開口パターンを有する一括露光領域16は、SOI層12 Figure 4 (A), the shot exposure area 16 having a donut-shaped opening pattern, SOI layer 12
の島状の遮光パターン12aが環状の開口パターン12 Opening pattern 12 shielding pattern 12a is circular island
bに囲まれている。 It is surrounded by b. 分割後マスク17は左半部パターン17aと右半部パターン17bとに分割されている。 Split after mask 17 is divided into a left half portion pattern 17a and a right half pattern 17b. このように、たとえばEB投影露光方法においては、本来は一度に一括で露光される領域を2つ以上に分割し、それぞれを別々に一括描画し、ウェーハ上で重ねあわせることにより、もとのパターンにする方法が取られている。 Thus, for example, in the EB projection exposure method, originally divide the area to be exposed in bulk at a time two or more, respectively the batch separately rendered, by superimposing on the wafer, the original pattern how to have been taken.

【0008】また、別のアプローチとして、図4(B) [0008] In addition, as another approach, and FIG. 4 (B)
に示すように、一括露光領域16のパターンデータそのもの変更し、データ処理後マスク18のように、パターンに梁12cを入れることでパターンが抜け落ちるのを防ぐことも行われている。 As shown in, and the pattern data itself change the collective exposure region 16, as in the data processing after the mask 18 is also conducted to prevent the pattern from falling out by putting the beam 12c to the pattern.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】一般に、一回で一括描画するべきところを2つ以上に分割する場合には、実質的に描画回数が増える為、スループットが落ちる。 To [0008] Generally, in the case of dividing the place to be collectively drawn in once in two or more, in order to increase substantially the drawing number of times, throughput falls. また、一つですんでいた一括転写領域を2個以上のものに分けることから、当然マスク面積が増大し、一枚のステンシルマスクに描画できるデータが小さくなることが生じる。 Furthermore, since dividing the collective transfer region lived in one to two or more things, naturally masked area increases, resulting that the data that can be drawn over one of the stencil mask is reduced. これは、EB投影露光方法においては、一枚のステンシルマスクでの描画可能チップ面積を縮小し、スループットを減少させるものであり、部分一括EB露光においても、選択可能なブロック数の減少によりスループットが減少することになっていた。 This is because in the EB projection exposure method, to reduce the drawable chip area of ​​a piece of the stencil mask, which reduces the throughput, even in partial batch EB exposure, throughput due to a decrease in number of selectable blocks It was supposed to be reduced. さらに、パターンデータ変更の際には、そのためのデータ処理システムを確立しなければ成らない等、技術的な難易度が高かった。 Furthermore, when the pattern data changes, etc. shall have to establish a data processing system therefor, technical difficulty was high.

【0010】本発明は上記従来技術の問題点を鑑みなされたもので、パターンのデータ処理に負担をかけることがなく、かつ、描画面積やスループットを落とすこと無く、ステンシルマスク上でドーナツパターンの配置を可能とする様なステンシルマスクの作成方法の提供を目的とする。 [0010] The present invention has been made in view of the problems of the prior art, without burdening the data processing of the pattern, and without lowering the drawing area and throughput, the arrangement of the donut pattern on the stencil mask the object of the present invention to provide a method of creating possible to such a stencil mask.

【0011】 [0011]

【課題を解決する為の手段】前記目的を達成するため、 Means for Solving the Problems In order to achieve the above object,
本発明は、ステンシルマスクの材料となるSOIウェーハの絶縁膜部分に梁の機能を持たせる構造とすることで、データ変換をすること無く、かつ、スループット、 The present invention, by the structure to provide a function of the beam to the insulating film portion of the SOI wafer as a material for the stencil mask, without the data conversion, and throughput,
描画面積の低下を招くこと無く、ステンシルマスク上にドーナツパターンを配置させることを可能とするものである。 Without lowering the drawing area, and makes it possible to be placed a donut pattern on the stencil mask.

【0012】本発明のステンシルマスクは、電子ビーム描画装置で用いられるステンシルマスクであって、表面パターン層が島状の遮光パターン部とこの島状の遮光パターン部を取囲む環状の開口パターン部とを有する。 [0012] stencil mask of the present invention, there is provided a stencil mask used in the electron beam lithography system, an annular opening pattern units surface pattern layer surrounding the island-shaped light shielding pattern portion and the island-shaped light-shielding pattern portion having. また、この表面パターン層の背面に接合された梁状のパターンによって遮光パターン部を支持するようにしたものである。 Moreover, the beam-like pattern which is joined to the back of the surface pattern layer is obtained so as to support the light shielding pattern portion.

【0013】また、本発明のステンシルマスクは、開口部を有するベースウェーハと、このベースウェーハの上に形成されこのベースウェーハの開口部において梁状のパターンを有する絶縁膜層と、この絶縁膜層の上に形成され上記絶縁膜層の梁状のパターンの上で孤立した遮光パターンを有する表面パターン層とを備えたものである。 Further, the stencil mask of the present invention, a base wafer having an opening, and the insulating film layer having a beam-like pattern in the opening of the base wafer is formed on the base wafer, the insulating film layer formed on those having a surface pattern layer having a light-shielding pattern isolated on the beam-shaped pattern of the insulating film layer.

【0014】また、本発明のステンシルマスクは、前記梁状のパターンを、電子ビーム描画装置の解像限界以下にしたものである。 Further, the stencil mask of the present invention, the beam-like pattern is obtained by the following resolution limit of the electron beam drawing apparatus.

【0015】また、本発明のステンシルマスクは、前記梁状のパターンを、ラインパターン又は格子状パターンとしたものである。 Further, the stencil mask of the present invention, the beam-shaped pattern, in which a line pattern or a grid pattern.

【0016】また、本発明のステンシルマスクの製造方法では、ベースウェーハの上に絶縁膜層を形成しその上にシリコン層を形成する。 Further, in the stencil mask manufacturing method of the present invention, an insulating film layer on the base wafer to form a silicon layer thereon. また、前記ベースウェーハに前記絶縁膜層に達する所定の開口を形成する。 Also, to form the predetermined opening reaching the insulating layer on the base wafer. また、前記ベースウェーハの前記開口に対応した位置で前記シリコン層に環状の開口パターンに囲まれた島状の遮光パターンを形成する。 Further, to form an annular island-shaped light shielding pattern surrounded by an opening pattern in said silicon layer at a position corresponding to the opening of the base wafer. また、前記ベースウェーハの前記開口から前記絶縁膜層を選択的にエッチング除去し前記島状の遮光パターンを保持する梁状のパターンを形成するものである。 Moreover, it forms a beam-like pattern, wherein the insulating film layer through the opening of the base wafer selectively etched away to hold the island-shaped light shielding pattern.

【0017】また、本発明のステンシルマスクの製造方法では、前記絶縁膜層の梁状のパターンを、電子ビーム描画装置の解像限界以下に形成するものである。 [0017] In the manufacturing method of a stencil mask of the present invention, the beam-like pattern of the insulating film layer, and forms the following resolution limit of the electron beam drawing apparatus.

【0018】また、本発明のステンシルマスクの製造方法では、前記絶縁膜層の梁状のパターンを、ラインパターン又は格子状パターンに形成するものである。 [0018] In the manufacturing method of a stencil mask of the present invention, the beam-like pattern of the insulating film layer is for forming a line pattern or grid pattern.

【0019】 [0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the present invention. 図1は、本発明によるステンシルマスクの製造方法のフローを示す図である。 Figure 1 is a diagram showing a flow of a manufacturing method of a stencil mask according to the present invention. 図1において、上面図はSOI層側から見た図を示し、下面図はベースウェーハ側から見た図を示している。 In Figure 1, a top view shows a view from the SOI layer side, bottom view shows a view from the side of the base wafer. また、断面図は上面図及び下面図のA−B線における断面観察位置6から見た断面を示す。 The sectional drawing shows the cross section seen from the cross section observing position 6 in line A-B of a top view and a bottom view.

【0020】製造工程について説明すると、先ず図1 [0020] Referring to the manufacturing process, first, FIG. 1
(A)は、ステンシルマスク材料となるSOIウェーハを示している。 (A) shows the SOI wafer serving as a stencil mask material. SOIウェーハは、SOI層1、絶縁膜層2及びベースウェーハ3からなっている。 SOI wafer is comprised of the SOI layer 1, insulating layer 2 and the base wafer 3. 次に、図1 Next, as shown in FIG. 1
(B)に示すように、エッチングによりベースウェーハ3に一括転写開口領域4を形成する。 As shown in (B), a batch transfer opening area 4 in the base wafer 3 by etching. このとき、絶縁膜層2がエッチングストッパとして作用する。 At this time, the insulating film layer 2 acts as an etching stopper.

【0021】次に、図1(C)に示すように、SOI層1に選択エッチングによりパターンを形成する。 Next, as shown in FIG. 1 (C), to form a pattern by selective etching on the SOI layer 1. このパターンは、一括転写開口領域4に対応する位置に形成された、孤立した島状のパターン1aとこれを取り囲む開口パターン1bとを含んでいる。 This pattern includes batch transfer aperture regions 4 are formed in positions corresponding to, and island-like pattern 1a was isolated and the opening pattern 1b which surrounds it. 次に、図1(D)に示すように、絶縁膜層2を開口4の側から選択的にエッチングして絶縁膜層2の一部を残し、梁パターン5を形成する。 Next, as shown in FIG. 1 (D), selectively leaving a portion of the insulating film layer 2 etching the insulating film layer 2 from the side of the opening 4, to form a beam pattern 5.

【0022】以上のように、本実施の形態では表面パターンを形成した後に絶縁膜層2を選択的に残すことによる梁パターン5の形成を行なっている。 [0022] As described above, in the present embodiment is performed to form the beam pattern 5 by selectively leaving it the insulating layer 2 after the formation of the surface pattern. 梁パターン5の形成の為には、露光装置によるレジストパターニングとそのレジストパターンをマスクとしたエッチングが行われるが、簡略の為、エッチング後の様子を示した。 For formation of the beam pattern 5 is etching using a resist patterned by the exposure apparatus and the mask the resist pattern is performed, for simplicity, showing the state after etching.

【0023】この梁に用いるパターンデータは解像度が同じ描画装置で用いるすべてのステンシルマスクに対して、同じデータを用いることが可能であることや、単純なラインス/ペース(L/S)や格子のデータで良いことから、データ変換というような負荷を強いるものではない。 [0023] For all of the stencil mask pattern data is the resolution used in this beam is used in the same writing apparatus, and it is possible to use the same data, a simple Rhinestone / pace (L / S) and lattice since good data, it does not impose a load such as that the data conversion. さらに、梁として残すべきパターンは光露光でもパターニング可能なサイズである為、光ステッパを利用してパターニングをする際には一つのレチクルを作成するだけで、多くのステンシルマスクに対応することが可能である。 Further, since the pattern should remain as a beam which is patternable size in light exposure, only creates a single reticle when the patterning using light stepper, may correspond to a number of the stencil mask it is.

【0024】このような構造にすることにより、選択的に残した絶縁膜部が梁パターン5を形成し、開口パターン部1bに囲まれた遮光パターン部分1あを保持する梁の役目をする為、遮光パターン部分1あが宙に浮く形となる様なドーナツ状のパターンを、データ加工等をすること無しに、ステンシルマスク上に作成することが可能となる。 [0024] With such a structure, since the selectively leaving the insulating film portion form a beam pattern 5, which serves as a beam for holding the light shielding pattern portion 1 Oh surrounded by the opening pattern portion 1b , a light shielding pattern portion 1 donut-like pattern, such as a form that floats on Agachu, without making the data processing or the like, it is possible to create on the stencil mask. また、梁となるパターンを、該当するステンシルマスクが使用される露光装置の解像限界以下とすることで、パターニング性能を損なうことも無い。 Also, a pattern of the beam, is set to lower than or equal to the resolution limit of the exposure apparatus applicable stencil mask is used, it is also not impair the patterning performance. 尚、図1 Incidentally, FIG. 1
では絶縁膜層2の梁パターン5としては、縦のライン/ In The beam pattern 5 of the insulating film layer 2, vertical lines /
スペース(縦L/S)を用いたが、横L/Sでも良いし、格子状のパターンでもよい。 Was used space (vertical L / S), may be the next to L / S, it may be a grid pattern.

【0025】以上説明したように、本発明によれば、電子ビーム描画装置で用いられるステンシルマスクであって、開口部4を有する基板(ベースウェーハ3)と、このベースウェーハ3の上に形成されこのベースウェーハの開口部4において梁状のパターン5を有する絶縁膜層2と、この絶縁膜層2の上に形成され絶縁膜層2の梁状のパターン5の上で孤立した遮光パターン部1aを有する表面パターン層(SOI層1)とを備えたものである。 [0025] As described above, according to the present invention, there is provided a stencil mask used in the electron beam lithography apparatus, a substrate having an opening portion 4 (the base wafer 3), is formed on the base wafer 3 an insulating layer 2 having a pattern 5 of the beam-shaped at the opening 4 of the base wafer, the formed on the insulating film layer 2 isolated light shielding pattern portion 1a on the beam-like pattern 5 of the insulating film layer 2 surface pattern layer having those having a (SOI layer 1) and.

【0026】また、以上説明したように、本発明のステンシルマスクの製造方法では、SOIウェーハを用いて、ベースウェーハ3に絶縁膜層2に達する所定の開口4を形成する。 Further, as described above, in the manufacturing method of a stencil mask of the present invention, by using an SOI wafer, forming a predetermined opening 4 in the base wafer 3 down to the insulation layer 2. ベースウェーハ3の開口4に対応した位置でシリコン層1に環状の開口パターン1bに囲まれた島状の遮光パターン1aを形成する。 The silicon layer 1 at a position corresponding to the opening 4 of the base wafer 3 to form an annular opening pattern 1b into the island-shaped light-shielding pattern 1a enclosed. さらに、ベースウェーハ3の開口4から絶縁膜層2を選択的にエッチング除去し、島状の遮光パターン1aを保持する梁状のパターン5を形成するものである。 Moreover, it forms a beam-like pattern 5 from the opening 4 of the base wafer 3 is selectively removed by etching the insulating film layer 2, to hold the island-shaped light shielding pattern 1a.

【0027】 [0027]

【発明の効果】本発明によれば、電子ビーム描画装置等で用いられるステンシルマスクの一括転写領域において、電子ビームを遮光する為の遮光パターン部が、電子ビームを透過させる開口パターン部に囲まれて遮光部分が宙に浮く形となる様な、いわばドーナツ状のパターンを形成することができる。 According to the present invention, in the collective transfer region of the stencil mask used in the electron beam lithography system or the like, the light shielding pattern portion for shielding the electron beam is surrounded by the opening pattern portion for transmitting an electron beam shielding portion Te is given as a form of floating in the air, so to speak can be formed donut-shaped pattern. したがって、EB投影露光や、部分一括EB露光のスループットの向上に寄与するところが大きい。 Thus, EB projection exposure and, which greatly contributes to the improvement of the throughput of the partial batch EB exposure.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明における、ステンシルマスクの製造フローを示す図。 In Figure 1 the present invention, shows a production flow of the stencil mask.

【図2】 一般の電子ビーム描画装置の概略構成と一括転写マスクを示す斜視図。 Figure 2 is a perspective view schematic configuration and showing a collective transfer mask of a general electron beam lithography apparatus.

【図3】 一般的なステンシルマスクの製造フローを示す図。 FIG. 3 shows a production flow of a general stencil mask.

【図4】 従来のステンシルマスクで孤立パターンの対処法を示す図。 FIG. 4 shows the Action of the isolated pattern in the conventional stencil mask.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 SOI層、 1a 島状パターン、 1b 開口パターン、 2 絶縁膜層、 3 ベースウェーハ、 4 1 SOI layer, 1a island pattern, 1b opening pattern 2 insulating film layer, 3 the base wafer, 4
開口領域、 5 梁パターン。 Open area 5 the beam pattern.

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 電子ビーム描画装置で用いられるステンシルマスクであって、島状の遮光パターンとこの島状の遮光パターンを取囲む環状の開口パターンとを有する表面パターン層と、上記表面パターン層の背面に接合され上記遮光パターンを支持する梁状のパターンとを備えたことを特徴とするステンシルマスク。 1. A stencil mask used in the electron beam lithography system, a surface pattern layer having an annular opening pattern surrounding the island-shaped light-shielding pattern and an island-shaped light shielding pattern, the surface pattern layer stencil mask, characterized in that joined to the back and a beam-like pattern for supporting the light-shielding pattern.
  2. 【請求項2】 電子ビーム描画装置で用いられるステンシルマスクであって、開口部を有するベースウェーハと、このベースウェーハの上に形成されこのベースウェーハの開口部において梁状のパターンを有する絶縁膜層と、この絶縁膜層の上に形成され上記絶縁膜層の梁状のパターンの上で孤立した遮光パターンを有する表面パターン層とを備えたことを特徴とするステンシルマスク。 2. A stencil mask used in the electron beam lithography apparatus, a base wafer having an opening is formed on the base wafer insulating film layer having a beam-like pattern in the opening of the base wafer When, a stencil mask is characterized in that a surface pattern layer having a light-shielding pattern isolated on the beam-shaped pattern formed on the insulating film layer above the insulating film layer.
  3. 【請求項3】 前記梁状のパターンを、電子ビーム描画装置の解像限界以下にしたことを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスク。 3. A stencil mask according to claim 1 or 2, characterized in that the beam-shaped pattern, was below the resolution limit of the electron beam drawing apparatus.
  4. 【請求項4】 前記梁状のパターンを、ラインパターン又は格子状パターンとしたことを特徴とする請求項1〜 The method according to claim 4, wherein said beam-like pattern, characterized in that a line pattern or a grid-like pattern according to claim 1
    3のいずれかに記載のステンシルマスク。 Stencil mask according to any of the three.
  5. 【請求項5】 ベースウェーハの上に絶縁膜層を形成しその上にシリコン層を形成する工程と、 前記ベースウェーハに前記絶縁膜層に達する所定の開口を形成する工程と、 前記ベースウェーハの前記開口に対応した位置で前記シリコン層に環状の開口パターンに囲まれた島状の遮光パターンを形成する工程と、 前記ベースウェーハの前記開口から前記絶縁膜層を選択的にエッチング除去し前記島状の遮光パターンを保持する梁状のパターンを形成することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 5. A top of the base wafer and forming a silicon layer thereon to form an insulating film layer, and forming a predetermined opening reaching the insulating layer on the base wafer, the base wafer step and, selectively said island is removed by etching the insulating layer through the opening of the base wafer to form an island-like light-shielding pattern surrounded by an annular opening pattern in the silicon layer at a position corresponding to the opening method for producing a stencil mask and forming a beam-like pattern to hold the Jo of the light-shielding pattern.
  6. 【請求項6】 前記絶縁膜層の梁状のパターンを、電子ビーム描画装置の解像限界以下に形成することを特徴とする請求項5に記載のステンシルマスクの製造方法。 Wherein said beam-shaped pattern of the insulating film layer, the manufacturing method of a stencil mask according to claim 5, characterized in that formed below the resolution limit of the electron beam drawing apparatus.
  7. 【請求項7】 前記絶縁膜層の梁状のパターンを、ラインパターン又は格子状パターンに形成することを特徴とする請求項5又は6に記載のステンシルマスクの製造方法。 7. A method for producing a stencil mask according to claim 5 or 6 a beam-shaped pattern of the insulating film layer, and forming a line pattern or grid pattern.
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