JP2002042525A - Planar light source - Google Patents

Planar light source

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JP2002042525A
JP2002042525A JP2000225921A JP2000225921A JP2002042525A JP 2002042525 A JP2002042525 A JP 2002042525A JP 2000225921 A JP2000225921 A JP 2000225921A JP 2000225921 A JP2000225921 A JP 2000225921A JP 2002042525 A JP2002042525 A JP 2002042525A
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phosphor
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semiconductor
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Tadanobu Iwasa
忠信 岩佐
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Toyoda Gosei Co Ltd
豊田合成株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar light source which radiates white group light with a new configuration. SOLUTION: A planar light source 1 comprises a semiconductor light-emitting element of emission wavelength 360-400 nm, a first layer where a first phosphor 80 is diffused to convert the light from the semiconductor light-emitting element into blue group light, and a second layer where a second phosphor 81 is diffused to convert the blue group light into yellow or yellow-green group light.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、面状光源に関する。 The present invention relates to a surface light source. 詳しくは、III族窒化物系化合物半導体発光素子と蛍光体との組合せにより、全体として白色系の光を放射可能な面状光源に関する。 Specifically, the combination of a Group III nitride compound semiconductor light-emitting element and the phosphor, the light of the white-based on the emission can be a planar light source as a whole.

【0002】 [0002]

【従来の技術】青色系の発光ダイオードとフォトルミネセンス蛍光体の組合せにより白色系の光を発光可能な面状光源が特開平10−242513号公報に開示されている。 BACKGROUND OF THE INVENTION blue light emitting diode and a photoluminescent phosphor combination a white light-emitting can be planar light source light of the of have been disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-242513. 当該公報に記載の面状光源では、青色系の発光ダイオードからの光を吸収し黄色系の光を発光するセリウム(Ce)で付活されたイットリウム・アルミニウム・ The planar light source according to this publication, yttrium aluminum which is activated with cerium (Ce) for emitting yellow light by absorbing light from blue light-emitting diode
ガーネット系蛍光体を用い、発光ダイオードからの青色系の光と蛍光体からの黄色系の光との混色により白色系の発光を得ている。 Using a garnet-based phosphor, to obtain the emission of white by mixing the yellow light from the blue light and the phosphor from the light-emitting diode.

【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規な構成により白色系の光を放射可能な面状光源を提供することを課題とする。 [0008] The present invention aims to provide a radiation capable planar light source light whitish by the novel construction.

【0003】 [0003]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以上の課題を解決すべく、半導体発光素子と種々の蛍光体との組合せについて鋭意検討を行った。 Means for Solving the Problems The present inventors have found that in order to solve the above problems, intensive studies on the combination of the semiconductor light emitting element and various phosphors. その結果、本発明者らは下記の構成に想到した。 As a result, the present inventors have conceived the following constitutions. 即ち、発光波長が360nm In other words, the emission wavelength is 360nm
〜400nmである半導体発光素子と、前記半導体発光素子からの光を吸収して青色系の光を放出する第1の蛍光体を含有した光透過性材料からなる第1の層と、及び前記青色系の光の一部を吸収して黄色ないし黄緑色系の光を放出する第2の蛍光体を含有した光透過性材料からなる第2の層と、を備える面状光源である。 A semiconductor light emitting element is to 400 nm, a first layer of transparent material that absorbs light containing a first fluorescent material that emits blue light from the semiconductor light emitting element, and the blue a second layer of optically transparent material containing the second phosphor which absorbs a part of light systems emit light of yellow to yellow-green system, a planar light source comprising a.

【0004】上記構成によれば、半導体発光素子からの光により第1の蛍光体が励起し、青色系の光が放出される。 [0004] According to the above configuration, the first phosphor is excited by light from the semiconductor light-emitting device, blue light is emitted. かかる青色系の光の一部は第2の蛍光体に吸収されて、黄色ないし黄緑色系の光となって放出される。 Some of such blue light is absorbed in the second phosphor is released as light yellow to yellow-green system. この黄色ないし黄緑色系の光と、第1の蛍光体より放出され、第2の蛍光体に吸収されなかった青色系の光とが混合されることにより、全体として白色系の光が放射されることになる。 And light yellow to yellow-green light, emitted from the first phosphor, by the blue light which is not absorbed in the second phosphor are mixed, white light is radiated as a whole It becomes Rukoto. このように、第1の蛍光体を励起、発光させる半導体発光素子、半導体発光素子からの光により青色系の光を放出する第1の蛍光体、及び第1の蛍光体からの光により黄色ないし黄緑色系の光を放出する第2 Thus, exciting the first phosphor, the semiconductor light emitting element to emit light, the first phosphor that emits blue light by the light from the semiconductor light emitting element, and to no yellow by light from the first phosphor second that emits yellowish green light system
の蛍光体を組み合わせて用いるという新規かつ簡便な構成により、白色系の光を放射する面状光源が提供される。 Of the novel and simple structure of using a combination of phosphors, a planar light source emitting light of white is provided. 本発明の面状光源は、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話、又は携帯情報端末等のフルカラー液晶ディスプレイのバックライトとして好適に用いることができる。 The planar light source of the present invention, for example, a personal computer, a cellular phone, or can be suitably used as a full-color liquid crystal display backlight, such as a portable information terminal.

【0005】 [0005]

【発明の実施の形態】半導体発光素子は、発光波長が3 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The semiconductor light emitting device, the emission wavelength of 3
60nm〜400nmの範囲のものが用いられる。 In the range of 60nm~400nm it is used. 半導体発光素子の形成材料は、上記の発光波長の範囲にある半導体発光素子を形成可能なものであれば特に限定されないが、III族窒化物系化合物半導体を好適に用いることができる。 The material for forming the semiconductor light-emitting element is not particularly limited as long as it can form a semiconductor light-emitting element in the range of the emission wavelength, it can be suitably used a Group III nitride-based compound semiconductor. ここで、III族窒化物系化合物半導体発光素子とはIII族窒化物系化合物半導体層を備える半導体発光素子である。 Here, the group III nitride compound semiconductor light-emitting device is a semiconductor light emitting device including a group III nitride compound semiconductor layer. III族窒化物系化合物半導体とは一般式としてAl Ga In 1−X−Y N(0≦X≦1、 Al X Ga Y In 1-X -Y N (0 ≦ X ≦ 1 as Formula A Group III nitride-based compound semiconductor,
0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、Ga Represented by 0 ≦ Y ≦ 1,0 ≦ X + Y ≦ 1), AlN, Ga
N及びInNのいわゆる2元系、Al Ga 1−x N、 So-called binary system of N and InN, Al x Ga 1-x N,
Al In 1−x N及びGa In 1−x N(以上において0≦x≦1)のいわゆる3元系を包含する。 Including so-called ternary Al x In 1-x N and Ga x In 1-x N (or at 0 ≦ x ≦ 1). III族元素の一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。 Boron part of the group III element (B), thallium may be substituted by (Tl) or the like, also, the nitrogen portion also phosphorus (N) (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi) can be substituted by an.

【0006】III族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。 [0006] Group III nitride compound semiconductor layer may contain any dopant. n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を用いることができる。 As n-type impurity, it can be used Si, Ge, Se, Te, and C and the like. p型不純物として、Mg、Zn、Be、Ca、S As a p-type impurity, Mg, Zn, Be, Ca, S
r、Ba等を用いることができる。 r, it can be used such as Ba. なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を更に低抵抗化するために電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱をすることも可能である。 The electron beam irradiation in order to further reduce the resistance of the group III nitride compound semiconductor after doped with p-type impurity, it is also possible to heating by plasma irradiation or a furnace. III族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE Forming method of a group III nitride compound semiconductor layer is not particularly limited, metal organic vapor deposition (MOCVD), as well as well-known molecular beam epitaxy method (MBE method), a halide vapor phase epitaxy (HVPE
法)、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によっても形成することができる。 Law), sputtering, ion plating method, can be formed by electron shower method or the like.

【0007】III族窒化物系化合物半導体層を成長させる基板の材質はIII族窒化物系化合物半導体層を成長させられるものであれば特に限定されないが、例えば、サファイア、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体単結晶などを基板の材料として挙げることができる。 [0007] The material of the substrate for growing a group III nitride compound semiconductor layer is not particularly limited as long as it is by growing a group III nitride-based compound semiconductor layer, for example, sapphire, spinel, silicon, silicon carbide, zinc oxide, may be mentioned gallium phosphide, gallium arsenide, magnesium oxide, manganese oxide, and group III nitride compound semiconductor single crystal as a material of the substrate. 中でも、 Among them,
サファイア基板を用いることが好ましく、サファイア基板のa面を利用することが更に好ましい。 It is preferable to use a sapphire substrate, it is more preferable to utilize a surface of the sapphire substrate.

【0008】第1の層は、第1の蛍光体を含有した光透過性材料から構成される。 [0008] The first layer comprised of an optically transparent material containing the first phosphor. 第1の蛍光体は、半導体発光素子からの光を吸収して青色系の光を放出する蛍光体である。 The first phosphor is a phosphor that emits blue light by absorbing light from the semiconductor light emitting element. 好ましくは、(Ba,Ca,Mg) (PO Preferably, (Ba, Ca, Mg) 5 (PO 4)
Cl:Eu 2+ 、(Ba,Mg) Al 1627 3 Cl: Eu 2+, (Ba , Mg) 2 Al 16 O 27:
Eu 2+ 、Ba MgSi :Eu 、BaMg Eu 2+, Ba 3 MgSi 2 O 8: Eu 2 +, BaMg
Al 1627 :Eu 2+ 、(Sr,Ca) 10 (P 2 Al 16 O 27: Eu 2+ , (Sr, Ca) 10 (P
Cl :Eu 2+ 、(Sr,Ca) 10 (P O 4) 6 Cl 2: Eu 2+, (Sr, Ca) 10 (P
Cl ・nB :Eu O 4) 6 Cl 2 · nB 2 O 3: Eu 2+ 、Sr 10 (P 2+, Sr 10 (P
Cl :Eu 2+ 、及び(Sr,Ba,C O 4) 6 Cl 2: Eu 2+, and (Sr, Ba, C
a,) (PO Cl:Eu 2+からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体を用いる。 a,) 5 (PO 4) 3 Cl: using one or more phosphors selected from the group consisting of Eu 2+. これらの蛍光体は、上記発光素子から放出される波長360nm〜4 These phosphors wavelength emitted from the light emitting element 360nm~4
00nmの光を効率よく吸収し、青色系の光を発光する。 Efficiently absorbing light at nm, it emits blue light. 好ましくは、(Ba,Ca,Mg) (PO Preferably, (Ba, Ca, Mg) 5 (PO 4) 3
Cl:Eu 2+ 、BaMg Al 1627 :E Cl: Eu 2+, BaMg 2 Al 16 O 27: E
、Sr 10 (PO Cl :Eu 2+ 、及び(Sr,Ba,Ca,) (PO Cl:Eu 2+ u 2 +, Sr 10 (PO 4) 6 Cl 2: Eu 2+, and (Sr, Ba, Ca,) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+
からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体が用いられる。 One or more phosphors selected from the group consisting of is used. これらの蛍光体は、励起波長ピークが波長36 These phosphors, the excitation wavelength peak wavelength 36
0nm〜400nmの範囲にあり、かつ発光波長の半値幅が小さいので、一次光源からの光を青色系の光に効率よく変換できるものである。 In the range of 0Nm~400nm, and since the half width of the emission wavelength is small, in which can be converted efficiently light from the primary light source into blue light.

【0009】また、Ba MgSi :Eu 2+ [0009] In addition, Ba 3 MgSi 2 O 8: Eu 2+,
BaMg Al 1627 :Eu 、及び(Sr,C BaMg 2 Al 16 O 27: Eu 2 +, and (Sr, C
a) 10 (PO Cl ・nB :Eu 2+からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体を用いることも好ましい。 a) 10 (PO 4) 6 Cl 2 · nB 2 O 3: It is also preferable to use one or more phosphors selected from the group consisting of Eu 2+. 以上の各蛍光体は固有の発光色を有するものであり、当該発光色は蛍光体の選択において考慮される。 Each of the above phosphors are those having a specific emission color, the emission color is taken into account in the selection of the phosphor. 即ち、第1の蛍光体からの光の一部と、後述の第2の蛍光体からの光とが混合されることにより、所望の白色系の色が得られるような発光色を有する蛍光体が選択される。 That is, a phosphor having a portion of the light from the first fluorescent material, by which the light from the second phosphor described later is mixed, the light emission color as the color of the desired white is obtained There is selected. 換言すれば、第1の蛍光体として種々の蛍光体を採用することにより、得られる白色系の色を変化させることができる。 In other words, by employing the various phosphor as the first phosphor, it is possible to change the color of the white system obtained. 第1の層に含有される第1の蛍光体量は特に限定されないが、第1の蛍光体により波長変換可能な発光素子からの光の実質的に全部を波長変換するのに十分な量とすることが好ましい。 The first phosphor amount is not particularly limited to be contained in the first layer, and an amount sufficient to substantially wavelength conversion of all of the light from the first phosphor by a wavelength conversion light emitting element which can be it is preferable to.

【0010】第1の層を構成する光透過性材料の種類は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂又はガラス等を好適に用いることができる。 [0010] The type of the light-transmitting material constituting the first layer is not particularly limited, for example, epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin, can be suitably used polycarbonate resin or glass. これらの材料は、単独で用いられるのは勿論のこと、これらの中から任意に選択される二種以上の材料を組み合わせて用いることもできる。 These materials, alone of course be of uses, can be used in combination of two or more materials selected arbitrarily from these. 好ましくは、紫外線領域の光の照射により変化ないし劣化し難い材料、即ち紫外線耐性の材料を用いることが好ましい。 Preferably, changes to deteriorate hardly material by irradiation of light in the ultraviolet region, i.e., it is preferable to use a material of UV-resistant. 一次光源からの光による第1層の変化ないし劣化を防止するためである。 This is to prevent a change to the deterioration of the first layer by light from the primary light source. 例えば、シリコン、 For example, silicon,
ガラスを用いることができる。 It is possible to use a glass. また、後述の第5実施例のように、上記半導体発光素子と一体的に第1の層を形成する場合には、比較的低温で形成することができる材料を用いることが好ましい。 Also, as in the fifth embodiment described below, the case of forming the first layer in the semiconductor light emitting element integrally with, it is preferable to use a material that can be formed at relatively low temperatures. 第1の層の形成時に半導体発光素子に高温が加わり、素子機能に悪影響を及ぼすことを防止するためである。 Joined by high temperature semiconductor light emitting element during formation of the first layer, in order to prevent adverse effects on device function. 比較的低温で形成することができる材料としては、例えば、シリコン、融点の低いガラスを用いることができる。 As the material which can be formed at relatively low temperatures, for example, it can be used silicon, glass with low melting point.

【0011】第1の蛍光体は光透過性材料に均一又は偏在して分布する。 [0011] The first phosphor is distributed uniformly or unevenly distributed in the light transmitting material. 好ましくは、光透過性材料内に第1の蛍光体を均一となるように分散する。 Preferably, dispersed so that the uniform first phosphor to the light transmitting material. 第1の蛍光体から発せられる光を、第1の層の光放射面全体に渡って均一な光量で取り出すためである。 The light emitted from the first phosphor is because over the entire light emitting surface of the first layer is taken out with a uniform light intensity. 使用目的、使用条件等に応じて、光透過性材料内における第1の蛍光体の濃度分布を変化させることができる。 Intended use, depending on use conditions and the like, it is possible to vary the concentration distribution of the first phosphor in the light-transmissive material. 即ち、半導体発光素子に近づくに従って第1の蛍光体の量を連続的又は段階的に変化させることができる。 That is, the amount of the first phosphor be continuously or stepwise changed toward the semiconductor light emitting element. 例えば、半導体発光素子に近い部分において第1の蛍光体の濃度を大きくする。 For example, increasing the concentration of the first phosphor in the portion near the semiconductor light emitting element. これにより、効率的に半導体発光素子からの光を第1の蛍光体に照射することができる。 This makes it possible to efficiently irradiate the light from the semiconductor light-emitting device to the first phosphor. また、半導体発光素子に近づくに従って第1の蛍光体の濃度を小さくすることにより、半導体発光素子の発熱に起因する第1の蛍光体の劣化を抑制することができる。 Further, by decreasing the concentration of the first phosphor toward the semiconductor light emitting element, it is possible to suppress the deterioration of the first phosphor due to heat generation of the semiconductor light emitting element.

【0012】第1の蛍光体を含有する光透過性材料からなる第1の層は、半導体発光素子からの光が照射される光導入面及び第1の蛍光体からの光が放出される光放射面とを有する。 [0012] The first layer of transparent material containing the first phosphor, light light from the light guide surface and the first phosphor which light is irradiated from the semiconductor light emitting element is emitted and a radiation surface.

【0013】第2の層は、第2の蛍光体を含有した光透過性材料から構成される。 [0013] The second layer, composed of a light transmissive material containing a second phosphor. 第2の蛍光体は、第1の蛍光体から発せられる青色系の光の一部を吸収して黄色ないし黄緑色系の光を放出する蛍光体である。 The second phosphor is a phosphor which absorbs a part of blue light emitted from the first phosphor emits light of yellow to yellow-greenish. 即ち、青色系の光により励起され、黄色ないし黄緑系の光を発光可能な蛍光体を第2の蛍光体として用いることができる。 That is excited by blue light, it is possible to use a light-emitting fluorescent substance light yellow to yellow-green system as the second phosphor. 第2の蛍光体としては、例えば、一般式Y 3−x Gd The second phosphor, for example, the general formula Y 3-x Gd x A
5−y Ga 12 :Ce(0≦x≦3、0≦y≦ l 5-y Ga y O 12 : Ce (0 ≦ x ≦ 3,0 ≦ y ≦
5)で表されるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を好適に用いることができる。 Yttrium-aluminum-garnet fluorescent material represented by 5) can be suitably used. かかる蛍光体は、青色系の光を黄色ないし黄緑色系の光に効率よく変換可能である。 Such phosphors, the blue light can be efficiently converted into light of yellow or yellow-green light. 上記一般式において、イットリウム(Y)の一部又は全部をLu又はLaに置換したものを用いることもでき、また、アルミニウム(Al)の一部又は全部をIn又はScに置換したものを用いることもできる。 In the above general formula can also be used as a part or all of the yttrium (Y) was replaced with Lu or La, also be used as the part or all of the aluminum (Al) is substituted with In or Sc It can also be.

【0014】また、第2の蛍光体として、ZnS:C [0014] In addition, as the second phosphor, ZnS: C
u,Au,Al、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu、 u, Au, Al, ZnS: Cu, Al, ZnS: Cu,
ZnS:Mn、ZnS:Eu、YVO :Eu、YVO ZnS: Mn, ZnS: Eu, YVO 4: Eu, YVO
:Ce、Y S:Eu、及びY S:Ceの中から選ばれる一又は二以上の蛍光体を用いることができる。 4: Ce, Y 2 O 2 S: Eu, and Y 2 O 2 S: can be used one or two or more phosphors selected from the Ce. ここで、ZnS:Cu,Au,Alとは、ZnS Here, ZnS: Cu, Au, and Al, ZnS
を母体としてCu、Au、及びAlで付活したZnS系のフォトルミネセンス蛍光体であり、ZnS:Cu,A The a photoluminescent phosphor of ZnS system is activated by Cu, Au, and Al as a matrix, ZnS: Cu, A
l、ZnS:Cu、ZnS:Mn及びZnS:Euとは、同じくZnSを母体としてそれぞれCuとAl、C l, ZnS: Cu, ZnS: Mn and ZnS: Eu and, like each Cu and Al and ZnS as a host, C
u、Mn、及びEuで付活したフォトルミネセンス蛍光体である。 u, which is activated by the photoluminescent phosphor in Mn, and Eu. 同様に、YVO :Eu及びYVO :Ce Similarly, YVO 4: Eu and YVO 4: Ce
はYVO を母体としてそれぞれEu及びCeで付活した蛍光体であり、Y S:Eu及びY S:C Is a fluorescent material activated with Eu and Ce, respectively YVO 4 as a matrix, Y 2 O 2 S: Eu and Y 2 O 2 S: C
eはY を母体としてそれぞれEu及びCeで付活した蛍光体である。 e is a fluorescent material activated with Eu and Ce, respectively Y 2 O 2 as a matrix. これらの蛍光体は、青色系の光に対して吸収スペクトルを有し、励起波長よりも波長の長い光を発光する。 These phosphors, having an absorption spectrum with respect to blue light, emits light having a wavelength longer than the excitation wavelength.

【0015】以上の各蛍光体は固有の発光色を有するものであり、当該発光色は蛍光体の選択において考慮される。 [0015] or more of each phosphor are those having a specific emission color, the emission color is taken into account in the selection of the phosphor. 即ち、第1の蛍光体からの光と混合されることにより、所望の白色系の色が得られるような発光色を有する蛍光体が選択される。 That is, by being mixed with the light from the first phosphor, a phosphor having an emission color such as the color of the desired white is obtained is selected. 換言すれば、第2の蛍光体として種々の蛍光体を採用することにより、得られる白色系の色を変化させることができる。 In other words, by employing the various phosphor as the second phosphor, it is possible to change the color of the white system obtained. 第2の層における第2の蛍光体の量は、第1の蛍光体からの光の一部を吸収して波長変換できる量であって、かかる波長変換により生ずる光と、第2の蛍光体に吸収されない第1の蛍光体からの光との混合により、所望の白色系の発光が得られることとなる量とする。 The amount of the second phosphor in the second layer is an amount capable of wavelength conversion by absorbing part of the light from the first phosphor, and the light produced by such wavelength conversion, the second phosphor by mixing with the light from the first phosphor is not absorbed by the, the amount of light emission is to be obtained of the desired white.

【0016】第2の層を構成する光透過性材料の種類は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂又はガラス等を好適に用いることができる。 The type of light transmitting material constituting the second layer is not particularly limited, for example, epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin, can be suitably used polycarbonate resin or glass. これらの材料は、単独で用いられるのは勿論のこと、これらの中から任意に選択される二種以上の材料を組み合わせて用いることもできる。 These materials, alone of course be of uses, can be used in combination of two or more materials selected arbitrarily from these. 好ましくは、紫外線領域の光の照射により変化ないし劣化し難い材料、即ち紫外線耐性の材料を用いることが好ましい。 Preferably, changes to deteriorate hardly material by irradiation of light in the ultraviolet region, i.e., it is preferable to use a material of UV-resistant. 一次光源からの光による第2層の変化ないし劣化を防止するためである。 This is to prevent a change to the deterioration of the second layer by light from the primary light source. 例えば、シリコン、 For example, silicon,
ガラスを用いることができる。 It is possible to use a glass.

【0017】第2の蛍光体は光透過性材料に均一又は偏在して分布する。 [0017] The second phosphor is distributed uniformly or unevenly distributed in the light transmitting material. 好ましくは、光透過性材料に第2の蛍光体を均一となるように分散する。 Preferably, dispersed in an optically transparent material so that the uniform second phosphor. 第2の蛍光体から発せられる光を、第2の層の光放射面全体に渡って均一な光量で外部放射するためである。 The light emitted from the second phosphor, in order to externally radiated with a uniform light intensity over the entire light emitting surface of the second layer. 使用目的、使用条件等に応じて、光透過性材料内における第2の蛍光体の濃度分布を変化させることもできる。 Intended use, depending on use conditions and the like, can also change the concentration distribution of the second phosphor in the light-transmissive material.

【0018】第2の蛍光体を含有する第2の層は、第1 The second layer containing the second phosphor, the first
の蛍光体からの光が照射される位置に配置される。 Light from the phosphor is disposed in a position to be irradiated of. また、半導体発光素子をも含めた位置関係については、発光素子と第2の層との間に第1の層が配置されることが好ましい。 Further, the positional relationship including a semiconductor light emitting element, it is preferable that the first layer is disposed between the light emitting element and the second layer. かかる配置を採用することにより、半導体発光素子からの光を効率的に第1の蛍光体に照射することができ、同時に、第2の蛍光体に照射される半導体発光素子からの光の量を低減させることができる。 By employing such arrangement, it is possible to irradiate the light from the semiconductor light emitting element in the first phosphor efficiently, simultaneously, the amount of light from the semiconductor light-emitting device is irradiated on the second phosphor it can be reduced. したがって、第2の蛍光体が半導体発光素子からの光に対して吸収スペクトルを有する場合において、半導体発光素子からの光の照射による第2の蛍光体の励起、発光を抑制ないし防止することができる。 Therefore, it is possible to the second phosphor is in the case of having an absorption spectrum for light from the semiconductor light emitting element, excitation of the second fluorescent material by irradiation with light from the semiconductor light emitting element, to suppress or prevent the emission . もって、最終的に得られる白色系の光の色調調整が容易となる。 Have been, color tone adjustment of the finally obtained white-based light is facilitated.

【0019】第2の蛍光体に照射される半導体発光素子からの光を低減させる手段としては、第1の層と第2の層との間に紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることができる。 [0019] As a means for reducing the light from the semiconductor light-emitting device is irradiated on the second phosphor, the provision of the ultraviolet absorbent or an ultraviolet reflective layer between the first layer and the second layer can. 例えば、紫外線吸収性又は紫外線反射性のガラスからなる層を採用できる。 For example, it can be employed a layer made of an ultraviolet-absorbing or ultraviolet-reflecting glass. 紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることにより、第2の層を構成する光透過性材料に対する半導体発光素子からの光の影響を低減させることもできる。 By providing a UV absorbing or UV reflective layer, it is also possible to reduce the influence of light from the semiconductor light emitting element for light-transmitting material constituting the second layer. 即ち、光透過性材料として紫外線領域の光に対して劣化性の材料(例えば、エポキシ樹脂)を採用した場合に、半導体発光素子の光によって当該光透過性材料が劣化することを抑制ないし防止できる。 That is, the deterioration of the material to light in the ultraviolet region as a light transmissive material (e.g., epoxy resin) in the case of employing the can suppress or prevent the said light transmissive material is degraded by light of the semiconductor light emitting element .

【0020】第1の蛍光体から発せられる光の中で、第2の蛍光体の励起、発光に利用されなかった一部の光は、第2の蛍光体からの光と混合される。 [0020] Among the light emitted from the first phosphor, the excitation of the second fluorescent material, the light of a part that has not been utilized in the light emitting is mixed with light from the second phosphor. 即ち、第1の蛍光体からの青色系の光の一部(以下、「第1蛍光体光」 That is, a part of blue light from the first phosphor (hereinafter, "first phosphor light"
という)と、第2の蛍光体からの黄色ないし黄緑色系の光(以下、「第2蛍光体光」という)とが混合される。 A) that, yellow to yellow-greenish light from the second phosphor (hereinafter, referred to as "second phosphor light") are mixed. これにより、白色系の発光が得られる。 Thus, emission of white can be obtained. 尚、第1の蛍光体及び/又は第2の蛍光体の種類(組成)を種々選択することにより、得られる発光色を変化させることができる。 Incidentally, since the first phosphor and / or the second phosphor types of (composition) selected variously, it is possible to change the emission color is obtained.

【0021】第1蛍光体光と第2蛍光体光との混合は、 The mixing of the first phosphor light and second phosphor light,
第2の層内で自動的に行われる。 It performed automatically by the second layer. そして、混合された光は、第2の層における光放射面より面状の光として外部放射される。 Then, the mixed light is externally emitted as planar light from the light emitting surface in the second layer. 第1蛍光体光と第2蛍光体光との混合を効率的に行い、外部放射される光の発光色を光放射面全体に渡って均一とするために、第2の層に光拡散剤を含有させることが好ましい。 The mixing of the first phosphor light and second fluorescent light efficiently performed, in order to uniform across the luminescent color of the light radiated outside the entire light emitting surface, a light diffusing agent in the second layer preferably contains a. 尚、第2の層の構成如何によっては、第1蛍光体光の一部と第2蛍光体光の一部は第2 Depending on the configuration whether the second layer, and a portion of the first phosphor light a portion of the second phosphor light second
の層内で混合されることなく第2の層の光放射面より放出され、その後、混合される。 Emitted from the light emitting surface of the second layer without being mixed in the layer in and is then mixed.

【0022】ここで、第2の層における光放射面の形状についての限定はなく、矩形、円形、楕円形等の他、これらの任意に組み合わせた形状を採用できる。 [0022] Here, there is no limitation on the shape of the light emitting surface in the second layer, rectangular, circular, other such oval, it can be adopted a shape of a combination of these optional. また、平面状のみならず、表面に部分的な凹凸が設けられていてもよく、さらには一部または全部が曲面状であっても良い。 Moreover, not flat only, it may be partially is provided uneven surface, wherein some or all may be curved. このように光放射面の形状として様々なものを採用することにより、光の放射態様がバリエーション豊かなものとなる。 By thus adopting a variety of the shape of the light emitting surface, the radiation mode light becomes variations rich. 尚、本明細書における面状光源には線状の光を放射するものも含まれるものとする。 Incidentally, the surface light source in the present specification shall also include those which emit linear light.

【0023】半導体発光素子、第1の層、及び第2の層に加えて、光導入面及び発光面を有する導光体をさらに備えて面状光源を構成することができる。 The semiconductor light emitting device, the first layer, and in addition the second layer can be included in the surface light source further comprises a light guide having a light inlet surface and light emitting surface. 導光体を構成する材料は、光透過性であれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート又はガラス等を用いることができる。 The material constituting the light guide is not particularly limited as long as it is optically transparent, for example, an epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin, polycarbonate or glass. また、導光体、光導入面、及び発光面の形状、大きさ等は特に限定されない。 Further, the light guide, the light guide surface, and the shape of the light emitting surface, size and the like are not particularly limited. 例えば、板状であって、その一側面に光導入面、異なる一側面に発光面を有する導光体を用いることができる。 For example, a plate-like light guide surface on one side, it is possible to use light guide having a light emitting surface different one side. 光導入面及び/又は発光面を複数設けることもできる。 It is also possible to provide a plurality of light introducing surface and / or the emitting surface. この場合においては、光導入面及び発光面以外の面の表面に光反射層を設けて光の損失を防止することが好ましい。 In this case, it is preferable to prevent the loss of light to the light guide surface and the surface of the surface other than the light emitting surface by providing a light-reflecting layer.

【0024】半導体発光素子、第1の層、第2の層、及び導光体の配置態様としては、以下のものを採用することができる。 The semiconductor light emitting device, the first layer, the arrangement of the second layer, and the light guide member, can be employed as follows. 第1の配置態様は次の通りである。 First arrangement embodiment is as follows. まず、 First of all,
導光体の光導入面に対向するように半導体発光素子を配置し、第1の層及び第2の層を、半導体発光素子と導光体の光導入面との間に配置する。 The semiconductor light-emitting element so as to face arranged on the light inlet surface of the light guide, the first and second layers, placed between the light inlet surface of the semiconductor light emitting element and the light guide. 第1の層と第2の層の位置関係は、第2の層が第1の層と光導入面との間に配置されるようにする。 Positional relationship between the first layer and the second layer, so that a second layer is disposed between the first layer and the light inlet surface. かかる配置態様では、半導体発光素子、第1の層、第2の層、及び導光体の光導入面が順に並ぶこととなる。 In such an arrangement aspect, a semiconductor light emitting device, the first layer, the second layer, and the light inlet surface of the light guide is to line up in this order. このように構成された面状光源では、まず、半導体発光素子から発せられた光が第1の層に含有される第1の蛍光体に吸収され、青色系の光に変換される。 In the thus constructed surface light source, first, light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the first phosphor contained in the first layer, it is converted into blue light. この青色系の光の一部は第2の層に含有される第2の蛍光体により黄色ないし黄緑色系の光に変換される。 This part of the light of blue is converted into light yellow to yellow-greenish by the second phosphor contained in the second layer. かかる黄色ないし黄緑色の光と、第1の蛍光体からの青色系の光の中で第2の蛍光体に吸収されなかった一部の光は、混合されながら導光体に向かう。 And such yellow to yellow-green light, blue second part which is not absorbed in the phosphor light in light from the first phosphor, while being mixed toward the light guide. そして、 And,
光導入面より導光体に導入された後、導光体内を進み、 After being introduced into the light guide from the light introducing surface, it advances the lightguide,
最終的に導光体の発光面より面状の光となって外部放射される。 Is externally radiated finally a planar light from the light emitting surface of the light guide. 第1の蛍光体からの光と第2の蛍光体からの光の混合は導光体内でも行われる。 Mixing of the light from the light and a second phosphor from the first phosphor is also performed in the light guide body. 導光体の発光面から放射される光の発光色及び光量を発光面全体に渡って均一化するために、導光体に光拡散剤を含有させることが好ましい。 The luminescent color and amount of light emitted from the light emitting surface of the light guide in order to equalize over the entire light-emitting surface, it is preferable to contain a light diffusing agent in the light guide.

【0025】上記と異なる配置態様として、以下の第2 [0025] As arranged manner different from the following second
の配置態様を採用できる。 It can be adopted in the layout mode. まず、導光体の光導入面に対向するように半導体発光素子を配置する。 First, placing a semiconductor light-emitting element so as to face the light inlet surface of the light guide. また、第1の層を導光体の発光面側に配置する。 Furthermore, disposing a first layer on the light emitting surface side of the light guide. 第2の層は、第1の層が第2の層と導光体の発光面との間に位置するように配置される。 The second layer, the first layer is arranged to be located between the light emitting surface of the second layer and the light guide. かかる配置態様では、導光体を挟んで、導光体の光導入面側に半導体発光素子が配置され、発光面側に第1の層及び第2の層が配置されることとなる。 In such an arrangement aspect, across the light guide body, the semiconductor light emitting element is disposed on the light introducing surface of the light guide, the first layer and the second layer and thus is disposed on the light emitting surface side. このように構成された面状光源では、まず、半導体発光素子から発せられた光が光導入面より導光体に導入され、 This constructed surface light source as, first, light emitted from the semiconductor light emitting element is introduced into the light guide from the light introducing surface,
導光体内を進んだ後、発光面より放射される。 After traveling through the light guide body is emitted from the light emitting surface. 放射された光は、第1の層内に導入され、第1の蛍光体に吸収されることにより青色系の光に変換される。 The emitted light is introduced into the first layer, it is converted to blue light by being absorbed by the first phosphor. この青色系の光の一部は第2の層に含有される第2の蛍光体により黄色ないし黄緑色系の光に変換される。 This part of the light of blue is converted into light yellow to yellow-greenish by the second phosphor contained in the second layer. かかる黄色ないし黄緑色の光と、第1の蛍光体からの青色系の光の中で第2の蛍光体に吸収されなかった一部の光は混合されながら、第2の層の光放射面から面状の光として外部放射される。 And such yellow to yellow-green light, while blue second part which is not absorbed in the phosphor light in light from the first fluorescent material are mixed, the light emitting surface of the second layer It is externally emitted as planar light from.

【0026】第3の配置態様として次のものを採用できる。 [0026] can be adopted the following items as a third arrangement mode. まず、導光体の光導入面に対向するように半導体発光素子を配置する。 First, placing a semiconductor light-emitting element so as to face the light inlet surface of the light guide. また、第1の層を半導体発光素子と導光体の光導入面との間に配置する。 Furthermore, disposing a first layer between the light inlet surface of the semiconductor light emitting element and the light guide. 第2の層は、導光体の発光面側に配置される。 The second layer is disposed on the light emitting surface side of the light guide. かかる配置態様では、導光体を挟んで、導光体の光導入面側に半導体発光素子及び第1の層が配置され、発光面側に第2の層が配置されることとなる。 In such an arrangement aspect, across the light guide body, the semiconductor light emitting element and the first layer is disposed on the light introducing surface of the light guide, the second layer and thus is disposed on the light emitting surface side. このように構成された面状光源では、まず、半導体発光素子から発せられた光が第1の層に含有される第1の蛍光体に吸収され、青色系の光に変換される。 In the thus constructed surface light source, first, light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the first phosphor contained in the first layer, it is converted into blue light. この青色系の光は光導入面より導光体に導入され、 The blue light is introduced into the light guide from the light introducing surface,
発光面より放射される。 It is emitted from the light-emitting surface. 放射された光は第2の層内に導入され、一部の光は第2の蛍光体より黄色ないし黄緑色系の光に変換される。 The emitted light is introduced in the second layer, part of the light is converted into light yellow to yellow-greenish than the second phosphor. かかる黄色ないし黄緑色系の光と、第2の蛍光体により変換されなかった青色系の光の一部とが混合されながら、第2の層の光放射面から面状の光として外部放射される。 The light of such yellow or yellow-green light, while a portion of the blue light that is not converted by the second phosphor are mixed, the external radiation as planar light from the light emitting surface of the second layer that.

【0027】以上のような導光体をさらに備える構成においても、第1の層と第2の層との間には、紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることが好ましい。 [0027] In further comprises constituting a light guide as described above, between the first layer and the second layer, it is preferable to provide an ultraviolet absorbing or UV reflective layer. 例えば、紫外線吸収性又は紫外線反射性のガラスからなる層を採用することができる。 For example, it is possible to employ a layer made of an ultraviolet-absorbing or ultraviolet-reflecting glass. 紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることにより、半導体発光素子の光に含まれる紫外線領域の光の中で、第2の層に含有される第2 By providing a UV absorbing or UV reflective layer, in the light of the ultraviolet region included in the light of the semiconductor light-emitting device, first contained in the second layer 2
の蛍光体に照射する光の量を減少させることができる。 It is possible to reduce the amount of light irradiation to the phosphor.
これにより、第2の蛍光体が紫外線領域の光に対して吸収スペクトルを有する場合において、当該紫外線領域の光により、第2の蛍光体が励起され発光することを抑制ないし防止することができる。 This allows the second phosphor is in the case of having an absorption spectrum with respect to light in the ultraviolet region, the light of the ultraviolet region, suppressing or preventing the second phosphor is excited to emit light. もって、最終的に得られる白色系の光の色調調整が容易となる。 Have been, color tone adjustment of the finally obtained white-based light is facilitated. また、第2の層を構成する光透過性材料に対する半導体発光素子の光の影響を減少させることもできる。 It is also possible to reduce the effects of light of the semiconductor light-emitting element for light-transmitting material constituting the second layer. 即ち、光透過性材料として紫外線領域の光に対して劣化性の材料(例えばエポキシ樹脂)を採用した場合に、半導体発光素子の光によって当該光透過性材料が劣化することを抑制ないし防止できる。 That is, in the case of employing degradable material (e.g. epoxy resin) as a light transmissive material to light in the ultraviolet region, can be suppressed to prevent the said light transmissive material is degraded by light of the semiconductor light emitting element.

【0028】上記第1及び第2の配置態様においては、 [0028] In the first and second arrangement aspect,
第1の層と第2の層との間に光透過性材料からなる層(第3の層)を設けることができる。 It may be provided a layer of transparent material between the first layer and the second layer (third layer). 即ち、第1の層、 In other words, the first layer,
第3の層、及び第2の層が順次積層する構成を採用することができる。 Can the third to the layer, and the second layer to adopt a structure in which order. 例えば、フィルム状に成型した第3の層の表面及び裏面をそれぞれ第1の層及び第2の層で覆う。 For example, a front surface and a back surface of the third layer was molded into a film, respectively covered by first and second layers. このようにして各層が順次積層したシートが構成される。 Such sheet is constructed each layer is sequentially stacked in the. かかるシートは、例えば上記第1の配置態様においては、当該シートの第2の層側を導光体の光導入面に密着、接着等して使用することができる。 Such sheets are, for example, in the first arrangement embodiment, the adhesion of the second layer side of the sheet to the light inlet surface of the light guide can be used by bonding or the like. 同様に、上記第2の配置態様においては、当該シートの第1の層側を導光体の発光面に密着、接着等することにより使用することができる。 Similarly, in the second arrangement embodiment, close contact with the first layer side of the sheet on the light emitting surface of the light guide can be used by bonding or the like.

【0029】また、光透過性材料からなる層(第3の層)の一面に第1の層及び第2の層を順次積層してシートを構成することもできる。 Further, it is also possible to configure the sheet a first layer and a second layer are sequentially laminated on one surface of the layer of transparent material (third layer). この場合には、例えば上記第1の配置態様においては、シートの第2の層側を導光体の光導入面に密着、接着等して使用することができる。 In this case, for example, in the above first arrangement embodiment, the adhesion of the second layer side of the sheet to the light inlet surface of the light guide can be used by bonding or the like. 上記第2の配置態様においては、シートの第1の層及び第2の層が積層されないシートの面側を導光体の発光面に密着、接着等して使用することができる。 In the above-described second arrangement embodiment, contact surface side of the sheet first and second layers of sheet is not stacked on the light emitting surface of the light guide can be used by bonding or the like.

【0030】同様に、光透過性材料からなる層(第3の層)の一面に第2の層及び第1の層を順次積層してシートを構成することもできる。 [0030] Similarly, it is also possible to configure the sheet by sequentially laminating the second layer and the first layer on one surface of the layer of transparent material (third layer). この場合には、例えば上記第1の配置態様においては、第2の層及び第1の層が積層されないシートの面側を導光体の光導入面に密着、接着等して使用することができる。 In this case, for example, in the above-described first arrangement aspect, contact the side of the sheet the second layer and the first layer is not laminated on the light inlet surface of the light guide, be used in adhesive, etc. it can. 上記第2の配置態様においては、シートの第1の層側を導光体の発光面に密着、接着等して使用することができる。 In the above-described second arrangement mode, close contact with the first layer side of the sheet on the light emitting surface of the light guide can be used by bonding or the like. 第3の層を構成する材料としては、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、シリコン樹脂、エポキシ樹脂等が好適に用いられる。 The material constituting the third layer, for example, PET (polyethylene terephthalate), silicone resins, epoxy resins and the like are preferably used.

【0031】 [0031]

【実施例】以下実施例により本発明の構成をより詳細に説明する。 By the following examples illustrating the configuration of the present invention in more detail. (第1実施例)図1にLED10を利用した面状光源1 The surface light source 1 using (first embodiment) LED 10 in FIG. 1
を示す。 It is shown. 図1(a)は、面状光源1を一側面側よりみた図であり、図1(b)は上面側(第2蛍光体層40側) 1 (a) is a diagram of the surface light source 1 viewed from one side, FIG. 1 (b) upper surface (second phosphor layer 40 side)
よりみた図である。 It is more viewing the figure. 面状光源1はパーソナルコンピュータ、携帯電話、携帯情報端末等の液晶用バックライトとして利用することができるものである。 The surface light source 1 is one that can be utilized personal computer, a cellular phone, a liquid crystal backlight, such as a portable information terminal. 面状光源1は複数のLED10、導光板20、第1蛍光体層30、及び第2蛍光体層40から構成される。 The surface light source 1 is multiple LED 10, the light guide plate 20, the first phosphor layer 30, and a second phosphor layer 40.

【0032】LED10の概略構成を図2に示した。 [0032] The schematic structure of LED10 shown in FIG. L
ED10は、半導体発光素子50を所望の形状のエポキシ樹脂で封止したLEDであって、ピーク波長380n ED10 is a LED sealing the semiconductor light-emitting element 50 with an epoxy resin having a desired shape, the peak wavelength 380n
mを有する。 Having a m. 半導体発光素子50の構成は図3に示される。 Structure of the semiconductor light emitting element 50 is shown in FIG. 各層の構成は次の通りである。 The configuration of each layer is as follows. 層 : 組成:ドーパント (膜厚) p型層55 : p−GaN:Mg (0.3μm) 発光層54 : 超格子構造 量子井戸層 :In 0.08 Ga 0.92 N (3.5nm) バリア層 :GaN (3.5nm) 量子井戸とバリア層の繰り返し数:1〜10 n型層53 : n−GaN:Si (4μm) バッファ層52 : AlN (15nm) 基板51 : サファイア (300μm) Layer: Composition: dopant (thickness) p-type layer 55: p-GaN: Mg ( 0.3μm) emission layer 54: superlattice structure Quantum well layer: In 0.08 Ga 0.92 N (3.5nm ) Barrier layer: GaN (3.5 nm) the number of repetitions of the quantum well and barrier layers: 1 to 10 n-type layer 53: n-GaN: Si (4μm) buffer layer 52: AlN (15 nm) substrate 51: sapphire (300 [mu] m)

【0033】バッファ層52は高品質の半導体層を成長させるために用いられ、周知のMOCVD法等により基板51表面上に形成される。 The buffer layer 52 is used to grow the semiconductor layer of high quality, it is formed on the substrate 51 surface by a known MOCVD method or the like. 本実施例ではAlNをバッファ層として用いたが、これに限定されるわけでなく、 In this embodiment, using AlN as the buffer layer, not necessarily limited to,
GaN、InNの二元系、一般的にAl Ga N(0 GaN, InN of binary, generally Al x Ga y N (0
<x<1、0<y<1、x+y=1)で表されるIII族窒化物系化合物半導体(三元系)、さらにはAl Ga <X <1,0 <y <1 , x + y = 1) in the group III nitride compound semiconductor (ternary represented), more Al a Ga
In 1−a−b N(0<a<1、0<b<1、a+b b In 1-a-b N (0 <a <1,0 <b <1, a + b
<1)で表されるIII族窒化物系化合物半導体(四元系)を用いることもできる。 <Can be used Group III nitride compound semiconductor represented by 1) (quaternary).

【0034】各半導体層は周知のMOCVD法により形成される。 [0034] Each semiconductor layer is formed by a known MOCVD method. この成長法においては、アンモニアガスとII In this growth method, an ammonia gas and II
I族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶をバッファ層52上に成長させる。 Alkyl compounds of Group I element gas such as trimethylgallium (TMG), and supplied onto the substrate that has been heated and trimethylaluminum (TMA) and trimethylindium (TMI) to a suitable temperature by a thermal decomposition reaction, have been desired crystal is grown on the buffer layer 52. 勿論、各半導体層の形成方法はこれに限定されるものではなく、周知のMBE法によっても形成することができる。 Of course, the method of forming the respective semiconductor layers is not limited thereto, it can be formed by a known MBE method. 発光層の構造としては、発光層54が超格子構造のものに限定されず、シングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型であってもよい。 The structure of the light-emitting layer, light emitting layer 54 is not limited to the superlattice structure, hetero type single, or may be a hetero-type and homozygous a double. その他、MIS接合、PIN接合を用いて発光層を構成することもできる。 Other, MIS junction, it is also possible to configure the light-emitting layer using a PIN junction.

【0035】発光層54とp型層55との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドキャップの広いAl Ga In 1−X−Y N(0≦X≦1、0≦Y≦ The broad Al X Ga Y In 1-X -Y N (0 ≦ X ≦ 1,0 ≦ Y ≦ band cap doped with acceptor magnesium or the like between the light emitting layer 54 and the p-type layer 55
1、X+Y≦1)層を介在させることができる。 1, X + Y ≦ 1) layer may be interposed. これは発光層54の中に注入された電子がp型層55に拡散するのを防止するためである。 This is to prevent electrons injected into the light emitting layer 54 from diffusing into the p-type layer 55. p型層55を発光層54側の低ホール濃度p 層とp電極58の高ホール濃度p low hole concentration of the p-type layer 55 emitting layer 54 side p - high hole concentration layer and the p electrode 58 p +
側とからなる2層構造とすることができる。 It can be a two-layer structure consisting of a side.

【0036】n電極59はAlとVの2層で構成され、 The n-electrode 59 is composed of two layers of Al and V,
p型層55を形成した後、p型層55、発光層54、及びn型層53の一部をエッチングにより除去し、蒸着によりn型層53上に形成される。 After forming the p-type layer 55, p-type layer 55, a portion of the light-emitting layer 54, and n-type layer 53 is removed by etching, it is formed on the n-type layer 53 by vapor deposition. 透光性電極57は金を含む薄膜であり、p型層58の上面の実質的な全面を覆って積層される。 Transparent electrode 57 is a thin film containing gold, is laminated over the substantial entire upper surface of the p-type layer 58. p電極58も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極57の上に形成される。 p electrode 58 is also formed of a material containing gold, it is formed on the transparent electrode 57 by vapor deposition.
上記の工程により各半導体層及び各電極を形成した後、 After forming each semiconductor layer and the electrodes by the above steps,
各チップの分離工程を行う。 Performing each chip separation process.

【0037】発光層54と基板51との間、又は基板5 [0037] between the light emitting layer 54 and the substrate 51, or substrate 5
1の半導体層が形成されない面に反射層を設けることもできる。 May be on the surface 1 of the semiconductor layer is not formed providing the reflective layer. 反射層を設けることにより、発光層54で生じ、基板側に向かった光を効率的に光の取り出し方向への反射することができ、その結果、発光効率の向上が図れる。 By providing the reflective layer, generated in the light emitting layer 54, the light toward the substrate side can be efficiently reflected in the direction in which light is extracted, so that it is possible to improve the luminous efficiency. 発光層54と基板51との間に設ける反射層は、 Reflective layer provided between the light-emitting layer 54 and the substrate 51,
金属窒化物により形成することができる。 It may be formed of a metal nitride. 好ましくは、 Preferably,
窒化チタン、窒化ジルコニウム、及び窒化タンタルの中から選択される1種類又は2種類以上を任意に選択して用いる。 Titanium nitride, zirconium nitride, and use one or more kinds arbitrarily selected and is selected from among tantalum nitride. 基板51の半導体層が形成されない面に設ける反射層は、金属窒化物により形成できる。 Reflective layer provided on the surface where the semiconductor layer is not formed in the substrate 51 can be formed by a metal nitride. また、Al、 In addition, Al,
In、Cu、Ag、Pt、Ir、Pd、Rh、W、M In, Cu, Ag, Pt, Ir, Pd, Rh, W, M
o、Ti、Ni等の金属の単体又はこれらの中から任意に選択される2種以上の金属からなる合金を用いて反射層を形成することもできる。 o, Ti, it is possible to form the reflective layer by using a single or an alloy composed of two or more metals arbitrarily selected from these metals such as Ni.

【0038】発光素子50はリードフレーム60に設けられるカップ部62に接着剤20を介してマウントされる。 The light emitting element 50 is mounted via an adhesive 20 to the cup portion 62 provided in the lead frame 60. 接着剤20はエポキシ樹脂の中に銀をフィラーとして混合させた銀ペーストである。 The adhesive 20 is a silver paste obtained by mixing silver as a filler in the epoxy resin. かかる銀ペーストを用いることにより発光素子50からの熱の放散がよくなる。 Heat dissipation is improved from the light emitting element 50 by using such silver paste. 絶縁性の接着剤を用いることもできる。 It is also possible to use an insulating adhesive. この場合には熱伝導率が高い絶縁性のフィラーを含有させることが好ましい。 Preferably contains a high insulative filler is thermal conductivity in this case.

【0039】発光素子50のp電極58及びn電極59 The light emitting element 50 p electrode 58 and n electrode 59
は、それぞれワイヤ64及び63によりリードフレーム61及び60にそれぞれワイヤボンディングされる。 Are respectively wire bonded to the lead frame 61 and 60 by respective wires 64 and 63. その後、発光素子50、リードフレーム60、61の一部、及びワイヤ63、64はエポキシ樹脂からなる封止レジン70により封止される。 Thereafter, the light emitting element 50, part of the lead frame 60 and 61, and the wires 63 and 64 are sealed by a sealing resin 70 made of epoxy resin. 封止レジン70の材料は透明であれば特に限定はされないが、エポキシ樹脂の他、シリコン樹脂、尿素樹脂、又はガラスが好適に用いられる。 Although not material for the sealing resin 70 is particularly limited as long as it is transparent, other epoxy resins, silicone resins, urea resins, or glass is suitably used. 封止レジン70は、素子構造の保護等の目的で設けられるが、封止レジン70の形状を目的に応じて変更することにより、封止レジン70にレンズ効果を付与することができる。 Sealing resin 70 is provided for the purpose of protection of an element structure, by changing depending on the purpose of the shape of the sealing resin 70, can be imparted to the lens effect in the sealing resin 70. 例えば、図2に示される砲弾型の他、凹レンズ型、又は凸レンズ型等に成形することができる。 For example, other projectile type shown in FIG. 2, may be formed into concave form or a convex lens type. また、光の取り出し方向(図2において上方)から見て封止レジン70の形状を円形、楕円形、又は矩形とすることができる。 Further, the shape of the sealing resin 70 as viewed from the light extracting direction (upward in FIG. 2) may be circular, oval, or rectangular.

【0040】以上のように製造したLED10は、導光板20の光導入面21に対向するように配置される。 [0040] was prepared as described above LED10 is arranged to face the light introducing surface 21 of the light guide plate 20. 使用されるLED10の数は特に限定されない。 The number of LED10 used is not particularly limited. また、本実施例では、砲弾型のLED10を用いたが、発光波長が360nm〜400nmの範囲にあれば、他のタイプ(例えばチップ型)のLEDを用いることもできる。 Further, in the present embodiment uses the LED10 bullet-shaped, the emission wavelength if the range of 360Nm~400nm, it is also possible to use an LED of another type (for example, a chip-type). さらに、発光素子の構成も本実施例のものに限定されず、 Furthermore, not limited to those of the embodiment structure of a light-emitting element,
例えばプレナータイプ・ツェナー発光素子を用いることもできる。 For example it is also possible to use a planar type Zener light emitting element.

【0041】導光板20は、光透過性の材料からなり、 The light guide plate 20 is made of a light transmissive material,
光導入面21及び発光面22を備える。 A light inlet surface 21 and the light emitting surface 22. 本実施例ではメタクリル樹脂をその材料として用いた。 With methacrylic resin as the material in this embodiment. ポリカーボネート等の他の光透過性材料を用いることもできる。 Other light transmitting material such as polycarbonate can also be used. 導光板20に光拡散剤を含有させることもできる。 It may contain a light diffusing agent in the light guide plate 20. また、導光板20の光導入面21及び発光面22以外の面を反射膜ないし反射層で被覆し、導光板20内からの光の漏洩を防止することが好ましい。 Further, the light introducing surface 21 and the surface other than the light emitting surface 22 of the light guide plate 20 is coated with a reflective film or reflective layer, it is preferable to prevent light leakage from the light guide plate 20. 例えば、光導入面21及び発光面22以外の面に粗面処理を施しその表面を光反射性とすることができる。 For example, subjected to a surface roughening on the surface other than the light inlet surface 21 and the light-emitting surface 22 may be the surface with light reflective. 粗面処理の方法としては、例えば、エッチング、サンドブラスト、放電加工等が挙げられる。 As a method for surface roughening, for example, etching, sandblasting, electrical discharge machining and the like. また、粗面処理の代わりに白色印刷を施すか白色テープを貼付して光反射層を形成してもよい。 Further, by attaching or white tape applying white printing may be formed a light reflective layer in place of the rough surface processing. 光反射層は、LED10から近い領域では低密度に形成し、LE Light reflecting layer forms a low density in the region close to the LED 10, LE
D10から遠ざかるに従ってその密度が連続的又は段階的に大きくなるように形成することが好ましい。 It is preferably formed so that the density increases continuously or gradually as the distance from D10. これにより、LED10からの距離が遠い領域において高効率な光の反射、拡散が行われ、その結果、LED10からの距離の如何に拘わらず発光面22全体に渡って均一な光の放出が得られる。 Thus, highly efficient optical reflection of the is region far distance from the LED 10, the diffusion is carried out, as a result, obtained the release of uniform light over the entire light-emitting surface 22 irrespective of the distance from the LED 10 . 本実施例では、一側面を光導入面21としたが、光導入面を複数設けることもできる。 In this embodiment, one side was a light introducing surface 21 may also be provided a plurality of light introducing surface. 即ち、導光板20の複数の面に対してそれぞれ対向する位置にLED10を配置し、当該複数の面から光の導入を行うことができる。 In other words, to place the LED10 in a position facing each for a plurality of surfaces of the light guide plate 20, it is possible to introduce light from the plurality of surfaces. かかる構成によれば、得られる面状光の光量アップが図られる。 According to such a configuration, the light amount up to obtain the planar light is achieved. また、より広い範囲の発光面からの光の放射が可能となる。 Further, it is possible to light emission from the light emitting surface of a wider range. さらに、放射される光の光量を発光面全体に渡ってより均一化することができる。 Furthermore, it can be made more uniform over the entire light emitting surface of the light amount of light emitted.

【0042】第1蛍光体層30は、第1の蛍光体80を分散させたエポキシ樹脂からなる層であって、導光板2 [0042] The first phosphor layer 30 is a layer made of an epoxy resin dispersed with a first phosphor 80, the light guide plate 2
0の発光面22を被覆するように形成される。 It is formed so as to cover the light emitting surface 22 of the 0. エポキシ樹脂に代えて、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を用いることもできる。 Instead of the epoxy resin may be used methacrylic resins, polycarbonate resins and the like. 第1の蛍光体80には、(B The first phosphor 80, (B
a,Ca,Mg) (PO Cl:Eu 2+を用いた。 a, Ca, Mg) 5 ( PO 4) 3 Cl: with Eu 2+. 本実施例では、発光面22を直接被覆するように第1蛍光体層30を形成したが、発光面22と第1蛍光体層30との間に空間又は透明な材料からなる層を設けても良い。 In this embodiment, to form a first phosphor layer 30 so as to cover the light emitting surface 22 directly by a layer consisting of the space or transparent material between the light emitting surface 22 and the first phosphor layer 30 it may be.

【0043】第2蛍光体層40は、第2の蛍光体81を分散させたエポキシ樹脂からなる層であって、第1蛍光体層30に積層するように形成される。 The second phosphor layer 40 is a layer made of an epoxy resin dispersed with a second phosphor 81 is formed so as to laminate the first phosphor layer 30. 第2の蛍光体8 The second phosphor 8
1には、Y 1.8 Gd 1.2 Al 12 :Ceを用いた。 The 1, Y 1.8 Gd 1.2 Al 5 O 12: Using Ce. エポキシ樹脂に代えて、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を用いることもできる。 Instead of the epoxy resin may be used methacrylic resins, polycarbonate resins and the like. 第2蛍光体層4 The second phosphor layer 4
0には光拡散剤も分散されている。 It is dispersed also light diffusing agent is zero. 第1蛍光体層30と第2蛍光体層40との間に紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることもできる。 UV absorbing or UV reflective layer may be provided between the first phosphor layer 30 and the second phosphor layer 40. 例えば、紫外線吸収ガラスからなる層を設けることができる。 For example, it is possible to provide a layer made of an ultraviolet absorbing glass. このような層を設けることにより、第1蛍光体層30を透過して第2蛍光体層40に到達する紫外線領域の光を減少させることができ、かかる光によって第2の蛍光体が励起、発光することが防止される。 By providing such a layer, passes through the first phosphor layer 30 can be reduced light in the ultraviolet region reaches the second phosphor layer 40, the second phosphor is excited by such light, It emits light is prevented. また、第2蛍光体層40を構成する光透過性材料の劣化を防止することもできる。 It is also possible to prevent deterioration of the light transmitting material forming the second phosphor layer 40. 第1蛍光体層30と第2蛍光体層40との間に空間又は透明な材料からなる層を設けても良い。 A first phosphor layer 30 may be provided a layer made of a space or a transparent material between the second phosphor layer 40. 導光板20、第1蛍光体層30、及び/又は第2蛍光体層40に着色剤を含ませて色補正を行うことができる。 The light guide plate 20, the first phosphor layer 30, and / or by including a coloring agent in the second phosphor layer 40 it is possible to perform color correction. また、導光板20、第1 Further, the light guide plate 20, a first
蛍光体層30、及び/又は第2蛍光体層40に酸化チタン、窒化チタン、窒化タンタル、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸バリウム等光拡散剤を含ませることもできる。 Phosphor layer 30, and / or titanium oxide in the second phosphor layer 40, titanium nitride, tantalum nitride, aluminum oxide, silicon oxide, may also be included barium titanate or the like light diffusing agent.

【0044】以上のように構成された面状光源1では、 [0044] In the surface light source 1 configured as described above,
LED10から放射された近紫外光は、まず、光導入面21より導光板20へ導入される。 Near-ultraviolet light emitted from LED10 is first introduced into the light guide plate 20 from the light introducing surface 21. そして、導光板20 Then, the light guide plate 20
内を進み、その後発光面22より放射される。 Take inner, it radiated from then light emitting surface 22. 放射された光は、第1蛍光体層30内の蛍光体80に吸収されて波長変換され、青色系の光となる。 The emitted light is absorbed by the phosphor 80 of the first phosphor layer 30 is wavelength-converted, the blue light. 続いて、かかる青色系の光は第2蛍光体層40に到達し、その一部は、第2 Then, the light of such blue reaches the second phosphor layer 40, a portion thereof, the second
の蛍光体81により波長変換され、黄緑色系の光となる。 Phosphor 81 is wavelength-converted by, a light yellow-green system. この黄緑色系の光と、第2の蛍光体81により波長変換されなかった青色系の光とが混合されることにより、第2蛍光体層40上面より白色系の面状光が放出されることとなる。 And light in the yellow-greenish by the blue light wavelength has not been converted is mixed by the second phosphor 81, the white-based planar light is emitted from the second phosphor layer 40 top surface and thus. 第2蛍光体層40に光拡散剤を分散させているので、第2蛍光体層40内における光の混合が促進され、光の均質化が図られる。 Since dispersing the light diffusing agent in the second phosphor layer 40, mixing of light is promoted in the second phosphor layer 40, the homogenization of the light is achieved.

【0045】(第2実施例)図4に、上記実施例と異なる態様の面状光源2を示した。 [0045] (Second Embodiment) FIG. 4 shows a planar light source 2 different aspects as in Example. 上記面状光源1と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省略する。 The same members 1 and the planar light source explanation thereof will be denoted by the same reference numerals. 面状光源2では、第1蛍光体層31及び第2蛍光体層41 In the surface light source 2, the first phosphor layer 31 and the second phosphor layer 41
が、LED10と導光板20の光導入面21との間に配置される。 There is disposed between the light inlet surface 21 of the LED10 and the light guide plate 20. 第1蛍光体層31及び第2蛍光体層41は、 The first phosphor layer 31 and the second phosphor layer 41,
上記面状光源1における第1蛍光体層30及び第2蛍光体層40とそれぞれ同様の構成である。 A same configuration as the first phosphor layer 30 and the second phosphor layer 40 in the planar light source 1. また、第1蛍光体層31と第2蛍光体層41との間、及び/又は第2蛍光体層41と導光板20の光導入面22との間に空間又は光透過性の層を設けてもよいことも面状光源1の場合と同様である。 Moreover, provided the first phosphor layer 31 between the second phosphor layer 41, and / or the space or light permeable layer between the light inlet surface 22 of the second phosphor layer 41 and the light guide plate 20 and it may be also the same as the case of the surface light source 1. さらに、第1蛍光体層31と第2蛍光体層との間に紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることができることも面状光源1の場合と同様である。 Further, the same as the case of the surface light source 1 that may be provided an ultraviolet absorbent or an ultraviolet reflective layer between the first phosphor layer 31 and the second phosphor layer. その他の各部材の構成は面状光源1と同一である。 Other configurations of the respective members are identical to the surface light source 1.

【0046】以上のように構成された面状光源2では、 The above in the planar light source 2 configured as described,
LED10から放射された近紫外光は、まず、第1蛍光体層31内の第1の蛍光体80に吸収されて青色系の光へと変換される。 Near-ultraviolet light emitted from LED10 is first absorbed and converted into blue light in the first phosphor 80 of the first phosphor layer 31. 続いて、かかる青色系の光は第2蛍光体層41に到達し、その一部は、第2の蛍光体81により波長変換され、黄緑色系の光となる。 Then, the light of such blue reaches the second phosphor layer 41, a portion of which is wavelength-converted by the second phosphor 81, the light yellow-green system. この黄緑色系の光と、第2の蛍光体81により波長変換されなかった青色系の光とが混合され、そして、光導入面22より導光板20内へ導入される。 And light in the yellow-green system, and blue light wavelength has not been converted by the second phosphor 81 is mixed, and is introduced from the light introducing surface 22 into the light guide plate 20. 導光板20内を進んだ光は、最終的に発光面22より白色系の面状光として外部放射される。 Light traveling a light guide plate 20 guiding is radiated outside as a white planar light from the final emitting surface 22. 尚、光の混合は導光板20内でも行われる。 The mixing of the light is also carried out in the light guide plate 20.

【0047】(第3実施例)図5に、上記実施例と異なる態様の面状光源3を示した。 [0047] (Third Embodiment) FIG. 5, showing a planar light source 3 different manner as the above embodiment. 上記面状光源1と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省略する。 The same members 1 and the planar light source explanation thereof will be denoted by the same reference numerals. 面状光源3では、第1蛍光体層32がLED10と導光板2 In the surface light source 3, the first phosphor layer 32 is LED10 and the light guide plate 2
0の光導入面21との間に配置される。 It is disposed between the light inlet surface 21 of the 0. また、第2蛍光体層42は、導光板20の発光面22を被覆するように形成される。 The second phosphor layer 42 is formed so as to cover the light emitting surface 22 of the light guide plate 20. 第1蛍光体層32及び第2蛍光体層42 The first phosphor layer 32 and the second phosphor layer 42
は、上記面状光源1における第1蛍光体層30及び第2 It is first in the planar light source 1 phosphor layer 30 and the second
蛍光体層40とそれぞれ同様の構成である。 A same configuration as the phosphor layer 40. 第1蛍光体層32と導光板20の光導入面との間、又は導光板20 Between the light inlet surface of the first phosphor layer 32 and the light guide plate 20 or the light guide plate 20,
の発光面22と第2蛍光体層42との間に空間又は光透過性の層を設けてもよい。 The space or light transmissive layer may be provided between the light emitting surface 22 of the second phosphor layer 42. また、第1蛍光体層32と導光板20の光導入面との間、又は導光板20の発光面2 The light emitting surface 2 between the light inlet surface of the first phosphor layer 32 and the light guide plate 20 or the light guide plate 20,
2と第2蛍光体層42との間に紫外線吸収性又は紫外線反射性の層を設けることができる。 It can be provided 2 as a UV absorbent or an ultraviolet reflective layer between the second phosphor layer 42. 例えば、紫外線吸収ガラスからなる層を設けることができる。 For example, it is possible to provide a layer made of an ultraviolet absorbing glass. このような層を設けることにより、第1蛍光体層32を透過して第2 By providing such a layer, the passes through the first phosphor layer 32 2
蛍光体層42に到達する紫外線領域の光を減少させることができ、かかる光によって第2の蛍光体81が励起、 It is possible to reduce the light in the ultraviolet region that reaches the phosphor layer 42, the second phosphor 81 is excited by such light,
発光することが防止される。 It emits light is prevented. また、第2蛍光体層42を構成する光透過性材料の劣化を防止することもできる。 It is also possible to prevent deterioration of the light transmitting material forming the second phosphor layer 42.
その他の各部材の構成は面状光源1と同一である。 Other configurations of the respective members are identical to the surface light source 1.

【0048】以上のように構成された面状光源3では、 The above in planar light source 3 configured as described,
LED10から放射された近紫外光は、まず、第1蛍光体層32内の第1の蛍光体80に吸収されて青色系の光へと変換される。 Near-ultraviolet light emitted from LED10 is first absorbed and converted into blue light in the first phosphor 80 in the first phosphor layer 32. 続いて、かかる青色系の光は導光板2 Subsequently, according blue light the light guide plate 2
0を進行した後、導光板20の発光面22より放射される。 0 After proceed, it radiated from the light emitting surface 22 of the light guide plate 20. 放射された光の一部は、第2蛍光体層42内の蛍光体81に吸収されることにより波長変換され、黄緑色系の光となる。 Some of the emitted light is wavelength-converted by being absorbed by the phosphor 81 of the second phosphor layer 42, a light yellow-green system. この黄緑色系の光と、第2の蛍光体81により波長変換されなかった青色系の光とが混合されることにより、第2蛍光体層42の上面より白色系の面状光が放出されることとなる。 And light in the yellow-greenish by the blue light wavelength has not been converted is mixed by the second phosphor 81, the white-based planar light is emitted from the upper surface of the second phosphor layer 42 The Rukoto.

【0049】(第4実施例)図6は、色変換フィルタ4 [0049] (Fourth Embodiment) FIG. 6, the color conversion filter 4
を用いた面状光源5を示す。 The planar light source 5 using shown. 色変換フィルタ4は色変換シート100、導光体層110から構成される。 Color conversion filter 4 is composed of a color conversion sheet 100, the light guide layer 110. 上記実施例における部材と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省略する。 The same members as in the above embodiment and their description is omitted with the same reference numerals. 色変換シート100は、光透過性樹脂からなる透明シート102の両面に、第1蛍光体層101と第2蛍光体層103をそれぞれ形成したものである。 The color conversion sheet 100, on both sides of the transparent sheet 102 made of a light transmitting resin is a first phosphor layer 101 and the second phosphor layer 103 that is formed, respectively. 第1蛍光体層101は、蛍光体80((Ba,C The first phosphor layer 101, the phosphor 80 ((Ba, C
a,Mg) (PO Cl:Eu a, Mg) 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu 2+ )を、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、又は尿素樹脂等の透明な基材に分散させたものである。 2+), in which epoxy resin is dispersed in a transparent substrate such as a silicon resin, or urea resin. また、第2蛍光体層103は、 The second phosphor layer 103,
蛍光体81(Y 1.8 Gd 1. Al 12 :Ce) Phosphor 81 (Y 1.8 Gd 1. 2 Al 5 O 12: Ce)
を、第1蛍光体層101と同様の基材に分散させたものである。 And in which are dispersed in the same substrate and the first phosphor layer 101. 透明シート102の材料にはPETを用いた。 The transparent sheet 102 material using PET.
第2蛍光体層103の表面には微細な凹凸を設けることが好ましい。 It is preferable that the surface of the second phosphor layer 103 is provided fine unevenness. 色変換シート100の上面(第2蛍光体層103の表面)と、色変換シート100上に設置されるガラス等とのなじみをよくし、境界面においてにじみがでることを防止するためである。 And the upper surface of the color conversion sheet 100 (the surface of the second phosphor layer 103), to improve the conformability of glass or the like which is placed on the color conversion sheet 100, in order to prevent the bleeding out at the interface. また、第1蛍光体層1 The first phosphor layer 1
01の導光体層110との接着面にも微細な凹凸を設けることが好ましい。 It is preferable that the adhesive surface 01 of the lightguide layer 110 providing fine irregularities. 色変換シート100と導光体層11 The color conversion sheet 100 and the light guide layer 11
0との密着を防止し、境界面においてにじみがでることを防止するためである。 Preventing adhesion between 0, in order to prevent the bleeding out at the interface.

【0050】導光体層110はエポキシ樹脂製である。 The light guide layer 110 is made of epoxy resin.
もちろん、シリコン樹脂等のその他の透明な樹脂等により導光体層110を形成することもできる。 Of course, it is also possible to form the lightguide layer 110 by other transparent resin such as silicon resin or the like. 導光体層1 The light guide layer 1
10の下面には反射膜120が形成され、導光体層12 The lower surface 10 reflection film 120 is formed, the light guide layer 12
0下面からの光の漏れが防止される。 0 leakage of light from the lower surface is prevented. 反射層120の材質は特に限定されない。 The material of the reflective layer 120 is not particularly limited. LED10が対向して配置される面以外の側面にも同様の反射層を設けることが好ましい。 LED10 it is preferable to provide the same reflective layer in the side surface other than the surface to be placed opposite. かかる側面からの光の漏れを防止するためである。 This is to prevent leakage of light from such a side surface.
反射層120を省略することもできる。 It is also possible to omit the reflective layer 120.

【0051】LED10は色変換フィルタ4の側面に対向する位置に設置される。 The LED10 is placed at a position facing the side surface of the color conversion filter 4. LED10を色変換フィルタ4の下面に対向する位置に設置することもできる。 LED10 may be the installation in a position facing the lower surface of the color conversion filter 4. この場合には、当該下面には反射層120を設けない。 In this case, the said lower surface without the reflective layer 120. 以上のように構成された面状光源5における光の放射態様は以下の通りである。 Or radiation mode of light in the surface light source 5 configured as described is as follows. まず、LED10からの光は導光体層110の側面から導入され、色変換シート100側の面(上面)より取り出される。 First, the light from LED10 is introduced from the side surface of the light guide layer 110, it is taken out from the surface of the color conversion sheet 100 side (upper surface). かかる光は、第1蛍光体層101を通過する際、蛍光体80により青色系の光に変換される。 Such light passes through the first phosphor layer 101 is converted to blue light by the phosphor 80. かかる青色系の光の一部は透明シート10 Transparent sheet 10 is part of such a blue light
2を透過した後、第2蛍光体層に含有される蛍光体81 2 passes through the phosphor 81 contained in the second phosphor layer
により黄緑色系の光に変換される。 It is converted into light yellow-green system by. そして、かかる黄緑色系の光と、蛍光体81により変換されなかった青色系の光とが混色されることにより、全体として白色系の光が色変換シート100の上面から放射される。 Then, the light of such yellow-greenish, by the light of blue which has not been converted is mixed by the phosphor 81, white light is emitted from the upper surface of the color conversion sheet 100 as a whole. 光源として、LED10に加えてLED10と異なる発光波長を有するLEDを用いることもでき、これらのLEDの点灯状態を制御することにより様々な色を発光可能な面状光源とすることができる。 As a light source, can also be used LED having an emission wavelength different from the LED 10 in addition to the LED 10, it can be capable of emitting a planar light source with various colors by controlling the lighting state of the LED.

【0052】(第5実施例)図7は、キャップタイプのLED7と導光体25及び第2蛍光体層43を組み合わせて用いた面状光源6の部分拡大図である。 [0052] (Fifth Embodiment) FIG. 7 is a partially enlarged view of the planar light source 6 using a combination of LED7 and light guide 25 and the second phosphor layer 43 of the cap type. 上記実施例における部材と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省略する。 The same members as in the above embodiment and their description is omitted with the same reference numerals. 面状光源6では、キャップタイプのL In the surface light source 6, the cap type L
ED7が用いられる。 ED7 is used. LED7は、第1実施例におけるLED10の封止レジン70の表面に、第1の蛍光体8 LED7 are on the surface of the sealing resin 70 of the LED10 of the first embodiment, the first phosphor 8
0を分散させた光透過性樹脂からなるキャップ33を被せることにより構成される。 0 constituted by covering a cap 33 comprising a transparent resin containing dispersed. キャップ33は、キャップ状に成型した蛍光体80を含有する光透過性樹脂を用意し、これを封止レジン70に被せることにより形成することができる。 Cap 33, providing a light-transmitting resin containing the phosphor 80 which was molded into a cap shape, which can be formed by covering the sealing resin 70. また、封止レジン70を形成した後、封止レジン70と同様に型成形等により形成することもできる。 Further, after forming the sealing resin 70 can be formed similarly by molding or the like with a sealing resin 70. キャップ33の材料としては、本実施例ではエポキシ樹脂を用いた。 The material of the cap 33, in this embodiment using an epoxy resin. 尿素樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン等の熱可塑性樹脂等を用いることもできる。 Thermosetting resins such as urea resins, may be used a thermoplastic resin such as polyethylene. キャップ33に酸化チタン、窒化チタン、窒化タンタル、酸化アルミニウム、酸化珪素、チタン酸バリウム等からなる拡散剤を含ませることもできる。 It is titanium oxide cap 33, titanium nitride, tantalum nitride, aluminum oxide, silicon oxide, also be included diffusing agent composed of barium titanate. キャップ33の外側表面に紫外線吸収性又は反射性の層を設け、LED7から外部放射される光の中における紫外線領域の光の量を減少させることができる。 The ultraviolet absorbent or reflective layer on the outer surface of the cap 33 is provided, it is possible to reduce the amount of light in the ultraviolet region in the inside of the light radiated outside from LEDs 7. これにより、第2蛍光体層4 Thus, the second phosphor layer 4
3に対する紫外線領域の光の影響を低減することができる。 It is possible to reduce the influence of light in the ultraviolet region to the 3.

【0053】LED7の光放出方向に導光板25が配置される。 [0053] The light guide plate 25 in the light emission direction of LED7 are arranged. 導光板25は光透過性樹脂からなる。 The light guide plate 25 is made of a light transmissive resin. 本実施例では、メタクリル樹脂製とした。 In this example, it was made of methacrylic resin. また、導光板25の発光面27の表面には、第2の蛍光体81を分散させた第2蛍光体層43が形成される。 The surface of the light emitting surface 27 of the light guide plate 25, the second phosphor layer 43 formed by dispersing the second phosphor 81 is formed.

【0054】このように構成された面状光源6では、半導体発光素子50から放出された光は、キャップ33を通過する際に、第1の蛍光体80により波長変換されて青色系の光となる。 [0054] In the thus configured planar light source 6, light emitted from the semiconductor light emitting element 50, it passes through the cap 33, the first phosphor 80 is wavelength-converted and blue light Become. 即ち、LED7からは青色系の光が放出される。 That is, blue light is emitted from the LEDs 7. かかる青色系の光は導光板25を通って第2蛍光体層43に到達し、その一部は第2の蛍光体81 Such blue light reaches the second phosphor layer 43 passes through the light guide plate 25, a part of the second phosphor 81
により黄緑色系の光に変換される。 It is converted into light yellow-green system by. この黄緑色の光と、 This and yellow-green light,
第2の蛍光体81に変換されなかった青色系の光とが混合され、その結果、第2蛍光体層43の表面からは白色系の面状光が外部放射される。 It is mixed with blue light which has not been converted into the second phosphor 81, as a result, white planar light is externally emitted from the surface of the second phosphor layer 43.

【0055】この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。 [0055] This invention is not intended to be limited to the description of embodiments and examples of the invention. 特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。 Without departing from the description of the claims, various modifications within a range that a person skilled in the art can easily conceive also included in the present invention.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一の実施例の面状光源1を示す図である。 1 is a diagram illustrating a surface light source 1 according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく面状光源1に使用されるLED10の構成を示す図である。 Is a diagram showing a configuration of LED10 used in FIG. 2 similarly planar light source 1.

【図3】同じくLED10に使用される半導体発光素子50の構成を示す図である。 [3] also is a diagram showing the configuration of a semiconductor light-emitting element 50 used in the LED 10.

【図4】他の態様である面状光源2を示す図である。 4 is a diagram showing a planar light source 2 is another embodiment.

【図5】他の態様である面状光源3を示す図である。 5 is a diagram showing a planar light source 3 is another embodiment.

【図6】本発明の他の実施例である、色変換フィルタ4 6 is another embodiment of the present invention, the color conversion filter 4
を用いた面状光源5を示す図である。 It is a diagram illustrating a planar light source 5 using.

【図7】本発明の他の実施例である、キャップタイプのLED7と導光体25及び第2蛍光体層43を組み合わせて用いた面状光源6の部分拡大図である。 7 is another embodiment of the present invention is a partially enlarged view of the planar light source 6 using a combination of LED7 and light guide 25 and the second phosphor layer 43 of the cap type.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 2 3 5 6 面状光源 4 色変換フィルタ 7 10 LED 20 25 導光板 50 半導体発光素子 30 31 32 第1蛍光体層 33 キャップ 40 41 42 43 第2蛍光体層 80 第1の蛍光体 81 第2の蛍光体 100 色変換シート 1 2 3 5 6 planar light source 4 color conversion filter 7 10 LED 20 25 light guide plate 50 semiconductor light-emitting element 30 31 32 first phosphor layer 33 cap 40 41 42 43 second phosphor layer 80 first phosphor 81 second 2 of the phosphor 100-color conversion sheet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/73 CPX C09K 11/73 CPX 11/80 CPP 11/80 CPP G02B 6/00 331 G02B 6/00 331 G02F 1/13357 H01L 33/00 C H01L 33/00 N F21Y 101:02 // F21Y 101:02 G02F 1/1335 530 Fターム(参考) 2H038 AA52 AA55 BA06 2H091 FA14Z FA23Z FA45Z FB02 LA18 4H001 CA05 XA05 XA08 XA12 XA13 XA14 XA15 XA17 XA20 XA31 XA38 XA39 XA56 XA64 YA58 YA63 5F041 AA11 AA12 CA40 EE25 FF11 FF16 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) C09K 11/73 CPX C09K 11/73 CPX 11/80 CPP 11/80 CPP G02B 6/00 331 G02B 6/00 331 G02F 1/13357 H01L 33/00 C H01L 33/00 N F21Y 101: 02 // F21Y 101: 02 G02F 1/1335 530 F term (reference) 2H038 AA52 AA55 BA06 2H091 FA14Z FA23Z FA45Z FB02 LA18 4H001 CA05 XA05 XA08 XA12 XA13 XA14 XA15 XA17 XA20 XA31 XA38 XA39 XA56 XA64 YA58 YA63 5F041 AA11 AA12 CA40 EE25 FF11 FF16

Claims (9)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 発光波長が360nm〜400nmである半導体発光素子と、 前記半導体発光素子からの光を吸収して青色系の光を放出する第1の蛍光体を含有した光透過性材料からなる第1の層と、及び前記青色系の光の一部を吸収して黄色ないし黄緑色系の光を放出する第2の蛍光体を含有した光透過性材料からなる第2の層と、を備える面状光源。 A semiconductor light emitting element is 1. A light emitting wavelength 360Nm~400nm, made of a light transmissive material absorbs light containing a first fluorescent material that emits blue light from the semiconductor light emitting element a first layer, and a second layer of transparent material which absorbs a part of light containing a second phosphor that emits light of yellow to yellow-green system of the blue surface light source comprises.
  2. 【請求項2】 光導入面及び発光面を有する導光体をさらに備えてなり、 前記半導体発光素子は、前記導光体の前記光導入面に対向して配置され、 前記第1の層は、前記半導体発光素子と前記導光体の前記光導入面との間に配置され、及び前記第2の層は、前記第1の層と前記光導入面との間に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の面状光源。 Wherein further comprising becomes in a light guide having a light inlet surface and emitting surface, the semiconductor light emitting device is arranged opposite to the light inlet surface of the light guide, said first layer the disposed between the semiconductor light emitting element and the light inlet surface of the light guide, and the second layer is disposed between the light inlet surface and the first layer, that the planar light source according to claim 1, wherein.
  3. 【請求項3】 光導入面及び発光面を有する導光体をさらに備えてなり、 前記半導体発光素子は、前記導光体の前記光導入面に対向して配置され、 前記第1の層は、前記導光体の前記発光面側に配置され、及び前記第2の層は、前記第1の層が該第2の層と前記発光面との間に位置するように配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の面状光源。 Wherein further comprising becomes in a light guide having a light inlet surface and emitting surface, the semiconductor light emitting device is arranged opposite to the light inlet surface of the light guide, said first layer , disposed on the light emitting surface side of the light guide, and the second layer, the first layer is arranged so as to be positioned between the layer and the light emitting surface of the second, it the planar light source according to claim 1, wherein the.
  4. 【請求項4】 前記第1の層と前記第2の層との間に、 4. A between the said first layer a second layer,
    光透過性材料からなる第3の層が備えられる、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の面状光源。 The planar light source according to claim 2 or 3 third layer of transparent material is provided, it is characterized.
  5. 【請求項5】 光導入面及び発光面を有する導光体をさらに備えてなり、 前記半導体発光素子は、前記導光体の前記光導入面に対向して配置され、 前記第1の層は、前記半導体発光素子と前記導光体の前記光導入面との間に配置され、及び前記第2の層は、前記導光体の前記発光面側に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の面状光源。 5. further comprising becomes in a light guide having a light inlet surface and emitting surface, the semiconductor light emitting device is arranged opposite to the light inlet surface of the light guide, said first layer the disposed between the semiconductor light emitting element and the light inlet surface of the light guide, and the second layer, wherein the said light guide is disposed on the light emitting surface side, it is characterized by the planar light source according to claim 1.
  6. 【請求項6】 前記第1の蛍光体は、(Ba,Ca,M Wherein said first phosphor, (Ba, Ca, M
    g) (PO Cl:Eu 2+ 、(Ba,Mg) g) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, (Ba, Mg) 2
    Al 1627 :Eu 2+ 、Ba MgSi Al 16 O 27: Eu 2+, Ba 3 MgSi :E 2 O 8: E
    2+ 、BaMg Al 1627 :Eu 2+ 、(S u 2+, BaMg 2 Al 16 O 27: Eu 2+, (S
    r,Ca) 10 (PO Cl :Eu 2+ 、(S r, Ca) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2: Eu 2+, (S
    r,Ca) 10 (PO Cl ・nB :Eu r, Ca) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 · nB 2 O 3: Eu
    2+ 、Sr 10 (PO Cl :Eu 2+ 、及び(Sr,Ba,Ca) (PO Cl:Eu 2+からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体である、 2+, Sr 10 (PO 4) 6 Cl 2: is one or more phosphors selected from the group consisting of Eu 2+,: Eu 2+, and (Sr, Ba, Ca) 5 (PO 4) 3 Cl
    ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の面状光源。 The planar light source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that.
  7. 【請求項7】 前記第1の蛍光体は、(Ba,Ca,M Wherein said first phosphor, (Ba, Ca, M
    g) (PO Cl:Eu 2+ 、BaMg Al g) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, BaMg 2 Al
    1627 :Eu 2+ 、Sr 10 (PO Cl 16 O 27: Eu 2+, Sr 10 (PO 4) 6 Cl 2:
    Eu 2+ 、及び(Sr,Ba,Ca) (PO Eu 2+, and (Sr, Ba, Ca) 5 (PO 4) 3 C
    l:Eu 2+からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体である、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の面状光源。 l: a one or more phosphors selected from the group consisting of Eu 2+, the planar light source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that.
  8. 【請求項8】 前記第1の蛍光体は、Ba MgSi Wherein said first phosphor, Ba 3 MgSi 2
    :Eu 2+ 、BaMg Al 1627 :E O 8: Eu 2+, BaMg 2 Al 16 O 27: E
    2+ 、及び(Sr,Ca) 10 (PO Cl u 2+, and (Sr, Ca) 10 (PO 4) 6 Cl 2 ·
    nB :Eu 2+からなる群から選択される一又は二以上の蛍光体である、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の面状光源。 nB 2 O 3: is one or more phosphors selected from the group consisting of Eu 2+, the planar light source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that.
  9. 【請求項9】 前記第2の蛍光体は、Y 3−x Gd Wherein said second phosphor, Y 3-x Gd x A
    5−y Ga :Ce(0≦x≦3、0≦y≦ l 5-y Ga y O 1 2: Ce (0 ≦ x ≦ 3,0 ≦ y ≦
    5)を含む、ことを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の面状光源。 Including 5), a planar light source according to any one of claims 1 to 8, characterized in that.
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Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003069686A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminating device using it
JP2005303289A (en) * 2004-02-23 2005-10-27 Lumileds Lighting Us Llc Phosphor converted type light emitting device
JP2005330459A (en) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd Fluorescent substance and light-emitting device
JP2006032726A (en) * 2004-07-16 2006-02-02 Kasei Optonix Co Ltd Light emitting device
JP2006519481A (en) * 2003-02-28 2006-08-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Manufacturing method of the lighting module and the lighting module
KR100700489B1 (en) 2005-04-27 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 Back light unit and fbricating method of the same
JP2007510297A (en) * 2003-11-07 2007-04-19 トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Structure of a light emitting diode having a heat dissipation plate
JP2007527118A (en) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Efficient light sources that use phosphor conversion led
JP2008066691A (en) * 2006-03-10 2008-03-21 Toshiba Lighting & Technology Corp Luminaire
US7360934B2 (en) 2005-10-24 2008-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
JP2008191321A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Stanley Electric Co Ltd Surface light source device using color conversion filter
JP2008227552A (en) * 2004-02-19 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd White light source
US7435995B2 (en) 2003-06-05 2008-10-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof
JP2008276176A (en) * 2006-11-22 2008-11-13 Alps Electric Co Ltd Optical guiding member, optical waveguide and light guide plate
US7482641B2 (en) 2004-02-19 2009-01-27 Panasonic Corporation White light emitting element and white light source
JP2009079094A (en) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp Phosphor and led lamp using it
US7556744B2 (en) 2002-03-22 2009-07-07 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP2009244855A (en) * 2004-09-27 2009-10-22 Idc Llc System and method for illuminating interferometric modulator display
EP1566848A3 (en) * 2004-02-23 2010-04-07 Philips Lumileds Lighting Company LLC Wavelength converted semiconductor light emitting device
JP2011119272A (en) * 2004-06-30 2011-06-16 Three M Innovative Properties Co Phosphor based illumination system having long pass reflector, and method of making same
US8040456B2 (en) 2003-01-15 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
JP2012069908A (en) * 2010-08-25 2012-04-05 Stanley Electric Co Ltd Wavelength conversion structure and light source device
US8294165B2 (en) 2006-03-30 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
JP2013069424A (en) * 2011-09-20 2013-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd Linear light source device
US8487330B2 (en) 2007-12-07 2013-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor and LED light-emitting device using the same
JP2013239318A (en) * 2012-05-15 2013-11-28 Hitachi Ltd Light-emitting diode lighting device
JP2013242564A (en) * 2012-05-18 2013-12-05 Corning Inc Modular optical fiber illumination system
JP2014501685A (en) * 2010-12-01 2014-01-23 日東電工株式会社 Radioactive ceramic material having a concentration gradient of the dopant, and methods of making and using the same
JP2014514368A (en) * 2011-02-24 2014-06-19 日東電工株式会社 Emitting composites having a phosphor component
US8798425B2 (en) 2007-12-07 2014-08-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
WO2014203874A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 デクセリアルズ株式会社 Phosphor sheet
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
KR101538366B1 (en) * 2014-07-30 2015-07-22 삼성전자주식회사 A display assembly and a display apparatus using the same
JP2018502679A (en) * 2014-11-18 2018-02-01 ロレアル Kit and associated method for emitting light to the nail of the user
US10008642B2 (en) 2016-04-25 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting devices

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1942531A2 (en) 2002-02-15 2008-07-09 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
EP2204859A3 (en) * 2002-02-15 2010-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
EP2204858A3 (en) * 2002-02-15 2010-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
US7357882B2 (en) 2002-02-15 2008-04-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
EP1942531A3 (en) * 2002-02-15 2008-08-20 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
WO2003069686A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminating device using it
US7556744B2 (en) 2002-03-22 2009-07-07 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US8058793B2 (en) 2002-03-22 2011-11-15 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US8076847B2 (en) 2002-03-22 2011-12-13 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US7597823B2 (en) 2002-03-22 2009-10-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US7964113B2 (en) 2002-03-22 2011-06-21 Nichia Corporation Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
US8634041B2 (en) 2003-01-15 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
US8040456B2 (en) 2003-01-15 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
US8218105B2 (en) 2003-01-15 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
JP4791951B2 (en) * 2003-02-28 2011-10-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Manufacturing method of the lighting module and the lighting module
JP2006519481A (en) * 2003-02-28 2006-08-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH Manufacturing method of the lighting module and the lighting module
US7435995B2 (en) 2003-06-05 2008-10-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof
JP4691955B2 (en) * 2003-10-28 2011-06-01 日亜化学工業株式会社 Fluorescent substance and a light emitting device
JP2005330459A (en) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd Fluorescent substance and light-emitting device
JP2007510297A (en) * 2003-11-07 2007-04-19 トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Structure of a light emitting diode having a heat dissipation plate
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7482641B2 (en) 2004-02-19 2009-01-27 Panasonic Corporation White light emitting element and white light source
US7781793B2 (en) 2004-02-19 2010-08-24 Panasonic Corporation White light emitting element and white light source
JP2008227552A (en) * 2004-02-19 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd White light source
JP2007527118A (en) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー Efficient light sources that use phosphor conversion led
JP2011216905A (en) * 2004-02-23 2011-10-27 Philips Lumileds Lightng Co Llc Wavelength converted semiconductor light emitting device
JP2005303289A (en) * 2004-02-23 2005-10-27 Lumileds Lighting Us Llc Phosphor converted type light emitting device
EP1566848A3 (en) * 2004-02-23 2010-04-07 Philips Lumileds Lighting Company LLC Wavelength converted semiconductor light emitting device
JP2011119272A (en) * 2004-06-30 2011-06-16 Three M Innovative Properties Co Phosphor based illumination system having long pass reflector, and method of making same
JP4546176B2 (en) * 2004-07-16 2010-09-15 三菱化学株式会社 The light-emitting device
JP2006032726A (en) * 2004-07-16 2006-02-02 Kasei Optonix Co Ltd Light emitting device
JP2009244855A (en) * 2004-09-27 2009-10-22 Idc Llc System and method for illuminating interferometric modulator display
KR100700489B1 (en) 2005-04-27 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 Back light unit and fbricating method of the same
US7628523B2 (en) 2005-10-24 2009-12-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
US7360934B2 (en) 2005-10-24 2008-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
JP2008066691A (en) * 2006-03-10 2008-03-21 Toshiba Lighting & Technology Corp Luminaire
US8294165B2 (en) 2006-03-30 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
JP2008276176A (en) * 2006-11-22 2008-11-13 Alps Electric Co Ltd Optical guiding member, optical waveguide and light guide plate
JP2008191321A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Stanley Electric Co Ltd Surface light source device using color conversion filter
JP2009079094A (en) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp Phosphor and led lamp using it
US8487330B2 (en) 2007-12-07 2013-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor and LED light-emitting device using the same
US9169436B2 (en) 2007-12-07 2015-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor and LED light emitting device using the same
US9660149B2 (en) 2007-12-07 2017-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor and LED light emitting device using the same
US8798425B2 (en) 2007-12-07 2014-08-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
JP2012069908A (en) * 2010-08-25 2012-04-05 Stanley Electric Co Ltd Wavelength conversion structure and light source device
JP2014501685A (en) * 2010-12-01 2014-01-23 日東電工株式会社 Radioactive ceramic material having a concentration gradient of the dopant, and methods of making and using the same
JP2014514368A (en) * 2011-02-24 2014-06-19 日東電工株式会社 Emitting composites having a phosphor component
JP2013069424A (en) * 2011-09-20 2013-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd Linear light source device
JP2013239318A (en) * 2012-05-15 2013-11-28 Hitachi Ltd Light-emitting diode lighting device
JP2013242564A (en) * 2012-05-18 2013-12-05 Corning Inc Modular optical fiber illumination system
WO2014203874A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 デクセリアルズ株式会社 Phosphor sheet
US9873832B2 (en) 2013-06-18 2018-01-23 Dexerials Corporation Phosphor sheet
WO2016018016A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display assembly and display apparatus using the same background
US9348079B2 (en) 2014-07-30 2016-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display assembly and display apparatus using the same
KR101538366B1 (en) * 2014-07-30 2015-07-22 삼성전자주식회사 A display assembly and a display apparatus using the same
JP2018502679A (en) * 2014-11-18 2018-02-01 ロレアル Kit and associated method for emitting light to the nail of the user
US10008642B2 (en) 2016-04-25 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting devices

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