JP2002040452A - Method for manufacturing plastic liquid crystal display device - Google Patents

Method for manufacturing plastic liquid crystal display device

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JP2002040452A
JP2002040452A JP2000220890A JP2000220890A JP2002040452A JP 2002040452 A JP2002040452 A JP 2002040452A JP 2000220890 A JP2000220890 A JP 2000220890A JP 2000220890 A JP2000220890 A JP 2000220890A JP 2002040452 A JP2002040452 A JP 2002040452A
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plastic substrate
plastic
liquid crystal
crystal display
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Hikari Nakagawa
光 中川
Masahide Shigemura
政秀 重村
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Kyocera Display Corp
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Kyocera Display Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a plastic liquid crystal display device by which a transparent electrode pattern can be formed while dissolving a problem of shift in position without giving damages to the plastic substrate itself. SOLUTION: The exposure process in the photolithographic process to form the film of a transparent electrode pattern is carried out by using a photomask designed in such a manner that the dimension from the center line of the plastic substrate to each point of the transparent electrode pattern after the film is the multiplied value of the dimension from the center line of the plastic substrate to each point of the region where the transparent electrode pattern is to be formed when the formation of a color film layer previously formed on the plastic substrate is completed by the elongation/shrinkage magnification of the substrate dimension after the completion of the exposure in the forming process of the transparent electrode pattern to the substrate dimension when the formation of the color film layer is completed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はプラスチック液晶表
示素子の製造方法に係り、特に、透明電極パターン形成
時の露光方法に特徴のあるプラスチック液晶表示素子の
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a plastic liquid crystal display device, and more particularly to a method for manufacturing a plastic liquid crystal display device characterized by an exposure method for forming a transparent electrode pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラスチック基板を用いたプラスチック
液晶表示素子は、ガラス基板のものに比べて軽量でしか
も割れにくいという点が評価され、携帯電話や携帯用情
報端末等の分野で大きな期待が寄せられている。特に、
情報端末分野においては情報量の拡大により、画面の高
精細化、大型化が進むため、ガラス基板を用いた液晶表
示装置では軽量化に限界があるため、プラスチック液晶
表示素子の開発が期待されており、最近は、特に、カラ
ー液晶表示素子の需要が多い。
2. Description of the Related Art A plastic liquid crystal display device using a plastic substrate has been evaluated for being lighter and less susceptible to cracking than a glass substrate, and has been highly expected in the fields of mobile phones and portable information terminals. ing. In particular,
In the information terminal field, as the amount of information expands, the screen resolution increases and the size of the screen increases.Therefore, there is a limit to the weight reduction of liquid crystal display devices using glass substrates, and the development of plastic liquid crystal display elements is expected. Recently, in particular, there is a great demand for color liquid crystal display elements.

【0003】ここで、一般的なカラー液晶表示素子1の
構造について簡単に説明すると、図2に示すように、間
隔を隔ててほぼ平行に配置された2枚の透明基板2を有
しており、これらの透明基板2間の外周はシール材8に
より密閉されている。この透明基板2のうち、図中上方
に位置する透明基板(以下、FRONT基板)2Aの下
面にはITO(酸化インジウムスズ)等からなる透明電
極3(信号電極3A)が配置されており、また、この信
号電極3Aおよび露出するFRONT基板2Aの下方に
は電極間に印加される電圧に応じて液晶分子の配向を制
御する配向膜4が密着するように配設されている。
Here, the structure of a general color liquid crystal display element 1 will be briefly described. As shown in FIG. 2, there is provided two transparent substrates 2 which are arranged substantially in parallel at an interval. The outer periphery between these transparent substrates 2 is hermetically sealed by a sealing material 8. Of the transparent substrate 2, a transparent electrode 3 (signal electrode 3A) made of ITO (indium tin oxide) or the like is arranged on the lower surface of a transparent substrate (hereinafter, FRONT substrate) 2A located above in the figure. Below the signal electrode 3A and the exposed FRONT substrate 2A, an alignment film 4 for controlling the alignment of liquid crystal molecules in accordance with a voltage applied between the electrodes is provided so as to be in close contact.

【0004】一方、前記FRONT基板2Aに対向して
図中下方に位置する透明基板(以下、CF基板)2Bの
上面には、ブラックマトリクス5が配置されており、ブ
ラックマトリクス5の開口部5aには、着色膜であるレ
ッド(R)、グリーン(G)、ブルー(B)の3色のカ
ラーフィルタ6が配置されている。このカラーフィルタ
6の形成方法としては、印刷法、電着法、染色法、顔料
分散法などの各種の方法が用いられている。また、この
カラーフィルタ6およびブラックマトリクス5の上方に
は保護膜7が配設され、さらにその上方にはITO等か
らなる透明電極3が配置されており、また、この透明電
極3の上方には配向膜4が密着するように配設されてい
る。
On the other hand, a black matrix 5 is disposed on the upper surface of a transparent substrate (hereinafter, referred to as a CF substrate) 2B which is located below the FRONT substrate 2A in the figure and faces the opening 5a of the black matrix 5. Has color filters 6 of three colors of red (R), green (G), and blue (B), which are colored films. As a method of forming the color filter 6, various methods such as a printing method, an electrodeposition method, a dyeing method, and a pigment dispersion method are used. A protective film 7 is provided above the color filter 6 and the black matrix 5, and a transparent electrode 3 made of ITO or the like is further provided above the color filter 6 and the black matrix 5. The alignment film 4 is provided so as to be in close contact.

【0005】そして、両透明基板2A,2Bとシール材
8とにより囲繞された密閉空間内には液晶(図示省略)
が注入されており、さらに、透明基板2A,2B間のギ
ャップを一定に保持するため、前記両配向膜4間には複
数のスペーサ(図示省略)が介装されている。
A liquid crystal (not shown) is provided in a sealed space surrounded by the transparent substrates 2A and 2B and the sealing material 8.
Are implanted, and a plurality of spacers (not shown) are interposed between the alignment films 4 in order to keep a constant gap between the transparent substrates 2A and 2B.

【0006】このような構成のカラー液晶表示素子1に
おいて、前記透明基板2としてガラス基板を用いる場
合、前記CF基板2Bの透明電極3としてのITO膜パ
ターン3Bは、ガラス基板にレジスト液を塗布した後、
プリベイクを行ってフォトレジストを成膜し、その後、
フォトマスクをガラス基板のアライメントマークに合わ
せて配置し、前記カラーフィルタの形成領域をUV光に
て露光させることにより所定のパターンに形成してい
る。
In the color liquid crystal display element 1 having such a structure, when a glass substrate is used as the transparent substrate 2, an ITO film pattern 3B as the transparent electrode 3 of the CF substrate 2B is obtained by applying a resist solution to the glass substrate. rear,
Prebake to form a photoresist film, then
A photomask is arranged in alignment with the alignment mark on the glass substrate, and a region where the color filter is formed is exposed to UV light to form a predetermined pattern.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記透
明基板2としてプラスチック基板を用いる場合、プラス
チック基板自体が工程中に水分を吸収して膨潤したり、
熱処理の熱により熱膨張して縦横方向に寸法変化が生じ
るため、この寸法変化を考慮する必要のないガラス基板
のためのフォトマスクを利用して前述のITO膜パター
ン3Bの形成を行うと、プラスチック基板のアライメン
トマークを含む中心線から離間して位置するITO膜パ
ターン3Bが、その離間する方向に位置ずれを生じさせ
る原因となっていた。つまり、プラスチック基板上にい
くつかの膜層を形成する場合、後から積層される上層の
膜の形成時におけるプラスチック基板は、既に積層され
ている下層の膜層の形成時のプラスチック基板よりもそ
の工程に至るまでのプラスチック基板に対する様々な処
理、例えば、保護膜形成工程における加熱処理、基板洗
浄処理、ITO膜パターンの形成工程におけるITO成
膜処理、レジストコート処理、プリベイク処理等により
伸縮してしまう。そのため、下層に形成されたカラーフ
ィルタとの位置合わせが必要なITO膜パターン3Bの
形成工程の露光時においては、位置ずれの問題が生じる
こととなる。
However, when a plastic substrate is used as the transparent substrate 2, the plastic substrate itself swells by absorbing moisture during the process.
Since the thermal expansion causes thermal expansion and a dimensional change in the vertical and horizontal directions, the above-described ITO film pattern 3B is formed using a photomask for a glass substrate which does not need to consider the dimensional change. The ITO film pattern 3B located away from the center line including the alignment mark of the substrate has caused a positional shift in the direction away from the center line. In other words, when several film layers are formed on a plastic substrate, the plastic substrate at the time of forming the upper layer film to be laminated later is smaller than the plastic substrate at the time of forming the lower film layer already laminated. It expands and contracts due to various processes on the plastic substrate up to the process, for example, a heating process in a protective film forming process, a substrate cleaning process, an ITO film forming process in an ITO film pattern forming process, a resist coating process, a pre-baking process, and the like. . Therefore, a problem of misregistration occurs at the time of exposure in the step of forming the ITO film pattern 3B which requires alignment with the color filter formed in the lower layer.

【0008】また、プラスチック基板は、基板自体の剛
性についてはガラス基板よりも劣るため、反りやうねり
が生じやすいことも、前述のようなITO膜パターン3
Bの位置ずれの原因となっていた。
Further, since the plastic substrate is inferior to the glass substrate in rigidity of the substrate itself, warpage and undulation are likely to occur.
B has caused the displacement.

【0009】ITO膜パターン3Bの位置ずれは、図1
に示すように、CF基板2Bのカラーフィルタ6とIT
O膜パターン3Bとが重ならない部分を形成することに
なる。このことは、画素としての有効面積を小さくし、
カラー液晶表示素子1の表示品位が劣るといった欠点と
なって現れる。
The displacement of the ITO film pattern 3B is shown in FIG.
As shown in the figure, the color filter 6 on the CF substrate 2B and the IT
A portion that does not overlap with the O film pattern 3B is formed. This reduces the effective area as a pixel,
It appears as a defect that the display quality of the color liquid crystal display element 1 is inferior.

【0010】従来においては、これらの問題を解消する
ため、前記露光前にプラスチック基板に熱処理をかける
方法や真空処理を行う方法が採用されていたが、このよ
うな方法では作業工程が増えるとともに、プラスチック
基板自体にダメージを与えるという問題があった。
Conventionally, in order to solve these problems, a method of applying a heat treatment to the plastic substrate or a method of performing a vacuum treatment before the exposure has been adopted. However, such a method increases the number of working steps, There was a problem of damaging the plastic substrate itself.

【0011】そこで、本発明は、プラスチック基板自体
にダメージを与えることなく位置ずれの問題を解消し
て、透明電極パターンの形成を行うことのできるプラス
チック液晶表示素子の製造方法を提供することを目的と
するものである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plastic liquid crystal display device capable of forming a transparent electrode pattern by solving the problem of positional displacement without damaging the plastic substrate itself. It is assumed that.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、本発明のプラスチック液晶表示素子の製造方法
は、プラスチック基板上に既に形成されている第1膜層
に位置合わせを行いながら、フォトマスクを用いた露光
の工程を有するフォトリソグラフィーにより、所定の第
2膜パターンに成膜するプラスチック液晶表示素子の製
造方法において、前記露光は、プラスチック基板の中心
線から成膜後の第2膜パターンの各ポイントまでの寸法
が、前記第1膜層の形成完了時におけるプラスチック基
板の前記中心線から第2膜パターン形成予定領域の各ポ
イントまでの寸法に、前記第1膜層の形成完了時の基板
寸法に対する第2膜パターン形成工程における露光完了
時の基板寸法の伸縮倍率を乗じた寸法となるように設計
したフォトマスクを用いて行うことを特徴とするもので
ある。
In order to achieve the above-mentioned object, a method of manufacturing a plastic liquid crystal display device according to the present invention comprises a method of aligning a first film layer already formed on a plastic substrate with a photo film. In a method of manufacturing a plastic liquid crystal display element for forming a film on a predetermined second film pattern by photolithography having an exposure step using a mask, the exposure is performed from the center line of the plastic substrate after the formation of the second film pattern. Of the plastic substrate at the time of completion of the formation of the first film layer, and the dimensions from the center line of the plastic substrate to each point of the region where the second film pattern is to be formed at the time of completion of the formation of the first film layer. A photomask designed to be a size obtained by multiplying the substrate size by the expansion / contraction magnification of the substrate size at the time of completion of the exposure in the second film pattern forming step. Is characterized in that performed are.

【0013】本発明によれば、プラスチック基板上に形
成した第2膜パターンは、基板製造の流動工程において
プラスチック基板に膨潤や熱熱膨張等による寸法変化が
生じても、この変化した寸法差を予め考慮した設計寸法
とされてるので、プラスチック基板のアライメントマー
ク部分から離間する基板上における第1膜層と第2膜パ
ターンの位置ずれを防止することができる。
According to the present invention, the second film pattern formed on the plastic substrate can reduce the changed dimensional difference even if the plastic substrate undergoes a dimensional change due to swelling, thermal expansion, or the like in the flow process of manufacturing the substrate. Since the design dimensions are considered in advance, it is possible to prevent the first film layer and the second film pattern from being displaced on the substrate separated from the alignment mark portion of the plastic substrate.

【0014】請求項2に記載のプラスチック液晶表示素
子の製造方法は、請求項1のプラスチック液晶表示素子
の製造方法において、前記第1膜層が着色膜層であり、
前記第2膜パターンが透明電極パターンであることを特
徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a plastic liquid crystal display device, the first film layer is a colored film layer.
The second film pattern is a transparent electrode pattern.

【0015】本発明によれば、特に位置合わせ精度が要
求される着色膜層からなるカラーフィルタと透明電極パ
ターンとの位置合わせを特別な工程を必要としないで簡
便に行うことができ、表示品位の高いカラー液晶表示素
子を作成することができる。
According to the present invention, it is possible to easily perform the alignment between the color filter composed of the colored film layer and the transparent electrode pattern, which requires particularly high alignment accuracy, without requiring any special process. , A color liquid crystal display device having a high density can be produced.

【0016】また、請求項3に記載のプラスチック液晶
表示素子の製造方法は、請求項1または請求項2のプラ
スチック液晶表示素子の製造方法において、前記プラス
チック基板が、ベース基板の少なくとも片面にガスバリ
アコート層を有することを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plastic liquid crystal display device according to the first or second aspect, wherein the plastic substrate is a gas barrier coat on at least one surface of a base substrate. It is characterized by having a layer.

【0017】本発明によれば、プラスチック基板がガラ
ス基板よりも剛性に関して劣る点をカバーして、プラス
チック基板自体の反りやうねりを防止することができ、
透明電極形成工程において、プラスチック基板用のフォ
トマスクを利用して露光を行えば、プラスチック基板上
のアライメントマークから離間する透明電極パターンの
位置ずれを完全に防止することができる。
According to the present invention, the plastic substrate is inferior to the glass substrate in terms of rigidity, and the plastic substrate itself can be prevented from warping or undulating.
In the transparent electrode forming step, if exposure is performed using a photomask for a plastic substrate, the displacement of the transparent electrode pattern separated from the alignment mark on the plastic substrate can be completely prevented.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図2を
参照して説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0019】なお、本実施形態は、カラーのプラスチッ
ク液晶表示素子の製造方法における透明電極パターンの
形成の一例として、CF基板2BのITO膜パターン3
Bの形成時の露光に関するものであり、その他の製造工
程は従来の製造工程によるものとし説明を省略する。ま
た、前述の従来例と同様の部材については同一の符号を
付して説明する。
In this embodiment, the ITO film pattern 3 of the CF substrate 2B is used as an example of the formation of the transparent electrode pattern in the method of manufacturing a color plastic liquid crystal display device.
This relates to exposure at the time of forming B, and the other manufacturing steps are based on the conventional manufacturing steps, and description thereof is omitted. The same members as those in the above-described conventional example are denoted by the same reference numerals and described.

【0020】カラー液晶表示素子1の製造に用いられる
CF基板2Bには、ベース基板の両面にガスバリアコー
ト層等を有する0.1〜0.4mmのポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン等からな
るプラスチック基板を用いる。
The CF substrate 2B used for manufacturing the color liquid crystal display element 1 is made of 0.1-0.4 mm polycarbonate, polyarylate, polyethersulfone or the like having a gas barrier coat layer on both sides of the base substrate. A plastic substrate is used.

【0021】このプラスチック基板上にブラックマトリ
クス5を配置する。ブラックマトリクス5は透光用の開
口部5aと遮光された遮光部5bとを具備するものと
し、前記透光用の開口部5aには、RGBの3色の着色
膜層からなるカラーフィルタ6を配置する。また、この
カラーフィルタ6およびブラックマトリクス5の上方に
は保護膜7を配設する。
The black matrix 5 is arranged on the plastic substrate. The black matrix 5 includes a light-transmitting opening 5a and a light-blocking light-shielding portion 5b. The light-transmitting opening 5a is provided with a color filter 6 made of a color film layer of three colors of RGB. Deploy. A protective film 7 is provided above the color filters 6 and the black matrix 5.

【0022】そして、本実施形態においては、以下のよ
うにして設計したプラスチック基板用のフォトマスク9
を用いて、透明電極3としてのITO膜パターン3Bを
下層に形成されている前記カラーフィルタ6の形成位置
に合わせて形成する。
In the present embodiment, a photomask 9 for a plastic substrate designed as follows.
To form an ITO film pattern 3B as the transparent electrode 3 in accordance with the formation position of the color filter 6 formed in the lower layer.

【0023】すなわち、本実施形態において用いるフォ
トマスク9は、前記カラーフィルタ6の形成完了時か
ら、ITO膜パターン3Bの形成工程における露光時ま
でに加えられた様々な処理に原因を発する前記プラスチ
ック基板自体の伸縮を考慮して設計するものとし、本実
施形態のプラスチック液晶表示素子の製造方法において
は、このフォトマスク9を用いて前記露光を行う。
That is, the photomask 9 used in the present embodiment is formed of the plastic substrate which is caused by various processes applied from the completion of the formation of the color filter 6 to the exposure in the step of forming the ITO film pattern 3B. The exposure is performed using the photomask 9 in the method of manufacturing a plastic liquid crystal display device of the present embodiment in consideration of the expansion and contraction of the device itself.

【0024】通常、透明基板2として用いられるプラス
チック基板は等方的に作成されている基板ないしは異方
性を除去した基板を用いるが、それでも、前述のような
水分や熱等の影響を受けて、若干、縦横方向に伸縮する
ことは否めず、また、例えば、前述のポリエーテルサル
フォンからなるプラスチック基板は、基板形成時の延伸
方向と反延伸方向とでその伸縮率を異ならせる。そこ
で、予め、プラスチック基板の伸縮に関する評価を行な
っておく。
Normally, a plastic substrate used as the transparent substrate 2 is a substrate formed isotropically or a substrate from which anisotropy has been removed. However, the substrate is still affected by moisture, heat and the like as described above. It is undeniable that the plastic substrate is slightly expanded and contracted in the vertical and horizontal directions. For example, the plastic substrate made of the above-mentioned polyethersulfone differs in the expansion and contraction ratio between the stretching direction when forming the substrate and the anti-stretching direction. Therefore, evaluation regarding the expansion and contraction of the plastic substrate is performed in advance.

【0025】前記プラスチック基板の伸縮の評価は、実
際に使用するプラスチック基板と同様の素材、構成等か
らなるプラスチック基板を試料として用意し、通常のプ
ラスチック液晶表示素子の製造のための流動工程におけ
る前記カラーフィルタ6の形成完了時の基板寸法と、I
TO膜パターン3Bの形成工程における露光完了時の基
板寸法とを測定し、前記カラーフィルタ6の形成完了時
の基板寸法に対するITO膜パターン3Bの形成工程に
おける露光完了時の基板寸法の伸縮倍率を得るものであ
る。
In order to evaluate the expansion and contraction of the plastic substrate, a plastic substrate made of the same material and configuration as the plastic substrate actually used is prepared as a sample, and the plastic substrate is used in a flow process for manufacturing a normal plastic liquid crystal display element. Substrate dimensions at the completion of formation of the color filter 6;
The substrate size at the time of completion of the exposure in the formation process of the TO film pattern 3B is measured, and the expansion / contraction magnification of the substrate size at the time of completion of the exposure in the formation process of the ITO film pattern 3B with respect to the substrate size at the completion of formation of the color filter 6 is obtained. Things.

【0026】この評価はプラスチック基板の縦横両方向
について行なうことが望ましい。また、試料となるプラ
スチック基板は複数枚用意し、測定誤差や基板の製品誤
差を考慮して、その平均値を算出する等の方法により最
終的に一方向について一の伸縮倍率を決定するものとす
る。
This evaluation is desirably performed in both the vertical and horizontal directions of the plastic substrate. In addition, a plurality of plastic substrates to be sampled are prepared, and one expansion / contraction magnification is finally determined in one direction by a method such as calculating an average value in consideration of measurement errors and product errors of the substrates. I do.

【0027】例えば、後述する本実施形態の具体例に用
いた伸縮倍率は、次のようにして求めた。
For example, the expansion / contraction magnification used in a specific example of the present embodiment described later was obtained as follows.

【0028】実施例において伸縮倍率を求めた試料とし
てのプラスチック基板は、ポリカーボネートからなるベ
ース基板の両面にSiOxからなるガスバリアコート層
を有する0.2mm厚のプラスチック基板であり、その
設計寸法を縦方向260mm、横方向300mmに形成
したものである。この試料を10枚用意し、それぞれの
試料について前述の伸縮の評価を行った結果、ITO膜
パターン3Bの形成工程における露光完了時のプラスチ
ック基板の縦方向における伸縮倍率は、1.02±0.
003という数値が得られたので、最終的には、この縦
方向における伸縮倍率を、1.02と定めることとし
た。
The plastic substrate as a sample for which the expansion ratio was determined in the examples is a 0.2 mm thick plastic substrate having a gas barrier coat layer made of SiOx on both surfaces of a base substrate made of polycarbonate. It was formed 260 mm in width and 300 mm in the horizontal direction. Ten samples of this sample were prepared, and the above-described evaluation of the expansion and contraction was performed on each sample. As a result, the expansion and contraction magnification of the plastic substrate in the vertical direction upon completion of the exposure in the process of forming the ITO film pattern 3B was 1.02 ± 0.
Since a numerical value of 003 was obtained, the expansion / contraction magnification in the vertical direction was finally determined to be 1.02.

【0029】同様にして、横方向における伸縮倍率は、
1.02±0.004という数値が得られたので、最終
的には、この縦方向における伸縮倍率と同じく、1.0
2と定めることとした。
Similarly, the expansion / contraction ratio in the horizontal direction is
As a result, a numerical value of 1.02 ± 0.004 was obtained.
It was decided to be 2.

【0030】そして、この伸縮倍率に基づいて、プラス
チック基板用のフォトマスク9を設計する。
Then, a photomask 9 for a plastic substrate is designed based on the expansion / contraction magnification.

【0031】本実施形態においては、前記フォトマスク
9を、成膜後の前記プラスチック基板の中心線からIT
O膜パターン3Bの各ポイントまでの寸法が、前記カラ
ーフィルタ6の形成完了時におけるプラスチック基板の
前記中心線とITO膜パターン3Bの形成予定領域の前
記各ポイントまでの寸法(以下、初期寸法という)に、
先に求めた伸縮倍率を乗じた寸法となるように設計す
る。
In the present embodiment, the photomask 9 is moved from the center line of the plastic substrate after film formation by IT.
The dimension up to each point of the O film pattern 3B is the dimension up to each point of the center line of the plastic substrate and the area where the ITO film pattern 3B is to be formed when the formation of the color filter 6 is completed (hereinafter referred to as an initial dimension). To
The design is made to have a size obtained by multiplying the expansion / contraction magnification obtained earlier.

【0032】以下、プラスチック基板用のフォトマスク
9の設計の具体例を、図1を用いて説明する。
Hereinafter, a specific example of the design of the photomask 9 for a plastic substrate will be described with reference to FIG.

【0033】フォトマスク9の縦方向中央部には、プラ
スチック基板の縦方向中央部に設けられたアライメント
マーク(図示せず)と符合させるアライメントマーク1
0Aを設け、横方向中央部には、プラスチック基板の横
方向中央部に設けられたアライメントマークと符合させ
るアライメントマーク10Bを形成している。
At the center of the photomask 9 in the vertical direction, an alignment mark 1 for matching an alignment mark (not shown) provided at the center of the plastic substrate in the vertical direction.
0A is provided, and an alignment mark 10B is formed at the center in the horizontal direction to match the alignment mark provided at the center in the horizontal direction of the plastic substrate.

【0034】そして、まず、各ITO膜パターン3Bの
形成領域のフォトマスク9の縦方向における設計位置
を、縦方向中心線11Aから各ITO膜パターン3Bの
形成領域までの寸法が、当該初期寸法に乗数としての
1.02を乗じた寸法となるように設計する。
First, the design position in the vertical direction of the photomask 9 in the formation region of each ITO film pattern 3B is set such that the size from the vertical center line 11A to the formation region of each ITO film pattern 3B is set to the initial size. It is designed to have a dimension multiplied by 1.02 as a multiplier.

【0035】具体的には、図3に示すように、前記縦方
向中心線11Aと最も離間して形成されるITO膜パタ
ーン3Bの形成領域の外方縁部をポイントA(図中
A)、前記ポイントAと同一のITO膜パターン3Bの
形成領域の内方縁部をポイントB(図中B)、そして、
当該縦方向中心線11A上に形成される別のITO膜パ
ターン3Bの形成領域の外方端辺をポイントC(図中
C)とした場合において、プラスチック基板用のフォト
マスク9の前記縦方向中心線11AとポイントAとの間
の寸法は、この縦方向中心線11AとポイントAとの間
の初期設計寸法をXとすると、X(縦方向中心線とポイ
ントA間の初期設計寸法)×1.02(伸縮倍率)の関
係式により、1.02Xとなる。同様に、前記縦方向中
心線11AとポイントBとの間の寸法は、この縦方向中
心線11AとポイントBとの間の初期設計寸法をYとす
ると、1.02Yとなり、前記縦方向中心線11Aとポ
イントCとの間の寸法は、この縦方向中心線11Aとポ
イントCとの間の初期設計寸法をZとすると、1.02
Zとなる。
Specifically, as shown in FIG. 3, a point A (A in the figure) represents an outer edge portion of a formation region of the ITO film pattern 3B formed farthest from the vertical center line 11A. A point B (B in the figure) represents an inner edge of the same ITO film pattern 3B forming area as the point A, and
In a case where the outer end side of the formation area of another ITO film pattern 3B formed on the vertical center line 11A is point C (C in the figure), the vertical center of the photomask 9 for a plastic substrate is set. Assuming that the initial design dimension between the vertical center line 11A and the point A is X, the dimension between the line 11A and the point A is X (the initial design dimension between the vertical center line and the point A) × 1. It is 1.02X by the relational expression of .02 (expansion / contraction magnification). Similarly, the dimension between the vertical centerline 11A and the point B is 1.02Y, where Y is the initial design dimension between the vertical centerline 11A and the point B, and the vertical centerline. Assuming that the initial design dimension between the vertical center line 11A and the point C is Z, the dimension between the vertical center line 11A and the point C is 1.02.
Z.

【0036】図示はしていないが、同様にして、フォト
マスク9の横方向におけるITO膜パターン3Bの形成
領域の設計寸法についても、前記横方向中心線11Bか
ら各ITO膜パターン3Bの形成領域までの初期寸法
に、1.02を乗じて求める。
Although not shown, similarly, the design dimensions of the formation region of the ITO film pattern 3B in the lateral direction of the photomask 9 are from the horizontal center line 11B to the formation region of each ITO film pattern 3B. Is obtained by multiplying the initial dimension of the above by 1.02.

【0037】このようにして求めたITO膜パターン3
Bの形成領域の設計寸法に基づいて、プラスチック基板
用のフォトマスク9を設計する。
The ITO film pattern 3 thus obtained
A photomask 9 for a plastic substrate is designed based on the design dimensions of the B formation region.

【0038】そして、このように前記縦横両方向中心線
11A,11Bから各ITO膜パターン3Bの形成領域
の設計寸法を調整した当該プラスチック基板用のフォト
マスク9を、このフォトマスク9に形成したアライメン
トマーク10A,10Bをプラスチック基板に形成され
たアライメントマークに符合させて配置し、前記カラー
フィルタ6の形成領域をUV光にて露光させることによ
り所望のITO膜パターン3Bを形成する。
Then, the photomask 9 for the plastic substrate, in which the design dimensions of the formation region of each ITO film pattern 3B are adjusted from the center lines 11A and 11B in both the vertical and horizontal directions, is formed on the alignment mark formed on the photomask 9. The desired ITO film pattern 3B is formed by arranging the color filters 6A and 10B so as to correspond to the alignment marks formed on the plastic substrate, and exposing the formation region of the color filter 6 with UV light.

【0039】このようにしてプラスチック基板上に形成
されたITO膜パターン3Bは、流動工程においてプラ
スチック基板に膨潤や熱膨張等による寸法変化が生じて
も、この変化した寸法差を予め考慮した設計寸法とされ
てるので、プラスチック基板のアライメントマークを含
む中心線から離間して形成されるITO膜パターン3B
の位置ずれの問題を解消することができる。
The ITO film pattern 3B formed on the plastic substrate in this way has a design dimension in which even if the plastic substrate undergoes a dimensional change due to swelling, thermal expansion or the like in the flow step, the changed dimensional difference is considered in advance. Therefore, the ITO film pattern 3B formed apart from the center line including the alignment mark of the plastic substrate
Can be solved.

【0040】そして、本実施形態の方法は、プラスチッ
ク基板に熱処理をかけたり、真空処理を行うものではな
いため、プラスチック基板自体にダメージを与えること
もなく、一度、プラスチック基板用のフォトマスク9を
設計し、作成してしまえば、通常の流動工程において
は、同じ規格のプラスチック基板を用いる限り、そのフ
ォトマスク9を用いることができるので、特に作業工程
が増えることもない。
The method of this embodiment does not apply heat treatment or vacuum treatment to the plastic substrate, so that the plastic substrate itself is not damaged and the photomask 9 for the plastic substrate is once formed without damaging the plastic substrate itself. Once designed and prepared, the photomask 9 can be used in a normal flow process as long as a plastic substrate of the same standard is used, so that the number of working steps does not particularly increase.

【0041】なお、前記プラスチック基板は、前述のよ
うにベース基板にガスバリアコート層を形成したものを
使用したが、ガスバリアコート層は、例えばSiOx等
により形成し、このガスバリアコート層をベース基板の
少なくとも片面、好ましくは両面に形成することによ
り、プラスチック基板がガラス基板よりも剛性に関して
劣る点をカバーするものとなる。プラスチック基板にガ
スバリアコート層を設けることにより基板自体の反りや
うねりを防止することができ、透明電極形成工程におい
て、プラスチック基板用のフォトマスク9を利用して露
光を行えば、プラスチック基板上のアライメントマーク
を含む中心線から離間する透明電極パターンの位置ずれ
を完全に解消することができる。
As the plastic substrate, a base substrate having a gas barrier coat layer formed thereon as described above was used. The gas barrier coat layer was formed of, for example, SiOx or the like, and this gas barrier coat layer was formed at least on the base substrate. Forming on one side, preferably on both sides, covers the point where the plastic substrate is inferior in rigidity to the glass substrate. By providing a gas barrier coat layer on a plastic substrate, warpage and undulation of the substrate itself can be prevented. In the process of forming a transparent electrode, if exposure is performed using a photomask 9 for a plastic substrate, alignment on the plastic substrate can be achieved. It is possible to completely eliminate the positional deviation of the transparent electrode pattern separated from the center line including the mark.

【0042】なお、本発明は、前述した実施の形態に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made as necessary.

【0043】例えば、前記実施形態においては、CF基
板に対する透明電極パターンの形成を例にとって説明し
たが、プラスチック基板は前述の構成の基板に限らな
い。要するに、本発明は、既に形成されている膜層の上
方に、アライメントマークを利用して位置合わせを行い
ながら別の膜層を重ねて成膜する工程における露光方法
に応用できる技術である。例えば第1膜層として反射膜
層を形成した情報に第2膜としての着色膜パターンを成
膜する場合に適用してもよい。
For example, in the above embodiment, the formation of the transparent electrode pattern on the CF substrate has been described as an example, but the plastic substrate is not limited to the above-described substrate. In short, the present invention is a technique that can be applied to an exposure method in a process of forming another film layer while overlaying another film layer while performing alignment using an alignment mark above an already formed film layer. For example, the present invention may be applied to a case where a colored film pattern as a second film is formed on information in which a reflective film layer is formed as a first film layer.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ラスチック基板自体にダメージを与えることなく、パタ
ーンの位置ずれの問題を解消して、透明電極パターンの
形成を行うことができ、よって、パネルの表示領域にお
いて一定の表示品位を得ることができるプラスチック液
晶表示素子を製造することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to form a transparent electrode pattern without damaging the pattern, without damaging the plastic substrate itself. A plastic liquid crystal display device capable of obtaining a certain display quality in a display region of a panel can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に用いるプラスチック基板用のフォト
マスクの設計に関する説明図
FIG. 1 is an explanatory diagram relating to the design of a photomask for a plastic substrate used in the present invention.

【図2】 一般的なカラー液晶表示素子の構造を示す断
面図
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a general color liquid crystal display device.

【図3】 ITO膜パターンの位置ずれを示す模式図FIG. 3 is a schematic diagram showing a displacement of an ITO film pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 カラー液晶表示素子 2 透明基板 2A FRONT基板 2B CF基板 3 透明電極 3A 信号電極 3B ITO膜パターン 4 配向膜 5 ブラックマトリクス 5a 開口部 5b 遮光部 6 カラーフィルタ 7 保護膜 8 シール材 9 フォトマスク 10A (フォトマスクの縦方向)アライメントマーク 10B (フォトマスクの横方向)アライメントマーク 11 中心線 11A (フォトマスクの縦方向)中心線 11B (フォトマスクの横方向)中心線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Color liquid crystal display element 2 Transparent substrate 2A FRONT substrate 2B CF substrate 3 Transparent electrode 3A Signal electrode 3B ITO film pattern 4 Alignment film 5 Black matrix 5a Opening 5b Shielding part 6 Color filter 7 Protective film 8 Sealing material 9 Photomask 10A ( (Vertical direction of photomask) alignment mark 10B (horizontal direction of photomask) alignment mark 11 center line 11A (vertical direction of photomask) center line 11B (horizontal direction of photomask) center line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 310 G09F 9/30 310 5G435 343 343Z 349 349B Fターム(参考) 2H088 EA02 FA16 FA18 FA29 HA02 MA20 2H090 JA07 JB03 JC07 JD11 JD15 JD18 LA01 LA15 2H091 FA02Y FA35Y FD04 FD05 GA01 GA03 GA07 LA30 2H092 GA15 HA04 JB52 JB56 MA13 MA14 NA25 NA29 PA01 PA08 5C094 AA05 AA08 AA15 AA43 AA46 AA48 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB01 EB02 ED03 FA01 FB01 FB12 FB15 GB10 5G435 AA01 AA04 AA17 BB12 CC09 FF05 GG12 HH02 HH12 KK05──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 310 G09F 9/30 310 5G435 343 343Z 349 349B F term (Reference) 2H088 EA02 FA16 FA18 FA29 HA02 MA20 2H090 JA07 JB03 JC07 JD11 JD15 JD18 LA01 LA15 2H091 FA02Y FA35Y FD04 FD05 GA01 GA03 GA07 LA30 2H092 GA15 HA04 JB52 JB56 MA13 MA14 NA25 NA29 PA01 PA08 5C094 AA05 AA05 AA15 AA04 EB01 EB04 EB01 EB04 FB15 GB10 5G435 AA01 AA04 AA17 BB12 CC09 FF05 GG12 HH02 HH12 KK05

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】プラスチック基板上に既に形成されている
第1膜層に位置合わせを行いながら、フォトマスクを用
いた露光の工程を有するフォトリソグラフイにより、前
記第1膜層の上に所定の第2膜パターンを成膜するプラ
スチック液晶表示素子の製造方法において、 前記露光は、プラスチック基板の中心線から成膜後の第
2膜パターンの各ポイントまでの寸法が、前記膜層の形
成完了時におけるプラスチック基板の前記中心線から第
2膜パターン形成予定領域の各ポイントまでの寸法に、
前記第1膜層の形成完了時の基板寸法に対する第2膜パ
ターン形成工程における露光完了時の基板寸法の伸縮倍
率を乗じた寸法となるように設計したフォトマスクを用
いて行うことを特徴とするプラスチック液晶表示素子の
製造方法。
1. A photolithography method having an exposure step using a photomask while performing positioning on a first film layer already formed on a plastic substrate. In the method of manufacturing a plastic liquid crystal display element for forming a second film pattern, the exposure is performed when a dimension from a center line of the plastic substrate to each point of the second film pattern after film formation is completed. In the dimension from the center line of the plastic substrate to each point of the second film pattern formation scheduled area,
It is characterized by using a photomask designed to be a size obtained by multiplying the substrate size at the time of completion of exposure in the second film pattern forming step by the expansion / contraction magnification of the substrate size at the time of completion of the formation of the first film layer. Manufacturing method of plastic liquid crystal display element.
【請求項2】前記第1膜層が着色膜層であり、前記第2
パターンが透明電極からなるパターンであることを特徴
とする請求項1に記載のプラスチック液晶表示素子の製
造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the first film layer is a colored film layer, and the second film layer is a colored film layer.
2. The method according to claim 1, wherein the pattern is a pattern comprising a transparent electrode.
【請求項3】前記プラスチック基板が、ベース基板の少
なくとも片面にガスバリアコート層を有することを特徴
とする請求項1または請求項2に記載のプラスチック液
晶表示素子の製造方法。
3. The method for manufacturing a plastic liquid crystal display device according to claim 1, wherein said plastic substrate has a gas barrier coat layer on at least one surface of a base substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7335524B2 (en) 2005-03-29 2008-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor array panel
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