JP2002033267A - Method and device for exhausting, and method and device for exposure - Google Patents

Method and device for exhausting, and method and device for exposure

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JP2002033267A
JP2002033267A JP2000218022A JP2000218022A JP2002033267A JP 2002033267 A JP2002033267 A JP 2002033267A JP 2000218022 A JP2000218022 A JP 2000218022A JP 2000218022 A JP2000218022 A JP 2000218022A JP 2002033267 A JP2002033267 A JP 2002033267A
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exhaust
space
substrate
optical system
light
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Hitoshi Takeuchi
仁 竹内
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Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for exhausting, as well as method and device for exposure, to remove, with a simple configuration, the gas containing light-absorbing material present in an optical-path space for precision and stable exposure process. SOLUTION: An exposure device RX comprises an exhausting device S which exhausts the light-absorbing material having such characteristics as absorbs exposure light PL present in a space SP formed between a projection optical system PL and a photosensitized plate P. The exhausting device S comprises exhausting mechanisms 1 provided at a plurality of positions between a position in the space SP which corresponds to a projection region AR by the projection optical system PL on the photosensitized board P and a position at the outer edge of the space SP, and a control device CONT which controls the exhausting mechanisms 1 for exhausting while the pressure at the outer edge is set higher relative to the position corresponding to the projection region AR.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対向する2つの物
体間に形成された空間に存在する所定のガスを排気する
排気方法及び排気装置、及び露光方法及び露光装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust method and an exhaust apparatus for exhausting a predetermined gas existing in a space formed between two opposing objects, and an exposure method and an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子や薄膜磁気ヘッドあるいは液
晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する場合
に種々の露光装置が使用されているが、フォトマスクあ
るいはレチクル(以下、「マスク」と称する)に形成さ
れたパターンの像を、表面にフォトレジスト等の感光剤
を塗布された基板上に投影光学系を介して投影する露光
装置が一般的に使用されている。そして、近年、基板上
のショット領域に投影されるパターンの形状の微細化に
伴い、使用される露光用照明光(以下、「露光光」と称
する)は短波長化される傾向にある。すなわち、これま
で主流だった水銀ランプに代わって、KrFエキシマレ
ーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(19
3nm)を用いた露光装置が実用化されつつある。ま
た、さらなるパターンの形状の微細化を目指してF2 レ
ーザー(157nm)を用いた露光装置の開発も進めら
れている。
2. Description of the Related Art Various types of exposure apparatuses are used in the manufacture of semiconductor elements, thin-film magnetic heads, liquid crystal display elements, and the like by a photolithography process. A photomask or reticle (hereinafter, referred to as a "mask") is used. An exposure apparatus which projects an image of a formed pattern onto a substrate having a surface coated with a photosensitive agent such as a photoresist through a projection optical system is generally used. In recent years, with the miniaturization of the shape of a pattern projected on a shot region on a substrate, the exposure illumination light used (hereinafter, referred to as “exposure light”) tends to have a shorter wavelength. That is, a KrF excimer laser (248 nm) and an ArF excimer laser (19
Exposure apparatuses using 3 nm) are being put to practical use. Exposure apparatuses using an F2 laser (157 nm) have also been developed with the aim of further miniaturizing the pattern shape.

【0003】このような、短い波長を有する真空紫外線
光を露光光として用いる場合、露光光の通過する空間で
ある光路空間内に、酸素分子、水分子、二酸化炭素分子
などといったかかる波長域の光に対し強い吸収特性を備
える物質(以下、「吸光物質」と称する)やパーティク
ルなどの不純物が存在していると、露光光は減光され十
分な強度で基板上に到達できず、精度良い露光処理を行
うことができない。したがって、真空紫外線光を用いた
露光装置では、露光光の通過する光路空間に存在する吸
光物質をはじめとする不純物を低減する必要がある。
When vacuum ultraviolet light having such a short wavelength is used as exposure light, light of such a wavelength range as oxygen molecules, water molecules, carbon dioxide molecules, etc. is placed in an optical path space through which the exposure light passes. If there is a substance having a strong absorption characteristic (hereinafter referred to as "light-absorbing substance") or an impurity such as particles, the exposure light is diminished and cannot reach the substrate with sufficient intensity, so that the exposure with high accuracy Processing cannot be performed. Therefore, in an exposure apparatus using vacuum ultraviolet light, it is necessary to reduce impurities such as light-absorbing substances existing in an optical path space through which exposure light passes.

【0004】ここで、露光光の通過する光路空間に存在
する吸光物質(大気)を低減する方法には、光路空間内
を密閉状態としてから真空に引いて減圧状態に維持する
方法、真空に引いた後に露光光に対する吸収特性の少な
い特性を有する物質(例えば、ヘリウム、アルゴン、窒
素などの不活性ガス)を充填する方法、などが挙げられ
る。
Here, as a method of reducing the light absorbing substance (atmosphere) existing in the optical path space through which the exposure light passes, there is a method in which the inside of the optical path space is closed and then vacuum is maintained to maintain a reduced pressure state. After that, a method of filling with a substance having a property of less absorption property to exposure light (for example, an inert gas such as helium, argon, or nitrogen), or the like is used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような方法では、確かに吸光物質を除去する方法とし
ては有効であるが、光路空間を密閉状態にするための密
閉室を建造する必要があるなど、装置の大型化・複雑化
によって、装置全体のコストが上昇するといった問題が
ある。
However, the above-mentioned method is certainly effective as a method for removing the light-absorbing substance, but it is necessary to construct a closed chamber for keeping the optical path space in a closed state. For example, there is a problem that the cost of the entire apparatus increases due to the increase in size and complexity of the apparatus.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、精度良く安定した露光処理を行うために、光
路空間に存在する吸光物質を含むガスを簡易な構成で除
去可能な排気方法及び排気装置、並びに露光方法及び露
光装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and in order to perform an accurate and stable exposure process, an exhaust method capable of removing a gas containing a light absorbing substance existing in an optical path space with a simple configuration. And an exhaust device, and an exposure method and an exposure apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図1〜図5に対応付けし
た以下の構成を採用している。請求項1に記載の排気方
法は、対向する2つの物体(PL、P)間に形成された
空間(SP、6a)に存在する所定のガスを排気する排
気方法において、空間(SP)内の所定の位置(AR)
に対してこの空間(SP)の外縁の位置における圧力を
高く設定しつつ、排気を行うことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 5 shown in the embodiment. The exhaust method according to claim 1 is an exhaust method for exhausting a predetermined gas existing in a space (SP, 6a) formed between two opposing objects (PL, P). Predetermined position (AR)
In contrast, the exhaust is performed while the pressure at the position of the outer edge of the space (SP) is set high.

【0008】本発明によれば、空間(SP)の外縁の位
置における圧力を空間(SP)内の所定の位置(AR)
の圧力に対して高く設定することにより、空間(SP)
を密閉状態としなくても、外部から空間(SP)内の所
定の位置(AR)に対して浸入するガスを抑えつつ、空
間(SP)内の所定の位置(AR)に存在するガスを簡
易な構成で安定して排気することができる。
According to the present invention, the pressure at the position of the outer edge of the space (SP) is changed to the predetermined position (AR) in the space (SP).
Space (SP)
The gas existing at the predetermined position (AR) in the space (SP) can be easily reduced while suppressing the gas entering from outside into the predetermined position (AR) in the space (SP) without making the airtight state. It is possible to stably exhaust with a simple configuration.

【0009】請求項5に記載の排気装置は、対向する2
つの物体(PL、P)間に形成された空間(SP)に存
在する所定のガスを排気する排気装置(S)において、
空間(SP)内の所定の位置(AR)からこの空間(S
P)の外縁の位置に向かう複数の位置に設置された排気
機構(1)と、所定の位置(AR)に対して外縁の位置
における圧力を高く設定しつつ排気を行うように排気機
構(1)を制御する制御装置(CONT)とを備えるこ
とを特徴とする。
[0009] The exhaust device according to the fifth aspect is characterized in that the two exhaust devices are opposed to each other.
In an exhaust device (S) for exhausting a predetermined gas existing in a space (SP) formed between two objects (PL, P),
From a predetermined position (AR) in the space (SP), this space (S)
An exhaust mechanism (1) installed at a plurality of positions toward the outer edge position of P), and an exhaust mechanism (1) that performs exhaust while setting the pressure at the outer edge position higher than a predetermined position (AR). And a control device (CONT) for controlling (i.).

【0010】本発明によれば、空間(SP)内の所定の
位置(AR)からこの空間(SP)の外縁の位置に向か
う複数の位置に排気機構(1)を設け、所定の位置(A
R)に対して外縁の位置における圧力を高く設定しつつ
排気動作を行うことにより、空間(SP)を密閉状態と
しなくても、外部から空間(SP)内の所定の位置(A
R)に対して浸入するガスを抑えつつ、空間(SP)内
の所定の位置(AR)に存在するガスを簡易な構成で安
定して排気することができる。
According to the present invention, the exhaust mechanism (1) is provided at a plurality of positions from the predetermined position (AR) in the space (SP) to the position of the outer edge of the space (SP), and the predetermined position (A) is provided.
By performing the evacuation operation while setting the pressure at the outer edge position higher than that of R), a predetermined position (A) in the space (SP) can be externally obtained without closing the space (SP).
The gas existing at a predetermined position (AR) in the space (SP) can be stably exhausted with a simple configuration while suppressing the gas entering into the space (R).

【0011】請求項9に記載の露光方法は、マスク
(M)に露光光(EL)を照射してこのマスク(M)の
パターンの像を投影光学系(PL)を介して基板(P)
上に転写する露光方法において、投影光学系(PL)と
基板(P)との間に形成された空間(SP)に存在す
る、露光光(EL)を吸収する特性を有する吸光物質を
排気する際、投影光学系(PL)による基板(P)上の
投影領域(AR)に対応する位置に対して空間(SP)
の外縁の位置における圧力を高く設定しつつ排気を行
い、吸光物質の濃度が所定の値になってから、基板
(P)に対する転写処理を行うことを特徴とする。
In the exposure method according to the ninth aspect, the mask (M) is irradiated with exposure light (EL) and an image of a pattern of the mask (M) is projected on the substrate (P) via the projection optical system (PL).
In the exposure method of transferring onto the upper side, a light absorbing substance having a characteristic of absorbing exposure light (EL), which is present in a space (SP) formed between the projection optical system (PL) and the substrate (P), is exhausted. At this time, a space (SP) is set with respect to a position corresponding to the projection area (AR) on the substrate (P) by the projection optical system (PL).
It is characterized in that exhaust is performed while the pressure at the outer edge position is set to be high, and the transfer process to the substrate (P) is performed after the concentration of the light absorbing substance reaches a predetermined value.

【0012】本発明によれば、投影光学系(PL)と基
板(P)との間に形成された空間(SP)に存在する吸
光物質を排気する際、投影光学系(PL)による基板
(P)上の投影領域(AR)に対応する位置に対して空
間(SP)の外縁の位置における圧力を高く設定しつつ
排気を行うようにするので、この投影光学系(PL)と
基板(P)との間の空間(SP)を密閉状態としなくて
も、空間(SP)内の投影領域(AR)に存在する吸光
物質を簡易な構成で安定して低減することができる。そ
して、吸光物質の濃度が所定の値になってから転写処理
を行うことにより、精度良い転写処理を行うことができ
る。
According to the present invention, when exhausting the light absorbing substance existing in the space (SP) formed between the projection optical system (PL) and the substrate (P), the substrate ( Since the air is exhausted while the pressure at the outer edge of the space (SP) is set to be higher than the position corresponding to the projection area (AR) on P), the projection optical system (PL) and the substrate (P ) Can be stably reduced with a simple configuration without having to make the space (SP) between the space (SP) and the space (SP) closed. Then, by performing the transfer process after the concentration of the light absorbing substance reaches a predetermined value, it is possible to perform the transfer process with high accuracy.

【0013】請求項10に記載の露光装置は、マスク
(M)に露光光(EL)を照射してこのマスク(M)の
パターンの像を投影光学系(PL)を介して基板(P)
上に転写する露光装置(EX)において、投影光学系
(PL)と基板(P)との間に形成された空間に存在す
る、露光光(EL)を吸収する特性を有する吸光物質を
排気する排気装置(S)を備え、この排気装置(S)
は、空間(SP)内の投影光学系(PL)による基板
(P)上の投影領域(AR)に対応する位置から空間
(SP)の外縁の位置に向かう複数の位置に設置された
排気機構(1)と、投影領域(AR)に対応する位置に
対して外縁の位置における圧力を高く設定しつつ、排気
を行うよう排気機構(1)を制御する制御装置(CON
T)とを備えることを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the exposure apparatus, the mask (M) is irradiated with exposure light (EL) and an image of a pattern of the mask (M) is projected through the projection optical system (PL).
In the exposure apparatus (EX) for transferring the light onto the top, the light absorbing material having the characteristic of absorbing the exposure light (EL), which is present in the space formed between the projection optical system (PL) and the substrate (P), is exhausted. An exhaust device (S) is provided.
Are exhaust mechanisms installed at a plurality of positions from the position corresponding to the projection area (AR) on the substrate (P) by the projection optical system (PL) in the space (SP) toward the outer edge of the space (SP). (1) A control device (CON) that controls the exhaust mechanism (1) to perform exhaust while setting the pressure at the outer edge position higher than the position corresponding to the projection area (AR).
T).

【0014】本発明によれば、投影光学系(PL)と基
板(P)との間に形成された空間(SP)内の投影光学
系(PL)による基板(P)上の投影領域(AR)に対
応する位置からこの空間(SP)の外縁の位置に向かう
複数の位置に排気機構(1)を設け、投影領域(AR)
に対応する位置に対して外縁の位置における圧力を高く
設定しつつ排気動作を行うことにより、空間(SP)を
密閉状態としなくても、外部から空間(SP)内の投影
領域(AR)に浸入する吸光物質を簡易な構成で安定し
て抑えることができる。そして、この状態において空間
(SP)に存在する吸光物質を排気することにより、露
光領域(AR)に存在する吸光物質を簡易な構成で安定
して低減することができる。したがって、精度良い転写
処理を行うことができる。
According to the present invention, the projection area (AR) on the substrate (P) by the projection optical system (PL) in the space (SP) formed between the projection optical system (PL) and the substrate (P). ), The exhaust mechanism (1) is provided at a plurality of positions from the position corresponding to the outer edge of the space (SP) to the projection area (AR).
By performing the exhaust operation while setting the pressure at the outer edge position higher than the position corresponding to the above, the projection area (AR) in the space (SP) can be externally input to the projection area (AR) in the space (SP) without closing the space (SP). The light-absorbing substance that enters can be stably suppressed with a simple configuration. By exhausting the light-absorbing substance existing in the space (SP) in this state, the light-absorbing substance existing in the exposure area (AR) can be stably reduced with a simple configuration. Therefore, an accurate transfer process can be performed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の排気方法及び排気
装置、露光方法及び露光装置の一実施形態を図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の排気装置Sを備えた
露光装置EXの概略構成図である。また、図2は排気装
置Sを説明するための概略構成図であり、図3は図2の
平面図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus EX including an exhaust device S of the present invention. FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the exhaust device S, and FIG. 3 is a plan view of FIG.

【0016】図1に示すように、露光装置EXは、光源
101からの光束をマスクMに照明する照明光学系IL
を備えた照明系ユニットIUと、この照明光学系IL内
に配され露光光ELを通過させる開口の面積を調整して
この露光光ELによるマスクMの照明範囲を規定するブ
ラインド部Bと、マスクMを支持するマスクステージM
STと、ケーシングPKに支持され、露光光ELで照明
されたマスクMのパターンの像を感光基板P上に投影す
る投影光学系PLを備えた投影系ユニットPUと、感光
基板Pを支持する基板ステージPSTと、投影光学系P
Lと基板ステージPSTに支持された感光基板Pとの間
に形成された空間に存在するガスを排気する排気装置S
とを備えている。
As shown in FIG. 1, an exposure apparatus EX includes an illumination optical system IL for illuminating a light beam from a light source 101 onto a mask M.
An illumination system unit IU, a blind portion B arranged in the illumination optical system IL to adjust an area of an opening through which the exposure light EL passes and to define an illumination range of the mask M by the exposure light EL; Mask stage M supporting M
ST, a projection system unit PU including a projection optical system PL supported by the casing PK and projecting an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the photosensitive substrate P, and a substrate supporting the photosensitive substrate P Stage PST and projection optical system P
Exhaust device S for exhausting gas existing in a space formed between L and photosensitive substrate P supported on substrate stage PST
And

【0017】光源101は、例えば、発振波長193n
mのArFレーザーエキシマレーザー、発振波長157
nmのフッ素レーザー(F2 レーザー)、発振波長14
6nmのクリプトンダイマーレーザー(Kr2 レーザ
ー)、発振波長126nmのアルゴンダイマーレーザー
(Ar2 レーザー)などによって構成され、露光光EL
を射出するものである。また、光源101として、発振
波長193nmのArFレーザーエキシマレーザー等を
用いることも可能である。
The light source 101 has, for example, an oscillation wavelength of 193n.
m ArF laser excimer laser, oscillation wavelength 157
nm laser (F2 laser), oscillation wavelength 14
The exposure light EL is composed of a 6 nm krypton dimer laser (Kr2 laser), an argon dimer laser (Ar2 laser) having an oscillation wavelength of 126 nm, and the like.
Is to be injected. Further, as the light source 101, an ArF laser excimer laser having an oscillation wavelength of 193 nm or the like can be used.

【0018】光源101から出射された露光光ELは、
窓部102aを通過して照明系ユニットIUのミラー1
03a、ミラー103bを反射して照明光学系ILに入
射する。照明光学系ILは、リレーレンズ、露光光EL
を均一化するためのオプティカルインテグレータ、露光
光ELをオプティカルインテグレータに入射させるイン
プットレンズ、オプティカルインテグレータから射出し
た露光光ELをマスクM上に集光するためのリレーレン
ズ、コンデンサレンズ等の複数のレンズ(光学部材)を
有している。
The exposure light EL emitted from the light source 101 is
Mirror 1 of illumination unit IU passing through window 102a
03a, the light is reflected by the mirror 103b and enters the illumination optical system IL. The illumination optical system IL includes a relay lens and an exposure light EL.
A plurality of lenses such as an optical integrator for equalizing the light, an input lens for exposing the exposure light EL to the optical integrator, a relay lens for condensing the exposure light EL emitted from the optical integrator on the mask M, and a condenser lens. Optical member).

【0019】ブラインド部Bは、例えば、平面L字状に
屈曲し露光光ELの光軸AXと直交する面内で組み合わ
せられることによって矩形状の開口を形成する一対のブ
レードと、これらブレードを光軸AXと直交する面内で
変位させる駆動機構Dとを備えている。このとき、ブラ
インド部Bの開口の大きさはブレードの変位に伴って変
化し、入射される露光光ELのうち、通過させた露光光
ELのみをマスクM側に送る。ブラインド部Bの開口に
より規定された露光光ELは、マスクMの特定領域をほ
ぼ均一な照度で照明する。
The blind portion B is formed, for example, by a pair of blades which are bent into a plane L-shape and are combined in a plane orthogonal to the optical axis AX of the exposure light EL to form a rectangular opening. A drive mechanism D for displacing in a plane orthogonal to the axis AX. At this time, the size of the opening of the blind portion B changes with the displacement of the blade, and of the incident exposure light EL, only the passed exposure light EL is sent to the mask M side. The exposure light EL defined by the opening of the blind portion B illuminates a specific region of the mask M with substantially uniform illuminance.

【0020】そして、これら照明光学系ILの各光学部
材及びブラインド部Bは、密閉空間であるケーシングI
K内に所定の位置関係で配置されている。この場合、ブ
ラインド部BはマスクMのパターン面と共役な面に配置
されている。
Each of the optical members and the blind portion B of the illumination optical system IL is a casing I which is a closed space.
They are arranged in a predetermined positional relationship within K. In this case, the blind portion B is arranged on a plane conjugate with the pattern plane of the mask M.

【0021】マスクステージMSTは、マスクMを真空
吸着によって保持するマスクホルダを備え、密閉区間で
あるマスク室MK内に配置されており、マスクM上のパ
ターンが形成された領域であるパターン領域に対応した
開口を有している。このマスクステージMSTは、不図
示の駆動機構によりX方向、Y方向、θ方向(Z軸回り
の回転方向)に微動可能となっており、これによって、
パターン領域の中心が投影光学系PLの光軸AXを通る
ようにマスクMの位置決めが可能な構成となっている。
The mask stage MST includes a mask holder for holding the mask M by vacuum suction, is disposed in a mask chamber MK which is a closed section, and is provided in a pattern area where a pattern on the mask M is formed. It has a corresponding opening. The mask stage MST can be finely moved in the X direction, the Y direction, and the θ direction (the rotation direction around the Z axis) by a driving mechanism (not shown).
The mask M can be positioned so that the center of the pattern area passes through the optical axis AX of the projection optical system PL.

【0022】マスク室MKの天井部には、照明系ユニッ
トIUの内部空間と、マスクMが配置されるマスク室M
Kの内部空間とを分離するように窓部102bが配置さ
れている。そして、照明光学系ILから射出された露光
光ELは、ケーシングIK内に配置されたミラー103
cで反射し、窓部102bを通過し、マスクステージM
ST上のマスクMに入射する。
In the ceiling of the mask room MK, the internal space of the illumination system unit IU and the mask room M in which the mask M is arranged
The window 102b is arranged so as to be separated from the K internal space. Then, the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL is transmitted to the mirror 103 disposed in the casing IK.
c, passes through the window 102b, and passes through the mask stage M
The light enters the mask M on the ST.

【0023】マスクMを透過した露光光ELは、窓部1
02cを介して投影系ユニットPU内の投影光学系PL
に入射する。この投影光学系PLは、ブラインド部Bの
開口によって規定されたマスクMの露光光ELによる照
明範囲に存在するパターンの像を感光基板Pに結像さ
せ、感光基板Pの特定領域(ショット領域)にパターン
の像を露光するものである。投影光学系PLは、レンズ
や反射鏡などの複数の光学部材によって構成されてお
り、密閉空間であるケーシングPK内に配置されてい
る。そして、マスクMを透過した露光光ELは、この投
影光学系PLを透過して感光基板Pに入射し、マスクM
のパターンの像を感光基板P表面に形成する。
The exposure light EL transmitted through the mask M passes through the window 1
02c via the projection optical system PL in the projection system unit PU
Incident on. The projection optical system PL forms an image of a pattern existing in the illumination range of the mask M defined by the opening of the blind portion B by the exposure light EL on the photosensitive substrate P, and a specific area (shot area) of the photosensitive substrate P To expose a pattern image. The projection optical system PL is composed of a plurality of optical members such as a lens and a reflecting mirror, and is arranged in a casing PK which is a closed space. Then, the exposure light EL transmitted through the mask M is transmitted through the projection optical system PL and is incident on the photosensitive substrate P.
Is formed on the surface of the photosensitive substrate P.

【0024】このとき、マスク室MKは、照明系ユニッ
トIUのケーシングIK及び投影系ユニットPUのケー
シングPKと隙間無く接合されている。そして、照明系
ユニットIU、マスク室MK、投影系ユニットPUによ
って構成された光路空間は密閉空間となっている。
At this time, the mask chamber MK is joined to the casing IK of the illumination system unit IU and the casing PK of the projection system unit PU without any gap. The optical path space formed by the illumination system unit IU, the mask room MK, and the projection system unit PU is a closed space.

【0025】感光基板Pは、この感光基板Pを保持する
ための基板ホルダPHに保持されており、基板ホルダP
Hは3次元方向(XYZ方向)に移動可能な基板ステー
ジPST上に設置されている。基板ホルダPHは、例え
ば静電気力を用いた静電チャックにより感光基板Pを保
持するようになっている。そして、基板ホルダPHによ
って感光基板Pを保持した際、感光基板Pの表面(露光
処理面)と基板ステージPSTとは同じ高さ(同一平
面)になるように設定されている。
The photosensitive substrate P is held by a substrate holder PH for holding the photosensitive substrate P.
H is set on a substrate stage PST that can move in a three-dimensional direction (XYZ directions). The substrate holder PH holds the photosensitive substrate P by, for example, an electrostatic chuck using electrostatic force. Then, when the photosensitive substrate P is held by the substrate holder PH, the surface (exposure processing surface) of the photosensitive substrate P and the substrate stage PST are set to have the same height (same plane).

【0026】基板ステージPSTのXY平面内での位置
は、レーザ干渉計105で計測され、一方、基板ステー
ジPSTのZ方向の位置は、投光系と受光系とを備えた
焦点検出系(不図示)で計測される。これらレーザ干渉
計及び焦点検出系の計測結果は制御装置CONTに出力
され、基板ステージPSTは、制御装置CONTの指示
に基づいて駆動機構PSTDを介して移動されるように
なっている。
The position of the substrate stage PST in the XY plane is measured by the laser interferometer 105, while the position of the substrate stage PST in the Z direction is determined by a focus detection system (not shown) having a light projecting system and a light receiving system. (Shown). The measurement results of the laser interferometer and the focus detection system are output to the control unit CONT, and the substrate stage PST is moved via the drive mechanism PSTD based on an instruction from the control unit CONT.

【0027】なお、本実施形態における露光装置EX
は、マスクMと感光基板Pとを静止した状態でマスクM
のパターンを露光し、感光基板Pを順次ステップ移動さ
せるステップ・アンド・リピート型の露光装置である。
The exposure apparatus EX according to the present embodiment
Means that the mask M and the photosensitive substrate P are stationary and the mask M
Is a step-and-repeat type exposure apparatus that exposes the pattern and sequentially moves the photosensitive substrate P stepwise.

【0028】ここで、照明系ユニットIU、マスク室M
K、投影系ユニットPUによって構成される密閉空間で
ある露光光ELの光路空間は、不図示のガス置換装置に
よって、不純物(吸光物質及びパーティクルを含む)を
低減された光学的に不活性なガスによって満たされてい
る。具体的には、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、
クリプトン等のガス、またはそれらの混合ガスであっ
て、真空紫外域の光に対する吸収性の少ない特性を有す
るガス(以下、「不活性ガス」と称する)である。つま
り、真空紫外域の波長の光を露光光ELとする場合に
は、その光路空間から酸素、水蒸気、炭化水素系のガス
等の、かかる波長帯域の光に対し強い吸収特性を有する
ガス(以下、「吸光物質」という)の濃度を低減する必
要がある。このため、ガス置換装置によって光路空間内
のガスを排気するとともにこの光路空間に対して不活性
ガスを給気することにより、光路空間内の吸光物質の濃
度を低減する。
Here, the illumination system unit IU, the mask room M
K, the optical path space of the exposure light EL, which is a closed space formed by the projection system unit PU, is an optically inert gas in which impurities (including light absorbing substances and particles) are reduced by a gas replacement device (not shown). Is satisfied by Specifically, nitrogen, helium, argon, neon,
It is a gas such as krypton or a mixed gas thereof, and has a characteristic of low absorption of light in a vacuum ultraviolet region (hereinafter, referred to as “inert gas”). That is, when light having a wavelength in the vacuum ultraviolet region is used as the exposure light EL, a gas having a strong absorption characteristic for light in such a wavelength band, such as oxygen, water vapor, or a hydrocarbon-based gas (hereinafter, referred to as the light). , "Light-absorbing substance"). For this reason, the gas in the optical path space is exhausted by the gas replacement device, and the inert gas is supplied to the optical path space, thereby reducing the concentration of the light absorbing substance in the optical path space.

【0029】排気装置Sは、対向する投影光学系PL
(投影系ユニットPU)と基板ステージPSTに支持さ
れた感光基板Pとの間に形成された空間SPに存在する
ガス(吸光物質、大気)を排気するものであって、感光
基板Pを支持する基板ステージPSTの上方に配置され
ている。この空間SPは外部雰囲気に対して開放されて
いる空間であり、大気(吸光物質)が存在している。
The exhaust device S is provided with an opposing projection optical system PL.
A gas (light-absorbing substance, air) existing in a space SP formed between the (projection system unit PU) and the photosensitive substrate P supported on the substrate stage PST, and supports the photosensitive substrate P. It is arranged above substrate stage PST. This space SP is a space that is open to the outside atmosphere, and contains the atmosphere (light absorbing material).

【0030】図1、図2に示すように、基板ステージP
STの上方に配置されている排気装置Sは、空間SP内
における投影光学系PLによる感光基板P上の投影領域
ARに対応する位置から、この空間SPの外側に向かう
複数の位置に設置された排気機構1を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate stage P
The exhaust devices S disposed above the ST are installed at a plurality of positions from the position corresponding to the projection area AR on the photosensitive substrate P by the projection optical system PL in the space SP to the outside of the space SP. An exhaust mechanism 1 is provided.

【0031】図2、図3に示すように、排気機構1は、
空間SPに存在するガスを排気するための円環状に形成
された複数の排気管2と、この排気管2にそれぞれ接続
管3を介して接続された真空ポンプ(排気駆動装置)4
とを備えている。円環状に形成された複数の排気管2
は、投影光学系PLによる感光基板P上の投影領域AR
の中心(すなわち、投影光学系PLの光軸AX)を基準
として同心状に配置されており、それぞれ排気管支持部
5に支持されている。このとき、排気管支持部5に支持
された複数の排気管2と感光基板Pとのそれぞれの離間
距離はそれぞれ等しくなるように設定されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the exhaust mechanism 1
A plurality of annular exhaust pipes 2 for exhausting gas existing in the space SP, and vacuum pumps (exhaust driving devices) 4 connected to the exhaust pipes 2 via connection pipes 3 respectively.
And A plurality of exhaust pipes 2 formed in an annular shape
Is a projection area AR on the photosensitive substrate P by the projection optical system PL.
(I.e., the optical axis AX of the projection optical system PL) are concentrically arranged with respect to the center of the projection optical system PL, and are supported by the exhaust pipe support 5 respectively. At this time, the separation distance between the plurality of exhaust pipes 2 supported by the exhaust pipe support 5 and the photosensitive substrate P is set to be equal.

【0032】排気管2を支持している排気管支持部5
は、筒状支持部6を介して投影系ユニットPUに接続さ
れている。このとき、筒状支持部6の内側の空間6aの
形状は、投影光学系PLの感光基板Pに対する投影領域
ARを妨げないように設定されている。そして、この筒
状支持部6の内側の空間6aも接続管3を介して真空ポ
ンプ4に接続されている。
Exhaust pipe support 5 supporting exhaust pipe 2
Is connected to the projection system unit PU via the tubular support 6. At this time, the shape of the space 6a inside the cylindrical support portion 6 is set so as not to obstruct the projection area AR of the projection optical system PL with respect to the photosensitive substrate P. The space 6 a inside the cylindrical support 6 is also connected to the vacuum pump 4 via the connection pipe 3.

【0033】そして、それぞれの排気管2の感光基板P
に対向する面と、排気管支持部5の感光基板Pに対向す
る面と、筒状支持部6の下端面とは、同じ高さ(同一平
面)になるように設定されている。
The photosensitive substrate P of each exhaust pipe 2
, The surface of the exhaust pipe support 5 facing the photosensitive substrate P, and the lower end surface of the cylindrical support 6 are set to be at the same height (same plane).

【0034】そして、真空ポンプ4を駆動することによ
り、排気管2の周方向に複数等間隔で設けられた小孔
(排気口)を介して、空間SPのガス(大気、吸光物
質)が露光装置EXの外部に排気されるとともに、筒状
支持部6の内部空間6aのガス(大気、吸光物質)も露
光装置EXの外部に排気されるようになっている。この
とき、それぞれの真空ポンプ4の駆動量(排気量)は制
御装置CONTによってそれぞれ独立して制御されるよ
うになっている。したがって、これら真空ポンプ4に接
続している排気管2の周囲のガス及び筒状支持部6の空
間6a内のガスの排気量はそれぞれ独立して調整される
ようになっている。
When the vacuum pump 4 is driven, the gas (atmosphere, light-absorbing substance) in the space SP is exposed through a plurality of small holes (exhaust ports) provided at equal intervals in the circumferential direction of the exhaust pipe 2. The gas (atmosphere, light-absorbing substance) in the internal space 6a of the cylindrical support 6 is also exhausted to the outside of the exposure apparatus EX while being exhausted to the outside of the apparatus EX. At this time, the driving amount (displacement amount) of each vacuum pump 4 is controlled independently by the control device CONT. Accordingly, the amount of gas around the exhaust pipe 2 connected to the vacuum pump 4 and the amount of gas exhausted in the space 6a of the cylindrical support 6 are independently adjusted.

【0035】すなわち、投影光学系PLによる投影領域
ARを中心として、空間SPの径方向外側に向かう複数
の位置におけるガスを、それぞれの位置において独立し
て排気するように設けられている。
That is, the gas is provided at a plurality of positions radially outward of the space SP around the projection area AR of the projection optical system PL so as to be independently exhausted at each position.

【0036】以上説明したような構成を有する排気装置
Sを備えた露光装置EXによって、空間SPに存在する
ガス(大気、吸光物質)の排気を行った後に、マスクM
に形成されたパターンの像を投影光学系PLを介して感
光基板P上に転写する方法について説明する。
After the gas (atmosphere, light-absorbing substance) existing in the space SP is exhausted by the exposure apparatus EX having the exhaust device S having the above-described configuration, the mask M
A method of transferring the image of the pattern formed on the photosensitive substrate P via the projection optical system PL will be described.

【0037】ここで、本発明の排気方法は、投影光学系
PL及び排気装置Sの下方に感光基板Pを支持した基板
ステージPSTを配置する工程(工程1)と、排気装置
Sの同心円状に配置された複数の排気管2のうち、最外
方にある排気管2aによって空間SPに存在するガスの
排気動作を行い、徐々に内側(投影領域AR中央側)に
配置されている排気管2b、2c、…、を用いて排気動
作を行う工程(工程2)と、投影系ユニットPUと感光
基板Pとの間に形成された空間SPの吸光物質が所定の
濃度以下になった時点において、感光基板Pに対して露
光処理を行う工程(工程3)とを備えている。
Here, the exhaust method of the present invention includes a step (step 1) of disposing a substrate stage PST supporting the photosensitive substrate P below the projection optical system PL and the exhaust apparatus S, and forming the exhaust apparatus S concentrically. Of the plurality of exhaust pipes 2 arranged, the outermost exhaust pipe 2a exhausts gas existing in the space SP, and the exhaust pipe 2b gradually disposed inside (the center side of the projection area AR). , 2c,... At the time when the light-absorbing substance in the space SP formed between the projection system unit PU and the photosensitive substrate P becomes equal to or lower than a predetermined concentration. A step of performing an exposure process on the photosensitive substrate P (Step 3).

【0038】<工程1>基板ステージPSTに露光処理
されるべき感光基板Pを支持させるため、駆動機構PS
TDによって基板ステージPSTを投影系ユニットPU
から離れた位置に移動させる。このとき、駆動機構PS
TDは、排気装置Sが設置されている位置より外側に基
板ステージPSTを移動させる。そして、不図示の基板
ローダによって、表面に感光剤が塗布されている感光基
板Pを基板ステージPSTの基板ホルダPHにロードす
る。そして、基板ホルダPHに感光基板Pをロードした
ら、駆動機構PSTDによって感光基板Pを支持した基
板ステージPSTを投影光学系PLの直下まで移動させ
る。このとき、感光基板Pの表面と基板ステージPST
とは同一平面になっている。
<Step 1> A drive mechanism PS for supporting the photosensitive substrate P to be exposed on the substrate stage PST
The substrate stage PST is projected to the projection system unit PU by TD.
Move to a position away from. At this time, the driving mechanism PS
The TD moves the substrate stage PST outside the position where the exhaust device S is installed. Then, the photosensitive substrate P, the surface of which is coated with a photosensitive agent, is loaded into the substrate holder PH of the substrate stage PST by a substrate loader (not shown). When the photosensitive substrate P is loaded on the substrate holder PH, the substrate stage PST supporting the photosensitive substrate P is moved to a position directly below the projection optical system PL by the drive mechanism PSTD. At this time, the surface of the photosensitive substrate P and the substrate stage PST
Are on the same plane.

【0039】<工程2>感光基板Pを投影光学系PLの
直下に配置したら、制御装置CONTは排気装置Sの同
心円状に配置された複数の排気管2のうち、所定の排気
管2によって空間SPのガスを排気させるように制御す
る。この場合、制御装置CONTは最外方に配置されて
いる排気管2aから空間SPのガスを排気させるように
制御する。このとき、他の排気管2(2b、2c)によ
る排気動作は行われない。
<Step 2> When the photosensitive substrate P is disposed immediately below the projection optical system PL, the control unit CONT is provided with a predetermined exhaust pipe 2 among a plurality of exhaust pipes 2 arranged concentrically of the exhaust apparatus S. Control is performed to exhaust the SP gas. In this case, the control unit CONT controls the gas in the space SP to be exhausted from the outermost exhaust pipe 2a. At this time, the exhaust operation by the other exhaust pipes 2 (2b, 2c) is not performed.

【0040】制御装置CONTは最外方に配置されてい
る排気管2aを備えた排気機構1によって、この排気管
2aが配置されている周囲の圧力をほぼ大気(外部雰囲
気)と等しくなるように調整する。次いで、空間SPの
うち最外方の排気管2aが配置されている周囲の圧力が
大気とほぼ等しくなるように調整されたら、制御装置C
ONTは、最外方から内側に向かって2番目の排気管2
bを備えた排気機構1を駆動し、この内側に位置する排
気管2bによって調整される圧力が、外側に配置された
排気管2aによって調整された圧力より低くなるように
調整する。このとき、排気管2a、2bによる排気動作
は行われているが、排気管2cによる排気動作は行われ
ていない。
The control unit CONT uses an exhaust mechanism 1 having an exhaust pipe 2a disposed at the outermost side so that the pressure around the exhaust pipe 2a is substantially equal to the atmosphere (external atmosphere). adjust. Next, when the pressure around the outermost exhaust pipe 2a in the space SP is adjusted to be substantially equal to the atmosphere, the control device C
ONT is the second exhaust pipe 2 from the outermost to the innermost.
The exhaust mechanism 1 provided with the exhaust pipe 2b is driven, and the pressure adjusted by the exhaust pipe 2b located inside is adjusted to be lower than the pressure adjusted by the exhaust pipe 2a arranged outside. At this time, the exhaust operation by the exhaust pipes 2a and 2b is performed, but the exhaust operation by the exhaust pipe 2c is not performed.

【0041】そして、排気管2bが配置されている周囲
の圧力が排気管2aの配置されている周囲の圧力より低
くなるように調整されたら、制御装置CONTは、最外
方から内側に向かって3番目の排気管2cを備えた排気
機構1を駆動し、内側に位置する排気管2cによって調
整される圧力が、排気管2bによって調整された圧力よ
り低くなるように調整する。このとき、排気管2a〜2
cの全ての排気管による排気動作が行われている。
When the pressure around the exhaust pipe 2b is adjusted to be lower than the pressure around the exhaust pipe 2a, the control unit CONT moves inward from the outermost side to the inner side. The exhaust mechanism 1 including the third exhaust pipe 2c is driven, and the pressure adjusted by the exhaust pipe 2c located inside is adjusted so as to be lower than the pressure adjusted by the exhaust pipe 2b. At this time, the exhaust pipes 2a to 2
Exhaust operation is performed by all exhaust pipes of c.

【0042】このように、同心状に配置された複数の排
気管2を備えた排気機構1を用いて、空間SPのうち、
外側の位置から内側の位置に向かう複数の位置における
圧力が、徐々に低くなるように調整する。
As described above, by using the exhaust mechanism 1 having the plurality of exhaust pipes 2 arranged concentrically, the space SP
The pressure at a plurality of positions from the outer position to the inner position is adjusted so as to gradually decrease.

【0043】そして、投影領域ARに対応する空間、す
なわち、投影光学系PLの直下の空間である空間6aの
圧力を、この空間6aに接続管3を介して接続する真空
ポンプ4を用いて、ほぼ真空になるように調整する。
Then, the pressure in the space corresponding to the projection area AR, that is, the space 6a, which is the space immediately below the projection optical system PL, is connected to the space 6a by using the vacuum pump 4 connected to the space 6a via the connection pipe 3. Adjust so that it is almost vacuum.

【0044】こうして、同心円状に配置された排気管2
のうち、外側に設けられた排気管2を備えた駆動機構1
から内側に向かって段階的に駆動し、外側の位置から内
側の位置(投影領域AR)に向かう複数の位置(排気管
2が配置された位置)における圧力が、内側に向かって
徐々に低くなるように設定する。そして、空間SPのう
ち最外方の位置における圧力が外部雰囲気の圧力(大気
圧)とほぼ等しくなるように調整するとともに、投影領
域ARに対応する空間6aの圧力がほぼ真空になるよう
に調整する。
Thus, the exhaust pipes 2 arranged concentrically
Drive mechanism 1 having an exhaust pipe 2 provided outside
From the outside position toward the inside position (projection area AR), the pressure at a plurality of positions (positions where the exhaust pipes 2 are arranged) gradually decreases toward the inside. Set as follows. Then, the pressure at the outermost position in the space SP is adjusted to be substantially equal to the pressure (atmospheric pressure) of the external atmosphere, and the pressure in the space 6a corresponding to the projection area AR is adjusted to be substantially vacuum. I do.

【0045】このとき、空間SPの最外方の圧力をほぼ
大気圧に設定することによって、外部から投影領域AR
側(空間SP中央側)に向かう大気(ガス)の流入が抑
えられている。そして、投影領域AR側に向かって圧力
分布が徐々に低くなるように調整することにより、投影
領域ARへの大気の流入を防止しつつ投影領域ARにお
ける大気を排気し、吸光物質を低減することができる。
At this time, by setting the outermost pressure of the space SP to approximately the atmospheric pressure, the projection area AR
The inflow of the atmosphere (gas) toward the side (the center side of the space SP) is suppressed. Then, by adjusting the pressure distribution so as to gradually decrease toward the projection area AR, the air in the projection area AR is exhausted while preventing the air from flowing into the projection area AR, and the light absorbing material is reduced. Can be.

【0046】そして、投影領域ARにおける吸光物質が
所定濃度以下になるまで排気動作を行う。この所定濃度
とは、露光光ELを照明した際、感光基板Pに形成され
るパターンの像が所定精度を得られるのに十分な濃度で
あって、吸光物質が所定濃度以下であれば所望の精度を
有するパターンが得られる。なお、このときの吸光物質
濃度は、空間SPや空間6aに吸光物質濃度を計測可能
なセンサを設けることにより計測することができる。一
方、吸光物質が所定濃度以下まで低減される時間を予め
実験やシミュレーションなどによって求めておき、この
時間だけ排気動作を行うことにより、センサを不要とす
る構成とすることもできる。
Then, the evacuation operation is performed until the light-absorbing substance in the projection area AR becomes lower than a predetermined concentration. The predetermined density is a density sufficient to obtain a predetermined accuracy of an image of a pattern formed on the photosensitive substrate P when illuminated with the exposure light EL. A pattern having accuracy can be obtained. At this time, the light absorbing substance concentration can be measured by providing a sensor capable of measuring the light absorbing substance concentration in the space SP or the space 6a. On the other hand, the time required for the light-absorbing substance to be reduced to a predetermined concentration or less may be determined in advance by experiments, simulations, or the like, and the exhaust operation may be performed for this time, thereby eliminating the need for a sensor.

【0047】<工程3>空間SP(投影領域AR)の吸
光物質が所定濃度以下になるまで排気動作を行ったら、
投影光学系PLに対する感光基板Pの位置合わせ(アラ
イメント)を行う。なお、このアライメント処理は、排
気装置Sによる排気動作中に行ってもよい。
<Step 3> When the evacuation operation is performed until the light absorbing substance in the space SP (projection area AR) becomes equal to or less than a predetermined concentration,
The alignment of the photosensitive substrate P with respect to the projection optical system PL is performed. Note that this alignment process may be performed during the exhaust operation by the exhaust device S.

【0048】そして、空間SPの吸光物質が所定濃度以
下まで低減されたら、アライメント処理を施された感光
基板Pに対して、制御装置CONTは、マスクステージ
MSTに保持されているマスクMに対して照明光学系I
Lからの露光光ELを照射し、この基板ステージPST
に保持されている感光基板Pに、マスクMに形成された
パターンの像を投影光学系PLを介して転写する。な
お、露光処理中においても、排気装置Sによる排気動作
は行われている。
When the light-absorbing substance in the space SP is reduced to a predetermined concentration or less, the control unit CONT moves the mask M held on the mask stage MST with respect to the aligned photosensitive substrate P. Illumination optical system I
The substrate stage PST is irradiated with the exposure light EL from
The image of the pattern formed on the mask M is transferred to the photosensitive substrate P held by the projection optical system PL via the projection optical system PL. Note that the exhaust operation by the exhaust device S is performed during the exposure process.

【0049】1つの感光基板Pに対する露光処理が終了
したら、制御装置CONTは基板ステージPSTの駆動
機構PSTDを駆動して、露光処理を施された感光基板
Pを投影光学系PL及び排気装置Sの直下から外部に移
動させる。そして、この露光処理を施された感光基板P
をアンロードするとともに、新たな感光基板Pを基板ス
テージPSTにロードする。そして、この感光基板Pを
支持した基板ステージPSTを投影光学系PL(排気装
置S)の直下に移動し、この感光基板Pに対して露光処
理を行う。なお、この感光基板Pを投影光学系PLの直
下に対して搬入・搬出する際、排気装置Sを常時駆動さ
せておくことにより、この投影光学系PLの直下の空間
における吸光物質の低減動作を行い続けていることにな
るので、排気動作の効率は向上する。
When the exposure process for one photosensitive substrate P is completed, the control unit CONT drives the drive mechanism PSTD of the substrate stage PST to remove the exposed photosensitive substrate P from the projection optical system PL and the exhaust device S. Move from just below to the outside. Then, the photosensitive substrate P subjected to this exposure processing
And a new photosensitive substrate P is loaded on the substrate stage PST. Then, the substrate stage PST supporting the photosensitive substrate P is moved directly below the projection optical system PL (exhaust device S), and the photosensitive substrate P is exposed. When the photosensitive substrate P is loaded / unloaded to / from immediately below the projection optical system PL, the exhaust device S is constantly driven to reduce the light absorbing material in the space immediately below the projection optical system PL. Since the operation is continuously performed, the efficiency of the exhaust operation is improved.

【0050】このように、投影光学系PLと感光基板P
との間に形成される空間SPに存在する吸光物質(大
気)を排気するための排気装置Sを設けたことにより、
吸光物質に起因する露光量の低下を防止することができ
る。したがって、精度良く安定した露光処理を行うこと
ができる。
As described above, the projection optical system PL and the photosensitive substrate P
By providing the exhaust device S for exhausting the light absorbing substance (atmosphere) existing in the space SP formed between
It is possible to prevent a decrease in the exposure amount due to the light absorbing material. Therefore, stable and accurate exposure processing can be performed.

【0051】本実施形態では、投影光学系PLや基板ス
テージPSTを密閉室内に設けて室内全体を真空引きあ
るいはガス置換を行う構成とは異なり、開放された空間
SPに存在する大気(吸光物質)を排気する構成である
ので、密閉室の建造やこの密閉室に対して感光基板Pを
搬送するための搬送装置、密閉室に対して搬送する際の
密閉室の開閉機構などを設ける必要がないため、装置の
簡素化、低コスト化を実現することができる。
In the present embodiment, unlike the configuration in which the projection optical system PL and the substrate stage PST are provided in a closed chamber and the entire chamber is evacuated or replaced with gas, the atmosphere (light absorbing material) existing in the open space SP It is not necessary to construct a closed chamber, provide a transfer device for transferring the photosensitive substrate P to the closed chamber, and provide a mechanism for opening and closing the closed chamber when transferring the sealed substrate to the closed chamber. Therefore, simplification of the apparatus and cost reduction can be realized.

【0052】そして、この開放された空間SPに存在す
るガス(大気)を排気する際、空間SPに対して同心円
状に配置される排気管2を備えた排気機構1によって空
間SPの外側から内側に向かって圧力を徐々に低下させ
ながら排気するようにしたので、外部雰囲気から投影領
域ARへの大気の流入を抑えることができる。
When the gas (atmosphere) existing in the open space SP is exhausted, an exhaust mechanism 1 having an exhaust pipe 2 arranged concentrically with the space SP is used to exhaust gas from the outside to the inside of the space SP. The exhaust is performed while the pressure is gradually reduced toward, so that the inflow of the atmosphere from the external atmosphere into the projection area AR can be suppressed.

【0053】すなわち、はじめに、投影領域ARに対応
する空間の大気を排気した場合、この投影領域ARに対
応する空間の圧力が低下し、外部雰囲気からのガス(大
気)が流入し、投影光学系PL直下における吸光物質を
低減させるといった所望の効果を得られない場合があ
る。しかしながら、空間SPの外側から圧力調整を行う
とともに、内側に向かって段階的に圧力を低下させるよ
うに調整することにより、投影領域ARへの大気の流入
を抑えつつ投影領域ARの空間に存在する吸光物質を安
定して低減することができる。
That is, first, when the atmosphere in the space corresponding to the projection area AR is exhausted, the pressure in the space corresponding to the projection area AR decreases, and gas (atmosphere) flows from the outside atmosphere, and the projection optical system In some cases, a desired effect of reducing the light-absorbing substance immediately below the PL cannot be obtained. However, by adjusting the pressure from the outside of the space SP and adjusting the pressure in a stepwise manner toward the inside, the air is present in the space of the projection area AR while suppressing the inflow of the atmosphere into the projection area AR. Light-absorbing substances can be stably reduced.

【0054】このとき、空間SPの最外方(外縁)の圧
力を外部雰囲気の圧力(大気圧)とほぼ等しく設定する
ことにより、外部雰囲気から投影領域ARへの大気の流
入を更に確実に抑えることができる。
At this time, by setting the pressure at the outermost side (outer edge) of the space SP to be substantially equal to the pressure (atmospheric pressure) of the external atmosphere, the inflow of the air from the external atmosphere into the projection area AR is more reliably suppressed. be able to.

【0055】そして、投影領域ARに対応する空間6a
を真空状態にすることにより、投影領域ARにおける吸
光物質は十分に低減されるので、吸光物質に起因する露
光量の低下を防止することができる。したがって、精度
良い露光処理を行うことができる。
Then, the space 6a corresponding to the projection area AR
By setting a vacuum state, the light-absorbing substance in the projection area AR is sufficiently reduced, so that it is possible to prevent a decrease in the exposure amount due to the light-absorbing substance. Therefore, accurate exposure processing can be performed.

【0056】感光基板Pの表面と基板ステージPSTの
上面とを同一平面に設定しておくことにより、基板ステ
ージPSTに支持された感光基板Pを投影光学系PLの
直下に移動させる際の作業性を向上させることができ
る。また、排気管2と排気管支持部5とも同一平面にな
るように設定されているので、基板ステージPSTに支
持された感光基板Pと投影光学系PL及び排気装置Sと
が対向した際、ガスは円滑に流動する。したがって、排
気動作の効率を向上させることができる。
By setting the surface of the photosensitive substrate P and the upper surface of the substrate stage PST on the same plane, the workability when moving the photosensitive substrate P supported by the substrate stage PST directly below the projection optical system PL is set. Can be improved. In addition, since the exhaust pipe 2 and the exhaust pipe supporting portion 5 are set so as to be flush with each other, when the photosensitive substrate P supported by the substrate stage PST faces the projection optical system PL and the exhaust device S, the gas is exhausted. Flows smoothly. Therefore, the efficiency of the exhaust operation can be improved.

【0057】なお、本実施形態においては、排気管2は
円環状に形成されたものであるが、楕円形状や多角形状
など、空間SPの圧力分布が外側から内側に向かって低
くなるように設定可能であれば、どのような形状でもよ
い。さらに、排気管2は、空間SPの外側から内側に向
かって所定の位置に配置されていればよく、例えば図4
に示すように、円弧状の排気管を複数設ける構成とする
ことも可能である。
In the present embodiment, the exhaust pipe 2 is formed in an annular shape. However, the exhaust pipe 2 is set so that the pressure distribution in the space SP, such as an elliptical shape or a polygonal shape, becomes lower from the outside to the inside. Any shape is possible if possible. Further, the exhaust pipe 2 only needs to be arranged at a predetermined position from the outside to the inside of the space SP.
As shown in (1), a configuration in which a plurality of arc-shaped exhaust pipes are provided is also possible.

【0058】本実施形態においては、同心状に配置され
た排気管2のうち、まず最外方の排気管2aを用いて排
気動作を行い、順次内側の排気管を用いて排気動作を行
う構成であるが、空間SPの外側の圧力が大気圧にほぼ
等しく、内側に向かって圧力を徐々に低くし、内側の圧
力が真空圧になるような圧力分布に設定可能であれば、
それぞれの排気管による排気動作を同時に行うことも可
能である。
In this embodiment, of the exhaust pipes 2 arranged concentrically, the exhaust operation is first performed using the outermost exhaust pipe 2a, and the exhaust operation is sequentially performed using the inner exhaust pipe. However, if it is possible to set a pressure distribution such that the pressure outside the space SP is substantially equal to the atmospheric pressure, the pressure is gradually reduced toward the inside, and the pressure inside the space becomes a vacuum pressure,
It is also possible to simultaneously perform the exhaust operation by each exhaust pipe.

【0059】感光基板Pを保持する基板ホルダPHは、
例えば静電気力を用いた静電チャックにより基板を保持
するようになっているが、このときの基板ホルダPHの
感光基板Pに対する保持力は、排気装置Sの排気動作に
よる感光基板Pに対する吸引力より大きい力を有してい
ればよい。したがって、安定して感光基板Pを保持可能
であれば、例えば真空チャックを用いたり、あるいは真
空チャックの数を増やすなど、様々な構成を採用するこ
とができる。
The substrate holder PH for holding the photosensitive substrate P is
For example, the substrate is held by an electrostatic chuck using electrostatic force. At this time, the holding force of the substrate holder PH on the photosensitive substrate P is smaller than the suction force on the photosensitive substrate P by the exhaust operation of the exhaust device S. It is only necessary to have a large force. Therefore, if the photosensitive substrate P can be stably held, various configurations such as using a vacuum chuck or increasing the number of vacuum chucks can be adopted.

【0060】本実施形態においては、露光処理されるべ
き感光基板Pを基板ローダによって基板ステージPST
にロードする際、この基板ステージPSTを投影光学系
PL及び排気装置Sから離れた位置まで移動させ、この
離れた位置においてロードを行い、感光基板Pを支持し
た基板ステージPSTを投影光学系PLの直下まで搬送
する構成であるが、このような構成とすることにより、
排気管2を支持する排気管支持部5と基板ステージPS
T上の感光基板Pとの離間距離が小さくても、排気装置
Sや基板ステージPSTと基板ローダとの干渉が生じな
いので感光基板Pを投影光学系PLの直下に安定して配
置することができる。なお、基板ステージPSTを投影
光学系PLの直下に配置したままで、基板ローダによっ
て露光処理されるべき感光基板Pを基板ステージPST
にロードする構成とすることももちろん可能である。
In this embodiment, a photosensitive substrate P to be exposed is processed by a substrate loader on a substrate stage PST.
When loading the substrate stage PST, the substrate stage PST is moved to a position distant from the projection optical system PL and the exhaust device S, loading is performed at this distant position, and the substrate stage PST supporting the photosensitive substrate P is moved to the projection optical system PL. Although it is a configuration to convey to just below, by adopting such a configuration,
Exhaust pipe support 5 supporting exhaust pipe 2 and substrate stage PS
Even if the separation distance from the photosensitive substrate P on T is small, interference between the exhaust device S or the substrate stage PST and the substrate loader does not occur, so that the photosensitive substrate P can be stably arranged directly below the projection optical system PL. it can. While the substrate stage PST is kept directly below the projection optical system PL, the photosensitive substrate P to be exposed by the substrate loader is moved to the substrate stage PST.
Of course, it is also possible to adopt a configuration in which the data is loaded into the memory.

【0061】本実施形態においては、排気管2は、2a
〜2cの3つによって構成されているが、もちろん、4
つ以上の任意の数の排気管を設置することが可能であ
る。
In the present embodiment, the exhaust pipe 2 is composed of 2a
~ 2c, but of course 4
It is possible to install any number of one or more exhaust pipes.

【0062】本実施形態の露光装置EXとして、マスク
Mと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを露光
する走査型の露光装置にも適用することができる。
As the exposure apparatus EX of the present embodiment, the present invention can be applied to a scanning type exposure apparatus that exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the substrate P.

【0063】露光装置EXの用途としては半導体製造用
の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラ
スプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の
露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置
にも広く適当できる。
The application of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor. For example, an exposure apparatus for a liquid crystal for exposing a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, and a method for manufacturing a thin film magnetic head. It can be widely applied to an exposure apparatus for performing the above.

【0064】投影光学系PLの倍率は縮小系のみならず
等倍および拡大系のいずれでもよい。
The magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system.

【0065】投影光学系PLとしては、エキシマレーザ
などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石な
どの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レーザやX線
を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし
(レチクルも反射型タイプのものを用いる)、また、電
子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏
向器からなる電子光学系を用いればいい。なお、電子線
が通過する光路は真空状態にすることはいうまでもな
い。
As the projection optical system PL, when far-ultraviolet light such as excimer laser is used, a material which transmits far-ultraviolet light such as quartz or fluorite is used as a glass material. When F2 laser or X-ray is used, a catadioptric system or An optical system of a refraction system (a reticle of a reflection type is used), and when an electron beam is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It goes without saying that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state.

【0066】基板ステージPSTやマスクステージMS
Tにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用
いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス
力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、
ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいい
し、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
The substrate stage PST and the mask stage MS
When a linear motor is used for T, either an air levitation type using an air bearing or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. Also,
The stage may be a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.

【0067】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に
設ければよい。
When a plane motor is used as the stage driving device, one of the magnet unit (permanent magnet) and the armature unit is connected to the stage, and the other of the magnet unit and the armature unit is connected to the moving surface side of the stage. (Base).

【0068】基板ステージPSTの移動により発生する
反力は、特開平8−166475号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。
The reaction force generated by the movement of the substrate stage PST may be mechanically released to the floor (ground) by using a frame member as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-166475. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.

【0069】マスクステージMSTの移動により発生す
る反力は、特開平8−330224号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。
The reaction force generated by the movement of the mask stage MST is mechanically moved to the floor (ground) using a frame member as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-330224.
You may escape to The present invention is also applicable to an exposure apparatus having such a structure.

【0070】以上のように、本実施形態の露光装置は、
本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種
サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学
的精度を保つように、組み立てることで製造される。こ
れら各種精度を確保するために、この組み立ての前後に
は、各種光学系については光学的精度を達成するための
調整、各種機械系については機械的精度を達成するため
の調整、各種電気系については電気的精度を達成するた
めの調整が行われる。各種サブシステムから露光装置へ
の組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接
続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含ま
れる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て
工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程がある
ことはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置へ
の組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光
装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装
置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリー
ンルームで行うことが望ましい。
As described above, the exposure apparatus of the present embodiment
It is manufactured by assembling various subsystems including each component recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes mechanical connection, wiring connection of an electric circuit, and piping connection of a pneumatic circuit between the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the exposure apparatus be manufactured in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0071】半導体デバイスは、図5に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するス
テップ202、シリコン材料から基板(ウエハ)を製造
するステップ203、前述した実施形態の露光装置によ
りマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ
204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、
ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検
査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 5, for a semiconductor device, a step 201 for designing the function and performance of the device, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate (wafer) from a silicon material are manufactured. Step 203, a substrate processing step 204 of exposing a mask pattern to a substrate using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and a device assembling step (dicing step,
(Including a bonding step and a package step) 205, an inspection step 206, and the like.

【0072】[0072]

【発明の効果】本発明の排気方法及び排気装置、露光方
法及び露光装置は以下のような効果を有するものであ
る。請求項1に記載の排気方法及び請求項5に記載の排
気装置によれば、空間の外縁の位置における圧力を、空
間内の所定の位置の圧力に対して高く設定することによ
り、空間を密閉状態としなくても、外部からのガスは空
間内の所定の位置に浸入しない。そして、この状態にお
いて空間に存在する所定のガスを排気することにより、
所定の位置に存在するガスの排気を簡易な構成で安定し
て行うことができる。
The exhaust method and exhaust apparatus, exposure method and exposure apparatus of the present invention have the following effects. According to the exhaust method according to the first aspect and the exhaust device according to the fifth aspect, the space is sealed by setting the pressure at the position of the outer edge of the space higher than the pressure at the predetermined position in the space. Even if the state is not set, gas from the outside does not enter a predetermined position in the space. Then, by exhausting a predetermined gas existing in the space in this state,
The gas existing at a predetermined position can be stably exhausted with a simple configuration.

【0073】請求項2に記載の排気方法及び請求項6、
7に記載の排気装置によれば、空間の外側の位置から所
定の位置に向かう複数の位置における圧力を、これらの
位置に設けられた排気管及びこの排気管に接続された排
気駆動装置によって徐々に低くなるように設定したの
で、外部雰囲気から空間の所定の位置へのガスの浸入を
抑えることができる。
The exhaust method according to claim 2 and claim 6,
According to the exhaust device described in Item 7, the pressure at a plurality of positions from the position outside the space to the predetermined position is gradually increased by the exhaust pipe provided at these positions and the exhaust driving device connected to the exhaust pipe. , It is possible to suppress the intrusion of gas from the external atmosphere to a predetermined position in the space.

【0074】請求項3に記載の排気方法によれば、空間
の外縁の位置における圧力を、空間の外部雰囲気の圧力
と等しく設定することにより、外部雰囲気のガスが空間
内の所定の位置に浸入することを更に確実に抑えること
ができる。
According to the third aspect of the present invention, by setting the pressure at the outer edge of the space to be equal to the pressure of the outer atmosphere of the space, the gas of the outer atmosphere enters the predetermined position in the space. Can be more reliably suppressed.

【0075】請求項4に記載の排気方法によれば、空間
の所定の位置における圧力を真空圧に設定することによ
り、所定の位置に存在する所定のガスを十分に低減する
ことができる。
According to the exhaust method of the fourth aspect, by setting the pressure at the predetermined position in the space to the vacuum pressure, the predetermined gas existing at the predetermined position can be sufficiently reduced.

【0076】請求項8に記載の排気装置によれば、それ
ぞれの排気機構を独立して制御することにより、空間内
部において、所望の圧力分布を精度良く容易に得ること
ができる。
According to the eighth aspect of the present invention, a desired pressure distribution can be easily and accurately obtained inside the space by independently controlling each exhaust mechanism.

【0077】請求項9に記載の露光方法及び請求項10
に記載の露光装置によれば、投影光学系と基板との間に
形成された空間に存在する吸光物質を排気する際、投影
光学系による基板上の投影領域に対応する位置に対して
空間の外縁の位置における圧力を高く設定しつつ排気を
行うようにしたので、この投影光学系と基板との間の空
間を密閉状態としなくても、空間内の投影領域に存在す
る吸光物質を簡易な構成で安定して低減することができ
る。そして、吸光物質の濃度が所定の値になってから転
写処理を行うことにより、精度良い転写処理(露光処
理)を行うことができる。
The exposure method according to claim 9 and the exposure method according to claim 10
According to the exposure apparatus described in the above, when exhausting the light absorbing substance existing in the space formed between the projection optical system and the substrate, the space of the space corresponding to the position corresponding to the projection area on the substrate by the projection optical system Since the exhaust is performed while the pressure at the outer edge is set to be high, the light-absorbing substance existing in the projection area in the space can be easily reduced without sealing the space between the projection optical system and the substrate. With the configuration, it can be stably reduced. The transfer process (exposure process) can be performed with high accuracy by performing the transfer process after the concentration of the light-absorbing substance reaches a predetermined value.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の排気装置を備えた露光装置の一実施形
態を説明するための概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining an embodiment of an exposure apparatus provided with an exhaust device of the present invention.

【図2】本発明の排気装置の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an exhaust device of the present invention.

【図3】図2の平面図である。FIG. 3 is a plan view of FIG. 2;

【図4】本発明の他の実施形態を説明するための平面図
である。
FIG. 4 is a plan view for explaining another embodiment of the present invention.

【図5】半導体デバイスの製造工程の一例を説明するた
めのフローチャート図である。
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 排気機構 2 排気管 3 接続管 4 真空ポンプ(排気駆動装置) 5 排気管支持部(物体) 6a 空間 AR 投影領域(所定の位置) CONT 制御装置 EL 露光光 EX 露光装置 M マスク P 感光基板(物体) PL 投影光学系(物体) PST 基板ステージ(物体) S 排気装置 SP 空間 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exhaust mechanism 2 Exhaust pipe 3 Connection pipe 4 Vacuum pump (exhaust drive device) 5 Exhaust pipe support part (object) 6a Space AR Projection area (predetermined position) CONT control apparatus EL Exposure light EX Exposure apparatus M Mask P Photosensitive substrate ( Object) PL Projection optical system (Object) PST Substrate stage (Object) S Exhaust device SP Space

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する2つの物体間に形成された空間
に存在する所定のガスを排気する排気方法において、 前記空間内の所定の位置に対して該空間の外縁の位置に
おける圧力を高く設定しつつ、前記排気を行うことを特
徴とする排気方法。
An exhaust method for exhausting a predetermined gas existing in a space formed between two opposing objects, wherein a pressure at an outer edge of the space is set higher than a predetermined position in the space. Exhaust method while performing the exhaust.
【請求項2】 請求項1に記載の排気方法において、 前記外縁の位置から前記所定の位置に向かう複数の各位
置における圧力を徐々に低くなるように設定することを
特徴とする排気方法。
2. The exhaust method according to claim 1, wherein pressures at a plurality of positions from the position of the outer edge toward the predetermined position are gradually reduced.
【請求項3】 請求項1又は2に記載の排気方法におい
て、 前記外縁の位置における圧力を、前記空間の外部の圧力
と等しく設定することを特徴とする排気方法。
3. The exhaust method according to claim 1, wherein a pressure at the outer edge is set equal to a pressure outside the space.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれか一項に記載の排
気方法において、 前記所定の位置における圧力を真空圧に設定することを
特徴とする排気方法。
4. The exhaust method according to claim 1, wherein the pressure at the predetermined position is set to a vacuum pressure.
【請求項5】 対向する2つの物体間に形成された空間
に存在する所定のガスを排気する排気装置において、 前記空間内の所定の位置から該空間の外縁の位置に向か
う複数の位置に設置された排気機構と、 前記所定の位置に対して前記外縁の位置における圧力を
高く設定しつつ排気を行うように前記排気機構を制御す
る制御装置とを備えることを特徴とする排気装置。
5. An exhaust device for exhausting a predetermined gas existing in a space formed between two opposing objects, wherein the exhaust device is installed at a plurality of positions from a predetermined position in the space to a position of an outer edge of the space. An exhaust device, comprising: a set exhaust mechanism; and a control device that controls the exhaust mechanism so as to perform exhaust while setting the pressure at the outer edge position higher than the predetermined position.
【請求項6】 請求項5に記載の排気装置において、 前記排気機構は、前記空間の所定の位置を基準として同
心状に配置される環状の排気管と、 前記排気管に接続された複数の排気駆動装置とを備える
ことを特徴とする排気装置。
6. The exhaust device according to claim 5, wherein the exhaust mechanism includes an annular exhaust pipe arranged concentrically with respect to a predetermined position in the space, and a plurality of exhaust pipes connected to the exhaust pipe. An exhaust device comprising: an exhaust driving device.
【請求項7】 請求項5又は6に記載の排気装置におい
て、 前記制御装置は、前記外縁の位置から前記所定の位置に
向かう複数の各位置における圧力を徐々に低くなるよう
に前記排気機構を制御することを特徴とする排気装置。
7. The exhaust device according to claim 5, wherein the control device controls the exhaust mechanism such that pressures at a plurality of positions from the position of the outer edge toward the predetermined position gradually decrease. An exhaust device characterized by being controlled.
【請求項8】 請求項5〜7のいずれか一項に記載の排
気装置において、 前記制御装置は、前記それぞれの排気機構を独立して制
御可能であることを特徴とする排気装置。
8. The exhaust device according to claim 5, wherein the control device is capable of controlling each of the exhaust mechanisms independently.
【請求項9】 マスクに露光光を照射して該マスクのパ
ターンの像を投影光学系を介して基板上に転写する露光
方法において、 前記投影光学系と基板との間に形成された空間に存在す
る、前記露光光を吸収する特性を有する吸光物質を排気
する際、 前記投影光学系による基板上の投影領域に対応する位置
に対して前記空間の外縁の位置における圧力を高く設定
しつつ前記排気を行い、 前記吸光物質の濃度が所定の値になってから、前記基板
に対する前記転写処理を行うことを特徴とする露光方
法。
9. An exposure method for irradiating a mask with exposure light to transfer an image of a pattern of the mask onto a substrate via a projection optical system, wherein the image is formed in a space formed between the projection optical system and the substrate. When exhausting the light-absorbing substance having the characteristic of absorbing the exposure light, the pressure is set high at the position of the outer edge of the space with respect to the position corresponding to the projection area on the substrate by the projection optical system. An exposure method, wherein the transfer process is performed on the substrate after the gas is exhausted and the concentration of the light absorbing substance reaches a predetermined value.
【請求項10】 マスクに露光光を照射して該マスクの
パターンの像を投影光学系を介して基板上に転写する露
光装置において、 前記投影光学系と基板との間に形成された空間に存在す
る、前記露光光を吸収する特性を有する吸光物質を排気
する排気装置を備え、 該排気装置は、前記空間内の前記投影光学系による基板
上の投影領域に対応する位置から前記空間の外縁の位置
に向かう複数の位置に設置された排気機構と、 前記投影領域に対応する位置に対して前記外縁の位置に
おける圧力を高く設定しつつ、排気を行うよう前記排気
機構を制御する制御装置とを備えることを特徴とする露
光装置。
10. An exposure apparatus for irradiating a mask with exposure light and transferring an image of a pattern of the mask onto a substrate via a projection optical system, wherein an image is formed in a space formed between the projection optical system and the substrate. An exhaust device for exhausting an existing light-absorbing substance having a characteristic of absorbing the exposure light, wherein the exhaust device is provided at an outer edge of the space from a position corresponding to a projection area on the substrate by the projection optical system in the space. An exhaust mechanism installed at a plurality of positions toward the position, and a control device that controls the exhaust mechanism to perform exhaust while setting the pressure at the position of the outer edge higher than the position corresponding to the projection area. An exposure apparatus comprising:
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